DE69636286T2 - Plasmaunterstützter chemischer reaktor und verfahren - Google Patents
Plasmaunterstützter chemischer reaktor und verfahren Download PDFInfo
- Publication number
- DE69636286T2 DE69636286T2 DE69636286T DE69636286T DE69636286T2 DE 69636286 T2 DE69636286 T2 DE 69636286T2 DE 69636286 T DE69636286 T DE 69636286T DE 69636286 T DE69636286 T DE 69636286T DE 69636286 T2 DE69636286 T2 DE 69636286T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- plasma
- wafer
- chamber
- reactor
- treatment chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/507—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using external electrodes, e.g. in tunnel type reactors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
- H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
- H01J2237/3322—Problems associated with coating
Description
- KURZBESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
- Diese Erfindung bezieht sich auf einen Reaktor und ein Verfahren zur Behandlung von integrierten Halbleiterschaltungen. Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf einen plasmaverstärkten Reaktor und ein Verfahren, das in der Lage ist, Behandlungsvorgänge auszuführen, zu denen das Abscheiden von gleichförmigen Filmen oder Schichten auf der Oberfläche von integrierten Schaltungen durch plasmaverstärkte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD), die Filmrückätzung, die Reaktorselbstreinigung sowie gleichzeitige Ätz- und Ablegevorgänge gehören.
- HINTERGRUND DER ERFINDUNG
- Die Herstellung von Halbleiterwafern und anderen integrierten Schaltungen (IC) schließt kritische Fertigungsschritte ein, wie das Ätzen von Waferoberflächen und das Ablegen von Materialschichten auf Waferoberflächen zur Bildung von Bauelementen, Verbindungsleitungen, Dielektrika, Isoliersperren und dergleichen. Zum Ablegen von Materialschichten und dergleichen auf der Oberfläche von integrierten Schaltungen werden verschiedene Systeme verwendet, und häufig werden solche Schichten durch die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) (Chemical Vapor Deposition) gebildet. Ein herkömmlicher thermischer CVD-Prozess legt eine stabile chemische Verbindung auf der Oberfläche eines Wafers durch thermische Reaktion von bestimmten gasförmigen Chemikalien ab. Beim Stand der Technik wurden verschiedene CVD-Reaktoren eingesetzt, zu denen Niederdruck-CVD-Systeme und Atmosphärendruck-CVD-Systeme gehören.
- Neuerdings hat man plasmaverstärkte (manchmal auch plasmagestützt genannt) CVD-Systeme (PEDVD) entwickelt. Die PECVD (Plasma Enhaced Chemical Vapor Deposition)-Systeme sind im Allgemeinen durch Dissoziation und Ionisation von gasförmigen Chemikalien wirksam. Die dem Plasma zugeordneten hohen Elektronentemperaturen erhöhen die Dichte der dissoziierten Spezies, die zur Abscheidung auf der Waferoberfläche verfügbar sind. Somit sind solche Systeme in der Lage, bei niedrigeren Temperaturen als herkömmliche thermische CVD-Systeme zu wirken. Solche Prozesse mit niedrigerer Temperatur sind erwünscht und minimieren die Diffusion von flachen Verbindungen sowie die Interdiffusion von Metallen, die in den integrierten Schaltungen enthalten sind. Darüber hinaus sind PECVD-Systeme zur Ausbildung von mehreren dielektrischen Schichten geeignet, die zum Isolieren gestapelter Bauelementstrukturen eingesetzt werden, wenn die Dichten der Bauelemente zunehmen. Bei der Ausbildung solcher mehrschichtiger dielektrischer Lagen möchte man eine Lage mit guter Spaltfüllung, guter Isolation, guten Beanspruchungs- und Stufenabdeckeigenschaften vorsehen. Es wird immer schwieriger, diese Eigenschaften zu erreichen, wenn die Bauelementabmessungen schrumpfen.
- Bei PECVD-Systemen arbeitet der Reaktor gewöhnlich bei niedrigen Drucken während der Behandlung der Halbleiter. Solche niedrigen Drucke ergeben spezielle Betrachtungen der Gasströmungsdynamik, denen man sich zuwenden muss. Bei niedrigen Drucken ist die Kollisionsrate der aktiven Spezies relativ niedrig, und die mittlere freie Weglänge der Spezies ist relativ lang. Deshalb möchte man einen Reaktor bereitstellen, der in der Lage ist, einen gleichförmigen gesteuerten Gasstrom in der Behandlungskammer quer über dem Wafer und zum Auslass hin zu haben, wodurch eine gleichförmige Behandlung des Wafers erreicht wird. Darüber hinaus können andere Betriebsdrucke für verschiedene Prozesse verwendet werden, so dass der Reaktor in der Lage sein soll, über einem großen Druckbereich zu arbeiten.
- Das Reinigen des Reaktors spielt eine wesentliche Rolle bei der effektiven Funktion eines Systems. Die hochreaktiven Spezies scheiden sich an den Wänden der Kammer, auf den Funktionsbauelementen sowie auf der Oberfläche des Substrats ab. Solche Abscheidungen beeinträchtigen die Funktionsweise des Systems, können die Plasmapotenziale innerhalb des Systems beeinflussen, und sind eine ernsthafte Quelle für Teilchen, die zur Verunreinigung des abgeschiedenen Films führen können. Deshalb ist es vorteilhaft, eine Reaktorkonstruktion bereitzustellen, die zur Selbstreinigung in der Lage ist.
- Die JP 63-292625 von Sumitomo Metal Ind Limited beschreibt einen PECVD-Reaktor mit zwei Gaseinlässen zur Abscheidung von Material auf einem Wafer.
- Die JP 61-064124 der Anelva Corp beschreibt einen CVD-Reaktor, der zwei Gaseinlässe und einen einzigen Verteiler hat, der sich nahe an dem Waferhalter befindet.
- Die JP 06-280000 der Japan Steelworks Limited beschreibt einen PECVD-Reaktor, der zwei Gaseinlässe und einen einzigen Gasverteiler hat, der sich nahe an dem Waferträger befindet.
- Die
US 4,990,229 von Campbell beschreibt einen PECVD-Reaktor mit zwei Gaseinlässen. - ZIELE UND ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
- Es ist ein Ziel dieser Erfindung, einen Reaktor zur Behandlung von Halbleiterwafern und integrierten Schaltungen bereitzustellen.
- Insbesondere ist es ein Ziel dieser Erfindung, einen verbesserten Reaktor zur Behandlung von Wafern durch Abscheiden von Filmen oder Schichten auf der Oberfläche solcher Wafer durch plasmaverstärkte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD) bereitzustellen.
- Ein weiteres Ziel dieser Erfindung besteht darin, einen Reaktor bereitzustellen, der in der Lage ist, seine Funktion über einem breiten Druckbereich auszuüben.
- Ein weiteres Ziel dieser Erfindung besteht darin, einen Reaktor bereitzustellen, der in der Lage ist, gewünschte Filme abzuscheiden und gleichzeitig solche Filme zu ätzen.
- Ein anderes Ziel der Erfindung ist die Bereitstellung eines Reaktors, der zur Selbstreinigung in der Lage ist.
- Ein verwandtes Ziel dieser Erfindung ist die Bereitstellung eines Reaktors, der die Qualität der auf Wafern abgeschiedenen Filme verbessert.
- Diese und andere Ziele werden durch den Reaktor nach Anspruch 1 erreicht, der insgesamt eine Plasmakammer aufweist, die mit einer Behandlungskammer in Verbindung steht. Die Plasmakammer hat einen ersten Gaseinspritzverteiler zur Aufnahme von wenigstens einem ersten Gas sowie eine Quelle für elektromagnetische Energie, die das Gas zur Bildung eines Plasmas anregt. Die Behandlungskammer hat einen Waferträger zum Halten eines zu behandelnden Wafers sowie einen zweiten Gasverteiler, der den Waferträger umgibt und reaktive Gase zu dem Waferträger leitet. Das in der Plasmakammer erzeugte Plasma erstreckt sich in die Behandlungskammer und interagiert mit den reaktiven Gasen zur Abscheidung einer Materialschicht auf dem Wafer. Mit der Behandlungskammer steht ein Vakuumsystem zum Entleeren des Reaktors in Verbindung.
- Zur Erfindung gehört auch ein Verfahren nach Anspruch 20 zum Betreiben eines Reaktors, der eine Plasmakammer und eine Prozesskammer aufweist, wobei in der Prozesskammer ein Waferträger angeordnet ist, wobei das Verfahren die Schritte aufweist, ein Plasma innerhalb der Plasmakammer zu erzeugen, wenigstens eine gasförmige Chemikalie in die Behandlungskammer in der Nähe des Waferträgers einzuführen und einen HF-Gradienten anzulegen, um eine Diffusion des Plasmas zu dem Bereich in nächster Nähe des Waferhalters zu induzieren, wodurch das Plasma und die gasförmige Chemikalie in der Nähe des Waferhalters zur Bildung einer Materialschicht auf der Oberfläche des Wafers interagieren.
- KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
- Weitere Ziele und Vorteile der Erfindung werden beim Lesen der ins Einzelne gehenden Beschreibung der Erfindung und der beiliegenden, nachstehend angegebenen Ansprüche sowie unter Bezug auf die Zeichnungen ersichtlich, in denen
-
1 eine teilweise aufgebrochene Gruppenansicht des Reaktors nach einer Ausführungsform der Erfindung ist, -
2 eine vergrößerte, teilweise aufgebrochene Schnittansicht der Plasmakammer und der Prozesskammer des in1 gezeigten Reaktors ist, -
3a einen Querschnitt durch einen ersten Gaseinspritzverteiler nach einer Ausführungsform der Erfindung ist, -
3b eine Unteransicht des ersten Gaseinspritzverteilers ist, -
3c eine vergrößerte Schnittansicht der Löcher in dem Verteiler von3a ist, -
4 eine teilweise aufgebrochene Stirnansicht einer Ausführungsform eines zweiten Gaseinspritzverteilers nach der vorliegenden Erfindung ist, -
5a eine Draufsicht ist, die den Substratträger zeigt, der in dem Reaktor angeordnet ist, -
5b teilweise aufgebrochen eine alternative Ausführungsform des Substrathalters zeigt, der in dem Reaktor nach der Erfindung angeordnet ist, -
6 eine Schnittansicht des Reaktors nach der Erfindung ist und den Strom der Gase in dem System ansprechend auf die Anordnung der Pumpe auf der Achse zeigt, -
7 eine vergrößerte Seitenansicht ist, die den Substratträger und eine Schlittenanordnung nach der Erfindung zeigt, -
8 eine vereinfachte Blockdarstellung eines PECVD-Systems mit einer Vielzahl von Reaktoren gemäß einer alternativen Ausgestaltung der Erfindung ist, -
9 die Zerstäubungsrate als Funktion der Vorspannleistung des Substratträgers darstellt, -
10a und10b Schnittansichten der Oberflächentopographie von Halbleiterwafern sind, die in dem Reaktor der Erfindung behandelt wurden, und -
11 die Abscheiderate pro Silanfluss als Funktion der angelegten HF-Vorspannung zeigt. - Ins Einzelne gehende Beschreibung der Erfindung
- A. Übersicht
- In den Zeichnungen, in denen gleiche Bauteile mit dem gleichen Bezugszeichen in den Figuren bezeichnet sind, stellen
1 und2 eine Ausführungsform des Reaktors nach dieser Erfindung dar.1 veranschaulicht eine Gruppenansicht der Erfindung, bei welcher der Reaktor10 insgesamt eine Plasmaanordnung11 und eine Plasmakammer16 hat. Die Plasmaanordnung hat eine Quelle12 für die Plasmaerzeugung, deren Innenraum eine Plasmakammer18 bildet, während ein erster Gaseinspritzverteiler15 die Oberseite der Kammer bildet. Der erste Verteiler15 fördert wenigstens eine gasförmige Chemikalie in die Plasmakammer18 . Die Plasmaanordnung11 ist funktionsmäßig an der Behandlungskammer16 befestigt. Die Behandlungskammer16 hat insgesamt einen zweiten Gaseinspritzverteiler17 , der an der Prozesskammer16 für den Empfang von wenigstens einer zweiten gasförmigen Chemikalie über Gasförderleitungen (nicht gezeigt) angebracht ist. Vorzugsweise ist der Gaseinspritzverteiler17 nahe an der Oberseite der Kammer16 angebracht, wobei eine äußere Umfangsfläche längs der Wand der Behandlungskammer16 angeordnet ist und somit einen fortlaufenden Ring bildet. Weiterhin ist in der Kammer16 ein horizontaler Waferträger20 (auf den häufig auch als "Einspannfutter" Bezug genommen ist) zum Halten eines Wafers24 angeordnet. Vorzugsweise ist der Waferträger20 an der Kammer16 durch ein Armelement21 befestigt, so dass der Waferträger20 in der Behandlungskammer16 aufgehängt ist. Auf dem Waferträger20 ist ein Wafer24 angeordnet, wobei die Oberfläche des Wafers24 nach oben weist. Der Waferträger20 kann durch Anlegen von HF-Energie aus einem Generator23 über ein Anpassungsnetzwerk22 unter Vorspannung gesetzt werden. - Zum Entleeren des Reaktors
10 ist ein Vakuumsystem vorgesehen. Mit der Behandlungskammer16 ist durch einen Kanal25 eine Vakuumpumpe26 funktionsmäßig verbunden. Die Vakuumpumpe26 ist vorzugsweise im Wesentlichen axial zu der Behandlungskanmer16 ausgerichtet (worauf als "auf Achse befindliche Pumpe" Bezug genommen wird), was eine verbesserte Strömungssteuerung der Gase und des Plasmas in dem Reaktor10 ergibt. Wie nachstehend im Einzelnen erörtert wird, bilden der aufgehängte Waferträger20 und die auf Achse gesetzte Pumpe ein System zur gleichförmigen Gasverteilung, das so ausgelegt ist, dass ein symmetrischer Strom von Gasen in dem Reaktor10 erzeugt und insbesondere eine gleichförmige Abscheidung und/oder Ätzung über dem Wafer24 begünstigt wird. - Der Reaktor nach der Erfindung ist zur Ausführung verschiedener Behandlungsvorgänge ausgelegt, zu denen die Abscheidung, die Filmrückätzung, die Reaktorselbstreinigung sowie gleichzeitige Ätz- und Abscheidungsschritte gehören. Bei einer beispielsweisen Ausgestaltung des Abscheidungsvorgangs werden Silan und eine Mischung aus Sauerstoff und Argon in die Behandlungskammer
16 über den zweiten Gaseinspritzverteiler17 befördert. Während des Abscheidungsvorgangs kann sich der erste Gaseinspritzverteiler nicht in Funktion befinden, so dass bei dieser Ausgestaltung Sauerstoff- und Argonmoleküle in die Plasmakammer18 aus der Behandlungskammer16 wandern, in die sie ursprünglich eingespritzt wurden, und in der Plasmakammer18 ionisiert werden. Alternativ kann der erste Gaseinspritzverteiler15 in Funktion sein, so dass Argon und Sauerstoff in die Plasmakammer über den ersten Gasverteiler15 befördert werden. Weiterhin können bei einer wiederum anderen Ausgestaltung Sau erstoff und Argon durch sowohl den ersten Gaseinspritzverteiler15 als auch den zweiten Gaseinspritzverteiler17 befördert werden. - Während eines Selbstreinigungsvorgangs des Reaktors wird eine Chemikalie, wie CF4, C2F4 oder NH3, in die Plasmakammer über den ersten Gaseinspritzverteiler
15 eingespritzt, wodurch die Gase ionisiert werden und dann durch den Reaktor10 strömen, um unerwünschte Abscheidungen an den Oberflächen der Kammern16 und18 sowie zugehörige Komponenten zu entfernen. Alternativ können die Reinigungschemikalien in den Reaktor über den zweiten Gaseinspritzverteiler17 eingespritzt oder sowohl an dem ersten Gaseinspritzverteiler15 als auch von dem zweiten Gaseinspritzverteiler17 befördert werden. Darüber hinaus ist der Reaktor für das Anlegen einer HF- und Gleichstrom-Vorspannung ausgelegt, die an dem Waferträger induziert wird, um einen Filmrückätzvorgang sowie einen gleichzeitigen Ätzabscheidungsvorgang herbeizuführen. Der Reaktor und die Verfahren werden nachstehend im Einzelnen beschrieben. - B. Plasmakammer
- Die Plasmakammer
11 lässt sich besser im Einzelnen anhand von2 verstehen. Die Plasmaanordnung11 hat eine Quelle12 für elektromagnetische Energie, auf die üblicherweise als "Plasmaquelle" Bezug genommen wird, um ein Plasma innerhalb der Plasmakammer18 zu erzeugen. Vorzugsweise ist die Plasmaquelle12 von der Art, die beim Stand der Technik als induktiv gekoppeltes Plasma (ICP) klassifiziert ist. Bei der in2 gezeigten bevorzugten Ausführungsform ist die Plasmaquelle12 zylindrisch und hat eine wendelförmige Spule13 aus Metall und eine geschlitzte Spule13 aus Metall und eine geschlitzte elektrostatische Abschirmung19 aus einem nichtmagnetischen Material, wobei die Abschirmung19 insgesamt in der Spule13 angeordnet ist. Die Spule13 und die Abschirmung19 sind in einer Ummantelung mit einer Innenwand27 und einer Außenwand28 aufgenommen. Vorzugsweise besteht die Innenwand27 aus einem Isoliermaterial mit geringem Verlust, wie Quarz oder Keramik, während die Außenwand aus Metall bestehen kann. In der Plasmakammer18 , die in der Plasmaquelle12 ausgebildet ist, wird Plasma erzeugt. Diese bevorzugte Ausgestaltung der Plasmaquelle12 ist ausführlicher in dem US-Patent 5,234,529 beschrieben, das hier durch Referenz eingeschlossen ist. - In der Abschirmung
19 ist eine Vielzahl von sich in Längsrichtung erstreckenden und am Umfang beabstandeten Schlitzen33 ausgebildet. Die Abschirmung19 wird dazu verwendet, kapazitive elektrische Felder zu entkoppeln. Die Abschirmung19 verringert die kapazitive Koppelung zwischen der Spule13 und der Plasmakammer18 , wo das Plasma erzeugt wird. Bei einer Ausgestaltung wird versucht, dass die Plasmaquelle12 und die Abschirmung19 alle kapazitiven Komponenten vollständig abschirmen. Vorzugsweise ist die Abschirmung geerdet. Kapazitiv gekoppelte Felder koppeln mit dem Plasma äußerst wirksam und erzeugen große und insgesamt nicht steuerbare HF-Plasmapotenziale. Auf ein solches Plasma wird als ein "heißes Plasma" Bezug genommen. Das heiße Plasma hat sehr hohe Plasmateilchenenergien, insbesondere hohe Elektronentemperaturen (Te). Das sich ergebende hohe Plasmapotenzial beschädigt den Reaktor, indem es Teilchen mit hoher Energie an den Kammerwänden und andere Bauelemente des Reaktors angreift. Dies verringert die Lebensdauer des Reaktors und erzeugt eine Verunreinigung durch Metallteilchen, die häufig in den abgeschiedenen Filmen endet und dadurch den Wafer zerstört. Darüber hinaus kann das hohe Plasmapotenzial den in Behandlung befindlichen Wafer nachteilig beeinflussen. Durch Verwenden der Abschirmung19 wird die kapazitive Koppelung auf eine gewünschte Größe reduziert, und durch Ändern der Schlitzöffnungen33 in der Abschirmung19 kann die Stärke der kapazitiven Koppelung abhängig von dem Einsatz variiert haben. Beispielsweise kann während des Reinigungsvorgangs, bei welchem der Reaktor10 gereinigt wird, um eine unerwünschte Materialablagerung auf den Oberflächen des Reaktors10 zu entfernen, eine stärkere kapazitive Koppelung verwendet werden, wodurch ein Plasma mit höherer Energie erzeugt wird, um eine schnelle Reinigung zu begünstigen. - Zur Erzeugung des Plasmas wird gemäß einer Ausführungsform der Erfindung wenigstens ein Gas zu der Plasmakammer
18 durch den ersten Gaseinspritzverteiler15 geliefert. Die HF-Energie14 wird in die Plasmaquelle12 durch Spulen13 geleitet, die um die Plasmakammer18 angeordnet sind, wodurch die Gase in der Plasmakammer18 erregt und in den Plasmazustand gebracht werden. In dem Plasmazustand ist ein großer Prozentsatz der eingeführten gasförmigen Moleküle zur Bildung reaktiver Spezies einschließlich ionisierter Atome dissoziiert. Vorzugsweise wird eine Ionendichte von mehr als 1011 Ionen/cm3 erreicht, worauf als hochdichtes Plasma (HDP) Bezug genommen wird. Bevorzugt ist, dass die Frequenz der HF-Energie 13,56 MHz beträgt, was eine kommerzielle Standardfrequenz ist. Der Generator14 arbeitet gewöhnlich bei einer Standardimpedanz von 50 Ohm, während ein an sich bekanntes Anpassungsnetzwerk14a eine wirksame Einkoppelung der HF-Energie in die Plasmaquelle12 erlaubt. Alternativ wird Gas in die Behandlungskammer16 über den zweiten Gaseinspritzverteiler17 befördert, wodurch das Gas in die Plasmakammer18 wandert und in den Plasmazustand erregt wird, wie es gerade vorstehend beschrieben wurde. - Wieder zurückkommend auf
2 ist der erste Gasverteiler15 an der Plasmaanordnung montiert gezeigt. Eine weitere Einzelheit ergibt sich aus3a , wo ein Querschnitt des Verteilers15 gezeigt ist. Bei dieser Ausgestaltung ist der erste Gasverteiler15 im Wesentlichen kreisförmig und an der inneren Umfangsfläche der Plasmaquellenanordnung12 befestigt. Der Verteiler15 hat eine Vielzahl von Gaseinlasskanälen32a und32b , die in der Verteilerbasis30 ausgebildet ist. Zum Fördern von gasförmigen Materialien in den Verteiler15 sind Gaslieferleitungen (nicht gezeigt) an jeden der Gaseinlasskanäle über Gaszuführanschlüsse31a und31b verbunden. Bei dieser Ausgestaltung sind zwei Gaseinlasskanäle gezeigt, es können jedoch auch zusätzliche Gaseinlasskanäle oder nur ein Gaseinlasskanal verwendet werden. - Die Gaseinlasskanäle
32a und32b führen einzeln zu konzentrischen, sich am Umfang erstreckenden Kammern34a und34b . Die Kammern erstrecken sich durch die Verteilerbasis30 und sind von einer Platte37 umschlossen, die an der Verteilerbasis30 angebracht ist. In jeder Kammer34a und34b ist eine Vielzahl von Löchern36 angeordnet, die in die Abdeckplatte37 gebohrt sind und die sich am Umfang jeder Kammer erstrecken. Bei einer Ausführungsform ist die Vielzahl von Löchern36 insgesamt am Boden jeder Kammer34a und34b angeordnet und erstreckt sich vertikal durch die Abdeckplatte37 . Alternativ können die Löcher36 mit einem Winkel durch die Abdeckplatte37 gebohrt werden. Die Ausgestaltung der Löcher36 wird so gewählt, dass ein optimale Gaseinspritzung in die Plasmakammer18 erreicht wird und die Anzahl, Größe, Form und Abstand der Löcher variieren kann. Es können jedoch auch konzentrische Lochreihen in die Abdeckplatte37 gebohrt werden, die sich am Umfang jeder Kammer erstrecken. -
3b zeigt eine Unteransicht eines ersten Gaseinspritzverteilers15 . Wie in der vorliegenden Ausführungsform gezeigt ist, bilden die Löcher36 insgesamt konzentrische Kreise im Boden des ersten Gaseinspritzverteilers15 . Vorzugsweise besteht die Vielzahl von Löchern, die der inneren Kammer34b zugeordnet sind, aus fünf Löchern, während die Vielzahl von Löchern, die der äußeren Kammer34a zugeordnet sind, aus zehn Löchern besteht.3c ist eine vergrößerte Ansicht, die die bevorzugte Form des Lochs36 zeigt. - Somit fördern bei der vorliegenden Ausführungsform Gaslieferleitungen gasförmige Chemikalien zum Verteiler
15 über zwei Gaszuführanschlüsse31a und31b . Jedes Gas wird direkt durch den Verteiler15 über Kanäle32a und32b zu den kreisförmigen Kammern34a und34b befördert, wobei die Gase aus dem Verteiler15 durch eine Vielzahl von Löchern36 , die jeder Kammer zugeordnet sind, in die Plasmakammer18 austreten. - Der erste Gasverteiler
15 verwendet ein Kühlsystem zum Kühlen des Verteilers15 während des Betriebs des Reaktors10 . Durch den Verteiler15 wird ein Kühlmedium, wie Wasser, umgewälzt, um eine im Wesentlichen gleichförmige Kühlung zu erhalten. Die Aufrechterhaltung einer gleichförmigen Temperatur während des Betriebs ist wesentlich, da die an der Oberfläche des Wafers24 erfolgende Reaktion temperaturabhängig ist. Darüber hinaus kann ein Defekt bei der Aufrechterhaltung einer konstanten Temperatur zur Flockenbildung von Niederschlägen an den Kammerwänden und zugehörigen Bauelementen führen, wodurch Teilchen in dem System erzeugt werden. - Bei der vorliegenden Ausführungsform wird das Kühlmedium durch den Kühlmittelbeschickungsanschluss
38 zu einer Vielzahl von Kanälen42 geliefert. Die Kanäle42 erstrecken sich durch den Verteiler und sind von einer Abdeckplatte32 eingeschlossen, die an der Verteilerbasis30 angebracht ist. Die Kanäle42 erstrecken sich quer über die Verteilerbasis30 , wie es in3b gezeigt ist. Bei Modifizierungen der Erfindung kann das Kühlsystem anders gestaltet sein. - In der Mitte des Gaseinspritzverteilers
15 ist ein Sichtglas39 in geeigneter Weise angeordnet, um eine optische Trennfläche zu erhalten, damit man die Plasmaentladung sehen kann. Vorzugsweise ist das Sichtglas kreisförmig und besteht aus Saphir, der dem Angriff von Plasma und Chemikalien widersteht. Darüber hinaus ermöglicht das Sichtglas39 einen Sehstrahlzugang zu der Waferebene, um eine Ferndiagnose verwenden zu können, beispielsweise ein Laserinterferometer (sichtbar) zur Beobachtung des Filmwachstums und ein Laserinterferometer (IR) zur Beobachtung der Wafertemperatur. - Vorzugsweise hat der Verteiler
15 eine glatte ebene Oberfläche, um die Teilchenabscheidung auf ihn zu minimieren. Bei dieser Ausführungsform ist der Verteiler15 aus Aluminium hergestellt und hat eine glattpolierte Oberfläche. - C. Behandlungskammer
- sZur Behandlung von Halbleiterwafern und anderen ICs hat der Reaktor
10 eine Behandlungskammer16 , die an einer Plasmaanordnung11 angebracht ist und mit ihr in Verbindung steht. In1 und2 ist der innere Aufbau der Behandlungskammer16 weiter im Einzelnen gezeigt. Die Behandlungskammer16 ist vorzugsweise zylindrisch und besteht aus einem Material, wie Aluminium. Die Behandlungskammer16 hat vorzugsweise Einrichtungen zum Umlaufenlassen eines Kühlmediums, wie Wasser, wobei solche Einrichtungen in den Wänden der Behandlungskammer16 ausgebildet oder alternativ an der Außenseite der Behandlungskammer16 angeordnet sind, um die Behandlungskammer16 auf einer konstanten Temperatur zu halten. In der Behandlungskammer16 ist ein zweiter Gaseinspritzverteiler17 angeordnet, der sich längs der Oberfläche der Kammer unter Bildung eines Rings erstreckt. In der Behandlungskammer16 ist ferner ein Waferträger20 angeordnet, der einen zu behandelnden Wafer24 hält. Vorzugsweise ist der Waferträger20 im Wesentlichen zur Achse der Behandlungskammer16 ausgerichtet, so dass der zweite Gasverteiler17 den Waferträger20 umschließt. In einer Seitenwand der Behandlungskammer16 ist ein Ventil (nicht gezeigt), beispielsweise ein Schieberventil, angeordnet, um einen Zugang zu dem Inneren der Kammer16 für den Transport des Wafers24 zum Waferträger20 hin und von ihm weg zu ermöglichen. Unter dem Waferträger20 und im Wesentlichen axial zur Achse der Behandlungskammer16 ausgerichtet sind eine Pumpe26 und ein Trennventil25 angeordnet. - Der zweite Gaseinspritzverteiler
17 ist speziell in4 gezeigt. Der zweite Gaseinspritzverteiler17 ist weiterhin im Einzelnen in der anhängigen Anmeldung Ser. No. 08/499,861 (WO 97/03223) beschrieben. Insgesamt hat der Verteiler17 ein Kammergehäuse40 , das an der Behandlungskammer16 anbringbar ist, einen austauschbaren Düsenaufbau70 , der lösbar an dem Kammergehäuse40 angebracht ist, und wenigstens eine Kammer, die für die Aufnahme einer gasförmigen Chemikalie ausgebildet ist. Das Kammergehäuse ist mit wenigstens einer Leitung versehen, die mit der Kammer verbunden ist, um die gasförmige Chemikalie zur Kammer zu befördern. Der Düsenaufbau70 hat eine Vielzahl von Düsen44a ,44b , die mit der Kammer verbunden und für das Einspritzen der gasförmigen Substanz aus der Kammer in die Behandlungskammer ausgestaltet ist. Bei der vorliegenden Ausführung hat der erste Gasverteiler17 eine Ringform mit einer äußeren Umfangsfläche, die an der Wand der Behandlungskammer16 angebracht ist, wobei jedoch auch andere Ausgestaltungen innerhalb des Rahmens der Erfindung liegen. - Wie in
4 gezeigt ist, hat bei der bevorzugten Ausführungsform des Verteilers17 das Kammergehäuse40 zwei parallele, sich am Umfang erstreckende Kanäle46 und48 , die in dem Kammergehäuse40 ausgebildet sind. Die Kanäle46 und48 begrenzen teilweise ein Paar von Räumen für die getrennte Aufnahme der gasförmigen Chemikalien, die bei der Behandlung des Wafers Verwendung finden. Die Kanäle46 und48 sind jeweils mit einer Gasquelle50 und52 (nicht gezeigt) durch Leitungen52 und56 über Zuführleitungen58 und60 (nicht gezeigt) verbunden. Die Zuführleitungen58 und60 erstrecken sich vertikal zur Kreuzung mit den Leitungen54 und56 , worauf als "Bodenbeschickung" der Gase Bezug genommen wird. Bei einer alternativen Ausgestaltung können die Zuführleitungen58 und60 so gestaltet sein, dass sie sich horizontal durch die Wand der Behandlungskammer16 als "Seitenbeschickung" erstrecken. - Vorzugsweise ist eine Prallplatte
62 , die mit einer Vielzahl von Öffnungen (nicht gezeigt) zu versehen ist, in jedem Kanal46 und48 in bekannter Weise angebracht. Die Prallplatten62 unterbrechen den Gasstrom aus den Leitungen54 und56 zu den Düsen44a und44b angrenzend an die Düsen, um das Gas zu zerstreuen und den Strom des Gases um den Umfang des Kammergehäuses40 herum gleichförmiger zu verteilen. Die Ausgestaltung der Prallplatten62 wird so gewählt, dass man eine optimale Verteilung der Gase erhält, und unterliegt einer beträchtlichen Variation. Darüber hinaus können, falls erwünscht; die Prallplatten62 weggelassen werden. - Der Düsenaufbau
70 ist entfernbar an dem Kammergehäuse40 angebracht, das die die Räume umschließenden Kanäle46 und48 abdeckt. Der Düsenaufbau70 hat eine Vielzahl von ersten Düsen44a , die im Wesentlichen fluchtend zu dem Kanal46 ausgerichtet sind, sowie eine Vielzahl von zweiten Düsen44b , die fluchtend zu dem Kanal48 ausgerichtet sind, um die gasförmigen Substanzen, die in den Räumen in der Behandlungskammer16 gehalten werden, einzublasen. Die Größe, die Form, der Abstand, der Winkel und die Ausrichtung der Düsen können sich merklich ändern. Die Düsen44a und44b sind vorzugsweise so gestaltet, dass sie die an der Oberfläche des Wafers24 gebildeten Schichten mit einem im Wesentlichen flachen Profil versehen. - Während der Reaktor
10 arbeitet, und insbesondere während der PECVD-Behandlung des Wafers24 , ist der Düsenaufbau70 dem Plasma ausgesetzt. Der Gaseinspritzverteiler17 ist vorzugsweise geerdet, es sei denn, dass der Düsenaufbau70 aus einem dielektrischen Material hergestellt ist. - Der Verteiler
17 ist von besonderem Vorteil bei der CVD-Behandlung verstärkt durch Plasma hoher Dichte aufgrund der Effekte auf dem Gasstrom durch Faktoren, wie die hohe Dichte des Plasmas, der niedrige Druck des Reaktors10 von weniger als 3 bis 4 mTorr, verglichen mit mehr als 100 mTorr bei herkömmlichen plasmaverstärkten Systemen, und der relativ hohen Elektronentemperatur Te. Aufgrund des geringeren Kammerdrucks ist die mittlere freie Weglänge groß und führt zu einer schnellen Dispersion der gasförmigen Chemikalie weg vom Einspritzpunkt (d.h. dem Auslass des zweiten Gaseinspritzverteilers17 ), so dass die unmittelbare Nähe des Verteilers17 zur Oberfläche des Wafers24 den effizienten Einsatz von Chemikalien ermöglicht und eine gleichförmige Gasverteilung über der Waferebene begünstigt. - Wie vorstehend erwähnt, ist in der Behandlungskanmer
16 ein Waferträger20 zum Befestigen des Wafers24 während der Behandlung angebracht. Der Waferträger20 ist allgemein unten stehend beschrieben; weitere Einzelheiten ergeben sich jedoch aus der anhängigen Anmeldung Ser. No. 08/500,480 (WO 97/03495). Gemäß2 ,5b und7 hat der Waferträger20 insgesamt ein Trägergehäuse50 mit einer Trägerfläche52 zum Halten eines Wafers24 , eine Spannungsquelle74 , die mit dem Trägergehäuse für eine elektrostatische Koppelung des Wafers mit der Trägerfläche gekoppelt ist, und ein Kühlsystem78 zum Kühlen des Wafers. Das Kühlsystem hat eine Vielzahl von Gasverteilungsnuten (nicht gezeigt), die in der Trägerfläche52 für ein gleichförmiges Verteilen einer gasförmigen Substanz zwischen dem Wafer24 und der Trägerfläche52 ausgebildet sind. Das Kühlsystem hat einen Drosselmechanismus (nicht gezeigt) in der Leitung zwischen der Gasquelle und den Gasverteilungsnuten, um eine katastrophale Trennung des Wafers24 von der Tragfläche52 im Wesentlichen dann zu verhindern, wenn ein Teil des Wafers von der Tragfläche52 getrennt wird. An der Behandlungskammer16 ist wenigstens ein Armelement21 anbringbar, das sich von dem Trägergehäuse50 aus erstreckt, wobei das Trägergehäuse50 und das Armelement21 vom Boden der Behandlungskammer16 getrennt sind. Gemäß7 ist die vorliegende Ausführungsform des Armelements21 an einer Schlittenanordnung86 angebracht, die ihrerseits durch eine Platte29 lösbar an der Behandlungskammer16 festgelegt ist. - Der Wafer
24 wird von der Trägerfläche52 durch eine Hubanordnung (nicht gezeigt) abgesenkt oder angehoben. Die Hubanordnung hat eine Vielzahl von Hubstiften84 , die sich durch Öffnungen erstrecken, die in der Trägerfläche52 und einer Elektrodenanordnung (nicht gezeigt) ausgebildet sind. Die Hubstifte84 sind zwischen einer ausgefahrenen Position, in der die Stifte den Wafer24 über der Trägerfläche52 halten, und einer eingezogenen Position bewegbar. - Der Waferträger
20 verwendet ein Kühlsystem zum Kühlen des Wafers während der Behandlung. Zwischen der Trägerfläche52 und dem Wafer24 wird eine gasförmige Substanz, wie Helium, Argon, Sauerstoff, Wasserstoff und dergleichen verteilt, um eine im Wesentlichen gleichförmige Kühlung quer über den gesamten Wafer24 bereitzustellen. Das Halten des gesamten Wafers auf einer gleichförmigen Temperatur während der Behandlung verbessert die Gleichförmigkeit der auf der Waferoberfläche ausgebildeten Schichten beträchtlich. - Bei der vorliegenden Ausgestaltung ist der Waferträger
20 insbesondere für den Einsatz bei einer PECVD-Behandlung ausgelegt. Die Elektrodenanordnung (nicht gezeigt) weist Einrichtungen zum Anlegen einer HF-Vorspannung an dem Trägergehäuse50 auf. Die Elektrodenanordnung hat ein Paar von elektrischen Anschlüssen (nicht gezeigt), die innere und äußere Elektroden jeweils mit einer HF-Quelle23 und einem Anpassnetzwerk22 verbinden. Das Anlegen einer HF-Vorspannung an der Trägerfläche52 erhöht das Schwebepotenzial des Plasmas in dem lokalen Bereich der Trägerfläche52 . Die Eigenvorspannung, die durch Anlegen der HF-Vorspannung an die Trägerfläche52 induziert wird, beschleunigt Ionen, die in die Plasmaschicht in dem Bereich des Waferträgers20 und zu dem Wafer24 hin diffundieren. Dies erhöht die Zerstäubungsätzung, die bei der Bildung von hohlraumfreien Schichten aus Material auf der Oberfläche des Wafers24 erwünscht ist. - Die Frequenz der HF-Vorspannung, die an den Waferträger
20 angelegt wird, liegt im Bereich von 1 bis 60 MHz. Vorzugsweise unterscheidet sich die HF-Frequenz der Plasmaquelle12 von der des Waferträgers20 , um die Frequenzschwebung zu minimieren. Vorzugsweise liegt die HF-Frequenz, die an den Waferträger20 angelegt wird, bei etwa 3,39 MHz, während die Plasmaquelle12 bei etwa 13,56 MHz arbeitet. - Während der Behandlung ist der Wafer
24 auf der Trägerfläche52 positioniert, und insbesondere auf Hubstiften54 mittels einer beim Stand der Technik bekannten Transportvorrichtung (nicht gezeigt) platziert. An die wenigstens eine Elektrode des Waferträgers20 ist eine Gleichspannung angelegt, um den Wafer an die Trägerfläche52 elektrostatisch anzuziehen und daran festzuhalten. Nach der Behandlung des Wafers24 wird die Elektrode im Wesentlichen geerdet, um die elektrostatische Ladung für die Freigabe des Wafers24 von der Trägerfläche52 ausreichend zu deaktivieren. Vorzugsweise hat das Trägergehäuse50 zwei Elektroden, wobei an die eine Elektrode eine positive Spannung und an die andere Elektrode eine negative Spannung angelegt wird. Wenn der Wafer24 aus der Behandlungskammer16 entfernt ist, wird vorzugsweise die Polarität der Elektroden für den nächsten Wafer umgekehrt. - Die besondere Anbringung des Waferträgers
20 an der Behandlungskammer16 ist von besonderem Vorteil bei der Behandlung des Wafers24 im Wesentlichen aufgrund der Begünstigung der symmetrischen Gasströmung. Gemäß2 erhält wenigstens ein Armelement21 den Waferträger20 an der Behandlungskammer16 , so dass der Waferträger20 bezüglich der Behandlungskammer16 aufgehängt ist. Das Aufhängen des Waferträgers20 derart, dass er vom Boden der Behandlungskammer16 im Gegensatz zu bekannten Systemen entfernt ist, bietet eine verbesserte Strömungssteuerung während der Behandlung und eine erhöhte Flexibilität in der Auslegung des Gesamtreaktors10 . Bei der bevorzugten Ausgestaltung ist die Vakuumsystempumpe26 im Wesentlichen fluchtend zu der Behandlungskammer16 ausgerichtet, wodurch die Aufstandsfläche des Reaktors10 minimiert und der Wirkungsgrad der Pumpe während des Betriebs verbessert wird. - In
5a und5b sind zwei Ausführungsformen eines Waferträgers20 gezeigt, der in der Behandlungskammer16 angebracht ist. Vorzugsweise werden zwei Armelemente21a und21b , wie in5b gezeigt, verwendet, die sich zu einer Wand der Behandlungskammer16 hin erstrecken. Natürlich können jedoch die Anzahl der Armelemente21 und ihre Position, wo sie an der Behandlungskammer16 befestigt sind, variieren. - Jedes der Armelemente
21a und21b ist mit einer sich in Längsrichtung erstreckenden Bohrung60 versehen, wie es in5b gezeigt ist. Die Bohrungen und das Armelement21a bilden eine Leitung von dem Trägergehäuse50 für die elektrischen Anschlüsse62 und64 , die die Elektroden des Waferträgers20 an die Spannungsquelle74 ankoppeln. Weiterhin koppeln die elektrischen Anschlüsse66 und68 die HF-Quelle an die Elektroden. Die Gasquelle76 und die Fluidquelle78 für die Elektrodenanordnung sind mit dem Trägerkörper50 über Leitungen72 bzw.73 verbunden, die sich durch die Bohrung60 des Armelements21b erstrecken. Alternativ zeigt5a die Verwendung eines Armelements21 , das an der Wand der Behandlungskammer16 angebracht ist, wodurch sich die Fluidquelle78 , die Gasquelle76 , die Gleichstromquelle74 und die HF-Quelle23 sowie ihre jeweiligen Anschlüsse durch die Bohrung des Armelements21 zum Waferträger20 erstrecken. - An der Behandlungskammer
16 ist zum Entleeren des Reaktors10 ein Vakuumsystem funktionsmäßig befestigt. Gemäß1 hat das Vakuumsystem eine Pumpe26 und vorzugsweise ein Vakuumtrennventil25 , das unter dem Waferträger20 und dem Boden der Behandlungskammer16 angeordnet ist. Vorzugsweise sind die Pumpe26 und das Ventil25 im Wesentlichen axial fluchtend zu der Behandlungskammer16 ausgerichtet. Ein solches Pumpe "auf Achse" nach der Erfindung ist von besonderem Vorteil und begünstigt das symmetrische Strömen der Gase in dem Reaktor10 . Die Pumpe26 und das Ventil25 sind bekanntermaßen bevorzugt eine Turbopumpe bzw. ein Schiebeventil. - Ein beträchtlicher Vorteil der Erfindung ist die symmetrische Strömung der Gase in dem Reaktor, der mit der Auslegung nach der Erfindung versehen ist, und die entsprechende Reduzierung der Behinderung der Symmetrie der Pumpenströmung in dem Bereich nahe am Wafer
24 . Gemäß6 ist die symmetrische Strömung in dem Reaktor10 durch Strömungslinien dargestellt. - Bei dem hier beschriebenen Reaktor nach der Erfindung bilden die Anordnung des an der Seite angebrachten Substratträgers
20 und das Pumpen auf Achse ein gleichförmiges Gasverteilungssystem, das so ausgelegt ist, dass sich eine symmetrische Strömung der Gase innerhalb des Reaktors10 ergibt und insbesondere eine gleichförmige Abscheidung und/oder Ätzung über dem Wafer24 begünstigt wird. -
8 zeigt eine alternative Ausgestaltung der Erfindung, bei welcher eine Vielzahl von Reaktoren10a bis10d durch ein übliches bekanntes Transportmodul75 für die Behandlung einer Vielzahl von Wafern verbunden ist. Jeder Reaktor10a ,10b ,10c und10d kann einen gesonderten Behandlungsschritt ausführen, oder es kann der gleiche Behandlungsschritt in jedem Reaktor ausgeführt werden. - D. Reaktorbetrieb
- Um die Ausdehnung des Plasmas in die Behandlungskammer
16 zu begünstigen, hat der erfindungsgemäße Reaktor einen Potenzialgradienten, der eine Diffusion des Plasmas verur sacht. Das Plasma wird nahe an der Spule13 erzeugt und diffundiert nach außen in jede Richtung. Gemäß3a hat der erste Gaseinspritzverteiler eine Oberfläche41 , die dahingehend wirkt, dass das Plasma auf das Spannungspotenzial bezogen wird. Zum Leiten des Plasmas wird der erste Gaseinspritzverteiler15 vorzugsweise geerdet, was das Plasma zur Erzeugung einer leicht positiven Ladung an der Oberfläche41 des Verteilers15 (d.h. das Plasmapotenzial) bewegt. Alternativ kann der erste Gaseinspritzverteiler15 auf irgendeinem Potenzial anstatt auf Masse gehalten werden. Somit ist das Plasma auf ein spezielles Potenzial in dem lokalen Bereich der Oberfläche41 bezogen. Das Plasma erstreckt sich in die Plasmakammer16 , und eine ambipolare Diffusion des Plasmas ersetzt jeden Verlust von geladenen Teilchen in der Behandlungskammer16 , wofür eine stetige Zufuhr von geladenen Teilchen in dem Bereich gesorgt ist, wo die Chemie abläuft, d.h. an dem Waferträger20 . Darüber hinaus ist das erzeugte Plasma ein "kaltes Plasma", d.h. das Plasmapotenzial ist niedrig. Somit ist das Potenzial der Wände sehr niedrig, so dass es weniger wahrscheinlich ist, dass das Plasma die Wände der Kammer erodiert, was die Metallverunreinigung minimiert. Das Plasma ist im Wesentlichen aufgrund der elektrostatischen Abschirmung19 kalt, die den Hauptionisierungsmechanismus dazu zwingt, dass er induktiv ist. - Beim Anlegen der HF-Vorspannung wird an dem Waferträger
20 und dem Wafer24 eine Eigenvorspannung induziert. Die Steuerung der Eigenvorspannung kann durch Inbetrachtziehen des Verhältnisses der Fläche des HF-Vorspannungs-Stromrückführwegs und der Fläche des Wafers beeinflusst werden. Bei einer Ausführungsform beschleunigt die Eigenvorspannung während des Ablegebetriebs Ionen aus der Plasmaschicht in dem Reaktor zur Oberfläche des Wafers24 . Die Ionenzerstäubung ätzt die Materialschicht, wenn sie abgelegt wird, wodurch die Ablage eines hohlraumfreien, dichten guten Qualitätsfilms verbessert wird. Die HF-Vorspannung, die an den Waferträger angelegt wird, kann von 75 bis 400 V variieren und vorzugsweise bei etwa 300 V für eine HF-Vorspannungsleistung von 1700 W liegen. - Man möchte die Vorspannungsfrequenz so wählen, dass eine Interferenz mit der Frequenz der Plasmaquelle
12 (d.h. Intermodulation) minimiert wird, jedoch die Frequenz ausreichend hoch ist, damit die Induktion der Gleichstromeigenvorspannung des Wafers möglich ist und damit eine solche Vorspannung ohne übermäßige Leistungsanforderungen erreicht wird. Insgesamt erzeugen die niedrigeren Frequenzen größere induzierte Spannungen auf Kosten einer Oberwelle oben auf der induzierten Spannung. Die Zerstäubungsätzrate an der Oberfläche des Wafers24 ist proportional zu der induzierten Vorspannung. Ein akzeptabler Kompromiss findet sich bei Frequenzen, die größer als 2 MHz und kleiner als oder gleich 13,56 MHz sind. Die bevorzugte Ausführungsform verwendet eine HF-Vorspannfrequenz, die an den Waferträger20 angelegt wird, von 3,39 MHz, deren erste Harmonische mit einer ISM-Frequenz (was für das Instrumenten-, wissenschaftliche und medizinische Frequenzband steht) von 6,78 der Federal Communications Commission (FCC) zusammenfällt und sich ausreichend von der HF-Frequenz der Plasmaquelle12 unterscheidet, um eine Intermodulation zu verhindern und dadurch Steuersysteminstabilitäten zu minimieren. - Die Abhängigkeit der Zerstäubungsätzrate von der Vorspannungsfrequenz ist in
9 gezeigt. Auf dem Waferträger20 wird ein Wafer24 mit einer Oxidschicht angeordnet. Der Druck des Reaktors10 beträgt etwa 1,8 mTorr, und es wird Argongas mit etwa 100 sccm in die Prozesskammer16 eingeführt. Es werden zwei unterschiedliche Vorspannfrequenzen von 3,39 MHz und 13,56 MHz angelegt und die Zerstäubungsätzrate als Funktion der Vorspannungsleistung aufgetragen, die an den Waferträger20 für die beiden Frequenzen angelegt wird. - In dem Reaktor
10 sind zirkulierende HF-Energiefelder vorhanden und sind von besonderer Bedeutung, wenn sie sich nahe bei dem Wafer24 in der Behandlungskammer16 befinden. Ein spezieller Vorteil der Erfindung ist die Funktion des zweiten Gaseinspritzverteilers17 als HF-Stromrückführweg für HF-Ströme, die durch das Vorspannen des Waferträgers mit HF-Energie erzeugt werden. Ein wesentlicher Betrag der zirkulierenden HF-Ströme findet einen Rückkehrweg durch den Verteiler17 . Gemäß4 ist der zweite Gaseinspritzverteiler17 durch zusammenpassende Flächen80 und81 gut geerdet, die vorzugsweise mit einem geeigneten Material, wie Nickel, plattiert sind, um den gegenseitigen Metallflächenkontakt zwischen dem Plasmagehäuse40 und dem Düsenabschnitt70 zu verbessern. Die anschließenden Oberflächen des Metalls sind so ausgelegt, dass sie einen Kontakt mit niedriger Impedanz begünstigen, wobei ein spezielles Dichtungsmaterial, beispielsweise ein bekanntes Spiralschild, verwendet wird. Der Verteiler17 ist mit Masse verbunden, und die zusammenpassenden Flächen80 und81 bilden den Rückführweg für die HF-Energie, die erzeugt wird, wenn die HF-Vorspannung an den Waferträger20 angelegt ist. Die HF-Ströme verlaufen längs der Oberflächen, nicht durch die Masse des Metalls. Dementsprechend wird das Dichtungsmaterial nahe an den Metallberührungsflächen angeordnet. Darüber hinaus ist die Platzierung des Verteilers17 in der Behandlungskammer16 wichtig. Der Verteiler17 wird in unmittelbarer Nähe zum Waferträger20 verglichen mit der unmittelbaren Nähe der Plasmaquelle12 und des ersten Gaseinspritzverteilers15 an dem Waferträger20 angeordnet. Die zirkulierenden HF-Ströme treffen insgesamt auf den zweiten Gaseinspritzsammler17 und werden entfernt, bevor sie auf andere Komponenten treffen. In dem Fall, in welchem die HF-Ströme durch die Plasmaquelle12 im Gegensatz zur vorliegenden Erfindung zurückkehren, kann die Resonanz der Plasmaquelle12 nachteilig beeinflusst werden. Wie vorstehend beschrieben, sind auch die Frequenzen ausreichend verschieden, um zu vermeiden, dass dies eintritt. - Der Reaktor
10 der Erfindung ist besonders für einen stabilen, im Wesentlichen wiederholbaren Betrieb geeignet, indem für eine Trennung der HF-Ströme und des Plasmapotenzials der Quelle10 und des ersten Verteilers15 von dem Waferträger20 gesorgt wird. Eine solche Trennung ermöglicht, dass das Plasmapotenzial an der Fläche41 des ersten Gasverteilers15 genau bestimmt und aufrechterhalten wird. Ohne ein genau bestimmtes Plasmapotenzial kann sich das System von Tag zu Tag abhängig von der Größe des Plasmakontakts mit der Fläche41 des ersten Gasverteilers15 ändern, was dazu führt, dass das System driftet und die Wiederholbarkeit des Abscheideprozesses nachteilig beeinflusst. Wesentlich ist zu vermerken, dass sich die mechanische Ausgestaltung des zweiten Gasverteilers17 beträchtlich ändern kann, während die gleiche HF-Rückführfunktion, wie oben beschrieben, erreicht wird, und dass alle solchen mechanischen Änderungen innerhalb des Rahmens der Erfindung liegen. - Wie vorstehend erwähnt, liegt ein besonderer Vorteil der Erfindung in der symmetrischen Strömung der Gase in dem Reaktor, die durch die erfindungsgemäße Konstruktion und die auf Achse befindliche Pumpe insbesondere vorgesehen wird, was einer Reduzierung der Interferenz mit der Symmetrie des Pumpenstroms in dem Bereich nahe an dem Wafer
24 entspricht. Gemäß6 wird die symmetrische Strömung in dem Reaktor10 durch Strömungslinien dargestellt und zeigt einen erwünschten gleichförmigen radialen Strom auf der Waferebene. Bei niedrigen Drucken ist die mittlere freie Weglänge des Gases relativ groß, so dass es weniger Kollisionen zwischen den Molekülen gibt. Die Gasdichte soll jedoch äußerst gleichförmig in dem Bereich in unmittelbarer Nähe des Wafers sein. Dies wird durch den Reaktor verbessert, indem die gleiche effektive Pumpgeschwindigkeit um die Waferebene herum an dem Waferträger20 vorgesehen wird. Eine gleiche effektive Pumpgeschwindigkeit wird dadurch erreicht, dass der Wafer und die Pumpe zu der Behandlungskammer axial fluchtend ausgerichtet werden, so dass die geometrische Ausrüstung die Strömung mit gleichem Abstand um den Wafer herum begünstigt. Dadurch ist der Gasstrom über dem Wafer symmetrisch, was die gleichförmige Behandlung des Wafers verbessert. Darüber hinaus werden während des Reak tor-Selbstreinigungsvorgangs Gase vorzugsweise durch den ersten Gaseinspritzverteiler15 eingespritzt, wobei die längs der Symmetrieachse angeordnete Pumpe den gleichförmigen Gasstrom und somit die Reinigungswirkung in dem ganzen Reaktor10 verbessert. - Die erfindungsgemäße Auslegung des Reaktors
10 begünstigt die Abscheidung gleichförmiger Filme, was in10a und10b gezeigt ist. Es wird ein Wafer24 vorgesehen, der ein Substrat80 aufweist, auf dem eine Vielzahl von Bauelementstrukturen81a bis81d ausgebildet ist. Der Spaltabstand zwischen den Elementstrukturen81a und81b beträgt 0,25 μm, während der Spaltabstand zwischen den Elementstrukturen81a und81c 0,30 μm beträgt. Das Seitenverhältnis liegt bei 2,5:1. Auf den Elementstrukturen81 und dem Substrat80 im Reaktor dieser Erfindung wird eine Oxidschicht82 abgeschieden. Wie gezeigt, scheiden der Reaktor10 und das Verfahren erfolgreich hohlraumfreie Schichten ab, die die Spalte von 0,25 μm und 0,30 μm mit hervorragender Stufenabdeckung füllen. - In
11 ist die Abscheidungsrate als Funktion der HF-Vorspannung gezeigt, die bei der Erfindung an den Waferträger angelegt wird. Die Abscheidungsrate ist normalisiert und dargestellt als die Abscheidungsrate pro Silanstrom (μm pro Minute pro sccm), die dann als Funktion der HF-Vorspannungsleistung (Watt) aufgetragen ist, die an den Waferträger angelegt ist. - Die vorstehende Beschreibung der speziellen Ausführungsformen der Erfindung wurden zum Zwecke der Erläuterung und Beschreibung angegeben. Sie sollen nicht erschöpfend sein oder die Erfindung auf die genauen offenbarten Formen beschränken; offensichtlich sind viele Modifizierungen, Ausführungen und Variationen im Lichte der obigen Lehre möglich. Der Rahmen der Erfindung soll durch die beiliegenden Ansprüche definiert sein.
Claims (28)
- Plasmaverstärkter chemischer Behandlungsreaktor (
10 ) – mit einer Plasmakammer (18 ), – mit einem ersten Gaseinspritzverteiler (15 ), der mit der Plasmakammer (18 ) für die Aufnahme wenigstens eines ersten Gases in Verbindung steht und der die Oberseite der Plasmakammer (18 ) bildet, – mit einer Quelle für elektromagnetische Energie (12 ) zum Erregen des wenigstens einen ersten Gases zur Bildung eines Plasmas, – mit einer Behandlungskammer (16 ), die mit der Plasmakammer (18 ) in Verbindung steht, wodurch sich das Plasma in die Behandlungskammer (16 ) erstreckt, – mit einem Waferträger (20 ) zum Halten eines Wafers (24 ), wobei der Waferträger (20 ) in der Behandlungskammer (16 ) angeordnet ist, – mit einem zweiten Gasverteiler (17 ), der in der Behandlungskammer (16 ) angeordnet ist und den Waferträger (20 ) umgibt, um reaktive Gase zu dem Waferträger zu führen, wodurch die reaktiven Gase mit dem Plasma interagieren um die Oberfläche eines Wafers (24 ) zu behandeln, der auf dem Waferträger (20 ) gehalten wird, und – mit einem Vakuumsystem zum Entfernen von Gasen vom Boden der Behandlungskammer (16 ). - Reaktor (
10 ) nach Anspruch 1, bei welchem die Quelle für die elektromagnetische Energie (12 ) eine induktiv gekoppelte Plasmaquelle ist. - Reaktor (
10 ) nach Anspruch 1, bei welchem die Quelle für elektromagnetische Energie (12 ) einen wendelförmigen Resonator (13 ) und eine kapazitive Abschirmung (19 ) aufweist, die in dem wendelförmigen Resonator (20 ) angeordnet ist. - Reaktor (
10 ) nach Anspruch 1, bei welchem der Waferträger (20 ) an wenigstens einer Fläche der Behandlungskammer (16 ) so befestigt ist, dass der Waferträger (20 ) in der Prozesskammer (16 ) aufgehängt ist. - Reaktor (
10 ) nach Anspruch 1, bei welchem das Vakuumsystem eine Turbopumpe (26 ) aufweist. - Reaktor (
10 ) nach Anspruch 5, bei welchem das Vakuumsystem weiterhin ein Vakuumtrennventil (25 ) aufweist, das zwischen der Behandlungskammer (16 ) und der Pumpe (26 ) angeordnet ist, um die Behandlungskammer von der Pumpe zu trennen. - Reaktor nach Anspruch 1, bei welchem der zweite Gasverteiler (
17 ) eine Vielzahl von im Abstand angeordneten Düsen zum Verteilen von Gasen nahe am Wafer aufweist. - Reaktor (
10 ) nach Anspruch 1, bei welchem der Waferträger (20 ) – einen Trägerkörper mit einer Trägerfläche zum Halten des Wafers (24 ), – eine Spannungsquelle (23 ), die mit dem Trägerkörper für eine elektrostatische Koppelung des Wafers (24 ) mit der Trägerfläche gekoppelt ist, – ein Kühlsystem, das eine Vielzahl von Gasverteilungsnuten aufweist, die in der Trägerfläche (52 ) ausgebildet und für eine gleichförmige Verteilung einer gasförmigen Substanz zwischen dem Wafer (24 ) und der Trägerfläche (52 ) ausgebildet sind und – wenigstens ein Element mit zwei Enden aufweist, von denen eines an dem Trägerkörper (50 ) und das andere an einer Fläche der Behandlungskammer (16 ) festgelegt ist. - Reaktor (
10 ) nach Anspruch 8, bei welchem das wenigstens eine Element an einer vertikalen Fläche der Behandlungskammer (16 ) so festgelegt ist, dass der Trägerkörper in der Behandlungskammer aufgehängt ist. - Reaktor (
10 ) nach Anspruch 8 oder Anspruch 9, bei welchem das wenigstens eine Element hohl ist und in sich wenigstens eine Leitung für den Durchgang von Kühlmedium zu dem Trägerkörper (50 ) sowie wenigstens eine Leitung zum Anschließen von Gleichstromenergie an den Waferträger enthält. - Reaktor (
10 ) nach Anspruch (10), bei welchem das wenigstens eine Element weiterhin wenigstens eine Leitung zum Einkoppeln von HF-Energie in den Waferhalter aufweist. - Reaktor (
10 ) nach Anspruch 1, bei welchem der Waferhalter (20 ) an einer Schlittenanordnung (86 ) festgelegt ist, die an der Behandlungskammer (16 ) so befestigt ist, dass der Waferträger (20 ) aus der Behandlungskammer entfernt werden kann. - Reaktor (
10 ) nach Anspruch 1, bei welchem der erste Gasverteiler (15 ) wenigstens eine in ihm ausgebildete Kammer für die Aufnahme von wenigstens einer gasförmigen Chemikalie und eine Vielzahl von Löchern aufweist, die mit jeder der wenigstens einen Kammer und den längs der Kammer angeordneten Löchern zum Verteilen der wenigstens einen gasförmigen Chemikalie auf die Plasmakammer (18 ) in Verbindung steht. - Reaktor (
10 ) nach Anspruch 1, bei welchem die Plasmakammer (18 ) zylindrisch ist, die Behandlungskammer zylindrisch ist und das Vakuumsystem auf der Achse der Behandlungskammer angeordnet ist. - Reaktor (
10 ) nach Anspruch 14, bei welchem der zweite Gasverteiler (17 ) weiterhin so angeordnet ist, dass die reaktiven Gase so geleitet werden, dass sie mit dem Plasma für das Abscheiden einer Materialschicht auf der Oberfläche des Wafers (24 ) zusammenwirken. - Reaktor (
10 ) nach Anspruch 14, bei welchem der zweite Gasverteiler (17 ) für ein solches Leiten der reaktiven Gase angeordnet ist, dass sie mit dem Plasma zusammenwirken, um die Oberfläche des Wafers (24 ) zu ätzen. - Reaktor (
10 ) nach Anspruch 1, bei welchem – der Waferträger (20 ) so angeordnet ist, dass er im Wesentlichen axial zu der Behandlungskammer (16 ) ausgerichtet ist, – der zweite Gasverteiler (17 ) so angeordnet ist, dass er im Wesentlichen axial zu der Behandlungskammer (16 ) ausgerichtet und zum Leiten der reaktiven Gase zu dem Waferträger (20 ) ausgelegt ist, wodurch die reaktiven Gase mit dem Plasma zusammenwirken und ein Material auf dem Wafer (24 ) abscheiden, und – das Vakuumsystem im Wesentlichen axial zu der Behandlungskammer (16 ) ausgerichtet ist. - Reaktor (
10 ) nach Anspruch 17, bei welchem der erste Gasverteiler (15 ) – eine Vielzahl von Kanälen, die in ihm für ein getrenntes Aufnehmen wenigstens einer gasförmigen Chemikalie und – eine Vielzahl von Löchern aufweist, die mit jedem der Kanäle in Verbindung stehen, um die wenigstens eine gasförmige Chemikalie getrennt auf die Plasmakammer (16 ) zu verteilen. - Reaktor (
10 ) nach Anspruch 1, bei welchem der Waferträger (20 ) auf einer Achse in der Behandlungskammer (16 ) angeordnet und an wenigstens einer Fläche der Behandlungskammer (16 ) so festgelegt ist, dass der Waferträger (20 ) in der Behandlungskammer (16 ) aufgehängt ist. - Verfahren zum Betreiben eines plasmaverstärkten chemischen Behandlungsreaktors (
10 ), der eine Plasmakammer mit einer oberen Fläche, einen ersten Gaseinspritzverteiler (15 ), der mit der Plasmakammer (18 ) in Verbindung steht und die obere Fläche der Plasmakammer (18 ) bildet, eine Behandlungskammer (16 ), die einen Waferträger (20 ) zum Halten eines Wafers (24 ) hat, der in der Behandlungskammer angeordnet ist, und einen zweiten Gasverteiler (17 ) zum Leiten von reaktiven Gasen zu dem Waferträger hin aufweist, wobei das Verfahren die Schritte aufweist: – Erzeugen eines Plasmas in der Plasmakammer (18 ), – Verweisen des Plasmas auf ein erstes Spannungspotential längs der oberen Fläche und – Anlegen von HF-Energie an den Waferträger, wodurch ein zweites Spannungspotential erzeugt wird, – wobei die Differenz zwischen dem ersten Spannungspotential und dem zweiten Spannungspotential eine Diffusion des Plasmas zu dem Bereich in unmittelbarer Nähe des Waferträgers (20 ) induziert. - Verfahren nach Anspruch 20, welches den zusätzlichen Schritt aufweist, wenigstens eine gasförmige Chemikalie in die Behandlungskammer (
16 ) in der Nähe des Waferträgers (20 ) einzuführen, wodurch die wenigstens eine gasförmige Chemikalie und das Plasma in der Nähe des Waferträgers (20 ) so interagieren, dass eine Materialschicht auf dem Wafer (24 ) abgeschieden wird. - Verfahren nach Anspruch 20, welches den zusätzlichen Schritt aufweist, wenigstens eine gasförmige Chemikalie in die Behandlungskammer (
16 ) in der Nähe des Waferträgers (20 ) und in die Plasmakammer (16 ) einzuführen, wodurch die wenigstens eine gasförmige Chemikalie und das Plasma in der Nähe des Waferträgers (20 ) zum Abscheiden einer Materialschicht auf dem Wafer (24 ) zusammenwirken. - Verfahren nach Anspruch 20, welches den zusätzlichen Schritt aufweist, wenigstens eine gasförmige Chemikalie in die Behandlungskammer (
16 ) einzuführen, wodurch die wenigstens eine gasförmige Chemikalie und das Plasma in der Nähe des Waferträgers (20 ) zum Ätzen der Oberfläche des Wafers (24 ) interagieren. - Verfahren nach Anspruch 20, welches den zusätzlichen Schritt aufweist, wenigstens eine gasförmige Chemikalie in die Behandlungskammer und in die Plasmakammer einzuführen, wodurch die wenigstens eine gasförmige Chemikalie und das Plasma nahe an dem Waferträger zum Ätzen der Oberfläche des Wafers interagieren.
- Verfahren nach Anspruch 20, bei welchem der Schritt des Verweisens des Plasmas weiterhin das Bereitstellen einer Verbindung für die obere Fläche mit der elektrischen Masse und das Erzeugen eines Potentials in dem Bereich von im Wesentlichen
10 bis30 Volt an der oberen Platte aufweist. - Verfahren nach Anspruch 20, bei welcher der Schritt des Anlegens von HF-Energie an den Waferträger (
20 ) weiterhin das Anlegen von HF-Energie im Bereich von im Wesentlichen1 bis 60 MHz aufweist. - Verfahren nach Anspruch 20, bei welchem der Schritt des Anlegens von HF-Energie an den Waferträger (
20 ) weiterhin das Anlegen von HF-Energie bei etwa 3,39 MHz aufweist. - Verfahren nach Anspruch 20, welches den zusätzlichen Schritt aufweist, wenigstens eine gasförmige Chemikalie in die Plasmakammer (
16 ) einzuführen, wodurch sich die wenigstens eine gasförmige Chemikalie in die Behandlungskammer erstreckt und die Oberflächen der Plasma- und Behandlungskammer (18 ,16 ) reinigt.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US50049395A | 1995-07-10 | 1995-07-10 | |
US500493 | 1995-07-10 | ||
PCT/US1996/010705 WO1997003224A1 (en) | 1995-07-10 | 1996-06-21 | A plasma enhanced chemical processing reactor and method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69636286D1 DE69636286D1 (de) | 2006-08-03 |
DE69636286T2 true DE69636286T2 (de) | 2007-04-12 |
Family
ID=23989658
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69636286T Expired - Fee Related DE69636286T2 (de) | 1995-07-10 | 1996-06-21 | Plasmaunterstützter chemischer reaktor und verfahren |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US6001267A (de) |
EP (1) | EP0839217B1 (de) |
JP (1) | JP3701390B2 (de) |
KR (1) | KR100241171B1 (de) |
CN (1) | CN1160479C (de) |
AT (1) | ATE331053T1 (de) |
DE (1) | DE69636286T2 (de) |
TW (1) | TW283250B (de) |
WO (1) | WO1997003224A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010056021B3 (de) * | 2010-12-23 | 2012-04-19 | Centrotherm Sitec Gmbh | Düsenanordnung und CVD-Reaktor |
Families Citing this family (498)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6193878B1 (en) * | 1995-01-25 | 2001-02-27 | Zpm, Inc. | Multi-modal method and apparatus for treating a solution |
TW283250B (en) | 1995-07-10 | 1996-08-11 | Watkins Johnson Co | Plasma enhanced chemical processing reactor and method |
US6070551A (en) * | 1996-05-13 | 2000-06-06 | Applied Materials, Inc. | Deposition chamber and method for depositing low dielectric constant films |
US5948704A (en) * | 1996-06-05 | 1999-09-07 | Lam Research Corporation | High flow vacuum chamber including equipment modules such as a plasma generating source, vacuum pumping arrangement and/or cantilevered substrate support |
US5820723A (en) * | 1996-06-05 | 1998-10-13 | Lam Research Corporation | Universal vacuum chamber including equipment modules such as a plasma generating source, vacuum pumping arrangement and/or cantilevered substrate support |
US6170428B1 (en) * | 1996-07-15 | 2001-01-09 | Applied Materials, Inc. | Symmetric tunable inductively coupled HDP-CVD reactor |
US5862223A (en) | 1996-07-24 | 1999-01-19 | Walker Asset Management Limited Partnership | Method and apparatus for a cryptographically-assisted commercial network system designed to facilitate and support expert-based commerce |
JP3640478B2 (ja) * | 1996-09-20 | 2005-04-20 | アネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
EP0854210B1 (de) * | 1996-12-19 | 2002-03-27 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Aufdampfungsvorrichtung zur Herstellung von Dünnfilmen |
US6184158B1 (en) * | 1996-12-23 | 2001-02-06 | Lam Research Corporation | Inductively coupled plasma CVD |
US6749717B1 (en) | 1997-02-04 | 2004-06-15 | Micron Technology, Inc. | Device for in-situ cleaning of an inductively-coupled plasma chambers |
TW417249B (en) * | 1997-05-14 | 2001-01-01 | Applied Materials Inc | Reliability barrier integration for cu application |
US5994662A (en) * | 1997-05-29 | 1999-11-30 | Applied Materials, Inc. | Unique baffle to deflect remote plasma clean gases |
US6083344A (en) * | 1997-05-29 | 2000-07-04 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone RF inductively coupled source configuration |
US6189483B1 (en) | 1997-05-29 | 2001-02-20 | Applied Materials, Inc. | Process kit |
US6109206A (en) * | 1997-05-29 | 2000-08-29 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma source for chamber cleaning |
US6286451B1 (en) * | 1997-05-29 | 2001-09-11 | Applied Materials, Inc. | Dome: shape and temperature controlled surfaces |
JPH1167675A (ja) * | 1997-08-21 | 1999-03-09 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 高速回転気相薄膜形成装置及びそれを用いる高速回転気相薄膜形成方法 |
US6129807A (en) | 1997-10-06 | 2000-10-10 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for monitoring processing of a substrate |
US5903106A (en) * | 1997-11-17 | 1999-05-11 | Wj Semiconductor Equipment Group, Inc. | Plasma generating apparatus having an electrostatic shield |
US6041735A (en) * | 1998-03-02 | 2000-03-28 | Ball Semiconductor, Inc. | Inductively coupled plasma powder vaporization for fabricating integrated circuits |
JPH11193468A (ja) * | 1997-12-30 | 1999-07-21 | Shimadzu Corp | 薄膜形成装置 |
KR100524204B1 (ko) * | 1998-01-07 | 2006-01-27 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 가스 처리장치 |
KR100370440B1 (ko) * | 1998-03-05 | 2003-02-05 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
JPH11274137A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-10-08 | Kenichi Nanbu | エッチング方法 |
US6390019B1 (en) * | 1998-06-11 | 2002-05-21 | Applied Materials, Inc. | Chamber having improved process monitoring window |
JP2000183037A (ja) * | 1998-12-11 | 2000-06-30 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置 |
US7077159B1 (en) * | 1998-12-23 | 2006-07-18 | Applied Materials, Inc. | Processing apparatus having integrated pumping system |
USRE40195E1 (en) * | 1998-12-30 | 2008-04-01 | Tokyo Electron Limited | Large area plasma source |
US6263829B1 (en) * | 1999-01-22 | 2001-07-24 | Applied Materials, Inc. | Process chamber having improved gas distributor and method of manufacture |
US6374831B1 (en) * | 1999-02-04 | 2002-04-23 | Applied Materials, Inc. | Accelerated plasma clean |
US6394109B1 (en) | 1999-04-13 | 2002-05-28 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for removing carbon contamination in a sub-atmospheric charged particle beam lithography system |
KR100584818B1 (ko) * | 1999-04-16 | 2006-05-30 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 반도체 장치의 제조 방법 및 그 제조 라인 |
US6402848B1 (en) | 1999-04-23 | 2002-06-11 | Tokyo Electron Limited | Single-substrate-treating apparatus for semiconductor processing system |
DE60043505D1 (de) | 1999-05-06 | 2010-01-21 | Tokyo Electron Ltd | Apparat für die plasma-behandlung |
US6395095B1 (en) * | 1999-06-15 | 2002-05-28 | Tokyo Electron Limited | Process apparatus and method for improved plasma processing of a substrate |
US6143144A (en) * | 1999-07-30 | 2000-11-07 | Tokyo Electronlimited | Method for etch rate enhancement by background oxygen control in a soft etch system |
US6225745B1 (en) * | 1999-12-17 | 2001-05-01 | Axcelis Technologies, Inc. | Dual plasma source for plasma process chamber |
WO2001046492A1 (en) * | 1999-12-22 | 2001-06-28 | Tokyo Electron Limited | Method and system for reducing damage to substrates during plasma processing with a resonator source |
US6426280B2 (en) | 2000-01-26 | 2002-07-30 | Ball Semiconductor, Inc. | Method for doping spherical semiconductors |
JP2001323376A (ja) * | 2000-03-06 | 2001-11-22 | Canon Inc | 堆積膜の形成装置 |
EP1139402A1 (de) * | 2000-03-27 | 2001-10-04 | Infineon Technologies AG | Verfahren und Vorrichtung zur Abscheidung einer dielektrischen Schicht |
US6592709B1 (en) * | 2000-04-05 | 2003-07-15 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for plasma processing |
US20020078893A1 (en) * | 2000-05-18 | 2002-06-27 | Applied Materials , Inc. | Plasma enhanced chemical processing reactor and method |
US6709522B1 (en) | 2000-07-11 | 2004-03-23 | Nordson Corporation | Material handling system and methods for a multichamber plasma treatment system |
US6481447B1 (en) * | 2000-09-27 | 2002-11-19 | Lam Research Corporation | Fluid delivery ring and methods for making and implementing the same |
US6905547B1 (en) * | 2000-12-21 | 2005-06-14 | Genus, Inc. | Method and apparatus for flexible atomic layer deposition |
DE10101548C1 (de) * | 2001-01-15 | 2002-05-29 | Infineon Technologies Ag | Reaktionskammer zur Bearbeitung einer Substratscheibe und Verfahren zum Betrieb derselben |
JP4791637B2 (ja) * | 2001-01-22 | 2011-10-12 | キヤノンアネルバ株式会社 | Cvd装置とこれを用いた処理方法 |
US6878206B2 (en) * | 2001-07-16 | 2005-04-12 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
US6673199B1 (en) | 2001-03-07 | 2004-01-06 | Applied Materials, Inc. | Shaping a plasma with a magnetic field to control etch rate uniformity |
US7378127B2 (en) * | 2001-03-13 | 2008-05-27 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition methods |
US20020129768A1 (en) * | 2001-03-15 | 2002-09-19 | Carpenter Craig M. | Chemical vapor deposition apparatuses and deposition methods |
KR100443905B1 (ko) * | 2001-03-23 | 2004-08-09 | 삼성전자주식회사 | 화학 기상 증착장치 |
US6974523B2 (en) * | 2001-05-16 | 2005-12-13 | Lam Research Corporation | Hollow anode plasma reactor and method |
US7159597B2 (en) * | 2001-06-01 | 2007-01-09 | Applied Materials, Inc. | Multistep remote plasma clean process |
US20040144492A1 (en) * | 2001-06-01 | 2004-07-29 | Taro Ikeda | Plasma processing device |
US20060191637A1 (en) * | 2001-06-21 | 2006-08-31 | John Zajac | Etching Apparatus and Process with Thickness and Uniformity Control |
US6868856B2 (en) * | 2001-07-13 | 2005-03-22 | Applied Materials, Inc. | Enhanced remote plasma cleaning |
KR100433285B1 (ko) * | 2001-07-18 | 2004-05-31 | 주성엔지니어링(주) | 멀티 홀 앵글드 가스분사 시스템을 갖는 반도체소자제조장치 |
US6677250B2 (en) * | 2001-08-17 | 2004-01-13 | Micron Technology, Inc. | CVD apparatuses and methods of forming a layer over a semiconductor substrate |
US6926926B2 (en) * | 2001-09-10 | 2005-08-09 | Applied Materials, Inc. | Silicon carbide deposited by high density plasma chemical-vapor deposition with bias |
US6461436B1 (en) * | 2001-10-15 | 2002-10-08 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and process of improving atomic layer deposition chamber performance |
US6916398B2 (en) | 2001-10-26 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition |
US7780785B2 (en) * | 2001-10-26 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus for atomic layer deposition |
KR100446619B1 (ko) * | 2001-12-14 | 2004-09-04 | 삼성전자주식회사 | 유도 결합 플라즈마 장치 |
JP2003201566A (ja) * | 2002-01-08 | 2003-07-18 | Mitsubishi Electric Corp | 化学気相堆積装置 |
JP4574987B2 (ja) * | 2002-01-10 | 2010-11-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
US7229666B2 (en) * | 2002-01-22 | 2007-06-12 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition method |
AU2003238853A1 (en) * | 2002-01-25 | 2003-09-02 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for cyclical deposition of thin films |
US7351291B2 (en) * | 2002-02-20 | 2008-04-01 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor processing system |
US6787185B2 (en) * | 2002-02-25 | 2004-09-07 | Micron Technology, Inc. | Deposition methods for improved delivery of metastable species |
US6843858B2 (en) * | 2002-04-02 | 2005-01-18 | Applied Materials, Inc. | Method of cleaning a semiconductor processing chamber |
US7468104B2 (en) * | 2002-05-17 | 2008-12-23 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition apparatus and deposition method |
KR100483886B1 (ko) * | 2002-05-17 | 2005-04-20 | (주)엔피씨 | 나노분말 양산용 고주파 유도 플라즈마 반응로 |
US20060162656A1 (en) * | 2002-07-31 | 2006-07-27 | Tokyo Electron Limited | Reduced volume, high conductance process chamber |
JP3861036B2 (ja) * | 2002-08-09 | 2006-12-20 | 三菱重工業株式会社 | プラズマcvd装置 |
US6887521B2 (en) * | 2002-08-15 | 2005-05-03 | Micron Technology, Inc. | Gas delivery system for pulsed-type deposition processes used in the manufacturing of micro-devices |
US20040231798A1 (en) * | 2002-09-13 | 2004-11-25 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery system for semiconductor processing |
US20030047536A1 (en) * | 2002-10-02 | 2003-03-13 | Johnson Wayne L. | Method and apparatus for distributing gas within high density plasma process chamber to ensure uniform plasma |
US20040065256A1 (en) * | 2002-10-03 | 2004-04-08 | Kim Gi Youl | Systems and methods for improved gas delivery |
US7097716B2 (en) * | 2002-10-17 | 2006-08-29 | Applied Materials, Inc. | Method for performing fluorocarbon chamber cleaning to eliminate fluorine memory effect |
EP1420080A3 (de) * | 2002-11-14 | 2005-11-09 | Applied Materials, Inc. | Vorrichtung und Verfahren zu hybriden chemischen Abscheidungsverfahren |
KR100862658B1 (ko) * | 2002-11-15 | 2008-10-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 처리 시스템의 가스 주입 장치 |
CN101457338B (zh) * | 2003-02-14 | 2011-04-27 | 应用材料股份有限公司 | 利用含氢自由基清洁自生氧化物的方法和设备 |
JP4588329B2 (ja) * | 2003-02-14 | 2010-12-01 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ発生装置およびリモートプラズマ処理装置 |
US6818249B2 (en) * | 2003-03-03 | 2004-11-16 | Micron Technology, Inc. | Reactors, systems with reaction chambers, and methods for depositing materials onto micro-device workpieces |
US7037376B2 (en) * | 2003-04-11 | 2006-05-02 | Applied Materials Inc. | Backflush chamber clean |
US7045014B2 (en) * | 2003-04-24 | 2006-05-16 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly |
JP4179041B2 (ja) * | 2003-04-30 | 2008-11-12 | 株式会社島津製作所 | 有機el用保護膜の成膜装置、製造方法および有機el素子 |
JP4394073B2 (ja) * | 2003-05-02 | 2010-01-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理ガス導入機構およびプラズマ処理装置 |
CN100508117C (zh) * | 2003-05-02 | 2009-07-01 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置 |
JP4074224B2 (ja) * | 2003-06-26 | 2008-04-09 | 住友重機械工業株式会社 | 真空装置及び電子ビーム近接露光装置 |
US6829056B1 (en) | 2003-08-21 | 2004-12-07 | Michael Barnes | Monitoring dimensions of features at different locations in the processing of substrates |
CN1313640C (zh) * | 2003-09-18 | 2007-05-02 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 等离子体增强式化学气相沉积处理方法 |
KR101025323B1 (ko) * | 2004-01-13 | 2011-03-29 | 가부시키가이샤 아루박 | 에칭 장치 및 에칭 방법 |
US7431772B2 (en) * | 2004-03-09 | 2008-10-07 | Applied Materials, Inc. | Gas distributor having directed gas flow and cleaning method |
US20050252449A1 (en) | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Nguyen Son T | Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system |
US7699932B2 (en) | 2004-06-02 | 2010-04-20 | Micron Technology, Inc. | Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces |
US7780791B2 (en) * | 2004-06-30 | 2010-08-24 | Lam Research Corporation | Apparatus for an optimized plasma chamber top piece |
US8540843B2 (en) | 2004-06-30 | 2013-09-24 | Lam Research Corporation | Plasma chamber top piece assembly |
KR100614648B1 (ko) * | 2004-07-15 | 2006-08-23 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조에 사용되는 기판 처리 장치 |
US20060021633A1 (en) * | 2004-07-27 | 2006-02-02 | Applied Materials, Inc. | Closed loop clean gas control |
KR100589046B1 (ko) * | 2004-09-23 | 2006-06-12 | 삼성전자주식회사 | 박막 형성 방법 |
CN100369201C (zh) * | 2004-11-17 | 2008-02-13 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 一种高密度等离子体化学气相沉淀装置 |
EP1866465A2 (de) | 2005-01-18 | 2007-12-19 | ASM America, Inc. | Reaktionssystem zur herstellung eines dünnen films |
US20060162661A1 (en) * | 2005-01-22 | 2006-07-27 | Applied Materials, Inc. | Mixing energized and non-energized gases for silicon nitride deposition |
CN100462300C (zh) * | 2005-07-29 | 2009-02-18 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 碳纳米管生长装置 |
US7651587B2 (en) | 2005-08-11 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Two-piece dome with separate RF coils for inductively coupled plasma reactors |
CN101150909B (zh) * | 2006-09-22 | 2010-05-12 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体约束装置 |
US20070084407A1 (en) * | 2005-10-14 | 2007-04-19 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Apparatus and method for manufacturing carbon nanotubes |
KR100725108B1 (ko) * | 2005-10-18 | 2007-06-04 | 삼성전자주식회사 | 가스 공급 장치 및 이를 갖는 기판 가공 장치 |
US7850779B2 (en) | 2005-11-04 | 2010-12-14 | Applied Materisals, Inc. | Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition |
US8097120B2 (en) * | 2006-02-21 | 2012-01-17 | Lam Research Corporation | Process tuning gas injection from the substrate edge |
GB0616131D0 (en) * | 2006-08-14 | 2006-09-20 | Oxford Instr Plasma Technology | Surface processing apparatus |
US20080118663A1 (en) * | 2006-10-12 | 2008-05-22 | Applied Materials, Inc. | Contamination reducing liner for inductively coupled chamber |
JP5074741B2 (ja) * | 2006-11-10 | 2012-11-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置 |
US7976634B2 (en) * | 2006-11-21 | 2011-07-12 | Applied Materials, Inc. | Independent radiant gas preheating for precursor disassociation control and gas reaction kinetics in low temperature CVD systems |
JP5426811B2 (ja) * | 2006-11-22 | 2014-02-26 | パール工業株式会社 | 高周波電源装置 |
US20080206987A1 (en) | 2007-01-29 | 2008-08-28 | Gelatos Avgerinos V | Process for tungsten nitride deposition by a temperature controlled lid assembly |
US8715455B2 (en) * | 2007-02-06 | 2014-05-06 | Tokyo Electron Limited | Multi-zone gas distribution system for a treatment system |
US20080190364A1 (en) * | 2007-02-13 | 2008-08-14 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly |
CN101657565A (zh) * | 2007-04-17 | 2010-02-24 | 株式会社爱发科 | 成膜装置 |
US20090023274A1 (en) * | 2007-07-07 | 2009-01-22 | Xinmin Cao | Hybrid Chemical Vapor Deposition Process Combining Hot-Wire CVD and Plasma-Enhanced CVD |
EP2215282B1 (de) * | 2007-10-11 | 2016-11-30 | Valence Process Equipment, Inc. | Cvd-reaktor |
FR2923946A1 (fr) * | 2007-11-21 | 2009-05-22 | Alcatel Lucent Sas | Equipement pour la fabrication de semi-conducteurs, dispositif de pompage et porte-substrat correspondant |
KR100892249B1 (ko) * | 2007-11-21 | 2009-04-09 | 주식회사 디엠에스 | 플라즈마 반응장치 |
US7678715B2 (en) * | 2007-12-21 | 2010-03-16 | Applied Materials, Inc. | Low wet etch rate silicon nitride film |
US8298338B2 (en) | 2007-12-26 | 2012-10-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemical vapor deposition apparatus |
KR101161407B1 (ko) * | 2007-12-26 | 2012-07-09 | 삼성엘이디 주식회사 | 화학기상 증착장치 |
US7879183B2 (en) * | 2008-02-27 | 2011-02-01 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for front side protection during backside cleaning |
US20090221149A1 (en) * | 2008-02-28 | 2009-09-03 | Hammond Iv Edward P | Multiple port gas injection system utilized in a semiconductor processing system |
KR100982987B1 (ko) * | 2008-04-18 | 2010-09-17 | 삼성엘이디 주식회사 | 화학 기상 증착 장치 |
KR101004822B1 (ko) | 2008-04-18 | 2010-12-28 | 삼성엘이디 주식회사 | 화학 기상 증착 장치 |
JP2011521735A (ja) * | 2008-05-30 | 2011-07-28 | コロラド ステート ユニバーシティ リサーチ ファンデーション | プラズマを発生させるためのシステム、方法、および装置 |
US9288886B2 (en) * | 2008-05-30 | 2016-03-15 | Colorado State University Research Foundation | Plasma-based chemical source device and method of use thereof |
US20100212591A1 (en) * | 2008-05-30 | 2010-08-26 | Alta Devices, Inc. | Reactor lid assembly for vapor deposition |
US8852696B2 (en) * | 2008-05-30 | 2014-10-07 | Alta Devices, Inc. | Method for vapor deposition |
US20100206229A1 (en) * | 2008-05-30 | 2010-08-19 | Alta Devices, Inc. | Vapor deposition reactor system |
US8994270B2 (en) | 2008-05-30 | 2015-03-31 | Colorado State University Research Foundation | System and methods for plasma application |
US9028656B2 (en) | 2008-05-30 | 2015-05-12 | Colorado State University Research Foundation | Liquid-gas interface plasma device |
JP5520455B2 (ja) * | 2008-06-11 | 2014-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
WO2010042883A2 (en) * | 2008-10-10 | 2010-04-15 | Alta Devices, Inc. | Concentric showerhead for vapor deposition |
US7967913B2 (en) * | 2008-10-22 | 2011-06-28 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma clean process with cycled high and low pressure clean steps |
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
KR200475462Y1 (ko) * | 2009-03-27 | 2014-12-03 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 처리 장치의 교체 가능한 상부 챔버 섹션 |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US20100270262A1 (en) * | 2009-04-22 | 2010-10-28 | Applied Materials, Inc. | Etching low-k dielectric or removing resist with a filtered ionized gas |
JP5634037B2 (ja) | 2009-06-18 | 2014-12-03 | 三菱重工業株式会社 | 排気構造、プラズマ処理装置及び方法 |
JP5558035B2 (ja) | 2009-06-18 | 2014-07-23 | 三菱重工業株式会社 | プラズマ処理装置及び方法 |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
TWM412453U (en) * | 2009-09-10 | 2011-09-21 | Lam Res Corp | Replaceable upper chamber parts of plasma reaction chamber and ceramic side gas injector |
US8222822B2 (en) * | 2009-10-27 | 2012-07-17 | Tyco Healthcare Group Lp | Inductively-coupled plasma device |
US9127364B2 (en) | 2009-10-28 | 2015-09-08 | Alta Devices, Inc. | Reactor clean |
KR101092122B1 (ko) * | 2010-02-23 | 2011-12-12 | 주식회사 디엠에스 | 에칭 프로파일 제어를 위한 가스 인젝션 시스템 |
JP5889806B2 (ja) * | 2010-03-12 | 2016-03-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 複式噴射を伴う原子層堆積チャンバ |
JP2013529352A (ja) | 2010-03-31 | 2013-07-18 | コロラド ステート ユニバーシティー リサーチ ファウンデーション | 液体−気体界面プラズマデバイス |
US20110308458A1 (en) * | 2010-06-21 | 2011-12-22 | Semes Co., Ltd. | Thin Film Deposition Apparatus |
JPWO2012026241A1 (ja) * | 2010-08-26 | 2013-10-28 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、及び基板処理装置 |
RU2604828C2 (ru) * | 2011-02-03 | 2016-12-10 | Текна Плазма Системз Инк. | Высокопроизводительный индукционный плазматрон |
CN103620729B (zh) * | 2011-04-11 | 2016-10-12 | 朗姆研究公司 | 用于半导体处理的电子束增强解耦源 |
US9695510B2 (en) * | 2011-04-21 | 2017-07-04 | Kurt J. Lesker Company | Atomic layer deposition apparatus and process |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
JP5902896B2 (ja) * | 2011-07-08 | 2016-04-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9212422B2 (en) | 2011-08-31 | 2015-12-15 | Alta Devices, Inc. | CVD reactor with gas flow virtual walls |
US10066297B2 (en) | 2011-08-31 | 2018-09-04 | Alta Devices, Inc. | Tiled showerhead for a semiconductor chemical vapor deposition reactor |
US9175393B1 (en) | 2011-08-31 | 2015-11-03 | Alta Devices, Inc. | Tiled showerhead for a semiconductor chemical vapor deposition reactor |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US9574268B1 (en) | 2011-10-28 | 2017-02-21 | Asm America, Inc. | Pulsed valve manifold for atomic layer deposition |
US9679751B2 (en) | 2012-03-15 | 2017-06-13 | Lam Research Corporation | Chamber filler kit for plasma etch chamber useful for fast gas switching |
US9162236B2 (en) * | 2012-04-26 | 2015-10-20 | Applied Materials, Inc. | Proportional and uniform controlled gas flow delivery for dry plasma etch apparatus |
US9279722B2 (en) | 2012-04-30 | 2016-03-08 | Agilent Technologies, Inc. | Optical emission system including dichroic beam combiner |
US9267205B1 (en) | 2012-05-30 | 2016-02-23 | Alta Devices, Inc. | Fastener system for supporting a liner plate in a gas showerhead reactor |
JP5940375B2 (ja) * | 2012-06-01 | 2016-06-29 | シャープ株式会社 | 気相成長装置および窒化物半導体発光素子の製造方法 |
US9928987B2 (en) | 2012-07-20 | 2018-03-27 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled plasma source with symmetrical RF feed |
US10131994B2 (en) * | 2012-07-20 | 2018-11-20 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled plasma source with top coil over a ceiling and an independent side coil and independent air flow |
US10249470B2 (en) | 2012-07-20 | 2019-04-02 | Applied Materials, Inc. | Symmetrical inductively coupled plasma source with coaxial RF feed and coaxial shielding |
US9082590B2 (en) | 2012-07-20 | 2015-07-14 | Applied Materials, Inc. | Symmetrical inductively coupled plasma source with side RF feeds and RF distribution plates |
US10170279B2 (en) | 2012-07-20 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Multiple coil inductively coupled plasma source with offset frequencies and double-walled shielding |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20140187045A1 (en) * | 2013-01-02 | 2014-07-03 | Applied Materials, Inc. | Silicon nitride gapfill implementing high density plasma |
US9018108B2 (en) | 2013-01-25 | 2015-04-28 | Applied Materials, Inc. | Low shrinkage dielectric films |
US9532826B2 (en) | 2013-03-06 | 2017-01-03 | Covidien Lp | System and method for sinus surgery |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
WO2014163742A1 (en) | 2013-03-12 | 2014-10-09 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas injection assembly with azimuthal and radial distribution control |
US9555145B2 (en) | 2013-03-13 | 2017-01-31 | Covidien Lp | System and method for biofilm remediation |
US9957601B2 (en) * | 2013-03-15 | 2018-05-01 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for gas injection in a physical vapor deposition chamber |
CN107221487B (zh) | 2013-03-15 | 2019-06-28 | 应用材料公司 | 具有高度对称四重式气体注入的等离子体反应器 |
WO2014161199A1 (zh) * | 2013-04-03 | 2014-10-09 | Wang Dongjun | 等离子体增强原子层沉积设备 |
KR102156795B1 (ko) * | 2013-05-15 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 증착 장치 |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US10683571B2 (en) * | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
CN105431924B (zh) * | 2014-04-09 | 2020-11-17 | 应用材料公司 | 用于解决具有改良的流动均匀性/气体传导性的可变的处理容积的对称腔室主体设计架构 |
US20150294843A1 (en) * | 2014-04-09 | 2015-10-15 | Applied Materials, Inc. | Methods for extending chamber component life for plasma processing semiconductor applications |
US20150345019A1 (en) * | 2014-05-30 | 2015-12-03 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for improving gas flow in a substrate processing chamber |
JP5837962B1 (ja) * | 2014-07-08 | 2015-12-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびガス整流部 |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US10113232B2 (en) * | 2014-07-31 | 2018-10-30 | Lam Research Corporation | Azimuthal mixer |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US10883168B2 (en) | 2014-09-11 | 2021-01-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Processing system for small substrates |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
US9951421B2 (en) * | 2014-12-10 | 2018-04-24 | Lam Research Corporation | Inlet for effective mixing and purging |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10297457B2 (en) * | 2015-03-19 | 2019-05-21 | Mattson Technology, Inc. | Controlling azimuthal uniformity of etch process in plasma processing chamber |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
JP7166759B2 (ja) * | 2015-12-04 | 2022-11-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Hdp-cvdチャンバのアーク発生を防止するための高度なコーティング方法および材料 |
CN106876299B (zh) * | 2015-12-11 | 2019-08-23 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体加工设备 |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10825659B2 (en) | 2016-01-07 | 2020-11-03 | Lam Research Corporation | Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector |
US10651015B2 (en) | 2016-02-12 | 2020-05-12 | Lam Research Corporation | Variable depth edge ring for etch uniformity control |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10662527B2 (en) * | 2016-06-01 | 2020-05-26 | Asm Ip Holding B.V. | Manifolds for uniform vapor deposition |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
KR102354490B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-01-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
RU2019110512A (ru) * | 2016-09-09 | 2020-10-09 | Кристиан Ассун | Ремедиация, добыча и рафинирование космического мусора на основе системы pert |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
US10934620B2 (en) | 2016-11-29 | 2021-03-02 | Applied Materials, Inc. | Integration of dual remote plasmas sources for flowable CVD |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
CN107093545B (zh) * | 2017-06-19 | 2019-05-31 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室的下电极机构及反应腔室 |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US11077410B2 (en) | 2017-10-09 | 2021-08-03 | Applied Materials, Inc. | Gas injector with baffle |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10872803B2 (en) | 2017-11-03 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination |
US10872804B2 (en) | 2017-11-03 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
CN111344522B (zh) | 2017-11-27 | 2022-04-12 | 阿斯莫Ip控股公司 | 包括洁净迷你环境的装置 |
CN111316417B (zh) | 2017-11-27 | 2023-12-22 | 阿斯莫Ip控股公司 | 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置 |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
WO2019142055A2 (en) | 2018-01-19 | 2019-07-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
EP3737779A1 (de) | 2018-02-14 | 2020-11-18 | ASM IP Holding B.V. | Verfahren zum abscheiden eines ruthenium-haltigen films auf einem substrat durch ein zyklisches abscheidungsverfahren |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
US10847371B2 (en) | 2018-03-27 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TWI811348B (zh) | 2018-05-08 | 2023-08-11 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
TWI816783B (zh) | 2018-05-11 | 2023-10-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
TW202013553A (zh) | 2018-06-04 | 2020-04-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
JP2021529254A (ja) | 2018-06-27 | 2021-10-28 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法 |
CN112292477A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11694879B2 (en) * | 2018-12-07 | 2023-07-04 | Applied Materials, Inc. | Component, method of manufacturing the component, and method of cleaning the component |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
CN111613508A (zh) * | 2019-02-25 | 2020-09-01 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 进气装置及反应腔室 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
US11492701B2 (en) | 2019-03-19 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor manifolds |
IT201900004609A1 (it) * | 2019-03-27 | 2020-09-27 | Afros Spa | Dispositivo di miscelazione ad alta pressione con condotto di erogazione autopulente sensorizzato. |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7285152B2 (ja) * | 2019-07-08 | 2023-06-01 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TW202121506A (zh) | 2019-07-19 | 2021-06-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210048408A (ko) | 2019-10-22 | 2021-05-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 증착 반응기 매니폴드 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
JP2021097227A (ja) | 2019-12-17 | 2021-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法 |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
FI129609B (en) * | 2020-01-10 | 2022-05-31 | Picosun Oy | SUBSTRATE PROCESSING EQUIPMENT |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
CN111341698B (zh) * | 2020-03-09 | 2022-07-26 | 苏州能讯高能半导体有限公司 | 一种刻蚀设备 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
JP2021172884A (ja) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
CN111501024A (zh) * | 2020-05-08 | 2020-08-07 | Tcl华星光电技术有限公司 | 气相沉积装置 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202147383A (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
US11674227B2 (en) * | 2021-02-03 | 2023-06-13 | Applied Materials, Inc. | Symmetric pump down mini-volume with laminar flow cavity gas injection for high and low pressure |
US20220307129A1 (en) * | 2021-03-23 | 2022-09-29 | Applied Materials, Inc. | Cleaning assemblies for substrate processing chambers |
US20220364231A1 (en) * | 2021-05-11 | 2022-11-17 | Applied Materials, Inc. | Gas injector for epitaxy and cvd chamber |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
DE102022102768A1 (de) * | 2022-02-07 | 2023-08-10 | Stephan Wege | Symmetrischer Prozessreaktor |
Family Cites Families (95)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3634740A (en) | 1970-04-20 | 1972-01-11 | Addressograph Multigraph | Electrostatic holddown |
US3656454A (en) * | 1970-11-23 | 1972-04-18 | Air Reduction | Vacuum coating apparatus |
US3916270A (en) | 1974-05-02 | 1975-10-28 | Tektronix Inc | Electrostatic holddown apparatus |
US4184188A (en) | 1978-01-16 | 1980-01-15 | Veeco Instruments Inc. | Substrate clamping technique in IC fabrication processes |
JPS5846057B2 (ja) | 1979-03-19 | 1983-10-14 | 富士通株式会社 | プラズマ処理方法 |
US4514636A (en) | 1979-09-14 | 1985-04-30 | Eaton Corporation | Ion treatment apparatus |
US4282267A (en) | 1979-09-20 | 1981-08-04 | Western Electric Co., Inc. | Methods and apparatus for generating plasmas |
US4680061A (en) | 1979-12-21 | 1987-07-14 | Varian Associates, Inc. | Method of thermal treatment of a wafer in an evacuated environment |
US4313783A (en) | 1980-05-19 | 1982-02-02 | Branson International Plasma Corporation | Computer controlled system for processing semiconductor wafers |
US4324611A (en) | 1980-06-26 | 1982-04-13 | Branson International Plasma Corporation | Process and gas mixture for etching silicon dioxide and silicon nitride |
US4384918A (en) | 1980-09-30 | 1983-05-24 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for dry etching and electrostatic chucking device used therein |
JPS57149734A (en) | 1981-03-12 | 1982-09-16 | Anelva Corp | Plasma applying working device |
US4365588A (en) * | 1981-03-13 | 1982-12-28 | Rca Corporation | Fixture for VPE reactor |
JPS5816078A (ja) | 1981-07-17 | 1983-01-29 | Toshiba Corp | プラズマエツチング装置 |
US4512391A (en) | 1982-01-29 | 1985-04-23 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for thermal treatment of semiconductor wafers by gas conduction incorporating peripheral gas inlet |
US4512283A (en) * | 1982-02-01 | 1985-04-23 | Texas Instruments Incorporated | Plasma reactor sidewall shield |
JPS59186955A (ja) * | 1983-04-06 | 1984-10-23 | Toyo Kasei Kogyo Kk | β−メルカプトプロピオン酸エステルの製造法 |
JPS6060060A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-06 | 株式会社日立製作所 | 鉄道車両の扉開閉装置 |
KR890004881B1 (ko) | 1983-10-19 | 1989-11-30 | 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 플라즈마 처리 방법 및 그 장치 |
US4558388A (en) * | 1983-11-02 | 1985-12-10 | Varian Associates, Inc. | Substrate and substrate holder |
GB2162207B (en) * | 1984-07-26 | 1989-05-10 | Japan Res Dev Corp | Semiconductor crystal growth apparatus |
JPS6164124A (ja) * | 1984-09-06 | 1986-04-02 | Anelva Corp | 薄膜作成装置 |
US4798165A (en) * | 1985-10-07 | 1989-01-17 | Epsilon | Apparatus for chemical vapor deposition using an axially symmetric gas flow |
US4949671A (en) * | 1985-10-24 | 1990-08-21 | Texas Instruments Incorporated | Processing apparatus and method |
DE3539981C1 (de) * | 1985-11-11 | 1987-06-11 | Telog Systems Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Halbleitermaterialien |
JPH0691020B2 (ja) * | 1986-02-14 | 1994-11-14 | 日本電信電話株式会社 | 気相成長方法および装置 |
US4724621A (en) * | 1986-04-17 | 1988-02-16 | Varian Associates, Inc. | Wafer processing chuck using slanted clamping pins |
US4705951A (en) | 1986-04-17 | 1987-11-10 | Varian Associates, Inc. | Wafer processing system |
DE3717985A1 (de) * | 1986-05-28 | 1987-12-03 | Minolta Camera Kk | Elektrochrome vorrichtung |
JPS6372877A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-04-02 | Tokuda Seisakusho Ltd | 真空処理装置 |
KR900007687B1 (ko) * | 1986-10-17 | 1990-10-18 | 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 플라즈마처리방법 및 장치 |
US4960488A (en) * | 1986-12-19 | 1990-10-02 | Applied Materials, Inc. | Reactor chamber self-cleaning process |
US5000113A (en) * | 1986-12-19 | 1991-03-19 | Applied Materials, Inc. | Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process |
DE3853890T2 (de) * | 1987-01-19 | 1995-10-19 | Hitachi Ltd | Mit einem Plasma arbeitendes Gerät. |
JP2750430B2 (ja) * | 1987-05-26 | 1998-05-13 | 住友金属工業株式会社 | プラズマ制御方法 |
JPH01276736A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-07 | Tokyo Electron Ltd | エッチング装置 |
JPH0730468B2 (ja) | 1988-06-09 | 1995-04-05 | 日電アネルバ株式会社 | ドライエッチング装置 |
US5376628A (en) * | 1988-06-30 | 1994-12-27 | Anelva Corporation | Method of improving or producing oxide superconductor |
US4918031A (en) * | 1988-12-28 | 1990-04-17 | American Telephone And Telegraph Company,At&T Bell Laboratories | Processes depending on plasma generation using a helical resonator |
JPH02271626A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-06 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ装置 |
DE69017744T2 (de) * | 1989-04-27 | 1995-09-14 | Fujitsu Ltd | Gerät und Verfahren zur Bearbeitung einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung eines durch Mikrowellen erzeugten Plasmas. |
JPH0791645B2 (ja) * | 1989-04-28 | 1995-10-04 | 株式会社日立製作所 | 薄膜形成装置 |
US4990229A (en) * | 1989-06-13 | 1991-02-05 | Plasma & Materials Technologies, Inc. | High density plasma deposition and etching apparatus |
US5091049A (en) * | 1989-06-13 | 1992-02-25 | Plasma & Materials Technologies, Inc. | High density plasma deposition and etching apparatus |
US5122251A (en) * | 1989-06-13 | 1992-06-16 | Plasma & Materials Technologies, Inc. | High density plasma deposition and etching apparatus |
JPH0376112A (ja) * | 1989-08-17 | 1991-04-02 | Nippon Sanso Kk | 気相成長装置 |
US5314845A (en) * | 1989-09-28 | 1994-05-24 | Applied Materials, Inc. | Two step process for forming void-free oxide layer over stepped surface of semiconductor wafer |
US5223457A (en) * | 1989-10-03 | 1993-06-29 | Applied Materials, Inc. | High-frequency semiconductor wafer processing method using a negative self-bias |
US5556501A (en) * | 1989-10-03 | 1996-09-17 | Applied Materials, Inc. | Silicon scavenger in an inductively coupled RF plasma reactor |
FR2653633B1 (fr) * | 1989-10-19 | 1991-12-20 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de traitement chimique assiste par un plasma de diffusion. |
DE69128345T2 (de) * | 1990-01-04 | 1998-03-26 | Mattson Tech Inc | Induktiver plasmareaktor im unteren hochfrequenzbereich |
JPH0740569B2 (ja) * | 1990-02-27 | 1995-05-01 | エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション | Ecrプラズマ堆積方法 |
US5452177A (en) | 1990-06-08 | 1995-09-19 | Varian Associates, Inc. | Electrostatic wafer clamp |
JPH06103683B2 (ja) | 1990-08-07 | 1994-12-14 | 株式会社東芝 | 静電吸着方法 |
US5099571A (en) | 1990-09-07 | 1992-03-31 | International Business Machines Corporation | Method for fabricating a split-ring electrostatic chuck |
US5707692A (en) * | 1990-10-23 | 1998-01-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus and method for processing a base substance using plasma and a magnetic field |
US5200232A (en) * | 1990-12-11 | 1993-04-06 | Lam Research Corporation | Reaction chamber design and method to minimize particle generation in chemical vapor deposition reactors |
US5325261A (en) | 1991-05-17 | 1994-06-28 | Unisearch Limited | Electrostatic chuck with improved release |
JP3042127B2 (ja) * | 1991-09-02 | 2000-05-15 | 富士電機株式会社 | 酸化シリコン膜の製造方法および製造装置 |
US5234529A (en) * | 1991-10-10 | 1993-08-10 | Johnson Wayne L | Plasma generating apparatus employing capacitive shielding and process for using such apparatus |
US5539609A (en) | 1992-12-02 | 1996-07-23 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck usable in high density plasma |
EP0578047B1 (de) * | 1992-06-23 | 1998-05-13 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Plasmabearbeitungsgerät |
JP3259380B2 (ja) * | 1992-12-04 | 2002-02-25 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US5460684A (en) | 1992-12-04 | 1995-10-24 | Tokyo Electron Limited | Stage having electrostatic chuck and plasma processing apparatus using same |
KR100238629B1 (ko) | 1992-12-17 | 2000-01-15 | 히가시 데쓰로 | 정전척을 가지는 재치대 및 이것을 이용한 플라즈마 처리장치 |
US5433812A (en) * | 1993-01-19 | 1995-07-18 | International Business Machines Corporation | Apparatus for enhanced inductive coupling to plasmas with reduced sputter contamination |
US5545591A (en) * | 1993-01-29 | 1996-08-13 | Nec Corporation | Method for forming an aluminum film used as an interconnect in a semiconductor device |
US5537004A (en) * | 1993-03-06 | 1996-07-16 | Tokyo Electron Limited | Low frequency electron cyclotron resonance plasma processor |
TW249313B (de) * | 1993-03-06 | 1995-06-11 | Tokyo Electron Co | |
US5401350A (en) | 1993-03-08 | 1995-03-28 | Lsi Logic Corporation | Coil configurations for improved uniformity in inductively coupled plasma systems |
JP2916735B2 (ja) * | 1993-03-24 | 1999-07-05 | 株式会社日本製鋼所 | プラズマ表面改質方法および装置 |
US5330610A (en) * | 1993-05-28 | 1994-07-19 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Method of digital epilaxy by externally controlled closed-loop feedback |
US5365057A (en) | 1993-07-02 | 1994-11-15 | Litton Systems, Inc. | Light-weight night vision device |
EP0635870A1 (de) | 1993-07-20 | 1995-01-25 | Applied Materials, Inc. | Eine elektrostatische Halteplatte mit einer gerillten Fläche |
US5614055A (en) * | 1993-08-27 | 1997-03-25 | Applied Materials, Inc. | High density plasma CVD and etching reactor |
JP3172759B2 (ja) | 1993-12-02 | 2001-06-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
US5449432A (en) * | 1993-10-25 | 1995-09-12 | Applied Materials, Inc. | Method of treating a workpiece with a plasma and processing reactor having plasma igniter and inductive coupler for semiconductor fabrication |
TW293983B (de) * | 1993-12-17 | 1996-12-21 | Tokyo Electron Co Ltd | |
US5463525A (en) | 1993-12-20 | 1995-10-31 | International Business Machines Corporation | Guard ring electrostatic chuck |
US5452510A (en) | 1993-12-20 | 1995-09-26 | International Business Machines Corporation | Method of making an electrostatic chuck with oxide insulator |
US5467249A (en) | 1993-12-20 | 1995-11-14 | International Business Machines Corporation | Electrostatic chuck with reference electrode |
US5403434A (en) | 1994-01-06 | 1995-04-04 | Texas Instruments Incorporated | Low-temperature in-situ dry cleaning process for semiconductor wafer |
EP0668608A1 (de) | 1994-02-22 | 1995-08-23 | Applied Materials, Inc. | Elektrostatischer Substrathalter mit erosionsbeständiger Elektrodenverbindung |
US5522937A (en) * | 1994-05-03 | 1996-06-04 | Applied Materials, Inc. | Welded susceptor assembly |
JP2630257B2 (ja) * | 1994-06-03 | 1997-07-16 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US5540800A (en) * | 1994-06-23 | 1996-07-30 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled high density plasma reactor for plasma assisted materials processing |
EP0697467A1 (de) | 1994-07-21 | 1996-02-21 | Applied Materials, Inc. | Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung einer Beschichtungskammer |
US5597439A (en) * | 1994-10-26 | 1997-01-28 | Applied Materials, Inc. | Process gas inlet and distribution passages |
JP3424867B2 (ja) * | 1994-12-06 | 2003-07-07 | 富士通株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US5688357A (en) | 1995-02-15 | 1997-11-18 | Applied Materials, Inc. | Automatic frequency tuning of an RF power source of an inductively coupled plasma reactor |
US5958134A (en) * | 1995-06-07 | 1999-09-28 | Tokyo Electron Limited | Process equipment with simultaneous or sequential deposition and etching capabilities |
TW283250B (en) | 1995-07-10 | 1996-08-11 | Watkins Johnson Co | Plasma enhanced chemical processing reactor and method |
US5767628A (en) | 1995-12-20 | 1998-06-16 | International Business Machines Corporation | Helicon plasma processing tool utilizing a ferromagnetic induction coil with an internal cooling channel |
US5824607A (en) | 1997-02-06 | 1998-10-20 | Applied Materials, Inc. | Plasma confinement for an inductively coupled plasma reactor |
US6027601A (en) | 1997-07-01 | 2000-02-22 | Applied Materials, Inc | Automatic frequency tuning of an RF plasma source of an inductively coupled plasma reactor |
-
1995
- 1995-07-10 TW TW084107192A patent/TW283250B/zh not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-06-21 DE DE69636286T patent/DE69636286T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-06-21 CN CNB961952024A patent/CN1160479C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1996-06-21 WO PCT/US1996/010705 patent/WO1997003224A1/en active IP Right Grant
- 1996-06-21 AT AT96922534T patent/ATE331053T1/de not_active IP Right Cessation
- 1996-06-21 EP EP96922534A patent/EP0839217B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-10 KR KR1019960027700A patent/KR100241171B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-07-10 JP JP18045996A patent/JP3701390B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-02-21 US US08/804,212 patent/US6001267A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-08-12 US US08/909,580 patent/US5792272A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-06-05 US US09/092,565 patent/US6178918B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-05-18 US US09/575,217 patent/US6375750B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010056021B3 (de) * | 2010-12-23 | 2012-04-19 | Centrotherm Sitec Gmbh | Düsenanordnung und CVD-Reaktor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO1997003224A1 (en) | 1997-01-30 |
US6375750B1 (en) | 2002-04-23 |
KR970008401A (ko) | 1997-02-24 |
EP0839217A4 (de) | 2001-04-04 |
CN1160479C (zh) | 2004-08-04 |
DE69636286D1 (de) | 2006-08-03 |
US6178918B1 (en) | 2001-01-30 |
CN1189859A (zh) | 1998-08-05 |
KR100241171B1 (ko) | 2000-02-01 |
TW283250B (en) | 1996-08-11 |
EP0839217B1 (de) | 2006-06-21 |
JP3701390B2 (ja) | 2005-09-28 |
JPH09167762A (ja) | 1997-06-24 |
US6001267A (en) | 1999-12-14 |
EP0839217A1 (de) | 1998-05-06 |
ATE331053T1 (de) | 2006-07-15 |
US5792272A (en) | 1998-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69636286T2 (de) | Plasmaunterstützter chemischer reaktor und verfahren | |
DE69734619T2 (de) | Verfahren mit einem induktiv gekoppelten Plasmareaktor | |
DE69727624T2 (de) | Induktiv gekoppelter HDP-CVD-Reaktor | |
US20200185192A1 (en) | Symmetric plasma process chamber | |
DE60033312T2 (de) | Plasmabehandlungsvorrichtung und -verfahren | |
DE69814687T2 (de) | Plasmavorrichtung mit einem mit einer spannungsquelle verbundenen metallteil, das zwischen einer rf-plasma-anregungsquelle und dem plasma angeordnet ist | |
DE69635640T2 (de) | Plasmabearbeitungsgerät | |
DE19781667B4 (de) | Plasmaerzeugungsverfahren und -gerät mit einer induktiv gekoppelten Plasmaquelle | |
DE69736977T2 (de) | Vakuumkammer mit hohem durchfluss und modularen ausstattungselementen wie plasmaerzeugungsquelle, vakuumpumpe und/oder freitragendem werkstückträger | |
DE69935321T2 (de) | Verfahren und vorrichtung zur ionisierten physikalischen dampfabscheidung | |
US20020078893A1 (en) | Plasma enhanced chemical processing reactor and method | |
DE19980683C2 (de) | Gestapelte Duschkopfeinheit zum Leiten von Gasen und HF-Leistung in eine Reaktionskammer | |
DE102006037144B4 (de) | ECR-Plasmaquelle | |
DE60221535T2 (de) | Zwei-frequenz-plasmaätzreaktor mit unabhängiger kontrolle für dichte, chemie und ionenenergie | |
DE112008002015B4 (de) | Weiterentwickelte Bearbeitungskammer für mehrere Werkstücke und Verfahren zu deren Erzeugung | |
EP0467046B1 (de) | Aetz- oder Beschichtungsanlagen | |
DE69735271T2 (de) | Verfahren zum Reinigen eines Vakuumbearbeitungskammer einschliesslich der Gaseinlassöffnung | |
DE112007002459T5 (de) | Plasmafilmbildungsvorrichtung und Plasmafilmbildungsverfahren | |
DE10060002A1 (de) | Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung | |
DE69815163T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Abscheidung von Titanschichten | |
US9472379B2 (en) | Method of multiple zone symmetric gas injection for inductively coupled plasma | |
EP0034706B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Plasmaätzen oder zur Plasma CVD | |
EP2636054B1 (de) | Vorrichtung zum behandeln von substraten | |
DE69907687T2 (de) | Plasmabearbeitungsvorrichtung mit elektrisch leitender Wand | |
EP1352417A2 (de) | Vorrichtung zur plasmagestützten bearbeitung von oberflächen planarer substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |