DE69723327T2 - Elektrolytische Kupferfolie für eine gedruckte Schaltungsplatte und verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Elektrolytische Kupferfolie für eine gedruckte Schaltungsplatte und verfahren zu ihrer Herstellung Download PDF

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Description

  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Diese Erfindung betrifft eine Elektrolytkupferfolie zur Verwendung bei der Herstellung einer gedruckten Verdrahtungsplatte, und außerdem betrifft sie ein Verfahren zur Herstellung der Elektrolytkupferfolie. Insbesondere betrifft diese Erfindung eine Elektrolytkupferfolie, die mit einem feinen körnigen galvanischen Überzug versehen ist, welcher gleichmäßig und dicht auf einer Oberfläche von einer matten oder rauen Seite der Elektrolytkupferfolie gebildet ist, wobei diese Oberfläche im Voraus durch Polieren behandelt worden ist. Die auf diese Art und Weise gebildete Elektrolytkupferfolie ist bei Ätzeigenschaften hervorragend bei der Gelegenheit der Bildung eines Verdrahtungsmuster, und ist folglich recht geeignet zur Verwendung bei der Bildung eines extrem feinen Musters, welches bei Hochfrequenzmerkmal und bei Isolationszuverlässigkeit hervorragend ist.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Die Elektrolytkupferfolie, die bei der Herstellung einer gedruckten Verdrahtungsplatte eingesetzt werden soll, wird im Allgemeinen erhalten, indem zuerst Kupfer auf der Oberfläche einer Kathodentrommel durch ein elektrochemisches Mittel galvanisch abgeschieden wird, nämlich durch die Elektrolyse eines Kupferelektrolyts, und dann die resultierende galvanisch abgeschiedene Kupferschicht von der Kathodentrommel abgestreift wird. Die auf diese Art und Weise erhaltene Elektrolytkupferfolie wird auch als eine galvanisch abgeschiedene Kupferfolie bezeichnet. Eine spiegelnde oder glänzende (Trommel-)Seite dieser galvanisch abgeschiedenen Kupferfolie ist relativ glatt, aber eine matte oder raue (Kupfer-abgeschiedene Vorder-)Seite davon ist im Allgemeinen uneben. Die kupferkaschierte laminierte Platte, die bei der Herstellung einer gedruckten Verdrahtungsplatte verwendet werden soll, wird hergestellt, indem eine körnige galvanisch abgeschiedene Kupferschicht auf der matten Seite dieser galvanisch abgeschiedenen Kupferfolie gebildet wird (eine Knollenbildungsbehandlung), die Folie auf ein Harzträgermaterial, gefertigt aus Glasfaser-Epoxid-Verbundstoff oder Polyimid, gelegt wird, wobei diese behandelte matte Seite zu dem Trägermaterial zeigt, und wobei Wärme und Druck aufgebracht werden. Das Verdrahtungsmuster der gedruckten Verdrahtungsplatte wird gebildet, indem diese kupferkaschierte laminierte Platte geätzt wird.
  • Im jüngsten Trend zur Übernahme eines extrem feinen Musters auf eine gedruckte Verdrahtungsplatte hat jedoch die Höhe der Rauheit oder die Unregelmäßigkeit von der matten Seite der Kupferfolie ein Problem aufgeworfen, dass die Rauheit von der matten Seite der Kupferfolie relativ groß ist im Vergleich zu der Feinheit eines Verdrahtungsmusters, von welchem erwünscht ist, dass es auf der gedruckten Verdrahtungsplatte gebildet wird, wodurch eine Störung der Isolationszuverlässigkeit zwischen Schaltkreisleitungen oder zwischen Schaltkreisschichten herausgefordert wird.
  • Um dieses Problem zu überwinden, ist in jüngster Zeit versucht worden, eine Kupferfolie mit sehr niedrigem Profil (Very-Low-Profile(VLP)-Folie) einzusetzen, d. h. eine galvanisch abgeschiedene Kupferfolie, deren Rauigkeit von der Oberfläche der matten Seite auf ein niedriges Ausmaß reguliert ist. Gemäß JIS B 0601 hat eine gewöhnliche galvanisch abgeschiedene Kupferfolie mit einer Dicke von 18 μm eine Oberflächenrauigkeit (Rz) von 5 bis 8 μm auf ihrer matten Seite, wobei Rz die mittlere Abweichung der fünf höchsten Berge und der fünf niedrigsten Täler von der Mittellinie innerhalb der Rauigkeitsbezugsstrecke ist. Wohingegen in dem Fall der VLP-Folie deren Rz etwa 3 bis 5 μm ist. Andererseits ist der Rz der glänzenden Seite (eine Trommelseite) dieser galvanisch abgeschiedener. Kupferfolie, welche der matten Seite gegenüberliegt, etwa 1,5 bis 2,0 μm, ungeachtet der Art der galvanisch abgeschiedenen Kupferfolie, da diese glänzende Seite durch eine Übertragungsseite auf der Oberfläche der Trommel gebildet wird.
  • Selbst wenn die Oberflächenrauigkeit der VLP-Folie relativ niedrig ist, ist immer noch ein gewisser Grad an Rauigkeit in der Oberfläche der VLP-Folie übrig, was folglich ein Problem hervorbringt bei der Gelegenheit der zuvor genannten Knollenbildungsbehandlung, dass die Knöllchen, die bei der Behandlung gebildet werden sollen, an den Spitzen der konvexen Abschnitte konzentriert werden. Wenn die Knöllchen auf diese Art und Weise konzentriert sind, können sie Kupferüberbleibsel werden, die nach der Bildung eines feinen Musters in dem Trägermaterial eingebettet sind, so dass es erforderlich sein kann, eine zusätzliche Ätzung auszuführen, um diese Kupferüberbleibsel zu entfernen. Wenn diese zusätzliche Ätzung ausgeführt wird, kann das feine Muster überätzt werden, was folglich ein Problem hervorbringt, dass die Leitungsbreite des Musters schmaler als eine vorherbestimmte Breite wird.
  • Es ist außerdem ein Verfahren vorgeschlagen worden zur Bildung eines feinen Musters (Japanische Patentanmeldung Offenlegungsamtsblatt Nr. Hei 6-270.331), worin die vorher genannte Knollenbildungsbehandlung auf der glänzenden Seite einer galvanisch abgeschiedenen Kupferfolie durchgeführt wird, und dann ein Trägermaterial auf diese glänzende Seite einer galvanisch abgeschiedenen Kupferfolie gelegt wird, wodurch eine kupferkaschierte laminierte Platte zur Bildung eines feinen Musters hergestellt wird.
  • Gemäß dem Verfahren dieser Japanischen Patentanmeldung Offenlegungsamtsblatt Nr. Hei 6-270.331 ist es jedoch schwierig, Kupferkörnchen auf der glänzenden Seite einer galvanisch abgeschiedenen Kupferfolie in der Knollenbildungsbehandlung gleichmäßig galvanisch abzuscheiden. Obwohl die Oberflächenrauigkeit nach der Knollenbildungsbehandlung von der Folie einen so kleinen Rz-Wert wie 2,0 bis 2,2 aufweist, wird nämlich lokal ein Knöllchen von relativ großem Durchmesser gebildet, wodurch es schwierig wird, eine derartige Kupferfolie zur Verwendung bei der Bildung eines extrem feinen Musters einzusetzen.
  • Es wird außerdem ein Verfahren vorgeschlagen, worin die zuvor genannte Knollenbildungsbehandlung durchgeführt wird, nachdem eine galvanisch abgeschiedene Kupferfolie in einem solchen Ausmaß Walzen-bearbeitet wurde, dass ein ursprüngliches Profil auf einer matten Oberfläche nicht vollständig verschwunden ist (Japanische Patentanmeldung Offenlegungsamtsblatt Nr. Sho 62-42.022). Weiterhin wird ebenfalls ein Verfahren vorgeschlagen, worin die zuvor genannte Knollenbildungsbehandlung ausgeführt wird, nachdem eine galvanisch abgeschiedene Kupferfolie einem Anschleifen, einem Planieren, einer Entladungs-Bearbeitung oder einem elektrolytischen Polieren in einem solchen Ausmaß unterzogen wird, dass das ursprüngliche Profil auf einer matten Oberfläche nicht vollständig verschwunden ist (Japanische Patentanmeldung Offenlegungsamtsblatt Nr. Sho 59-145.800).
  • Jedoch wird bei all diesen Verfahren des Knöllchenbildungsverfahrens gemäß dem Stand der Technik die ursprünglich unebene Oberfläche der Kupferfolie immer noch teilweise übrig bleiben, so dass es schwierig ist, eine gleichmäßige Bildung von winzigen Knöllchen auszuführen, d. h. es ist unmöglich, eine lokale galvanische Abscheidung der Knöllchen zu vermeiden, wodurch es folglich misslingt, die Rauigkeit von der ursprünglichen matten Oberfläche der Folie in irgendeinem wesentlichen Grad zu verringern. Anders ausgedrückt, es ist gemäß dem Stand der Technik unmöglich gewesen, eine Elektrolytkupferfolie zu erhalten, welche herausragend bei Ätzeigenschaften ist bei der Gelegenheit der Bildung eines Verdrahtungsmusters, und welche geeignet ist zur Verwendung bei der Bildung eines extrem feinen Musters, welches bei Hochfrequenzmerkmal und Isolationszuverlässigkeit hervorragend ist.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung ist in Hinblick darauf getätigt worden, die zuvor genannten Probleme zu lösen, die in dem Stand der Technik inbegriffen sind, und deshalb ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Elektrolytkupferfolie bereitzustellen, welche bei der Haftfähigkeit mit einem Trägermaterial und bei Ätzeigenschaften bei der Gelegenheit der Bildung eines Verdrahtungsmusters hervorragend ist, und welche zur Verwendung bei der Bildung eines extrem feinen Musters geeignet ist, welches bei Hochfrequenzmerkmal und bei Isolationszuverlässigkeit hervorragend ist.
  • Eine andere Aufgabe dieser Erfindung ist es, ein Verfahren zur Bildung einer solchen hervorragenden Elektrolytkupferfolie bereitzustellen.
  • Es ist von den vorliegenden Erfindern nach intensiven Studien zu den zuvor genannten Problemen, die in dem Stand der Technik inbegriffen sind, herausgefunden worden, dass es möglich ist, diese Probleme zu lösen, indem zuerst eine matte Seite einer Elektrolytkupferfolie so poliert wird, dass das ursprüngliche Profil auf der matten Oberfläche vollständig beseitigt wird, und gleichzeitig eine neue fein geraute Oberfläche mit einer Oberflächenrauigkeit (Rz) von 1,5 μm oder kleiner gebildet wird, und dann gleichmäßig Knöllchen auf dieser neuen fein gerauten Oberfläche gebildet werden (eine Knollenbildungsbehandlung), wodurch die Elektrolytkupferfolie mit einer Oberflächenrauigkeit (Rz) von 1,5 bis 2,0 μm erhalten wird. Gemäß diesem Verfahren ist es möglich, eine Elektrolytkupferfolie für eine gedruckte Verdrahtungsplatte zu erhalten, welche bei der Haftfähigkeit mit einem Trägermaterial und bei Ätzeigenschaften bei der Gelegenheit der Bildung eines Verdrahtungsmusters hervorragend ist, und welche zur Verwendung bei der Bildung eines extrem feinen Musters geeignet ist, welches bei Hochfrequenzmerkmal und bei Isolationszuverlässigkeit hervorragend ist. Diese Erfindung ist beruhend auf diesen Entdeckungen vollbracht worden.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird nämlich eine Elektrolytkupferfolie bereitgestellt, in welcher ein ursprüngliches Profil von einer matten Oberfläche davon vollständig beseitigt worden ist und feine Rauheiten mit polierten Streifen darauf neu gebildet worden sind, dadurch gekennzeichnet, dass eine Oberflächenrauigkeit (Rz) auf der matten Oberfläche vor der Bildung einer knollenförmigen Schicht 1,5 μm oder kleiner ist, und der Rz-Wert davon nach der Bildung der knollenförmigen Schicht 1,5 bis 2,0 μm ist.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine Mikroskopaufnahme, die eine Oberfläche von einer Elektrolytkupferfolie zeigt, die mit einer körnigen Kupferschicht darauf gemäß Beispiel 1 versehen ist;
  • 2 ist eine Mikroskopaufnahme, die eine Querschnittsansicht in der Längsrichtung eines Verdrahtungsmusterabschnitts zeigt;
  • 3 ist eine schematische Querschnittsansicht in der Längsrichtung eines Verdrahtungsmusterabschnitts zur Veranschaulichung eines Verfahrens zur Berechnung eines Mittelwerts und der Standardabweichung für die Tiefe der Kupferkörner, die in dem Trägermaterial eingebettet ist;
  • 4 ist eine schematische Querschnittsansicht von einem Verdrahtungsmuster zur Veranschaulichung eines Verfahrens zur Berechnung eines Ätzfaktors Ef;
  • 5 ist eine Elektronenmikroskopaufnahme, die eine behandelte Oberfläche von einer Elektrolytkupferfolie zeigt, die gemäß Beispiel 1 erhalten wurde;
  • 6 ist eine schematische Draufsicht von einem Verdrahtungsmuster zur Veranschaulichung eines Verfahrens zur Berechnung der Linearität einer Schaltung;
  • 7 ist eine Mikroskopaufnahme, die eine Oberfläche einer Elektrolytkupferfolie zeigt, die mit einer körniger Kupferschicht darauf gemäß Vergleichsbeispiel 1 versehen ist;
  • 8 ist eine Elektronenmikroskopaufnahme, die eine behandelte Oberfläche von einer Elektrolytkupferfolie zeigt, die gemäß Vergleichsbeispiel 1 erhalten wurde;
  • 9 ist eine Mikroskopaufnahme, die eine Oberfläche von einer Elektrolytkupferfolie zeigt, die mit einer körniger. Kupferschicht darauf gemäß Vergleichsbeispiel 1 versehen ist; und
  • 10 ist eine Elektronenmikroskopaufnahme, die eine behandelte Oberfläche von einer Elektrolytkupferfolie zeigt, die gemäß Vergleichsbeispiel 2 erhalten wurde.
  • Ausführliche Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform
  • Diese Erfindung wird wie folgt ausführlich erklärt.
  • Als Elektrolytkupferfolie, die in dieser Erfindung eingesetzt werden soll, kann eine gewöhnliche Kupferfolie, deren matte Oberflächenseite eine relativ große Rauigkeit aufweist, sowie eine Kupferfolie mit sehr niedrigem Profil (VLP-Kupferfolie), deren matte Oberfläche eine sehr kleine Rauigkeit aufweist, verwendet werden. In den folgenden Erklärungen jedoch werden die Ausführungsformen, in denen die VLP-Kupferfolie eingesetzt wurde, erklärt werden.
  • Die Elektrolytkupferfolie zur Verwendung in einer gedruckten Verdrahtungsplatte gemäß dieser Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die matte Seite (Kupferabscheidungs-Wachstumsfront) einer ursprünglichen Elektrolytkupferfolie im Voraus einer Polierbehandlung unterzogen wird, um eine Oberfläche mit einer Rauigkeit von 1,5 μm oder kleiner zu bilden, und dann wird diese polierte Oberfläche einer Knollenbildungsbehandlung unterzogen, um eine Oberflächenrauigkeit Rz von 1,5 bis 2,0 μm nach dieser knollenförmigen Oberflächenbildungsbehandlung zu erhalten.
  • Wenn die Rauigkeit von der matten Seite der Elektrolytkupferfolie nach der Polierbehandlung größer als 1,5 μm ist, ist es wahrscheinlicher, dass das galvanisch abgeschiedene Kupfer unerwünschter Weise auf dem oberen Abschnitt der konvexen Abschnitte der polierten Oberfläche bei der Gelegenheit konzentriert wird, dass eine körnige Kupferelektrolytabscheidung auf der polierten Oberfläche der Elektrolytkupferfolie gebildet wird (eine Knollenbildungsbehandlung).
  • Unterdessen, falls die Oberflächenrauigkeit von der matten Seite der Elektrolytkupferfolie nach der Bildung von körniger Kupferelektrolytabscheidung darauf kleiner als 1,5 μm ist, wäre die Abschälfestigkeit eines Verdrahtungsmusters nach dessen Bildung auf einer gedruckten Verdrahtungsplatte unzureichend. Andererseits, falls die Oberflächenrauigkeit von der matten Oberflächenseite der Elektrolytkupferfolie nach der Bildung von körniger Kupferelektrolytabscheidung darauf 2,0 μm übersteigt, kann ein relativ großes Knöllchen lokal gewachsen sein, wodurch die Ätzeigenschaft, das Hochfrequenzmerkmal und die Isolationszuverlässigkeit der resultierenden Elektrolytkupferfolie ver schlechtert wird.
  • Durch den Ausdruck "Knollenbildungsbehandlung", wie er in dieser Erfindung zitiert wird, ist eine Behandlung zur Bildung einer winzigen körnigen Kupferelektrolytabscheidung auf der matten Seite einer Elektrolytkupferfolie gemeint, indem von einer Elektrolytlösung Gebrauch gemacht wird, wodurch eine Verankerungswirkung der haftenden Fläche von der Elektrolytkupferfolie auf einem Trägermaterial, das daran angeheftet werden soll, verbessert wird.
  • Diese Erfindung wird weiter ausführlich erklärt mit Bezug auf das Verfahren zur Herstellung einer Elektrolytkupferfolie zur Verwendung in einer gedruckter Verdrahtungsplatte gemäß dieser Erfindung.
  • Das Verfahren zur Herstellung einer Elektrolytkupferfolie gemäß dieser Erfindung ist gekennzeichnet dadurch, dass das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: Polieren einer matten Oberfläche der Elektrolytkupferfolie, um das ursprüngliche Profil auf der matten Oberfläche vollständig zu beseitigen, weiter Polieren der vollständig beseitigten matten Oberfläche, um feine Rauheiten mit polierten Streifen neu zu bilden und eine Oberflächenrauigkeit von der matten Oberfläche vor der Bildung von Knöllchen darauf auf 1,5 μm oder weniger zu regulieren, und Unterwerfen dieser matten Oberfläche einer Knollenbildungsbehandlung, um die Oberflächenrauigkeit auf 1,5 bis 2,0 μm nach dieser Knollenbildungsbehandlung zu regulieren.
  • Gemäß einem Verfahren zur Herstellung einer Elektrolytkupferfolie dieser Erfindung wird zuallererst eine galvanisch abgeschiedene Kupferfolie durch eine Führungsrolle hindurch gelassen und gleichzeitig wird die matte Seite der Folie auf einen Polierer gedrückt, um das ursprüngliche Profil von der matten Seite vollständig zu beseitigen und eine neue winzig aufgeraute Oberfläche mit einer Rauigkeit Rz von 1,5 μm oder kleiner zu bilden. Die Zahl der Umdrehungen des Polierers sollte in diesem Fall vorzugsweise 100 bis 1.000 U/Min sein. Wenn die Zahl der Umdrehungen des Polierers kleiner als 100 U/Min ist, ist es schwierig, eine gleichmäßige Oberflächenrauigkeit zu bilden. Andererseits, wenn die Zahl der Umdrehungen des Polie rers größer als 1.000 U/Min ist, wird die Drehung des Polierers instabil. Wenn die Zahl der Umdrehungen des Polierers aus dem zuvor genannten Bereich herausfällt, wäre es in jedem Fall schwierig, eine Elektrolytfolie mit einer Oberflächenrauigkeit Rz von 1,5 μm oder kleiner stabil zu erhalten.
  • Der Kontaktdruck des Polierers sollte vorzugsweise 0,5 bis 3, 0 kgf/cm2 (1 kgf/cm2 = 9, 80665 N/cm2) sein, besser 1, 0 bis 2, 0 kgf/cm2. Wenn der Kontaktdruck des Polierers kleiner als 0,5 kgf/cm2 ist, wäre der Druck zu schwach, um die Oberflächenrauigkeit zu einem gewünschten Ausmaß ausreichend zu verringern. Andererseits, wenn der Kontaktdruck des Polierers größer als 3,0 kgf/cm2 ist, wird der Druck auf die Kupferfolie so stark, dass er die physikalische Festigkeit der Kupferfolie ungünstig beeinträchtigen würde, was gelegentlich den Bruch der Kupferfolie hervorrufen würde.
  • Das Polieren sollte vorzugsweise bei einer Bandgeschwindigkeit im Bereich von 2 bis 4 m/min durchgeführt werden. Wenn das Polieren bei einer Bandgeschwindigkeit durchgeführt wird, die außerhalb dieses Bereichs liegt, kann das Polieren ungleichmäßig werden, was es schwierig macht, eine Elektrolytkupferfolie mit einer Oberflächenrauigkeit von 1,5 μm oder kleiner zu erhalten. Für die Art des Schleifmaterials, das bei diesem Polieren eingesetzt werden soll, gibt es keine Beschränkung. Jedoch sollte der Korndurchmesser des Schleifmaterials vorzugsweise auf 5 bis 50 μm beschränkt sein. Zum Beispiel kann es bevorzugt sein, das Polieren unter Verwendung eines Polierers der Nr. 1.000, worin Aluminiumoxid als ein Schleifmaterial eingesetzt ist, durchgeführt wird. Mittels dieses Polierens wird die Oberflächenrauigkeit von der rauen Seite der Elektrolytkupferfolie auf 1,5 μm oder kleiner beruhend auf Rz reguliert. Mit diesem Polieren wird die ursprüngliche Rauheit auf der matten Oberfläche der Kupferfolie, welche als ein Ergebnis der Elektrolyse erzeugt wurde, entfernt (wobei die ursprünglich aufgeraute Form vollständig beseitigt wird), und gleichzeitig werden neue sehr feine Streifen dicht auf dieser matten Oberfläche der Kupferfolie gebildet, wodurch eine matte Oberfläche mit einer vorherbestimmten Rauigkeit gebildet wird.
  • Anschließend wird eine Knollenbildungsbehandlung auf dieser polierten matten Seite mit einer Rauigkeit Rz von 1,5 μm oder kleiner durchgeführt. In der Knollenbildungsbehandlung werden auf den oberen Abschnitten der konvexen Abschnitte der matten Oberfläche im Allgemeinen bevorzugt vor den anderen Abschnitten der matten Oberfläche knollenförmige Kupferkörner galvanisch abgeschieden. Entsprechend können, da die Zahl der oberen Abschnitte pro Flächeneinheit auf dieser matten Oberfläche der Kupferfolie groß ist als ein Ergebnis der zuvor genannten Polierbehandlung zum dichten Bilden neuer sehr feiner Streifen auf der Oberfläche, die Kupferkörner gleichmäßig und dicht auf dieser matten Oberfläche galvanisch abgeschieden werden. Diese Knollenbildungsbehandlung wird durch die Elektrolyse eines Kupferelektrolyts durchgeführt, während eine unlösliche Elektrode dieser polierten matten Oberfläche gegenüber angeordnet ist. Diese Knollenbildungsbehandlung besteht aus einer Reihe von Plattierungsbehandlungen, nämlich einer gebrannten Plattierung, einer Deckplattierung und einer haarkristalligen Plattierung, die jeweils unter den folgenden Elektrolysebedingungen durchgeführt werden.
  • (1) Gebrannte Plattierung
  • Diese gebrannte Plattierung wird durchgeführt, indem eine unlösliche Elektrode der matten Seite einer Elektrolytkupferfolie gegenüber angeordnet wird und unter den folgenden Elektrolysebedingungen:
    • Konzentration von Kupfer: 5 bis 30 g/l
    • Konzentration von Schwefelsäure: 50 bis 150 g/l
    • Temperatur des Galvanisierbades: 20 bis 30°C
    • Stromdichte: 20 bis 40 A/dm2
    • Zeit: 5 bis 15 Sekunden
  • Unter diesen Elektrolysebedingungen wird eine galvanisch abgeschiedene körnige Kupferschicht oder eine sogenannte gebrannte Plattierung auf der matten Seite der Elektrolytkupferfolie gebildet.
  • (2) Deckplattierung
  • Dann wird die Oberfläche, die mit dieser gebrannten Plattierung behandelt worden ist, weiter einer Deckplattierung unter den folgenden Elektrolysebedingungen unterzogen:
    • Konzentration von Kupfer: 40 bis 80 g/l
    • Konzentration von Schwefelsäure: 50 bis 150 g/l
    • Temperatur des Galvanisierbades: 45 bis 55°C
    • Stromdichte: 20 bis 40 A/dm2
    • Zeit: 5 bis 15 Sekunden
  • Unter diesen Elektrolysebedingungen wird eine Deckschicht aus Kupfer oder eine sogenannte Deckplattierung auf der zuvor genannten galvanisch abgeschiedenen körnigen Kupferschicht gebildet.
  • (3) Haarkristallige Plattierung
  • Des Weiteren wird die Oberfläche, welche mit dieser Deckplattierung behandelt worden ist, weiter einer haarkristalligen Plattierung unter den folgenden Elektrolysebedingungen unterzogen:
    • Konzentration von Kupfer: 5 bis 30 g/l
    • Konzentration von Schwefelsäure: 30 bis 60 g/l
    • Temperatur des Galvanisierbades: 20 bis 30°C
    • Stromdichte: 10 bis 40 A/dm2
    • Zeit: 5 bis 15 Sekunden
  • Unter diesen Elektrolysebedingungen wird ein haarkristallartiges Kupfer oder eine sogenannte haarkristallige Plattierung auf der zuvor genannten Kupferdeckschicht gebildet.
  • Die Oberflächenrauigkeit nach dieser Knollenbildungsbehandlung von der matten Seite der Kupferfolie würde in dem Bereich von 1, 5 bis 2,0 μm sein, beruhend auf Rz. Wenn die Oberflächenrauigkeit der Kupferfolie beruhend auf Rz kleiner als 1,5 μm ist, kann es schwierig sein, eine ausreichende Abschälfestigkeit zu erwarten, wenn ein Verdrahtungsschaltkreis gebildet wird, indem Verwendung gemacht wird von einer solchen Kupferfolie, die im Voraus auf ein Trägermaterial geklebt worden ist. Andererseits kann, wenn die Oberflächenrauigkeit der Kupferfolie beruhend auf Rz über 2,0 μm steigt, verursacht werden, dass Knöllchen von relativ großer Größe lokal wachsen, wodurch die Ätzeigenschaft, das Hochfrequenzmerkmal und die Isolationszuverlässigkeit der Kupferfolie beeinträchtig werden.
  • Nachdem die Elektrolytkupferfolie der Knollenbildungs behandlung wie oben erwähnt unterzogen wurde, wird sie dann einer Korrosionsschutzbehandlung unterzogen. Die Bedingungen für diese Korrosionsschutzbehandlung können die gleichen sein wie diejenigen, die allgemein auf dem Gebiet eingesetzt werden.
  • Zum Beispiel kann diese Korrosionsschutzbehandlung durchgeführt werden, indem Zink auf die Oberfläche der Kupferfolie plattiert wird, welche im Voraus der zuvor genannten Knollenbildungsbehandlung unterzogen worden ist, und dann diese Zinkplattierte Oberfläche einer elektrolytischen Chromatierung unterzogen wird, welcher eine Silankopplungsbehandlung wie unten erklärt folgt.
  • In der Zinkplattierungsbehandlung wird eine Elektrolytlösung, die Zink bei einer Konzentration von 5 g/l und Schwefelsäure bei einer Konzentration von 50 g/l enthält und bei einer Temperatur von 25°C gehalten wird, eingesetzt, und die Plattierung wird bei einer Stromdichte von 5 A/dm2 8 Sekunden lang durchgeführt.
  • Dann wird die elektrolytische Chromatierung auf dieser Zink-plattierten Oberfläche durchgeführt unter Verwendung einer Elektrolytlösung, die Chromanhydrid (Chrom(VI)-oxid) bei einer Konzentration von 2 g/l enthält, deren pH auf 4 eingestellt wurde, 8 Sekunden lang unter der Bedingung, dass die Stromdichte auf 1 A/dm2 geregelt wird.
  • Zuletzt wird g-Glycidoxypropyltrimethoxysilan als ein Silankopplungsmittel auf die chromatierte Oberfläche aufgezogen. Die nach diesen Oberflächenbehandlungen erhaltene Elektrolytkupferfolie wird auf eine Oberfläche von einem Harzträgermaterial, das zum Beispiel aus Glasfaser-Epoxid-Verbundstoff oder Polyimid gefertigt ist, mittels einer thermischen Pressbindung oder einer Druckbindung aufgelegt, wobei diese polierte Oberfläche der Kupferfolie zu dem Harzträgermaterial zeigt, wodurch eine kupferkaschierte Laminatplatte erhalten wird.
  • Eine trockene Folie wird dann auf diese kupferkaschierte Laminatplatte aufgelegt gemäß einem bekannten Verfahren und über eine Musterfolie, die eine vorherbestimmte Photolackbreite und einen vorherbestimmten Schaltkreisabstand trägt, einem UV-Licht ausgesetzt, wodurch ein Schaltkreismuster gebildet wird. Das Schaltkreismuster, das auf diese Art und Weise gebildet wurde, wird dann einer Ätzbehandlung unterzogen durch ein bekanntes Verfahren unter Verwendung einer Kupferchloridätzlösung, welche auf dem Markt erhältlich ist, wodurch eine gedruckte Verdrahtungsplatte erhalten wird, die ein gewünschtes Verdrahtungsmuster trägt.
  • Diese Erfindung wird wie oben erwähnt dadurch gekennzeichnet, dass die matte Seite einer galvanisch abgeschiedenen Kupferfolie zuerst mit einem Polierer poliert wird, so dass das ursprüngliche Profil der matten Oberfläche vollständig verschwindet und gleichzeitig eine neue feine Streifenoberfläche gebildet wird mit einer Rauigkeit von 1,5 μm oder kleiner, und dann Knöllchen, gebildet aus gleichmäßigen feinen körnigen galvanischen Kupferabscheidungen, dicht auf der matten Oberfläche gebildet werden. Deshalb ist es gemäß dieser Erfindung möglich geworden, eine Elektrolytkupferfolie zu erhalten, die zur Verwendung bei der Bildung eines extrem feinen Musters geeignet ist, welche hervorragend bei der Isolationszuverlässigkeit zwischen Leitungen eines Schaltkreismusters ist. Darüber hinaus ist es, da die Rauigkeit von beiden Oberflächen der Elektrolytkupferfolie gemäß dieser Erfindung relativ gering ist, möglich, eine Elektrolytkupferfolie herzustellen, die zur Verwendung bei der Bildung eines extrem feinen Musters geeignet ist, welche hervorragend bei der Isolationszuverlässigkeit zwischen Schichten und bei den Hochfrequenzmerkmalen ist, sogar wenn die Elektrolytkupferfolie zur Herstellung einer gedruckten Verdrahtungsplatte verwendet wird.
  • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Diese Erfindung wird mit Bezug auf ein spezielles Beispiel und Vergleichsbeispiele weiter erklärt werden.
  • Beispiel 1
  • Die matte Seite einer Elektrolytkupferfolie mit einer Dicke von 18 μm, einer Rauigkeit (Rz) von 1,60 μm auf der glänzenden Seite davon, einer Rauigkeit (Rz) von 2,50 μm auf der matten Seite davon, wird einer Polierbehandlung unter Verwendung eines Polierers der Nr. 1.000 (Tsunoda Brush Kabushiki Kaisha), worin Aluminiumoxid als ein Reibmaterial eingesetzt wird, unter den folgenden Bedingungen unterzogen: 200 U/Min als Anzahl der Umdrehungen, 1,0 kgf/cm2 als Kontaktdruck und 3 m/min als Bandgeschwindigkeit. Als ein Ergebnis wurde für die Oberflächenrauigkeit (Rz) von der Seite der Kupferfolie mit der matten Oberfläche herausgefunden, dass sie 1,50 μm ist.
  • Dann wurde eine Elektrolytlösung, die Kupfer bei einer Konzentration von 12 g/l und Schwefelsäure bei einer Konzentration von 100 g/l enthielt und bei einer Temperatur von 25°C gehalten wurde, eingesetzt, um eine gebrannte Plattierung durch Elektrolyse der Polierer-behandelten Oberfläche 10 Sekunden lang bei einer Stromdichte von 30 A/dm2 durchzuführen, während eine unlösliche Elektrode gegenüber der Seite mit der Polierer-behandelten Oberfläche angeordnet wurde. Danach wurde eine Deckplattierung 10 Sekunden lang bei einer Stromdichte von 30 A/dm2 unter Verwendung einer Elektrolytlösung durchgeführt, die Kupfer bei einer Konzentration von 60 g/l und Schwefelsäure bei einer Konzentration von 100 g/l enthielt und bei einer Temperatur von 50°C gehalten wurde.
  • Des weiteren wurde eine haarkristallige Plattierung 10 Sekunden lang durchgeführt bei einer Stromdichte von 10 A/dm2 unter Verwendung einer Elektrolytlösung, die Kupfer bei einer Konzentration von 12 g/l und Schwefelsäure bei einer Konzentration von 45 g/l enthielt und bei einer Temperatur von 25°C gehalten wurde, wodurch eine körnige Kupferschicht gebildet wurde.
  • Die Oberflächenrauigkeit (Rz) von der matten Oberfläche der Kupferfolie nach der Polierbehandlung wurde als 1,89 μm festgestellt. 1 zeigt eine Mikroskopaufnahme (5.000-fache Vergrößerung) von der matten Oberfläche der Elektrolytkupferfolie nach der zuvor genannten Polierbehandlung. Wie aus der in der 1 gezeigten Mikroskopaufnahme zu ersehen ist, wurden Knöllchen, geformt aus körnigem Kupfer, entlang der feinen konkaven/ konvexen Form der Polierer-behandelten Oberfläche galvanisch abgeschieden.
  • Dann wurde eine Korrosionsschutzbehandlung auf der Seite der matten Oberfläche der Elektrolytkupferfolie, die der zuvor genannten Knollenbildungsbehandlung unterzogen worden war, folgendermaßen durchgeführt.
  • Zuallererst wurde eine Zinkplattierung 8 Sekunden lang bei einer Stromdichte von 5 A/dm2 durchgeführt unter Verwendung einer Elektrolytlösung, die Zink bei einer Konzentration von 5 g/l und Schwefelsäure bei einer Konzentration von 50 g/l enthielt und bei einer Temperatur von 25°C gehalten wurde. Danach wurde eine elektrolytische Chromatierung 5 Sekunden lang durchgeführt bei einer Stromdichte von 1 A/dm2 unter Verwendung einer Elektrolytlösung, die Chromanhydrid bei einer Konzentration von 2 g/l enthielt und auf einen pH-Wert von 4 eingestellt war. Anschließend wurde das resultierende Produkt mit fließendem Wasser gewaschen und mit heißer Luft getrocknet.
  • Die Elektrolytkupferfolie, die nach diesen Oberflächenbehandlungen erhalten wurde, wurde auf eine Oberfläche eines Harzträgermaterials aus Glasfaser-Epoxid-Verbundstoff (FR-4) mittels einer thermischen Pressbindung aufgelegt, wobei diese polierte Oberfläche der Kupferfolie zu dem Harzträgermaterial zeigte, wodurch eine kupferkaschierte Laminatplatte erhalten wurde.
  • Dann wurde eine trockene Folie (Nichigo Alfa Kabushiki Kaisha) auf diese kupferkaschierte Laminatplatte aufgelegt und über eine Musterfolie, die eine Photolackbreite von 50 μm und einen Schaltkreisabstand von 100 μm trug, einem UV-Licht ausgesetzt, wodurch ein Schaltkreismuster gebildet wurde. Das Schaltkreismuster, das auf diese Art und Weise gebildet wurde, wurde dann einer Ätzung bei einer Temperatur von 50°C 30 Sekunden lang unterzogen unter Verwendung einer Kupferchloridätzlösung, welche auf dem Markt erhältlich ist, wodurch eine gedruckte Verdrahtungsplatte erhalten wurde, die ein gewünschtes Verdrahtungsmuster trägt.
  • Dann wurden die folgenden Evaluierungstests an dieser Verdrahtungsplatte durchgeführt.
  • 1) die Größe der Kupferkörner, die in das Glasfaser-Epoxid-Verbund-Trägermaterial eingebettet waren:
  • Ein Stück der gedruckten Verdrahtungsplatte wurde in ein kaltes Einbettungsharz eingebettet und einen ganzen Tag und eine ganze Nacht lang gehalten, damit dem Harz ermöglicht wurde, vollständig auszuhärten. Danach wurde eine Aufnahme mit 1.500-facher Vergrößerung von dem Querschnitt des Schaltkreismusters in dessen Längsrichtung aufgenommen, indem von einem Mikroskop Gebrauch gemacht wurde (2).
  • Dann wurde eine gerade Linie gezogen, wie in der 3 gezeigt, und der Abstand von dieser geraden Linie zu dem Kupferkorn an 15 Messpunkten gemessen. Dann wurde ein Mittelwert und die Standardabweichung der gemessenen Abstände berechnet. Diese Standardabweichung der gemessenen Abstände zeigt die Ungleichmäßigkeit der Größe der Kupferkörner an, d. h. je kleiner diese Standardabweichung ist, umso kleiner ist die Ungleichmäßigkeit der Größe der Kupferkörner.
  • Der erhaltene Mittelwert war 0,48 und die erhaltene Standardabweichung war 0,43.
  • (2) Ätzfaktor:
  • Der Ätzfaktor wurde mit Bezug auf die Mikroskopaufnahme mit 600-facher Vergrößerung von einem Stück des gleichen Querschnitts, wie in dem obigen Punkt (1) erklärt ist, wie folgt berechnet. Nämlich, wie in der 4 gezeigt, wurde die obere Breite des Verdrahtungsmusters von der gedruckten Verdrahtungsplatte als W1 definiert, die untere Breite des Verdrahtungsmusters von der gedruckten Verdrahtungsplatte wurde als W2 definiert, und die Dicke der Kupferfolie wurde als T definiert bei der Berechnung des Ätzfaktors Ef gemäß der folgenden Gleichung. Ef = 2T/(W2 – W1)
  • Aus dieser Gleichung kann verstanden werden, dass der Querschnitt des Schaltkreismusters von der Form her näher an ein Quadrat kommt, d. h. von der Form her schärfer wird, je größer der Ätzfaktor vom Wert her wird. Der Ätzfaktor, der in Beispiel 1 erhalten wurde, war 3,69 als Mittelwert von sechs Querschnittsstücken.
  • (3) Linearität des Verdrahtungsmusters:
  • Ein Glasfaser-Epoxid-Verbund-Trägermaterial wurde auf die Polierer-behandelte Oberfläche der Elektrolytkupferfolie, die in Beispiel 1 erhalten wurde, pressgebunden, um ein Schaltkreis muster mit einer Leitungsbreite von 50 bis 100 μm herzustellen. Dieses Schaltkreismuster wurde dann auf einen Probentisch eines Elektronenmikroskops montiert und die Mikroskopaufnahme mit 600-facher Vergrößerung des Schaltkreismusters (5) wurde aufgenommen, indem Gebrauch gemacht wurde von einem Feldemissions-Elektronenmikroskop (Hitachi Seisakusho, S-4100). Da beide Oberflächen von der Elektrolytkupferfolie, die gemäß dieser Erfindung erhalten wurde, eine kleine Rauigkeit besaßen, war die Linearität der Schaltung hervorragend. In dieser Erfindung wurde von dem Phänomen, dass die Qualität von Ätzmerkmalen manifestiert werden kann durch die Merkmale der Unregelmäßigkeit an der Bodenlinie des Schaltkreises, Notiz genommen, und deshalb wurden die Ätzmerkmale aus dem Grad der Unregelmäßigkeit bewertet, wie unten erklärt wird.
  • Dann wurden ein paar parallele gerade Linien in der Längsrichtung der Schaltkreisleitung gezeichnet, wie in der 6 gezeigt, und dann wurde die Breite des Bodens des Schaltkreises an 15 Messpunkten gemessen, die im gleichen Abstand zueinander festgelegt wurden. Dann wurde ein Mittelwert und die Standardabweichung der gemessenen Breiten berechnet. Diese Standardabweichung der gemessenen Breiten zeigt den Grad der Linearität an dem Boden des Schaltkreises an, d. h. je kleiner diese Standardabweichung ist, umso kleiner ist die Ungleichmäßigkeit der Breite des Schaltkreises, was wiederum bedeutet, dass die Spur der Ätzung näher an einer geraden Linie ist. Als Tatsache wurde für die Standardabweichung der Breite des Schaltkreises gemäß dieser Erfindung herausgefunden, dass sie 0,67 μm ist, was eine hervorragende Linearität des Schaltkreises anzeigt. Deshalb sind die Reste von Kupfer am Boden des Schaltkreises nach der Ätzbehandlunq in dem Schaltkreismuster dieser Erfindung sehr klein, so dass es möglich ist, eine hervorragende Zwischenschaltkreisisolierung zu erhalten.
  • (4) Abschälfestigkeit:
  • Die Abschälfestigkeit eines Verdrahtungsmusters mit 10 mm Leitungsbreite wurde gemessen. Als ein Ergebnis wurde die Abschälfestigkeit des Verdrahtungsmusters als 1,02 kgf/cm festgestellt.
  • Die Ergebnisse dieser Evaluierungstests sind in Tabelle 1 zusammengefasst.
  • Vergleichsbeispiel 1
  • Eine körnige Kupferschicht wurde auf der Seite mit der matten Oberfläche einer Elektrolytkupferfolie mit einer Dicke von 18 μm, einer Rauigkeit (Rz) auf der Seite mit der glänzenden Oberfläche davon von 1,60 μm, einer Rauigkeit (Rz) auf der Seite mit der matten Oberfläche davon von 4,60 μm, unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1 erklärt abgeschieden, aber ohne dass die zuvor genannte Polierbehandlung durchgeführt wurde. Die Oberflächenrauigkeit der resultierenden matten Oberflächenseite der Kupferfolie wurde als 5,75 μm festgestellt. 7 zeigt eine Mikroskopaufnahme (5.000-fache Vergrößerung) der Seite mit der matten Oberfläche der Elektrolytkupferfolie nach der Abscheidung der körnigen Kupferschicht. Wie aus 7 zu ersehen ist, wurden Knöllchen, geformt aus körnigem Kupfer, auf der Seite mit der matten Oberfläche der Kupferfolie unregelmäßig galvanisch abgeschieden.
  • Dann wurde eine Korrosionsschutzbehandlung auf der Seite mit der matten Oberfläche der Elektrolytkupferfolie, die eine solche körnige Kupferschicht wie oben erklärt trug, unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1 durchgeführt.
  • Die Elektrolytkupferfolie, die nach diesen Oberflächenbehandlungen erhalten wurde, wurde auf eine Oberfläche eines Harzträgermaterials, das aus Glasfaser-Epoxid-Verbundstoff hergestellt war, mittels einer thermischen Pressbindung aufgelegt, wobei diese oberflächenbehandelte Seite der Kupferfolie. zum Harzträgermaterial zeigte, wodurch eine kupferkaschierte Laminatplatte erhalten wurde.
  • Dann wurde die kupferkaschierte Laminatplatte über eine Musterfolie, die eine Photolackbreite von 50 μm und einen Schaltkreisabstand von 100 μm trug, einem UV-Licht auf die gleiche Art und Weise wie in Beispiel 1 ausgesetzt. Das Schaltkreismuster, das auf diese Art und Weise gebildet wurde, wurde dann einer Ätzung unterzogen, um eine gedruckte Verdrahtungsplatte zu erhalten.
  • Dann wurden die Evaluierungstests an dieser gedruckten Verdrahtungsplatte auf die gleiche Art und Weise wie in Beispiel 1 durchgeführt.
  • Die Größe der Kupferkörner, die in dem Glasfaser-Epoxid-Verbund-Trägermaterial eingebettet waren, wurde als 2,01 im Mittel festgestellt und die Standardabweichung war 1,67.
  • Der Ätzfaktor wurde als 1,86 als Mittelwert für sechs Querschnittsstücke festgestellt.
  • Dann wurde ein Glasfaser-Epoxid-Verbund-Trägermaterial auf die behandelte Oberfläche der Elektrolytkupferfolie pressgebunden auf die gleiche Art und Weise wie in Beispiel 1, um ein Schaltkreismuster mit einer Leitungsbreite von 50 bis 100 μm herzustellen. Danach wurde die Mikroskopaufnahme mit 600-facher Vergrößerung von diesem Schaltkreismuster (8) auf die gleiche Art und Weise aufgenommen wie in Beispiel 1. Wie aus der Mikroskopaufnahme offensichtlich ist, war, da die Seite mit der matten Oberfläche der Elektrolytkupferfolie gemäß diesem Vergleichsbeispiel 1 eine hohe Rauigkeit besaß, die Linearität des Schaltkreises gering.
  • Dann wurden ein paar parallele Linien in der Längsrichtung der Schaltkreisleitung auf die gleiche Art und Weise wie in Beispiel 1 gezeichnet, und dann wurde die Breite des Bodens des Schaltkreises an 15 Messpunkten gemessen, die im gleichen Abstand zueinander festgelegt wurden. Dann wurde ein Mittelwert und die Standardabweichung von den gemessenen Breiten berechnet.
  • Die Abschälfestigkeit eines Verdrahtungsmusters mit einer Leitungsbreite von 10 mm wurde als 1,51 kgf/cm festgestellt.
  • Die Ergebnisse dieser Evaluierungstests, wie die Rauigkeit von der Seite mit der matten Oberfläche, Ätzfaktor und Linearität des Schaltkreises, sind in Tabelle 1 zusammengefasst.
  • Vergleichsbeispiel 2
  • Eine körnige Kupferschicht wurde auf der glänzenden Seite einer gleichen Elektrolytkupferfolie abgeschieden, wie sie in Beispiel 1 eingesetzt wurde, d. h. mit einer Dicke von 18 μm, einer Rauigkeit (Rz) auf der glänzenden Oberfläche davon von 1,60 μm, einer Rauigkeit (Rz) auf der Seite mit der matten Oberfläche davon von 2,50 μm, unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1 erklärt, aber ohne dass die zuvor genannte Polierbehandlung durchgeführt wurde. Die Oberflächenrauigkeit der resultierenden glänzenden Oberfläche der Kupferfolie wurde als 2,09 μm festgestellt. 9 zeigt eine Mikroskopaufnahme (5.000-fache Vergrößerung) von der glänzenden Seite der Elektrolytkupferfolie nach der Abscheidung der körnigen Kupferschicht. Wie aus der 9 zu ersehen ist, wurden Knöllchen, geformt aus körnigem Kupfer, auf der glänzenden Seite der Kupferfolie unregelmäßig galvanisch abgeschieden.
  • Dann wurde eine Korrosionsschutzbehandlung auf der glänzenden Seite der Elektrolytkupferfolie, die eine solche körnige Kupferschicht wie oben erklärt trug, unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1 durchgeführt.
  • Dann wurde diese Elektrolytkupferfolie, die eine körnige Kupferschicht gebildet auf der glänzenden Oberfläche davon trug, über eine Musterfolie, die eine Photolackbreite von 50 μm und einen Schaltkreisabstand von 100 μm trug, einem UV-Licht auf die gleiche Art und Weise wie in Beispiel 1 ausgesetzt, wodurch ein Schaltkreismuster gebildet wurde. Das Schaltkreismuster, das auf diese Art und Weise gebildet wurde, wurde dann einer Ätzung unterzogen, um eine gedruckte Verdrahtungsplatte zu erhalten.
  • Dann wurden die Evaluierungstests an dieser gedruckten Verdrahtungsplatte auf die gleiche Art und Weise wie in Beispiel 1 durchgeführt.
  • Die Größe der Kupferkörner, die in dem Glasfaser-Epoxid-Verbund-Trägermaterial eingebettet waren, wurde als 0,98 im Mittel festgestellt und die Standardabweichung war 0,871.
  • Der Ätzfaktor wurde als 2,22 als Mittelwert für sechs Querschnittsstücke festgestellt.
  • Dann wurde ein Glasfaser-Epoxid-Verbund-Trägermaterial auf die behandelte Oberfläche der Elektrolytkupferfolie pressgebunden auf die gleiche Art und Weise wie in Beispiel 1, um ein Schaltkreismuster mit einer Leitungsbreite von 50 bis 100 μm herzustellen. Danach wurde die Mikroskopaufnahme mit 600-facher Vergrößerung von diesem Schaltkreismuster (10) auf die gleiche Art und Weise aufgenommen wie in Beispiel 1. Wie aus der Mikroskopaufnahme offensichtlich ist, war die Linearität des Schaltkreises nicht ausreichend genug zur Verwendung bei der Bildung eines extrem feinen Musters.
  • Dann wurden ein paar parallele Linien in der Längsrichtung der Schaltkreisleitung auf die gleiche Art und Weise wie in Beispiel 1 gezeichnet und dann wurde die Breite des Bodens des Schaltkreises an 15 Messpunkten gemessen, die im gleichen Abstand zueinander festgelegt wurden. Dann wurde ein Mittelwert und die Standardabweichung von den gemessenen Breiten berechnet.
  • Die Abschälfestigkeit eines Verdrahtungsmusters mit einer Leitungsbreite von 10 mm wurde als 1,13 kgf/cm festgestellt.
  • Die Ergebnisse dieser Evaluierungstests, wie die Rauigkeit von der Seite mit der matten Oberfläche, Ätzfaktor und Linearität des Schaltkreises, sind in Tabelle 1 zusammengefasst.
  • Tabelle 1
    Figure 00220001
  • Anmerkung:
  • (a)
    Ein Mittelwert aus drei Messpunkten, gemessen mit einem Oberflächenrauigkeitsprüfgerät.
    (b)
    Ein Mittelwert und Standardabweichung für Kupferkörner, welche erhalten wurden, als der Durchmesser der Kupferkörner an zehn Punkten zufällig von einer Mikroskopaufnahme (5.000-fache Vergrößerung) auf der matten Seite der Kupferfolie gemessen wurde.
    (c)
    Ein Mittelwert und Standardabweichung von der Tiefe der Knöllchen, welche erhalten wurden, als das Glasfaser-Epoxid-Verbund-Trägermaterial auf die matte Seite der Kupferfolie druckgebunden wurde und die Tiefe der Knöllchen, die in dem Trägermaterial eingebettet war, an 15 Messpunkten gemessen wurde.
    (d)
    Ein Mittelwert und Standardabweichung von der Breite des Schaltkreises, welche erhalten wurden, als das Glasfaser-Epoxid-Verbund-Trägermaterial auf die Seite mit der Poliererbehandelten Oberfläche der Kupferfolie pressgebunden wurde, und ein Schaltkreis mit einer Leitungsbreite von 50 bis 100 μm auf der Kupferfolie gebildet wurde, welcher dann an 15 Messpunkten ausgemessen wurde.
    (e)
    Alle Werte, die in der Spalte von Vergleichsbeispiel 2 angezeigt sind, wurden erhalten, indem Merkmale von der Seite mit der glänzenden Oberfläche gemessen wurden.

Claims (5)

  1. Eine elektrolytische Kupferfolie, in welcher ein ursprüngliches Profil einer matten Oberfläche davon vollständig beseitigt worden ist und feine Rauheiten mit polierten Streifen darauf neu gebildet worden sind, dadurch gekennzeichnet, dass eine Oberflächenrauigkeit Rz der matten Oberfläche vor der Bildung einer knollenförmigen Schicht 1,5 μm oder kleiner ist und die Oberflächenrauigkeit davon nach der Bildung der knollenförmigen Schicht 1,5 bis 2,0 μm ist.
  2. Die elektrolytische Kupferfolie gemäß Anspruch 1, worin eine Korrosionsschutzschicht auf der knollenförmigen Schicht bereitgestellt wird.
  3. Die elektrolytische Kupferfolie gemäß Anspruch 2, worin die Korrosionsschutzschicht zusammengesetzt ist aus einer Zinkschicht und einer Chromatierschicht, die auf der Zinkschicht ausgebildet ist.
  4. Die elektrolytische Kupferfolie gemäß Anspruch 3, worin eine Silankopplungsschicht auf der Chromatierschicht ausgebildet ist.
  5. Ein Verfahren zur Herstellung einer elektrolytischen Kupferfolie zur Verwendung in einer Fertigung einer gedruckten Verdrahtungsplatte, welches die folgenden Schritte umfasst: Polieren einer matten Oberfläche der elektrolytischen Kupferfolie, um ein ursprüngliches Profil auf der matten Oberfläche vollständig zu beseitigen, weiter Polieren der vollständig beseitigten matten Oberfläche, um feine Rauheiten mit polierten Streifen neu zu bilden und um eine Oberflächenrauigkeit der matten Oberfläche vor der Bildung von Knollen darauf auf 1,5 μm oder weniger zu regulieren, und Unterwerfen dieser matten Oberfläche einer Knollenbildungs behandlung, um die Oberflächenrauigkeit auf 1,5 bis 2,0 μm nach dieser Knollenbildungsbehandlung zu regulieren.
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Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19622429A1 (de) * 1996-06-04 1997-12-11 Wagner Int Verfahren und Vorrichtung zum Bestimmen der Beschaffenheit einer Werkstückoberfläche
US6086743A (en) * 1997-08-06 2000-07-11 Gould Electronics, Inc. Adhesion enhancement for metal foil
US6126761A (en) * 1998-06-10 2000-10-03 International Business Machines Corporation Process of controlling grain growth in metal films
US6242078B1 (en) * 1998-07-28 2001-06-05 Isola Laminate Systems Corp. High density printed circuit substrate and method of fabrication
JP3291482B2 (ja) * 1999-08-31 2002-06-10 三井金属鉱業株式会社 整面電解銅箔、その製造方法および用途
JP3291486B2 (ja) * 1999-09-06 2002-06-10 三井金属鉱業株式会社 整面電解銅箔、その製造方法およびその用途
US6372113B2 (en) * 1999-09-13 2002-04-16 Yates Foil Usa, Inc. Copper foil and copper clad laminates for fabrication of multi-layer printed circuit boards and process for producing same
JP2001089892A (ja) * 1999-09-21 2001-04-03 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd キャリア箔付電解銅箔及びその製造方法並びにそのキャリア箔付電解銅箔を用いた銅張積層板
JP2001177204A (ja) * 1999-12-15 2001-06-29 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 表面処理銅箔及びその表面処理銅箔の製造方法
JP3661763B2 (ja) * 2000-01-28 2005-06-22 三井金属鉱業株式会社 プリント配線板用表面処理銅箔の製造方法
JP3306404B2 (ja) * 2000-01-28 2002-07-24 三井金属鉱業株式会社 表面処理銅箔の製造方法及びその製造方法で得られた表面処理銅箔を用いた銅張積層板
JP3670186B2 (ja) * 2000-01-28 2005-07-13 三井金属鉱業株式会社 プリント配線板用表面処理銅箔の製造方法
US20020182432A1 (en) * 2000-04-05 2002-12-05 Masaru Sakamoto Laser hole drilling copper foil
JP3628585B2 (ja) * 2000-04-05 2005-03-16 株式会社日鉱マテリアルズ 銅張り積層板及び銅張り積層板のレーザーによる穴開け方法
JP2002105699A (ja) * 2000-10-02 2002-04-10 Nikko Materials Co Ltd 銅張り積層板用電解銅箔及びその製造方法
US7207008B1 (en) * 2001-09-12 2007-04-17 Bellsouth Intellectual Property Corp. Method, system, apparatus, and computer-readable medium for interactive notification of events
US6770976B2 (en) 2002-02-13 2004-08-03 Nikko Materials Usa, Inc. Process for manufacturing copper foil on a metal carrier substrate
US6596384B1 (en) 2002-04-09 2003-07-22 International Business Machines Corporation Selectively roughening conductors for high frequency printed wiring boards
JP4090467B2 (ja) * 2002-05-13 2008-05-28 三井金属鉱業株式会社 チップオンフィルム用フレキシブルプリント配線板
TW200404484A (en) * 2002-09-02 2004-03-16 Furukawa Circuit Foil Copper foil for soft circuit board package module, for plasma display, or for radio-frequency printed circuit board
TW200424359A (en) 2003-02-04 2004-11-16 Furukawa Circuit Foil Copper foil for high frequency circuit, method of production and apparatus for production of same, and high frequency circuit using copper foil
JP5116943B2 (ja) * 2003-02-04 2013-01-09 古河電気工業株式会社 高周波回路用銅箔及びその製造方法
JP4226927B2 (ja) * 2003-02-18 2009-02-18 三井金属鉱業株式会社 キャパシタ層形成用の両面銅張積層板の製造方法
JP3977790B2 (ja) * 2003-09-01 2007-09-19 古河サーキットフォイル株式会社 キャリア付き極薄銅箔の製造方法、及び該製造方法で製造された極薄銅箔、該極薄銅箔を使用したプリント配線板、多層プリント配線板、チップオンフィルム用配線基板
US7190016B2 (en) * 2004-10-08 2007-03-13 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Capacitor structure
US7307022B2 (en) * 2004-11-19 2007-12-11 Endicott Interconnect Technologies, Inc. Method of treating conductive layer for use in a circuitized substrate and method of making said substrate having said conductive layer as part thereof
US6964884B1 (en) * 2004-11-19 2005-11-15 Endicott Interconnect Technologies, Inc. Circuitized substrates utilizing three smooth-sided conductive layers as part thereof, method of making same, and electrical assemblies and information handling systems utilizing same
US7383629B2 (en) * 2004-11-19 2008-06-10 Endicott Interconnect Technologies, Inc. Method of making circuitized substrates utilizing smooth-sided conductive layers as part thereof
JP4912909B2 (ja) * 2006-03-30 2012-04-11 新日鐵化学株式会社 フレキシブルプリント配線板の製造方法
JP2008111188A (ja) * 2007-09-25 2008-05-15 Hitachi Chem Co Ltd プリント配線板用の銅箔
KR100974369B1 (ko) 2008-02-29 2010-08-05 엘에스엠트론 주식회사 색상차와 내열 특성이 개선된 인쇄회로용 동박
AT13462U1 (de) * 2011-03-29 2013-12-15 Austria Tech & System Tech Verfahren zum herstellen, insbesondere bearbeiten oder bestücken, eines leiterplattenelements sowie träger zur verwendung in einem derartigen verfahren
JP5395854B2 (ja) * 2011-08-11 2014-01-22 タツタ電線株式会社 プリント配線板及びプリント配線板の製造方法
CN102618902B (zh) * 2012-04-24 2015-04-01 山东金宝电子股份有限公司 一种挠性覆铜板用铜箔的表面处理工艺
KR102038137B1 (ko) * 2012-12-21 2019-10-30 주식회사 넥스플렉스 다층 연성금속박 적층체 및 이의 제조방법
KR20150025245A (ko) * 2013-08-28 2015-03-10 삼성전기주식회사 인쇄회로기판용 동박 적층판 및 그의 제조방법
JP2015134953A (ja) * 2014-01-17 2015-07-27 Jx日鉱日石金属株式会社 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、プリント配線板、プリント回路板、銅張積層板及びプリント配線板の製造方法
JP6178360B2 (ja) * 2015-05-11 2017-08-09 Jx金属株式会社 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、プリント回路板の製造方法、銅張積層板の製造方法及びプリント配線板の製造方法
KR20190040287A (ko) * 2017-07-31 2019-04-17 서키트 호일 룩셈부르크, 에스에이알엘 표면 처리 동박 및 동장 적층 기판
CN108133886A (zh) * 2017-12-11 2018-06-08 上海申和热磁电子有限公司 一种dbc基板背面研磨的方法
CA3172019A1 (en) * 2021-10-07 2023-04-07 Circuit Foil Luxembourg Copper foil with high energy at break and secondary battery comprising the same
CN114062076A (zh) * 2021-11-04 2022-02-18 九江德福科技股份有限公司 一种用于铜箔晶体分析的样品制备方法
KR20230095677A (ko) * 2021-12-22 2023-06-29 롯데에너지머티리얼즈 주식회사 내열성을 가지는 표면처리동박, 이를 포함하는 동박적층판 및 프린트 배선판

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59136484A (ja) * 1983-01-26 1984-08-06 Fukuda Kinzoku Hakufun Kogyo Kk 銅箔の粗面化処理方法
JPS59145800A (ja) * 1983-02-07 1984-08-21 Fukuda Kinzoku Hakufun Kogyo Kk 金属箔の粗面化処理方法
US4961828A (en) * 1989-04-05 1990-10-09 Olin Corporation Treatment of metal foil
JPH03236955A (ja) * 1990-02-14 1991-10-22 Shin Kobe Electric Mach Co Ltd サーマルヘッド用金属箔張り積層板ならびにサーマルヘッド
JPH04202796A (ja) * 1990-11-30 1992-07-23 K D K Kk プリント基板用銅箔及びその製造方法
US5215646A (en) * 1992-05-06 1993-06-01 Circuit Foil Usa, Inc. Low profile copper foil and process and apparatus for making bondable metal foils
JP2717911B2 (ja) * 1992-11-19 1998-02-25 日鉱グールド・フォイル株式会社 印刷回路用銅箔及びその製造方法
JPH06252548A (ja) * 1993-02-24 1994-09-09 Furukawa Electric Co Ltd:The プリント配線基板用銅箔の表面処理方法と金属ベースプリント配線基板
JP2762386B2 (ja) * 1993-03-19 1998-06-04 三井金属鉱業株式会社 銅張り積層板およびプリント配線板
US5545466A (en) * 1993-03-19 1996-08-13 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Copper-clad laminate and printed wiring board
US5482784A (en) * 1993-12-24 1996-01-09 Mitsui Mining And Smelting Co., Ltd. Printed circuit inner-layer copper foil and process for producing the same

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