DE69735016T2 - Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern - Google Patents
Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern Download PDFInfo
- Publication number
- DE69735016T2 DE69735016T2 DE69735016T DE69735016T DE69735016T2 DE 69735016 T2 DE69735016 T2 DE 69735016T2 DE 69735016 T DE69735016 T DE 69735016T DE 69735016 T DE69735016 T DE 69735016T DE 69735016 T2 DE69735016 T2 DE 69735016T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- component
- unit
- parallel
- mask
- actuator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
- B23Q1/00—Members which are comprised in the general build-up of a form of machine, particularly relatively large fixed members
- B23Q1/25—Movable or adjustable work or tool supports
- B23Q1/44—Movable or adjustable work or tool supports using particular mechanisms
- B23Q1/56—Movable or adjustable work or tool supports using particular mechanisms with sliding pairs only, the sliding pairs being the first two elements of the mechanism
- B23Q1/60—Movable or adjustable work or tool supports using particular mechanisms with sliding pairs only, the sliding pairs being the first two elements of the mechanism two sliding pairs only, the sliding pairs being the first two elements of the mechanism
- B23Q1/62—Movable or adjustable work or tool supports using particular mechanisms with sliding pairs only, the sliding pairs being the first two elements of the mechanism two sliding pairs only, the sliding pairs being the first two elements of the mechanism with perpendicular axes, e.g. cross-slides
- B23Q1/621—Movable or adjustable work or tool supports using particular mechanisms with sliding pairs only, the sliding pairs being the first two elements of the mechanism two sliding pairs only, the sliding pairs being the first two elements of the mechanism with perpendicular axes, e.g. cross-slides a single sliding pair followed perpendicularly by a single sliding pair
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
- B23Q1/00—Members which are comprised in the general build-up of a form of machine, particularly relatively large fixed members
- B23Q1/25—Movable or adjustable work or tool supports
- B23Q1/44—Movable or adjustable work or tool supports using particular mechanisms
- B23Q1/56—Movable or adjustable work or tool supports using particular mechanisms with sliding pairs only, the sliding pairs being the first two elements of the mechanism
- B23Q1/60—Movable or adjustable work or tool supports using particular mechanisms with sliding pairs only, the sliding pairs being the first two elements of the mechanism two sliding pairs only, the sliding pairs being the first two elements of the mechanism
- B23Q1/62—Movable or adjustable work or tool supports using particular mechanisms with sliding pairs only, the sliding pairs being the first two elements of the mechanism two sliding pairs only, the sliding pairs being the first two elements of the mechanism with perpendicular axes, e.g. cross-slides
- B23Q1/621—Movable or adjustable work or tool supports using particular mechanisms with sliding pairs only, the sliding pairs being the first two elements of the mechanism two sliding pairs only, the sliding pairs being the first two elements of the mechanism with perpendicular axes, e.g. cross-slides a single sliding pair followed perpendicularly by a single sliding pair
- B23Q1/623—Movable or adjustable work or tool supports using particular mechanisms with sliding pairs only, the sliding pairs being the first two elements of the mechanism two sliding pairs only, the sliding pairs being the first two elements of the mechanism with perpendicular axes, e.g. cross-slides a single sliding pair followed perpendicularly by a single sliding pair followed perpendicularly by a single rotating pair
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
- B23Q11/00—Accessories fitted to machine tools for keeping tools or parts of the machine in good working condition or for cooling work; Safety devices specially combined with or arranged in, or specially adapted for use in connection with, machine tools
- B23Q11/0032—Arrangements for preventing or isolating vibrations in parts of the machine
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
- G03F7/70741—Handling masks outside exposure position, e.g. reticle libraries
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
- G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70766—Reaction force control means, e.g. countermass
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70991—Connection with other apparatus, e.g. multiple exposure stations, particular arrangement of exposure apparatus and pre-exposure and/or post-exposure apparatus; Shared apparatus, e.g. having shared radiation source, shared mask or workpiece stage, shared base-plate; Utilities, e.g. cable, pipe or wireless arrangements for data, power, fluids or vacuum
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7084—Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/682—Mask-wafer alignment
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T74/00—Machine element or mechanism
- Y10T74/20—Control lever and linkage systems
- Y10T74/20207—Multiple controlling elements for single controlled element
- Y10T74/20213—Interconnected
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Library & Information Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Machine Tool Units (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft Lithographievorrichtungen zur Abbildung eines Maskenmusters auf einem Substrat.
- Eine Positioniervorrichtung der Art, wie sie im Oberbegriff genannt ist, ist aus der EP-A-0 525 872 bekannt. Die bekannte Positioniervorrichtung wird in einer optischen Lithographievorrichtung bei der Herstellung integrierter Halbleiterschaltkreise mittels eines optischen Lithographieprozesses verwendet. Die Lithographievorrichtung bildet Untermuster solcher Halbleiterschaltkreise, welche auf einer Maske in verkleinertem Maßstab vorhanden sind, mittels einer Lichtquelle und einem Linsensystem auf einem Halbleitersubstrat ab. Da solche Halbleiterschaltkreise einen komplizierten Aufbau haben, sollten die Halbleitersubstrate mehrmals belichtet werden, jedes Mal mit einer unterschiedlichen Maske mit einem unterschiedlichen Untermuster. Die Masken werden nacheinander aus einem Magazin entnommen und in einer Betriebsposition in der lithographischen Vorrichtung mittels der bekannten Positioniervorrichtung angeordnet. Während der Bewegung einer Maske vom Magazin in die Betriebsposition durchläuft die Maske eine Messposition, wo eine Position gemessen wird, welche von der Maske relativ zu einer Referenz in der lithographischen Vorrichtung eingenommen wird. Eine Position des Objekthalters, mittels dem die Maske bewegt wird, wird während der Bewegung der Maske von der Messposition in die Betriebsposition relativ zu der Referenz gemessen, so dass die Maske bezüglich der Referenz mittels einer geeigneten Verschiebung des Objekthalters in einer gewünschten Betriebsposition angeordnet werden kann. Der betreffende Objekthalter hält die Maske während der Belichtung des Halbleitersubstrats in der gewünschten Betriebsposition. In der Zwischenzeit entnimmt der andere Objekthalter eine nächste Maske aus dem Magazin und bewegt sie in die Messposition. Die Verwendung der beiden Verschiebungseinheiten mit den beiden Objekthaltern macht es somit möglich, die Position einer folgenden Maske relativ zur Referenz bereits dann zu messen, während eine vorherige Maske in der Betriebsposition ist und das Halbleitersubstrat durch diese vorherige Maske hindurch belichtet wird. Die Produktionsleistung der lithographischen Vorrichtung wird auf diese Weise wesentlich erhöht.
- Die Verwendung einer Positioniervorrichtung der in dem Oberbegriff erwähnten Art ist weiterhin allgemein in Werkzeugmaschinen und Bearbeitungsanlagen bekannt. In diesem Fall wird eine von einem Werkstück eingenommene Position, welches von einem der beiden Objekthalter gelagert wird, relativ zu diesem Objekthalter in der Messposition abgemessen. Dann wird der betreffende Objekthalter mit dem Werkstück in die Betriebsposition bewegt, in der das Werkstück bearbeitet werden soll. Eine von dem betreffenden Objekthalter relativ zu einer Referenz des Maschinenwerkzeugs eingenommene Position wird in der Betriebsposition gemessen, mit dem Ergebnis, dass das Werkstück in eine gewünschte Betriebsposition bezüglich der Referenz gebracht werden kann. Auch hier erhöht wieder die Verwendung der beiden Verschiebungseinheiten mit den beiden Objekttischen die Produktionsleistung bei Maschinenwerkzeugen oder Bearbeitungsanlagen erheblich, da ein nächstes Werkstück bereits in die Messposition bewegt wird, während ein vorhergehendes Werkstück bearbeitet wird.
- Die erste und die zweite Verschiebungseinheit der bekannten Positioniervorrichtung weist jeweils ein erstes Bauteil auf, welches an dem betreffenden Objekthalter befestigt ist und ein zweites Bauteil, welches an einer Basis befestigt ist, wobei das erste Bauteil und das zweite Bauteil einer jeden Verschiebungseinheit relativ zueinander verschiebbar sind, während sie aufeinander eine Antriebskraft ausüben. Ein Nachteil der bekannten Positioniervorrichtung ist, dass die beiden Bauteile der Verschiebungseinheiten jeweils an der Basis befestigt sind, was folglich eine gemeinsame Basis für die erste und die zweite Verschiebungseinheit bildet. Reaktionskräfte werden auf die zweiten Bauteile während der Verschiebung der Objekthalter ausgeübt, wobei diese Kräfte in die Basis übertragen werden. Diese Reaktionskräfte führen zu mechanischen Vibrationen in der Basis, welche wiederum auf die zweiten Bauteile und die Objekthalter übertragen werden. Wenn der erste Objekthalter beispielsweise in der Betriebsposition ist, entstehen mechanische Vibrationen in dem ersten Objekthalter als Ergebnis von Reaktionskräften, welche von der zweiten Verschiebungseinheit während der Verschiebung einer nächsten Maske von dem Magazin in die Messposition auf die Basis ausgeübt werden. Eine derartige Wechselwirkung zwischen den beiden Verschiebungseinheiten führt zu Positionierungsgenauigkeiten der Verschiebungseinheit, welche üblicherweise unerwünscht sind. Zusätzlich werden die in der Basis erzeugten mechanischen Vibrationen auch auf andere Bauteile der Vorrichtung übertragen, in der die bekannte Positioniervorrichtung verwendet wird, was üblicherweise ebenfalls unerwünscht ist.
- Es ist eine Aufgabe der Erfindung, eine Positioniervorrichtung der in der Einleitung genannten Art zu schaffen, deren Basis den beiden Verschiebungseinheiten gemeinsam ist, wobei die unerwünschte Wechselwirkung der beiden Verschiebungseinheiten gemäß obiger Erläuterung soweit als möglich vermieden ist.
- Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine Lithographievorrichtung geschaffen, welche aufweist:
Eine Strahlungsquelle zum Bereitstellen eines Lichtstrahls zur Beleuchtung einer Maske;
einen ersten Objekthalter zum Halten der Maske;
ein Projektionssystem zum Abbilden eines Maskenmusters auf ein Substrat; und
einen zweiten Objekthalter zum Halten eines Substrats; und
eine Verschiebungseinheit zum Verschieben eines Objekthalters in Bezug auf eine Basis der Vorrichtung in X- und Y-Richtungen, wobei die Verschiebungseinheit erste und zweite Bauteile aufweist, welche relativ zueinander verschiebbar sind und beim Betrieb wechselseitig eine Antriebskraft aufeinander ausüben, wobei das erste Bauteil der Verschiebungseinheit mit dem einen der genannten Objekthalter verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Bauteil der Verschiebungseinheit mit einer Ausgleichseinheit verbunden ist, welche verschiebbar in Bezug auf die Basis geführt ist, so dass sie in den X- und Y-Richtungen bewegbar und um zumindest eine Achse drehbar ist, die parallel ist zur Z-Richtung. - Es sei festzuhalten, dass der Ausdruck "Kraftbetätiger" so zu verstehen ist, dass er einen Betätiger zur Erzeugung einer Antriebskraft mit einem bestimmten Wert bedeutet. Neben solchen Kraftbetätigern sind sogenannte Positionsbetätiger zur Erzeugung von Verschiebungen mit einem bestimmten Wert bekannt.
- Eine spezielle Ausführungsform einer Positioniervorrichtung gemäß der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Ausgleichseinheit einen Stützkörper aufweist, der mit einer Führungsoberfläche versehen ist, welcher sich parallel zur X-Richtung und parallel zur Y-Richtung erstreckt, welche gemeinsam zu beiden Objekthaltern ist und entlang der die beiden Objekthalter parallel zur X-Richtung und parallel zur Y-Richtung verschiebbar sind, wobei die Objekthalter beide mit einem Verbindungsbauteil versehen sind, mittels dem der betreffende Objekthalter wiederum mit dem ersten Bauteil des X-Betätigers der ersten Verschiebungseinheit und mit dem ersten Bauteil des X-Betätigers der zweiten Verschiebungseinheit verbindbar ist. Die Objekthalter in dieser Ausführungsform sind über die gemeinsame Führungsfläche verschiebbar geführt, welche zu der Ausgleichseinheit gehört, beispielsweise mittels statischer Gaslager. Der Stützkörper ist beispielsweise eine Granitplatte und hat eine zweifache Funktion, das heißt eine Lagerung und Führung der beiden Objekthalter und die Ausbildung einer Ausgleichseinheit für die beiden Verschiebungseinheiten. Wenn der erste Objekthalter von der Messposition in die Betriebsposition bewegt wird und der zweite Objekthalter von der Betriebsposition in die Messposition bewegt wird, müssen die Objekthalter über der gemeinsamen Führungsoberfläche aneinander vorbeilaufen. Um dies zu erreichen, wird der erste Objekthalter von der Messposition in eine erste Zwischenposition zwischen der Messposition und der Betriebsposition mittels der ersten Verschiebungseinheit verschoben, während der zweite Objekthalter von der Betriebsposition eine zweite Zwischenposition benachbart der ersten Zwischenposition zwischen der Messposition und der Betriebsposition mittels der zweiten Verschiebungseinheit verschoben wird. In den Zwischenpositionen wird der erste Objekthalter von der ersten Verschiebungseinheit getrennt und mit der zweiten Verschiebungseinheit verbunden, wohingegen der zweite Objekthalter von der zweiten Verschiebungseinheit getrennt und mit der ersten Verschiebungseinheit verbunden wird. Dann wird der erste Objekthalter von der ersten Zwischenposition in die Betriebsposition mittels der zweiten Verschiebungseinheit bewegt, während der zweite Objekthalter von der zweiten Zwischenposition in die Messposition mittels der ersten Verschiebungseinheit bewegt wird. Da die Objekthalter mit den Verbindungsbauteilen versehen sind, wird eine Distanz, über die die ers ten Bauteile der Verschiebungseinheiten relativ zu den betreffenden kooperierenden zweiten Bauteilen der Verschiebungseinheiten verschiebbar sein müssen, verringert, so dass die nötigen Abmessungen für die Verschiebungseinheiten verringert werden. Zusätzlich wird verhindert, dass verschiebbare Bauteile der ersten Verschiebungseinheit und verschiebbare Bauteile der zweiten Verschiebungseinheiten in der Lage sein müssen, aneinander vorbeilaufen zu können, was zu einem vergleichsweise komplizierten Aufbau der Verschiebungseinheiten führen würde.
- Eine weitere Ausführungsform einer Positioniervorrichtung gemäß der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindungsbauteile der Objekthalter jeweils einen XY-Lorentzkraftbetätiger aufweisen, der mit einem ersten Bauteil, befestigt an dem betreffenden Objekthalter, und mit einem zweiten Bauteil, befestigt an dem ersten Bauteil, des X-Betätigers der betreffenden Verschiebungseinheit befestigt ist, wobei die ersten Bauteile der XY-Lorentzkraftbetätiger jeweils in der Lage sind, mit den zweiten Bauteilen der zwei XY-Lorentzkraftbetätiger zusammen zu wirken. Die XY-Lorentzkraftbetätiger haben jeweils eine Doppelfunktion, so dass ein einfacher und praktischer Aufbau der Positioniervorrichtung geschaffen wird. Die Objekthalter können jeweils über vergleichsweise geringe Distanzen und mit vergleichsweise hohen Genauigkeiten relativ zu dem ersten Bauteil des X-Betätigers der betreffenden Verschiebungseinheit mittels der XY-Lorentzkraftbetätiger verschoben werden. Da das erste Bauteil und das zweite Bauteil eines solchen Lorentzkraftbetätiger miteinander ausschließlich durch eine Lorentzkraft verbunden sind, können die Bauteile auf einfache Weise durch Deaktivierung bzw. Aktivierung der Lorentzkraft getrennt bzw. verbunden werden. Eine Konstruktion der ersten Bauteile der XY-Lorentzkraftbetätiger derart, dass sie jeweils mit beiden zweiten Bauteilen der XY-Lorentzkraftbetätiger zusammenwirken können, hat zum Ergebnis, dass das erste Bauteil eines jeden der beiden XY-Lorentzkraftbetätiger von dem zweiten Bauteil des anderen XY-Lorentzkraftbetätigers in der Zwischenposition der Objekthalter übernommen werden kann.
- Die Erfindung schafft auch ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung einer Lithographievorrichtung, wobei das Verfahren aufweist die Schritte von:
Projizieren eines Bildes eines Maskenmusters auf eine Maske, die in einem ersten Objekthalter gehalten ist, auf ein Substrat, das in einem zweiten Objekthalter gehalten ist;
Verschieben eines der genannten ersten und zweiten Objekthalter relativ zu einer Basis der Lithographievorrichtung in X- und Y-Richtungen unter Verwendung einer Verschiebungseinheit mit ersten und zweiten Bauteilen, welche relativ zueinander verschiebbar sind und eine Antriebskraft aufeinander beim Betrieb ausüben, wobei das erste Bauteil der Verschiebungseinheit mit dem genannten einen der Objekthalter verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Bauteil mit einer Ausgleichseinheit verbunden ist, welche verschiebbar in Bezug auf die Basis geführt ist, so dass sie in den X- und Y-Richtungen bewegbar und um zumindest eine Achse parallel zur Z-Richtung drehbar ist. - Die Erfindung wird nun genauer nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnung erläutert, in der:
-
1 schematisch eine Lithographievorrichtung mit einem verschiebbaren Substrathalter gemäß der Erfindung zeigt; -
2 schematisch eine Draufsicht auf eine erste Ausführungsform einer Positioniervorrichtung gemäß der Erfindung zeigt, mit der der Substrathalter der Lithographievorrichtung von1 verschoben werden kann; -
3 die Positioniervorrichtung von2 in einer gedrehten Position zeigt; -
4 eine schematische Draufsicht auf eine zweite Ausführungsform einer Positioniervorrichtung gemäß der Erfindung zeigt, mit der der Substrathalter der Lithographievorrichtung von1 verschoben werden kann; -
5 die Positioniervorrichtung von4 zeigt, wobei zwei Substrathalter der Positioniervorrichtung in einer Zwischenposition sind; -
6 schematisch eine Lithographievorrichtung mit einem verschiebbaren Substrathalter und einem verschiebbaren Maskenhalter gemäß der Erfindung zeigt; und -
7 schematisch eine weitere Positioniervorrichtung gemäß der Erfindung zeigt, welche für die Verschiebung des Maskenhalters in der Lithographievorrichtung von6 verwendet wird. - Die Lithographievorrichtung gemäß der Erfindung, welche schematisch in
1 gezeigt ist, wird für die Herstellung integrierter Halbleiterschaltkreise durch einen optischen Lithographieprozess und mittels eines Abbildungsverfahrens verwendet, welches dem sogenannten "step and repeat"-Prinzip folgt. Wie1 schematisch zeigt, ist die Lithographievorrichtung mit einem Rahmen1 versehen, der in der folgenden Reihenfolge und parallel zu einer vertikalen Z-Richtung trägt: eine Positioniervorrichtung3 gemäß der Erfindung, eine Fokussiereinheit5 , einen Maskenhalter7 und eine Strahlungsquelle9 . Die Positioniervorrichtung3 weist einen ersten Substrathalter11 und einen identischen zweiten Substrathalter13 auf. Die Lithographievorrichtung gemäß1 ist eine optische Lithographievorrichtung, deren Strahlungsquelle9 eine Lichtquelle15 aufweist. Die Substrathalter11 und13 weisen eine Stützfläche17 auf, welche sich senkrecht zur Z-Richtung erstreckt und auf der ein erstes Halbleitersubstrat19 angeordnet werden kann, sowie eine Stützfläche21 , welche sich senkrecht zur Z-Richtung erstreckt und auf der ein zweites Halbleitersubstrat22 angeordnet werden kann. Der erste Substrathalter11 ist relativ zum Rahmen1 parallel zu einer X-Richtung senkrecht zur Z-Richtung und parallel zu einer Y-Richtung senkrecht zur X-Richtung und senkrecht zur Z-Richtung mittels einer ersten Verschiebungseinheit25 der Positioniervorrichtung3 verschiebbar, während der zweiten Substrathalter13 relativ zum Rahmen1 parallel zur X-Richtung und parallel zur Y-Richtung mittels einer zweiten Verschiebungseinheit24 der Positioniervorrichtung3 verschiebbar ist. Die Fokussiereinheit5 ist ein Abbildungs- oder Projektionssystem und weist ein optisches Linsensystem29 mit einer optischen Hauptachse31 , welche parallel zur Z-Richtung verläuft, auf, und deren optischer Verkleinerungsfaktor beispielsweise 4 oder 5 beträgt. Der Maskenhalter7 weist eine Stützfläche33 auf, welche sich senkrecht zur Z-Richtung erstreckt und auf der eine Maske35 angeordnet werden kann. Die Maske35 weist ein Muster oder Untermuster eines integrierten Halbleiterschaltkreises auf. Im Betrieb wird ein von der Lichtquelle15 kommender Lichtstrahl durch die Maske35 geführt und mittels des Linsensystems29 auf das erste Halbleitersubstrat19 fokussiert, so dass das auf der Maske35 vorhandene Muster im verkleinerten Maßstab auf dem ersten Halbleitersubstrat19 abgebildet wird. Das erste Halbleitersubstrat19 weist eine große Anzahl individueller Felder auf, auf denen identische Halbleiterschaltkreise angeordnet sind. Die Felder des ersten Halbleitersubstrates19 werden aufeinanderfolgend durch die Maske35 zu diesem Zweck belichtet. Während der Belichtung eines einzelnen Feldes des ersten Halbleitersubstrats19 sind das erste Halbleitersubstrat19 und die Maske35 relativ zur Fokussiereinheit5 in festen Positionen, wohingegen nach der Belichtung eines einzelnen Feldes ein nächstes Feld in Position relativ zur Fokussiereinheit5 gebracht wird, indem der erste Substrathalter11 durch die erste Verschiebungseinheit25 parallel zur X-Richtung und/oder parallel zur Y-Richtung verschoben wird. Dieser Prozess wird eine Anzahl Male wiederholt und jedesmal mit einer unterschiedlichen Maske, so dass komplizierte integrierte Halbleiterschaltkreise mit einer Schichtstruktur hergestellt werden. Die mittels der Lithographievorrichtung herzustellenden integrierten Halbleiterschaltkreise haben einen Aufbau mit Detailabmessungen, welche im Sub-Micron-Bereich liegen. Da das erste Halbleitersubstrat19 nacheinander durch eine Anzahl unterschiedlicher Masken belichtet wird, sollte das auf diesen Masken vorhandene Muster auf dem Halbleitersubstrat19 mit einer Genauigkeit abgebildet werden, welche ebenfalls im Sub-Micron-Bereich oder sogar im Nanometerbereich liegt. Daher muss das Halbleitersubstrat19 relativ zur Fokussiereinheit15 vergleichsweise genau zwischen den beiden aufeinanderfolgenden Belichtungsschritten positioniert werden, so dass sehr hohe Anforderungen an die Positioniergenauigkeit der Positioniervorrichtung gestellt werden. - Eine Anzahl von sich in der Herstellung befindlichen Halbleitersubstraten wird nacheinander durch die Maske
35 in der Lithographievorrichtung gemäß1 belichtet, wobei die Anzahl aufeinanderfolgend durch eine nächste Maske belichtet wird. Dieser Prozess wird eine Anzahl Male wiederholt, und zwar jedesmal mit einer anderen Maske. Die zu belichtenden Halbleitersubstrate liegen in einem Magazin vor, aus welchem die Halbleitersubstrate aufeinanderfolgend mittels eines Transportmechanismus in eine Messpositioniervorrichtung3 bewegt werden. Das Magazin und der Transportmechanismus, welche beide von üblicher Art und per se bekannt sind, sind in1 aus Gründen der Einfachheit nicht gezeigt. In dem Zustand der Lithographievorrichtung gemäß1 ist der erste Substrathalter11 in einer Betriebsposition, in der das erste Halbleitersubstrat19 , das auf dem ersten Substrathalter11 liegt, von der Strahlungsquelle9 durch die Fokussiereinheit5 bestrahlt werden kann. Der zweite Substrathalter13 ist in der Messposition der Positioniervorrichtung3 , in der eine Position des zweiten Halbleitersubstrates23 , welches auf dem zweiten Substrathalter13 liegt, relativ zu dem zweiten Substrathalter13 in Richtungen parallel zur X-Richtung und parallel zur Y-Richtung mittels einer optischen Positionsmesseinheit37 der Lithographievorrichtung gemessen werden kann, wobei diese Einheit nur in1 schematisch dargestellt ist und in der das zweite Halbleitersubstrat23 bezüglich dem zweiten Substrathalter13 mit einer bestimmten Genauigkeit mittels des Transportmechanismus positioniert ist. Wie1 zeigt, ist die optische Positionsmesseinheit37 ebenfalls an dem Rahmen1 befestigt. Nachdem die Belichtung des ersten Halbleitersubstrats19 abgeschlossen ist, wird der erste Substrathalter11 von der Positioniervorrichtung3 auf eine weiter unten noch zu erläuternde Weise von der Betriebsposition in die Messposition verschoben, von der das erste Halbleitersubstrat19 durch den Transportmechanismus in das Magazin zurückgeführt wird. Gleichzeitig wird das zweite Halbleitersubstrat23 durch die Positioniervorrichtung3 auf eine noch näher zu erläuternde Weise von der Messposition in die Betriebsposition verschoben. Da die Position des zweiten Halbleitersubstrats23 relativ zu dem zweiten Substrathalter13 bereits in der Messposition gemessen wurde, und das zweite Halbleitersubstrat23 bereits relativ zu dem zweiten Substrathalter19 mit einer gewünschten Genauigkeit positioniert worden ist, ist eine vergleichsweise einfache Messung der Position des zweiten Substrathalters13 relativ zum Rahmen1 und der Fokussiereinheit5 in der Betriebsposition ausreichend. Die Messung und Positionierung eines Halbleitersubstrats relativ zu einem Substrathalter benötigt ver gleichsweise viel Zeit, so dass die Verwendung der Positioniervorrichtung3 gemäß der Erfindung mit den beiden Verschiebungseinheiten25 und27 einen erheblichen Anstieg der Produktionsleistung im Vergleich zu der Lithographievorrichtung mit nur einem Substrathalter ermöglicht, wo die Ausrichtung des Halbleitersubstrats relativ zu dem Substrathalter in der Betriebsposition stattfindet. - Die
2 und3 zeigen eine erste Ausführungsform einer Positioniervorrichtung3 gemäß der Erfindung, welche zur Verwendung in der Lithographievorrichtung von1 geeignet ist. Die beiden Verschiebungseinheiten25 und27 der Positioniervorrichtung3 sind jeweils mit einem X-Betätiger39 ,41 und einem Y-Betätiger43 ,45 versehen. Die X-Betätiger39 ,41 sind jeweils mit einem ersten Bauteil47 ,49 versehen, welches sich parallel zur X-Richtung erstreckt, welches mit dem Substrathalter11 ,13 der betreffenden Verschiebungseinheit25 ,27 befestigt ist und welches relativ zu einem zweiten Bauteil51 ,53 des betreffenden X-Betätigers39 ,41 verschiebbar ist. Die Y-Betätiger43 ,45 sind jeweils mit einem ersten Bauteil55 ,57 versehen, welches mit dem zweiten Bauteil51 ,53 des X-Betätigers39 ,41 der betreffenden Verschiebungseinheit25 ,27 in Verbindung ist und welches relativ zu einem zweiten Bauteil59 ,61 des relevanten Y-Betätigers43 ,45 verschiebbar ist, das sich parallel zur Y-Richtung erstreckt. Die X-Betätiger39 ,41 und die Y-Betätiger43 ,45 sind sogenannte Kraftbetätiger, wobei die ersten Bauteile47 ,49 und die zusammenwirkenden zweiten Bauteile51 ,53 der X-Betätiger39 ,41 eine gegenseitige Antriebskraft eines bestimmten Wertes parallel zur X-Richtung im Betrieb aufbringen, wohingegen die ersten Bauteile55 ,57 und die zusammenwirkenden zweiten Bauteile59 ,61 der Y-Betätiger43 ,45 eine gegenseitige Antriebskraft parallel zur Y-Richtung im Betrieb aufbringen, welche ebenfalls einen bestimmten Wert hat. Die Kraftbetätiger sind beispielsweise sogenannte lineare Lorentzkraft-Motoren, welche üblich und per se bekannt sind und welche im Betrieb ausschließlich eine Lorentzkraft eines bestimmten Wertes erzeugen. Die Substrathalter11 ,13 sind somit jeweils parallel zur X-Richtung unabhängig voneinander mittels einer geeigneten Antriebskraft der X-Betätiger43 ,45 der betreffenden Verschiebungseinheit25 ,27 verschiebbar. Die Substrathalter11 ,13 sind jeweils zusammen mit dem X-Betätiger43 ,45 der betreffenden Verschiebungseinheit25 ,27 parallel zur Y-Richtung unabhängig voneinander mittels einer geeigneten Antriebskraft des Y-Betätigers43 ,45 der betreffenden Verschiebungseinheit25 ,27 verschiebbar.a - Wie die
2 und3 weiterhin zeigen, sind die Y-Betätiger43 ,45 der Verschiebungseinheiten25 ,27 mit einer gemeinsamen geradlinigen Führung63 versehen, entlang der die ersten Bauteile55 und57 der Y-Betätiger43 und45 verschiebbar geführt sind, und zwar parallel zur Y-Richtung gesehen. Die Positioniervorrichtung3 ist weiterhin mit einer drehbaren Einheit65 versehen, welche in den Figuren nur schematisch gezeigt ist und welche mit einem ersten scheibenförmigen Bauteil67 , welches mit einer Ausgleichseinheit69 der Positioniervorrichtung3 verbunden ist, welche nachfolgend noch näher beschrieben wird und einem zweiten scheibenförmigen Bauteil71 versehen ist, welches mit der gemeinsamen geradlinigen Führung63 verbunden ist. Das zweite scheibenförmige Bauteil71 ist relativ zum ersten scheibenförmigen Bauteil67 um eine Drehachse73 drehbar, welche parallel zur Z-Richtung verläuft. Zu diesem Zweck ist die drehbare Einheit65 mit einem Elektromotor75 versehen, der in den Figuren nur schematisch dargestellt ist und der mit der Ausgleichseinheit69 verbunden und mit dem zweiten scheibenförmigen Bauteil71 mittels eines Antriebsriemens77 verbunden ist. Nachdem das erste Halbleitersubstrat19 in der Betriebsposition im Betrieb belichtet wurde und das zweite Halbleitersubstrat23 in der Messposition relativ zum zweiten Substrathalter13 ausgerichtet wurde, wird das zweite scheibenförmige Bauteil71 der drehbaren Einheit65 um die Drehachse73 um einen Winkel von 180° relativ zum ersten scheibenförmigen Bauteil67 gedreht, so dass die gemeinsame geradlinige Führung63 zusammen mit der ersten Verschiebungseinheit25 und der zweiten Verschiebungseinheit27 um die Drehachse63 gedreht wird. Besagte Drehung der gemeinsamen geradlinigen Führung63 bewirkt, dass die erste Verschiebungseinheit25 mit dem ersten Substrathalter11 in ihrer Gesamtheit von der Betriebsposition in die Messposition verschoben wird, während die zweite Verschiebungseinheit27 mit dem zweiten Substrathalter13 in ihrer Gesamtheit von der Messposition in die Betriebsposition verschoben wird.3 zeigt die Positioniervorrichtung3 in einer Position, in der die gemeinsame geradlinige Führung63 einen Teil der Gesamtdrehbewegung von 180° durchgeführt hat. - Die Ausgleichseinheit
69 der oben erläuterten Positioniervorrichtung3 weist einen vergleichsweise schweren Ausgleichsblock auf, der beispielsweise aus Granit gefertigt ist. Die Ausgleichseinheit69 ist parallel zur X-Richtung und parallel zur Y-Richtung gesehen über einer Führungsoberfläche79 verschiebbar geführt, welche sich parallel zur X-Richtung und parallel zur Y-Richtung erstreckt, und zwar mittels statischer Gaslager, die in den2 und3 nicht sichtbar sind. Die Führungsoberfläche79 ist auf einer Basis81 der Positioniervorrichtung3 gemäß1 angeordnet, wobei diese Basis am Rahmen1 der Lithographievorrichtung befestigt ist. Die zweiten Bauteile59 und61 der Y-Betätiger43 und45 der beiden Verschiebungseinheiten25 und27 sind parallel zur X-Richtung und parallel zur Y-Richtung gesehen mit der Ausgleichseinheit69 über die gemeinsame geradlinige Führung63 und die drehbare Einheit65 verbunden, so dass die Ausgleichseinheit69 somit eine gemeinsame Ausgleichseinheit für die beiden Verschiebungseinheiten25 und27 der Positioniervorrichtung3 bildet. Im Betrieb werden Reaktionskräfte der Y-Betätiger43 und45 , welche aus Antriebskräften entstehen, die von den Y-Betätigern43 und45 erzeugt werden und von den ersten Bauteilen55 und57 der Y-Betätiger43 und45 auf die zweiten Bauteile59 und61 ausgeübt werden, über die gemeinsame geradlinige Führung63 und die drehbare Einheit65 in die Ausgleichseinheit69 übertragen. Reaktionskräfte der X-Betätiger39 und41 , welche aus Antriebskräften entstehen, die von den X-Betätigern39 und41 erzeugt werden, und von den ersten Bauteilen47 und49 der X-Betätiger39 und41 auf die zweiten Bauteile51 und53 ausgeübt werden, werden über die ersten Bauteile55 und57 und die zweiten Bauteile59 und61 der Y-Betätiger43 und45 , die gemeinsame geradlinige Führung63 und die drehbare Einheit65 in die Ausgleichseinheit69 übertragen. Da die Ausgleichseinheit69 über der Führungsfläche79 parallel zur X-Richtung und parallel zur Y-Richtung verschiebbar ist, wird die Ausgleichseinheit69 relativ zur Basis81 parallel zur X-Richtung und/oder parallel zur Y-Richtung unter dem Einfluss der Reaktionskräfte verschoben, welche in die Ausgleichseinheit69 übertragen werden. Die Ausgleichseinheit69 ist vergleichsweise schwer, so dass Distanzen, über welche die Ausgleichseinheit69 relativ zur Basis81 verschoben wird, vergleichsweise klein sein werden. Die Reaktionskräfte der beiden Verschiebungseinheiten25 und27 werden somit in Verschiebungen der Ausgleichseinheit69 über der Führungsoberfläche79 umgewandelt, so dass diese Reaktions kräfte keine mechanischen Vibrationen in der Ausgleichseinheit69 , der Basis61 der Positioniervorrichtung3 und dem Rahmen1 der Lithographievorrichtung bewirken. Solche mechanischen Vibrationen sind unerwünscht, da sie zu unerwünschten Positionierungenauigkeiten der beiden Verschiebungseinheiten25 und27 führen. - Wie oben beschrieben wurde, weisen die X-Betätiger
39 und41 und die Y-Betätiger43 und45 der Verschiebungseinheiten25 und27 sogenannte Kraftbetätiger zur Erzeugung einer Antriebskraft eines bestimmten Wertes auf. Die Verwendung solcher Kraftbetätiger führt dazu, dass die Werte der Antriebskräfte für die Verschiebungseinheiten25 und27 im Wesentlichen unabhängig von den Positionen sind, die von den ersten Bauteilen47 ,49 ,55 ,57 der X-Betätiger39 ,41 und der Y-Betätiger43 ,45 relativ zu den zweiten Bauteilen51 ,53 ,59 ,61 eingenommen werden. Da die Positionen der Substrathalter11 und13 relativ zur Basis81 aus den Werten der Antriebskräfte der ersten Verschiebungseinheit25 und der zweiten Verschiebungseinheit27 folgen, sind besagte Positionen der Substrathalter11 und13 im Wesentlichen unabhängig von den Relativpositionen der ersten Bauteile47 ,49 ,55 ,57 und der zweiten Bauteile51 ,53 ,59 ,61 der Verschiebungseinheiten25 und27 aufgrund der Verwendung der Kraftbetätiger und folglich im Wesentlichen unabhängig von der Position der Ausgleichseinheit69 , die mit den zweiten Bauteilen59 und61 relativ zu den Substrathaltern11 und13 verbunden ist und mit den ersten Bauteilen47 und49 verbunden ist. Es ist folglich klar, dass Verschiebungen der Ausgleichseinheit69 relativ zur Basis81 , die parallel zur X-Richtung gerichtet sind, Verschiebungen der Ausgleichseinheit69 relativ zur Basis81 , die parallel zur Y-Richtung gerichtet sind und Verschiebungen zur Ausgleichseinheit69 relativ zur Basis81 mit sowohl einer Komponente parallel zur X-Richtung als auch einer Komponente parallel zur Y-Richtung im Wesentlichen keinen Einfluss auf die Positionen der Substrathalter11 und13 relativ zur Basis81 haben. Solche Verschiebungen der Ausgleichseinheit69 entstehen, wie oben beschrieben, als Ergebnis der Reaktionskräfte der Verschiebungseinheiten25 und27 . Man erreicht somit, dass in der Situation gemäß1 die Position des zweiten Substrathalters13 relativ zur Positionsmesseinheit37 und die Position des ersten Substrathalters11 relativ zur Fokussiereinheit5 nicht durch mechanische Vibrationen oder durch besagte Verschiebungen der Ausgleichseinheit69 beeinflusst werden, so dass gegenseitige Wechselwirkungen zwischen den Positionsgenauigkeiten der Verschiebungseinheiten25 und27 aufgrund der Reaktionskräfte der Verschiebungseinheiten25 und27 verhindert werden. - Da die Reaktionskräfte der Verschiebungseinheiten
25 und27 zu einem mechanischen Moment an der Ausgleichseinheit69 führen, wird die Ausgleichseinheit69 nicht nur parallel zur X-Richtung und/oder parallel zur Y-Richtung unter dem Einfluss der Reaktionskräfte verschoben, sondern auch um eine Drehachse gedreht, welche parallel zur Z-Richtung verläuft. Im Gegensatz zu Verschiebungen der Ausgleichseinheit69 parallel zur X-Richtung und/oder parallel zur Y-Richtung, welche im Wesentlichen keinen Einfluss auf die Positionen der Substrathalter11 und13 relativ zur Basis81 aufgrund der Verwendung der Kraftbetätiger haben, beeinflussen solche Drehungen der Ausgleichseinheit69 die Positionen der Substrathalter11 und13 relativ zur Basis81 im Allgemeinen schon, wenn keine weiteren Gegenmaßnahmen ergriffen werden. Um so einen unerwünschten Einfluss zu verhindern, ist die Positioniervorrichtung3 mit einer Steuereinheit83 versehen, welche in2 schematisch dargestellt ist und mit zwei optischen Positionssensoren85 und87 zusammenwirkt, die an der Basis81 der Positioniervorrichtung3 befestigt sind. Die Positionssensoren85 und87 messen eine Richtung der gemeinsamen geradlinigen Führung63 relativ zur Y-Richtung. Der Elektromotor75 der drehbaren Einheit65 wird von der Steuereinheit83 so gesteuert, dass die gemeinsame geradlinige Führung63 im Betrieb in einer Position parallel zur Y-Richtung gehalten wird, mit Ausnahme derjenigen Momente, zu denen die geradlinige Führung63 um 180° gedreht wird. Die ersten Bauteile47 und49 der X-Betätiger39 und41 werden somit in einer Position parallel zur X-Richtung gehalten. Da die gemeinsame geradlinige Führung63 in einer Position parallel zur Y-Richtung aufgrund der Steuereinheit83 gehalten wird, haben Verschiebungen der Ausgleichseinheit69 relativ zur Basis81 parallel zur X-Richtung und/oder parallel) zur Y-Richtung und haben auch Drehungen der Ausgleichseinheit69 relativ zur Basis81 im Wesentlichen keinen Einfluss auf die Positionen der Substrate11 und13 relativ zur Basis81 , so dass gegenseitige Wechselwirkungen zwischen den Positionsgenauigkeiten und Verschiebungseinheiten25 und27 aufgrund von Drehungen der Ausgleichseinheit69 , die von den Reaktionskräften erzeugt werden, verhindert sind. - Die Tatsache, dass die Ausgleichseinheit
69 über der Führungsoberfläche79 mittels statischer Gaslager geführt wird, schafft eine im Wesentlichen reibungslose Führung der Ausgleichseinheit69 entlang der Führungsoberfläche79 . Die Verschiebungen der Ausgleichseinheit69 aufgrund der Reaktionskräfte werden von Reibungskräften zwischen der Ausgleichseinheit69 und der Führungsoberfläche79 im Ergebnis im Wesentlichen nicht gestört, so dass die Reaktionskräfte im Wesentlichen vollständig in Verschiebungen der Ausgleichseinheit69 umgewandelt werden und im Wesentlichen keine Restvibrationen in der Basis81 und der Ausgleichseinheit69 auftreten. - Wie in
2 schematisch gezeigt, ist die Positioniervorrichtung3 weiterhin mit einer sogenannten Anti-Drift-Vorrichtung89 versehen. Da die Ausgleichseinheit69 entlang der Führungsoberfläche69 im Wesentlichen ohne Reibung geführt wird, könnte die Ausgleichseinheit69 entlang der Führungsoberfläche79 unter dem Einfluss externer Störkräfte, d. h. Störkräften, welche nicht von der Positioniervorrichtung3 erzeugt werden, wegdriften, wenn keine Gegenmaßnahmen ergriffen werden. Ein Beispiel einer solchen Störkraft ist eine Komponente der Schwerkraft, die parallel zur Führungsoberfläche79 verläuft und auf die Ausgleichseinheit69 und die Positioniervorrichtung3 wirkt, wobei diese Komponente vorhanden ist, wenn die Führungsoberfläche79 nicht perfekt horizontal liegt. Die Anti-Drift-Vorrichtung89 übt vergleichsweise kleine Anti-Drift-Kräfte auf die Ausgleichseinheit69 aus, wodurch ein Wegdriften der Ausgleichseinheit69 verhindert ist. Die Anti-Drift-Vorrichtung89 sollte zusätzlich so aufgebaut sein, dass die Verschiebungen der Ausgleichseinheit69 relativ zur Basis81 aufgrund der Reaktionskräfte der Verschiebungseinheiten25 und27 nicht gestört werden. In der Ausführungsform von2 weist die Anti-Drift-Vorrichtung89 beispielsweise zwei mechanische Federn91 und93 auf, welche mit der Basis81 und mit der Ausgleichseinheit69 verbunden sind und welche eine vergleichsweise kleine Federkraft auf die Ausgleichseinheit69 parallel zur X-Richtung ausüben, sowie eine mechanische Feder95 , welche eine verlgeichsweise kleine Federkraft auf die Ausgleichseinheit69 parallel zur Y-Richtung ausübt. - Die
4 und5 zeigen eine zweite Ausführungsform einer Positioniervorrichtung97 gemäß der Erfindung, welche auch zur Verwendung in der Lithographievorrichtung von1 geeignet ist. Bauteile der Lithographievorrichtung97 entsprechend Bauteilen der Lithographievorrichtung3 haben in den4 und5 gleiche Bezugszeichen. Die Substrathalter11 und13 in der Positioniervorrichtung97 sind jeweils verschiebbar parallel zur X-Richtung und parallel zur Y-Richtung entlang einer Führungsoberfläche103 verschiebbar, welche den beiden Substrathaltern11 ,13 gemeinsam ist und sich parallel zur X-Richtung und parallel zur Y-Richtung erstreckt, und zwar mittels eines sogenannten aerostatisch gelagerten Fußes99 ,101 , der mit einem statischen Gaslager versehen ist. Die Verschiebungseinheiten25 und27 der Positioniervorrichtung97 sind jeweils mit einem X-Betätiger105 ,107 und zwei Y-Betätigern109 ,111 und113 ,115 versehen, welche als Kraftbetätiger ausgelegt sind, wie in der Positioniervorrichtung3 . Die X-Betätiger105 und107 sind jeweils mit einem ersten Bauteil117 ,119 versehen, welches relativ zu einem zweiten Bauteil121 ,123 verschiebbar geführt ist, das sich parallel zur X-Richtung erstreckt, während die Y-Betätiger109 ,111 ,113 ,115 jeweils mit einem ersten Bauteil125 ,127 ,129 ,131 versehen sind, welches relativ zu einem zweiten Bauteil133 ,135 ,137 ,139 verschiebbar geführt ist, das sich parallel zur Y-Richtung erstreckt. Wie in4 zeigt, sind die zweiten Bauteile121 und123 der X-Betätiger105 und107 jeweils mit den beiden ersten Bauteilen125 ,127 und129 ,131 der beiden Y-Betätiger109 ,111 und113 ,1i5 der betreffenden Verschiebungseinheiten25 ,27 verbunden, wobei besagte zweite Bauteile121 und123 der X-Betätiger105 und107 jeweils relativ zu den beiden ersten Bauteilen125 ,127 und129 ,131 der betreffenden Y-Betätiger109 ,111 und113 ,115 um eine Schwenkachse141 ,143 ,145 ,147 schwenkbar sind, welche parallel zur Z-Richtung ist. Die ersten Bauteile117 ,119 der X-Betätiger können jeweils mit dem Substrathalter11 ,13 der betreffenden Verschiebungseinheit25 ,27 (parallel zur X-Richtung gesehen und parallel zur Y-Richtung gesehen auf eine nachfolgend noch zu beschreibende Weise verbunden werden. Die zweiten Bauteile133 ,135 ,137 ,139 der Y-Betätiger109 ,111 ,113 ,115 sind jeweils mit einer Ausgleichseinheit149 verbunden, welche den beiden Verschiebungseinheiten25 und27 gemeinsam ist und die Ausgleichseinheit69 der Positioniervorrichtung3 entspricht und welche parallel zur X-Richtung und parallel zur Y-Richtung mittels statischer Gaslager, die in den Figuren nicht gezeigt sind, entlang einer Führungsfläche69 verschiebbar gelagert ist, die sich parallel zur X-Richtung und parallel zur Y-Richtung erstreckt und zu einer Basis81 der Positionsvorrichtung97 gehört, die mit dem Rahmen1 verbunden ist. Die Ausgleichseinheit149 ist gleichzeitig ein gemeinsamer Stützkörper für die beiden Substrathalter11 und13 , wobei die gemeinsame Führungsoberfläche103 der Substrathalter11 und13 eine obere Oberfläche der Ausgleichseinheit149 ist. Wie die Ausgleichseinheit69 der Positioniervorrichtung3 ist die Ausgleichseinheit149 der Positioniervorrichtung97 mit Anti-Drift-Vorrichtungen89 ,91 ,93 und95 versehen. Die Substrathalter11 und13 sind jeweils parallel zur X-Richtung unabhängig voneinander mittels entsprechenden X-Betätiger105 und107 verschiebbar und sind parallel zur Y-Richtung unabhängig voneinander mittels Verschiebungen gleichen Wertes der beiden Y-Betätiger109 und111 und den beiden Y-Betätigern113 und115 verschiebbar. Im Betrieb werden Reaktionskräfte der X-Betätiger105 und107 der Ausgleichseinheit149 über die zweiten Bauteile121 und123 der ersten X-Betätiger105 und107 , die ersten Bauteile125 ,127 ,129 ,131 der Y-Betätiger109 ,111 ,113 ,115 und die zweiten Bauteile133 ,135 ,137 ,139 der Y-Betätiger109 ,111 ,113 ,115 übertragen, während Reaktionskräfte der Y-Betätiger109 ,111 ,113 ,115 direkt der Ausgleichseinheit149 über die zweiten Bauteile133 ,135 ,137 ,139 der Y-Betätiger109 ,111 ,113 ,115 übertragen werden. - Die Substrathalter
11 und13 sind jeweils mit einem Verbindungsbauteil151 ,153 versehen, welches nachfolgend genauer beschrieben wird, mittels dem die Substrathalter11 ,13 parallel zur X-Richtung und parallel zur Y-Richtung abwechselnd mit dem ersten Bauteil117 des X-Betätigers105 der ersten Verschiebungseinheit25 und dem ersten Bauteil119 des X-Betätigers107 der zweiten Verschiebungseinheit127 verbindbar sind. Das Verbindungsbauteil151 des ersten Substrathalters11 ist für diesen Zweck mit einem ersten Bauteil155 versehen, mittels dem der erste Substrathalter11 mit dem ersten Bauteil117 des X-Betätigers105 der ersten Verschiebungseinheit25 verbindbar ist und mit einem zweiten Bauteil157 , mittels dem der erste Substrathalter11 mit dem ersten Bauteil113 des X-Betätigers107 der zweiten Verschiebungseinheit127 verbindbar ist. Ähnlich ist das Verbindungsbauteil153 des zweiten Substrathalters13 mit einem ersten Bauteil159 versehen, mittels dem der zweite Substrathalter13 mit dem ersten Bauteil117 des X-Betätigers105 der ersten Verschiebungseinheit25 verbindbar ist und mit einem zweiten Bauteil161 , mittels dem der zweite Substrathalter13 mit dem ersten Bauteil119 des X-Betätigers107 der zweiten Verschiebungseinheit27 verbindbar ist. In der in den1 und4 gezeigten Situation, wo der erste Substrathalter11 in der Betriebsposition ist und der zweite Substrathalter13 in der Messposition ist, ist der erste Substrathalter11 mit dem ersten Bauteil107 des X-Betätigers105 der ersten Verschiebungseinheit25 über das erste Bauteil155 des Verbindungsbauteils151 verbunden, während der zweite Substrathalter13 mit dem ersten Bauteil119 des X-Betätigers107 der zweiten Verschiebungseinheit27 über das zweite Bauteil161 des Verbindungsbauteils153 verbunden ist. - Die Substrathalter
11 und13 müssen entlang der gemeinsamen Führungsoberfläche103 bei einer Verschiebung des ersten Substrathalters11 von der Betriebsposition in die Messposition und des zweiten Substrathalters13 von der Messposition in die Betriebsposition aneinander vorbeilaufen. Um dies zu ermöglichen, wird der erste Substrathalter11 von der ersten Verschiebungseinheit25 von der Betriebsposition in eine erste Zwischenposition M' verschoben, welche gemäß5 zwischen der Betriebsposition und der Messposition liegt, während gleichzeitig der zweite Substrathalter13 mittels der zweiten Verschiebungseinheit27 von der Messposition in eine zweiten Zwischenposition M'' gemäß5 verschoben wird, welche benachbart der ersten Zwischenposition M' liegt und ebenfalls zwischen der Betriebsposition und der Messposition ist. Die Substrathalter11 und13 werden von der ersten Verschiebungseinheit25 bzw. der zweiten Verschiebungseinheit27 in den Zwischenpositionen M' und M'' getrennt. Dann wird das erste Bauteil107 des X-Betätigers105 der ersten Verschiebungseinheit25 von der ersten Zwischenposition M' in die zweite Zwischenposition M'' bewegt und in dieser zweiten Zwischenposition M'' mit dem ersten Bauteil159 des Verbindungsbauteils153 des zweiten Substrathalters113 verbunden. Gleichzeitig wird das erste Bauteil119 des X-Betätigers107 der zweiten Verschiebungseinheit27 von der zweiten Zwischenposition M'' in die erste Zwischenposition M' bewegt und wird in dieser ersten Zwischenposition M' mit dem zweiten Bauteil157 des Verbindungsbauteils151 des ersten Substrathalters11 verbunden. Dies führt zur Situation gemäß5 , wo der erste Substrathalter11 in der ersten Zwischenposition M' mit dem ersten Bauteil119 des X-Betätigers107 der zweiten Verschiebungseinheit27 verbunden ist und wo der zweite Substrathalter13 in der zweiten Zwischenposition M'' mit dem ersten Bauteil117 des X-Betätigers105 der ersten Verschiebungseinheit25 verbunden ist. Schließlich wird der erste Substrathalter11 von der ersten Zwischenposition M' durch die zweite Verschiebungseinheit27 in die Messposition bewegt, während gleichzeitig der zweite Substrathalter13 von der zweiten Zwischenposition M'' durch die erste Verschiebungseinheit25 in die Betriebsposition bewegt wird. Eine Distanz, über welche die ersten Bauteile125 ,127 ,129 ,131 der Y-Betätiger109 ,111 ,113 ,115 relativ zu den beiden Bauteilen133 ,135 ,137 ,139 verschiebbar sein müssen, wird unter Verwendung der Verbindungsbauteile151 und153 verkleinert, so dass die Abmessungen der Verschiebungseinheiten25 und27 verringert werden können. Zusätzlich wird verhindert, dass die zweiten Bauteile121 und123 der X-Betätiger105 und107 fähig sein müssen, parallel zur Y-Richtung10 aneinander vorbeilaufen zu können, so dass der Aufbau der Verschiebungseinheiten25 und27 einfach gehalten wird. - Die Verbindungsbauteile
151 und153 der Substrathalter11 und13 gemäß obiger Erläuterung sind als sogenannte XY-Lorentzkraftbetätiger aufgebaut. Die ersten Bauteile155 und159 der Verbindungsbauteile151 und153 weisen für diesen Zweck jeweils ein System von Permanentmagneten auf, wie es üblich und per se bekannt ist, während das erste Bauteil117 des X-Betätigers105 der ersten Verschiebungseinheit25 ein elektrisches Spulensystem63 aufweist, welches üblich und per se bekannt ist und dafür ausgelegt ist, abwechselnd mit dem ersten Bauteil155 des Verbindungsbauteils151 des ersten Substrathalters11 und dem ersten Bauteil159 des Verbindungsbauteils153 des zweiten Substrathalters13 zusammen zu wirken. Die zweiten Bauteile157 und161 der Verbindungsbauteile151 und153 weisen jeweils auch einen Satz von Permanentmagneten auf, was üblich und per se bekannt ist, während das erste Bauteil119 des X-Betätigers107 der zweiten Verschiebungseinheit27 auch ein elektrisches Spulensystem165 aufweist, welches üblich und per se bekannt ist und dafür ausgelegt ist, abwechselnd mit dem zweiten Bauteil157 des Verbindungsbauteils151 des ersten Substrathalters11 und dem zweiten Bauteil161 des Verbindungsbauteils153 des zweiten Substrathalters13 zusammen zu wirken. Der durch das Spulensystem163 des ersten Bauteils155 des Verbindungsbauteils151 oder das erste Bauteil159 des Verbindungsbauteils153 gebildete XY-Lorentzkraftbetätiger ist klarerweise zur Erzeugung einer Lorentz-Kraft parallel zur X-Richtung, einer Lorentz-Kraft parallel zur Y-Richtung und einem Moment von Lorentz-Kräften um eine Momentachse geeignet, welche parallel zur Z-Richtung verläuft, so dass der erste Substrathalter11 oder der zweite Substrathalter13 relativ zum ersten Bauteil119 des X-Betätigers105 der ersten Verschiebungseinheit25 über vergleichsweise kleine Distanzen parallel zur X-Richtung und/oder parallel zur Y-Richtung mittels des XY-Lorentzkraftbetätigers verschiebbar ist und auch um vergleichsweise kleine Winkel relativ zu dem ersten Bauteil117 um eine Drehachse drehbar ist, welche parallel zur Z-Richtung verläuft. Ähnlich ist der XY-Lorentzkraftbetätiger, der durch das Spulensystem165 und das zweite Bauteil157 des Verbindungsbauteils151 oder das zweite Bauteil161 des Verbindungsbauteils153 gebildet wird, zur Erzeugung einer Lorentzkraft parallel zur X-Richtung, einer Lorentzkraft parallel zur Y-Richtung und einem Moment von Lorentzkräften um eine Momentachse geeignet, welche parallel zur Z-Richtung verläuft, so dass der erste Substrathalter11 oder der zweite Substrathalter13 relativ zum ersten Bauteil119 des X-Betätigers107 der zweiten Verschiebungseinheit27 über vergleichsweise kleine Distanzen parallel zur X-Richtung und/oder parallel zur Y-Richtung mittels des XY-Lorentzkraftbetätigers verschoben werden kann und relativ zum ersten Bauteil119 über vergleichsweise kleine Winkel um eine Drehachse drehbar ist, welche parallel zur Z-Richtung verläuft. Die Verwendung der XY-Lorentzkraftbetätiger gemäß obiger Beschreibung schafft einen besonders einfachen und praktischen Aufbau der Verbindungsbauteile151 und153 , wo das Verbinden und Trennen der Verbindungsbauteile151 und153 auf einfache Weise durch die Aktivierung und die Deaktivierung der Lorentzkraft erreicht wird, welche zwischen den Magnetsystemen und den Spulensystemen wirkt. Die XY-Lorentzkraftbetätiger wirken weiterhin als zweite Feinantriebsstufe für die Verschiebungseinheiten25 und27 , mittels der die Substrathalter11 und13 vergleichsweise genau relativ zu einer ersten Antriebsstufe positioniert werden können, welche durch die X-Betätiger105 ,107 und die Y-Betätiger109 ,111 ,113 ,115 gebildet wird. - Wie die Ausgleichseinheit
69 der Positioniervorrichtung3 wird auch die Ausgleichseinheit149 der Positioniervorrichtung97 um eine Drehachse gedreht, die parallel zur Z-Richtung verläuft, und zwar als Ergebnis der Reaktionskräfte der Verschiebungseinheit25 und27 , welche auf die Ausgleichseinheit149 ausgeübt werden. Um zu verhindern, dass solche Drehungen der Ausgleichseinheit149 zu unerwünschten Verschiebungen der Substrathalter11 und13 relativ zur Basis81 führen, ist die Positioniervorrichtung97 mit einer ersten Steuereinheit167 versehen, mittels der das zweite Bauteil121 des X-Betätigers105 der ersten Verschiebungseinheit25 in einer Position parallel zur X-Richtung gehalten werden kann und mit einer zweiten Steuereinheit169 , mittels der das zweite Bauteil123 des X-Betätigers107 der zweiten Verschiebungseinheit27 in einer Position parallel zur X-Richtung gehalten werden kann. Wie4 zeigt, arbeitet die erste Steuereinheit167 mit zwei optischen Positionssensoren171 und173 zusammen, welche an der Basis81 befestigt sind und mittels denen eine Richtung des zweiten Bauteils121 des X-Betätigers105 relativ zur X-Richtung gemessen wird. Ähnlich arbeitet die zweite Steuereinheit169 mit zwei optischen Positionssensoren175 und177 zusammen, die ebenfalls an der Basis81 befestigt sind und mittels denen eine Richtung des zweiten Bauteils123 des X-Betätigers107 relativ zur X-Richtung gemessen wird. Die erste Steuereinheit167 steuert die beiden Y-Betätiger109 und111 der ersten Verschiebungseinheit25 so, dass das zweite Bauteil121 des X-Betätigers105 in einer Position parallel zur X-Richtung im Fall von Drehungen der Ausgleichseinheit149 verbleibt. Ähnlich steuert die zweite Steuereinheit169 die beiden Y-Betätiger113 und115 der zweiten Verschiebungseinheit27 so, dass das zweite Bauteil123 des X-Betätigers107 in einer Position parallel zur X-Richtung für den Fall von Drehungen der Ausgleichseinheit149 verbleibt. Die Tatsache, dass die beiden Bauteile121 und123 der X-Betätiger105 und107 somit jeweils in einer Position parallel zur X-Richtung gehalten werden, verhindert Drehungen der X-Betätiger105 und107 und der hiermit verbundenen Substrathalter11 und13 , was üblicherweise zu unerwünschten Verschiebungen der Substrathalter11 ,13 relativ zur Basis81 führen würde. - Ein Abbildungsverfahren, welches dem sogenannten "step and scan"-Prinzip folgt, wird bei der Lithographievorrichtung gemäß der Erfindung verwendet, wie es schematisch in
6 gezeigt ist. Bauteile der Lithographievorrichtung von6 , welche Bauteilen der Lithographievorrichtung von1 entsprechen, haben in6 die gleichen Bezugszeichen. Bei dem Abbildungsverfahren mittels des "step and scan"-Prinzips ist das erste Halbleitersubstrat19 während der Belichtung nicht in einer konstanten Position relativ zur Fokussiereinheit5 , sondern das erste Halbleitersubstrat19 und die Maske35 werden während einer Belichtung synchron und parallel zur X-Richtung relativ zur Fokussiereinheit5 verschoben. Die Lithographievorrichtung von6 ist für diesen Zweck nicht nur mit der Positioniervorrichtung3 zur Verschiebung des ersten Halbleitersubstrates19 versehen, sondern auch mit einer weiteren Positioniervorrichtung179 , mittels der die Maske35 parallel zur X-Richtung relativ zur Fokussiereinheit5 verschiebbar ist. Die weitere Positioniervorrichtung179 ist wieder eine Positioniervorrichtung gemäß der Erfindung in der Lithographievorrichtung von6 . Wie6 schematisch zeigt, weist die weitere Positioniervorrichtung179 einen ersten Maskenhalter181 und einen identischen zweiten Maskenhalter183 auf. Die Maskenhalter181 und183 haben jeweils eine Stützoberfläche, d. h. eine Stützoberfläche185 , die sich senkrecht zur Z-Richtung erstreckt und auf der eine erste Maske35 anordenbar ist und eine Stützoberfläche187 , die sich senkrecht zur Z-Richtung erstreckt und auf der eine zweite Maske35' anordenbar ist. Der erste Maskenhalter181 kann relativ zum Rahmen1 und parallel zur Y-Richtung mittels einer ersten Verschiebungseinheit189 der Positioniervorrichtung179 positioniert werden, während der zweite Maskenhalter183 relativ zum Rahmen1 parallel zur X-Richtung und parallel zur Y-Richtung mittels einer zweiten Verschiebungseinheit191 der Positioniervorrichtung179 positioniert werden kann. In der in6 gezeigten Situation ist der erste Maskenhalter181 mit der ersten Maske35 in einer Betriebsposition der weiteren Positioniervorrichtung179 , in der das erste Halbleitersubstrat19 durch die erste Maske35 bestrahlt werden kann, wohingegen der zweite Maskenhalter183 mit der zweiten Maske35' in einer Messposition der weiteren Positioniervorrichtung179 ist. In dieser Messposition kann eine Position der zweiten Maske35' relativ zum zweiten Maskenhalter183 mittels einer weiteren Positionseinheit193 der Lithographievorrichtung gemessen werden, die am Rahmen1 der Lithographievorrichtung befestigt ist. Die zweite Maske35' kann zusätzlich in der Messposition mit einer gewünschten Genauigkeit relativ zum zweiten Maskenhalter182 mittels eines weiteren Transportmechanismus positioniert werden, der aus Gründen der Einfachheit in6 nicht gezeigt ist, und der für den Transport von aufeinander folgend verwendeten Masken aus einem Maskenmagazin in die Messposition der weiteren Positioniervorrichtung179 verwendet wird. Nachdem die erste Maske35 zur Bestrahlung eines oder verschiedener Halbleitersubstrate verwendet worden ist, wird der erste Maskenhalter181 von der Betriebsposition in die Messposition mittels der weiteren Positioniervorrichtung179 bewegt, die erste Maske35 wird durch den weiteren Transportmechanismus von der Messposition in das Maskenmagazin zurückgebracht. Gleichzeitig wird der zweite Maskenhalter183 mit der zweiten Maske35' durch die weitere Positioniervorrichtung179 von der Messposition in die Betriebsposition bewegt. Die Produktionsleistung der Lithographievorrichtung wird somit durch die Verwendung der weiteren Positioniervorrichtung179 gemäß der Erfindung weiter erhöht, da die aufeinander folgend zu verwendenden Masken bereits relativ zu den relevanten Maskenhaltern bei Erreichen der Betriebsposition ausgerichtet worden sind. - Die weitere Positioniervorrichtung
179 ist schematisch in7 gezeigt. Die Maskenhalter181 und183 der weiteren Positioniervorrichtung179 sind verschiebbar parallel zur X-Richtung und parallel zur Y-Richtung entlang einer gemeinsamen Führungsoberfläche199 eines Trägerkörpers201 geführt, der sich parallel zur X-Richtung und parallel zur Y-Richtung erstreckt, was durch einen aerostatisch gelagerten Fuß195 bzw. einen aerostatisch gelagerten Fuß197 erfolgt. Der Stützkörper201 ist über eine drehbare Einheit203 mit einer Ausgleichseinheit205 befestigt, welche verschiebbar parallel zur X-Richtung gesehen und parallel zur Y-Richtung gesehen mittels statischer Gaslager entlang einer Führungsoberfläche207 geführt ist, welche Teil einer Basis209 der weiteren Positioniervorrichtung179 bildet. Wie6 schematisch zeigt, ist die Basis209 der weiteren Positioniervorrichtung179 am Rahmen1 der Lithographievorrichtung befestigt. Die drehbare Einheit203 und die Ausgleichseinheit205 der weiteren Positioniervorrichtung179 entsprechen im Wesentlichen der dreh baren Einheit65 und der Ausgleichseinheit69 der voranstehend beschriebenen Positioniervorrichtung3 . - Die erste Verschiebungseinheit
189 und die zweite Verschiebungseinheit191 der weiteren Positioniervorrichtung179 weisen jeweils einen X-Betätiger211 und213 auf, der als Kraftbetätiger aufgebaut ist. Die X-Betätiger211 und213 weisen jeweils ein erstes Bauteil215 und217 auf, welches parallel zur X-Richtung gesehen relativ zu einem zweiten Bauteil219 ,221 des betreffenden X-Betätigers211 ,213 verschiebbar ist, der sich im Wesentlichen parallel zur X-Richtung erstreckt. Die zweiten Bauteile219 und221 der X-Betätiger211 und213 sind mit dem Stützkörper201 Befestigt und weisen eine gemeinsame geradlinige Führung223 auf, welche sich im Wesentlichen parallel zur X-Richtung erstreckt. Weiterhin weisen die Verschiebungseinheiten189 und191 jeweils einen XY-Lorentzkraftbetätiger225 ,227 mit einem Permanentmagnetsystem229 ,231 auf, befestigt am Maskenhalter181 ,183 der betreffenden Verschiebungseinheit189 ,191 und einem elektrischen Spulensystem233 ,235 , befestigt am ersten Bauteil215 ,217 des X-Betätigers211 ,213 der betreffenden Verschiebungseinheit189 ,191 . Die Maskenhalter181 und183 können parallel zur X-Richtung relativ zur Basis209 über vergleichsweise große Distanzen und mit vergleichsweise niedrigen Genauigkeiten mittels der X-Betätiger211 und213 verschoben werden, während die Maskenhalter181 und183 relativ zu den ersten Bauteilen215 und217 der X-Betätiger211 ,213 parallel zur X-Richtung und zur Y-Richtung über vergleichsweise kleine Distanzen und vergleichsweise hohen Genauigkeiten mittels der XY-Lorentzkraftbetätiger225 und227 verschoben werden können und um begrenzte Winkel um eine Drehachse parallel zur Z-Richtung relativ zu den ersten Bauteilen215 und217 gedreht werden können. Die Verwendung der XY-Lorentzkraftbetätiger225 ,227 führt dazu, dass die Maskenhalter181 und183 mit vergleichsweiser hoher Genauigkeit parallel zur Y-Richtung während der Belichtung eines Halbleitersubstrates positioniert werden können, so dass die Verschiebungen der Maskenhalter181 und183 , die parallel zur X-Richtung verlaufen, zu einem hohen Grad parallel zur X-Richtung sind. Schließlich hat die Positioniervorrichtung179 eine Steuereinheit237 , wie die Positioniervorrichtung103 , mittels der die geradlinige Führung223 in einer Position parallel zur X-Richtung während des Betriebs gehalten wird, mit Ausnahme der Momente, zu denen der Stützkörper201 relativ zur Basis209 mittels der drehbaren Einheit203 um 180° gedreht wird. Wie7 schematisch zeigt, arbeitet die Steuereinheit237 mit zwei optischen Positionssensoren239 und241 zusammen und die Steuereinheit237 steuert einen Elektromotor243 der drehbaren Einheit203 . - Bei den Lithographievorrichtungen der
1 und6 wird eine Gruppe von Halbleitersubstraten, die herzustellen sind, aufeinander folgend mit einer gewissen Maske bestrahlt, wonach die Gruppe aufeinander folgend mit einer nächsten Maske bestrahlt wird. Die Verwendung der Positioniervorrichtung3 ,97 gemäß der Erfindung zur Verschiebung der Halbleitersubstrate ermöglicht einen beachtlichen Anstieg in der Produktionsleistung der Lithographievorrichtung, wobei die Produktionsleistung weiter durch die Verwendung der weiteren Positioniervorrichtung179 gemäß der Erfindung für die Verschiebung der Maske erhöht wird. Es sei festzuhalten, dass die Erfindung auch Lithographievorrichtungen betrifft, bei denen ein herzustellendes Halbleitersubstrat aufeinander folgend durch einen Serie von Masken bestrahlt wird, wonach ein nächstes Halbleitersubstrat mit besagter Serie von Masken bestrahlt wird. Ein Hauptanstieg in der Produktionsleistung der Lithographievorrichtung wird bereits durch eine solche Lithographievorrichtung erreicht, wenn ausschließlich die Positioniervorrichtung für die Verschiebung der Masken eine Positioniervorrichtung gemäß der Erfindung ist, während die Positioniervorrichtung für die Verschiebung der Halbleitersubstrate eine herkömmliche Positioniervorrichtung ist. - Die erfindungsgemäßen Lithographievorrichtungen gemäß obiger Beschreibung werden verwendet zur Belichtung von Halbleitersubstraten bei der Herstellung integrierter elektronischer Halbleiterschaltkreise. Es sei festzuhalten, dass eine derartige Lithographievorrichtung auch bei der Herstellung anderer Produkte verwendbar ist, welche mit Strukturen versehen sind, die Detailabmessungen im Sub-Micron-Bereich haben, wobei Maskenmuster auf einem Substrat mittels der Lithographievorrichtung abzubilden sind. Beispiele hiervon sind Strukturen integrierter optischer Systeme oder Leiter- und Erkennungsmuster von Magnetic Domain Speichern, sowie die Strukturen von Flüssigkristallabbildungs-/Anzeigemustern.
- Es sei weiterhin festzuhalten, dass eine Positioniervorrichtung gemäß der Erfindung nicht nur in einer Lithographievorrichtung verwendet werden kann, sondern auch bei Endbearbeitungsmaschinen, Werkzeugmaschinen und anderen Maschinen oder Vorrichtungen, bei denen ein zu bearbeitendes Objekt relativ zu einem Objekthalter in einer Messposition ausgerichtet und nachfolgend in einer Betriebsposition bearbeitet wird.
- Die Verschiebungseinheiten
25 und27 der Positioniervorrichtung3 gemäß der Erfindung weisen, wie oben beschrieben, jeweils einen X-Betätiger39 ,41 und einen Y-Betätiger43 ,45 auf. Die Verschiebungseinheiten25 ,27 der Positioniervorrichtung97 gemäß der Erfindung weisen, wie oben beschrieben, jeweils einen X-Betätiger105 ,107 , zwei Y-Betätiger109 ,111 und113 ,115 , sowie einen XY-Lorentzkraftbetätiger151 ,153 auf. Die Verschiebungseinheiten189 ,191 der Positioniervorrichtung179 gemäß der Erfindung weisen, wie oben beschrieben, jeweils einen X-Betätiger211 ,213 und einen XY-Lorentzkraft-Betätiger225 ,227 auf. Es sei festzuhalten, dass eine Positioniervorrichtung gemäß der Erfindung auch mit einem anderen Typ von Verschiebungseinheit versehen sein kann. So können die linearen X-Betätiger und Y-Betätiger gemäß obiger Beschreibung durch sogenannte lineare elektromagnetische Motoren ersetzt werden, welche üblich und per se bekannt sind. Es ist alternativ möglich, in der Positioniervorrichtung3 beispielsweise einen XYZ-Lorentzkraftbetätiger zwischen jedem der ersten Bauteile47 und49 der X-Betätiger39 und41 einerseits und dem entsprechenden Substrathalter11 ,13 andererseits zu verwenden, wodurch die Substrathalter11 ,13 relativ zu den entsprechenden ersten Bauteilen47 ,49 über kleine Distanzen mit hohen Genauigkeiten parallel zur X-Richtung, parallel zu Y-Richtung und parallel zur Z-Richtung verschiebbar werden, wobei der Substrathalter11 ,13 relativ zu dem entsprechenden ersten Bauteil47 ,49 um begrenzte Winkel um eine Drehachse parallel zur X-Richtung drehbar, eine Drehachse parallel zur Y-Richtung drehbar und eine Drehachse parallel zur Z-Richtung drehbar wird. Solche XYZ-Lorentzkraftbetätiger können auch beispielsweise in den Positioniervorrichtungen97 und179 zum Ersatz der XY-Lorentzkraftbetätiger und den hierin verwendeten aerostatisch gelagerten Füßen verwendet werden.
Claims (9)
- Lithographievorrichtung, folgendes aufweisend: eine Strahlungsquelle (
9 ) zum Bereitstellen eines Lichtstrahls zur Beleuchtung einer Maske (35 ); einen ersten Objekthalter (7 ) zum Halten der Maske (35 ); ein Projektionssystem (5 ) zum Abbilden eines Maskenmusters auf ein Substrat; einen zweiten Objekthalter (11 ,13 ) zum Halten eines Substrates; und: eine Verschiebungseinheit zum Verschieben eines der Objekthalter in Bezug auf eine Basis der Vorrichtung in X- und Y-Richtungen, wobei die Verschiebungseinheit erste und zweite Bauteile aufweist, die relativ zueinander verschiebbar sind und beim Betrieb wechselseitig eine Antriebskraft aufeinander ausüben, wobei das erste Bauteil der Verschiebungseinrichtung mit dem genannten einen der genannten Objekthalter gekoppelt ist, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Bauteil der Verschiebungseinheit mit einer Ausgleichseinheit (69 ) gekoppelt ist, die verschiebbar in Bezug auf die Basis geführt ist, sodass sie in den X- und Y-Richtungen bewegbar und um zumindest eine Achse drehbar ist, die parallel ist zur Z-Richtung. - Lithographievorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei die Ausgleichseinheit (
69 ) über eine Führungsfläche (79 ) mittels statischer Gaslager verschiebbar geführt ist. - Lithographievorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 oder 2, weiterhin ausgerüstet mit einer Anti-Drift-Einrichtung (
89 ) zum Ausüben einer relativ kleinen Anti-Drift-Kraft auf die Ausgleichseinrichtung (69 ), wodurch ein Abdriften der Ausgleichseinheit (69 ) verhindert ist. - Lithographievorrichtung gemäß Anspruch 3, wobei die Anti-Drift-Einrichtung eine mechanische Feder (
91 ,93 ,95 ) aufweist. - Lithographievorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4 mit weiterhin einem dritten Objekttisch zum Halten eines zweiten Substrates, wobei die genannte Verschiebungseinrichtung vorgesehen ist zum Verschieben der zweiten und dritten Objekttische, und weiterhin aufweisend dritte und vierte Bauteile, die relativ zueinander verschiebbar sind und beim Betrieb eine Antriebskraft wechselseitig aufeinander ausüben, wobei das genannte dritte Bauteil mit dem dritten Objekttisch gekoppelt ist und das genannte vierte Bauteil mit der Ausgleichseinheit (
69 ) gekoppelt ist. - Lithographievorrichtung gemäß Anspruch 5, wobei die genannte Ausgleichseinheit (
149 ) ein gemeinsamer Stützkörper für die zweiten und dritten Objekthalter ist und eine obere Fläche aufweist, die als Führungsfläche für die genannten zweiten und dritten Objekthalter dient. - Lithographievorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Kraftbetätiger der genannten ersten und zweiten Verschiebungseinheiten ausschließlich Lorentz-Kräfte erzeugen.
- Lithographievorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die ersten und zweiten Verschiebungseinrichtungen planare elektromagnetische Motoren aufweisen.
- Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung unter Verwendung einer Lithographievorrichtung, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: – Projizieren eines Bildes eines Maskenmusters einer Maske (
35 ), die in einem ersten Objekthalter (7 ) gehalten ist, auf ein Substrat, das in einem zweiten Objekthalter (11 ,13 ) gehalten ist; – Verschieben von einem der genannten ersten und zweiten Objekthalter (7 ,11 13 ) relativ zu einer Basis der Lithographievorrichtung in X- und Y-Richtungen, unter Verwendung einer Verschiebungseinheit mit ersten und zweiten Bauteilen, die relativ zueinander verschiebbar sind und eine Antriebskraft aufeinander beim Betrieb ausüben, wobei das erste Bauteil der Verschiebungseinheit mit dem genannten einen der Objekthalter gekoppelt ist, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Bauteil mit einer Ausgleichseinheit (69 ) gekoppelt ist, die verschiebbar in Bezug auf die Basis geführt ist, sodass sie in den X- und Y-Richtungen bewegbar und um zumindest eine Achse parallel zur Z-Richtung drehbar ist.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP96203709 | 1996-12-24 | ||
EP96203709 | 1996-12-24 | ||
EP97200706 | 1997-03-10 | ||
EP97200706 | 1997-03-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69735016D1 DE69735016D1 (de) | 2006-02-02 |
DE69735016T2 true DE69735016T2 (de) | 2006-08-17 |
Family
ID=26143490
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69735016T Expired - Fee Related DE69735016T2 (de) | 1996-12-24 | 1997-10-03 | Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern |
DE69717975T Expired - Fee Related DE69717975T2 (de) | 1996-12-24 | 1997-10-03 | In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69717975T Expired - Fee Related DE69717975T2 (de) | 1996-12-24 | 1997-10-03 | In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5969441A (de) |
EP (2) | EP0890136B9 (de) |
JP (2) | JP2000505958A (de) |
KR (1) | KR100512450B1 (de) |
DE (2) | DE69735016T2 (de) |
WO (1) | WO1998028665A1 (de) |
Families Citing this family (661)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5528118A (en) * | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
JPH10209039A (ja) * | 1997-01-27 | 1998-08-07 | Nikon Corp | 投影露光方法及び投影露光装置 |
EP0900412B1 (de) * | 1997-03-10 | 2005-04-06 | ASML Netherlands B.V. | Lithographiegerät mit einer positioniervorrichtung mit zwei objekthaltern |
JPH10270535A (ja) * | 1997-03-25 | 1998-10-09 | Nikon Corp | 移動ステージ装置、及び該ステージ装置を用いた回路デバイス製造方法 |
EP1028456A4 (de) | 1997-09-19 | 2003-03-05 | Nikon Corp | Trägervorrichtung, abtast-ausrichter und abtastbelichtungsverfahren, und ein dadurch hergestelltes bauteil |
TW448487B (en) | 1997-11-22 | 2001-08-01 | Nippon Kogaku Kk | Exposure apparatus, exposure method and manufacturing method of device |
DE69933903T2 (de) * | 1998-04-14 | 2007-05-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithograpischer Projektionsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
EP0957275A3 (de) | 1998-05-14 | 2000-12-06 | Asm Lithography B.V. | Gaslager und solch ein Lager aufweisende lithographische Einrichtung |
WO1999066542A1 (fr) * | 1998-06-17 | 1999-12-23 | Nikon Corporation | Procede et dispositif d'exposition |
US6924884B2 (en) | 1999-03-08 | 2005-08-02 | Asml Netherlands B.V. | Off-axis leveling in lithographic projection apparatus |
TW490596B (en) * | 1999-03-08 | 2002-06-11 | Asm Lithography Bv | Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using the lithographic projection apparatus, device manufactured according to the method and method of calibrating the lithographic projection apparatus |
US7116401B2 (en) * | 1999-03-08 | 2006-10-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus using catoptrics in an optical sensor system, optical arrangement, method of measuring, and device manufacturing method |
TWI242111B (en) | 1999-04-19 | 2005-10-21 | Asml Netherlands Bv | Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus |
TW513617B (en) | 1999-04-21 | 2002-12-11 | Asml Corp | Lithographic projection apparatus and method of manufacturing a device using a lithographic projection apparatus |
TWI267704B (en) * | 1999-07-02 | 2006-12-01 | Asml Netherlands Bv | Capping layer for EUV optical elements |
TW587199B (en) | 1999-09-29 | 2004-05-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic method and apparatus |
JP2001118773A (ja) * | 1999-10-18 | 2001-04-27 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
DE60032568T2 (de) * | 1999-12-01 | 2007-10-04 | Asml Netherlands B.V. | Positionierungsapparat und damit versehener lithographischer Apparat |
JP2001160530A (ja) | 1999-12-01 | 2001-06-12 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
TW546551B (en) | 1999-12-21 | 2003-08-11 | Asml Netherlands Bv | Balanced positioning system for use in lithographic apparatus |
EP1111470B1 (de) * | 1999-12-21 | 2007-03-07 | ASML Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat mit einem ausbalancierten Positionierungssystem |
TW538256B (en) | 2000-01-14 | 2003-06-21 | Zeiss Stiftung | Microlithographic reduction projection catadioptric objective |
TW588222B (en) * | 2000-02-10 | 2004-05-21 | Asml Netherlands Bv | Cooling of voice coil motors in lithographic projection apparatus |
TWI240849B (en) * | 2000-02-10 | 2005-10-01 | Asml Netherlands Bv | Object positioning method for a lithographic projection apparatus |
DE10006527A1 (de) * | 2000-02-15 | 2001-08-23 | Infineon Technologies Ag | Halbautomat zum halbautomatischen Abziehen von UV- Folie |
US7301605B2 (en) | 2000-03-03 | 2007-11-27 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices |
JP2001257143A (ja) | 2000-03-09 | 2001-09-21 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
US6437463B1 (en) * | 2000-04-24 | 2002-08-20 | Nikon Corporation | Wafer positioner with planar motor and mag-lev fine stage |
US7508487B2 (en) * | 2000-06-01 | 2009-03-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
JP4474020B2 (ja) * | 2000-06-23 | 2010-06-02 | キヤノン株式会社 | 移動装置及び露光装置 |
US6630984B2 (en) * | 2000-08-03 | 2003-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
TW527526B (en) * | 2000-08-24 | 2003-04-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7561270B2 (en) * | 2000-08-24 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
TWI232356B (en) | 2000-09-04 | 2005-05-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
TW548524B (en) * | 2000-09-04 | 2003-08-21 | Asm Lithography Bv | Lithographic projection apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
EP1197803B1 (de) | 2000-10-10 | 2012-02-01 | ASML Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat |
EP1679550A1 (de) | 2000-11-07 | 2006-07-12 | ASML Netherlands B.V. | Lithografische Vorrichtung und Herstellungsverfahren dafür |
US6958808B2 (en) | 2000-11-16 | 2005-10-25 | Nikon Corporation | System and method for resetting a reaction mass assembly of a stage assembly |
US6757053B1 (en) | 2000-11-16 | 2004-06-29 | Nikon Corporation | Stage assembly including a reaction mass assembly |
US6603531B1 (en) * | 2000-11-16 | 2003-08-05 | Nikon Corporation | Stage assembly including a reaction assembly that is connected by actuators |
US6885430B2 (en) | 2000-11-16 | 2005-04-26 | Nikon Corporation | System and method for resetting a reaction mass assembly of a stage assembly |
US6593997B1 (en) | 2000-11-16 | 2003-07-15 | Nikon Corporation | Stage assembly including a reaction assembly |
TW591342B (en) * | 2000-11-30 | 2004-06-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus and integrated circuit manufacturing method using a lithographic projection apparatus |
US7113258B2 (en) * | 2001-01-15 | 2006-09-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US6987558B2 (en) | 2001-01-16 | 2006-01-17 | Nikon Corporation | Reaction mass for a stage device |
US20020117109A1 (en) * | 2001-02-27 | 2002-08-29 | Hazelton Andrew J. | Multiple stage, stage assembly having independent reaction force transfer |
US6927838B2 (en) | 2001-02-27 | 2005-08-09 | Nikon Corporation | Multiple stage, stage assembly having independent stage bases |
US6792591B2 (en) * | 2001-02-28 | 2004-09-14 | Asml Masktools B.V. | Method of identifying an extreme interaction pitch region, methods of designing mask patterns and manufacturing masks, device manufacturing methods and computer programs |
JP3960820B2 (ja) * | 2001-03-01 | 2007-08-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | マスク引継ぎ方法およびデバイス製造方法 |
JP4267245B2 (ja) | 2001-03-14 | 2009-05-27 | エーエスエムエル マスクツールズ ビー.ブイ. | 解像度以下の補助フィーチャとして罫線ラダー・バーを利用した光近接補正方法 |
US7735052B2 (en) * | 2001-04-24 | 2010-06-08 | Asml Masktools Netherlands B.V. | Method of identifying an extreme interaction pitch region, methods of designing mask patterns and manufacturing masks, device manufacturing methods and computer programs |
JP4814438B2 (ja) * | 2001-05-02 | 2011-11-16 | 日本トムソン株式会社 | リニアモータを内蔵したステージ装置 |
TW536659B (en) | 2001-05-23 | 2003-06-11 | Asml Netherlands Bv | Substrate provided with an alignment mark in a substantially transmissive process layer, mask for exposing said mark, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US6879374B2 (en) * | 2001-06-20 | 2005-04-12 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method, device manufactured thereby and a mask for use in the method |
US6788385B2 (en) * | 2001-06-21 | 2004-09-07 | Nikon Corporation | Stage device, exposure apparatus and method |
US6903346B2 (en) * | 2001-07-11 | 2005-06-07 | Nikon Corporation | Stage assembly having a follower assembly |
TW529172B (en) * | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
US6674512B2 (en) | 2001-08-07 | 2004-01-06 | Nikon Corporation | Interferometer system for a semiconductor exposure system |
US6785005B2 (en) | 2001-09-21 | 2004-08-31 | Nikon Corporation | Switching type dual wafer stage |
US7026081B2 (en) | 2001-09-28 | 2006-04-11 | Asml Masktools B.V. | Optical proximity correction method utilizing phase-edges as sub-resolution assist features |
TWI268403B (en) * | 2001-10-19 | 2006-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method |
US6665054B2 (en) | 2001-10-22 | 2003-12-16 | Nikon Corporation | Two stage method |
KR100436213B1 (ko) * | 2001-12-17 | 2004-06-16 | 미래산업 주식회사 | 반도체 소자 테스트 핸들러용 소자 정렬장치 |
US6927505B2 (en) | 2001-12-19 | 2005-08-09 | Nikon Corporation | Following stage planar motor |
US7002668B2 (en) * | 2002-03-08 | 2006-02-21 | Rivin Eugeny I | Stage positioning unit for photo lithography tool and for the like |
US7333178B2 (en) * | 2002-03-18 | 2008-02-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7170587B2 (en) * | 2002-03-18 | 2007-01-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7061577B2 (en) | 2002-03-26 | 2006-06-13 | Nikon Corporation | Image adjustor including damping assembly |
US6724466B2 (en) | 2002-03-26 | 2004-04-20 | Nikon Corporation | Stage assembly including a damping assembly |
EP1367446A1 (de) | 2002-05-31 | 2003-12-03 | ASML Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat |
EP1383007A1 (de) * | 2002-07-16 | 2004-01-21 | ASML Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
US6859259B2 (en) * | 2002-08-15 | 2005-02-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and reflector assembly for use therein |
EP2204697A3 (de) | 2002-09-20 | 2012-04-18 | ASML Netherlands B.V. | Markerstruktur, lithographische Projektionsvorrichtung, Verfahren zur Substratausrichtung mittels solch einer Struktur und Substrat mit solch einer Markerstruktur |
TWI227814B (en) | 2002-09-20 | 2005-02-11 | Asml Netherlands Bv | Alignment system and methods for lithographic systems using at least two wavelengths |
TWI246114B (en) * | 2002-09-24 | 2005-12-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
TWI254839B (en) * | 2002-09-30 | 2006-05-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP3895319B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2007-03-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
EP1429188B1 (de) | 2002-11-12 | 2013-06-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographischer Projektionsapparat |
US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121822A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7110081B2 (en) | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG137657A1 (en) * | 2002-11-12 | 2007-12-28 | Asml Masktools Bv | Method and apparatus for performing model-based layout conversion for use with dipole illumination |
SG116510A1 (de) * | 2002-11-12 | 2005-11-28 | ||
KR100588124B1 (ko) | 2002-11-12 | 2006-06-09 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피장치 및 디바이스제조방법 |
EP1420298B1 (de) | 2002-11-12 | 2013-02-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat |
US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1420302A1 (de) | 2002-11-18 | 2004-05-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
SG111171A1 (en) * | 2002-11-27 | 2005-05-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
SG115590A1 (en) * | 2002-11-27 | 2005-10-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
TW200412617A (en) * | 2002-12-03 | 2004-07-16 | Nikon Corp | Optical illumination device, method for adjusting optical illumination device, exposure device and exposure method |
KR101085372B1 (ko) * | 2002-12-10 | 2011-11-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
CN1717776A (zh) | 2002-12-10 | 2006-01-04 | 株式会社尼康 | 光学元件及使用该光学元件的投影曝光装置 |
JP4525062B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2010-08-18 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム |
US7242455B2 (en) * | 2002-12-10 | 2007-07-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
DE60323927D1 (de) * | 2002-12-13 | 2008-11-20 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
KR100549781B1 (ko) * | 2002-12-19 | 2006-02-06 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피투영마스크, 리소그래피투영마스크를 이용한디바이스제조방법 및 그 제조된 디바이스 |
EP1431825A1 (de) * | 2002-12-20 | 2004-06-23 | ASML Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat, Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung und Substrathalter |
DE10261775A1 (de) | 2002-12-20 | 2004-07-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems |
TWI230847B (en) * | 2002-12-23 | 2005-04-11 | Asml Netherlands Bv | Contamination barrier with expandable lamellas |
EP1434092A1 (de) | 2002-12-23 | 2004-06-30 | ASML Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat, Verfahren zur Herstellung eines Artikels und damit erzeugter Artikel |
TWI286674B (en) * | 2002-12-27 | 2007-09-11 | Asml Netherlands Bv | Container for a mask, method of transferring lithographic masks therein and method of scanning a mask in a container |
JP3910180B2 (ja) * | 2003-01-14 | 2007-04-25 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置のレベルセンサ |
SG139530A1 (en) * | 2003-01-14 | 2008-02-29 | Asml Masktools Bv | Method of optical proximity correction design for contact hole mask |
TWI304158B (en) * | 2003-01-15 | 2008-12-11 | Asml Netherlands Bv | Detection assembly and lithographic projection apparatus provided with such a detection assembly |
US6963821B2 (en) * | 2003-02-11 | 2005-11-08 | Nikon Corporation | Stage counter mass system |
EP1450398A3 (de) * | 2003-02-20 | 2004-11-10 | Applied Materials, Inc. | Ein Verfahren und eine Vorrichtung um ein Substrat bezüglich eines Trägers zu positionieren |
US7499767B2 (en) * | 2003-02-20 | 2009-03-03 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for positioning a substrate relative to a support stage |
US7151981B2 (en) * | 2003-02-20 | 2006-12-19 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for positioning a substrate relative to a support stage |
TW200500813A (en) | 2003-02-26 | 2005-01-01 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method, and method of producing device |
US7206059B2 (en) * | 2003-02-27 | 2007-04-17 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US6943941B2 (en) * | 2003-02-27 | 2005-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
SG115641A1 (en) * | 2003-03-06 | 2005-10-28 | Asml Netherlands Bv | Device and method for manipulation and routing of a metrology beam |
TWI264620B (en) * | 2003-03-07 | 2006-10-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG123601A1 (en) | 2003-03-10 | 2006-07-26 | Asml Netherlands Bv | Focus spot monitoring in a lithographic projectionapparatus |
SG115629A1 (en) * | 2003-03-11 | 2005-10-28 | Asml Netherlands Bv | Method and apparatus for maintaining a machine part |
SG125108A1 (en) * | 2003-03-11 | 2006-09-29 | Asml Netherlands Bv | Assembly comprising a sensor for determining at least one of tilt and height of a substrate, a method therefor and a lithographic projection apparatus |
EP1457827A1 (de) * | 2003-03-11 | 2004-09-15 | ASML Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat, Verfahren zur Herstellung eines Artikels und damit erzeugter Artikel |
SG115631A1 (en) * | 2003-03-11 | 2005-10-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection assembly, load lock and method for transferring objects |
EP1457826A1 (de) * | 2003-03-11 | 2004-09-15 | ASML Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels |
EP1457825A1 (de) * | 2003-03-11 | 2004-09-15 | ASML Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat, Verfahren zur Herstellung eines Artikels und damit erzeugter Artikel |
EP1457833B1 (de) | 2003-03-11 | 2012-05-30 | ASML Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat, Verfahren zur Herstellung eines Artikels und damit erzeugter Artikel |
SG115630A1 (en) * | 2003-03-11 | 2005-10-28 | Asml Netherlands Bv | Temperature conditioned load lock, lithographic apparatus comprising such a load lock and method of manufacturing a substrate with such a load lock |
TWI234692B (en) * | 2003-03-11 | 2005-06-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection assembly, handling apparatus for handling substrates and method of handling a substrate |
KR101181688B1 (ko) | 2003-03-25 | 2012-09-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
SG125948A1 (en) * | 2003-03-31 | 2006-10-30 | Asml Netherlands Bv | Supporting structure for use in a lithographic apparatus |
US7397539B2 (en) * | 2003-03-31 | 2008-07-08 | Asml Netherlands, B.V. | Transfer apparatus for transferring an object, lithographic apparatus employing such a transfer apparatus, and method of use thereof |
US20040265707A1 (en) * | 2003-03-31 | 2004-12-30 | Robert Socha | Source and mask optimization |
US7126671B2 (en) * | 2003-04-04 | 2006-10-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4902201B2 (ja) | 2003-04-07 | 2012-03-21 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP4394500B2 (ja) * | 2003-04-09 | 2010-01-06 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及びコンピュータ・プログラム |
EP3226073A3 (de) | 2003-04-09 | 2017-10-11 | Nikon Corporation | Belichtungsverfahren und -vorrichtung sowie verfahren zur herstellung der vorrichtung |
SG2012050829A (en) | 2003-04-10 | 2015-07-30 | Nippon Kogaku Kk | Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus |
JP4650413B2 (ja) | 2003-04-10 | 2011-03-16 | 株式会社ニコン | 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム |
SG185136A1 (en) | 2003-04-11 | 2012-11-29 | Nikon Corp | Cleanup method for optics in immersion lithography |
KR101225884B1 (ko) | 2003-04-11 | 2013-01-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법 |
JP4071733B2 (ja) | 2003-04-17 | 2008-04-02 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびコンピュータ・プログラム |
JP4315420B2 (ja) | 2003-04-18 | 2009-08-19 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び露光方法 |
SG115678A1 (en) | 2003-04-22 | 2005-10-28 | Asml Netherlands Bv | Substrate carrier and method for making a substrate carrier |
TWI237307B (en) * | 2003-05-01 | 2005-08-01 | Nikon Corp | Optical projection system, light exposing apparatus and light exposing method |
US7348575B2 (en) | 2003-05-06 | 2008-03-25 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
EP1475666A1 (de) | 2003-05-06 | 2004-11-10 | ASML Netherlands B.V. | Substrathalter für einen lithographischen Apparat |
KR101516142B1 (ko) | 2003-05-06 | 2015-05-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법 |
EP1475667A1 (de) * | 2003-05-09 | 2004-11-10 | ASML Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
US20040263816A1 (en) * | 2003-05-12 | 2004-12-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1477861A1 (de) * | 2003-05-16 | 2004-11-17 | ASML Netherlands B.V. | Verfahren zur Eichung eines lithographischen Geräts, Ausrichtverfahren, Komputerprogramm, lithographisches Gerät und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
SG141228A1 (en) * | 2003-05-19 | 2008-04-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TW200509205A (en) | 2003-05-23 | 2005-03-01 | Nippon Kogaku Kk | Exposure method and device-manufacturing method |
TWI470671B (zh) | 2003-05-23 | 2015-01-21 | 尼康股份有限公司 | Exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method |
KR101728664B1 (ko) | 2003-05-28 | 2017-05-02 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
TWI347741B (en) * | 2003-05-30 | 2011-08-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1486828B1 (de) | 2003-06-09 | 2013-10-09 | ASML Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20040252287A1 (en) * | 2003-06-11 | 2004-12-16 | Michael Binnard | Reaction frame assembly that functions as a reaction mass |
US7317504B2 (en) * | 2004-04-08 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2261741A3 (de) * | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
EP1486824A1 (de) * | 2003-06-11 | 2004-12-15 | ASML Netherlands B.V. | Bewegliches Trägersystem für einen lithographischen Belichtungsapparat, lithographischer Belichtungssapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
KR101940892B1 (ko) | 2003-06-13 | 2019-01-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
KR101289979B1 (ko) | 2003-06-19 | 2013-07-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
EP1491967A1 (de) * | 2003-06-27 | 2004-12-29 | ASML Netherlands B.V. | Verfahren und Vorrichtung zur Positionierung eines Substrats auf einem Substrattisch |
TWI251129B (en) * | 2003-06-27 | 2006-03-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and integrated circuit manufacturing method |
SG151079A1 (en) * | 2003-06-30 | 2009-04-30 | Asml Masktools Bv | Improved scattering bar opc application method for sub-half wavelength lithography patterning |
EP1975721A1 (de) | 2003-06-30 | 2008-10-01 | ASML Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels |
US7355673B2 (en) * | 2003-06-30 | 2008-04-08 | Asml Masktools B.V. | Method, program product and apparatus of simultaneous optimization for NA-Sigma exposure settings and scattering bars OPC using a device layout |
JP4563746B2 (ja) | 2003-06-30 | 2010-10-13 | エーエスエムエル マスクツールズ ビー.ブイ. | イメージ・フィールド・マップを利用して補助フィーチャを生成するための、方法、プログラム製品及び装置 |
TWI284253B (en) * | 2003-07-01 | 2007-07-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7248339B2 (en) * | 2003-07-04 | 2007-07-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005006418A1 (ja) | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
CN102944981A (zh) * | 2003-07-09 | 2013-02-27 | 株式会社尼康 | 曝光装置、器件制造方法 |
WO2005006417A1 (ja) | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP2264532B1 (de) | 2003-07-09 | 2012-10-31 | Nikon Corporation | Belichtungsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
EP1496397A1 (de) * | 2003-07-11 | 2005-01-12 | ASML Netherlands B.V. | Methode und System zur vorwärts gerichteten Overlay-Korrektur musterinduzierter Bildverzerrung- und verschiebung, und lithographisches Projektionsgerät zur Benutzung derselben |
US7384149B2 (en) | 2003-07-21 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system |
EP1500987A1 (de) * | 2003-07-21 | 2005-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat, Verfahren zur Herstellung eines Artikels und damit hergestellter Artikel |
EP1500979A1 (de) * | 2003-07-21 | 2005-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels |
TWI245170B (en) | 2003-07-22 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
EP1500980A1 (de) * | 2003-07-22 | 2005-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Lithographischer Projektionsapparat, Verfahren zur Herstellung eines Artikels und dabei erzeugter Artikel |
TWI254188B (en) * | 2003-07-23 | 2006-05-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus and article holder therefor |
US7456932B2 (en) * | 2003-07-25 | 2008-11-25 | Asml Netherlands B.V. | Filter window, lithographic projection apparatus, filter window manufacturing method, device manufacturing method and device manufactured thereby |
EP2264534B1 (de) | 2003-07-28 | 2013-07-17 | Nikon Corporation | Belichtungsapparat, Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung, und Verfahren zur Steuerung des Apparats |
EP1503244A1 (de) | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographischer Projektionsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
US7145643B2 (en) * | 2003-08-07 | 2006-12-05 | Asml Netherlands B.V. | Interface unit, lithographic projection apparatus comprising such an interface unit and a device manufacturing method |
KR101613384B1 (ko) | 2003-08-21 | 2016-04-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
TW200513805A (en) | 2003-08-26 | 2005-04-16 | Nippon Kogaku Kk | Optical device and exposure apparatus |
US8149381B2 (en) | 2003-08-26 | 2012-04-03 | Nikon Corporation | Optical element and exposure apparatus |
JP4146825B2 (ja) * | 2003-08-27 | 2008-09-10 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィック装置、デバイス製造方法及びスライド・アセンブリ |
TWI245163B (en) | 2003-08-29 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6954256B2 (en) | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
SG145780A1 (en) * | 2003-08-29 | 2008-09-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and device fabricating method |
KR101874724B1 (ko) | 2003-08-29 | 2018-07-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 액체회수장치, 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법 |
US6873938B1 (en) | 2003-09-17 | 2005-03-29 | Asml Netherlands B.V. | Adaptive lithographic critical dimension enhancement |
WO2005029559A1 (ja) * | 2003-09-19 | 2005-03-31 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US8064730B2 (en) * | 2003-09-22 | 2011-11-22 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method, orientation determination method and lithographic apparatus |
US8208198B2 (en) | 2004-01-14 | 2012-06-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective |
JP4438747B2 (ja) | 2003-09-26 | 2010-03-24 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光装置の洗浄方法、メンテナンス方法並びにデバイスの製造方法 |
TW201809911A (zh) | 2003-09-29 | 2018-03-16 | 尼康股份有限公司 | 曝光裝置及曝光方法、以及元件製造方法 |
CN1860585B (zh) * | 2003-09-29 | 2010-04-28 | 株式会社尼康 | 液浸型透镜系统和投影曝光装置 |
WO2005031824A1 (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-07 | Nikon Corporation | 投影露光装置、投影露光方法およびデバイス製造方法 |
KR101319109B1 (ko) | 2003-10-08 | 2013-10-17 | 가부시키가이샤 자오 니콘 | 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법 |
TWI598934B (zh) | 2003-10-09 | 2017-09-11 | Nippon Kogaku Kk | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
DE602004030365D1 (de) | 2003-10-22 | 2011-01-13 | Nippon Kogaku Kk | Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und verfahren zur bauelementeherstellung |
TWI609409B (zh) | 2003-10-28 | 2017-12-21 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
WO2005041276A1 (ja) | 2003-10-28 | 2005-05-06 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法 |
WO2005043607A1 (ja) | 2003-10-31 | 2005-05-12 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7665946B2 (en) * | 2003-11-04 | 2010-02-23 | Advanced Display Process Engineering Co., Ltd. | Transfer chamber for flat display device manufacturing apparatus |
JPWO2005048325A1 (ja) * | 2003-11-17 | 2007-11-29 | 株式会社ニコン | ステージ駆動方法及びステージ装置並びに露光装置 |
TWI512335B (zh) | 2003-11-20 | 2015-12-11 | 尼康股份有限公司 | 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法 |
US7414759B2 (en) * | 2003-11-26 | 2008-08-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Scanner linearity tester |
US7253077B2 (en) * | 2003-12-01 | 2007-08-07 | Asml Netherlands B.V. | Substrate, method of preparing a substrate, method of measurement, lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby, and machine-readable storage medium |
TWI440981B (zh) | 2003-12-03 | 2014-06-11 | 尼康股份有限公司 | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US7565219B2 (en) | 2003-12-09 | 2009-07-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, method of determining a model parameter, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7466489B2 (en) * | 2003-12-15 | 2008-12-16 | Susanne Beder | Projection objective having a high aperture and a planar end surface |
KR101941351B1 (ko) | 2003-12-15 | 2019-01-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법 |
US20050134865A1 (en) * | 2003-12-17 | 2005-06-23 | Asml Netherlands B.V. | Method for determining a map, device manufacturing method, and lithographic apparatus |
US7288779B2 (en) * | 2003-12-17 | 2007-10-30 | Asml Netherlands B.V. | Method for position determination, method for overlay optimization, and lithographic projection apparatus |
JP5102492B2 (ja) | 2003-12-19 | 2012-12-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ |
US7292315B2 (en) * | 2003-12-19 | 2007-11-06 | Asml Masktools B.V. | Optimized polarization illumination |
US7113255B2 (en) | 2003-12-19 | 2006-09-26 | Asml Holding N.V. | Grating patch arrangement, lithographic apparatus, method of testing, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US6955074B2 (en) * | 2003-12-29 | 2005-10-18 | Asml Netherlands, B.V. | Lithographic apparatus, method of calibration, calibration plate, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7349101B2 (en) * | 2003-12-30 | 2008-03-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, overlay detector, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7145641B2 (en) * | 2003-12-31 | 2006-12-05 | Asml Netherlands, B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
DE602004027162D1 (de) | 2004-01-05 | 2010-06-24 | Nippon Kogaku Kk | Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und bauelementeherstellungsverfahren |
CN1902733A (zh) * | 2004-01-06 | 2007-01-24 | 株式会社尼康 | 曝光方法和装置以及器件制造方法 |
US20080151365A1 (en) | 2004-01-14 | 2008-06-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective |
WO2005069355A1 (ja) | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP4843503B2 (ja) * | 2004-01-20 | 2011-12-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置 |
WO2005071717A1 (ja) | 2004-01-26 | 2005-08-04 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
TWI395068B (zh) * | 2004-01-27 | 2013-05-01 | 尼康股份有限公司 | 光學系統、曝光裝置以及曝光方法 |
US7221433B2 (en) | 2004-01-28 | 2007-05-22 | Nikon Corporation | Stage assembly including a reaction assembly having a connector assembly |
US7256873B2 (en) * | 2004-01-28 | 2007-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Enhanced lithographic resolution through double exposure |
US7589822B2 (en) * | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
EP1713114B1 (de) | 2004-02-03 | 2018-09-19 | Nikon Corporation | Belichtungsvorrichtung und verfahren zur herstellung einer vorrichtung |
EP3208658B1 (de) | 2004-02-04 | 2018-06-06 | Nikon Corporation | Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und verfahren zur herstellung einer vorrichtung |
TWI614795B (zh) | 2004-02-06 | 2018-02-11 | Nikon Corporation | 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
WO2005076323A1 (ja) | 2004-02-10 | 2005-08-18 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法、メンテナンス方法及び露光方法 |
US7352472B2 (en) * | 2004-02-18 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and method for determining z-displacement |
US7113256B2 (en) * | 2004-02-18 | 2006-09-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method with feed-forward focus control |
WO2005081291A1 (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-01 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
US20070030467A1 (en) * | 2004-02-19 | 2007-02-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device fabricating method |
JP5076497B2 (ja) | 2004-02-20 | 2012-11-21 | 株式会社ニコン | 露光装置、液体の供給方法及び回収方法、露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US20080038675A1 (en) * | 2004-02-20 | 2008-02-14 | Nikon Corporation | Exposure Method, Exposure Apparatus, Exposure System and Device Manufacturing Method |
US7625675B2 (en) * | 2004-02-25 | 2009-12-01 | Oerlikon Trading Ag, Trubbach | Method for producing masks for photolithography and the use of such masks |
JP2005243928A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Fujitsu Ltd | トレンチアイソレーションで分離されたトランジスタ対を有する半導体装置 |
DE102004013886A1 (de) | 2004-03-16 | 2005-10-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Mehrfachbelichtung, Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage und Projektionssystem |
US7184123B2 (en) * | 2004-03-24 | 2007-02-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic optical system |
KR101851511B1 (ko) | 2004-03-25 | 2018-04-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
CN1950929B (zh) * | 2004-03-25 | 2011-05-25 | 株式会社尼康 | 曝光装置及曝光方法、以及组件制造方法 |
US7856606B2 (en) * | 2004-03-31 | 2010-12-21 | Asml Masktools B.V. | Apparatus, method and program product for suppressing waviness of features to be printed using photolithographic systems |
US7034917B2 (en) * | 2004-04-01 | 2006-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
KR101072514B1 (ko) * | 2004-04-09 | 2011-10-11 | 에이에스엠엘 마스크툴즈 비.브이. | 코너에서의 라운딩 및 챔퍼들을 이용한 광근접성 보정 방법 |
JP4677986B2 (ja) | 2004-04-19 | 2011-04-27 | 株式会社ニコン | ノズル部材、露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
KR20170129271A (ko) | 2004-05-17 | 2017-11-24 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈 |
US7486381B2 (en) * | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7289858B2 (en) * | 2004-05-25 | 2007-10-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic motion control system and method |
US7385671B2 (en) * | 2004-05-28 | 2008-06-10 | Azores Corporation | High speed lithography machine and method |
EP1768169B9 (de) * | 2004-06-04 | 2013-03-06 | Nikon Corporation | Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und verfahren zur herstellung eines bauelementes |
WO2005119368A2 (en) | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Carl Zeiss Smt Ag | System for measuring the image quality of an optical imaging system |
CN103605262B (zh) | 2004-06-09 | 2016-06-29 | 株式会社尼康 | 曝光装置及其维护方法、以及元件制造方法 |
EP2637061B1 (de) | 2004-06-09 | 2018-07-18 | Nikon Corporation | Beleuchtungsvorrichtung, Beleuchtungsverfahren und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
US8508713B2 (en) | 2004-06-10 | 2013-08-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
WO2005122220A1 (ja) | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US8717533B2 (en) | 2004-06-10 | 2014-05-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
WO2005122221A1 (ja) | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
US8373843B2 (en) | 2004-06-10 | 2013-02-12 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
WO2006007167A2 (en) * | 2004-06-17 | 2006-01-19 | Nikon Corporation | Magnetic levitation lithography apparatus and method |
US8698998B2 (en) | 2004-06-21 | 2014-04-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for cleaning member thereof, maintenance method for exposure apparatus, maintenance device, and method for producing device |
EP3462241A1 (de) | 2004-06-21 | 2019-04-03 | Nikon Corporation | Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und verfahren zur herstellung einer vorrichtung |
JP5119666B2 (ja) | 2004-06-21 | 2013-01-16 | 株式会社ニコン | 露光装置、液体除去方法、及びデバイス製造方法 |
WO2006001282A1 (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-05 | Nikon Corporation | 位置決め装置、位置決め方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法 |
US7463330B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7403264B2 (en) | 2004-07-08 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and a device manufacturing method using such lithographic projection apparatus |
JP4894515B2 (ja) | 2004-07-12 | 2012-03-14 | 株式会社ニコン | 露光装置、デバイス製造方法、及び液体検出方法 |
JPWO2006006730A1 (ja) * | 2004-07-15 | 2008-05-01 | 株式会社ニコン | 平面モータ装置、ステージ装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
EP1783823A4 (de) | 2004-07-21 | 2009-07-22 | Nikon Corp | Belichtungsverfahren und verfahren zur bauelementeherstellung |
WO2006009254A1 (ja) * | 2004-07-23 | 2006-01-26 | Nikon Corporation | 支持装置、ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
KR101230712B1 (ko) * | 2004-08-03 | 2013-02-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
JP2006113533A (ja) | 2004-08-03 | 2006-04-27 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置、および露光方法 |
TW200615716A (en) * | 2004-08-05 | 2006-05-16 | Nikon Corp | Stage device and exposure device |
JP4983257B2 (ja) * | 2004-08-18 | 2012-07-25 | 株式会社ニコン | 露光装置、デバイス製造方法、計測部材、及び計測方法 |
US7620930B2 (en) | 2004-08-24 | 2009-11-17 | Asml Masktools B.V. | Method, program product and apparatus for model based scattering bar placement for enhanced depth of focus in quarter-wavelength lithography |
ATE535015T1 (de) * | 2004-09-01 | 2011-12-15 | Nikon Corp | Substrathalter, bühnenvorrichtung und belichtungsvorrichtung |
EP1801630A4 (de) | 2004-09-13 | 2009-12-16 | Nikon Corp | Optisches projektionssystem, projektionsverfahren für ein optisches projektionssystem, belichtungssystem und belichtungsverfahren |
CN1800971A (zh) | 2004-09-14 | 2006-07-12 | Asml蒙片工具有限公司 | 一种用于实施全芯片制造可靠性检查和校正的方法 |
TWI417940B (zh) | 2004-09-17 | 2013-12-01 | 尼康股份有限公司 | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
CN101015039B (zh) * | 2004-09-17 | 2010-09-01 | 尼康股份有限公司 | 曝光用基板、曝光方法及元件制造方法 |
SG155927A1 (en) | 2004-09-17 | 2009-10-29 | Nikon Corp | Substrate holding device, exposure apparatus, and device manufacturing method |
WO2006038563A1 (ja) | 2004-10-01 | 2006-04-13 | Nikon Corporation | リニアモータ、ステージ装置、及び露光装置 |
EP1806771A4 (de) * | 2004-10-08 | 2008-06-18 | Nikon Corp | Belichtungseinrichtung und bauelementeherstellungsverfahren |
US7852456B2 (en) * | 2004-10-13 | 2010-12-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
WO2006041086A1 (ja) * | 2004-10-13 | 2006-04-20 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
EP3046135B1 (de) | 2004-10-15 | 2017-09-20 | Nikon Corporation | Belichtungsvorrichtung und vorrichtungsherstellungsverfahren |
US20080151213A1 (en) * | 2004-10-18 | 2008-06-26 | Dai Arai | Bearing Device, Stage Device, and Exposure Apparatus |
JP4665712B2 (ja) | 2004-10-26 | 2011-04-06 | 株式会社ニコン | 基板処理方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
CN100533662C (zh) | 2004-11-01 | 2009-08-26 | 株式会社尼康 | 曝光装置及器件制造方法 |
US7869000B2 (en) * | 2004-11-02 | 2011-01-11 | Nikon Corporation | Stage assembly with lightweight fine stage and low transmissibility |
US7417714B2 (en) * | 2004-11-02 | 2008-08-26 | Nikon Corporation | Stage assembly with measurement system initialization, vibration compensation, low transmissibility, and lightweight fine stage |
EP1816671A4 (de) | 2004-11-11 | 2010-01-13 | Nikon Corp | Belichtungsverfahren, bauelementeherstellungsverfahren und substrat |
US20070285634A1 (en) * | 2004-11-19 | 2007-12-13 | Nikon Corporation | Maintenance Method, Exposure Method, Exposure Apparatus, And Method For Producing Device |
EP1826813A4 (de) | 2004-12-01 | 2009-05-13 | Nikon Corp | Bühneneinrichtung und belichtungsvorrichtung |
US7262831B2 (en) * | 2004-12-01 | 2007-08-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method using such lithographic projection apparatus |
US20080106718A1 (en) * | 2004-12-02 | 2008-05-08 | Nikon Corporation | Exposure Apparatus and Device Manufacturing Method |
TW200632576A (en) * | 2004-12-02 | 2006-09-16 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method and manufacturing method of device |
WO2006062074A1 (ja) * | 2004-12-06 | 2006-06-15 | Nikon Corporation | 基板処理方法、露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101559621B1 (ko) | 2004-12-06 | 2015-10-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 메인터넌스 방법, 메인터넌스 기기, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
US20060119811A1 (en) * | 2004-12-07 | 2006-06-08 | Asml Netherlands B.V. | Radiation exposure apparatus comprising a gas flushing system |
WO2006062096A1 (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-15 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7397533B2 (en) | 2004-12-07 | 2008-07-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7453063B2 (en) * | 2004-12-08 | 2008-11-18 | Asml Netherlands B.V. | Calibration substrate and method for calibrating a lithographic apparatus |
JP4752473B2 (ja) | 2004-12-09 | 2011-08-17 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
KR101771334B1 (ko) | 2004-12-15 | 2017-08-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 유지 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
US7528931B2 (en) * | 2004-12-20 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1830456A1 (de) * | 2004-12-24 | 2007-09-05 | Nikon Corporation | Magnetische führungsvorrichtung, bühnenvorrichtung, belichtungsvorrichtung und bauelementeherstellungsverfahren |
US7355675B2 (en) * | 2004-12-29 | 2008-04-08 | Asml Netherlands B.V. | Method for measuring information about a substrate, and a substrate for use in a lithographic apparatus |
US7193683B2 (en) | 2005-01-06 | 2007-03-20 | Nikon Corporation | Stage design for reflective optics |
US7450217B2 (en) | 2005-01-12 | 2008-11-11 | Asml Netherlands B.V. | Exposure apparatus, coatings for exposure apparatus, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
KR20070095270A (ko) * | 2005-01-18 | 2007-09-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 액체 제거 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
KR101440617B1 (ko) | 2005-01-31 | 2014-09-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US8692973B2 (en) | 2005-01-31 | 2014-04-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
US20070258068A1 (en) * | 2005-02-17 | 2007-11-08 | Hiroto Horikawa | Exposure Apparatus, Exposure Method, and Device Fabricating Method |
SG125232A1 (en) | 2005-02-23 | 2006-09-29 | Asml Masktools Bv | Method, program product and apparatus for optimizing illumination for full-chip layer |
EP1879217A4 (de) | 2005-03-18 | 2010-06-09 | Nikon Corp | Belichtungsverfahren, belichtungsvorrichtung, bauelementeherstellungsverfahren und belichtungsvorrichtungs-evaluierungsverfahren |
JP4844186B2 (ja) | 2005-03-18 | 2011-12-28 | 株式会社ニコン | プレート部材、基板保持装置、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
EP3159738B1 (de) | 2005-03-25 | 2018-12-12 | Nikon Corporation | Verfahren zur verzerrungsbestimmung eines optischen projektionssystems |
US7317506B2 (en) * | 2005-03-29 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Variable illumination source |
TWI330762B (en) | 2005-03-29 | 2010-09-21 | Asml Netherlands Bv | Seal of a lithographic apparatus, lithographic apparatus, device manufacturing method and data storage medium |
US7548302B2 (en) * | 2005-03-29 | 2009-06-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1865540A4 (de) * | 2005-03-30 | 2010-03-17 | Nikon Corp | Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und bauelementeherstellungsverfahren |
EP1865539A4 (de) | 2005-03-30 | 2011-09-07 | Nikon Corp | Verfahren zur bestimmung von belichtungsbedingungen, belichtungsverfahren, belichtungseinrichtung und vorrichtung zur bauelementeherstellung |
KR20070115863A (ko) * | 2005-03-31 | 2007-12-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US20070132976A1 (en) * | 2005-03-31 | 2007-06-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
TW200644079A (en) * | 2005-03-31 | 2006-12-16 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method, and device production method |
USRE43576E1 (en) | 2005-04-08 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7515281B2 (en) * | 2005-04-08 | 2009-04-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7161659B2 (en) * | 2005-04-08 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101555707B1 (ko) | 2005-04-18 | 2015-09-25 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
KR101344142B1 (ko) | 2005-04-25 | 2013-12-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
WO2006118108A1 (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Nikon Corporation | 露光方法、露光装置、デバイス製造方法、及び膜の評価方法 |
WO2006118189A1 (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
EP2527921A3 (de) | 2005-04-28 | 2017-10-18 | Nikon Corporation | Belichtungsverfahren und Belichtungsapparat |
US7738075B2 (en) * | 2005-05-23 | 2010-06-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic attribute enhancement |
JP4596191B2 (ja) | 2005-05-24 | 2010-12-08 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
WO2006137410A1 (ja) | 2005-06-21 | 2006-12-28 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法 |
US20070085989A1 (en) * | 2005-06-21 | 2007-04-19 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, maintenance method, and device manufacturing method |
US7924416B2 (en) | 2005-06-22 | 2011-04-12 | Nikon Corporation | Measurement apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
WO2007000995A1 (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-04 | Nikon Corporation | 露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法 |
US8693006B2 (en) | 2005-06-28 | 2014-04-08 | Nikon Corporation | Reflector, optical element, interferometer system, stage device, exposure apparatus, and device fabricating method |
EP1898448A4 (de) * | 2005-06-29 | 2011-06-29 | Nikon Corp | Belichtungsvorrichtung, substratverarbeitungsverfahren und bauelementeherstellungsverfahren |
US8179517B2 (en) | 2005-06-30 | 2012-05-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method, maintenance method for exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP5353005B2 (ja) | 2005-07-11 | 2013-11-27 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP5309565B2 (ja) * | 2005-08-05 | 2013-10-09 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、方法、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP5040653B2 (ja) | 2005-08-23 | 2012-10-03 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US7665981B2 (en) * | 2005-08-25 | 2010-02-23 | Molecular Imprints, Inc. | System to transfer a template transfer body between a motion stage and a docking plate |
US20070064384A1 (en) * | 2005-08-25 | 2007-03-22 | Molecular Imprints, Inc. | Method to transfer a template transfer body between a motion stage and a docking plate |
US20070074635A1 (en) * | 2005-08-25 | 2007-04-05 | Molecular Imprints, Inc. | System to couple a body and a docking plate |
JP4781049B2 (ja) | 2005-08-30 | 2011-09-28 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
TWI450044B (zh) | 2005-08-31 | 2014-08-21 | 尼康股份有限公司 | An optical element, an exposure apparatus using the same, an exposure method, and a manufacturing method of the micro-element |
US8111374B2 (en) | 2005-09-09 | 2012-02-07 | Nikon Corporation | Analysis method, exposure method, and device manufacturing method |
CN101258581B (zh) | 2005-09-09 | 2011-05-11 | 株式会社尼康 | 曝光装置及曝光方法以及设备制造方法 |
WO2007034838A1 (ja) | 2005-09-21 | 2007-03-29 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US20070070323A1 (en) * | 2005-09-21 | 2007-03-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device fabricating method |
US7239371B2 (en) * | 2005-10-18 | 2007-07-03 | International Business Machines Corporation | Density-aware dynamic leveling in scanning exposure systems |
US20070095739A1 (en) * | 2005-10-24 | 2007-05-03 | Nikon Corporation | Utility transfer apparatus, stage apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8681314B2 (en) | 2005-10-24 | 2014-03-25 | Nikon Corporation | Stage device and coordinate correction method for the same, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US20070127135A1 (en) * | 2005-11-01 | 2007-06-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
WO2007052659A1 (ja) | 2005-11-01 | 2007-05-10 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
WO2007055199A1 (ja) | 2005-11-09 | 2007-05-18 | Nikon Corporation | 露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法 |
WO2007055237A1 (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-18 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US20070127002A1 (en) * | 2005-11-09 | 2007-06-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
JPWO2007055373A1 (ja) | 2005-11-14 | 2009-04-30 | 株式会社ニコン | 液体回収部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
EP1956431A4 (de) * | 2005-11-15 | 2009-06-24 | Nikon Corp | Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und bauelemente-herstellungsverfahren |
KR20080068820A (ko) | 2005-11-16 | 2008-07-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 처리 방법, 포토마스크의 제조 방법 및 포토마스크,그리고 디바이스 제조 방법 |
US7803516B2 (en) | 2005-11-21 | 2010-09-28 | Nikon Corporation | Exposure method, device manufacturing method using the same, exposure apparatus, and substrate processing method and apparatus |
JP2007165869A (ja) | 2005-11-21 | 2007-06-28 | Nikon Corp | 露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法、露光装置、並びに基板処理方法及び装置 |
US8125610B2 (en) * | 2005-12-02 | 2012-02-28 | ASML Metherlands B.V. | Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus |
US7782442B2 (en) | 2005-12-06 | 2010-08-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, projection optical system and device producing method |
EP1965414A4 (de) | 2005-12-06 | 2010-08-25 | Nikon Corp | Belichtungsverfahren, belichtungsvorrichtung und verfahren zur bauelementeherstellung |
EP1970944A4 (de) | 2005-12-06 | 2010-04-28 | Nikon Corp | Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren, optisches projektionssystem und bauelementeherstellungsverfahren |
EP2768016B1 (de) | 2005-12-08 | 2017-10-25 | Nikon Corporation | Belichtungsvorrichtung und -verfahren |
US7626181B2 (en) * | 2005-12-09 | 2009-12-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8953148B2 (en) * | 2005-12-28 | 2015-02-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and making method thereof |
CN102681368B (zh) | 2005-12-28 | 2015-09-30 | 株式会社尼康 | 图案形成方法及图案形成装置、以及元件制造方法 |
TWI409598B (zh) | 2005-12-28 | 2013-09-21 | 尼康股份有限公司 | Pattern forming method and pattern forming apparatus, exposure method and exposure apparatus, and component manufacturing method |
US8411271B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-04-02 | Nikon Corporation | Pattern forming method, pattern forming apparatus, and device manufacturing method |
KR20080088579A (ko) | 2005-12-28 | 2008-10-02 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법 |
US7493589B2 (en) * | 2005-12-29 | 2009-02-17 | Asml Masktools B.V. | Method, program product and apparatus for model based geometry decomposition for use in a multiple exposure process |
US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7804646B2 (en) * | 2006-01-31 | 2010-09-28 | Asml Masktools B.V. | Method for decomposition of a customized DOE for use with a single exposure into a set of multiple exposures using standard DOEs with optimized exposure settings |
KR20080103564A (ko) | 2006-02-16 | 2008-11-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
EP1986223A4 (de) | 2006-02-16 | 2010-08-25 | Nikon Corp | Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und bauelementeherstellungsverfahren |
EP1990828A4 (de) | 2006-02-16 | 2010-09-15 | Nikon Corp | Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und verfahren zur herstellung von bauelementen |
WO2007094407A1 (ja) | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
US8134681B2 (en) | 2006-02-17 | 2012-03-13 | Nikon Corporation | Adjustment method, substrate processing method, substrate processing apparatus, exposure apparatus, inspection apparatus, measurement and/or inspection system, processing apparatus, computer system, program and information recording medium |
US8908145B2 (en) | 2006-02-21 | 2014-12-09 | Nikon Corporation | Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
JP5177674B2 (ja) | 2006-02-21 | 2013-04-03 | 株式会社ニコン | 測定装置及び方法、パターン形成装置及び方法、並びにデバイス製造方法 |
CN101980085B (zh) * | 2006-02-21 | 2012-11-07 | 株式会社尼康 | 曝光装置、曝光方法及组件制造方法 |
WO2007100081A1 (ja) | 2006-03-03 | 2007-09-07 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP5077770B2 (ja) | 2006-03-07 | 2012-11-21 | 株式会社ニコン | デバイス製造方法、デバイス製造システム及び測定検査装置 |
US20070212649A1 (en) * | 2006-03-07 | 2007-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Method and system for enhanced lithographic patterning |
US7598024B2 (en) | 2006-03-08 | 2009-10-06 | Asml Netherlands B.V. | Method and system for enhanced lithographic alignment |
EP1995768A4 (de) | 2006-03-13 | 2013-02-06 | Nikon Corp | Belichtungsvorrichtung, wartungsverfahren, belichtungsverfahren sowie herstellungsverfahren für die vorrichtung |
US20070242254A1 (en) * | 2006-03-17 | 2007-10-18 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US8982322B2 (en) | 2006-03-17 | 2015-03-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US20080013062A1 (en) | 2006-03-23 | 2008-01-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
CN100590173C (zh) * | 2006-03-24 | 2010-02-17 | 北京有色金属研究总院 | 一种荧光粉及其制造方法和所制成的电光源 |
WO2007116752A1 (ja) | 2006-04-05 | 2007-10-18 | Nikon Corporation | ステージ装置、露光装置、ステージ制御方法、露光方法、およびデバイス製造方法 |
EP2267530A1 (de) * | 2006-04-06 | 2010-12-29 | ASML MaskTools B.V. | Verfahren und Vorrichtung zur Durchführung von Dunkelfeld-Doppeldipollithografie |
JPWO2007119821A1 (ja) * | 2006-04-14 | 2009-08-27 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
US7818151B2 (en) * | 2006-05-02 | 2010-10-19 | Asml Masktools B.V. | Method, program product and apparatus for obtaining short-range flare model parameters for lithography simulation tool |
US7583359B2 (en) * | 2006-05-05 | 2009-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Reduction of fit error due to non-uniform sample distribution |
DE102006021797A1 (de) | 2006-05-09 | 2007-11-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung |
US7483120B2 (en) * | 2006-05-09 | 2009-01-27 | Asml Netherlands B.V. | Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method |
US8477283B2 (en) | 2006-05-10 | 2013-07-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US20070267995A1 (en) * | 2006-05-18 | 2007-11-22 | Nikon Corporation | Six Degree-of-Freedom Stage Apparatus |
CN102298274A (zh) | 2006-05-18 | 2011-12-28 | 株式会社尼康 | 曝光方法及装置、维护方法、以及组件制造方法 |
US20080024749A1 (en) * | 2006-05-18 | 2008-01-31 | Nikon Corporation | Low mass six degree of freedom stage for lithography tools |
US7728462B2 (en) | 2006-05-18 | 2010-06-01 | Nikon Corporation | Monolithic stage devices providing motion in six degrees of freedom |
CN101385125B (zh) | 2006-05-22 | 2011-04-13 | 株式会社尼康 | 曝光方法及装置、维修方法、以及组件制造方法 |
SG172613A1 (en) | 2006-05-23 | 2011-07-28 | Nikon Corp | Maintenance method, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
WO2007139017A1 (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Nikon Corporation | 液体回収部材、基板保持部材、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP5218049B2 (ja) | 2006-05-31 | 2013-06-26 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法 |
US7502103B2 (en) | 2006-05-31 | 2009-03-10 | Asml Netherlands B.V. | Metrology tool, system comprising a lithographic apparatus and a metrology tool, and a method for determining a parameter of a substrate |
JPWO2007142350A1 (ja) | 2006-06-09 | 2009-10-29 | 株式会社ニコン | パターン形成方法及びパターン形成装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
US7697115B2 (en) * | 2006-06-23 | 2010-04-13 | Asml Holding N.V. | Resonant scanning mirror |
KR20090033170A (ko) | 2006-06-30 | 2009-04-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 메인터넌스 방법, 노광 방법 및 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US20080073563A1 (en) | 2006-07-01 | 2008-03-27 | Nikon Corporation | Exposure apparatus that includes a phase change circulation system for movers |
JP4607151B2 (ja) * | 2006-07-06 | 2011-01-05 | エーエスエムエル マスクツールズ ビー.ブイ. | 改良型cplマスクおよびそれを生成する方法およびプログラム製品 |
WO2008007660A1 (fr) | 2006-07-14 | 2008-01-17 | Nikon Corporation | Appareil à platine et appareil d'exposition |
WO2008026593A1 (fr) | 2006-08-30 | 2008-03-06 | Nikon Corporation | Dispositif d'exposition, procédé de fabrication de dispositif, procédé de nettoyage et élément de nettoyage |
JP5029611B2 (ja) * | 2006-09-08 | 2012-09-19 | 株式会社ニコン | クリーニング用部材、クリーニング方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
TW200830057A (en) | 2006-09-08 | 2008-07-16 | Nikon Corp | Mask, exposure apparatus and device manufacturing method |
US7592760B2 (en) * | 2006-09-11 | 2009-09-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1901121A2 (de) * | 2006-09-13 | 2008-03-19 | ASML MaskTools B.V. | Verfahren zur Zerlegung eines Maskenmusters in Abhängigkeit von der Pitch-Grösse |
JP4922112B2 (ja) * | 2006-09-13 | 2012-04-25 | エーエスエムエル マスクツールズ ビー.ブイ. | パターン分解フィーチャのためのモデルベースopcを行うための方法および装置 |
US7872730B2 (en) | 2006-09-15 | 2011-01-18 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus and immersion exposure method, and device manufacturing method |
JP5120377B2 (ja) | 2006-09-29 | 2013-01-16 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US7999918B2 (en) * | 2006-09-29 | 2011-08-16 | Nikon Corporation | Movable body system, pattern formation apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
US20080100909A1 (en) * | 2006-10-30 | 2008-05-01 | Nikon Corporation | Optical element, liquid immersion exposure apparatus, liquid immersion exposure method, and method for producing microdevice |
WO2008053918A1 (fr) * | 2006-10-31 | 2008-05-08 | Nikon Corporation | Appareil de maintien de liquide, procédé de maintien de liquide, appareil d'exposition, procédé d'exposition et procédé de fabrication du dispositif |
US8120753B2 (en) * | 2006-11-08 | 2012-02-21 | Asml Masktools B.V. | Method, program product and apparatus for generating a calibrated pupil kernel and method of using the same in a lithography simulation process |
JP4700672B2 (ja) * | 2006-11-08 | 2011-06-15 | エーエスエムエル マスクツールズ ビー.ブイ. | ライン幅粗さおよびレジストパターン不良を予測する方法、プログラム、および装置、ならびにそのリソグラフィシミュレーションプロセスでの使用 |
JP5151989B2 (ja) | 2006-11-09 | 2013-02-27 | 株式会社ニコン | 保持装置、位置検出装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP5032948B2 (ja) | 2006-11-14 | 2012-09-26 | エーエスエムエル マスクツールズ ビー.ブイ. | Dptプロセスで用いられるパターン分解を行うための方法、プログラムおよび装置 |
US20080158531A1 (en) | 2006-11-15 | 2008-07-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
JP5055971B2 (ja) * | 2006-11-16 | 2012-10-24 | 株式会社ニコン | 表面処理方法及び表面処理装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
US20080156356A1 (en) * | 2006-12-05 | 2008-07-03 | Nikon Corporation | Cleaning liquid, cleaning method, liquid generating apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method |
US20080212047A1 (en) * | 2006-12-28 | 2008-09-04 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method |
US8004651B2 (en) | 2007-01-23 | 2011-08-23 | Nikon Corporation | Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method |
TW200846838A (en) * | 2007-01-26 | 2008-12-01 | Nikon Corp | Support structure and exposure apparatus |
WO2008105531A1 (ja) | 2007-03-01 | 2008-09-04 | Nikon Corporation | ペリクルフレーム装置、マスク、露光方法及び露光装置並びにデバイスの製造方法 |
US20080225261A1 (en) * | 2007-03-13 | 2008-09-18 | Noriyuki Hirayanagi | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US8134685B2 (en) | 2007-03-23 | 2012-03-13 | Nikon Corporation | Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method |
EP1990110A1 (de) * | 2007-05-08 | 2008-11-12 | Güdel Group Ag | Zentriervorrichtung für flächige Werkstücke in einer Presse und Verfahren zum Einrichten einer solchen Zentriervorrichtung |
US8300207B2 (en) | 2007-05-17 | 2012-10-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, immersion system, exposing method, and device fabricating method |
US20080285004A1 (en) * | 2007-05-18 | 2008-11-20 | Nikon Corporation | Monolithic, Non-Contact Six Degree-of-Freedom Stage Apparatus |
US8164736B2 (en) * | 2007-05-29 | 2012-04-24 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device |
US8098362B2 (en) | 2007-05-30 | 2012-01-17 | Nikon Corporation | Detection device, movable body apparatus, pattern formation apparatus and pattern formation method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
CN101681093B (zh) | 2007-06-04 | 2012-05-30 | Asml荷兰有限公司 | 用于实施基于模型的光刻引导的布局设计的方法 |
TWI534408B (zh) | 2007-07-24 | 2016-05-21 | 尼康股份有限公司 | Position measuring system, exposure apparatus, position measuring method, exposure method and component manufacturing method, and measuring tool and measuring method |
US8547527B2 (en) | 2007-07-24 | 2013-10-01 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and pattern formation apparatus, and device manufacturing method |
US8264669B2 (en) | 2007-07-24 | 2012-09-11 | Nikon Corporation | Movable body drive method, pattern formation method, exposure method, and device manufacturing method for maintaining position coordinate before and after switching encoder head |
US8194232B2 (en) | 2007-07-24 | 2012-06-05 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, position control method and position control system, and device manufacturing method |
US7999920B2 (en) | 2007-08-22 | 2011-08-16 | Asml Netherlands B.V. | Method of performing model-based scanner tuning |
US8023106B2 (en) | 2007-08-24 | 2011-09-20 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
US8218129B2 (en) | 2007-08-24 | 2012-07-10 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, measuring method, and position measurement system |
US8867022B2 (en) | 2007-08-24 | 2014-10-21 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method |
US8237919B2 (en) | 2007-08-24 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method for continuous position measurement of movable body before and after switching between sensor heads |
US9304412B2 (en) | 2007-08-24 | 2016-04-05 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and measuring method |
US20090051895A1 (en) * | 2007-08-24 | 2009-02-26 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, device manufacturing method, and processing system |
US9779186B2 (en) | 2007-08-28 | 2017-10-03 | Asml Netherlands B.V. | Methods for performing model-based lithography guided layout design |
WO2009031656A1 (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-12 | Nikon Corporation | 吊り下げ装置及び露光装置 |
US8421994B2 (en) | 2007-09-27 | 2013-04-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
JP2009094255A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Canon Inc | 液浸露光装置およびデバイス製造方法 |
US20090201484A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-08-13 | Nikon Corporation | Utilities supply member connection apparatus, stage apparatus, projection optical system support apparatus and exposure apparatus |
US9013681B2 (en) * | 2007-11-06 | 2015-04-21 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9256140B2 (en) * | 2007-11-07 | 2016-02-09 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method with measurement device to measure movable body in Z direction |
US8665455B2 (en) * | 2007-11-08 | 2014-03-04 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8422015B2 (en) | 2007-11-09 | 2013-04-16 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP4779003B2 (ja) * | 2007-11-13 | 2011-09-21 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | フルチップ設計のパターン分解を行うための方法 |
NL1036189A1 (nl) * | 2007-12-05 | 2009-06-08 | Brion Tech Inc | Methods and System for Lithography Process Window Simulation. |
US20090147228A1 (en) * | 2007-12-11 | 2009-06-11 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, manufacturing method thereof, and maintenance method of exposure apparatus |
WO2009075103A1 (ja) * | 2007-12-11 | 2009-06-18 | Nikon Corporation | 移動体装置、露光装置及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法 |
US20090153824A1 (en) * | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Kla-Tencor Corporation | Multiple chuck scanning stage |
US8269945B2 (en) * | 2007-12-28 | 2012-09-18 | Nikon Corporation | Movable body drive method and apparatus, exposure method and apparatus, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method |
CN104133347B (zh) * | 2007-12-28 | 2016-05-18 | 株式会社尼康 | 曝光装置、曝光方法 |
US8208128B2 (en) * | 2008-02-08 | 2012-06-26 | Nikon Corporation | Position measuring system and position measuring method, Movable body apparatus, movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, pattern forming apparatus, and device manufacturing method |
NL1036557A1 (nl) | 2008-03-11 | 2009-09-14 | Asml Netherlands Bv | Method and lithographic apparatus for measuring and acquiring height data relating to a substrate surface. |
NL1036750A1 (nl) * | 2008-04-14 | 2009-10-15 | Brion Tech Inc | A Method Of Performing Mask-Writer Tuning and Optimization. |
NL1036647A1 (nl) * | 2008-04-16 | 2009-10-19 | Asml Netherlands Bv | A method of measuring a lithographic projection apparatus. |
NL1036891A1 (nl) * | 2008-05-02 | 2009-11-03 | Asml Netherlands Bv | Dichroic mirror, method for manufacturing a dichroic mirror, lithographic apparatus, semiconductor device and method of manufacturing therefor. |
US8228482B2 (en) * | 2008-05-13 | 2012-07-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8817236B2 (en) | 2008-05-13 | 2014-08-26 | Nikon Corporation | Movable body system, movable body drive method, pattern formation apparatus, pattern formation method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8786829B2 (en) * | 2008-05-13 | 2014-07-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
EP2128703A1 (de) | 2008-05-28 | 2009-12-02 | ASML Netherlands BV | Lithographische Vorrichtung und Betriebsverfahren für die Vorrichtung |
KR101749987B1 (ko) * | 2008-06-03 | 2017-06-22 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 모델-기반 공정 시뮬레이션 시스템들 및 방법들 |
US8570485B2 (en) * | 2008-06-03 | 2013-10-29 | Asml Netherlands B.V. | Lens heating compensation systems and methods |
NL2002935A1 (nl) | 2008-06-27 | 2009-12-29 | Asml Netherlands Bv | Object support positioning device and lithographic apparatus. |
WO2010005957A1 (en) * | 2008-07-07 | 2010-01-14 | Brion Technologies, Inc. | Illumination optimization |
US8224061B2 (en) * | 2008-07-28 | 2012-07-17 | Asml Netherlands B.V. | Method, program product, and apparatus for performing a model based coloring process for pattern decomposition for use in a multiple exposure process |
US8340394B2 (en) * | 2008-07-28 | 2012-12-25 | Asml Netherlands B.V. | Method, program product and apparatus for performing a model based coloring process for geometry decomposition for use in a multiple exposure process |
NL2003363A (en) | 2008-09-10 | 2010-03-15 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, method of manufacturing an article for a lithographic apparatus and device manufacturing method. |
US8435723B2 (en) * | 2008-09-11 | 2013-05-07 | Nikon Corporation | Pattern forming method and device production method |
US8384875B2 (en) | 2008-09-29 | 2013-02-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
NL2003654A (en) | 2008-11-06 | 2010-05-10 | Brion Tech Inc | Methods and system for lithography calibration. |
NL2003702A (en) | 2008-11-10 | 2010-05-11 | Brion Tech Inc | Pattern selection for lithographic model calibration. |
US8092122B2 (en) | 2008-11-10 | 2012-01-10 | Reynolds Consumer Products, Inc. | Connection device for fastening expanded cell confinement structures and methods for doing the same |
NL2003696A (en) * | 2008-11-10 | 2010-05-11 | Brion Tech Inc | Scanner model representation with transmission cross coefficients. |
US20100302526A1 (en) * | 2008-11-13 | 2010-12-02 | Nikon Corporation | Drive control method for moving body, exposure method, robot control method, drive control apparatus, exposure apparatus and robot apparatus |
CN102224459B (zh) | 2008-11-21 | 2013-06-19 | Asml荷兰有限公司 | 用于优化光刻过程的方法及设备 |
NL1036299C2 (nl) * | 2008-12-10 | 2010-06-11 | Janssen Prec Engineering B V | Een systeem om tegels met micrometernauwkeurigheid ten opzichte van elkaar te positioneren en te fixeren. |
NL2003699A (en) | 2008-12-18 | 2010-06-21 | Brion Tech Inc | Method and system for lithography process-window-maximixing optical proximity correction. |
US8760629B2 (en) | 2008-12-19 | 2014-06-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body |
US8773635B2 (en) | 2008-12-19 | 2014-07-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8902402B2 (en) | 2008-12-19 | 2014-12-02 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8599359B2 (en) | 2008-12-19 | 2013-12-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method |
CN101551599B (zh) * | 2009-04-03 | 2011-07-20 | 清华大学 | 一种光刻机硅片台双台交换系统 |
NL2004322A (en) * | 2009-04-13 | 2010-10-14 | Asml Netherlands Bv | Cooling device, cooling arrangement and lithographic apparatus comprising a cooling arrangement. |
NL2004242A (en) | 2009-04-13 | 2010-10-14 | Asml Netherlands Bv | Detector module, cooling arrangement and lithographic apparatus comprising a detector module. |
US20100296074A1 (en) * | 2009-04-30 | 2010-11-25 | Nikon Corporation | Exposure method, and device manufacturing method |
TW201115280A (en) * | 2009-05-15 | 2011-05-01 | Nikon Corp | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US8792084B2 (en) * | 2009-05-20 | 2014-07-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8970820B2 (en) | 2009-05-20 | 2015-03-03 | Nikon Corporation | Object exchange method, exposure method, carrier system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9312159B2 (en) | 2009-06-09 | 2016-04-12 | Nikon Corporation | Transport apparatus and exposure apparatus |
NL2004847A (en) * | 2009-06-30 | 2011-01-04 | Asml Holding Nv | Method for controlling the position of a movable object, a control system for controlling a positioning device, and a lithographic apparatus. |
IT1399285B1 (it) * | 2009-07-03 | 2013-04-11 | Applied Materials Inc | Sistema di lavorazione substrato |
US8285418B2 (en) * | 2009-07-23 | 2012-10-09 | Kla-Tencor Corporation | Dual scanning stage |
KR20140108348A (ko) * | 2009-08-07 | 2014-09-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 장치, 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
TWI514087B (zh) | 2009-08-07 | 2015-12-21 | 尼康股份有限公司 | A method of manufacturing an exposure apparatus and an element |
US8514395B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-08-20 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8488109B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-07-16 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8493547B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-07-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US20110096306A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method |
NL2005523A (en) * | 2009-10-28 | 2011-05-02 | Asml Netherlands Bv | Selection of optimum patterns in a design layout based on diffraction signature analysis. |
WO2011052703A1 (en) | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
JP5783376B2 (ja) * | 2009-11-05 | 2015-09-24 | 株式会社ニコン | フォーカステストマスク、フォーカス計測方法、露光装置、及び露光方法 |
US20110134400A1 (en) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, liquid immersion member, and device manufacturing method |
CN101718959B (zh) * | 2009-12-15 | 2011-05-11 | 清华大学 | 一种光刻机硅片台双台交换方法及系统 |
US8488106B2 (en) | 2009-12-28 | 2013-07-16 | Nikon Corporation | Movable body drive method, movable body apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
NL1037639C2 (en) | 2010-01-21 | 2011-07-25 | Mapper Lithography Ip Bv | Lithography system with lens rotation. |
US8841065B2 (en) | 2010-02-12 | 2014-09-23 | Nikon Corporation | Manufacturing method of exposure apparatus and device manufacturing method |
KR20120116329A (ko) | 2010-02-20 | 2012-10-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 광원 최적화 방법, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 프로그램, 노광 장치, 리소그래피 시스템, 광원 평가 방법 및 광원 변조 방법 |
JP4838372B2 (ja) * | 2010-04-23 | 2011-12-14 | Thk株式会社 | アクチュエータユニット |
NL2007579A (en) | 2010-11-10 | 2012-05-14 | Asml Netherlands Bv | Pattern-dependent proximity matching/tuning including light manipulation by projection optics. |
NL2007577A (en) | 2010-11-10 | 2012-05-14 | Asml Netherlands Bv | Optimization of source, mask and projection optics. |
NL2007642A (en) | 2010-11-10 | 2012-05-14 | Asml Netherlands Bv | Optimization flows of source, mask and projection optics. |
NL2007578A (en) | 2010-11-17 | 2012-05-22 | Asml Netherlands Bv | Pattern-independent and hybrid matching/tuning including light manipulation by projection optics. |
US9746787B2 (en) | 2011-02-22 | 2017-08-29 | Nikon Corporation | Holding apparatus, exposure apparatus and manufacturing method of device |
NL2008157A (en) * | 2011-02-22 | 2012-08-24 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and lithographic projection method. |
CN102141739B (zh) | 2011-04-01 | 2013-01-16 | 清华大学 | 光刻机硅片台双台交换系统 |
DE102011077223B4 (de) | 2011-06-08 | 2013-08-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Messsystem |
CN102236270B (zh) | 2011-07-29 | 2012-12-19 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种适用于双工件台投影光刻机的检焦装置 |
KR102105809B1 (ko) * | 2011-08-30 | 2020-05-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법, 노광 방법 및 노광 장치 그리고 디바이스 제조 방법 및 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법 |
US9690213B2 (en) | 2011-09-06 | 2017-06-27 | Kla-Tencor Corporation | Linear Stage for reflective electron beam lithography |
US8724115B2 (en) | 2011-09-06 | 2014-05-13 | Kla-Tencor Corporation | Linear stage and metrology architecture for reflective electron beam lithography |
CN102393613B (zh) * | 2011-11-12 | 2014-02-05 | 哈尔滨工业大学 | 一种基于同步齿轮调向的双工件台回转交换装置 |
CN102495528B (zh) * | 2011-11-12 | 2014-02-05 | 哈尔滨工业大学 | 基于随动防转机构双工件台同相位回转交换方法与装置 |
NL2009982A (en) | 2012-01-10 | 2013-07-15 | Asml Netherlands Bv | Source mask optimization to reduce stochastic effects. |
US9940427B2 (en) | 2012-02-09 | 2018-04-10 | Asml Netherlands B.V. | Lens heating aware source mask optimization for advanced lithography |
CN103246170B (zh) * | 2012-02-09 | 2015-07-08 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 曝光装置及曝光方法 |
CN104395828B (zh) | 2012-05-31 | 2018-02-02 | Asml荷兰有限公司 | 基于梯度的图案和评价点选择 |
NL2011592A (en) | 2012-10-31 | 2014-05-06 | Asml Netherlands Bv | Compensation for patterning device deformation. |
CN104956465B (zh) | 2012-11-30 | 2018-05-29 | 株式会社尼康 | 搬送系统、曝光装置、搬送方法、曝光方法及器件制造方法、以及吸引装置 |
CN108336011B (zh) | 2012-11-30 | 2022-08-02 | 株式会社尼康 | 搬入方法、搬送系统及曝光装置、和器件制造方法 |
JP6140844B2 (ja) | 2013-02-22 | 2017-05-31 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 三次元パターニングデバイス用リソグラフィモデル |
KR101807687B1 (ko) | 2013-02-25 | 2017-12-11 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 이산 소스 마스크 최적화 |
CN104035285B (zh) * | 2013-03-05 | 2016-06-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 曝光装置及其曝光方法 |
CN104035286B (zh) * | 2013-03-05 | 2015-12-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 圆筒形掩模板系统、曝光装置和曝光方法 |
KR102275466B1 (ko) * | 2013-09-25 | 2021-07-13 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 빔 전달 장치 및 방법 |
JP6436090B2 (ja) | 2013-10-30 | 2018-12-12 | 株式会社ニコン | 基板保持装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101924487B1 (ko) | 2013-12-17 | 2018-12-03 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 수율 추산 및 제어 |
KR101963012B1 (ko) | 2014-01-16 | 2019-03-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
EP3105637A1 (de) | 2014-02-11 | 2016-12-21 | ASML Netherlands B.V. | Modell zur berechnung einer stochastischen variation bei einem arbiträren muster |
US10386727B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-08-20 | Asml Netherlands B.V. | Pattern placement error aware optimization |
WO2015158444A1 (en) | 2014-04-14 | 2015-10-22 | Asml Netherlands B.V. | Flows of optimization for lithographic processes |
WO2015197313A1 (en) | 2014-06-25 | 2015-12-30 | Asml Netherlands B.V. | Etch variation tolerant optimization |
WO2016008711A1 (en) | 2014-07-14 | 2016-01-21 | Asml Netherlands B.V. | Optimization of assist features and source |
KR102084048B1 (ko) | 2014-10-02 | 2020-03-03 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 어시스트 피처들의 규칙-기반 배치 |
US10409165B2 (en) | 2014-12-15 | 2019-09-10 | Asml Netherlands B.V. | Optimization based on machine learning |
US10372043B2 (en) | 2014-12-17 | 2019-08-06 | Asml Netherlands B.V. | Hotspot aware dose correction |
US10685158B2 (en) | 2014-12-18 | 2020-06-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithography model for 3D features |
TWI620980B (zh) | 2015-02-13 | 2018-04-11 | Asml荷蘭公司 | 影像對數斜率(ils)最佳化 |
US10514614B2 (en) | 2015-02-13 | 2019-12-24 | Asml Netherlands B.V. | Process variability aware adaptive inspection and metrology |
TWI768409B (zh) | 2015-02-23 | 2022-06-21 | 日商尼康股份有限公司 | 基板處理系統及基板處理方法、以及元件製造方法 |
KR102552792B1 (ko) | 2015-02-23 | 2023-07-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 계측 장치, 리소그래피 시스템 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
CN107250915B (zh) | 2015-02-23 | 2020-03-13 | 株式会社尼康 | 测量装置、光刻系统及曝光装置、以及管理方法、重迭测量方法及组件制造方法 |
KR102077173B1 (ko) | 2015-03-16 | 2020-02-13 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 레지스트 변형을 결정하는 방법들 |
TWI703402B (zh) | 2015-03-25 | 2020-09-01 | 日商尼康股份有限公司 | 布局方法、標記檢測方法、曝光方法、測量裝置、曝光裝置、以及元件製造方法 |
CN104900565A (zh) * | 2015-05-27 | 2015-09-09 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 一种半导体沉积设备腔体对接装置 |
CN104952773B (zh) * | 2015-05-27 | 2018-01-12 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 一种半导体沉积设备腔体对接方法 |
WO2016192964A1 (en) | 2015-05-29 | 2016-12-08 | Asml Netherlands B.V. | Simulation of lithography using multiple-sampling of angular distribution of source radiation |
IL256196B (en) | 2015-06-17 | 2022-07-01 | Asml Netherlands Bv | Prescription selection based on inter-prescription composition |
EP3387481A1 (de) | 2015-12-07 | 2018-10-17 | ASML Holding N.V. | System mit optischer linse |
US10416566B2 (en) | 2015-12-14 | 2019-09-17 | Asml Netherlands B.V. | Optimization of source and bandwidth for new and existing patterning devices |
US11016397B2 (en) | 2015-12-17 | 2021-05-25 | Asml Netherlands B.V. | Source separation from metrology data |
CN108700818B (zh) | 2015-12-22 | 2020-10-16 | Asml荷兰有限公司 | 用于过程窗口表征的设备和方法 |
WO2017114672A1 (en) | 2015-12-31 | 2017-07-06 | Asml Netherlands B.V. | Metrology by reconstruction |
US10962886B2 (en) | 2015-12-31 | 2021-03-30 | Asml Netherlands B.V. | Selection of measurement locations for patterning processes |
CN108700802A (zh) | 2015-12-31 | 2018-10-23 | Asml荷兰有限公司 | 蚀刻辅助特征 |
US10345723B2 (en) | 2016-02-24 | 2019-07-09 | Asml Netherlands B.V. | Substrate handling system and lithographic apparatus |
US11112700B2 (en) | 2016-03-24 | 2021-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Optimization of a lithographic projection apparatus accounting for an interlayer characteristic |
US10796063B2 (en) | 2016-04-14 | 2020-10-06 | Asml Netherlands B.V. | Mapping of patterns between design layout and patterning device |
WO2017194285A1 (en) | 2016-05-12 | 2017-11-16 | Asml Netherlands B.V. | Displacement based overlay or alignment |
KR102205364B1 (ko) | 2016-05-17 | 2021-01-20 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 관통-파장 유사성에 기초한 계측 견실성 향상 기술 |
WO2017202602A1 (en) | 2016-05-23 | 2017-11-30 | Asml Netherlands B.V. | Selection of substrate measurement recipes |
US10896282B2 (en) | 2016-07-12 | 2021-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Visualization performance metrics of computational analyses of design layouts |
CN109844643A (zh) | 2016-08-19 | 2019-06-04 | Asml荷兰有限公司 | 对曝光后过程进行建模 |
WO2018038071A1 (ja) | 2016-08-24 | 2018-03-01 | 株式会社ニコン | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
KR102293144B1 (ko) | 2016-09-01 | 2021-08-26 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 계측 타겟 측정 레시피의 자동 선택 |
WO2018050432A1 (en) | 2016-09-13 | 2018-03-22 | Asml Netherlands B.V. | Optimization of a lithography apparatus or patterning process based on selected aberration |
KR102556130B1 (ko) | 2016-09-27 | 2023-07-14 | 가부시키가이샤 니콘 | 결정 방법 및 장치, 프로그램, 정보 기록 매체, 노광 장치, 레이아웃 정보 제공 방법, 레이아웃 방법, 마크 검출 방법, 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
KR20240011232A (ko) | 2016-09-30 | 2024-01-25 | 가부시키가이샤 니콘 | 계측 시스템 및 기판 처리 시스템, 그리고 디바이스 제조 방법 |
KR102248121B1 (ko) | 2016-10-24 | 2021-05-06 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 패터닝 디바이스 패턴을 최적화하는 방법 |
WO2018095705A1 (en) | 2016-11-23 | 2018-05-31 | Asml Netherlands B.V. | Metrology using a plurality of metrology target measurement recipes |
WO2018099716A1 (en) | 2016-12-01 | 2018-06-07 | Asml Netherlands B.V. | Method and system for pattern configuration |
US10795267B2 (en) | 2016-12-02 | 2020-10-06 | Asml Netherlands B.V. | Model for estimating stochastic variation |
WO2018104073A1 (en) | 2016-12-09 | 2018-06-14 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for controlling a computing process |
KR102390216B1 (ko) | 2016-12-23 | 2022-04-25 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 패턴 충실도 제어를 위한 방법 및 장치 |
JP6808041B2 (ja) | 2016-12-28 | 2021-01-06 | エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. | メトロロジツール及びメトロロジツールを使用する方法 |
KR102270979B1 (ko) | 2016-12-28 | 2021-06-30 | 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. | 다중-이미지 입자 검출 시스템 및 방법 |
CN110446980B (zh) | 2017-03-21 | 2022-05-27 | Asml荷兰有限公司 | 对象识别和比较 |
US10901322B2 (en) | 2017-05-12 | 2021-01-26 | Asml Netherlands B.V. | Methods for evaluating resist development |
WO2018215172A1 (en) | 2017-05-25 | 2018-11-29 | Asml Holding N.V. | Substrates and methods of using those substrates |
KR102597444B1 (ko) | 2017-07-12 | 2023-11-03 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 결함 예측 |
EP3462240A1 (de) | 2017-09-27 | 2019-04-03 | ASML Netherlands B.V. | Verfahren zur bestimmung von kontrollparametern eines herstellungsverfahrens für bauelemente |
WO2019063206A1 (en) | 2017-09-27 | 2019-04-04 | Asml Netherlands B.V. | METHOD FOR DETERMINING CONTROL PARAMETERS OF DEVICE MANUFACTURING PROCESS |
TWI797737B (zh) | 2017-09-29 | 2023-04-01 | 美商昂圖創新公司 | 用於在曝光裝置時減少未對準誤差的方法和設備 |
WO2020094389A1 (en) | 2018-11-08 | 2020-05-14 | Asml Netherlands B.V. | Failure model for predicting failure due to resist layer |
EP3650940A1 (de) | 2018-11-09 | 2020-05-13 | ASML Netherlands B.V. | Verfahren im herstellungsverfahren einer vorrichtung, übergangsloses computerlesbares medium und zur ausführung des verfahrens konfiguriertes system |
DE102018132001A1 (de) | 2018-12-12 | 2020-06-18 | Laser Imaging Systems Gmbh | Vorrichtung zum Belichten von plattenförmigen Werkstücken mit hohem Durchsatz |
WO2020169355A1 (en) | 2019-02-20 | 2020-08-27 | Asml Netherlands B.V. | A method for characterizing a manufacturing process of semiconductor devices |
CN113454532A (zh) | 2019-02-21 | 2021-09-28 | Asml荷兰有限公司 | 训练机器学习模型以确定掩模的光学邻近效应校正的方法 |
WO2020173654A1 (en) | 2019-02-25 | 2020-09-03 | Asml Netherlands B.V. | Method for determining stochastic variation of printed patterns |
WO2020193095A1 (en) | 2019-03-25 | 2020-10-01 | Asml Netherlands B.V. | Method for determining pattern in a patterning process |
WO2020200993A1 (en) | 2019-04-04 | 2020-10-08 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for predicting substrate image |
CN113924525A (zh) | 2019-04-15 | 2022-01-11 | Asml荷兰有限公司 | 用于确定对掩模的特征的校正的方法 |
WO2020216572A1 (en) | 2019-04-25 | 2020-10-29 | Asml Netherlands B.V. | Method of determining characteristic of patterning process based on defect for reducing hotspot |
CN113874787B (zh) | 2019-05-21 | 2024-04-16 | Asml荷兰有限公司 | 用于确定与期望图案相关联的随机变化的方法 |
WO2021069153A1 (en) | 2019-10-08 | 2021-04-15 | Asml Netherlands B.V. | Method for determining a field-of-view setting |
EP3822703A1 (de) | 2019-11-18 | 2021-05-19 | ASML Netherlands B.V. | Verfahren zur bestimmung einer sichtfeldeinstellung |
WO2021078460A1 (en) | 2019-10-24 | 2021-04-29 | Asml Netherlands B.V. | Method for rule-based retargeting of target pattern |
US11892779B2 (en) | 2019-11-07 | 2024-02-06 | Asml Holding N.V. | Optical component and clamp used in lithographic apparatus |
US20230100578A1 (en) | 2020-02-12 | 2023-03-30 | Asml Netherlands B.V. | Method for determining a mask pattern comprising optical proximity corrections using a trained machine learning model |
US11687010B2 (en) | 2020-02-21 | 2023-06-27 | Onto Innovation Inc. | System and method for correcting overlay errors in a lithographic process |
US20230185204A1 (en) | 2020-03-27 | 2023-06-15 | Asml Holding N.V. | Optical apparatus and lithographic apparatus using the optical apparatus |
EP3910418A1 (de) | 2020-05-14 | 2021-11-17 | ASML Netherlands B.V. | Verfahren zur direkten zersetzung von stochastischen mitwirkenden |
WO2021229030A1 (en) | 2020-05-14 | 2021-11-18 | Asml Netherlands B.V. | Method for predicting stochastic contributors |
CN115698864A (zh) | 2020-06-08 | 2023-02-03 | Asml荷兰有限公司 | 用于光刻设备中的衬底保持器和制造衬底保持器的方法 |
CN115836252A (zh) | 2020-06-24 | 2023-03-21 | Asml荷兰有限公司 | 用于确定辅助特征的印制概率的系统、方法和产品及其应用 |
JP7433181B2 (ja) * | 2020-09-23 | 2024-02-19 | 株式会社Screenホールディングス | 描画装置 |
CN116648672A (zh) | 2020-12-18 | 2023-08-25 | Asml荷兰有限公司 | 用于确定掩模图案和训练机器学习模型的方法 |
JP2024500075A (ja) | 2020-12-23 | 2024-01-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 帯域幅及びスペックルに基づくリソグラフィプロセスの最適化 |
CN116940896A (zh) | 2021-03-03 | 2023-10-24 | Asml荷兰有限公司 | 图案化过程的配置 |
WO2022248217A1 (en) | 2021-05-25 | 2022-12-01 | Asml Netherlands B.V. | Determining mask rule check violations and mask design |
WO2022258398A1 (en) | 2021-06-07 | 2022-12-15 | Asml Netherlands B.V. | Determining rounded contours for lithography related patterns |
WO2023041488A1 (en) | 2021-09-15 | 2023-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Source separation from metrology data |
EP4194950A1 (de) | 2021-12-08 | 2023-06-14 | ASML Netherlands B.V. | Systeme und verfahren zur reduzierung der musterverschiebung in einer lithografievorrichtung |
WO2023110347A1 (en) | 2021-12-16 | 2023-06-22 | Asml Netherlands B.V. | Systems and methods for optimizing lithographic design variables using image-based failure rate model |
WO2024012800A1 (en) | 2022-07-11 | 2024-01-18 | Asml Netherlands B.V. | Systems and methods for predicting post-etch stochastic variation |
WO2024013273A1 (en) | 2022-07-14 | 2024-01-18 | Asml Netherlands B.V. | Determining mask rule check violations and mask design based on local feature dimension |
WO2024022729A1 (en) | 2022-07-27 | 2024-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for particle removal |
WO2024022854A1 (en) | 2022-07-28 | 2024-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Training a machine learning model to generate mrc and process aware mask pattern |
EP4325229A1 (de) | 2022-08-17 | 2024-02-21 | ASML Netherlands B.V. | Verfahren und vorrichtung zur berührungslosen inspektion eines substrats |
EP4343827A1 (de) | 2022-09-21 | 2024-03-27 | ASML Netherlands B.V. | Verfahren und vorrichtung zum bonden von substraten |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4506205A (en) * | 1983-06-10 | 1985-03-19 | The Perkin-Elmer Corporation | Electro-magnetic alignment apparatus |
JPS6018918A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-01-31 | Canon Inc | ステージ装置 |
GB2155201B (en) * | 1984-02-24 | 1988-07-13 | Canon Kk | An x-ray exposure apparatus |
JP2960423B2 (ja) * | 1988-11-16 | 1999-10-06 | 株式会社日立製作所 | 試料移動装置及び半導体製造装置 |
EP0393994B1 (de) * | 1989-04-17 | 1994-06-15 | SHARP Corporation | Linearantriebsgerät |
JPH03273607A (ja) * | 1990-03-23 | 1991-12-04 | Canon Inc | 移動テーブル装置 |
NL9100202A (nl) * | 1991-02-05 | 1992-09-01 | Asm Lithography Bv | Lithografische inrichting met een hangende objecttafel. |
US5301013A (en) * | 1991-07-30 | 1994-04-05 | U.S. Philips Corporation | Positioning device having two manipulators operating in parallel, and optical lithographic device provided with such a positioning device |
US5715064A (en) * | 1994-06-17 | 1998-02-03 | International Business Machines Corporation | Step and repeat apparatus having enhanced accuracy and increased throughput |
JP3800616B2 (ja) * | 1994-06-27 | 2006-07-26 | 株式会社ニコン | 目標物移動装置、位置決め装置及び可動ステージ装置 |
US5763966A (en) * | 1995-03-15 | 1998-06-09 | Hinds; Walter E. | Single plane motor system generating orthogonal movement |
-
1997
- 1997-10-03 EP EP97941149A patent/EP0890136B9/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-10-03 JP JP10528568A patent/JP2000505958A/ja active Pending
- 1997-10-03 DE DE69735016T patent/DE69735016T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-10-03 WO PCT/IB1997/001209 patent/WO1998028665A1/en active IP Right Grant
- 1997-10-03 EP EP01126286A patent/EP1197801B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-10-03 KR KR1019980706593A patent/KR100512450B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-10-03 DE DE69717975T patent/DE69717975T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-10-10 US US08/948,471 patent/US5969441A/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-06-30 JP JP2004192847A patent/JP3993182B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1197801B1 (de) | 2005-12-28 |
JP2000505958A (ja) | 2000-05-16 |
DE69735016D1 (de) | 2006-02-02 |
JP2004363619A (ja) | 2004-12-24 |
WO1998028665A1 (en) | 1998-07-02 |
KR100512450B1 (ko) | 2006-01-27 |
JP3993182B2 (ja) | 2007-10-17 |
DE69717975T2 (de) | 2003-05-28 |
EP0890136B9 (de) | 2003-12-10 |
KR19990087198A (ko) | 1999-12-15 |
US5969441A (en) | 1999-10-19 |
EP0890136B1 (de) | 2002-12-18 |
DE69717975D1 (de) | 2003-01-30 |
EP0890136A1 (de) | 1999-01-13 |
EP1197801A1 (de) | 2002-04-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69735016T2 (de) | Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern | |
DE69829614T2 (de) | Lithographiegerät mit einer positioniervorrichtung mit zwei objekthaltern | |
DE69629087T2 (de) | Positionierungsgerät mit einem referenzrahmen für ein messsystem | |
DE60032568T2 (de) | Positionierungsapparat und damit versehener lithographischer Apparat | |
DE60036771T2 (de) | Lithographischer Apparat mit einem ausbalancierten Positionierungssystem | |
DE2557675C2 (de) | Verfahren zum Ausrichten von mit zwei Markierungen von bekanntem Abstand versehenen planaren Werkstücken | |
DE69610288T3 (de) | Positioniervorrichtung mit kraftantriebssystem für kompensation von schwerpunktsverschiebungen | |
DE3938156C2 (de) | Probenbewegungsvorrichtung | |
DE69826641T2 (de) | Ausrichtungsgerät mit drei im winkel von jeweils 120 grad zueinander stehenden spulen, sowie hiermit ausgerüstetes lithographisches gerät | |
DE3318980C2 (de) | Vorrichtung zum Justieren beim Projektionskopieren von Masken | |
AT405775B (de) | Verfahren und vorrichtung zum ausgerichteten zusammenführen von scheibenförmigen halbleitersubstraten | |
DE69631260T2 (de) | Abtastbelichtungsapparat, Belichtungsverfahren unter Verwendung desselben und Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung | |
DE2817401A1 (de) | Optische vorrichtung zum projizieren von motiven | |
EP0280919A2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten einer Traegerplatte fuer gedruckte Schaltungen, gegenueber der Druckeinrichtung einer Maschine zum Bearbeiten von gedruckten Schaltungen | |
EP3734650A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum ausrichten von substraten | |
DE3926949C2 (de) | Bühnenmechanismus für ein Wafer-Belichtungsgerät | |
DE3706327C2 (de) | Bewegliche Verbundtischanordnung für die fotolithografische Herstellung | |
DE3118632A1 (de) | Belichtungsprojektionsgeraet | |
DE60225229T2 (de) | Lithographischer Projektionsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung | |
DE2411508C2 (de) | Vorrichtung zum Erzeugen von Masken für Mikroschaltkreise | |
DE3142794C2 (de) | Siebdruckverfahren und -vorrichtung | |
DE3928527C2 (de) | ||
DE60209367T2 (de) | Vorrichtung zur messung oder maschinellen bearbeitung eines objekts mit einer verschiebungsstufe mit keilförmigen führungen | |
DE3904863C2 (de) | ||
DE69928328T2 (de) | Lithographischer Projektionsapparat |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |