DE69737942T2 - Verfahren zum Erreichen eines im Wesentlichen gleichförmigen Oberflächenpotentials eines isolierenden Objektes - Google Patents

Verfahren zum Erreichen eines im Wesentlichen gleichförmigen Oberflächenpotentials eines isolierenden Objektes Download PDF

Info

Publication number
DE69737942T2
DE69737942T2 DE69737942T DE69737942T DE69737942T2 DE 69737942 T2 DE69737942 T2 DE 69737942T2 DE 69737942 T DE69737942 T DE 69737942T DE 69737942 T DE69737942 T DE 69737942T DE 69737942 T2 DE69737942 T2 DE 69737942T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electron
sample
area
energy
less
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69737942T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69737942D1 (de
Inventor
Paul E. Eden Prairie Larson
Michael A. Portola Valley Kelly
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Revera Inc
Original Assignee
Revera Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Revera Inc filed Critical Revera Inc
Publication of DE69737942D1 publication Critical patent/DE69737942D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69737942T2 publication Critical patent/DE69737942T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/026Means for avoiding or neutralising unwanted electrical charges on tube components
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/227Measuring photoelectric effect, e.g. photoelectron emission microscopy [PEEM]
    • G01N23/2273Measuring photoelectron spectrum, e.g. electron spectroscopy for chemical analysis [ESCA] or X-ray photoelectron spectroscopy [XPS]

Description

  • Diese Anmeldung beansprucht die Vorteile der gleichzeitig laufenden vorläufigen Anmeldung mit der Seriennummer 60/033609. Diese Erfindung bezieht sich im Allgemeinen auf Oberflächenanalyse, insbesondere auf Elektronen- und Ionenemissionsspektroskopie, wie Röntgenstrahlen-, Fotoelektronen- und Sekundärionenmassenspektroskopie, und ganz besonders auf die Kontrolle des Oberflächenpotentials von isolierenden Proben, die solcher Spektroskopie unterworfen werden.
  • Hintergrund
  • In einer röntgenstrahlfotoelektronenstrahlspektroskopischen Anordnung (XPS) beleuchtet ein Röntgenstrahl einen Abschnitt einer Probe, so dass Elektronen emitiert werden, z.B. wie in US-Patent Nr. 5,315,113 (Larsson et al.) offenbart ist. Diese Emissionen werden mit einem Energieanalysator analysiert, um die Zusammensetzung der Oberfläche zu bestimmen. Jedoch hinterlässt die Elektronenemission bei isolierenden Proben die Oberfläche im Bereich der Röntgenstrahlenbestrahlung positiv geladen. Die positive Ladung variiert über der Oberfläche, wobei die emittierten Elektronenenergien und -bahnen beeinflusst werden, und wodurch Fehler in die entsprechende Analyse eingehen.
  • Bei der Sekundärionenmassenspektroskopie (SIMS) wird eine Oberfläche mit positiven Ionen bestrahlt, so dass Atome und Ionen von der Oberfläche emittiert werden. Die einfallenden Ionen verursachen das Entstehen von positiven Ladungen auf einer isolierenden Probe. Wie bei XPS werden durch Ladungen Fehler in die Analyse eingebracht.
  • Verschiedene Ansätze zu diesem Problem schließen zumindest für XPS die Anbringung eines Gitters dicht zur Oberfläche der Probe ein, um den Gradienten eines elektrischen Potentials zu glätten, wie in US-Patent Nr. 4,680,467 (Pryson) offenbart ist. Dadurch wird jedoch ein Interferenzelement eingeführt und hat begrenzte Anwendbarkeit.
  • In einem anderen Ansatz wird die Probe durch Fluten mit Niedrigenergieelektronen neutralisiert. Dies ergibt eine bedeutende Verbesserung, ergibt aber im Allgemeinen eine nicht einheitliche Neutralisierung, da ein Gebiet, das größer als das Gebiet der Fotoemission ist, geflutet wird, wobei das Gebiet außerhalb des Fotoelektronenbereichs übermäßig mit negativen Ladungen bedeckt wird. US-Patent Nr. 5,432,345 ("Kelly-Patent", dem gegenwärtigen Besitzer zugewiesen) offenbart die Glättung des Feldgradienten durch Entladung des Überflusses an negativen Ladungen durch Bestrahlung mit ultraviolettem Licht oder einem Strahl aus positiven Ionen. Diese Technik mit Strahlung oder Ionen kann den Gradienten ziemlich bedeutend reduzieren, jedoch bleibt ein kleiner Gradient übrig, der sich auf die Analyse auswirkt. Ebenso richtet sich das Kelly-Zitat primär auf ultraviolette Strahlen und gibt wenig Details bei der Verwendung von positiven Ionen. Ionenquellen werden normalerweise zum Sputtern und Ähnlichem verwendet und erzeugen typischerweise Ionen mit Energien größer als 10 eV, obwohl Vorrichtungen mit niedrigerer Energie experimentell verwendet wurden.
  • Ein allgemeines Problem mit existierenden XPS-Vorrichtungen, sogar wenn sie Elektronenfluten verwenden, ist die Empfindlichkeit auf Betriebsbedingungen des Neutralisierers. Es war schwierig, reproduzierbare Fotoelektronenpeakpositionen und Peakformen zu erhalten.
  • Zusammenfassung
  • Eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein im Wesentlichen einheitliches Oberflächenpotential auf einer isolierenden Probe in einer Röntgenstrahlenfotoelektronen- oder einer Sekundärionenemissionsvorrichtung zu erreichen, in der die Probe einen Bestrahlungsbereich aufweist, der einen Energiestrahl aufnimmt, um eine Emission von der Probe zu erzeugen, so dass der Bestrahlungsbereich positiv geladen wird. Eine andere Aufgabe ist es, ein im Wesentlichen einheitliches Oberflächenpotential bereitzustellen, wobei der verbleibende Gradient sogar kleiner ist, als der des vorher erwähnten Stands der Technik.
  • Die vorangegangenen und anderen Ziele werden in solch einem Instrument mit einer Vorrichtung zumindest teilweise erreicht, die Elektronenmittel mit einem Elektronenstrahl mit Niedrigenergieelektronen zum Fluten eines Gebietes der Probe einschließlich des Bestrahlungsbereichs umfasst, um die positive Aufladung zu neutralisieren, so dass das Fluten des gefluteten Bereichs außerhalb des Bestrahlungsbereichs negative Aufladung verursacht. Die Vorrichtung umfasst weiterhin Ionenmittel, um positive Ionen auf zumindest einen Bereich des Flutungsbereichs in der Nähe des Bestrahlungsbereichs zu richten, um die negative Ladung in solch einem Bereich zu neutralisieren.
  • Gemäß einem Aspekt der Erfindung stellt das Elektronenmittel den Elektronenstrahl mit niedriger Energie von weniger als ungefähr 2 eV und einem Energiebereich von weniger als 0,5 eV bereit. In einer bevorzugten Ausführungsform umfasst das Elektronenmittel einen thermionischen Elektronenemitter, der aus einem Elektronen emittierenden Material mit einer Austrittsarbeit von weniger als 2 eV gebildet ist, um die kleine Energieverteilung des Elektronenstrahls zu erreichen.
  • Gemäß eines anderen Aspekts, vorzugsweise in Kombination mit dem Niedrigenergieelektronenstrahl, weisen die Ionen im Wesentlichen eine niedrige Ionenenergie von weniger als 10 eV auf. In einem weiteren Aspekt, vorzugsweise in Kombination mit dem Niedrigenergieelektronenstrahl und der niedrigen Ionenenergie, weist das Elektronenmittel einen Abstand von der Probe auf, hat der Elektronenstrahl einen Strahldurchmesser an der Probe und ist ein Verhältnis des Abstands zum Durchmesser kleiner als 10.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine schematische Zeichnung, die eine Vorrichtung veranschaulicht, die in der Erfindung verwendet wird.
  • 2 zeigt eine Oberfläche einer Probe von 1.
  • 3 ist eine schematische Zeichnung einer Ionenkanone, die in der Vorrichtung von 1 verwendet wird.
  • 4 ist eine schematische Zeichnung einer Elektronenkanone, die in der Vorrichtung von 1 verwendet wird.
  • 5 ist eine schematische Zeichnung einer Ausführungsform, bei der die Elektronenquelle von 1 durch eine Quelle ersetzt wird, die ein Elektronenenergiefilter einsetzt.
  • Ausführliche Beschreibung
  • In einer Ausführungsform wird eine Vorrichtung mit einer Röntgenstrahlenfotoelektronenvorrichtung (XPS) zur Oberflächenanalyse, die für die Erfindung nützlich ist, verwendet, z.B. wie in dem vorhergenannten US-Patent Nr. 5,513,113 ("Larson-Patent") offenbart. Eine isolierende Probe 2 (1) wird in der Vakuumkammer einer XPS-Vorrichtung 4 montiert. Röntgenstrahlen 6 werden gewöhnlich auf die Probe gerichtet, wo sie einen Bestrahlungsbereich oder Fleck 12 (2) auf der Probe beleuchten, um Fotoelektronen zu emittieren (nicht gezeigt). Eine Elektronenkanone 7 emittiert Niedrigenergieelektronen 8, die die Probe fluten. Eine Quelle 10 von geladenen Partikeln richtet einen Strahl von positiven Ionen 11 auf die Probe. Die Elektronenkanone und die Ionenquelle werden vorteilhaft durch einen Computer 13 kontrolliert, der zweckmäßigerweise derselbe sein kann wie der Systemcomputer, wie in dem Larson-Patent beschrieben.
  • Die Emission von Fotoelektronen von der Probenoberfläche verursacht die positive Aufladung des bestrahlten Bereichs 12. Das Gebiet 14, das von den Niedrigenergieelektronen überflutet wird, ist im Allgemeinen größer und schließt den Bestrahlungsbereich ein, und neutralisiert so die positiven Ladungen, erzeugt aber ein Übermaß von negativen Ladungen im Bereich außerhalb des Bestrahlungsbereichs. Der Ionenstrahl 11 wird auf zumindest einen Bereich 16 dieses Gebietes in der Nähe des Strahlungsbereichs gerichtet, um die negativen Ladungen zu neutralisieren. Obwohl in dieser Ansicht das Gebiet mit positiven Ionen größer dargestellt ist als der elektronengeflutete Bereich 14, kann der Ionenstrahl auf einen Bereich gleich oder kleiner als das geflutete Gebiet gerichtet sein, vorausgesetzt, dass ein bedeutender Bereich um die bestrahlte Region von dem Ionenstrahl bedeckt ist, um effektiv die Potentialgradienten in und um den bestrahlten Bereich zu minimieren. In einem typischen XPS-Spektrometer kann der Röntgenstrahlbestrahlungsbereich 12 einen Durchmesser von 1 mm oder weniger aufweisen, der Elektronenbereich 14 kann einen Durchmesser von 1 bis 10 cm haben und der Ionenbereich 16 kann einen Durchmesser von 10 bis 50 cm aufweisen.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung haben die Ionen in dem Strahl 11 grundsätzlich niedrige Ionenenergien kleiner als 10 eV. In einer geeigneten Ionenkanone 10 (3) umfasst eine Ionisationskammer 18 einen thermionischen Glüh faden 20, der Elektronen emittiert, die durch das positive Potential eines Röhrengitters 22 beschleunigt werden, um dann enthaltenes Argongas zu ionisieren. Ein Emissionsstrom kann mit einem Amperemeter 23 am Gitter gemessen werden. Das Gas hat einen regulierten Einlass 24 von einer Gasversorgung 26, um einen Kammerdruck von ungefähr 25 mPa zu erreichen. Der Druck wird durch ein Amperemeter 30 mit der Kammer 18 gemessen, die als Extraktionselektrode verwendet wird. In der Ionisationskammer sind hinter einer Öffnung 19 hintereinander eine zylindrische Kondensorlinse 31, eine Blende 36, ein Paar von Strahlablenkplatten 32, eine zylindrische Objektivlinse 33 und ein zylindrisches Set von Quadropol- oder Oktopolablenkplatten 34, auf Wunsch zum Lenken, angeordnet. Eine Röhre 38, die diese Elemente enthält, wird auf eine relativ niedrige schwebende Spannung gesetzt. Die Ionen werden durch die Röhre von dem Hochspannungsgitter 22 beschleunigt und auf die gewünschte Energie abgebremst, während sie einen geerdeten konischen Ausgangsring 40 passieren und dann zu der geerdeten Probe 2 weiter laufen. Die Linsenspannungen folgen um einen Prozentsatz der Strahlspannung. Die Röhre 38 ist um ungefähr 5° an der Stelle der Krümmungsplatten 32 gebogen (nicht gezeigt), um die neutralen Atome von dem Ionenstrahl zu trennen. Obwohl das Vorhergehende eine geeignete Ionenquelle veranschaulicht, kann jede konventionelle oder gewünschte Quelle von Niedrigenergieionen, die an die Vorrichtung angepasst werden kann, verwendet werden.
  • Gemäß der Erfindung weisen die Flutungselektronen eine relativ enge Energieverteilung auf, wobei die Verteilung im Wesentlichen geringer als 0,5 eV ist, z.B. ungefähr 0,3 eV. Ebenso haben die Elektronen eine sehr geringe Energie von weniger als 2 eV (verglichen mit einer Verteilung von ungefähr 1 bis 10 eV bei konventionellem Fluten). Eine Elektronenkanone 7 (4) hat typischerweise einen thermionischen Emitter 42, der mit einem elektrischen Strom geheizt wird, wobei die emittierten Elektronen durch einen zylindrischen Extraktor 44 beschleunigt werden.
