DE69525501D1 - Halbleiterbauelement mit Passivierungsschicht aus einem Benzocycobuten-Polymer und Siliziumpulver - Google Patents

Halbleiterbauelement mit Passivierungsschicht aus einem Benzocycobuten-Polymer und Siliziumpulver

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Publication number: DE69525501D1
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Koji Matsui

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NEC Corp

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1994-10-27

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1995-10-26

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2002-03-28

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DE69525501T 1994-10-27 1995-10-26 Halbleiterbauelement mit Passivierungsschicht aus einem Benzocycobuten-Polymer und Siliziumpulver Expired - Lifetime DE69525501T2 (de)

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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number	Priority date	Publication date	Assignee	Title
DE19543540C1 (de) *	1995-11-22	1996-11-21	Siemens Ag	Vertikal integriertes Halbleiterbauelement mit zwei miteinander verbundenen Substraten und Herstellungsverfahren dafür
US5883422A (en) *	1996-06-28	1999-03-16	The Whitaker Corporation	Reduced parasitic capacitance semiconductor devices
US6310394B1 (en)	1996-06-28	2001-10-30	Tyco Electronics	Reduced parasitic capacitance semiconductor devices
WO1999012201A1 (de) *	1997-09-03	1999-03-11	Eupec Europäische Gesellschaft Für Leistungshalbleiter Mbh + Co. Kg	Feuchtigkeitsschutz für boratglashalbleiterpassivierungsschichten
EP0985228A1 (de) *	1998-03-02	2000-03-15	Koninklijke Philips Electronics N.V.	Halbleiterbauelement mit stützkörper aus glas, auf dem ein substrat mit halbleiterelementen und einer metallisierung mit hilfe eines adhäsiven mittels aufgebracht ist
DE19843956C1 (de) *	1998-09-24	2000-03-16	Siemens Ag	Randstruktur für eine Halbleitervorrichtung
KR100301052B1 (ko) *	1998-12-28	2001-11-02	윤종용	소프트에러를감소하기위한반도체소자의제조방법
US6384461B1 (en) *	1999-10-15	2002-05-07	Xerox Corporation	Dual dielectric structure for suppressing lateral leakage current in high fill factor arrays
US6552371B2 (en)	2001-02-16	2003-04-22	Teraburst Networks Inc.	Telecommunications switch array with thyristor addressing
JP3505520B2 (ja)	2001-05-11	2004-03-08	松下電器産業株式会社	層間絶縁膜
KR100652049B1 (ko) *	2001-12-29	2006-11-30	엘지.필립스 엘시디 주식회사	액정표시장치
KR100652047B1 (ko) *	2001-12-29	2006-11-30	엘지.필립스 엘시디 주식회사	액정표시소자
AU2003302233A1 (en) *	2003-02-04	2004-09-06	Arizona Board Of Regents, Acting For And On Behalf Of Arizona State University (Abr/Asu)	Using benzocyclobutene as a biocompatible material
TWI229930B (en) *	2003-06-09	2005-03-21	Advanced Semiconductor Eng	Chip structure
US7259468B2 (en) *	2004-04-30	2007-08-21	Advanced Chip Engineering Technology Inc.	Structure of package
TWI254428B (en)	2004-11-24	2006-05-01	Advanced Chip Eng Tech Inc	FCBGA package structure
CN103189984A (zh) *	2011-10-26	2013-07-03	丰田自动车株式会社	半导体装置
US11721543B2 (en) *	2019-10-04	2023-08-08	Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc.	Planarizing process and composition

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number	Priority date	Publication date	Assignee	Title
JPS56114335A (en) *	1980-02-13	1981-09-08	Fujitsu Ltd	Semiconductor device and its manufacture
JPS6088448A (ja) *	1983-10-20	1985-05-18	Matsushita Electronics Corp	樹脂封止形電子装置
JPS62293726A (ja) *	1986-06-13	1987-12-21	Nec Corp	半導体装置
JPH0230171A (ja) *	1988-07-19	1990-01-31	Matsushita Electric Works Ltd	半導体装置
JP3126726B2 (ja) *	1990-11-30	2001-01-22	株式会社日立製作所	配線構造体とその製造方法
US5232970A (en) *	1990-08-31	1993-08-03	The Dow Chemical Company	Ceramic-filled thermally-conductive-composites containing fusible semi-crystalline polyamide and/or polybenzocyclobutenes for use in microelectronic applications
NL9100337A (nl) *	1991-02-26	1992-09-16	Philips Nv	Halfgeleiderinrichting.
JP2621729B2 (ja) *	1992-03-03	1997-06-18	富士通株式会社	多層配線基板用絶縁膜の製造方法
JPH05343606A (ja) *	1992-06-08	1993-12-24	Nec Corp	マルチチップモジュール
US5353498A (en) *	1993-02-08	1994-10-11	General Electric Company	Method for fabricating an integrated circuit module
US5288989A (en) *	1993-04-02	1994-02-22	General Electric Company	Avalanche photodiode with moisture resistant passivation coating disposed to cover the outer periphery of the photodiode body except at a selected top contact area
US5416233A (en) *	1994-01-25	1995-05-16	The Dow Chemical Company	Preparation of vinylsilane-benzocyclobutenes

1994
- 1994-10-27 JP JP6286172A patent/JP2773660B2/ja not_active Expired - Fee Related
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