DE69735016T2 - Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern - Google Patents

Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern Download PDF

Info

Publication number
DE69735016T2
DE69735016T2 DE69735016T DE69735016T DE69735016T2 DE 69735016 T2 DE69735016 T2 DE 69735016T2 DE 69735016 T DE69735016 T DE 69735016T DE 69735016 T DE69735016 T DE 69735016T DE 69735016 T2 DE69735016 T2 DE 69735016T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
component
unit
parallel
mask
actuator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69735016T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69735016D1 (de
Inventor
Erik Roelof Loopstra
Gerrit Maarten Bonnema
Harmen Klaas Van Der Schoot
Gerjan P. Veldhuis
Paulus Martinus Henricus San Jose Beek
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Application granted granted Critical
Publication of DE69735016D1 publication Critical patent/DE69735016D1/de
Publication of DE69735016T2 publication Critical patent/DE69735016T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23QDETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q1/00Members which are comprised in the general build-up of a form of machine, particularly relatively large fixed members
    • B23Q1/25Movable or adjustable work or tool supports
    • B23Q1/44Movable or adjustable work or tool supports using particular mechanisms
    • B23Q1/56Movable or adjustable work or tool supports using particular mechanisms with sliding pairs only, the sliding pairs being the first two elements of the mechanism
    • B23Q1/60Movable or adjustable work or tool supports using particular mechanisms with sliding pairs only, the sliding pairs being the first two elements of the mechanism two sliding pairs only, the sliding pairs being the first two elements of the mechanism
    • B23Q1/62Movable or adjustable work or tool supports using particular mechanisms with sliding pairs only, the sliding pairs being the first two elements of the mechanism two sliding pairs only, the sliding pairs being the first two elements of the mechanism with perpendicular axes, e.g. cross-slides
    • B23Q1/621Movable or adjustable work or tool supports using particular mechanisms with sliding pairs only, the sliding pairs being the first two elements of the mechanism two sliding pairs only, the sliding pairs being the first two elements of the mechanism with perpendicular axes, e.g. cross-slides a single sliding pair followed perpendicularly by a single sliding pair
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23QDETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q1/00Members which are comprised in the general build-up of a form of machine, particularly relatively large fixed members
    • B23Q1/25Movable or adjustable work or tool supports
    • B23Q1/44Movable or adjustable work or tool supports using particular mechanisms
    • B23Q1/56Movable or adjustable work or tool supports using particular mechanisms with sliding pairs only, the sliding pairs being the first two elements of the mechanism
    • B23Q1/60Movable or adjustable work or tool supports using particular mechanisms with sliding pairs only, the sliding pairs being the first two elements of the mechanism two sliding pairs only, the sliding pairs being the first two elements of the mechanism
    • B23Q1/62Movable or adjustable work or tool supports using particular mechanisms with sliding pairs only, the sliding pairs being the first two elements of the mechanism two sliding pairs only, the sliding pairs being the first two elements of the mechanism with perpendicular axes, e.g. cross-slides
    • B23Q1/621Movable or adjustable work or tool supports using particular mechanisms with sliding pairs only, the sliding pairs being the first two elements of the mechanism two sliding pairs only, the sliding pairs being the first two elements of the mechanism with perpendicular axes, e.g. cross-slides a single sliding pair followed perpendicularly by a single sliding pair
    • B23Q1/623Movable or adjustable work or tool supports using particular mechanisms with sliding pairs only, the sliding pairs being the first two elements of the mechanism two sliding pairs only, the sliding pairs being the first two elements of the mechanism with perpendicular axes, e.g. cross-slides a single sliding pair followed perpendicularly by a single sliding pair followed perpendicularly by a single rotating pair
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23QDETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q11/00Accessories fitted to machine tools for keeping tools or parts of the machine in good working condition or for cooling work; Safety devices specially combined with or arranged in, or specially adapted for use in connection with, machine tools
    • B23Q11/0032Arrangements for preventing or isolating vibrations in parts of the machine
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/70741Handling masks outside exposure position, e.g. reticle libraries
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70766Reaction force control means, e.g. countermass
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/709Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70991Connection with other apparatus, e.g. multiple exposure stations, particular arrangement of exposure apparatus and pre-exposure and/or post-exposure apparatus; Shared apparatus, e.g. having shared radiation source, shared mask or workpiece stage, shared base-plate; Utilities, e.g. cable, pipe or wireless arrangements for data, power, fluids or vacuum
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073Alignment marks and their environment
    • G03F9/7084Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682Mask-wafer alignment
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T74/00Machine element or mechanism
    • Y10T74/20Control lever and linkage systems
    • Y10T74/20207Multiple controlling elements for single controlled element
    • Y10T74/20213Interconnected

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Library & Information Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Machine Tool Units (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft Lithographievorrichtungen zur Abbildung eines Maskenmusters auf einem Substrat.
  • Eine Positioniervorrichtung der Art, wie sie im Oberbegriff genannt ist, ist aus der EP-A-0 525 872 bekannt. Die bekannte Positioniervorrichtung wird in einer optischen Lithographievorrichtung bei der Herstellung integrierter Halbleiterschaltkreise mittels eines optischen Lithographieprozesses verwendet. Die Lithographievorrichtung bildet Untermuster solcher Halbleiterschaltkreise, welche auf einer Maske in verkleinertem Maßstab vorhanden sind, mittels einer Lichtquelle und einem Linsensystem auf einem Halbleitersubstrat ab. Da solche Halbleiterschaltkreise einen komplizierten Aufbau haben, sollten die Halbleitersubstrate mehrmals belichtet werden, jedes Mal mit einer unterschiedlichen Maske mit einem unterschiedlichen Untermuster. Die Masken werden nacheinander aus einem Magazin entnommen und in einer Betriebsposition in der lithographischen Vorrichtung mittels der bekannten Positioniervorrichtung angeordnet. Während der Bewegung einer Maske vom Magazin in die Betriebsposition durchläuft die Maske eine Messposition, wo eine Position gemessen wird, welche von der Maske relativ zu einer Referenz in der lithographischen Vorrichtung eingenommen wird. Eine Position des Objekthalters, mittels dem die Maske bewegt wird, wird während der Bewegung der Maske von der Messposition in die Betriebsposition relativ zu der Referenz gemessen, so dass die Maske bezüglich der Referenz mittels einer geeigneten Verschiebung des Objekthalters in einer gewünschten Betriebsposition angeordnet werden kann. Der betreffende Objekthalter hält die Maske während der Belichtung des Halbleitersubstrats in der gewünschten Betriebsposition. In der Zwischenzeit entnimmt der andere Objekthalter eine nächste Maske aus dem Magazin und bewegt sie in die Messposition. Die Verwendung der beiden Verschiebungseinheiten mit den beiden Objekthaltern macht es somit möglich, die Position einer folgenden Maske relativ zur Referenz bereits dann zu messen, während eine vorherige Maske in der Betriebsposition ist und das Halbleitersubstrat durch diese vorherige Maske hindurch belichtet wird. Die Produktionsleistung der lithographischen Vorrichtung wird auf diese Weise wesentlich erhöht.
  • Die Verwendung einer Positioniervorrichtung der in dem Oberbegriff erwähnten Art ist weiterhin allgemein in Werkzeugmaschinen und Bearbeitungsanlagen bekannt. In diesem Fall wird eine von einem Werkstück eingenommene Position, welches von einem der beiden Objekthalter gelagert wird, relativ zu diesem Objekthalter in der Messposition abgemessen. Dann wird der betreffende Objekthalter mit dem Werkstück in die Betriebsposition bewegt, in der das Werkstück bearbeitet werden soll. Eine von dem betreffenden Objekthalter relativ zu einer Referenz des Maschinenwerkzeugs eingenommene Position wird in der Betriebsposition gemessen, mit dem Ergebnis, dass das Werkstück in eine gewünschte Betriebsposition bezüglich der Referenz gebracht werden kann. Auch hier erhöht wieder die Verwendung der beiden Verschiebungseinheiten mit den beiden Objekttischen die Produktionsleistung bei Maschinenwerkzeugen oder Bearbeitungsanlagen erheblich, da ein nächstes Werkstück bereits in die Messposition bewegt wird, während ein vorhergehendes Werkstück bearbeitet wird.
  • Die erste und die zweite Verschiebungseinheit der bekannten Positioniervorrichtung weist jeweils ein erstes Bauteil auf, welches an dem betreffenden Objekthalter befestigt ist und ein zweites Bauteil, welches an einer Basis befestigt ist, wobei das erste Bauteil und das zweite Bauteil einer jeden Verschiebungseinheit relativ zueinander verschiebbar sind, während sie aufeinander eine Antriebskraft ausüben. Ein Nachteil der bekannten Positioniervorrichtung ist, dass die beiden Bauteile der Verschiebungseinheiten jeweils an der Basis befestigt sind, was folglich eine gemeinsame Basis für die erste und die zweite Verschiebungseinheit bildet. Reaktionskräfte werden auf die zweiten Bauteile während der Verschiebung der Objekthalter ausgeübt, wobei diese Kräfte in die Basis übertragen werden. Diese Reaktionskräfte führen zu mechanischen Vibrationen in der Basis, welche wiederum auf die zweiten Bauteile und die Objekthalter übertragen werden. Wenn der erste Objekthalter beispielsweise in der Betriebsposition ist, entstehen mechanische Vibrationen in dem ersten Objekthalter als Ergebnis von Reaktionskräften, welche von der zweiten Verschiebungseinheit während der Verschiebung einer nächsten Maske von dem Magazin in die Messposition auf die Basis ausgeübt werden. Eine derartige Wechselwirkung zwischen den beiden Verschiebungseinheiten führt zu Positionierungsgenauigkeiten der Verschiebungseinheit, welche üblicherweise unerwünscht sind. Zusätzlich werden die in der Basis erzeugten mechanischen Vibrationen auch auf andere Bauteile der Vorrichtung übertragen, in der die bekannte Positioniervorrichtung verwendet wird, was üblicherweise ebenfalls unerwünscht ist.
  • Es ist eine Aufgabe der Erfindung, eine Positioniervorrichtung der in der Einleitung genannten Art zu schaffen, deren Basis den beiden Verschiebungseinheiten gemeinsam ist, wobei die unerwünschte Wechselwirkung der beiden Verschiebungseinheiten gemäß obiger Erläuterung soweit als möglich vermieden ist.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine Lithographievorrichtung geschaffen, welche aufweist:
    Eine Strahlungsquelle zum Bereitstellen eines Lichtstrahls zur Beleuchtung einer Maske;
    einen ersten Objekthalter zum Halten der Maske;
    ein Projektionssystem zum Abbilden eines Maskenmusters auf ein Substrat; und
    einen zweiten Objekthalter zum Halten eines Substrats; und
    eine Verschiebungseinheit zum Verschieben eines Objekthalters in Bezug auf eine Basis der Vorrichtung in X- und Y-Richtungen, wobei die Verschiebungseinheit erste und zweite Bauteile aufweist, welche relativ zueinander verschiebbar sind und beim Betrieb wechselseitig eine Antriebskraft aufeinander ausüben, wobei das erste Bauteil der Verschiebungseinheit mit dem einen der genannten Objekthalter verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Bauteil der Verschiebungseinheit mit einer Ausgleichseinheit verbunden ist, welche verschiebbar in Bezug auf die Basis geführt ist, so dass sie in den X- und Y-Richtungen bewegbar und um zumindest eine Achse drehbar ist, die parallel ist zur Z-Richtung.
  • Es sei festzuhalten, dass der Ausdruck "Kraftbetätiger" so zu verstehen ist, dass er einen Betätiger zur Erzeugung einer Antriebskraft mit einem bestimmten Wert bedeutet. Neben solchen Kraftbetätigern sind sogenannte Positionsbetätiger zur Erzeugung von Verschiebungen mit einem bestimmten Wert bekannt.
  • Eine spezielle Ausführungsform einer Positioniervorrichtung gemäß der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Ausgleichseinheit einen Stützkörper aufweist, der mit einer Führungsoberfläche versehen ist, welcher sich parallel zur X-Richtung und parallel zur Y-Richtung erstreckt, welche gemeinsam zu beiden Objekthaltern ist und entlang der die beiden Objekthalter parallel zur X-Richtung und parallel zur Y-Richtung verschiebbar sind, wobei die Objekthalter beide mit einem Verbindungsbauteil versehen sind, mittels dem der betreffende Objekthalter wiederum mit dem ersten Bauteil des X-Betätigers der ersten Verschiebungseinheit und mit dem ersten Bauteil des X-Betätigers der zweiten Verschiebungseinheit verbindbar ist. Die Objekthalter in dieser Ausführungsform sind über die gemeinsame Führungsfläche verschiebbar geführt, welche zu der Ausgleichseinheit gehört, beispielsweise mittels statischer Gaslager. Der Stützkörper ist beispielsweise eine Granitplatte und hat eine zweifache Funktion, das heißt eine Lagerung und Führung der beiden Objekthalter und die Ausbildung einer Ausgleichseinheit für die beiden Verschiebungseinheiten. Wenn der erste Objekthalter von der Messposition in die Betriebsposition bewegt wird und der zweite Objekthalter von der Betriebsposition in die Messposition bewegt wird, müssen die Objekthalter über der gemeinsamen Führungsoberfläche aneinander vorbeilaufen. Um dies zu erreichen, wird der erste Objekthalter von der Messposition in eine erste Zwischenposition zwischen der Messposition und der Betriebsposition mittels der ersten Verschiebungseinheit verschoben, während der zweite Objekthalter von der Betriebsposition eine zweite Zwischenposition benachbart der ersten Zwischenposition zwischen der Messposition und der Betriebsposition mittels der zweiten Verschiebungseinheit verschoben wird. In den Zwischenpositionen wird der erste Objekthalter von der ersten Verschiebungseinheit getrennt und mit der zweiten Verschiebungseinheit verbunden, wohingegen der zweite Objekthalter von der zweiten Verschiebungseinheit getrennt und mit der ersten Verschiebungseinheit verbunden wird. Dann wird der erste Objekthalter von der ersten Zwischenposition in die Betriebsposition mittels der zweiten Verschiebungseinheit bewegt, während der zweite Objekthalter von der zweiten Zwischenposition in die Messposition mittels der ersten Verschiebungseinheit bewegt wird. Da die Objekthalter mit den Verbindungsbauteilen versehen sind, wird eine Distanz, über die die ers ten Bauteile der Verschiebungseinheiten relativ zu den betreffenden kooperierenden zweiten Bauteilen der Verschiebungseinheiten verschiebbar sein müssen, verringert, so dass die nötigen Abmessungen für die Verschiebungseinheiten verringert werden. Zusätzlich wird verhindert, dass verschiebbare Bauteile der ersten Verschiebungseinheit und verschiebbare Bauteile der zweiten Verschiebungseinheiten in der Lage sein müssen, aneinander vorbeilaufen zu können, was zu einem vergleichsweise komplizierten Aufbau der Verschiebungseinheiten führen würde.
  • Eine weitere Ausführungsform einer Positioniervorrichtung gemäß der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindungsbauteile der Objekthalter jeweils einen XY-Lorentzkraftbetätiger aufweisen, der mit einem ersten Bauteil, befestigt an dem betreffenden Objekthalter, und mit einem zweiten Bauteil, befestigt an dem ersten Bauteil, des X-Betätigers der betreffenden Verschiebungseinheit befestigt ist, wobei die ersten Bauteile der XY-Lorentzkraftbetätiger jeweils in der Lage sind, mit den zweiten Bauteilen der zwei XY-Lorentzkraftbetätiger zusammen zu wirken. Die XY-Lorentzkraftbetätiger haben jeweils eine Doppelfunktion, so dass ein einfacher und praktischer Aufbau der Positioniervorrichtung geschaffen wird. Die Objekthalter können jeweils über vergleichsweise geringe Distanzen und mit vergleichsweise hohen Genauigkeiten relativ zu dem ersten Bauteil des X-Betätigers der betreffenden Verschiebungseinheit mittels der XY-Lorentzkraftbetätiger verschoben werden. Da das erste Bauteil und das zweite Bauteil eines solchen Lorentzkraftbetätiger miteinander ausschließlich durch eine Lorentzkraft verbunden sind, können die Bauteile auf einfache Weise durch Deaktivierung bzw. Aktivierung der Lorentzkraft getrennt bzw. verbunden werden. Eine Konstruktion der ersten Bauteile der XY-Lorentzkraftbetätiger derart, dass sie jeweils mit beiden zweiten Bauteilen der XY-Lorentzkraftbetätiger zusammenwirken können, hat zum Ergebnis, dass das erste Bauteil eines jeden der beiden XY-Lorentzkraftbetätiger von dem zweiten Bauteil des anderen XY-Lorentzkraftbetätigers in der Zwischenposition der Objekthalter übernommen werden kann.
  • Die Erfindung schafft auch ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung einer Lithographievorrichtung, wobei das Verfahren aufweist die Schritte von:
    Projizieren eines Bildes eines Maskenmusters auf eine Maske, die in einem ersten Objekthalter gehalten ist, auf ein Substrat, das in einem zweiten Objekthalter gehalten ist;
    Verschieben eines der genannten ersten und zweiten Objekthalter relativ zu einer Basis der Lithographievorrichtung in X- und Y-Richtungen unter Verwendung einer Verschiebungseinheit mit ersten und zweiten Bauteilen, welche relativ zueinander verschiebbar sind und eine Antriebskraft aufeinander beim Betrieb ausüben, wobei das erste Bauteil der Verschiebungseinheit mit dem genannten einen der Objekthalter verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Bauteil mit einer Ausgleichseinheit verbunden ist, welche verschiebbar in Bezug auf die Basis geführt ist, so dass sie in den X- und Y-Richtungen bewegbar und um zumindest eine Achse parallel zur Z-Richtung drehbar ist.
  • Die Erfindung wird nun genauer nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnung erläutert, in der:
  • 1 schematisch eine Lithographievorrichtung mit einem verschiebbaren Substrathalter gemäß der Erfindung zeigt;
  • 2 schematisch eine Draufsicht auf eine erste Ausführungsform einer Positioniervorrichtung gemäß der Erfindung zeigt, mit der der Substrathalter der Lithographievorrichtung von 1 verschoben werden kann;
  • 3 die Positioniervorrichtung von 2 in einer gedrehten Position zeigt;
  • 4 eine schematische Draufsicht auf eine zweite Ausführungsform einer Positioniervorrichtung gemäß der Erfindung zeigt, mit der der Substrathalter der Lithographievorrichtung von 1 verschoben werden kann;
  • 5 die Positioniervorrichtung von 4 zeigt, wobei zwei Substrathalter der Positioniervorrichtung in einer Zwischenposition sind;
  • 6 schematisch eine Lithographievorrichtung mit einem verschiebbaren Substrathalter und einem verschiebbaren Maskenhalter gemäß der Erfindung zeigt; und
  • 7 schematisch eine weitere Positioniervorrichtung gemäß der Erfindung zeigt, welche für die Verschiebung des Maskenhalters in der Lithographievorrichtung von 6 verwendet wird.
  • Die Lithographievorrichtung gemäß der Erfindung, welche schematisch in 1 gezeigt ist, wird für die Herstellung integrierter Halbleiterschaltkreise durch einen optischen Lithographieprozess und mittels eines Abbildungsverfahrens verwendet, welches dem sogenannten "step and repeat"-Prinzip folgt. Wie 1 schematisch zeigt, ist die Lithographievorrichtung mit einem Rahmen 1 versehen, der in der folgenden Reihenfolge und parallel zu einer vertikalen Z-Richtung trägt: eine Positioniervorrichtung 3 gemäß der Erfindung, eine Fokussiereinheit 5, einen Maskenhalter 7 und eine Strahlungsquelle 9. Die Positioniervorrichtung 3 weist einen ersten Substrathalter 11 und einen identischen zweiten Substrathalter 13 auf. Die Lithographievorrichtung gemäß 1 ist eine optische Lithographievorrichtung, deren Strahlungsquelle 9 eine Lichtquelle 15 aufweist. Die Substrathalter 11 und 13 weisen eine Stützfläche 17 auf, welche sich senkrecht zur Z-Richtung erstreckt und auf der ein erstes Halbleitersubstrat 19 angeordnet werden kann, sowie eine Stützfläche 21, welche sich senkrecht zur Z-Richtung erstreckt und auf der ein zweites Halbleitersubstrat 22 angeordnet werden kann. Der erste Substrathalter 11 ist relativ zum Rahmen 1 parallel zu einer X-Richtung senkrecht zur Z-Richtung und parallel zu einer Y-Richtung senkrecht zur X-Richtung und senkrecht zur Z-Richtung mittels einer ersten Verschiebungseinheit 25 der Positioniervorrichtung 3 verschiebbar, während der zweiten Substrathalter 13 relativ zum Rahmen 1 parallel zur X-Richtung und parallel zur Y-Richtung mittels einer zweiten Verschiebungseinheit 24 der Positioniervorrichtung 3 verschiebbar ist. Die Fokussiereinheit 5 ist ein Abbildungs- oder Projektionssystem und weist ein optisches Linsensystem 29 mit einer optischen Hauptachse 31, welche parallel zur Z-Richtung verläuft, auf, und deren optischer Verkleinerungsfaktor beispielsweise 4 oder 5 beträgt. Der Maskenhalter 7 weist eine Stützfläche 33 auf, welche sich senkrecht zur Z-Richtung erstreckt und auf der eine Maske 35 angeordnet werden kann. Die Maske 35 weist ein Muster oder Untermuster eines integrierten Halbleiterschaltkreises auf. Im Betrieb wird ein von der Lichtquelle 15 kommender Lichtstrahl durch die Maske 35 geführt und mittels des Linsensystems 29 auf das erste Halbleitersubstrat 19 fokussiert, so dass das auf der Maske 35 vorhandene Muster im verkleinerten Maßstab auf dem ersten Halbleitersubstrat 19 abgebildet wird. Das erste Halbleitersubstrat 19 weist eine große Anzahl individueller Felder auf, auf denen identische Halbleiterschaltkreise angeordnet sind. Die Felder des ersten Halbleitersubstrates 19 werden aufeinanderfolgend durch die Maske 35 zu diesem Zweck belichtet. Während der Belichtung eines einzelnen Feldes des ersten Halbleitersubstrats 19 sind das erste Halbleitersubstrat 19 und die Maske 35 relativ zur Fokussiereinheit 5 in festen Positionen, wohingegen nach der Belichtung eines einzelnen Feldes ein nächstes Feld in Position relativ zur Fokussiereinheit 5 gebracht wird, indem der erste Substrathalter 11 durch die erste Verschiebungseinheit 25 parallel zur X-Richtung und/oder parallel zur Y-Richtung verschoben wird. Dieser Prozess wird eine Anzahl Male wiederholt und jedesmal mit einer unterschiedlichen Maske, so dass komplizierte integrierte Halbleiterschaltkreise mit einer Schichtstruktur hergestellt werden. Die mittels der Lithographievorrichtung herzustellenden integrierten Halbleiterschaltkreise haben einen Aufbau mit Detailabmessungen, welche im Sub-Micron-Bereich liegen. Da das erste Halbleitersubstrat 19 nacheinander durch eine Anzahl unterschiedlicher Masken belichtet wird, sollte das auf diesen Masken vorhandene Muster auf dem Halbleitersubstrat 19 mit einer Genauigkeit abgebildet werden, welche ebenfalls im Sub-Micron-Bereich oder sogar im Nanometerbereich liegt. Daher muss das Halbleitersubstrat 19 relativ zur Fokussiereinheit 15 vergleichsweise genau zwischen den beiden aufeinanderfolgenden Belichtungsschritten positioniert werden, so dass sehr hohe Anforderungen an die Positioniergenauigkeit der Positioniervorrichtung gestellt werden.
  • Eine Anzahl von sich in der Herstellung befindlichen Halbleitersubstraten wird nacheinander durch die Maske 35 in der Lithographievorrichtung gemäß 1 belichtet, wobei die Anzahl aufeinanderfolgend durch eine nächste Maske belichtet wird. Dieser Prozess wird eine Anzahl Male wiederholt, und zwar jedesmal mit einer anderen Maske. Die zu belichtenden Halbleitersubstrate liegen in einem Magazin vor, aus welchem die Halbleitersubstrate aufeinanderfolgend mittels eines Transportmechanismus in eine Messpositioniervorrichtung 3 bewegt werden. Das Magazin und der Transportmechanismus, welche beide von üblicher Art und per se bekannt sind, sind in 1 aus Gründen der Einfachheit nicht gezeigt. In dem Zustand der Lithographievorrichtung gemäß 1 ist der erste Substrathalter 11 in einer Betriebsposition, in der das erste Halbleitersubstrat 19, das auf dem ersten Substrathalter 11 liegt, von der Strahlungsquelle 9 durch die Fokussiereinheit 5 bestrahlt werden kann. Der zweite Substrathalter 13 ist in der Messposition der Positioniervorrichtung 3, in der eine Position des zweiten Halbleitersubstrates 23, welches auf dem zweiten Substrathalter 13 liegt, relativ zu dem zweiten Substrathalter 13 in Richtungen parallel zur X-Richtung und parallel zur Y-Richtung mittels einer optischen Positionsmesseinheit 37 der Lithographievorrichtung gemessen werden kann, wobei diese Einheit nur in 1 schematisch dargestellt ist und in der das zweite Halbleitersubstrat 23 bezüglich dem zweiten Substrathalter 13 mit einer bestimmten Genauigkeit mittels des Transportmechanismus positioniert ist. Wie 1 zeigt, ist die optische Positionsmesseinheit 37 ebenfalls an dem Rahmen 1 befestigt. Nachdem die Belichtung des ersten Halbleitersubstrats 19 abgeschlossen ist, wird der erste Substrathalter 11 von der Positioniervorrichtung 3 auf eine weiter unten noch zu erläuternde Weise von der Betriebsposition in die Messposition verschoben, von der das erste Halbleitersubstrat 19 durch den Transportmechanismus in das Magazin zurückgeführt wird. Gleichzeitig wird das zweite Halbleitersubstrat 23 durch die Positioniervorrichtung 3 auf eine noch näher zu erläuternde Weise von der Messposition in die Betriebsposition verschoben. Da die Position des zweiten Halbleitersubstrats 23 relativ zu dem zweiten Substrathalter 13 bereits in der Messposition gemessen wurde, und das zweite Halbleitersubstrat 23 bereits relativ zu dem zweiten Substrathalter 19 mit einer gewünschten Genauigkeit positioniert worden ist, ist eine vergleichsweise einfache Messung der Position des zweiten Substrathalters 13 relativ zum Rahmen 1 und der Fokussiereinheit 5 in der Betriebsposition ausreichend. Die Messung und Positionierung eines Halbleitersubstrats relativ zu einem Substrathalter benötigt ver gleichsweise viel Zeit, so dass die Verwendung der Positioniervorrichtung 3 gemäß der Erfindung mit den beiden Verschiebungseinheiten 25 und 27 einen erheblichen Anstieg der Produktionsleistung im Vergleich zu der Lithographievorrichtung mit nur einem Substrathalter ermöglicht, wo die Ausrichtung des Halbleitersubstrats relativ zu dem Substrathalter in der Betriebsposition stattfindet.
  • Die 2 und 3 zeigen eine erste Ausführungsform einer Positioniervorrichtung 3 gemäß der Erfindung, welche zur Verwendung in der Lithographievorrichtung von 1 geeignet ist. Die beiden Verschiebungseinheiten 25 und 27 der Positioniervorrichtung 3 sind jeweils mit einem X-Betätiger 39, 41 und einem Y-Betätiger 43, 45 versehen. Die X-Betätiger 39, 41 sind jeweils mit einem ersten Bauteil 47, 49 versehen, welches sich parallel zur X-Richtung erstreckt, welches mit dem Substrathalter 11, 13 der betreffenden Verschiebungseinheit 25, 27 befestigt ist und welches relativ zu einem zweiten Bauteil 51, 53 des betreffenden X-Betätigers 39, 41 verschiebbar ist. Die Y-Betätiger 43, 45 sind jeweils mit einem ersten Bauteil 55, 57 versehen, welches mit dem zweiten Bauteil 51, 53 des X-Betätigers 39, 41 der betreffenden Verschiebungseinheit 25, 27 in Verbindung ist und welches relativ zu einem zweiten Bauteil 59, 61 des relevanten Y-Betätigers 43, 45 verschiebbar ist, das sich parallel zur Y-Richtung erstreckt. Die X-Betätiger 39, 41 und die Y-Betätiger 43, 45 sind sogenannte Kraftbetätiger, wobei die ersten Bauteile 47, 49 und die zusammenwirkenden zweiten Bauteile 51, 53 der X-Betätiger 39, 41 eine gegenseitige Antriebskraft eines bestimmten Wertes parallel zur X-Richtung im Betrieb aufbringen, wohingegen die ersten Bauteile 55, 57 und die zusammenwirkenden zweiten Bauteile 59, 61 der Y-Betätiger 43, 45 eine gegenseitige Antriebskraft parallel zur Y-Richtung im Betrieb aufbringen, welche ebenfalls einen bestimmten Wert hat. Die Kraftbetätiger sind beispielsweise sogenannte lineare Lorentzkraft-Motoren, welche üblich und per se bekannt sind und welche im Betrieb ausschließlich eine Lorentzkraft eines bestimmten Wertes erzeugen. Die Substrathalter 11, 13 sind somit jeweils parallel zur X-Richtung unabhängig voneinander mittels einer geeigneten Antriebskraft der X-Betätiger 43, 45 der betreffenden Verschiebungseinheit 25, 27 verschiebbar. Die Substrathalter 11, 13 sind jeweils zusammen mit dem X-Betätiger 43, 45 der betreffenden Verschiebungseinheit 25, 27 parallel zur Y-Richtung unabhängig voneinander mittels einer geeigneten Antriebskraft des Y-Betätigers 43, 45 der betreffenden Verschiebungseinheit 25, 27 verschiebbar.a
  • Wie die 2 und 3 weiterhin zeigen, sind die Y-Betätiger 43, 45 der Verschiebungseinheiten 25, 27 mit einer gemeinsamen geradlinigen Führung 63 versehen, entlang der die ersten Bauteile 55 und 57 der Y-Betätiger 43 und 45 verschiebbar geführt sind, und zwar parallel zur Y-Richtung gesehen. Die Positioniervorrichtung 3 ist weiterhin mit einer drehbaren Einheit 65 versehen, welche in den Figuren nur schematisch gezeigt ist und welche mit einem ersten scheibenförmigen Bauteil 67, welches mit einer Ausgleichseinheit 69 der Positioniervorrichtung 3 verbunden ist, welche nachfolgend noch näher beschrieben wird und einem zweiten scheibenförmigen Bauteil 71 versehen ist, welches mit der gemeinsamen geradlinigen Führung 63 verbunden ist. Das zweite scheibenförmige Bauteil 71 ist relativ zum ersten scheibenförmigen Bauteil 67 um eine Drehachse 73 drehbar, welche parallel zur Z-Richtung verläuft. Zu diesem Zweck ist die drehbare Einheit 65 mit einem Elektromotor 75 versehen, der in den Figuren nur schematisch dargestellt ist und der mit der Ausgleichseinheit 69 verbunden und mit dem zweiten scheibenförmigen Bauteil 71 mittels eines Antriebsriemens 77 verbunden ist. Nachdem das erste Halbleitersubstrat 19 in der Betriebsposition im Betrieb belichtet wurde und das zweite Halbleitersubstrat 23 in der Messposition relativ zum zweiten Substrathalter 13 ausgerichtet wurde, wird das zweite scheibenförmige Bauteil 71 der drehbaren Einheit 65 um die Drehachse 73 um einen Winkel von 180° relativ zum ersten scheibenförmigen Bauteil 67 gedreht, so dass die gemeinsame geradlinige Führung 63 zusammen mit der ersten Verschiebungseinheit 25 und der zweiten Verschiebungseinheit 27 um die Drehachse 63 gedreht wird. Besagte Drehung der gemeinsamen geradlinigen Führung 63 bewirkt, dass die erste Verschiebungseinheit 25 mit dem ersten Substrathalter 11 in ihrer Gesamtheit von der Betriebsposition in die Messposition verschoben wird, während die zweite Verschiebungseinheit 27 mit dem zweiten Substrathalter 13 in ihrer Gesamtheit von der Messposition in die Betriebsposition verschoben wird. 3 zeigt die Positioniervorrichtung 3 in einer Position, in der die gemeinsame geradlinige Führung 63 einen Teil der Gesamtdrehbewegung von 180° durchgeführt hat.
  • Die Ausgleichseinheit 69 der oben erläuterten Positioniervorrichtung 3 weist einen vergleichsweise schweren Ausgleichsblock auf, der beispielsweise aus Granit gefertigt ist. Die Ausgleichseinheit 69 ist parallel zur X-Richtung und parallel zur Y-Richtung gesehen über einer Führungsoberfläche 79 verschiebbar geführt, welche sich parallel zur X-Richtung und parallel zur Y-Richtung erstreckt, und zwar mittels statischer Gaslager, die in den 2 und 3 nicht sichtbar sind. Die Führungsoberfläche 79 ist auf einer Basis 81 der Positioniervorrichtung 3 gemäß 1 angeordnet, wobei diese Basis am Rahmen 1 der Lithographievorrichtung befestigt ist. Die zweiten Bauteile 59 und 61 der Y-Betätiger 43 und 45 der beiden Verschiebungseinheiten 25 und 27 sind parallel zur X-Richtung und parallel zur Y-Richtung gesehen mit der Ausgleichseinheit 69 über die gemeinsame geradlinige Führung 63 und die drehbare Einheit 65 verbunden, so dass die Ausgleichseinheit 69 somit eine gemeinsame Ausgleichseinheit für die beiden Verschiebungseinheiten 25 und 27 der Positioniervorrichtung 3 bildet. Im Betrieb werden Reaktionskräfte der Y-Betätiger 43 und 45, welche aus Antriebskräften entstehen, die von den Y-Betätigern 43 und 45 erzeugt werden und von den ersten Bauteilen 55 und 57 der Y-Betätiger 43 und 45 auf die zweiten Bauteile 59 und 61 ausgeübt werden, über die gemeinsame geradlinige Führung 63 und die drehbare Einheit 65 in die Ausgleichseinheit 69 übertragen. Reaktionskräfte der X-Betätiger 39 und 41, welche aus Antriebskräften entstehen, die von den X-Betätigern 39 und 41 erzeugt werden, und von den ersten Bauteilen 47 und 49 der X-Betätiger 39 und 41 auf die zweiten Bauteile 51 und 53 ausgeübt werden, werden über die ersten Bauteile 55 und 57 und die zweiten Bauteile 59 und 61 der Y-Betätiger 43 und 45, die gemeinsame geradlinige Führung 63 und die drehbare Einheit 65 in die Ausgleichseinheit 69 übertragen. Da die Ausgleichseinheit 69 über der Führungsfläche 79 parallel zur X-Richtung und parallel zur Y-Richtung verschiebbar ist, wird die Ausgleichseinheit 69 relativ zur Basis 81 parallel zur X-Richtung und/oder parallel zur Y-Richtung unter dem Einfluss der Reaktionskräfte verschoben, welche in die Ausgleichseinheit 69 übertragen werden. Die Ausgleichseinheit 69 ist vergleichsweise schwer, so dass Distanzen, über welche die Ausgleichseinheit 69 relativ zur Basis 81 verschoben wird, vergleichsweise klein sein werden. Die Reaktionskräfte der beiden Verschiebungseinheiten 25 und 27 werden somit in Verschiebungen der Ausgleichseinheit 69 über der Führungsoberfläche 79 umgewandelt, so dass diese Reaktions kräfte keine mechanischen Vibrationen in der Ausgleichseinheit 69, der Basis 61 der Positioniervorrichtung 3 und dem Rahmen 1 der Lithographievorrichtung bewirken. Solche mechanischen Vibrationen sind unerwünscht, da sie zu unerwünschten Positionierungenauigkeiten der beiden Verschiebungseinheiten 25 und 27 führen.
  • Wie oben beschrieben wurde, weisen die X-Betätiger 39 und 41 und die Y-Betätiger 43 und 45 der Verschiebungseinheiten 25 und 27 sogenannte Kraftbetätiger zur Erzeugung einer Antriebskraft eines bestimmten Wertes auf. Die Verwendung solcher Kraftbetätiger führt dazu, dass die Werte der Antriebskräfte für die Verschiebungseinheiten 25 und 27 im Wesentlichen unabhängig von den Positionen sind, die von den ersten Bauteilen 47, 49, 55, 57 der X-Betätiger 39, 41 und der Y-Betätiger 43, 45 relativ zu den zweiten Bauteilen 51, 53, 59, 61 eingenommen werden. Da die Positionen der Substrathalter 11 und 13 relativ zur Basis 81 aus den Werten der Antriebskräfte der ersten Verschiebungseinheit 25 und der zweiten Verschiebungseinheit 27 folgen, sind besagte Positionen der Substrathalter 11 und 13 im Wesentlichen unabhängig von den Relativpositionen der ersten Bauteile 47, 49, 55, 57 und der zweiten Bauteile 51, 53, 59, 61 der Verschiebungseinheiten 25 und 27 aufgrund der Verwendung der Kraftbetätiger und folglich im Wesentlichen unabhängig von der Position der Ausgleichseinheit 69, die mit den zweiten Bauteilen 59 und 61 relativ zu den Substrathaltern 11 und 13 verbunden ist und mit den ersten Bauteilen 47 und 49 verbunden ist. Es ist folglich klar, dass Verschiebungen der Ausgleichseinheit 69 relativ zur Basis 81, die parallel zur X-Richtung gerichtet sind, Verschiebungen der Ausgleichseinheit 69 relativ zur Basis 81, die parallel zur Y-Richtung gerichtet sind und Verschiebungen zur Ausgleichseinheit 69 relativ zur Basis 81 mit sowohl einer Komponente parallel zur X-Richtung als auch einer Komponente parallel zur Y-Richtung im Wesentlichen keinen Einfluss auf die Positionen der Substrathalter 11 und 13 relativ zur Basis 81 haben. Solche Verschiebungen der Ausgleichseinheit 69 entstehen, wie oben beschrieben, als Ergebnis der Reaktionskräfte der Verschiebungseinheiten 25 und 27. Man erreicht somit, dass in der Situation gemäß 1 die Position des zweiten Substrathalters 13 relativ zur Positionsmesseinheit 37 und die Position des ersten Substrathalters 11 relativ zur Fokussiereinheit 5 nicht durch mechanische Vibrationen oder durch besagte Verschiebungen der Ausgleichseinheit 69 beeinflusst werden, so dass gegenseitige Wechselwirkungen zwischen den Positionsgenauigkeiten der Verschiebungseinheiten 25 und 27 aufgrund der Reaktionskräfte der Verschiebungseinheiten 25 und 27 verhindert werden.
  • Da die Reaktionskräfte der Verschiebungseinheiten 25 und 27 zu einem mechanischen Moment an der Ausgleichseinheit 69 führen, wird die Ausgleichseinheit 69 nicht nur parallel zur X-Richtung und/oder parallel zur Y-Richtung unter dem Einfluss der Reaktionskräfte verschoben, sondern auch um eine Drehachse gedreht, welche parallel zur Z-Richtung verläuft. Im Gegensatz zu Verschiebungen der Ausgleichseinheit 69 parallel zur X-Richtung und/oder parallel zur Y-Richtung, welche im Wesentlichen keinen Einfluss auf die Positionen der Substrathalter 11 und 13 relativ zur Basis 81 aufgrund der Verwendung der Kraftbetätiger haben, beeinflussen solche Drehungen der Ausgleichseinheit 69 die Positionen der Substrathalter 11 und 13 relativ zur Basis 81 im Allgemeinen schon, wenn keine weiteren Gegenmaßnahmen ergriffen werden. Um so einen unerwünschten Einfluss zu verhindern, ist die Positioniervorrichtung 3 mit einer Steuereinheit 83 versehen, welche in 2 schematisch dargestellt ist und mit zwei optischen Positionssensoren 85 und 87 zusammenwirkt, die an der Basis 81 der Positioniervorrichtung 3 befestigt sind. Die Positionssensoren 85 und 87 messen eine Richtung der gemeinsamen geradlinigen Führung 63 relativ zur Y-Richtung. Der Elektromotor 75 der drehbaren Einheit 65 wird von der Steuereinheit 83 so gesteuert, dass die gemeinsame geradlinige Führung 63 im Betrieb in einer Position parallel zur Y-Richtung gehalten wird, mit Ausnahme derjenigen Momente, zu denen die geradlinige Führung 63 um 180° gedreht wird. Die ersten Bauteile 47 und 49 der X-Betätiger 39 und 41 werden somit in einer Position parallel zur X-Richtung gehalten. Da die gemeinsame geradlinige Führung 63 in einer Position parallel zur Y-Richtung aufgrund der Steuereinheit 83 gehalten wird, haben Verschiebungen der Ausgleichseinheit 69 relativ zur Basis 81 parallel zur X-Richtung und/oder parallel) zur Y-Richtung und haben auch Drehungen der Ausgleichseinheit 69 relativ zur Basis 81 im Wesentlichen keinen Einfluss auf die Positionen der Substrate 11 und 13 relativ zur Basis 81, so dass gegenseitige Wechselwirkungen zwischen den Positionsgenauigkeiten und Verschiebungseinheiten 25 und 27 aufgrund von Drehungen der Ausgleichseinheit 69, die von den Reaktionskräften erzeugt werden, verhindert sind.
  • Die Tatsache, dass die Ausgleichseinheit 69 über der Führungsoberfläche 79 mittels statischer Gaslager geführt wird, schafft eine im Wesentlichen reibungslose Führung der Ausgleichseinheit 69 entlang der Führungsoberfläche 79. Die Verschiebungen der Ausgleichseinheit 69 aufgrund der Reaktionskräfte werden von Reibungskräften zwischen der Ausgleichseinheit 69 und der Führungsoberfläche 79 im Ergebnis im Wesentlichen nicht gestört, so dass die Reaktionskräfte im Wesentlichen vollständig in Verschiebungen der Ausgleichseinheit 69 umgewandelt werden und im Wesentlichen keine Restvibrationen in der Basis 81 und der Ausgleichseinheit 69 auftreten.
  • Wie in 2 schematisch gezeigt, ist die Positioniervorrichtung 3 weiterhin mit einer sogenannten Anti-Drift-Vorrichtung 89 versehen. Da die Ausgleichseinheit 69 entlang der Führungsoberfläche 69 im Wesentlichen ohne Reibung geführt wird, könnte die Ausgleichseinheit 69 entlang der Führungsoberfläche 79 unter dem Einfluss externer Störkräfte, d. h. Störkräften, welche nicht von der Positioniervorrichtung 3 erzeugt werden, wegdriften, wenn keine Gegenmaßnahmen ergriffen werden. Ein Beispiel einer solchen Störkraft ist eine Komponente der Schwerkraft, die parallel zur Führungsoberfläche 79 verläuft und auf die Ausgleichseinheit 69 und die Positioniervorrichtung 3 wirkt, wobei diese Komponente vorhanden ist, wenn die Führungsoberfläche 79 nicht perfekt horizontal liegt. Die Anti-Drift-Vorrichtung 89 übt vergleichsweise kleine Anti-Drift-Kräfte auf die Ausgleichseinheit 69 aus, wodurch ein Wegdriften der Ausgleichseinheit 69 verhindert ist. Die Anti-Drift-Vorrichtung 89 sollte zusätzlich so aufgebaut sein, dass die Verschiebungen der Ausgleichseinheit 69 relativ zur Basis 81 aufgrund der Reaktionskräfte der Verschiebungseinheiten 25 und 27 nicht gestört werden. In der Ausführungsform von 2 weist die Anti-Drift-Vorrichtung 89 beispielsweise zwei mechanische Federn 91 und 93 auf, welche mit der Basis 81 und mit der Ausgleichseinheit 69 verbunden sind und welche eine vergleichsweise kleine Federkraft auf die Ausgleichseinheit 69 parallel zur X-Richtung ausüben, sowie eine mechanische Feder 95, welche eine verlgeichsweise kleine Federkraft auf die Ausgleichseinheit 69 parallel zur Y-Richtung ausübt.
  • Die 4 und 5 zeigen eine zweite Ausführungsform einer Positioniervorrichtung 97 gemäß der Erfindung, welche auch zur Verwendung in der Lithographievorrichtung von 1 geeignet ist. Bauteile der Lithographievorrichtung 97 entsprechend Bauteilen der Lithographievorrichtung 3 haben in den 4 und 5 gleiche Bezugszeichen. Die Substrathalter 11 und 13 in der Positioniervorrichtung 97 sind jeweils verschiebbar parallel zur X-Richtung und parallel zur Y-Richtung entlang einer Führungsoberfläche 103 verschiebbar, welche den beiden Substrathaltern 11, 13 gemeinsam ist und sich parallel zur X-Richtung und parallel zur Y-Richtung erstreckt, und zwar mittels eines sogenannten aerostatisch gelagerten Fußes 99, 101, der mit einem statischen Gaslager versehen ist. Die Verschiebungseinheiten 25 und 27 der Positioniervorrichtung 97 sind jeweils mit einem X-Betätiger 105, 107 und zwei Y-Betätigern 109, 111 und 113, 115 versehen, welche als Kraftbetätiger ausgelegt sind, wie in der Positioniervorrichtung 3. Die X-Betätiger 105 und 107 sind jeweils mit einem ersten Bauteil 117, 119 versehen, welches relativ zu einem zweiten Bauteil 121, 123 verschiebbar geführt ist, das sich parallel zur X-Richtung erstreckt, während die Y-Betätiger 109, 111, 113, 115 jeweils mit einem ersten Bauteil 125, 127, 129, 131 versehen sind, welches relativ zu einem zweiten Bauteil 133, 135, 137, 139 verschiebbar geführt ist, das sich parallel zur Y-Richtung erstreckt. Wie in 4 zeigt, sind die zweiten Bauteile 121 und 123 der X-Betätiger 105 und 107 jeweils mit den beiden ersten Bauteilen 125, 127 und 129, 131 der beiden Y-Betätiger 109, 111 und 113, 1i5 der betreffenden Verschiebungseinheiten 25, 27 verbunden, wobei besagte zweite Bauteile 121 und 123 der X-Betätiger 105 und 107 jeweils relativ zu den beiden ersten Bauteilen 125, 127 und 129, 131 der betreffenden Y-Betätiger 109, 111 und 113, 115 um eine Schwenkachse 141, 143, 145, 147 schwenkbar sind, welche parallel zur Z-Richtung ist. Die ersten Bauteile 117, 119 der X-Betätiger können jeweils mit dem Substrathalter 11, 13 der betreffenden Verschiebungseinheit 25, 27 (parallel zur X-Richtung gesehen und parallel zur Y-Richtung gesehen auf eine nachfolgend noch zu beschreibende Weise verbunden werden. Die zweiten Bauteile 133, 135, 137, 139 der Y-Betätiger 109, 111, 113, 115 sind jeweils mit einer Ausgleichseinheit 149 verbunden, welche den beiden Verschiebungseinheiten 25 und 27 gemeinsam ist und die Ausgleichseinheit 69 der Positioniervorrichtung 3 entspricht und welche parallel zur X-Richtung und parallel zur Y-Richtung mittels statischer Gaslager, die in den Figuren nicht gezeigt sind, entlang einer Führungsfläche 69 verschiebbar gelagert ist, die sich parallel zur X-Richtung und parallel zur Y-Richtung erstreckt und zu einer Basis 81 der Positionsvorrichtung 97 gehört, die mit dem Rahmen 1 verbunden ist. Die Ausgleichseinheit 149 ist gleichzeitig ein gemeinsamer Stützkörper für die beiden Substrathalter 11 und 13, wobei die gemeinsame Führungsoberfläche 103 der Substrathalter 11 und 13 eine obere Oberfläche der Ausgleichseinheit 149 ist. Wie die Ausgleichseinheit 69 der Positioniervorrichtung 3 ist die Ausgleichseinheit 149 der Positioniervorrichtung 97 mit Anti-Drift-Vorrichtungen 89, 91, 93 und 95 versehen. Die Substrathalter 11 und 13 sind jeweils parallel zur X-Richtung unabhängig voneinander mittels entsprechenden X-Betätiger 105 und 107 verschiebbar und sind parallel zur Y-Richtung unabhängig voneinander mittels Verschiebungen gleichen Wertes der beiden Y-Betätiger 109 und 111 und den beiden Y-Betätigern 113 und 115 verschiebbar. Im Betrieb werden Reaktionskräfte der X-Betätiger 105 und 107 der Ausgleichseinheit 149 über die zweiten Bauteile 121 und 123 der ersten X-Betätiger 105 und 107, die ersten Bauteile 125, 127, 129, 131 der Y-Betätiger 109, 111, 113, 115 und die zweiten Bauteile 133, 135, 137, 139 der Y-Betätiger 109, 111, 113, 115 übertragen, während Reaktionskräfte der Y-Betätiger 109, 111, 113, 115 direkt der Ausgleichseinheit 149 über die zweiten Bauteile 133, 135, 137, 139 der Y-Betätiger 109, 111, 113, 115 übertragen werden.
  • Die Substrathalter 11 und 13 sind jeweils mit einem Verbindungsbauteil 151, 153 versehen, welches nachfolgend genauer beschrieben wird, mittels dem die Substrathalter 11, 13 parallel zur X-Richtung und parallel zur Y-Richtung abwechselnd mit dem ersten Bauteil 117 des X-Betätigers 105 der ersten Verschiebungseinheit 25 und dem ersten Bauteil 119 des X-Betätigers 107 der zweiten Verschiebungseinheit 127 verbindbar sind. Das Verbindungsbauteil 151 des ersten Substrathalters 11 ist für diesen Zweck mit einem ersten Bauteil 155 versehen, mittels dem der erste Substrathalter 11 mit dem ersten Bauteil 117 des X-Betätigers 105 der ersten Verschiebungseinheit 25 verbindbar ist und mit einem zweiten Bauteil 157, mittels dem der erste Substrathalter 11 mit dem ersten Bauteil 113 des X-Betätigers 107 der zweiten Verschiebungseinheit 127 verbindbar ist. Ähnlich ist das Verbindungsbauteil 153 des zweiten Substrathalters 13 mit einem ersten Bauteil 159 versehen, mittels dem der zweite Substrathalter 13 mit dem ersten Bauteil 117 des X-Betätigers 105 der ersten Verschiebungseinheit 25 verbindbar ist und mit einem zweiten Bauteil 161, mittels dem der zweite Substrathalter 13 mit dem ersten Bauteil 119 des X-Betätigers 107 der zweiten Verschiebungseinheit 27 verbindbar ist. In der in den 1 und 4 gezeigten Situation, wo der erste Substrathalter 11 in der Betriebsposition ist und der zweite Substrathalter 13 in der Messposition ist, ist der erste Substrathalter 11 mit dem ersten Bauteil 107 des X-Betätigers 105 der ersten Verschiebungseinheit 25 über das erste Bauteil 155 des Verbindungsbauteils 151 verbunden, während der zweite Substrathalter 13 mit dem ersten Bauteil 119 des X-Betätigers 107 der zweiten Verschiebungseinheit 27 über das zweite Bauteil 161 des Verbindungsbauteils 153 verbunden ist.
  • Die Substrathalter 11 und 13 müssen entlang der gemeinsamen Führungsoberfläche 103 bei einer Verschiebung des ersten Substrathalters 11 von der Betriebsposition in die Messposition und des zweiten Substrathalters 13 von der Messposition in die Betriebsposition aneinander vorbeilaufen. Um dies zu ermöglichen, wird der erste Substrathalter 11 von der ersten Verschiebungseinheit 25 von der Betriebsposition in eine erste Zwischenposition M' verschoben, welche gemäß 5 zwischen der Betriebsposition und der Messposition liegt, während gleichzeitig der zweite Substrathalter 13 mittels der zweiten Verschiebungseinheit 27 von der Messposition in eine zweiten Zwischenposition M'' gemäß 5 verschoben wird, welche benachbart der ersten Zwischenposition M' liegt und ebenfalls zwischen der Betriebsposition und der Messposition ist. Die Substrathalter 11 und 13 werden von der ersten Verschiebungseinheit 25 bzw. der zweiten Verschiebungseinheit 27 in den Zwischenpositionen M' und M'' getrennt. Dann wird das erste Bauteil 107 des X-Betätigers 105 der ersten Verschiebungseinheit 25 von der ersten Zwischenposition M' in die zweite Zwischenposition M'' bewegt und in dieser zweiten Zwischenposition M'' mit dem ersten Bauteil 159 des Verbindungsbauteils 153 des zweiten Substrathalters 113 verbunden. Gleichzeitig wird das erste Bauteil 119 des X-Betätigers 107 der zweiten Verschiebungseinheit 27 von der zweiten Zwischenposition M'' in die erste Zwischenposition M' bewegt und wird in dieser ersten Zwischenposition M' mit dem zweiten Bauteil 157 des Verbindungsbauteils 151 des ersten Substrathalters 11 verbunden. Dies führt zur Situation gemäß 5, wo der erste Substrathalter 11 in der ersten Zwischenposition M' mit dem ersten Bauteil 119 des X-Betätigers 107 der zweiten Verschiebungseinheit 27 verbunden ist und wo der zweite Substrathalter 13 in der zweiten Zwischenposition M'' mit dem ersten Bauteil 117 des X-Betätigers 105 der ersten Verschiebungseinheit 25 verbunden ist. Schließlich wird der erste Substrathalter 11 von der ersten Zwischenposition M' durch die zweite Verschiebungseinheit 27 in die Messposition bewegt, während gleichzeitig der zweite Substrathalter 13 von der zweiten Zwischenposition M'' durch die erste Verschiebungseinheit 25 in die Betriebsposition bewegt wird. Eine Distanz, über welche die ersten Bauteile 125, 127, 129, 131 der Y-Betätiger 109, 111, 113, 115 relativ zu den beiden Bauteilen 133, 135, 137, 139 verschiebbar sein müssen, wird unter Verwendung der Verbindungsbauteile 151 und 153 verkleinert, so dass die Abmessungen der Verschiebungseinheiten 25 und 27 verringert werden können. Zusätzlich wird verhindert, dass die zweiten Bauteile 121 und 123 der X-Betätiger 105 und 107 fähig sein müssen, parallel zur Y-Richtung 10 aneinander vorbeilaufen zu können, so dass der Aufbau der Verschiebungseinheiten 25 und 27 einfach gehalten wird.
  • Die Verbindungsbauteile 151 und 153 der Substrathalter 11 und 13 gemäß obiger Erläuterung sind als sogenannte XY-Lorentzkraftbetätiger aufgebaut. Die ersten Bauteile 155 und 159 der Verbindungsbauteile 151 und 153 weisen für diesen Zweck jeweils ein System von Permanentmagneten auf, wie es üblich und per se bekannt ist, während das erste Bauteil 117 des X-Betätigers 105 der ersten Verschiebungseinheit 25 ein elektrisches Spulensystem 63 aufweist, welches üblich und per se bekannt ist und dafür ausgelegt ist, abwechselnd mit dem ersten Bauteil 155 des Verbindungsbauteils 151 des ersten Substrathalters 11 und dem ersten Bauteil 159 des Verbindungsbauteils 153 des zweiten Substrathalters 13 zusammen zu wirken. Die zweiten Bauteile 157 und 161 der Verbindungsbauteile 151 und 153 weisen jeweils auch einen Satz von Permanentmagneten auf, was üblich und per se bekannt ist, während das erste Bauteil 119 des X-Betätigers 107 der zweiten Verschiebungseinheit 27 auch ein elektrisches Spulensystem 165 aufweist, welches üblich und per se bekannt ist und dafür ausgelegt ist, abwechselnd mit dem zweiten Bauteil 157 des Verbindungsbauteils 151 des ersten Substrathalters 11 und dem zweiten Bauteil 161 des Verbindungsbauteils 153 des zweiten Substrathalters 13 zusammen zu wirken. Der durch das Spulensystem 163 des ersten Bauteils 155 des Verbindungsbauteils 151 oder das erste Bauteil 159 des Verbindungsbauteils 153 gebildete XY-Lorentzkraftbetätiger ist klarerweise zur Erzeugung einer Lorentz-Kraft parallel zur X-Richtung, einer Lorentz-Kraft parallel zur Y-Richtung und einem Moment von Lorentz-Kräften um eine Momentachse geeignet, welche parallel zur Z-Richtung verläuft, so dass der erste Substrathalter 11 oder der zweite Substrathalter 13 relativ zum ersten Bauteil 119 des X-Betätigers 105 der ersten Verschiebungseinheit 25 über vergleichsweise kleine Distanzen parallel zur X-Richtung und/oder parallel zur Y-Richtung mittels des XY-Lorentzkraftbetätigers verschiebbar ist und auch um vergleichsweise kleine Winkel relativ zu dem ersten Bauteil 117 um eine Drehachse drehbar ist, welche parallel zur Z-Richtung verläuft. Ähnlich ist der XY-Lorentzkraftbetätiger, der durch das Spulensystem 165 und das zweite Bauteil 157 des Verbindungsbauteils 151 oder das zweite Bauteil 161 des Verbindungsbauteils 153 gebildet wird, zur Erzeugung einer Lorentzkraft parallel zur X-Richtung, einer Lorentzkraft parallel zur Y-Richtung und einem Moment von Lorentzkräften um eine Momentachse geeignet, welche parallel zur Z-Richtung verläuft, so dass der erste Substrathalter 11 oder der zweite Substrathalter 13 relativ zum ersten Bauteil 119 des X-Betätigers 107 der zweiten Verschiebungseinheit 27 über vergleichsweise kleine Distanzen parallel zur X-Richtung und/oder parallel zur Y-Richtung mittels des XY-Lorentzkraftbetätigers verschoben werden kann und relativ zum ersten Bauteil 119 über vergleichsweise kleine Winkel um eine Drehachse drehbar ist, welche parallel zur Z-Richtung verläuft. Die Verwendung der XY-Lorentzkraftbetätiger gemäß obiger Beschreibung schafft einen besonders einfachen und praktischen Aufbau der Verbindungsbauteile 151 und 153, wo das Verbinden und Trennen der Verbindungsbauteile 151 und 153 auf einfache Weise durch die Aktivierung und die Deaktivierung der Lorentzkraft erreicht wird, welche zwischen den Magnetsystemen und den Spulensystemen wirkt. Die XY-Lorentzkraftbetätiger wirken weiterhin als zweite Feinantriebsstufe für die Verschiebungseinheiten 25 und 27, mittels der die Substrathalter 11 und 13 vergleichsweise genau relativ zu einer ersten Antriebsstufe positioniert werden können, welche durch die X-Betätiger 105, 107 und die Y-Betätiger 109, 111, 113, 115 gebildet wird.
  • Wie die Ausgleichseinheit 69 der Positioniervorrichtung 3 wird auch die Ausgleichseinheit 149 der Positioniervorrichtung 97 um eine Drehachse gedreht, die parallel zur Z-Richtung verläuft, und zwar als Ergebnis der Reaktionskräfte der Verschiebungseinheit 25 und 27, welche auf die Ausgleichseinheit 149 ausgeübt werden. Um zu verhindern, dass solche Drehungen der Ausgleichseinheit 149 zu unerwünschten Verschiebungen der Substrathalter 11 und 13 relativ zur Basis 81 führen, ist die Positioniervorrichtung 97 mit einer ersten Steuereinheit 167 versehen, mittels der das zweite Bauteil 121 des X-Betätigers 105 der ersten Verschiebungseinheit 25 in einer Position parallel zur X-Richtung gehalten werden kann und mit einer zweiten Steuereinheit 169, mittels der das zweite Bauteil 123 des X-Betätigers 107 der zweiten Verschiebungseinheit 27 in einer Position parallel zur X-Richtung gehalten werden kann. Wie 4 zeigt, arbeitet die erste Steuereinheit 167 mit zwei optischen Positionssensoren 171 und 173 zusammen, welche an der Basis 81 befestigt sind und mittels denen eine Richtung des zweiten Bauteils 121 des X-Betätigers 105 relativ zur X-Richtung gemessen wird. Ähnlich arbeitet die zweite Steuereinheit 169 mit zwei optischen Positionssensoren 175 und 177 zusammen, die ebenfalls an der Basis 81 befestigt sind und mittels denen eine Richtung des zweiten Bauteils 123 des X-Betätigers 107 relativ zur X-Richtung gemessen wird. Die erste Steuereinheit 167 steuert die beiden Y-Betätiger 109 und 111 der ersten Verschiebungseinheit 25 so, dass das zweite Bauteil 121 des X-Betätigers 105 in einer Position parallel zur X-Richtung im Fall von Drehungen der Ausgleichseinheit 149 verbleibt. Ähnlich steuert die zweite Steuereinheit 169 die beiden Y-Betätiger 113 und 115 der zweiten Verschiebungseinheit 27 so, dass das zweite Bauteil 123 des X-Betätigers 107 in einer Position parallel zur X-Richtung für den Fall von Drehungen der Ausgleichseinheit 149 verbleibt. Die Tatsache, dass die beiden Bauteile 121 und 123 der X-Betätiger 105 und 107 somit jeweils in einer Position parallel zur X-Richtung gehalten werden, verhindert Drehungen der X-Betätiger 105 und 107 und der hiermit verbundenen Substrathalter 11 und 13, was üblicherweise zu unerwünschten Verschiebungen der Substrathalter 11, 13 relativ zur Basis 81 führen würde.
  • Ein Abbildungsverfahren, welches dem sogenannten "step and scan"-Prinzip folgt, wird bei der Lithographievorrichtung gemäß der Erfindung verwendet, wie es schematisch in 6 gezeigt ist. Bauteile der Lithographievorrichtung von 6, welche Bauteilen der Lithographievorrichtung von 1 entsprechen, haben in 6 die gleichen Bezugszeichen. Bei dem Abbildungsverfahren mittels des "step and scan"-Prinzips ist das erste Halbleitersubstrat 19 während der Belichtung nicht in einer konstanten Position relativ zur Fokussiereinheit 5, sondern das erste Halbleitersubstrat 19 und die Maske 35 werden während einer Belichtung synchron und parallel zur X-Richtung relativ zur Fokussiereinheit 5 verschoben. Die Lithographievorrichtung von 6 ist für diesen Zweck nicht nur mit der Positioniervorrichtung 3 zur Verschiebung des ersten Halbleitersubstrates 19 versehen, sondern auch mit einer weiteren Positioniervorrichtung 179, mittels der die Maske 35 parallel zur X-Richtung relativ zur Fokussiereinheit 5 verschiebbar ist. Die weitere Positioniervorrichtung 179 ist wieder eine Positioniervorrichtung gemäß der Erfindung in der Lithographievorrichtung von 6. Wie 6 schematisch zeigt, weist die weitere Positioniervorrichtung 179 einen ersten Maskenhalter 181 und einen identischen zweiten Maskenhalter 183 auf. Die Maskenhalter 181 und 183 haben jeweils eine Stützoberfläche, d. h. eine Stützoberfläche 185, die sich senkrecht zur Z-Richtung erstreckt und auf der eine erste Maske 35 anordenbar ist und eine Stützoberfläche 187, die sich senkrecht zur Z-Richtung erstreckt und auf der eine zweite Maske 35' anordenbar ist. Der erste Maskenhalter 181 kann relativ zum Rahmen 1 und parallel zur Y-Richtung mittels einer ersten Verschiebungseinheit 189 der Positioniervorrichtung 179 positioniert werden, während der zweite Maskenhalter 183 relativ zum Rahmen 1 parallel zur X-Richtung und parallel zur Y-Richtung mittels einer zweiten Verschiebungseinheit 191 der Positioniervorrichtung 179 positioniert werden kann. In der in 6 gezeigten Situation ist der erste Maskenhalter 181 mit der ersten Maske 35 in einer Betriebsposition der weiteren Positioniervorrichtung 179, in der das erste Halbleitersubstrat 19 durch die erste Maske 35 bestrahlt werden kann, wohingegen der zweite Maskenhalter 183 mit der zweiten Maske 35' in einer Messposition der weiteren Positioniervorrichtung 179 ist. In dieser Messposition kann eine Position der zweiten Maske 35' relativ zum zweiten Maskenhalter 183 mittels einer weiteren Positionseinheit 193 der Lithographievorrichtung gemessen werden, die am Rahmen 1 der Lithographievorrichtung befestigt ist. Die zweite Maske 35' kann zusätzlich in der Messposition mit einer gewünschten Genauigkeit relativ zum zweiten Maskenhalter 182 mittels eines weiteren Transportmechanismus positioniert werden, der aus Gründen der Einfachheit in 6 nicht gezeigt ist, und der für den Transport von aufeinander folgend verwendeten Masken aus einem Maskenmagazin in die Messposition der weiteren Positioniervorrichtung 179 verwendet wird. Nachdem die erste Maske 35 zur Bestrahlung eines oder verschiedener Halbleitersubstrate verwendet worden ist, wird der erste Maskenhalter 181 von der Betriebsposition in die Messposition mittels der weiteren Positioniervorrichtung 179 bewegt, die erste Maske 35 wird durch den weiteren Transportmechanismus von der Messposition in das Maskenmagazin zurückgebracht. Gleichzeitig wird der zweite Maskenhalter 183 mit der zweiten Maske 35' durch die weitere Positioniervorrichtung 179 von der Messposition in die Betriebsposition bewegt. Die Produktionsleistung der Lithographievorrichtung wird somit durch die Verwendung der weiteren Positioniervorrichtung 179 gemäß der Erfindung weiter erhöht, da die aufeinander folgend zu verwendenden Masken bereits relativ zu den relevanten Maskenhaltern bei Erreichen der Betriebsposition ausgerichtet worden sind.
  • Die weitere Positioniervorrichtung 179 ist schematisch in 7 gezeigt. Die Maskenhalter 181 und 183 der weiteren Positioniervorrichtung 179 sind verschiebbar parallel zur X-Richtung und parallel zur Y-Richtung entlang einer gemeinsamen Führungsoberfläche 199 eines Trägerkörpers 201 geführt, der sich parallel zur X-Richtung und parallel zur Y-Richtung erstreckt, was durch einen aerostatisch gelagerten Fuß 195 bzw. einen aerostatisch gelagerten Fuß 197 erfolgt. Der Stützkörper 201 ist über eine drehbare Einheit 203 mit einer Ausgleichseinheit 205 befestigt, welche verschiebbar parallel zur X-Richtung gesehen und parallel zur Y-Richtung gesehen mittels statischer Gaslager entlang einer Führungsoberfläche 207 geführt ist, welche Teil einer Basis 209 der weiteren Positioniervorrichtung 179 bildet. Wie 6 schematisch zeigt, ist die Basis 209 der weiteren Positioniervorrichtung 179 am Rahmen 1 der Lithographievorrichtung befestigt. Die drehbare Einheit 203 und die Ausgleichseinheit 205 der weiteren Positioniervorrichtung 179 entsprechen im Wesentlichen der dreh baren Einheit 65 und der Ausgleichseinheit 69 der voranstehend beschriebenen Positioniervorrichtung 3.
  • Die erste Verschiebungseinheit 189 und die zweite Verschiebungseinheit 191 der weiteren Positioniervorrichtung 179 weisen jeweils einen X-Betätiger 211 und 213 auf, der als Kraftbetätiger aufgebaut ist. Die X-Betätiger 211 und 213 weisen jeweils ein erstes Bauteil 215 und 217 auf, welches parallel zur X-Richtung gesehen relativ zu einem zweiten Bauteil 219, 221 des betreffenden X-Betätigers 211, 213 verschiebbar ist, der sich im Wesentlichen parallel zur X-Richtung erstreckt. Die zweiten Bauteile 219 und 221 der X-Betätiger 211 und 213 sind mit dem Stützkörper 201 Befestigt und weisen eine gemeinsame geradlinige Führung 223 auf, welche sich im Wesentlichen parallel zur X-Richtung erstreckt. Weiterhin weisen die Verschiebungseinheiten 189 und 191 jeweils einen XY-Lorentzkraftbetätiger 225, 227 mit einem Permanentmagnetsystem 229, 231 auf, befestigt am Maskenhalter 181, 183 der betreffenden Verschiebungseinheit 189, 191 und einem elektrischen Spulensystem 233, 235, befestigt am ersten Bauteil 215, 217 des X-Betätigers 211, 213 der betreffenden Verschiebungseinheit 189, 191. Die Maskenhalter 181 und 183 können parallel zur X-Richtung relativ zur Basis 209 über vergleichsweise große Distanzen und mit vergleichsweise niedrigen Genauigkeiten mittels der X-Betätiger 211 und 213 verschoben werden, während die Maskenhalter 181 und 183 relativ zu den ersten Bauteilen 215 und 217 der X-Betätiger 211, 213 parallel zur X-Richtung und zur Y-Richtung über vergleichsweise kleine Distanzen und vergleichsweise hohen Genauigkeiten mittels der XY-Lorentzkraftbetätiger 225 und 227 verschoben werden können und um begrenzte Winkel um eine Drehachse parallel zur Z-Richtung relativ zu den ersten Bauteilen 215 und 217 gedreht werden können. Die Verwendung der XY-Lorentzkraftbetätiger 225, 227 führt dazu, dass die Maskenhalter 181 und 183 mit vergleichsweiser hoher Genauigkeit parallel zur Y-Richtung während der Belichtung eines Halbleitersubstrates positioniert werden können, so dass die Verschiebungen der Maskenhalter 181 und 183, die parallel zur X-Richtung verlaufen, zu einem hohen Grad parallel zur X-Richtung sind. Schließlich hat die Positioniervorrichtung 179 eine Steuereinheit 237, wie die Positioniervorrichtung 103, mittels der die geradlinige Führung 223 in einer Position parallel zur X-Richtung während des Betriebs gehalten wird, mit Ausnahme der Momente, zu denen der Stützkörper 201 relativ zur Basis 209 mittels der drehbaren Einheit 203 um 180° gedreht wird. Wie 7 schematisch zeigt, arbeitet die Steuereinheit 237 mit zwei optischen Positionssensoren 239 und 241 zusammen und die Steuereinheit 237 steuert einen Elektromotor 243 der drehbaren Einheit 203.
  • Bei den Lithographievorrichtungen der 1 und 6 wird eine Gruppe von Halbleitersubstraten, die herzustellen sind, aufeinander folgend mit einer gewissen Maske bestrahlt, wonach die Gruppe aufeinander folgend mit einer nächsten Maske bestrahlt wird. Die Verwendung der Positioniervorrichtung 3, 97 gemäß der Erfindung zur Verschiebung der Halbleitersubstrate ermöglicht einen beachtlichen Anstieg in der Produktionsleistung der Lithographievorrichtung, wobei die Produktionsleistung weiter durch die Verwendung der weiteren Positioniervorrichtung 179 gemäß der Erfindung für die Verschiebung der Maske erhöht wird. Es sei festzuhalten, dass die Erfindung auch Lithographievorrichtungen betrifft, bei denen ein herzustellendes Halbleitersubstrat aufeinander folgend durch einen Serie von Masken bestrahlt wird, wonach ein nächstes Halbleitersubstrat mit besagter Serie von Masken bestrahlt wird. Ein Hauptanstieg in der Produktionsleistung der Lithographievorrichtung wird bereits durch eine solche Lithographievorrichtung erreicht, wenn ausschließlich die Positioniervorrichtung für die Verschiebung der Masken eine Positioniervorrichtung gemäß der Erfindung ist, während die Positioniervorrichtung für die Verschiebung der Halbleitersubstrate eine herkömmliche Positioniervorrichtung ist.
  • Die erfindungsgemäßen Lithographievorrichtungen gemäß obiger Beschreibung werden verwendet zur Belichtung von Halbleitersubstraten bei der Herstellung integrierter elektronischer Halbleiterschaltkreise. Es sei festzuhalten, dass eine derartige Lithographievorrichtung auch bei der Herstellung anderer Produkte verwendbar ist, welche mit Strukturen versehen sind, die Detailabmessungen im Sub-Micron-Bereich haben, wobei Maskenmuster auf einem Substrat mittels der Lithographievorrichtung abzubilden sind. Beispiele hiervon sind Strukturen integrierter optischer Systeme oder Leiter- und Erkennungsmuster von Magnetic Domain Speichern, sowie die Strukturen von Flüssigkristallabbildungs-/Anzeigemustern.
  • Es sei weiterhin festzuhalten, dass eine Positioniervorrichtung gemäß der Erfindung nicht nur in einer Lithographievorrichtung verwendet werden kann, sondern auch bei Endbearbeitungsmaschinen, Werkzeugmaschinen und anderen Maschinen oder Vorrichtungen, bei denen ein zu bearbeitendes Objekt relativ zu einem Objekthalter in einer Messposition ausgerichtet und nachfolgend in einer Betriebsposition bearbeitet wird.
  • Die Verschiebungseinheiten 25 und 27 der Positioniervorrichtung 3 gemäß der Erfindung weisen, wie oben beschrieben, jeweils einen X-Betätiger 39, 41 und einen Y-Betätiger 43, 45 auf. Die Verschiebungseinheiten 25, 27 der Positioniervorrichtung 97 gemäß der Erfindung weisen, wie oben beschrieben, jeweils einen X-Betätiger 105, 107, zwei Y-Betätiger 109, 111 und 113, 115, sowie einen XY-Lorentzkraftbetätiger 151, 153 auf. Die Verschiebungseinheiten 189, 191 der Positioniervorrichtung 179 gemäß der Erfindung weisen, wie oben beschrieben, jeweils einen X-Betätiger 211, 213 und einen XY-Lorentzkraft-Betätiger 225, 227 auf. Es sei festzuhalten, dass eine Positioniervorrichtung gemäß der Erfindung auch mit einem anderen Typ von Verschiebungseinheit versehen sein kann. So können die linearen X-Betätiger und Y-Betätiger gemäß obiger Beschreibung durch sogenannte lineare elektromagnetische Motoren ersetzt werden, welche üblich und per se bekannt sind. Es ist alternativ möglich, in der Positioniervorrichtung 3 beispielsweise einen XYZ-Lorentzkraftbetätiger zwischen jedem der ersten Bauteile 47 und 49 der X-Betätiger 39 und 41 einerseits und dem entsprechenden Substrathalter 11, 13 andererseits zu verwenden, wodurch die Substrathalter 11, 13 relativ zu den entsprechenden ersten Bauteilen 47, 49 über kleine Distanzen mit hohen Genauigkeiten parallel zur X-Richtung, parallel zu Y-Richtung und parallel zur Z-Richtung verschiebbar werden, wobei der Substrathalter 11, 13 relativ zu dem entsprechenden ersten Bauteil 47, 49 um begrenzte Winkel um eine Drehachse parallel zur X-Richtung drehbar, eine Drehachse parallel zur Y-Richtung drehbar und eine Drehachse parallel zur Z-Richtung drehbar wird. Solche XYZ-Lorentzkraftbetätiger können auch beispielsweise in den Positioniervorrichtungen 97 und 179 zum Ersatz der XY-Lorentzkraftbetätiger und den hierin verwendeten aerostatisch gelagerten Füßen verwendet werden.

Claims (9)

  1. Lithographievorrichtung, folgendes aufweisend: eine Strahlungsquelle (9) zum Bereitstellen eines Lichtstrahls zur Beleuchtung einer Maske (35); einen ersten Objekthalter (7) zum Halten der Maske (35); ein Projektionssystem (5) zum Abbilden eines Maskenmusters auf ein Substrat; einen zweiten Objekthalter (11, 13) zum Halten eines Substrates; und: eine Verschiebungseinheit zum Verschieben eines der Objekthalter in Bezug auf eine Basis der Vorrichtung in X- und Y-Richtungen, wobei die Verschiebungseinheit erste und zweite Bauteile aufweist, die relativ zueinander verschiebbar sind und beim Betrieb wechselseitig eine Antriebskraft aufeinander ausüben, wobei das erste Bauteil der Verschiebungseinrichtung mit dem genannten einen der genannten Objekthalter gekoppelt ist, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Bauteil der Verschiebungseinheit mit einer Ausgleichseinheit (69) gekoppelt ist, die verschiebbar in Bezug auf die Basis geführt ist, sodass sie in den X- und Y-Richtungen bewegbar und um zumindest eine Achse drehbar ist, die parallel ist zur Z-Richtung.
  2. Lithographievorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei die Ausgleichseinheit (69) über eine Führungsfläche (79) mittels statischer Gaslager verschiebbar geführt ist.
  3. Lithographievorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 oder 2, weiterhin ausgerüstet mit einer Anti-Drift-Einrichtung (89) zum Ausüben einer relativ kleinen Anti-Drift-Kraft auf die Ausgleichseinrichtung (69), wodurch ein Abdriften der Ausgleichseinheit (69) verhindert ist.
  4. Lithographievorrichtung gemäß Anspruch 3, wobei die Anti-Drift-Einrichtung eine mechanische Feder (91, 93, 95) aufweist.
  5. Lithographievorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4 mit weiterhin einem dritten Objekttisch zum Halten eines zweiten Substrates, wobei die genannte Verschiebungseinrichtung vorgesehen ist zum Verschieben der zweiten und dritten Objekttische, und weiterhin aufweisend dritte und vierte Bauteile, die relativ zueinander verschiebbar sind und beim Betrieb eine Antriebskraft wechselseitig aufeinander ausüben, wobei das genannte dritte Bauteil mit dem dritten Objekttisch gekoppelt ist und das genannte vierte Bauteil mit der Ausgleichseinheit (69) gekoppelt ist.
  6. Lithographievorrichtung gemäß Anspruch 5, wobei die genannte Ausgleichseinheit (149) ein gemeinsamer Stützkörper für die zweiten und dritten Objekthalter ist und eine obere Fläche aufweist, die als Führungsfläche für die genannten zweiten und dritten Objekthalter dient.
  7. Lithographievorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Kraftbetätiger der genannten ersten und zweiten Verschiebungseinheiten ausschließlich Lorentz-Kräfte erzeugen.
  8. Lithographievorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die ersten und zweiten Verschiebungseinrichtungen planare elektromagnetische Motoren aufweisen.
  9. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung unter Verwendung einer Lithographievorrichtung, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: – Projizieren eines Bildes eines Maskenmusters einer Maske (35), die in einem ersten Objekthalter (7) gehalten ist, auf ein Substrat, das in einem zweiten Objekthalter (11, 13) gehalten ist; – Verschieben von einem der genannten ersten und zweiten Objekthalter (7, 11 13) relativ zu einer Basis der Lithographievorrichtung in X- und Y-Richtungen, unter Verwendung einer Verschiebungseinheit mit ersten und zweiten Bauteilen, die relativ zueinander verschiebbar sind und eine Antriebskraft aufeinander beim Betrieb ausüben, wobei das erste Bauteil der Verschiebungseinheit mit dem genannten einen der Objekthalter gekoppelt ist, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Bauteil mit einer Ausgleichseinheit (69) gekoppelt ist, die verschiebbar in Bezug auf die Basis geführt ist, sodass sie in den X- und Y-Richtungen bewegbar und um zumindest eine Achse parallel zur Z-Richtung drehbar ist.
DE69735016T 1996-12-24 1997-10-03 Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern Expired - Fee Related DE69735016T2 (de)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP96203709 1996-12-24
EP96203709 1996-12-24
EP97200706 1997-03-10
EP97200706 1997-03-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69735016D1 DE69735016D1 (de) 2006-02-02
DE69735016T2 true DE69735016T2 (de) 2006-08-17

Family

ID=26143490

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69735016T Expired - Fee Related DE69735016T2 (de) 1996-12-24 1997-10-03 Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern
DE69717975T Expired - Fee Related DE69717975T2 (de) 1996-12-24 1997-10-03 In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69717975T Expired - Fee Related DE69717975T2 (de) 1996-12-24 1997-10-03 In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5969441A (de)
EP (2) EP0890136B9 (de)
JP (2) JP2000505958A (de)
KR (1) KR100512450B1 (de)
DE (2) DE69735016T2 (de)
WO (1) WO1998028665A1 (de)

Families Citing this family (661)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5528118A (en) * 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
JPH10209039A (ja) * 1997-01-27 1998-08-07 Nikon Corp 投影露光方法及び投影露光装置
EP0900412B1 (de) * 1997-03-10 2005-04-06 ASML Netherlands B.V. Lithographiegerät mit einer positioniervorrichtung mit zwei objekthaltern
JPH10270535A (ja) * 1997-03-25 1998-10-09 Nikon Corp 移動ステージ装置、及び該ステージ装置を用いた回路デバイス製造方法
EP1028456A4 (de) 1997-09-19 2003-03-05 Nikon Corp Trägervorrichtung, abtast-ausrichter und abtastbelichtungsverfahren, und ein dadurch hergestelltes bauteil
TW448487B (en) 1997-11-22 2001-08-01 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method and manufacturing method of device
DE69933903T2 (de) * 1998-04-14 2007-05-24 Asml Netherlands B.V. Lithograpischer Projektionsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
EP0957275A3 (de) 1998-05-14 2000-12-06 Asm Lithography B.V. Gaslager und solch ein Lager aufweisende lithographische Einrichtung
WO1999066542A1 (fr) * 1998-06-17 1999-12-23 Nikon Corporation Procede et dispositif d'exposition
US6924884B2 (en) 1999-03-08 2005-08-02 Asml Netherlands B.V. Off-axis leveling in lithographic projection apparatus
TW490596B (en) * 1999-03-08 2002-06-11 Asm Lithography Bv Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using the lithographic projection apparatus, device manufactured according to the method and method of calibrating the lithographic projection apparatus
US7116401B2 (en) * 1999-03-08 2006-10-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus using catoptrics in an optical sensor system, optical arrangement, method of measuring, and device manufacturing method
TWI242111B (en) 1999-04-19 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus
TW513617B (en) 1999-04-21 2002-12-11 Asml Corp Lithographic projection apparatus and method of manufacturing a device using a lithographic projection apparatus
TWI267704B (en) * 1999-07-02 2006-12-01 Asml Netherlands Bv Capping layer for EUV optical elements
TW587199B (en) 1999-09-29 2004-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic method and apparatus
JP2001118773A (ja) * 1999-10-18 2001-04-27 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
DE60032568T2 (de) * 1999-12-01 2007-10-04 Asml Netherlands B.V. Positionierungsapparat und damit versehener lithographischer Apparat
JP2001160530A (ja) 1999-12-01 2001-06-12 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
TW546551B (en) 1999-12-21 2003-08-11 Asml Netherlands Bv Balanced positioning system for use in lithographic apparatus
EP1111470B1 (de) * 1999-12-21 2007-03-07 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat mit einem ausbalancierten Positionierungssystem
TW538256B (en) 2000-01-14 2003-06-21 Zeiss Stiftung Microlithographic reduction projection catadioptric objective
TW588222B (en) * 2000-02-10 2004-05-21 Asml Netherlands Bv Cooling of voice coil motors in lithographic projection apparatus
TWI240849B (en) * 2000-02-10 2005-10-01 Asml Netherlands Bv Object positioning method for a lithographic projection apparatus
DE10006527A1 (de) * 2000-02-15 2001-08-23 Infineon Technologies Ag Halbautomat zum halbautomatischen Abziehen von UV- Folie
US7301605B2 (en) 2000-03-03 2007-11-27 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices
JP2001257143A (ja) 2000-03-09 2001-09-21 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US6437463B1 (en) * 2000-04-24 2002-08-20 Nikon Corporation Wafer positioner with planar motor and mag-lev fine stage
US7508487B2 (en) * 2000-06-01 2009-03-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP4474020B2 (ja) * 2000-06-23 2010-06-02 キヤノン株式会社 移動装置及び露光装置
US6630984B2 (en) * 2000-08-03 2003-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
TW527526B (en) * 2000-08-24 2003-04-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7561270B2 (en) * 2000-08-24 2009-07-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
TWI232356B (en) 2000-09-04 2005-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
TW548524B (en) * 2000-09-04 2003-08-21 Asm Lithography Bv Lithographic projection apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
EP1197803B1 (de) 2000-10-10 2012-02-01 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat
EP1679550A1 (de) 2000-11-07 2006-07-12 ASML Netherlands B.V. Lithografische Vorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
US6958808B2 (en) 2000-11-16 2005-10-25 Nikon Corporation System and method for resetting a reaction mass assembly of a stage assembly
US6757053B1 (en) 2000-11-16 2004-06-29 Nikon Corporation Stage assembly including a reaction mass assembly
US6603531B1 (en) * 2000-11-16 2003-08-05 Nikon Corporation Stage assembly including a reaction assembly that is connected by actuators
US6885430B2 (en) 2000-11-16 2005-04-26 Nikon Corporation System and method for resetting a reaction mass assembly of a stage assembly
US6593997B1 (en) 2000-11-16 2003-07-15 Nikon Corporation Stage assembly including a reaction assembly
TW591342B (en) * 2000-11-30 2004-06-11 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus and integrated circuit manufacturing method using a lithographic projection apparatus
US7113258B2 (en) * 2001-01-15 2006-09-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US6987558B2 (en) 2001-01-16 2006-01-17 Nikon Corporation Reaction mass for a stage device
US20020117109A1 (en) * 2001-02-27 2002-08-29 Hazelton Andrew J. Multiple stage, stage assembly having independent reaction force transfer
US6927838B2 (en) 2001-02-27 2005-08-09 Nikon Corporation Multiple stage, stage assembly having independent stage bases
US6792591B2 (en) * 2001-02-28 2004-09-14 Asml Masktools B.V. Method of identifying an extreme interaction pitch region, methods of designing mask patterns and manufacturing masks, device manufacturing methods and computer programs
JP3960820B2 (ja) * 2001-03-01 2007-08-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. マスク引継ぎ方法およびデバイス製造方法
JP4267245B2 (ja) 2001-03-14 2009-05-27 エーエスエムエル マスクツールズ ビー.ブイ. 解像度以下の補助フィーチャとして罫線ラダー・バーを利用した光近接補正方法
US7735052B2 (en) * 2001-04-24 2010-06-08 Asml Masktools Netherlands B.V. Method of identifying an extreme interaction pitch region, methods of designing mask patterns and manufacturing masks, device manufacturing methods and computer programs
JP4814438B2 (ja) * 2001-05-02 2011-11-16 日本トムソン株式会社 リニアモータを内蔵したステージ装置
TW536659B (en) 2001-05-23 2003-06-11 Asml Netherlands Bv Substrate provided with an alignment mark in a substantially transmissive process layer, mask for exposing said mark, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US6879374B2 (en) * 2001-06-20 2005-04-12 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method, device manufactured thereby and a mask for use in the method
US6788385B2 (en) * 2001-06-21 2004-09-07 Nikon Corporation Stage device, exposure apparatus and method
US6903346B2 (en) * 2001-07-11 2005-06-07 Nikon Corporation Stage assembly having a follower assembly
TW529172B (en) * 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
US6674512B2 (en) 2001-08-07 2004-01-06 Nikon Corporation Interferometer system for a semiconductor exposure system
US6785005B2 (en) 2001-09-21 2004-08-31 Nikon Corporation Switching type dual wafer stage
US7026081B2 (en) 2001-09-28 2006-04-11 Asml Masktools B.V. Optical proximity correction method utilizing phase-edges as sub-resolution assist features
TWI268403B (en) * 2001-10-19 2006-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method
US6665054B2 (en) 2001-10-22 2003-12-16 Nikon Corporation Two stage method
KR100436213B1 (ko) * 2001-12-17 2004-06-16 미래산업 주식회사 반도체 소자 테스트 핸들러용 소자 정렬장치
US6927505B2 (en) 2001-12-19 2005-08-09 Nikon Corporation Following stage planar motor
US7002668B2 (en) * 2002-03-08 2006-02-21 Rivin Eugeny I Stage positioning unit for photo lithography tool and for the like
US7333178B2 (en) * 2002-03-18 2008-02-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7170587B2 (en) * 2002-03-18 2007-01-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7061577B2 (en) 2002-03-26 2006-06-13 Nikon Corporation Image adjustor including damping assembly
US6724466B2 (en) 2002-03-26 2004-04-20 Nikon Corporation Stage assembly including a damping assembly
EP1367446A1 (de) 2002-05-31 2003-12-03 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat
EP1383007A1 (de) * 2002-07-16 2004-01-21 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US6859259B2 (en) * 2002-08-15 2005-02-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and reflector assembly for use therein
EP2204697A3 (de) 2002-09-20 2012-04-18 ASML Netherlands B.V. Markerstruktur, lithographische Projektionsvorrichtung, Verfahren zur Substratausrichtung mittels solch einer Struktur und Substrat mit solch einer Markerstruktur
TWI227814B (en) 2002-09-20 2005-02-11 Asml Netherlands Bv Alignment system and methods for lithographic systems using at least two wavelengths
TWI246114B (en) * 2002-09-24 2005-12-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
TWI254839B (en) * 2002-09-30 2006-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3895319B2 (ja) * 2002-09-30 2007-03-22 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
EP1429188B1 (de) 2002-11-12 2013-06-19 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Projektionsapparat
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG137657A1 (en) * 2002-11-12 2007-12-28 Asml Masktools Bv Method and apparatus for performing model-based layout conversion for use with dipole illumination
SG116510A1 (de) * 2002-11-12 2005-11-28
KR100588124B1 (ko) 2002-11-12 2006-06-09 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치 및 디바이스제조방법
EP1420298B1 (de) 2002-11-12 2013-02-20 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1420302A1 (de) 2002-11-18 2004-05-19 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
SG111171A1 (en) * 2002-11-27 2005-05-30 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
SG115590A1 (en) * 2002-11-27 2005-10-28 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
TW200412617A (en) * 2002-12-03 2004-07-16 Nikon Corp Optical illumination device, method for adjusting optical illumination device, exposure device and exposure method
KR101085372B1 (ko) * 2002-12-10 2011-11-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
CN1717776A (zh) 2002-12-10 2006-01-04 株式会社尼康 光学元件及使用该光学元件的投影曝光装置
JP4525062B2 (ja) * 2002-12-10 2010-08-18 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム
US7242455B2 (en) * 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
DE60323927D1 (de) * 2002-12-13 2008-11-20 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
KR100549781B1 (ko) * 2002-12-19 2006-02-06 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피투영마스크, 리소그래피투영마스크를 이용한디바이스제조방법 및 그 제조된 디바이스
EP1431825A1 (de) * 2002-12-20 2004-06-23 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat, Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung und Substrathalter
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
TWI230847B (en) * 2002-12-23 2005-04-11 Asml Netherlands Bv Contamination barrier with expandable lamellas
EP1434092A1 (de) 2002-12-23 2004-06-30 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat, Verfahren zur Herstellung eines Artikels und damit erzeugter Artikel
TWI286674B (en) * 2002-12-27 2007-09-11 Asml Netherlands Bv Container for a mask, method of transferring lithographic masks therein and method of scanning a mask in a container
JP3910180B2 (ja) * 2003-01-14 2007-04-25 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置のレベルセンサ
SG139530A1 (en) * 2003-01-14 2008-02-29 Asml Masktools Bv Method of optical proximity correction design for contact hole mask
TWI304158B (en) * 2003-01-15 2008-12-11 Asml Netherlands Bv Detection assembly and lithographic projection apparatus provided with such a detection assembly
US6963821B2 (en) * 2003-02-11 2005-11-08 Nikon Corporation Stage counter mass system
EP1450398A3 (de) * 2003-02-20 2004-11-10 Applied Materials, Inc. Ein Verfahren und eine Vorrichtung um ein Substrat bezüglich eines Trägers zu positionieren
US7499767B2 (en) * 2003-02-20 2009-03-03 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for positioning a substrate relative to a support stage
US7151981B2 (en) * 2003-02-20 2006-12-19 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for positioning a substrate relative to a support stage
TW200500813A (en) 2003-02-26 2005-01-01 Nikon Corp Exposure apparatus and method, and method of producing device
US7206059B2 (en) * 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US6943941B2 (en) * 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
SG115641A1 (en) * 2003-03-06 2005-10-28 Asml Netherlands Bv Device and method for manipulation and routing of a metrology beam
TWI264620B (en) * 2003-03-07 2006-10-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG123601A1 (en) 2003-03-10 2006-07-26 Asml Netherlands Bv Focus spot monitoring in a lithographic projectionapparatus
SG115629A1 (en) * 2003-03-11 2005-10-28 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for maintaining a machine part
SG125108A1 (en) * 2003-03-11 2006-09-29 Asml Netherlands Bv Assembly comprising a sensor for determining at least one of tilt and height of a substrate, a method therefor and a lithographic projection apparatus
EP1457827A1 (de) * 2003-03-11 2004-09-15 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat, Verfahren zur Herstellung eines Artikels und damit erzeugter Artikel
SG115631A1 (en) * 2003-03-11 2005-10-28 Asml Netherlands Bv Lithographic projection assembly, load lock and method for transferring objects
EP1457826A1 (de) * 2003-03-11 2004-09-15 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
EP1457825A1 (de) * 2003-03-11 2004-09-15 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat, Verfahren zur Herstellung eines Artikels und damit erzeugter Artikel
EP1457833B1 (de) 2003-03-11 2012-05-30 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat, Verfahren zur Herstellung eines Artikels und damit erzeugter Artikel
SG115630A1 (en) * 2003-03-11 2005-10-28 Asml Netherlands Bv Temperature conditioned load lock, lithographic apparatus comprising such a load lock and method of manufacturing a substrate with such a load lock
TWI234692B (en) * 2003-03-11 2005-06-21 Asml Netherlands Bv Lithographic projection assembly, handling apparatus for handling substrates and method of handling a substrate
KR101181688B1 (ko) 2003-03-25 2012-09-19 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
SG125948A1 (en) * 2003-03-31 2006-10-30 Asml Netherlands Bv Supporting structure for use in a lithographic apparatus
US7397539B2 (en) * 2003-03-31 2008-07-08 Asml Netherlands, B.V. Transfer apparatus for transferring an object, lithographic apparatus employing such a transfer apparatus, and method of use thereof
US20040265707A1 (en) * 2003-03-31 2004-12-30 Robert Socha Source and mask optimization
US7126671B2 (en) * 2003-04-04 2006-10-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4902201B2 (ja) 2003-04-07 2012-03-21 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP4394500B2 (ja) * 2003-04-09 2010-01-06 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及びコンピュータ・プログラム
EP3226073A3 (de) 2003-04-09 2017-10-11 Nikon Corporation Belichtungsverfahren und -vorrichtung sowie verfahren zur herstellung der vorrichtung
SG2012050829A (en) 2003-04-10 2015-07-30 Nippon Kogaku Kk Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus
JP4650413B2 (ja) 2003-04-10 2011-03-16 株式会社ニコン 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム
SG185136A1 (en) 2003-04-11 2012-11-29 Nikon Corp Cleanup method for optics in immersion lithography
KR101225884B1 (ko) 2003-04-11 2013-01-28 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법
JP4071733B2 (ja) 2003-04-17 2008-04-02 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびコンピュータ・プログラム
JP4315420B2 (ja) 2003-04-18 2009-08-19 キヤノン株式会社 露光装置及び露光方法
SG115678A1 (en) 2003-04-22 2005-10-28 Asml Netherlands Bv Substrate carrier and method for making a substrate carrier
TWI237307B (en) * 2003-05-01 2005-08-01 Nikon Corp Optical projection system, light exposing apparatus and light exposing method
US7348575B2 (en) 2003-05-06 2008-03-25 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
EP1475666A1 (de) 2003-05-06 2004-11-10 ASML Netherlands B.V. Substrathalter für einen lithographischen Apparat
KR101516142B1 (ko) 2003-05-06 2015-05-04 가부시키가이샤 니콘 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법
EP1475667A1 (de) * 2003-05-09 2004-11-10 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US20040263816A1 (en) * 2003-05-12 2004-12-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1477861A1 (de) * 2003-05-16 2004-11-17 ASML Netherlands B.V. Verfahren zur Eichung eines lithographischen Geräts, Ausrichtverfahren, Komputerprogramm, lithographisches Gerät und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
SG141228A1 (en) * 2003-05-19 2008-04-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TW200509205A (en) 2003-05-23 2005-03-01 Nippon Kogaku Kk Exposure method and device-manufacturing method
TWI470671B (zh) 2003-05-23 2015-01-21 尼康股份有限公司 Exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101728664B1 (ko) 2003-05-28 2017-05-02 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
TWI347741B (en) * 2003-05-30 2011-08-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1486828B1 (de) 2003-06-09 2013-10-09 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20040252287A1 (en) * 2003-06-11 2004-12-16 Michael Binnard Reaction frame assembly that functions as a reaction mass
US7317504B2 (en) * 2004-04-08 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261741A3 (de) * 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
EP1486824A1 (de) * 2003-06-11 2004-12-15 ASML Netherlands B.V. Bewegliches Trägersystem für einen lithographischen Belichtungsapparat, lithographischer Belichtungssapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
KR101940892B1 (ko) 2003-06-13 2019-01-21 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
KR101289979B1 (ko) 2003-06-19 2013-07-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
EP1491967A1 (de) * 2003-06-27 2004-12-29 ASML Netherlands B.V. Verfahren und Vorrichtung zur Positionierung eines Substrats auf einem Substrattisch
TWI251129B (en) * 2003-06-27 2006-03-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and integrated circuit manufacturing method
SG151079A1 (en) * 2003-06-30 2009-04-30 Asml Masktools Bv Improved scattering bar opc application method for sub-half wavelength lithography patterning
EP1975721A1 (de) 2003-06-30 2008-10-01 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
US7355673B2 (en) * 2003-06-30 2008-04-08 Asml Masktools B.V. Method, program product and apparatus of simultaneous optimization for NA-Sigma exposure settings and scattering bars OPC using a device layout
JP4563746B2 (ja) 2003-06-30 2010-10-13 エーエスエムエル マスクツールズ ビー.ブイ. イメージ・フィールド・マップを利用して補助フィーチャを生成するための、方法、プログラム製品及び装置
TWI284253B (en) * 2003-07-01 2007-07-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7248339B2 (en) * 2003-07-04 2007-07-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005006418A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
CN102944981A (zh) * 2003-07-09 2013-02-27 株式会社尼康 曝光装置、器件制造方法
WO2005006417A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
EP2264532B1 (de) 2003-07-09 2012-10-31 Nikon Corporation Belichtungsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
EP1496397A1 (de) * 2003-07-11 2005-01-12 ASML Netherlands B.V. Methode und System zur vorwärts gerichteten Overlay-Korrektur musterinduzierter Bildverzerrung- und verschiebung, und lithographisches Projektionsgerät zur Benutzung derselben
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
EP1500987A1 (de) * 2003-07-21 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat, Verfahren zur Herstellung eines Artikels und damit hergestellter Artikel
EP1500979A1 (de) * 2003-07-21 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
TWI245170B (en) 2003-07-22 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
EP1500980A1 (de) * 2003-07-22 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Projektionsapparat, Verfahren zur Herstellung eines Artikels und dabei erzeugter Artikel
TWI254188B (en) * 2003-07-23 2006-05-01 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus and article holder therefor
US7456932B2 (en) * 2003-07-25 2008-11-25 Asml Netherlands B.V. Filter window, lithographic projection apparatus, filter window manufacturing method, device manufacturing method and device manufactured thereby
EP2264534B1 (de) 2003-07-28 2013-07-17 Nikon Corporation Belichtungsapparat, Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung, und Verfahren zur Steuerung des Apparats
EP1503244A1 (de) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Projektionsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US7145643B2 (en) * 2003-08-07 2006-12-05 Asml Netherlands B.V. Interface unit, lithographic projection apparatus comprising such an interface unit and a device manufacturing method
KR101613384B1 (ko) 2003-08-21 2016-04-18 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
TW200513805A (en) 2003-08-26 2005-04-16 Nippon Kogaku Kk Optical device and exposure apparatus
US8149381B2 (en) 2003-08-26 2012-04-03 Nikon Corporation Optical element and exposure apparatus
JP4146825B2 (ja) * 2003-08-27 2008-09-10 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィック装置、デバイス製造方法及びスライド・アセンブリ
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
SG145780A1 (en) * 2003-08-29 2008-09-29 Nikon Corp Exposure apparatus and device fabricating method
KR101874724B1 (ko) 2003-08-29 2018-07-04 가부시키가이샤 니콘 액체회수장치, 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
US6873938B1 (en) 2003-09-17 2005-03-29 Asml Netherlands B.V. Adaptive lithographic critical dimension enhancement
WO2005029559A1 (ja) * 2003-09-19 2005-03-31 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US8064730B2 (en) * 2003-09-22 2011-11-22 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method, orientation determination method and lithographic apparatus
US8208198B2 (en) 2004-01-14 2012-06-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective
JP4438747B2 (ja) 2003-09-26 2010-03-24 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光装置の洗浄方法、メンテナンス方法並びにデバイスの製造方法
TW201809911A (zh) 2003-09-29 2018-03-16 尼康股份有限公司 曝光裝置及曝光方法、以及元件製造方法
CN1860585B (zh) * 2003-09-29 2010-04-28 株式会社尼康 液浸型透镜系统和投影曝光装置
WO2005031824A1 (ja) * 2003-09-29 2005-04-07 Nikon Corporation 投影露光装置、投影露光方法およびデバイス製造方法
KR101319109B1 (ko) 2003-10-08 2013-10-17 가부시키가이샤 자오 니콘 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법
TWI598934B (zh) 2003-10-09 2017-09-11 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
DE602004030365D1 (de) 2003-10-22 2011-01-13 Nippon Kogaku Kk Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und verfahren zur bauelementeherstellung
TWI609409B (zh) 2003-10-28 2017-12-21 尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
WO2005041276A1 (ja) 2003-10-28 2005-05-06 Nikon Corporation 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法
WO2005043607A1 (ja) 2003-10-31 2005-05-12 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US7665946B2 (en) * 2003-11-04 2010-02-23 Advanced Display Process Engineering Co., Ltd. Transfer chamber for flat display device manufacturing apparatus
JPWO2005048325A1 (ja) * 2003-11-17 2007-11-29 株式会社ニコン ステージ駆動方法及びステージ装置並びに露光装置
TWI512335B (zh) 2003-11-20 2015-12-11 尼康股份有限公司 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法
US7414759B2 (en) * 2003-11-26 2008-08-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Scanner linearity tester
US7253077B2 (en) * 2003-12-01 2007-08-07 Asml Netherlands B.V. Substrate, method of preparing a substrate, method of measurement, lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby, and machine-readable storage medium
TWI440981B (zh) 2003-12-03 2014-06-11 尼康股份有限公司 Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US7565219B2 (en) 2003-12-09 2009-07-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, method of determining a model parameter, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7466489B2 (en) * 2003-12-15 2008-12-16 Susanne Beder Projection objective having a high aperture and a planar end surface
KR101941351B1 (ko) 2003-12-15 2019-01-22 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
US20050134865A1 (en) * 2003-12-17 2005-06-23 Asml Netherlands B.V. Method for determining a map, device manufacturing method, and lithographic apparatus
US7288779B2 (en) * 2003-12-17 2007-10-30 Asml Netherlands B.V. Method for position determination, method for overlay optimization, and lithographic projection apparatus
JP5102492B2 (ja) 2003-12-19 2012-12-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ
US7292315B2 (en) * 2003-12-19 2007-11-06 Asml Masktools B.V. Optimized polarization illumination
US7113255B2 (en) 2003-12-19 2006-09-26 Asml Holding N.V. Grating patch arrangement, lithographic apparatus, method of testing, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US6955074B2 (en) * 2003-12-29 2005-10-18 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus, method of calibration, calibration plate, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7349101B2 (en) * 2003-12-30 2008-03-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, overlay detector, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7145641B2 (en) * 2003-12-31 2006-12-05 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
DE602004027162D1 (de) 2004-01-05 2010-06-24 Nippon Kogaku Kk Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und bauelementeherstellungsverfahren
CN1902733A (zh) * 2004-01-06 2007-01-24 株式会社尼康 曝光方法和装置以及器件制造方法
US20080151365A1 (en) 2004-01-14 2008-06-26 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective
WO2005069355A1 (ja) 2004-01-15 2005-07-28 Nikon Corporation 露光装置及びデバイスの製造方法
JP4843503B2 (ja) * 2004-01-20 2011-12-21 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置
WO2005071717A1 (ja) 2004-01-26 2005-08-04 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
TWI395068B (zh) * 2004-01-27 2013-05-01 尼康股份有限公司 光學系統、曝光裝置以及曝光方法
US7221433B2 (en) 2004-01-28 2007-05-22 Nikon Corporation Stage assembly including a reaction assembly having a connector assembly
US7256873B2 (en) * 2004-01-28 2007-08-14 Asml Netherlands B.V. Enhanced lithographic resolution through double exposure
US7589822B2 (en) * 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
EP1713114B1 (de) 2004-02-03 2018-09-19 Nikon Corporation Belichtungsvorrichtung und verfahren zur herstellung einer vorrichtung
EP3208658B1 (de) 2004-02-04 2018-06-06 Nikon Corporation Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und verfahren zur herstellung einer vorrichtung
TWI614795B (zh) 2004-02-06 2018-02-11 Nikon Corporation 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
WO2005076323A1 (ja) 2004-02-10 2005-08-18 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法、メンテナンス方法及び露光方法
US7352472B2 (en) * 2004-02-18 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and method for determining z-displacement
US7113256B2 (en) * 2004-02-18 2006-09-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method with feed-forward focus control
WO2005081291A1 (ja) * 2004-02-19 2005-09-01 Nikon Corporation 露光装置及びデバイスの製造方法
US20070030467A1 (en) * 2004-02-19 2007-02-08 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device fabricating method
JP5076497B2 (ja) 2004-02-20 2012-11-21 株式会社ニコン 露光装置、液体の供給方法及び回収方法、露光方法、並びにデバイス製造方法
US20080038675A1 (en) * 2004-02-20 2008-02-14 Nikon Corporation Exposure Method, Exposure Apparatus, Exposure System and Device Manufacturing Method
US7625675B2 (en) * 2004-02-25 2009-12-01 Oerlikon Trading Ag, Trubbach Method for producing masks for photolithography and the use of such masks
JP2005243928A (ja) * 2004-02-26 2005-09-08 Fujitsu Ltd トレンチアイソレーションで分離されたトランジスタ対を有する半導体装置
DE102004013886A1 (de) 2004-03-16 2005-10-06 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Mehrfachbelichtung, Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage und Projektionssystem
US7184123B2 (en) * 2004-03-24 2007-02-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic optical system
KR101851511B1 (ko) 2004-03-25 2018-04-23 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
CN1950929B (zh) * 2004-03-25 2011-05-25 株式会社尼康 曝光装置及曝光方法、以及组件制造方法
US7856606B2 (en) * 2004-03-31 2010-12-21 Asml Masktools B.V. Apparatus, method and program product for suppressing waviness of features to be printed using photolithographic systems
US7034917B2 (en) * 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
KR101072514B1 (ko) * 2004-04-09 2011-10-11 에이에스엠엘 마스크툴즈 비.브이. 코너에서의 라운딩 및 챔퍼들을 이용한 광근접성 보정 방법
JP4677986B2 (ja) 2004-04-19 2011-04-27 株式会社ニコン ノズル部材、露光方法、露光装置及びデバイス製造方法
KR20170129271A (ko) 2004-05-17 2017-11-24 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈
US7486381B2 (en) * 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7289858B2 (en) * 2004-05-25 2007-10-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic motion control system and method
US7385671B2 (en) * 2004-05-28 2008-06-10 Azores Corporation High speed lithography machine and method
EP1768169B9 (de) * 2004-06-04 2013-03-06 Nikon Corporation Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und verfahren zur herstellung eines bauelementes
WO2005119368A2 (en) 2004-06-04 2005-12-15 Carl Zeiss Smt Ag System for measuring the image quality of an optical imaging system
CN103605262B (zh) 2004-06-09 2016-06-29 株式会社尼康 曝光装置及其维护方法、以及元件制造方法
EP2637061B1 (de) 2004-06-09 2018-07-18 Nikon Corporation Beleuchtungsvorrichtung, Beleuchtungsverfahren und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US8508713B2 (en) 2004-06-10 2013-08-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
WO2005122220A1 (ja) 2004-06-10 2005-12-22 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US8717533B2 (en) 2004-06-10 2014-05-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
WO2005122221A1 (ja) 2004-06-10 2005-12-22 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US8373843B2 (en) 2004-06-10 2013-02-12 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
WO2006007167A2 (en) * 2004-06-17 2006-01-19 Nikon Corporation Magnetic levitation lithography apparatus and method
US8698998B2 (en) 2004-06-21 2014-04-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for cleaning member thereof, maintenance method for exposure apparatus, maintenance device, and method for producing device
EP3462241A1 (de) 2004-06-21 2019-04-03 Nikon Corporation Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und verfahren zur herstellung einer vorrichtung
JP5119666B2 (ja) 2004-06-21 2013-01-16 株式会社ニコン 露光装置、液体除去方法、及びデバイス製造方法
WO2006001282A1 (ja) * 2004-06-25 2006-01-05 Nikon Corporation 位置決め装置、位置決め方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7403264B2 (en) 2004-07-08 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and a device manufacturing method using such lithographic projection apparatus
JP4894515B2 (ja) 2004-07-12 2012-03-14 株式会社ニコン 露光装置、デバイス製造方法、及び液体検出方法
JPWO2006006730A1 (ja) * 2004-07-15 2008-05-01 株式会社ニコン 平面モータ装置、ステージ装置、露光装置及びデバイスの製造方法
EP1783823A4 (de) 2004-07-21 2009-07-22 Nikon Corp Belichtungsverfahren und verfahren zur bauelementeherstellung
WO2006009254A1 (ja) * 2004-07-23 2006-01-26 Nikon Corporation 支持装置、ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法
KR101230712B1 (ko) * 2004-08-03 2013-02-07 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JP2006113533A (ja) 2004-08-03 2006-04-27 Nikon Corp 投影光学系、露光装置、および露光方法
TW200615716A (en) * 2004-08-05 2006-05-16 Nikon Corp Stage device and exposure device
JP4983257B2 (ja) * 2004-08-18 2012-07-25 株式会社ニコン 露光装置、デバイス製造方法、計測部材、及び計測方法
US7620930B2 (en) 2004-08-24 2009-11-17 Asml Masktools B.V. Method, program product and apparatus for model based scattering bar placement for enhanced depth of focus in quarter-wavelength lithography
ATE535015T1 (de) * 2004-09-01 2011-12-15 Nikon Corp Substrathalter, bühnenvorrichtung und belichtungsvorrichtung
EP1801630A4 (de) 2004-09-13 2009-12-16 Nikon Corp Optisches projektionssystem, projektionsverfahren für ein optisches projektionssystem, belichtungssystem und belichtungsverfahren
CN1800971A (zh) 2004-09-14 2006-07-12 Asml蒙片工具有限公司 一种用于实施全芯片制造可靠性检查和校正的方法
TWI417940B (zh) 2004-09-17 2013-12-01 尼康股份有限公司 Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
CN101015039B (zh) * 2004-09-17 2010-09-01 尼康股份有限公司 曝光用基板、曝光方法及元件制造方法
SG155927A1 (en) 2004-09-17 2009-10-29 Nikon Corp Substrate holding device, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2006038563A1 (ja) 2004-10-01 2006-04-13 Nikon Corporation リニアモータ、ステージ装置、及び露光装置
EP1806771A4 (de) * 2004-10-08 2008-06-18 Nikon Corp Belichtungseinrichtung und bauelementeherstellungsverfahren
US7852456B2 (en) * 2004-10-13 2010-12-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
WO2006041086A1 (ja) * 2004-10-13 2006-04-20 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
EP3046135B1 (de) 2004-10-15 2017-09-20 Nikon Corporation Belichtungsvorrichtung und vorrichtungsherstellungsverfahren
US20080151213A1 (en) * 2004-10-18 2008-06-26 Dai Arai Bearing Device, Stage Device, and Exposure Apparatus
JP4665712B2 (ja) 2004-10-26 2011-04-06 株式会社ニコン 基板処理方法、露光装置及びデバイス製造方法
CN100533662C (zh) 2004-11-01 2009-08-26 株式会社尼康 曝光装置及器件制造方法
US7869000B2 (en) * 2004-11-02 2011-01-11 Nikon Corporation Stage assembly with lightweight fine stage and low transmissibility
US7417714B2 (en) * 2004-11-02 2008-08-26 Nikon Corporation Stage assembly with measurement system initialization, vibration compensation, low transmissibility, and lightweight fine stage
EP1816671A4 (de) 2004-11-11 2010-01-13 Nikon Corp Belichtungsverfahren, bauelementeherstellungsverfahren und substrat
US20070285634A1 (en) * 2004-11-19 2007-12-13 Nikon Corporation Maintenance Method, Exposure Method, Exposure Apparatus, And Method For Producing Device
EP1826813A4 (de) 2004-12-01 2009-05-13 Nikon Corp Bühneneinrichtung und belichtungsvorrichtung
US7262831B2 (en) * 2004-12-01 2007-08-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method using such lithographic projection apparatus
US20080106718A1 (en) * 2004-12-02 2008-05-08 Nikon Corporation Exposure Apparatus and Device Manufacturing Method
TW200632576A (en) * 2004-12-02 2006-09-16 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method and manufacturing method of device
WO2006062074A1 (ja) * 2004-12-06 2006-06-15 Nikon Corporation 基板処理方法、露光方法、露光装置及びデバイス製造方法
KR101559621B1 (ko) 2004-12-06 2015-10-13 가부시키가이샤 니콘 메인터넌스 방법, 메인터넌스 기기, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
US20060119811A1 (en) * 2004-12-07 2006-06-08 Asml Netherlands B.V. Radiation exposure apparatus comprising a gas flushing system
WO2006062096A1 (ja) * 2004-12-07 2006-06-15 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US7397533B2 (en) 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7453063B2 (en) * 2004-12-08 2008-11-18 Asml Netherlands B.V. Calibration substrate and method for calibrating a lithographic apparatus
JP4752473B2 (ja) 2004-12-09 2011-08-17 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
KR101771334B1 (ko) 2004-12-15 2017-08-24 가부시키가이샤 니콘 기판 유지 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조방법
US7528931B2 (en) * 2004-12-20 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1830456A1 (de) * 2004-12-24 2007-09-05 Nikon Corporation Magnetische führungsvorrichtung, bühnenvorrichtung, belichtungsvorrichtung und bauelementeherstellungsverfahren
US7355675B2 (en) * 2004-12-29 2008-04-08 Asml Netherlands B.V. Method for measuring information about a substrate, and a substrate for use in a lithographic apparatus
US7193683B2 (en) 2005-01-06 2007-03-20 Nikon Corporation Stage design for reflective optics
US7450217B2 (en) 2005-01-12 2008-11-11 Asml Netherlands B.V. Exposure apparatus, coatings for exposure apparatus, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
KR20070095270A (ko) * 2005-01-18 2007-09-28 가부시키가이샤 니콘 액체 제거 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR101440617B1 (ko) 2005-01-31 2014-09-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US20070258068A1 (en) * 2005-02-17 2007-11-08 Hiroto Horikawa Exposure Apparatus, Exposure Method, and Device Fabricating Method
SG125232A1 (en) 2005-02-23 2006-09-29 Asml Masktools Bv Method, program product and apparatus for optimizing illumination for full-chip layer
EP1879217A4 (de) 2005-03-18 2010-06-09 Nikon Corp Belichtungsverfahren, belichtungsvorrichtung, bauelementeherstellungsverfahren und belichtungsvorrichtungs-evaluierungsverfahren
JP4844186B2 (ja) 2005-03-18 2011-12-28 株式会社ニコン プレート部材、基板保持装置、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
EP3159738B1 (de) 2005-03-25 2018-12-12 Nikon Corporation Verfahren zur verzerrungsbestimmung eines optischen projektionssystems
US7317506B2 (en) * 2005-03-29 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Variable illumination source
TWI330762B (en) 2005-03-29 2010-09-21 Asml Netherlands Bv Seal of a lithographic apparatus, lithographic apparatus, device manufacturing method and data storage medium
US7548302B2 (en) * 2005-03-29 2009-06-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1865540A4 (de) * 2005-03-30 2010-03-17 Nikon Corp Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und bauelementeherstellungsverfahren
EP1865539A4 (de) 2005-03-30 2011-09-07 Nikon Corp Verfahren zur bestimmung von belichtungsbedingungen, belichtungsverfahren, belichtungseinrichtung und vorrichtung zur bauelementeherstellung
KR20070115863A (ko) * 2005-03-31 2007-12-06 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US20070132976A1 (en) * 2005-03-31 2007-06-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
TW200644079A (en) * 2005-03-31 2006-12-16 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method, and device production method
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US7515281B2 (en) * 2005-04-08 2009-04-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7161659B2 (en) * 2005-04-08 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101555707B1 (ko) 2005-04-18 2015-09-25 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
KR101344142B1 (ko) 2005-04-25 2013-12-23 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
WO2006118108A1 (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Nikon Corporation 露光方法、露光装置、デバイス製造方法、及び膜の評価方法
WO2006118189A1 (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
EP2527921A3 (de) 2005-04-28 2017-10-18 Nikon Corporation Belichtungsverfahren und Belichtungsapparat
US7738075B2 (en) * 2005-05-23 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic attribute enhancement
JP4596191B2 (ja) 2005-05-24 2010-12-08 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
WO2006137410A1 (ja) 2005-06-21 2006-12-28 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法
US20070085989A1 (en) * 2005-06-21 2007-04-19 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, maintenance method, and device manufacturing method
US7924416B2 (en) 2005-06-22 2011-04-12 Nikon Corporation Measurement apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2007000995A1 (ja) * 2005-06-28 2007-01-04 Nikon Corporation 露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法
US8693006B2 (en) 2005-06-28 2014-04-08 Nikon Corporation Reflector, optical element, interferometer system, stage device, exposure apparatus, and device fabricating method
EP1898448A4 (de) * 2005-06-29 2011-06-29 Nikon Corp Belichtungsvorrichtung, substratverarbeitungsverfahren und bauelementeherstellungsverfahren
US8179517B2 (en) 2005-06-30 2012-05-15 Nikon Corporation Exposure apparatus and method, maintenance method for exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5353005B2 (ja) 2005-07-11 2013-11-27 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP5309565B2 (ja) * 2005-08-05 2013-10-09 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置、方法、露光方法、及びデバイス製造方法
JP5040653B2 (ja) 2005-08-23 2012-10-03 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US7665981B2 (en) * 2005-08-25 2010-02-23 Molecular Imprints, Inc. System to transfer a template transfer body between a motion stage and a docking plate
US20070064384A1 (en) * 2005-08-25 2007-03-22 Molecular Imprints, Inc. Method to transfer a template transfer body between a motion stage and a docking plate
US20070074635A1 (en) * 2005-08-25 2007-04-05 Molecular Imprints, Inc. System to couple a body and a docking plate
JP4781049B2 (ja) 2005-08-30 2011-09-28 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
TWI450044B (zh) 2005-08-31 2014-08-21 尼康股份有限公司 An optical element, an exposure apparatus using the same, an exposure method, and a manufacturing method of the micro-element
US8111374B2 (en) 2005-09-09 2012-02-07 Nikon Corporation Analysis method, exposure method, and device manufacturing method
CN101258581B (zh) 2005-09-09 2011-05-11 株式会社尼康 曝光装置及曝光方法以及设备制造方法
WO2007034838A1 (ja) 2005-09-21 2007-03-29 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US20070070323A1 (en) * 2005-09-21 2007-03-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device fabricating method
US7239371B2 (en) * 2005-10-18 2007-07-03 International Business Machines Corporation Density-aware dynamic leveling in scanning exposure systems
US20070095739A1 (en) * 2005-10-24 2007-05-03 Nikon Corporation Utility transfer apparatus, stage apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8681314B2 (en) 2005-10-24 2014-03-25 Nikon Corporation Stage device and coordinate correction method for the same, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20070127135A1 (en) * 2005-11-01 2007-06-07 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
WO2007052659A1 (ja) 2005-11-01 2007-05-10 Nikon Corporation 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
WO2007055199A1 (ja) 2005-11-09 2007-05-18 Nikon Corporation 露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法
WO2007055237A1 (ja) * 2005-11-09 2007-05-18 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US20070127002A1 (en) * 2005-11-09 2007-06-07 Nikon Corporation Exposure apparatus and method, and device manufacturing method
JPWO2007055373A1 (ja) 2005-11-14 2009-04-30 株式会社ニコン 液体回収部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
EP1956431A4 (de) * 2005-11-15 2009-06-24 Nikon Corp Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und bauelemente-herstellungsverfahren
KR20080068820A (ko) 2005-11-16 2008-07-24 가부시키가이샤 니콘 기판 처리 방법, 포토마스크의 제조 방법 및 포토마스크,그리고 디바이스 제조 방법
