DE69829084T2 - Elektrolumineszenzanzeige mit aktiver Matrix mit zwei TFTs und Speicherkondensator pro Bildelement - Google Patents
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Description
- TESNISCHES GEBIET
- Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix mit Lumineszenzelementen, wie EL-(Elektrolumineszenz-) Elementen oder LED- (Leuchtdioden-) Elementen, die Licht durch einen Antriebsstrom, der in Dünnfilmen organischer Halbleiter oder dergleichen fließt, emittieren, und auch mit Dünnfilmtransistoren (in der Folge TFTs) zum Steuern des Emissionsvorganges dieser Lumineszenzelemente. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung eine Technik zum Antreiben jedes Elements, das in dieser Art von Anzeigevorrichtung gebildet ist.
- HINTERGRUND DER TECHNIK
- Anzeigevorrichtungen mit aktiver Matrix, die Lumineszenzelemente vom Stromsteuerungstyp enthalten, wie EL-Elemente und LED-Elemente, wurden bereits vorgeschlagen. Da jedes Lumineszenzelement, das in dieser Art von Anzeigevorrichtung verwendet wird, selbst emittiert, gibt es Vorteile, da kein Gegenlicht verwendet wird und eine minimale Abhängigkeit vom Betrachtungswinkel und dergleichen vorliegt.
-
18 ist ein Blockdiagramm, das eine Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix zeigt, die organische Dünnfilm-EL-Elemente vom elektrischen Ladungsfülltyp als Beispiel für diese Arten von Anzeigevorrichtungen zeigt. In der Anzeigevorrichtung 1A, die in dieser Figur dargestellt ist, sind eine Vielzahl von Abtastleitungen "gate", eine Vielzahl von Datenleitungen "sig", die sich in eine Richtung erstrecken, die die Richtung schneidet, in der sich die Abtastleitungen "gate" erstrecken, eine Vielzahl von allgemeinen Stromversorgungsleitungen (com), die sich parallel zu den Datenleitungen "sig" erstrecken, und eine Vielzahl von Pixeln7 , die an den Schnittpunkten der Datenleitungen "sig" und der Abtastleitungen "gate" angeordnet sind, auf einem transparenten Substrat gebildet. - Jedes Pixel
7 umfasst einen ersten TFT20 , in dem ein Abtastsignal zu der Torelektrode (einer ersten Torelektrode) durch das Abtastgatter geleitet wird, einen Haltekondensator "cap", der ein Bildsignal hält, das von der Datenleitung "sig" über den ersten TFT20 geleitet wird, einen zweiten TFT30 , in dem das Bildsignal, das von dem Haltekondensator "cap" gehalten wird, der Torelektrode (einer zweiten Torelektrode) zugeleitet wird, und ein Lumineszenzelement40 (das als Widerstand angezeigt ist), in das der Antriebsstrom von der allgemeinen Stromversorgungsleitung "com" fließt, wenn das Element40 elektrisch an die allgemeine Stromversorgungsleitung "com" durch den zweiten TFT30 -angeschlossen ist - In der obengenannten Anzeigevorrichtung 1A sind sowohl der erste TFT
20 als auch der zweite TFT30 herkömmlich gebildet, wie mit einem TFT vom N-Kanal-Typ oder einem TFT vom P-Kanal-Typ, wie in einem analogen Schaltungsdiagramm von19 dargestellt, vom Standpunkt der Vereinfachung des Herstellungsprozesses, zum Beispiel im Falle eines N-Kanal-Typs. Wenn zum Beispiel bei einem N-Kanal-Typ, wie in20(A) und20(B) dargestellt, das Hochpotenzial-Bildsignal "data" in den Haltekondensator "cap" von der Datenleitung "sig"- geschrieben wird, während das Abtastsignal "Sgate", das durch die Abtastleitung (gate) zugeleitet wird, in seinem Potenzial höher geworden ist, um den ersten TFT20 einzuschalten, wird der zweite TFT30 im eingeschalteten Zustand gehalten. Folglich fließt der Antriebsstrom im Lumineszenzelement40 weiter von einer Pixelelektrode41 zu einer Gegenelektrode "op" in die Richtung, die durch den Pfeil "E" angezeigt ist, und folglich emittiert das Lumineszenzelement40 weiter (der eingeschaltete Zustand). Wenn andererseits das Bildsignal (data), das schwächer als der Zwischenwert zwischen dem Potenzial der allgemeinen Stromversorgungsleitung "com" und dem Potenzial der Gegenelektrode "op" ist, von der Datenleitung "sig" in den Haltekondensator "cap" geschrieben wird, während das Abtastsignal "Sgate", das durch die Abtastleitung "gate" zugeleitet wird, in seinem Potenzial höher geworden ist, um den ersten TFT20 einzuschalten, wird der zweite TFT30 ausgeschaltet und folglich wird das Lumineszenzelement40 ausgeschaltet (der ausgeschaltete Zustand). - In der obengenannten Anzeigevorrichtung 1A sind ein Halbleiterdünnfilm, ein Isolierdünnfilm, eine Elektrode usw., die jedes Element bilden, durch Dünnfilme gebildet, die auf dem Substrat abgeschieden sind. Unter Berücksichtigung der Wärmebeständigkeit des Substrats wird häufig ein Niedertemperaturprozess zur Bildung der Dünnfilme verwendet. Daher ist die Qualität des Dünnfilms schlecht, wie durch häufige Defekte erkennbar ist, die durch einen Unterschied in der physikalischen Eigenschaft zwischen einem Dünnfilm und einer Masse verursacht wird, die zu Problemen, wie einem elektrischen Durchschlag, führen, und wobei eine zeitbedingte Verschlechterung leicht im TFT und ähnlichen Vorrichtungen entstehen kann.
- Im Falle einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung, die Flüssigkristalle als Lichtmodulationselemente enthält, kann trotz der Verwendung der Dünnfilme eine zeitbedingte Verschlechterung nicht nur im Flüssigkristall, sondern auch im TFT unterdrückt werden, da das Lichtmodulationselement durch Wechselstrom angetrieben wird. Andererseits tritt in der Anzeigevorrichtung 1A, die Lumineszenzelemente vom Stromsteuerungstyp enthält, eine zeitbedingte Verschlechterung häufiger im TFT als in der Flüssigkristallanzeigevorrichtung auf, da die Vorrichtung im Wesentlichen durch Gleichstrom angetrieben wird. Obwohl Verbesserungen in der Struktur des TFT und in den Verfahrenstechniken in der Anzeigevorrichtung 1A vorgenommen wurden, die Lumineszenzelemente vom Stromsteuerungstyp enthalten, scheinen sie noch nicht genug verbessert zu sein.
- Wenn Flüssigkristalle als Lichtmodulationselemente eingefügt werden, ist der Stromverbrauch gering, da das Lichtmodulationselement von der Spannung gesteuert wird, die bewirkt, dass der Stromfluss in jedem Element nur vorübergehend ist. Andererseits ist in der Anzeigevorrichtung 1A, die Lumineszenzelemente vom Stromsteuerugnstyp enthält, ein konstanter Antriebsstrom erforderlich, um das Lumineszenzelement eingeschaltet zu halten, und dies führt zu einem hohen Stromverbrauch und zur Gefahr des häufigen Auftretens eines elektrischen Durchschlags und einer zeitbedingten Verschlechterung.
- Ferner kann in der Flüssigkristallanzeigevorrichtung der Flüssigkristall von einem TFT pro Pixel mit Wechselstrom angetrieben werden. Andererseits wird in der Anzeigevorrichtung 1A, die Lumineszenzelemente vom Stromsteuerungstyp enthält, das Lumineszenzelement durch zwei TFTs
20 und30 pro Pixel mit Gleichstrom angetrieben. Dies erhöht die Antriebsspannung und behebt die obengenannten Probleme, wie einen elektrischen Durchschlag und eine zeitbedingte Verschlechterung. Wie zum Beispiel in20(A) dargestellt ist, entspricht die Torspannung "Vgsw" des ersten TFT, wenn ein Pixel gewählt wird, der Potenzialdifferenz zwischen dem Potenzial, das gleich dem höheren Potenzial des Abtastsignals "Sgate" ist, und dem Potenzial der Potenzialhalteelektrode "st" (dem Potenzial des Haltekondensators "cap" oder dem Potenzial der Torelektrode des zweiten TFT30 ). Wenn daher das Potenzial der Potenzialhalteelektrode "st" und somit die Torspannung "Vgcur" des zweiten TFT30 erhöht werden, so dass das Lumineszenzelement40 in hoher Luminanz emittiert, wird die Torspannung "Vgsw" des ersten TFT20 entsprechend gesenkt. Daher muss die größere Amplitude des Abtastsignals "Sgate" verwendet werden, wodurch die höhere Antriebspannung in der Anzeigevorrichtung 1A erforderlich ist. Da außerdem in der obengenannten Anzeigevorrichtung 1A, wenn das Lumineszenzelement40 ausgeschaltet ist, das Potenzial des Bildsignals "data" niederer wird als das Zwischenpotenzial zwischen dem Potenzial der allgemeinen Stromversorgungsleitung "com" und dem Potenzial der Gegenelektrode "op", um den zweiten TFT30 auszuschalten, entsteht ein weiteres Problem einer vergrößerten Amplitude des Bildsignals "data". Daher müssen in dieser Anzeigevorrichtung 1A im Vergleich zu der Flüssigkristallanzeigevorrichtung der Stromverbrauch und die Spannungsfestigkeit des TFT usw, besonders berücksichtigt werden. Bei der herkömmlichen Anzeigevorrichtung 1A wurden diese Faktoren jedoch nicht ausreichend berücksichtigt. - Daher ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Anzeigevorrichtung bereitzustellen, die die Anzeigebildqualität verbessert, wie auch den Stromverbrauch, elektrischen Durchschlag und die zeitbedingte Verschlechterung durch Verringerung der Antriebsspannung verringert, abhängig von einem Antriebsverfahren, das die Leitungsarten von TFTs berücksichtigt, die zum Steuern von Emissionsvorgängen der strombetriebenen Lichtlumineszenzelemente verwendet werden, um so die Antriebsspannung zu senken, wodurch sowohl die Anzeigebildqualität wie auch die Eigenschaften wie Stromverbrauch, elektrischer Durchschlag und zeitbedingte Verschlechterung, verbessert werden.
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EP 0112700A offenbart eine Anzeigevorrichtung, in der jedes Pixel einen ersten und zweiten Dünnfilmtransistor, einen Kondensator und ein Flüssigkristallelement umfasst. Die Merkmale des Oberbegriffs von Anspruch 1 werden durch dieses Dokument offenbart. - Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine Anzeigevorrichtung bereitgestellt mit einem Substrat, auf dem Folgendes angeordnet ist:
eine Vielzahl von Abtastleitungen;
eine Vielzahl von Datenleitungen, welche die Abtastleitungen schneiden;
eine Vielzahl von allgemeinen Stromversorgungsleitungen; und
eine Vielzahl von Pixeln, die in einer Matrix an den Schnittpunkten der Abtastleitungen und der Datenleitungen gebildet sind, wobei jedes der Pixel Folgendes umfasst:
einen ersten Transistor mit einer ersten Torelektrode, die so angeordnet ist, dass sie mit einem Abtastsignal über eine Abtastleitung versorgt wird;
einen Haltekondensator, der so angeordnet ist, dass er ein Bildsignal hält, das durch eine Datenleitung über den ersten Transistor zugeleitet wird;
einen zweiten Transistor mit einer zweiten Torelektrode, die so angeordnet ist, dass sie mit einem Bildsignal versorgt wird, das von dem Haltekondensator gehalten wird; und
eine Lumineszenzelement mit einem emittierenden Dünnfilm, der zwischen einer Pixelelektrode, die für jedes der Pixel bereitgestellt ist, und einer Gegenelektrode, die der Pixelelektrode entgegengesetzt ist, bereitgestellt ist, wobei der zweite Transistor so angeordnet ist, dass er von dem Bildsignal gesteuert wird, um die Pixelelektrode mit der allgemeinen Stromversorgungsleitung zu verbinden, so dass ein Antriebsstrom zwischen der Pixelelektrode und der Gegenelektrode fließt und das Lumineszenzelement Licht emittiert; dadurch gekennzeichnet, dass sie Folgendes umfasst:
Mittel, die angeordnet sind zum Versorgen einer Elektrode des Haltekondensators, die jener entgegengesetzt ist, die elektrisch an die zweite Torelektrode des zweiten Transistors angeschlossen ist, mit einem Impuls, der eine Potenzialpolarität hat, die dem Wählimpuls des Abtastsignals entgegengesetzt ist, und in Bezug auf das Anlegen des Wählimpulses des Abtastsignals verzögert ist. - Da in dieser Struktur das Schreiben der Bildsignale in den Haltekondensator supplementiert werden kann, kann das Potenzial des Bildsignals, das an die Torelektrode des zweiten Transistors angelegt wird, in die Richtung zur Erhöhung einer Luminanz verschoben werden, ohne die Amplitude des Bildsignals zu vergrößern.
- Ein organischer Halbleiterfilm kann zum Beispiel für die emittierenden Dünnfilme verwendet werden.
- Der zweite Transistor kann so angeordnet werden, dass er in dem gesättigten Bereich angetrieben wird, um die Erzeugung eines abnormalen Stroms in dem Lumineszenzelement zu verhindern, der zur Bildung einer Kreuzkopplung usw. bei einem anderen Pixel aufgrund des Spannungsabfalls oder dergleichen führen würde.
- Ferner kann verhindert werden, dass eine Ungleichmäßigkeit der Schwellenspannung einen Anzeigevorgang beeinflusst, indem der zweite TFT so angeordnet wird, dass er im linearen Bereich angetrieben wird.
- KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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1 ist eine Draufsicht, die schematisch eine Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt. -
2 ist ein Blockdiagramm, das eine Grundkonstruktion einer Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt. -
3 ist eine in Einzelteile aufgelöste Draufsicht, die ein Pixel in der in2 dargestellten Anzeigevorrichtung zeigt. -
4 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie A-A' von3 . -
5 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie B-B' von3 . -
6(A) ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie C-C' von3 und6(B) ist eine schematische Darstellung, die einen Effekt zeigt, wenn die Vorrichtung wie in6(A) konstruiert ist. -
7(A) und7(B) sind jeweils Querschnittsansichten der Lumineszenzelemente, die in der in2 dargestellten Anzeigevorrichtung verwendet werden. -
8(A) und8(B) sind jeweils Querschnittsansicht der Lumineszenzelemente mit einer anderen Struktur als die Pixel, die in7 dargestellt sind. -
9 ist eine Graphik, die eine Strom-Spannungs-Eigenschaft der in7(A) und8(B) dargestellten Lumineszenzelemente zeigt. -
10 ist eine Graphik, die eine Strom-Spannungs-Eigenschaft der in7(B) und8(A) dargestellten Lumineszenzelemente zeigt. -
11 ist eine Graphik, die Strom-Spannungs-Eigenschaften eines TFT vom N-Kanal-Typ zeigt. -
12 ist eine Graphik, die Strom-Spannungs-Eigenschaften eines TFT vom P-Kanal-Typ zeigt. -
13 ist eine Schnittflussansicht, die ein Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt. -
14(A) und(B) sind eine Draufsicht beziehungsweise eine Querschnittsansicht der Pixel mit einer anderen Struktur als die Pixel, die in3 bis6 dargestellt sind. -
15(A) und(B) sind ein analoges Schaltungsdiagramm, das ein Pixel einer Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt, beziehungsweise ein Wellenformdiagramm, das die Signale zum Antreiben der Pixel zeigt. -
16 ist ein Blockdiagramm der Antriebsschaltung an der Abtastseite zur Erzeugung der Signale, die in15 dargestellt sind. -
17 ist ein Wellenformdiagramm, das jedes Signal zeigt, das von der Antriebsschaltung an der Abtastseite erzeugt wird, die in16 dargestellt ist. -
18 ist ein Blockdiagramm einer Anzeigevorrichtung. -
19 ist ein analoges Schaltungsdiagramm, das eine herkömmliche Pixelkonstruktion in der Anzeigevorrichtung zeigt, die in18 dargestellt ist. -
20(A) und(B) sind ein Wellenformdiagramm, das die Signale zum Antreiben des Pixels zeigt, das in19 dargestellt ist, beziehungsweise eine schematische Darstellung die Entsprechungen zwischen diesen Signalen und der analogen Schaltung zeigt. -
21(A) und(B) sind ein Blockdiagramm, das eine Konstruktion zur Bildung eines Kondensators unter Verwendung einer benachbarten Torleitung zeigt, beziehungsweise eine Wellenform der Torsspannungssignale. - BESTE AUSFÜHRUNGSFORM DER ERFINDUNG
- Es wird eine Ausführungsform der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. Vor der Darstellung der Ausführungsform der Erfindung wird auf die gemeinsamen Strukturen Bezug genommen, wobei die Teile mit gemeinsamen Funktionen mit denselben Bezugszeichen bezeichnet sind, um eine doppelte Beschreibung zu vermeiden.
- (Allgemeine Konstruktion eines aktiven Matrixsubstrats)
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1 ist ein schematisches Blockdiagramm, das schematisch eine allgemeine Anordnung einer Anzeigevorrichtung zeigt, und2 ist ein analoges Schaltungsdiagramm einer aktiven Matrix, die darin ausgebildet ist. - Wie in
1 dargestellt, ist der mittlere Abschnitt eines transparenten Substrats10 als Grundkörper ein Anzeigeabschnitt2 . Im peripheren Bereich des transparenten Substrats10 , sind an der oberen und unteren Seite, wie in der Figur dargestellt, eine Prüfschaltung5 beziehungsweise eine Antriebsschaltung3 an der Datenseite, die ein Bildsignal an eine Datenleitung "sig" ausgibt, gebildet. Und an der rechten und linken Seite, wie in der Figur dargestellt, sind Antriebsschaltungen4 an der Abtastseite, die Abtastsignale an eine Abtastleitung "gate" ausgeben, ausgebildet. In jeder der Antriebsschaltungen3 ,4 , ist ein TFT vom komplementären Typ, der eine Schieberegisterschaltung, eine Pegelverschiebungsschaltung, eine analoge Verknüpfungsschaltung usw, umfasst, durch einen N-Typ-TFT und einen P-Typ-TFT gebildet. Eine Gehäuseanschlussstelle6 , die eine Anschlussgruppe zur Eingabe der Bildsignale, der ver schiedenen elektrischen Potenziale und der Impulssignale ist, ist in dem peripheren Bereich auf dem transparenten Substrat10 außerhalb der datenseitigen Antriebsschaltung3 gebildet. - In der Anzeigevorrichtung
1 sind eine Vielzahl von Abtastleitungen "gate" und eine Vielzahl von Datenleitungen "sig", die sich in eine Richtung erstrecken, die jene Richtung schneidet, in die sich die Abtastleitungen "gate" erstrecken, auf dem transparenten Substrat10 auf dieselbe Weise wie in einem aktiven Matrixsubstrat einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung gebildet. Wie in2 dargestellt, sind viele Pixel7 in einer Matrixform durch die Kreuzung der Datenleitungen "sig" und der Abtastleitungen "gate" gebildet. - In jedem der Pixel
7 ist ein erster TFT20 gebildet, in dem ein Abtastsignal zu einer Torelektrode21 (einer ersten Torelektrode) durch die Abtastleitung "gate" geleitet wird. Eine Seite eines Source-Drain-Bereichs des TFT20 ist elektrisch an die Datenleitung "sig" angeschlossen, während die andere Seite des Source-Drain-Bereichs an eine Potenzial-Halteelektrode "st" elektrisch angeschlossen ist. Das heißt, eine Kondensatorleitung "cline" ist parallel zu der Abtastleitung "gate" gebildet und ein Haltekondensator "cap" ist zwischen der Kondensatorleitung "cline" und der Potenzialhaltelektrode "st" ausgebildet. Wenn daher der erste TFT20 von dem Abtastsignal ausgewählt und auf "EIN" gestellt wird, wird ein Bildsignal, das von der Datenleitung "sig" zugeleitet und durch den ersten TFT20 weitergeleitet wird, in den Haltekondensator "cap" geschrieben. - Eine Torelektrode
31 (eine zweite Torelektrode) des zweiten TFT30 ist elektrisch an die Potenzialhalteelektrode "st" angeschlossen. Während eine Seite des Source-Drain-Bereichs des zweiten TFT30 an eine allgemeine Stromversorgungs leitung "com" angeschlossen ist, ist die andere Seite des Source-Drain-Bereichs elektrisch an eine der Elektroden (eine Pixelelektrode, wie sie in der Folge bezeichnet wird) eines Lumineszenzelements40 angeschlossen. Die allgemeine Stromversorgungsleitung "com" wird bei konstantem Potenzial gehalten. Wenn der zweite TFT30 eingeschaltet wird, fließt der elektrische Strom von der allgemeinen Stromversorgungsleitung "com" zum Erleuchten des Lumineszenzelements40 durch den zweiten TFT30 und lässt das Lumineszenzelement40 emittieren. - Da in der Anzeigevorrichtung
1 , die wie zuvor beschrieben konstruiert ist, der Antriebsstrom durch den Stromweg fließt, der durch das Lumineszenzelement40 , den zweiten TFT30 und die allgemeine Stromversorgungsleitung "com" gebildet wird, stoppt der Stromfluss, wenn der zweite TFT30 ausgeschaltet wird. Wenn jedoch in der Anzeigevorrichtung1 der erste TFT20 durch das Abtastsignal gewählt und eingeschaltet wird, wird das Bildsignal, das von der Datenleitung "sig" zugeleitet und durch den ersten TFT weitergeleitet wird, in den Haltekondensator "cap" geschrieben. Da das Potenzial der Torelektrode des zweiten TFT30 durch den Haltekondensator "cap" gleich jenem des Bildsignals gehalten wird, bleibt somit der zweite TFT30 eingeschaltet, selbst wenn der erste TFT20 ausgeschaltet wird. Daher fließt der Antriebsstrom in dem Lumineszenzelement40 weiter und dieses Pixel bleibt erleuchtet. Dieser Zustand wird aufrechterhalten, bis neue Bilddaten in den Haltekondensator "cap" geschrieben werden und der zweite TFT30 sich ausschaltet. - In der Anzeigevorrichtung
1 sind verschiedene Anordnungen mit der allgemeinen Stromversorgungsleitung "com", dem Pixel7 und der Datenleitung "sig" möglich. Als Beispiel ist eine Vielzahl der Pixel7 mit der Stromversorgung der Lumineszenzelemente40 , in welchen der Antriebsstrom über die allgemeine Stromversorgungsleitung "com" zugeleitet wird, an beiden Seiten der allgemeinen Stromversorgungsleitung "com" angeordnet. Zwei Datenleitungen "sig" sind an der Seite dieser Pixel7 gegenüber der allgemeinen Stromversorgungsleitung "com" angeordnet. Das heißt, eine Einheit, die die Datenleitung "sig", eine Pixelgruppe, die an diese Datenleitung angeschlossen ist, einen Teil der allgemeinen Stromversorgungsleitung "com", eine weitere Pixelgruppe, die an diese allgemeine Stromversorgungsleitung angeschlossen ist, und eine weitere Datenleitung "sig", die die Pixelsignale zu dieser Pixelgruppe leitet, enthält, wird in die Richtung wiederholt, in die sich die Abtastleitung "gate" erstreckt. Jede allgemeine Stromversorgungsleitung "com" liefert Antriebsströme zu zwei Linien der Pixel7 . In diesem Beispiel sind in jedem der zwei Pixel7 , die mit der allgemeinen Stromversorgungsleitung "com" dazwischen versehen sind, die ersten TFTs20 , die zweiten TFTs30 und die Lumineszenzelemente40 symmetrisch in Bezug auf die allgemeine Stromversorgungsleitung "com" angeordnet, um die elektrische Verbindung zwischen diesen Elementen und jeder der Verdrahtungsschichten zu erleichtern. - Da in diesem Beispiel ein Teil der allgemeinen Stromversorgungsleitung "com" zwei Linien der Pixel antreibt, ist somit nur die halbe Anzahl der allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" notwendig, im Vergleich zu der Anzahl der allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com", wenn jede von diesen für eine Linie der Pixel ausgebildet ist, und somit kann auch der Raum, der zwischen der allgemeinen Stromversorgungsleitung "com" und der Datenleitung "sig" vorgesehen ist, die in derselben Schicht gebildet ist, entfallen. Daher kann der Verdrahtungsbereich auf dem transparenten Substrat
10 verringert werden und folglich kann die Anzeigeleistung im Sinne der Luminanz, des Kontrastverhältnisses und so weiter, verbessert werden. Da die allgemeinen Stromversorgungsleitungen so angeordnet sind, dass jede allgemeine Stromversorgungsleitung "com" an zwei Linien der Pixel angeschlossen ist, sind jeweils zwei Datenleitungen "sig" nebeneinander angeordnet und leiten das Bildsignal zu jeder Linie der Pixelgruppen. - (Pixelkonstruktion)
- Die Struktur jedes Pixels
7 in der Anzeigevorrichtung1 , die wie zuvor beschrieben gebildet ist, wird ausführlich unter Bezugnahme auf3 bis6 erklärt. -
3 ist eine vergrößerte Draufsicht, die drei Pixel7 einer Vielzahl von Pixeln7 zeigt, die in der Anzeigevorrichtung1 ausgebildet sind.4 ,5 und6 sind Schnittansichten entlang der Linie A-A', B-B' beziehungsweise C-C'. - Zunächst wird an der Position auf Linie A-A' in
3 ein Siliziumfilm200 , der in Form von Inseln ausgebildet ist, auf dem transparenten Substrat10 pro Pixel7 gebildet, um den ersten TFT20 zu bilden, wie in4 dargestellt ist. Auf der Oberfläche des Siliziumfilms20 wird ein Torisolierfilm50 gebildet. Die Torelektrode21 (ein Teil der Abtastleitung "gate") wird auf der Oberfläche des Torisolierfilms50 gebildet. Die Source-Drain-Bereiche22 und23 werden durch Selbstausrichtung in Bezug auf die Torelektrode21 gebildet. An der Vorderseite des Torisolierfilms50 wird ein erster Innenschichtisolierfilm51 gebildet. Die Source-Drain-Bereiche22 und23 werden durch Kontaktlöcher61 und62 , die in dem Innenschichtisolierfilm ausgebildet sind, elektrisch an die Datenleitung "sig" beziehungsweise die Potenzialhalteelektrode "st" angeschlossen. - In jedem Pixel
7 ist parallel zu der Abtastleitung "gate" die Kondensatorleitung "cline" in derselben Innenschicht wie die Abtastleitung "gate" und die Torelektrode21 (zwischen dem Torisolierfilm50 und -dem ersten Innenschichtisolierfilm51 ) gebildet. Eine Verlängerung "st1" der Potenzialhalteleketrode "st" liegt durch den ersten Innenschichtisolierdünnfilm51 auf dieser Kondensatorleitung "cline". Auf diese Weise bilden die Kondensatorleitung "cline" und die Verlängerung "st1" der Potenzialhalteelektrode "st" den Haltekondensator "cap", der den ersten Innenschichtisolierfilm51 als dielektrischen Film enthält. An der Vorderseite der Potenzialhalteelektrode "st" und auf jener der Datenleitung "sig" wird ein zweiter Innenschichtisolierfilm52 gebildet. - An der Position, die durch die Linie B-B' in
3 angezeigt ist, sind, wie in5 dargestellt ist, zwei der Datenleitungen "sig", die jedem Pixel7 entsprechen, parallel auf den Oberflächen des ersten und des zweiten Innenschichtisolierfilms51 und52 auf dem transparenten Substrat10 gebildet. - Wie in
6(A) dargestellt, wird an der Position, die durch die Linie C-C' in3 angezeigt ist, ein Siliziumfilm300 in Form von Inseln auf dem transparenten Substrat10 zur Bildung des zweiten TFT30 gebildet, der sich über zwei Pixel ausbreitet, zwischen welchen sich die allgemeine Stromversorgungsleitung "com" befindet. Der Torisolierfilm50 wird auf der Oberfläche des Siliziumfilms300 gebildet. Die Torelektroden31 , die jedem Pixel7 entsprechen, werden auf der Oberfläche des Törisolierfilms50 gebildet und schließen die allgemeine Stromversorgungsleitung "com" ein, und die Source-Drain-Bereiche32 und33 werden durch Selbstausrichtung in Bezug auf die Torelektroden31 gebildet. An der Vorderseite des Torisolierfilms50 wird der erste Innenschichtisolierfilm51 gebildet. Ein Source-Drain-Bereich32 ist elektrisch an eine Übergangselektrode35 durch ein Kontaktloch63 angeschlossen, das auf dem ersten Innenschichtisolierfilm51 gebildet ist. Andererseits ist die allgemeine Stromversorgungsleitung "com" durch ein Kontaktloch64 des ersten Innenschichtisolier films51 elektrisch an einen Abschnitt des Source-Drain-Bereichs33 angeschlossen, der allgemein zwischen zwei der Pixel in der Mitte des Siliziumfilms300 bereitgestellt ist. Auf den Oberflächen der allgemeinen Stromversorgungsleitung "com" und der Übergangselektrode35 ist der zweite Innenschichtisolierfilm52 gebildet. Auf der Oberfläche des zweiten Innenschichtisolierfilms52 wird eine Pixelelektrode41 gebildet, die einen ITO-Film enthält. Diese Pixelelektrode41 ist an die Übergangselektrode35 durch ein Kontaktloch65 elektrisch angeschlossen, das auf dem zweiten Innenschichtisolierfilm52 gebildet ist, und dann an den Source-Drain-Bereich32 des zweiten TFT30 durch die Übergangselektrode35 angeschlossen. - (Eigenschaften des Lumineszenzelements)
- Da jede Art von Strukturen des Lumineszenzelements
40 in der Vorrichtung der Erfindung verwendet werden kann, wird in der Folge eine typische Struktur beschrieben. - Erstens bildet die Pixelelektrode
41 , die den ITO-Film umfasst, eine Elektrode (die positive Elektrode) des Lumineszenzelements40 , wie in7(A) dargestellt. Auf der Oberfläche der Pixelelektrode41 werden eine Löcherinjektionsschicht42 und ein organischer Halbleiterfilm43 als emittierender Dünnfilm laminiert. Ferner wird eine Gegenelektrode "op" (die negative Elektrode), die einen Metallfilm, wie einen lithiumhaltigen Aluminiumfilm oder einen Kalziumfilm, umfasst, auf der Oberfläche des organischen Halbleiterfilms43 gebildet. Diese Gegenelektrode "op" soll eine gemeinsame Elektrode sein, die vollständig oder in Streifenmustern auf dem transparenten Substrat10 gebildet und bei konstantem Potenzial gehalten wird. Wenn im Gegensatz dazu der Antriebsstrom in die umgekehrte Richtung zu dem Lumineszenzelement40 fließt, das in7(A) dargestellt ist, kann das Lumineszenzelement40 wie in7(B) dargestellt gebildet sein. In dieser Struktur werden die Pixelelektrode41 (die negative Elektrode), die den ITO-Film umfasst, die lithiumhaltige Aluminiumelektrode45 , die sehr dünn ist, so dass sie annähernd transparent ist, die organische Halbleiterschicht43 , die Löcherinjektionsschicht42 , die ITO-Filmschicht46 und die Gegenelektrode "op" (die positive Elektrode), die einen Metallfilm, wie den aluminiumhaltigen Lithiumfilm oder den Kalziumfilm, umfasst, in dieser Reihenfolge von der unteren zur oberen Schicht laminiert. Selbst in dem Fall, dass der Antriebsstrom entgegengesetzter Polarität in jedem der Lumineszenzelemente40 fließt, die in7(A) und(B) dargestellt sind, werden in dieser Struktur die emittierenden Eigenschaften der Elemente40 nicht verändert, da die Struktur der Elektrodenschichten, mit welchen die Löcherinjektionsschicht42 und die organische Halbleiterschicht43 direkt in Kontakt stehen, von derselben Struktur wie die vorangehende sind. Jedes der Lumineszenzelemente40 , die in7(A) und(B) dargestellt sind, hat die Pixelelektrode41 , die den ITO-Film umfasst, auf der Seite der Unterlagsschicht (der Substratseite). Licht wird von der. Rückseite des transparenten Substrats10 durch die Pixelelektrode41 und das transparente Substrat10 emittiert, wie durch den Pfeil "hv" dargestellt ist. - Wenn im Gegensatz dazu das Lumineszenzelement
40 wie in8(A) und(B) dargestellt gebildet ist, wird Licht von der Vorderseite des transparenten Substrats10 durch die Gegenelektrode "op" emittiert, wie durch den Pfeil "hv" dargestellt ist. Das heißt, wie in8(A) dargestellt ist, die organische Halbleiterschicht43 und die Löcherinjektionsschicht42 werden auf die Oberfläche der Pixelelektrode41 (der negativen Elektrode) laminiert, die einen Metallfilm, wie aluminiumhaltiges Lithium, umfasst. Des Weiteren wird die Gegenelektrode "op", die den ITO-Film (die positive Elektrode) umfasst, auf der Oberfläche der Löcherinjektionsschicht42 gebildet. Diese Gegenelektrode "op" ist auch eine gemeinsame Elektrode, die vollständig oder in Streifenmustern gebildet und bei konstantem Potenzial gehalten wird. Wenn im Gegensatz dazu der Antriebsstrom in die umgekehrte Richtung des Lumineszenzelements fließen soll, das in8(A) dargestellt ist, kann das Lumineszenzelement40 wie in8(B) dargestellt gebildet sein. Dieses Lumineszenzelement40 wird durch die Pixelelektrode41 (die positive Elektrode), die den Metalldünnfilm, wie aluminiumhaltiges Lithium, umfasst, die ITO-Filmschicht46 , die Löcherinjektionsschicht42 , die organische Halbleiterschicht43 , die lithiumhaltige Aluminiumelektrode45 , die sehr dünn ist, so dass sie annähernd transparent ist, und die Gegenelektrode "op" (die negative Elektrode), die den ITO-Film umfasst, gebildet, die in dieser Reihenfolge von oben nach unten laminiert werden. - Bei Bildung jeder Art von Strukturen des Lumineszenzelements
40 ist der Herstellungsprozess nicht kompliziert, selbst wenn das Positionsverhältnis von oben nach unten umgekehrt wird, vorausgesetzt, dass die Löcherinjektionsschickt42 und die organische Halbleiterschicht43 im Inneren einer Bankschicht "bank" durch ein Tintenstrahlverfahren gebildet werden, wie in der Folge beschrieben wird. Wenn die lithiumhaltige Aluminiumelektrode45 , die sehr dünn ist, so dass sie annähernd transparent ist, und die ITO-Filmschicht46 hinzugefügt werden, gibt es ferner kein Hindernis, Bilder anzuzeigen, selbst wenn die lithiumhaltige Aluminiumelektrode45 in demselben Bereich wie die Pixelelektrode41 laminiert wird oder wenn der ITO-Film46 in demselben Bereich wie die Gegenelektrode "op" laminiert wird. Daher können die lithiumhaltige Aluminiumelektrode45 und die Pixelelektrode41 entweder getrennt oder gleichzeitig unter Verwendung derselben Resistmaske strukturiert werden. Ebenso können die ITO-Filmschicht46 und die Gegenelektrode "op" entweder getrennt oder gleichzeitig unter Verwendung derselben Resistmaske strukturiert werden. Die lithiumhaltige Aluminiumelektrode45 und die ITO-Filmschicht46 können natürlich nur an dem Innenbereich der Bankschicht "bank" gebildet werden. - Ferner kann die Gegenelektrode "op" durch den ITO-Film gebildet werden, und die Pixelelektrode
41 kann durch den Metallfilm gebildet werden. In jedem Fall wird Licht von dem transparenten ITO-Film emittiert. - Die Spannung wird über die Gegenelektrode "op" als die positive Elektrode und die Pixelelektrode
41 als die negative Elektrode des Lumineszenzelements40 angelegt, das wie zuvor beschrieben gebildet ist. Wie in9 dargestellt (Ampere-Volt-Eigenschaften des Lumineszenzelements40 , das in7(A) und8(B) dargestellt ist), und in10 (Ampere-Volt-Eigenschaften des Lumineszenzelements40 , das in7(B) und8(A) dargestellt ist), nimmt der Strom durch die organische Halbleiterschicht43 (der Antriebsstrom) plötzlich in dem Bereich zu, wo die angelegte Spannung (x-Achse/das Potenzial der Gegenelektrode "op" zu der Pixelelektrode41 ) über den Schwellenwert. steigt, und es entsteht ein "Ein-Zustand", d.h., der Zustand geringen Widerstands. Folglich emittiert das Lumineszenzelement40 Licht als Elektrolumineszenzelement oder als LED-Element. Diese Emissionslicht von dem Lumineszenzelement40 wird durch die Gegenelektrode "op" reflektiert durch durch die transparente Pixelelektrode41 und das transparente Substrat10 emittiert. Im Gegensatz dazu wird dort, wo die angelegte Spannung (x-Achse/das Potenzial der Gegenelektrode "op" zu der Pixelelektrode41 ) unter den Schwellenwert fällt, der "Aus-Zustand", d.h., der Zustand hohen Widerstands, erzeugt, und der Strom durch die organische Halbleiterschicht43 (der Antriebsstrom) stoppt. Folglich wird das Lichtlumineszenzelement40 ausgeschaltet. Die Schwellenspannungen in den Beispielen, die in9 und10 dargestellt sind, sind etwa +2 V beziehungsweise etwa –2 V. - Obwohl die lichtemittierende Effizienz dazu neigt, etwas abzunehmen, kann die Löcherinjektionsschicht
42 weggelassen werden. Es kann der Fall eintreten, dass ohne Einfügung der Löcherinjektionsschicht42 eine Elektroneninjektionsschicht an der entgegengesetzten Position zu jener, wo die Löcherinjektionsschicht42 gebildet wird, in Bezug auf die organische Halbleiterschicht43 gebildet wird. Ferner können sowohl die Löcherinjektionsschicht42 als auch die Elektroneninjektionsschicht eingefügt werden. - (TFT-Eigenschaften)
- Als TFTs (der erste TFT
20 und der zweiten TFT30 , die in2 dargestellt sind) zum Steuern der Lichtemission des Lumineszenzelements40 , das wie zuvor beschrieben konstruiert ist, sind die Ampere-Volt-Eigenschaften von TFTs vom N-Kanal-Typ und P-Kanal-Typ in11 beziehungsweise12 dargestellt (in jeder der Figuren sind Beispiele der Senkenspannungen bei 4V und 8V dargestellt). Wie aus diesen Figuren hervorgeht, übt der TFT eine "EIN-AUS"-Steuerfunktion-aus;-abhängig von der Torspannung, die über. die Torelektrode angelegt wird. Das heißt, wenn die Torspannung über die Schwellenspannung steigt, ist der TFT im eingeschalteten Zustand (dem Zustand geringen Widerstands), um den Senkenstrom zu erhöhen. Wenn im Gegensatz dazu die Torspannung unter die Schwellenspannung sinkt, ist der TFT im ausgescnalteten Zustand (dem Zustand hohen Widerstands), um den Senkenstrom zu verringern. - (Verfahren zur Herstellung der Anzeigevorrichtung)
- In einem Verfahren zur Herstellung der Anzeigevorrichtung
1 , die wie zuvor beschrieben gebildet ist, sind die Schritte bis zur Bildung des ersten TFT20 und des zweiten TFT30 auf dem transparenten Substrat10 annähernd dieselben wie die Schritte zur Herstellung des aktiven Matrixsubstrats der Flüssigkristallanzeigevorrichtung1 . Daher folgt einfach eine allgemeine Beschreibung unter Bezugnahme auf13 . -
13 ist eine schematische Flussschnittansicht, die die Schritte zur Bildung jeder Komponente der Anzeigevorrichtung1 unter einer Temperaturbedingung unter 600°C zeigt. - Wie in
13(A) dargestellt, wird ein Basisschutzfilm (in der Figur nicht dargestellt), der einen Siliziumoxidfilm mit einer Dicke im Bereich von etwa 2000 bis 5000 Å, je nach Bedarf, umfasst, auf dem transparenten Substrat10 durch ein plasmaverstärktes CVD-Verfahren unter Verwendung von TEOS (Tetraethoxysilan) oder Sauerstoffgas, usw., als Material gebildet. Dann wird nach dem Einstellen der Substrattemperatur bei 350°C ein Halbleiterfilm100 , der einen amorphen Siliziumfilm mit einer Dicke im Bereich von etwa 300 bis 700 Å umfasst, auf der Oberfläche des Basisschutzfilms durch ein plasmaverstärktes CVD-Verfahren gebildet. Danach wird der Halbleiterfilm100 , der den amorphen Siliziumfilm umfasst, einer Kristallisierung, wie einem Laserglühen oder einem Festphasenwachstumsverfahren, zum Kristallisieren des Halbleiterfilms100 zu einem Polysiliziumfilm unterzogen. Beim Laserglühen wird zum Beispiel ein Exzimer-Laserlinienstrahl mit einer langen Seite von 400 mm verwendet, dessen Ausgangsleistung zum Beispiel 200 mJ,cm2 ist. Die Linienstrahlen werden so gelenkt, dass die Linienstrahlen einander an Abschnitten, die 90% der Spitzenlaserleistung entsprechen, in der kurzen Seite überlappen. - Dann wird, wie in
13(B) dargestellt, der Halbleiterfilm100 durch Strukturieren zu Halbleiterfilmen200 und300 gebildet, die als Inseln geformt sind, und auf deren Oberfläche wird der Torisolierfilm50 , der einen Siliziumoxidfilm oder einen Siliziumnitridfilm umfasst, mit einer Dicke im Bereich von etwa 600 bis 1500 Å durch ein plasma verstärktes CVD-Verfahren unter Verwendung von TEOS (Tetraethoxysilan) oder Sauerstoffgas, usw., als Material gebildet. - Wie in
13(C) dargestellt, wird dann ein leitender Film, der einen Metallfilm, wie Aluminium, Tantal, Molybdän, Titan, Wolfram usw. umfasst, durch ein Sputterverfahren gebildet, die Torelektroden21 und31 werden als Abschnitte der Abtastleitungen "gate" durch eine Strukturierung gebildet. In diesem Schritt wird auch die Kondensatorleitung "cline" gebildet, In der Figur bezeichnet das Bezugszeichen310 ein Verlängerungsteil der Torelektrode31 . - In diesem Zustand werden durch Implantieren von Störstellen, wie Phosphorionen oder Borionen usw, hoher Konzentration, die Source-Drain Bereiche
22 ,23 ,32 und33 durch Selbstausrichtung in Bezug auf die Torelektroden21 und31 auf den Siliziumfilmen 200 und300 gebildet. Die Abschnitte, wo die Störstelle nicht implantiert wird, sind Kanalbereiche27 und37. Ein TFT von einem anderen Leitungstyp kann auf demselben Substrat gebildet werden, wie später beschrieben wird. In diesem Fall wird in dem Störstellenimplantationsschritt die Störstellenimplantation durch Maskieren eines Bereichs zur Bildung des TFT vom entgegengesetzten Leitungstyp durchgeführt. - Wie in
13(D) dargestellt werden dann nach Bildung des Innenschichtisolierfilms51 die Kontaktlöcher61 ,62 ,63 ,64 und69 gebildet, und dann werden die Datenleitung "siq", die Potenzialhalteelektrode "st" mit dem Verlängerungsteil "st1", der mit der Kondensatorleitung "cline" und mit dem Verlängerungsteil310 der Torelektrode31 überlappt, die allgemeine Stromversorgungsleitung "com" und die Übergangselektrode35 gebildet. Anschließend wird die Potenzialhalteelektrode "st" elektrisch an die Torelektrode31 durch das Kontaktloch69 und den verlängerte Abschnitt310 ange schlossen. Wie oben erwähnt, werden der erste TFT20 und der zweite TFT30 gebildet. Ferner wird der Haltekondensator "cap" durch die Kondensatorleitung "cline" und das Verlängerungsteil "st1" der Potenzialhalteelektrode "st" gebildet. - Wie in
13(E) dargestellt, wird anschließend der zweite Innenschichtisolierfilm52 gebildet und das Kontaktloch65 wird an der Stelle gebildet, die der Übergangselektrode35 in diesem Innenschichtisolierfilm entspricht. Nach der Bildung des leitenden Films über die gesamte Oberfläche des zweiten Innenschichtisolierfilms52 wird eine Strukturierung durchgeführt und die Pixelelektrode41 so gebildet, dass sie den leitenden Film mit dem Source-Drain-Bereich32 des zweiten TFT30 durch das Kontaktloch65 elektrisch verbindet. - Wie in
13(F) dargestellt, wird dann nach der Bildung einer schwarzen Resistschicht auf der Vorderseite des zweiten Innenschichtisolierfilms52 eine Bankschicht "bank" gebildet, wobei deser Resist verbleibt, so dass er die Bereiche zur Bildung des organischen Halbleiterfilms43 des Lumineszenzelements40 und der Löcherinjektionsschicht42 umgibt. Unabhängig davon, ob der organische Halbleiterfilm43 in Kastenform unabhängig pro Pixel oder in einer (treifenform entlang der Datenleitung "sig" gebildet wird, kann in jedem Fall dieser Herstellungsprozess nur durch Bilden der Bankschicht "bank" in einer daran angepassten Form angewendet werden. - Flüssiges Material (ein Vorläufer) zur Bildung des organischen Halbleiterfilms
43 wird in einen inneren Bereich der Bankschicht "bank" von einem Tintenstrahlkopf "IJ" eingespritzt, um den organischen Halbleiterfilm43 in dem inneren Bereich der Bankschicht "bank" zu bilden. Ebenso wird flüssiges Material (ein Vorläufer) zur Bildung der Löcherinjektionsschicht42 in einen inneren Bereich der Bankschicht "bank" von dem Tintenstrahlkopf "IJ" eingespritzt, um die Löcherinjektionsschicht42 zu bilden. Wie aus der voranstehenden Beschreibung bezüglich der Konstruktion des Lumineszenzelements unter Bezugnahme auf7(A) und(B) und8(A) und(B) hervorgeht, kann eine Reihenfolge der Schritte zur Bildung des Halbleiterfilms43 und der Löcherinjektionsschicht42 abhängig von der Struktur austauschbar sein. - Da die Bankschicht "bank" den Resist umfasst, ist die Schicht wasserabstoßend. Da die Vorläufer des organischen Halbleiterfilms
43 und der Löcherinjektionsschicht42 ein hydrophiles Lösemittel verwenden, ist im Gegensatz dazu der Beschichtungsbereich des organischen Halbleiterfilms43 streng durch die Bankschicht "bank" definiert und der Bereich kann nicht zu einem benachbarten Pixel verlängert werden. Wenn die Bankschicht "bank" bei ausreichender Höhe gebildet wird, können der organische Halbleiterfilm43 und die Löcherinjektionsschicht42 in einem vorbestimmten Bereich durch ein Beschichtungsverfahren, wie das Spinbesehichtungsverfahren, gebildet werden, selbst wenn die Tintenstrahlmethode nicht angewandt wird. - In diesem Beispiel haben zur Verbesserung der Produktionseffizienz bei der Bildung des organischen Halbleiterfilms
43 oder der Löcherinjektionsschicht42 durch die Tintenstrahlmethode, wie in3 dargestellt, die Bildungsbereiche des organischen Halbleiterfilms43 dieselben Abstände P von Mitte zu Mitte zwischen benachbarten Pixeln7 , die entlang der Verlaufsrichtung der Abtastleitung "gate" liegen. Wie mit dem Pfeil "Q" dargestellt, besteht daher ein Vorteil, dass das Material des organischen Halbleiterfilms43 usw. durch einen Tintenstrahlkopf "IJ" einfach mit demselben Abstand entlang der Verlaufsrichtung der Abtastleitung "gate" eingespritzt werden kann. Das Einspritzen in demselben Abstand vereinfacht auch eine Vorrichtung zur Verschiebung des Tintenstrahlkopfs "IJ", während die Verbesserung der Einspritzgenauigkeit erleichtert wird. - Wie in
13(G) dargestellt, wird anschließend die Gegenelektrode "op" an der Vorderseite des transparenten Substrats10 gebildet. Die Gegenelektrode "op" kann entweder auf der gesamten Oberfläche oder in Streifenform gebildet werden. Im letztgenannten Fall wird die Strukturierung ausgeführt, nachdem der Film auf der gesamten Vorderseite des transparenten Substrats10 gebildet wurde, und dann wird er in Streifenform strukturiert. - Die TFTs werden auch in der Antriebsschaltung an der Datenseite
3 oder der Antriebsseite der Abtastseite4 ausgebildet, wie in1 dargestellt. Dieser Bildungsprozess der TFTs verwendet alle oder einen Teil der Schritte für die TFT-Bildung in dem zuvor beschriebenen Pixel7 . Daher sind die TFTs der Antriebsschaltung in derselben Innenschicht bereitgestellt, in der die TFTs des Pixels7 gebildet sind. - Da in diesem Beispiel die Bankschicht "bank" einen schwarzen und isolierenden Resist enthält, bleibt der Resist unverändert, so dass es als schwarze Matrix "BM" und Isolierschicht zur Verringerung der parasitären Kapazität verwendet werden kann.
- Wie in
1 dargestellt, ist die Bankschicht "bank" auch in dem peripheren Bereich des transparenten Substrats10 (schraffierte Fläche in der Figur) ausgebildet. Wenn daher die Antriebsschaltung an der Datenseite3 wie auch die Antriebsschaltung an der Abtastseite4 von der Bankschicht "bank" überlagert wird, ist die Bankschicht "bank" zwischen der Verdrahtungsschicht der Antriebsschaltung und der Gegenelektrode "op" angeordnet, selbst wenn die Gegenelektrode "op" und die Bildungsbereiche dieser Antriebsschaltungen überlappen. Daher kann ein Schutz dieser Antriebsschaltungen3 ,4 vor der parasitären Kapazität er reicht werden, um somit die Last der Antriebsschaltung an der Datenseite3 zu verringern, was zu einem verringerten Stromverbrauch oder einer Beschleunigung der Anzeige führt. - Wie in
3 bis5 dargestellt, ist in diesem Beispiel die Bankschicht "bank" so ausgebildet, dass sie mit der Datenleitung "sig" überlappt. Somit ist die Bankschicht "bank" zwischen der Datenleitung "sig" und der Gegenelektrode "op" angeordnet und daher ist es möglich, die parasitäre Kapazität in der Datenleitung "sig" zu verhindern. Dies führt zu einer Verringerung der Last der Antriebsschaltung, was zu einem verringerten Stromverbrauch oder einer Beschleunigung des Anzeigevorgangs führt. - Ferner ist in diesem Beispiel, wie in
3 ,4 und6(A) dargestellt, die Bankschicht "bank" vorzugsweise auch in dem Bereich ausgebildet, wo die Pixelelektrode41 und die Übergangselektrode35 überlappen. Das heißt, wenn die Bankschicht "bank", wie in6(B) dargestellt, nicht in dem Bereich gebildet wird, wo die Pixelelektrode und die Übergangselektrode35 überlappen, kann- das Licht nicht ausgestrahlt werden und trägt nicht zu dem Anzeigevorgang bei, selbst wenn der organische Halbleiterfilm43 Licht durch den Antriebsstrom über die Pixelelektrode51 und die Gegenelektrode op ausstrahlt. Der Grund ist, dass das Licht zwischen die Übergangselektrode35 und die Gegenelektrode "op" gerät. Der Antriebsstrom, der dem Licht äquivalent ist, das nicht zu dem Anzeigevorgang beiträgt, kann als ineffektiver Strom in Bezug auf die Anzeige bezeichnet werden. Da in diesem Beispiel jedoch die Bankschicht "bank" in dem Bereich gebildet wird, wo der ineffektive Strom fließen soll, um den ineffektiven Storm zu verhindern, kann der Verluststrom in der allgemeinen Stromversorgungsleitung "com" verhindert werden. Somit kann die Breite der allgemeinen Stromversorgungsleitung "com entsprechend verringert werden. - Wenn die Bankschicht "bank", die einen schwarzen Resist enthält, wie zuvor besprochen reserviert ist, dient die Bankschicht "bank" als schwarze Matrix zur Verbesserung der Anzeigebildqualität, wie einer Luminanz und eines Kontrastverhältnisses. Das heißt, da in der Anzeigevorrichtung gemäß diesem Beispiel die Gegenelektrode "op" in einem Streifenmuster auf der gesamten Oberfläche oder auf einem breiten Bereich der Vorderseite des transparenten Substrats
10 ausgebildet ist, verringert reflektiertes Licht von der Gegenelektrode "op" das Kontrastverhältnis. Da in diesem Beispiel jedoch die Bankschicht "bank", die die parasitäre Kapazität verhindert, einen schwarzen Resist enthält, während die Bildungsregion des organischen Halbleiterfilms43 definiert ist, wird ein Vorteil erhalten, dass die Bankschicht "bank", die auch als schwarze Matrix dient, nutzloses Licht blockiert, das von der Gegenelektrode "op" reflektiert wird, und dies führt zu einer Erhöhung des Kontrastverhältnisses. Da ferner der emittierende Bereich durch Selbstausrichtung unter Verwendung der Bankschicht "bank" definiert werden kann, ist ein Spielraum für die Ausrichtung, die für den emittierenden Bereich erforderlich ist, nicht notwendig. Dieser Spielraum war das Problem, wenn eine andere Metallschicht usw. anstelle der Bankschicht "bank" als schwarze Matrix verwendet wurde. - (Andere Struktur des aktiven Matrixsubstrats)
- Die vorliegende Erfindung kann bei verschiedenen Arten von aktiven Matrixsubstraten wie auch der zuvor beschriebenen Struktur angewendet werden. Zum Beispiel kann die Erfindung bei der Anzeigevorrichtung 1A angewendet werden, bei der, wie zuvor unter Bezugnahme auf
18 beschrieben, eine Einheit, die eine Datenleitung "sig", eine allgemeine Stromversorgungsleitung "com" und eine Linie der Pixel7 umfasst, in die Richtung der Abtastleitung "gate" auf einem transparenten Substrat1 wiederholt wird. - Der Haltekondensator "cap" kann zwischen der allgemeinen Stromversorgungsleitung "com" und der Potenzialhalteelektrode "st" ohne die Kondensatorleitung gebildet werden. Wie in
14(A) und(B) dargestellt, wird in diesem Fall ein Verlängerungsabschnitt310 der Torelektrode31 für die elektrische Verbindung der Potenzialhalteelektrode "st" und der Torelektrode31 zu der Unterlagsschicht der gemeinsamen Stromversorgungsleitung "com" erweitert, um den Haltekondensator "cap" zu bilden. Dieser Haltekondensator "cap" hat den ersten Innenschichtisolierfilm51 , der zwischen dem Verlängerungsabschnitt310 und der allgemeinen Stromversorgungsleitung "com" liegt, als dielektrischen Film. - Wie bei dem Haltekondensator "cap" kann dieser des Weiteren,
14 ist gekürzt, unter Verwendung eines Polysiliziumfilms zur Bildung des TFT gebildet werden, und kann auch mit der vorangehenden Abtastleitung außer der Kondensatorleitung und der allgemeinen Stromversorgungsleitung gebildet werden. - Wie unter Bezugnahme auf
15(A ) und15(B) beschrieben wird, kann ein Impuls zu einer der Elektroden des Haltekondensators "cap" geleitet werden. Die Elektrode, die den Impuls empfängt, ist der anderen, die elektrisch an die Torelektrode des zweiten TFT30 angeschlossen ist, entgegengesetzt. Das Potenzial dieses Impulses ist dem Wählimpuls des Abtastsignals "gate" entgegengesetzt; und der Impuls wird der Elektrode mit einer Verzögerung hinter dem Wählimpuls zugeleitet. - In dieser Ausführungsform der Erfindung, wie in
15(A) dargestellt, wird eine der Elektroden des Haltekondensators "cap", die jener entgegengesetzt ist, die elektrisch an die Torelektrode des zweiten TFT30 durch die Potenzialhalteelektrode "st" angeschlossen ist, durch die Kondensatorleitung "cline" gebildet, die sich parallel zu der Abtastleitung "gate" erstreckt. - Wie in
15(B) dargestellt, ist diese Kondensatorleitung "cline" so gebildet, dass das Potenzial "st" der Kondensatorleitung "cline" mit einer Verzögerung hinter dem Wählimpuls "Pgate" des Abtastsignals "sgate" zugeleitet wird. Das Potenzial "stg", das der Kondensatorleitung "cline" zugeleitet wird, enthält das Impulssignal "Pstg" und seine Polarität ist der Polarität des Wählimpulses entgegengesetzt. - Nachdem der Wählimpuls nicht-selektiv geworden ist, verschiebt das Impulssignal das Potenzial des Bildsignals "data" unter Verwendung einer kapazitiven Kopplung des Haltekondensators "cap". Daher werden Signale in dem Haltekondensator "cap" bei dem Pixel
7 im "Aus-Zustand" gehalten, entsprechend dem Potenzial, das durch Addieren des Potenzials des Impulssignals "Pstg" zu dem Potenzial des Bildsignals "data" erhalten wird. Aufgrund des hohen "EIN-" Widerstandes des ersten TFT20 ist es schwierig, die Signale in einer begrenzten Zeit vollständig in die höhere Potenzialseite der Bildsignale "data" zu schreiben. In diesem Fall der Ausführungsform führt eine Knappheit der Schreibkapazität zu einer fehlenden Emission des Pixels. Gemäß der Ausführungsform jedoch ist es möglich, das Schreiben des Bildsignals "data" zu dem Haltekondensator "cap" zu supplementieren, obwohl der Maximalbereich des Potenzials in dem Antriebssignal nicht erweitert wird. - Wenn das Impulssignal "Pstg" in der Kondensatorleitung "cline" gespeichert wird, wie in
16 dargestellt, wird "cline" aus der Antriebsschaltung4 an der Abtastseite extrahiert. Gleichzeitig wird in der Antriebsschaltung4 an der Abtastseite das Ausgangssignal von einem Schieberegister401 zu einer der Torstufen als Abtastsignal "Sgate" durch eine NAND-Torschaltung und einen Inverter ausgegeben. Andererseits wird das Ausgangssignal von dem Schiebewiderstand401 an die Kondensatorleitung "cline" durch die NAND-Torschaltung und zwei gestufte Inverter mit einer Verzögerung hinter dem Abtastsignal ausgegeben, wodurch der Leistungspegel in der höheren Potenzialseite von "Vddy" zu "Vccy" verschoben wird, wie in17 dargestellt ist. - In der obengenannten Ausführungsform wurde die Art von Lumineszenzelement mit der Kondensatorleitung "cline" beschrieben. Da diese Ausführungsform jedoch nicht auf diese Struktur mit der Kondensatorleitung "cline" beschränkt ist, ist es auch möglich, eine der Elektroden des Haltekondensators durch die benachbarte Torleitung zu bilden. Als Beispiel für diese Strukturen zeigen
21(A) und(B) ein Schaltungsblockdiagramm beziehungsweise ein Spannungswellenformdiagramm der Torelektrode in die Abtastrichtung der Torleitung. Hier besteht der Vorteil, dass es möglich ist, die Mühen der Bildung der Kondensatorleitung "cline" zu vermeiden, indem die Torleitung, die neben den Pixeln liegt, als eine der Elektroden des Haltekondensators gebildet wird. - (Andere Ausführungsformen zur Ausführung der Erfindung)
- In der obengenannten Ausführungsform wurde ein Bereich in den Ampere-Volt-Eigenschaften, in dem der zweite TFT
30 betrieben wird, nicht beschrieben. Wenn der zweite TFT30 bei dem gesättigten Bereich betrieben wird, ist es möglich, einen abnormalen Stromfluss in dem Lumineszenzelement40 unter Verwendung einer schwachen konstanten Stromeigenschaft zu verhindern. Zum Beispiel kann der organische Halbleiterfilm usw., der das Lumineszenzelement40 bildet, möglicherweise Nadellochdefekte aufweisen, obwohl dies aufgrund des begrenzten Stroms in dem Lumineszenzelement mit dem Defekt keinen vollständigen Kurzschluss über den Elektroden des Lumineszenzelements40 bewirkt. - Wenn der zweite TFT
30 bei dem linearen Bereich betrieben wird, kann verhindert werden, dass der Anzeigevorgang durch eine Ungleichmäßigkeit der Schwellspannung beeinflusst wird. - Zusätzlich kann der TFT vom Boden-Tortyp wie auch vom Kopf-Tortyp gebildet sein, und das Herstellungsverfahren ist nicht auf einen Niedertemperaturprozess in der Herstellung des TFT begrenzt.
Claims (4)
- Anzeigevorrichtung (i) mit einem Substrat, auf dem Folgendes angeordnet ist: eine Vielzahl von Abtastleitungen (gate); eine Vielzahl von Datenleitungen (sig), welche die Abtastleitungen schneiden; eine Vielzahl von allgemeinen Stromversorgungsleitungen (com); und eine Vielzahl von Pixeln, die in einer Matrix an den Schnittpunkten der Abtastleitungen und der Datenleitungen gebildet sind, wobei jedes der Pixel Folgendes umfasst: einen ersten Transistor (
20 ) mit einer ersten Torelektroden (21 ), die so angeordnet ist, dass sie mit einem Abtastsignal über eine Abtastleitung versorgt wird; einen Haltekondensator (cap), der so angeordnet ist, dass er ein Bildsignal hält, das durch eine Datenleitung über den ersten Transistor zugeleitet wird; einen zweiten Transistor (30 ) mit einer zweiten Torelektrode (31 ), die so angeordnet ist, dass sie mit einem Bildsignal versorgt wird, das von dem Haltekondensator gehalten wird; und eine Lumineszenzelement (40 ) mit einem emittierenden Dünnfilm, der zwischen einer Pixelelektrode, die für jedes der Pixel bereitgestellt ist, und einer Gegenelektrode, die der Pixelelektrode entgegengesetzt ist, bereitgestellt ist, wobei der zweite Transistor so an geordnet ist, dass er von dem Bildsignal gesteuert wird, um die Pixelelektrode mit der allgemeinen Stromversorgungsleitung zu verbinden, so dass ein Antriebsstrom zwischen der Pixelelektrode und der Gegenelektrode fließt und das Lumineszenzelement Licht emittiert; dadurch gekennzeichnet, dass sie Folgendes umfasst: Mittel (401 ), die angeordnet sind zum Versorgen einer Elektrode des Haltekondensators, die jener entgegengesetzt ist, die elektrisch an die zweite Torelektrode des zweiten Transistors angeschlossen ist, mit einem Impuls, der eine Potenzialpolarität hat, die dem Wählimpuls des Abtastsignals entgegengesetzt ist, und in Bezug auf das Anlegen des Wählimpulses des Abtastsignals verzögert ist. - Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei der emittierende Dünnfilm ein organischer Halbleiterfilm ist.
- Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei der zweite Transistor so angeordnet ist, dass er in einem gesättigten Bereich angetrieben wird.
- Anzeigevorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei der zweite Transistor so angeordnet ist, dass er in einem linearen Bereich angetrieben wird.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10297655B4 (de) * | 2002-02-22 | 2009-12-17 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Elektrolumineszenter Bildschirm mit aktiver Matrix und Verfahren zur Herstellung desselben |
Families Citing this family (315)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6462722B1 (en) * | 1997-02-17 | 2002-10-08 | Seiko Epson Corporation | Current-driven light-emitting display apparatus and method of producing the same |
US6518962B2 (en) * | 1997-03-12 | 2003-02-11 | Seiko Epson Corporation | Pixel circuit display apparatus and electronic apparatus equipped with current driving type light-emitting device |
JP3541625B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2004-07-14 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及びアクティブマトリクス基板 |
JP3520396B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2004-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス基板と表示装置 |
EP0940797B1 (de) * | 1997-08-21 | 2005-03-23 | Seiko Epson Corporation | Anzeigevorrichtung mit aktiver matrix |
JP3580092B2 (ja) * | 1997-08-21 | 2004-10-20 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置 |
KR100244185B1 (ko) * | 1997-09-18 | 2000-02-01 | 구자홍 | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
US6489952B1 (en) * | 1998-11-17 | 2002-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix type semiconductor display device |
JP2005209656A (ja) * | 1998-12-01 | 2005-08-04 | Sanyo Electric Co Ltd | カラーel表示装置 |
JP2000227770A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-08-15 | Sanyo Electric Co Ltd | カラーel表示装置 |
JP2000227771A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-08-15 | Sanyo Electric Co Ltd | カラーel表示装置 |
JP2005166687A (ja) * | 1998-12-01 | 2005-06-23 | Sanyo Electric Co Ltd | カラーel表示装置 |
TW439387B (en) * | 1998-12-01 | 2001-06-07 | Sanyo Electric Co | Display device |
TW468269B (en) * | 1999-01-28 | 2001-12-11 | Semiconductor Energy Lab | Serial-to-parallel conversion circuit, and semiconductor display device employing the same |
JP2000231346A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
EP2284605A3 (de) * | 1999-02-23 | 2017-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP4637315B2 (ja) * | 1999-02-24 | 2011-02-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US6858898B1 (en) * | 1999-03-23 | 2005-02-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US8853696B1 (en) | 1999-06-04 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and electronic device |
US7288420B1 (en) | 1999-06-04 | 2007-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing an electro-optical device |
JP4627822B2 (ja) * | 1999-06-23 | 2011-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP4472073B2 (ja) | 1999-09-03 | 2010-06-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及びその作製方法 |
JP2001093666A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-06 | Sharp Corp | 有機ledディスプレイおよびその製造方法 |
JP2001109404A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | El表示装置 |
JP4854840B2 (ja) * | 1999-10-12 | 2012-01-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
TW468283B (en) * | 1999-10-12 | 2001-12-11 | Semiconductor Energy Lab | EL display device and a method of manufacturing the same |
TW591584B (en) * | 1999-10-21 | 2004-06-11 | Semiconductor Energy Lab | Active matrix type display device |
US6580094B1 (en) * | 1999-10-29 | 2003-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro luminescence display device |
JP2001148291A (ja) | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Sony Corp | 表示装置及びその製造方法 |
TW525122B (en) | 1999-11-29 | 2003-03-21 | Semiconductor Energy Lab | Electronic device |
TW587239B (en) | 1999-11-30 | 2004-05-11 | Semiconductor Energy Lab | Electric device |
US6750835B2 (en) | 1999-12-27 | 2004-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Image display device and driving method thereof |
JP4212079B2 (ja) * | 2000-01-11 | 2009-01-21 | ローム株式会社 | 表示装置およびその駆動方法 |
TWI252592B (en) | 2000-01-17 | 2006-04-01 | Semiconductor Energy Lab | EL display device |
US6559594B2 (en) * | 2000-02-03 | 2003-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
TW507258B (en) | 2000-02-29 | 2002-10-21 | Semiconductor Systems Corp | Display device and method for fabricating the same |
TW577241B (en) * | 2000-03-28 | 2004-02-21 | Sanyo Electric Co | Display device |
GB2360870A (en) * | 2000-03-31 | 2001-10-03 | Seiko Epson Corp | Driver circuit for organic electroluminescent device |
TWI282457B (en) * | 2000-04-06 | 2007-06-11 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Liquid crystal display component with defect restore ability and restoring method of defect |
TW521237B (en) | 2000-04-18 | 2003-02-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device |
US6847341B2 (en) * | 2000-04-19 | 2005-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and method of driving the same |
US6611108B2 (en) * | 2000-04-26 | 2003-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and driving method thereof |
US7633471B2 (en) | 2000-05-12 | 2009-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electric appliance |
US8610645B2 (en) | 2000-05-12 | 2013-12-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP3723747B2 (ja) | 2000-06-16 | 2005-12-07 | 松下電器産業株式会社 | 表示装置およびその駆動方法 |
US6738034B2 (en) | 2000-06-27 | 2004-05-18 | Hitachi, Ltd. | Picture image display device and method of driving the same |
JP2002083689A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-03-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
EP1170719B1 (de) | 2000-07-07 | 2011-09-14 | Seiko Epson Corporation | Stromgesteuerte elektrooptische Vorrichtung, z.B. elektrolumineszente Anzeige, mit komplementären Steuertransistoren, die gegen Änderungen der Schwellspannung wirksam sind |
KR20020032570A (ko) | 2000-07-07 | 2002-05-03 | 구사마 사부로 | 유기 전계 발광 표시장치용 전류 샘플링 회로 |
KR100344810B1 (ko) * | 2000-07-26 | 2002-07-20 | 엘지전자주식회사 | 고전압소자를 이용한 전류구동회로 |
US6879110B2 (en) * | 2000-07-27 | 2005-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving display device |
US6864628B2 (en) * | 2000-08-28 | 2005-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device comprising light-emitting layer having triplet compound and light-emitting layer having singlet compound |
JP2002185813A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-06-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高圧偏向回路 |
JP4925528B2 (ja) * | 2000-09-29 | 2012-04-25 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
US7315295B2 (en) * | 2000-09-29 | 2008-01-01 | Seiko Epson Corporation | Driving method for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus |
JP3972354B2 (ja) | 2000-10-17 | 2007-09-05 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス基板及び液晶表示装置の製造方法 |
SG114502A1 (en) | 2000-10-24 | 2005-09-28 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of driving the same |
JP2002200936A (ja) | 2000-11-06 | 2002-07-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び車両 |
JP2002162644A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JP2002169509A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 平面表示パネルの駆動方法及び有機エレクトロルミネッセンス表示パネルの駆動方法 |
US7088330B2 (en) * | 2000-12-25 | 2006-08-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate, display device and method for driving the display device |
JP3757797B2 (ja) | 2001-01-09 | 2006-03-22 | 株式会社日立製作所 | 有機ledディスプレイおよびその駆動方法 |
US6825496B2 (en) * | 2001-01-17 | 2004-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP3989718B2 (ja) * | 2001-01-18 | 2007-10-10 | シャープ株式会社 | メモリ一体型表示素子 |
US6893887B2 (en) | 2001-01-18 | 2005-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for producing a light emitting device |
JP2002244617A (ja) * | 2001-02-15 | 2002-08-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機el画素回路 |
US6720198B2 (en) * | 2001-02-19 | 2004-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
SG143942A1 (en) * | 2001-02-19 | 2008-07-29 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US7301279B2 (en) * | 2001-03-19 | 2007-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting apparatus and method of manufacturing the same |
WO2002077958A1 (fr) * | 2001-03-22 | 2002-10-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Circuit servant a alimenter un element d'emission lumineuse a matrice active |
JP3612494B2 (ja) | 2001-03-28 | 2005-01-19 | 株式会社日立製作所 | 表示装置 |
JP3608613B2 (ja) | 2001-03-28 | 2005-01-12 | 株式会社日立製作所 | 表示装置 |
JP3608614B2 (ja) | 2001-03-28 | 2005-01-12 | 株式会社日立製作所 | 表示装置 |
JP4801278B2 (ja) | 2001-04-23 | 2011-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
TW540020B (en) * | 2001-06-06 | 2003-07-01 | Semiconductor Energy Lab | Image display device and driving method thereof |
KR100448448B1 (ko) * | 2001-07-12 | 2004-09-13 | 주식회사 디알텍 | X선 센서용 스위칭소자 및 그 제조방법 |
TWI283427B (en) * | 2001-07-12 | 2007-07-01 | Semiconductor Energy Lab | Display device using electron source elements and method of driving same |
US7088052B2 (en) * | 2001-09-07 | 2006-08-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of driving the same |
CN101009322B (zh) * | 2001-11-09 | 2012-06-27 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光器件 |
JP4149168B2 (ja) | 2001-11-09 | 2008-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
KR20030038522A (ko) * | 2001-11-09 | 2003-05-16 | 산요 덴키 가부시키가이샤 | 광학 소자의 휘도 데이터를 초기화하는 기능을 갖는 표시장치 |
US7483001B2 (en) | 2001-11-21 | 2009-01-27 | Seiko Epson Corporation | Active matrix substrate, electro-optical device, and electronic device |
JP3983037B2 (ja) | 2001-11-22 | 2007-09-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置およびその作製方法 |
US6949883B2 (en) | 2001-12-06 | 2005-09-27 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and an electronic apparatus |
CN1245703C (zh) * | 2001-12-11 | 2006-03-15 | 精工爱普生株式会社 | 显示装置及其电子机器 |
JP4314820B2 (ja) * | 2001-12-11 | 2009-08-19 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
JP2003186437A (ja) * | 2001-12-18 | 2003-07-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
JP2003255899A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-09-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
JP2003195810A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-09 | Casio Comput Co Ltd | 駆動回路、駆動装置及び光学要素の駆動方法 |
US6747639B2 (en) * | 2001-12-28 | 2004-06-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Voltage-source thin film transistor driver for active matrix displays |
US7224333B2 (en) | 2002-01-18 | 2007-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Display device and driving method thereof |
JP3953330B2 (ja) | 2002-01-25 | 2007-08-08 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
JP3723507B2 (ja) | 2002-01-29 | 2005-12-07 | 三洋電機株式会社 | 駆動回路 |
JP2003308030A (ja) | 2002-02-18 | 2003-10-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
JP2003332058A (ja) | 2002-03-05 | 2003-11-21 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンスパネルおよびその製造方法 |
JP2003330387A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-11-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
JP2003258094A (ja) | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 配線構造、その製造方法、および表示装置 |
JP3671012B2 (ja) * | 2002-03-07 | 2005-07-13 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
CN100517422C (zh) | 2002-03-07 | 2009-07-22 | 三洋电机株式会社 | 配线结构、其制造方法、以及光学设备 |
JP3837344B2 (ja) | 2002-03-11 | 2006-10-25 | 三洋電機株式会社 | 光学素子およびその製造方法 |
JP3957535B2 (ja) * | 2002-03-14 | 2007-08-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の駆動方法、電子機器 |
WO2003079441A1 (en) | 2002-03-20 | 2003-09-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Active matrix display devices, and their manufacture |
US7271409B2 (en) | 2002-03-20 | 2007-09-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Active matrix electroluminescent display devices, and their manufacture |
EP1488455B1 (de) | 2002-03-20 | 2010-08-11 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Elektrolumineszierende anzeigevorrichtungen mit aktiver matrix und deren herstellungsverfahren |
KR101037118B1 (ko) * | 2002-04-03 | 2011-05-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 |
JP3989763B2 (ja) * | 2002-04-15 | 2007-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体表示装置 |
US7579771B2 (en) | 2002-04-23 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
JP3637911B2 (ja) | 2002-04-24 | 2005-04-13 | セイコーエプソン株式会社 | 電子装置、電子機器、および電子装置の駆動方法 |
US7786496B2 (en) | 2002-04-24 | 2010-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
JP2004004788A (ja) | 2002-04-24 | 2004-01-08 | Seiko Epson Corp | 電子素子の制御回路、電子回路、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法、及び電子機器、並びに電子素子の制御方法 |
JP2003317971A (ja) | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
JP4046015B2 (ja) | 2002-06-07 | 2008-02-13 | セイコーエプソン株式会社 | 電子回路、電子装置、電気光学装置及び電子機器 |
US7897979B2 (en) | 2002-06-07 | 2011-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
JP3918642B2 (ja) * | 2002-06-07 | 2007-05-23 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置及びその駆動方法 |
JP2004070293A (ja) * | 2002-06-12 | 2004-03-04 | Seiko Epson Corp | 電子装置、電子装置の駆動方法及び電子機器 |
JP4610843B2 (ja) | 2002-06-20 | 2011-01-12 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置及び表示装置の駆動方法 |
JP3700714B2 (ja) | 2002-06-21 | 2005-09-28 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
JP4216008B2 (ja) | 2002-06-27 | 2009-01-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置およびその作製方法、ならびに前記発光装置を有するビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、dvdプレーヤー、電子遊技機器、または携帯情報端末 |
JP4001066B2 (ja) | 2002-07-18 | 2007-10-31 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、配線基板及び電子機器 |
SG130013A1 (en) * | 2002-07-25 | 2007-03-20 | Semiconductor Energy Lab | Method of fabricating light emitting device |
JP4123084B2 (ja) | 2002-07-31 | 2008-07-23 | セイコーエプソン株式会社 | 電子回路、電気光学装置、及び電子機器 |
JP2004126523A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-04-22 | Seiko Epson Corp | 電子回路、電気光学装置及び電子機器 |
US7352133B2 (en) | 2002-08-05 | 2008-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP4103500B2 (ja) * | 2002-08-26 | 2008-06-18 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置及び表示パネルの駆動方法 |
AU2003260959A1 (en) * | 2002-09-11 | 2004-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting apparatus and fabrication method of the same |
JP4122949B2 (ja) | 2002-11-29 | 2008-07-23 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、アクティブマトリクス基板及び電子機器 |
KR100521272B1 (ko) | 2002-12-20 | 2005-10-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 휘도가 개선된 유기전계 발광표시장치 |
JP4373086B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2009-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
US6936960B2 (en) * | 2003-01-10 | 2005-08-30 | Eastman Kodak Company | OLED displays having improved contrast |
JP4048969B2 (ja) * | 2003-02-12 | 2008-02-20 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の駆動方法及び電子機器 |
JP3952965B2 (ja) * | 2003-02-25 | 2007-08-01 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置及び表示装置の駆動方法 |
JP4166783B2 (ja) * | 2003-03-26 | 2008-10-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及び素子基板 |
JP4197287B2 (ja) * | 2003-03-28 | 2008-12-17 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
KR100762026B1 (ko) * | 2003-03-31 | 2007-09-28 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시장치 |
JP4273809B2 (ja) | 2003-03-31 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
JP4016962B2 (ja) | 2003-05-19 | 2007-12-05 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法 |
US20040257352A1 (en) * | 2003-06-18 | 2004-12-23 | Nuelight Corporation | Method and apparatus for controlling |
CA2443206A1 (en) | 2003-09-23 | 2005-03-23 | Ignis Innovation Inc. | Amoled display backplanes - pixel driver circuits, array architecture, and external compensation |
JP4443179B2 (ja) | 2003-09-29 | 2010-03-31 | 三洋電機株式会社 | 有機elパネル |
JP4488709B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2010-06-23 | 三洋電機株式会社 | 有機elパネル |
CN1864194A (zh) * | 2003-10-03 | 2006-11-15 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 电泳显示单元 |
JP4165478B2 (ja) * | 2003-11-07 | 2008-10-15 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置及び電子機器 |
KR100666549B1 (ko) * | 2003-11-27 | 2007-01-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 및 그의 구동방법 |
TWI233457B (en) * | 2003-12-23 | 2005-06-01 | Ind Tech Res Inst | Method of forming poly-silicon crystallization |
JP4203656B2 (ja) * | 2004-01-16 | 2009-01-07 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置及び表示パネルの駆動方法 |
JP4131243B2 (ja) * | 2004-02-06 | 2008-08-13 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器 |
CN100353560C (zh) * | 2004-02-12 | 2007-12-05 | 友达光电股份有限公司 | 有机发光显示面板 |
US20050200294A1 (en) * | 2004-02-24 | 2005-09-15 | Naugler W. E.Jr. | Sidelight illuminated flat panel display and touch panel input device |
US20050200296A1 (en) * | 2004-02-24 | 2005-09-15 | Naugler W. E.Jr. | Method and device for flat panel emissive display using shielded or partially shielded sensors to detect user screen inputs |
US20050200292A1 (en) * | 2004-02-24 | 2005-09-15 | Naugler W. E.Jr. | Emissive display device having sensing for luminance stabilization and user light or touch screen input |
JP4665419B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2011-04-06 | カシオ計算機株式会社 | 画素回路基板の検査方法及び検査装置 |
JP2005292503A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機el表示装置 |
CN1957471A (zh) * | 2004-04-06 | 2007-05-02 | 彩光公司 | 在平板显示器中与传感器阵列集成的彩色滤波器 |
CN1981318A (zh) * | 2004-04-12 | 2007-06-13 | 彩光公司 | 用于有源矩阵发光显示器的低功耗电路及其控制方法 |
KR100589324B1 (ko) | 2004-05-11 | 2006-06-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 그 구동 방법 |
KR100637164B1 (ko) | 2004-06-26 | 2006-10-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 능동 구동형 전계발광 디스플레이 장치 |
US20060007206A1 (en) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Damoder Reddy | Device and method for operating a self-calibrating emissive pixel |
CA2472671A1 (en) | 2004-06-29 | 2005-12-29 | Ignis Innovation Inc. | Voltage-programming scheme for current-driven amoled displays |
KR100578812B1 (ko) * | 2004-06-29 | 2006-05-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 표시 장치 |
JP5364227B2 (ja) * | 2004-07-16 | 2013-12-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 読み取り機能付き表示装置及びそれを用いた電子機器 |
KR100590042B1 (ko) | 2004-08-30 | 2006-06-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 표시 장치, 그 구동방법 및 신호구동장치 |
KR101486037B1 (ko) | 2004-09-13 | 2015-01-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 조명장치 |
JP4517804B2 (ja) | 2004-09-29 | 2010-08-04 | カシオ計算機株式会社 | ディスプレイパネル |
KR100583519B1 (ko) * | 2004-10-28 | 2006-05-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 주사 구동부 및 그를 이용한 발광표시장치 |
JP4437110B2 (ja) | 2004-11-17 | 2010-03-24 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機発光表示装置,有機発光表示装置の駆動方法及び画素回路の駆動方法 |
KR100688799B1 (ko) * | 2004-11-17 | 2007-03-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 표시장치, 발광 표시장치의 구동 방법 및 화소회로의구동방법 |
KR101220102B1 (ko) | 2004-12-06 | 2013-01-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
CA2490858A1 (en) | 2004-12-07 | 2006-06-07 | Ignis Innovation Inc. | Driving method for compensated voltage-programming of amoled displays |
US20140111567A1 (en) | 2005-04-12 | 2014-04-24 | Ignis Innovation Inc. | System and method for compensation of non-uniformities in light emitting device displays |
US9799246B2 (en) | 2011-05-20 | 2017-10-24 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
US8599191B2 (en) | 2011-05-20 | 2013-12-03 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
US10013907B2 (en) | 2004-12-15 | 2018-07-03 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display |
US10012678B2 (en) | 2004-12-15 | 2018-07-03 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display |
US9171500B2 (en) | 2011-05-20 | 2015-10-27 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of parasitic parameters in AMOLED displays |
US9275579B2 (en) | 2004-12-15 | 2016-03-01 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
US9280933B2 (en) | 2004-12-15 | 2016-03-08 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
US8576217B2 (en) | 2011-05-20 | 2013-11-05 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
EP2383720B1 (de) | 2004-12-15 | 2018-02-14 | Ignis Innovation Inc. | Verfahren und System zur Programmierung, Kalibrierung und Ansteuerung einer lichtemittierenden Vorrichtungsanzeige |
KR100624317B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2006-09-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 주사 구동부 및 이를 이용한 발광 표시장치와 그의 구동방법 |
KR101142996B1 (ko) | 2004-12-31 | 2012-05-08 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 표시 장치 및 그 구동 방법 |
CA2496642A1 (en) | 2005-02-10 | 2006-08-10 | Ignis Innovation Inc. | Fast settling time driving method for organic light-emitting diode (oled) displays based on current programming |
JP2006310741A (ja) | 2005-03-30 | 2006-11-09 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
KR100645700B1 (ko) | 2005-04-28 | 2006-11-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 주사 구동부 및 이를 이용한 발광 표시장치와 그의 구동방법 |
US7852298B2 (en) * | 2005-06-08 | 2010-12-14 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for driving a light emitting device display |
JP4773777B2 (ja) * | 2005-08-30 | 2011-09-14 | グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | アクティブマトリクス型表示装置 |
CA2518276A1 (en) | 2005-09-13 | 2007-03-13 | Ignis Innovation Inc. | Compensation technique for luminance degradation in electro-luminance devices |
EP1777689B1 (de) * | 2005-10-18 | 2016-08-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleiterbauelement, und Anzeigevorrichtung und elektronische Apparatur damit |
TWI419105B (zh) | 2005-12-20 | 2013-12-11 | Thomson Licensing | 顯示面板之驅動方法 |
TWI294254B (en) * | 2006-01-02 | 2008-03-01 | Au Optronics Corp | Pixel structure organic electro-luminescence displaying unit and repairing method thereo |
US9269322B2 (en) | 2006-01-09 | 2016-02-23 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for driving an active matrix display circuit |
US9489891B2 (en) | 2006-01-09 | 2016-11-08 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for driving an active matrix display circuit |
WO2007079572A1 (en) | 2006-01-09 | 2007-07-19 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for driving an active matrix display circuit |
EP1808844B1 (de) * | 2006-01-13 | 2012-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Anzeigevorrichtung |
US8138075B1 (en) | 2006-02-06 | 2012-03-20 | Eberlein Dietmar C | Systems and methods for the manufacture of flat panel devices |
JP5224702B2 (ja) * | 2006-03-13 | 2013-07-03 | キヤノン株式会社 | 画素回路、及び当該画素回路を有する画像表示装置 |
EP1840047B1 (de) * | 2006-03-31 | 2009-08-26 | Graphic Packaging International, Inc. | Behälter, um runde Lebensmittel in einem Mikrowellenofen zu erwärmen, knusprig werden zu lassen und zu bräunen |
EP3133590A1 (de) | 2006-04-19 | 2017-02-22 | Ignis Innovation Inc. | Stabiles ansteuerverfahren für aktivmatrix-displays |
JP4361549B2 (ja) * | 2006-06-09 | 2009-11-11 | 株式会社日立製作所 | 表示装置 |
JP2007329417A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、電気光学装置、電子機器及び半導体装置の製造方法 |
US20080062090A1 (en) * | 2006-06-16 | 2008-03-13 | Roger Stewart | Pixel circuits and methods for driving pixels |
US7679586B2 (en) * | 2006-06-16 | 2010-03-16 | Roger Green Stewart | Pixel circuits and methods for driving pixels |
US8446394B2 (en) * | 2006-06-16 | 2013-05-21 | Visam Development L.L.C. | Pixel circuits and methods for driving pixels |
JP5092306B2 (ja) | 2006-08-02 | 2012-12-05 | ソニー株式会社 | 表示装置および画素回路のレイアウト方法 |
CA2556961A1 (en) | 2006-08-15 | 2008-02-15 | Ignis Innovation Inc. | Oled compensation technique based on oled capacitance |
KR101277975B1 (ko) * | 2006-09-07 | 2013-06-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 쉬프트 레지스터 및 이를 구비한 데이터 드라이버,액정표시장치 |
JP4259556B2 (ja) * | 2006-09-13 | 2009-04-30 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
JP4259592B2 (ja) * | 2006-09-13 | 2009-04-30 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
WO2008065778A1 (en) * | 2006-11-30 | 2008-06-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device, and driving method for display device |
JP4757186B2 (ja) * | 2006-12-28 | 2011-08-24 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子アレイおよび有機発光素子アレイパッケージ |
KR100805599B1 (ko) * | 2007-03-16 | 2008-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
KR101293570B1 (ko) * | 2007-03-21 | 2013-08-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
TWI412125B (zh) * | 2007-07-17 | 2013-10-11 | Creator Technology Bv | 電子元件及電子元件之製法 |
JP5179806B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2013-04-10 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 表示装置 |
TW200949807A (en) | 2008-04-18 | 2009-12-01 | Ignis Innovation Inc | System and driving method for light emitting device display |
CA2637343A1 (en) | 2008-07-29 | 2010-01-29 | Ignis Innovation Inc. | Improving the display source driver |
JP2010104861A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Seiko Epson Corp | 液状体の吐出方法、カラーフィルタの製造方法および有機el装置の製造方法 |
TWI518913B (zh) * | 2008-11-07 | 2016-01-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和其製造方法 |
JP2010122355A (ja) | 2008-11-18 | 2010-06-03 | Canon Inc | 表示装置及びカメラ |
US9370075B2 (en) | 2008-12-09 | 2016-06-14 | Ignis Innovation Inc. | System and method for fast compensation programming of pixels in a display |
CA2669367A1 (en) | 2009-06-16 | 2010-12-16 | Ignis Innovation Inc | Compensation technique for color shift in displays |
US9384698B2 (en) | 2009-11-30 | 2016-07-05 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for aging compensation in AMOLED displays |
CA2688870A1 (en) | 2009-11-30 | 2011-05-30 | Ignis Innovation Inc. | Methode and techniques for improving display uniformity |
US10319307B2 (en) | 2009-06-16 | 2019-06-11 | Ignis Innovation Inc. | Display system with compensation techniques and/or shared level resources |
US9311859B2 (en) | 2009-11-30 | 2016-04-12 | Ignis Innovation Inc. | Resetting cycle for aging compensation in AMOLED displays |
US8633873B2 (en) | 2009-11-12 | 2014-01-21 | Ignis Innovation Inc. | Stable fast programming scheme for displays |
US10996258B2 (en) | 2009-11-30 | 2021-05-04 | Ignis Innovation Inc. | Defect detection and correction of pixel circuits for AMOLED displays |
US8803417B2 (en) | 2009-12-01 | 2014-08-12 | Ignis Innovation Inc. | High resolution pixel architecture |
CA2687631A1 (en) | 2009-12-06 | 2011-06-06 | Ignis Innovation Inc | Low power driving scheme for display applications |
KR101309863B1 (ko) | 2009-12-14 | 2013-09-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US9881532B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-01-30 | Ignis Innovation Inc. | System and method for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
US10163401B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-12-25 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
US20140313111A1 (en) | 2010-02-04 | 2014-10-23 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
CA2692097A1 (en) | 2010-02-04 | 2011-08-04 | Ignis Innovation Inc. | Extracting correlation curves for light emitting device |
US10089921B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-10-02 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
US10176736B2 (en) | 2010-02-04 | 2019-01-08 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
CA2696778A1 (en) * | 2010-03-17 | 2011-09-17 | Ignis Innovation Inc. | Lifetime, uniformity, parameter extraction methods |
JP5443588B2 (ja) * | 2010-06-22 | 2014-03-19 | パナソニック株式会社 | 発光表示装置及びその製造方法 |
CN102346997B (zh) * | 2010-08-04 | 2014-07-16 | 群康科技(深圳)有限公司 | 像素结构及显示器的驱动方法 |
US8907991B2 (en) | 2010-12-02 | 2014-12-09 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for thermal compensation in AMOLED displays |
KR101872925B1 (ko) | 2010-12-24 | 2018-06-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 조명 장치 |
US8552440B2 (en) | 2010-12-24 | 2013-10-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting device |
WO2012090889A1 (en) | 2010-12-28 | 2012-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting unit, light-emitting device, and lighting device |
JP5993141B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2016-09-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
CN102156368A (zh) * | 2011-01-18 | 2011-08-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管液晶显示阵列基板及其制造方法 |
US9516713B2 (en) | 2011-01-25 | 2016-12-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP5925511B2 (ja) | 2011-02-11 | 2016-05-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光ユニット、発光装置、照明装置 |
US8772795B2 (en) | 2011-02-14 | 2014-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and lighting device |
US8735874B2 (en) | 2011-02-14 | 2014-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, display device, and method for manufacturing the same |
US20140368491A1 (en) | 2013-03-08 | 2014-12-18 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for amoled displays |
US9886899B2 (en) | 2011-05-17 | 2018-02-06 | Ignis Innovation Inc. | Pixel Circuits for AMOLED displays |
US9351368B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-05-24 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
US9530349B2 (en) | 2011-05-20 | 2016-12-27 | Ignis Innovations Inc. | Charged-based compensation and parameter extraction in AMOLED displays |
US9466240B2 (en) | 2011-05-26 | 2016-10-11 | Ignis Innovation Inc. | Adaptive feedback system for compensating for aging pixel areas with enhanced estimation speed |
EP3547301A1 (de) | 2011-05-27 | 2019-10-02 | Ignis Innovation Inc. | Systeme und verfahren zur alterungskompensation von amoled-anzeigen |
EP2945147B1 (de) | 2011-05-28 | 2018-08-01 | Ignis Innovation Inc. | Verfahren zur schnellkompensationsprogrammierung von pixeln in einer anzeige |
JP5316590B2 (ja) * | 2011-06-07 | 2013-10-16 | パナソニック株式会社 | El表示装置 |
KR101917753B1 (ko) * | 2011-06-24 | 2018-11-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
JP5442678B2 (ja) * | 2011-08-12 | 2014-03-12 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR101810048B1 (ko) * | 2011-09-22 | 2017-12-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US9324268B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-04-26 | Ignis Innovation Inc. | Amoled displays with multiple readout circuits |
JP6077280B2 (ja) * | 2011-11-29 | 2017-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び電子機器 |
US10089924B2 (en) | 2011-11-29 | 2018-10-02 | Ignis Innovation Inc. | Structural and low-frequency non-uniformity compensation |
JP5209109B2 (ja) * | 2011-12-21 | 2013-06-12 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 表示装置 |
US8937632B2 (en) | 2012-02-03 | 2015-01-20 | Ignis Innovation Inc. | Driving system for active-matrix displays |
JP5380560B2 (ja) * | 2012-02-08 | 2014-01-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、半導体装置、表示モジュール及び電子機器 |
US9747834B2 (en) | 2012-05-11 | 2017-08-29 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits including feedback capacitors and reset capacitors, and display systems therefore |
US8922544B2 (en) | 2012-05-23 | 2014-12-30 | Ignis Innovation Inc. | Display systems with compensation for line propagation delay |
JP2013068964A (ja) * | 2012-11-30 | 2013-04-18 | Panasonic Corp | El表示装置 |
US9786223B2 (en) | 2012-12-11 | 2017-10-10 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
US9336717B2 (en) | 2012-12-11 | 2016-05-10 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
US9366920B2 (en) * | 2013-01-02 | 2016-06-14 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and fabricating method thereof |
CN108665836B (zh) | 2013-01-14 | 2021-09-03 | 伊格尼斯创新公司 | 补偿测量的器件电流相对于参考电流的偏差的方法和系统 |
US9830857B2 (en) | 2013-01-14 | 2017-11-28 | Ignis Innovation Inc. | Cleaning common unwanted signals from pixel measurements in emissive displays |
US9721505B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-08-01 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
CA2894717A1 (en) | 2015-06-19 | 2016-12-19 | Ignis Innovation Inc. | Optoelectronic device characterization in array with shared sense line |
EP3043338A1 (de) | 2013-03-14 | 2016-07-13 | Ignis Innovation Inc. | Neuinterpolation mit kantendetektion zur extraktion eines alterungsmusters für amoled-anzeigen |
JP5991490B2 (ja) | 2013-03-22 | 2016-09-14 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
CN110634431B (zh) | 2013-04-22 | 2023-04-18 | 伊格尼斯创新公司 | 检测和制造显示面板的方法 |
KR102173707B1 (ko) | 2013-05-31 | 2020-11-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
CN107452314B (zh) | 2013-08-12 | 2021-08-24 | 伊格尼斯创新公司 | 用于要被显示器显示的图像的补偿图像数据的方法和装置 |
JP6223126B2 (ja) * | 2013-10-30 | 2017-11-01 | キヤノン株式会社 | 発光素子の駆動回路、露光ヘッド及び画像形成装置 |
US9761170B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-09-12 | Ignis Innovation Inc. | Correction for localized phenomena in an image array |
US9741282B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-08-22 | Ignis Innovation Inc. | OLED display system and method |
US9502653B2 (en) | 2013-12-25 | 2016-11-22 | Ignis Innovation Inc. | Electrode contacts |
DE102015206281A1 (de) | 2014-04-08 | 2015-10-08 | Ignis Innovation Inc. | Anzeigesystem mit gemeinsam genutzten Niveauressourcen für tragbare Vorrichtungen |
JP6521610B2 (ja) * | 2014-11-10 | 2019-05-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 画像表示装置 |
CA2873476A1 (en) | 2014-12-08 | 2016-06-08 | Ignis Innovation Inc. | Smart-pixel display architecture |
US20170352312A1 (en) * | 2014-12-18 | 2017-12-07 | Joled Inc. | Display device |
CA2879462A1 (en) | 2015-01-23 | 2016-07-23 | Ignis Innovation Inc. | Compensation for color variation in emissive devices |
CA2886862A1 (en) | 2015-04-01 | 2016-10-01 | Ignis Innovation Inc. | Adjusting display brightness for avoiding overheating and/or accelerated aging |
CA2889870A1 (en) | 2015-05-04 | 2016-11-04 | Ignis Innovation Inc. | Optical feedback system |
JP6131289B2 (ja) * | 2015-05-08 | 2017-05-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CA2892714A1 (en) | 2015-05-27 | 2016-11-27 | Ignis Innovation Inc | Memory bandwidth reduction in compensation system |
CN104880879A (zh) | 2015-06-19 | 2015-09-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | Coa阵列基板及其制造方法、显示装置 |
US10373554B2 (en) | 2015-07-24 | 2019-08-06 | Ignis Innovation Inc. | Pixels and reference circuits and timing techniques |
CA2898282A1 (en) | 2015-07-24 | 2017-01-24 | Ignis Innovation Inc. | Hybrid calibration of current sources for current biased voltage progra mmed (cbvp) displays |
US10657895B2 (en) | 2015-07-24 | 2020-05-19 | Ignis Innovation Inc. | Pixels and reference circuits and timing techniques |
CA2900170A1 (en) | 2015-08-07 | 2017-02-07 | Gholamreza Chaji | Calibration of pixel based on improved reference values |
CA2908285A1 (en) | 2015-10-14 | 2017-04-14 | Ignis Innovation Inc. | Driver with multiple color pixel structure |
KR20170085617A (ko) * | 2016-01-14 | 2017-07-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이의 제조 방법 |
JP6764248B2 (ja) * | 2016-04-26 | 2020-09-30 | 株式会社Joled | アクティブマトリクス表示装置 |
KR102402717B1 (ko) * | 2016-08-30 | 2022-05-27 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 표시 장치 및 전자 기기 |
KR102642017B1 (ko) * | 2016-11-30 | 2024-02-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US20190096967A1 (en) * | 2017-09-25 | 2019-03-28 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Organic electroluminescent display apparatus |
US11296156B2 (en) * | 2018-11-28 | 2022-04-05 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode device |
US20220209166A1 (en) * | 2019-04-11 | 2022-06-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting element and display device |
US11063495B2 (en) | 2019-07-01 | 2021-07-13 | Nidec Motor Corporation | Heatsink clamp for multiple electronic components |
CN110609188B (zh) * | 2019-09-25 | 2022-07-15 | 潍柴动力股份有限公司 | 油量计量单元老化的检测方法、装置及设备 |
CN110676298B (zh) * | 2019-09-30 | 2022-06-03 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板及oled显示面板 |
KR102159131B1 (ko) | 2020-01-30 | 2020-09-23 | 김재곤 | 기름 순환 정제 기능 및 튀김 기름 분리 기능을 일체형으로 갖는 튀김장치 |
KR102159137B1 (ko) | 2020-01-30 | 2020-09-23 | 김재곤 | 기름 순환 정제 기능을 갖는 튀김장치 |
KR102159125B1 (ko) | 2020-03-06 | 2020-09-23 | 김재곤 | 튀김 기름 순환 정제 기능 및 기름 유출 방지 기능을 갖는 튀김장치 |
KR20220079760A (ko) * | 2020-12-04 | 2022-06-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102485139B1 (ko) | 2021-06-17 | 2023-01-04 | 김재곤 | 기름 순환 정제 기능 및 튀김 기름 분리 기능을 갖는 튀김장치 |
EP4346352A1 (de) * | 2022-09-27 | 2024-04-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Anzeigevorrichtung und verfahren zur herstellung davon |
Family Cites Families (119)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US599073A (en) * | 1898-02-15 | Pump-head | ||
US4042854A (en) * | 1975-11-21 | 1977-08-16 | Westinghouse Electric Corporation | Flat panel display device with integral thin film transistor control system |
US4087792A (en) * | 1977-03-03 | 1978-05-02 | Westinghouse Electric Corp. | Electro-optic display system |
FR2488016A1 (fr) * | 1980-07-29 | 1982-02-05 | Thomson Csf | Module elementaire pour panneau d'affichage matriciel et panneau d'affichage comportant un tel module |
JPS58140781A (ja) * | 1982-02-17 | 1983-08-20 | 株式会社日立製作所 | 画像表示装置 |
JPS59112700A (ja) | 1982-12-17 | 1984-06-29 | 松下電器産業株式会社 | プリント基板の防水装置 |
JPS59119390A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-10 | 株式会社東芝 | 薄膜トランジスタ回路 |
JPS6159474A (ja) | 1984-08-31 | 1986-03-26 | 株式会社日立製作所 | アクティブマトリクスディスプレイ |
JPS61255384A (ja) | 1985-05-09 | 1986-11-13 | 富士通株式会社 | 薄膜トランジスタマトリツクスとその製造方法 |
JPS6241193A (ja) | 1985-08-15 | 1987-02-23 | 清水建設株式会社 | クレ−ンブ−ム接近判別方法 |
JPS62229952A (ja) | 1986-03-31 | 1987-10-08 | Toshiba Corp | Mis型半導体集積回路装置 |
JPS63170682A (ja) | 1986-10-03 | 1988-07-14 | セイコーエプソン株式会社 | アクテイブマトリクス基板 |
JP2679036B2 (ja) | 1986-12-18 | 1997-11-19 | 富士通株式会社 | ガス放電パネルの製造方法 |
JPS6432236A (en) | 1987-07-28 | 1989-02-02 | Seiko Instr & Electronics | X driver for matrix panel display |
JP2653099B2 (ja) * | 1988-05-17 | 1997-09-10 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクスパネル,投写型表示装置及びビューファインダー |
JPH0266873A (ja) | 1988-06-27 | 1990-03-06 | Eastman Kodak Co | 電界発光デバイス |
JP2568659B2 (ja) * | 1988-12-12 | 1997-01-08 | 松下電器産業株式会社 | 表示装置の駆動方法 |
US5095461A (en) * | 1988-12-28 | 1992-03-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Erase circuitry for a non-volatile semiconductor memory device |
JPH03168617A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示装置の駆動方法 |
JP2734464B2 (ja) | 1990-02-28 | 1998-03-30 | 出光興産株式会社 | エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JPH03269995A (ja) | 1990-03-16 | 1991-12-02 | Ricoh Co Ltd | 電界発光素子の作製方法 |
JP2616153B2 (ja) * | 1990-06-20 | 1997-06-04 | 富士ゼロックス株式会社 | El発光装置 |
JP3062552B2 (ja) | 1990-08-27 | 2000-07-10 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置及びその検査方法 |
JP3202219B2 (ja) | 1990-09-18 | 2001-08-27 | 株式会社東芝 | El表示装置 |
JPH04161984A (ja) | 1990-10-26 | 1992-06-05 | Opt Tec Corp | 多重グレイレベルを有する大型映像表示ボードシステム |
JPH04264527A (ja) | 1991-02-20 | 1992-09-21 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板 |
US6713783B1 (en) | 1991-03-15 | 2004-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Compensating electro-optical device including thin film transistors |
JP2873632B2 (ja) | 1991-03-15 | 1999-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JPH04311066A (ja) | 1991-04-09 | 1992-11-02 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
DE69225105T2 (de) | 1991-10-04 | 1999-01-07 | Toshiba Kawasaki Kk | Flüssigkristallanzeigegerät |
JPH05107557A (ja) | 1991-10-15 | 1993-04-30 | Kyocera Corp | 液晶表示装置 |
JP2784615B2 (ja) | 1991-10-16 | 1998-08-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学表示装置およびその駆動方法 |
US5276380A (en) | 1991-12-30 | 1994-01-04 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent image display device |
JPH05210089A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-20 | Sharp Corp | アクティブマトリクス表示装置及びその駆動方法 |
JP2946921B2 (ja) | 1992-03-10 | 1999-09-13 | 日本電気株式会社 | 低電力駆動回路 |
JP2850072B2 (ja) | 1992-05-13 | 1999-01-27 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 半導体装置 |
US5302966A (en) | 1992-06-02 | 1994-04-12 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Active matrix electroluminescent display and method of operation |
JP3328654B2 (ja) | 1992-07-15 | 2002-09-30 | 昭和電工株式会社 | 有機薄膜エレクトロルミネッセント素子 |
GB9215929D0 (en) | 1992-07-27 | 1992-09-09 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent devices |
JP3343968B2 (ja) * | 1992-12-14 | 2002-11-11 | ソニー株式会社 | バイポーラ型半導体装置およびその製造方法 |
JPH06186416A (ja) | 1992-12-21 | 1994-07-08 | Toray Ind Inc | カラーフィルタとその製造方法 |
JPH06230745A (ja) | 1993-02-05 | 1994-08-19 | Fuji Xerox Co Ltd | El発光装置及びその駆動方法 |
KR0140041B1 (ko) * | 1993-02-09 | 1998-06-15 | 쯔지 하루오 | 표시 장치용 전압 발생 회로, 공통 전극 구동 회로, 신호선 구동 회로 및 계조 전압 발생 회로 |
EP0624862B1 (de) * | 1993-05-14 | 1999-06-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Steuerungsverfahren für Anzeigevorrichtung |
JPH06325869A (ja) * | 1993-05-18 | 1994-11-25 | Mitsubishi Kasei Corp | 有機電界発光パネル |
JPH07120722A (ja) | 1993-06-30 | 1995-05-12 | Sharp Corp | 液晶表示素子およびその駆動方法 |
JP2821347B2 (ja) | 1993-10-12 | 1998-11-05 | 日本電気株式会社 | 電流制御型発光素子アレイ |
JPH07122362A (ja) | 1993-10-22 | 1995-05-12 | Mitsubishi Chem Corp | 有機電界発光パネル |
JPH07128639A (ja) * | 1993-11-04 | 1995-05-19 | Sharp Corp | 表示装置 |
JP3451291B2 (ja) | 1993-11-25 | 2003-09-29 | カシオ計算機株式会社 | 電界発光素子とその製造方法 |
JP3463362B2 (ja) | 1993-12-28 | 2003-11-05 | カシオ計算機株式会社 | 電界発光素子の製造方法および電界発光素子 |
JPH0845663A (ja) * | 1994-02-09 | 1996-02-16 | Nec Kansai Ltd | El素子点灯装置 |
JP3488735B2 (ja) * | 1994-03-03 | 2004-01-19 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP3813217B2 (ja) | 1995-03-13 | 2006-08-23 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法 |
US5701055A (en) * | 1994-03-13 | 1997-12-23 | Pioneer Electronic Corporation | Organic electoluminescent display panel and method for manufacturing the same |
JP2701738B2 (ja) | 1994-05-17 | 1998-01-21 | 日本電気株式会社 | 有機薄膜el素子 |
JP3312083B2 (ja) | 1994-06-13 | 2002-08-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US5508532A (en) * | 1994-06-16 | 1996-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with braded silicon nitride |
US5525867A (en) * | 1994-08-05 | 1996-06-11 | Hughes Aircraft Company | Electroluminescent display with integrated drive circuitry |
JP2689917B2 (ja) * | 1994-08-10 | 1997-12-10 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス型電流制御型発光素子の駆動回路 |
US5714968A (en) * | 1994-08-09 | 1998-02-03 | Nec Corporation | Current-dependent light-emitting element drive circuit for use in active matrix display device |
US5463279A (en) * | 1994-08-19 | 1995-10-31 | Planar Systems, Inc. | Active matrix electroluminescent cell design |
TW289097B (de) | 1994-08-24 | 1996-10-21 | Hitachi Ltd | |
US5587329A (en) * | 1994-08-24 | 1996-12-24 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Method for fabricating a switching transistor having a capacitive network proximate a drift region |
US5818068A (en) * | 1994-09-22 | 1998-10-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film transistor circuit and an active matrix type display device |
JP3467334B2 (ja) | 1994-10-31 | 2003-11-17 | Tdk株式会社 | エレクトロルミネセンス表示装置 |
JPH08129360A (ja) | 1994-10-31 | 1996-05-21 | Tdk Corp | エレクトロルミネセンス表示装置 |
JPH08129358A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-05-21 | Tdk Corp | エレクトロルミネセンス表示装置 |
US5550066A (en) * | 1994-12-14 | 1996-08-27 | Eastman Kodak Company | Method of fabricating a TFT-EL pixel |
EP0717445B1 (de) | 1994-12-14 | 2009-06-24 | Eastman Kodak Company | Elektrolumineszente Vorrichtung mit einer organischen elektrolumineszenten Schicht |
US5684365A (en) * | 1994-12-14 | 1997-11-04 | Eastman Kodak Company | TFT-el display panel using organic electroluminescent media |
JP3545078B2 (ja) | 1995-02-03 | 2004-07-21 | 三洋電機株式会社 | コードレス電話装置 |
JP3401356B2 (ja) | 1995-02-21 | 2003-04-28 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 |
JPH08241057A (ja) * | 1995-03-03 | 1996-09-17 | Tdk Corp | 画像表示装置 |
US5693962A (en) * | 1995-03-22 | 1997-12-02 | Motorola | Full color organic light emitting diode array |
US5640067A (en) | 1995-03-24 | 1997-06-17 | Tdk Corporation | Thin film transistor, organic electroluminescence display device and manufacturing method of the same |
US6853083B1 (en) | 1995-03-24 | 2005-02-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transfer, organic electroluminescence display device and manufacturing method of the same |
US5644327A (en) * | 1995-06-07 | 1997-07-01 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Tessellated electroluminescent display having a multilayer ceramic substrate |
JP3636777B2 (ja) | 1995-07-04 | 2005-04-06 | Tdk株式会社 | 画像表示装置 |
JP3744980B2 (ja) | 1995-07-27 | 2006-02-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JPH0943640A (ja) | 1995-07-31 | 1997-02-14 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
JPH09106887A (ja) * | 1995-08-09 | 1997-04-22 | Citizen Watch Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子およびその駆動方法 |
JP3124230B2 (ja) * | 1995-08-11 | 2001-01-15 | 株式会社沖データ | 駆動装置 |
US5748160A (en) | 1995-08-21 | 1998-05-05 | Mororola, Inc. | Active driven LED matrices |
JPH0980412A (ja) | 1995-09-13 | 1997-03-28 | Canon Inc | 液晶表示装置の製造方法 |
JP3892068B2 (ja) | 1995-10-20 | 2007-03-14 | 株式会社日立製作所 | 画像表示装置 |
US6268895B1 (en) * | 1995-10-27 | 2001-07-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device having light shield in periphery of display |
TW329500B (en) * | 1995-11-14 | 1998-04-11 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | Electro-optical device |
US6294799B1 (en) * | 1995-11-27 | 2001-09-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating same |
JPH09146119A (ja) | 1995-11-27 | 1997-06-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
TW309633B (de) * | 1995-12-14 | 1997-07-01 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | |
JP3645378B2 (ja) | 1996-01-19 | 2005-05-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP3645379B2 (ja) * | 1996-01-19 | 2005-05-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP3417514B2 (ja) * | 1996-04-09 | 2003-06-16 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
US6157356A (en) * | 1996-04-12 | 2000-12-05 | International Business Machines Company | Digitally driven gray scale operation of active matrix OLED displays |
JPH09281508A (ja) * | 1996-04-12 | 1997-10-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置およびその作製方法 |
JP3036436B2 (ja) * | 1996-06-19 | 2000-04-24 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリックス型有機el表示体の製造方法 |
US5714838A (en) | 1996-09-20 | 1998-02-03 | International Business Machines Corporation | Optically transparent diffusion barrier and top electrode in organic light emitting diode structures |
KR100393039B1 (ko) * | 1996-11-20 | 2003-10-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 액정표시소자 |
JP3899566B2 (ja) * | 1996-11-25 | 2007-03-28 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el表示装置の製造方法 |
DE69739633D1 (de) | 1996-11-28 | 2009-12-10 | Casio Computer Co Ltd | Anzeigevorrichtung |
US5949188A (en) * | 1996-12-18 | 1999-09-07 | Hage Gmbh & Co. Kg | Electroluminescent display device with continuous base electrode |
JP3530362B2 (ja) * | 1996-12-19 | 2004-05-24 | 三洋電機株式会社 | 自発光型画像表示装置 |
US5990629A (en) * | 1997-01-28 | 1999-11-23 | Casio Computer Co., Ltd. | Electroluminescent display device and a driving method thereof |
JPH10214060A (ja) * | 1997-01-28 | 1998-08-11 | Casio Comput Co Ltd | 電界発光表示装置およびその駆動方法 |
US5869929A (en) * | 1997-02-04 | 1999-02-09 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Multicolor luminescent device |
US6462722B1 (en) * | 1997-02-17 | 2002-10-08 | Seiko Epson Corporation | Current-driven light-emitting display apparatus and method of producing the same |
US6518962B2 (en) * | 1997-03-12 | 2003-02-11 | Seiko Epson Corporation | Pixel circuit display apparatus and electronic apparatus equipped with current driving type light-emitting device |
WO1998048322A1 (fr) * | 1997-04-22 | 1998-10-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Afficheur a cristaux liquides a fonction de lecture d'image, procede de lecture d'image et procede de fabrication associe |
JP3520396B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2004-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス基板と表示装置 |
JP3830238B2 (ja) * | 1997-08-29 | 2006-10-04 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型装置 |
TW439387B (en) | 1998-12-01 | 2001-06-07 | Sanyo Electric Co | Display device |
JP4073107B2 (ja) | 1999-03-18 | 2008-04-09 | 三洋電機株式会社 | アクティブ型el表示装置 |
TW480727B (en) | 2000-01-11 | 2002-03-21 | Semiconductor Energy Laboratro | Semiconductor display device |
US6528950B2 (en) | 2000-04-06 | 2003-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and driving method |
JP3695308B2 (ja) * | 2000-10-27 | 2005-09-14 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス有機el表示装置及びその製造方法 |
US7173612B2 (en) | 2000-12-08 | 2007-02-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | EL display device providing means for delivery of blanking signals to pixel elements |
JP2004296303A (ja) | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、その製造方法および電子機器 |
JP3915806B2 (ja) | 2003-11-11 | 2007-05-16 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
-
1998
- 1998-02-17 KR KR1019980708210A patent/KR100541253B1/ko active IP Right Grant
- 1998-02-17 EP EP98902263A patent/EP0895219B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-17 KR KR1020057017875A patent/KR100544821B1/ko active IP Right Grant
- 1998-02-17 CN CN031205046A patent/CN1506929B/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-17 KR KR10-2005-7002798A patent/KR100509241B1/ko active IP Right Grant
- 1998-02-17 DE DE69841721T patent/DE69841721D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-17 KR KR1020057017878A patent/KR100585261B1/ko active IP Right Grant
- 1998-02-17 US US09/171,224 patent/US6522315B2/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-17 JP JP53136098A patent/JP3528182B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-17 EP EP02076495A patent/EP1255240B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-02-17 KR KR10-2003-7002330A patent/KR100539291B1/ko active IP Right Grant
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Cited By (1)
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