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Gebiet der
Erfindung
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Die vorliegende Erfindung bezieht
sich auf das Ätzen
und betrifft insbesondere ein Verfahren zum Ätzen, wie es in dem Oberbegriff
der Ansprüche
1 und 3 definiert ist, eine Ätzflüssigkeit,
wie sie im Oberbegriff von Anspruch 16 definiert ist, und die Verwendung,
wie sie in Anspruch 17 definiert ist, sowie eine Vorrichtung zum Ätzen, wie
sie in Anspruch 18 definiert ist. Außerdem bezieht sich die Erfindung
auf ein Beschichtungsverfahren (plating method), wie es im Oberbegriff
der Ansprüche
19 und 20 definiert ist.
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Die Erfindung ist besonders auf die
Herstellung von Matrizes für
optische Speichermedien und in der Elektronikindustrie bei der Herstellung
von Leiterplatten und integrierten Schaltkreisen anwendbar.
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Stand der
Technik
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In vielerlei Zusammenhängen ist
es wünschenswert,
kleine Strukturen in der Oberfläche
eines Materials bereitzustellen. Ein bekanntes Verfahren zum Entfernen
von Material in kleinen Abmessungen ist das Ätzen. Ein Gebiet, auf dem üblicherweise
das Ätzen
verwendet wird, ist die Herstellung von elektrischen Leitern auf
Leiterplatten durch Entfernen von Teilen einer elektrisch leitenden
Schicht.
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Zum Beispiel besteht in der Elektronikindustrie
ein Bedarf zum Herstellen von immer kleineren Komponenten, z. B.
durch Entfernen von Material in sehr kleinen Abmessungen durch Ätzen. Heute
ist es möglich, geätzte Strukturen
mit einer Breite und Tiefe unter 1 μm herzustellen.
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Zum Herstellen solch kleiner Strukturen
durch Ätzen
ist es auch wünschenswert,
Material in variierendem Ausmaß in
verschiedenen Richtungen zu entfernen, d. h. die Ätzwir kung
eines Ätzmittels
in verschiedenen Richtungen zu steuern. Das Ätzen mit der gleichen Ätzwirkung
in allen Richtungen wird allgemein als isotropes Ätzen bezeichnet,
wogegen das Ätzen
mit einer variierenden Ätzwirkung
als anisotropes Ätzen
bezeichnet wird.
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Wenn kleine Strukturen durch Ätzen hergestellt
werden, verwendet man heutzutage verschiedene Ätzverfahren. Diese können in
Trockenverfahren und Nassverfahren unterteilt werden. Zu Trockenätzverfahren gehören z. B.
das Ionenstrahlätzen,
welches ein mechanisches Bearbeitungsverfahren ist, und das Plasmaätzen, welches
ein chemisches Bearbeitungsverfahren ist. Zu Nassätzverfahren
gehören
das chemische Ätzen und
das elektrochemische Ätzen.
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In mechanischen Verfahren wie einem
Ionenstrahlätzen
wird eine zu ätzende
Oberfläche
mit hochenergetischen Ionen beschossen. Die Ionen entfernen mechanisch
Atome aus der Oberfläche.
Ein solches Ätzen ist
somit anisotrop.
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Bei chemisch wirkenden Trockenätzverfahren
wie dem Plasmaätzen
werden die Ionen mittels eines elektrischen Feldes auf eine Oberfläche einer
zu ätzenden
Substanz geleitet. Ein solches Ätzen
erfolgt hauptsächlich
durch chemische Reaktionen und ist deshalb nicht so anisotrop wie
rein mechanische Ätzverfahren. Ein
gewisses Maß an
mechanischem Ätzen
kann auch beim chemisch wirkenden Ätzen stattfinden.
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Beim Plasmaätzen wird ein elektrisches
Feld über
ein Gas angelegt. Das Feld ist stark genug, um das Gas umzuwandeln
und zu ionisieren, wobei ein reaktives Plasma gebildet wird. Reaktive
Ionen werden durch das elektrische Feld zu einer zu ätzenden
Oberfläche
geleitet und reagieren damit auf eine ätzende Weise.
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Trockenätzverfahren werden heutzutage
in der Elektronikindustrie zur Herstellung von elektronischen Komponenten
verwendet. Es kann ein anisotropes Ätzen von Strukturen in kleinen
Abmessungen, 1 μm
und weniger, bewirkt werden.
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Ein schwerwiegender Nachteil der
heutzutage verwendeten Trockenätzverfahren
ist, dass sie schwierig zu steuern sind, da eine große Zahl
von Variablen, welche das Ätzen
beeinflussen, innerhalb strenger Toleranzgrenzen gehalten werden
müssen.
Somit ist die technische Anlage kompliziert und teuer. Die Kosten
der Anlage werden auch durch die Größe des Werkstücks beeinflusst,
welches geätzt
werden soll, und nehmen signifikant zu, wenn die Anlage für die Handhabung
von großen
Werkstücken
ausgelegt werden muss.
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Beim Herstellen von elektronischen
Komponenten wie integrierten Schaltkreisen und Halbleiterkomponenten
werden hohe Anforderungen an die Reinheit der Komponenten gestellt.
Dies erfordert in Trockenätzverfahren,
insbesondere in mechanisch wirkenden Verfahren, eine sorgfältige Reinigung
des geätzten
Materials, da es gewöhnlich
durch Rückstände verunreinigt
worden ist. Der Reinigungsvorgang selbst umfasst einen weiteren
Schritt, welcher nicht nur zeitraubend ist, sondern auch die Verwendung
von Reinigungsmitteln erfordert, welche ihrerseits einen negativen
Einfluss auf die Umwelt haben.
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Um die Bereiche, welche nicht geätzt werden
sollen, vor einer Beeinträchtigung
durch das Ätzen
zu bewahren, ist es beim Ätzen
von sehr kleinen Strukturen üblich
und bei mechanisch wirkenden Ätzverfahren notwendig,
diese Bereiche mit einer Schutzschicht, die als Resist bezeichnet
wird, zu maskieren. Wenn sie z. B. durch Ionenbeschuss mechanisch
beeinträchtigt
wird, wird auch die Schutzschicht während des Ätzens beeinträchtigt.
Dies führt
zu zwei Nachteilen, einerseits, dass die Schutzschicht sehr dick
sein muss, so dass sie während
des Ätzens
nicht vollständig
entfernt wird, und andererseits, dass der Umriss der Schutzschicht
gegenüber
der zu ätzenden
Oberfläche
ungleichmäßig wird
aufgrund der abtragenden Wirkung der Ionen, was zu einem ungleichmäßig geätzten Umriss
führt.
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Die zu ätzende Substanz wird auch in
Nassätzverfahren
maskiert. Dann wird die Substanz in eine Ätzflüssigkeit eingetaucht, die ein Ätzmittel
enthält,
welches beim Kontakt mit der Substanz zum Ätzen fähig ist.
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Beim chemischen Ätzen wird eine Ätzflüssigkeit
verwendet, die eine Lösung
eines Ätzmittels
enthält, welches
durch spontane chemische Reaktion eine Substanz ätzen kann, d. h. das Ätzmittel ätzt direkt
beim Kontakt mit der zu ätzenden
Substanz. Das Ätzen
erfolgt isotrop. Die Ätzfähigkeit
bzw. Ätzgeschwindigkeit
wird durch die Ätzzeit,
die Temperatur und die Konzentration des Ätzmittels beeinflusst. Die Ätzflüssigkeit
enthält üblicherweise
ein Oxidationsmittel, z. B. Br2, H2O2, HNO3,
einen Komplexbildner, z. B. H2SO4, HF, NaOH, und ein Lösungsmittel, z. B. Wasser oder
Methanol. Beispiele für
allgemein verwendete und empfohlene Zusammensetzungen von Ätzlösungen für verschiedene
Metalle sind z. B. in "Handbok
i metallmikroskopiering" (auf Englisch:
Handbook of Metallographic Microscopy"), Helfrid Modin und Sten Modin (1977,
Meritförlaget,
Johanneshov, Schweden) offenbart. Typische Konzentrationen eines Ätzmittels
zum Ätzen
von kleinen Strukturen, Mikrostrukturen, sind beispielsweise zum Ätzen von
Chrom oder Kupfer 0,8–1,2
M.
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Einige Lösungsmittel lösen eine
bestimmte Kristallebene in einer zu ätzenden Substanz schneller
als andere Ebenen, z. B. in einem Halbleitermaterial, was zu einer
richtungsabhängigen Ätzwirkung,
d. h. einem anisotropen Ätzen
führt.
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Beim elektrochemischen Ätzen enthält die Ätzflüssigkeit
einen Elektrolyten, z. B. eine Salzlösung, welche selbst nicht fähig ist,
die zu ätzende
Substanz durch spontane chemische Reaktion zu ätzen, d. h. das Ätzmittel ätzt nicht
lediglich durch Kontakt mit der Substanz. Durch Anlegen einer elektrischen
Spannung in der Ätzflüssigkeit
zwischen der zu ätzenden
Substanz und einer in die Ätzflüssigkeit
eingetauchten Elektrode wird jedoch ein elektrolytischer Prozess
in Gang gesetzt, in welchem die zu ätzende Substanz der eine Pol,
gewöhnlich
die Anode ist, und die Elektrode der andere Pol ist. In dem elektrolytischen
Prozess fließt
ein elektrischer Strom in der Ätzflüssigkeit
und Ionen in der Ätzflüssigkeit
reagieren auf eine ätzende
Weise mit der zu ätzenden
Substanz.
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Die Ätzgeschwindigkeit ist im Wesentlichen
der Stromstärke
proportional. Das Ätzen
wird etwas anisotrop sein, wenngleich nicht in dem gleichen hohen
Maße,
wie es bei Trockenätzverfahren
möglich
ist. Zum Beispiel ist es möglich,
auf eine elektrochemische Weise mit einem Tiefe-zu-Breite-Verhältnis von
1 : 2 zu ätzen.
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Es sind mehrere Methoden zum Anlegen
einer Spannung in Pulsen zum Erhalten einer guten Ätzwirkung
bei Verwendung verschiedener Elektrolyte als Ätzflüssigkeit bekannt.
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In Nassätzverfahren, vor allem beim
chemischen Ätzen
tritt ein sogenanntes Unterätzen
aufgrund der isotropen Ätzeigenschaften
auf, d. h. ein Wegätzen
von Material unter der Oberfläche,
welche mit einer Schutzschicht überzogen
ist. Infolgedessen ist es bei einem rein chemischen Ätzen nicht
möglich,
Rillen oder Linien zu erzeugen, die eine grö ßere Tiefe als Breite aufweisen.
Ebenso wenig ist es beim elektrochemischen Ätzen möglich, im Falle kleiner Abmessungen
Rillen oder Linien zu ätzen,
deren Tiefe die Breite übersteigt.
Die Möglichkeit
zum Herstellen enger Rillen, z. B. um Leiter nahe beisammen anzuordnen,
sind somit bei Verwendung von Nassätzverfahren beschränkt. Ferner
ist es heutzutage nicht möglich,
durch Nassätzverfahren
gleichmäßige Strukturen,
z. B. Rillen mit geraden Wänden,
zu erzeugen, deren Breite oder Tiefe weniger als 1 μm beträgt.
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Beim Nassätzen werden heutzutage allgemein
Flüssigkeiten
verwendet, die hoch giftig und umweltschädlich sind, was an sich ein
Umweltproblem darstellt.
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Ein rein chemisches Ätzen ist
außerdem
ein Prozess, der schwer zu steuern ist, da eine Vielzahl von Parametern
die Geschwindigkeit des Prozesses beeinflussen.
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Beim elektrochemischen Ätzen müssen alle
zu ätzenden
Oberflächen
während
des gesamten Ätzvorgangs
mit einem elektrischen Pol verbunden werden. Beim Herstellen von
gedruckten Schaltungen erfolgt dies dadurch, dass alle Leiter an
einem Verbindungspunkt während
des Ätzvorgangs
miteinander verbunden sind. Nach der Beendigung des Ätzens wird
der Verbindungspunkt in einem speziellen Produktionsschritt mechanisch
entfernt.
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US-A-5,071,510 offenbart das anisotrope Ätzen von
Silicium unter Verwendung eines alkalischen Ätzmittels, das ein Tetraalkylammoniumhydroxid
enthält.
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EP-A-O 392 738 offenbart das elektrochemische Ätzen von
Silber in Perchlorsäure.
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Es wurden zahlreiche Versuche durchgeführt, die
jedoch bisher nicht sehr erfolgreich waren, um ein Nassätzverfahren
bereitzustellen, welches bei der Herstellung von kleinen elektronischen
Schaltkreisen, wie etwa integrierten Schaltkreisen, verwendet werden
kann.
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Aufgaben der
Erfindung
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Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung
ist, ein neues und verbessertes Verfahren zum Ätzen durch Beseitigen der vorstehend
erwähnten
Nachteile der Methode des Standes der Technik bereitzustellen.
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Eine spezielle Aufgabe ist, ein verbessertes
Verfahren zum Ätzen
von kleinen Strukturen bereitzustellen, im Wesentlichen Strukturen,
welche in einer oder mehreren Richtungen eine Abmessung von weniger
als 50 μm
aufweisen, und vor allem Strukturen, welche in einer oder mehreren
Richtungen eine Abmessung von weniger als 10 μm aufweisen.
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Eine weitere Aufgabe ist, ein Verfahren
zum Nassätzen
bereitzustellen, welches das Ätzen
von kleineren Strukturen als früher
gestattet, insbesondere von Strukturen, welche in einer oder mehreren
Richtungen eine Abmessung von weniger als 1 μm aufweisen.
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Eine spezielle Aufgabe ist, ein Verfahren
zum Nassätzen
bereitzustellen, welches das anisotrope Ätzen von kleinen Strukturen
gestattet.
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Eine besondere Aufgabe ist, ein leicht
steuerbares Verfahren zum Ätzen
von kleinen Strukturen bereitzustellen.
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Eine weitere Aufgabe der Erfindung
ist, ein verbessertes Verfahren zum Beschichten (plating) bereitzustellen.
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Zusammenfassung
der Erfindung
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Gemäß der Erfindung werden diese
und andere Aufgaben, welche aus der folgenden Beschreibung hervorgehen,
durch ein Verfahren, eine Ätzflüssigkeit,
deren Verwendung, eine Apparatur zum Durchführen des Verfahrens und ein
Beschichtungsverfahren gelöst,
welche dem in der Einleitung beschriebenen Typus entsprechen und
welche zusätzlich
die in dem kennzeichnenden Abschnitt von Anspruch 1 definierten
Merkmale aufweisen.
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Die Erfindung beruht auf der überraschenden
Entdeckung, dass eine Ätzflüssigkeit,
welche so verdünnt
worden ist, dass sie eine vernachlässigbare Ätzwirkung aufweist, zum anisotropen Ätzen verwendet werden
kann, während
sie einem elektrischen Feld ausgesetzt ist.
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In einem Aspekt betrifft die Erfindung
das Ätzen
einer elektrisch leitenden Substanz durch ein Ätzmittel, welches in einer
Verdünnung
vorhanden ist, welche in einem solchen Maß verdünnt ist, dass die Fähigkeit des Ätzmittels
zum isotropen Ätzen
von Strukturen in der Substanz durch spontane chemische Reaktion
mit der Substanz höchstens
5 nm/s beträgt,
wodurch das Ätzmittel
zum chemischen Ätzen
unbrauchbar gemacht ist. Die Konzentration des Ätzmittels ist so niedrig, dass
solche Reaktionen zwischen dem Ätzmittel
und der zu ätzenden
Substanz, die zur Entfernung von Atomen aus der zu ätzenden
Substanz führen,
nur sporadisch auftreten. Durch Erzeugen eines elektrischen Feldes
in der Ätzmittellösung zwischen
einer Elektrode und einem Oberflächenabschnitt
der zu ätzenden
Substanz wird eine lokale Konzentration des Ätzmittels an den Oberflächenabschnitten
der zu ätzenden
Substanz gebildet. Dies führt
zu einer signifikanten Zunahme der Ätzgeschwindigkeit des Ätzmittels
und gleichzeitig wird die Ätzrichtung
des Ätzmittels
beeinflusst.
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Es ist auch möglich, die Erfindung als ein
Verfahren zum Übertragen
der bei Trockenätzvertahren
vorherrschenden Bedingungen auf eine nasse Umgebung in einer Ätzflüssigkeit
anzusehen. Auf diese Weise wurden die Vorteile von Trocken- und
Nassätzverfahren
kombiniert, während
die Nachteile der jeweiligen Verfahren beseitigt wurden.
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Die Erfindung bezieht sich auf das Ätzen einer
elektrisch leitenden Substanz. Es wurden Versuche unter Verwendung
verschiedener Metalle wie Cu, Ni, Ti, Al und Cr durchgeführt, aber
es wird erwartet, dass das erfindungsgemäße Verfahren auch bei anderen
leitenden Materialien, wie etwa Legierungen, und Halbleitern funktioniert.
Die elektrische Leitfähigkeit
der zu ätzenden
Substanz sollte so sein, dass sie die Bildung eines elektrischen
Feldes in der verdünnten
Lösung
zwischen der zu ätzenden
Substanz und einer Elektrode gestattet.
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Die Kristallstruktur der zu ätzenden
Substanz ist nicht entscheidend und die zu ätzende Substanz kann somit
monokristallin sowie polykristallin sein.
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Das Ätzmittel sollte fähig sein,
in Lösung
mit einer zum Ätzen
bestimmten Oberfläche
der zu ätzenden Substanz
in einer ätzenden
Weise zu reagieren. Im Übrigen
wird angenommen, dass das Ätzmittel
so beschaffen sein sollte, dass es durch ein elektrisches Feld kinetisch
beeinflusst wird, wodurch eine lokale Konzentration des Ätzmittels
ermöglicht
wird.
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Ein wichtiges Merkmal der Erfindung
ist, dass das Ätzmittel
in Lösung
in einer niedrigen Konzentration vorhanden ist. Auf der Grundlage
der Versuche, welche durchgeführt
worden sind, erscheint es schwierig, eine anisotrope Ätzwirkung
in Konzentrationen des Ätzmittels über 200
mM zu erzielen. Es war jedoch nicht möglich, eine Untergrenze der
Konzentration für
eine zufriedenstellende Funktion zu bestimmen. Es wird auch angenommen,
dass das Ätzmittel
eine ausreichende Beweglichkeit in der Lösung haben muss, um eine lokale Konzentration
des Ätzmittels
zu ermöglichen.
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Es wird angenommen, dass das elektrische
Feld zwei Funktionen hat, nämlich
das Ätzmittel
lokal zu konzentrieren und das Ätzen
zu beschleunigen, von denen die zuerst genannte Funktion gegenwärtig als
die wichtigste angesehen wird.
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Es wird angenommen, dass das elektrische
Feld auf die Oberfläche
der Substanz, welche geätzt
werden soll, gerichtet werden sollte. Um es zu ermöglichen,
die Konzentration des Ätzmittels
lokal zu erhöhen, sollte
die Höhe
des elektrischen Feldes, das an die zu ätzende Oberfläche angrenzt,
relativ beschränkt
sein.
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Das Ätzmittel ist zumindest in konzentrierter
Lösung
fähig,
die zu ätzende
Substanz in Abwesenheit eines elektrischen Feldes zu ätzen, d.
h. das Ätzmittel
ist in der Lage, die zu ätzende
Substanz spontan chemisch zu ätzen.
Selbst wenn erwartet werden kann, dass die neue niedrige Konzentration
des Ätzmittels
gemäß der Erfindung
in bestimmten Anwendungen Vorteile auch im Zusammenhang mit elektrochemisch ätzenden Ätzmitteln
verleiht, wurden die bisher besten Ergebnisse in Versuchen mit chemisch ätzenden Ätzmitteln erzielt.
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In Anbetracht dessen, was vorstehend
gesagt wurde, ist die Erfindung ein Verfahren zum anisotropen Ätzen einer
Struktur in einer elektrisch leitenden Substanz, die durch ein Ätzmittel
geätzt
werden soll, welches in konzentrierter Lösung für das isotrope Ätzen von
Strukturen in der zu ätzenden
Substanz verwendet werden kann, wobei das Verfahren gekennzeichnet
ist durch die Schritte, dass die zu ätzende Substanz mit dem Ätzmittel
in einer Lösung
in Berührung
gebracht wird, die so verdünnt
ist, dass die resultierende Ätzfähigkeit
bzw. -geschwindigkeit impliziert, das das Ätzmittel für das isotrope Ätzen von
Strukturen unbrauchbar ist; und dass das Ätzmittel nahe der zu ätzenden
Substanz einem elektrischen Feld einer solchen Stärke ausgesetzt
wird, dass ein anisotropes Ätzen
der zu ätzenden
Substanz mit einer Ätzgeschwindigkeit
erfolgt, welche für
das Erzeugen der Struktur in der zu ätzenden Substanz zweckdienlich
ist.
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Die Erfindung ist speziell auf die
Erzeugung kleiner Strukturen in der Größenordnung von 50 μm oder weniger
sowohl in Bezug auf die Ätzbreite
als auch die Ätztiefe
gerichtet. Es wurde festgestellt, dass die Erfindung besonders vorteilhaft
ist, wenn Strukturen erzeugt werden, deren Breite oder Höhe weniger
als 10 μm beträgt.
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Dadurch, dass die Lösung eine
extrem niedrige Konzentration des Ätzmittels aufweist und das
einschlägige Ätzverfahren
unter der Wirkung eines elektrischen Feldes stattfindet, erhält der Ätzprozess
eine wesentlich verbesserte Steuerbarkeit und Anisotropie im Vergleich
zu Nassverfahren des Standes der Technik. Dies macht es möglich, kleine
geätzte
Strukturen zu erzeugen und zu verwenden, einerseits für bekannte
Konstruktionen und andererseits auf neuen technischen Gebieten.
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Eine wichtige Eigenschaft der Erfindung
ist, dass es möglich
ist, Linien und Rillen zu ätzen,
die eine größere Tiefe
als Breite aufweisen. In Versuchen wurde beim Ätzen einer dünnen Kupferfolie
ein Tiefe-zu-Breite-Verhältnis
einer geätzten
Rille von 3,5 : 1 gemessen.
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Das Verfahren ist kostengünstig und
erfordert nur eine relativ einfache Anlage. Da die verwendeten Ätzflüssigkeiten
eine niedrige Konzentration des Ätzmittels
in Lösung
aufweisen, können
die Ätzflüssigkeiten praktisch
ungiftig gemacht werden, was zu Vorteilen in der Arbeitsumgebung
sowie in der äußeren Umgebung führt.
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Außerdem weist das erfindungsgemäße Verfahren
eine niedrige Empfindlichkeit gegenüber Temperaturschwankungen
auf. Zum Beispiel wurden beim Ätzen
im Temperaturbereich von 15°C–30°C ausgezeichnete
Ergebnisse erzielt. In diesem Bereich konnte kein nennenswerter
Temperatureinfluss gezeigt werden und es wird deshalb angenommen,
dass das gewünschte
Ergebnis innerhalb eines beträchtlich
breiteren Temperaturbereichs erzielt werden kann.
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Das Verfahren weist auch keine entscheidende
Empfindlichkeit gegenüber
Schwankungen der Konzentration innerhalb eines wirksamen Konzentrationsbereichs
auf. Versuche haben gezeigt, dass es bei einem Konzentrationswert,
der gute Ätzergebnisse
für eine
bestimmte Kombination von Ätzmittel/Ätzflüssigkeit
ergibt, möglich
ist, den Konzentrationswert um einen Faktor Zwei zu ändern, ohne
dass das Ätzergebnis
signifikant verschlechtert wird.
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Das erfindungsgemäße Verfahren gestattet auch
das anisotrope Ätzen
von kleinen Strukturen ohne Verwendung einer Schutzschicht, eines
Resists, auf den umgebenden Bereichen der zu ätzenden Substanz, da in Bereichen,
die keinem elektrischen Feld ausgesetzt werden, praktisch kein Ätzen stattfindet.
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Die Ätzflüssigkeit in verdünnter Lösung ist
während
des Ätzens
in einem solchen Zustand vorhanden, dass ihre Fähigkeit zum spontanen Ätzen, d.
h. in Abwesenheit eines elektrischen Feldes, auf eine Ätzgeschwindigkeit
von 5 nm/s begrenzt ist. Wenn das Ätzmittel spontan mit höherer Geschwindigkeit ätzt, ist
der Prozess schwer zu steuern und relativ isotrop, was bei Verwendung
einer Schutzschicht zu einem Unterätzen führt.
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Um ein anisotropes Ätzen zu
erhalten, wird das spontane Ätzvermögen des Ätzmittels
vorzugsweise auf höchstens
4 nm/s begrenzt. In Versuchen wurde festgestellt, dass weitere Beschränkungen
der spontanen Ätzgeschwindigkeit
auf 3 nm/s und weniger noch bessere Ergebnisse liefern, vor allem
ein höheres
Maß an Anisotropie
und die Möglichkeit,
kleinere Strukturen zu ätzen.
Die maximale spontane Ätzgeschwindigkeit,
welche bei aufrechterhaltener Steuerbarkeit des Ätzprozesses gestattet werden
kann, hängt
von der Zusammensetzung der zu ätzenden
Substanz und der Größe der zu ätzenden
Struktur ab.
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Zum Beispiel wurden Versuche mit
Kupfer als zu ätzender
Substanz und einer Ammoniumpersulfatlösung als Ätzflüssigkeit durchgeführt, welche
eine spontane Ätzgeschwindigkeit
von ungefähr
3 nm/s aufweist. Es war möglich,
ein Tiefe-zu-Breite-Verhältnis
von 3 : 1 in der Rille zu messen. In Versuchen mit noch niedrigeren Ätzgeschwindigkeiten
wurde der Ätzprozess
noch kontrollierbarer und es wurde ein Breite-zu-Tiefe-Verhältnis von
3,5 : 1 gemessen.
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In anderen Versuchen beim Ätzen von
Chrom wurden äußerst gute
Ergebnisse mit Ätzlösungen erhalten,
die eine spontane Ätzgeschwindigkeit
unter 0,3 nm/s aufweisen.
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In einer bevorzugten Ausführungsform
des Ätzverfahrens
wird das Ätzmittel,
welches in Abwesenheit eines elektrischen Feldes isotrop ätzt, dazu
gebracht, mittels des elektrischen Feldes anisotrop mit höherer Geschwindigkeit,
vorzugsweise mit wenigstens der doppelten Geschwindigkeit und mehr
bevorzugt mit einer Geschwindigkeit, welche zehnmal höher ist,
zu ätzen.
Noch bessere Ergebnisse können
erwartet werden, wenn die Ätzgeschwindigkeit
noch weiter erhöht
wird, wie etwa auf das 50-fache oder 100-fache. Beim Ätzen von Chrom wurde die Ätzgeschwindigkeit
in der gewünschten
Richtung unter der Wirkung eines elektrischen Feldes von unter 0,3
nm/s auf über
55 nm/s, also in der Größenordnung
des 200-fachen erhöht.
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Die bevorzugte Konzentration des Ätzmittels
ist höchstens
100 mM, vorzugsweise höchstens
20 mM und mehr bevorzugt höchstens
10 mM. Es kann allgemein gesagt werden, dass die Steuerbarkeit des Ätzprozesses,
insbesondere beim Ätzen
von kleinen Strukturen, mit einer verringerten Konzentration des Ätzmittels zunimmt.
In einigen Zusammenhängen
hat es sich als vorteilhaft erwiesen, Konzentrationen des Ätzmittels
unter 2 mM zu verwenden, und besonders vorteilhaft waren Ätzmittelkonzentrationen
von 1 mM und weniger.
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Das Ätzmittel kann gemäß der vorliegenden
Erfindung vorzugsweise als eine ionische Substanz definiert werden,
die fähig
ist, mit der zu ätzenden
Substanz auf eine ätzende
Weise zu reagieren. Die Konzentrationen, welche im Zusammenhang
mit der Erfindung angegeben sind, betreffen die Konzentration des Ätzmittels,
welches gemäß der Erfindung
aktiv ist.
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Der Schritt, bei dem das Ätzmittel
einem elektrischen Feld ausgesetzt wird, umfasst vorzugsweise das Inberührungbringen
einer Elektrode mit dem Ätzmittel
und das Anlegen einer Spannung zwischen der Elektrode und der zu ätzenden
Substanz. Der Abstand zwischen der Elektrode und dem Ätzmittel
beträgt
höchstens 3
cm und vorzugsweise höchstens
1 cm und mehr bevorzugt höchstens
1 mm. Je näher
die Elektrode an der Oberfläche
der zu ätzenden
Substanz angeordnet ist, desto höher
ist die Ätzgeschwindigkeit
und desto besser ist die Steuerbarkeit in dem Ätzprozess. Verschiedene noch
kürzere
Abstände
bis herab zu 4 nm wurden erfolgreich getestet. Es kann allgemein
gesagt werden, dass dann, wenn der Bereich um eine Oberfläche, welche
geätzt
werden soll, herum durch eine Schutzschicht bedeckt ist, die Anforderungen,
die an die Gestaltung der Elektrode und den Abstand von ihr gestellt
werden, nicht so hoch sind als dann, wenn keine Schutzschicht angebracht
ist. Um ein anisotropes Ätzen
von kleinen Strukturen unter 50 μm
durchzuführen,
wird im letztgenannten Fall angenommen, dass die Elektrode näher als
50 μm an
der zu ätzenden
Oberfläche
angeordnet werden sollte. Es wird auch angenommen, dass der Oberflächenbereich
und die Oberflächenform
der Elektrode zum Steuern der Höhe
des elektrischen Feldes wichtig sind. Es ist vor allem wichtig,
das elektrische Feld in dem Bereich zu konzentrieren, welcher geätzt werden
soll.
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Da das erfindungsgemäße Verfahren
ein Nassätzverfahren
ist, wird die zu ätzende
Substanz nicht mit Material verunreinigt, welches durch das Ätzen entfernt
wurde, wie es bei Trockenätzverfahren
der Fall ist, statt dessen wird das entfernte Material in der Nähe der Elektrode
gesammelt.
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Es ist bevorzugt, dass die Spannung
zwischen der Elektrode und der zu ätzenden Substanz wenigstens
0,5 V, vorzugsweise wenigstens 1 V und mehr bevorzugt wenigstens
1,5 V und höchstens
10 V, vorzugsweise höchstens
5 V und mehr bevorzugt höchstens
3 V beträgt.
Gute Ergebnisse wurden im Bereich 2 V–2,8 V erzielt und besonders
gute Ergebnisse wurden im Bereich 2,4 V–2,6 V erzielt. Es ist schwierig,
eine Untergrenze für
die zum Ätzen
erforderliche Spannung zu bestimmen, und die vorstehend erwähnten Werte
sind Werte, bei denen eine praktisch brauchbare Ätzgeschwindigkeit erreicht
wird. Es ist jedoch wichtig, dass die Spannung nicht so groß wie das
elektrochemische Potenzial zwischen der zu ätzenden Substanz und der Elektrode
und diesem entgegengesetzt ist, was impliziert, dass jede Ätzwirkung
aufhört.
Es kann allgemein gesagt wer den, dass je höher die angelegte Spannung
ist, desto schneller das Ätzen
ist. Bei höheren
Spannungswerten wandelt sich das Ätzen in ein Polieren um, wobei
in diesem Fall kein wirksames Ätzen
erfolgen kann. Eine weitere Zunahme der Spannung führt zu unkontrollierten
Entladungen an der Grenzlinie zwischen der Ätzlösung und der zu ätzenden
Substanz, der sogenannten Kraterbildung (pitting).
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Aus den durchgeführten Versuchen kann geschlossen
werden, dass die Stärke
des elektrischen Feldes für
den Prozess wichtig ist, dass es aber schwierig ist, einen eindeutigen
Zusammenhang dafür
herzuleiten. Die Versuche zeigen vielmehr, dass die Höhe der Spannung
zum Erzeugen eines guten Ergebnisses von größerer Bedeutung ist.
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In einer bevorzugten Ausführungsform
ist das elektrische Feld gepulst, so dass ein Ätzen während mehrerer erster Perioden
stattfindet. Zwischen den ersten Perioden erhält das Feld eine entgegengesetzte bzw.
umgekehrte Richtung während
mehrerer zweiter Perioden.
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In einer speziellen Ausführungsform
wird vorzugsweise während
dieser zweiten Perioden zwischen der Elektrode und der zu ätzenden
Substanz eine Spannung angelegt, deren Größe dem elektrochemischen Potenzial
zwischen der Elektrode und der zu ätzenden Substanz in dem Ätzmittel
entspricht und deren Richtung diesem entgegengesetzt ist. Es tritt
somit eine entgegengesetzte Spannung auf und stoppt jedes chemische Ätzen.
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In einer weiteren speziellen Ausführungsform
wird zwischen den ersten Perioden eine entgegengesetzte Spannung
angelegt, deren Wert größer ist
als der des elektrochemischen Potenzials. In diesem Zusammenhang
wird das Ätzverfahren
umgekehrt und ein Beschichtungsvorgang erfolgt während der zweiten Zwischenperioden,
indem eine gewisse Menge der zuvor weggeätzten Substanz zurückgegeben
wird. Infolgedessen kann die Gestalt der Oberflächenstruktur weiter gesteuert
werden.
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Es wird angenommen, dass ein rascher Übergang
von einer ersten Periode zu einer nachfolgenden zweiten Periode
von einem der vorstehend beschriebenen Typen gewährleistet, dass Rückstände von
dem Ätzen
von der Oberfläche,
welche geätzt
werden soll, abgelöst
werden. Wenn zugelassen wird, dass diese Rückstände die Oberfläche der
zu ätzenden
Substanz bedecken, wird ein weiteres Ätzen dieser Oberfläche verhindert
und deshalb wird das Ätzen
isotroper.
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Vorzugsweise sind die ersten Perioden
so groß wie
das Zeitintervall dazwischen und betragen höchstens 200 ms, vorzugsweise
höchstens
100 ms und wenigstens 10 ms, vorzugsweise wenigstens 50 ms. Es kann
allgemein gesagt werden, dass das Pulsieren, welches dazu dient,
Rückstände abzulösen, äußerst wichtig
ist beim Ätzen
von Strukturen, die eine größere Ätztiefe
als Ätzbreite
aufweisen, da bei dieser Gelegenheit die anisotrope Ätzwirkung
am wichtigsten ist. Je größer das
Verhältnis
zwischen der Ätztiefe
und der Ätzbreite, desto
kürzer
sollten die Perioden sein.
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In einem speziellen Aspekt der Erfindung
ist es auch möglich,
mittels eines konzentrierten elektrischen Feldes und einer kleinen
Elektrode, die in der Nähe
eines Materials angeordnet wird, das in einer stark verdünnten Beschichtungslösung beschichtet
werden soll, eine Oberfläche
mit kleinen Strukturen auf eine Weise zu beschichten, welche der
Weise beim erfindungsgemäßen Ätzen entspricht.
Es ist somit einerseits möglich, ein
Beschichten als Teilschritt während
des Ätzens
durchzuführen,
und andererseits möglich,
ein Beschichten von kleinen Strukturen unter rein chemischen Bedingungen
zum Beschichten durchzuführen.
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Kurze Beschreibung
der Abbildungen
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Die Erfindung wird nun ausführlicher
unter Bezugnahme auf die Abbildungen beschrieben, welche für den Zweck
der beispielhaften Darstellung Ausführungsformen der Erfindung
veranschaulichen und in welchen
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1 eine
schematische Ansicht einer Anordnung einer Apparatur zum Durchführen des
erfindungsgemäßen Verfahrens
ist;
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2 eine
schematische Querschnittsansicht einer geätzten Rille ist; und
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3 eine
schematische Querschnittsansicht einer Ausführungsform der Erfindung mit
einer spitzen Elektrode ist.
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Beschreibung
der bevorzugten Ausführungsformen
der Erfindung
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Nun wird eine Ausführungsform
der Erfindung unter Bezugnahme auf 1 ausführlicher
beschrieben. Eine zu ätzende
Substanz 6 aus einem elektrisch leitenden Material wird
in ein Gefäß 2 eingetaucht,
das eine Ätzflüssigkeit 4 enthält. Die Ätzflüssigkeit 4 enthält ein Ätzmittel
in verdünnter
Lösung.
Außerdem
wird eine Elektrode 8 in die Ätzflüssigkeit 4 eingetaucht.
Die Elektrode 8 ist in einem Abstand von einer zu ätzenden Oberfläche 7 der
zu ätzenden
Substanz 6 angeordnet. Eine Steuereinheit 12,
welche eine Spannungsquelle umfasst, ist zwischen der Elektrode 8 und
der zu ätzenden
Substanz angeschlossen.
-
Die Steuereinheit 12 ist
vorzugsweise eine Vorrichtung, welche den Stromfluss zwischen und
die Spannung über
die zu ätzende
Substanz 6 und die Elektrode 8 steuern kann.
-
Eine solche Steuerung kann z. B.
durch ein Computerprogramm erfolgen. Die Steuereinheit 12 sollte einen
Strom. in beide Richtungen fließen
lassen können.
Außerdem
sollte es möglich
sein, die Spannung abzulesen, die durch die elektrochemische Potenzialdifferenz
zwischen der zu ätzenden
Substanz 6 und der Elektrode 8 entsteht, wenn
kein Stromfluss zwischen der Elektrode und der zu ätzenden
Substanz vorhanden ist. Letzteres ist dazu bestimmt, die Ätztiefe/Topografie
der zu ätzenden
Substanz mittels dieser Potenzialdifferenz abzulesen.
-
Die Ätzflüssigkeit 4 ist chemisch ätzend und
das Ätzmittel
ist fähig,
die Substanz 6 zu ätzen.
Das Ätzmittel
ist in der Ätzflüssigkeit 4 in
einer solch verdünnten
Lösung
vorhanden, dass die Ätzflüssigkeit
für ein spontanes
chemisches Ätzen
nicht brauchbar ist. Die Ätzflüssigkeit
kann z. B. durch Verdünnen
einer kommerziell verwendeten Ätzflüssigkeit
um das 20-fache, 100-fache oder mehr hergestellt werden, welche
beim normalen Gebrauch, d. h. in konzentrierter Form zum chemischen Ätzen der
zu ätzenden
Substanz brauchbar ist. Das Ätzmittel
reagiert somit auf eine chemisch ätzende Weise mit der zu ätzenden
Substanz.
-
Die Ätzmittelkonzentration in der
verdünnten
Lösung
gestattet nur sporadische Ätzaktivitäten, welche zur
Entfernung von Atomen aus der zu ätzenden Substanz führen.
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Eine Spannung, typischerweise in
der Größenordnung
von 1 V–4
V, wird zwischen der Elektrode und der zu ätzenden Substanz angelegt.
So bildet sich ein elektrisches Feld in der Ätzflüssigkeit 4 zwischen
der Elektrode 8 und der zu ätzenden Oberfläche 7 der
Substanz 6.
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Das elektrische Feld erzeugt eine
lokale Ätzmittelkonzentration
an der zu ätzenden
Oberfläche 7 und erhöht die Tendenz
des Ätzmittels,
mit der zu ätzenden
Substanz zu reagieren, und deshalb ätzt das Ätzmittel unter der Wirkung
des elektrischen Feldes die zu ätzende
Oberfläche 7 mit
einer beträchtlich
erhöhten Ätzgeschwindigkeit.
-
Die zu ätzende Substanz 6 wird
in der Nähe
der zu ätzenden
Oberfläche 7 mit
einer Schutzschicht, einer sogenannten Resistschicht maskiert, mit
welcher das Ätzmittel
nicht reagiert. Es ist üblich,
eine Fotoresistschicht zu verwenden, welche durch ein an sich bekanntes
fotografisches Belichtungs- und Entwicklungsverfahren gebildet wird.
-
Nachstehend werden zwei verschiedene
Ausführungsformen
unter Bezugnahme auf eine Anordnung des vorstehend beschriebenen
Typs beschrieben.
-
Beispiel 1
-
In diesem Versuch wurde Chrom mit
einem Ätzmittel
in 9,11 mM Lösung
geätzt
und der Versuch umfasste die folgenden Schritte:
-
Eine Platte aus Nickel wurde mit
einer 100 nm dicken Chromschicht durch elektrochemisches Beschichten überzogen.
Die Chromoberfläche
wurde mit einer Schutzschicht in Form einer Fotoresistschicht überzogen,
wonach ein Muster (Linien und Punkte mit einer Breite von 0,5 μm) belichtet
und für
das Ätzen
von unbedeckten Oberflächen
der zu ätzenden
Substanz entwickelt wurde.
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Die Ätzflüssigkeit wurde durch Vermischen
einer Menge von 2 g des Ätzmittels
Ce(NH4)2(NO3)6 in 1 ml CH3COOH und 500 ml entionisiertem Wasser (18
MΩ Wasser)
hergestellt und in einem 0,2 μm
Filter filtriert. Die chemische Ätzgeschwindigkeit
der Lösung
betrug dann < 0,3
nm/s.
-
Eine flache Elektrode aus TiN, die
als Kathode verwendet wurde, und die Ni-Cr-Platte, die als Anode verwendet
wurde, wurden zusammen mit einer dritten Elektrode (chemisch stabil),
welche als Referenzelektrode für
die Spannungsmessung verwendet wurde, in die Ätzflüssigkeit eingetaucht. Die Kathode
und die Anode wurden in einer planparallelen Konfiguration und in
einer Entfernung von 1 mm voneinander angeordnet.
-
Es wurde eine Vorrichtung zum Erzeugen
eines Stroms in der Flüssigkeit
zwischen der Kathode und der Anode angeschlossen.
-
Das Potenzial der Anode wurde auf
+0,7 V eingestellt und das Potenzial der Kathode wurde auf 0 V eingestellt,
was zu einem vollkommenen Stillstand des Ätzens führte, woraufhin ein Puls mit
einer Länge
von 100 ms und einer Amplitude von +2,5 V an die Kathode angelegt
wurde. Die Temperatur wurde bei 25°C konstant gehalten.
-
Wenn der Versuch durchgeführt wurde,
war die Chromschicht nach zwei Pulsen (also nach weniger als 200
ms effektiver Ätzzeit)
vollkommen durchgeätzt.
Anschließend
wurde die Kathodenspannung wieder auf 0 V eingestellt, um ein Unterätzen zu
vermeiden. Es konnte kein Unterätzen
gemessen werden.
-
Dieser Versuch ist einer von einer
Reihe von Ätzversuchen
zum Ätzen
von Chrom. In der beigefügten Tabelle
I sind einige Testparameter angegeben. Es wurden Ätzflüssigkeiten
mit einer Ätzmittelkonzentration von
bis zu 45 mM mit ausgezeichneten Ergebnissen getestet. Die besten
Ergebnisse, d. h. senkrechte und gleichmäßige Ränder ohne merkliches Unterätzen wurden
mit Konzentrationen unter 25 mM erhalten. Das Ätzen unter Verwendung eines
konstanten Gleichstroms, eines 50 ms Pulses und eines 100 ms Pulses
ergab ähnliche
Ergebnisse. Der vorstehend beschriebene Versuch führte zu
der niedrigsten Ätzmittelkonzentration und
dem besten Ätzergebnis.
-
Beispiel 2
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In diesem Versuch wurde eine 5 μm dicke Kupferschicht
auf einem handelsüblichen
Laminat mit einer 87,72 mM Ätzflüssigkeit
geätzt.
Der Versuch umfasste die folgenden Schritte: Ein Muster (5 um bis
25 um dicke Linien) zum Ätzen
von unbedeckten Oberflächen
der zu ätzenden
Substanz wurde auf eine Weise, die dem vorstehend beschriebenen
Versuch entsprach, mittels einer Fotoresistschicht auf dem Laminat
hergestellt.
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Die Ätzflüssigkeit wurde durch Vermischen
von 2 g Ammoniumpersulfat mit 100 ml entionisiertem Wasser hergestellt.
Die chemische Ätzgeschwindigkeit
der Lösung
betrug dann < 3
nm/s.
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Eine flache Elektrode aus TiN, welche
als Kathode verwendet wurde, und das Kupferlaminat, welches als
Anode verwendet wurde, wurden zusammen mit einer dritten Elektrode
(chemisch stabil), welche als Referenzelektrode für die Spannungsmessung
verwendet wurde, in die Ätzflüssigkeit
eingetaucht. Die Kathode und die Anode wurden in planparalleler
Konfiguration und in einem Abstand von 2 mm voneinander angeordnet.
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Es wurde eine Vorrichtung zum Erzeugen
eines Stroms in der Flüssigkeit
zwischen der Kathode und der Anode angeschlossen.
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Das Potenzial der Anode wurde auf –0,3 V eingestellt
und das Potenzial der Kathode wurde auf 0 V eingestellt, was zu
einem vollkommenen Stillstand des Ätzens führte, woraufhin ein Puls mit
einer Länge
von 50 ms und einer Amplitude von +3,5 V an die Kathode angelegt
wurde.
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Ein geringfügiger Fluss der Ätzflüssigkeit
wurde über
die Kupferoberfläche
auf eine Weise pulsieren gelassen, die mit dem unteren Wert des
Kathodenpulses synchronisiert war.
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Die Kupferschicht war nach 180 Pulsen
(also nach weniger als 9 s effektiver Ätzzeit) vollständig durchgeätzt. Dann
wurde die Kathodenspannung wieder auf 0 V eingestellt, um ein Unterätzen zu
vermeiden. Das gesamte Unterätzen
betrug höchstens
1 μm.
-
Es wurde auch ein entsprechender
Versuch zum Ätzen
von Kupfer mit einer entsprechenden Ätzflüssigkeit mit einer Konzentration
von 22 mM Ätzmittel
durchgeführt.
Dies führte
zu keinem Auftreten eines Unterätzens.
Die Testparameter sind in der beigefügten Tabelle II angegeben.
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In dem Versuch gemäß Beispiel
2 wurde das Potenzial der Anode und der Kathode so abgewandelt, dass
das Potenzial der Anode nach dem Durchführen eines gewissen Ätzens auf
einen Wert von weniger als –0,3
V während
Perioden eingestellt wurde, in denen das Potenzial der Kathode 0
war. In diesem Zusammenhang bilden sich chemische Bedingungen zum
Beschichten aus, in welchen die Flüssigkeit mit der weggeätzten Substanz
als Beschichtungsmittel dient und die weggeätzte Substanz auf die offenen
Kupferoberflächen zurückgegeben
wird. Durch das so erzielte Beschichten während Perioden zwischen Perioden,
in denen ein Ätzen
durchgeführt
wird, wird die Oberflächenstruktur
der geätzten
Oberflächen
verändert.
-
Aus den vorstehend beschriebenen
Versuchen wurden die folgenden Schlussfolgerungen gezogen:
- a) Ätzflüssigkeiten,
die chemisch mit einer Geschwindigkeit von bis zu 3 nm/s und möglicherweise
auch mehr ätzen
und/oder eine Konzentration des Ätzmittels
bis zu 90 mM und möglicherweise
auch höher
aufweisen, sind zum Bewerkstelligen eines anisotropen Ätzens von
Strukturen in der Größenordnung
von 5 μm äußerst brauchbar.
- b) Je kleiner die zu ätzenden
Strukturen sind, desto niedrigere chemische Ätzgeschwindigkeiten der Ätzflüssigkeit
und desto niedrigere Konzentrationen des Ätzmittels sind zum anisotropen Ätzen erforderlich.
-
Es war noch nicht möglich, unzweideutig
zu bestimmen, welche Gesetze das Ätzen gemäß dem Verfahren der Erfindung
bestimmen. Ohne die Erfindung auf eine spezielle Theorie festzulegen,
wird angenommen, dass die Erfindung wie folgt funktioniert.
-
Die Ätzflüssigkeit hat eine solch niedrige
Konzentration des Ätzmittels,
dass die reaktiven Ionen nur sporadisch mit der zu ätzenden
Substanz in Kontakt kommen und isotrope Ätzreaktionen auf der Oberfläche der
zu ätzenden
Substanz verursachen. Durch Anlegen einer Spannung in der Ätzflüssigkeit
zwischen einer Elektrode und einer begrenz ten Oberfläche der
zu ätzenden
Substanz werden ein elektrisches Feld und eine lokale Konzentration
von aktiven Ionen erzeugt. Das elektrische Feld beschleunigt auch
aktive Ionen, so dass sie eine Geschwindigkeit in Richtung der zu ätzenden
Substanz erhalten.
-
Die Ätzflüssigkeit hat in ihrer Eigenschaft
als Ionenlösung
eine elektrische Leitfähigkeit
und deshalb fließt
ein Strom zwischen der Elektrode und der zu ätzenden Substanz, wenn eine
Spannung dazwischen angelegt wird. Unter der Wirkung des Stroms
erhöht
sich die Fähigkeit
der aktiven Ionen, in einer ätzenden
Weise mit der zu ätzenden
Substanz zu reagieren, indem der Strom die Ätzreaktionen zwischen den aktiven
Ionen und der zu ätzenden
Substanz beschleunigt.
-
Es wird angenommen, dass die anisotropen
Eigenschaften des Ätzverfahrens
hauptsächlich
durch das elektrische Feld verursacht werden, das anfänglich den
aktiven Ionen eine Geschwindigkeit in Richtung des Feldes verleiht.
Wenn beispielsweise eine Rille geätzt wird, welche bereits bis
zu einer gewissen Tiefe geätzt
worden ist, d. h. so dass die Rille bereits einen Boden und zwei
Wände aufweist,
erfordert das anisotrope Ätzen,
dass die aktiven Ionen, welche in die Rille geleitet werden, hauptsächlich dazu
gebracht werden, den Boden der Rille zu ätzen. Wenn die aktiven Ionen
den Feldlinien des elektrischen Feldes folgen sollten, würde ein
großer
Teil der Ionen veranlasst werden, die Wände der Rille zu ätzen. Da
dies in dem erfindungsgemäßen Verfahren
nicht der Fall ist, wird angenommen, dass die Trägheit der Massen der aktiven
Ionen in der Rille die Wirkung des elektrischen Feldes überwiegt.
-
Durch Verwenden von sehr niedrigen
Konzentrationen ist der Prozess steuerbar. Zu hohe Konzentrationen
führen
dazu, dass ein einschlägiges Ätzen auch
in Abwesenheit eines elektrischen Feldes stattfindet. Außerdem ist
es mit anfänglich
hohen Konzentrationen nicht möglich,
eine zufriedenstellende Anisotropie während des Ätzens zu erzielen, da das elektrische
Feld eine nicht steuerbare Konzentration von aktiven Ionen erzeugt.
-
Nun wird auf die 2a–d Bezug genommen. Eine Schwierigkeit beim Ätzen ist,
dass Rückstände, welche
sich bilden, wenn die aktiven Ionen auf ätzende Weise mit der zu ätzenden
Substanz reagieren, nach einiger Zeit eine blockierende Schicht
bilden und dadurch verhindern, dass weitere aktive Ionen mit der
zu ätzenden
Substanz in Berührung
kommen. 2a veranschaulicht,
wie Ionen in der Ätzflüssigkeit
unter der Wirkung des elektrischen Feldes in verschiedene Richtungen
gezogen werden. In 2b haben
aktive Ionen 14 die zu ätzende
Substanz 6 erreicht und haben das Ätzen und das Bilden von Rückständen 16 begonnen. 2c veranschaulicht, wie
eine blockierende Schicht aus Rückständen 16 gebildet
worden ist. Die Bildung einer solchen blockierenden Schicht verhindert
auch das anisotrope Ätzen.
Die Schwierigkeiten sind besonders ausgeprägt beim anisotropen Ätzen einer
Bodenfläche
in einer Rille. Diese Schwierigkeit wird umgangen durch Ändern der
Richtung des elektrischen Feldes, so dass die aktiven Ionen 14 von
der zu ätzenden
Substanz 6 weg in Richtung der Elektrode 8 gezogen
werden. Dies ist in 2d gezeigt.
Infolgedessen wird die blockierende Schicht aufgebrochen und die
Rückstände 16 können in
der Ätzflüssigkeit
verteilt werden. Selbst wenn die blockierende Schicht in regelmäßigen Intervallen
durch Ändern
der Richtung des elektrischen Feldes aufgebrochen wird, wird angenommen,
dass das Entfernen der Rückstände 16 der
begrenzende Faktor für
die Anisotropie beim Ätzen
von kleinen Rillen mit einer größeren Tiefe
als Breite ist. Um die Anisotropie so weit wie möglich beim Ätzen von tiefen Strukturen
aufrechtzuerhalten, ist es bevorzugt, das elektrische Feld durch Pulsieren
der Spannung seine Richtung ändern
zu lassen. Je tiefer die Struktur ist, desto kürzere Ätzpulszeiten sind erforderlich.
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Durch Ändern der Spannung in Pulsen
mit unterschiedlicher Wellenform bilden sich verschiedene Ätzgeometrien.
In der speziellen Ausführungsform
der Erfindung, bei der zwischen Ätzperioden
eine Beschichtung erfolgt, werden besondere Möglichkeiten einer zusätzlichen
Prozesssteuerung erzielt.
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Es sind nur kleine Ströme erforderlich,
um ein gutes Ätzergebnis
mit einer elektrisch leitenden Ätzflüssigkeit
zu erzielen. Dank dieser Tatsache brauchen alle Oberflächen, die
geätzt
werden sollen, nicht mit einem gemeinsamen elektrischen Pol während des
gesamten Ätzvorgangs
verbunden werden. In Gegenwart einer Oberfläche der zu ätzenden Substanz, welche geätzt werden
soll und mit dem elektrischen Pol verbunden ist, hat die Ätzflüssigkeit
in der Tat die Fähigkeit,
kleine Ströme
zu einer anderen zu ätzenden
Oberfläche
der Substanz zu leiten und somit diese andere zu ätzende Oberfläche mit
dem elektrischen Pol zu verbinden.
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Diese Eigenschaft kann z. B. verwendet
werden, wenn enge Rillen in einer elektrisch leitenden Substanz,
die geätzt
werden soll, hergestellt werden, welche in einer dünnen Schicht
auf einem isolierenden Material vorhanden ist. Die gesamte zu ätzende Schicht
wird in der Anfangsphase des Ätzens
mit dem gleichen elektrischen Pol elektrisch verbunden. Wenn die
Rille überall
entlang einer Linie zwischen den Rändern der Rille geätzt worden
ist, wird die elektrische Verbindung zwischen den Rändern der
Rille unterbrochen. In dem erfindungsgemäßen Ätzverfahren werden kleine Ströme weiterhin
zwischen den Oberflächen
der zu ätzenden Substanz,
z. B. zwischen den zwei Seiten der Rille und möglicherweise auch einem übrig gebliebenen
Zwischenteil der zu ätzenden
Substanz geleitet und deshalb wird der Ätzvorgang fortgesetzt, bis
man beschließt, ihn
anzuhalten, wenn das Ätzen
beendet ist. Deshalb ist keine Zusammenschaltung mehrerer getrennter übrig gebliebener
Teile erforderlich.
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Nun werden spezielle Ausführungsformen
des erfindungsgemäßen Verfahrens
beschrieben.
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Beim Ätzen einer Substanz, die aus
zwei oder mehr übereinanderliegenden
Schichten aus leitenden Material mit verschiedenen elektrochemischen
Potenzialen besteht, ist es leicht möglich, die geätzte Tiefe
zu bestimmen. Dies erfolgt durch Bestimmen der galvanischen Spannung
zwischen der zu ätzenden
Substanz und einer Referenzelektrode in Abwesenheit einer angelegten
Spannung. Wenn die zu ätzende
Substanz zwei verschiedene Materialien umfasst, welche in unterschiedlichem
Ausmaß in
elektrisch leitendem Kontakt mit der Ätzflüssigkeit stehen, bilden sich
unterschiedliche galvanische Spannungen in der Flüssigkeit.
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In einer speziellen Ausführungsform
der Erfindung, die in 3 gezeigt
ist, ist die Elektrode 8 mit einem sich verjüngenden
Abschnitt 18 ausgebildet, der auf die elektrisch leitende
Substanz 6 gerichtet ist. Die Elektrode hat eine Spitze,
welche außer
an ihrem äußeren Ende 20 mit
einer elektrisch isolierenden Schicht isoliert ist. Durch Verwenden
einer solchen spitzen Elektrode 6 ist es möglich, ohne
die Anwesenheit einer Schicht, die gegen das Ätzen schützt, sehr kleine Strukturen
anisotrop zu ätzen.
In Versuchen mit einer solchen spitzen Elektrode in einem Abstand
von 4 nm von der zu ätzenden
Substanz war es möglich,
Rillen mit einer Breite von 35 nm zu ätzen, ohne eine Schicht zu
verwenden, die gegen das Ätzen
schützt.
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Durch die Erfindung und verschiedene
Ausführungsformen
davon werden eine Vielzahl von Vorteilen erzielt. Zum Beispiel kann
erwähnt
werden, dass das Verfahren extrem mild ist, einerseits, da die Ätzlösung stark
verdünnt
ist, und andererseits, da nur niedrige Spannungen verwendet werden.
Dies führt
dazu, dass die Schicht, die gegen das Ätzen schützt, keiner nennenswerten Einwirkung
während
des Ätzens
ausgesetzt ist. Es ist deshalb möglich,
eine sehr dünne
Schicht aus einer isolierenden Substanz, die gegen das Ätzen schützt, bis
herab zu molekularer Dicke zu verwenden. Außerdem ist es möglich, gleichmäßige Ränder der
Schutzschicht in der Nähe
einer zu ätzenden
Oberfläche
während
des Ätzens
aufrechtzuerhalten und somit gleichmäßige Umrisse auch in sehr kleinen
Strukturen bis herab auf die Ebene von Nanometern zu ätzen. Bis
jetzt war es nicht möglich,
dies durch Verwenden eines Ätzverfahrens
des Standes der Technik zu erzielen.
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Das erfindungsgemäße Verfahren ist auch schneller
als das Plasmaätzen
und die Ätzanlage
für das Präzisionsätzen von
großen
Werkstücken
entspricht der Ätzanlage
für das Ätzen von
kleinen Werkstücken
und deshalb ist nun ein Präzisionsätzen von
großen
Werkstücken
zu vernünftigen
Kosten möglich
gemacht worden.
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