  • In einem bevorzugten Mittel zur Erzielung der gewünschten Energieverteilung wird der Emitter 42 aus einem Elektronen emittierenden Material mit einer Austrittsarbeit von weniger als 2 eV erzeugt, z.B. 1 eV. Zum Vergleich, ein konventioneller Wolframemitter weist eine Austrittsarbeit von ungefähr 4,5 eV auf. Mit einer niedrigen Austrittsarbeit wird der Emitter bei niedriger Temperatur betrieben, wobei im Wesentlichen die Breite der Energieverteilung und der Anteil des Hochenergieendes in der Bolzmannverteilung re duziert wird. Zum Beispiel kann der Emitter aus einer Schicht 46 aus Barium-Strontiumoxid auf einer Platinscheibe 48 hergestellt sein, der durch einen Strom in den Stützfüßen 49, die an die Scheibe geschweißt sind, geheizt wird. Die Schicht ist ähnlich zu der vorherigen, die auf Nickelschiffchen erzeugt wurden, die als Emitter in Vakuumröhren verwendet werden. Ein geeigneter Emitter ist eine Bariumoxidscheibenkatode Modell ES-015 von Kimbal Physics Inc., Wilton, NH.
  • Alternativ kann die gewünschte Energieverteilung mit einem Elektronenenergiefilter erreicht werden, wie z.B. ein halbkugelförmiger elektrostatischer Analysator 50 (5), der zwischen der Elektronenquelle, z.B. ein thermionischer Emitter 42', und der Probe mit einer oder mehrerer dazwischen liegender Linsen 52, sofern nötig, angeordnet ist. Solch ein Filter kann jeder elektrostatische oder elektromagnetische Energieanalysator sein, der für die vorliegende Anwendung konfiguriert wurde, z.B. kann es ein zylindrischer elektrostatischer Analysator sein oder ein halbkugelförmiger elektrostatischer Analysator (wie gezeigt) vom gleichen Typ wie im Larson-Patent offenbart ist.
  • Der maximale Strom der Flutungselektronen an der Probe ist durch die Raumladung dicht an der Probe begrenzt, wobei das Maximum umgekehrt proportional zum Quadrat des Verhältnisses L/D des Abstandes L der Kanone von der Probe zum Durchmesser D des Flutungselektronenstrahls an der Probe ist. Der Durchmesser ist im Allgemeinen ungefähr der gleiche wie der am Kanonenausgang. Um diesen Strom zu maximieren, sollte die Elektronenkanone so dicht wie praktikabel an der Probe sein. Es wurde bestimmt, dass das Verhältnis L/D vorzugsweise kleiner als ungefähr 10 sein sollte, besonders bevorzugt ist ein Wert von weniger als ungefähr 6, wobei angenommen wird, dass D der Strahldurchmesser am Kanonenausgang ist.
  • Es ist besonders vorteilhaft, mindestens zwei und bevorzugt alle der vorher beschriebenen Ausführungsformen in Kombination zu verwenden. Deshalb sind in einer bevorzugten Ausführungsform die Ionenenergien im Wesentlichen geringer als 10 eV, weisen die Flutungselektronen geringere Energien als ungefähr 2 eV mit einer engen Energieverteilung von weniger als ungefähr 0,5 eV auf, was. mit einem Emitter mit kleiner Austrittsarbeit erreicht wird, und das Verhältnis des Abstandes der Elektronenkanone zu dem Strahldurchmesser ist kleiner als ungefähr 10. Besonders bevorzugt werden die Flu tungselektronen mit einem Elektronenemitter mit einer Austrittsarbeit von weniger als ungefähr 2 eV erzeugt.
  • Man fand, dass die vorhergenannten Verbesserungen ein im Wesentlichen einheitlicheres Potential bewirken als die Offenbarung im Kelly-Patent. Die Vorrichtung ist auch bedeutend robuster und verlässlicher als bisher, indem ein Bereich von Probentypen und Oberflächengebieten ohne die vorherigen Variationen der analytischen Resultate und der Empfindlichkeit auf die Einstellung des Flutelektronenstroms analysiert werden können. Die niedrige Elektronenenergie und der kleinere Abstand der Elektronenkanone erlauben eine größere Flutstromdichte. Die Fotoelektronendichte erreicht auf einer isolierenden Probe bis zu ungefähr 40 nA/mm2 für einen auf 10 μm Durchmesser fokussierten Röntgenstrahlspot. Es ist wünschenswert für den neutralisierenden Elektronenstrom, dass er mindestens 10 mal größer ist, als der Fotoelektronenstrom und dies kann mit der Kombination der Verbesserung, die 400 nA/mm2 erlauben, erreicht werden.
  • Die Erfindung kann ähnlich gut für die Neutralisierung von isolierenden Proben in anderen analytischen Instrumenten verwendet werden, die eine positive Aufladung der Probenoberfläche erzeugen, z.B. in Sekundärionenmassenspektroskopie (SIMS), bei der eine Oberfläche mit positiven Ionen bestrahlt wird. Die Einführung von Elektronenfluten und positive Ionen mit niedriger Energie wirkt im Wesentlichen in der gleichen Weise wie für XPS. In 1 werden die Röntgenstrahlen 6 durch einen Strahl aus positiven Ionen ersetzt (der getrennt ist von dem Neutralisierungsstrahl von Ionen 11).
  • Während die Erfindung oben detailliert beschrieben wurde, mit Bezug auf spezielle Ausführungsformen, werden verschiedene Änderungen und Modifikationen, die in den Rahmen der nachfolgenden Ansprüche fallen, für den Fachmann offensichtlich. Deshalb ist es beabsichtigt, dass die Erfindung nur durch die nachfolgenden Ansprüche oder diesen gleichwertigen beschränkt ist.

