DE69301898T2 - Integrierte Halbleiterschaltung mit einer Verzögerungsschaltung, die eine zu der Betriebsspannungspannung proportionale Verzögerung aufweist - Google Patents

Integrierte Halbleiterschaltung mit einer Verzögerungsschaltung, die eine zu der Betriebsspannungspannung proportionale Verzögerung aufweist

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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08139579A (ja) * 1994-11-15 1996-05-31 Mitsubishi Electric Corp 電流源及び半導体集積回路装置
US5559476A (en) * 1995-05-31 1996-09-24 Cirrus Logic, Inc. Voltage controlled oscillator including voltage controlled delay circuit with power supply noise isolation
JPH0969292A (ja) * 1995-08-30 1997-03-11 Nec Corp 半導体記憶装置
US5748542A (en) * 1996-12-13 1998-05-05 Micron Technology, Inc. Circuit and method for providing a substantially constant time delay over a range of supply voltages
JP2000057771A (ja) * 1998-08-05 2000-02-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
DE19907177A1 (de) * 1999-02-19 2000-08-31 Siemens Ag Verzögerungsschaltung
US6133799A (en) * 1999-02-25 2000-10-17 International Business Machines Corporation Voltage controlled oscillator utilizing threshold voltage control of silicon on insulator MOSFETS
US6426658B1 (en) * 2000-09-29 2002-07-30 Infineon Technologies Ag Buffers with reduced voltage input/output signals
JP5580179B2 (ja) * 2010-11-30 2014-08-27 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル 半導体装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6033314B2 (ja) * 1979-11-22 1985-08-02 富士通株式会社 基板バイアス電圧発生回路
JPS5694654A (en) * 1979-12-27 1981-07-31 Toshiba Corp Generating circuit for substrate bias voltage
US4439692A (en) * 1981-12-07 1984-03-27 Signetics Corporation Feedback-controlled substrate bias generator
EP0194939B1 (de) * 1985-03-14 1992-02-05 Fujitsu Limited Halbleiterspeicheranordnung
JPS62272619A (ja) * 1986-05-21 1987-11-26 Hitachi Ltd 遅延回路
JPS63185116A (ja) * 1987-01-27 1988-07-30 Nec Corp Cmos回路
US5262999A (en) * 1988-06-17 1993-11-16 Hitachi, Ltd. Large scale integrated circuit for low voltage operation
JPH02189792A (ja) * 1989-01-17 1990-07-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路の遅延回路
JP2557271B2 (ja) * 1990-04-06 1996-11-27 三菱電機株式会社 内部降圧電源電圧を有する半導体装置における基板電圧発生回路
US5200921A (en) * 1990-09-20 1993-04-06 Fujitsu Limited Semiconductor integrated circuit including P-channel MOS transistors having different threshold voltages
JPH04172711A (ja) * 1990-11-06 1992-06-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体遅延回路

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