DE69723053T2 - Verfahren zur beschichtung eines substrates mit titandioxid - Google Patents

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein verbessertes Verfahren zum Beschichten einer Substratoberfläche mit Titandioxid.
  • Gesputterte Beschichtungen verschiedener Oxide (z. B. Siliziumdioxid) und Nitride (z. B. Siliziumnitrid) werden verwendet, um auf einer Reihe von Substraten optische Beschichtungen zu bilden, die interessante Eigenschaften aufweisen. Bekannte Anwendungen sind unter anderem Filme mit niedrigem Emissionsvermögen auf Fenstergläsern, Kaltspiegel an Reflektoren, verbesserte Spiegel für Fotokopierer und Antireflexionsbeschichtungen an Bilderglas oder TV-Schirmen. Diese Beschichtungen bestehen gewöhnlich aus Stapeln von mehreren verschiedenen Schichten mit unterschiedlichen Brechungsindizes, bevorzugt mit niedrigem und großem Brechungsindex, um optische Filter herzustellen. Für Antireflexionsbeschichtungen ist es bevorzugt, zwei Materialien zu kombinieren, die den höchsten und den niedrigsten möglichen Brechungsindex aufweisen. Solche Materialien sind Titandioxid und Siliziumdioxid. Ein anderer Vorteil dieser Materialien ist ihre Verschleißfestigkeit. Für Filme mit niedrigem Emissionsvermögen auf Fenstergläsern ist es bevorzugt, eine Silberschicht mit einem Material mit großem Brechungsindex zu kombinieren, um das Silber zurückzureflektieren, was die Lichttransmission verbessert.
  • Titandioxidbeschichtungen besitzen einen großen Brechungsindex und können daher eingesetzt werden, um Beschichtungen mit einem großem Brechungsindex bereitzustellen oder um die Beschichtungen mit hohem Brechungsindex in optischen Stapeln bereitzustellen. Das existierende Verfahren zur Herstellung von Titandioxidbeschichtungen umfasst die Verwendung von Titanmetall als das Sputtertarget und die Verwendung von Sauerstoff als eine Komponente des Plasmagases. Das Titan wird dann während des Sputterverfahrens zu Titandioxid umgewandelt.
  • Obwohl befriedigende Titandioxidbeschichtungen hergestellt werden können, ist die Abscheidungsrate sehr langsam und sehr viel langsamer als eine Beschichtung mit Zinkoxid und/oder Zinnoxide. Sowohl die Stabilität des Sputterverfahrens als auch die Lichtbogenbildungsrate hängen stark von der Leitfähigkeit des Targets ab, insbesondere bei hohen Leistungspegeln.
  • Als Ersatz für Titandioxid ist vorgeschlagen worden, Alternativmaterialien wie Nioboxid zu verwenden. Während es unter Verwendung eines Niobmetalltargets möglich ist, ein Substrat mit Nioboxid zu beschichten mit geringfügig höheren Geschwindigkeiten als das äquivalente Verfahren unter Verwendung von Titan, ist Niob sehr teuer.
  • Die JP-A-62-161945 beschreibt ein Verfahren der Herstellung eines keramischen Sputtertargets, bei dem ein hauptsächlich aus ZrO2, TiO2, SIO2, Ta2O3, Al2O3, Fe2O3 oder einer Verbindung dieser Materialien bestehendes keramisches Material unter Verwendung eines Wasser-Plasma-Sprays versprüht wird/werden, um einen Formkörper zu erzeugen, der als Sputtertarget verwendet werden kann. Das Sputtertarget wird zum Hochfrequenzsputtern von nicht leitfähigem Targetmaterial verwendet.
  • Die JP-A-118807 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung von Titanoxiddünnfilmen, bei dem ein Titan, Titanmonoxid (TiO) oder Titandioxid (TiO2) umfassendes Target als Sputtertarget verwendet wird und das Target in einem Gemisch aus Argon und Sauerstoff gesputtert wird unter Verwendung einer Hochfrequenzleistungsdichte von z. B. 500 W.
  • Die JP-A-07233469 offenbart ein Verfahren zur Herstellung von transparenten Filmen mit großem Brechungsindex, die unterstoichiometrisches Titandioxid, TiOx, umfassen, das durch Pressen und Sintern von Zirkondioxidpulver hergestellt wird. Die Sputtertargets besitzen einen spezifischen Widerstand von nicht mehr als 10 Ohm/cm.
  • Es gibt jedoch immer noch einen Bedarf nach einem verbesserten Verfahren zur Beschichtung von Titandioxid auf Substratmaterialien. Wir haben nun überraschenderweise entdeckt, dass Titandioxid von einem Target gesputtert werden kann, das unterstoichiometrisches Titandioxid umfasst mit einem niedrigen spezifischen Widerstand weniger als 1 Ohm/cm, vorzugsweise weniger als 0,1 Ohm/cm, um Beschichtungen an einem Substrat abhängig von den Sputterbedingungen entweder aus unterstoichiometrischem Titandioxid oder aus Titandioxid bereitzustellen.
  • Demgemäß stellt die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Beschichten einer Substratfläche mit Titandioxid bereit, welches Verfahren das Gleichstromplasmasputtern und/oder Mittelfrequenzsputtern von einem Sputtertarget umfasst, das im Wesentlichen unterstoichiometrisches Titandioxid, TiOx, enthält, wobei x kleiner als 2 ist, und das einen spezifischen Widerstand von weniger als 0,1 Ohm/cm aufweist, wobei das Target durch ein Verfahren erhalten wird, der das Plasmaspritzen von Titandioxid, TiO2, auf eine Targetbasis in einer Atmosphäre umfasst, die einen Sauerstoffmangel aufweist und die keine sauerstoffhaltigen Verbindungen enthält, wobei die Targetbasis mit TiOx beschichtet wird, wobei x kleiner als 2 ist, das durch Kühlen unter Bedingungen verfestigt ist, die das unterstoichiometrische Titandioxid daran hindern, sich mit Sauerstoff zu verbinden, wobei das Sputtern von dem Target unter Verwendung von Argon oder eines Gemisches von Argon und Stickstoff als Plasmagas durchgeführt wird, wodurch die auf der Substratfläche gebildete Beschichtung im Wesentlichen unterstoichiometrisches Titandioxid, TiOx enthält, wobei x kleiner als 2 ist.
  • Unterstoichiometrisches Titandioxid, TiOx, wobei x kleiner als 2 ist und im Allgemeinen im Bereich von 1,55 bis 1,95 beträgt, ist in der Technik bekannt. Es ist eine Form von Titandioxid, die leitfähig ist. Das bei der vorliegenden Erfindung verwendete unterstoichiometrische Titandioxid besitzt einen spezifischen Widerstand von unter 0,1 Ohm/cm.
  • Das bei dem Verfahren der vorliegenden Erfindung verwendete Sputtertarget umfasst unterstoichiometrisches Titandioxid, TiOx, das auf eine Targetbasis, etwa eine Verstärkungsröhre oder -platte, geschichtet ist, z. B. eine Targetbasis aus einem elektrisch leitfähigen Material, z. B. rostfreier Stahl oder Titanmetall, Aluminium oder Kupfer. Weil das unterstoichiometrische Titandioxid leitfähig ist, kann Gleichstromplasmasputtern und/oder Mittelfrequenzsputtern, wie das Twin-Mag-System, verwendet werden. Gleichstromplasmasputtern wird jedoch bevorzugt. Das Target kann ein beliebiger in der Technik bekannter Typ sein, z. B. ein drehbares Target oder ein ebenes Magnetrontarget.
  • Das bei dem Verfahren der vorliegenden Erfindung verwendete Sputtertarget kann durch Plasmaspritzen von Titandioxid, optional zusammen mit Nioboxid, auf eine Targetbasis in einer Atmosphäre hergestellt sein, die einen Sauerstoffmangel aufweist und die keine sauserstoffhaltigen Verbindungen enthält, wobei die Targetbasis mit TiOx beschichtet ist, wobei x kleiner als 2 ist, das unter Bedingungen verfestigt ist, die das unterstoichiometrische Titandioxid daran hindern, sich mit Sauerstoff zu verbinden. Während des Plasmaspritzverfahrens verursacht die Wirkung des Plasmas auf das Titandioxid, dass das Titandioxid einige Sauerstoffatome aus seinem Gitter verliert, bevorzugt von der Oberfläche der Partikel. Das Titandioxid wird in die unterstoichiometrische Form umgewandelt, d. h. das nicht-stoichiometrische, einen Suerstoffmangel aufweisende Titandioxid.
  • Das Sputtern von dem unterstoichiometrischen Titandioxid (TiOx)-Target wird unter Verwendung von Argon oder eines Gemisches von Stickstoff und Argon als Plasmagas durchgeführt. Die Beschichtung umfasst unterstoichiometrisches Titandioxid. Die erhaltene Beschichtung ist nicht komplett durchsichtig und besitzt eine gewisse Leitfähigkeit.
  • Das gemäß der vorliegenden Erfindung beschichtete Substrat kann z. B. umfassen ein optisches Glas, den Schirm einer Kathodenstrahlröhre, wie einem Fernsehschirm, Kaltspiegel, ein Gläser mit niedrigem Emissionsvermögen, Architekturgläser, Anti-Reflexionsplatten, oder flexible Folien wie Sauerstoffbarrieren-Folien.
  • Die Verwendung des Targets der vorliegenden Erfindung verhindert jegliche Lawinenwirkung von Titandioxid zum Metallzustand oder einem vergifteten Sauerstoffzustand hin. Es gibt keinen Bedarf für ein raffiniertes Gas-Steuerungs/Regelungssystem oder eine Plasmaüberwachungsausrüstung. Das Target kann leicht betrieben und gesteuert/geregelt werden, um nicht- stoichiometrische Folien/Filme auf jeglichem Niveau von Unterstoichimetrie herzustellen. Abhängig von den Sputterparametern können amorphe oder kristalline Filme/Folien mit einer Rutil- oder Anatas-Struktur gebildet werden. Rutile Filme/Folien besitzen verbesserte optische, mechanische und elektrische Eigenschaften.
  • Die von den unterstoichiometrischen Titandioxid-Sputtertargets gebildete Beschichtung ist ebenfalls unterstoichiometrisches Titandioxid, das eine verringerte Durchsichtigkeit und eine leicht bläuliche Farbe aufweist, aber leitfähig ist und daher antistatische Eigenschaften besitzt, wobei es einen spezifischen elektrischen Widerstand von über 3 × 105 Ohm/cm aufweist.
  • Demgemäß weisen mit nicht-stoichiometrischem Titandioxid beschichtete Folien nicht nur gute Sauerstoffbarriereneigenschaften auf, sondern besitzen insbesondere auch gute antistatische Eigenschaften, welche sie insbesondere für Packanwendungen geeignet macht, insbesondere in der Nahrungsmittelindustrie. Ein weiterer Vorteil von mit unterstoichiometrischem Titandioxid beschichteten Folien ist, dass die Beschichtungen eine gute Flexibilität aufweisen, die sogar nach exzessivem Biegen und Falten ihre Sauerstoffbarriereneigenschaften erhält. Obwohl die Folien eine geringfügig bläuliche Farbe aufweisen, tut dies der potentiellen Verwendung des Produkts in der Nahrungsmittelindustrie keinen Abbruch, wobei die bläuliche Farbe eine „frische" Erscheinung für das Produkt bereitstellt. Als Barrierefolien für Wasserdampf und Sauerstoff gibt es im Vergleich mit den gemäß dem Stand der Technik mit Titandioxid beschichteten Folien eine fünffache Verbesserung für Wasserdampf und eine dreifache Verbesserung für Sauerstoff.
  • Der Hauptvorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass von den bei der vorliegenden Erfindung verwendeten unterstoichiometrischen Titandioxid-Sputtertargets die Sputterrate um einen Faktor von ungefähr zehn erhöht ist im Vergleich zum Sputtern von einem Titanmetall-Target, wodurch das Verfahren industriell attraktiv wird. Ferner ist das Sputterverfahren sehr stabil, wobei wenig oder keine Lichtbogenbildung auftritt.
  • Die vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf die folgenden Beispiele näher beschrieben.
  • Beispiel 1 (zum Vergleich)
  • Ein drehbares Target, das eine Röhre aus Titanmetall mit einem Durchmesser von 133 mm und einer Länge von 800 mm umfasst, wurde verwendet, um Titanmetall auf eine Glasplatte zu sputtern, die in einem Abstand von 18 cm von dem Target angeordnet war. Das Sputtern wurde durchgeführt bei einem Leistungspegel von 35 kW (80 A, 446 V) unter einem Druck von 5 × 10–3 mbar Argon als Plasmagas.
  • Nach 3 1/2 Minuten war eine gemäß einer Messung durch ein Profilometer 18000 Angström dicke Schicht aus Titanmetall auf der Glasplatte abgeschieden.
  • Beispiel 2 (zum Vergleich)
  • Die Prozedur von Beispiel 1 wurde wiederholt, wobei aber das primäre Plasmagas von Beispiel 1 durch ein Gemisch von 80% O2 und 20% Argon ersetzt wurde, um das Argon-Primärplasmagas von Beispiel 1 zu ersetzen. Das Sputtern wurde bei einem Leistungspegel von 45 kW (97 A, 460 V) unter einem Druck von 4,5 × 10–3 mbar durchgeführt. Bei Verwendung eines Titanmetall-Targets, wie in Beispiel 1 beschrieben, wurde in 3 1/2 Minuten eine Titandioxidschicht mit einer Dicke von 1500 Angström auf einer Glasplatte über dem Target abgeschieden.
  • Beispiel 3
  • Ein drehbares Target, das eine Röhre aus rostfreiem Stahl mit einem Durchmesser von 133 mm und einer Länge von 800 mm umfasst, wurde beschichtet mit unterstoichiometrischem Titandioxid, TiOx, wobei x kleiner als 2 ist, wie hierin vorangehend beschrieben worden ist, durch Plasmaspritzen von Titandioxid auf das Target unter Verwendung von Argon als primäre Plasmagas und Wasserstoff als das sekundäre Plasmagas. 72 Liter (60% Argon, 40% Wasserstoff) wurden verwendet. Der Leistungspegel war 45 kW (455 A, 96 V).
  • Dieses Target wurde dann als Sputterturget in derselben Weise verwendet, wie es im Beispiel 1 beschrieben ist. Unter Verwendung von Argon als primäre Plasmagas wurde das Sputtern durchgeführt bei einem Leistungspegel von 45 kW (97 A, 460 V) unter einem Druck von 5,4 × 10–3 mbar Ar. Eine dunkelblaue, halbtransparente Schicht von unterstoichiometrischem Titandioxid, TiOx, mit einer Dicke von 14000 Angström wurde innerhalb von 3 ½ Minuten auf einer über dem Target angeordneten Glasplatte abgeschieden. Das Sputterverfahren verlief sanft ohne signifikante Lichtbogenbildung.

Claims (3)

  1. Verfahren zur Beschichtung einer Substratfläche mit Titandioxid, welches Verfahren das Gleichstrom-Plasmasputtern und/oder Mittelfrequenzsputtern von einem Sputtertarget umfasst, das im Wesentlichen aus unterstoichiometrischem Titandioxid, TiOx, besteht, wobei x kleiner als 2 ist, und das einen spezifischen Widerstand von weniger als 0.1 Ohm/cm aufweist, wobei das Target durch ein Verfahren erhalten wird, das das Plasmaspritzen von Titandioxid, TiO2, auf eine Targetbasis in einer Atmosphäre umfasst, die einen Sauerstoffmangel aufweist und die keine sauerstoffhaltigen Verbindungen enthält, wobei die Targetbasis mit TiOx beschichtet wird, wobei x kleiner als 2 ist, das durch Kühlen unter Bedingungen verfestigt ist, die das unterstoichiometrische Titandioxid daran hindern, sich mit Sauerstoff zu verbinden, wobei das Sputtern von dem Target unter Verwendung von Argon oder eines Gemisches von Argon und und Stickstoff als Plasmagas durchgeführt wird, wodurch die auf der Substratfläche gebildete Beschichtung im Wesentlichen unterstoichiometrisches Titandioxid, TiOx enthält, wobei x kleiner als 2 ist.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Target ein drehbares Target ist.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, wobei das beschichtete Substrat ein optisches Glas, der Schirm einer Kathodenstrahlröhre, ein Kaltspiegel, ein Glas mit niedrigem Emissionsvermögen, ein Architekturglas, ein Anti-Reflexionsplatten-Glas, der Schirm einer Kathodenstrahlröhre, eine flexible Folie oder eine Wasserdampf- oder Sauerstoffbarrieren-Folie ist.
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IL (1) IL125103A0 (de)
WO (2) WO1997025450A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110418857A (zh) * 2017-03-14 2019-11-05 万腾荣先进材料德国有限责任公司 一种圆柱形氧化钛溅射靶及其制备方法

Families Citing this family (77)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6193856B1 (en) 1995-08-23 2001-02-27 Asahi Glass Company Ltd. Target and process for its production, and method for forming a film having a highly refractive index
GB9600210D0 (en) * 1996-01-05 1996-03-06 Vanderstraeten E Bvba Improved sputtering targets and method for the preparation thereof
US6292302B1 (en) 1998-11-03 2001-09-18 Cardinal Glass Industries, Inc. Heat-treatable dichroic mirrors
US6262850B1 (en) 1998-11-03 2001-07-17 Cardinal Glass Industries, Inc. Heat-treatable dichroic mirrors
DK1179516T3 (da) † 1998-12-21 2003-10-27 Cardinal Cg Co Smudsresistent coating til glasoverflader
DE19958424C2 (de) * 1999-12-03 2002-05-29 Zentrum Fuer Material Und Umwe Zerstäubungstarget für die Dünnbeschichtung großflächiger Substrate und Verfahren zu seiner Herstellung
CN1158403C (zh) * 1999-12-23 2004-07-21 西南交通大学 一种人工器官表面改性方法
WO2001071055A1 (en) * 2000-03-22 2001-09-27 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Substrate with photocatalytic film and method for producing the same
JP3708429B2 (ja) * 2000-11-30 2005-10-19 Ｈｏｙａ株式会社 蒸着組成物の製造方法、蒸着組成物及び反射防止膜を有する光学部品の製造方法
WO2002057508A2 (en) * 2001-01-17 2002-07-25 N.V. Bekaert S.A. Method for the production of sputtering targets
DE10140514A1 (de) 2001-08-17 2003-02-27 Heraeus Gmbh W C Sputtertarget auf Basis von Titandioxid
US20040240093A1 (en) * 2001-10-18 2004-12-02 Masato Yoshikawa Optical element and production method therefor, and band pass filter, near infrared cut filter and anti-reflection film
US20040115362A1 (en) * 2002-01-14 2004-06-17 Klause Hartig Photocatalytic sputtering targets and methods for the production and use thereof
US7067195B2 (en) 2002-04-29 2006-06-27 Cardinal Cg Company Coatings having low emissivity and low solar reflectance
KR20020077852A (ko) * 2002-08-30 2002-10-14 주식회사 새롬원 김서림방지용 유리판
EP1583852A4 (de) * 2002-10-24 2008-03-05 Honeywell Int Inc Targetdesigns und zugehörige verfahren zur verbesserten kühlung und verringerten ablenkung und deformation
US20040149307A1 (en) * 2002-12-18 2004-08-05 Klaus Hartig Reversible self-cleaning window assemblies and methods of use thereof
DE10320472A1 (de) * 2003-05-08 2004-12-02 Kolektor D.O.O. Plasmabehandlung zur Reinigung von Kupfer oder Nickel
US6915095B2 (en) * 2003-06-16 2005-07-05 Xerox Corporation Charging member having titanium oxide outer coating on grit blasted substrate
WO2005035822A1 (en) * 2003-10-07 2005-04-21 Deposition Sciences, Inc. Apparatus and process for high rate deposition of rutile titanium dioxide
DE10359508B4 (de) * 2003-12-18 2007-07-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und Vorrichtung zum Magnetronsputtern
US7294404B2 (en) * 2003-12-22 2007-11-13 Cardinal Cg Company Graded photocatalytic coatings
JP5329081B2 (ja) 2004-02-25 2013-10-30 エージーシー・フラット・グラス・ノース・アメリカ・インコーポレイテッド 熱安定化亜化学量論的誘電体
WO2005100013A1 (ja) * 2004-04-06 2005-10-27 Teijin Dupont Films Japan Limited 反射防止フィルム
EP1780299A4 (de) * 2004-06-29 2008-03-12 Pioneer Corp Sputtertarget zur bildung von dünnen filmen, dielektrischer dünner film, optische scheibe und herstellungsverfahren dafür
DE102004032635A1 (de) * 2004-07-06 2006-02-09 Gfe Metalle Und Materialien Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Titan-Suboxid-basierten Beschichtungswerkstoff, entsprechend hergestellter Beschichtungswerkstoff und damit versehenes Sputtertarget
JP2008505841A (ja) 2004-07-12 2008-02-28 日本板硝子株式会社 低保守コーティング
US20060033867A1 (en) * 2004-08-10 2006-02-16 Krisko Annette J LCD mirror system and method
JP5301833B2 (ja) * 2004-10-04 2013-09-25 カーディナル・シージー・カンパニー 薄膜コーティング及び仮保護技術、断熱板ガラスユニット、並びに関連方法
US8092660B2 (en) 2004-12-03 2012-01-10 Cardinal Cg Company Methods and equipment for depositing hydrophilic coatings, and deposition technologies for thin films
US7923114B2 (en) 2004-12-03 2011-04-12 Cardinal Cg Company Hydrophilic coatings, methods for depositing hydrophilic coatings, and improved deposition technology for thin films
US7968216B2 (en) * 2005-01-08 2011-06-28 Toyoda Gosei Co., Ltd. Internal gear pump
US7442933B2 (en) * 2005-02-03 2008-10-28 Lin Alice L Bolometer having an amorphous titanium oxide layer with high resistance stability
FR2881757B1 (fr) * 2005-02-08 2007-03-30 Saint Gobain Procede d'elaboration par projection thermique d'une cible a base de silicium et de zirconium
US8053048B2 (en) * 2005-04-25 2011-11-08 Baxter International Inc. Overpouch film and container and method of making same
DE102005029952B3 (de) * 2005-06-28 2007-01-11 Lanxess Deutschland Gmbh Niveauausgleichslasche
US7342716B2 (en) 2005-10-11 2008-03-11 Cardinal Cg Company Multiple cavity low-emissivity coatings
WO2007053586A2 (en) * 2005-11-01 2007-05-10 Cardinal Cg Company Reactive sputter deposition processes and equipment
US20070134500A1 (en) * 2005-12-14 2007-06-14 Klaus Hartig Sputtering targets and methods for depositing film containing tin and niobium
WO2007121211A2 (en) 2006-04-11 2007-10-25 Cardinal Cg Company Photocatalytic coatings having improved low-maintenance properties
WO2007124291A2 (en) 2006-04-19 2007-11-01 Cardinal Cg Company Opposed functional coatings having comparable single surface reflectances
DE102006027029B4 (de) * 2006-06-09 2010-09-30 W.C. Heraeus Gmbh Sputtertarget mit einem Sputtermaterial auf Basis TiO2 sowie Herstellverfahren
US20070289869A1 (en) * 2006-06-15 2007-12-20 Zhifei Ye Large Area Sputtering Target
EP2279986B1 (de) 2006-06-30 2014-12-17 Cardinal CG Company Kohlenstoff-Nanoröhren enthaltenden Beschichtungen
US20080011599A1 (en) 2006-07-12 2008-01-17 Brabender Dennis M Sputtering apparatus including novel target mounting and/or control
JP5261397B2 (ja) * 2006-11-17 2013-08-14 サン−ゴバン グラス フランス 有機発光素子用の電極、その酸エッチング、及び、それを組み込んだ有機発光素子
US7807248B2 (en) * 2007-08-14 2010-10-05 Cardinal Cg Company Solar control low-emissivity coatings
US7622717B2 (en) * 2007-08-22 2009-11-24 Drs Sensors & Targeting Systems, Inc. Pixel structure having an umbrella type absorber with one or more recesses or channels sized to increase radiation absorption
JP5474796B2 (ja) 2007-09-14 2014-04-16 日本板硝子株式会社 低保守コーティングおよび低保守コーティングの製造方法
US7655274B2 (en) † 2007-11-05 2010-02-02 Guardian Industries Corp. Combustion deposition using aqueous precursor solutions to deposit titanium dioxide coatings
JP4993745B2 (ja) * 2007-12-28 2012-08-08 株式会社アルバック 成膜装置
US8324414B2 (en) 2009-12-23 2012-12-04 Battelle Energy Alliance, Llc Methods of forming single source precursors, methods of forming polymeric single source precursors, and single source precursors and intermediate products formed by such methods
US20130026535A1 (en) * 2011-07-26 2013-01-31 Battelle Energy Alliance, Llc Formation of integral composite photon absorber layer useful for photoactive devices and sensors
US8951446B2 (en) 2008-03-13 2015-02-10 Battelle Energy Alliance, Llc Hybrid particles and associated methods
US9371226B2 (en) 2011-02-02 2016-06-21 Battelle Energy Alliance, Llc Methods for forming particles
US8003070B2 (en) * 2008-03-13 2011-08-23 Battelle Energy Alliance, Llc Methods for forming particles from single source precursors
EP2116631A1 (de) * 2008-04-30 2009-11-11 Applied Materials, Inc. Sputtertarget
US20090272641A1 (en) * 2008-04-30 2009-11-05 Applied Materials, Inc. Sputter target, method for manufacturing a layer, particularly a tco (transparent conductive oxide) layer, and method for manufacturing a thin layer solar cell
JP5624712B2 (ja) * 2008-09-01 2014-11-12 豊田合成株式会社 ＴｉＯ２からなる導電性透明層の製造方法及び当該導電性透明層の製造方法を利用した半導体発光素子の製造方法
JP2010231172A (ja) * 2009-03-04 2010-10-14 Seiko Epson Corp 光学物品およびその製造方法
FR2944293B1 (fr) * 2009-04-10 2012-05-18 Saint Gobain Coating Solutions Procede d'elaboration par projection thermique d'une cible
JP5588135B2 (ja) * 2009-08-10 2014-09-10 ホーヤ レンズ マニュファクチャリング フィリピン インク 光学物品の製造方法
JP2012032690A (ja) 2010-08-02 2012-02-16 Seiko Epson Corp 光学物品およびその製造方法
DE102010048089B4 (de) * 2010-10-01 2016-09-01 Carl Zeiss Vision International Gmbh Verfahren zur Erzeugung einer mehrere Schichten aufweisenden antistatischen Beschichtung für ein Linsenelement
EP2723915A1 (de) 2011-06-27 2014-04-30 Soleras Ltd. Sputter-target
CN102286717B (zh) * 2011-09-01 2013-07-03 基迈克材料科技（苏州）有限公司 以等离子喷涂制备圆柱形大面积镀膜靶材及方法
DE102011116062A1 (de) * 2011-10-18 2013-04-18 Sintertechnik Gmbh Keramisches Erzeugnis zur Verwendung als Target
EP2613358A2 (de) * 2012-01-04 2013-07-10 OC Oerlikon Balzers AG Doppelschichtige Antireflexbeschichtung für siliziumbasierte Solarzellenmodule
DE102012112742A1 (de) * 2012-10-23 2014-04-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Hoch absorbierendes Schichtsystem, Verfahren zur Herstellung des Schichtsystems und dafür geeignetes Sputtertarget
DE102012022237A1 (de) 2012-11-14 2014-05-15 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg Sputtertarget mit optimierten Gebrauchseigenschaften
JP2016507004A (ja) * 2013-02-05 2016-03-07 ソレラス・アドヴァンスト・コーティングス・ビーヴイビーエー （Ｇａ）ＺｎＳｎ酸化物スパッタリングターゲット
RU2013158730A (ru) * 2013-12-27 2015-07-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева" (национальный исследовательский университет)" (СГАУ) Способ изготовления катодной мишени для распыления керамических материалов
JP5784849B2 (ja) * 2015-01-21 2015-09-24 三井金属鉱業株式会社 セラミックス円筒形スパッタリングターゲット材およびその製造方法
EP3541762B1 (de) 2016-11-17 2022-03-02 Cardinal CG Company Statisch-dissipative beschichtungstechnologie
DE102017118172A1 (de) * 2017-08-09 2019-02-14 Forplan AG Beschichtungsverfahren, Beschichtungsvorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens und Beschichtungsanlage mit einer solchen Beschichtungsvorrichtung
CN110257790B (zh) * 2019-07-29 2020-07-03 福建阿石创新材料股份有限公司 一种三氧化二铝-TiOx靶材及其制备方法和应用
WO2023097583A1 (zh) * 2021-12-01 2023-06-08 宁德时代新能源科技股份有限公司 一种掺杂氧化镍靶材及其制备方法和应用

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US232680A (en) 1880-09-28 Peters
US1231280A (en) 1916-11-16 1917-06-26 John F Metten Safety-valve.
US1438462A (en) 1919-04-17 1922-12-12 Skf Svenska Kullagerfab Ab Shock indicator
US1595061A (en) 1922-10-17 1926-08-03 Valerius Johann Electric cut-out
GB232680A (en) 1924-01-23 1925-04-23 Metal & Thermit Corp Improvements in the production of a form of titanium oxide
US3616445A (en) 1967-12-14 1971-10-26 Electronor Corp Titanium or tantalum base electrodes with applied titanium or tantalum oxide face activated with noble metals or noble metal oxides
DE2300422C3 (de) * 1973-01-05 1981-10-15 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Verfahren zur Herstellung einer Elektrode
DE2405010C3 (de) 1974-02-02 1982-08-05 Sigri Elektrographit Gmbh, 8901 Meitingen Sinter-Elektrode für elektrochemische Prozesse und Verfahren zum Herstellen der Elektrode
GB1595061A (en) * 1976-11-22 1981-08-05 Atomic Energy Authority Uk Electrically conductive layers produced by plasma spraying
DE2752875C2 (de) 1977-11-26 1986-05-15 Sigri GmbH, 8901 Meitingen Elektrode für elektrochemische Prozesse und Verfahren zu deren Herstellung
GB2028376B (en) 1978-08-23 1982-11-03 Ppg Industries Inc Electrically conductive coatings
US4216259A (en) 1979-01-02 1980-08-05 Bfg Glassgroup Heat reflecting pane and a method of producing it
US4422917A (en) * 1980-09-10 1983-12-27 Imi Marston Limited Electrode material, electrode and electrochemical cell
DE3039821A1 (de) * 1980-10-22 1982-06-03 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Mehrschichtsystem fuer waermeschutzanwendung
US4336119A (en) 1981-01-29 1982-06-22 Ppg Industries, Inc. Method of and apparatus for control of reactive sputtering deposition
US4422916A (en) * 1981-02-12 1983-12-27 Shatterproof Glass Corporation Magnetron cathode sputtering apparatus
US5126218A (en) 1985-04-23 1992-06-30 Clarke Robert L Conductive ceramic substrate for batteries
JPS62161945A (ja) * 1985-08-20 1987-07-17 Toyo Soda Mfg Co Ltd セラミックス系スパッタリングタ−ゲットの製造法
JPS63178474A (ja) 1987-01-19 1988-07-22 日立金属株式会社 長波長赤外線を放射する発熱体
US4931213A (en) 1987-01-23 1990-06-05 Cass Richard B Electrically-conductive titanium suboxides
JPH0812302B2 (ja) * 1987-11-02 1996-02-07 株式会社日立製作所 チタン酸化物薄膜の製造方法
US5618388A (en) * 1988-02-08 1997-04-08 Optical Coating Laboratory, Inc. Geometries and configurations for magnetron sputtering apparatus
US4861680A (en) 1988-02-11 1989-08-29 Southwall Technologies Bronze-grey glazing film and window made therefrom
US5354446A (en) * 1988-03-03 1994-10-11 Asahi Glass Company Ltd. Ceramic rotatable magnetron sputtering cathode target and process for its production
US5605609A (en) 1988-03-03 1997-02-25 Asahi Glass Company Ltd. Method for forming low refractive index film comprising silicon dioxide
US5196400A (en) * 1990-08-17 1993-03-23 At&T Bell Laboratories High temperature superconductor deposition by sputtering
US5105310A (en) 1990-10-11 1992-04-14 Viratec Thin Films, Inc. Dc reactively sputtered antireflection coatings
US5100527A (en) * 1990-10-18 1992-03-31 Viratec Thin Films, Inc. Rotating magnetron incorporating a removable cathode
US5616263A (en) * 1992-11-09 1997-04-01 American Roller Company Ceramic heater roller
US5589280A (en) 1993-02-05 1996-12-31 Southwall Technologies Inc. Metal on plastic films with adhesion-promoting layer
US5489369A (en) 1993-10-25 1996-02-06 Viratec Thin Films, Inc. Method and apparatus for thin film coating an article
GB9324069D0 (en) 1993-11-23 1994-01-12 Glaverbel A glazing unit and a method for its manufacture
US5451457A (en) 1993-12-20 1995-09-19 Libbey-Owens-Ford Co. Method and material for protecting glass surfaces
JPH07215074A (ja) 1994-02-07 1995-08-15 Toyota Motor Corp 車両用アンダーカバー装置
JP3836163B2 (ja) 1994-02-22 2006-10-18 旭硝子セラミックス株式会社 高屈折率膜の形成方法
US5616225A (en) 1994-03-23 1997-04-01 The Boc Group, Inc. Use of multiple anodes in a magnetron for improving the uniformity of its plasma
JPH08134638A (ja) 1994-11-04 1996-05-28 Asahi Glass Co Ltd チタン酸化物膜の成膜方法
US5593786A (en) 1994-11-09 1997-01-14 Libbey-Owens-Ford Company Self-adhering polyvinyl chloride safety glass interlayer
DE4441206C2 (de) 1994-11-19 1996-09-26 Leybold Ag Einrichtung für die Unterdrückung von Überschlägen in Kathoden-Zerstäubungseinrichtungen
US5574079A (en) 1994-12-21 1996-11-12 Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation Method for the preparation of water-borne coating compositions using thermoplastic polyhydroxyether resins having narrow polydispersity
ES2124048T3 (es) 1995-07-08 1999-01-16 Leybold Ag Sistema catodico para un dispositivo de pulverizacion sobre un objeto.
EP0840653B1 (de) 1995-07-24 2004-06-30 Southwall Technologies, Inc. Verbesserte laminatstrukturen und deren herstellungsverfahren
US5743931A (en) 1995-08-14 1998-04-28 Libbey-Owens-Ford Co. Glass sheet conveying and bending apparatus
US6193856B1 (en) * 1995-08-23 2001-02-27 Asahi Glass Company Ltd. Target and process for its production, and method for forming a film having a highly refractive index
JPH09189801A (ja) 1996-01-09 1997-07-22 Shin Etsu Chem Co Ltd 耐熱性反射防止膜付き光学部品
GB9600210D0 (en) * 1996-01-05 1996-03-06 Vanderstraeten E Bvba Improved sputtering targets and method for the preparation thereof
WO1997025201A1 (en) 1996-01-11 1997-07-17 Libbey-Owens-Ford Co. Coated glass article having a solar control coating

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110418857A (zh) * 2017-03-14 2019-11-05 万腾荣先进材料德国有限责任公司 一种圆柱形氧化钛溅射靶及其制备方法
CN110418857B (zh) * 2017-03-14 2022-06-24 万腾荣先进材料德国有限责任公司 一种圆柱形氧化钛溅射靶及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
AU716603B2 (en) 2000-03-02
CN1208495C (zh) 2005-06-29
KR100510609B1 (ko) 2005-10-25
KR19990076990A (ko) 1999-10-25
CA2241878A1 (en) 1997-07-17
AU1439097A (en) 1997-08-01
US20020081465A1 (en) 2002-06-27
US20020125129A1 (en) 2002-09-12
CA2241878C (en) 2009-07-21
JP2007314892A (ja) 2007-12-06
EP0871792A1 (de) 1998-10-21
US6511587B2 (en) 2003-01-28
DE69715592T2 (de) 2003-01-16
US20020036135A1 (en) 2002-03-28
JP4087447B2 (ja) 2008-05-21
BR9706954A (pt) 2000-01-04
AU1310097A (en) 1997-08-01
JP3980643B2 (ja) 2007-09-26
US20040069623A1 (en) 2004-04-15
CN1212026A (zh) 1999-03-24
US6461686B1 (en) 2002-10-08
GB9600210D0 (en) 1996-03-06
US20020127349A1 (en) 2002-09-12
CN1727514A (zh) 2006-02-01
US20010019738A1 (en) 2001-09-06
WO1997025451A1 (en) 1997-07-17
DE69715592D1 (de) 2002-10-24
US20020071971A1 (en) 2002-06-13
EP0871794A1 (de) 1998-10-21
US6468402B1 (en) 2002-10-22
WO1997025450A1 (en) 1997-07-17
DE69723053D1 (de) 2003-07-31
EP0871792B1 (de) 2003-06-25
EP0871794B1 (de) 2002-09-18
IL125103A0 (en) 1999-01-26
JP2000515929A (ja) 2000-11-28
US20060249373A1 (en) 2006-11-09
US20010010288A1 (en) 2001-08-02
JP2000503070A (ja) 2000-03-14

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