DE69838304T2

DE69838304T2 - Verfahren zur Herstellung von stromgesteuerten lichtemittierenden Anzeigen mit Kontakt-Loch

Info

Publication number: DE69838304T2
Application number: DE69838304T
Authority: DE
Inventors: Mutsumi c/o Seiko Epson Co Kimura; Tomoyuki Seiko Epson Corporati Itoh
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1997-02-17
Filing date: 1998-02-17
Publication date: 2008-05-15
Anticipated expiration: 2018-02-18
Also published as: EP1363265B1; EP1619654B1; US20030231273A1; EP0917127A4; US20090072758A1; CN1625313A; EP0917127A1; DE69838110T2; TW200307894A; US20020196206A1; EP1363265A2; TWI247443B; TWM301492U; EP1619654A1; CN100440569C; WO1998036406A1; EP1337131A3; KR20050101229A; DE69819662D1; KR100533455B1

Description

Technisches Gebiet
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Anzeigevorrichtung, in der Strom-Lumineszenzvorrichtungen, wie z. B. organische Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtungen (im Folgenden mit "EL-Anzeigevorrichtungen" bezeichnet) unter Verwendung von Dünnschichttransistoren angesteuert werden. Genauer bezieht sich die Erfindung auf eine stromgesteuerte lichtemittierende Anzeigevorrichtung, die mittels Dünnschichttransistoren angesteuert wird, womit die Unterdrückung einer Verschlechterung im Zeitverlauf verwirklicht wird, und auf ein Verfahren zur Herstellung derselben.
Stand der Technik
Der Erfinder dieser Erfindung hat organische EL-Anzeigevorrichtungen, die mittels Dünnschichttransistoren angesteuert werden, genau untersucht und folgende Tatsachen festgestellt.

(1) In einer organischen EL-Anzeigevorrichtung, die mittels Dünnschichttransistoren angesteuert wird, fließt der Gleichstrom auch durch die Dünnschichttransistoren, die in Serie mit der EL-Vorrichtung verbunden sind, um diese zu steuern, da die organische EL-Anzeigevorrichtung eine Gleichstromvorrichtung ist.
(2) Dünnschichttransistoren sind klassifiziert in einen N-Kanal-Typ und einen P-Kanal-Typ. Diese Typen unterscheiden sich stark in der Art, in der eine Verschlechterung im Zeitverlauf stattfindet.

Es ist dementsprechend eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die Verschlechterung der Dünnschichttransistoren im Zeitverlauf in einer Strom-Lumineszenzvorrichtung, die mittels Dünnschichttransistoren angesteuert wird, zu unterdrücken.
Überblick über die Erfindung

