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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein optisches Untermodul und eine
optische hybridintegrierte Schaltung, die mit einer Opto-Vorrichtung
oder dem optischen Untermodul ausgestattet ist.
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Mit
dem jüngsten
Fortschritt bei der optischen Kommunikation und optischen Informationsverarbeitung besteht
ein Bedürfnis
zur Entwicklung einer optoelektronischen Integrationsschaltung,
bei der aktive Vorrichtungen in optische Wellenleiter mit geringem
Verlust und dergleichen eingearbeitet sind, um mittels einer elektrischen
Hochfrequenzschaltung angesteuert zu werden.
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Zum
Erzielen einer Schaltung, in die aktive Vorrichtungen auf dem optischen
Wellenleiter eingearbeitet sind und die hochfrequenzmäßig angesteuert
wird, sind für
die optoelektronische Platine drei Bedingungen erforderlich, und
zwar 1) eine optische Wellenleiterfunktion mit geringen Verlusten,
2) die Funktion einer optischen Bank zum Einarbeiten einer Opto-Vorrichtung
auf dem gleichen Substrat und zum Verhindern einer Achsabweichung
und 3) eine zum Ansteuern der Opto-Vorrichtung erforderliche elektrische
Hochfrequenz-Verdrahtungsfunktion.
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Jedoch
wurde eine die obigen drei Bedingungen erfüllende Schaltung nicht aus
dem Stand der Technik erhalten.
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Als
ein Beispiel für
den Stand der Technik zeigt 1 eine
schematische Perspektivansicht, die den Aufbau einer sogenannten "optischen Siliziumbank" zeigt, bei der unter
Verwendung einer Führungsnut 2 und Positionierungsbezugsoberflächen 3a, 3b und 3c,
die auf einem Silizium-Substrat 1 ausgebildet sind, eine Lichtleitfaser
bzw. ein optischer Wellenleiter 4 und ein Halbleiterlaser
(LD) 5 auf dem Silizium-Substrat integriert sind. Da die
Führungsnut
bei diesem Aufbau aufgrund der guten Verarbeitbarkeit des Silizium-Substrates mit einer
großen
Präzision
ausgebildet werden kann, kann die Integration des optischer Wellenleiters 4 mit
Opto-Vorrichtungen, wie beispielsweise dem Halbleiterlaser (LD) 5 und
einem Fotodetektor (PD) leicht erreicht werden. Da das Silizium-Substrat
zudem hinsichtlich der Wärmeleitfähigkeit überlegen
ist, dient es gleichfalls als eine gute Wärmesenke bzw. als guter Kühlkörper für Opto-Vorrichtungen.
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Weiterhin
ist die elektrische Verdrahtung bzw. die elektrische Leitungsführung 6 direkt
auf der Oberfläche
des Silizium-Substrats 1 oder durch einen sehr dünnen Oxidfilm
von weniger als 0,5 μm
Dicke ausgebildet, jedoch hat diese Struktur das Problem einer merklichen
Beeinträchtigung
der Hochfrequenzeigenschaften der elektrischen Leitungsführung bzw.
Leitung 6. Das heißt,
um die elektrische Leitung 6 mit überlegenen Hochfrequenzeigenschaften
auszubilden, muss die elektrische Leitungsschicht eine ausreichende
Dicke haben und auf einem Isolator mit geringem dielektrischem Verlust
ausgebildet sein. Jedoch ist das Silizium-Substrat 1 in Bezug auf seine
Dicke sehr dünn,
der Widerstand ist nicht hoch genug, um die Hochfrequenzeigenschaften sicherzustellen
und hat einen spezifischen elektrischen Widerstand von etwa 1 kΩ/cm.
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2 zeigt
die Hochfrequenzeigenschaften einer 0,6 mm langen koplanaren Leitung,
die direkt auf dem Silizium-Substrat
ausgebildet ist (T. Suzuki et al.: Microwave Workshop Digest (1993)
S. 95). Die Achse der Ordinate bezeichnet die Übertragungscharakteristik S21
des S-Parameters
und die Achse der Abszisse bezeichnet eine Frequenz (GHz). Der Verlust
der 0,6 mm langen Leitung beträgt
etwa 0,4 dB (2 GHz) und etwa 0,8 dB (10 GHz), die sich auf 1 cm
umgerechnet als 7 dB (2 GHz) und 13 dB (10 GHz) darstellen, was
somit einen wesentlichen Verlust bedeutet.
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Andererseits
wird bei einer bestückten
optischen Schaltung beziehungsweise Bestückungsschaltung mit einer optischen
Wellenleiterfunktion die Anwendung von auf Siliziumdioxid basierten
optischen Wellenleitern, die auf dem Silizium-Substrat ausgebildet
sind, erwartet. Optische Wellenleiter gemäß dem Stand der Technik schließen 1) einen "optischen Wellenleiter
in Stegbauart",
bei dem der Kern mit einer dünnen Überumhüllungsschicht
geschützt
ist, wie in 3A und 3B dargestellt,
und 2) einen "eingebetteten
optischen Wellenleiter" ein,
bei dem der Kern in einer ausreichend dicken Überumhüllungsschicht eingebettet ist,
wie in 3C und 3D dargestellt.
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4 ist
eine schematische Perspektivansicht, die ein Beispiel des optischen
Wellenleiters der Stegbauart zeigt, die in einem Dokument beschrieben
ist, bei diesem Dokument handelt es sich um "Hybrid-Integrated 4 × 4 Optical Gate Matrix Switch
Using Silica-Based Optical Waveguides and LD Array Chips" in IEEE J. Lightwave
Technol., Band 10, Seiten 383–390,
1992, von Y. Yamada et al. Dieses Beispiel zeigt eine optische hybridintegrierte
Schaltung, die einen optischen Wellenleiter 7 auf Siliziumdioxidbasis,
der auf dem Silizium-Substrat 1 ausgebildet ist, und eine
Halbleiter-Opto-Vorrichtung 8 enthält. Bei diesem Beispiel ist
ein Halbleiterlaser-Verstärker mit
SLA bezeichnet. Der optische Wellenleiter 7 hat die Struktur
eines optischen Wellenleiters in der Stegbauart, bei dem ein auf
einer dicken Unterumhüllungsschicht 7c,
welche wiederum auf dem Silizium-Substrat 1 ausgebildet
ist, ausgebildeter Kern 7a durch sehr dünne Umhüllungsschichten 7b und 7c geschützt ist.
Der SLA 8 ist oberflächenbepackt
beziehungsweise oberflächenbestückt, und
zwar in einem Aufbau mit der Oberseite nach unten, bei dem eine
aktive Schicht 8a in der Nähe des Wellenleiterendes nach unten
gewandt ist, und eine Wärmesenke
bzw. Kühlkörper 9 zur
Wärmeableitung
ist auf der Rückseite
bereitgestellt. Da bei einer derartigen Struktur der Kern lediglich
mit sehr dünnen
Umhüllungsschichten 7b und 7c bedeckt
ist, bestehen dabei Probleme, dass 1) der optische Wellenleiter
einen hohen Verlust hat, 2) er wahrscheinlich von externen Störungen beeinträchtigt werden
kann und 3) die Bildung eines Richtkopplerschaltkreises schwierig
ist. Insbesondere ist der Richtkoppler ein unverzichtbares Schaltungselement,
um eine optische Schaltung hoher Leistungsfähigkeit herzustellen, und die
Unmöglichkeit
der Bildung desselben bedeutet, dass die Anwendung des optischen
Wellenleiters der Stegbauart auf einen engen Bereich begrenzt ist.
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Somit
erfüllt
der optische Wellenleiter der Stegbauart nicht hinreichend die optische
Wellenleiterfunktion. Die elektrische Verdrahtungsfunktion bzw.
Leitungsführungsfunktion
wird hier nicht weiter untersucht.
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5 zeigt
ein Beispiel einer "optischen
Wellenleiterschaltung mit Terrasse" (Yamada, Kawachi, Kobayashi: Japanische
offengelegte Patentanmeldung Nr. 63-131104, "Optische hybridintegrierte Schaltung"), bei dem ein optischer
Wellenleiter in einer Aussparung 1a auf einem Silizium-Substrat 1 mit
Unregelmäßigkeiten
ausgebildet ist und eine Vorrichtung auf einem vorspringenden Teil 1b angebracht
ist. Gemäß 5 ist eine
Unterumhüllungsschicht 10c eines
optischen Wellenleiters 10 auf Siliziumdioxidbasis in der
Aussparung 1a des Silizium-Substrats 1 ausgebildet,
und eine Kernschicht 10b ist darauf ausgebildet, und schließlich ist eine
Einbettungs-Umhüllungsschicht 10a ausgebildet.
Die obere Oberfläche
der Unterumhüllungsschicht 10c und
die obere Oberfläche
des vorspringenden Teils 1b des Silizium-Substrats liegen
höhenmäßig auf
einer Linie und der vorspringende Teil 1b kann als eine
Höhenbezugsoberfläche der
Opto-Vorrichtung 8 verwendet werden. Eine derartiges Substrat 1 erfüllt die
Funktion einer optischen Wellenleiters mit geringem Verlust und die
Funktion einer optischen Bank, jedoch ist eine Funktion zum Bereitstellen
von Hochfrequenzleitungen nicht im geringsten berücksichtigt.
Wenn es mit einer elektrischen Leitung ausgestattet wird, wird diese
auf dem vorspringenden Teil 1b des Silizium-Substrats 1 ausgebildet,
welches die Anforderungen für
Hochfrequenzeigenschaften nicht erfüllt. In 5 bezeichnet
das Bezugszeichen 8a eine aktive Schicht und 11 bezeichnet
eine Bezugsoberfläche
zur Vorrichtungspositionierung.
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6 ist
eine schematische Perspektivansicht, die den Aufbau einer optischen
hybridintegrierten Schaltung zeigt, welche in der offengelegten
Japanischen Patentanmeldung Nr. 62-242362 offenbart ist. Diese Schaltung
umfasst annähernd
eine Zwischenschicht 12, die auf einem Silizium-Substrat 1 bereitgestellt
ist, einen darauf bereitgestellten optischen Wellenleiter 13 auf
Siliziumdioxidbasis, einen Vorrichtungshalterungstisch 14 mit
der gleichen Höhe
von der oberen Oberfläche
des Silizium-Substrats 1 wie die Zwischenschicht 12,
einen Halbleiterlaser 15, der auf dem Haltetisch 14 in
einem Aufbau mit der Oberseite nach unten gehalten ist, und einen
elektrischen Leitungsführungstisch 16 mit
einem leitfähigen
Film 16a, welcher mittels eines Golddrahtes elektrisch
mit der oberen Elektrode des Halbleiterlasers 15 verbunden
ist und auf eine vorspringende Weise auf der oberen Oberfläche des
Silizium-Substrats 1 bereitgestellt ist. Die Bezugszahl 17 bezeichnet
eine Wärmesenke.
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Bei
einem derartigen Schaltungsaufbau besteht ein Vorteil darin, dass
Opto-Vorrichtungen, wie beispielsweise ein Halbleiterlaser, mit
einer sehr hohen Positionierungspräzision ausgestattet werden
können,
da eine Höhendifferenz
von der oberen Oberfläche
der Zwischenschicht 12 zu dem Kern des Wellenleiters 13 gleich
der Höhendifferenz
von der oberen Oberfläche
des Vorrichtungshaltetisches 14 zu der aktiven Schicht 15a des
Halbleiterlasers 15 eingestellt ist.
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Jedoch
ist selbst bei dieser Schaltung der optische Wellenleiter 13 auf
die Stegbauart beschränkt, neigt
(der optische Wellenleiter 13) dazu, durch externe Störungen beeinträchtigt zu
werden, und kann (der optische Wellenleiter 13) keine optische
Wellenleiterfunktion mit geringem Verlust bereitstellen.
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7 ist
eine schematische Perspektivansicht, die einen Aufbau einer optischen
hybridintegrierten Schaltung darstellt, welche in der Veröffentlichung
der Japanischen Patentanmeldung Nr. 5-2748 offenbart ist. Diese
Schaltung umfasst hauptsächlich
einen optischen Wellenleiter 18, der vorspringend mit annähernd der gleichen
Höhe auf
dem Silizium-Substrat angeordnet ist, eine Optischer Wellenleiterführung 19,
eine Opto-Vorrichtungsführung 20,
einen Haltetisch 21 für
elektrische Leitungen, einen ersten leitfähigen Film (gemeinsame Elektrode) 22,
der bzw. die auf dem Silizium-Substrat 1 angeordnet ist,
einen auf der oberen Oberfläche
der Halterung 21 für
die elektrischen Leitungen angeordneten zweiten leitfähigen Film 23,
welcher von dem ersten leitfähigen
Film 22 isoliert ist, einen entlang der Optischer Wellenleiterführung 19 angeordneten
Optischer Wellenleiter 24 und eine Laserdiode 25 als
eine entlang der Opto-Vorrichtungsführung 20 angeordnete
Opto-Vorrichtung.
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Die
Schaltung mit diesem Aufbau hat einen Vorteil dahingehend, dass
das Silizium-Substrat als eine Wärmesenke
dienen kann, da die Opto-Vorrichtung direkt auf dem Silizium-Substrat
angebracht ist.
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Jedoch
ist selbst mit dieser Schaltung der optische Wellenleiter 18 auf
die Stegbauart beschränkt, neigt
dazu, durch externe Störungen
beeinträchtigt
zu werden, und kann keine optische Wellenleiterfunktion mit einem
geringen Verlust bereitstellen.
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8 zeigt
eine schematische Querschnittsansicht, die den Aufbau einer optischen
Wellenleitervorrichtung zeigt, welche in der Offenlegungsschrift
der Japanischen Patentanmeldung Nr. 5-60952 offenbart ist. Diese
Vorrichtung umfasst im wesentlichen ein Silizium-Substrat 1,
einen auf dem Substrat 1 ausgebildeten optischen Wellenleiter
und eine Halbleitervorrichtung 27, die in einem Aufbau
mit einer Oberseite nach unten in einer Aussparung des Silizium-Substrats 1 angebracht
ist.
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Da
der optische Wellenleiter 26 in einem konvexen Bereich
des Silizium-Substrats 1 ausgebildet ist, kann eine Unterumhüllung einer
ausreichenden Dicke bei der Vorrichtung mit diesem Aufbau nicht
ausgebildet werden. Daher hat sie einen großen Übertragungsverlust, neigt dazu,
durch externe Störungen
beeinträchtigt zu
werden und erfüllt
eine ausreichende optische Wellenleiterfunktion nicht.
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Weiterhin
sind bei der obigen Vorrichtung die Anforderungen für Hochfrequenzeigenschaften
nicht erfüllt,
da die elektrische Leitung 28 auf dem Silizium-Substrat 1 bereitgestellt
ist.
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Wie
vorstehend beschrieben, erfüllt
die optische Hybrid-Integrationstechnologie
gemäß dem Stand der
Technik die obigen drei Anforderungen nicht. Insbesondere wurde
die elektrische Hochfrequenzverdrahtungs- bzw. -leitungsführungsfunktion
nicht berücksichtigt.
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Es
ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine optoelektronische
hybridintegrierte Schaltung bereitzustellen, welche die drei vorstehend
beschriebenen Funktionen erfüllt.
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Weiterhin
wird ein optisches Untermodul bereitgestellt, das die drei vorstehend
beschriebenen Funktionen erfüllt.
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Gemäß der vorliegenden
Erfindung wird diese Aufgabe gemäß den beigefügten unabhängigen Patentansprüchen gelöst. Vorteilhafte
Abwandlungen davon sind in den beigefügten abhängigen Patentansprüchen definiert.
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1 ist
eine schematische Perspektivansicht, die einen als „optische
Bank aus Silizium" bezeichneten
Aufbau zeigt;
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2 ist
ein Graph, der die Hochfrequenzeigenschaften einer 0,6 mm langen
koplanaren Leitung veranschaulicht, die direkt auf dem Silizium-Substrat
ausgebildet ist;
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3A ist eine Querschnittsansicht, die eine Plattform
mit einer Struktur eines optischen Wellenleiters in Stegbauart zeigt;
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3B ist eine Querschnittsansicht, die ein Befestigungsteil
bzw. einen Befestigungsbereich für
eine Opto-Vorrichtung der in 3A gezeigten
Plattform darstellt;
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3C ist eine Querschnittsansicht, die eine Plattform
mit einer Struktur eines optischen Wellenleiters der eingebetteten
Bauart zeigt;
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3D ist eine Querschnittsansicht, die einen Befestigungsbereich
für eine
Opto-Vorrichtung der in 3D gezeigten
Plattform zeigt;
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4 ist
eine schematische Perspektivansicht, die eine Plattform mit einem
optischen Wellenleiter einer Stegbauart zeigt;
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5 ist
eine schematische Perspektivansicht, die eine Plattform mit einem
optischen Wellenleiter einer eingebetteten Bauart zeigt;
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6 ist
eine schematische Perspektivansicht, die den Aufbau einer optischen
hybridintegrierten Schaltung zeigt, welche in der offengelegten
Japanischen Patentanmeldung Nr. 62-242 362 offenbart ist;
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7 ist
eine schematische Perspektivansicht, die den Aufbau einer optischen
hybridintegrierten Schaltung zeigt, welche in der veröffentlichten
Japanischen Patentanmeldung Nr. 5-2748 offenbart ist;
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8 ist
eine schematische Perspektivansicht, die ein Beispiel einer herkömmlichen
Opto-Halbleitervorrichtung zeigt;
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9 ist
eine schematische Perspektivansicht, die ein erstes erläuterndes
Beispiel einer optoelektronischen hybridintegrierten Schaltung zeigt;
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10 ist eine schematische Perspektivansicht, die
ein zweites erläuterndes
Beispiel einer optoelektronischen hybridintegrierten Schaltung zeigt;
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11 ist eine Querschnittsansicht, die einen Befestigungsbereich
für eine
Opto-Vorrichtung der Schaltung gemäß 10 zeigt;
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12 ist eine Querschnittsansicht entlang einer
Linie A-A' in 10;
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13 ist eine Querschnittsansicht entlang einer
Linie B-B' in 10;
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14A bis 14D sind
Querschnittsansichten, die jeweils ein erläuterndes Beispiel eines Verfahrens
zur Herstellung einer Plattform darstellen;
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14A ist eine Querschnittsansicht, die ein Verfahren
zur Ausbildung eines Siliziumdioxid-basierten optischen Wellenleiters
auf einem Substrat zeigt;
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14B ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt
zum Ausbilden von Siliziumterrassen zum Anbringen einer Opto-Vorrichtung
beziehungsweise einer elektrischen Schaltung zeigt;
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14C ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt
zum Entfernen einer Schicht aus Polyimid zeigt, welche auf den in 14B gezeigten Terrassen ausgebildet ist, um die
Terrassen freizulegen;
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14D ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt
zur Ausbildung eines elektrischen Leitungsführungsteils bzw. -bereiches
auf der Polyimidschicht zeigt;
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15 ist eine schematische Perspektivansicht, die
ein drittes erläuterndes
Beispiel einer optoelektronischen hybridintegrierten Schaltung zeigt;
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16A bis 16E sind
Querschnittsansichten, die jeweils ein weiteres erläuterndes
Beispiel eines Verfahrens zur Herstellung einer Plattform darstellen;
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16A ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt
zum Ausbilden eines einer Siliziumterrasse auf einem Substrat entsprechenden
Teils zeigt;
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16B ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt
zur Ausbildung einer Unterumhüllungsschicht eines
Siliziumdioxid-basierten optischen Wellenleiters in bzw. auf einer
Ausnehmung des Substrats zeigt;
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16C ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt
zum Ausbilden eines Kernmusters und einer Überumhüllungsschicht auf der Unterumhüllungsschicht
zeigt;
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16D ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt
zum Entfernen des Kernmusters und der Überumhüllungsschicht zum Freilegen
der Siliziumterrasse zeigt;
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16E ist eine Querschnittsansicht, die einen Schritt
zum Ausbilden eines elektrischen Leitungsführungsbereiches auf der Unterumhüllungsschicht
zeigt;
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17 ist eine schematische Perspektivansicht, die
ein viertes erläuterndes
Beispiel einer optoelektronischen hybridintegrierten Schaltung darstellt;
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18 ist eine Querschnittsansicht entlang einer
Linie A-A' in 17;
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19 ist ein Graph, der den Krümmungsradius des Substrats
und die Achsabweichung zwischen dem LD-Array und einem optischen
Wellenleiterkern darstellt;
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20 ist eine schematische Perspektivansicht, die
eine Opto-Vorrichtung als einen einzelnen Körper zeigt, welcher der Array-Opto-Vorrichtung
gemäß 18 entspricht;
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21 ist eine Querschnittsansicht entlang einer
Linie A-A' in 20;
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22 ist eine Querschnittsseitenansicht, welche
die Schaltung wie in 18 gezeigt darstellt;
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23 ist eine Querschnittsseitenansicht, die eine
Schaltung zeigt, deren koplanares Leitungsteil verglichen mit 18 abgesenkt ist;
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24 ist eine Querschnittsseitenansicht, die eine
Schaltung zeigt, deren koplanares Leitungsteil auf einem Unterumhüllungsteil
ausgebildet ist, und deren Unterumhüllungsteil verglichen mit 18 dick ist;
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25 ist eine schematische Perspektivansicht, die
ein fünftes
erläuterndes
Beispiel einer optoelektronischen hybridintegrierten Schaltung zeigt;
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26 ist eine Querschnittsansicht entlang einer
Linie D-D' in 25;
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27 ist eine schematische Perspektivansicht, die
ein sechstes erläuterndes
Beispiel einer optoelektronischen hybridintegrierten Schaltung darstellt;
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28 ist eine Querschnittsansicht entlang einer
Linie C-C' in 27;
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29 ist eine schematische Perspektivansicht, die
ein siebtes erläuterndes
Beispiel einer optoelektronischen hybridintegrierten Schaltung darstellt;
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30 ist eine Querschnittsansicht entlang einer
Linie E-E in 29;
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31 ist eine schematische Perspektivansicht, die
ein achtes erläuterndes
Beispiel einer optoelektronischen hybridintegrierten Schaltung darstellt;
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32 ist eine Querschnittsansicht entlang einer
Linie X-X' in 31;
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33 ist eine schematische Perspektivansicht, die
ein neuntes erläuterndes
Beispiel einer optoelektronischen hybridintegrierten Schaltung zeigt;
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34 ist eine schematische Perspektivansicht, die
ein elftes erläuterndes
Beispiel einer optoelektronischen hybridintegrierten Schaltung zeigt;
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35 ist eine schematische Perspektivansicht, die
ein zwölftes
erläuterndes
Beispiel einer optoelektronischen hybridintegrierten Schaltung;
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36 ist eine schematische Perspektivansicht, die
ein dreizehntes erläuterndes
Beispiel einer optoelektronischen hybridintegrierten Schaltung zeigt;
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37 ist eine schematische Perspektivansicht, die
ein vierzehntes erläuterndes
Beispiel einer optoelektronischen hybridintegrierten Schaltung zeigt;
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38 ist eine schematische Perspektivansicht, welche
eine Plattform zeigt, die bei einem fünfzehnten erläuterndes
Beispiel einer optoelektronischen hybridintegrierten Schaltung verwendet
wird;
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39 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie
A-A' in 38;
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40 ist eine schematische Perspektivansicht, welche
eine Plattform zeigt, die bei einem sechzehnten erläuterndes
Beispiel einer optoelektronischen hybridintegrierten Schaltung verwendet
wird;
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41 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie
B-B' in 40;
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42 ist eine schematische Perspektivansicht, welche
ein siebzehntes erläuterndes
Beispiel einer optoelektronischen hybridintegrierten Schaltung zeigt;
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43 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie
C-C' in 42;
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44A ist eine schematische Perspektivansicht, die
ein achtzehntes erläuterndes
Beispiel einer optoelektronischen hybridintegrierten Schaltung zeigt;
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44B ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie
B-B' in 44A;
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45A ist eine schematische Perspektivansicht, die
ein neunzehntes erläuterndes
Beispiel einer optoelektronischen hybridintegrierten Schaltung zeigt;
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45B ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie
B-B' in 45A;
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46 ist eine schematische Perspektivansicht, die
ein Verfahren zur Montage beziehungsweise Befestigung einer funktionalen
Opto-Vorrichtung auf einem Unterträger der in den 45A und 45B gezeigten
Schaltung zeigt;
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47 ist eine schematische Perspektivansicht, die
ein zwanzigstes erläuterndes
Beispiel einer optoelektronischen hybridintegrierten Schaltung zeigt;
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48 ist eine Querschnittsansicht entlang einer
Linie D-D' in 47;
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49 ist eine schematische Perspektivansicht, die
eine in einem einundzwanzigsten erläuternden Beispiel einer optoelektronischen
hybridintegrierten Schaltung verwendete Plattform zeigt;
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50 ist eine Querschnittsansicht, welche die Plattform
gemäß 49 mit einer Verwindung zeigt;
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51 ist eine schematische Perspektivansicht, die
eine in einem zweiundzwanzigsten erläuternden Beispiel einer optoelektronischen
hybridintegrierten Schaltung verwendete Plattform zeigt;
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52 ist eine schematische Perspektivansicht, welche
ein zweiundzwanzigstes erläuterndes
Beispiel einer optoelektronischen hybridintegrierten Schaltung zeigt;
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53 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie
III-III' in 52;
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54 ist eine Querschnittsansicht, die die Schaltung
gemäß 53 nach dem Rückfluss
einer Lötmittelperle
beziehungsweise nach einer Aufschmelzlötung zeigt;
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55 ist eine schematische Perspektivansicht, die
eine in einem dreiundzwanzigsten erläuternden Beispiel einer optoelektronischen
hybridintegrierten Schaltung verwendete Plattform zeigt;
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56 ist eine schematische Perspektivansicht, welche
eine Struktur der Plattform gemäß 55 zeigt, wenn
als Substrat für
die Plattform ein Alaunerde-Substrat für eine flache beziehungsweise
ebene Oberfläche verwendet wird
und wenn als optischer Wellenleiter für die Plattform ein optischer
Wellenleiter auf Siliziumdioxidbasis verwendet wird;
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57 ist eine schematische Draufsicht auf einen
Grundriss, der ein fünfundzwanzigstes
erläuterndes Beispiel
einer optoelektronischen hybridintegrierten Schaltung zeigt;
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58 ist eine vergrößerte detaillierte Perspektivansicht,
welche den Teil VIII in 57 zeigt;
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59 ist eine schematische Draufsicht auf einen
Grundriss, der ein sechsundzwanzigstes erläuterndes Beispiel einer optoelektronischen
hybridintegrierten Schaltung zeigt;
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60A ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie
Xa-Xa' in 59, wobei die Ansicht eine Laserdiode zeigt, die
auf der Plattform befestigt ist;
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60B ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie
Xb-Xb' in 59, wobei die Ansicht ein Modulationsfeld zeigt,
das auf der Plattform montiert ist;
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61 ist eine schematische Draufsicht auf einen
Grundriss, der ein siebenundzwanzigstes erläuterndes Beispiel einer optoelektronischen
hybridintegrierten Schaltung zeigt;
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62 ist eine schematische Draufsicht auf einen
Grundriss, der ein achtundzwanzigstes erläuterndes Beispiel einer optoelektronischen
hybridintegrierten Schaltung zeigt;
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die 63A und 63B sind
Figuren eines Verfahrens zur Ausrichtung einer auf dem Schaltkreis gemäß 62 zu montierenden beziehungsweise zu befestigenden
funktionalen Opto-Vorrichtung;
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63A ist eine schematische Draufsicht auf einen
Grundriss, der eine Einstellung des Kerns und die Befestigung eines
Halbleiterlaser-Feldes bzw. -Arrays als der funktionalen Opto-Vorrichtung
zeigt;
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63B ist eine schematische Draufsicht auf einen
Grundriss, der eine Kerneinstellung und eine Befestigung des Modulatorfeldes
als funktionale Opto-Vorrichtung zeigt;
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64 ist eine schematische Draufsicht auf einen
Grundriss, der ein neunundzwanzigstes erläuterndes Beispiel einer optoelektronischen
hybridintegrierten Schaltung zeigt;
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65 ist eine schematische Draufsicht auf einen
Grundriss, der ein dreißigstes
erläuterndes
Beispiel einer optoelektronischen hybridintegrierten Schaltung zeigt;
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66 ist eine schematische Perspektivansicht, welche
eine Opto-Vorrichtung und einen Träger in beziehungsweise bei
einem ersten Ausführungsbeispiel
eines optischen Untermoduls zeigt, das auf einer Plattform einer erfindungsgemäßen optoelektronischen
hybridintegrierten Schaltung montierbar ist;
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67 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie
A-A' in 66;
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68 ist eine schematische Perspektivansicht, die
ein zweites Ausführungsbeispiel
eines optischen Untermoduls zeigt, das auf einer Plattform einer
erfindungsgemäßen optoelektronischen
hybridintegrierten Schaltung montierbar ist;
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69 ist eine schematische Perspektivansicht, die
ein drittes Ausführungsbeispiel
eines optischen Untermoduls zeigt, das auf einer Plattform einer
erfindungsgemäßen optoelektronischen
hybridintegrierten Schaltung montierbar ist;
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70 ist eine schematische und perspektivische Explosionsdarstellung,
die ein erstes Ausführungsbeispiel
einer erfindungsgemäßen optoelektronischen
hybridintegrierten Schaltung zeigt, wobei der Schaltkreis die optischen
Untermodule gemäß der 66 und 67 verwendet;
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71 ist eine Querschnittsdarstellung entlang der
Linie B-B' in 70;
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72 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie
C-C' in 70;
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73 ist eine schematische Perspektivansicht, die
ein viertes Ausführungsbeispiel
eines optischen Untermoduls zeigt, das auf einer Plattform einer
erfindungsgemäßen optoelektronischen
hybridintegrierten Schaltung montierbar ist;
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74 ist eine schematische Perspektivansicht, die
ein zweites Ausführungsbeispiel
einer optoelektronischen erfindungsgemäßen hybridintegrierten Schaltung
zeigt;
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75 ist eine schematische und perspektivische Explosionsdarstellung,
die ein fünftes
Ausführungsbeispiel
eines optischen Untermoduls zeigt, das auf einer Plattform einer
erfindungsgemäßen optoelektronischen
hybridintegrierten Schaltung montierbar ist;
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76 ist eine schematische und perspektivische Explosionsdarstellung,
welche ein drittes Ausführungsbeispiel
einer erfindungsgemäßem optoelektronischen
hybridintegrierten Schaltung zeigt;
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77 ist eine schematische Perspektivansicht, die
ein sechstes Ausführungsbeispiel
eines optischen Untermoduls zeigt, das auf einer Plattform einer
erfindungsgemäßen optoelektronischen
hybridintegrierten Schaltung montierbar ist;
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78 ist eine schematische Perspektivansicht, welche
ein siebtes Ausführungsbeispiel
eines optischen Untermoduls zeigt, das auf einer Plattform einer
erfindungsgemäßen optoelektronischen
hybridintegrierten Schaltung montierbar ist;
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79 ist eine schematische Perspektivansicht, welche
ein achtes Ausführungsbeispiel
eines optischen Untermoduls zeigt, das auf einer Plattform einer
erfindungsgemäßen optoelektronischen
hybridintegrierten Schaltung montierbar ist;
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80 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie
D-D' in 79; und
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81 ist eine schematische Perspektivansicht, welche
ein viertes Ausführungsbeispiel
einer erfindungsgemäßen optoelektronischen
hybridintegrierten Schaltung zeigt.
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Erläuterndes Beispiel 1
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9 ist
eine schematische Perspektivansicht, die ein erstes erläuterndes
Beispiel einer optischen hybridintegrierten Schaltung zeigt. Die
Bezugszahl 1 bezeichnet ein Substrat und das vorliegende
erläuternde Beispiel
verwendet ein mit einem Vorsprung und einer Aussparung auf der Oberfläche versehenes
Silizium-Substrat. Die Bezugszahl 30 bezeichnet eine Siliziumterrasse,
die als ein Befestigungsteil bzw. -bereich für eine Opto-Vorrichtung dient,
wobei die vorspringende obere Oberfläche des Silizium-Substrats 1 verwendet wird.
Die Bezugszahl 31 bezeichnet einen als optischen Wellenleiter
des vorliegenden erläuternden
Beispiels verwendeten optischen Wellenleiter, der in einer optimalen
Position in einer in der Siliziumterrasse 30 ausgebildeten
V-Nut gehalten wird. Die Bezugszahl 52 bezeichnet eine
Dünnfilmelektrode
zur Kontaktierung der auf der Siliziumterrasse 30 angeordneten
Opto-Vorrichtung mit der Oberflächenelektrode,
wobei die Dünnfilmelektrode durch
Strukturierung eines 1 μm
dicken Au-Sn Lötmittels
auf einem 0,5 μm
dicken thermischen Oxidfilm, der auf der Oberfläche der Siliziumterrasse 30 bereitgestellt
ist, ausgebildet ist. Diese Dünnfilmelektrode 52 ist elektrisch
mit einem Oberflächenelektrodenmuster
bzw. einer Oberflächenelektrodenstruktur 51 der
funktionalen Opto-Vorrichtung verbunden, welche auf der Oberfläche einer
in bzw. auf einer Aussparung des Silizium-Substrats des Bereichs
der elektrischen Leitungsführung
ausgebildeten dielektrischen Schicht 50 angeordnet ist.
Die Bezugszahl 35 bezeichnet eine Siliziumterrasse für eine elektronische
Schaltung. Die Terrasse 35 ist von einer dielektrischen
Schicht 33 umgeben, und ein Leitermuster beziehungsweise
eine Leiterstruktur 51 für eine elektronische Schaltung
ist auf der Oberfläche
ausgebildet. Bei dem vorliegenden erläuternden Beispiel hat die Silizium-Aussparung
eine Stufe von 80 μm,
die dielektrische Schicht 50 hat eine Dicke von 50 μm und das
Leitermuster 51 auf der dielektrischen Schicht 50 ist
durch eine 5 μm
dicke Au-Plattierung bzw. Auflage ausgebildet. Im Ergebnis ist eine
Stufe von 25 μm
zwischen der oberen Oberfläche
der Terrasse 35 und der oberen Oberfläche der Leiterstruktur 51 ausgebildet.
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Die
Bezugszahl 37 bezeichnet eine funktionale Opto-Vorrichtung,
und das vorliegende erläuternde Beispiel
verwendet einen Halbleiterlaser (LD). Die Vorrichtung 37 wird
auf ein Vorrichtungs-Befestigungsbereich auf der Siliziumterrasse 30 in
einer mit der Oberseite nach unten gerichteten Konfiguration gebracht,
wobei die aktive Schicht nach unten gewandt ist, wodurch eine Positionierung
in der Höhenrichtung
zwischen dem optischen Wellenleiter und dem Halbleiterlaser (LD)
ohne Kernverstellung erreicht wird. Die Positionierung in der lateralen
Richtung kann durch Überwachung
des optischen Kopplungswirkungsgrades des optischen Wellenleiters
und des Halbleiterlasers (LD) erfolgen, oder unter Verwendung einer
an der Substratseite ausgebildeten Führungsstruktur ohne Kerneinstellung
erfolgen. In diesem Fall kontaktiert die Elektrode auf der Seite der
aktiven Schicht des Halbleiterlasers (LD) 37 die Dünnfilmelektrode 52 auf
der Siliziumterrasse 30 und ist elektrisch mit einem Leitungsmuster
bzw. einer Leiterstruktur 38 auf der dielektrischen Schicht 50 verbunden. Bei
der Dünnfilmelektrode 52 wird
das Lötmittel
mittels Hitze geschmolzen, um den Halbleiterlaser (LD) 37 auf dem
Substrat zu fixieren. Da bei dem vorliegenden erläuternden
Beispiel der Halbleiterlaser (LD) unter Verwendung der Dünnfilmelektrode 52 auf
der Siliziumterrasse 30 wie vorstehend gezeigt fixiert
wird, kann die Siliziumterrasse 30 als eine Wärmesenke
verwendet werden. Da gleichzeitig die elektrische Verdrahtung mit Ausnahme
der Verbindung zu der funktionalen Opto-Vorrichtung auf der eine
ausreichende Dicke aufweisenden dielektrischen Schicht 50 bereitgestellt
ist, können überlegene
Hochfrequenzeigenschaften erzielt werden.
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Die
elektronische Schaltung 38 ist auf der Siliziumterrasse 35 mit
der die Vorrichtung bildenden nach unten gewandten Oberfläche angeordnet.
Da die obere Oberfläche
der Leiterstruktur 51 auf der dielektrischen Schicht 50 um
25 μm niedriger
als die obere Oberfläche
der Siliziumterrasse 35 eingestellt ist, kann in diesem Fall,
wenn eine etwa 25 μm
dicke Lötperle
verwendet wird, die Oberfläche
des Mittenabschnitts der elektronischen Schaltung mit der oberen
Oberfläche
der Siliziumterrasse 35 kontaktiert werden, und gleichzeitig
kann die Elektrode der elektronischen Schaltung mit der Leiterstruktur 51 der
dielektrischen Schicht 50 ohne Verwendung einer elektrischen
Verdrahtung kontaktiert werden. Daher ist bei dem vorliegenden erläuternden
Beispiel eine Wärmeableitung
bei der die Siliziumterrasse 35 verwendenden elektronischen
Schaltung möglich und
eine hochfrequenztaugliche elektrische Verdrahtung wird durch das
Silizium-Substrat 1 nicht erreicht.
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Wie
vorstehend beschrieben, kann mit dem optoelektronischen hybridintegrierten
Substrat die Funktion der Siliziumterrasse als optische Bank, das
heißt,
die Funktion zur Positionierung der optischen Achse zwischen der
funktionalen Opto-Vorrichtung und dem optischen Wellenleiter, die
Funktion der Wärmeableitung der
funktionalen Opto-Vorrichtung und der elektronischen Schaltung erreicht
sowie die Funktion der hochfrequenztauglichen elektrischen Leitungsführung bereitgestellt
werden.
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Erläuterndes Beispiel 2
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10 ist eine schematische Perspektivansicht, die
den gesamten Aufbau eines zweiten erläuternden Beispiels der optoelektronischen
optischen hybridintegrierten Schaltung zeigt. 11 ist eine schematische Querschnittsansicht in
der Nähe
der in 10 gezeigten Schaltung, 12 ist eine Querschnittsansicht entlang einer
Fläche
A-A' in 10, und 13 ist
eine Querschnittsansicht entlang einer Fläche B-B' in 10.
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Gemäß der Darstellung
in 10 verwendet das Bepackungssubstrat bzw. das bestückte Substrat des
vorliegenden erläuternden
Beispiels das mit einem Vorsprung und einer Aussparung auf der Oberfläche versehene
Silizium-Substrat 1 gemäß dem erläuternden
Beispiel 1. In der optischen Wellenleitereinheit ist ein optischer
Wellenleiter 40 auf Siliziumdioxidbasis in bzw. auf der
Aussparung des Silizium-Substrats 1 ausgebildet. Gemäß der Darstellung
in 12 ist die Siliziumterrasse 35 auf dem
Opto-Vorrichtungs-Befestigungsbereich bereitgestellt. In dem elektrischen
Leitungsführungsbereich
ist eine Polyimidharz umfassende dielektrische Schicht 50 in
beziehungsweise auf der Aussparung des Silizium-Substrats ausgebildet,
wobei die Leitermuster 51 und 510 auf der Oberfläche und
im Inneren ausgebildet sind. Die Siliziumterrasse 35 für eine elektronische
Schaltung ist in der Mitte des elektrischen Verdrahtungsabschnitts
angeordnet.
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Gemäß der Darstellung
in 11 gibt es in dem Bereich des optischen Wellenleiters
auf der linken Seite der Siliziumterrasse 35 eine Stufe
von 17 μm
in der Silizium-Aussparung und ein optischer Wellenleiter 40 auf
Siliziumdioxidbasis, der eine Unterumhüllung 41 (20 μm dick),
einen Kern 42 (6 μm × 6 μm) und eine Überumhüllung 43 (15 μm dick) aufweist,
ist darauf aufgestapelt beziehungsweise schichtweise angeordnet. Auf
die Wellenleiterstruktur wird als „Struktur eingebetteter Bauart" Bezug genommen,
welche überlegene
optische Wellenleitereigenschaften hat, da die Kernstruktur in einer
Umhüllungsschicht
mit einer ausreichenden Dicke eingebettet ist.
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Die
Siliziumterrasse 30 hat eine geneigte Seitenoberfläche, und
die obere Oberfläche
und die elektrische Verdrahtungsseitenoberfläche sind mit einer Dünnfilmelektrode 52 versehen,
welche durch Strukturieren eines 1 μm dicken Au-Sn Lötmittels
ausgebildet ist. Der Abstand von der Oberfläche der Dünnfilmelektrode 52 zur
Mitte des optischen Wellenleiterkerns beträgt 5 μm. Diese Größe ist gleich dem Abstand von
der Oberfläche
des befestigten Halbleiterlasers (LD) zu der aktiven Schicht und
eine Positionierung in der Höhenrichtung des
optischen Wellenleiterkerns 42 und der funktionalen Opto-Vorrichtung kann
ohne Einstellung bzw. Ausrichtung erzielt werden, indem die funktionale
Opto-Vorrichtung auf der Siliziumterrasse 30 in einem Zustand,
in dem die Oberseite nach unten gedreht ist, wobei die Oberfläche der
aktiven Schicht nach unten gewandt ist, befestigt wird.
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Der
elektrische Verdrahtungsabschnitt auf der rechten Seite der Silizium-Terrasse
enthält
die dielektrische Schicht 50, die ein 15 μm dickes
Polyimid auf der Aussparung von 25 μm Tiefe in dem Silizium aufweist, die
Leiterstruktur 51, die eine auf der Oberfläche ausgebildete
5 μm dicke
Au-Struktur aufweist, und die innerhalb ausgebildete Leiterstruktur 510.
Die Leiterstruktur 51 auf der dielektrischen Schicht 50 kontaktiert
elektrisch die Dünnfilmelektroden 52,
die auf der oberen Oberfläche
und der Seitenoberfläche
der Silizium-Terrasse ausgebildet sind. In diesem Fall gibt es eine
Stufe von etwa 10 μm
zwischen der Oberfläche
der Silizium-Terrasse 35 und der Oberfläche der dielektrischen Schicht 50,
und eine solche elektrische Verdrahtung kann erreicht werden zwischen
zwei Schichten mit unterschiedlichen Höhen, da die Seitenoberfläche der
Silizium-Terrasse geneigt ist. Wenn die Seitenoberfläche der
Silizium-Terrasse 35 annähernd vertikal ausgebildet
ist, ist es schwierig, die zwei Schichten ohne Verwendung eines
Drahtes elektrisch zu verbinden, da die elektrische Verdrahtung
beziehungsweise die elektrische Leitungsführung durch die Stufe zwischen
der Dünnfilmelektrode
auf der Silizium-Terrasse und der Leiterstruktur auf der dielektrischen
Schicht geöffnet
bzw. unterbrochen ist.
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In
dem in 10 gezeigten elektrischen Verdrahtungsabschnitt
bzw. Leitungsführungsbereich
ist die Silizium-Terrasse für
eine elektronische Schaltung in der Mitte bereitgestellt, wo die
elektronische Schaltung angeordnet ist. Die elektrische Leitungsführung, welche
die Silizium-Terrasse für
eine Opto-Vorrichtung und die Silizium-Terrasse für eine elektronische
Schaltung miteinander verbindet, ist als eine koplanare Leitung ausgebildet,
die einen Mittenleiter 51a und einen Masseleiter 51b umfasst.
Die elektrische Leitungsführung
um die elektronische Schaltung ist durch eine Mikrostreifen-Leitungsführung gebildet,
welche die Oberflächenleitungsstruktur 51 und
den Masseleiter 510 umfasst, der in dem dielektrischen
Material bereitgestellt ist. Gemäß der Darstellung
in 13 sind der Masseleiter 51b der koplanaren
Leitungsführung
und der Masseleiter 510 der Mikrostreifen-Leitungsführung mit
einer Durchgriffselektrode 520 verbunden, die in der dielektrischen Schicht
ausgebildet ist.
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Im
Vergleich der koplanaren Leitungsführung und der Mikrostreifen-Leitungsführung kann
erstere leicht ausgebildet werden, da sie auf einer einzelnen Schicht
einer elektrischen Leitungsführung
ausgebildet ist, jedoch ist die Leitungsführungsdichte nicht hoch. Andererseits
hat letztere eine Mehrfachschicht einer elektrischen Verdrahtung
bzw. Leitungsführung
und erfordert eine komplexe Herstellungsarbeit, kann jedoch eine hohe
Leitungsführungsdichte
erzielen. Da bei dem vorliegenden erläuternden Beispiel Polyimid
verwendet wird, was leicht zu einer Mehrschichtleitungsführung als
einer dielektrischen Schicht in dem elektrischen Leitungsführungsbereich
ausgebildet werden kann, ist die Bildung der Mikrostreifen-Leitungsführung möglich. Durch
die Verwendung einer derartigen Bepackungssubstratstruktur ist die
Integration der funktionalen Opto-Vorrichtung und der elektronischen
Schaltung mit einer Anzahl von Verbindungsanschlüssen möglich.
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Die
auf dem Bepackungssubstrat befestigte funktionale Opto-Vorrichtung 37 ist
ein Halbleiterlaser (LD), der auf einem Unterträger 44 befestigt ist,
welcher durch Verarbeiten eines wärmeleitfähigen Materials, wie beispielsweise
dem Silizium-Substrat ausgebildet ist. Der Unterträger 44 hat
einen Vorsprung und eine in bzw. auf der Oberfläche ausgebildete Aussparung
und ist so fixiert, dass nach dem elektrischen Anschließen eines
Leitungsmusters bzw. einer Leiterstruktur von der Vorsprungsoberfläche an die
Aussparungsoberfläche die Rückseite
des Halbleiterlasers (LD) die Aussparung kontaktiert, und die Rückseite
des Halbleiterlasers und die Leitungsstruktur auf dem Unterträger elektrisch
miteinander verbunden sind. Um den an dem Träger befestigten Halbleiterlaser
(LD) auf der Silizium-Terrasse 30 zu
befestigen, wird die Seitenoberfläche der aktiven Schicht des
Halbleiterlasers (LD) nach unten gedreht und mit der Silizium-Terrasse 30 kontaktiert.
Die Elektrode auf der Seite der aktiven Schicht des Halbleiterlasers
(LD) und eine erste Dünnfilmelektrode 53a berühren einander
direkt, und die Elektrode auf der Rückseite des Halbleiterlasers
(LD) berührt
eine zweite Dünnfilmelektrode 53b auf
dem Bepackungssubstrat durch den Unterträger. Da der Abstand von der
Dünnfilmelektrodenoberfläche auf
der Silizium-Terrasse zu dem Wellenleiterkernmittelpunkt und der
Abstand von der Halbleiterlaser-(LD) Vorrichtung zu der aktiven
Schicht gleich sind bzw. auf einer Linie liegen, ist in diesem Fall
die Positionierung in der Höhenrichtung
mit dem optischen Wellenleiter durch lediglich Befestigen des Halbleiterlasers
(LD) abgeschlossen. Die Positionierung innerhalb der Oberfläche erfolgt
durch Überwachung
des Kopplungseffektes des optischen Wellenleiters mit dem Halbleiterlaser
(LD). Die Silizium-Terrasse ist eine Bezugsoberfläche mit
hoher Präzision,
wenn die Vorrichtung befestigt wird und dient gleichzeitig als eine
Wärmesenke bzw.
als Kühlkörper.
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Die
elektronische Schaltung wird auf der Silizium-Terrasse unter Verwendung
einer Lötperle
befestigt, wobei die Vorrichtungsoberfläche nach unten gewandt ist,
wie bei dem erläuternden
Beispiel 1. In diesem Fall ist, wie vorstehend beschrieben, die
Höhe der dielektrischen
Schicht auf dem elektrischen Leitungsführungsbereich und dem darauf
ausgebildeten Leitungsmuster bzw. der darauf ausgebildeten Leiterstruktur
niedriger als die obere Oberfläche
der Silizium-Terrasse. Als Folge der Struktur ist es möglich, die
elektronische Schaltung auf der Silizium-Terrasse zu kontaktieren/befestigen
und direkt alle Elektroden der elektronischen Schaltung direkt mit
der Leiterstruktur auf der dielektrischen Schicht nicht durch die
elektrische Leitungsführung
auf der Silizium-Terrasse zu verbinden. Folglich kann die elektrische
Schaltung mit überlegenen
Wärmeabstrahlungseigenschaften
und für
Hochgeschwindigkeitsbetrieb befestigt werden.
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Wie
vorstehend beschrieben, ist bei dem vorliegenden erläuternden
Beispiel die Silizium-Terrasse für eine
elektronische Schaltung in dem elektrischen Leitungsführungsbereich
bereitgestellt und die Höhe
der Leiterstrukturoberfläche
um die Schaltung ist niedriger als die Silizium-Terrasse eingestellt.
Daher können
bei der optischen hybridintegrierten Schaltung gemäß dem vorliegenden
erläuternden
Beispiel die Elektroden der elektronischen Schaltung und die Leiterstruktur
auf der dielektrischen Schicht unter Verwendung von Lötperlen direkt
elektrisch verbunden werden und gleichzeitig kann eine Bepackung
bzw. Bestückung
mit der elektronischen Schaltung erfolgen, während der Kontakt mit der Silizium-Terrasse beibehalten
wird. Da die Seitenoberfläche
der Silizium-Terrasse geneigt ist, kann weiterhin, ungeachtet der
Stufe zwischen der oberen Oberfläche der
Silizium-Terrasse
und der Leiterstruktur auf der dielektrischen Schicht, die auf der
Silizium-Terrasse für
die Opto-Vorrichtung
bereitgestellte Dünnfilmelektrode
und die Leiterstruktur auf der dielektrischen Schicht elektrisch
miteinander verbunden werden. Daher können die Elektrodenanschlüsse der
funktionalen Opto-Vorrichtung auf der Silizium-Terrasse bereitgestellt
werden, um den Wärmesenkeneffekt
bzw. Kühlkörpereffekt
zu verbessern, und alle von den Elektrodenanschlüssen unterschiedlichen elektrischen
Leitungsführungen
können auf
der dielektrischen Schicht ausgebildet werden, wodurch überlegene
Hochfrequenzeigenschaften erzielt werden.
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Mit
dem vorliegenden erläuternden
Beispiel können
die optische Bankfunktion, das heißt, die Positionierungsfunktion
für die
optische Achse zwischen der funktionalen Opto-Vorrichtung und dem
Optischer Wellenleiter und die Wärmesenken-
bzw. Kühlkörperfunktion
der funktionalen Opto-Vorrichtung und der elektronischen Schaltung
ermöglicht
werden, und die Hochfrequenztauglichkeit der elektrischen Leitungsführungsfunktion
kann bereitgestellt werden.
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Das
Bepackungs- bzw. Bestückungssubstrat
gemäß dem vorliegenden
erläuternden
Beispiel kann beispielsweise gemäß den in 14A bis 14D gezeigten
Schritten hergestellt werden. Zuerst wird durch ein später beschriebenes
Verfahren eine Aussparung auf dem Silizium-Substrat 1 ausgebildet und
der optische Wellenleiter 40 auf Siliziumdioxidbasis mit
der Unterumhüllungsschicht 41,
der Kernstruktur 42 und der Überumhüllungsschicht 43 ausgebildet
(14A). Dann wird die Oberfläche des Silizium-Substrats 1 verarbeitet,
um die Silizium-Terrasse 30 für eine Opto-Vorrichtung und
die Silizium-Terrasse 35 für eine elektronische Schaltung
auszubilden. In diesem Fall wird an der Bodenoberfläche der
Silizium-Aussparung in der Nähe der
Silizium-Terrasse 35 für
die elektronische Schaltung der Silizium-Leitungsfilm, wie beispielsweise Gold oder
Kupfer als eine Masseleitungsschicht ausgebildet (14B). Darauf wird als ein dielektrisches Material für den elektrischen
Leitungsführungsbereich
Polyimid beschichtet und ausgehärtet,
unnötiges
Polyimid wird durch Trockenätzen
oder dergleichen entfernt, um die Silizium-Terrassen 30 und 35 freizulegen.
Weiterhin wird die Polyimidschicht 50 geätzt, so
dass die Schicht um eine vorbestimmte Stufe von der Silizium-Terrasse
verringert wird (14C). Schließlich wird
die Leiterstruktur 51 auf der Oberfläche des dielektrischen Materials 50 ausgebildet,
und die Dünnfilmelektrode 52 wird
auf der Silizium-Terrasse 30 für die Opto-Vorrichtung ausgebildet,
um elektrisch mit der Leiterstruktur 51 auf der dielektrischen
Schicht 50 verbunden zu sein.
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Erläuterndes Beispiel 3
-
15 ist eine schematische Perspektivansicht, die
einen Aufbau eines dritten erläuternden
Beispiels der optischen hybridintegrierten Schaltung darstellt.
Ein wesentlicher Unterschied des vorliegenden erläuternden
Beispiels gegenüber
dem erläuternden
Beispiel 2 ist der, dass die dielektrische Schicht des elektrischen Leitungsführungsbereiches
unter Verwendung des gleichen Materials wie dem des optischen Wellenleiters ausgebildet
ist.
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Das
heißt,
die Silizium-Aussparung ist durch Bereitstellen einer Stufe von
33 μm von
beziehungsweise ausgehend von der Oberfläche der Silizium-Terrasse mit
dem optischen Wellenleiter und dem elektrischen Leitungsführungsbereich
ausgebildet. In der dem optischen Wellenleiter entsprechenden Silizium-Aussparung
ist der optische Wellenleiter 40 auf Siliziumdioxidbasis
mit der Unterumhüllung 41 (35 μm dick),
dem Kern 42 (6 μm × 6 μm) und der Überumhüllung 43 (30 μm dick) ausgebildet.
Andererseits ist bei der dem elektrischen Leitungsführungsbereich
entsprechenden Silizium-Aussparung die Unterumhüllungsschicht 41 des
optischen Wellenleiters auf Siliziumdioxidbasis als die dielektrische
Schicht 50 ausgebildet. Sie hat eine Dicke von 25 μm und ist
10 μm niedriger
als die obere Oberfläche
der Silizium-Terrasse 10 für die Opto-Vorrichtung und der Silizium-Terrasse 35 für die elektronische
Schaltung. Da die Höhe
der oberen Oberfläche
der Leiterstruktur des elektrischen Leitungsführungsbereiches niedriger eingestellt
ist als die obere Oberfläche
der Silizium-Terrasse, kann die wichtige elektrische Leitungsführung bzw.
Verdrahtung vollständig
auf der dielektrischen Schicht ausgebildet sein und unter Verwendung
von Lötperlen
verbunden beziehungsweise angeschlossen werden, und die elektronische
Schaltung und die Silizium-Terrasse können kontaktiert werden. Daher
hat das Bepackungssubstrat hochfrequenztaugliche elektrische Eigenschaften
und eine gute Vorrichtungswärmeableitungsfunktion.
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Die
Struktur des vorliegenden erläuternden
Beispiels, bei der das dielektrische Material des elektrischen Leitungsführungsbereiches
und des optischen Wellenleiters aus dem gleichen Material gebildet
sind, hat einen Effekt zur Vereinfachung des Substratausbildungsschritts.
Zu diesem Zweck wird der Substratausbildungsprozess mit Bezug auf 16A bis 16E beschrieben.
Ein erster Schritt der Substratherstellung besteht im Bilden einer
der Silizium-Terrasse entsprechenden Stufe auf dem Substrat (16A). Bei dem vorliegenden erläuternden Beispiel, bei dem
Silizium als das Substrat verwendet wird, kann eine gewünschte Stufe
durch anisotropes Ätzen
unter Verwendung einer Alkali-Ätzlösung, wie
beispielsweise KOH, ausgebildet werden. Durch geeignetes Auswählen der
Kristallorientierung des Silizium-Substrats kann die Silizium-Terrassen-Seitenoberfläche wie
dargestellt mit einer Neigung von etwa 7° ausgebildet werden. Danach
wird die Unterumhüllungsschicht 41 des
dielektrischen optischen Wellenleiters, wie beispielsweise einem
auf Siliziumdioxid beruhenden optischen Wellenleiter, auf der Substrat-Aussparung
ausgebildet, und die Oberfläche
wird durch Polieren oder dergleichen abgeflacht bzw. geglättet (16B). Dann werden die Kernstruktur 42 und die Überumhüllungsschicht 43 des
optischen Wellenleiters ausgebildet (16C).
Danach wird der in dem die Silizium-Terrasse enthaltenden Bereich
der elektrischen Leitungsführung
ausgebildete optische Wellenleiter durch Ätzen entfernt, um die Silizium-Terrasse
freizulegen. Dabei kann in dem Ätzschritt
des auf Siliziumdioxid beruhenden optischen Wellenleiters und des
polymeren Wellenleiters (optischer Wellenleiter aus Polyimid und so
weiter), das heißt,
beim reaktiven Ionenätzen
unter Verwendung einer Mischung aus CF4 und H2 oder O2 Gas als einer Ätze, das
Silizium-Substrat 1 als
eine Ätzbegrenzungsschicht
verwendet werden. Daher schreitet das Ätzen der Oberfläche nicht weiter
fort, wenn die Silizium-Terrassen 30 und 35 mit
dem Fortschreiten des Ätzens
freigelegt werden.
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Andererseits
schreitet das Ätzen
des Teils bzw. des Bereichs des optischen Wellenleiters fort. Als
ein Ergebnis kann die Stufe zwischen der dielektrischen Oberfläche des
elektrischen Leitungsführungsbereiches und
der Silizium-Terrasse durch einen einzelnen Ätzschritt ausgebildet werden
(16D).
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Schließlich wird
die Leiterstruktur auf der dielektrischen Oberfläche des elektrischen Leitungsführungsbereiches
ausgebildet, und die Dünnfilmelektroden
werden auf der Oberfläche
und der geneigten Oberfläche
der Silizium-Terrasse ausgebildet, um das Bepackungssubstrat gemäß dem vorliegenden
erläuternden Beispiel
auszubilden (16E). In diesem Fall wird ein
anisotropes Ätzen
des Silizium-Substrats in dem in 16A dargestellten
Schritt verwendet, eine Neigung kann automatisch auf der Silizium-Terrassen-Seitenoberfläche ausgebildet
werden. Da dieses Verfahren leicht die Neigung der Silizium-Terrassen-Seitenoberfläche ausbilden
kann, kann die elektrische Leitungsführung selbst mit einer Stufe
zwischen der Silizium-Terrasse und der oberen Oberfläche der
dielektrischen Schicht ohne Leitungsunterbrechung zwischen diesen
beiden ausgebildet werden.
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Durch
Ausbilden des dielektrischen optischen Wellenleiters und der dielektrischen
Schicht des elektrischen Leitungsführungsbereiches unter Verwendung
des gleichen Materials kann folglich der Herstellungsprozess, verglichen
mit der Bildung beider Teile aus unterschiedlichen Materialien,
vereinfacht werden.
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Zudem
bewirkt die Tatsache, dass die Silizium-Terrassen-Seitenoberfläche wie
vorstehend beschrieben geneigt ist, anstatt vertikal ausgebildet
zu sein, eine merkliche Erleichterung bei einer Bepackungssubstratherstellung.
Das heißt,
wenn die Silizium-Terrassen-Seitenoberfläche annähernd vertikal ausgebildet
ist, beispielsweise bei dem Bepackungssubstrat gemäß 9,
ist es, wenn es eine Stufe zwischen der Silizium-Terrasse für eine Opto-Vorrichtung
und der oberen Oberfläche
der dielektrischen Schicht 50 gibt, schwierig, die Dünnfilmelektrode 52 auf
der Silizium-Terrasse 30 und die Leiterstruktur 51a auf
der dielektrischen Schicht 50 elektrisch miteinander zu
verbinden. Daher erfordert die Ausbildung der oberen Oberfläche der
Silizium-Terrasse und der oberen Oberfläche der dielektrischen Schicht
ohne eine Stufe in dem Prozess gemäß 16,
um eine elektrische Leitungsführung,
wie in 9 dargestellt, unter Verwendung
einer Silizium-Terrasse mit einer vertikalen Seitenoberfläche zu bewirken,
eine sehr genaue Steuerung hinsichtlich der Ätzzeit und Ätzrate des optischen Wellenleiters,
was die Herstellung des Bepackungs-Substrats mit diesem Aufbau extrem
schwierig gestaltet. Diese Schwierigkeit wird durch Neigen der Seitenoberfläche der
Silizium-Terrasse, wie vorstehend beschrieben, beseitigt.
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Erläuterndes Beispiel 4
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17 ist eine schematische Perspektivansicht eines
vierten erläuternden
Beispiels der optischen hybridintegrierten Schaltung, und 18 ist eine schematische Querschnittsansicht entlang
der Linie A-A in 17. Die Figuren zeigen einen
Wellenleiter 60 einer eingebetteten Bauart, bei dem eine
Unterumhüllungsschicht 60c,
ein Kern 60b und eine Überumhüllungsschicht 60a auf
dem Silizium-Substrat 1 integriert sind. Da das in 17 dargestellte Beispiel zur Befestigung einer
Vierer-Array Opto-Vorrichtung
mit 400 μm
Abstand vorgesehen ist, sind die Kerne 60b in Intervallen
von 400 μm
angeordnet.
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Wie
in 18 dargestellt, ist eine koplanare Leitung 61 ausgebildet,
die einen Mittenleiter 61a in einem 400 μm Intervall
und einen Masseleiter 61b umfasst. Eine Breite W des Mittenleiters 61a,
ein Spaltintervall S zwischen den Mittenleitern 61a und
dem Masseleiter 61b, und eine Dicke H der Wellenleiterschicht
auf Siliziumdioxidbasis zwischen der koplanaren Leitung 61 und
dem Silizium-Substrat 1 sind wichtige Parameter, welche
die Hochfrequenzeigenschaften der koplanaren Leitung 61 beeinflussen.
Die Parameter werden später
mit Bezug auf eine Tabelle beschrieben.
-
Ein
Befestigungsbereich 63 für eine Opto-Vorrichtung 62 ist
durch Ätzen
der Überumhüllungsschicht 60a zum
Freilegen der oberen Oberfläche
der Unterumhüllungsschicht 60c ausgebildet,
wo elektrische Leitungsführungsschichten 63a und 63b ausgebildet
sind. In diesem Fall wird eine 5 μm
dicke Au-beschichtete Leitung für
die elektrischen Leitungsführungsschichten 61a, 61b, 63a und 63b verwendet,
und die Länge
der Leitungsführungsschichten 63a und 63b ist
auf weniger als 1 mm eingestellt, um den Verlust zu verringern.
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Der
Mittenleiter 61a der vier koplanaren Leitungen 61 ist
mittels Goldbandleitungen 64 mit Kupfer, mit einem Block,
und mit einem als Grundpfosten bezeichneten Führungspfosten 65a verbunden,
ist mit dem Bereich der elektrischen Leitungsführungsschicht (Elektrode) 63a auf
der Unterumhüllung 60c verbunden
und ist mit vier Elektroden 62c unter der Opto-Vorrichtung 62 durch
eine eine Gold-Zinn-Legierung aufweisende Lötstruktur 66 verbunden.
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Der
Masseleiter 61b der koplanaren Leitung 61 ist
auf ähnliche
Weise mittels einer Goldbandleitung 64 mit dem Führungspfosten 65b verbunden,
mit dem elektrischen Leitungsführungsschicht
(Elektrode) 63b auf der Unterumhüllung 60c verbunden
und mit dem elektrischen Leitungsführungsschicht 67a eines
Silizium-Unterträgers 67 über die
Lötstruktur 66 verbunden.
Dabei ist der Silizium-Unterträger
auf der Oberfläche mit
einer leitfähigen
Schicht 67a versehen und wird durch Verbinden der Elektrode 62b auf
der Rückseite
der Opto-Vorrichtung 62 mit der leitfähigen Schicht 67a der
Aussparung mittels eines Gold-Zinn-Lötmittels gehalten. Daher ist
es mit der an dem Befestigungsbereich 63 befestigten Opto-Vorrichtung 62 möglich, das
Vierer-Array über
die koplanare Leitung 61 hochfrequenzmäßig anzusteuern.
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Mit
der an dem Befestigungsbereich 63 befestigten Opto-Vorrichtung 62 sind
vier aktive Schichten 62a der Opto-Vorrichtung 62 optisch
mit dem Kern 60b des optischen Wellenleiters auf Siliziumdioxidbasis
an der Vorderseite gemäß 17 gekoppelt. Bei dem vorliegenden erläuternden
Beispiel sind Positionen der Elektrode 62 und der Lötstruktur 66 der
Opto-Vorrichtung 62 von direkt unter der aktiven Schicht 62a der
Opto-Vorrichtung 62 seitlich
versetzt, wodurch verhindert wird, dass eine Belastung beziehungsweise
ein Stress aufgrund des Befestigens der Opto-Vorrichtung direkt
auf die aktive Schicht einwirkt.
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Dabei
werden der S-Parameter S21 und die Achsabweichung als eine optische
Bankfunktion bei den Hauptparametern w, s und H berücksichtigt
werden, welche die Hochfrequenzeigenschaften der koplanaren Leitung
beeinflussen.
-
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Tabelle
1 zeigt die Beziehung zwischen w und s und dem Übertragungsverlust S21 der
koplanaren Leitung, und das Silizium-Substrat 1 hat einen
mittleren spezifischen Widerstand von weniger als 1 Ohm/cm. Da die
Strukturierung durch Beschichten eines Fotolacks auf dem Substrat
mit mehreren zehn einzelnen Schritten, wie beispielsweise bei einem
Siliziumdioxid-basierten optischen Wellenleiter erfolgt, ist es
schwierig, die Parameter w und s mit guter Wiederholbarkeit kleiner
als 20 μm
auszubilden. Daher sind w und s größer als 20 μm. In Tabelle 1 beträgt die Dicke
h der Unterumhüllung 2c 24 μm und die
Dicke H des gesamten Siliziumdioxid-basierten Wellenleiters beträgt 60 μ und w wird
von dem erläuternden
Beispiel I-1 bis zum erläuternden Beispiel
I-5 variiert. Als ein Ergebnis ist der S-Parameter S21 am kleinsten,
wenn w und s am kleinsten sind, und der Verlust ist am kleinsten.
Da in Tabelle 1 die Dicken h und H nicht verändert werden, ist die Achsabweichung
selbst bei Vierer-Arrays ein konstanter Wert von 0,7 μm.
-
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Tabelle
2 verwendet die Ergebnisse von Tabelle 1, so dass (w, s) = (20,
20) μm,
wo S21 am kleinsten ist, und S-Parameter
und Achsabweichung werden aufgenommen, wenn die Dicke h der Unterumhüllung 60c und
H variiert werden. Bei Bezugsbeispielen II-1 und II-7 wird die Struktur
gemäß dem Stand
der Technik eingesetzt, und bei Bezugsbeispielen II-2 bis II-6 werden
h und H verändert.
Im Ergebnis ergeben sich gute Resultate in der Nähe von H = 50 bis 90. Die Achsabweichung
ist durch Verwinden des Substrats aufgrund der Dicke der Umhüllung bedingt,
was zu einem Anstieg der Kopplungsverluste führt.
-
Tabelle
2 wird ausführlich
beschrieben. Hinsichtlich der Abhängigkeit der Dicke H muss im
allgemeinen der Verlust bei Hochfrequenz geringer als 1,0 dB/cm
sein, und unter Berücksichtigung
breiter Anwendungen des Hybridsubstrats des vorliegenden erläuternden
Beispiels ist es erforderlich, dass er geringer als 1,5 dB/cm ist.
Aus Tabelle 2 folgt, dass zur Verringerung des Verlustes auf niedriger
als 1,5 dB/cm die gesamte Dicke H der Siliziumdioxid-basierten Schicht
größer als
50 μm sein
muss.
-
Weiterhin
muss, damit das Hybridsubstrat eine gute optische Bankfunktion beibehält, die
Verwindung des Substrats klein sein. Da die Siliziumdioxid-basierte
Schicht des optischen Wellenleiters und das Silizium-Substrat 1 sich
hinsichtlich ihrer thermischen Ausdehnungskoeffizienten unterscheiden,
steigt die Verwindung des Substrates mit einem Anstieg von H gemäß 18 an. Wenn die Verwindung des Substrats sich erhöht, ist
bezüglich
der optischen Wellenleiter- Endfläche und
der Opto-Vorrichtung, beispielsweise der aktiven Schicht des LD-Arrays,
eine Versetzung bedingt, die einen optischen Kopplungsverlust zur
Folge hat und die optische Bankfunktion beeinträchtigt. Da es für das optoelektronische
Hybridbepackungssubstrat erforderlich ist, um für 4 × 4 Schalter und dergleichen
entwickelt zu werden, ist es erforderlich, dass beispielsweise ein Vierer-Array
LD-Modul oder dergleichen auf dem Substrat befestigt ist, um mit
Array-Anwendungen der Opto-Vorrichtung
zurecht zu kommen. Infolgedessen ist es erforderlich, dass der Wert
in der rechten Spalte von Tabelle 2 (Achsabweichung) verringert
wird. 19 zeigt eine Beziehung zwischen
der Dicke H der Siliziumdioxid-basierten Schicht auf dem Silizium-Substrat, der Verwindung
des Silizium-Substrats (Krümmungsradius)
und der Achsabweichung in einem 400 μm Intervall Vierer-Array LD-Modul.
Es ist aus der Figur ersichtlich, dass die Dicke H geringer als
120 μm sein
muss, um die Achsabweichung auf weniger als 1 μm zu verringern.
-
Zusammenfassend
ist es bei dem in 18 gezeigten Siliziumdioxid-basierten
optischen Wellenleiter erforderlich, damit die Hochfrequenztauglichkeit
der elektrischen Leitungsführungsfunktion
und die optische Bankfunktion zum Befestigen der Opto-Vorrichtung
erfüllt
sind, dass H größer als
50 μm und
kleiner als 120 μm
ist.
-
Wie
aus Tabelle 1 und Tabelle 2 ersichtlich, ist das in 17 gezeigte Beispiel praktisch und optimal als
ein optischer Wellenleiter mit geringem Verlust verwendbar, welcher
ein optisches hybridintegriertes Substrat mit Unterumhüllung h
= 30 μm,
Kerndurchmesser = 6 × 6 μm, Überumhüllung =
30 μm und
gesamter Siliziumdioxid-basierter
Schicht = 66 μm
verwendet. Zudem ist der Übertragungsverlust
des in 17 gezeigten optischen Wellenleiters
niedriger als 0,1 dB/cm, und wenn ein Halbleiterlaser (LD) als eine
Opto-Vorrichtung verwendet ist, können gute Eigenschaften bei
einer Hochgeschwindigkeitsmodulation von 10 GHz für die Vierer-Arrays erhalten werden.
-
Somit
hat das vorliegende erläuternde
Beispiel eine optische Wellenleiterfunktion mit geringem Verlust,
eine optische Bankfunktion mit verringerter Achsabweichung, und
eine hochfrequenztaugliche elektrische Leitungsführungsfunktion mit verringertem
S21.
-
20 und 21 zeigen
das Vierer-Array von 17, welches in einzelne Vorrichtungen
unterteilt ist. Da es sich in diesem Fall nicht um eine Array-Vorrichtung
handelt, sondern die Array-Vorrichtung in einzelne Vorrichtungen
unterteilt ist, tritt keine Achsabweichung auf, selbst wenn eine
Verwindung des Substrats auftritt, und es hat die obigen drei Funktionen
selbst ohne die Bedingung der Dicke H von weniger als 120 μm. Im Gegensatz
dazu wird, wenn einzelne Vorrichtungen zu einem Array zusammengefügt werden,
die Bedingung der Dicke H von weniger als 120 μm hinzugefügt.
-
Bei
dem vorliegenden erläuternden
Beispiel ist die koplanare Leitung 61 auf der Oberfläche der Überumhüllung ausgebildet,
jedoch kann die koplanare Leitung auch an anderen Positionen ausgebildet
sein. 22 zeigt eine Seitenansicht
von 17, 23 zeigt
eine Seitenansicht, in der die Überumhüllung 60a unter
der koplanaren Leitung 61 dünn gemacht ist, und 24 zeigt eine Seitenansicht, in der die gesamte Unterumhüllungsschicht 60c dicker
gemacht ist und die koplanare Leitung 61 direkt auf der
Unterumhüllung 60c ausgebildet
ist. Wie bei den in 23 und 24 gezeigten
Beispielen kann es selbst dann, wenn die Höhe der koplanaren Leitungsführungsschicht
niedriger als die obere Oberfläche
der Überumhüllung des
optischen Wellenleiters eingestellt ist, gleichfalls als ein gutes
optoelektronisches Bepackungssubstrat verwendet werden.
-
Erläuterndes Beispiel 5
-
Das
erläuternde
Beispiel 4 war ein Beispiel, bei dem ein Mehrzweck-Silizium-Substrat
verwendet wurde (spezifischer Widerstand: bis zu 1 Ohm/cm). Andererseits
kann die hochfrequenztaugliche elektrische Leitungsführungsfunktion
noch weiter verbessert werden, indem der spezifische Widerstand
des Silizium-Substrats erhöht
wird. Dies ermöglicht
einen dünneren
Siliziumdioxid-basierten optischen Wellenleiter zwischen der koplanaren
Leitung und dem Silizium-Substrat, und ein Aufbau gemäß der Darstellung
in 25 ist möglich, bei
dem die Hochfrequenzleitung auf einer dünneren Unterumhüllung 2c angeordnet
sein kann, wodurch die Anwendungsmöglichkeiten erweitert werden.
-
Zuerst
erfolgt für
die Strukturparameter des gemäß 25 verwendeten Substrats eine Optimierung hinsichtlich
der hochfrequenztauglichen elektrischen Leitungsführungsfunktion
und der optischen Bankfunktion gemäß 26,
welche den gleichen Aufbau wie die D-D' Querschnittsansicht des hochfrequenztauglichen elektrischen
Leitungsführungsbereiches
gemäß 25 hat. In 25 und 26 bezeichnet
die Bezugszahl 61a einen Mittenleiter der koplanaren Leitung, 61b bezeichnet
einen Masseleiter, 61c bezeichnet eine Untermhüllungsschicht,
und 1 ist ein Silizium-Substrat mit einem höheren Widerstand
als bei dem in 17 dargestellten erläuternden
Beispiel 1.
-
In 25 bezeichnet 67 einen Unterträger aus
Silizium, und die Opto-Vorrichtung 62 wird in beziehungsweise
auf der Aussparung gehalten. Eine leitfähige Schicht 67a ist
auf der Oberfläche
des Unterträgers 67 ausgebildet,
welche eine elektrische Verbindung mit der Rückseite der Opto-Vorrichtung 62 herstellt.
Durch Verbinden beider Beine des Unterträgers mit Lötstrukturen 67b werden
die koplanare Leitung 61 und die Elektrode 62b auf
der Rückseite
der Opto-Vorrichtung 62 elektrisch verbunden. Andererseits
wird die Elektrode 62c auf der Seite der aktiven Schicht
der Opto-Vorrichtung mittels einer Lötstruktur 67b verbunden,
welche auf dem Mittenleiter 61a der koplanaren Leitung 61 ausgebildet
ist, und die Opto-Vorrichtung 62 kann durch die koplanare
Leitung betrieben werden. Weiterhin absorbiert der Silizium-Unterträger 67 in
der Opto-Vorrichtung erzeugte Wärme
und gibt die Wärme
an die Luft oder die koplanare Leitung 61 ab. Bei dem vorliegenden
erläuternden
Beispiel ist die Position der die Elektrode 62c der Opto-Vorrichtung 62 verbindenden
Lötstruktur 67b von
direkt unter der aktiven Schicht 62a der Opto-Vorrichtung
seitlich versetzt, wodurch verhindert ist, dass eine in Zusammenhang
mit dem Befestigen der Opto-Vorrichtung stehende Beanspruchung direkt
auf die aktive Schicht einwirkt.
-
Die
Hauptparameter, welche die Hochfrequenzeigenschaften der koplanaren
Leitung beeinflussen, sind die Dicke H der Siliziumdioxid-basierten
Unterumhüllungsschicht
zwischen der koplanaren Leitung und dem Silizium-Substrat, die Breite
w des Mittenleiters 61a der koplanaren Leitung und ein
Spaltabstand s zwischen dem Mittenleiter 61a und der Masseleiterschicht 61b der
koplanaren Leitung.
-
Eine
Beziehung zwischen den Parametern s und w und dem S-Parameter S21, der
einen Verlust der koplanaren Leitung wiedergibt, ist in Tabelle
3 dargestellt, und der S-Parameter
S21 und die Achsabweichung durch die Dicke der Unterumhüllung 2c beruhend
auf s und w gemäß Tabelle
3 sind in Tabelle 4 gezeigt.
-
Als
Silizium-Substrat wird eines verwendet, welches einen mittleren
spezifischen Widerstand von bis zu 50 Ohm/cm hat. Da die Strukturierung
durch Beschichten mit einem Fotolack auf dem Substrat erfolgt, welcher
eine Stufe von mehreren zehn um hat, wie beispielsweise dem Siliziumdioxid-basierten
optischen Wellenleiter und dergleichen, ist es bezüglich w
und s schwierig, mit guter Reproduzierbarkeit diese kleiner als
20 μm auszubilden.
Weiterhin zeigen 25 und 26 Beispiele
einzelner Opto-Vorrichtungen und Tabelle 4 zeigt eine Achsabweichung
aufgrund der Verwindung des Substrats, wenn eine Vierer-Array Opto-Vorrichtung mit
einem Abstand bzw. einer Teilung von 400 μm befestigt ist.
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Zuerst
werden Veränderungen
der Leiterbreite w, die ein Strukturparameter der koplanaren Leitung
ist, und des S-Parameters
S21 durch den Spalt s in Tabelle 3 gezeigt.
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Wie
aus Tabelle 3 ersichtlich, ergeben sich als Ergebnisse der erläuternden
Beispiele III-1 bis III-5, dass (w, s) = (20, 20) μ den geringsten
Verlust ergibt, wie in Tabelle 1.
-
-
Weiterhin
sind, wie in Tabelle 4 dargestellt, mit (w, s) = (20, 20) μm, S21 und
Achsabweichungen mit Änderungen
in der Unterumhüllungsdicke
h gezeigt. Gemäß der Darstellung
ist es erforderlich, um S21 auf kleiner als 1,5 dB/cm bei 10 GHz
zu verringern, dass h größer als
20 μm ist.
Durch Erhöhen
des spezifischen Widerstands des Silizium-Substrats kann die Dicke der Siliziumdioxid-basierten
Schicht auf dem Silizium-Substrat auf weniger als bei dem erläuternden
Beispiel 1 verringert werden. Weiterhin muss zur Verringerung der Achsabweichung
zwischen der aktiven Schicht der Opto-Vorrichtung und dem Kern des
optischen Wellenleiters die Gesamtdicke H der Siliziumdioxid-basierten Schicht
kleiner als 120 μm
sein.
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Wie
vorstehend beschrieben, wurde bei dem Siliziumdioxid-basierten optischen
Wellenleiter gemäß den 25 und 26 herausgefunden,
dass zum Erfüllen
der Funktion einer hochfrequenztauglichen elektrischen Leitungsführung und
der Funktion einer hochpräzisen
optischen Bank zum Befestigen der Opto-Vorrichtung die Unterumhüllungsdicke
h des Siliziumdioxid-basierten optischen Wellenleiters größer als
20 μm sein
muss. Wenn eine Opto-Vorrichtung eines Vierer-Arrays oder darüber hinaus
mit einer 400 μm
Teilung bzw. einem 400 μm
Abstand befestigt wird, tritt zudem eine Bedingung hinzu, dass die
Gesamtdicke H des Siliziumdioxid-basierten optischen Wellenleiters
kleiner als 120 μm
sein muss.
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Wie
aus Tabelle 3 und Tabelle 4 ersichtlich, ist ein in 25 gezeigtes Beispiel, bei dem ein diskretes Halbleiterlaser-Modul
als eine Opto-Vorrichtung unter Verwendung eines Substrats verwendet
wurde, bei dem die Unterumhüllung
h = 30 μm,
der Kerndurchmesser = 6 × 6 μm, die Überumhüllungsdicke
= 30 μm
und die gesamte Siliziumdioxid-basierte Schicht 66 μm ist, als
optimal für
einen Siliziumdioxid-basierten optischen Wellenleiter mit geringem
Verlust angesehen.
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Wie
vorstehend beschrieben, erfüllt
das optische hybridintegrierte Substrat des erläuternden Beispiels 5 nicht
nur die Funktion eines optischen Wellenleiters mit nachgewiesenem
geringem Verlust, sondern ebenfalls die Funktion einer Hochfrequenz-Leitungführung zum
Ansteuern der Opto-Vorrichtung und die Funktion einer hochpräzisen optischen
Bank zum Sicherstellen der Flachheit bzw. Ebenheit des Substrats.
Verglichen mit dem erläuternden
Beispiel 1 verwendet das vorliegende erläuternde Beispiel eine Unterumhüllung von
30 μm Dicke,
welche sich als optischer Wellenleiter bewährt hat, und verwendet keinen
Führungspfosten
oder dergleichen, wodurch die Elektrodenstruktur vereinfacht ist.
Daher sind die Hochfrequenzeigenschaften verbessert und der Bepackungs- bzw. Bestückungsaufwand
wurde verringert.
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Der Übertragungsverlust
des optischen Wellenleiters der optischen hybridintegrierten Schaltung
war geringer als 1 dB/cm. Zudem zeigen sich bei Verwendung eines
Halbleiterlasers (LD) als einer Opto-Vorrichtung gute Eigenschaften
bei der Hochgeschwindigkeitsmodulation bei 10 GHz.
-
Erläuterndes Beispiel 6
-
27 ist eine schematische Ansicht, die ein sechstes
erläuterndes
Beispiel der optischen hybridintegrierten Schaltung zeigt. Das vorliegende
erläuternde
Beispiel verwendet das Silizium-Substrat 1 mit einem Vorsprung
und einer Bezugsoberfläche
anstatt des flachen Silizium-Substrats 1, welches bei dem
erläuternden Beispiel
4 verwendet wurde. Die Unterumhüllungsschicht 60c des
Siliziumdioxid-basierten optischen Wellenleiters ist in bzw. auf
der Bezugsoberfläche
des Silizium-Substrats 1 ausgebildet,
und Vorsprünge 68a und 68b des
Silizium-Substrats sind wie dargestellt zu einem Opto-Vorrichtungs-Befestigungsbereich 68 freigelegt,
die als eine Höhenbezugsoberfläche beim
Befestigen der Opto-Vorrichtung 62 verwendet werden können.
-
Der
B-B' Querschnitt
in 27 hat die gleiche Struktur wie in 26, wobei die Unterumhüllungsschicht 60c eine
Dicke h von h = 30 μm
hat, die gemäß Tabelle
3 und Tabelle 4 optimiert ist. Eine C-C' Querschnittsansicht in dem Opto-Vorrichtungs-Befestigungsbereich 68 ist
in 28 dargestellt. An dem Vorsprung 68a des
Silizium-Substrats 1 ist
eine dünne
Elektrode 62c getrennt von der aktiven Schicht 62a der
Opto-Vorrichtung 62 ausgebildet, die als die Höhenbezugsoberfläche und
als eine Elektrode der Opto-Vorrichtung 62 dient. Die koplanare
Leitung verwendet eine 5 μm
dicke Gold-Plattierungsschicht auf der Unterumhüllung, verwendet jedoch einen
Goldzerstäubungsfilm
von weniger als 1 μm
Dicke auf Silizium-Terrassen 68a und 68b. Die
Elektrode 62b an der Rückseite
der Opto-Vorrichtung 62 wird durch den Silizium-Unterträger gehalten
und mit der Elektrode 61b an der Silizium-Terrasse 68b durch
die leitfähige
Schicht 67a an der Oberfläche des Silizium-Unterträgers 67a und
ein leitfähiges
Bondmaterial beziehungsweise Verbindungsmaterial 69 elektrisch verbunden.
-
Unter
Verwendung des Silizium-Substrats mit dem Vorsprung kann der Silizium-Vorsprung 68a als
die Befestigungshöhenbezugsoberfläche verwendet
werden und die Positionierung der Opto-Vorrichtung 62 und des
Kerns 62a des optischen Wellenleiters kann mit noch höherer Präzision erfolgen.
In der Opto-Vorrichtung 62 erzeugte Wärme kann durch den Unterträger 67 und 68b an
das wärmeleitfähige Silizium-Substrat 1 abgegeben
werden, und da das Substrat 1 in engem Kontakt mit einer
hoch wärmeleitfähigen Bepackung 70 steht, ist
die Wärmeableitung
der Opto-Vorrichtung 62 merklich verbessert.
-
Die
Hochfrequenzeigenschaften (in) der koplanaren Leitung 14 sind
ebenso gut wie bei dem erläuternden
Beispiel 4. Obwohl die Hochfrequenzleitung unmittelbar über der
Elektrode auf den Silizium-Terrassen 68a und 68b angeordnet
ist, ist der Hochfrequenzflussabstand [„distance flowing high-frequency"] tatsächlich sehr gering
und der Verlust ist sehr klein.
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Die
Dicke H einschließlich
der Unterumhüllung 60c,
des Kerns 60b und der Überumhüllung 60a verwendet
66 μm, was
gemäß Tabelle
4 optimiert ist, und was eine gute optische Bank mit verringerter
Verwindung darstellt.
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Erläuterndes Beispiel 7
-
29 ist eine schematische Perspektivansicht, die
ein siebtes erläuterndes
Beispiel der optischen hybridintegrierten Schaltung zeigt. Das vorliegende
erläuternde
Beispiel verwendet einen Halbleiterlaser (LD) 71 als die
Opto-Vorrichtung 62 des erläuternden Beispiels 6 und weiterhin
ist ein Halbleiterlaser-Treiber 72 zum Ansteuern des Halbleiterlasers
auf dem gleichen Substrat 1 befestigt. Das Opto-Vorrichtungs-Befestigungsbereich 68 hat
die gleiche Struktur wie jenes gemäß 27.
Die eingangsseitige koplanare Leitung 61b zu dem Halbleiterlaser-Treiber
hat die gleiche Struktur wie die koplanare Leitung 61 in 27. Jedoch ist in die den Halbleiterlaser-Treiber 72 und
den Halbleiterlaser (LD) 71 verbindende koplanare Leitung 61a ein
Hochfrequenz-Chip-Widerstand 73 zur
Impedanzanpassung der 50-Ohm koplanaren Leitung mit dem Halbleiterlaser (LD)
eingefügt.
Eine E-E' Querschnittsansicht
des Halbleiterlaser-Treibers 72 ist in 30 gezeigt. Wie dargestellt, ist der Halbleiterlaser-Treiber 72 auf
einem Vorsprung 74 des Silizium-Substrats angeordnet, um
Wärme des
Halbleiterlaser-Treibers wirksam abzugeben, welcher eine starke
Wärmeentwicklung
hat. Wie bei dem erläuternden
Beispiel 5 wird Wärme
des Halbleiterlasers (LD) wirksam durch das Silizium-Substrat absorbiert. Durch
enge Berührung
des gesamten Halbleiterlaser-Moduls mit einer Bepackung stark wärmeleitfähigen Materials,
kann Wärme
wirksam abgegeben werden. Die Verbindung zwischen dem Halbleiterlaser-Treiber 72 und
der koplanaren Leitung 61a und zwischen dem Halbleiterlaser-Treiber 72 und
einer Gleichspannungs-Vorspannungs-Leitung 61c, gemäß der Darstellung
in 30, erfolgt unter Verwendung eines Führungspfostens 65c und
einer Goldflachleitung beziehungsweise eines Goldflachdrahtes 64 zur
Verringerung des Verlusts der Hochfrequenzkomponenten auf ein Minimum.
Da der Silizium-Vorsprung 74 lediglich
die Unteroberfläche
des Treibers berührt
beziehungsweise kontaktiert und von der koplanaren Leitung trennt,
sind die Hochfrequenzeigenschaften nicht beeinträchtigt.
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Der Übertragungsverlust
des optischen Wellenleiters der optischen hybridintegrierten Schaltung
war geringer als 1 dB/cm. Durch Zufuhr eines 10 GHz Modulationssignals
von einer eingangsseitigen koplanaren Leitung 75 zu dem
Halbleiterlaser-Treiber 72 und Einstellen der Amplitude
und des Modulationspotentials durch die Gleichspannungs-Vorspannungs-Leitung 61c zeigt
die Halbleiterlaser-Vorrichtung
gute Modulationseigenschaften bis zu 10 GHz.
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Wie
vorstehend beschrieben, kann durch Verwendung der Funktion des optischen
Wellenleiters mit geringem Verlust, der Funktion der elektrischen
Hochfrequenz-Leitungsführung und
der Funktion der hochpräzisen
optischen Bank des optischen hybridintegrierten Substrats gemäß dem vorliegenden
erläuternden
Beispiel ein solches Hochgeschwindigkeits-Halbleiterlaser-Modul
auf dem gleichen beziehungsweise auf einem Substrat von mehreren
Quadratzentimetern erzielt werden.
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Erläuterndes Beispiel 8
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31 ist eine schematische Perspektivansicht, die
ein achtes erläuterndes
Beispiel des optischen hybridintegrierten Substrats zeigt. Das vorliegende
erläuternde
Beispiel hat den gleichen Aufbau bezüglich des Siliziumdioxid-basierten
optischen Wellenleiters, des Opto-Vorrichtungs-Befestigungsbereiches 13,
der koplanaren Leitungsführungsbereiche 61a und 61b und
des Halbleiterlaser-Treiber-Befestigungsbereiches 61c.
Jedoch ist das Silizium-Substrat 1 erstreckt bzw. erweitert,
um eine Führungsnut 77 auszubilden,
so dass ein optischer Wellenleiter 76 an eine Endfläche 62d des
Siliziumdioxid-basierten
optischen Wellenleiters ohne Kerneinstellung angeschlossen werden
kann. Eine X-X' Querschnittsansicht
der Führungsnut 77 ist
in 32 dargestellt. Die Führungsnut 77 kann
durch Ätzen
des optischen Wellenleiters und des Silizium-Substrats leicht ausgebildet
werden. Durch die Führungsnut 77 kann
der optische Wellenleiter 76 leicht ohne Kerneinstellung an
den optischen Wellenleiterkern 62b angeschlossen werden,
wodurch die Anwendungsmöglichkeit
des optischen hybridintegrierten Substrats noch weiter erweitert
wird.
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Erläuterndes Beispiel 9
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33 ist eine schematische Perspektivansicht, die
ein neuntes erläuterndes
Beispiel der optischen hybridintegrierten Schaltung zeigt. Bei dem
vorliegenden erläuternden
Beispiel haben Bereiche, die von dem Siliziumdioxid-basierten optischen
Wellenleiter verschieden sind, den gleichen Aufbau wie bei dem erläuternden
Beispiel 4, und der Siliziumdioxid-basierte optische Wellenleiter
ist von der eingebetteten Bauart hin zu der Stegbauart verändert. In
Verbindung mit der Änderung
ist nur die Dicke der Überumhüllung 62a die
gleiche wie jene eines optischen Wellenleiters 78 in Stegbauart
und ist somit klein. Wie vorstehend beschrieben, ist der optische
Wellenleiter in Stegbauart geringfügig schlechter in seinen Eigenschaften
als die eingebettete Bauart, hinsichtlich anderer Punkte dient er
aber als ein gutes Bepackungssubstrat zur hybrid-optischen Integration.
-
Erläuterndes Beispiel 10
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Ein
(nicht gezeigtes) zehntes erläuterndes
Beispiel ist das gleiche wie in 20 gezeigte
Ausführungsbeispiel
4, mit Ausnahme des Opto-Vorrichtungs-Befestigungsbereiches 3,
bei dem der Opto-Vorrichtungs-Befestigungsbereich 63 zu
einem Opto-Vorrichtungs-Befestigungsbereich 68 verändert ist,
welcher eine Silizium-Terrasse wie in 27 gezeigt
verwendet. Im Vergleich zu dem erläuternden Beispiel 4 bleiben
die guten Eigenschaften hinsichtlich der Funktion eines optischen
Wellenleiters und der Funktion einer elektrischen Leitungsführung wie
bei dem erläuternden
Beispiel 4 erhalten, und, wie bei dem erläuterndes Beispiel 6 beschrieben,
kann die Silizium-Terrasse gleichfalls als eine Höhenbezugsoberfläche zur
Befestigung der Opto-Vorrichtung verwendet werden, und die Wärmeableitung
ist verbessert.
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Erläuterndes Beispiel 11
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34 ist eine schematische Perspektivansicht, die
ein elftes erläuterndes
Beispiel der optischen hybridintegrierten Schaltung zeigt. Das vorliegende
erläuternde
Beispiel hat den gleichen Aufbau wie das erläuternde Beispiel 5, das in 25 gezeigt ist, mit Ausnahme der Siliziumdioxid-basierten
optischen Wellenleiter 60a und 60b, und die optischen
Wellenleiter 60a und 60b der eingebetteten Bauart
sind zu optischen Wellenleitern 78a, 78b und 78c der
Stegbauart verändert.
Wie vorstehend beschrieben, ist der optische Wellenleiter der Stegbauart
geringfügig
schlechter als der optische Wellenleiter der eingebetteten Bauart
in Bezug auf optische Wellenleiter-Eigenschaften, jedoch dient das
erläuternde
Beispiel 11 als ein gutes Bepackungssubstrat zur Hybrid-Integration
wie bei dem erläuternden
Beispiel 5 hinsichtlich der elektrischen Hochfrequenz-Leitungsführungsfunktion
und der optischen Bankfunktion.
-
Erläuterndes Beispiel 12
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35 ist eine schematische Perspektivansicht, die
ein zwölftes
erläuterndes
Beispiel der optischen hybridintegrierten Schaltung zeigt.
-
Das
vorliegende erläuternde
Beispiel ist hinsichtlich der Struktur das gleiche wie das erläuternde
Beispiel 6, das in 27 gezeigt ist, mit Ausnahme
der Siliziumdioxid-basierten optischen Wellenleiter 60a und 60b,
und die optischen Wellenleiter 60a und 60b der
eingebetteten Bauart sind zu optischen Wellenleitern 78a, 78b, 78c der
Stegbauart verändert.
Wie vorstehend beschrieben, ist der optische Wellenleiter der Stegbauart geringfügig schlechter
als der optische Wellenleiter der eingebetteten Bauart in Bezug
auf optische Wellenleitereigenschaften, jedoch dient das erläuternde
Beispiel 12 als ein gutes Bepackungssubstrat zur Hybrid-Integration
wie bei dem erläuternden
Beispiel 6 hinsichtlich der elektrischen Hochfrequenz-Leitungsführungsfunktion
und der optischen Bankfunktion.
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Wie
vorstehend beschrieben, ist bei dem optischen hybridintegrierten
Bepackungssubstrat des obigen erläuternden Beispiels der Nachteil
eines hohen dielektrischen Verlustes des Silizium-Substrats bei
hohen Frequenzen, das sich als ein Siliziumdioxid-basiertes optisches
Wellenleitersubstrat geringen Verlusts bewährt hat gelöst, indem eine Siliziumdioxid-basierte
Zwischenschicht mit einer geeigneten Dicke verwendet wird, und angesichts
der optischen Bankfunktion hoher Präzision die Dicke des Siliziumdioxid-basierten
optischen Wellenleiters so optimiert ist, dass die Verwindung des
Substrats 1 auf das Ausmaß reduziert ist, dass der Kopplungsverlust
aufgrund einer Achsabweichung in Bezug auf den optischen Wellenleiter
nicht erhöht
ist, selbst wenn eine Array-Opto-Vorrichtung befestigt ist. Daher
kann eine aktive Vorrichtung an dem optischen Wellenleiter mit guter
Präzision
befestigt werden und es kann als ein optoelektronisches Bepackungssubstrat
oder eine Plattform verwendet werden, das bzw. die mit verbesserten
Hochfrequenzeigenschaften arbeitet.
-
Die
elektrischen Hochfrequenzeigenschaften sind noch weiter verbessert,
indem der spezifische Widerstand des Silizium-Substrats erhöht wird,
und ausreichend gute Hochfrequenzeigenschaften können ungeachtet der Dicke der
Siliziumdioxid-basierten Schicht zwischen der koplanaren Leitung
und dem Silizium-Substrat beibehalten werden. Daher ist es auch
möglich,
die Unterumhüllungsschicht
von etwa 30 μm
Dicke zu verwenden, welche sich als ein optischer Wellenleiter bewährt hat,
und eine Struktur zu verwenden, bei der die koplanare Leitung niedriger
als die Kernschicht ist, wodurch die Anwendungsmöglichkeiten erweitert werden.
-
Durch
Verwenden des Silizium-Substrats mit einem Vorsprung und einer Aussparung
wird weiter das Ausbilden der Unterumhüllungsschicht des Siliziumdioxid-basierten
optischen Wellenleiters in beziehungsweise auf der Aussparung ausgebildet,
und der Vorsprung ist in dem Opto-Vorrichtungs-Befestigungsbereich
freiliegend und als eine Höhenbezugsoberfläche verwendet,
wodurch eine optische Bankfunktion mit noch höherer Präzision bereitgestellt ist.
Bei dieser Struktur kann durch die Silizium-Terrasse das hoch wärmeleitfähige Silizium-Substrat als eine
Wärmeabstrahlungsplatte
für die
Opto-Vorrichtung
und deren Ansteuerungs-IC verwendet werden.
-
Durch
Ausbilden einer optischer Wellenleiter-Führungsnut in dem Silizium-Substrat
ist es möglich,
den optischer Wellenleiter mit dem Siliziumdioxid-basierten optischen
Wellenleiter ohne Kerneinstellung zu verbinden.
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Erläuterndes Beispiel 13
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36 ist eine schematische Querschnittsansicht,
die ein dreizehntes erläuterndes
Beispiel der optoelektronischen optischen hybridintegrierten Schaltung
zeigt. Die Bezugszahl 1 bezeichnet ein Silizium-Substrat
mit einem spezifischen Widerstand von 100 Ohm/cm. In dem Bereich
des optischen Wellenleiters ist ein Siliziumdioxid-basierter optischer
Wellenleiter 2 an der Aussparung ausgebildet, die auf der
Substratoberfläche
bereitgestellt ist. Die Unterumhüllung
hat eine Dicke von 30 μm,
der Kern ist 6 μm
dick und die Überumhüllung ist
30 μm dick.
Eine dielektrische Schicht 50, die das gleiche Material
wie die Siliziumdioxid-basierte Unterumhüllungsschicht aufweist, ist
in beziehungsweise auf der Silizium-Aussparung des elektrischen
Leitungsführungsbereiches
ausgebildet. Die Dicke der dielektrischen Schicht 50 zwischen
der Silizium-Terrasse 30 der Opto-Vorrichtung und der Terrasse 35 der
elektronischen Schaltung beträgt
20 μm, und
eine 5 μm
dicke Leiterstruktur 51 ist darauf ausgebildet. Dünnfilmelektroden 52 sind
auf der oberen Oberfläche
der Silizium-Terrasse 30 der Opto-Vorrichtung und der geneigten
Seitenoberfläche
ausgebildet und elektrisch mit der Leiterstruktur 51 verbunden.
Die optische aktive Vorrichtung 37 ist mit der Oberseite
nach unten an der Silizium-Terrasse 30 befestigt, während die
elektrische Verbindung mit einer Dünnfilmelektrode 52 beibehalten wird.
Die elektronische Schaltung 38 ist an der Silizium-Terrasse 30 mit
der Vorrichtungsoberfläche
nach unten befestigt, und mit der Leiterstruktur 51 mit
einer 5 μm
hohen Lötperle 53 fixiert.
In dem elektrischen Leitungsführungsbereich
rechts der elektronischen Schaltung ist eine zweite dielektrische
Schicht 52c auf der dielektrischen Schicht 50 aufgestapelt,
welche die Siliziumdioxid-basierte optische Wellenleiter-Unterhüllungsschicht umfasst.
Eine mehrfach geschichtete Leiterstruktur 510 ist in der
zweiten dielektrischen Schicht 52c bereitgestellt, und
eine Leiterstruktur 5lb ist auf der Oberfläche bereitgestellt.
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Bei
dem vorliegenden erläuternden
Beispiel ist die dielektrische Schicht des elektrischen Leitungsführungsbereiches
die dielektrische Schicht 50, die das gleiche Material
wie der Siliziumdioxid-basierte optische Wellenleiter aufweist,
die Polyimid aufweisende zweite dielektrische Schicht 52c ist
im Teil der dielektrischen Schicht bereitgestellt, und die mehrfach
geschichtete elektrische Leitungsführung bzw. Verdrahtung 510 ist
innerhalb bereitgestellt. Mit diesem Aufbau werden die Opto-Vorrichtung
mit geringer Leitungsführungsdichte und
die elektronische Schaltung mit der koplanaren Hochgeschwindigkeitsleitung
verbunden und die elektronische Schaltung mit hoher Leitungsführungsdichte
kann unter Verwendung einer mehrfach geschichteten Mikrostreifen-Leitungsführung angeschlossen
bzw. verdrahtet werden. Weiterhin verwenden bei dem vorliegenden
erläuternden
Beispiel der koplanare Leitungsführungsbereich
und der Mikrostreifen-Leitungsführungsbereich
die Unterumhüllungsschicht
des optischen Wellenleiters als die erste dielektrische Schicht.
Als ein Ergebnis, verglichen mit dem erläuternden Beispiel 2 zum Lösen der
gleichen Aufgabe wie das vorliegende erläuternde Beispiel, kann der
Herstellungsprozess des Bepackungssubstrats vereinfacht werden.
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Erläuterndes Beispiel 14
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37 ist eine schematische Querschnittsansicht,
die ein vierzehntes erläuterndes
Beispiel der optischen hybridintegrierten Schaltung zeigt. Das Substrat 1 ist
bei dem vorliegenden erläuternden
Beispiel ein Keramiksubstrat, und die Silizium-Terrasse 30 für die Opto-Vorrichtung
und die Silizium-Terrasse 35 für die elektronische Schaltung
sind darauf ausgebildet. Der optische Wellenleiter 40 ist
ein Siliziumdioxid-basierter optischer Wellenleiter. Die dielektrische
Schicht 50 des elektrischen Leitungsführungsbereiches ist aus Polyimid
ausgebildet. Das vorliegende erläuternde
Beispiel ist dadurch gekennzeichnet, dass nicht nur die Leiterstruktur 51 auf
der Oberfläche
und innerhalb der dielektrischen Schicht 50 des elektrischen
Leitungsführungsbereiches
ausgebildet ist, sondern dass auch eine elektrische Leitungsführung 530 in
dem Keramiksubstrat bereit gestellt ist.
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Bei
dem vorliegenden erläuternden
Beispiel wird eine Silizium-Terrasse mit hoher thermischer Leitfähigkeit
als Bereich zur Befestigung einer Vorrichtung verwendet, ein Siliziumdioxid-basierter
optischer Wellenleiter wird als der optische Wellenleiter verwendet,
in dem Bereich der elektrischen Leitungsführung sind Leiterstrukturen
innerhalb und auf der Oberfläche
der dielektrischen Schicht auf dem Substrat bereitgestellt und eine
Leiterstruktur ist ebenfalls in dem Keramiksubstrat bereitgestellt,
bei dem es einfach ist, eine mehrfach geschichtete elektrische Leitungsführung bereitzustellen.
Als ein Ergebnis hat das Bepackungssubstrat des vorliegenden erläuternden
Beispiels die Funktion eines hoch-leistungsfähigen optischen Wellenleiters,
die Funktion einer Silizium-Bank und die Funktion einer elektrischen
Hochfrequenz-Leitungsführung
und eine elektrische Leitungsführung
mit sehr hoher Dichte kann ausgebildet werden.
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Um
eine Silizium-Terrasse auf einem Substrat aus unterschiedlichem
Material, wie Keramik bereitzustellen, kann beispielsweise eine
anodische Verbindungstechnik verwendet werden. Bei dieser Technik
wird zuvor ein dünner
SiO2-Film auf der Oberfläche
des Keramiksubstrats und auf der Rückseite der Silizium-Terrasse
ausgebildet und beide werden zum Verbinden erhitzt.
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Erläuterndes Beispiel 15
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38 ist eine schematische Perspektivansicht, welche
ein optisch bestücktes
Substrat in einem fünfzehnten
erläuternden
Beispiel der optischen hybridintegrierten Schaltung zeigt. In dieser
Figur bezeichnet die Bezugzahl 1 ein Silizium-Substrat,
auf dessen Oberfläche
ein Vorsprung in Bezug auf die Bezugsoberfläche 1a ausgebildet
ist. Auf der Bezugsoberfläche
des Silizium-Substrates
ist ein Bereich I eines optischen Wellenleiters ausgebildet und 60b bezeichnet
einen auf Siliziumdioxid basierenden Kern eines optischen Wellenleiters
(6 × 6 μm), der in
die 30 μm
dicke Überumhüllungsschicht 60a eingebettet
ist. In einem Befestigungsbereich II für die Opto-Vorrichtung ist
der Vorsprung des Silizium-Substrates, der als Höhenbezugsoberfläche 30 dient,
wenn die Opto-Vorrichtung darauf montiert wird, freigelegt. Die
Höhenbezugsoberfläche 30 ist
in der Nähe
der Position, die dem Wellenleiterkern 60b entspricht,
in zwei Teile aufgeteilt und um diese herum mit einer Unterumhüllungsschicht 60c des
auf Siliziumdioxid basierenden optischen Wellenleiters aufgefüllt. Die Unterumhüllungsschicht 60c in
dem Befestigungsbereich II für
den optischen Wellenleiter ist 35 μm dick, ein Bereich für die elektrische
Leitungsführungsschicht 500 mit
koplanarer Struktur, umfassend die Mittenleiterstruktur 50 und
die Masseleiterstruktur 51, ist auf der Oberfläche derselben
ausgebildet und die Lötmittelstruktur 52 ist
an einem Ende der Mittenleiterstruktur ausgebildet, das heißt, in dem
Spalt des geteilten Höhenbezugs 30.
Die Dicke von 325 μm
der Unterumhüllungsschicht 60c des
auf Siliziumdioxid basierenden optischen Wellenleiters ist eine
ausreichende Dicke für
die auf der Oberfläche
ausgebildete elektrische Leitungsführung, um überragende Hochfrequenzeigenschaften
bereitzustellen, ohne dass diese durch das Silizium-Substrat beeinflusst
werden. Der Bereich 500 der elektrischen Leitungsführungsschicht
und die Lötmittelstruktur 52 sind beide
5 μm dick.
Bei dem vorliegenden erläuternden
Beispiel ist der Bereich der elektrischen Leitungsführung aus
Gold und die Lötmittelstruktur 52 aus
einer Gold-Zinn-Legierung gebildet.
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39 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie
A-A' in 38, wenn die Halbleitervorrichtung auf dem optischen
hybridintegrierten Substrat von 28 montiert
ist. In dem vorliegenden erläuternden
Beispiel, bei dem die Höhenbezugsoberfläche 30 mit
dem Siliziumvorsprung in zwei Teile aufgeteilt ist, ist der Spalt
mit der Unterumhüllungsschicht 60c des
auf Siliziumdioxid basierenden optischen Wellenleiters aufgefüllt und
der Mittenleiter 50 als die elektrische Leitungsführung sowie
eine Lötmittelstruktur 501 sind
auf der Oberfläche
ausgebildet. Deshalb können
durch die Montage der optischen Halbleitervorrichtung 37 alle
elektrischen Leitungsführungsbereiche,
inklusive der Verbindung mit einem Elektrodenpfad 37a der
optischen Halbleitervorrichtung, auf der Oberfläche der Unterumhüllungsschicht 60c des
auf Siliziumdioxid basierenden optischen Wellenleiters, welcher
eine ausreichende Dicke hat, ausgebildet werden. Als Ergebnis können die Auswirkungen
des geringen spezifischen Widerstandes und der großen Dielektrizitätskonstanten
des Silizium-Substrates auf die elektrische Leitungsführung vernachlässigt werden.
Weil sich der auf Siliziumdioxid basierende optische Wellenleiter
als Substrat für
die elektrische Leitungsführung
bezüglich
des spezifischen Widerstandes und der Dielektrizitätskonstanten
besser eignet als Silizium-Substrat, kann die elektrische Leitungsführung gemäß dem vorliegenden
erläuternden
Beispiel verbesserte Hochfrequenzeigenschaften bereitstellen.
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Die
Höhe zwischen
der Oberfläche
des Vorsprungs 30 als der Höhenbezugsoberfläche des
Silizium-Substrates I und der Mitte des Kerns 60b des Optischer
Wellenleiters wird gleichgesetzt mit der Höhe zwischen der aktiven Schicht 37b der
optischen Halbleitervorrichtung 37 und der Oberfläche der
Vorrichtung. Deshalb ist es durch die Befestigung der optischen
Halbleitervorrichtung 37 möglich, die Höhe des Kerns 60b des auf
Siliziumdioxid basierenden optischen Wellenleiters auszurichten
mit bzw. an der Höhe
der aktiven Schicht 37b der optischen Halbleitervorrichtung,
allerdings nur dann, wenn die optische Halbleitervorrichtung umgekehrt
beziehungsweise auf dem Kopf stehend auf der Höhenbezugsoberfläche 30 des
Vorsprungs des Silizium-Substrates I befestigt wird. Gleichzeitig
fungiert der Vorsprung des Silizium-Substrates auch als Wärmesenke
der optischen Halbleitervorrichtung. Weiterhin wird, wie in 16 gezeigt, der Befestigungsbereich für die Opto-Vorrichtung
dadurch ausgebildet, dass unnötige
auf Siliziumdioxid basierende optische Wellenleiterschichten durch Ätzen entfernt
werden und dass, in diesem Fall, das Silizium-Substrat als eine Ätz-Stopp-Schicht beziehungsweise
Stopp-Schicht für
den Ätzvorgang
dient. Deshalb kann die Höhe
der Positionierungs-Höhenbezugsoberfläche 30 mit
sehr großer
Genauigkeit bestimmt werden.
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Die Übertragungsverluste
des optischen Wellenleiters der optischen hybridintegrierten Schaltung
waren kleiner als 0,1 dB/cm. Weiterhin beträgt die Positionierungsgenauigkeit
der optischen Halbleitervorrichtung in Bezug auf den auf Siliziumdioxid
basierenden optischen Wellenleiter ungefähr 1 μm und die optische Halbleitervorrichtung
zeigte gute Eigenschaften, selbst bei einer Hochgeschwindigkeitsmodulation
von 10 GHz.
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Wie
vorstehend beschrieben, hat das vorliegende erläuternde Beispiel die Funktion
eines optischen Wellenleiters mit geringen Verlusten, die Funktion
einer optischen Bank und die Funktion einer hochfrequenztauglichen
elektrischen Leitungsführung.
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Erläuterndes Beispiel 16
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40 ist eine schematische Perspektivansicht, welche
ein optisch bestücktes
Substrat in einem sechzehnten erläuternden Beispiel der optischen
hybridintegrierten Schaltung zeigt. Ein Unterschied zwischen dem
vorliegenden erläuternden
Beispiel und dem erläuternden
Beispiel 15 besteht darin, dass in dem Befestigungsbereich II für die Opto-Vorrichtung
eine auf gleicher Ebene ausgebildete Richtungspositionierungsführung 79 der
Halbleitervorrichtung bereitgestellt ist; der übrige Aufbau ist derselbe wie
bei dem erläuternden
Beispiel 15. Bei dem vorliegenden erläuternden Beispiel ist die Führung 79 aus
demselben Material wie der optische Wellenleiter 60 gebildet,
das heißt
aus auf Siliziumdioxid basierendem Glas.
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41 ist eine schematische Querschnittsansicht entlang
der Linie B-B' gemäß 40, wenn die optische Halbleitervorrichtung 37 auf
dem Substrat 1 in 40 montiert
ist. Die auf dem Substrat 1 bereitgestellte Führung 79 ist
5 μm hoch
und dementsprechend ist eine 6 μm
tiefe Positionierungsnut 80 in der optischen Halbleitervorrichtung 37 vorhanden.
Deshalb kontaktieren die Positionierungsnut 80 und die
Führung 79 auf dem
Substrat die umgekehrt beziehungsweise auf dem Kopf stehend montierte
optische Halbleitervorrichtung 37, und nur dadurch, dass
die Opto-Vorrichtung in bzw. auf dem Befestigungsbereich für die Opto-Vorrichtung so
befestigt ist, dass die Oberfläche
der Opto-Vorrichtung die Oberfläche 30 des
Siliziumvorsprungs kontaktiert, kann die Positionierung des optischen
Wellenleiters in Bezug auf die optische Halbleitervorrichtung ohne Einstellung
des Kerns vorgenommen beziehungsweise abgeschlossen werden.
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Erläuterndes Beispiel 17
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42 ist eine schematische Perspektivansicht, welche
ein optisch bestücktes
Substrat in einem siebzehnten erläuternden Beispiel der optischen
hybridintegrierten Schaltung zeigt. Ein Unterschied zwischen dem vorliegenden
erläuternden
Beispiel und den erläuternden
Beispielen 15 und 16 liegt darin, dass die durch den Unterträger gehaltene
Opto-Vorrichtung 37 auf dem Befestigungsbereich II für die Opto-Vorrichtung
befestigt ist; der übrige
Aufbau ist im wesentlichen derselbe wie in den erläuternden
Beispielen 1 oder 2.
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Bezugnehmend
auf 42 ist die Lötmittelstruktur 52 für die aktive
Schicht der Opto-Vorrichtung auf der Mittenleiterstruktur 50 in
dem Bereich 500 für
die elektrische Leitungsführung
des Befestigungsbereiches II für
die Opto-Vorrichtung ausgebildet, und eine Lötmittelstruktur 53 für den Unterträger ist
auf der Masseleiterstruktur 51 ausgebildet. Eine Bedingung,
bei der die auf beziehungsweise von dem Unterträger 67 gehaltene Opto-Vorrichtung
auf dem Substrat 1 befestigt ist, ist in 43 gezeigt. 43 ist
eine Querschnittsansicht durch die Linie C-C' in 42.
In 43 ist der Unterträger 67 aus demselben
Material wie das Substrat 1 ausgebildet und die Opto-Vorrichtung 37 wird
auf der Bezugsoberfläche 67a gehalten.
Eine leitende Schicht ist auf der Oberfläche der Bezugsoberfläche 67a ausgebildet,
um leitend gegenüber
der Rückseite
der Opto-Vorrichtung 37 zu sein. Die Vorsprungsoberfläche 6b des
Unterträgers 67 ist
ausgerichtet mit der Oberfläche der
Opto-Vorrichtung 37 (untere Oberfläche in 43),
oder tiefer gesetzt als die Höhe
der Oberfläche
der Opto-Vorrichtung 37. Deshalb ist, wenn der Unterträger 37 auf
dem Befestigungsbereich für
die Vorrichtung des optischen hybridintegrierten Substrates befestigt
ist, die Oberfläche
der Opto-Vorrichtung 37 in
Kontakt mit dem Siliziumvorsprung 30, um die Höheneinstellung
abzuschließen.
Die Elektrode 37a an der Seite der Opto-Vorrichtung 37 mit
der aktiven Schicht 37b ist elektrisch durch die Lötmittelstruktur 52 mit
der Mittenleiterstruktur 50 auf dem Substrat verbunden.
Bei dem vorliegenden erläuternden
Beispiel sind die Positionen der Elektrode 37a der Opto-Vorrichtung 37 und
der Lötmittelstruktur 52 seitlich
verschoben gegenüber
einer Position direkt unterhalb der aktiven Schicht 37b der
Opto-Vorrichtung. Dies verhindert, dass bei der Montage der Opto-Vorrichtung
eine Belastung direkt auf die aktive Schicht ausgeübt wird.
Weiterhin passt die Elektrode (nicht gezeigt) auf der Rückseite
der Opto-Vorrichtung durch die auf der Aussparung 67a des
Unterträgers 67 ausgebildete
leitende Schicht hindurch und ist durch die Lötmittelstruktur 53 mit
der Masseleiterstruktur 51 auf dem Substrat verbunden.
Weiterhin sind die Oberfläche
des Unterträgers 67 und
der Siliziumvorsprung 30 durch ein wärmeleitfähiges Material 81 wärmeleitend
miteinander verbunden, um die Befestigung der Opto-Vorrichtung 37 auf
dem Substrat zu vervollständigen
beziehungsweise abzuschließen.
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Bei
dem vorliegenden erläuternden
Beispiel mit dem vorstehend beschriebenen Aufbau ist eine kabellose
Bestückung
der Oberfläche
der Opto-Vorrichtung möglich,
weil die Elektrode an der Rückseite
der Opto-Vorrichtung durch den Unterträger 67 aus derselben
Oberfläche
herausgenommen werden kann, wie die Elektrode auf der Seite mit
der aktiven Schicht. Deshalb können
durch Verbinden mit der Substratstruktur der vorliegenden Erfindung überlegene
Hochfrequenzeigenschaften bereitgestellt werden. Weiterhin ist als
Wärmesenke
der Opto-Vorrichtung sowohl ein Pfad zum direkten Ableiten von Wärme von
der Oberfläche
der Opto-Vorrichtung an den Vorsprung des Silizium-Substrates 1 wie
auch ein Pfad zum Ableiten der Wärme
von der Rückseite
der Opto-Vorrichtung durch den Unterträger an den Vorsprung des Silizium-Substrates 1 ausgebildet,
wodurch eine verbesserte Wärmeableitung
bereitgestellt wird.
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Erläuterndes Beispiel 18
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Die 44A und 44B sind
schematische Darstellungen, welche ein achtzehntes erläuterndes Beispiel
der optoelektronischen hybridintegrierten Schaltung zeigen. 44A ist eine perspektivische Ansicht und 44B ist eine Querschnittsansicht, aufgenommen
entlang einer Linie B-B' gemäß 44A. Ein Unterschied zwischen dem vorliegenden
erläuternden
Beispiel und dem erläuternden
Beispiel 17 liegt in der Struktur der Verbindung des Unterträgers 77 zum
Halten der funktionalen Opto-Vorrichtung mit der Siliziumterrasse 30. Das
heißt,
die Oberflächenelektrode 37a auf
der Seite mit der aktiven Schicht der funktionalen Opto-Vorrichtung 37 ist
durch die auf der dielektrischen Schicht 50 bereitgestellte
Leiterstruktur 51a und durch eine Lötperle 53a, welche
ein elektrisch leitendes Verbindungsmaterial darstellt, verbunden
und befestigt. Andererseits ist die Elektrode auf der Rückseite
der Vorrichtung durch die Leiterstruktur auf der Oberfläche des
Unterträgers 67,
die Dünnfilmelektrode 52,
bereitgestellt auf der Siliziumterrasse 30, und durch eine
Lötperle 53b,
bereitgestellt auf der Elektrode 52, verbunden.
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Bei
dem vorherigen erläuternden
Beispiel 17 ist, wenn der Unterträger 67 an der Lötperle 53b befestigt ist,
die mit dem Unterträger 67 verbundene
Leitungsstruktur auf der dielektrischen Schicht 60c bereitgestellt. Deshalb
ist es erforderlich, ein wärmeleitendes
Material zwischen dem Unterträger 67 und
der Siliziumterrasse 30 vorzusehen, um den Effekt der Wärmeableitung
der Vorrichtung zu vergrößern, was
in einem komplexen Bestückungsverfahren
resultiert. Andererseits kann bei dem vorliegenden erläuternden
Beispiel die Lötperle 53b auch
als wärmeleitendes
Material verwendet werden, weil der Unterträger 67 mit Hilfe der
Lötperle 53b auf
der Siliziumterrasse 30 befestigt ist. Als Ergebnis kann
das Bestückungsverfahren
vereinfacht werden.
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Erläuterndes Beispiel 19
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Die 45A und 45B sind
schematische Ansichten, welche ein neunzehntes erläuterndes
Beispiel der optoelektronischen hybridintegrierten Schaltung zeigen,
wobei 45A eine perspektivische Ansicht und 45B eine Querschnittsansicht entlang einer Linie
B-B' in 45 ist. Die Unterschiede zwischen dem vorliegenden
erläuternden
Beispiel und dem erläuternden
Beispiel 18 bestehen darin, dass das bestückte Substrat 1 mit
einer Führung
für eine
Richtungspositionierung in der Ebene der funktionalen Opto-Vorrichtung 37a versehen
ist und dass bei dem Unterträger,
welcher die funktionale Opto-Vorrichtung
hält, der
Abstand von der Oberfläche 67c an
der Außenseite
des Unterträgers 67 zu
der aktiven Schicht 37b gleich eingestellt ist wie der Abstand
D zwischen einer inneren Führungswand 60 des
bestückten
Substrates 1 und der Mitte des Kerns des optischen Wellenleiters.
Mit diesem Aufbau ist bei Verwendung des Unterträgers eine Hybridintegration
der Opto-Vorrichtung ohne Ausrichtung möglich.
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Um
den Abstand zwischen der Oberfläche 67c an
der Außenseite
des Unterträgers 67 und
der aktiven Schicht 37b der funktionalen Opto-Vorrichtung 37 auf
den gewünschten
Wert D einzustellen, kann die funktionale Opto-Vorrichtung beispielsweise,
wie in 46 gezeigt, auf dem Unterträger befestigt
werden. Das heißt,
die Bezugszahl 90a bezeichnet ein Vorrichtungshaltewerkzeug,
auf dessen Oberfläche
eine Führung 90b zum
Einstellen des Unterträgers
auf eine gewünschte
Position und eine Markierung 91 zum Einstellung der funktionalen
Opto-Vorrichtung
auf die gewünschte
Position bereitsteht. Deshalb wird zuerst die Opto-Vorrichtung 37 so
auf dem Werkzeug 90a angeordnet, dass die Markierung 41,
welche auf der Oberfläche
der Seite der Opto-Vorrichtung 37 mit der aktiven Schicht
ausgebildet ist, wobei die Oberfläche der Seite mit der aktiven
Schicht nach unten gerichtet ist, mit der Markierung 91 auf
dem Werkzeug 90a ausgerichtet ist, und dass die funktionale
Opto-Vorrichtung 37 auf
dem Unterträger 67 befestigt
werden kann, wobei die Oberfläche 67c der
Außenseite
des Unterträgers
die Führung 90b auf
dem Werkzeug 90a kontaktiert.
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Bei
einem Verfahren zur Befestigung einer Vorrichtung, bei dem die auf
der Opto-Vorrichtung vorhandene Positionierungsbezugsoberfläche die
Führungsoberfläche auf
dem bestückten
Substrat unmittelbar kontaktiert, besteht ein Problem im Hinblick
auf die Zuverlässigkeit
der Opto-Vorrichtung, weil dadurch bzw. durch das Verfahren ein
Gitterfehler in der Opto-Vorrichtung erzeugt werden kann. Andererseits
kontaktiert bei dem vorliegenden erläuternden Beispiel die Oberfläche 67c der
Außenseite
des Unterträgers 67 die
Positionierungsführung 90b,
wodurch eine ausrichtungsfreie Befestigung der Vorrichtung ohne
Kontaktierung der Seitenoberfläche
der funktionalen Opto-Vorrichtung mit der Führung erreicht wird. Deshalb
ist eine Bestückung ohne
eine Verschlechterung der Zuverlässigkeit
der Vorrichtung selbst dann möglich,
wenn bei der Befestigung der Vorrichtung eine Führungsstruktur verwendet wird.
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Erläuterndes Beispiel 20
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47 ist eine schematische Perspektivansicht, welche
ein bestücktes
optisches Substrat gemäß einem
zwanzigsten erläuternden
Beispiel der optischen hybridintegrierten Schaltung zeigt. Das vorliegende
erläuternde
Beispiel zeigt, dass in dem Befestigungsbereich II für die Opto-Vorrichtung
die Masseleiterschicht 51a zwischen der Bezugsoberfläche des
Silizium-Substrates 1a und der Unterumhüllungsschicht 60c eingebettet
ist; (und) die anderen Gegenstände
sind fast dieselben wie in den erläuternden Beispielen 15 bis
17. Bei diesem Aufbau bilden die Unterumhüllung 60c, die auf
der Oberfläche
bereitgestellte elektrische Leitungsführung 50 sowie der
eingebettete Masseleiter 51a in dem Befestigungsbereich
II für
die Opto-Vorrichtung eine Art Mikrostreifenleitung, wodurch verbesserte
Hochfrequenzeigenschaften bereitgestellt werden. Durch die Verwendung
der Mikrostreifenleitung kann die Dichte der elektrischen Leitungsführung im
Vergleich zu der in den erläuternden
Beispielen 15 bis 17 verwendeten koplanaren Leitung auf einfache
Weise verbessert werden.
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48 ist eine schematische Querschnittsansicht entlang
der Linie D-D' in 47, wenn das Halbleiterlaser-Feld bzw. -Array 37 auf
der optischen hybridintegrierten Schaltung, wie in 47 gezeigt, montiert ist. Der Bereich 500 der
elektrischen Leitungsführung
ist auf der Bezugsoberfläche
des Silizium-Substrates 1 ausgebildet, enthaltend den Elektrodenverbindungsbereich
mit der Opto-Vorrichtung. Weiterhin bildet die Oberfläche des
Vorsprungs des Silizium-Substrates 1 die Höhenbezugsoberfläche des
Halbleiterlaser-Feldes und dient außerdem als eine Wärmesenke.
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Daher
ist das vorliegende erläuternde
Beispiel in der Lage, gleichzeitig die Funktion der geringen Verluste,
die Funktion einer hochfrequenztauglichen elektrischen Leitungsführung und
die Funktion einer optischen Bank bereitzustellen beziehungsweise
zu realisieren.
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Erläuterndes Beispiel 21
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49 ist eine schematische Perspektivansicht, welche
ein bestücktes
optisches Substrat in einem einundzwanzigsten erläuternden
Beispiel der optischen hybridintegrierten Schaltung zeigt und welches
einen Aufbau zeigt, bei dem die Länge der Opto-Vorrichtung vergrößert ist.
Die Opto-Vorrichtung 37 ist ein 15 mm langer LiNbO3 (LN)-Wellenleiter.
Das vorliegende erläuternde
Beispiel ist, wie die anderen erläuternden Beispiele, aus dem
auf Siliziumdioxid basierenden optischen Wellenleiter auf dem Silizium-Substrat
gebildet. Wenn die Länge
der Opto-Vorrichtung, wie bei dem vorliegenden erläuternden
Beispiel, vergrößert wird,
können
longitudinale Verwindungen des Substrates und der Opto-Vorrichtung
nicht vernachlässigt
werden. Bei dem vorliegenden erläuternden
Beispiel ist der Siliziumvorsprung in vier Teile unterteilt und
die einzelnen Teile sind nahe an dem optischen Wellenleiter angeordnet,
so dass die Oberfläche 30 des
Siliziumvorsprungs selbst bei einer Verwindung in dem Substrat oder
dem LN-Chip, wie in 50 gezeigt, als eine gute Höhenbezugsoberfläche dient.
Weiterhin ist die elektrische Leitungsführung 500 als Koplanarleitung
auf der Oberfläche
der Unterumhüllungsschicht 60c des
auf Siliziumdioxid basierenden optischen Wellenleiters ausgebildet,
wobei die Unterumhüllungsschicht 60c in
einem Bereich zwischen dem vierfach unterteilten Siliziumvorsprung
ausgebildet ist.
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Als
Ergebnis dient der Siliziumvorsprung, wie in 50 gezeigt,
selbst dann als eine Höhenbezugsoberfläche, wenn
in dem Substrat oder dem LN optischen Wellenleiter nicht vernachlässigbare
Verwindungen existieren. Weiterhin zeigt der Bereich der elektrischen
Leitungsführung
erbesserte Hochfrequenzeigenschaften gegenüber den anderen erläuternden
Beispielen.
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Der
Aufbau des optischen hybridintegrierten Substrates wurde oben unter
Bezug auf einen Fall beschrieben, bei dem ein auf Siliziumdioxid
basierender optischer Wellenleiter auf dem Silizium-Substrat ausgebildet
war, jedoch sind auch andere Materialien möglich. Das Substrat des optischer
Wellenleiters weist einen ausreichenden Unterschied in der Ätzgeschwindigkeit
im Vergleich zu einem Ätzmittel,
welches beim Ätzen zum
Herausbildend des Befestigungsbereiches für die Vorrichtung in dem optischen
Wellenleiter verwendet wird, und eine Kombination, bestehend aus
dem Substrat und dem dielektrischen optischen Wellenleiter, kann so
verwendet werden, dass das Substrat als eine Ätz-Stopp-Schicht verwendet
wird. Wenn solch eine Kombination von Substrat und dielektrischem
optischem Wellenleiter verwendet wird, dann dient der Substratvorsprung
als eine hochgenaue Höhenbezugsoberfläche. Weiterhin
ist es in Bezug auf die Hochfrequenzeigenschaften der elektrischen
Leitungsführung
wünschenswert,
einen optischen Wellenleiter aus einem Material zu verwenden, welches
eine niedrigere Dielektrizitätskonstante
als das Material des Substrates aufweist.
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Beispiele
solch einer Kombination von Substrat und dielektrischem optischem
Wellenleiter beinhalten, zusätzlich
zu dem Siliziumdioxid- basierten optischen Wellenleiter/Silizium-Substrat,
einen Siliziumdioxid-basierten
optischen Wellenleiter/ein Alaunerde-Keramik-Substrat, einen Siliziumdioxid-basierten
optische Wellenleiter/ein Nitrit-Alaunerde-Keramik-Substrat und
verwenden einen Polymer-basierten dielektrischen optischen Wellenleiter,
wie einen Polyimid-basierten optischen Wellenleiter oder ähnliche,
anstelle des Siliziumdioxid-basierten optischen Wellenleiters. Jedoch
ist es erforderlich, dass wenn ein Substrat mit nur geringer Wärmeleitfähigkeit,
wie Alaunerde-Keramik verwendet wird, eine Wärmesenke der Opto-Vorrichtung
auf einem separaten Substrat bereitzustellen, wie dies in dem erläuternden
Beispiel 20 (46) gezeigt ist.
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Beispiele
für die
Befestigung der Opto-Vorrichtung wurden in den einzelnen obigen
erläuternden
Beispielen gezeigt, weiterhin ist es jedoch natürlich möglich, einen elektronischen
Schaltkreis zur Ansteuerung der Opto-Vorrichtung oder eine elektronische
Schaltung zur Signalverarbeitung zusätzlich zu der Opto-Vorrichtung zu
integrieren.
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Wie
oben beschrieben, besteht bei dem optischen hybridintegrierten Substrat
gemäß dem obigen
erläuternden
Beispiel die Basisstruktur beziehungsweise der wesentliche Aufbau
darin, dass der dielektrische optische Wellenleiter auf der Bezugsebene
auf dem Substrat mit dem Vorsprung und der Bezugsoberfläche ausgebildet
ist und dass der Vorsprung als ein Befestigungsbereich für die Opto-Vorrichtung
verwendet wird, um ein Substrat mit einer Terrasse für den optischen
Wellenleiter zu bilden, und dass die elektrische Leitungsführungsschicht
auf dem auf der Bezugsoberfläche
des Substrates ausgebildeten dielektrischen optischen Wellenleiter
ausgebildet ist. Als Ergebnis werden die elektrischen Eigenschaften
durch das Substrat nicht beeinflusst und es können verbesserte Hochfrequenzeigenschaften
erzielt werden, selbst dann, wenn ein Substrat mit einem relativ
geringen spezifischen elektrischen Widerstand (wie zum Beispiel
Silizium-Substrat)
verwendet wird oder selbst wenn ein Substrat mit einer relativ großen Dielektrizitätskonstanten
(wie zum Beispiel Alaunerde-Keramik-Substrat) verwendet wird.
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Weiterhin
ist bei dem optischen hybridintegrierten Substrat, bei dem der Substratvorsprung
des Befestigungsbereiches für
die Opto-Vorrichtung in zwei oder mehrere Teile aufgeteilt ist,
die Schicht des dielektrischen optischen Wellenleiters in dem Bereich
dazwischen ausgebildet und der Teil des Elektrodenanschlusses beziehungsweise
des Elektrodenfleckens, der zum Verbinden der Opto-Vorrichtung mit der
elektrischen Leitungsführung
auf dem Substrat dient, wird auf der dielektrischen Schicht des
optischen Wellenleiter bereitgestellt, weil alle Bereiche der elektrischen
Leitungsführung
auf der dielektrischen optische Wellenleiterschicht ausgebildet
werden können,
wobei die Hochfrequenzeigenschaften wesentlich verbessert werden
können
und gleichzeitig die obere Oberfläche des Substratvorsprunges
als Höhenbezugsoberfläche für die Befestigung
der Opto-Vorrichtung verwendet werden kann, wodurch eine genaue
Befestigung der Opto-Vorrichtung erreicht wird.
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Erläuterndes Beispiel 22
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51 ist eine schematische Perspektivansicht, welche
den Aufbau eines bestückten
optischen Substrates bei einem zweiundzwanzigsten erläuternden
Beispiel der optischen hybridintegrierten Schaltung zeigt. In 51 bezeichnet die Bezugszahl 1 ein Substrat, 1a eine
Bezugsoberfläche
des Substrates und 30 einen Substratvorsprung. Die Bezugszahl 92 bezeichnet
einen dielektrischen optischen Wellenleiter, 92a einen
optischen Signalwellenleiter, 92b einen optischen Überwachungswellenleiter
sowie 93 und 93a Umhüllungsschichten. Die Bezugszahl 95 bezeichnet
eine elektrische Leitungsführungsoberfläche des
Befestigungsbereiches für
die Opto-Vorrichtung, 95a und 95b sind ein Mittenleiter
und ein Masseleiter als elektrische Leitungsführungsbereiche und 96 ist
ein Fixierungsmaterial. Die Oberfläche des Substratvorsprunges
dient als Höhenbezugsoberfläche des
Befestigungsbereiches für
die Opto-Vorrichtung. Weiterhin ist auf der Oberfläche eine dünne Überwachungselektrode 97 vorgesehen.
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Das
in 51 gezeigte bestückte optische Substrat verwendet
ein Silizium-Substrat als Substrat 1 und einen auf Siliziumdioxid
basierenden optischen Wellenleiter als optischen Wellenleiterschaltkreis 92.
Das Silizium-Substrat
ist mit einem Vorsprung und einer Bezugsoberfläche mit einer Stufe von 40 μm ausgestattet. Eine
Unterumhüllungsschicht
mit einem 42 μm
dicken, auf Siliziumdioxid basierendem Glas wird auf der Bezugsoberfläche bereitgestellt,
ein Kern von 6 × 6 μm, ein optischer
Signalwellenleiter 92a mit einem Unterschied im Brechungsindex
von D = 0,75% und ein optischer Überwachungswellenleiter
sind darauf ausgebildet. Der Abstand zwischen dem Vorsprung des
Silizium-Substrates 1 und der Mitte des Kerns des Wellenleiters
ist auf 5 μm
eingestellt, ausgerichtet auf die Größe der funktionalen Opto-Vorrichtung,
die später
beschrieben werden wird. Ein Ende des optischen Überwachungswellenleiters 92b ist
an einer Position angeordnet, die der Höhenbezugsoberfläche mit
dem Vorsprung des Silizium-Substrates 1 entspricht und
ein Ende des optischen Signalwellenleiters 92a ist an einer
Position angeordnet, die der Oberfläche 95 der elektrischen
Leitungsführung
entspricht. Eine 0,5 μm
dicke Dünnfilm-Gold-Elektrode
ist auf der Höhenbezugsoberfläche 30 ausgebildet.
Dort gibt es eine 10 μm
große
Stufe zwischen der Oberfläche
des Vorsprungs des Silizium-Substrates 1 als der Höhenbezugsoberfläche und
der Oberfläche 95 der
elektrischen Leitungsführung,
und eine Unterumhüllungsschicht 93a eines
30 μm dicken,
auf Siliziumdioxid basierenden optischen Wellenleiters ist unter
der Oberfläche 5 der
elektrischen Leitungsführung
vorgesehen. Bei den elektrischen Leitungsführungen 95a und 95b handelt
es sich um 4 μm
dicke Gold-Plattierungsstrukturen beziehungsweise Gold-Beschichtungsstrukturen
und eine 4 μm
dicke Lötmittelperle
ist an dem Ende als Fixierungsmaterial ausgebildet.
-
Durch
die Befestigung einer gewünschten
funktionalen Opto-Vorrichtung auf dem Befestigungsbereich für die Opto-Vorrichtung
auf dem bestückten
optischen Substrat mit dem obigen Aufbau kann eine optische hybridintegrierte
Schaltung, wie in 52 gezeigt, ausgebildet werden.
Bei der funktionalen Opto-Vorrichtung 100 gemäß dem vorliegenden
erläuternden
Beispiel handelt es sich um einen Halbleiterlaser mit einem Signalanschluss 100a und
einem Überwachungsanschluss 100b.
Die Reihenfolge und Aufteilung der Anordnung der einzelnen Anschlüsse entspricht
der Aufteilung der Eingabe-/Ausgabeenden der optischen Wellenleiter 92a und 92b der
optischen Wellenleiterschaltung. Wenn die funktionale Opto-Vorrichtung 100 umgekehrt
beziehungsweise auf dem Kopf stehend auf dem Befestigungsbereich
für die
Opto-Vorrichtung montiert ist, dann ist der Überwachungsanschluss 100b der
funktionalen Opto-Vorrichtung auf der Höhenbezugsoberfläche 30 des
Vorsprunges des Silizium-Substrates 1 angeordnet
und der Signalanschluss 100a ist auf der Oberfläche der
elektrischen Leitungsführung
angeordnet.
-
53 ist eine schematische Querschnittsansicht entlang
der Linie III-III' in 52. Die aktiven Schichten 100a und 100b des
Halbleiterlasers 100 sind an Positionen in 4,5 μm Entfernung
von der Oberfläche der
Vorrichtung angeordnet. Andererseits ist bei dem optischen hybridintegrierten
Substrat der Abstand zwischen der Oberfläche der Dünnfilmelektrode 97 auf
der Höhenbezugsoberfläche (Siliziumvorsprung)
und der Mitte des Kerns des optischen Wellenleiters auf 4,5 μm eingestellt.
Deshalb kann die Positionierung in Richtung der Höhe des optischen
Wellenleiters und des Halbleiterlasers alleine dadurch abgeschlossen
werden beziehungsweise erfolgen, dass der Halbleiterlaser, wie gezeigt,
auf die Höhenbezugsoberfläche montiert
wird.
-
Um
eine Positionierung in gleicher Ebene beziehungsweise in gleicher
Ebenenrichtung zu erzielen, muss die Positionierung durch eine Überwachung
der Wirksamkeit der optischen Ankopplung des Halbleiterlasers an
den optischen Wellenleiter erfolgen. Weil die Oberflächenelektrode 100c unterhalb
des optischen Signalanschlusses 100a des Halbleiterlasers
weder die elektrische Leitungsführung 95 auf
dem Substrat 1 noch die Lötmittelperle 96 kontaktiert,
kann eine Einstellung des Kerns nicht durch Verwendung des optischen
Signalanschlusses 100a erfolgen. Weil jedoch bei dem vorliegenden
erläuternden
Beispiel der optische Überwachungswellenleiter 100a und
der Überwachungsanschluss 100n auf
der optischen hybridintegrierten Schaltung und der funktionalen
Opto- Vorrichtung
vorgesehen sind und weil die Oberflächenelektrode 100c unter dem Überwachungsanschluss 100b mit
der Dünnfilmelektrode 97 auf
der Höhenbezugsoberfläche 30 kontaktiert
ist, ist eine Einstellung des Kerns durch Verwendung des Überwachungsanschlusses
möglich.
-
Die
Einstellung des Kerns kann durchgeführt werden, wenn der Halbleiterlaser
als eine Lichtempfangsvorrichtung betrieben wird. Das heißt, Überwachungslicht
wird in dem optischen Überwachungswellenleiter übertragen
und der Lichtempfangsstrom des Überwachungsanschlusses,
der in Beziehung zu dem Überwachungslicht
steht, wird bezüglich
einer Position überwacht,
bei welcher der Strom ein Maximum aufweist.
-
Für die aktive
Ausrichtung ist es weiterhin möglich,
ein Verfahren zu verwenden, bei dem der Halbleiterlaser 100 dazu
veranlasst wird, Licht auszusenden und eine Position zu verwenden
bzw. einzunehmen, bei welcher der Lichtausgang des optischen Überwachungswellenleiters
ein Maximum aufweist.
-
Dann
kann, wie in 54 gezeigt, nach der Einstellung
des Kerns sowohl eine elektrische Verbindung wie auch eine Vorrichtungsfixierung
zwischen dem Halbleiterlaser und dem optischen hybridintegrierten
Substrat durch Erhitzen erreicht werden, wodurch ein Rückfluss
der Lötmittelperle 96 beziehungsweise
eine Aufschmelzlötung
erzielt wird, weil die Lötmittelperle
die obere Elektrode 100c des Signalanschlusses des Halbleiterlasers
kontaktiert. In diesem Fall ist die Kontaktierungsposition zwischen
dem Lötmittel
und der funktionalen Opto-Vorrichtung leicht versetzt gegenüber dem
unmittelbar benachbarten Anschluss (aktive Schicht) eingestellt,
wodurch eine direkte Einwirkung einer Belastung beziehungsweise
Spannung, welche durch das Schrumpfen des Lötmittels bei dessen Verfestigung
entsteht, auf den optischen Signalanschluss der funktionalen Opto-Vorrichtung
verhindert wird.
-
Übermäßig große Ankopplungsverluste
durch Abweichungen der Position innerhalb der optischen hybridintegrierten
Schaltung waren geringer als 0,5 dB. Das zeigt, dass in der optischen
hybridintegrierten Schaltung gemäß dem vorliegenden
erläuternden
Beispiel eine Bestückung
der Halbleiterlaser-Oberfläche
mit einer Genauigkeit innerhalb von 1 μm erreicht werden kann. Dies
wird möglich,
erstens durch die Verwendung des Siliziumvorsprunges als Höhenbezugsoberfläche und
zweitens durch aktive Ausrichtung im Hinblick auf eine Positionierung
in einer gleichen Ebene beziehungsweise in einer gleichen Ebenenrichtung.
-
Wie
oben beschrieben, ist es bei dem vorliegenden erläuternden
Beispiel möglich,
eine aktive Ausrichtung für
die Einstellung des Kerns in einer gleichen Ebenenrichtung durchzuführen, während die
funktionale Opto-Vorrichtung betrieben wird und die Opto-Vorrichtung
durch eine Lötmittelperle
befestigt ist. Deshalb kann im Vergleich zum Stand der Technik,
bei dem eine Befestigung der Vorrichtung durch passive Ausrichtung
erfolgt, die Hybridintegration der Opto-Vorrichtung mit größerer Genauigkeit
erfolgen und es können
Probleme aufgrund einer Verringerung der Stärke der Befestigung und aufgrund
einer großen
Belastung der funktionalen Opto- Vorrichtung
durch die Verwendung von Dünnfilmlötmitteln,
was bei der aktiven Ausrichtung nach dem Stand der Technik ein Problem
war, gelöst
werden.
-
Weiterhin
verwendet das vorliegende erläuternde
Beispiel ein hoch wärmeleitendes
Silizium-Substrat, der Vorsprung und die Bezugsoberfläche werden
darauf bereitgestellt und der Vorsprung wird verwendet als eine
Höhenbezugsoberfläche für die Befestigung
der funktionalen Opto-Vorrichtung. Bei dieser Konstruktion kann
die Wärmeentwicklung
bei der funktionalen Opto-Vorrichtung
mit Hilfe des Siliziumvorsprungs wirksam abgeführt werden.
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Bei
dem vorliegenden erläuternden
Beispiel ist die elektrische Leitungsführungsoberfläche des
Befestigungsbereiches für
die Opto-Vorrichtung mit einer ausreichenden Dicke auf der Umhüllungsschicht
des auf Siliziumdioxid basierenden optischen Wellenleiters vorgesehen.
Mit einer solchen Konstruktion kann eine optische hybridintegrierte
Schaltung mit überragenden
Hochfrequenzeigenschaften erzielt werden. Das heißt, im Stand
der Technik, wie in 1 gezeigt, ist die elektrische
Leitungsführung
grundsätzlich
direkt auf dem Silizium-Substrat oder auf einem sehr dünnen Oxidfilm
mit einer Dicke von ungefähr
0,5 μm ausgebildet.
Bei solch einer Konstruktion aus dem Stand der Technik bestand jedoch
ein Problem darin, dass die Hochfrequenzeigenschaften des Bereiches
der elektrischen Leitungsführung
durch einen Einfluss des Silizium-Substrat als Halbleiter beachtlich verschlechtert
wurden. Bei dem vorliegenden erläuternden
Beispiel ist dieses Problem dadurch gelöst, dass eine dielektrische
Schicht mit ausreichender Dicke zwischen dem Silizium-Substrat und der
Oberfläche
der elektrischen Leitungsführung
vorgesehen ist. In der Praxis wurde bestätigt, dass der Bereich der
elektrischen Leitungsführung
in der optischen hybridintegrierten Schaltung des vorliegenden erläuternden
Beispiels ein Band von ungefähr
10 GHz aufweist.
-
Erläuterndes Beispiel 23
-
55 ist eine schematische Perspektivansicht, welche
den Aufbau eines dreiundzwanzigsten erläuternden Beispiels der optischen
hybridintegrierten Schaltung zeigt. Das vorliegenden erläuternde
Beispiel zielt, anders als das erläuternde Beispiel 22, darauf
ab, dass zusätzlich
zu der Höhenbezugsoberfläche für die funktionale
Opto-Vorrichtung ein Vorsprung auf dem Silizium-Substrat 1 als
Befestigungsbereich für
die Opto-Vorrichtung
vorgesehen ist, dass eine Befestigungsoberfläche 98 für eine elektronische
Schaltung auf dem Siliziumvorsprung vorgesehen ist und dass auf
der elektrischen Leitungsführungsoberfläche 98 nicht
nur die elektrische Leitungsführung
für die
funktionale Opto-Vorrichtung, sondern auch die elektrische Leitungsführung für die elektronische
Schaltung vorgesehen ist. Die anderen Komponenten sind ähnlich wie
bei dem erläuternden Beispiel
22 ausgeführt. Ähnliche
Komponenten, wie die bei dem erläuternden
Beispiel 22 verwendeten, sind mit ähnlichen Bezugssymbolen bezeichnet
und eine detaillierte Beschreibung darüber wurde weggelassen.
-
Mit
diesem Aufbau können ähnliche
Effekte, wie die bei dem erläuternden
Beispiel 22 erzielten, erreicht werden und zusätzlich kann sich die entwickelnde
Wärme der
auf dem Silizium-Substratvorsprung montierten elektronischen Schaltung
wirksam abgeführt
werden, weil der Silizium-Substratvorsprung
auch als Befestigungsoberfläche 98 für die elektronische
Schaltung verwendet wird. Das heißt, das in der optischen hybridintegrierten
Schaltung verwendete bestückte
optische Substrat kann Funktionen als ein bestücktes opto-elektronisches Hybrid-Substrat
bereitstellen.
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Erläuterndes Beispiel 24
-
Bei
dem vorherigen erläuternden
Beispiel 22 wurde das Silizium-Substrat mit dem Vorsprung und der Aussparung
als das Substrat und der auf Siliziumdioxid basierende optische
Wellenleiter als dielektrischer optischer Wellenleiter verwendet.
Jedoch können
natürlich
auch andere Kombinationen als das Materialsystem verwendet werden,
um beides, nämlich
eine Positionierung der funktionalen Opto-Vorrichtung durch aktive Ausrichtung
und eine Befestigung der Vorrichtung durch einen dicken Lötmittelfilm,
wie zum Beispiel eine Lötmittelperle,
zu erreichen. Derartige Kombinationsbeispiele werden nachfolgend
aufgezeigt.
-
Erstens
ist es überflüssig zu
erwähnen,
dass der optische Wellenleiter gemäß dem erläuternden Beispiel 22 nicht
auf einen auf Siliziumdioxid basierenden optischen Wellenleiter
beschränkt
ist. Zum Beispiel können
bei Verwendung eines Polymer-basierten optischen Wellenleiters,
wie eines Polyimid-Wellenleiters, alle die bei dem erläuternden
Beispiel 22 erreichten Wirkungen bereitgestellt werden.
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Zweitens
kann auch das Substrat bei dem erläuternden Beispiel 22 ein anderes
als ein Silizium-Substrat sein. Zum Beispiel kann auch ein Keramiksubstrat,
wie Alaunerde-Substrat, verwendet werden, das sich als bestücktes Substrat
für eine
elektronische Schaltung, die auf der Oberfläche mit dem Vorsprung und der Bezugsoberfläche angeordnet
ist, bewährt
hat. Weiterhin können
in diesem Fall für
den optischen Wellenleiter ein Siliziumdioxid-basierter optischer
Wellenleiter, ein Polymer-basierter Wellenleiter und andere Materialien verwendet
werden. Wenn ein Alaunerde-Substrat als das Substrat verwendet wird,
ist der Effekt der Wärmeableitung
schlechter im Vergleich zum erläuternden
Beispiel 22, aber andere Funktionen sind nahezu gleich wie im erläuternden
Beispiel 22. Insbesondere ist es – beziehungsweise das erläuternde
Beispiel 24 – dem erläuternden
Beispiel 22 manchmal hinsichtlich der Hochfrequenzeigenschaften
der elektrischen Leitungsführung
und der Erweiterbarkeit der Leitungsabmessungen überlegen.
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Drittens
verwendet das erläuternde
Beispiel 22 ein Substrat, auf dessen Oberfläche ein Vorsprung und die Bezugsoberfläche ausgebildet
sind, aber statt dessen ist es natürlich ebenfalls möglich, ein
Substrat mit einer flachen Oberfläche zu verwenden. 56 ist eine perspektivische Ansicht, welche eine
Substratstruktur als ein Beispiel einer solchen Konfiguration zeigt,
bei der ein Alaunerde-Substrat mit einer flachen Oberfläche und
ein auf Siliziumdioxid basierender optischer Wellenleiter verwendet
werden. Die Höhenbezugsoberfläche 30 des
Befestigungsbereiches für
die Opto-Vorrichtung kann auf einer Umhüllungsschicht des optischen
Wellenleiters ausgebildet sein.
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In
diesem Fall kann die Präzisierung
der Höhe
zwischen der Höhenbezugsoberfläche 30 und
der Mitte der Kerne 92a und 92b des optischen
Wellenleiters schlechter sein, als die bei dem erläuternden
Beispiel 22. Weiterhin kann auch der Effekt der Wärmeableitung
verschlechtert sein, wenn ein Keramiksubstrat als das Substrat verwendet
wird.
-
Jedoch
kann auch bei dem vorliegenden erläuternden Beispiel beides, das
heißt
die aktive Ausrichtung wie auch die Befestigung mittels eines dicken
Lötmittelfilms
gleichzeitig erreicht werden. Weiterhin ist es natürlich möglich, ein
Silizium-Substrat als das Substrat mit der flachen Oberfläche zu verwenden.
Auch kann ein Alaunerde-Substrat als das Substrat verwendet werden.
-
Viertens
zeigt das erläuternde
Beispiel 22 ein Beispiel für
einen „eingebettet
strukturierten optischen Wellenleiter", bei dem der Kern des optischen Wellenleiters
in die Umhüllungsschicht
mit ausreichender Dicke eingebettet ist, jedoch ist die Ausführung des
optischen Wellenleiters nicht darauf beschränkt. Zum Beispiel kann, wie
bei dem in 4 gezeigten Stand der Technik,
das vorliegende erläuternde
Beispiel auch auf einen „optischen
Wellenleiter in Stegbauart",
bei dem der Kern frei liegt oder mit einer dünnen Umhüllungsschicht ummantelt ist,
angewendet werden.
-
Fünftens können andere
als die dielektrischen Materialien als optischer Wellenleiter verwendet
werden. Solche Materialien umfassen einen Siliziumwellenleiter.
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Weiterhin
verwendet das erläuternde
Beispiel 22 eine Lötmittelperle
als Fixierungsmaterial 96, um damit eine elektrische Verbindung
und eine Fixierung zwischen dem optischen Signalanschluss der funktionale Opto-Vorrichtung und der
elektrischen Leitungsführung
auf dem optischen Wellenleiterschaltkreis zu erreichen. Statt dessen
ist es auch möglich,
solche Materialien wie elektrisch leitende Verbindungs- beziehungsweise
Bondingmaterialien oder leitendes Gummi zu verwenden. In diesem
Fall kann, wie bei dem erläuternden Beispiel
22, das Auftreten einer durch die Befestigung der Vorrichtung hervorgerufenen
Belastung auf den optischen Signalanschluss verhindert werden.
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Erläuterndes Beispiel 25
-
57 ist ein schematischer Grundriss, der ein fünfundzwanzigstes
erläuterndes
Beispiel der optischen hybridintegrierten Schaltung zeigt. 58 ist eine schematische vergrößerte Perspektivansicht, welche einen
Teil der 57 zeigt. Der optische Signalwellenleiter 62a des
optischen Wellenleiterschaltkreises umfasst einen Wellenleitereingangs-/-ausgangsteil
IO, einen runden Wellenleiterteil R und einen Richtkoppler C um
beide Wellenleiter, die als Ganzes einen „Ringresonanzschaltkreis" bilden, optisch
miteinander zu verbinden. Ein Halbleiterverstärker ist als die funktionale
Opto-Vorrichtung 100 in den Verlauf des runden Wellenleiterteiles
R eingebaut, wobei der Signaleinschluss 100a dieser Vorrichtung
und der optische Signalwellenleiter optisch miteinander verbunden
sind. Die optische hybridintegrierte Schaltung funktioniert als
Ganzes als „Ringlaser".
-
Wenn
versucht wird, den optischen Halbleiterverstärker 100 gemäß dem vorliegenden
erläuternden Beispiel
durch aktive Ausrichtung unter Verwendung des optischen Signalwellenleiters
und des Signalanschlusses in den optischen Wellenleiter zu integrieren,
ist die verwendbare optische Frequenz des Überwachungslichtes begrenzt,
weil der Ringresonanzschaltkreis gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
eine scharfe Selektivität
für die
optische Frequenz aufweist. Um diese Begrenzung beziehungsweise
Beschränkung der
Frequenz des Überwachungslichtes
deutlich zu entspannen beziehungsweise deutlich zu entschärfen, werden
bei dem vorliegenden erläuternden
Beispiel der optische Überwachungswellenleiter 92b und
der Überwachungsanschluss 100b individuell
beziehungsweise separat in dem optischen Wellenleiterschaltkreis
und dem optischen Halbleiterverstärker vorgesehen und die Kerneinstellung
wird unter Verwendung dieser Vorrichtungen durchgeführt. Das
heißt,
der optische Überwachungswellenleiter 92b ist
außerhalb
des runden Wellenleiters R des optischen Wellenleiterschaltkreises
angeordnet und der Überwachungsanschluss 100b ist
neben beziehungsweise in Juxtaposition zu dem Signalanschluss 100a des
Halbleiterverstärkers
angeordnet. Deshalb, weil der optische Überwachungswellenleiter ohne
Wellenlängeselektivität verwendet
werden kann, ist bei der Befestigung des Halbleiterverstärkers die
Begrenzung der Frequenz des Überwachungslichtes
deutlich entschärft
beziehungsweise entspannt.
-
Insbesondere
ist bei der in 58 gezeigten Struktur des Befestigungsbereiches
für die
Opto-Vorrichtung des optischen Wellenleiters eine belastungsarme
Montage der Vorrichtung unter Verwendung von dicken Lötfilmen
oder eines elektrisch leitenden Verbindungs- beziehungsweise Bondingmaterials
möglich,
wenn die Höhenbezugsoberfläche 10 und
die untere Oberfläche
der elektrischen Leitungsführung 95 in
zwei Schichten ausgebildet sind, wie dies im Detail bei dem erläuternden
Beispiel 22 beschrieben wurde.
-
Erläuterndes Beispiel 26
-
59 ist ein schematischer Grundriss, der den Aufbau
eines sechsundzwanzigsten erläuternden Beispiels
der hybridintegrierten Schaltung zeigt. Das vorliegenden erläuternde
Beispiel zielt darauf ab, dass eine Vielzahl von in Reihe angeordneten
funktionalen Opto-Vorrichtungen in dem optischern Wellenleiterschaltkreis
montiert sind. In 59 bezeichnet die Bezugszahl 100 ein
Halbleiterlaser-Feld als eine erste funktionale Opto-Vorrichtung
und 101 ist ein Halbleitermodulator-Feld beziehungsweise
-Array als eine zweite funktionale Opto-Vorrichtung. Dies ist ein Aufbau, bei
dem ein Stärkenmodulationsschaltkreis
vom Typ eines Mach-Zehnder-Interferenzschaltkreises
angeordnet ist. Bei diesem optischen Wellenleiterschaltkreis wird
das von dem Halbleiterlaser-Feld 100 ausgegebene optische
Signal in ein erstes optisches Signalwellenleiterfeld 220a übertragen,
durch das Modulatorfeld 101 moduliert und durch ein zweites
optisches Signalwellenleiterfeld 221a an die Oberfläche des
Substrates übertragen.
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Diese
optische hybridintegrierte Schaltung funktioniert als ein „Halbleiterlaser-Modul
mit einem externen Modulator",
bei dem der optische Ausgang des Halbleiterlaser durch das Modulatorfeld
moduliert wird.
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Bei
diesem Aufbau ist der optische Signalwellenleiter in zwei Bereiche
aufgeteilt, um die zweite funktionale Opto-Vorrichtung 101 zu befestigen,
und die aktive Ausrichtung ist bei Verwendung des Wellenleiters schwierig.
Weiterhin ist eine Einstellung des Kerns bei der Verwendung des
optischen Signalwellenleiters 221a schwierig, wenn der
Signalanschluss des Modulatorfeldes 101 kein Licht passieren
lässt,
wenn er nicht angeregt ist.
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Dann
sind bei dem vorliegenden erläuternden
Beispiel auf dem optischen Wellenleiterschaltkreis vorgesehen ein
optischer Überwachungswellenleiter 220b,
welcher die erste funktionale Opto-Vorrichtung 100 und
ein Ende des optischen Wellenleiterschaltkreissubstrates miteinander
verbindet, und ein optischer Überwachungswellenleiter 221b,
welcher die zweite funktionale Opto-Vorrichtung 101 und
das Substratende miteinander verbindet.
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Andererseits
ist auf dem Halbleiterlaser 100 ein Überwachungsanschluss 100b vorgesehen,
wobei der Anschluss 100b, wie auch der Signalanschluss 100a,
als Halbleiterlaser fungiert. Ein Anschluss, der als ein Halbleiterlaser
fungiert, kann auch als eine Lichtempfangsvorrichtung fungieren.
Ein Überwachungsanschluss 101b ist
in dem Modulatorfeld 101 vorgesehen, wobei der Anschluss 101b als
eine Lichtempfangsvorrichtung fungiert.
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Bei
dem vorliegenden erläuternden
Beispiel hat der Befestigungsbereich für die Opto-Vorrichtung dieselbe
Struktur beziehungsweise denselben Aufbau wie in dem erläuternden
Beispiel 22.
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Die 60A und 60B sind
Querschnittsansichten des in 59 gezeigten
Schaltkreises, wobei die 60A eine
Querschnittsansicht entlang der Linie Xa-Xa' ist, welche eine Halbleiterlaser-Befestigungskonfiguration
zeigt, und wobei 60B eine Querschnittsansicht
entlang der Linie Xb-Xb' ist,
welche eine Befestigungskonfiguration für das Modulationsfeld zeigt.
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Mit
diesem Aufbau beziehungsweise dieser Konstruktion ist es möglich, dass Überwachungslicht
in den optischen Überwachungswellenleiter 220b eingegeben
wird und dass der das empfangende Licht repräsentierende Strom überwacht
wird, um eine aktive Ausrichtung des Halbleiterlasers 100 zu
erreichen. Auf ganz ähnliche
Weise wird eine Ausrichtung des Modulatorfeldes 101 durch
die Verwendung des optischen Überwachungswellenleiters 221b erreicht.
-
Weiterhin
ist die Anwendung auf Halbleitervorrichtungen beschränkt, weil
die Anordnung des optischen Überwachungswellenleiters
bei der vorliegenden Erfindung auf der Annahme basiert, dass der Überwachungsanschluss
der funktionalen Opto-Vorrichtung eine Lichtempfangsfunktion besitzt.
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Erläuterndes Beispiel 27
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61 ist ein schematischer Grundriss, welcher den
Aufbau eines siebenundzwanzigsten erläuternden Beispiels der optischen
hybridintegrierten Schaltung zeigt. Das vorliegenden erläuternde
Beispiel hebt hervor, dass anders als anders als in dem in 59 gezeigten erläuternden Beispiel 26, die zweites
funktionale Opto-Vorrichtung, das heißt der Überwachungswellenleiter 221b,
der zu dem Modulatorfeld 101 führt, mit der ersten funktionalen
Opto-Vorrichtung verbunden ist, das heißt zwischen dem Halbleiterlaser 100 und
dem Modulatorfeld 101 angeordnet ist. Weil die anderen
Komponenten mit denen in dem erläuternden
Beispiel 26 identisch sind, werden ähnliche Komponenten mit ähnlichen
Bezugszahlen bezeichnet und detaillierte diesbezügliche Beschreibungen weggelassen.
Das heißt,
der optische Überwachungswellenleiter 221b,
der zu dem Modulator 101 führt, ist mit dem optischen Überwachungswellenleiter 220b unmittelbar
vor dem Halbleiterlaser 100 verbunden und an den Überwachungsanschluss 100b des
Halbleiterlaser 40 angeschlossen.
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Mit
diesem Aufbau wird die Montage der Opto-Vorrichtung bei Anwendung
des folgenden Verfahrens möglich.
Zuerst wird eine aktive Ausrichtung vorgenommen unter Verwendung
des optischen Überwachungswellenleiters 220b.
In diesem Fall kann der Halbleiterlaser dazu veranlasst werden,
Licht auszusenden oder es kann die Lichtempfangsfunktion verwendet
werden. Nach Abschluss der Befestigung der Vorrichtung wird eine
Ausrichtung des Modulatorfeldes 101 unter Verwendung des
optischen Überwachungswellenleiters 221b vorgenommen.
In diesem Fall, bei dem der Halbleiterlaser-Überwachungsanschluss 100b dazu
veranlasst wird, Licht auszusenden, fungiert der Überwachungsanschluss 101 als
eine Lichtempfangsvorrichtung, wobei der Strom, der das empfangene
Licht repräsentiert, überwacht
wird.
-
Die
Merkmale dieses Verfahrens bestehen darin, dass bei der Ausrichtung
der ersten funktionalen Opto-Vorrichtung der optische Wellenleiter
mit dem optischen Überwachungswellenleiter
verbunden wird und dass Überwachungslicht
ein- oder ausgegeben werden muss. Jedoch ist, weil der optische Überwachungswellenleiter
für eine
Verbindung der funktionalen Opto-Vorrichtungen untereinander zur
Verfügung
steht, die Verbindung der Fasern bei der Ausrichtung der zweiten
funktionalen Opto-Vorrichtung
entbehrlich, wodurch die Ausrichtungsarbeit vereinfacht wird.
-
Erläuterndes Beispiel 28
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62 ist ein schematischer Grundriss eines achtundzwanzigsten
erläuternden
Beispiels der optischen hybridintegrierten Schaltung. Die 63A und 63B sind
Grundrisse zum Erklären
des Verfahrens der Ausrichtung der auf dem in 62 gezeigten Schaltkreis zu montierenden funktionalen
Opto-Vorrichtung, wobei 63A die
Einstellung des Kerns und die Befestigung des Halbleiterlaser-Feldes
und 63B die Einstellung des Kerns
und die Befestigung des Modulatorfeldes zeigen.
-
Das
vorliegende erläuternde
Beispiel hebt hervor, dass anders als in dem erläuternden Beispiel 27, bei dem
der optische Überwachungswellenleiter
zu dem Modulator 101 führt,
zusätzlich
zu dem Wellenleiter, der mit dem Halbleiterlaser verbunden ist,
ein Wellenleiter vorgesehen ist, der an das Ende des optischen Wellenleiterschaltkreissubstrates
angeschlossen ist.
-
Bei
diesem Aufbau sind die Mittel beziehungsweise ist der Bedarf an
Mitteln zur Überwachung
der Ausrichtung an den Modulator 101 gestiegen, wodurch
als Ergebnis auch eine Ausrichtung an eine funktionale Opto-Vorrichtung
mit einem anderen Material als den Halbleitervorrichtungen möglich ist.
Das Verfahren der Ausrichtung bei dieser Konstruktion wird nachfolgend
beschrieben.
-
Die
Ausrichtung einer optisch integrierten Schaltung mit diesem Aufbau
wird unter Bezugnahme auf die 63A und 63B beschrieben. Zuerst wird Überwachungslicht zu dem optischen Überwachungswellenleiter 220b übertragen
und während
die optische Ankopplung mit dem Überwachungsanschluss 100b des Halbleiterlaser-Feldes 100 überwacht
wird, erfolgt eine Ausrichtung des optischen Signalwellenleiters 220a und
des optischen Signalanschlusses 100a und eine Fixierung
des Halbleiterlaser-Feldes 100. Danach kann eine Einstellung
des Kerns und eine Fixierung des Modulatorfeldes bzw. -Arrays unter
Verwendung des optischen Überwachungswellenleiters 221b und
des Überwachungsanschlusses 101b erfolgen.
Als ein Verfahren zur Überwachung
wird in diesem Fall der Überwachungsanschluss 101b als
passiver Wellenleiter verwendet, wobei in den optischen Überwachungswellenleiter 221b einfallendes Überwachungslicht
an den Überwachungsanschluss 101b übertragen
wird, und wonach es schließlich
in den Überwachungsanschluss 100b des großen Halbleiterlasers 100 einfällt. Zu
dieser Zeit kann der Überwachungsanschluss 100b des
Halbleiterlasers 100 als eine Lichtempfangsvorrichtung
fungieren, um eine Position herauszufinden, bei welcher der das empfangende
Licht repräsentierende
Strom ein Maximum aufweist. Weiterhin beziehungsweise danach wird die Übertragungsrichtung
des Lichtes umgekehrt, wobei der Überwachungsanschluss 100b der
Halbleiterlaser 100 dazu veranlasst wird, Licht auszusenden,
und wobei dann beziehungsweise zu dieser Zeit das von dem optischen Überwachungswellenleiter 221b ausgegebene
Licht überwacht
werden kann.
-
Weil
der Überwachungsanschluss
des Modulatorfeldes als ein passiver Wellenleiter verwendet werden
kann, kann dieses Verfahren auch natürlich dann angewendet werden,
wenn die funktionale Opto-Vorrichtung 101, wie bei dem
vorliegenden erläuternden
Beispiel, aus einem Halbleitermaterial ausgebildet ist und auch
sogar dann, wenn andere Opto-Vorrichtungen, bei denen es sich nicht
um Halbleiter handelt, wie zum Beispiel elektro-optische Kristalle,
wie LiNbO3, oder magneto-optische Kristalle verwendet werden.
-
Wie
oben im Rahmen des vorliegenden erläuternden Beispiels beschrieben,
ist es bei einer Hybridintegration einer Vielzahl von funktionalen
Opto-Vorrichtungen möglich,
eine Vielzahl von Vorrichtungen in Reihe mit dem optischen Wellenleiterschaltkreis
zu montieren, weil optische Überwachungswellenleiter
entsprechend den beziehungsweise für die einzelnen Vorrichtungen
vorgesehen sind.
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Erläuterndes Beispiel 29
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64 ist ein schematischer Grundriss, welcher ein
neunundzwanzigstes erläuterndes
Beispiel der optischen hybridintegrierten Schaltung zeigt. Das vorliegende
erläuternde
Beispiel hebt hervor, dass eine Vielzahl von Überwachungswellenleitern 92b und 92c oder Überwachungsanschlüssen 100b und 100c als
optischer Überwachungswellenleiter
des optischen Wellenleiterschaltkreises oder als Überwachungsanschluss der
funktionalen Opto-Vorrichtung vorgesehen sind.
-
Wie
in 64 gezeigt, sind die Überwachungsanschlüsse 100b und 100c der
funktionalen Opto-Vorrichtung mit derselben Breite ausgebildet,
wobei die Breite des optischen Überwachungswellenleiters 92b des optischen
Wellenleiterschaltkreises gleich eingestellt ist wie (die Breite
des) optischen Signalwellenleiters 92a und wobei der optische Überwachungswellenleiter 92c bezüglich der
Wellenleiterbreite breiter ist als der optische Überwachungswellenleiter 92b.
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Bei
diesem Aufbau ist nach einer groben Einstellung des Kerns mit Hilfe
des optischen Überwachungswellenleiters 92c und
des Überwachungsanschlusses 100c eine
Feineinstellung möglich
durch die Verwendung des optischen Überwachungswellenleiters 92b und
des Überwachungsanschlusses 100b.
Durch diese zweistufige Kerneinstellung ist es möglich, die für die aktive
Ausrichtung erforderliche Zeit zu verringern.
-
Erläuterndes Beispiel 30
-
65 ist ein schematischer Grundriss, der ein dreißigstes
erläuterndes
Beispiel der optischen hybridintegrierten Schaltung zeigt. Das vorliegende
erläuternde
Beispiel stellt heraus, dass, im Gegensatz zu dem vorherigen erläuternden
Beispiel 29, der Überwachungsanschluss
der funktionalen Opto-Vorrichtung bezüglich seiner Breite gleich
eingestellt wird wie der Signalanschluss, um den Überwachungsanschluss 100c breiter als
den Signalanschluss einzustellen.
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Mit
dieser Konstruktion ist es ebenfalls möglich, die für die durch
die zweistufige Kerneinstellung in Form von grober Einstellung und
feiner Einstellung bewirkte aktive Ausrichtung erforderliche Zeit
zu verringern.
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Wie
oben beschrieben, ist bei der optischen hybridintegrierten Schaltung
gemäß dem vorliegenden
erläuternden
Beispiel der optische Überwachungswellenleiter
zusammen mit dem optischen Signalwellenleiter in dem optischen Wellenleiterschaltkreis
vorgesehen, die funktionale Opto-Vorrichtung mit einem Überwachungsanschluss
und einem Signalanschluss entsprechend der Anordnung des Wellenleiters
bei dem optischen Wellenleiterschaltkreis vorgesehen, sind der optische Überwachungswellenleiter
des optischen Wellenleiterschaltkreises und der Überwachungsanschluss der funktionalen
Opto-Vorrichtung optisch miteinander verbunden und sind gleichzeitig
der optische Signalwellenleiter und der Signalanschluss optisch
miteinander verbunden und die funktionale Opto-Vorrichtung kann in beziehungsweise
auf dem Befestigungsbereich für
die Opto-Vorrichtung auf dem optischen Wellenleiterschaltkreis angeordnet
sein.
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Deshalb
weist der optische Signalwellenleiterteil bzw. -bereich eine Wellenlängenselektivität beziehungsweise
eine Selektivität
für die
optische Frequenz und ähnliches
auf oder der Signalanschluss der funktionale Opto-Vorrichtung weist
verschiedene Funktionen auf und selbst wenn die aktive Ausrichtung
unter Verwendung des optischen Signalwellenleiters und des Signalanschlusses
schwierig ist, ist dennoch eine aktive Ausrichtung durch die Verwendung
des optischen Überwachungswellenleiters
und des Überwachungsanschlusses
möglich.
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Weiterhin
ist der Befestigungsbereich für
die Opto-Vorrichtung versehen mit der Höhenbezugsoberfläche, ausgebildet
mit einer Dünnfilmelektrode
auf Oberfläche,
und mit der elektrischen Leitungsführungsoberfläche, die
eine geringere Höhe
hat. Die Höhenbezugsoberfläche ist
an einer Position angeordnet, die dem optischen Überwachungswellenleiter entspricht
und die elektrische Leitungsführungsoberfläche ist
an einer Position angeordnet, die dem optischen Signalwellenleiter
entspricht; durch die Befestigung der funktionalen Opto-Vorrichtung auf dem
Substrat ist es möglich,
eine aktive Ausrichtung der funktionalen Opto-Vorrichtung mit dem
optischen Wellenleiter durchzuführen
und bei der Befestigung der Vorrichtung einen dicken Lötmittelfilm wie
eine Lötmittelperle
beziehungsweise einen bump zu verwenden. Das Einwirken einer Belastung
aufgrund der Befestigung der Vorrichtung auf den Signalanschluss
kann deshalb verhindert werden, weil mit der funktionalen Opto-Vorrichtung
eine große
Präzision
bei der Positionierung des optischen Wellenleiters erreicht wird und
weil die obere Oberfläche
des Signalanschlusses der funktionalen Opto-Vorrichtung nicht in
direktem Kontakt mit dem Substrat steht.
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Weiterhin
werden, wenn als Substrat ein Substrat mit Vorsprung und mit Bezugsoberfläche und
als optischer Wellenleiterschaltkreis ein dielektrischer optischer
Wellenleiter verwendet wird, sowohl die Genauigkeit bei der Einstellung
der Höhe
der Höhenbezugsoberfläche des
Befestigungsbereiches für
die Opto-Vorrichtung wie auch die Hochfrequenzeigenschaften deutlich
verbessert.
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Wenn,
als das oben erwähnte
Substrat, ein Silizium-Substrat
mit ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit verwendet
wird, dann wird zusätzlich
zu dem oben genannten Vorteil auch die Wärmeableitung für die funktionale
Opto-Vorrichtung
deutlich verbessert.
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Weiterhin
ist es möglich,
eine Vielzahl von funktionalen optischen Einrichtungen in einer
Linie beziehungsweise in Reihe geschaltet in dem optische Wellenleiter
anzubringen, wenn der optische Überwachungswellenleiter
auf dem optischen Wellenleiterschaltkreis an einer Position zwischen
den funktionalen Opto-Vorrichtungen angeordnet ist und, wenn gewünscht, zusätzlich an
einer Position zwischen der funktionalen Opto-Vorrichtung und dem
optischen Wellenleiterschaltkreis. Es ist ebenfalls möglich, eine
hybridintegrierte Schaltung mit funktionalen Opto-Vorrichtungen
auszubilden, bei denen es sich natürlich um viele Arten von Materialien,
inklusive Halbleitermaterialien, handelt.
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Ausführungsbeispiel 1 eines optischen
Untermoduls
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Die 66 und 67 zeigen
den Aufbau eines ersten Ausführungsbeispiels
eines optischen Untermoduls, das auf der optischen hybridintegrierten
Schaltung montierbar ist, wobei die 66 eine
schematische Perspektivansicht ist, welche den Aufbau einer Opto-Vorrichtung 301 und
eines Trägers 302 zeigt,
die beide Komponenten des optischen Untermoduls gemäß dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel
sind und wobei 67 eine Querschnittsansicht
entlang der Linie A-A' in 66 ist.
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Die
Opto-Vorrichtung 301 ist ein feldmäßig angeordneter optischer
Halbleiterverstärker
und die Bezugszahl 311 bezeichnet dessen aktive Schicht,
wobei die aktive Schicht 311 aus vier Feldern bzw. Arrays
gebildet ist, die bei beziehungsweise aus 4001 Intervallen gebildet
sind und wobei die aktiven Schichten 311 6 μm von einer
Oberfläche
der Opto-Vorrichtung entfernt liegen beziehungsweise getrennt sind.
Eine aktive-Schicht-Seiten-Elektrode
auf der aktiven Schicht 313a ist auf jeder der aktiven
Schichten 311 ausgebildet und eine Grundseitenelektrode 313b ist
auf der Rückseite,
entgegengesetzt zu der Oberfläche 312 der
Opto-Vorrichtung,
ausgebildet. Die Bezugszahl 314 bezeichnet eine Höhenbezugsoberfläche der
Opto-Vorrichtung, wobei die Oberfläche an einer Position von 3 μm auf die
Rückseite
der aktiven Schicht 311 hin orientiert vorgesehen ist,
das heißt
9 μm tiefer
als die Oberfläche 312 der
Opto-Vorrichtung. Die Bezugszahl 315 bezeichnet eine Bezugsoberfläche der
Opto-Vorrichtung in lateraler Richtung, wobei diese Oberfläche senkrecht zu
der Oberfläche 312 der
Opto-Vorrichtung und zu der Höhenbezugsoberfläche 314 der
Opto-Vorrichtung ausgebildet ist. Die Position der Bezugsoberfläche 315 liegt
400 μm entfernt
von beiden Enden der äußeren der
aktiven Schicht 311 der vier aktiven Schichten 311.
Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
sind die Bezugsoberflächen 315 der
Opto-Vorrichtung in lateraler Richtung auf der rechten und linken
Seite ausgebildet, jedoch kann deren Funktion nur durch eine Seite
in ausreichendem Maße
erzielt werden.
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Der
Träger
wird, wie in 66 gezeigt, durch drei auf
der Oberfläche
des Silizium-Substrat vorgesehene Stufen ausgebildet. Bei dem Vorsprung 321 des
Trägers
handelt es sich um eine „Opto-Vorrichtung-Halteoberfläche 321a" zum Halten der Opto-Vorrichtung-Höhenbezugsoberfläche 314 der
Opto-Vorrichtung 301, wobei die Oberfläche auch als eine „Trägerhöhenbezugsoberfläche 321b" dient, bei der es
sich um eine Bezugsoberfläche
handelt, wenn eine Befestigung auf dem bestückten Substrat durchgeführt wird.
Das heißt,
im allgemeinen sind die „Halteoberfläche für die Opto-Vorrichtung" und die „Höhenbezugsoberfläche für den Träger" separat als Oberflächen mit
jeweils unterschiedlichen Höhen
ausgebildet, jedoch bilden sie bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
dieselbe Oberfläche.
Ein Bereich 325, der von dem Trägervorsprung 321 umgeben
ist, wird dadurch ausgebildet, dass eine 15 μm große Stufe ausgehend von dem
Trägervorsprung 321 vorgesehen
wird. Eine elektrische Leitungsführung 324 für den Träger umfasst
2 μm dickes
Gold beziehungsweise eine entsprechend dicke Goldschicht und ist
auf der Oberfläche
des Bereiches 325 ausgebildet. Eine Lötmittelstruktur 326 ist
an der Spitze vorgesehen. Die Region 325 dient als Anschlussleitung
beziehungsweise Elektrodenanschlussleitung für die Elektrode 313a an
der Seite der aktiven Schicht der Opto-Vorrichtung 301.
Ein peripherer Bereich 323 wird dadurch ausgebildet, dass
eine 40 μm
große
Stufe, ausgehend von dem Trägervorsprung 321,
bereitgestellt wird und beziehungsweise wobei die elektrische Leitungsführung 324 des Trägers auch
auf dessen Oberfläche
durchgehend ausgebildet ist. Dieser Bereich 323 dient einer
elektrischen Verbindung mit der elektrischen Leitungsführung an
der Seite des bestückten
optischen Substrats.
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Der
Träger 302 gemäß dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel
mit einer Vielzahl von Stufen wurde durch wiederholtes anisotropes Ätzen des
Silizium-Substrates gebildet. Das heißt, zuerst wurde der Vorsprung 321 des
Silizium-Substrates
und dann die Stufen des Bereiches 325 gebildet. Wenn diese
Stufen durch anisotropes Ätzen
ausgebildet werden, sind die Seitenoberflächen zwischen den Stufen nicht
vertikal, sondern es kann sich zwischen den Stufen des Bereiches 325 und
des Bereiches 323 ein Winkel von ungefähr 55° ergeben, ohne dass die elektrische
Leitungsführung 324 durchtrennt
beziehungsweise durchschnitten wird.
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Die 67 ist ein schematischer Querschnitt entlang der
Linie A-A' in 66, wobei der Querschnitt ein optisches Untermodul
zeigt, wenn der Halbleiterverstärker 301 auf
dem Träger 302 befestigt
ist. Die Opto-Vorrichtungs-Höhenbezugsoberfläche 314 des
Halbleiterverstärkers 301 ist
mit der Trägerhalteoberfläche 321 des
Trägers 302 kontaktiert.
Unter dieser Bedingung werden die Elektrode 313a an der
Seite der aktiven Schicht der Opto-Vorrichtung und die in dem Bereich 325 des
Trägers
bereitgestellte elektrische Leitungsführung 324 des Trägers miteinander
dadurch verbunden, dass der Träger 302 erhitzt
wird, um auf diese Weise ein Aufschmelzen des Lötmittels 326 zu erreichen.
Weil die Stufen zwischen den einzelnen Trägerbereichen und die Stufe
zwischen der Höhenbezugsoberfläche der
Opto-Vorrichtung und der aktiven Schicht wie oben eingestellt sind,
liegt die aktive Schicht 3 μm über der
Höhenbezugsoberfläche 321b (Trägerhalteoberfläche) des
Trägers.
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Mit
der als optisches Untermodul ausgebildeten Opto-Vorrichtung ist
es einfach, bereits im vorhinein die Eigenschaften der Opto-Vorrichtung
zu überprüfen. Das
heißt,
weil die Elektrode 312a an der Seite der aktiven Schicht
der Opto-Vorrichtung bereits mit der elektrischen Leitungsführung 324 des
Trägers
verbunden ist, kann eine Prüfung
ohne eine direkte Verbindung mit der Oberfläche der Opto-Vorrichtung ausgeführt werden.
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Ausführungsbeispiel 2 eines optischen
Untermoduls
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68 ist eine schematische Querschnittsansicht,
welche ein zweites Ausführungsbeispiel
eines optischen Untermoduls zeigt, das auf der optischen hybridintegrierten
Schaltung befestigt werden kann.
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In
dem optischen Untermodul kann der Abstand zwischen der aktiven Schicht
der Opto-Vorrichtung und der Trägerbezugsoberfläche immer
zu einem Wert vereinheitlicht werden, und zwar selbst dann, wenn
Opto-Vorrichtungen
mit unterschiedlichen Abmessungen verwendet werden. Bei dem vorherigen
Ausführungsbeispiel
1 eines optischen Untermoduls betrug die Stufe zwischen der Höhenbezugsoberfläche 314 der
Opto-Vorrichtung und der aktiven Schicht 311 3 μm, aber bei
Unterstellung eines Falles, bei dem eine Opto-Vorrichtung montiert
wird, bei welcher die Stufe 5 μm
beträgt.
In diesem Fall kann, wie in 68 gezeigt,
eine 2 μm
Stufe zwischen der Opto-Vorrichtungs-Halteoberfläche 321a des Trägers 302 und
der Höhenbezugsoberfläche 321b des
Trägers
vorgesehen werden.
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Ausführungsbeispiel 3 eines optischen
Untermoduls
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69 ist eine schematische Querschnittsansicht,
welche ein drittes Ausführungsbeispiel
eines optischen Untermoduls zeigt, das auf der optischen hybridintegrierten
Schaltung montierbar ist. Selbst wenn als Höhenbezugsoberfläche 314 für die Opto-Vorrichtung
die Oberfläche 312 der
Opto-Vorrichtung bei einer Höhe von
6 μm ausgehend
von der aktiven Schicht 311 verwendet wird, wie dies in 69 gezeigt ist, dann kann die Höhenbezugsoberfläche 314 des
Trägers 302 für die Opto-Vorrichtung
9 μm höher als
die Höhenbezugsoberfläche 321a für den Träger eingestellt
werden.
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Durch
Einstellen der Größe wie in
dem Ausführungsbeispiel
1 oder 2 eines optischen Untermoduls, kann die Stufe zwischen der
Höhenbezugsoberfläche des
Trägers
und der aktiven Schicht auf 3 μm
wie bei dem in 67 gezeigten Ausführungsbeispiel
1 eines optischen Untermoduls eingestellt werden.
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Ausführungsbeispiel 1 einer optischen
hybridintegrierten Schaltung
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70 ist eine schematische perspektivische Explosionsdarstellung,
welche den Aufbau eines ersten Ausführungsbeispiels der optischen
hybridintegrierten Schaltung bei Verwendung des in den 66 und 67 gezeigten
Ausführungsbeispiels
1 eines optischen Untermoduls zeigt. Die Bezugszahl 304 bezeichnet ein
bestücktes
optisches Substrat, bei dem ein optischer Wellenleiterteil 342,
eine elektrische Leitungsführung 346 als
eine elektrische Leitungsführung
für das
Substrat und ein Befestigungsbereich 348 für die Opto-Vorrichtung
auf einem Silizium-Substrat 341 mit einer Stufe ausgebildet
sind.
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Der
Teil 342 des optischen Wellenleiters ist in einer Aussparung
beziehungsweise auf einer Bezugsoberfläche des Silizium-Substrates
ausgebildet, wobei es sich bei dem optischen Wellenleiter um einen
dreischichtigen, eingebetteten, auf Siliziumdioxid basierenden optischen
Wellenleiter mit einer Unterumhüllung 342a (30 μm dick),
mit einem Kern 342b (6 μm
dick × 6 μm breit)
und mit einer Überumhüllung 342c (30 μm dick) handelt.
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Die
elektrische Leitungsführung 346 des
Substrates, die eine koplanare Struktur mit einem Mittenleiter 346a und
einem Masseleiter 346b verwendet, so dass ein Hochfrequenzbetrieb
möglich
ist, ist auf der Oberfläche
der Überumhüllung 342c ausgebildet.
Diese Leitungsführung
wird durch Positionierung und Paternierung beziehungsweise Beschichtung
mit Gold (6 μm
dick) realisiert, nachdem die Überumhüllung ausgebildet ist.
Diese Leitungsführungsschicht
hat eine ausreichende Dicke (66 μm)
und ist auf Siliziumdioxidglas mit einer kleinen Dielektrizitätskonstanten
und deshalb mit guten elektrischen Eigenschaften ausgebildet. Weiterhin
ist an der Spitze des Mittenleiters 346a in der elektrische
Leitungsführung 346 des
Substrates eine Lötmittelstruktur 327 aufgebracht
und – für eine elektrische
Verbindung mit dem optischen Untermodul – beschichtet.
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Der
Befestigungsbereich 342 für die Opto-Vorrichtung ist
in einem Bereich ausgebildet, der den Siliziumvorsprung 343 umfasst.
Die Höhe
der Oberfläche
des Siliziumvorsprungs 343 ist mit der Höhe der oberen Oberfläche der
Unterumhüllung 342a des
optischen Wellenleiters ausgerichtet, die als Höhenbezugsoberfläche (nachfolgend
als Höhenbezugsoberfläche 343 des
Substrates bezeichnet) dient, wenn das optische Untermodul befestigt
wird. Das heißt,
die Höhe
ausgehend von der Höhenbezugsoberfläche 343 des
Substrates bis hin zur Mitte des Kerns 342b des optischen
Wellenleiters beträgt
3 μm, was
der Höhe
ausgehend von der Höhenbezugsoberfläche 321b des
Trägers
bis zu der aktiven Schicht 311 des Ausführungsbeispiels 1 eines optischen
Untermoduls entspricht. Der Bereich der Siliziumbezugsoberfläche ist,
anders als die Höhenbezugsoberfläche 343 des
Substrates, eine Nut 349 zum Einfügen einer Opto-Vorrichtung,
wobei die Nut eine Tiefe von ungefähr 110 μm ausgehend von der Höhenbezugsoberfläche 343 des
Substrates aufweist. Auf der Bodenoberfläche beziehungsweise der Oberfläche am Boden
der Nut 349 ist die elektrische Masseleitungsschicht 347 aus
2 μm dickem
Gold gleichzeitig mit der elektrischen Leitungsführung 346 des Substrates
auf der Überumhüllung 342c ausgebildet.
Weil der elektrische Masseleitungsführungsbereich 347 keine
feine Paternierung beziehungsweise Beschichtung erfordert, kann
dieser einfach am Boden einer solchen tiefen Nut ausgebildet werden.
Ein herausnehmbarer Teil 349a der Leitungsführung ist
an einem Ende des Bodens der Nut 349a vorgesehen und der
Teil 347 der elektrischen Masseleitungsführung und
der Masseleiter 346b des bestückten optischen Substrates 304 sind über eine
Leitung 345 miteinander verbunden.
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Weil
bei dem bestückten
optischen Substrat 304 des vorliegenden Ausführungsbeispiels
die elektrische Leitungsführung
des Substrats zum Herausnehmen der Elektrode 313a an der
Seite der aktiven Schicht 311 der Opto-Vorrichtung auf
der Oberfläche
des optischen Wellenleiters ausgebildet werden kann, kann eine relativ
feine elektrische Leitungsstruktur selbst dann einfach ausgebildet
werden, wenn die feldmäßig angeordnete
Opto-Vorrichtung 301 in
den Verlauf des optischen Wellenleiters eingefügt ist, wie oben beschrieben
wurde. Bei Befestigung der Opto-Vorrichtung, wie aus dem Stand der
Technik bekannt, in umgekehrter Weise beziehungsweise auf dem Kopf
stehend, musste die elektrische Leitungsführung des Substrates, auf der
Bodenoberfläche
beziehungsweise auf der Oberfläche
des Bodens des gestuften Substrates ausgebildet werden, was schwierig
war.
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Nachfolgend
wird das Verfahren zur Herstellung einer optischen hybridintegrierten
Schaltung durch Befestigung des optischen Untermoduls mit der Opto-Vorrichtung 301 und
dem Träger 302 auf
dem bestückten optischen
Substrat 304 unter Bezugnahme auf die 70, 71 und 72 beschrieben. 71 zeigt eine Querschnittsansicht entlang der
Linie B-B' in 70 und 72 ist
eine Querschnittsansicht entlang der Linie C-C' in 70.
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Bezugnehmend
auf die 70 und 71 kann
die Positionierung der aktiven Schicht 311 der Opto-Vorrichtung in Höhenrichtung
beziehungsweise in vertikaler Richtung in Bezug auf den Kern 342b des
optischen Wellenleiters dadurch abgeschlossen werden, dass die Höhenbezugsoberfläche 321 des
Trägers
des optischen Untermoduls mit der Höhenbezugsoberfläche 343 (des
Substrates) des bestückten
optischen Substrates verbunden wird. Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
wurde eine optimale Position in Bezug auf die laterale Richtung
(Ebenenrichtung des Silizium-Substrates und die Richtung senkrecht
zu dem optischen Wellenleiter) eingestellt, während die optische Verbindungsrate
des optischen Wellenleiters mit der Opto-Vorrichtung überwacht
wurde. Nach Abschluss der Positionierung wurde ein elektrisch leitendes
Verbindungsmaterial auf die Oberfläche am Boden der zum Einfügen der
Opto-Vorrichtung vorgesehenen Nut 349 des bestückten optischen
Substrats fallengelassen beziehungsweise aufgebracht, um das optische
Untermodul und das bestückte
optische Substrat zu fixieren.
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Schließlich wird,
wie in 72 gezeigt, am Ende der elektrischem
Leitungsführung
des Substrates Lötmittel 327 auf
dem bestückten
optischen Substrat für
eine Aufschmelzlötung
bereitgestellt, um eine elektrische Verbindung zwischen der elektrischen
Leitungsführung
des optischen Untermoduls und der elektrischen Leitungsführung des
Substrates 304 zu erreichen und um auf diese Weise die
Herstellung der optischen hybridintegrierten Schaltung abzuschließen.
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Bei
dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
wird die Aufschmelzlötung
durch Erhitzen des gesamten Substrates erzielt, alternativ ist dies
jedoch auch durch eine lokale Erhitzung der Verbindung möglich.
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Bei
der aus dem Stand der Technik bekannten umgekehrten Bestückung beziehungsweise
bei der Überkopfkonfiguration
der Opto-Vorrichtung müssen
die Befestigung der Opto-Vorrichtung
und die elektrische Leitungsführung
gleichzeitig durchgeführt
werden. Jedoch können
bei dem Bestückungsprozess
gemäß dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel
das Verfahren zur Einstellung des Kerns des optischen Untermoduls
mit dem bestückten
optischen Substrat und der Vorgang der elektrischen Leitungsführung für beide
separat voneinander durchgeführt
werden, wie dies oben beschrieben wurde.
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Weiterhin
tendierend bei dem aus dem Stand der Technik bekannten Verfahren
für eine
Opto-Vorrichtung mit einer Anzahl beziehungsweise Mehrzahl elektrischer
Leitungsführungsanschlüsse elektrisch
nicht angeschlossene Anschlüsse
aufzutreten, was zu einer verminderten Ausbeute führt. Auf
der anderen Seite kann erfindungsgemäß die elektrische Leitungsführung realisiert
werden, nachdem die Opto-Vorrichtung fixiert wurde und kann die
optische hybridintegrierte Schaltung mit einer Opto-Vorrichtung
mit einer Anzahl beziehungsweise Mehrzahl von elektrischen Leitungsführungsanschlüssen hergestellt
werden.
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Weiterhin
ist es bei dem optischen Untermodul und der optischen hybridintegrierten
Schaltung gemäß der vorliegenden
Erfindung nicht erforderlich, die Abmessung in der Höhe beziehungsweise
in Höhenrichtung verändern, selbst
nicht bei einer Opto-Vorrichtung mit einer unterschiedlichen Höhenabmessung
beziehungsweise mit einer unterschiedlichen Größe in Höhenrichtung. Durch eine angemessene
Einstellung der Höhe zwischen
den individuellen Bezugsoberflächen
des optischen Untermoduls, wie in den 67 und 68 gezeigt,
und durch eine Einstellung der Höhe
zwischen den Bezugsoberflächen 321, 321a und 321b des
Trägers und
der aktiven Schicht 311 der Opto-Vorrichtung kann das bestückte optische
Substrat gemäß dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel
für jede
beliebige Art von Opto-Vorrichtungen
verwendet werden.
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Wie
oben beschrieben, können
erfindungsgemäß die Schwierigkeiten
bei 1) der Befestigung mehrerer Vorrichtungen unterschiedlichen
Typs, 2) der Ausbildung der elektrischen Leitungsführung auf
dem Substrat und 3) einer vorherigen Untersuchung der Opto-Vorrichtung,
bei denen es sich um Schwierigkeiten mit der aus dem Stand der Technik
bekannten umgekehrten Konfiguration der optischen hybridintegrierten
Schaltung handelt, gleichzeitig eliminiert werden.
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Ausführungsbeispiel 4 eines optischen
Untermoduls
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73 ist eine schematische Perspektivansicht, welche
den Aufbau eines vierten Ausführungsbeispiels
eines optischen Untermoduls zeigt, welches auf einer erfindungsgemäßen optischen
hybridintegrierten Schaltung montierbar ist. Unterschiede zwischen
dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
und dem Ausführungsbeispiel
1 eines optischen Untermoduls bestehen darin, dass die Bezugsoberfläche für eine Positionierung
in lateraler Richtung bereitgestellt wird und dass eine Stufe zwischen
dem Bereich 325 und dem Bereich 323 entfernt worden
ist.
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Wie
in 73 gezeigt, handelt es sich bei der Opto-Vorrichtung 301 um
einen feldmäßig angeordneten (arrayed)
optischen Halbleiterspeicher, der mit demjenigen in Ausführungsbeispiel
1 eines optischen Untermoduls identisch ist und wobei viele Abmessungen
dieselben sind. Bei dem Träger 302 gemäß dem Ausführungsbeispiel
1 eines optischen Untermoduls sind die Oberfläche 321a zum Halten
der Opto-Vorrichtung und die Höhenbezugsoberfläche 321b des
Trägers
auf derselben Oberfläche
ohne Stufe ausgebildet und auf der inneren Oberfläche der
Oberfläche 321a zum
Halten der Opto-Vorrichtung
ist eine in lateraler Richtung ausgebildete Bezugsoberfläche 322a zur
Befestigung der Opto-Vorrichtung
und zum Positionieren der Opto-Vorrichtung in lateraler Richtung
ausgebildet. Durch die Befestigung der Opto-Vorrichtung 301 auf
dem Träger 302 wird
die Höhenbezugsoberfläche 314 der
Opto-Vorrichtung mit der Oberfläche 322a zum
Halten der Opto-Vorrichtung kontaktiert und wird die lateral ausgerichtete
Bezugsoberfläche 315 der
Opto-Vorrichtung mit der lateral ausgerichteten Bezugsoberfläche 322a zum
Befestigen der Opto-Vorrichtung kontaktiert, wodurch eine relative
Position zwischen dem Träger 302 und
der Opto-Vorrichtung 301 definiert wird. Auf der äußeren Seitenoberfläche der
Höhenbezugsoberfläche 321b des
Trägers 302 ist
eine lateral ausgerichtete Bezugsoberfläche 322b des Trägers ausgebildet
und beziehungsweise wobei die lateral ausgerichtete Bezugsoberfläche 322b des
Trägers
und die lateral ausgerichtete Bezugsoberfläche 322a zum Befestigen
der Opto-Vorrichtung um 300 μm
zueinander beabstandet sind. Andere als die oben genannte Struktur
und die oben genannten Abmessungen des Trägers 302 sind identisch
mit jenen in Ausführungsbeispiel
1 eines optischen Untermoduls. Deshalb beträgt, wenn die Opto-Vorrichtung 301 auf
dem Träger 302 montiert
ist, der Abstand zwischen der aktiven Schicht 311 der Opto-Vorrichtung
und der Höhenbezugsoberfläche 321b des
Trägers
3 μm und
der Abstand zwischen der aktiven Schicht 311 der Opto-Vorrichtung
und der lateral ausgerichteten Bezugsoberfläche 322b des Trägers 700 μm.
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Ausführungsbeispiel 2 einer optischen
hybridintegrierten Schaltung
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74 ist eine schematische Querschnittsansicht,
welche einen Aufbau eines zweiten Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen optischen
hybridintegrierten Schaltung zeigt. Das vorliegende Ausführungsbeispiel
ist dadurch gekennzeichnet, dass das Ausführungsbeispiel 4 eines optischen
Untermoduls enthalten ist.
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Das
bestückte
optische Substrat, welches das Ausführungsbeispiel 4 eines optischen
Untermoduls trägt,
ist bezüglich
seiner Struktur dasselbe wie jenes in 70.
Jedoch ist bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel der Abstand
zwischen der Mitte des Kerns des optischen Wellenleiters und der
Seitenwand 348b der Nut zum Einbau der Vorrichtung auf
700 μm eingestellt.
Andere Abmessungen entsprechen denen in Ausführungsbeispiel 1 eines optischen
Untermoduls.
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Bei
dem vorliegenden Ausführungsbeispiel,
betreffend den Einbau des optischen Untermoduls wie in 74 gezeigt, wird die Positionierung der aktiven
Schicht 311 der Opto-Vorrichtung
in Bezug auf den Kern 342b des optischen Wellenleiters
dadurch abgeschlossen, dass die Trägerhöhenbezugsoberfläche 321b des optischen
Untermoduls die Substrathöhenbezugsoberfläche 343 des
bestückten
optischen Substrats kontaktiert und dass die lateral ausgerichtete
Bezugsoberfläche 322b zum
Befestigen des Trägers
die Seitenwand 348b der Nut zum Einbau der Vorrichtung
kontaktiert. Danach kann die optische hybridintegrierte Schaltung durch
dasselbe Verfahren wie in Ausführungsbeispiel
1 eines optischen Untermoduls, gezeigt in den 70 bis 72,
gefertigt werden.
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Selbst
bei unterschiedlichen Abmessungen der Opto-Vorrichtung können, wenn die auf dem Träger bereitgestellte
individuelle Höhenbezugsoberfläche und
die lateral ausgerichtete Bezugsoberfläche geeignet gewählt werden,
die Abstände
zwischen der aktiven Schicht 311 der Opto-Vorrichtung und
der Höhenbezugsoberfläche 321b des
Trägers
und der lateral ausgerichteten Bezugsoberfläche 322a zur Befestigung
des Trägers
immer auf 3 μm
und 700 μm
eingestellt werden. Deshalb kann bei der vorliegenden Erfindung
die optische hybridintegrierte Schaltung selbst dann ohne eine Veränderung
der Abmessung des Befestigungsbereiches für die Opto-Vorrichtung des
bestückten
optischen Substrats ausgebildet werden, wenn die Abmessung der Opto-Vorrichtung
verändert
wird.
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Zusätzlich können bei
dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
auch verschiedene der bei den obigen individuellen Ausführungsbeispielen
erzielten Wirkungen erreicht werden.
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Ausführungsbeispiel 5 eines optischen
Untermoduls
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75 ist eine schematisch-perspektivische Explosionsdarstellung,
welche den Aufbau eines fünften Ausführungsbeispiels
eines optischen Untermoduls zeigt, das auf einer erfindungsgemäßen optischen
hybridintegrierten Schaltung montiert werden kann. Bei dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel
wird ein transparentes Siliziumdioxidglas als Material für den Träger 302 verwendet.
Im Vergleich mit dem Träger
von Ausführungsbeispiel
1 eines optischen Untermoduls bestehen strukturelle Unterschiede
darin, dass eine Markierung 210 zur Positionierung der
Opto-Vorrichtung auf dem Halteteil 321a für die Opto-Vorrichtung
und eine Markierung 230 zur Positionierung des Trägers in
dem Randbereich 323 vorgesehen sind. Weiterhin sind der
Bereich 325 zur Entnahme der Elektrode der Opto-Vorrichtung
und der Randbereich 323 auf die gleiche Höhe eingestellt.
Die übrige
Konstruktion ist dieselbe wie die Trägerstruktur des in 69 gezeigten Ausführungsbeispiels 3 eines optischen
Untermoduls. Die Seitenoberfläche 312 mit
der aktiven Schicht der Opto-Vorrichtung 301 ist eingestellt
beziehungsweise ausgebildet als die Höhenbezugsoberfläche 314 der
Opto-Vorrichtung,
auf der eine Markierung (nicht gezeigt) entsprechend der Markierung 210 zum
Positionieren der Opto-Vorrichtung ausgebildet ist.
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Weil
bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
transparentes Siliziumdioxidglas als Träger verwendet wird, können die
auf der Opto-Vorrichtung und dem Träger ausgebildeten Markierungen
bei der Montage der Opto-Vorrichtung 301 auf
dem Träger 302 durch
den transparenten Träger
beobachtet werden. Dann werden die Höhenbezugsoberfläche 314 der
Opto-Vorrichtung und die Oberfläche 321a zum
Halten des Trägers miteinander
verbunden und die Opto-Vorrichtung wird in der Weise eingebaut,
dass die auf der Opto-Vorrichtung ausgebildete Markierung hinter
der auf dem Träger
vorhandenen Markierung zur Positionierung der Opto-Vorrichtung angeordnet
ist beziehungsweise mit dieser ausgerichtet ist, wodurch eine exakte
Positionierung in sowohl der Höhen-
beziehungsweise vertikalen Richtung wie auch in lateraler Richtung
erreicht wird.
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Weiterhin
können
bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
im Vergleich zu dem Ausführungsbeispiel
2 eines optischen Untermoduls, welches Silizium-Substrat als Träger 302 verwendet,
wesentlich bessere beziehungsweise weit überlegenere Hochfrequenzeigenschaften
erzielt werden, weil es sich bei der elektrischen Leitungsführung 324 um
eine koplanare Leitungsführung
handelt und weil diese auf der Oberfläche des Siliziumdioxidglases
mit einer kleinen Dielektrizitätskonstanten
ausgebildet ist.
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Ausführungsbeispiel 3 einer optischen
hybridintegrierten Schaltung
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76 ist eine schematisch-perspektivische Explosionsdarstellung,
welche den Aufbau eines dritten Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen optischen hybridintegrierten
Schaltung zeigt. Das vorliegende Ausführungsbeispiel zielt darauf
ab, dass das in 75 gezeigte Ausführungsbeispiel
5 eines optischen Untermoduls auf dem bestückten optischen Substrat 304 befestigt
ist. Abgesehen von einer Substratmarkierung 410 auf der Überumhüllung des
optischen Wellenleiters 302 ist der übrige Aufbau fast derselbe
wie bei dem in 70 gezeigten Ausführungsbeispiel
1 einer optischen hybridintegrierten Schaltung. Wenn das optische
Untermodul auf dem Substrat befestigt wird, kann die Substratmarkierung 410 so
eingestellt werden, dass sie hinter der Markierung 230 zur
Positionierung des Trägers
liegt beziehungsweise an dieser ausgerichtet ist und die Höhenbezugsoberfläche des
Trägers
und der Höhenbezug
des Substrates miteinander verbunden und fixiert werden.
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Bei
dem Siliziumdioxid-Glasträger
gemäß dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel
ist die Wärmeleitfähigkeit
wesentlich kleiner als bei dem Silizium-Träger gemäß den Ausführungsbeispielen 1 und 2 eines
optischen Untermoduls. Jedoch stellt dies kein Problem bei der Montage
auf dem bestückten
optischen Substrat gemäß 76 dar, weil das bestückte optische Substrat selber
als Wärmesenke
dient.
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Ausführungsbeispiel 6 eines optischen
Untermoduls
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77 ist eine schematische Perspektivansicht, welche
den Aufbau eines sechsten Ausführungsbeispiels
eines optischen Untermoduls zeigt, das auf einer erfindungsgemäßen optischen
hybridintegrierten Schaltung befestigt werden kann. Bei dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel
ist der Träger 302 unter
Verwendung eines Keramiksubstrates mit einer vielschichtigen elektrischen
Leitungsführung 324 auf
der Oberfläche und
im Inneren aufgebaut. Der Träger
(das Keramiksubstrat) 302 ist in seinem Innern mit einer
elektrische Leitungsführung 324h ausgebildet,
die in vertikaler Richtung verläuft,
um elektrische Leitungsführungen
auf der oberen und der unteren Oberfläche zu kontaktieren, eine Elektrode
der Opto-Vorrichtung 301 ist mit der unteren Oberfläche des
Keramiksubstrates 302 verbunden und wird von der unteren
Oberfläche
durch eine Leitungsführung 324s auf
der oberen Oberfläche
des Substrates wieder aufgenommen.
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Die
Oberfläche 321a zum
Halten der Opto-Vorrichtung und die Höhenbezugsoberfläche 321b des
Trägers
sind aus Polyimid gefertigt. Ein solcher Aufbau kann nach der Ausbildung
eines dicken Polyimidfilmes auf dem Keramiksubstrat dadurch erreicht
werden, dass unnötige
beziehungsweise nicht erforderliche Polyimidbereiche durch Wegätzen entfernt
werden.
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Bei
der Verwendung des optischen Untermoduls kann dieses für die Realisierung
der erfindungsgemäßen optischen
hybridintegrierten Schaltung mit Hilfe derselben Methoden wie bei
den oben beschriebenen anderen Ausführungsbeispielen auf dem bestückten optischen
Substrat befestigt werden.
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Bei
dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
können
gute elektrische Eigenschaften erreicht und eine vielschichtige
elektrische Leitungsführung
einfach realisiert werden, weil das Keramiksubstrat als Träger für das optische
Untermodul verwendet wird. Weiterhin ist eine vorherige Untersuchung
der Opto-Vorrichtung sehr einfach, weil die elektrische Leitungsführung auf
dem Träger
bereitgestellt werden kann.
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Ausführungsbeispiel 7 eines optischen
Untermoduls
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78 ist eine schematische Perspektivansicht, welche
den Aufbau eines siebten Ausführungsbeispiels
eines optischen Untermoduls zeigt, das auf einer erfindungsgemäßen optischen
hybridintegrierten Schaltung montierbar ist. Der Träger 302 gemäß dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel
umfasst als Basiskomponenten ein Silizium-Substrat 302a (in)
einer Vorsprungs- und Bezugsoberflächen-Konfiguration, eine in der
Aussparung beziehungsweise auf der Bezugsoberfläche ausgebildete Siliziumdioxid-Glasschicht 302b, die
als ausreichend dicke Dielektrizitätsschicht fungiert, die auf
der Dielektrizitätsschicht 302b ausgebildete elektrische
Leitungsführung 324,
die auf dem Siliziumvorsprung ausgebildete Oberfläche 321a zum
Halten der Opto-Vorrichtung und die Höhenbezugsoberfläche 321b für den Träger.
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Die
Verwendung des gut wärmeleitfähigen Silizium-Substrates und des
Trägers
aus einer ausreichend dicken, mit Siliziumdioxidglas laminierten
Struktur bewirkt, dass erstens genau wie in Ausführungsbeispiel 33 gute Hochfrequenzeigenschaften
erreicht werden, wenn die elektrische Leitungsführung auf der Oberfläche der
Schicht aus Siliziumdioxid-Glas mit einer kleinen Dielektrizitätskonstanten
ausgebildet ist und dass zweitens eine verbesserte Wärmeableitung
erzielbar wird, wenn Silizium auf der Oberfläche, welche die Opto- Vorrichtung hält, und
der Höhenbezugsoberfläche des
Trägers
freigelegt ist und wenn beide Oberflächen die Höhenbezugsoberfläche der
Opto-Vorrichtung und die Höhenbezugsoberfläche des
Substrates individuell kontaktieren.
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Als
dielektrische Schicht kann nicht nur Siliziumdioxidglas, sondern
auch ein dielektrisches Polymermaterial, wie zum Beispiel Polyimid
verwendet werden. Wenn Polyimid verwendet wird, ist es einfach,
eine vielschichtige elektrische Leitungsführung mit hoher Dichte auszubilden,
die geeignet ist zum Bestücken
von hochintegrierten optischen Chips mit zahlreichen elektrischen
Leitungsführungen,
wie zum Beispiel einem optischen Matrixschalter.
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Ausführungsbeispiel 8 eines optischen
Untermoduls
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79 ist eine schematisch-perspektivische Explosionsdarstellung,
die den Aufbau eines achten Ausführungsbeispiels
eines optischen Untermoduls zeigt, das auf einer erfindungsgemäßen optischen
hybridintegrierten Schaltung montierbar ist und 80 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie
D-D' in 79.
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Bei
dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
umfasst der Träger 302,
wie in 79 gezeigt, das Silizium-Substrat 302a in
einer Konfiguration mit einem Vorsprung und der Höhenbezugsoberfläche und
einen Leitungsfilm 302b mit einer elektrischen Leitungsführung. Im
Bereich des Vorsprungs des Silizium-Substrates 302a ist
auf der Oberfläche
des Polyimidfilms eine Signalleitungsführung 324a vorgesehen,
während
eine Mikrostreifenleitungsführung
mit der Masseleitungsführung 324b auf
der Rückseite
ausgebildet ist. Der Film 302b weist ein Fenster 352 auf.
Eine innere Anschlussleitung 324c zum Anschließen der
Signalleitungsführung 324b und
die Elektrode auf der Seite der aktiven Schicht der Opto-Vorrichtung ragen
in das Fenster 352 hinein. Weiterhin sind in dem Außenbereich
des Films 302b eine äußere Anschlussleitung 324d zum
Anschließen
an die Signalleitungsführung 324a und
eine äußere Anschlussleitung 324c zum
Anschließen
an die Masseleitungsführung 324b vorgesehen.
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Das
optische Untermodul wird durch Anwendung des folgenden Verfahrens
hergestellt. Das heißt,
zunächst
werden die Elektrode 313a an der Seite der Opto-Vorrichtung mit der
aktiven Schicht und die innere Anschlussleitung 324c des
Leitungsfilms über
ein Lötmittel
miteinander verbunden, der Vorsprung des Silizium-Substrates 302a wird
in das Fenster 352a des Leitungsführungsfilms eingeführt und
die Höhenbezugsoberfläche 314 der
Opto-Vorrichtung und die lateral ausgerichtete Bezugsoberfläche 315 der
Opto-Vorrichtung 301 werden
jeweils mit der Oberfläche 321a zum
Halten der Opto-Vorrichtung und der Bezugsoberfläche 322a für die Befestigungsrichtung
der Opto-Vorrichtung kontaktiert und fixiert.
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Ausführungsbeispiel 4 einer optischen
hybridintegrierten Schaltung
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81 ist eine schematische Perspektivansicht, welche
den Aufbau eines vierten Ausführungsbeispiels
der erfindungsgemäßen optischen
hybridintegrierten Schaltung zeigt. Das vorliegende Ausführungsbeispiel
stellt heraus, dass (bei ihm) Ausführungsbeispiel 8 eines optischen
Untermoduls enthalten ist.
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Das
bestückte
optische Substrat gemäß dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel
ist bezüglich
seiner Struktur dasselbe wie bei dem in den 70 bis 72 gezeigten
Ausführungsbeispiel
1 einer optischen hybridintegrierten Schaltung. Die Höhenbezugsoberfläche des
Trägers
und die lateral ausgerichtete Bezugsoberfläche des Trägers des optischen Untermoduls
sind jeweils individuell mit der Höhenbezugsoberfläche des Substrates
und der lateral ausgerichteten Bezugsoberfläche des bestückten optischen
Substrates kontaktiert und fixiert, und die äußere Anschlussleitung 324b des
optischen Untermoduls und die Leitungsführung 346 des Substrates
auf der Überumhüllung des
bestückten
optischen Substrates 304 sind elektrisch miteinander verbunden.
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Wie
oben beschrieben, ist der Träger
bei dem optischen Untermodul gemäß dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel
aufgebaut, indem das Silizium-Substrat in der Vorsprungs- und Bezugsoberflächen-Konfiguration,
das eine Positionierungsfunktion hat, kombiniert wird mit dem Leitungsführungsfilm,
der die Funktion einer elektrischen Leitungsführung hat. Insbesondere wird
die elektrische Verbindung zwischen dem Leitungsführungsfilm
und der Elektrode der Opto-Vorrichtung durch die Verwendung der
inneren Anschlussleitung erreicht. Als Ergebnis kann im Vergleich
zu den Strukturen gemäß den Ausführungsbeispielen
1 bis 3 und Ausführungsbeispiel
5 eines optischen Untermoduls, bei denen die Elektrode der Opto-Vorrichtung
direkt mit der auf der Oberfläche
des Trägers
vorgesehenen elektrischen Leitungsführung verbunden ist, die auf
die Opto-Vorrichtung ausgeübte
Belastung deutlich verringert werden. Dies verbessert wesentlich
die Zuverlässigkeit der
Opto-Vorrichtung. Gleichzeitig kann durch die Verwendung der inneren
Anschlussleitung der Gewinn beziehungsweise die Effizienz des Verfahrens
der elektrischen Leitungsführung
bei der Elektrode der Opto-Vorrichtung und der elektrischen Leitungsführung des
optischen Untermoduls deutlich verbessert werden. Weiterhin kann
die Dichte der Leitungsführung
vergrößert werden,
weil die Mikrostreifen-Leitungsführung
einfach auf dem Leitungsfilm ausgebildet werden kann. Die elektrische
Leitungsführung
kann auch nicht nur auf der Oberfläche des Films, sondern auch
in seinem Innern ausgebildet werden, wodurch eine vielschichtige
elektrische Leitungsführung
auf einfache Weise erreicht werden kann. Zusätzlich kann eine vorherige
Untersuchung der Opto-Vorrichtung
sehr einfach durchgeführt
werden, bevor diese auf dem bestückten
beziehungsweise zu bestückenden
optischen Substrat montiert wird, weil die äußere Anschlussleitung von dem
optischen Untermodul übersteht.
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Weil
bei der optischen hybridintegrierten Schaltung gemäß dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel das
Verfahren zur Positionierung und Fixierung des optischen Untermoduls
auf dem bestückten
optischen Substrat und das Verfahren zur elektronischen Verbindung
der Elektrode der Opto-Vorrichtung
und beziehungsweise mit der elektrischen Leitungsführung des
Substrates von einander getrennt werden können, kann der Gewinn beziehungsweise
die Effizienz bei der Herstellung deutlich verbessert werden.
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Wie
oben beschrieben, ist bei dem optischen Untermodul gemäß dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel
die Opto-Vorrichtung auf dem Träger
montiert, wobei der Träger
die Funktion der elektrischen Leitungsführung zum Herausnehmen der
Elektrode aus der Seite der Opto-Vorrichtung mit der aktiven Schicht
und die Funktion zur Positionierung der Opto-Vorrichtung und des
bestückten
optischen Substrates in der Weise hat, daß die Seite mit der aktiven
Schicht kontaktiert. Als Ergebnis kann eine elektrische Leitungsführung mit überragenden
Hochfrequenzeigenschaften in dem optischen Untermodul ausgebildet
werden und können
die Hochgeschwindigkeitseigenschaften der Opto-Vorrichtung stark
verbessert werden. Weiterhin kann eine vorherige Untersuchung vor
der Befestigung der Opto-Vorrichtung auf dem bestückten optischen
Substrat sehr einfach durchgeführt
werden. Weiterhin kann der Abstand zwischen der Positionierungs-Bezugsoberfläche des
Trägers
und der aktiven Schicht der Opto-Vorrichtung auf einen standardisierten
Wert eingestellt werden, unabhängig
von der Abmessung der Opto-Vorrichtung.
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Weiterhin
ist es bei der optischen hybridintegrierten Schaltung gemäß der vorliegenden
Erfindung möglich,
nicht nur eine Opto-Vorrichtung vom Typ einer einendigen Verbindung,
sondern auch eine Opto-Vorrichtung vom Typ einer zweiendigen Verbindung
zu montieren, weil die Ausbildung einer feinen elektrische Leitungsführungsstruktur
auf der Oberfläche
am Boden des Befestigungsbereiches für die Vorrichtung, wo eine große Stufe
ausgebildet ist, überflüssig ist,
obwohl ein optischer Wellenleiter der eingebetteten Art verwendet wird.
Weiterhin wurde die Schwierigkeit bei der gleichzeitigen Durchführung der
Kerneinstellung und der elektrischen Verbindung entfernt und konnte
die Herstellungsarbeit stark vereinfacht werden, weil die elektrische Leitungsführung auf
dem Träger
vorgesehen wird und vorher an die Opto-Vorrichtung angeschlossen
wird, bevor sie auf dem Substrat montiert wird.
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Die
vorliegende Erfindung wurde im Detail unter Bezugnahme auf bevorzugte
Ausführungsbeispiele beschrieben
und es mag nun vorkommen, dass Veränderungen und Modifikationen
vorgenommen werden, ohne von der Erfindung in ihren weiten Ausgestaltungen
abzuweichen, und daher ist es die beabsichtigt, in den beigefügten Patentansprüchen alle
derartigen Veränderungen
und Abwandlungen abzudecken, die in den Bereich der Erfindung fallen.
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Die
erfindungsgemäße optoelektronische
hybridintegrierte Schaltung erfüllt
die Funktion einer Wellenleiters mit geringen Verlusten, die Funktion
einer optischen Bank sowie die Funktion einer elektrischen Hochfrequenzleiterbahn.