DE69737621T2 - Halbleiterelement mit einer Höckerelektrode - Google Patents

Halbleiterelement mit einer Höckerelektrode Download PDF

Info

Publication number
DE69737621T2
DE69737621T2 DE1997637621 DE69737621T DE69737621T2 DE 69737621 T2 DE69737621 T2 DE 69737621T2 DE 1997637621 DE1997637621 DE 1997637621 DE 69737621 T DE69737621 T DE 69737621T DE 69737621 T2 DE69737621 T2 DE 69737621T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
wire
capillary
electrode
ball
connection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE1997637621
Other languages
English (en)
Other versions
DE69737621D1 (de
Inventor
Kazushi Neyagawa-shi Osaka-fu Higashi
Norihito Souraku-gun Tsukahara
Takahiro Neyagawa-shi Yonezawa
Yoshihiko Ashiya-shi Yagi
Yoshifumi Hirakata-shi Kitayama
Hiroyuki Ikoma-shi Otani
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP26064596A external-priority patent/JP3532361B2/ja
Priority claimed from JP28983696A external-priority patent/JP3439048B2/ja
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of DE69737621D1 publication Critical patent/DE69737621D1/de
Publication of DE69737621T2 publication Critical patent/DE69737621T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • H01L2224/11001Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
    • H01L2224/11003Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate for holding or transferring the bump preform
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • H01L2224/113Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1133Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
    • H01L2224/1134Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • H01L2224/118Post-treatment of the bump connector
    • H01L2224/1182Applying permanent coating, e.g. in-situ coating
    • H01L2224/11822Applying permanent coating, e.g. in-situ coating by dipping, e.g. in a solder bath
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/1301Shape
    • H01L2224/13016Shape in side view
    • H01L2224/13017Shape in side view being non uniform along the bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/1301Shape
    • H01L2224/13016Shape in side view
    • H01L2224/13018Shape in side view comprising protrusions or indentations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/1301Shape
    • H01L2224/13016Shape in side view
    • H01L2224/13018Shape in side view comprising protrusions or indentations
    • H01L2224/13019Shape in side view comprising protrusions or indentations at the bonding interface of the bump connector, i.e. on the surface of the bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13075Plural core members
    • H01L2224/1308Plural core members being stacked
    • H01L2224/13082Two-layer arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13117Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/13124Aluminium [Al] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13144Gold [Au] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13147Copper [Cu] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13155Nickel [Ni] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/13198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/13199Material of the matrix
    • H01L2224/1329Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/13198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/13298Fillers
    • H01L2224/13299Base material
    • H01L2224/133Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/4501Shape
    • H01L2224/45012Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015Cross-sectional shape being circular
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147Copper (Cu) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45155Nickel (Ni) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301Capillary
    • H01L2224/78302Shape
    • H01L2224/78303Shape of the pressing surface, e.g. tip or head
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013Fully indexed content
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01023Vanadium [V]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01039Yttrium [Y]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01057Lanthanum [La]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49174Assembling terminal to elongated conductor
    • Y10T29/49179Assembling terminal to elongated conductor by metal fusion bonding
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49174Assembling terminal to elongated conductor
    • Y10T29/49181Assembling terminal to elongated conductor by deforming

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Ausbildung einer Höckerelektrode auf einer IC-Elektrode gemäß Anspruch 1.
  • In den letzten Jahren wurde elektronische Ausrüstung entwickelt, die eine kompakte Größe, ein leichtes Gewicht und eine hohe Funktionalität aufweist, wobei dies auch elektronische Bauelemente mit kompakten Abmessungen, geringem Gewicht und hoher Funktionalität erfordert. Unter diesem Gesichtspunkt wird in Bezug auf ein Verfahren der Ausbildung einer Höckerelektrode auf einer IC-Elektrode, das für die vorliegende Erfindung relevant ist, ein Montageverfahren mittels einer Drahtverbindungstechnik (Draht-Bonding-Technik) verwendet.
  • Das Verfahren zur Ausbildung einer Höckerelektrode auf einer IC-Elektrode mittels der oben erwähnten Drahtverbindungstechnik des Standes der Technik wird im Folgenden mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben.
  • Die 17A17D zeigen schematische Ansichten eines Höckerelektrodenausbildungsverfahrens des Standes der Technik, das z. B. in der japanischen Patentoffenlegungsschrift JP-A 08 055 855 offenbart ist. In der Figur sind ein Au-Draht 101, eine Au-Kugel 102 eine Verbindungskapillare 103, eine IC-Elektrode 104 auf einer Leiterplatte 170, ein Kugelverbindungsabschnitt 105 und eine Höckerelektrode 106 gezeigt.
  • Das Verfahren zur Ausbildung der Höckerelektrode auf der IC-Elektrode wird als nächstes beschrieben.
  • In 17A wird die an der Spitze des Au-Drahtes 101 ausgebildete Au-Kugel 102 auf die IC-Elektrode 104 herangeführt, wie in 17B gezeigt ist, und mittels der Verbindungskapillare 103 mit der IC-Elektrode 104 verbunden (gebondet). Anschließend bewegt sich die Verbindungskapillare 103 aufwärts, seitwärts und anschließend abwärts, um somit den Au-Draht mit dem Kugelverbindungsabschnitt 105 zu verbinden, wie in 17C gezeigt ist. Anschließend bewegt sich die Kapillare 103 nach oben und schneidet den Au-Draht 101 ab, um somit eine Höckerelektrode auszubilden, wie in 17D gezeigt ist.
  • Ein Verfahren zur Ausbildung einer Höckerelektrode auf einem Halbleiterelement mittels eines Kugelverbindungsverfahrens des Standes der Technik, sowie ein Verfahren des Verbindens des Halbleiterelements, das mit dem Höcker versehen ist, werden im US-Patent Nr. 4.661.192 offenbart. Die Verfahren werden im Folgenden beschrieben.
  • Wie in 18A gezeigt ist, wird eine Hochspannung von mehreren tausend Volt von einer Schweißvorrichtung 160, die als Entladungselektrode dient, an die Spitze 101a eines Drahtes 101 angelegt, der aus der Spitze einer Kapillare 103 hervorsteht. Durch Anlegen dieser Hochspannung steigt die Temperatur des Drahtes 101 an und er wird von der Spitze 101a her geschmolzen, während ein Entladungsstrom zwischen der Schweißvorrichtung 160 und der Drahtspitze 101a fließt, so dass ein kugelförmiger Schmelzabschnitt gebildet wird, wie in 18B gezeigt ist. Nachdem die Kugel 102 ausgebildet worden ist, wird die Kapillare 103 zur Halbleiterelementseite abwärts bewegt, so dass die Kugel 102 auf einer Elektrode 104 des Halbleiterelements 170 aufsetzt. Durch weiteres Abwärtsbewegen der Kapillare 103 bezüglich der Kugel 102, die auf der Elektrode 104 aufgesetzt hat, wird die Kugel 102 mit der Elektrode 104 verbunden (gebondet) und die Kugel 102 wird durch den Spitzenabschnitt 103a der Kapillare 103 geformt, so dass ein Höckerbasisabschnitt 8 ausgebildet wird, wie in 18C gezeigt ist. Wie in 18D gezeigt ist, wird als nächstes durch Aufwärtsbewegen der Kapillare 103 zu der Seite gegenüberliegend dem Halbleiterelement, während der Draht 101 mittels der Kapillare 103 geklemmt wird, der Draht 103 in der Nähe des Höckerbasisabschnitts 8 abgerissen, um somit einen Höcker 30 auf der Elektrode 104 des Halbleiterelements 170 auszubilden. Folglich wird ein vorstehender Abschnitt 30a aufrecht auf dem Höckerbasisabschnitt 8 des Höckers 30 ausgebildet, wie in 18D gezeigt ist.
  • Im Halbleiterelement 1, wo der Höcker 30 somit auf der Elektrode 104 ausgebil det worden ist, wie in 19A gezeigt ist, wird der Höcker 30 gegen ein Basismaterial 21 gedrückt, auf dem eine flache Oberfläche 21a ausgebildet ist, so dass ein Höcker 31 mit einer flachen Oberfläche 31a, geformt durch Abflachen des vorstehenden Abschnitts 30a, ausgebildet wird. Wie in 19B gezeigt ist, wird anschließend der Höcker 31 mit der flachen Oberfläche 31a mit einem leitenden Klebstoff 18 in Kontakt gebracht, der auf einer Bühne 41 ausgebildet ist, um somit den leitenden Klebstoff 18 auf die flache Oberfläche 31a des Höckers 31 und deren Rand zu übertragen. Wie in 19C gezeigt ist, wird anschließend durch Ausrichten der Position des Höckers 31, auf dem der leitende Klebstoff 18 übertragen worden ist, auf eine Elektrode 20 auf einer Leiterplatte 19 und anschließendes Aufsetzen des Höckers 31 auf der Elektrode 20 der Höcker 31 mit der Elektrode 20 verbunden, um eine elektrische Verbindung zwischen dem Halbleiterelement 170 und der Leiterplatte 19 herzustellen.
  • Gemäß dem obenbeschriebenen Höckerelektrodenausbildungsverfahren kommt jedoch der Au-Draht 101 mit dem IC-Elektrodenabschnitt 104 in Kontakt, wenn der Au-Draht 101 von der Kapillare 103 abgeschnitten wird. Wie in den 20A und 20B gezeigt ist, weist folglich die Elektrode 106a, 106b eine anormale Form auf, wobei ein IC-Elektrodenmaterial an der Spitze des Au-Drahtes 101 haftet, was das Problem hervorruft, das die Au-Kugel 102a nicht normal geformt werden kann, wie in 20C gezeigt ist.
  • Das US-Patent 5.172.851, das den neuesten Stand der Technik bildet, von dem die vorliegende Erfindung ausgeht, offenbart ein Verfahren zum Ausbilden einer Höckerelektrode, die einen Vorsprung aufweist. Dieses bekannte Verfahren umfasst den Schritt des Ausbildens einer Kugel mittels eines elektrischen Funkens. Anschließend wird die Kugel mittels der Spitze der Kapillare gegen die IC-Elektrode gedrückt und gequetscht, wobei die gequetschte und verbundene Kugel einen Basisabschnitt des Höckers bildet. Da die Verbindungskapillare an ihrer Spitze Vorsprünge aufweist, wodurch ein ringförmiger Hohlraum am Höcker gebildet wird, umgibt dieser ringförmiger Hohlraum den Verbindungspunkt mit dem Draht. Nach Ausbilden des Basisabschnitts des Höckers führt die Verbindungskapillare eine Schleifenbewegung aus, indem diese vertikal nach oben in den Bereich von 200 bis 500 μm bewegt wird, horizontal verschoben wird und vertikal nach unten in den Bereich von 200 bis 500 μm bewegt wird. Anschließend wird das Ende des Drahtes, das durch die Serie der obenerwähnten Bewegungen in einer Schleifenform zurückgeklappt worden ist, durch eine vertikale Abwärtsbewegung mit dem Hohlraum in der oberen Oberfläche des Basisabschnitts des Höckers verbunden, so dass ein Höcker ausgebildet wird.
  • Außerdem offenbart die EP-Patentanmeldung 0 320 244 ein Substrat, das mit leitenden Anschlüssen versehen ist, und ein weiteres Substrat, das mit Elektrodenfeldern und zweistufigen elektrischen Kontakthöckern versehen ist, die jeweils auf den Elektrodenfeldern ausgebildet sind und aus einem ersten erhabenen Abschnitt und einem zweiten erhabenen Abschnitt, der auf dem ersten erhabenen Abschnitt ausgebildet ist, bestehen und mittels Bonden sicher mit den zweiten erhabenen Abschnitten verbunden sind, die jeweils mit Tröpfchen eines leitenden Klebstoffes beschichtet sind, und mit den entsprechenden leitenden Anschlüssen mittels der Tröpfchen des leitenden Klebstoffs. Gemäß den aus diesem Dokument des Standes der Technik bekannten Verfahren wird der zweite erhabene Abschnitt des elektrischen Kontakthöckers durch Biegen eines leitenden Drahtes in einer Schleife mittels einer Kugelverbindungsvorrichtung ausgebildet.
  • Ferner offenbart das US-Patent 5.508.561 eine Höckerstruktur, die einen Höcker aufweist, der mittels eines Metallvorsprungs gebildet wird, der auf einer Elektrode eines Substrats ausgebildet wird, sowie eines Lotes, das den Metallvorsprung abdeckt, jedoch die Elektrode nicht berührt. Der Metallvorsprung ist im Wesentlichen kugelförmig und weist einen vorstehenden Abschnitt an einem Zentralabschnitt auf einer oberen Oberfläche desselben auf. Die Höckerstruktur kann zwei Höcker aufweisen, wobei der erste Höcker im Wesentlichen der gleiche ist wie der obenbeschriebene Höcker, und der zweite so beschaffen ist, dass sein Durchmesser kleiner als ein Außendurchmesser des ersten Höckers ist und dass er den vorstehenden Abschnitt des ersten Höckers abdeckt.
  • Schließlich offenbart die EP-Patentanmeldung 0 402 756 einen Prozess zur Ausbildung von Höckern auf entsprechenden Elektroden eines Halbleiterchips, das die Schritte umfasst: Vorbereiten einer Verbindungsvorrichtung, die mit einem dreidimensionalen beweglichen Verbindungswerkzeug ausgestattet ist, Ausbilden einer kleinen Kugel am führenden Ende eines Verbindungsdrahtes, der durch das Verbindungswerkzeug läuft, Veranlassen des Verbindungswerkzeugs, die kleine Kugel gegen die obere Oberfläche einer der Elektroden zu pressen, um sie damit zu verbinden, Bewegen des Verbindungswerkzeugs in einer Richtung, die von der oberen Oberfläche der Elektrode wegführt, über eine Strecke, und Bewegen des Verbindungswerkzeugs in einer horizontalen Richtung im Wesentlichen parallel zur oberen Oberfläche der Elektrode, so dass der Verbindungsdraht von der kleinen Kugel mit dem vorderen Ende des Verbindungswerkzeugs abgeschnitten wird.
  • ÜBERBLICK ÜBER DIE ERFINDUNG
  • Im Hinblick auf die obenerwähnten Probleme hat die vorliegende Erfindung die Aufgabe, ein Verfahren zur Ausbildung einer Höckerelektrode auf einer IC-Elektrode zu schaffen, das einen Kontakt des Drahtes mit Abschnitten um den Kugelverbindungsabschnitt vermeidet.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Ausbildung einer Höckerelektrode auf einer IC-Elektrode geschaffen, umfassend: Ausbilden eines Kugelverbindungsabschnitts auf einer IC-Elektrode am Ende eines Drahtes mittels einer Drahtverbindungsvorrichtung, die eine Verbindungskapillare aufweist, die über der IC-Elektrode positioniert ist, wobei die Verbindungskapillare in einer Kugelverbindung-Ausbildungsposition positioniert ist; Bewegen der Verbindungskapillare nach oben bezüglich der IC-Elektrode Bewegen der Verbindungskapillare seitwärts und anschließend abwärts bezüglich der IC-Elektrode; Verbinden eines Drahtes mit dem Kugelverbindungsabschnitt; und Abschneiden des Drahtes; wobei der Draht daran gehindert wird, mit anderen Abschnitten um den Kugelverbindungsabschnitt als dem Kugelverbindungsabschnitt selbst in Kontakt zu kommen durch Voreinstellen einer Absenkposition der Verbindungskapillare auf eine Position, die höher ist als die Kugelverbindung-Ausbildungsposition; wobei der Höckerverbindungsabschnitt mit einer schrägen oberen Oberfläche versehen wird und der Draht im Bereich der schrägen oberen Oberfläche mit dem Höckerverbindungsabschnitt verbunden wird.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ein Fasewinkel der Verbindungskapillare auf nicht mehr als 90° festgelegt, was bewirkt, dass der Kugelverbindungsabschnitt eine Höhe aufweist, die Größer ist als ein Durchmesser des Drahtes.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ein Fasewinkel der Verbindungskapillare größer als ein Durchmesser der Kugelverbindung festgelegt.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist das Verfahren gekennzeichnet durch Formen eines spitzen Endabschnitts eines Außenradiusabschnitts der Verbindungskapillare mit einer verjüngten Dicke für eine Konzentration einer Schneidkraft in einem Drahtschneideschritt.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist das Verfahren gekennzeichnet durch das Bringen der Verbindungskapillare in Kontakt mit dem Draht über einem Zentralabschnitt des Kugelverbindungsabschnitts.
  • Mit der obenerwähnten Anordnung der vorliegenden Erfindung kommt der Draht nicht in Kontakt mit dem Umfang des Kugelverbindungsabschnitts, mit Ausnahme des Kugelverbindungsabschnitts selbst, wenn der Draht mit dem Kugelverbindungsabschnitt verbunden wird, so dass eine Höckerelektrode auf der IC-Elektrode ausgebildet werden kann.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Diese und andere Aspekte und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden deutlich anhand der folgenden Beschreibung in Verbindung mit dem bevorzugten Ausführungsformen desselben, und mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen, in welchen:
  • 1A, 1B und 1C Schnittansichten sind, die ein Verfahren zur Ausbildung einer Höckerelektrode auf einer IC-Elektrode gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen;
  • 1D eine Schnittansicht ist, die das Verfahren zur Ausbildung der Höckerelektrode auf der IC-Elektrode gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 2 eine Schnittansicht einer Verbindungskapillare in der Ausführungsform ist;
  • 3A eine perspektivische Ansicht einer Kapillarenantriebsvorrichtung der Ausführungsform ist;
  • 3B ein Zeitablaufdiagramm zur Erläuterung der Operation der Ausführungsform ist;
  • 4A, 4B, 4C und 4D Schnittansichten sind, die ein Verfahren zur Ausbildung einer Höckerelektrode auf einer IC-Elektrode gemäß dem Stand der Technik zeigen;
  • 5A, 5B, 5C und 5D Ansichten sind zur Erläuterung der Operation der Ausbildung eines Höckers des Standes der Technik;
  • 6A, 6B und 6C Ansichten sind zur Erläuterung einer Prozedur zur Ausbildung einer Halbleitervorrichtung mittels Verbinden eines Halbleiterelements, das einen Höcker des Standes der Technik aufweist, mit einer Leiterplatte; und
  • 7A, 7B und 7C Schnittansichten sind, die eine anormale Form einer auf einer IC-Elektrode ausgebildeten Höckerelektrode zeigen.
  • GENAUE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Vor der Fortführung der Beschreibung der vorliegenden Erfindung ist zu beachten, dass über die beigefügten Zeichnungen hinweg ähnliche Teile mit ähnlichen Bezugszeichen bezeichnet sind.
  • Bevor bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben werden, werden im Folgenden zuerst schematische Aspekte der vorliegenden Erfindung kurz beschrieben.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Höckerelektrodenausbildungsverfahren geschaffen, umfassend: Ausbilden eines Kugelverbindungsabschnitts auf einer IC-Elektrode am Ende eines Drahtes mittels einer Drahtverbindungsvorrichtung (z. B. eine Kapillarenantriebsvorrichtung), die eine Verbindungskapillare aufweist, die über der IC-Elektrode positioniert ist, wobei die Verbindungskapillare in einer Kugelverbindung-Ausbildungsposition positioniert ist; Bewegen der Verbindungskapillare nach oben bezüglich der IC-Elektrode Bewegen der Verbindungskapillare seitwärts und anschließend abwärts bezüglich der IC-Elektrode; Verbinden eines Drahtes mit dem Kugelverbindungsabschnitt; und Abschneiden des Drahtes; wobei der Draht daran gehindert wird, mit dem Rand des Kugelverbindungsabschnitts in Kontakt zu kommen, mit Ausnahme des Kugelverbindungsabschnitts selbst, durch Voreinstellen einer Absenkposition der Verbindungskapillare auf eine Position, die höher ist als die Kugelverbindung-Ausbildungsposition. Mit dieser Anordnung kann der Au-Draht daran gehindert werden, mit dem IC-Elektrodenabschnitt in Kontakt zu kommen, wenn er durch die Kapillare niedergedrückt wird, wenn der Au-Draht durch die Kapillare abgeschnitten wird.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Höckerelektrodenausbildungsverfahren wie im vorangehenden Abschnitt definiert geschaffen, wobei der Au-Draht daran gehindert wird, mit dem Umfang des Kugelverbindungsabschnitts in Kontakt zu kommen, mit Ausnahme des Kugelverbindungsabschnitts selbst, durch Festlegen eines Fasewinkels der Verbindungskapillare auf nicht mehr als 90°, was bewirkt, dass der Kugelverbindungsabschnitt eine Höhe aufweist, die größer ist als der Durchmesser des Au-Drahtes. Mit dieser Anordnung wird die Höhe des Kugelverbindungsabschnitts so hoch festgelegt, dass der Au-Draht daran gehindert werden kann, mit dem Elektrodenabschnitt in Kontakt zu kommen, wenn der Au-Draht durch die Verbindungskapillare abgeschnitten wird.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Höckerelektrodenausbildungsverfahren wie in einem der vorangehenden Aspekte definiert geschaffen, wobei der Au-Draht daran gehindert wird, mit dem Umfang des Kugelverbindungsabschnitts in Kontakt zu kommen, mit Ausnahme des Kugelverbindungsabschnitts selbst, durch Festlegen eines Fasewinkels der Verbindungskapillare größer als der Durchmesser der Kugelverbindung. Mit dieser Anordnung wird der Verbindungszustand des Au-Drahtes stabilisiert, so dass der Au-Draht daran gehindert werden kann, mit dem Elektrodenabschnitt in Kontakt zu kommen, wenn der Au-Draht von der Verbindungskapillare abgeschnitten wird.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Höckerelektrodenausbildungsverfahren wie in einem der vorangehenden Aspekte definiert geschaffen, wobei der Au-Draht daran gehindert wird, mit dem Umfang des Kugelverbindungsabschnitts in Kontakt zu kommen, mit Ausnahme des Kugelverbindungsabschnitts selbst, indem ein spitzer Endabschnitt eines Außenradiusabschnitts der Verbindungskapillare mit einer verjüngten Dicke versehen wird für eine Konzentration einer Schneidkraft in einem Au-Draht-Schneideschritt. Mit dieser Anordnung wird der Au-Draht mit einer kleinen Schneidkraft geschnitten, so dass der Au-Draht daran gehindert werden kann, mit dem Elektrodenabschnitt im Schneidschritt in Kontakt zu kommen.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Höckerelektrodenausbildungsverfahren wie in einem der vorangehenden Aspekte definiert geschaffen, wobei der Au-Draht daran gehindert wird, mit dem Umfang des Kugelverbindungsabschnitts in Kontakt zu kommen, mit Ausnahme des Kugelverbindungsabschnitts selbst, durch Festlegen eines Winkels so, dass ein Außenradiusabschnitt der Verbindungskapillare in gleichmäßigem Kontakt mit einer Abschrägung des Kugelverbindungsabschnitts gebracht wird. Mit dieser Anordnung wird der Effekt der Kontaktherstellung zwischen der Verbindungskapillare und dem Au-Draht verbessert, so dass der Au-Draht in einem stabilisierten Zustand abgeschnitten werden kann.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Höckerelektrodenausbildungsverfahren wie in einem der vorangehenden Aspekte definiert geschaffen, wobei der Au-Draht daran gehindert wird, mit dem Umfang des Kugelverbindungsabschnitts in Kontakt zu kommen, mit Ausnahme des Kugelverbindungsabschnitts selbst, durch Bringen der Verbindungskapillare in Kontakt mit dem Au-Draht über einen zentralen Abschnitt des Kugelverbindungsabschnitts. Mit dieser Anordnung kann die Verbindungskapillare den Au-Draht in einem stabilisierten Zustand verbinden und abschneiden.
  • Im Folgenden werden mit Bezug auf die 1 und 2 bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben.
  • (Erste Ausführungsform)
  • Die 1A1C zeigen Schnittansichten von Prozessen eines Höckerelektrodenausbildungsverfahrens gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, wobei ein Au-Draht 101 daran gehindert wird, mit irgendeinem anderen Abschnitt als dem Kugelverbindungsabschnitt 115 in Kontakt zu kommen, wenn der Au-Draht 101 mit dem Kugelverbindungsabschnitt 115 verbunden wird.
  • In den 1A1C sind der Au-Draht 101 als ein Beispiel eines Drahtes, eine Verbindungskapillare 113, eine IC-Elektrode 104 und der Kugelverbindungsabschnitt 115 gezeigt.
  • Die Operation des Verfahrens zur Ausbildung einer Höckerelektrode auf der IC-Elektrode wird als nächstes mit Bezug auf die 1A1C und 2 beschrieben.
  • 1A ist eine Schnittansicht, wenn der Kugelverbindungsabschnitt 115 auf der IC-Elektrode 104 der Leiterplatte 170 ausgebildet wird, 1B ist eine Schnittansicht, die einen Zustand zeigt, in welchem der Au-Draht 101 mittels der Verbindungskapillare 113, die in einer abgesenkten Position angeordnet ist, mit dem Kugelverbindungsabschnitt 115 verbunden wird, und 1C ist eine Schnittansicht einer Höckerelektrode 116.
  • 2 ist eine Schnittansicht der Verbindungskapillare 113, in der ein Fasewinkel 107, ein Außenradius 108, ein Fasedurchmesser 109, ein Stirnwinkel 110 und ein Konuswinkel 111 gezeigt sind.
  • Zuerst wird die Höhenposition der Verbindungskapillare 113 in einer Kugelverbindungausbildungsstufe in der Vorrichtung in 1A gespeichert, wobei die Höhenposition der Verbindungskapillare 113, wenn die Verbindungskapillare 113 nach unten bewegt wird, um den Au-Draht 101 mit dem Kugelverbindungsabschnitt 115 zu verbinden, vorbereitend auf eine höhere Position festgelegt wird als die Position im Kugelverbindungsschritt.
  • Wie in 3A gezeigt ist, wird die Kapillare 113 durch eine Ultraschallerzeugungsvorrichtung 152, wie z. B. eine Schwingspule in einer Kapillarenantriebsvorrichtung 150, angetrieben, um sich geringfügig um einen Drehpunkt 151 aufwärts und abwärts zu bewegen. Die Kapillarenantriebsvorrichtung 150 ist auf einem XY-Tisch 153 aufgesetzt, der durch Motoren 154 und 155 in X und Y-Richtung angetrieben wird. Die Operationen der Motoren 154 und 155 und einer Antriebsvorrichtung 180 zum Antreiben der Ultraschallerzeugungsvorrichtung 152 werden von einer Steuervorrichtung 181 gesteuert.
  • Die Operation der obenbeschriebenen Ausführungsform wird mit Bezug auf die 3A und 3B auf der Grundlage des Kugelverbindungsverfahrens beschrieben. Eine Ordinatenachse der 3B zeigt eine Bewegung (Höhe) der Z-Richtung senkrecht zu den Richtungen X und Y, während eine Abszissenachse derselben die Zeit der Operation der Ausführungsform zeigt.
  • In 3B steuert die Steuervorrichtung 181 zuerst die Motoren 154 und 155 an, so dass die Kapillare 113 zu einer Schweißvorrichtung 160 bewegt wird, um am unteren Ende des Drahtes 101 eine Kugel auszubilden. Anschließend wird die Kapillare 113 zu einer ersten Drahtkoordinate (X, Y, Z) als Referenzposition zum Ausbilden einer Höckerelektrode 116 (Höcker) auf der Elektrode 104 der Leiterplatte 170 mittels der Steuervorrichtung 181 auf der Grundlage der in einem Speicher 182 der Steuervorrichtung 181 gespeicherten Daten bewegt. Die erste Drahtkoordinate ist unmittelbar über der Position der Elektrode 104 in Z-Richtung angeordnet. Zu diesem Zeitpunkt ist eine Klemmvorrichtung 159 zum Klemmen des Drahtes 1, die oberhalb der Kapillare 113 in der kapillaren Antriebsvorrichtung 150 angeordnet ist, geöffnet, um den Draht 1 nicht zu klemmen. Anschießend wird die Antriebsvorrichtung 180 der Ultraschallerzeugungsvorrichtung 152 von der Steuervorrichtung 181 angesteuert, so dass die Kapillare 113 in Richtung zur Elektrode 104 in einem ersten Schritt (1) der 3B mittels der Ultraschallerzeugungsvorrichtung 152 nach unten bewegt wird. Wenn die Kapillare 113 über eine vorgegebene Strecke, die im Speicher 182 gespeichert ist, nach unten bewegt worden ist, wird die Absenkgeschwindigkeit der Kapillare 113 von hoch nach niedrig geändert, um die Kapillare 113 daran zu hindern, die Elektrode 104 mit einer so großen Kraft zu berühren, dass diese beschädigt wird. Das heißt, die Kapillare 113 wird in einem zweiten Schritt (2) langsam nach unten bewegt, um die Elektrode 104 zu suchen. Wenn die Kapillare 113 die Elektrode 104 berührt, wird die Kapillare 113 weiter abgesenkt, bis die Antriebsvorrichtung 180 eine vorgegebene Belastung von der Kapillare 113 erfasst durch Erfassen eines durch die Antriebsvorrichtung 180 fließenden Stroms, wobei nach der Last der Erfassung die Antriebsvorrichtung 180 ein erstes Kontaktsignal zur Steuervorrichtung 181 sendet. Auf der Grundlage des Empfangs des ersten Kontaktssignals steuert die Steuervorrichtung 181 die Antriebsvorrichtung 180 an, um Ultraschallschwingungen an die Kapillare 113 mit einer ersten Belastung anzulegen, um in einem dritten Schritt (3) einen Kugelverbindungsabschnitt 115 auf der Elektrode 104 auszubilden, wie in 1A gezeigt ist. Nach dem Ausbilden des Kugelverbindungsabschnitts 115 wird die Kapillare 113 mit einer höheren Geschwindigkeit als den Absenkgeschwindigkeiten der zweiten und dritten Schritte (2) und (3) in einem vierten Schritt (4) nach oben bewegt.
  • Anschließend beginnt zu Beginn eines fünften Schritts (5) die Klemmvorrichtung 159, den Draht 1 zu klemmen, und setzt das Klemmen desselben während einer vorgegebenen Zeitperiode fort. Die Kapillare 113 wird im fünften Schritt (5) schleifenförmig und nach unten bewegt, wie in 5D gezeigt ist, während der Draht 1 durch die Klemmvorrichtung 159 für die Zeitperiode geklemmt wird, wobei nach der Zeitperiode der Draht 1 nicht mehr geklemmt wird.
  • Falls erforderlich, wird eine Korrektur des Bewegungsmaßes von der Steuervorrichtung 181 in Abhängigkeit von der Form des Kugelabschnitts 115 oder dergleichen in einem sechsten Schritt (6) durchgeführt.
  • Anschließend wird in einem siebten Schritt (7) des Suchens der Abschrägung des Kugelverbindungsabschnitts 115 die Kapillare 113 weiter mit einer geringeren Geschwindigkeit nach unten bewegt, um zu verhindern, dass die Kapillare 113 die Abschrägung des Kugelabschnitts 115 mit einer solch großen Kraft berührt, dass diese beschädigt wird. Gleichzeitig, wie oben beschrieben worden ist, wird die unterste Höhenposition der Kapillare 113, wenn die Kapillare 113 nach unten bewegt wird, um den Draht 1 mit der Abschrägung des Kugelverbindungsabschnitts 115 zu verbinden, vorbereitend auf eine Position höher als die unterste Position im Kugelverbindungsschritt festgelegt. Dementsprechend wird auf der Grundlage der vorbereitend festgelegten Position der Kapillare 113 das Bewegungsmaß der Kapillare 113 in Z-Richtung vorbereitend bestimmt und im Speicher 182 gespeichert. Somit steuert die Steuervorrichtung 181 auf der Grundlage der gespeicherten Position und der Bewegungsmaßdaten die Ultraschallerzeugungsvorrichtung 152, um die Kapillare 113 mit der niedrigeren Geschwindigkeit abzusenken. Um den Draht 1 mit der Abschrägung des Kugelverbindungsabschnitts 115 zu verbinden, werden die Bewegungsmaße der Kapillare 113 in den Richtungen X und Y von der Mitte des Kugelabschnitts 115 ebenfalls vorbereitend bestimmt und im Speicher 182 gespeichert. Somit steuert die Steuervorrichtung 181 auf der Grundlage der gespeicherten Position und der Bewegungs maßdaten die Motoren 154 und 155. Wenn die Kapillare 113 die Abschrägung des Kugelabschnitts 115 berührt, setzt die Kapillare 113 die Absenkung fort, bis die Antriebsvorrichtung 180 eine vorgegebene Belastung von der Kapillare 113 erfasst durch Erfassen eines durch die Antriebsvorrichtung 180 fließenden Stroms. Nach der Erfassung sendet die Antriebsvorrichtung 180 ein zweites Kontaktsignal zur Steuervorrichtung 181. Auf der Grundlage des Empfangs des zweiten Kontaktsignals steuert die Steuervorrichtung 181 die Antriebsvorrichtung 180 an, um Ultraschallschwingungen an die Kapillare 113 mit einer zweiten Belastung anzulegen, um den Draht 1 in einem achten Schritt (8) mit der Abschrägung des Kugelverbindungsabschnitts 115 zu verbinden, wie in 1B gezeigt ist. Nach dem Verbinden des Drahtes 1 mit der Abschrägung des Kugelverbindungsabschnitts 115 wird die Kapillare 113 in einem neunten Schritt (9) nach oben bewegt, während die Klemmvorrichtung 159 den Draht 1 nicht klemmt. Nach Abschluss des neunten Schritts (9) und einem erneuten Klemmen des Drahtes 1 durch die Klemmvorrichtung 159 wird die Kapillare 113 nach oben bewegt, um den Draht 1 abzureißen, und in einem zehnten Schritt (10) zu einer nächsten Koordinate (X, Y, Z) über der nächsten Elektrode 104 bewegt. Anschließend wird in einem elften Schritt (11) eine weitere Kugel am unteren Ende des Drahtes 1 mittels der Schweißvorrichtung 160 ausgebildet. Anschließend werden die ersten bis elften Schritte (1) bis (11) auf oder über der nächsten Elektrode 104 wiederholt.
  • Indem somit die Absenkposition der Verbindungskapillare 113 im voraus auf eine Position höher als die Position im Kugelverbindungsschritt festgelegt wird, kann der Au-Draht 101 daran gehindert werden, mit dem IC-Elektrodenabschnitt 104 in Kontakt zu kommen, selbst wenn der Au-Draht 101 von der Kapillare 113 niedergedrückt wird, wenn der Au-Draht 101 durch die Kapillare 113 abgeschnitten wird.
  • (Zweite Ausführungsform)
  • Wie in 2 gezeigt ist, wird durch Festlegen des Fasewinkels 107 der Verbindungskapillare 113 auf einen Winkel von nicht mehr als 90° die Höhe des Kugelverbindungsabschnitts 115 größer gemacht als der Durchmesser des Au-Drahtes 101.
  • Indem somit der Kugelverbindungsabschnitt 115 hoch eingestellt wird, kann der Au-Draht 101 daran gehindert werden, mit dem Elektrodenabschnitt 104 in Kontakt zu kommen, wenn der Au-Draht 101 durch die Verbindungskapillare 113 abgeschnitten wird.
  • (Dritte Ausführungsform)
  • Wie in 2 gezeigt ist, kann durch Ausbilden des Fasedurchmessers 109 der Verbindungskapillare 113 größer als der Kugelverbindungsabschnittdurchmesser der Kugelverbindungsabschnitt 115 daran gehindert werden, im Kugelverbindungsschritt nach außen zu spreizen, um somit zu erlauben, dass der Verbindungszustand des Au-Drahtes 101 stabilisiert wird. Indem somit der Verbindungszustand des Au-Drahtes 101 stabilisiert wird, kann der Au-Draht 101 daran gehindert werden, mit dem Elektrodenabschnitt 104 in Kontakt zu kommen, wenn der Au-Draht 101 von der Verbindungskapillare 113 abgeschnitten wird.
  • (Vierte Ausführungsform)
  • Wie in 2 gezeigt ist, kann durch Festlegen der Dicke des spitzen Endabschnitts des Außenradiusabschnitts 108 der Verbindungskapillare 113 auf z. B. 10 μm oder kleiner, und Versehen desselben mit einer abgeschrägten Form die Schneidkraft am spitzen Ende des Außenradiusabschnitts 108 beim Schneiden des Au-Drahtes 101 konzentriert werden. Da der Au-Draht 101 wie oben beschrieben mit einer kleinen Schneidkraft geschnitten wird, kann der Au-Draht 101 daran gehindert werden, mit dem Elektrodenabschnitt 104 im Schneidschritt in Kontakt zu kommen.
  • (Fünfte Ausführungsform)
  • Wie in 1B gezeigt ist, wird durch Festlegen des Winkels des Außenradiusabschnitts so, dass der Außenradiusabschnitt der Verbindungskapillare 113 im gleichmäßigen Kontakt mit der Abschrägung des Kugelverbindungsabschnitts 115 kommt, die Wirkung der Kontaktherstellung zwischen der Verbindungskapillare 113 und dem Au-Draht 101 verbessert, so dass der Au-Draht 101 stabil abgeschnitten werden kann.
  • (Sechste Ausführungsform)
  • Wie in 1B gezeigt ist, kann durch Bringen der Verbindungskapillare 113 in Kontakt mit dem Au-Draht 101 über dem mittleren Abschnitt der Abschrägung des Kugelverbindungsabschnitts 115 der Au-Draht 101 in einem stabilen Zustand verbunden und abgeschnitten werden, selbst wenn der Au-Drahtkontakt variiert.
  • Mit Bezug auf 1D wird die voreingestellte Absenkposition der Verbindungskapillare 113 zu der Position höher als die Kugelverbindungsausbildungsposition beispielsweise wie folgt bestimmt. Um in 1D zu verhindern, dass ein tiefster Punkt D des gekrümmten Abschnitts des Drahtes 101 mit der Elektrode 104 in Kontakt kommt, sollte ein Punkt E, wo der Außenradiusabschnitt 108 der Kapillare 113 die Abschrägung des Höckerverbindungsabschnitts 115 berührt, in einer Höhe C der Summe aus [(Außendurchmesser des Drahtes 101) + α] über der Oberfläche der Elektrode 104 gehalten werden, wobei α eine Konstante ist. Wenn der Punkt E in der Mitte der Abschrägung des Höckerverbindungsabschnitts 115 festgelegt ist, wird die Höhe C (μm) des Punktes E über der Elektrode 104 durch den Ausdruck gefunden: C = –0,1 × θ + 34, wobei θ ein Scheitelwinkel (Grad) des Höckerverbindungsabschnitts 115 ist (= Fasewinkel 107 der Verbindungskapillare 113). Wenn z. B. θ gleich 0° ist, ist C gleich 34; wenn θ gleich 70° ist, ist C gleich 27; wenn θ gleich 80° ist, ist C gleich 26; und wenn θ gleich 180° ist, ist C gleich 15. Wenn α = 5 μm gilt, wird vorzugsweise der Ausdruck erfüllt: θ ≤ 90°. Wenn schließlich der Punkt E in der Mitte der Abschrägung des Höckerverbindungsabschnitts 115 festgelegt ist, sollte ein Abstand B zwischen der Mitte des Höckerverbindungsabschnitts 115 und der Mitte der Kapillare 113, die auf der Abschrägung des Höckerverbindungsabschnitts 115 aufgesetzt hat, den Ausdruck erfüllen: B = 0,5 × A + 40, wobei ein Abstand A eine Breite des Höckerverbindungsabschnitts 115 ist. Eine Beziehung zwischen dem Abstand A und einem Außendurchmesser F der Kugel 101a des Drahtes 101 sollte die Beziehung erfüllen: F(μm) = A(μm) – 13(μm).
  • Obwohl in den obenerwähnten Ausführungsformen das Material Au als Höckerelektrodenmaterial verwendet wird, ist das Höckerelektrodenmaterial nicht auf Au beschränkt, wobei im Fall eines anderen Metalls die gleiche Wirkung erzielt werden kann.
  • Wie unter Verwendung der jeweiligen obenerwähnten Verfahren beschrieben worden ist, umfasst das Verfahren zur Ausbildung einer Höckerelektrode auf einer IC-Elektrode: Ausbilden eines Kugelverbindungsabschnitts auf einer IC-Elektrode am Ende eines Drahtes mittels einer Drahtverbindungsvorrichtung (z. B. eine Kapillarenantriebsvorrichtung), die eine Verbindungskapillare aufweist, die über der IC-Elektrode positioniert ist, wobei die Verbindungskapillare in einer Kugelverbindung-Ausbildungsposition positioniert ist; Bewegen der Verbindungskapillare nach oben bezüglich der IC-Elektrode Bewegen der Verbindungskapillare seitwärts und anschließend abwärts bezüglich der IC-Elektrode; Verbinden eines Drahtes mit dem Kugelverbindungsabschnitt; und Abschneiden des Drahtes; wobei der Draht nicht mit dem Rand des Kugelverbindungsabschnitts in Kontakt kommt, mit Ausnahme des Kugelverbindungsabschnitts selbst. Diese Anordnung ist fähig, die Au-Drahtverbindungsbedingungen zu verhindern, die durch den Kontakt des Au-Drahtes mit einem anderen Abschnitt als dem Kugelverbindungsabschnitt hervorgerufen werden, wie z. B. ein Elektrodenabschnitt, der instabil wird, und kann das mögliche Auftreten einer anormalen Form der Höckerelektrode verhindern, die durch das Haften von IC-Elektrodenmaterial am Au-Draht hervorgerufen wird, um somit zu ermöglichen, eine Höckerelektrode auf einer IC-Elektrode mit hoher Qualität und hoher Genauigkeit auszubilden.

Claims (5)

  1. Verfahren zum Ausbilden einer Höckerelektrode auf einer IC-Elektrode, umfassend: Ausbilden eines Kugelverbindungsabschnitts (115) auf einer IC-Elektrode (104) am Ende eines Drahtes (101) mittels einer Drahtverbindungsvorrichtung, die eine Verbindungskapillare (113) aufweist, die über der IC-Elektrode (104) positioniert ist, wobei die Verbindungskapillare (113) in einer Kugelverbindung-Ausbildungsposition positioniert ist; Bewegen der Verbindungskapillare (113) nach oben bezüglich der IC-Elektrode (104); Bewegen der Verbindungskapillare (113) seitwärts und anschließend abwärts bezüglich der IC-Elektrode (104); Verbinden eines Drahtes (101) mit dem Kugelverbindungsabschnitt (115); und Abschneiden des Drahtes (101); dadurch gekennzeichnet, dass der Draht (101) daran gehindert wird, mit anderen Abschnitten um den Kugelverbindungsabschnitt (115) als dem Kugelverbindungsabschnitt (115) selbst in Kontakt zu kommen durch Voreinstellen einer Absenkposition der Verbindungskapillare (113) auf eine Position, die höher ist als die Kugelverbindung-Ausbildungsposition; und der Kugelverbindungsabschnitt (115) mit einer schrägen oberen Oberfläche versehen wird und der Draht (101) im Bereich der schrägen oberen Oberfläche mit dem Kugelverbindungsabschnitt (115) verbunden wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch Festlegen eines Fasewinkels (107) der Verbindungskapillare (113) auf nicht mehr als 90°, was bewirkt, dass der Kugelverbindungsabschnitt (115) eine Höhe aufweist, die größer ist als ein Durchmesser des Drahtes (101).
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch Festlegen eines Fasedurchmessers (109) der Verbindungskapillare (113) größer als ein Durchmesser der Kugelverbindung.
  4. Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch Formen eines spitzen Endabschnitts eines Außenradiusabschnitts (108) der Verbindungskapillare (113) mit einer verjüngten Dicke für eine Konzentration einer Schneidkraft in einem Drahtschneideschritt.
  5. Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet durch Bringen der Verbindungskapillare (113) in Kontakt mit dem Draht (101) über einem Zentralabschnitt des Kugelverbindungsabschnitts (115).
DE1997637621 1996-10-01 1997-09-29 Halbleiterelement mit einer Höckerelektrode Expired - Fee Related DE69737621T2 (de)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26064596A JP3532361B2 (ja) 1996-10-01 1996-10-01 Ic電極上への突起電極形成方法
JP26064596 1996-10-01
JP28983696A JP3439048B2 (ja) 1996-10-31 1996-10-31 半導体素子、半導体素子の製造方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法
JP28983696 1996-10-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69737621D1 DE69737621D1 (de) 2007-05-31
DE69737621T2 true DE69737621T2 (de) 2007-12-20

Family

ID=26544693

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1997629759 Expired - Fee Related DE69729759T2 (de) 1996-10-01 1997-09-29 Integrierte Schaltung oder Platine mit einer Höckerelektrode und Verfahren zu Ihrer Herstellung
DE69739125T Expired - Fee Related DE69739125D1 (de) 1996-10-01 1997-09-29 Kapillare zum Drahtverbinden zur Herstellung von Höckerelektroden
DE1997637621 Expired - Fee Related DE69737621T2 (de) 1996-10-01 1997-09-29 Halbleiterelement mit einer Höckerelektrode

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1997629759 Expired - Fee Related DE69729759T2 (de) 1996-10-01 1997-09-29 Integrierte Schaltung oder Platine mit einer Höckerelektrode und Verfahren zu Ihrer Herstellung
DE69739125T Expired - Fee Related DE69739125D1 (de) 1996-10-01 1997-09-29 Kapillare zum Drahtverbinden zur Herstellung von Höckerelektroden

Country Status (7)

Country Link
US (3) US6207549B1 (de)
EP (3) EP1158579B1 (de)
KR (1) KR100283501B1 (de)
CN (2) CN1181531C (de)
DE (3) DE69729759T2 (de)
SG (2) SG103272A1 (de)
TW (1) TW366542B (de)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1158579B1 (de) * 1996-10-01 2008-11-19 Panasonic Corporation Kapillare zum Drahtverbinden zur Herstellung von Höckerelektroden
JP3407275B2 (ja) * 1998-10-28 2003-05-19 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション バンプ及びその形成方法
KR100502222B1 (ko) * 1999-01-29 2005-07-18 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 전자부품의 실장방법 및 그 장치
US7137547B2 (en) * 2000-04-20 2006-11-21 Elwyn Paul Michael Wakefield Process for forming electrical/mechanical connections
US6715658B2 (en) 2001-07-17 2004-04-06 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Ultra fine pitch capillary
US6910612B2 (en) 2001-07-17 2005-06-28 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Capillary with contained inner chamfer
US7229906B2 (en) * 2002-09-19 2007-06-12 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Method and apparatus for forming bumps for semiconductor interconnections using a wire bonding machine
US6815836B2 (en) * 2003-03-24 2004-11-09 Texas Instruments Incorporated Wire bonding for thin semiconductor package
JP4219781B2 (ja) * 2003-10-03 2009-02-04 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
JP2005159267A (ja) * 2003-10-30 2005-06-16 Shinkawa Ltd 半導体装置及びワイヤボンディング方法
US7407080B2 (en) * 2004-04-02 2008-08-05 Chippac, Inc. Wire bond capillary tip
DE102006024213A1 (de) * 2006-05-23 2007-11-29 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines Bausteins mit einer elektrischen Kontaktierung
CN101505905A (zh) * 2006-10-18 2009-08-12 库利克和索夫工业公司 改进的导电凸块、包括改进的导电凸块的线圈及形成方法
US8247911B2 (en) * 2007-01-15 2012-08-21 Nippon Steel Materials Co., Ltd. Wire bonding structure and method for forming same
JP4625858B2 (ja) * 2008-09-10 2011-02-02 株式会社カイジョー ワイヤボンディング方法、ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング制御プログラム
JP2010123817A (ja) * 2008-11-21 2010-06-03 Fujitsu Ltd ワイヤボンディング方法および電子装置とその製造方法
JP2012004464A (ja) * 2010-06-18 2012-01-05 Toshiba Corp 半導体装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
KR102094563B1 (ko) * 2012-07-17 2020-03-27 쿨리케 앤드 소파 인더스트리즈, 인코포레이티드 와이어 상호접속 구조를 형성하는 방법
US9818734B2 (en) 2012-09-14 2017-11-14 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of forming build-up interconnect structures over a temporary substrate
US9443797B2 (en) 2012-09-14 2016-09-13 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device having wire studs as vertical interconnect in FO-WLP
US10192796B2 (en) 2012-09-14 2019-01-29 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of forming dual-sided interconnect structures in FO-WLCSP
TWI518814B (zh) * 2013-04-15 2016-01-21 新川股份有限公司 半導體裝置以及半導體裝置的製造方法
US9093515B2 (en) * 2013-07-17 2015-07-28 Freescale Semiconductor, Inc. Wire bonding capillary with working tip protrusion
TWI541920B (zh) * 2013-07-23 2016-07-11 矽品精密工業股份有限公司 打線結構之製法
US9893017B2 (en) 2015-04-09 2018-02-13 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Double-sided semiconductor package and dual-mold method of making same
ITTO20150229A1 (it) * 2015-04-24 2016-10-24 St Microelectronics Srl Procedimento per produrre bump in componenti elettronici, componente e prodotto informatico corrispondenti
DE102016115221A1 (de) * 2016-08-17 2018-02-22 Karlsruher Institut für Technologie Verfahren zum Verbinden von mindestens zwei Substraten zur Bildung eines Moduls

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1600021A (en) * 1977-07-26 1981-10-14 Welding Inst Electrical inter-connection method and apparatus
JPS59208751A (ja) * 1983-05-13 1984-11-27 Hitachi Ltd バンプ形成方法
US4661192A (en) * 1985-08-22 1987-04-28 Motorola, Inc. Low cost integrated circuit bonding process
US5917707A (en) * 1993-11-16 1999-06-29 Formfactor, Inc. Flexible contact structure with an electrically conductive shell
US5476211A (en) * 1993-11-16 1995-12-19 Form Factor, Inc. Method of manufacturing electrical contacts, using a sacrificial member
JPS62256445A (ja) * 1986-04-30 1987-11-09 Toshiba Corp キヤピラリツ−ル
JP2506861B2 (ja) 1987-12-08 1996-06-12 松下電器産業株式会社 電気的接続接点の形成方法
US5014111A (en) 1987-12-08 1991-05-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electrical contact bump and a package provided with the same
US4974767A (en) * 1988-04-25 1990-12-04 Texas Instruments Incorporated Double cone wire bonding capillary
JPH01273325A (ja) * 1988-04-25 1989-11-01 Toshiba Corp キャピラリ及び該キャピラリを使用する半導体装置の製造方法
JP2551150B2 (ja) 1989-06-13 1996-11-06 日本電気株式会社 バンプ形成方法及びその形成装置
US5060843A (en) 1989-06-07 1991-10-29 Nec Corporation Process of forming bump on electrode of semiconductor chip and apparatus used therefor
JPH0666356B2 (ja) * 1989-06-15 1994-08-24 松下電器産業株式会社 半導体装置の実装方法
JP2830109B2 (ja) 1989-07-19 1998-12-02 日本電気株式会社 バンプ形成方法およびバンプ形成装置
US5246159A (en) * 1989-07-19 1993-09-21 Nec Corporation Method for forming a bump by bonding a ball on an electrode of an electronic device and apparatus for forming the same
JP2501126B2 (ja) * 1989-09-22 1996-05-29 電気化学工業株式会社 アルミニウムリ―ド端子への金線ボンデイング方法
US5172851A (en) * 1990-09-20 1992-12-22 Matsushita Electronics Corporation Method of forming a bump electrode and manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device
JPH04334034A (ja) * 1991-05-09 1992-11-20 Fujitsu Ltd ワイヤボンディング方法
JP3257011B2 (ja) * 1992-01-08 2002-02-18 松下電器産業株式会社 半導体装置の組立方法
JPH06309985A (ja) * 1993-02-24 1994-11-04 Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd マイクロ接点の形成方法
US5485949A (en) * 1993-04-30 1996-01-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Capillary for a wire bonding apparatus and a method for forming an electric connection bump using the capillary
JP3022151B2 (ja) 1993-04-30 2000-03-15 松下電器産業株式会社 ワイヤボンディング装置用のキャピラリー及びそのキャピラリーを用いた電気的接続バンプの形成方法
US5508561A (en) * 1993-11-15 1996-04-16 Nec Corporation Apparatus for forming a double-bump structure used for flip-chip mounting
JPH088308A (ja) * 1994-06-22 1996-01-12 Tanaka Denshi Kogyo Kk ボンディング方法及び半導体装置
US5518964A (en) * 1994-07-07 1996-05-21 Tessera, Inc. Microelectronic mounting with multiple lead deformation and bonding
JP3559936B2 (ja) * 1994-08-09 2004-09-02 松下電器産業株式会社 バンプボンディング装置
US5421503A (en) * 1994-08-24 1995-06-06 Kulicke And Soffa Investments, Inc. Fine pitch capillary bonding tool
JPH08162489A (ja) * 1994-11-30 1996-06-21 Rohm Co Ltd ワイヤボンディング機のキャピラリ
US5686353A (en) * 1994-12-26 1997-11-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JPH09181120A (ja) 1995-12-25 1997-07-11 Matsushita Electron Corp 半導体装置およびその製造方法
JP3347598B2 (ja) * 1996-08-21 2002-11-20 株式会社新川 ワイヤボンディング装置用キャピラリ
EP1158579B1 (de) * 1996-10-01 2008-11-19 Panasonic Corporation Kapillare zum Drahtverbinden zur Herstellung von Höckerelektroden

Also Published As

Publication number Publication date
EP1158579B1 (de) 2008-11-19
DE69739125D1 (de) 2009-01-02
KR100283501B1 (ko) 2001-03-02
EP1158578A1 (de) 2001-11-28
US6894387B2 (en) 2005-05-17
EP0834919B1 (de) 2007-04-18
DE69729759D1 (de) 2004-08-05
DE69737621D1 (de) 2007-05-31
KR19980032440A (ko) 1998-07-25
EP0834919A3 (de) 2000-02-09
CN1549305A (zh) 2004-11-24
TW366542B (en) 1999-08-11
SG103272A1 (en) 2004-04-29
DE69729759T2 (de) 2005-07-07
US6207549B1 (en) 2001-03-27
US20010005054A1 (en) 2001-06-28
US7071090B2 (en) 2006-07-04
EP1158578B1 (de) 2004-06-30
CN1179625A (zh) 1998-04-22
EP0834919A2 (de) 1998-04-08
EP1158579A1 (de) 2001-11-28
SG79222A1 (en) 2001-03-20
CN100353499C (zh) 2007-12-05
US20050146029A1 (en) 2005-07-07
CN1181531C (zh) 2004-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69737621T2 (de) Halbleiterelement mit einer Höckerelektrode
DE69535551T2 (de) Halbleiteranordnung mit Kontaktlöchern
DE60304802T2 (de) Halbleiterbauelement mit einer Drahtverbindung, die eine Zusammenpressung auf einem "Ball" enthält; Verfahren zum Drahtverbinden und Vorrichtung zum Durchführen dieses Verfahrens
EP1080491B1 (de) Verfahren zur herstellung einer bond-draht-verbindung
DE102009014582B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
DE69533336T2 (de) Testkarte und ihre anwendung
DE69934243T2 (de) Gerät und methode zur auswertung eines lothöckerzusammenmbaus, und dazu gehörende halbleiterherstellungsvorrichtung und verfahren
DE2608250A1 (de) Verfahren zum kontaktieren von auf halbleiterkoerpern befindlichen anschlusskontakten
DE19641730A1 (de) Verfahren zum Herstellen von bondfähigen Halbleiterbausteinen
CH698058B1 (de) Kapillare für Drahtbonden.
DE3244323A1 (de) Drahtverbindungsvorrichtung
DE102013011581A1 (de) Anordnung aus einem Substrat mit mindestens einem optischen Wellenleiter und einer optischen Koppelstelle und aus einem optoelektronischen Bauelement und Verfahren zur Herstellung einer solchen Anordnung
DE3933982C2 (de) Kontaktierungsverfahren und Kontaktierungsvorrichtung
EP0867932B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Bonddrahtverbindungen
DE102012112667A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Ausbilden eines Nagelbondhügels
DE19924239A1 (de) Kontaktstelle und Verfahren zur Herstellung einer Kontaktstelle
DE2221886A1 (de) Anschlussstueck fuer Halbleiterschaltungsbausteine und Verfahren zum Anschliessen eines Halbleiterschaltungsbausteines
DE19709912A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Ultraschallbonden
DE10148460A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines metallischen Bondhügels mit vergrößerter Höhe
EP1719156A1 (de) Vorrichtung zum singulieren und bonden von halbleiterchips und verfahren zum singulieren und bonden
EP2133915A1 (de) Halbleiteranordnung mit besonders gestalteten Bondleitungen und Verfahren zum Herstellen einer solchen Anordnung
EP0937530A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Drahtverbindungen an Halbleiterchips
EP0995235B1 (de) Kontakt für kleinste bondkontakte sowie verfahren zur herstellung eines kontaktes
DE3806309C1 (de)
DE102007013100A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Wedge Wedge Drahtbrücke

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: PANASONIC CORP., KADOMA, OSAKA, JP

8339 Ceased/non-payment of the annual fee