Claims (7)

  1. Verfahren, um ein im Wesentlichen gleichförmiges Oberflächenpotential auf einer isolierenden Probe in einem analytischen Instrument bereitzustellen, worin die Probe ein Bestrahlungsbereich aufweist, der einen Energiestrahl aufnimmt, um eine Emission von der Probe zu bewirken, so dass der bestrahlte Bereich positiv aufgeladen wird, wobei das Verfahren umfasst: Fluten eines Bereiches der Probe einschließlich des Bestrahlungsbereichs mit einem Elektronenstrahl (8) mit Niedrigenergieelektronen, um die positive Aufladung zu neutralisieren, so dass das Fluten eine negative Aufladung des gefluteten Bereichs außerhalb des Bestrahlungsbereichs verursacht; und Richten von positiven Ionen (11) auf mindestens einen Teil des Flutungsbereichs in der Nähe des Bestrahlungsbereichs, um die negative Aufladung in diesem Bereich zu neutralisieren; dadurch gekennzeichnet, dass die Niedrigenergieelektronen eine Energie geringer als 2 eV und eine Energieverteilung von weniger als 0,5 eV aufweisen.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Ionen im Wesentlichen eine Energie von weniger als 10 eV aufweisen.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, das weiterhin folgendes umfasst: Bereitstellen einer Elektronenquelle (42) und eines Elektronenenergiefilters (50); und Anordnen des Elektronenenergiefilters (50) zwischen der Elektronenquelle (42) und der Probe, um die niedrige Energie des Elektronenstrahls (8) zu bewirken.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Verfahren weiterhin das Bereitstellen eines thermionischen Elektronenemitters (42) umfasst, der aus einem elektronenemittierenden Material mit einer Austrittsarbeit von weniger als ungefähr 2 eV hergestellt ist, um die niedrige Energieverteilung des Elektronenstrahls zu bewirken.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Verfahren weiterhin das Bereitstellen des Elektronenstrahls unter Verwendung einer Bariumoxid Katode als Elektronenquelle (42) umfasst.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, das weiterhin folgendes umfasst: eine Elektronenquelle; und Bereitstellen eines Abstandes zwischen der Elektronenquelle (7) und der Probe, wobei ein Verhältnis des Abstandes zu dem Durchmesser des Elektronenstrahls geringer als ungefähr 10 ist.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Verhältnis kleiner als 6 ist.
DE69737942T 1996-12-17 1997-11-21 Verfahren zum Erreichen eines im Wesentlichen gleichförmigen Oberflächenpotentials eines isolierenden Objektes Expired - Lifetime DE69737942T2 (de)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US3360996P 1996-12-17 1996-12-17
US33609P 1996-12-17
US08/968,454 US5990476A (en) 1996-12-17 1997-11-12 Control of surface potential of insulating specimens in surface analysis
US968454 1997-11-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69737942D1 DE69737942D1 (de) 2007-08-30
DE69737942T2 true DE69737942T2 (de) 2007-11-08

Family

ID=26709906

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69713725T Expired - Lifetime DE69713725T2 (de) 1996-12-17 1997-11-21 Regelung des Oberflächenpotentials von isolierenden Proben während einer Oberflächenanalyse
DE69737942T Expired - Lifetime DE69737942T2 (de) 1996-12-17 1997-11-21 Verfahren zum Erreichen eines im Wesentlichen gleichförmigen Oberflächenpotentials eines isolierenden Objektes

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69713725T Expired - Lifetime DE69713725T2 (de) 1996-12-17 1997-11-21 Regelung des Oberflächenpotentials von isolierenden Proben während einer Oberflächenanalyse

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5990476A (de)
EP (1) EP0848247B1 (de)
JP (1) JP3616714B2 (de)
DE (2) DE69713725T2 (de)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6291823B1 (en) * 1999-10-12 2001-09-18 Sandia Corporation Ion-induced electron emission microscopy
US6759235B2 (en) 2000-04-06 2004-07-06 Quantum Dot Corporation Two-dimensional spectral imaging system
TWI294632B (en) 2000-06-27 2008-03-11 Ebara Corp Inspecting device using an electron ebam and method for making semiconductor devices with such inspection device
IL137208A0 (en) * 2000-07-06 2001-07-24 Yeda Res & Dev Method for depth profiling of a sample
JP4357752B2 (ja) * 2001-01-24 2009-11-04 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 広域と局所的帯電を中和させる電子照射手段及び集束イオンビーム装置
US7449682B2 (en) * 2001-10-26 2008-11-11 Revera Incorporated System and method for depth profiling and characterization of thin films
DE10260601A1 (de) * 2002-12-23 2004-06-24 Infineon Technologies Ag Elektronenstrahlvorrichtung und Verfahren zur Vermeidung einer Oberflächenladung auf einer Oberfläche in einer Elektronenstrahleinrichtung
US6800852B2 (en) * 2002-12-27 2004-10-05 Revera Incorporated Nondestructive characterization of thin films using measured basis spectra
US6891158B2 (en) * 2002-12-27 2005-05-10 Revera Incorporated Nondestructive characterization of thin films based on acquired spectrum
EP1501115B1 (de) * 2003-07-14 2009-07-01 FEI Company Zweistrahlsystem
JP4497889B2 (ja) * 2003-10-29 2010-07-07 アルバック・ファイ株式会社 電子分光分析方法及び分析装置
GB2411763B (en) * 2004-03-05 2009-02-18 Thermo Electron Corp Flood gun for charge neutralization
US7176468B2 (en) * 2004-09-16 2007-02-13 Kla-Tencor Technologies Corporation Method for charging substrate to a potential
US7253410B1 (en) 2005-03-16 2007-08-07 Kla-Tencor Technologies Corporation Charge-control pre-scanning for e-beam imaging
JP4801996B2 (ja) * 2006-01-05 2011-10-26 株式会社ニューフレアテクノロジー 試料移動機構及び荷電粒子ビーム描画装置
JP2007212398A (ja) * 2006-02-13 2007-08-23 Toshiba Corp 基板検査装置および基板検査方法
US7560939B1 (en) 2006-02-17 2009-07-14 Kla-Tencor Technologies Corporation Electrical defect detection using pre-charge and sense scanning with prescribed delays
JP5185506B2 (ja) * 2006-03-23 2013-04-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線パターン測定装置
US7488938B1 (en) 2006-08-23 2009-02-10 Kla-Tencor Technologies Corporation Charge-control method and apparatus for electron beam imaging
JP5702552B2 (ja) * 2009-05-28 2015-04-15 エフ イー アイ カンパニFei Company デュアルビームシステムの制御方法
KR20130122281A (ko) * 2012-04-30 2013-11-07 삼성에스디아이 주식회사 리튬 이차 전지용 전극 표면의 피막 분석 장치 및 이를 이용한 리튬 이차 전지용 전극 표면의 피막 분석 방법
US11154903B2 (en) * 2016-05-13 2021-10-26 Jiangsu Favored Nanotechnology Co., Ltd. Apparatus and method for surface coating by means of grid control and plasma-initiated gas-phase polymerization
CN116472597A (zh) * 2020-08-28 2023-07-21 爱发科菲仪器株式会社 包括脉冲式双射束电荷中和的方法和系统

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4052614A (en) * 1976-04-09 1977-10-04 Nasa Photoelectron spectrometer with means for stabilizing sample surface potential
US4639301B2 (en) * 1985-04-24 1999-05-04 Micrion Corp Focused ion beam processing
US4680467A (en) * 1986-04-08 1987-07-14 Kevex Corporation Electron spectroscopy system for chemical analysis of electrically isolated specimens
GB8703012D0 (en) * 1987-02-10 1987-03-18 Vg Instr Group Secondary ion mass spectrometer
JPH01220350A (ja) * 1988-02-26 1989-09-04 Hitachi Ltd 帯電抑制方法及びその装置を用いた粒子線照射装置
US5315113A (en) * 1992-09-29 1994-05-24 The Perkin-Elmer Corporation Scanning and high resolution x-ray photoelectron spectroscopy and imaging
US5444242A (en) * 1992-09-29 1995-08-22 Physical Electronics Inc. Scanning and high resolution electron spectroscopy and imaging
US5432345A (en) * 1992-10-08 1995-07-11 Kelly; Michael A. Method and apparatus for control of surface potential

Also Published As

Publication number Publication date
JP3616714B2 (ja) 2005-02-02
EP0848247B1 (de) 2002-07-03
DE69737942D1 (de) 2007-08-30
DE69713725D1 (de) 2002-08-08
US5990476A (en) 1999-11-23
EP0848247A1 (de) 1998-06-17
JPH10246712A (ja) 1998-09-14
DE69713725T2 (de) 2002-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69737942T2 (de) Verfahren zum Erreichen eines im Wesentlichen gleichförmigen Oberflächenpotentials eines isolierenden Objektes
DE1798021A1 (de) Mikroanalysenvorrichtung
DE2556291A1 (de) Raster-ionenmikroskop
DE1937482B2 (de) Mikrostrahlsonde
DE19929185A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur energie- und winkelaufgelösten Elektronenspektroskopie
DE2152467B2 (de) Gerät zur Elementenanalyse
DE4111877A1 (de) Ionisationsmanometer und zugehoerige steuerschaltung
DE2420275B2 (de) Vorrichtung zum Analysieren einer Oberflächenschicht durch Ionenzerstreuung
DE19752209B4 (de) Ionendetektor
DE2534796A1 (de) Ionen-elektronen-konverter
EP0279240A2 (de) Detektor für geladene Teilchen
DE2340372A1 (de) Doppelfokussierendes massenspektrometer hoher eingangsapertur
DE2458025A1 (de) Vorrichtung fuer massenanalyse und strukturanalyse einer oberflaechenschicht durch ionenstreuung
DE2608958A1 (de) Vorrichtung zum erzeugen von strahlen aus geladenen teilchen
DE2705430C3 (de) Elektrostatischer Analysator für geladene Teilchen
DE2136460A1 (de) Röntgenstrahlenquelle
DE2004256A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Oberflaechenanalyse mittels Elektronenstrahl
DE19701192A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Betrieb eines Spektrometers mit Energie- und Winkelauflösung
DE2105805C3 (de) Gerät zur Elektronenspektroskopie
DE102020104151B3 (de) Abbildungsvorrichtung für Elektronen und ein Abbildungsverfahren zur Reduktion des Untergrundsignals in abbildenden elektronenoptischen Geräten
DE2659385C3 (de) Ionen-Mikrosonden-Analysator
DE4317749A1 (de) Massenspektrometer mit Einrichtungen zum Überwachen der Strahlung, die ausgesendet wird, wenn Ionen mit einem Zielgas kollidieren
DE2950330C2 (de) Vorrichtung zur chemischen Analyse von Proben
DE2022132A1 (de) Spektrometer
DE2402728C3 (de) Vorrichtung zum Analysieren einer Oberflachenschicht durch Ionenzerstreuung

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition