DE69829458T2 - Anzeigevorrichtung mit aktiver matrix - Google Patents

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Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft Anzeigevorrichtungen mit aktiver Matrix, die Dünnfilmleuchtvorrichtungen, wie elektrolumineszente (EL-) Vorrichtungen, die Licht ausstrahlen, durch einen Antriebsstrom, der in einem organischen Halbleiterfilm fließt, und Leuchtdioden- (LED-) Vorrichtungen unter Verwendung von Dünnfilmtransistoren (in der Folge als TFTs bezeichnet) steuern.
  • Stand der Technik
  • Es wurden bereits Anzeigevorrichtungen mit aktiver Matrix vorgeschlagen, die Leuchtvorrichtungen vom Stromsteuerungstyp, wie EL-Vorrichtungen oder LED-Vorrichtungen, verwenden. Da Leuchtvorrichtungen, die in solchen Arten von Anzeigevorrichtungen verwendet werden, selbstleuchtende Funktionen haben, weisen sie Vorteile auf, wie, dass kein Gegenlicht vorgesehen werden muss, während Gegenlicht für Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen wesentlich ist, wie auch einen breiteren Betrachtungswinkel.
  • Die Europäische Patentveröffentlichung Nr. 0717446A2 mit dem Titel "TFT-EL display panel using organic electroluminescent media" offenbart eine Flachschirmanzeige, die Dünnfilmtransistor-Elektrolumineszenz- (TFT-EL-) Pixel umfasst. Ein Adressierschema, das zwei TFTs und einen Speicherkondensator enthält, wird verwendet, damit das EL-Pixel auf dem Schirm bei einer relativen Einschaltdauer nahe 100 % arbeiten kann.
  • 22 ist ein Blockdiagramm einer Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix die organische EL-Vorrichtungen vom Ladungseinspritzungstyp zeigt. In der Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix 1A, die in der Zeichnung dargestellt ist, sind eine Vielzahl von Abtastleitungen gate, eine Vielzahl von Datenleitungen sig, die sich in die Richtung senkrecht zu der Richtung der Abtastleitungen gate erstrecken, eine Vielzahl von allgemeinen Zuleitungen com entlang den Datenleitungen sig, und eine Vielzahl von Pixeln 7 in einer Matrix, die durch die Datenleitungen sig und die Abtastleitungen gate gebildet wird, auf einem transparenten Substrat 10 gebildet. Eine Datenleitungstreiberschaltung 3 und eine Abtastleitungstreiberschaltung 4 sind für die Datenleitungen sig beziehungsweise die Abtastleitungen gate bereitgestellt. Jedes Pixel 7 ist mit einer Leitungssteuerschaltung 50 versehen, um Abtastsignale von einer Abtastleitung gate zuzuleiten, sowie mit einer Dünnfilmleuchtvorrichtung 40, die Licht auf der Basis von Bildsignalen ausstrahlt, die von einer Datenleitung sig durch die Leitungssteuerschaltung 50 zugleitet werden. In diesem Beispiel hat die Leitungssteuerschaltung 50 einen ersten TFT 20 zum Zuleiten von Abtastsignalen von der Abtastleitung gate zu einer Gate-Elektrode; einen Haltekondensator cap zum Halten von Bildsignalen, die von der Datenleitung sig durch den ersten TFT 20 zugeleitet werden; und einen zweiten TFT 30 zum Zuleiten der Bildsignale, die in dem Haltekondensator cap gehalten werden, zu der Gate-Elektrode. Der zweite TFT 30 und die Dünnfilmleuchtvorrichtung 40 sind in Serie zwischen einer Gegenelektrode op (in der Folge beschrieben) und einer allgemeinen Zuleitung com angeschlossen. Die Dünnfilmleuchtvorrichtung 40 strahlt Licht durch einen Antriebsstrom von der allgemeinen Zuleitung com aus, wenn der zweite TFT 30 im EIN-Modus ist, und dieser Ausstrahlungsmodus wird von einem Haltekondensator cap über einen vorbestimmten Zeitraum gehalten.
  • Bei einer solchen Anordnung der Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix 1A, wie in 23, 24(A) und 24(B) dargestellt, sind der ersten TFT 20 und der zweite TFT 30 in jedem Pixel 7 aus Inseln eines Halbleiterfilms gebildet. Der erste TFT 20 ist mit einer Gate-Elektrode 21 als Teil einer Abtastleitung gate gebildet. Im ersten TFT 20 ist ein Source-Drain-Bereich an eine Datenleitung sig durch ein Kontaktloch in einer ersten Isolierzwischenschicht 51 elektrisch angeschlossen, und der andere Bereich ist an eine Drain-Elektrode 22 angeschlossen. Die Drain-Elektrode 22 erstreckt sich zu dem Bereich des zweiten TFT 30, und diese Verlängerung ist an eine Gate-Elektrode 31 des zweiten TFT 30 durch ein Kontaktloch in der ersten Isolierzwischenschicht 51 elektrisch angeschlossen. Ein Source-Drain-Bereich des zweiten TFT 30 ist an eine Relais-Elektrode 35 durch ein Kontaktloch der ersten Isolierzwischenschicht 51 elektrisch angeschlossen, und die Relais-Elektrode 35 ist an eine Pixelelektrode 41 der Dünnfilmleuchtvorrichtung 40 durch ein Kontaktloch in einer zweiten Isolierzwischenschicht 52 elektrisch angeschlossen.
  • Jede Pixelelektrode 41 ist unabhängig in jedem Pixel 7 gebildet, wie in 23, 24(B) und 24(C) dargestellt. Ein organischer Halbleiterfilm 43 und eine Gegenelektrode op sind über der Pixelelektrode 41 in dieser Reihenfolge gebildet. Obwohl der organische Halbleiterfilm 43 in jedem Pixel 7 gebildet ist, kann ein streifenförmiger Film über einer Vielzahl von Pixeln 7 gebildet sein. Die Gegenelektrode op ist nicht nur in einem Anzeigeabschnitt 11, der Pixel 7 enthält, sondern auch über der gesamten Oberfläche des transparenten Substrats 10 gebildet.
  • Unter erneuter Bezugnahme auf 23 und 24(A) ist der andere Source-Drain-Bereich des zweiten TFT 30 an die allgemeine Zuleitung durch ein Kontaktloch in der ersten Isolierzwischenschicht 51 elektrisch angeschlossen. Eine Verlängerung 39 der allgemeinen Zuleitung com ist einer Verlängerung 36 der Gate-Elektrode 31 im zweiten TFT 30 zugewandt, getrennt durch die erste Isolierzwischenschicht 51 als dielektrischer Film, um einen Haltekondensator cap zu bilden.
  • In der Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix 1A ist jedoch nur die zweite Isolierzwischenschicht 52 zwischen der Gegenelektrode op, die der Pixelelektrode 41 zugewandt ist, und der Datenleitung sig auf demselben transparenten Substrat 10 angeordnet, im Gegensatz zu Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen mit aktiver Matrix; somit wird eine große Kapazität in der Datenleitung sig erzeugt und die Datenleitungstreiberschaltung 3 ist schwer belastet.
  • Wie in 22, 23, 25(A), 25(B) und 25(C) dargestellt, schlagen daher die gegenwärtigen Erfinder eine Verringerung in der parasitären Kapazität in der Datenleitung sig vor, indem ein dicker Isolierfilm (eine Bankschicht bank; der Bereich, der mit Linien schraffiert ist, die in großem Abstand schräg nach unten verlaufen) zwischen der Gegenelektrode op und der Datenleitung sig bereitgestellt wird. Ferner schlagen die gegenwärtigen Erfinder vor, dass der Bereich zur Bildung des organischen Halbleiterfilms 43 von dem Isolierfilm (der Bankschicht bank) umgeben ist, um Lösung, die von einem Tintenstrahlkopf abgegeben wird, zurückzuhalten und ein Auslaufen der Lösung zu den Seiten während der Bildung des organischen Halbleiterfilms 43 zu verhindern.
  • Wenn die gesamte Bankschicht bank aus einem dicken anorganischen Material unter Beibehaltung einer solchen Anordnung gebildet wird, entsteht das Problem, einer längeren Filmbildungszeit. Wenn der dicke anorganische Film strukturiert wird, könnte die Pixelelektrode 41 aufgrund einer Überätzung beschädigt werden. Wenn andererseits die Bankschicht bank aus einem organischen Material gebildet wird, wie einem Resist, kann der organische Halbleiterfilm 43 an der Grenzfläche zwischen dem organischen Halbleiterfilm 43 und der Bankschicht bank durch die Wirkungen der Lösemittelkomponenten beeinträchtigt werden, die in dem organischen Material in der Bankschicht bank enthalten sind.
  • Da die Bildung einer dicken Bankschicht bank die Bildung einer großen Höhendifferenz bb verursacht, bricht die Gegenelektrode op, die über der Bankschicht bank gebildet wird, leicht auf der Höhendifferenz bb. Ein solcher Bruch der Gegenelektrode op aufgrund der Höhendifferenz bb bewirkt eine Isolierung der Gegenelektrode op von den benachbarten Gegenelektroden op, so dass punktförmige oder lineare Defekte in der Anzeige entstehen. Wenn die Gegenelektrode op entlang der äußeren Peripherie der Bankschicht bank bricht, die die Oberflächen der Datenleitungstreiberschaltung 3 und der Abtastleitungstreiberschaltung 4 bedeckt, ist die Gegenelektrode op in dem Anzeigeabschnitt 11 vollständig von einem Anschluss 12 isoliert, und daher wird kein Bild angezeigt.
  • Daher ist es angesichts der obengenannten Probleme eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix bereitzustellen, ohne Beschädigung von Dünnfilmleuchtvorrichtungen, die einen dicken Isolierfilm aufweist, der zufriedenstellend um einen organischen Halbleiterfilm in den Dünnfilmleuchtvorrichtungen gebildet ist.
  • Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung einer Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix ohne Bruch einer Gegenelektrode, die auf einem dicken Isolierfilm gebildet ist, der um einen organischen Halbleiterfilm gebildet ist, um eine parasitäre Kapazität zu verringern.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung zur Lösung der obengenannten Probleme ist durch eine Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix gekennzeichnet, umfassend einen Anzeigebereich mit einer Vielzahl von Abtastleitungen auf einem Substrat, einer Vielzahl von Datenleitungen, die sich in die Richtung senkrecht zu der Richtung der Abtastleitungen erstrecken, und einer Vielzahl von Pixeln, die in einer Matrix angeordnet sind, die durch die Datenleitungen und die Abtastlei tungen begrenzt ist; wobei jedes der Pixel mit einer Dünnfilmleuchtvorrichtung versehen ist, die eine Leitungssteuerschaltung aufweist, die einen Dünnfilmtransistor zum Zuleiten eines Abtastsignals zu einer Gate-Elektrode durch eine der Abtastleitungen enthält, sowie eine Pixelelektrode, einen organischen Halbleiterfilm, der über der Pixelelektrode abgeschieden ist, und eine Gegenelektrode, die über dem organischen Halbleiterfilm abgeschieden ist; wobei die Dünnfilmleuchtvorrichtung Licht auf der Basis eines Bildsignals ausstrahlt, das von der Datenleitung durch die Leitungssteuerschaltung zugeleitet wird; wobei der Bereich zur Bildung des organischen Halbleiterfilms durch einen Isolierfilm geteilt ist, der dicker als der organische Halbleiterfilm ist; und der Isolierfilm eine untere Isolierschicht umfasst, die aus einem anorganischen Material gebildet und dicker als der organische Halbleiterfilm ist, und eine obere Isolierschicht, die auf der unteren Isolierschicht abgeschieden und aus einem organischen Material gebildet ist.
  • In der vorliegenden Erfindung bildet die Datenleitung eine große parasitäre Kapazität, wenn die Gegenelektrode auf der gesamten Oberfläche des Anzeigeabschnitts gebildet ist, so dass sie der Datenleitung zugewandt ist; in der vorliegenden Erfindung ist jedoch ein dicker Isolierfilm zwischen der Datenleitung und der Gegenelektrode bereitgestellt, um die Bildung der parasitären Kapazität in der Datenleitung zu verhindern. Dadurch wird eine Last auf der Datenleitungstreiberschaltung verringert und ein geringer Energieverbrauch und ein Hochgeschwindigkeitsanzeigebetrieb erreicht. Wenn der dicke Isolierfilm nur aus einem anorganischen Material gebildet ist, ist eine lange Filmabscheidungszeit erforderlich, was zu einer geringen Produktivität führt. In der vorliegenden Erfindung ist nur die untere Isolierschicht, die mit dem organischen Halbleiterfilm der Dünnfilmleuchtvorrichtung in Kontakt steht, aus einem anorganischen Material gebildet, und eine obere Isolierschicht, die aus einem organischen Material besteht, wie einem Resist, ist darauf gebildet. Da die obere Isolierschicht, die aus einem organischen Material besteht, die Bildung eines dicken Films erleichtert, wird dadurch eine verbesserte Produktivität erhalten. Die obere Isolierschicht kommt mit dem organischen Halbleiterfilm nicht in Kontakt, aber die untere Isolierschicht, die aus einem anorganischen Material besteht, kommt mit dem organischen Halbleiterfilm in Kontakt; somit ist der organische Halbleiterfilm vor einer Beeinträchtigung geschützt, die durch die obere Isolierschicht verursacht wird. Daher weist die Dünnfilmleuchtvorrichtung keine verminderte Leuchteffizienz oder Zuverlässigkeit auf.
  • In der vorliegenden Erfindung ist bevorzugt, dass die obere Isolierschicht in einem inneren Bereich der unteren Isolierschicht abgeschieden wird, so dass sie eine geringere Breite als die obere Isolierschicht hat. Eine derartige zweistufige Anordnung verhindert den Kontakt der oberen Isolierschicht, die aus einem organischen Material besteht, mit dem organischen Halbleiterfilm; somit kann eine Beeinträchtigung des organischen Halbleiterfilms sicherer verhindert werden.
  • In einer derartigen zweistufigen Anordnung können sowohl die untere Isolierschicht als auch die obere Isolierschicht aus anorganischen Materialien gebildet sein. Ein anderer Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix, umfassend einen Anzeigebereich mit einer Vielzahl von Abtastleitungen auf einem Substrat, einer Vielzahl von Datenleitungen, die sich in die Richtung senkrecht zu der Richtung der Abtastleitungen erstrecken, und einer Vielzahl von Pixeln, die in einer Matrix angeordnet sind, die durch die Datenleitungen und die Abtastleitungen begrenzt ist; wobei jedes der Pixel mit einer Dünnfilmleuchtvorrichtung versehen ist, die eine Leitungssteuerschaltung aufweist, die einen Dünnfilmtransistor zum Zuleiten eines Abtastsignals zu einer Gate-Elektrode durch eine der Abtastleitungen enthält, sowie eine Pixelelektrode, einen organischen Halbleiterfilm, der über der Pixelelektrode abgeschieden ist, und eine Gegenelektrode, die über dem organischen Halbleiterfilm abgeschieden ist; wobei die Dünnfilmleuchtvorrichtung Licht auf der Basis eines Bildsignals ausstrahlt, das von der Datenleitung durch die Leitungssteuerschaltung zugeleitet wird; wobei der Bereich zur Bildung des organischen Halbleiterfilms durch einen Isolierfilm geteilt ist, der dicker als der organische Halbleiterfilm ist; und der Isolierfilm eine untere Isolierschicht umfasst, die aus einem anorganischen Material besteht, und eine obere Isolierschicht, die aus einem anorganischen Material besteht, die eine geringere Breite als die untere Isolierschicht hat.
  • In einer solchen Anordnung wird nach der Bildung der Filme, die aus anorganischen Materialien bestehen, welche einer untere Isolierschicht und eine obere Isolierschicht darstellen, die obere Isolierschicht strukturiert. Da die untere Isolierschicht als Ätzstoppschicht dient, werden die Pixelelektroden nicht durch leichtes Überätzen beschädigt. Nach dem Strukturieren wird die untere Isolierschicht strukturiert. Da nur eine Schicht der unteren Isolierschicht geätzt wird, wird das Ätzen leicht gesteuert, so dass kein Überätzen erfolgt, das die Pixelelektroden beschädigen könnte.
  • In der vorliegenden Erfindung ist bevorzugt, dass die Leitungssteuerschaltung mit einem ersten TFT zum Zuleiten des Abtastsignals zu der Gate-Elektrode versehen ist, sowie mit einem zweiten TFT, dessen Gate-Elektrode durch den ersten TFT an die Datenleitung angeschlossen ist, und der zweite TFT und die Dünnfilmleuchtvorrichtung in Serie zwischen einer allgemeinen Zuleitung, die zusätzlich zu der Datenleitung und der Abtastleitung zum Zuleiten eines Antriebsstroms ausgebildet ist, und der Gegenelektrode angeschlossen sind. Obwohl die Leitungssteuerschaltung aus einem TFT und einem Haltekondensator bestehen kann, besteht die Leitungssteuerschaltung jedes Pixels zur Verbesserung der Anzeigequalität vorzugsweise aus zwei TFTs und zwei Haltekondensatoren.
  • In der vorliegenden Erfindung ist bevorzugt, dass der Isolierfilm als Bankschicht verwendet wird, die ein Auslaufen einer abgegebenen Lösung verhindert, wenn der organische Halbleiterfilm durch ein Tintenstrahlverfahren in einem Bereich gebildet wird, der durch den Isolierfilm begrenzt ist. Der Isolierfilm hat vorzugsweise eine Dicke von 1 μm oder mehr.
  • In der vorliegenden Erfindung ist bevorzugt, dass ein Bereich, der die Fläche zur Bildung der Leitungssteuerschaltung in dem Bereich zur Bildung der Pixelelektrode überlappt, mit dem Isolierfilm bedeckt ist. Das heißt, es ist bevorzugt, dass in dem Bereich zur Bildung der Pixelelektrode der dicke Isolierfilm nur an dem flachen Abschnitt geöffnet ist, der keine Leitungssteuerschaltung enthält, und der organische Halbleiterfilm nur in dessen Innerem gebildet wird. Eine solche Anordnung kann Anzeigeunregelmäßigkeiten aufgrund einer unregelmäßigen Dicke des organischen Halbleiterfilms verhindern. Ein dünnerer Abschnitt des organischen Halbleiterfilms bewirkt eine Konzentration des Antriebsstroms der Dünnfilmleuchtvorrichtung und eine verminderte Zuverlässigkeit; diese Anordnung kann jedoch ein solches Problem verhindern. Wenn der organische Halbleiterfilm Licht aufgrund eines Antriebsstroms zwischen einer Pixelelektrode und der Gegenelektrode in dem Bereich, der die Leitungssteuerschaltung überlappt, ausstrahlt, wird das Licht von der Leitungssteuerschaltung abgeschirmt und trägt nicht zur Anzeige bei. Der Antriebsstrom, der durch den Abschirmeffekt der Leitungssteuerschaltung nicht zur Anzeige beiträgt, ist ein nicht zur Verfügung stehender Strom. In der vorliegenden Erfindung ist der dicke Isolierfilm in dem Abschnitt gebildet, in dem ein solcher, nicht zur Verfügung stehender Strom erwartet wird, um die Bildung des nicht zur Verfügung stehenden Stroms zu verhindern. Dadurch kann ein Strom in der allgemeinen Zuleitung verringert werden. Somit kann durch Verringerung der Breite der allgemeinen Zuleitung eine Leuchtfläche vergrößert werden, wodurch Anzeigeeigenschaften, wie Luminanz und Kontrast, verbessert werden.
  • In der vorliegenden Erfindung können die Ecken, die durch den Isolierfilm begrenzt sind, abgerundet sein, so dass der organische Halbleiterfilm eine abgerundete planare Form aufweist. Der organische Halbleiterfilm mit einer solchen Form verhindert die Konzentration des Antriebsstroms an den Ecken, und somit können Defekte, wie ein unzureichender Spannungswiderstand, an den Ecken verhindert werden.
  • Wenn der organische Halbleiterfilm in einem gestreiften Muster gebildet wird, ist die untere Isolierschicht des Isolierfilms so gebildet, dass sie die Fläche zur Bildung der Leitungssteuerschaltung in dem Bereich zur Bildung der Pixelelektrode, der Datenleitung, der allgemeinen Zuleitung und der Abtastleitung überlappt, während die obere Isolierschicht so gebildet ist, dass sie ein gestreiftes Muster entlang der Datenleitung bildet, und der organische Halbleiterfilm wird zum Beispiel durch ein Tintenstrahlverfahren in dem Bereich gebildet, der durch das gestreifte Muster der oberen Isolierschicht begrenzt ist.
  • In einer solchen Anordnung ist die Leitungssteuerschaltung mit der unteren Isolierschicht so bedeckt, dass nur der organische Halbleiterfilm, der an dem flachen Abschnitt der Pixelelektrode gebildet ist, zur Lumineszenz beiträgt. Das heißt, die Dünnfilmleuchtvorrichtung ist nur an dem flachen Abschnitt der Pixelelektrode gebildet. Somit hat der erhaltene organische Halbleiterfilm eine konstante Dicke und zeigt keine Unregelmäßigkeiten an. Da die untere Isolier schicht einen Antriebsstrom in dem Abschnitt verhindert, der nicht zur Anzeige beiträgt, kann ein nicht zur Verfügung stehender Strom in der allgemeinen Zuleitung verhindert werden. In einer solchen Anordnung kann der Abschnitt, in dem die untere Isolierschicht die obere Isolierschicht überlappt, als Bankschicht verwendet werden, die ein Auslaufen einer abgegebenen Lösung verhindert, wenn der organische Halbleiterfilm durch ein Tintenstrahlverfahren gebildet wird. Wenn der Isolierfilm als Bankschicht verwendet wird, hat der überlappende Abschnitt der unteren Isolierschicht und der oberen Isolierschicht eine Dicke von 1 μm oder mehr.
  • In der vorliegenden Erfindung ist bevorzugt, dass der Isolierfilm einen ersten Diskontinuitätenabschnitt aufweist, so dass Gegenelektroden benachbarter Pixel an flachen Abschnitten miteinander verbunden sind, die durch den ersten Diskontinuitätenabschnitt gebildet sind. Der dicke Isolierfilm in der vorliegenden Erfindung kann eine große Stufe bilden, die einen Bruch der darauf gebildeten Gegenelektrode verursacht; der erste Diskontinuitätenabschnitt, der an vorbestimmten Positionen des dicken Isolierfilms gebildet ist, ist jedoch geebnet. Da die Gegenelektroden der einzelnen Bereiche an den flachen Abschnitten, die dem ersten Diskontinuitätenabschnitt entsprechen, aneinander elektrisch angeschlossen sind, sind die Gegenelektroden vor einem Bruch geschützt, selbst wenn ein Bruch an der Stufe aufgrund des Isolierfilms eintritt. Da ein Bruch der Gegenelektrode, die über dem Isolierfilm gebildet ist, nicht erfolgt, wenn ein dicker Isolierfilm um den organischen Halbleiterfilm gebildet ist, um die parasitäre Kapazität zu unterdrücken, können die Anzeigequalität und Zuverlässigkeit der Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix verbessert werden.
  • Wenn der Isolierfilm entlang der Datenleitung und der Abtastleitung so gebildet ist, dass er den Bereich zur Bildung des organischen Halbleiterfilms umgibt, ist der erste Diskontinuitätenabschnitt vorzugsweise zwischen benachbarten Pixeln in die Richtung der verlängerten Datenleitung, zwischen benachbarten Pixeln in die Richtung der verlängerten Abtastleitung, oder zwischen benachbarten Pixeln in diese Richtungen gebildet.
  • Wenn sich der Isolierfilm in einem gestreiften Muster entlang der Datenleitung erstreckt, kann die erste Diskontinuität an mindestens einem Ende der Verlaufsrichtung gebildet sein.
  • In der vorliegenden Erfindung ist bevorzugt, dass die Peripherie des Anzeigeabschnitts mit einer Datenleitungstreiberschaltung zum Zuleiten von Datensignalen durch die Datenleitungen versehen ist, und einer Abtastleitungstreiberschaltung zum Zuleiten von Abtastsignalen durch die Abtastleitungen, dass der Isolierfilm auch über der Abtastleitungstreiberschaltung und der Datenleitungstreiberschaltung gebildet ist, und der Isolierfilm eine zweite Diskontinuität an einer Position zwischen dem Bereich zum Bilden der Abtastleitungstreiberschaltung und dem Bereich zum Bilden der Datenleitungstreiberschaltung aufweist, so dass die Gegenelektroden an dem Anzeigeabschnitt und an dem peripheren Abschnitt des Substrats durch den flachen Abschnitt verbunden sind. Selbst wenn ein Bruch der Gegenelektroden entlang der Peripherie des Isolierfilms eintritt, der die Datenleitungstreiberschaltung und die Abtastleitungstreiberschaltung bedeckt, ist die Gegenelektrode an dem Anzeigeabschnitt an die Gegenelektrode an der Peripherie des Substrats über den flachen Abschnitt verbunden, und somit kann eine elektrische Verbindung zwischen diesen Gegenelektroden garantiert werden.
  • In der Diskontinuität der vorliegenden Erfindung können sowohl die untere Isolierschicht als auch die obere Isolierschicht die Diskontinuität aufweisen, oder nur die obere Isolierschicht zwischen der oberen Isolierschicht und der unteren Isolierschicht kann die Diskontinuität aufweisen.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist ein schematisches Blockdiagramm einer Gesamtanordnung einer Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 2 ist eine Draufsicht auf ein Pixel der Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix, die in 1 dargestellt ist.
  • 3(A), 3(B) und 3(C) sind Querschnittsansichten entlang der Linie A-A', B-B' beziehungsweise C-C' in 2.
  • 4(A), 4(B) und 4(C) sind Querschnittsansichten der Anzeigevorrichtungen mit aktiver Matrix gemäß einer zweiten Ausführungsform und einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung an Positionen, die den Linien A-A', B-B' beziehungsweise C-C' in 2 entsprechen.
  • 5 ist eine Draufsicht auf ein Pixel einer Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 6(A), 6(B) und 6(C) sind Querschnittsansichten entlang der Linie A-A', B-B' beziehungsweise C-C' in 5.
  • 7 ist ein schematisches Blockdiagramm einer Gesamtanordnung einer Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 8 ist eine Draufsicht auf ein Pixel der Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix, die in 7 dargestellt ist.
  • 9(A), 9(B) und 9(C) sind Querschnittsansichten entlang der Linie A-A', B-B' beziehungsweise C-C' in 8.
  • 10 ist ein schematisches Blockdiagramm einer Gesamtanordnung einer Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix gemäß einer ersten Modifizierung der fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 11 ist eine Draufsicht auf ein Pixel der Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix, die in 10 dargestellt ist.
  • 12(A), 12(B) und 12(C) sind Querschnittsansichten entlang der Linie A-A', B-B' beziehungsweise C-C' in 11.
  • 13 ist ein schematisches Blockdiagramm einer Gesamtanordnung einer Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix gemäß einer zweiten Modifizierung der fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 14 ist eine Draufsicht auf ein Pixel der Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix, die in 13 dargestellt ist.
  • 15(A), 15(B) und 15(C) sind Querschnittsansichten entlang der Linie A-A', B-B' beziehungsweise C-C' in 14.
  • 16 ist ein schematisches Blockdiagramm einer Gesamtanordnung einer Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix gemäß einer dritten Modifizierung der fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 17 ist eine Draufsicht auf ein Pixel der Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix, die in 16 dargestellt ist.
  • 18(A), 18(B) und 18(C) sind Querschnittsansichten entlang der Linie A-A', B-B' beziehungsweise C-C' in 17.
  • 19 ist ein schematisches Blockdiagramm einer Gesamtanordnung einer Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 20 ist eine Draufsicht auf ein Pixel der Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix, die in 19 dargestellt ist.
  • 21(A), 21(B) und 21(C) sind Querschnittsansichten entlang der Linie A-A', B-B' beziehungsweise C-C' in 20.
  • 22 ist ein schematisches Blockdiagramm einer Gesamtanordnung einer herkömmlichen Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix oder einer Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix gemäß einer vergleichenden Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 23 ist eine Draufsicht auf ein Pixel der Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix, die in 22 dargestellt ist.
  • 24(A), 24(B) und 24(C) sind Querschnittsansichten entlang der Linie A-A', B-B' beziehungsweise C-C' in 23.
  • 25(A), 25(B) und 25(C) sind Querschnittsansichten einer Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix gemäß einer vergleichenden Ausführungsform an Positionen, die der Linie A-A', B-B' beziehungsweise C-C' in 23. entsprechen.
  • Beste Ausführungsform der Erfindung
  • Es werden nun Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. Teile mit denselben Funktionen wie in 22 und 25 sind mit denselben Bezugszeichen bezeichnet.
  • [Erste Ausführungsform]
  • (Gesamtanordnung)
  • 1 ist ein schematisches Blockdiagramm einer Gesamtanordnung einer Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix gemäß der vorliegenden Erfindung. 2 ist eine Draufsicht auf eines der darin enthaltenen Pixel. 3(A), 3(B) und 3(C) sind Querschnittsansichten entlang der Linie A-A', B-B' beziehungsweise C-C' in 2.
  • In der Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix 1, die in 1 dargestellt ist, wird der mittlere Abschnitt eines transparenten Substrats 10 als Basis als Anzeigeabschnitt 11 verwendet. Innerhalb des peripheren Abschnitts des transparenten Substrats 10 ist eine Datenleitungstreiberschaltung 3 zum Ausgeben von Bildsignalen an den Enden von Datenleitungen sig bereitgestellt, während eine Abtastleitungstreiberschaltung 4 zum Ausgeben von Abtastsignalen an den Enden von Abtastleitungen gate bereitgestellt ist. In diesen Treiberschaltungen 3 und 4 bilden ein n-TFT und ein p-TFT einen komplementären TFT, und viele komplementäre TFTs bilden eine Schiebewiderstandsschaltung, eine Pegelverschieberschaltung und einen Analogschalter. In dem Anzeigeabschnitt 11 sind, wie in einem aktiven Matrixsubstrat einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix eine Vielzahl von Abtastleitungen gate, eine Vielzahl von Datenleitungen sig, die sich senkrecht zu der Verlaufsrichtung der Abtastleitungen gate erstrecken, und eine Vielzahl von Pixeln 7, die in einer Matrix durch die Datenleitungen sig und die Abtastleitungen gate gebildet werden, auf dem transparenten Substrat 10 bereitgestellt.
  • Jedes Pixel 7 ist mit einer Leitungssteuerschaltung 50 zum Zuleiten von Abtastsignalen durch eine Abtastleitung gate, versehen, sowie mit einer Dünnfilmleuchtvorrichtung 40, die Licht auf der Basis von Bildsignalen ausstrahlt, die von einer Datenleitung sig durch die Leitungssteuerschaltung 50 zugeleitet werden. In dieser Ausführungsform enthält die Leitungssteuerschaltung 50 einen ersten TFT 20 zum Zuleiten eines Abtastsignals zu einer Gate-Elektrode durch eine Abtastleitung gate, einen Haltekondensator cap zum Halten eines Bildsignals, das von einer Datenleitung sig durch den ersten TFT 20 zugeleitet wird, und einen zweiten TFT 30 zum Zuleiten des Bildsignals, das in dem Haltekondensator cap gehalten wird, zu der Gate-Elektrode. Der zweite TFT 30 und die Dünnfilmleuchtvorrichtung 40 sind in Serie zwischen einer Gegenelektrode op und einer allgemeinen Zuleitung com angeschlossen. Der Haltekondensator cap kann zwischen der Gegenelektrode op und der Abtastleitung gate gebildet sein, wie auch zwischen der Gegenelektrode op und der allgemeinen Zuleitung com.
  • Wie in 2, 3(A) und 3(B) dargestellt, sind in jedem Pixel der Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix 1 mit einer solchen Anordnung der erste TFT 20 und der zweite TFT 30 unter Verwendung von Inseln der Halbleiterfilme (Siliziumfilme) gebildet.
  • Im ersten TFT 20 ist eine Gate-Elektrode 21 als Teil der Abtastleitung gate gebildet. Im ersten TFT 20 ist einer der Source-Drain-Bereiche an die Datenleitung sig über ein Kontaktloch in einem ersten Isolierfilm 51 elektrisch angeschlossen, während der andere an eine Drain-Elektrode 22 elektrisch angeschlossen ist. Die Drain-Elektrode 22 erstreckt sich zu dem Bereich des zweiten TFT 30, und der verlängerte Abschnitt ist an eine Gate-Elektrode 31 des zweiten TFT 30 über ein Kontaktloch im ersten Isolierfilm 51 elektrisch angeschlossen.
  • Einer der Source-Drain-Bereiche des zweiten TFT 30 ist an eine Relais-Elektrode 35, die gleichzeitig mit der Datenleitung sig gebildet wird, über ein Kontaktloch im ersten Isolierfilm 51 elektrisch angeschlossen, und die Relais-Elektrode 35 ist an eine transparente Pixelelektrode 41, die aus einem Indiumzinnoxidfilm (ITO-Film) besteht, in der Dünnfilmleuchtvorrichtung 40 über ein Kontaktloch in einem zweiten Isolierfilm 52 elektrisch angeschlossen.
  • Wie in 2, 3(B) und 3(C) dargestellt, werden Pixelelektroden 41 unabhängig in einzelnen Pixeln 7 gebildet. Ein organischer Halbleiterfilm 43, der aus Poylphenylenvinylen (PPV) oder dergleichen besteht, und eine Gegenelektrode op, die aus einem Metallfilm, wie lithiumhaltigen Aluminium oder Kalzium, besteht, werden über jeder Pixelelektrode 41 in dieser Reihenfolge abgeschieden, um eine Dünnfilmleuchtvorrichtung 40 zu bilden. Obwohl ein organischer Halbleiterfilm 43 auf jedem Pixel in dieser Ausführungsform gebildet ist, wird in einigen Fällen ein streifenförmiger organischer Halbleiterfilm 43 über einer Vielzahl von Pixeln 7 gebildet, wie in der Folge beschrieben wird. Die Gegenelektrode op wird über dem gesamten Anzeigeabschnitt 11 gebildet, außer in der Peripherie des Bereichs, wo Anschlüsse 12 gebildet werden. Die Anschlüsse 12 enthalten einen Anschluss, der an die Gegenelektrode op unter Verwendung eines Leiters (in der Zeichnung nicht dargestellt) elektrisch angeschlossen ist, der gleichzeitig mit der Gegenelektrode op gebildet wird.
  • Die Anordnung der Dünnfilmleuchtvorrichtung 40 kann eine Anordnung sein, die mit einer positiven Löcherinjektionsschicht versehen ist, die eine verbesserte Leuchteffizienz (Löcherinjektionseffizienz) aufweist, oder eine Anordnung, die mit einer positiven Löcherinjektionsschicht und einer Elektroneninjektionsschicht versehen ist.
  • Unter erneuter Bezugnahme auf 2 und 3(A) ist der andere der Source-Drain-Bereiche des zweiten TFT 30 an die allgemeine Zuleitung com über ein Kontaktloch des ersten Isolierfilms 51 elektrisch angeschlossen. Die Verlängerung 39 der allgemeinen Zuleitung com weist zu der Verlängerung 36 der Gate-Elektrode 31, getrennt durch den ersten Isolierfilm 51 als dielektrischen Film, um einen Haltekondensator cap zu bilden. Anstelle der allgemeinen Zuleitung com kann eine Kondensatorleitung, die parallel zu der Abtastleitung gate gebildet ist, zur Bildung des Haltekondensa tors cap verwendet werden. Als Alternative kann der Haltekondensator cap aus dem Drainbereich des ersten TFT 20 und der Gate-Elektrode 31 des zweiten TFT 30 gebildet sein.
  • Wenn in einer solchen Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix 1 der erste TFT 20 durch Wahl eines Abtastsignals eingeschaltet wird, wird ein Bildsignal von der Datenleitung sig zur Gate-Elektrode 31 des zweiten TFT 30 über den ersten TFT 20 angelegt, und gleichzeitig im Haltekondensator über den ersten TFT 20 gespeichert. Wenn sich der zweite TFT 30 einschaltet, wird eine Spannung zwischen der Gegenelektrode op als negative Elektrode und der Pixelelektrode 41 als positive Elektrode angelegt. Wenn die Spannung die Schwellenspannung überschreitet, steigt ein Strom (ein Antriebsstrom), der in dem organischen Halbleiterfilm 93 fließt, stark an. Somit strahlt die Leuchtvorrichtung 40 Licht als elektrolumineszente Vorrichtung oder LED-Vorrichtung aus. Licht von der Leuchtvorrichtung 40 wird von der Gegenelektrode op reflektiert, geht durch die transparente Pixelelektrode 41 und tritt aus dem transparenten Substrat 10 aus. Da der Antriebsstrom zur Durchführung einer solchen Lumineszenz in dem Strompfad fließt, der die Gegenelektrode op, den organischen Halbleiterfilm 43, die Pixelelektrode 41, den zweiten TFT 30 und die allgemeine Zuleitung com enthält, stoppt der Strom, wenn der zweite TFT 30 abgeschaltet wird. Der Haltekondensator cap hält jedoch die Gate-Elektrode des zweiten TFT 30 bei einem Potenzial, das dem Bildsignal entspricht; somit schaltet sich der zweite TFT 30 weiterhin ein. Somit fließt ein Antriebsstrom weiterhin in die Leuchtvorrichtung 40, so dass das Pixel einen eingeschalteten Zustand beibehält. Dieser Zustand wird gehalten, bis der zweite TFT 30 durch Ansammlung der nächsten Bilddaten im Haltekondensator vap abgeschaltet wird.
  • (Anordnung der Bankschicht)
  • Zur Vermeidung der Bildung einer großen parasitären Kapazität in der Datenleitung sig in einer solchen Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix 1 in dieser Ausführungsform, wie in 1, 2, 3(A), 3(B) und 3(C) dargestellt, ist ein Isolierfilm (eine Bankschicht bank, der Bereich, der mit Linien schraffiert ist, die schräg nach links verlaufen, oder in schrägen Doppellinien in einem großen Abstand), der dicker als der organische Halbleiterfilm 41 ist, entlang der Datenleitung sig und der Abtastleitung gate bereitgestellt, und die Gegenelektrode op ist über der Bankschicht bank gebildet. Da der zweite Isolierfilm 52 und die dicke Bankschicht bank zwischen der Datenleitung sig und der Gegenelektrode op angeordnet sind, wird die parasitäre Kapazität, die in der Datenleitung sig entsteht, deutlich verringert. Somit kann die Last auf den Treiberschaltungen 3 und 4 verringert werden, was zu einem geringeren elektrischen Stromverbrauch und einem verbesserten Anzeigevorgang führt.
  • Die Bankschicht bank besteht aus einer unteren Isolierschicht 61, die aus einem anorganischen Material gebildet ist, wie einem Siliziumoxidfilm oder einem Siliziumnitridfilm, und dicker ist als der organische Halbleiterfilm 41, und einer oberen Isolierschicht 62, die auf der unteren Isolierschicht 61 gebildet ist und die aus einem organischen Material besteht, wie einem Resist oder einem Polyimidfilm. Zum Beispiel liegen die Dicken des organischen Halbleiterfilms 41, der unteren Isolierschicht 61 und der oberen Isolierschicht 62 im Bereich von 0,05 μm bis 0,2 μm, 0,2 μm bis 1,0 μm beziehungsweise 1 μm bis 2 μm.
  • In einer solchen doppelschichtigen Anordnung ist die obere Isolierschicht 62 aus einem Resist oder einem Polyimidfilm gebildet, der die Bildung eines dicken Films erleichtert; somit kann nur die untere Isolierschicht 61 aus einem anorganischen Material gebildet sein. Da die gesamte Bankschicht bank nicht aus einem anorganischen Material gebil det ist, benötigt die Bildung des anorganischen Films durch zum Beispiel einen PECVD-Prozess, keine lange Zeit. Somit wird die Produktivität der Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix 1 erhöht.
  • Ebenso kommt in einer solchen doppelschichtigen Anordnung der organische Halbleiterfilm 41 mit der anorganischen unteren Isolierschicht 61, aber nicht mit der organischen oberen Isolierschicht 62 in Kontakt. Der organische Halbleiterfilm 41 wird daher nicht durch die Wirkungen der organischen oberen Isolierschicht 62 beeinträchtigt, und die Datenleitung hat weder die verminderte Leuchteffizienz noch die verminderte Zuverlässigkeit.
  • Wie in 1 dargestellt, ist die Bankschicht bank auch in dem peripheren Bereich des transparenten Substrats 10 (dem äußeren Bereich des Anzeigeabschnitts 11) gebildet; somit sind die Datenleitungstreiberschaltung 3 und die Abtastleitungstreiberschaltung 4 mit der Bankschicht bank bedeckt. Die Gegenelektrode op muss zumindest im Anzeigeabschnitt 11 gebildet sein, ist aber im Treiberschaltungsbereich unnötig. Da die Gegenelektrode op im Allgemeinen durch einen Maskensputterprozess gebildet wird, kann eine unexakte Ausrichtung, wie eine Überlappung der Gegenelektrode op und der Treiberschaltungen, eintreten. In dieser Ausführungsform jedoch ist die Bankschicht bank zwischen der Leiterschicht der Treiberschaltungen und der Gegenelektrode op gebildet; somit wird die Bildung einer parasitären Kapazität in den Treiberschaltungen 3 und 4 verhindert, selbst wenn die Gegenelektrode op die Treiberschaltungen überlappt. Infolgedessen wird die Last auf den Treiberschaltungen 3 und 4 verringert, der Stromverbrauch vermindert und ein Hochgeschwindigkeitsanzeigevorgang erreicht.
  • In dieser Ausführungsform ist die Bankschicht bank auch in dem Bereich zur Bildung der Pixelelektrode 41 in der Fläche gebildet, die die Relais-Elektrode 35 der Leitungssteuer schaltung 50 überlappt. Der organische Halbleiterfilm 43 wird daher nicht in der Fläche gebildet, die die Relais-Elektrode 35 überlappt. Da der organische Halbleiterfilm 43 nur an dem flachen Abschnitt in dem Bereich zur Bildung der Pixelelektrode 41 gebildet wird, hat der erhaltene organische Halbleiterfilm 43 eine konstante Dicke, so dass keine Unregelmäßigkeiten in der Anzeige eintreten. Wenn der organische Halbleiterfilm 43 einen Teil mit geringerer Dicke aufweist, wird der Antriebsstrom für die Dünnfilmleuchtvorrichtung 40 darin konzentriert, was zu einer verminderten Zuverlässigkeit der Dünnfilmleuchtvorrichtung 40 führt. Die gleichförmige Dicke in dieser Ausführungsform verursacht kein derartiges Problem. Wenn die Bankschicht bank nicht in dem Bereich bereitgestellt ist, der die Relais-Elektrode 35 überlappt, strahlt der organische Halbleiterfilm 43 Licht durch einen Antriebsstrom zwischen der Relais-Elektrode 35 und der Gegenelektrode op aus; die Relais-Elektrode 35 und die Gegenelektrode op hemmen jedoch die Ausstrahlung des Lichts nach außen, und das Licht trägt nicht zur Anzeige bei. Der Antriebsstrom, der in dem Abschnitt fließt, der nicht zur Anzeige beiträgt, ist ein nicht zur Verfügung stehender Strom hinsichtlich der Anzeige. In dieser Ausführungsform ist die Bankschicht bank an der Position gebildet, in der ein nicht zur Verfügung stehender Strom fließt, so dass verhindert wird, dass ein nicht zur Verfügung stehender Strom in der allgemeinen Zuleitung com fließt. Somit kann die Breite der allgemeinen Zuleitung com verringert werden. Dadurch kann die Leuchtfläche, die zu einer verbesserten Anzeigeleistung, wie Luminanz und Kontrast, beiträgt, vergrößert werden.
  • Wenn die Bankschicht bank aus einem schwarzen Resist gebildet ist, dient die Bankschicht bank als schwarze Matrix, die die Anzeigequalität, wie den Kontrast, verbessert. In der Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix 1 dieser Ausführungsform ist die Gegenelektrode op auf dem gesamten Pixel 7 an der Vorderseite des transparenten Substrats 10 gebil det; somit bewirkt Licht, das von der Gegenelektrode op reflektiert wird, einen verminderten Kontrast. Wenn die Bankschicht bank zum Verhindern der Bildung der parasitären Kapazität aus einem schwarzen Resist gebildet ist, dient die Bankschicht bank auch als schwarze Matrix, die das Licht abschirmt, das von der Gegenelektrode op reflektiert wird und zu dem hohen Kontrast beiträgt.
  • (Verfahren zur Herstellung der Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix)
  • Da die erhaltene Bankschicht bank den Bereich zur Bildung des organischen Halbleiterfilms 43 umgibt, kann die Schicht ein Auslaufen einer abgegebenen Lösung verhindern, wenn der organische Halbleiterfilm 43 durch Abgabe eines flüssigen Materials (Abgabelösung) durch einen Tintenstrahlkopf im Herstellungsverfahren der Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix gebildet wird. In dem folgenden Verfahren zur Herstellung der Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix 1 sind die Schritte zur Herstellung des ersten TFT 20 und des zweiten TFT 30 auf dem transparenten Substrat 10 im Wesentlichen dieselben wie die Schritte für die Herstellung des aktiven Matrixsubstrats der Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix; somit werden hier nur kurz die Umrisse unter Bezugnahme auf 3(A), 3(B) und 3(C) beschrieben.
  • Zunächst wird, falls notwendig, ein zugrunde liegender Schutzfilm (in der Zeichnung nicht dargestellt), der aus einem Siliziumoxidfilm mit einer Dicke von etwa 2000 bis 5000 Ångström besteht, auf einem transparenten Substrat 10 durch plasmaverstärktes CVD unter Verwendung von Tetraethoxysilan (TEOS) und gasförmigem Sauerstoff als Bildungsgase gebildet. Ein Halbleiterfilm, der aus einem amorphen Siliziumfilm mit einer Dicke von etwa 300 bis 700 Ångström besteht, wird auf dem darunter liegenden Schutzfilm durch plasmaverstärktes CVD gebildet. Der amorphe Siliziumhalb leiterfilm wird einem Kristallisierungsschritt, wie einem Laserglühschritt oder einem Festphasenabscheidungsschritt, unterzogen, so dass der Halbleiterfilm zur Bildung eines Polysiliziumsfilms kristallisiert wird.
  • Der Halbleiterfilm wird zur Bildung von Inseln aus Halbleiterfilmen strukturiert, und dann wird ein Gate-Isolierfilm 57, der aus einem Siliziumoxid- oder Siliziumnitridfilm mit einer Dicke von etwa 600 bis 1500 Ångström besteht, durch plasmaverstärktes CVD unter Verwendung von Tetraethoxysilan (TEOS), gasförmigem Sauerstoff und dergleichen als Bildungsgase auf diesen gebildet.
  • Danach wird ein leitender Film, der aus einem Metallfilm besteht, wie Aluminium, Tantal, Molybdän, Titan oder Wolfram, durch eine Sputtermethode gebildet, wonach er strukturiert wird, um Gate-Elektroden 21 und 31 und eine Verlängerung der Gate-Elektrode 31 zu bilden (Gate-Elektroden-Bildungsschritt). Dieser Schritt bildet auch eine Abtastleitung gate.
  • In diesem Zustand werden Phosphorionen in hoher Konzentration implantiert, um Source-Drain-Bereiche in selbstausrichtender Weise in Bezug auf die Gate-Elektroden 21 und 31 zu bilden. Der Abschnitt, der nicht mit den Störstellen dotiert ist, dient als Kanalbereich.
  • Nach Bildung einer ersten Isolierzwischenschicht 51 und anschließender Bildung von Kontaktlöchern, werden eine Datenleitung sig, eine Drain-Elektrode 22, eine allgemeine Zuleitung com, eine Verlängerung 39 der allgemeinen Zuleitung com und eine Relais-Elektrode 35 gebildet. Dadurch werden ein erster TFT 20, ein zweiter TFT 30 und ein Haltekondensator cap gebildet.
  • Anschließend wird eine zweite Isolierzwischenschicht 52 gebildet und ein Kontaktloch wird an der Position gebildet, die der Relais-Elektrode 35 der Isolierzwischenschicht entspricht. Ein ITO-Film wird auf der gesamten zweiten Isolierzwischenschicht 52 gebildet und strukturiert, und dann wird eine Pixelelektrode 41, die an die Source-Drain-Bereiche des zweiten TFT 30 über das Kontaktloch elektrisch angeschlossen ist, in jedem Pixel 7 gebildet.
  • Ein anorganischer Film (zur Bildung einer unteren Isolierschicht 61) wird an der Vorderseite des zweiten Isolierfilms 52 durch einen PECVD-Prozess gebildet, und dann wird ein Resist (obere Isolierschicht 62) entlang der Abtastleitung gate und der Datenleitung sig gebildet. Der anorganische Film wird durch den Resist als Maske strukturiert, um die untere Isolierschicht 61 zu bilden. Da die untere Isolierschicht dünn ist, tritt keine Überätzung ein, wenn die untere Isolierschicht 61 durch einen solchen Strukturierungsprozess gebildet wird. Daher wird die Pixelelektrode 41 nicht beschädigt.
  • Nach einem solchen Ätzschritt bildet der anorganische Film die untere Isolierschicht 61 entlang der Abtastleitung gate und der Datenleitung sig. Dadurch wird eine doppelschichtige Bankschicht bank gebildet, welche die untere Isolierschicht 61 und die obere Isolierschicht 62 enthält. In diesem Schritt hat der Resistabschnitt, der entlang der Datenleitung sig verbleibt, eine große Breite, so dass die allgemeine Zuleitung com bedeckt ist. Somit ist ein Bereich zur Bildung des organischen Halbleiterfilms 43 in der Leuchtvorrichtung 40 von der Bankschicht bank umgeben.
  • Organische Halbleiterfilme 43, die R, G und B entsprechen, werden durch ein Tintenstrahlverfahren in Bereichen in Matrix gebildet, die von der Bankschicht bank begrenzt ist. Ein flüssiges Material (ein Vorläufer oder eine Abgabelösung) zur Bildung des organischen Halbleiterfilms 43 wird in den inneren Bereich der Bankschicht bank durch einen Tintenstrahlkopf abgegeben und im inneren Bereich der Bankschicht bank fixiert, um den organischen Halbleiterfilm 43 zu bilden. Da die obere Isolierschicht 62 der Bankschicht bank aus einem Resist oder einem Polyimidfilm besteht, hat sie wasserabstoßende Eigenschaften. Im Gegensatz dazu enthält der Vorläufer des organischen Halbleiterfilms 43 eine hydrophile Lösung; somit ist der Bereich zur Bildung des organischen Halbleiterfilms 43 sicher durch die Bankschicht bank definiert. Da die Lösung nicht aus benachbarten Pixeln 7 ausläuft, kann der organische Halbleiterfilm 43 nur in dem vorbestimmten Bereich gebildet werden.
  • Da in diesem Schritt der Vorläufer, der von dem Tintenstrahlkopf abgegeben wird, eine konvexe Oberfläche mit einer Dicke von etwa 2 μm bis 4 μm aufgrund der Oberflächenspannung bildet, muss die Bankschicht eine Dicke von etwa 1 μm bis 3 μm haben. Obwohl der Vorläufer, der von dem Tintenstrahlkopf abgegeben wird, mit der oberen Isolierschicht 62 in diesem Zustand in Kontakt gelangt, wird das Lösemittel in dem Vorläufer durch Wärmebehandlung bei 100 °C bis 150 °C entfernt. Somit wird die Dicke des organischen Halbleiterfilms 43 in dem inneren Bereich der Bankschicht bank in einem Bereich von etwa 0,05 μm bis 0,2 μm fixiert. Der organische Halbleiterfilm 43 ist nicht mehr länger in Kontakt mit der oberen Isolierschicht 62.
  • Wenn die Bankschicht bank eine Höhe von 1 μm oder mehr hat, dient die Bankschicht bank ausreichend als Sperrschicht, selbst wenn die Bankschicht bank keine wasserabstoßenden Eigenschaften hat. Eine solche dicke Bankschicht bank kann den Bereich zur Bildung des organischen Halbleiterfilms 43 definieren, wenn der Film durch ein Beschichtungsverfahren anstelle des Tintenstrahlverfahrens gebildet wird.
  • Danach wird eine Gegenelektrode op auf im Wesentlichen dem gesamten transparenten Substrat 10 gebildet.
  • Gemäß dem Verfahren können organische Halbleiterfilme 43 an vorbestimmten Positionen, die R, G und B entsprechen, durch ein Tintenstrahlverfahren gebildet werden; somit kann eine Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix 1 in voller Farbe mit hoher Produktivität erzeugt werden.
  • Obwohl TFTs auch in der Datenleitungstreiberschaltung 3 und der Abtastleitungstreiberschaltung 4, wie in 1 dargestellt, gebildet sind, können diese TFTs vollständig oder teilweise unter Verwendung der obengenannten Schritte zur Bildung des TFT im Pixel 7 gebildet werden. Somit werden die TFTs in den Treiberschaltungen auch in derselben Zwischenschicht gebildet, in der TFTs für Pixel 7 gebildet sind. Zusätzlich zu dem ersten TFT 20 und dem zweiten TFT 30 sind Kombinationen eines n-Typs und eines n-Typs, eines p-Typs und eines p-Typs, und eines n-Typs und eines p-Typs zulässig. Da alle diese Kombinationen von TFTs durch ein allgemein bekanntes Verfahren erzeugt werden können, wird dessen Beschreibung unterlassen.
  • [Zweite Ausführungsform]
  • 4(A), 4(B) und 4(C) sind Querschnittsansichten einer Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix gemäß dieser Ausführungsform an Position, die der Linie A-A', B-B' beziehungsweise C-C' in 2 entsprechen. Diese Ausführungsform hat eine Grundanordnung, die im Wesentlichen dieselbe wie jene der ersten Ausführungsform ist; somit sind dieselben Symbole denselben Teilen zugeordnet, ohne diese ausführlich zu beschreiben. Da der Bereich zur Bildung der Bankschicht bank in der Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix dieser Ausführungsform derselbe wie in der ersten Ausführungsform ist, wird in der folgenden Beschreibung auch auf 1 und 2 Bezug genommen.
  • Zur Vermeidung der Bildung einer großen parasitären Kapazität in einer Datenleitung sig ist auch in dieser Ausfüh rungsform, wie in 1, 2, 4(A), 4(B) und 4(C) dargestellt, ein Isolierfilm (eine Bankschicht bank, der Bereich, der mit Linien schraffiert ist, die schräg nach links unten verlaufen, oder in schrägen Doppellinien in einem großen Abstand), der dicker als ein organischer Halbleiterfilm 41 ist, entlang der Datenleitung sig und einer Abtastleitung gate bereitgestellt, und eine Gegenelektrode op ist über der Bankschicht bank gebildet.
  • Wie in der ersten Ausführungsform besteht die Bankschicht bank aus einer anorganischen unteren Isolierschicht 61, wie einem Siliziumoxid- oder Siliziumnitridfilm, die dicker als der organische Halbleiterfilm 41 ist, und einem oberen organischen Isolierfilm 62, wie einem Resist oder Polyimidfilm, der auf der unteren Isolierschicht 61 gebildet ist.
  • Wie in 4(A) , 4(B) und 4(C) dargestellt, hat der obere organische Isolierfilm 62 in dieser Ausführungsform eine geringere Breite als der untere anorganische Isolierfilm 61 und ist auf dem inneren Bereich der unteren Isolierschicht 61 gebildet. Zum Beispiel liegt die überlappende Breite der oberen Isolierschicht 62 und der Pixelelektrode 41 in einem Bereich von 1 μm bis 3 μm, und ein Spalt zwischen einer Kante der unteren Isolierschicht 61 und der entsprechenden Kante der oberen Isolierschicht 62 liegt in einem Bereich von 1 μm bis 5 μm Somit hat die Bankschicht bank eine doppelschichtige Anordnung, in der der darunter liegende Isolierfilm 61 und die obere Isolierschicht 62 mit unterschiedlichen Breiten abgeschieden sind. Die obere Isolierschicht 62 ist in einer solchen doppelschichtigen Anordnung aus einem Resist oder einem Polyimidfilm gebildet, der die Bildung eines dicken Films erleichtert, und nur die untere Isolierschicht 61 besteht aus einem anorganischen Material.
  • Das Verfahren, wie ein PECVD-Prozess, zur Bildung des anorganischen Films benötigt keine lange Abscheidungszeit, im Gegensatz zur Bildung einer dicken Bankschicht bank, die vollständig aus einem anorganischen Material besteht. Somit kann die Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix 1 mit hoher Produktivität hergestellt werden. In einer solchen doppelschichtigen Anordnung kommt der organische Halbleiterfilm 43 mit der unteren Isolierschicht 61 in Kontakt, aber nicht mit der oberen Isolierschicht 52. Ferner ist die obere Isolierschicht 62 auf dem inneren Abschnitt der unteren Isolierschicht 61 gebildet, um den Kontakt des organischen Halbleiterfilms 43 mit der oberen Isolierschicht 62 zu vermeiden. Somit verursacht der obere organische Isolierfilm 62 keine Verschlechterung des organischen Halbleiterfilms 41, die zu einer verminderten Leuchteffizienz und verringerten Zuverlässigkeit der Dünnfilmleuchtvorrichtung 40 führen könnte.
  • Die anderen Anordnungen sind dieselben wie in der ersten Ausführungsform. Jedes Pixel 7 ist von der Bankschicht bank umgeben. Organische Halbleiterfilme 43 können durch ein Tintenstrahlverfahren an vorbestimmten Position gebildet werden, die R, G und B entsprechen; somit kann wie in der ersten Ausführungsform eine Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix 1 in voller Farbe mit hoher Produktivität erzeugt werden.
  • Bei der Bildung der Bankschicht bank mit einer solchen Anordnung wird ein anorganischer Film (zur Bildung einer unteren Isolierschicht 61) an der Vorderseite des zweiten Isolierfilms 52 durch einen PECV-Prozess gebildet, die untere Isolierschicht 61 wird entlang der Abtastleitung gate und der Datenleitung sig gebildet, und dann wird ein Resist, der für die Strukturierung verwendet wird, entfernt. Anschließend wird ein Resist oder Polyimidfilm mit einer Dicke, die geringer als jene der unteren Isolierschicht 61 ist, als obere Isolierschicht 62 darauf gebildet. Da die untere Isolierschicht 61 dünn ist, tritt keine Überätzung auf, wenn die untere Isolierschicht 61 durch Strukturieren gebildet wird. Somit wird die Pixelelektrode 41 nicht beschädigt.
  • [Dritte Ausführungsform]
  • Eine Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix 1 in dieser Ausführungsform hat dieselbe Anordnung wie in der zweiten Ausführungsform, aber das Material für die Bankschicht bank ist anders. Somit sind denselben Teilen dieselben Symbole zugeordnet, ohne diese ausführlich zu beschreiben. Wie in der zweiten Ausführungsform wird in der folgenden Beschreibung auch auf 1, 2 und 4 Bezug genommen.
  • Zur Vermeidung der Bildung einer großen parasitären Kapazität in einer Datenleitung sig, wie in 1, 2, 4(A), 4(B) und 4(C) dargestellt, ist ein Isolierfilm (eine Bankschicht bank, der Bereich, der mit Linien schraffiert ist, die schräg nach links unten verlaufen, oder in schrägen Doppellinien in einem großen Abstand), der dicker als ein organischer Halbleiterfilm 41 ist, entlang der Datenleitung sig und einer Abtastleitung gate bereitgestellt, und eine Gegenelektrode op ist über der Bankschicht bank gebildet.
  • Die Bankschicht bank besteht aus einer anorganischen unteren Isolierschicht 61, wie einem Siliziumnitridfilm, die dicker als der organische Halbleiterfilm 41 ist, und einem oberen anorganischen Isolierfilm 62, wie einem Siliziumoxidfilm, die auf der unteren Isolierschicht 61 gebildet ist. Da der organische Halbleiterfilm 43 in einer solchen doppelschichtigen Anordnung nicht mit einem anderen organischen Material in Kontakt kommt, wird er durch die Wirkungen des anderen organischen Materials nicht beeinträchtigt. Somit tritt keine Abnahme in der Leuchteffizienz und Zuverlässigkeit in der Dünnfilmleuchtvorrichtung 40 auf.
  • Der obere organische Isolierfilm 62 hat eine geringere Breite als der untere anorganische Isolierfilm 61 und ist auf dem inneren Bereich der unteren Isolierschicht 61 gebildet. Somit hat die Bankschicht bank eine doppelschich tige Anordnung, in der der darunter liegende Isolierfilm 61 und die obere Isolierschicht 62, die verschiedene Breiten haben, abgeschieden sind.
  • Bei der Bildung der Bankschicht bank mit einer solchen Anordnung werden anorganische Filme (ein Siliziumnitridfilm und ein Siliziumoxidfilm) zur Bildung der unteren Isolierschicht 61 und der oberen Isolierschicht 62 in dieser Reihenfolge gebildet, und die obere Isolierschicht 62 wird strukturiert. Da die untere Isolierschicht 61 als Ätzstoppschicht dient, beschädigt ein leichtes Überätzen die Pixelelektrode 41 nicht. Nach dem Strukturieren wird die untere Isolierschicht 61 strukturiert. Da eine einzelne Schicht der unteren Isolierschicht 61 geätzt wird, wird das Ätzen leicht kontrolliert, und es kommt zu keinem Überätzen, das die Pixelelektrode 41 beschädigen würde.
  • Die anderen Anordnungen sind dieselben wie in der ersten und zweiten Ausführungsform. Jedes Pixel 7 ist daher von der Bankschicht bank umgeben. Organische Halbleiterfilme 43 können durch ein Tintenstrahlverfahren an vorbestimmten Positionen gebildet werden, die R, G und B entsprechen; somit kann wie in der ersten Ausführungsform eine Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix 1 in voller Farbe mit hoher Produktivität erzeugt werden.
  • [Modifizierungen der ersten, zweiten und dritten Ausführungsform]
  • Da die Bankschicht bank entlang der Datenleitung sig und der Abtastleitung gate in den obengenannten Ausführungsformen gebildet wird, begrenzt die Bankschicht bank Pixel 7 in einer Matrix. Die Bankschicht bank kann nur entlang der Datenleitung sig gebildet werden. Organische Halbleiterfilme 43 mit einem gestreiften Muster, entsprechend R, G und B, können durch ein Tintenstrahlverfahren in streifenförmigen Bereichen gebildet werden, die von der Bankschicht bank begrenzt sind; somit kann eine Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix 1 in voller Farbe mit hoher Produktivität erzeugt werden.
  • Obwohl die Ecken, die von der Bankschicht bank begrenzt sind, in den obengenannten Ausführungsformen kantig sind, können sie abgerundet sein, so dass der organische Halbleiterfilm 43 eine abgerundete planare Form hat. Der organische Halbleiterfilm 43 mit einer solchen Form vermeidet die Konzentration des Antriebsstroms an den Ecken und somit können Defekte, wie ein unzureichender Spannungswiderstand, an den Ecken vermieden werden.
  • [Vierte Ausführungsform]
  • Eine Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix 1 in dieser Ausführungsform hat eine Grundanordnung wie in der ersten, zweiten oder dritten Ausführungsform; somit wird für die Beschreibung auf 1 Bezug genommen und denselben Teilen sind dieselben Symbole zugeordnet, ohne ausführlich beschrieben zu werden.
  • 5 ist eine Draufsicht auf ein Pixel aus einer Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix dieser Ausführungsform. 6(A), 6(B) und 6(C) sind Querschnittsansichten entlang der Linie A-A', B-B' beziehungsweise C-C' in 5.
  • Wie in der Folge beschrieben, überlappt eine obere Isolierschicht 62 teilweise eine untere Isolierschicht 61 in dieser Ausführungsform, so dass diese Filme verschiedene Funktionen haben. Wie in 1 dargestellt, sind auch in dieser Ausführungsform eine Vielzahl von Abtastleitungen gate, eine Vielzahl von Datenleitungen sig, die sich senkrecht zu der Verlaufsrichtung der Abtastleitungen gate erstrecken, eine Vielzahl von allgemeinen Zuleitungen com, die parallel zu den Datenleitungen sig gebildet sind, und eine Vielzahl von Pixeln 7, die in einer Matrix durch die Datenleitungen sig und die Abtastleitungen gate gebildet sind, bereitgestellt.
  • In dieser Ausführungsform, wie in 5 und 6 dargestellt, ist eine untere Isolierschicht 61 (ein Bereich, der durch Doppellinien schraffiert ist, die nach links unten schräg verlaufen) so gebildet, dass sie eine Fläche, die den Abschnitt zur Bildung einer Leitungssteuerschaltung 50 in dem Bereich zur Bildung einer Pixelelektrode 41 überlappt, die Datenleitung sig, die allgemeinen Zuleitung com und die Abtastleitung gate bedeckt. Andererseits ist die obere Isolierschicht 62 (ein Bereich, der durch Linien in großem Abstand, die nach links unten schräg verlaufen) nur auf Flächen entlang den Datenleitungen sig in dem Bereich zur Bildung der unteren Isolierschicht 61 gebildet, so dass ein gestreiftes Muster entsteht. Organische Halbleiterfilme 43 sind in den streifenförmigen Flächen gebildet, die durch die obere Isolierschicht 62 begrenzt sind.
  • Wenn die organischen Halbleiterfilme 43 mit dem gestreiften Muster durch ein Tintenstrahlverfahren in einer solchen Anordnung gebildet werden, wird der überlappende Abschnitt der unteren Isolierschicht 61 und der obere Isolierschicht 62 als Bankschicht bank verwendet, um ein Auslaufen der abgegebenen Lösung zu verhindern. In dieser Ausführungsform hat der überlappende Abschnitt der unteren Isolierschicht 61 und der oberen Isolierschicht 62 eine Dicke von 1 μm oder mehr.
  • Da der zweite Isolierfilm 52 und die dicke Bankschicht bank (die untere Isolierschicht 61 und die obere Isolierschicht 62) zwischen den Datenleitungen sig und der Gegenelektrode op in einer solchen Anordnung angeordnet sind, wird die parasitäre Kapazität, die sich in der Datenleitung sig bildet, deutlich verringert. Somit kann die Last auf den Treiberschaltungen 3 und 4 verringert werden, was zu einem geringeren Stromverbrauch und einem verbesserten Anzeigevorgang führt.
  • Obwohl die streifenförmigen organischen Halbleiterfilme 43 gebildet sind, sind eine Fläche, die den Abschnitt zur Bildung einer Leitungssteuerschaltung 50 in dem Bereich zur Bildung der Pixelelektrode 41 überlappt, und eine Abtastleitung gate mit der oberen Isolierschicht 62 bedeckt. Somit trägt der organische Halbleiterfilm 43, der nur auf dem flachen Abschnitt in der Pixelelektrode 41 gebildet ist, zur Lumineszenz bei. Mit anderen Worten, die Dünnfilmleuchtvorrichtung 40 ist nur in dem flachen Abschnitt der Pixelelektrode 41 gebildet. Somit hat der organische Halbleiterfilm 43 eine konstante Dicke und verursacht keine Unregelmäßigkeiten bei der Anzeige und in der Konzentration eines Antriebsstroms. Da die untere Isolierschicht 61 einen Stromfluss in dem Abschnitt hemmt, der nicht zur Anzeige beiträgt, fließt ein nicht zur Verfügung stehender Strom nicht in der allgemeinen Zuleitung com.
  • Wenn der darunter liegende Isolierfilm 61 aus einem anorganischen Material, wie einem Siliziumoxidfilm oder einem Siliziumnitridfilm, gebildet ist, das dicker als der organische Halbleiterfilm 41 ist, und wenn die obere Isolierschicht 62 aus einem organischen Material besteht, wie einem Resist oder einem Polyimidfilm, besteht nur die untere Isolierschicht 61 aus dem anorganischen Material. Somit erfordert das Verfahren, wie ein PECV-Prozess, zur Bildung des anorganischen Films keine lange Abscheidungszeit, im Gegensatz zu dem Verfahren zur Bildung einer dicken Bankschicht bank, die vollständig aus einem anorganischen Material besteht. Somit kann die Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix 1 mit hoher Produktivität erzeugt werden. In einer solchen doppelschichtigen Anordnung kommt der organische Halbleiterfilm 41 mit der unteren Isolierschicht 61, aber nicht mit dem oberen organischen Isolierfilm 62 in Kontakt. Somit bewirkt der obere organische Isolierfilm 62 keine Verschlechterung des organischen Halbleiterfilms 43, die zu einer verminderten Leuchteffizienz und verringerten Zuverlässigkeit der Dünnfilmleuchtvorrichtung 40 führt.
  • Wenn die untere Isolierschicht 61 aus einem anorganischen Material, wie einem Siliziumnitridfilm, besteht, das dicker als der organische Halbleiterfilm 43 ist, und wenn die obere Isolierschicht 62, die auf der unteren Isolierschicht 61 gebildet ist, aus einem anorganischen Material, wie einem Siliziumoxidfilm, besteht, kommt der organische Halbleiterfilm 43 nicht mit einem organischen Material in Kontakt und wird somit nicht durch die Wirkungen des organischen Materials beeinträchtigt. Somit tritt keine Abnahme in der Leuchteffizienz und Zuverlässigkeit in der Dünnfilmleuchtvorrichtung 40 ein. Da der darunter liegende Isolierfilm 61 mit einer geringeren Breite auf dem inneren Bereich der unteren Isolierschicht 61 abgeschieden wird, dient die untere Isolierschicht 61 als Ätzstoppschicht, wenn die obere Isolierschicht 62 strukturiert wird, wie in der dritten Ausführungsform beschrieben ist.
  • [Fünfte Ausführungsform]
  • 7 ist ein schematisches Blockdiagramm einer Gesamtanordnung einer Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix. 8 ist eine Draufsicht auf ein Pixel derselben. 9(A), 9(B) und 9(C) sind Querschnittsansichten entlang der Linie A-A', B-B' beziehungsweise C-C' in 8. Diese Ausführungsform hat eine Grundanordnung, die im Wesentlichen dieselbe wie jene der ersten Ausführungsform ist; somit sind dieselben Symbole denselben Teilen zugeordnet, ohne diese ausführlich zu beschreiben.
  • Auch in dieser Ausführungsform ist ein Isolierfilm (eine Bankschicht bank, der Bereich, der mit Linien schraffiert ist, die schräg nach links verlaufen, oder in schrägen Doppellinien in einem großen Abstand), der dicker als der organische Halbleiterfilm 41 ist, entlang der Datenleitung sig und einer Abtastleitung gate bereitgestellt, und eine Gegenelektrode op ist über der Bankschicht bank gebildet. Da der zweite Isolierfilm 52 und die dicke Bankschicht bank zwischen den Datenleitungen sig und der Gegenelektrode op angeordnet sind, wird die parasitäre Kapazität, die in der Datenleitung sig entsteht, deutlich verringert. Somit kann die Last auf den Treiberschaltungen 3 und 4 verringert werden, was zu einem geringeren elektrischen Stromverbrauch und einem verbesserten Anzeigevorgang führt.
  • Die Bankschicht bank besteht aus einer unteren Isolierschicht 61, die aus einem anorganischen Material, wie einem Siliziumoxidfilm oder einem Siliziumnitridfilm besteht und dicker als der organische Halbleiterfilm 41 ist, und einer oberen Isolierschicht 62, die auf der unteren Isolierschicht 61 gebildet ist und aus einem organischen Material, wie einem Resist oder einem Polyimidfilm, besteht. Zum Beispiel liegen die Dicken des organischen Halbleiterfilms 41, der unteren Isolierschicht 61 und der oberen Isolierschicht 62 im Bereich von 0,05 μm bis 0,2 μm, 0,2 μm bis 1,0 μm beziehungsweise 1 μm bis 2 μm. Somit kommt der organische Halbleiterfilm 41. mit der anorganischen unteren Isolierschicht 61, aber nicht mit der organischen oberen Isolierschicht 62 in Kontakt. Der organische Halbleiterfilm 43 wird daher nicht durch die Wirkungen der organischen oberen Isolierschicht 62 beschädigt, und die Dünnfilmleuchtvorrichtung 40 hat, wie in der ersten Ausführungsform, keine verminderte Leuchteffizienz oder verringerte Zuverlässigkeit.
  • In der Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix 1 mit einer solchen Anordnung ist der organische Halbleiterfilm 41 von der Bankschicht bank umgeben. Somit ist die Gegenelektrode op jedes Pixels 7 an die Gegenelektrode op des benachbarten Pixels 7 über die Bankschicht bank, wie sie ist, angeschlossen. In dieser Ausführungsform ist der Diskontinuitä tenabschnitt off (erster Diskontinuitätenabschnitt) sowohl für die untere Isolierschicht 61 als auch die obere Isolierschicht 62 der Bankschicht bank entlang den Datenleitungen sig zwischen benachbarten Pixeln 7 bereitgestellt. Der Diskontinuitätenabschnitt off (erster Diskontinuitätenabschnitt) ist auch sowohl für die untere Isolierschicht 61 als auch die obere Isolierschicht 62 der Bankschicht bank entlang den Abtastleitungen gate zwischen benachbarten Pixeln 7 bereitgestellt. Ferner ist der Diskontinuitätenabschnitt off (erste Diskontinuitätenabschnitt) sowohl für die untere Isolierschicht 61 als auch die obere Isolierschicht 62 der Bankschicht bank an den Enden jeder Datenleitung sig und jeder Abtastleitung gate bereitgestellt.
  • Da die dicke Bankschicht bank nicht bei jeder Diskontinuität off bereitgestellt ist, hat die Diskontinuität off keine große Stufe und ist flach. Somit verursacht die Gegenelektrode op, die an diesem Abschnitt gebildet ist, keine Trennung. Die Gegenelektroden op benachbarter Pixel 7 sind sicher durch den flachen, stufenlosen Abschnitt der Bankschicht bank verbunden. Daher kann ein dicker Isolierfilm (eine Bankschicht bank) um ein Pixel 7 gebildet werden, um die parasitäre Kapazität zu unterdrücken, ohne die Gegenelektroden op zu trennen, die auf dem dicken Isolierfilm (der Bankschicht bank) gebildet sind.
  • In dem peripheren Bereich des transparenten Substrats 10 (dem äußeren Bereich des Anzeigeabschnitts 11) sind die Datenleitungstreiberschaltung 3 und die Abtastleitungstreiberschaltung 4 mit der Bankschicht bank (dem schraffiert dargestellten Bereich) bedeckt. Somit wird die Gegenelektrode op, die um den Bereich zur Bildung dieser Treiberschaltungen bereitgestellt ist, durch die Bankschicht bank von der Leitungsschicht dieser Treiberschaltungen getrennt. Da die Bildung der parasitären Kapazität in den Treiberschaltungen verhindert werden kann, kann die Last auf den Treiberschaltungen 3 und 4 verringert werden, was zu einem geringeren Stromverbrauch und einem verbesserten Anzeigevorgang führt.
  • Ferner ist eine Diskontinuität off (zweite Diskontinuität) sowohl für die untere Isolierschicht 61 als auch die obere Isolierschicht 62 der Bankschicht bank zwischen dem Bereich zur Bildung der Abtastleitungstreiberschaltung 4 und dem Bereich für die Datenleitungstreiberschaltung 3 bereitgestellt. Die Gegenelektrode op an der Seite des Anzeigeabschnitts 11 und die Gegenelektrode op an der peripheren Seite des Substrats sind durch die Diskontinuität off der Bankschicht bank verbunden, und die Diskontinuität off ist auch ein flacher, stufenloser Abschnitt. Da die Gegenelektrode op, die an der Diskontinuität off gebildet ist, keine Trennung bewirkt, sind die Gegenelektroden op des Anzeigeabschnitts 11 und die Gegenelektrode op des peripheren Abschnitts des Substrats sicher durch die Diskontinuität off der Bankschicht bank verbunden. Somit sind Anschlüsse 12, die an die Gegenelektrode op des peripheren Abschnitts des Substrats angeschlossen sind, sicher an die Gegenelektrode op des Anzeigeabschnitts 11 angeschlossen.
  • Da die Bankschicht bank in dieser Ausführungsform auch in einer Fläche gebildet ist, in der der Bereich zur Bildung der Pixelelektrode 41 die Relais-Elektrode 35 der Leitungssteuerschaltung 50 überlappt, fließt kein nicht zur Verfügung stehender Strom. Daher kann die Breite der allgemeinen Zuleitung com verringert werden.
  • In der Herstellung der Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix 1 mit einer solchen Anordnung wird die Bankschicht bank an der Vorderseite des zweiten Isolierfilms 52 entlang den Abtastleitungen gate und den Datenleitungen sig gebildet, wie in der ersten Ausführungsform. Diskontinuitätenabschnitte off sind an vorbestimmten Positionen der Bankschicht bank gebildet. Die Bankschicht bank, die entlang den Datenleitungen sig gebildet ist, hat eine größere Breite, so dass sie die allgemeine Zuleitung com bedecken kann. Daher ist der Bereich zur Bildung des organischen Halbleiterfilms 43 in der Dünnfilmleuchtvorrichtung 40 von der Bankschicht bank umgeben.
  • Organische Halbleiterfilme 43, die R, G und B entsprechen, werden durch ein Tintenstrahlverfahren in einem Bereich gebildet, der als Matrix von der Bankschicht bank begrenzt ist. Ein flüssiges Material (ein Vorläufer) zur Bildung des organischen Halbleiterfilms 43 wird in den inneren Bereich der Bankschicht bank durch einen Tintenstrahlkopf abgegeben und wird in dem inneren Bereich der Bankschicht bank fixiert, um den organischen Halbleiterfilm 43 zu bilden. Da die obere Isolierschicht 62 der Bankschicht bank aus einem Resist oder einem Polyimidfilm besteht, hat sie wasserabstoßende Eigenschaften. Im Gegensatz dazu enthält der Vorläufer des organischen Halbleiterfilms 43 eine hydrophile Lösung; somit ist der Bereich zur Bildung des organischen Halbleiterfilms 43 sicher durch die Bankschicht bank definiert und die Lösung läuft nicht aus benachbarten Pixeln 7 aus. Da der Diskontinuitätenabschnitt off, der in der Bankschicht bank bereitgestellt ist, die den Bereich zur Bildung des organischen Halbleiterfilms 43 begrenzt, schmal ist, kann der Bereich zur Bildung des organischen Halbleiterfilms 43 sicher durch die Bankschicht bank definiert werden, und die Lösung läuft nicht in benachbarte Pixel 7 aus. Daher kann der organische Halbleiterfilm 43 innerhalb eines vorbestimmten Bereichs gebildet werden.
  • Da der Vorläufer, der von dem Tintenstrahlkopf abgegeben wird, eine konvexe Oberfläche mit einer Dicke von etwa 2 μm bis 4 μm aufgrund der Oberflächenspannung bildet, muss die Bankschicht eine Dicke von etwa 1 μm bis 3 μm haben. Obwohl der Vorläufer, der von dem Tintenstrahlkopf abgegeben wird, mit der oberen Isolierschicht 62 in diesem Zustand in Kontakt gelangt, wird das Lösemittel in dem Vorläufer durch Wärmebehandlung bei 100 °c bis 150 °C entfernt. Somit liegt die Dicke des organischen Halbleiterfilms 43, der in dem inneren Bereich der Bankschicht bank fixiert ist, in einem Bereich von etwa 0,05 μm bis 0,2 μm. Der organische Halbleiterfilm 43 ist nicht mehr länger in Kontakt mit der oberen Isolierschicht 62.
  • Wenn die Bankschicht bank eine Höhe von 1 μm oder mehr hat, dient die Bankschicht bank ausreichend als Sperrschicht, selbst wenn die Bankschicht bank keine wasserabstoßenden Eigenschaften hat. Eine solche dicke Bankschicht bank kann den Bereich zur Bildung des organischen Halbleiterfilms 43 definieren, wenn der Film durch ein Beschichtungsverfahren anstelle des Tintenstrahlverfahrens gebildet wird.
  • [Erste Modifizierung der fünften Ausführungsform]
  • 10 ist ein schematisches Blockdiagramm einer Gesamtanordnung einer Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix. 11 ist eine Draufsicht auf ein Pixel der Vorrichtung. 12(A), 12(B) und 12(C) sind Querschnittsansichten entlang der Linie A-A', B-B' beziehungsweise C-C' in 11. Diese Ausführungsform hat eine Grundanordnung, die im Wesentlichen dieselbe wie jene der ersten Ausführungsform ist; somit sind dieselben Symbole denselben Teilen zugeordnet, ohne diese ausführlich zu beschreiben.
  • Wie in 10, 11, 12(A), 12(B) und 12(C) dargestellt, ist auch in der Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix 1 dieser Ausführungsform ein Isolierfilm (eine Bankschicht bank, der Bereich, der mit Linien schraffiert ist, die schräg nach links unten verlaufen, oder in schrägen Doppellinien in einem großen Abstand), der dicker als ein organischer Halbleiterfilm 43 ist, entlang der Datenleitung sig und einer Abtastleitung gate bereitgestellt, und eine Gegenelektrode op ist über der Bankschicht bank gebildet. Da der zweite Isolierfilm 52 und die dicke Bankschicht bank zwischen den Datenleitungen sig und der Gegenelektrode op angeordnet sind, wird die parasitäre Kapazität, die in der Datenleitung sig entsteht, deutlich verringert. Somit kann die Last auf den Treiberschaltungen 3 und 4 verringert werden, was zu einem geringeren elektrischen Stromverbrauch und einem verbesserten Anzeigevorgang führt.
  • Die Bankschicht bank besteht aus einer unteren Isolierschicht 61, die aus einem anorganischen Material, wie einem Siliziumoxidfilm oder einem Siliziumnitridfilm besteht und dicker als der organische Halbleiterfilm 43 ist, und einer oberen Isolierschicht 62, die auf der unteren Isolierschicht 61 gebildet ist und aus einem organischen Material, wie einem Resist oder einem Polyimidfilm, besteht. Somit kommt der organische Halbleiterfilm 43 mit der anorganischen unteren Isolierschicht 61, aber nicht mit der organischen oberen Isolierschicht 62 in Kontakt. Der organische Halbleiterfilm 43 wird daher nicht durch die Wirkungen der organischen oberen Isolierschicht 62 beschädigt, und die Dünnfilmleuchtvorrichtung 40 hat, wie in der ersten Ausführungsform, keine verminderte Leuchteffizienz oder verringerte Zuverlässigkeit.
  • In dieser Ausführungsform ist die Bankschicht bank entlang der Datenleitung sig und der Abtastleitung gate gebildet und jedes Pixel 7 ist von der Bankschicht bank umgeben. Organische Halbleiterfilme 43 können an vorbestimmten Positionen, die R, G und B entsprechen, durch ein Tintenstrahlverfahren gebildet werden; somit kann eine Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix 1 in voller Farbe mit hoher Produktivität erzeugt werden.
  • Ferner ist ein Diskontinuitätenabschnitt off (erster Diskontinuitätenabschnitt) für die Bankschicht bank entlang der Abtastleitung gate und zwischen benachbarten Pixeln 7 bereitgestellt. Der Diskontinuitätenabschnitt off (erste Diskontinuitätenabschnitt) ist auch für die Bankschicht bank an den Enden jeder Datenleitung sig und jeder Abtast leitung gate bereitgestellt. Ferner ist ein Diskontinuitätenabschnitt off (zweite Diskontinuität) für die Bankschicht bank zwischen dem Bereich zur Bildung der Abtastleitungstreiberschaltung 4 und dem Bereich für die Datenleitungstreiberschaltung 3 bereitgestellt. Somit sind die Gegenelektroden op durch die flachen, stufenlosen Abschnitte (Diskontinuitätenabschnitt off) der Bankschicht bank sicher verbunden und verursachen keine Trennung.
  • [Zweite Modifizierung der fünften Ausführungsform]
  • 13 ist ein schematisches Blockdiagramm einer Gesamtanordnung einer Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix. 14 ist eine Draufsicht auf ein Pixel der Anzeigevorrichtung. 15(A), 15(B) und 15(C) sind Querschnittsansichten entlang der Linie A-A', B-B' beziehungsweise C-C' in 14. Diese Ausführungsform hat eine Grundanordnung, die im Wesentlichen dieselbe wie jene der ersten Ausführungsform ist; somit sind dieselben Symbole denselben Teilen zugeordnet, ohne diese ausführlich zu beschreiben.
  • Wie in 13, 14, 15(A), 15(B) und 15(C) dargestellt, ist auch in der Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix 1 dieser Ausführungsform ein Isolierfilm (eine Bankschicht bank, der Bereich, der mit Linien schraffiert ist, die schräg nach links unten verlaufen, oder in schrägen Doppellinien in einem großen Abstand), der dicker als ein organischer Halbleiterfilm 43 ist, entlang der Datenleitung sig und einer Abtastleitung gate bereitgestellt, und eine Gegenelektrode op ist über der Bankschicht bank gebildet. Da der zweite Isolierfilm 52 und die dicke Bankschicht bank zwischen den Datenleitungen sig und der Gegenelektrode op angeordnet Sind, wird die parasitäre Kapazität, die in der Datenleitung sig entsteht, deutlich verringert. Somit kann die Last auf den Treiberschaltungen 3 und 4 verringert werden, was zu einem geringeren elektrischen Stromverbrauch und einem verbesserten Anzeigevorgang führt.
  • Die Bankschicht bank besteht aus einer unteren Isolierschicht 61, die aus einem anorganischen Material, wie einem Siliziumoxidfilm oder einem Siliziumnitridfilm besteht und dicker als der organische Halbleiterfilm 43 ist, und einer oberen Isolierschicht 62, die auf der unteren Isolierschicht 61 gebildet ist und aus einem organischen Material, wie einem Resist oder einem Polyimidfilm, besteht. Somit kommt der organische Halbleiterfilm 43 mit der anorganischen unteren Isolierschicht 61, aber nicht mit der organischen oberen Isolierschicht 62 in Kontakt. Der organische Halbleiterfilm 43 wird daher nicht durch die Wirkungen der organischen oberen Isolierschicht 62 beschädigt, und die Dünnfilmleuchtvorrichtung 40 hat, wie in der ersten Ausführungsform, weder eine verminderte Leuchteffizienz noch eine verringerte Zuverlässigkeit.
  • In dieser Ausführungsform ist die Bankschicht bank entlang der Datenleitung sig und der Abtastleitung gate gebildet und jedes Pixel 7 ist von der Bankschicht bank umgeben. Organische Halbleiterfilme 43 können an vorbestimmten Positionen, die R, G und B entsprechen, durch ein Tintenstrahlverfahren gebildet werden; somit kann eine Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix 1 in voller Farbe mit hoher Produktivität erzeugt werden.
  • Ferner ist ein Diskontinuitätenabschnitt off (erster Diskontinuitätenabschnitt) für die Bankschicht bank entlang der Datenleitung sig und zwischen benachbarten Pixeln 7 bereitgestellt. Der Diskontinuitätenabschnitt off (erste Diskontinuitätenabschnitt) ist auch für die Bankschicht bank an den Enden jeder Datenleitung sig und jeder Abtastleitung gate bereitgestellt. Ferner ist ein Diskontinuitätenabschnitt off (zweite Diskontinuität) für die Bankschicht bank zwischen dem Bereich zur Bildung der Abtastleitungstreiberschaltung 4 und dem Bereich für die Datenleitungstreiberschaltung 3 bereitgestellt. Somit sind die Gegenelektroden op durch die flachen, stufenlosen Abschnitte (Diskontinuitätenabschnitt off) der Bankschicht bank sicher verbunden und verursachen keine Trennung.
  • [Dritte Modifizierung der fünften Ausführungsform]
  • 16 ist ein schematisches Blockdiagramm einer Gesamtanordnung einer Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix. 17 ist eine Draufsicht auf ein Pixel der Vorrichtung. 18(A), 18(B) und 18(C) sind Querschnittsansichten entlang der Linie A-A', B-B' beziehungsweise C-C' in 17. Diese Ausführungsform hat eine Grundanordnung, die im Wesentlichen dieselbe wie jene der ersten und fünften Ausführungsform ist; somit sind dieselben Symbole denselben Teilen zugeordnet, ohne diese ausführlich zu beschreiben.
  • Wie in 16, 17, 18(A), 18(B) und 18(C) dargestellt, ist auch in der Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix 1 dieser Ausführungsform ein Isolierfilm (eine Bankschicht bank, der Bereich, der mit Linien schraffiert ist, die schräg nach links unten verlaufen, oder in schrägen Doppellinien in einem großen Abstand), der dicker als ein organischer Halbleiterfilm 43 ist, entlang der Datenleitung sig und einer Abtastleitung gate bereitgestellt, und eine Gegenelektrode op ist über der Bankschicht bank gebildet. Da der zweite Isolierfilm 52 und die dicke Bankschicht bank zwischen den Datenleitungen sig und der Gegenelektrode op angeordnet sind, wird die parasitäre Kapazität, die in der Datenleitung sig entsteht, deutlich verringert. Somit kann die Last auf den Treiberschaltungen 3 und 4 verringert werden, was zu einem geringeren elektrischen Stromverbrauch und einem verbesserten Anzeigevorgang führt.
  • Die Bankschicht bank besteht aus einer unteren Isolierschicht 61, die aus einem anorganischen Material, wie einem Siliziumoxidfilm oder einem Siliziumnitridfilm besteht und dicker als der organische Halbleiterfilm 43 ist, und einer oberen Isolierschicht 62, die auf der unteren Isolierschicht 61 gebildet ist und aus einem organischen Material, wie einem Resist oder einem Polyimidfilm, besteht.
  • In dieser Ausführungsform ist die Bankschicht bank entlang der Datenleitung sig und der Abtastleitung gate gebildet und jedes Pixel 7 ist von der Bankschicht bank umgeben. Organische Halbleiterfilme 43 können an vorbestimmten Positionen, die R, G und B entsprechen, durch ein Tintenstrahlverfahren gebildet werden; somit kann eine Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix 1 in voller Farbe mit hoher Produktivität erzeugt werden.
  • Ferner ist ein Diskontinuitätenabschnitt off (erster Diskontinuitätenabschnitt) für die Bankschicht bank entlang der Datenleitung sig und zwischen benachbarten Pixeln 7 bereitgestellt. Der Diskontinuitätenabschnitt off (erste Diskontinuitätenabschnitt) ist auch für die Bankschicht bank an den Enden jeder Datenleitung sig und jeder Abtastleitung gate bereitgestellt. Ferner ist ein Diskontinuitätenabschnitt off (zweite Diskontinuität) für die Bankschicht bank zwischen dem Bereich zur Bildung der Abtastleitungstreiberschaltung 4 und dem Bereich für die Datenleitungstreiberschaltung 3 bereitgestellt.
  • In dieser Ausführungsform jedoch sind diese Diskontinuitätenabschnitte nur für die obere Isolierschicht 62 zwischen der unteren Isolierschicht 61 (einem Bereich der durch Doppelschrägstriche schraffiert ist) und der oberen Isolierschicht 62 (einem Bereich, der durch Linien schraffiert ist, die schräg nach links unten verlaufen) der Bankschicht bank bereitgestellt und somit ist die untere Isolierschicht 61 an dem Diskontinuitätenabschnitt off gebildet.
  • In einer solchen Anordnung ist nur die dünne untere Isolierschicht 61 an dem Diskontinuitätenabschnitt off bereitgestellt; somit können die Gegenelektroden op durch die Diskontinuitätenabschnitte off sicher und ohne Trennung miteinander verbunden werden.
  • Obwohl die untere Isolierschicht 61 in dieser Ausführungsform für den ersten und zweiten Diskontinuitätenabschnitt gebildet ist, ist die vorliegende Erfindung nicht auf diese Ausführungsform beschränkt. Die untere Isolierschicht 61 kann entweder für den ersten Diskontinuitätenabschnitt oder die zweite Diskontinuität gebildet sein. Die Anordnung dieser Ausführungsform, in der die untere Isolierschicht 61 an dem Diskontinuitätenabschnitt gebildet ist, kann bei der Bankschicht bank angewendet werden, die ein Muster wie in einer anderen Ausführungsform beschrieben aufweist.
  • [Sechste Ausführungsform]
  • 19 ist ein schematisches Blockdiagramm einer Gesamtanordnung einer Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix. 20 ist eine Draufsicht auf ein Pixel der Vorrichtung. 21(A), 21(B) und 21(C) sind Querschnittsansichten entlang der Linie A-A', B-B' beziehungsweise C-C' in 20. Diese Ausführungsform hat eine Grundanordnung, die im Wesentlichen dieselbe wie jene der ersten und fünften Ausführungsform ist; somit sind dieselben Symbole denselben Teilen zugeordnet, ohne diese ausführlich zu beschreiben.
  • Wie in 19, 20, 21(A), 21(B) und 21(C) dargestellt, ist auch in der Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix 1 dieser Ausführungsform ein Isolierfilm (eine Bankschicht bank, der Bereich, der mit Linien schraffiert ist, die schräg nach links unten verlaufen, oder in schrägen Doppellinien in einem großen Abstand), der dicker als ein organischer Halbleiterfilm 43 ist, entlang der Datenleitung sig und einer Abtastleitung gate bereitgestellt, und eine Gegenelektrode op ist über der Bankschicht bank gebildet. Da der zweite Isolierfilm 52 und die dicke Bankschicht bank zwischen den Datenleitungen sig und der Gegenelektrode op angeordnet sind, wird die parasitäre Kapazität, die in der Datenleitung sig entsteht, deutlich verringert. Somit kann die Last auf den Treiberschaltungen 3 und 4 verringert werden, was zu einem geringeren elektrischen Stromverbrauch und einem verbesserten Anzeigevorgang führt.
  • Die Bankschicht bank besteht aus einer unteren Isolierschicht 61, die aus einem anorganischen Material, wie einem Siliziumoxidfilm oder einem Siliziumnitridfilm besteht und dicker als der organische Halbleiterfilm 43 ist, und einer oberen Isolierschicht 62, die auf der unteren Isolierschicht 61 gebildet ist und aus einem organischen Material, wie einem Resist oder einem Polyimidfilm, besteht. Somit kommt der organische Halbleiterfilm 43 mit der anorganischen unteren Isolierschicht 61, aber nicht mit der organischen oberen Isolierschicht 62 in Kontakt. Der organische Halbleiterfilm 43 wird daher nicht durch die Wirkungen der organischen oberen Isolierschicht 62 beschädigt, und die Dünnfilmleuchtvorrichtung 40 hat, wie in der ersten Ausführungsform, weder eine verminderte Leuchteffizienz noch eine verringerte Zuverlässigkeit.
  • Da in dieser Ausführungsform die Bankschicht bank entlang der Datenleitung sig gebildet ist, kann ein organischer Halbleiterfilm 43 mit einem gestreiften Muster, entsprechend R, G und B, durch ein Tintenstrahlverfahren in streifenförmigen Bereichen gebildet werden, die durch die Bankschicht bank begrenzt sind; somit kann eine Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix 1 in voller Farbe mit hoher Produktivität erzeugt werden.
  • Zusätzlich ist ein Diskontinuitätenabschnitt off (erster Diskontinuitätenabschnit) sowohl für die untere Isolierschicht 61 als auch die obere Isolierschicht 62 der Bankschicht bank entlang den Datenleitungen sig an den Enden jeder Datenleitung sig bereitgestellt. Somit ist die Gegenelektrode op jedes Pixels 7 an die Gegenelektrode op des benachbarten Pixels 7 über die dicke Bankschicht bank in Richtung der Abtastleitung gate angeschlossen. In die Richtung der Datenleitung sig jedoch ist die Gegenelektrode op jedes Pixels 7 an die Gegenelektrode op des benachbarten Pixels 7 an der Diskontinuität off (dem flachen, stufenlosen Abschnitt aufgrund der Bankschicht bank) an den Enden der Datenleitung sig angeschlossen. Da die Gegenelektrode op jedes Pixels 7 an die Gegenelektrode op des benachbarten Pixels 7 an dem flachen, stufenlosen Abschnitt aufgrund der Bankschicht bank angeschlossen ist, verursacht die Gegenelektrode op jedes Pixels 7 keine Trennung.
  • Im peripheren Bereich des transparenten Substrats 10 (dem äußeren Bereich des Anzeigeabschnitts 11) sind die Datenleitungstreiberschaltung 3 und die Abtastleitungstreiberschaltung 4 mit der Bankschicht bank bedeckt. Somit ist die Gegenelektrode op, die über dem Bereich zur Bildung dieser Treiberschaltungen bereitgestellt ist, durch die Bankschicht bank von der Leiterschicht dieser Treiberschaltungen getrennt. Da eine Entstehung der parasitären Kapazität in den Treiberschaltungen verhindert werden kann, kann die Last auf den Treiberschaltungen 3 und 4 verringert werden, was zu einem geringeren Stromverbrauch und einem verbesserten Anzeigevorgang führt.
  • Ferner hat die Bankschicht bank, die über der Abtastleitungstreiberschaltung 4 und der Datenleitungstreiberschaltung 3 gebildet ist, eine Diskontinuität off (eine zweite Diskontinuität) zwischen dem Bereich zur Bildung der Abtastleitungstreiberschaltung 4 und dem Bereich für die Datenleitungstreiberschaltung 3. Die Gegenelektroden sind durch den flachen, stufenlosen Abschnitt aufgrund der Bankschicht bank (der Diskontinuität off) ohne Trennung sicher verbunden.
  • [Andere Ausführungsformen]
  • Wie in der dritten Modifizierung der fünften Ausführungsform beschrieben, kann die Anordnung, in der nur die obere Isolierschicht 62 einen Diskontinuitätenabschnitt off der Bankschicht bank hat, auch bei der sechsten Ausführungsform angewendet werden.
  • Wie in der fünften und sechsten Ausführungsform beschrieben, ist das Konzept zur Bereitstellung des Diskontinuitätenabschnitts off in der Bankschicht bank zur Vermeidung einer Trennung der Gegenelektroden op auch bei einer Bankschicht bank anwendbar, die aus einem anorganischen Material besteht, wie in der dritten Ausführungsform beschrieben ist.
  • Industrielle Anwendbarkeit
  • Wie zuvor beschrieben, besteht in der Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix gemäß der vorliegenden Erfindung der Isolierfilm, der so gebildet ist, dass er den Bereich zur Bildung des organischen Halbleiterfilms umgibt, aus einer unteren Isolierschicht, die aus einem anorganischen Material besteht und dicker als der organische Halbleiterfilm, und einer oberen Isolierschicht, die darauf gebildet ist und aus einem organischen Material besteht. Da ein dicker Isolierfilm zwischen der Datenleitung und der Gegenelektrode angeordnet ist, kann eine die Bildung einer parasitären Kapazität verhindert werden. Somit kann die Last auf der Datenleitungstreiberschaltung verringert werden, was zu einem geringeren Stromverbrauch und einem verbesserten Anzeigevorgang führt. In der vorliegenden Erfindung ist nur die untere Isolierschicht, die mit dem organischen Halbleiterfilm der Dünnfilmleuchtvorrichtung in Kontakt steht, aus einem anorganischen Material gebildet, und die obere Isolierschicht, die darauf gebildet ist, besteht aus einem organischen Material, was die Bildung eines dicken Films erleichtert. Somit hat das Verfahren hohe Produktivität. Die obere Isolierschicht kommt mit dem organischen Halblei terfilm nicht in Kontakt, aber die untere Isolierschicht, die aus einem anorganischen Material besteht, kommt mit dem organischen Halbleiterfilm in Kontakt; somit wird der organische Halbleiterfilm vor einer Beeinträchtigung geschützt, die durch die obere Isolierschicht verursacht wird. Daher hat die Dünnfilmleuchtvorrichtung keine verminderte Leuchteffizienz oder Zuverlässigkeit.
  • Wenn die obere Isolierschicht in einem inneren Bereich der unteren Isolierschicht abgeschieden wird, so dass sie eine geringere Breite als die obere Isolierschicht hat, wird ein Kontakt der oberen Isolierschicht, die aus einem organischen Material besteht, mit dem organischen Halbleiterfilm sicherer verhindert.
  • In einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung besteht der Isolierfilm, der so gebildet ist, dass er den Bereich zur Bildung des organischen Halbleiterfilms umgibt, aus einer unteren Isolierschicht, die aus einem anorganischen Material besteht, und einer oberen Isolierschicht, die auf einem inneren Bereich der unteren Isolierschicht gebildet ist und eine geringere Breite als die untere Isolierschicht hat. Somit kann der dicke Isolierfilm, der zwischen der Datenleitung und der Gegenelektrode angeordnet ist, die Bildung einer parasitären Kapazität in der Datenleitung verhindern. Somit kann die Last auf der Datenleitungstreiberschaltung verringert werden, was zu einem geringeren Stromverbrauch und einem verbesserten Anzeigevorgang führt. Wenn ein unterer anorganischer Isolierfilm und ein oberer anorganischer Isolierfilm gebildet werden und wenn die obere Isolierschicht strukturiert wird, dient die untere Isolierschicht als Ätzstoppschicht. Somit tritt keine Überätzung ein, die die Pixelelektrode beschädigen würde. Nach dem Strukturieren der oberen Isolierschicht wird nur eine einzelne Schicht der unteren Isolierschicht in der folgenden Strukturierung geätzt. Somit wird der Ätz vorgang leicht gesteuert und ein Überätzen, das die Pixelelektrode beschädigen würde, tritt nicht ein.
    • 1
    Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix
    2
    Anzeigeabschnitt
    3
    Datenleitungstreiberschaltung
    4
    Abtastleitungstreiberschaltung
    7
    Pixel
    10
    Transparentes Substrat
    12
    Anschluss
    20
    Erster TFT
    21
    Gate-Elektrode des ersten TFT
    30
    Zweiter TFT
    31
    Gate-Elektrode des zweiten TFT
    40
    Leuchtvorrichtung
    41
    Pixelelektrode
    43
    Organisches Halbleitermaterial
    61
    Untere Isolierschicht
    62
    Obere Isolierschicht
    bank
    Bankschicht (Isolierfilm)
    cap
    Haltekondensator
    com
    Allgemeine Zuleitung
    gate
    Abtastleitung
    op
    Gegenelektrode
    off
    Diskontinuität der Bankschicht
    sig
    Datenleitung

Claims (19)

  1. Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix (1), umfassend einen Anzeigebereich mit einer Vielzahl von Abtastleitungen auf einem Substrat (10), einer Vielzahl von Datenleitungen, die sich in die Richtung senkrecht zu der Richtung der Abtastleitungen erstrecken, und einer Vielzahl von Pixeln (7), die in einer Matrix angeordnet sind, die durch die Datenleitungen und die Abtastleitungen begrenzt ist; wobei jedes der Pixel (7) mit einer Dünnfilmleuchtvorrichtung (40) versehen ist, die eine Leitungssteuerschaltung (50) aufweist, die einen Dünnfilmtransistor (20) zum Zuleiten eines Abtastsignals zu einer Gate-Elektrode (21) durch eine der Abtastleitungen enthält, sowie eine Pixelelektrode (41), einen organischen Halbleiterfilm (43), der über der Pixelelektrode (41) abgeschieden ist, und eine Gegenelektrode, die über dem organischen Halbleiterfilm (43) abgeschieden ist; wobei die Dünnfilmleuchtvorrichtung (40) Licht auf der Basis eines Bildsignals ausstrahlt, das von der Datenleitung durch die Leitungssteuerschaltung (50) zugeleitet wird; dadurch gekennzeichnet, dass der Bereich zur Bildung des organischen Halbleiterfilms (43) durch einen Isolierfilm geteilt ist, der dicker als der organische Halbleiterfilm (43) ist; und der Isolierfilm eine untere Isolierschicht umfasst, die aus einem anorganischen Material gebildet und dicker als der organische Halbleiterfilm (43) ist, und eine obere Isolierschicht, die auf der unteren Isolierschicht abgeschieden und aus einem organischen Material gebildet ist.
  2. Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix (1) nach Anspruch 1, wobei die obere Isolierschicht in einem inneren Bereich der unteren Isolierschicht so abgeschieden ist, dass sie eine geringere Breite als die untere Isolierschicht hat.
  3. Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix, umfassend einen Anzeigebereich mit einer Vielzahl von Abtastleitungen auf einem Substrat, einer Vielzahl von Datenleitungen, die sich in die Richtung senkrecht zu der Richtung der Abtastleitungen erstrecken, und einer Vielzahl von Pixeln, die in einer Matrix angeordnet sind, die durch die Datenleitungen und die Abtastleitungen begrenzt ist; wobei jedes der Pixel mit einer Dünnfilmleuchtvorrichtung versehen ist, die eine Leitungssteuerschaltung aufweist, die einen Dünnfilmtransistor zum Zuleiten eines Abtastsignals zu einer Gate-Elektrode durch eine der Abtastleitungen enthält, sowie eine Pixelelektrode, einen organischen Halbleiterfilm, der über der Pixelelektrode abgeschieden ist, und eine Gegenelektrode, die über dem organischen Halbleiterfilm abgeschieden ist; wobei die Dünnfilmleuchtvorrichtung Licht auf der Basis eines Bildsignals ausstrahlt, das von der Datenleitung durch die Leitungssteuerschaltung zugeleitet wird; wobei der Bereich zur Bildung des organischen Halbleiterfilms durch einen Isolierfilm geteilt ist, der dicker als der organische Halbleiterfilm ist; und der Isolierfilm eine untere Isolierschicht umfasst, die aus einem anorganischen Material besteht, und eine obere Isolierschicht, die aus einem anorganischen Material besteht, die eine geringere Breite als die untere Isolierschicht hat.
  4. Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Leitungssteuerschaltung mit einem ersten TFT zum Zuleiten des Abtastsignals zu der Gate-Elektrode versehen ist, sowie mit einem zweiten TFT, dessen Gate-Elektrode durch den ersten TFT an die Datenleitung angeschlossen ist; und der zweite TFT und die Dünnfilmleuchtvorrichtung in Serie zwischen einer allgemeinen Zuleitung, die zusätzlich zu der Datenleitung und der Abtastleitung zum Zuleiten eines Antriebsstroms ausgebildet ist, und der Gegenelektrode angeschlossen sind.
  5. Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der Isolierfilm als Bankschicht verwendet wird, die ein Auslaufen einer abgegebenen Lösung verhindert, wenn der organische Halbleiterfilm durch ein Tintenstrahlverfahren in einem Bereich gebildet wird, der durch den Isolierfilm begrenzt ist.
  6. Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix nach Anspruch 5, wobei der Isolierfilm eine Dicke von 1 μm oder mehr hat.
  7. Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei ein Bereich, der die Fläche zur Bildung der Leitungssteuerschaltung in dem Bereich zur Bildung der Pixelelektrode überlappt, mit dem Isolierfilm bedeckt ist.
  8. Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Ecken, die durch den Isolierfilm begrenzt sind, abgerundet sind.
  9. Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die untere Isolierschicht des Isolierfilms so gebildet ist, dass sie die Fläche zur Bildung der Leitungssteuerschaltung in dem Bereich zur Bildung der Pixelelektrode, der Datenleitung, der all gemeinen Zuleitung und der Abtastleitung überlappt, während die obere Isolierschicht so gebildet ist, dass sie ein gestreiftes Muster entlang der Datenleitung bildet; und der organische Halbleiterfilm in dem Bereich gebildet ist, der durch das gestreifte Muster der oberen Isolierschicht begrenzt ist.
  10. Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix nach Anspruch 9, wobei der überlappende Abschnitt, in dem die untere Isolierschicht die obere Isolierschicht überlappt, als Bankschicht verwendet wird, die ein Auslaufen einer abgegebenen Lösung verhindert, wenn der leuchtende Dünnfilm durch ein Tintenstrahlverfahren gebildet wird.
  11. Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix nach Anspruch 10, wobei der überlappende Abschnitt der unteren Isolierschicht und der oberen Isolierschicht eine Dicke von 1 μm oder mehr hat.
  12. Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei der Isolierfilm. einen ersten Diskontinuitätenabschnitt aufweist, so dass Gegenelektroden benachbarter Pixel an flachen Abschnitten miteinander verbunden sind, die durch den ersten Diskontinuitätenabschnitt gebildet sind.
  13. Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix nach Anspruch 12, wobei der Isolierfilm entlang der Datenleitung und der Abtastleitung so gebildet ist, dass er den Bereich zur Bildung des organischen Halbleiterfilms umgibt, und der erste Diskontinuitätenabschnitt zwischen den benachbarten Pixeln in die Richtung der verlängerten Datenleitung und die Richtung der verlängerten Abtastleitung gebildet ist.
  14. Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix nach Anspruch 12, wobei der Isolierfilm entlang der Datenleitung und der Abtastleitung so gebildet ist, dass er den Bereich zur Bildung des organischen Halbleiterfilms umgibt, und der erste Diskontinuitätenabschnitt zwischen den benachbarten Pixeln in die Richtung der verlängerten Abtastleitung gebildet ist.
  15. Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix nach Anspruch 12, wobei der Isolierfilm entlang der Datenleitung und der Abtastleitung so gebildet ist, dass er den Bereich zur Bildung des organischen Halbleiterfilms umgibt, und der erste Diskontinuitätenabschnitt zwischen den benachbarten Pixeln in die Richtung der verlängerten Datenleitung gebildet ist.
  16. Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix nach Anspruch 12, wobei sich der Isolierfilm in einem gestreiften Muster entlang der Datenleitung erstreckt und die erste Diskontinuität auf mindestens einem Ende der Verlaufsrichtung gebildet ist.
  17. Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix nach Anspruch 12, wobei die Peripherie des Anzeigeabschnitts mit einer Datenleitungstreiberschaltung zum Zuleiten von Datensignalen durch die Datenleitungen versehen ist, und einer Abtastleitungstreiberschaltung zum Zuleiten von Abtastsignalen durch die Abtastleitungen, der Isolierfilm auch über der Abtastleitungstreiberschaltung und der Datenleitungstreiberschaltung gebildet ist, und der Isolierfilm eine zweite Diskontinuität an einer Position zwischen dem Bereich zum Bilden der Abtastleitungstreiberschaltung und dem Bereich zum Bilden der Datenleitungstreiberschaltung aufweist, so dass die Gegenelektroden an dem Anzeigeabschnitt und an dem peripheren Abschnitt des Substrats durch den flachen Abschnitt verbunden sind, der keine Stufe aufweist, die durch den Isolierfilm gebildet wird.
  18. Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix nach einem der Ansprüche 12 bis 17, wobei sowohl die untere Isolierschicht als auch die obere Isolierschicht den Diskontinuitätenabschnitt haben.
  19. Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix nach einem der Ansprüche 12 bis 17, wobei nur die obere Isolierschicht zwischen der unteren Isolierschicht und der oberen Isolierschicht den Diskontinuitätenabschnitt haben kann.
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