DE69725634T2 - Beschichtungszusammensetzung für elektronische Bauteile - Google Patents

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Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Elektronikbeschichtungszusammensetzung, die ein vorkeramisches siliciumhaltiges Material und eine lineare Siloxanflüssigkeit enthält.
  • Vorkeramische siliciumhaltige Materialien und ihre Verwendung bei der Bildung von Beschichtungen auf elektronischen Bauteilen sind in der Technik bekannt. Zum Beispiel lehren US-Patente 4,756,977 und 4,749,631 Verfahren zur Bildung von Beschichtungen auf elektronischen Bauteilen, umfassend Verdünnen von vorkeramischen siliciumhaltigen Materialien in Lösungsmitteln, Auftragen der Lösungen auf elektronische Bauteile und Erhitzen der beschichteten Bauteile, um die vorkeramischen Materialien zu Keramiken umzuwandeln. Diese Referenzen jedoch verwenden nicht die linearen Siloxan-Trägerflüssigkeiten, die hierin beansprucht sind.
  • Genauso offenbaren Patente, wie etwa US-Patent 5,380,553 eine Vielzahl von Trägerflüssigkeiten, die für vorkeramische siliciumhaltige Materialien verwendet werden. Diese umfassen Alkohole, wie etwa Ethyl oder Isopropyl, aromatische Kohlenwasserstoffe, wie etwa Benzol oder Toluol, Alkane, wie etwa n-Heptan oder Dodecan, Ketone, cyclische Dimethylpolysiloxane, Ester oder Glykolether. Die linearen Siloxane, die speziell beansprucht sind, sind darin nicht erwähnt.
  • Wir haben nun gefunden, dass spezielle lineare Siloxane und Mischungen daraus stabile Lösungen von vorkeramischem siliciumhaltigen Material bilden werden, die nachfolgend verwendet werden können, um Beschichtungen auf elektronischen Bauteilen abzuscheiden. Danach können die resultiewenden Beschichtungen zu keramischen Beschichtungen auf elektronischen Bauteilen keramifiziert werden.
  • Die vorliegende Erfindung stellt eine Beschichtungszusammensetzung bereit, die zwischen 1 und 50 Gew.-% vorkeramisches siliciumhaltiges Material (das kein lineares Siloxan ist), das ein Vorläufer für Siliciumoxide, Siliciumnitrid, Siliciumoxynitrid, Siliciumoxycarbid, Siliciumcarbonitrid, Siliciumoxycarbonitrid oder Siliciumcarbid ist, und 50 bis 99 Gew.-% lineares Siloxan enthält, wobei das lineare Siloxan ausgewählt ist aus Octamethyltrisiloxan, Decamethyltetrasiloxan und einer Mischung aus Hexamethyldisiloxan mit Octamethyltrisiloxan in einem Verhältnis von 10 : 90 bis 40 : 60.
  • Die vorliegende Erfindung basiert auf unserem Untersuchungsergebnis, dass die Trägerflüssigkeit, die verwendet wird, um eine Beschichtung aus einem vorkeramischen siliciumhaltigen Material abzuscheiden, eine dramatische Auswirkung auf die resultierende Lösung und Beschichtung hat. Zum Beispiel beeinflusst die Trägerflüssigkeit die Stabilität der Lösung, die Qualität der resultierenden Beschichtung (z. B. Reinheit, Dielektrizitätskonstante usw.) und die Dicke der resultierenden Beschichtung. Zusätzlich haben bestimmte Trägerflüssigkeiten nachteilige Auswirkungen auf die Umwelt, da sie flüchtige organische Verbindungen (VOCs) enthalten.
  • Demgemäß haben wir eine umfangreiche Durchsicht von Trägerflüssigkeiten unternommen und unerwartet herausgefunden, dass lineare Siloxanflüssigkeiten und Mischungen derselben verwendet werden können, um Lösungen von vorkeramischen siliciumhaltigen Materialien zu bilden, die sogar bei Raumtemperatur eine gute Lagerstabilität, niedrigen VOC-Gehalt und gute Kompatibilität mit Behältern zur Aufbewahrung dieser Materialien aufweisen. Diese stabilen Lösungen ihrerseits werden verwendet, um Beschichtungen abzuscheiden, die hervorragende Qualität und unerwartete Dicke aufweisen.