US7803516B2 (en) 2005-11-21 2010-09-28 Nikon Corporation Exposure method, device manufacturing method using the same, exposure apparatus, and substrate processing method and apparatus
JP2007165869A (ja) 2005-11-21 2007-06-28 Nikon Corp 露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法、露光装置、並びに基板処理方法及び装置
US8125610B2 (en) * 2005-12-02 2012-02-28 ASML Metherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus
US7782442B2 (en) 2005-12-06 2010-08-24 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, projection optical system and device producing method
EP1965414A4 (de) 2005-12-06 2010-08-25 Nikon Corp Belichtungsverfahren, belichtungsvorrichtung und verfahren zur bauelementeherstellung
EP1970944A4 (de) 2005-12-06 2010-04-28 Nikon Corp Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren, optisches projektionssystem und bauelementeherstellungsverfahren
EP2768016B1 (de) 2005-12-08 2017-10-25 Nikon Corporation Belichtungsvorrichtung und -verfahren
US7626181B2 (en) * 2005-12-09 2009-12-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8953148B2 (en) * 2005-12-28 2015-02-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and making method thereof
CN102681368B (zh) 2005-12-28 2015-09-30 株式会社尼康 图案形成方法及图案形成装置、以及元件制造方法
TWI409598B (zh) 2005-12-28 2013-09-21 尼康股份有限公司 Pattern forming method and pattern forming apparatus, exposure method and exposure apparatus, and component manufacturing method
US8411271B2 (en) 2005-12-28 2013-04-02 Nikon Corporation Pattern forming method, pattern forming apparatus, and device manufacturing method
KR20080088579A (ko) 2005-12-28 2008-10-02 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법
US7493589B2 (en) * 2005-12-29 2009-02-17 Asml Masktools B.V. Method, program product and apparatus for model based geometry decomposition for use in a multiple exposure process
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7804646B2 (en) * 2006-01-31 2010-09-28 Asml Masktools B.V. Method for decomposition of a customized DOE for use with a single exposure into a set of multiple exposures using standard DOEs with optimized exposure settings
KR20080103564A (ko) 2006-02-16 2008-11-27 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
EP1986223A4 (de) 2006-02-16 2010-08-25 Nikon Corp Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und bauelementeherstellungsverfahren
EP1990828A4 (de) 2006-02-16 2010-09-15 Nikon Corp Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und verfahren zur herstellung von bauelementen
WO2007094407A1 (ja) 2006-02-16 2007-08-23 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US8134681B2 (en) 2006-02-17 2012-03-13 Nikon Corporation Adjustment method, substrate processing method, substrate processing apparatus, exposure apparatus, inspection apparatus, measurement and/or inspection system, processing apparatus, computer system, program and information recording medium
US8908145B2 (en) 2006-02-21 2014-12-09 Nikon Corporation Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
JP5177674B2 (ja) 2006-02-21 2013-04-03 株式会社ニコン 測定装置及び方法、パターン形成装置及び方法、並びにデバイス製造方法
CN101980085B (zh) * 2006-02-21 2012-11-07 株式会社尼康 曝光装置、曝光方法及组件制造方法
WO2007100081A1 (ja) 2006-03-03 2007-09-07 Nikon Corporation 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP5077770B2 (ja) 2006-03-07 2012-11-21 株式会社ニコン デバイス製造方法、デバイス製造システム及び測定検査装置
US20070212649A1 (en) * 2006-03-07 2007-09-13 Asml Netherlands B.V. Method and system for enhanced lithographic patterning
US7598024B2 (en) 2006-03-08 2009-10-06 Asml Netherlands B.V. Method and system for enhanced lithographic alignment
EP1995768A4 (de) 2006-03-13 2013-02-06 Nikon Corp Belichtungsvorrichtung, wartungsverfahren, belichtungsverfahren sowie herstellungsverfahren für die vorrichtung
US20070242254A1 (en) * 2006-03-17 2007-10-18 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8982322B2 (en) 2006-03-17 2015-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US20080013062A1 (en) 2006-03-23 2008-01-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
CN100590173C (zh) * 2006-03-24 2010-02-17 北京有色金属研究总院 一种荧光粉及其制造方法和所制成的电光源
WO2007116752A1 (ja) 2006-04-05 2007-10-18 Nikon Corporation ステージ装置、露光装置、ステージ制御方法、露光方法、およびデバイス製造方法
EP2267530A1 (de) * 2006-04-06 2010-12-29 ASML MaskTools B.V. Verfahren und Vorrichtung zur Durchführung von Dunkelfeld-Doppeldipollithografie
JPWO2007119821A1 (ja) * 2006-04-14 2009-08-27 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US7818151B2 (en) * 2006-05-02 2010-10-19 Asml Masktools B.V. Method, program product and apparatus for obtaining short-range flare model parameters for lithography simulation tool
US7583359B2 (en) * 2006-05-05 2009-09-01 Asml Netherlands B.V. Reduction of fit error due to non-uniform sample distribution
DE102006021797A1 (de) 2006-05-09 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung
US7483120B2 (en) * 2006-05-09 2009-01-27 Asml Netherlands B.V. Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method
US8477283B2 (en) 2006-05-10 2013-07-02 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US20070267995A1 (en) * 2006-05-18 2007-11-22 Nikon Corporation Six Degree-of-Freedom Stage Apparatus
CN102298274A (zh) 2006-05-18 2011-12-28 株式会社尼康 曝光方法及装置、维护方法、以及组件制造方法
US20080024749A1 (en) * 2006-05-18 2008-01-31 Nikon Corporation Low mass six degree of freedom stage for lithography tools
US7728462B2 (en) 2006-05-18 2010-06-01 Nikon Corporation Monolithic stage devices providing motion in six degrees of freedom
CN101385125B (zh) 2006-05-22 2011-04-13 株式会社尼康 曝光方法及装置、维修方法、以及组件制造方法
SG172613A1 (en) 2006-05-23 2011-07-28 Nikon Corp Maintenance method, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
WO2007139017A1 (ja) * 2006-05-29 2007-12-06 Nikon Corporation 液体回収部材、基板保持部材、露光装置、及びデバイス製造方法
JP5218049B2 (ja) 2006-05-31 2013-06-26 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
US7502103B2 (en) 2006-05-31 2009-03-10 Asml Netherlands B.V. Metrology tool, system comprising a lithographic apparatus and a metrology tool, and a method for determining a parameter of a substrate
JPWO2007142350A1 (ja) 2006-06-09 2009-10-29 株式会社ニコン パターン形成方法及びパターン形成装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US7697115B2 (en) * 2006-06-23 2010-04-13 Asml Holding N.V. Resonant scanning mirror
KR20090033170A (ko) 2006-06-30 2009-04-01 가부시키가이샤 니콘 메인터넌스 방법, 노광 방법 및 장치 및 디바이스 제조 방법
US20080073563A1 (en) 2006-07-01 2008-03-27 Nikon Corporation Exposure apparatus that includes a phase change circulation system for movers
JP4607151B2 (ja) * 2006-07-06 2011-01-05 エーエスエムエル マスクツールズ ビー.ブイ. 改良型cplマスクおよびそれを生成する方法およびプログラム製品
WO2008007660A1 (fr) 2006-07-14 2008-01-17 Nikon Corporation Appareil à platine et appareil d'exposition
WO2008026593A1 (fr) 2006-08-30 2008-03-06 Nikon Corporation Dispositif d'exposition, procédé de fabrication de dispositif, procédé de nettoyage et élément de nettoyage
JP5029611B2 (ja) * 2006-09-08 2012-09-19 株式会社ニコン クリーニング用部材、クリーニング方法、露光装置、並びにデバイス製造方法
TW200830057A (en) 2006-09-08 2008-07-16 Nikon Corp Mask, exposure apparatus and device manufacturing method
US7592760B2 (en) * 2006-09-11 2009-09-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1901121A2 (de) * 2006-09-13 2008-03-19 ASML MaskTools B.V. Verfahren zur Zerlegung eines Maskenmusters in Abhängigkeit von der Pitch-Grösse
JP4922112B2 (ja) * 2006-09-13 2012-04-25 エーエスエムエル マスクツールズ ビー.ブイ. パターン分解フィーチャのためのモデルベースopcを行うための方法および装置
US7872730B2 (en) 2006-09-15 2011-01-18 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and immersion exposure method, and device manufacturing method
JP5120377B2 (ja) 2006-09-29 2013-01-16 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US7999918B2 (en) * 2006-09-29 2011-08-16 Nikon Corporation Movable body system, pattern formation apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
US20080100909A1 (en) * 2006-10-30 2008-05-01 Nikon Corporation Optical element, liquid immersion exposure apparatus, liquid immersion exposure method, and method for producing microdevice
WO2008053918A1 (fr) * 2006-10-31 2008-05-08 Nikon Corporation Appareil de maintien de liquide, procédé de maintien de liquide, appareil d'exposition, procédé d'exposition et procédé de fabrication du dispositif
US8120753B2 (en) * 2006-11-08 2012-02-21 Asml Masktools B.V. Method, program product and apparatus for generating a calibrated pupil kernel and method of using the same in a lithography simulation process
JP4700672B2 (ja) * 2006-11-08 2011-06-15 エーエスエムエル マスクツールズ ビー.ブイ. ライン幅粗さおよびレジストパターン不良を予測する方法、プログラム、および装置、ならびにそのリソグラフィシミュレーションプロセスでの使用
JP5151989B2 (ja) 2006-11-09 2013-02-27 株式会社ニコン 保持装置、位置検出装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP5032948B2 (ja) 2006-11-14 2012-09-26 エーエスエムエル マスクツールズ ビー.ブイ. Dptプロセスで用いられるパターン分解を行うための方法、プログラムおよび装置
US20080158531A1 (en) 2006-11-15 2008-07-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP5055971B2 (ja) * 2006-11-16 2012-10-24 株式会社ニコン 表面処理方法及び表面処理装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US20080156356A1 (en) * 2006-12-05 2008-07-03 Nikon Corporation Cleaning liquid, cleaning method, liquid generating apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method
US20080212047A1 (en) * 2006-12-28 2008-09-04 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
US8004651B2 (en) 2007-01-23 2011-08-23 Nikon Corporation Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method
TW200846838A (en) * 2007-01-26 2008-12-01 Nikon Corp Support structure and exposure apparatus
WO2008105531A1 (ja) 2007-03-01 2008-09-04 Nikon Corporation ペリクルフレーム装置、マスク、露光方法及び露光装置並びにデバイスの製造方法
US20080225261A1 (en) * 2007-03-13 2008-09-18 Noriyuki Hirayanagi Exposure apparatus and device manufacturing method
US8134685B2 (en) 2007-03-23 2012-03-13 Nikon Corporation Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method
EP1990110A1 (de) * 2007-05-08 2008-11-12 Güdel Group Ag Zentriervorrichtung für flächige Werkstücke in einer Presse und Verfahren zum Einrichten einer solchen Zentriervorrichtung
US8300207B2 (en) 2007-05-17 2012-10-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, immersion system, exposing method, and device fabricating method
US20080285004A1 (en) * 2007-05-18 2008-11-20 Nikon Corporation Monolithic, Non-Contact Six Degree-of-Freedom Stage Apparatus
US8164736B2 (en) * 2007-05-29 2012-04-24 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device
US8098362B2 (en) 2007-05-30 2012-01-17 Nikon Corporation Detection device, movable body apparatus, pattern formation apparatus and pattern formation method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
CN101681093B (zh) 2007-06-04 2012-05-30 Asml荷兰有限公司 用于实施基于模型的光刻引导的布局设计的方法
TWI534408B (zh) 2007-07-24 2016-05-21 尼康股份有限公司 Position measuring system, exposure apparatus, position measuring method, exposure method and component manufacturing method, and measuring tool and measuring method
US8547527B2 (en) 2007-07-24 2013-10-01 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and pattern formation apparatus, and device manufacturing method
US8264669B2 (en) 2007-07-24 2012-09-11 Nikon Corporation Movable body drive method, pattern formation method, exposure method, and device manufacturing method for maintaining position coordinate before and after switching encoder head
US8194232B2 (en) 2007-07-24 2012-06-05 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, position control method and position control system, and device manufacturing method
US7999920B2 (en) 2007-08-22 2011-08-16 Asml Netherlands B.V. Method of performing model-based scanner tuning
US8023106B2 (en) 2007-08-24 2011-09-20 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
US8218129B2 (en) 2007-08-24 2012-07-10 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, measuring method, and position measurement system
US8867022B2 (en) 2007-08-24 2014-10-21 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method
US8237919B2 (en) 2007-08-24 2012-08-07 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method for continuous position measurement of movable body before and after switching between sensor heads
US9304412B2 (en) 2007-08-24 2016-04-05 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and measuring method
US20090051895A1 (en) * 2007-08-24 2009-02-26 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, device manufacturing method, and processing system
US9779186B2 (en) 2007-08-28 2017-10-03 Asml Netherlands B.V. Methods for performing model-based lithography guided layout design
WO2009031656A1 (ja) * 2007-09-07 2009-03-12 Nikon Corporation 吊り下げ装置及び露光装置
US8421994B2 (en) 2007-09-27 2013-04-16 Nikon Corporation Exposure apparatus
JP2009094255A (ja) * 2007-10-05 2009-04-30 Canon Inc 液浸露光装置およびデバイス製造方法
US20090201484A1 (en) * 2007-10-29 2009-08-13 Nikon Corporation Utilities supply member connection apparatus, stage apparatus, projection optical system support apparatus and exposure apparatus
US9013681B2 (en) * 2007-11-06 2015-04-21 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method
US9256140B2 (en) * 2007-11-07 2016-02-09 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method with measurement device to measure movable body in Z direction
US8665455B2 (en) * 2007-11-08 2014-03-04 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method
US8422015B2 (en) 2007-11-09 2013-04-16 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method
JP4779003B2 (ja) * 2007-11-13 2011-09-21 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. フルチップ設計のパターン分解を行うための方法
NL1036189A1 (nl) * 2007-12-05 2009-06-08 Brion Tech Inc Methods and System for Lithography Process Window Simulation.
US20090147228A1 (en) * 2007-12-11 2009-06-11 Nikon Corporation Exposure apparatus, manufacturing method thereof, and maintenance method of exposure apparatus
WO2009075103A1 (ja) * 2007-12-11 2009-06-18 Nikon Corporation 移動体装置、露光装置及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法
US20090153824A1 (en) * 2007-12-17 2009-06-18 Kla-Tencor Corporation Multiple chuck scanning stage
US8269945B2 (en) * 2007-12-28 2012-09-18 Nikon Corporation Movable body drive method and apparatus, exposure method and apparatus, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method
CN104133347B (zh) * 2007-12-28 2016-05-18 株式会社尼康 曝光装置、曝光方法
US8208128B2 (en) * 2008-02-08 2012-06-26 Nikon Corporation Position measuring system and position measuring method, Movable body apparatus, movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, pattern forming apparatus, and device manufacturing method
NL1036557A1 (nl) 2008-03-11 2009-09-14 Asml Netherlands Bv Method and lithographic apparatus for measuring and acquiring height data relating to a substrate surface.
NL1036750A1 (nl) * 2008-04-14 2009-10-15 Brion Tech Inc A Method Of Performing Mask-Writer Tuning and Optimization.
NL1036647A1 (nl) * 2008-04-16 2009-10-19 Asml Netherlands Bv A method of measuring a lithographic projection apparatus.
NL1036891A1 (nl) * 2008-05-02 2009-11-03 Asml Netherlands Bv Dichroic mirror, method for manufacturing a dichroic mirror, lithographic apparatus, semiconductor device and method of manufacturing therefor.
US8228482B2 (en) * 2008-05-13 2012-07-24 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8817236B2 (en) 2008-05-13 2014-08-26 Nikon Corporation Movable body system, movable body drive method, pattern formation apparatus, pattern formation method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8786829B2 (en) * 2008-05-13 2014-07-22 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
EP2128703A1 (de) 2008-05-28 2009-12-02 ASML Netherlands BV Lithographische Vorrichtung und Betriebsverfahren für die Vorrichtung
KR101749987B1 (ko) * 2008-06-03 2017-06-22 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 모델-기반 공정 시뮬레이션 시스템들 및 방법들
US8570485B2 (en) * 2008-06-03 2013-10-29 Asml Netherlands B.V. Lens heating compensation systems and methods
NL2002935A1 (nl) 2008-06-27 2009-12-29 Asml Netherlands Bv Object support positioning device and lithographic apparatus.
WO2010005957A1 (en) * 2008-07-07 2010-01-14 Brion Technologies, Inc. Illumination optimization
US8224061B2 (en) * 2008-07-28 2012-07-17 Asml Netherlands B.V. Method, program product, and apparatus for performing a model based coloring process for pattern decomposition for use in a multiple exposure process
US8340394B2 (en) * 2008-07-28 2012-12-25 Asml Netherlands B.V. Method, program product and apparatus for performing a model based coloring process for geometry decomposition for use in a multiple exposure process
NL2003363A (en) 2008-09-10 2010-03-15 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, method of manufacturing an article for a lithographic apparatus and device manufacturing method.
US8435723B2 (en) * 2008-09-11 2013-05-07 Nikon Corporation Pattern forming method and device production method
US8384875B2 (en) 2008-09-29 2013-02-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
NL2003654A (en) 2008-11-06 2010-05-10 Brion Tech Inc Methods and system for lithography calibration.
NL2003702A (en) 2008-11-10 2010-05-11 Brion Tech Inc Pattern selection for lithographic model calibration.
US8092122B2 (en) 2008-11-10 2012-01-10 Reynolds Consumer Products, Inc. Connection device for fastening expanded cell confinement structures and methods for doing the same
NL2003696A (en) * 2008-11-10 2010-05-11 Brion Tech Inc Scanner model representation with transmission cross coefficients.
US20100302526A1 (en) * 2008-11-13 2010-12-02 Nikon Corporation Drive control method for moving body, exposure method, robot control method, drive control apparatus, exposure apparatus and robot apparatus
CN102224459B (zh) 2008-11-21 2013-06-19 Asml荷兰有限公司 用于优化光刻过程的方法及设备
NL1036299C2 (nl) * 2008-12-10 2010-06-11 Janssen Prec Engineering B V Een systeem om tegels met micrometernauwkeurigheid ten opzichte van elkaar te positioneren en te fixeren.
NL2003699A (en) 2008-12-18 2010-06-21 Brion Tech Inc Method and system for lithography process-window-maximixing optical proximity correction.
US8760629B2 (en) 2008-12-19 2014-06-24 Nikon Corporation Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body
US8773635B2 (en) 2008-12-19 2014-07-08 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8902402B2 (en) 2008-12-19 2014-12-02 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8599359B2 (en) 2008-12-19 2013-12-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method
CN101551599B (zh) * 2009-04-03 2011-07-20 清华大学 一种光刻机硅片台双台交换系统
NL2004322A (en) * 2009-04-13 2010-10-14 Asml Netherlands Bv Cooling device, cooling arrangement and lithographic apparatus comprising a cooling arrangement.
NL2004242A (en) 2009-04-13 2010-10-14 Asml Netherlands Bv Detector module, cooling arrangement and lithographic apparatus comprising a detector module.
US20100296074A1 (en) * 2009-04-30 2010-11-25 Nikon Corporation Exposure method, and device manufacturing method
TW201115280A (en) * 2009-05-15 2011-05-01 Nikon Corp Exposure apparatus and device manufacturing method
US8792084B2 (en) * 2009-05-20 2014-07-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8970820B2 (en) 2009-05-20 2015-03-03 Nikon Corporation Object exchange method, exposure method, carrier system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9312159B2 (en) 2009-06-09 2016-04-12 Nikon Corporation Transport apparatus and exposure apparatus
NL2004847A (en) * 2009-06-30 2011-01-04 Asml Holding Nv Method for controlling the position of a movable object, a control system for controlling a positioning device, and a lithographic apparatus.
IT1399285B1 (it) * 2009-07-03 2013-04-11 Applied Materials Inc Sistema di lavorazione substrato
US8285418B2 (en) * 2009-07-23 2012-10-09 Kla-Tencor Corporation Dual scanning stage
KR20140108348A (ko) * 2009-08-07 2014-09-05 가부시키가이샤 니콘 이동체 장치, 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
TWI514087B (zh) 2009-08-07 2015-12-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
US8514395B2 (en) 2009-08-25 2013-08-20 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8488109B2 (en) 2009-08-25 2013-07-16 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8493547B2 (en) 2009-08-25 2013-07-23 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US20110096306A1 (en) * 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method
NL2005523A (en) * 2009-10-28 2011-05-02 Asml Netherlands Bv Selection of optimum patterns in a design layout based on diffraction signature analysis.
WO2011052703A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
JP5783376B2 (ja) * 2009-11-05 2015-09-24 株式会社ニコン フォーカステストマスク、フォーカス計測方法、露光装置、及び露光方法
US20110134400A1 (en) * 2009-12-04 2011-06-09 Nikon Corporation Exposure apparatus, liquid immersion member, and device manufacturing method
CN101718959B (zh) * 2009-12-15 2011-05-11 清华大学 一种光刻机硅片台双台交换方法及系统
US8488106B2 (en) 2009-12-28 2013-07-16 Nikon Corporation Movable body drive method, movable body apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
NL1037639C2 (en) 2010-01-21 2011-07-25 Mapper Lithography Ip Bv Lithography system with lens rotation.
US8841065B2 (en) 2010-02-12 2014-09-23 Nikon Corporation Manufacturing method of exposure apparatus and device manufacturing method
KR20120116329A (ko) 2010-02-20 2012-10-22 가부시키가이샤 니콘 광원 최적화 방법, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 프로그램, 노광 장치, 리소그래피 시스템, 광원 평가 방법 및 광원 변조 방법
JP4838372B2 (ja) * 2010-04-23 2011-12-14 Thk株式会社 アクチュエータユニット
NL2007579A (en) 2010-11-10 2012-05-14 Asml Netherlands Bv Pattern-dependent proximity matching/tuning including light manipulation by projection optics.
NL2007577A (en) 2010-11-10 2012-05-14 Asml Netherlands Bv Optimization of source, mask and projection optics.
NL2007642A (en) 2010-11-10 2012-05-14 Asml Netherlands Bv Optimization flows of source, mask and projection optics.
NL2007578A (en) 2010-11-17 2012-05-22 Asml Netherlands Bv Pattern-independent and hybrid matching/tuning including light manipulation by projection optics.
US9746787B2 (en) 2011-02-22 2017-08-29 Nikon Corporation Holding apparatus, exposure apparatus and manufacturing method of device
NL2008157A (en) * 2011-02-22 2012-08-24 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and lithographic projection method.
CN102141739B (zh) 2011-04-01 2013-01-16 清华大学 光刻机硅片台双台交换系统
DE102011077223B4 (de) 2011-06-08 2013-08-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Messsystem
CN102236270B (zh) 2011-07-29 2012-12-19 中国科学院光电技术研究所 一种适用于双工件台投影光刻机的检焦装置
KR102105809B1 (ko) * 2011-08-30 2020-05-28 가부시키가이샤 니콘 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법, 노광 방법 및 노광 장치 그리고 디바이스 제조 방법 및 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법
US9690213B2 (en) 2011-09-06 2017-06-27 Kla-Tencor Corporation Linear Stage for reflective electron beam lithography
US8724115B2 (en) 2011-09-06 2014-05-13 Kla-Tencor Corporation Linear stage and metrology architecture for reflective electron beam lithography
CN102393613B (zh) * 2011-11-12 2014-02-05 哈尔滨工业大学 一种基于同步齿轮调向的双工件台回转交换装置
CN102495528B (zh) * 2011-11-12 2014-02-05 哈尔滨工业大学 基于随动防转机构双工件台同相位回转交换方法与装置
NL2009982A (en) 2012-01-10 2013-07-15 Asml Netherlands Bv Source mask optimization to reduce stochastic effects.
US9940427B2 (en) 2012-02-09 2018-04-10 Asml Netherlands B.V. Lens heating aware source mask optimization for advanced lithography
CN103246170B (zh) * 2012-02-09 2015-07-08 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 曝光装置及曝光方法
CN104395828B (zh) 2012-05-31 2018-02-02 Asml荷兰有限公司 基于梯度的图案和评价点选择
NL2011592A (en) 2012-10-31 2014-05-06 Asml Netherlands Bv Compensation for patterning device deformation.
CN104956465B (zh) 2012-11-30 2018-05-29 株式会社尼康 搬送系统、曝光装置、搬送方法、曝光方法及器件制造方法、以及吸引装置
CN108336011B (zh) 2012-11-30 2022-08-02 株式会社尼康 搬入方法、搬送系统及曝光装置、和器件制造方法
JP6140844B2 (ja) 2013-02-22 2017-05-31 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 三次元パターニングデバイス用リソグラフィモデル
KR101807687B1 (ko) 2013-02-25 2017-12-11 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 이산 소스 마스크 최적화
CN104035285B (zh) * 2013-03-05 2016-06-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 曝光装置及其曝光方法
CN104035286B (zh) * 2013-03-05 2015-12-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 圆筒形掩模板系统、曝光装置和曝光方法
KR102275466B1 (ko) * 2013-09-25 2021-07-13 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 빔 전달 장치 및 방법
JP6436090B2 (ja) 2013-10-30 2018-12-12 株式会社ニコン 基板保持装置、露光装置及びデバイス製造方法
KR101924487B1 (ko) 2013-12-17 2018-12-03 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 수율 추산 및 제어
KR101963012B1 (ko) 2014-01-16 2019-03-27 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
EP3105637A1 (de) 2014-02-11 2016-12-21 ASML Netherlands B.V. Modell zur berechnung einer stochastischen variation bei einem arbiträren muster
US10386727B2 (en) 2014-03-18 2019-08-20 Asml Netherlands B.V. Pattern placement error aware optimization
WO2015158444A1 (en) 2014-04-14 2015-10-22 Asml Netherlands B.V. Flows of optimization for lithographic processes
WO2015197313A1 (en) 2014-06-25 2015-12-30 Asml Netherlands B.V. Etch variation tolerant optimization
WO2016008711A1 (en) 2014-07-14 2016-01-21 Asml Netherlands B.V. Optimization of assist features and source
KR102084048B1 (ko) 2014-10-02 2020-03-03 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 어시스트 피처들의 규칙-기반 배치
US10409165B2 (en) 2014-12-15 2019-09-10 Asml Netherlands B.V. Optimization based on machine learning
US10372043B2 (en) 2014-12-17 2019-08-06 Asml Netherlands B.V. Hotspot aware dose correction
US10685158B2 (en) 2014-12-18 2020-06-16 Asml Netherlands B.V. Lithography model for 3D features
TWI620980B (zh) 2015-02-13 2018-04-11 Asml荷蘭公司 影像對數斜率(ils)最佳化
US10514614B2 (en) 2015-02-13 2019-12-24 Asml Netherlands B.V. Process variability aware adaptive inspection and metrology
TWI768409B (zh) 2015-02-23 2022-06-21 日商尼康股份有限公司 基板處理系統及基板處理方法、以及元件製造方法
KR102552792B1 (ko) 2015-02-23 2023-07-06 가부시키가이샤 니콘 계측 장치, 리소그래피 시스템 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
CN107250915B (zh) 2015-02-23 2020-03-13 株式会社尼康 测量装置、光刻系统及曝光装置、以及管理方法、重迭测量方法及组件制造方法
KR102077173B1 (ko) 2015-03-16 2020-02-13 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 레지스트 변형을 결정하는 방법들
TWI703402B (zh) 2015-03-25 2020-09-01 日商尼康股份有限公司 布局方法、標記檢測方法、曝光方法、測量裝置、曝光裝置、以及元件製造方法
CN104900565A (zh) * 2015-05-27 2015-09-09 沈阳拓荆科技有限公司 一种半导体沉积设备腔体对接装置
CN104952773B (zh) * 2015-05-27 2018-01-12 沈阳拓荆科技有限公司 一种半导体沉积设备腔体对接方法
WO2016192964A1 (en) 2015-05-29 2016-12-08 Asml Netherlands B.V. Simulation of lithography using multiple-sampling of angular distribution of source radiation
IL256196B (en) 2015-06-17 2022-07-01 Asml Netherlands Bv Prescription selection based on inter-prescription composition
EP3387481A1 (de) 2015-12-07 2018-10-17 ASML Holding N.V. System mit optischer linse
US10416566B2 (en) 2015-12-14 2019-09-17 Asml Netherlands B.V. Optimization of source and bandwidth for new and existing patterning devices
US11016397B2 (en) 2015-12-17 2021-05-25 Asml Netherlands B.V. Source separation from metrology data
CN108700818B (zh) 2015-12-22 2020-10-16 Asml荷兰有限公司 用于过程窗口表征的设备和方法
WO2017114672A1 (en) 2015-12-31 2017-07-06 Asml Netherlands B.V. Metrology by reconstruction
US10962886B2 (en) 2015-12-31 2021-03-30 Asml Netherlands B.V. Selection of measurement locations for patterning processes
CN108700802A (zh) 2015-12-31 2018-10-23 Asml荷兰有限公司 蚀刻辅助特征
US10345723B2 (en) 2016-02-24 2019-07-09 Asml Netherlands B.V. Substrate handling system and lithographic apparatus
US11112700B2 (en) 2016-03-24 2021-09-07 Asml Netherlands B.V. Optimization of a lithographic projection apparatus accounting for an interlayer characteristic
US10796063B2 (en) 2016-04-14 2020-10-06 Asml Netherlands B.V. Mapping of patterns between design layout and patterning device
WO2017194285A1 (en) 2016-05-12 2017-11-16 Asml Netherlands B.V. Displacement based overlay or alignment
KR102205364B1 (ko) 2016-05-17 2021-01-20 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 관통-파장 유사성에 기초한 계측 견실성 향상 기술
WO2017202602A1 (en) 2016-05-23 2017-11-30 Asml Netherlands B.V. Selection of substrate measurement recipes
US10896282B2 (en) 2016-07-12 2021-01-19 Asml Netherlands B.V. Visualization performance metrics of computational analyses of design layouts
CN109844643A (zh) 2016-08-19 2019-06-04 Asml荷兰有限公司 对曝光后过程进行建模
WO2018038071A1 (ja) 2016-08-24 2018-03-01 株式会社ニコン 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法
KR102293144B1 (ko) 2016-09-01 2021-08-26 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 타겟 측정 레시피의 자동 선택
WO2018050432A1 (en) 2016-09-13 2018-03-22 Asml Netherlands B.V. Optimization of a lithography apparatus or patterning process based on selected aberration
KR102556130B1 (ko) 2016-09-27 2023-07-14 가부시키가이샤 니콘 결정 방법 및 장치, 프로그램, 정보 기록 매체, 노광 장치, 레이아웃 정보 제공 방법, 레이아웃 방법, 마크 검출 방법, 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
KR20240011232A (ko) 2016-09-30 2024-01-25 가부시키가이샤 니콘 계측 시스템 및 기판 처리 시스템, 그리고 디바이스 제조 방법
KR102248121B1 (ko) 2016-10-24 2021-05-06 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 패터닝 디바이스 패턴을 최적화하는 방법
WO2018095705A1 (en) 2016-11-23 2018-05-31 Asml Netherlands B.V. Metrology using a plurality of metrology target measurement recipes
WO2018099716A1 (en) 2016-12-01 2018-06-07 Asml Netherlands B.V. Method and system for pattern configuration
US10795267B2 (en) 2016-12-02 2020-10-06 Asml Netherlands B.V. Model for estimating stochastic variation
WO2018104073A1 (en) 2016-12-09 2018-06-14 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for controlling a computing process
KR102390216B1 (ko) 2016-12-23 2022-04-25 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 패턴 충실도 제어를 위한 방법 및 장치
JP6808041B2 (ja) 2016-12-28 2021-01-06 エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. メトロロジツール及びメトロロジツールを使用する方法
KR102270979B1 (ko) 2016-12-28 2021-06-30 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. 다중-이미지 입자 검출 시스템 및 방법
CN110446980B (zh) 2017-03-21 2022-05-27 Asml荷兰有限公司 对象识别和比较
US10901322B2 (en) 2017-05-12 2021-01-26 Asml Netherlands B.V. Methods for evaluating resist development
WO2018215172A1 (en) 2017-05-25 2018-11-29 Asml Holding N.V. Substrates and methods of using those substrates
KR102597444B1 (ko) 2017-07-12 2023-11-03 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 결함 예측
EP3462240A1 (de) 2017-09-27 2019-04-03 ASML Netherlands B.V. Verfahren zur bestimmung von kontrollparametern eines herstellungsverfahrens für bauelemente
WO2019063206A1 (en) 2017-09-27 2019-04-04 Asml Netherlands B.V. METHOD FOR DETERMINING CONTROL PARAMETERS OF DEVICE MANUFACTURING PROCESS
TWI797737B (zh) 2017-09-29 2023-04-01 美商昂圖創新公司 用於在曝光裝置時減少未對準誤差的方法和設備
WO2020094389A1 (en) 2018-11-08 2020-05-14 Asml Netherlands B.V. Failure model for predicting failure due to resist layer
EP3650940A1 (de) 2018-11-09 2020-05-13 ASML Netherlands B.V. Verfahren im herstellungsverfahren einer vorrichtung, übergangsloses computerlesbares medium und zur ausführung des verfahrens konfiguriertes system
DE102018132001A1 (de) 2018-12-12 2020-06-18 Laser Imaging Systems Gmbh Vorrichtung zum Belichten von plattenförmigen Werkstücken mit hohem Durchsatz
WO2020169355A1 (en) 2019-02-20 2020-08-27 Asml Netherlands B.V. A method for characterizing a manufacturing process of semiconductor devices
CN113454532A (zh) 2019-02-21 2021-09-28 Asml荷兰有限公司 训练机器学习模型以确定掩模的光学邻近效应校正的方法
WO2020173654A1 (en) 2019-02-25 2020-09-03 Asml Netherlands B.V. Method for determining stochastic variation of printed patterns
WO2020193095A1 (en) 2019-03-25 2020-10-01 Asml Netherlands B.V. Method for determining pattern in a patterning process
WO2020200993A1 (en) 2019-04-04 2020-10-08 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for predicting substrate image
CN113924525A (zh) 2019-04-15 2022-01-11 Asml荷兰有限公司 用于确定对掩模的特征的校正的方法
WO2020216572A1 (en) 2019-04-25 2020-10-29 Asml Netherlands B.V. Method of determining characteristic of patterning process based on defect for reducing hotspot
CN113874787B (zh) 2019-05-21 2024-04-16 Asml荷兰有限公司 用于确定与期望图案相关联的随机变化的方法
WO2021069153A1 (en) 2019-10-08 2021-04-15 Asml Netherlands B.V. Method for determining a field-of-view setting
EP3822703A1 (de) 2019-11-18 2021-05-19 ASML Netherlands B.V. Verfahren zur bestimmung einer sichtfeldeinstellung
WO2021078460A1 (en) 2019-10-24 2021-04-29 Asml Netherlands B.V. Method for rule-based retargeting of target pattern
US11892779B2 (en) 2019-11-07 2024-02-06 Asml Holding N.V. Optical component and clamp used in lithographic apparatus
US20230100578A1 (en) 2020-02-12 2023-03-30 Asml Netherlands B.V. Method for determining a mask pattern comprising optical proximity corrections using a trained machine learning model
US11687010B2 (en) 2020-02-21 2023-06-27 Onto Innovation Inc. System and method for correcting overlay errors in a lithographic process
US20230185204A1 (en) 2020-03-27 2023-06-15 Asml Holding N.V. Optical apparatus and lithographic apparatus using the optical apparatus
EP3910418A1 (de) 2020-05-14 2021-11-17 ASML Netherlands B.V. Verfahren zur direkten zersetzung von stochastischen mitwirkenden
WO2021229030A1 (en) 2020-05-14 2021-11-18 Asml Netherlands B.V. Method for predicting stochastic contributors
CN115698864A (zh) 2020-06-08 2023-02-03 Asml荷兰有限公司 用于光刻设备中的衬底保持器和制造衬底保持器的方法
CN115836252A (zh) 2020-06-24 2023-03-21 Asml荷兰有限公司 用于确定辅助特征的印制概率的系统、方法和产品及其应用
JP7433181B2 (ja) * 2020-09-23 2024-02-19 株式会社Screenホールディングス 描画装置
CN116648672A (zh) 2020-12-18 2023-08-25 Asml荷兰有限公司 用于确定掩模图案和训练机器学习模型的方法
JP2024500075A (ja) 2020-12-23 2024-01-04 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 帯域幅及びスペックルに基づくリソグラフィプロセスの最適化
CN116940896A (zh) 2021-03-03 2023-10-24 Asml荷兰有限公司 图案化过程的配置
WO2022248217A1 (en) 2021-05-25 2022-12-01 Asml Netherlands B.V. Determining mask rule check violations and mask design
WO2022258398A1 (en) 2021-06-07 2022-12-15 Asml Netherlands B.V. Determining rounded contours for lithography related patterns
WO2023041488A1 (en) 2021-09-15 2023-03-23 Asml Netherlands B.V. Source separation from metrology data
EP4194950A1 (de) 2021-12-08 2023-06-14 ASML Netherlands B.V. Systeme und verfahren zur reduzierung der musterverschiebung in einer lithografievorrichtung
WO2023110347A1 (en) 2021-12-16 2023-06-22 Asml Netherlands B.V. Systems and methods for optimizing lithographic design variables using image-based failure rate model
WO2024012800A1 (en) 2022-07-11 2024-01-18 Asml Netherlands B.V. Systems and methods for predicting post-etch stochastic variation
WO2024013273A1 (en) 2022-07-14 2024-01-18 Asml Netherlands B.V. Determining mask rule check violations and mask design based on local feature dimension
WO2024022729A1 (en) 2022-07-27 2024-02-01 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for particle removal
WO2024022854A1 (en) 2022-07-28 2024-02-01 Asml Netherlands B.V. Training a machine learning model to generate mrc and process aware mask pattern
EP4325229A1 (de) 2022-08-17 2024-02-21 ASML Netherlands B.V. Verfahren und vorrichtung zur berührungslosen inspektion eines substrats
EP4343827A1 (de) 2022-09-21 2024-03-27 ASML Netherlands B.V. Verfahren und vorrichtung zum bonden von substraten

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4506205A (en) * 1983-06-10 1985-03-19 The Perkin-Elmer Corporation Electro-magnetic alignment apparatus
JPS6018918A (ja) * 1983-07-13 1985-01-31 Canon Inc ステージ装置
GB2155201B (en) * 1984-02-24 1988-07-13 Canon Kk An x-ray exposure apparatus
JP2960423B2 (ja) * 1988-11-16 1999-10-06 株式会社日立製作所 試料移動装置及び半導体製造装置
EP0393994B1 (de) * 1989-04-17 1994-06-15 SHARP Corporation Linearantriebsgerät
JPH03273607A (ja) * 1990-03-23 1991-12-04 Canon Inc 移動テーブル装置
NL9100202A (nl) * 1991-02-05 1992-09-01 Asm Lithography Bv Lithografische inrichting met een hangende objecttafel.
US5301013A (en) * 1991-07-30 1994-04-05 U.S. Philips Corporation Positioning device having two manipulators operating in parallel, and optical lithographic device provided with such a positioning device
US5715064A (en) * 1994-06-17 1998-02-03 International Business Machines Corporation Step and repeat apparatus having enhanced accuracy and increased throughput
JP3800616B2 (ja) * 1994-06-27 2006-07-26 株式会社ニコン 目標物移動装置、位置決め装置及び可動ステージ装置
US5763966A (en) * 1995-03-15 1998-06-09 Hinds; Walter E. Single plane motor system generating orthogonal movement

Also Published As

Publication number Publication date
EP1197801B1 (de) 2005-12-28
JP2000505958A (ja) 2000-05-16
DE69735016D1 (de) 2006-02-02
JP2004363619A (ja) 2004-12-24
WO1998028665A1 (en) 1998-07-02
KR100512450B1 (ko) 2006-01-27
JP3993182B2 (ja) 2007-10-17
DE69717975T2 (de) 2003-05-28
EP0890136B9 (de) 2003-12-10
KR19990087198A (ko) 1999-12-15
US5969441A (en) 1999-10-19
EP0890136B1 (de) 2002-12-18
DE69717975D1 (de) 2003-01-30
EP0890136A1 (de) 1999-01-13
EP1197801A1 (de) 2002-04-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69735016T2 (de) Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern
DE69829614T2 (de) Lithographiegerät mit einer positioniervorrichtung mit zwei objekthaltern
DE69629087T2 (de) Positionierungsgerät mit einem referenzrahmen für ein messsystem
DE60032568T2 (de) Positionierungsapparat und damit versehener lithographischer Apparat
DE60036771T2 (de) Lithographischer Apparat mit einem ausbalancierten Positionierungssystem
DE2557675C2 (de) Verfahren zum Ausrichten von mit zwei Markierungen von bekanntem Abstand versehenen planaren Werkstücken
DE69610288T3 (de) Positioniervorrichtung mit kraftantriebssystem für kompensation von schwerpunktsverschiebungen
DE3938156C2 (de) Probenbewegungsvorrichtung
DE69826641T2 (de) Ausrichtungsgerät mit drei im winkel von jeweils 120 grad zueinander stehenden spulen, sowie hiermit ausgerüstetes lithographisches gerät
DE3318980C2 (de) Vorrichtung zum Justieren beim Projektionskopieren von Masken
AT405775B (de) Verfahren und vorrichtung zum ausgerichteten zusammenführen von scheibenförmigen halbleitersubstraten
DE69631260T2 (de) Abtastbelichtungsapparat, Belichtungsverfahren unter Verwendung desselben und Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung
DE2817401A1 (de) Optische vorrichtung zum projizieren von motiven
EP0280919A2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten einer Traegerplatte fuer gedruckte Schaltungen, gegenueber der Druckeinrichtung einer Maschine zum Bearbeiten von gedruckten Schaltungen
EP3734650A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum ausrichten von substraten
DE3926949C2 (de) Bühnenmechanismus für ein Wafer-Belichtungsgerät
DE3706327C2 (de) Bewegliche Verbundtischanordnung für die fotolithografische Herstellung
DE3118632A1 (de) Belichtungsprojektionsgeraet
DE60225229T2 (de) Lithographischer Projektionsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE2411508C2 (de) Vorrichtung zum Erzeugen von Masken für Mikroschaltkreise
DE3142794C2 (de) Siebdruckverfahren und -vorrichtung
DE3928527C2 (de)
DE60209367T2 (de) Vorrichtung zur messung oder maschinellen bearbeitung eines objekts mit einer verschiebungsstufe mit keilförmigen führungen
DE3904863C2 (de)
DE69928328T2 (de) Lithographischer Projektionsapparat

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee