DE69535102T2 - Einkapselung von optoelektronischen bauteilen - Google Patents

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    • G02B6/4257Details of housings having a supporting carrier or a mounting substrate or a mounting plate

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft Verfahren zum Herstellen eingekapselter optischer Bauteile mit Wellenleitern und optoelektronischen Einrichtungen, die auf einem Substrat angeordnet sind, so wie einem Siliziumsubstrat, und sie betrifft auch die eingekapselten optischen Bauteile und Bauteile darin.
  • Hintergrund
  • Eingekapselte optische Bauteile mit verknüpften Wellenleitern, Verbindungsstücken usw. sind teuer, und diese Kosten bilden ein Hindernis für die allgemeine Einführung der optischen Kommunikationstechnik. Einer der Hauptgründe für die hohen Komponentenkosten sind die hohen Anforderungen an eine mechanische Präzision bei einer Ausrichtung eines optoelektronischen Bauteils mit Wellenleitern und von Wellenleitern in einer Komponente mit anderen Wellenleitern. Diese Tatsache resultiert darin, dass vielfältige, teure, feine, mechanische Konstruktionselemente verwendet werden müssen. Der Zusammenbau erfordert auch eine beträchtliche Zeit und ist deshalb teuer. Zusätzlich sind herkömmliche Bauteile luftdicht oder undurchlässig gegenüber einer Diffusion eingekapselt, was weitere Anforderungen an die Einkapselungsverfahren und an die eingeschlossenen Materialien mit sich bringt (Verarbeiten in einer Edelgas-Atmosphäre, relativ hohen Temperaturen und ähnliche Faktoren). Wenn zweckmäßigere Ausrichtungsverfahren, Einkapselungsverfahren, die nicht völlig denselben hohen Grad einer Undurchlässigkeit haben, und weniger teure Materialien verfügbar wären, könnten die Produktionskosten pro eingekapseltem Bauteil signifikant reduziert werden.
  • Stand der Technik
  • Die U.S. Patente US-A 5 077 878 und US-A 5 163 108 von Armiento et al. offenbaren, wie optische Empfangselemente, so wie Lichtwellenleiter, zu aktiven Elementen eines Lichterzeugungschips ausgerichtet werden durch Bilden von Sockeln oder Vorsprüngen auf der Oberfläche eines Substratkörpers, vorzugsweise aus Silizium. Die optischen Lichtwellenleiter werden in V-Rillen in der Oberfläche des Substrats positioniert und durch photolithografische Techniken fabriziert.
  • Ausrichtungsverfahren für Bauteile auf einem Si-Substrat sind auch in der Europäischen veröffentlichten Patentanmeldung EP-A1 0 571 924 offenbart, wobei Führungsrillen für Führungsstifte verwendet sind. Wellenleiter mit rechtwinkligen Kernen werden durch Ablagerung bzw. Deposition auf einem Si-Substrat hergestellt.
  • Gemäß der deutschen Patentanmeldung DE-A1 39 28 894 (entspricht US-A 5 091 045), die der Öffentlichkeit verfügbar gemacht ist, wird der Verbindungsbereich zwischen einem elektrooptischen Bauteil und Wellenleitern abgedeckt durch Gießen bzw. Formen eines härtenden oder versteifenden Materials mit einem Brechungsindex, der dem der Wellenleiter angepasst ist.
  • Eine Ausrichtungsprozedur ist auch in der veröffentlichten Europäischen Patentanmeldung EP-A1 0 226 296 offenbart.
  • In der veröffentlichten Europäischen Patentanmeldung EP-A2 0 171 615 ist ein hybrider, optischer, integrierter Schaltkreis offenbart mit vielfältigen "Inseln" auf einem Siliziumsubstrat zum Positionieren vielfältiger Einrichtungen und Wellenleiter, die integral in der Oberfläche des Substrats gebildet sind.
  • Aus der veröffentlichten Europäischen Patentanmeldung EP-A2 0 313 956 ist es bereits bekannt, beim Einkapseln eines optoelektronischen Bauteils, dieses auf einem Metallsubstrat zu befestigen und den somit geformten Zusammenbau gesamt in nicht transparentem Kunststoff 6 einzugießen (1, 5a und 5b). Schnittstellen zwischen Lichtwellenleiter-Enden in dem Bauteil und einem durch eine Photo- oder Laserdiode gebildeten Bauteil können vor diesem in transparentem Kunststoff eingegossen werden (Spalte 5, Zeilen 6–16).
  • Zusammenfassung
  • Es ist eine Aufgabe der Erfindung, optische Bauteile bereitzustellen, die ein kosteneffizientes Einkapseln von besonders empfindlichen Stellen bei der Verbindung eines Bauteils und eines Wellenleiters umfassen.
  • Es ist ferner eine Aufgabe der Erfindung, eingekapselte, optische Bauteile mit Wellenleitern bereitzustellen, die auf eine einfache Weise zum Koppeln von optischen Signalen zu und von einem anderen Bauteil hergestellt sind.
  • Es ist ferner eine Aufgabe der Erfindung, eingekapselte, optische Bauteile bereitzustellen, die genau hergestellte Führungen für Führungsstifte bei einer Kontaktoberfläche des Bauteils zu anderen Bauteilen mit einer auf eine ähnliche Weise gebildeten Kontaktfläche haben, und auch zu anderen Führungen für ein genaues Positionieren diskreter Wellenleiter und diskreter Komponenten.
  • Es ist ferner eine Aufgabe der Erfindung, relativ einfache und nicht sehr teure Verfahren zum Herstellen eingekapselter, optischer Bauteile mit optischen Schnittstellen zu anderen ähnlichen Bauteilen bereitzustellen.
  • Diese Aufgaben werden durch die Erfindung erreicht, deren Eigenschaften in den beigefügten Ansprüchen festgelegt sind.
  • Eine Einkapselung mit einem genauen Positionieren mechanischer Bauteile wird durch das Verfahren getätigt, dass Wellenleiter, ein optisches Bauteil und mögliche elektronische Schaltkreise zuerst hergestellt und/oder auf einem Substrat aus zum Beispiel Silizium mit darauf genau hergestellten Führungsrillen werden. Das optische Bauteil und die Schnittstelle zwischen ihm und dem Wellenleiter oder sogar der gesamten Einheit werden dann durch Gießen eines für die vorliegende Wellenlänge transparenten elastischen Materials abgedeckt, um einen optischen Kontakt sicherzustellen und einer Plastikdurchdringung vorzubeugen. Danach wird das Spritzgießen der Plastikkapsel getätigt.
  • Bei der Herstellung eines eingekapselten, optischen Bauteils wird zuerst eine Platte aus einem geeigneten anorganischen Material hergestellt, vorzugsweise einem einkristallinen Silizium-Wafer, aber es können auch Keramikplatten und andere Platten dieses Typs verwendet werden, die im Allgemeinen eher spröde sind, und nicht großen mechanischen Spannungen unterzogen werden können. Hier wird im Nachfolgenden primär ein Substrat in der Form eines Silikon-Wafers diskutiert werden. Dann werden vielfältige Einrichtungen in und auf der Oberfläche der Platte mittels prozesstechnologischer Verfahren der bei der Herstellung elektronischer, integrierter Schaltkreise verwendeten Art fabriziert, so wie durch Ablagerung bzw. Deposition, Diffusion, Oxidation, Anwenden von Masken von Photoresistmaterial, lithografischen Mustern, Ätzen, anderen chemischen Verarbeiten und äquivalenten Verfahren. Der Begriff "prozesstechnologische Verfahren" wird hier im nachfolgenden Verfahren der erwähnten Art angeben. Durch diese Verfahren werden Schichten und Einrichtungen erhalten, die direkt in der Platte hergestellt werden und damit integriert werden. Somit können untere Umhüllungsbereiche und darauf Kernbereiche für Wellenleiter und möglicherweise auch schließlich obere Umhüllungsbereiche erhalten werden. Ein optoelektronisches Bauteil kann auf derselben Oberfläche der Substratplatte befestigt werden, die optisch mit den Wellenleitern gekoppelt werden soll, und diese Komponente wird auch elektrisch mit jeweiligen elektrischen Anschlüssen verbunden, so wie leitfähigen Flächen, die auch in und auf der Oberfläche der Platte hergestellt sind. Die oberen Umhüllungsbereiche können durch Abdecken wenigstens eines Abschnitts der Oberfläche der Substratplatte produziert sein, die wenigstens einen Teil der freien Oberfläche der unteren Umhüllungsbereiche und wenigstens einen Teil der freien Oberfläche der Kernbereiche umfasst, zum Beispiel ein Abdecken durch Gießen eines weichen, elastischen Kunststoffmaterials so wie eines Elastomer-Materials.
  • Bei der Herstellung der Wellenleiter kann somit zuerst ein unterer Abschnitt einer Umhüllung oder die Umhüllungen durch das Verfahren produziert werden, dass eine Schicht oder einige Schichten eingeführt oder beschichtet werden über eine geeignete Fläche der Oberfläche der Platte, die eine oder einige verlängerte und streifenförmige Flächen umfassen kann, und danach werden die Kernbereiche hergestellt durch Einführen oder Beschichten einer zusätzlichen Schicht mit einer verlängerten Form auf oder in der Oberfläche der Schicht oder Schichten, die jeweils den unteren Bereich der Umhüllung oder Umhüllungen bilden. Die Herstellung der Schichten wird mittels prozesstechnologischer Verfahren hergestellt, die üblich sind innerhalb des Gebietes zum Herstellen elektronischer, integrierter Schaltkreise. Danach wird wenigstens die Verbindung oder der Schnittstellenbereich zwischen einem optoelektronischen Bauteil und vorzugsweise allen Wellenleitern abgedeckt oder beschichtet mit einem Kunststoffmaterial.
  • Das Kunststoffmaterial ist vorzugsweise ein transparentes Material mit einem Brechungsindex, der ausgebildet ist zum Verbessern des optischen Koppelns, d.h. des Koppelns von Licht, zwischen dem optoelektrischen Bauteil und den Wellenleitern.
  • Auf wenigstens der Fläche der Substratplattenoberfläche, die die erwähnten Einrichtungen umfasst, die die freien Oberflächen oder Umhüllung oder Umhüllungen jeweils und im Besonderen die freien Oberflächen des elastischen Kunststoffmaterials einschließt, wird eine zusätzliche, mechanisch widerstandsfähige, harte, undurchsichtige Kunststoffschicht geschichtet, so wie durch Pressspritzen bzw. Spritzpressen oder Spritzgießen, um den Zusammenbau mechanisch und optisch zu schützen.
  • In der Platte können genau ausgerichtete Führungsrillen produziert werden durch Ätzen, zum Beispiel durch anisotropisches Ätzen in dem Fall, dass die Platte vom einkristallinen Typ ist, zum Positionieren von Ausrichtungseinrichtungen und/oder als Wellenleiter agierenden optischen Lichtwellenleitern. Buckel (Mesas) oder ähnliche Vorsprünge können durch Verfahren gemäß dem obigen produziert werden, zum Beispiel durch Ablagerung bzw. Deposition, zum Positionieren von Einrichtungen so wie auf der Oberfläche der Platte, zum Beispiel des optoelektronischen Bauteils, angeordneten diskreten Einrichtungen.
  • Die Ausrichtungseinrichtungen sind erforderlich, wenn das optische Bauteil eine optische Verbindungsstückeinrichtung zum Verbinden des optischen Bauteils mit einem Gerät umfasst, das ein entsprechendes optisches Verbindungsstück oder eine optische Schnittstelle hat. Die Ausrichtungseinrichtungen können zylindrische Führungsstifte sein, und solche Stifte oder Einrichtungen mit wenigstens teilweise derselben Form, wie sie sind, werden dann vorteilhaft in die entsprechenden Führungsrillen auf der Oberfläche der Substratplatte vor dem Pressspritzen bzw. Spritzpressen oder Spritzgießen der Schutzkunststoffschicht platziert.
  • Die Substratplatte kann eine im Wesentlichen rechtwinklige Form haben, die in jedem Fall eine gerade Vorderkante und eine flache Vorderoberfläche umfasst. Für ein optisches Bauteil, das eine optische Kontaktmöglichkeit zu einem ähnlich gebildeten Bauteil umfasst, gibt es dann zwei parallele Führungsrillen für Führungsstifte, die sich auf der oberen Oberfläche der Platte senkrecht zu der Vorderoberfläche erstrecken, und in dem Fall, dass die Siliziumplatte eine rechtwinklige Form hat, in der Nachbarschaft von und parallel zu zwei gegenüberliegenden Kanten davon, die dann senkrecht zu der Vorderoberfläche sind.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Die Erfindung wird nun detaillierter mit Verweis auf die nicht einschränkenden Ausführungsformen und mit Verweis auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben werden.
  • 1 ist eine schematische, perspektivische Ansicht einer eine optische Verbindungsstückeinrichtung umfassenden optoelektronischen Kapsel.
  • 2a ist eine perspektivische Ansicht eines Segmentes eines Substrates, das eine innere Einkapselung eines darauf angeordneten Bauteils und direkt auf der Oberfläche des Substrats hergestellte Wellenleiter umfasst.
  • 2b ist eine perspektivische Ansicht eines Segmentes eines Substrates, das eine innere Einkapselung eines darauf angeordneten Bauteils und Wellenleiter in der Form diskreter optischer Lichtwellenleiter umfasst.
  • 3 ist eine perspektivische Ansicht eines Segmentes eines Substrates, das dem von 2a ähnlich ist, wobei die innere Einkapselung gleichzeitig einen Umhüllungsabschnitt der Wellenleiter bildet.
  • 4 ist eine perspektivische Ansicht, schräg von hinten gesehen, eines in einer optoelektronischen Kapsel zu verwendenden Substrates.
  • Detaillierte Beschreibung
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht einer eingekapselten optoelektronischen Einheit oder Opto-Kapsel 1, deren Basisteil ein Substrat 3 ist. Das Substrat 3 ist in dem bevorzugten Fall eine einkristalline Siliziumplatte, die darin und darauf Einrichtungen umfasst, die auf vielfältige Weisen hergestellt sind und mit der Platte integriert sind, zum Führen von Licht und zum Positionieren vielfältiger Einrichtungen. Diese vielfältigen Einrichtungen sind hergestellt mittels in der Prozesstechnologie zum Herstellen integrierter, mikroelektronischer Schaltkreise und mikromechanischer Einrichtungen üblichen Verfahren. Das Siliziumsubstrat hat im Allgemeinen die Form eines rechtwinkligen Wafers, der Führungsrillen 5 umfasst, die sich entlang zweier gegenüberliegender Kanten erstrecken und rechtwinklig zu einer Vorderkante sind oder einer flachen Frontoberfläche 6 des Substrats. Die Führungsrillen 5 haben einen Querschnitt, der in der veranschaulichten Ausführungsform als ein symmetrischer Winkel geformt ist, und deren Seiten bilden einen Winkel, der ungefähr 45 bis 65° zu der oberen Oberfläche des Siliziumsubstrats 3 umfasst. Die Führungsrillen 5 wirken als Führungen für zwei zylindrische Führungsstifte 7, die ausziehbar und einsetzbar wie in konventionellen MT-Verbindungsstücken sein können.
  • Ferner sind auf der Siliziumplatte Wellenleiter 9 angeordnet, die sich zentral zwischen den Führungsrillen 5 befinden, die parallel zueinander sind, und die auch parallel zu diesen sind. Die Wellenleiter 9 erstrecken sich bis zu der Vorderkante 6 der Siliziumplatte 3, um fähig zu sein, Licht bei dieser Kante zu und von einer anderen Opto-Kapsel oder einem optischen Bauteil (nicht gezeigt) zu führen, welche bei ihrer Vorderseite auf eine komplementäre oder entsprechende Weise geformt ist, und welche beabsichtigt ist, bei dem optischen Bauteil 1 platziert zu werden und in eine korrekte Position durch die Führungsstifte 7 geführt zu werden.
  • Die anderen Enden der Wellenleiter 9 sind mit einem optoelektronischen, aktiven oder passiven Bauteil 11 verbunden, zum Beispiel ist es auch eine Platte, die in einem Stück durch Verfahren hergestellt ist, die innerhalb der Prozesstechnologie zum Herstellen elektronischer, integrierter Schaltkreise verwendet werden, und welches an der Siliziumbasis 3 befestigt ist. Von dem optoelektronischen Bauteil 11 erstrecken sich elektrische Schaltkreise in der Form einer Einheit 15, die auch auf der oberen Oberfläche des Siliziumsubstrats 3 befestigt ist. Die elektronische Treiberschaltkreiseinheit 15 ist elektrisch mit leitfähigen Pfaden 16 verbunden, die geeignete Kontaktflächen 16' umfassen, an welche leitfähige Drähte 18 zur Verbindung zu Kontaktstiften 16'' externer elektrischer Kabel 18' gelötet sind.
  • Zur Herstellung des eingekapselten, optischen Bauteils 1 wird zuerst ein Siliziumsubstrat gemäß 1 hergestellt, das Führungsrillen 5 und die Wellenleiter 9 umfasst. Die Führungsrillen 5 können mittels einer temporär abgesetzten Maske vom Photoresist-Typ und eines Ätzverfahren erhalten werden, die Wellenleiter 9 können organisches Polymer-Material oder vorzugsweise anorganisches Material umfassen. Sie können wenigstens teilweise mittels der innerhalb der Prozesstechnologie zum Verarbeiten von Siliziumsubstraten üblichen Verfahren hergestellt werden, um integrierte, elektronische Schaltkreise und mikromechanische Elemente herzustellen, so wie Oxidation, Ablagerung bzw. Deposition, Diffusion, Mustern, Ätzen usw.. Die elektronische Treiberschaltkreiseinheit 15 und das optoelektrische Bauteil 11 werden bei ihren Orten positioniert und mit anderen Einrichtungen der elektrischen Drähte 13 verbunden. Die elektronische Treiberschaltkreiseinheit 15 wird mit den leitfähigen Pfaden 16 verbunden.
  • Um eine gute optische Kopplung zwischen den Wellenleitern 9 und dem optoelektronischen Bauteil 11 zu erreichen, wird die Verbindungsregion dazwischen, vorzugsweise auch das gesamte optoelektronische Bauteil 11 umfassend, durch Gießen bzw. Formen einer Schicht eines geeigneten, transparenten, synthetischen Materials 17, so wie eines Kunststoffmaterials, im Besonderen eines Elastomers, mit einem geeigneten Brechungsindex abgedeckt.
  • In den Führungsrillen 5 auf der Siliziumbasisplatte 3 werden die Führungsstifte 7 platziert oder möglicherweise andere Einrichtungen mit derselben Form wie die Führungsstifte in dem Bereich, wo sie sich innerhalb des optischen Bauteils 1 erstrecken. Die leitfähigen Drähte 18' werden mit den Kontaktflächen 16' verbunden. Schließlich wird der auf diese Weise gebildete Zusammenbau abgedeckt durch vollständiges Eingießen mit einem geeigneten, vorzugsweise dunkel gefärbten oder undurchsichtigen, mechanisch widerstandsfähigen Material 19 auf dieselbe Weise wie beim Einkapseln konventioneller, integrierter, elektronischer Schaltkreise, zum Beispiel mit einem aushärtbaren Kunstharzmaterial und durch Pressspritzen davon (so wie Spritzgießen vom Typ "Reaction Injection Molding"), Niedrigdruck-Spritzgießen, zum Beispiel eines geeigneten thermoplastischen Materials usw.. Bei dieser Gießoperation bzw. Formoperation wird mindestens alles der Region der oberen Oberfläche des Siliziumsubstrats 3 abgedeckt, wo sich die Wellenleiter, das optische Bauteil und vorzugsweise auch die elektronische Treiberschaltkreiseinheit 15 und ihre elektrischen Verbindungen befinden. Vorteilhafterweise wird durch Gießen das gesamte Siliziumsubstrat 3 einschließlich seiner vielfältigen Einrichtungen außer der Vorderoberfläche 6 abgedeckt, wo die Führungsrillen 5 für die Führungsstifte und wo eine Verbindung mit einer optischen Einheit mit einer komplementären Form zum Koppeln optischer Signale hergestellt werden soll.
  • Das transparente Kunststoffmaterial 17 wirkt auch als ein spannungsentlastendes Material und kann thermisch geschaffene, mechanische Spannungen zwischen der Kunststoffkapsel 19 und dem optoelektronischen Bauteil 11 aufnehmen, sowohl beim Gießen in die Kapsel 19 als auch später, bei der realen Verwendung oder der Operation des eingekapselten Bauteils 1. Das Kunststoffmaterial 17 sollte deshalb weich und elastisch sein und kann vorteilhafterweise ein geeignet ausgewähltes elastisches Material sein.
  • 2a ist eine perspektivische Ansicht des Vorderabschnitts des Siliziumsubstrats 3 in einer Ausführungsform, wo die Wellenleiter von Wellenleiterkernen 9 mit einem rechtwinkligen Querschnitt und einer Umhüllung gebildet sind, die die Kerne umgeben, und gebildet sind aus einer Schicht 10, die direkt auf der Oberfläche des Siliziumsubstrats angeordnet ist, und einer oberen Schicht 10', die sich bei den Seiten von und auf den Kernen 9' befindet. Die Wellenleiterkerne 9' und die unteren und oberen Umhüllungsabschnitte 10 und 10' können mittels unterschiedlicher prozesstechnologischer Verfahren gemäß dem obigen hergestellt werden, so wie durch Ablagerung bzw. Deposition oder ähnliche Verfahren auf geeigneten Materialien, Oxidation der Oberfläche eines Siliziumsubstrats 3, Dopen, Mustern oder Maskieren, Ätzen usw., um Schichten mit geeigneten Brechungsindizes herzustellen. Das transparente Kunststoffmaterial 17 wird auf dem optoelektronischen Bauteil 11 und über der Verbindungsregion zwischen dem optoelektrischen Bauteil 11 und den durch die Kerne 9' und die Umhüllungsabschnitte 10 und 10' gebildeten Wellenleitern angeordnet. Eine Einkapselung wird schließlich wie oben hergestellt, die ein Gießen in ein schützendes, mechanisch widerstandsfähiges Material einschließt.
  • Die Wellenleiterabschnitte 9', 10 und 10' können auch in Spezialfällen aus einem geeigneten Polymer-Material hergestellt werden, zum Beispiel einem Polyimid, und werden dann hergestellt durch Extrudieren von Polymer- Schichten auf der Oberfläche der Platte 3 und durch Mustern der Schichten danach.
  • Die Wellenleiter 9 können auch diskreter Natur sein, und solch eine Konstruktion wird durch die perspektivische Ansicht des Vorderabschnitts des Siliziumsubstrats 3 in 2b veranschaulicht. In dieser Ausführungsform werden Führungsrillen in der Oberfläche des Siliziumsubstrats 3 hergestellt, und sie befinden sich zwischen und parallel zu den Führungsrillen 5 für die Führungsstifte und somit senkrecht zu der Vorderkante 6. Die Führungsrillen 20 erstrecken sich bis zu der Vorderoberfläche oder Eingriffsoberfläche des Siliziumsubstrats 3. Die Führungsrillen 20 für die Wellenleiter können denselben allgemeinen Querschnitt haben wie die Führungsrillen 5 für die Führungsstifte, haben aber im Allgemeinen viel kleinere Dimensionen, und sie können auch durch Maskieren und Ätzen hergestellt werden. Die Wellenleiter umfassen hier Segmente 9'' optischer Lichtwellenleiter, zum Beispiel Silika-Fasern, aber es können auch Kunststofffasern mit einem guten Ergebnis verwendet werden, abhängig von der kurzen Länge der Faserstücke 9''. Das optische Bauteil 11 selbst und seine Verbindungsregion zu den inneren Enden der optischen Fasern 9'', deren Enden sich innerhalb des fertigen, eingekapselten Bauteils befinden, werden wie oben durch Gießen eines transparenten Materials 17 abgedeckt und mechanisch mit einem widerstandsfähigen Polymer-Material 19 eingekapselt.
  • Die Wellenleiter können auch insgesamt durch Gießen des transparenten Materials abgedeckt werden, wenn den Wellenleitern ein Abschnitt ihrer Umhüllung fehlt, die dann durch dieses abdeckende, gegossene, transparente Material gebildet wird, siehe die Ausführungsform von 3. Hier ist wie in 2a und 2b der Vorderabschnitt des Siliziumsubstrats 3 gezeigt, wie aus einer perspektivischen Sicht schräg von der Vorderseite gesehen, und diese Ausführungsform stimmt mit der Ausführungsform von 2a überein, außer dass der obere Umhüllungsabschnitt 10 nicht da ist und dass er durch einen Abschnitt des transparenten Materials 17' ersetzt ist. Diese Materialschicht erstreckt sich hier nicht nur über das optische Bauteil 11 selbst und seine Verbindungsregion zu den Wellenleiterkernen 9' und dem Umhüllungsabschnitt 10 davon, sondern über die gesamte freie Oberfläche der Kerne 9' und den unteren Umhüllungsabschnitt 10. Ein geeigneter Brechungsindex wird für das Material 17' ausgewählt, so dass es als eine Umhüllung für die Kerne 9' arbeiten kann, um vollständige Wellenleiter zu bilden. Das gesamte Substrat 3 mit seinen sich darauf befindenden Einrichtungen vielfältiger Arten wird wie oben durch Gießen eines mechanisch widerstandsfähigen Kunststoffmaterials abgedeckt.
  • In 4 ist eine alternative Ausführungsform in einer perspektivischen Ansicht veranschaulicht, wie schräg von der Rückseite gesehen. Das Siliziumsubstrat 3 wird hier wie oben vorteilhafterweise und gleichzeitig mit ähnlichen Substraten eines größeren Siliziumwafers hergestellt, der aus einem einkristallinen Block geschnitten oder gesägt ist. Mittels anisotropischen Ätzens werden die Führungsrillen 5 für die Führungsstifte erhalten. Eine aus Silika, SiO2, hergestellte Region 10 mit einem angepassten Brechungsindex wird mittels konventioneller Verfahren zum Herstellen von Schichten in oder auf einer Oberfläche von Siliziumwafern, so wie mittels der PECVD-Prozedur ("Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition") beschichtet, und bildet den unteren Umhüllungsabschnitt für die Wellenleiter wie in 2a. Streifenförmige Regionen 9', die zum Beispiel einen rechtwinkligen Querschnitt haben, werden dann auf dieser Schicht eines Silika-Materials angeordnet, und ihnen wird ein etwas höherer Brechungsindex gegeben, um Wellenleiterkerne zu bilden. Dann können auch Streben oder Positionierungsbuckel (Sockel oder Mesas) 25 hergestellt werden zum genauen Positionieren eines optoelektronischen Bauteils 11', wobei in dieser Ausführungsform angenommen wird, dass dieses eine vollständige Einheit ist, die ihre elektronische Treiberschaltanordnung umfasst und direkt mit elektrischen, leitfähigen Pfaden 16 verbunden ist. Sie werden auf den Oberflächen der Siliziumplatte 3 auf eine geeignete Weise hergestellt, zum Beispiel durch Beschichten von Schichten eines Metalls, so wie Au, Al, mittels konventioneller Prozeduren, und sie werden mit externen, elektrischen Leitern verbunden, die in dieser Figur nicht veranschaulicht sind, auf dieselbe Weise wie oben. Das Siliziumsubstrat 3 wird zusammen mit seinen vielfältigen Einrichtungen lokal durch Gießen eines transparenten Materials abgedeckt, zum Beispiel wie in 3, und der vollständige Zusammenbau wird durch Gießen eines mechanisch widerstandsfähigen Polymer-Materials abgedeckt.

Claims (15)

  1. Verfahren zur Herstellung eines optischen Bauteils (1), das die folgenden Schritte umfasst: – Herstellen einer Platte (3) aus anorganischem Material, – Herstellen von Wellenleitern (9) in und/oder auf der Oberfläche der Platte, – Befestigen eines optoelektronischen Bauteils (11) auf einer Oberfläche der Platte zur optischen Kopplung mit den Wellenleiter und zum Verbinden mit elektrischen Anschlüssen, – danach Abdecken mindestens eines Abschnitts der Oberfläche der Platte, der mindestens einen Abschnitt der freien Oberfläche der Wellenleiterabschnitte und die freie Oberfläche der optoelektronischen Bauteile aufweist, mit einem ersten Kunststoffmaterial (17), gekennzeichnet durch die folgenden zusätzlichen Schritte: – Beschichten einer Schicht (19) aus einem zweiten Kunststoffmaterial auf mindestens den Abschnitt der Platte, die mit dem ersten Kunststoffmaterial beschichtet ist, wobei das zweite Kunststoffmaterial einen hohen mechanischen Widerstand aufweist, um einen Schutz für die optoelektronischen Bauteile und die Wellenleiter und das erste Kunststoffmaterial zu bilden, das eine hohe Elastizität aufweist, um mechanische Spannungen abzubauen, die bei dem zweiten Kunststoffmaterial und während des Betriebs des optischen Bauteils bei Temperaturveränderungen in dem Beschichtungsprozess auftreten können, und – Beschichten des ersten Kunststoffmaterials (17) auch auf die Abschnitte des Wellenleiters (9), wobei das erste Kunststoffmaterial ein transparentes Material mit einem Brechungsindex ist, der angepasst ist, um dadurch einen oberen Umhüllungsabschnitt der Wellenleiter zu bilden.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Schritt des Herstellens der Wellenleiter (9) zuerst ein unterer Abschnitt (10) mit einer Umhüllung oder Umhüllungen durch Einführen oder Beschichten einer oder mehrerer Schichten mittels prozesstechnologischer Verfahrens über einen geeigneten Bereich auf einer Oberfläche der Platte (3) hergestellt wird und danach Kerne (9') durch prozesstechnologische Mittel durch Einführen oder Beschichten einer zusätzlichen Schicht mit einer verlängerten Form auf oder in die Oberfläche der Schicht oder der Schichten hergestellt werden, die jeweils den unteren Abschnitt der Umhüllung oder Umhüllungen bilden.
  3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet – dass das erste Kunststoffmaterial (17) auch über einen Bereich an einem Ende der Wellenleiter (9) beschichtet wird, an dem das optische Koppeln mit dem optoelektronischen Bauteil (11) stattfindet, und – dass das erste Kunststoffmaterial ein transparentes Material mit einem Brechungsindex ist, der angepasst ist, um die optische Kopplung zwischen dem Bauteil und den Wellenleitern zu verbessern.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch den zusätzlichen Schritt des Herstellens von genau ausgerichteten Führungsrillen (5, 20) in der Oberfläche der Platte (3).
  5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass eine Platte (3) aus einkristallinem Silizium hergestellt wird und dass die Führungsrillen (5, 20) durch Ätzen erhalten werden.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass in Verbindung mit der Herstellung der Führungsrillen (5, 20) mindestens ein Vorsprung (25) hergestellt wird, um das optoelektronische Bauteil (11) genau zu positionieren.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass in Verbindung mit der Herstellung der Wellenleiter (9) mindestens ein Vorsprung (25) hergestellt wird, um das optoelektronische Bauteil (11) genau zu positionieren.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass eine Platte (3) aus einkristallinem Silizium hergestellt wird und dass mindestens ein Vorsprung (25) mittels prozesstechnologischer Verfahren hergestellt wird.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, gekennzeichnet durch den zusätzlichen Schritt des Anordnens von Ausrichtungsvorrichtungen (7), die zum Verbinden der optischen Bauteile (11) mit anderen Bauteilen vorgesehen sind, in die Führungsrillen (5), bevor die zweite Kunststoffschicht (19) aufgebracht wird.
  10. Eingekapseltes optisches Bauteil (1), umfassend – ein Substrat (3) aus anorganischem Material, – Wellenleiter (9), die mindestens teilweise in und/oder auf der Oberfläche des Substrats angeordnet sind, – ein optoelektronisches Bauteil (11), das an einer Oberfläche des Substrats zum optischen Koppeln mit den Wellenleitern und zur Verbindung mit elektrischen Anschlüssen befestigt ist, – eine erste Kunststoffschicht (17), die mindestens einen Abschnitt der Oberfläche des Substrats abdeckt, der einen Abschnitt der freien Oberfläche der Wellenleiter und die freie Oberfläche des optoelektronischen Bauteils aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass – eine zweite Kunststoffschicht (19) mindestens den Abschnitt der Oberfläche des Substrats abdeckt, an dem die erste Kunststoffschicht angeordnet ist, – das Material des zweiten Kunststoffmaterials einen hohen mechanischen Widerstand aufweist, um einen Schutz für das optoelektronische Bauteil und die Wellenleiter zu bilden, und – das Material des ersten Kunststoffmaterials weich ist und eine hohe Elastizität aufweist, um mechanische Spannungen abzubauen, die insbesondere während des Beschichtungsprozesses des zweiten Kunststoffmaterials und während des Betriebs des optischen Bauteils bei Temperaturveränderungen auftreten können, – das erste Kunststoffmaterial (17) ein transparentes Material mit einem Brechungsindex ist, der angepasst ist, um dadurch einen oberen Umhüllungsabschnitt der Wellenleiter (9) zu bilden.
  11. Eingekapseltes optisches Bauteil nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Wellenleiter (9) eine oder mehrere Schichten umfassen, die einen unteren Abschnitt (10) von Umhüllungen und eine zusätzliche Schicht bilden, die Kerne (9') bildet, die eine verlängerte Form aufweisen und auf oder in der Oberfläche der Schicht oder der Schichten angeordnet sind, die jeweils den unteren Abschnitt der Umhüllung oder der Umhüllungen bilden.
  12. Eingekapseltes optisches Bauteil nach einem der Ansprüche 10 bis 11, dadurch gekennzeichnet – dass das erste Kunststoffmaterial (17) auch einen Bereich an einem Ende der Wellenleiter (9) abdeckt, an dem die optische Kopplung mit dem optoelektronischen Bauteil (11) stattfindet, und – dass das erste Kunststoffmaterial ein transparentes Material mit einem Berechungsindex ist, der angepasst ist, um die optische Kopplung zwischen dem Bauteil und den Wellenleitern zu verbessern.
  13. Eingekapseltes optisches Bauteil nach einem der Ansprüche 10 bis 12, gekennzeichnet durch genau ausgerichtete Führungsrillen (5, 20) in der Oberfläche der Platte (3).
  14. Eingekapseltes optisches Bauteil nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Platte (3) einkristallines Silizium umfasst und dass die Führungsrillen (5, 20) geätzte Rillen umfassen.
  15. Eingekapseltes optisches Bauteil nach einem der Ansprüche 13 bis 14, gekennzeichnet durch mindestens einen Vorsprung (25) auf der Platte (3), um das optoelektronische Bauteil (11) genau zu positionieren.
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