  • Wegen dieser Vorteile sind die Beschichtungszusammensetzungen der vorliegenden Erfindung besonders wertvoll auf elektronischen Substraten. Solche Beschichtungen dienen z. B. als Schutzbeschichtungen, dielektrische Zwischenschichten, dotierte dielektrische Schichten, um transistorähnliche Bauteile herzustellen, pigmentbeladene Bindemittelsysteme, die Silicium enthalten, um Kondensatoren und kondensatorähnliche Bauteile herzustellen, mehrschichtige Bauteile, 3-D-Bauteile, Silicium-auf-Isolator-Bauteilen, Beschichtungen für Superleiter, Supergitterbauteile und ähnliche.
  • Wie hierin verwendet beschreibt der Ausdruck "keramisch" die harten siliciumhaltigen Beschichtungen, die nach Erhitzen unseres vorkeramischen siliciumhaltigen Materials erhalten werden. Diese Beschichtungen können Silicium, Kohlenstoff, Stickstoff, Sauerstoff oder Wasserstoff enthalten, wie etwa Siliciumdioxid (SiO2), siliciumdioxidähnliche Materialien (z. B. HSiO3/2, SiO, Si2O3 usw.), Siliciumcarbid und Siliciumnitrid, das nicht vollständig frei von Restkohlenstoff, Silanol (Si-OH) und/oder Wasserstoff sein muss. Der Begriff "elektronisches Substrat" umfasst elektronische Bauteile oder elektronische Schaltkreise, wie etwa Bauteile auf Siliciumbasis, Bauteile auf Galliumarsenidbasis, Fokalebenenanordnungen, optoelektronische Bauteile, Photoelemente und optische Bauteile.
  • Die Zusammensetzungen dieser Erfindung enthalten zwischen 1 und 50 Gew.-% eines vorkeramischen siliciumhaltigen Materials und vorzugsweise zwischen 5 und 30 Gew.-% desselben in einer Trägerflüssigkeit.
  • Der Begriff "vorkeramisches siliciumhaltiges Material" beschreibt ein Material, das in einer Trägerflüssigkeit verdünnt werden kann, auf die Oberfläche eines elektronischen Bauteils beschichtet werden kann und zu einer festen Schicht umgewandelt werden kann, die Eigenschaften zeigt, die im Allgemeinen von Fachleuten als für eine Keramik charakteristisch anerkannt werden. Diese Materialien sind Vorläufer von Siliciumoxiden, Siliciumnitrid, Siliciumoxynitrid, Siliciumoxycarbid, Siliciumcarbonitrid, Siliciumoxycarbonitrid und Siliciumcarbid.
  • Die bevorzugten vorkeramischen siliciumhaltigen Materialien, die in unserem Verfahren verwendet werden, sind Vorläufer von Siliciumoxiden, insbesondere Siliciumdioxid. Diese Vorläufer umfassen Wasserstoffsilsesquioxanharz (N-Harz), hydrolysiertes oder teilweise hydrolysiertes RnSi(OR)4–n oder Kombinationen der obigen, in welchen jedes R unabhängig voneinander ein aliphatischer, alicyclischer oder aromatischer Substituent mit 1 bis 20 Kohlenstoffatomen, vorzugsweise 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, wie ein Alkyl (z. B. Methyl, Ethyl, Propyl), Alkenyl (z. B. Vinyl oder Allyl), Alkinyl (z. B. Ethinyl), Cyclopentyl, Cyclohexyl oder Phenyl, ist und n gleich 0 bis 3, vorzugsweise 0 oder 1 ist.
  • Das H-Harz, das in dieser Erfindung verwendet wird, umfasst Hydridosiloxanharze der Formel HSi(OH)x(OR)yOz/2, in welcher jedes R unabhängig voneinander eine organische Gruppe oder eine substituierte organische Gruppe ist, die, wenn sie an Silicium über das Sauerstoffatom gebunden ist, einen hydrolysierbaren Substituenten bildet, x = 0 bis 2 ist, y = 0 bis 2 ist, z = 1 bis 3 ist, x + y + z = 3 ist. Beispiele für R umfassen Alkyle, wie etwa Methyl, Ethyl, Propyl und Butyl; Aryle, wie etwa Phenyl, und Alkenyle, wie etwa Allyl oder Vinyl. Diese Harze können vollständig kondensiert sein (HSiO3/2)n oder sie können nur teilweise hydrolysiert sein (d. h., sie enthalten etwas Si-OR) und/oder teilweise kondensiert sein (d. h., sie enthalten etwas Si-OH). Obwohl dies nicht durch diese Struktur dargestellt wird, können diese Harze infolge verschiedener Faktoren, die ihre Bildung oder Handhabung mit sich bringt, auch eine kleine Anzahl (d. h., weniger als 10%) von Siliciumatomen, die entweder 0 oder 2 Wasserstoffatome daran gebunden aufweisen, oder eine kleine Anzahl von SiC-Bindungen enthalten.
  • H-Harze und Verfahren zu ihrer Herstellung sind in der Technik bekannt. Zum Beispiel beansprucht US-Patent 3,615,272 die Herstellung eines nahezu vollständig kondensierten H-Harzes (das bis zu 100–300 ppm Silanol enthalten kann) durch ein Verfahren, das Hydrolysieren von Trichlorsilan in einem Benzolsulfonsäurehydrat-Hydrolysemedium und dann Waschen des resultierenden Harzes mit Wasser oder wässriger Schwefelsäure umfasst. Ähnlich stellt US-Patent 5,010,159 ein alternatives Verfahren bereit, das Hydrolysieren von Hydridosila-nen in einem Arylsulfonsäurehydrat-Hydrolysemedium, um ein Harz zu bilden, das dann mit einem Neutralisationsmittel in Berührung gebracht wird, umfasst.
  • Andere Hydridosiloxanharze, wie etwa solche, die von US-Patent 4,999,397 beschrieben sind; solche, die durch Hydrolysieren eines Alkoxy- oder Acyloxysilans in einem sauren alkoholischen Hydrolysemedium hergestellt werden; solche, die in JP-As 59-178749, 60-86017 und 63-107122 beschrieben werden, oder irgendwelche andere äquivalente Hydridosiloxane werden auch hierin funktionieren.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung können auch spezielle Molekulargewichtsfraktionen der obigen N-Harze in diesem Verfahren verwendet werden. Solche Fraktionen und Verfahren zu ihrer Herstellung sind in US-Patenten 5,063,267 und 5,416,190 offengelegt. Eine bevorzugte Fraktion enthält Material, worin mindestens 75% der polymeren Spezies ein zahlenmittleres Molekulargewicht oberhalb von 1.200 aufweisen, und eine bevorzugtere Fraktion enthält Material, worin mindestens 75% der polymeren Spezies ein zahlenmittleres Molekulargewicht zwischen 1.200 und 100.000 aufweisen.
  • Das H-Harz-Beschichtungsmaterial kann auch einen Platin-, Rhodium- oder Kupferkatalysator enthalten, um die Geschwindigkeit und das Ausmaß der Umwandlung zu Siliciumdioxid zu erhöhen. Im Allgemeinen wird jede (r) Platin-, Rhodium- oder Kupferverbindung oder -komplex, der gelöst werden kann, funktionell sein. Zum Beispiel sind Zusammensetzungen, wie etwa Platinacetylacetonat, Rhodiumkatalysator RhCl3[S(CH2CH2CH2CH3)2]3. erhalten von Dow Corning Corporation, Midland, Mich., oder Kupfer(II)-naphthenat, alle brauchbar. Diese Katalysatoren werden im Allgemeinen in einer Menge von zwischen 5 bis 1.000 ppm Platin-, Rhodium- oder Kupfermetall, bezogen auf das Gewicht des H-Harzes, zugegeben.
  • Eine zweite Art von Siliciumdioxidvorläufermaterial, das hierin nützlich ist, umfasst hydrolysierte oder partiell hydrolysierte Verbindungen der Formel RnSi(OR)4·n, in welcher R und n wie oben definiert sind. Einige dieser Materialien sind kommerziell erhältlich, z. B. unter dem Namen ACCUGLASSTM (Allied Signal Company). Spezielle Verbindungen umfassen Methyltriethoxysilan, Phenyltriethoxysilan, Diethyldiethoxysilan, Methyltrimethoxysilan, Dimethyldimethoxysilan, Phenyltrimethoxysilan, Vinyltrimethoxysilan, Tetramethoxysilan, Tetraethoxysilan, Tetrapropoxysi-lan und Tetrabutoxysilan. Nach Hydrolyse oder partieller Hydrolyse dieser Verbindungen können die Siliciumatome darin an C-, OEI- oder OR-Gruppen gebunden sein, aber es wird geglaubt, dass ein wesentlicher Teil des Materials in Form eines löslichen Si-O-Si-Harzes kondensiert ist. Verbindungen, in welchen x = 2 oder 3 ist, werden im Allgeneinen nicht alleine verwendet, da flüchtige cyclische Strukturen während der Pyrolyse erzeugt werden, aber kleine Mengen dieser Verbindungen können mit anderen Silanen cohydrolysiert werden, um nützliche vorkeramische Materialien herzustellen.
  • Zusätzlich zu den obigen Siliciumoxidvorläufern können auch andere Vorläufer von keramischen Oxiden vorteilhaft hierin in Kombination mit den obigen Siliciumoxidvorläufern verwendet werden. Die Vorläufer von keramischen Oxiden, die hierin speziell ins Auge gefasst werden, umfassen Verbindungen von verschiedenen Metallen, wie etwa Aluminium, Titan, Zirconium, Tantal, Niob und/oder Vanadium, ebenso wie verschiedene nichtmetallische Verbindungen, wie etwa solche von Bor oder Phosphor, die in Lösung gebracht, hydrolysiert und nachfolgend bei relativ niedrigen Temperaturen pyrolysiert werden können, um keramische Oxide zu bilden.
  • Die obigen Vorläuferverbindungen für keramische Oxide haben im Allgemeinen eine oder mehrere hydrolysierbare Gruppen, die an das obige Metall oder Nichtmetall gebunden sind, in Abhängigkeit von der Valenz des Metalls. Die Zahl der hydrolysierbaren Gruppen, die in diesen Verbindungen enthalten sind, ist nicht entscheidend, so lange die Verbindung in dem Lösungsmittel löslich ist. Ebenso ist die Auswahl des exakten hydrolysierbaren Substituenten nicht entscheidend, da die Substituenten entweder hydrolysiert oder aus dem System pyrolysiert werden. Typische hydrolysierbare Gruppen sind Alkoxy, wie etwa Methoxy, Propoxy, Butoxy und Hexoxy; Acyloxy, wie etwa Acetoxy; andere organische Gruppen, die an dieses Metall oder Nichtmetall durch ein Sauerstoffatom gebunden sind, wie etwa Acetylacetonat oder Aminogruppen. Spezielle Verbindungen umfassen daher Zirconiumtetraacetylacetonat, Titandibutoxydiacetylacetonat, Aluminiumtriacetylacetonat, Tetraisobutoxytitan und Ti(N(CH3)2)4.
  • Wenn ein Siliciumoxid, wie etwa SiO2, mit einem der obigen Vorläufer für keramische Oxide vereinigt wird, wird es im Allgemeinen in einer Menge verwendet, so dass die endgültige Keramik 70 bis 99,9 Gew.-% Siliciumoxid enthält.
  • Beispiele für andere siliciumhaltige vorkeramische Materialien umfassen Siliciumcarbonitridvorläufer, wie etwa Hydridopolysilazan(HPZ)-Harz und Methylpolydisilylazan(MPDZ)-Harz. Verfahren für die Herstellung dieser Materialien sind ferner in US-Patenten 4,540,803 und 4,340,619 beschrieben und werden hierin nicht wiederholt. Beispiele für Siliciumcarbidvorläufer umfassen Polycarbosilane und Beispiele für Siliciumnitridvorläufer umfassen Polysilazane. Sauerstoff kann in die Keramiken, die aus den obigen Vorläufern resultieren, eingebracht werden, oder die Vorläufer können zu Siliciumdioxid umgewandelt werden, indem sie in einer sauer stoffhaltigen Umgebung pyrolysiert werden. Mischungen von siliciumhaltigen vorkeramischen Materialien können auch verwendet werden.
  • Die Trägerflüssigkeiten, die in der vorliegenden Erfindung verwendet werden, sind lineare Siloxane, ausgewählt aus Octamethyltrisiloxan, Decamethyltetrasiloxan und einer Mischung von Hexamethyldisiloxan mit Octamethyltrisiloxan. Hexamethyldisiloxan hat eine Viskosität von 0,65 mm2/s bei 25°C. Octamethyltrisiloxan hat eine Viskosität von 1 mm2/s bei 25°C.
  • Wenn eine Mischung von Hexamethyldisiloxan mit Octamethyltrisiloxan verwendet wird, liegt das Mischungsverhältnis im Bereich von 10 : 90 bis 40 : 60.
  • Diese linearen Siloxane und Verfahren zu ihrer Herstellung sind in der Technik bekannt. Zum Beispiel lehrt Noll in "Chemistry and Technology of Silicones" (Academic Press – 1960) diese speziellen Materialien und hydrolytische und nichthydrolytische Verfahren zum Erhalt derselben aus einer Vielzahl von Silanen.
  • Im Allgemeinen werden diese linearen Siloxane gereinigt, um Verunreinigung der Beschichtungslösung zu vermeiden, die in Instabilität resultieren kann. Ähnlich können Verunreinigungen in schädlichen Eigenschaften in der resultierenden Beschichtung resultieren. Reinigungstechniken sind in der Technik bekannt und werden durch Filtration, Destillation und eine Reihe anderer Trenntechniken veranschaulicht.
  • Die Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung enthalten im Allgemeinen geringfügige Mengen (z. B. weniger als 5 Gew.-%) von anderen Trägerflüssigkeiten oder Zusätzen, wie etwa cyclische Siloxane, ohne die Erfindung zu beeinflussen.
  • Die obigen Formulierungen stellen gleichbleibend Lösungen mit langer Haltbarkeit bereit. Tatsächlich haben diese Lösungen sogar bei Raumtemperatur vernünftige Lagerstabilität. Im Gegensatz hierzu erfordern andere Lösungen von vorkeramischen siliciumhaltigen Materialien, wie etwa H-Harz und ähnliche Siliciumdioxidvorläufer, Kühlung für vernünftige Lagerstabilität und sogar dann beträgt die Haltbarkeit oft nur Tage im Vergleich zu Monaten, die hierin erreicht werden.
  • Zusätzlich sind diese Formulierungen mit einer Vielzahl von Behältern, die verwendet werden, um solche Materialien zu beinhalten, kompatibel. Im Gegensatz hierzu erfordern andere Trägerflüssigkeiten die Verwendung von speziellen Behältern, die nicht mit ihren Formulierungen reagieren werden.
  • Genauso haben die Lösungen dieser Erfindung niedrige Gehalte von VOCs. Im Gegensatz hierzu sind andere Trägerflüssigkeiten, die für vorkeramische siliciumhaltige Materialien vorgeschlagen werden, oft organisch und haben schädliche Auswirkungen auf die Umwelt.
  • Schließlich haben Lösungen der vorkeramischen siliciumhaltigen Materialien, wie etwa N-Harz, wenn sie in den linearen Siloxanen unserer beanspruchten Erfindung gelöst werden, den Vorteil, Beschichtungen mit Dicken zu liefern, die mit höheren Konzentrationen an vorkeramischen Material in anderen Trägerflüssigkeiten vergleichbar sind. Als solches haben diese Lösungen linearer Siloxane einen deutlichen wirtschaftlichen Vorteil.
  • Die Zusammensetzungen unserer Erfindung werden verwendet, um elektronische Substrate mit keramischen Beschichtungen zu beschichten. Im Allgemeinen umfasst das Verfahren zur Ausbildung solcher Beschichtungen zuerst Auftragen der Beschichtungszusammensetzung auf ein elektronisches Substrat. Falls gewünscht, wird die Beschichtung dann durch Erhitzen in einer inerten Atmosphäre zum Fließen gebracht, was bewirkt, dass die Beschichtung nivelliert wird. Das beschichtete elektronische Substrat wird dann auf eine Temperatur im Bereich von 50°C bis 800°C in einer geeigneten Umgebung (z. B. oxidierend (Luft, Ozon, Ammoniak usw.) oder inert (z. B. Stickstoff)) erhitzt, um die Beschichtungszusammensetzung in eine keramische Beschichtung umzuwandeln.
  • Die Beschichtungen, die aus unseren beanspruchten Zusammensetzungen resultieren, sind von hoher Qualität (z. B. Reinheit, Dielektrizitätskonstante usw.) und haben erwünschte Dicken. Es sollte jedoch erkannt werden, dass Dickevariationen in den Beschichtungen auch durch Faktoren wie Rotationsgeschwindigkeit und Konzentration des vorkeramischen Materials beeinflusst werden. Diese Faktoren müssen in Betracht gezogen werden, wenn Beschichtungen mit diesen Zusammensetzungen hergestellt werden.
  • Die folgenden nicht beschränkenden Beispiele sind beinhaltet, so dass ein Fachmann die Erfindung besser verstehen kann.
  • Beispiel 1 – Stabilitätstest
  • Der folgende Test wurde durchgeführt, um die Stabilität von Wasserstoffsilsesquioxanharz (H-Harz) in den linearen Siloxanen der vorliegenden Erfindung mit anderen Trägerflüssigkeiten für dieses Material, von denen in der Literatur berichtet wird, zu vergleichen. H-Harz (hergestellt nach dem Verfahren aus US-Patent 3,615,272) wurde in den Trägerflüssigkeiten, die in Tabelle 1 aufgeführt sind, auf 50 Gew.-% verdünnt und bei Raumtemperatur in 29,6-ml-Glasfläschchen (1 Ounce) gelagert. Die Lösungen wurden dann visuell beobachtet, bis sie gelierten. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 dargestellt.
  • Tabelle 1
    Trägerflüssigkeit Zeit bis zur Gelierung
    Methylisobutylketon 6 –117 Tage
    n-Butylacetat 8–43 Tage
    Octan > 4 Monate
    Octamethylcyclotetrasiloxan 98 + Tage
    Hexamethyldisiloxan > 3 Monate
    Octamethyltrisiloxan > 5 Monate
    Decamethyltetrasiloxan 132 + Tage
    Siliconflüssigkeit (Viskosität 10 mm2/s) 0
  • Wie ersichtlich ist, haben die hierin beanspruchten linearen Siloxane Stabilitäten, die zumindest denen anderer Trägerflüssigkeiten äquivalent sind.
  • Beispiel 2
  • Das N-Harz aus Beispiel 1 wurde zu einem Feststoffgehalt von 18 Gew.-% in den in Tabelle 2 aufgeführten Trägerflüssigkeiten verdünnt. Diese Zusammensetzungen wurden auf die Oberfläche von Siliciumwafern aufgebracht und mit 3.000 U/min auf einem SemixTM Schleuderbeschichter 10 s geschleudert. Der beschichtete Wafer wurde dann erhitzt, um dem H-Harz zu erlauben, dass es schmolz und floss. Dieses Erhitzen wurde in einer Stickstoffatmosphäre 1 min bei 150°C, 1 min bei 200°C und 1 min bei 350°C durchgeführt. Die Beschichtung wurde dann in eine Keramik umgewandelt, indem die Temperatur in einer Stickstoffatmosphäre innerhalb 1 h von 40°C auf 400°C gebracht wurde, die Temperatur 1 h bei 400°C gehalten wurde und die Temperatur innerhalb 1 h von 400°C auf 40°C gebracht wurde.
  • Ein NanometricsTM Nanospec AFT-System wurde verwendet, um die Dicke der Beschichtungen wie geschleudert, nach Fließen und nach Umwandlung zu bestimmen. Die visuelle Qualität wurde auf einen numerischen Wert zwischen 1 (gut) und 5 (schlecht) reduziert und als eine Antwort aufgezeichnet. Die Ergebnisse dieses Experiments sind in Tabelle 2 bereitgestellt.
  • Figure 00130001

Claims (6)

  1. Beschichtungszusammensetzung, die zwischen 1 und 50 Gew.-% vorkeramisches siliciumhaltiges Material (das kein lineares Siloxan ist), das ein Vorläufer für Siliciumoxide, Siliciumnitrid, Siliciumoxynitrid, Siliciumoxycarbid, Siliciumcarbonitrid, Siliciumoxycarbonitrid oder Silicumcarbid ist, und 50 bis 99 Gew.% lineares Siloxan enthält, worin das lineare Siloxan ausgewählt ist aus Octamethyltrisiloxan, Decamethyltetrasiloxan und einer Mischung aus Hexamethyldisiloxan mit Octamethyltrisiloxan in einem Verhältnis von 10 : 90 bis 40 : 60.
  2. Beschichtungszusammensetzung nach Anspruch 1, worin das vorkeramische siliciumhaltige Material aus Wasserstoffsilsesquioxanharz, hydrolysiertem oder partiell hydrolysiertem RnSi(OR)4– n oder Kombination daraus ausgewählt ist, worin jedes R unabhängig voneinander ein aliphatischer, alicyclischer oder aromatischer Substituent mit 1–20 Kohlenstoffatomen ist und n gleich 0–3 ist.
  3. Beschichtungszusammensetzung nach Anspruch 1 oder 2, die außerdem modifizierende Vorläufer für keramische Oxide enthält, enthaltend eine Verbindung, die ein Element, ausgewählt aus Titan, Zirconium, Aluminium, Tantal, Vanadium, Niob, Bor und Phosphor, enthält, worin die Verbindung mindestens einen hydrolysierbaren Substituenten, ausgewählt aus Alkoxy oder Acyloxy, enthält und die Verbindung in einer Menge vorhanden ist, so dass eine Siliciumdioxidbeschichtung, die aus der Beschichtungszusammen- setzung gebildet wird, 0,1 bis 30 Gew.-% modifizierendes keramisches Oxid enthält.
  4. Beschichtungszusammensetzung nach einem der vorstehenden Ansprüche, die außerdem einen Platin-, Rhodium- oder Kupferkatalysator in einer Menge zwischen 5 und 1000 ppm Platin, Rhodium oder Kupfer, bezogen auf das Gewicht des vorkeramischen siliciumhaltigen Materials, enthält.
  5. Verfahren zur Beschichtung eines elektronischen Substrats mit einer keramischen Beschichtung, umfassend Aufbringen der Beschichtungszusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 4 auf ein elektronisches Substrat und Erhitzen des elektronischen Substrats auf eine Temperatur im Bereich von 50 bis 800°C, um die Beschichtungszusammensetzung in eine keramische Beschichtung umzuwandeln.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, worin das beschichtete Substrat in einer inerten Atmosphäre auf eine Temperatur oberhalb des Schmelzpunktes des vorkeramischen siliciumhaltigen Materials erhitzt wird, um zu bewirken, dass die Beschichtung vor Umwandlung in eine keramische Beschichtung fließt.
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