(1) Bei der vorliegenden Erfindung, wie in Anspruch 1 definiert, wird eine stromgesteuerte, Licht emittierende Vorrichtung bereitgestellt, umfassend eine Mehrzahl von Abtastleitungen und eine Mehrzahl von Datenleitungen, wobei Dünnschichttransistoren und Strom-Lumineszenz-Vorrichtungen in Positionen ausgebildet sind, welche jeder der Schnittpunkte der Abtastleitungen und der Datenleitungen entsprechen, wobei wenigstens einer der Dünnschichttransistoren ein Dünnschichttransistor vom P-Kanal-Typ ist. Gemäß Anspruch 1 ist es möglich, die Verschlechterung mit dem Zeitverlauf eines Dünnschichttransistors zu unterdrücken.
(2) Bei der vorliegenden Erfindung, wie in Anspruch 2 erwähnt, wird eine stromgesteuerte, Licht emittierende Vorrichtung bereitgestellt, wobei eine Mehrzahl von Abtastleitungen, eine Mehrzahl von Datenleitungen, gemeinsame Elektroden und gegenüberliegende Elektroden gebildet sind, wobei erste Dünnschichttransistoren in Positionen gebildet sind, welche den Schnittpunkten der Abtastleitungen und der Datenleitungen entsprechen, und mit zweiten Dünnschichttransistoren, Haltekondensatoren, Pixelelektroden, und einem Strom-lumineszenten Element s, wobei die ersten Dünnschichttransistoren die Leitfähigkeit zwischen den Datenleitungen und den Haltekondensatoren über die Potenziale der Abtastleitungen steuern/regeln, und die zweiten Dünnschichttransistoren die Leitfähigkeit zwischen den gemeinsamen Elektroden und den Pixelelektroden über die Potenziale der Haltekondensatoren steuern/regeln, um dadurch den Strom zu steuern/regeln, welcher durch die Strom-Lumineszenzelemente fließt, die zwischen den Pixelelektroden und den gegenüberliegenden Elektroden vorgesehen sind, wobei die zweiten Dünnschichttransistoren Dünnschichttransistoren vom P-Kanal-Typ sind.
(3) Bei der vorliegenden Erfindung, wie in Anspruch 3 erwähnt, wird eine stromgesteuerte, Licht emittierende Anzeigevorrichtung genäß Anspruch 1 oder Anspruch 2 bereitgestellt, ferner umfassend eine Ansteuerschaltung zum Ansteuern des Strom-Lumineszenzelements, wobei die Ansteuerschaltung die Mehrzahl von Abtastleitungen, die Mehrzahl von Datenleitungen, die Dünnschichttransistoren und die Strom-Lumineszenzelemente umfasst, welche auf dem Substrat zusammen als Lumineszenzvorrichtung aufgebracht werden, wobei die Dünnschichttransistoren vom P-Kanal-Typ im gleichen Prozessschritt gebildet werden wie die Dünnschichttransistoren in den Ansteuerschaltungen.
(4) Bei der stromgesteuerten, Licht emittierenden Anzeigevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3 sind die Dünnschichttransistoren Polysilicium-Dünnschichttransistoren.
(5) Die Erfindung, wie in Anspruch 5 erwähnt, stellt eine stromgesteuerte, Licht emittierende Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 3 bereit, wobei die Ansteuerschaltungen Dünnschichttransistoren vom komplementären Typ umfassen, wobei die ersten Dünnschichttransistoren im gleichen Prozessschritt gebildet werden, wie Dünnschichttransistoren vom N-Kanal-Typ in den Ansteuerschaltungen, und die zweiten Dünnschichttransistoren im gleichen Prozessschritt gebildet werden, wie die Dünnschichttransistor vom P-Kanal-Typ in den Ansteuerschaltungen.

Gemäß Anspruch 5 ist es möglich, eine stromgesteuerte, Licht emittierende Anzeigevorrichtung bereitzustellen, welche eine hohe Leistungsfähigkeit ohne eine Verschlechterung im Zeitverlauf aufweist, ohne dass die Anzahl der Prozessschritte zum Herstellen der Vorrichtung erhöht wird.
Kurzbeschreibung der Zeichnungen
1 ist ein Blockschaltbild der Grundstruktur einer Anzeige, auf die die vorliegende Erfindung angewendet wird;
2 ist ein Äquivalenzschaltbild einer Anzeigevorrichtung, die mit Dünnschichttransistoren ausgestattet ist, gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
3 ist ein Ansteuerspannungsdiagramm der Anzeigevorrichtung, die mit Dünnschichttransistoren ausgestattet ist, gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung;
4 ist ein Strom-Spannung-Kennliniendiagramm eines Strom-Dünnschichttransistors gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung;
5 ist ein Strom-Spannung-Kennliniendiagramm einer organischen EL-Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung;
6(a) ist eine Schnittansicht einer organischen EL-Anzeigevorrichtung, die mit Dünnschichttransistoren ausgestattet ist, gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung, während 6(b) eine Draufsicht einer organischen EL-Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung ist;
7 ist ein Äquivalenzschaltbild einer organischen EL-Anzeigevorrichtung, die mit Dünnschichttransistoren ausgestattet ist, die in einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet wird;
8 ist ein Ansteuerspannungsdiagramm einer organischen EL-Anzeigevorrichtung, die mit Dünnschichttransistoren ausgestattet ist, gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
9 ist ein Strom-Spannung-Kennliniendiagramm eines Strom-Dünnschichttransistors gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
10 ist ein Strom-Spannung-Kennliniendiagramm einer organischen EL-Anzeigevorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
11(a) ist eine Schnittansicht einer organischen EL-Anzeigevorrichtung, die mit Dünnschichttransistoren ausgestattet ist, gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, während 11(b) eine Draufsicht einer organischen EL-Anzeigevorrichtung ist, die mit Dünnschichttransistoren ausgestattet ist, gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
12 ist ein Diagramm, das die Verschlechterung eines N-Kanal-Typ Dünnschichttransistors im Zeitverlauf zeigt;
13 ist ein Diagramm, das die Verschlechterung eines P-Kanal-Typ Dünnschichttransistors im Zeitverlauf zeigt; und
14 ist ein Flussdiagramm des Prozesses zur Herstellung einer dünnschichttransistor-gesteuerten organischen EL-Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung.
Bester Modus zur Ausführung der Erfindung
(Die allgemeine Struktur einer organischen EL-Anzeigevorrichtung)
Im folgenden werden mit Bezug auf die Zeichnungen bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben.
Wie in 1 gezeigt ist, bildet der Zentralbereich eines Substrats 1 einen Anzeigeteil. Im Außenumfang des transparenten Substrats 1 ist an der Oberseite der Zeichnung eine Datenseite-Ansteuerschaltung 3 angeordnet, die Bildsignale an Datenleitungen 112 ausgibt, während an der linken Seite der Zeichnung eine Abtastseite-Ansteuerschaltung 4 angeordnet ist, die Abtast signale an Abtastleitungen 111 ausgibt. In diesen Ansteuerschaltungen 3 und 4 bilden N-Typ-Dünnschichttransistoren und P-Typ-Dünnschichttransistoren TFTs des komplementären Typs. Diese Dünnschichttransistoren des komplementären Typs sind in Schieberegisterschaltungen, Pegelschiebeschaltungen, Analogschalterschaltungen und dergleichen enthalten.
Auf dem transparenten Substrat 1 sind mehrere Abtastleitungen 111 und mehrere Datenleitungen 112, die in einer Richtung senkrecht zu der Richtung verlaufen, in der die Abtastleitungen verlaufen, angeordnet. Die Schnittpunkte dieser Datenleitungen 112 und Abtastleitungen 111 bilden Pixel 7 in Form einer Matrix.
In jedem dieser Pixel 7 ist ein erster Dünnschichttransistor 121 (im Folgenden als "schaltender Dünnschichttransistor" bezeichnet) angeordnet, über welchem Abtastsignale über die Abtastleitung 111 einer Gate-Elektrode (einer ersten Gate-Elektrode) zugeführt werden. Ein Ende des Source/Drain-Bereiches des schaltenden Dünnschichttransistors 121 ist mit einer Datenleitung 112 elektrisch verbunden, während das andere Ende des Source/Drain-Bereiches mit einer Potenzialhalteelektrode 113 elektrisch verbunden ist. Außerdem ist eine Masseleitung 114 parallel zu den Datenleitungen 112 angeordnet. Der Haltekondensator 123 ist zwischen der Masseleitung 114 und der Potenzialhalteelektrode 113 ausgebildet. Die Masseleitung wird auf einem geregelten Potenzial gehalten. Wenn dementsprechend der schaltende Dünnschichttransistor 121 durch die Auswahl durch ein Abtastsignal eingeschaltet wird, wird das Bildsignal von der Datenleitung 112 über den schaltenden Dünnschichttransistor in den Haltekondensator 123 geschrieben.
Die Potenzialhalteelektrode 113 ist mit der Gate-Elektrode des zweiten Dünnschichttransistors 122 (im Folgenden als "Strom-Dünnschichttransistor" bezeichnet) elektrisch verbunden. Das eine Ende des Source/Drain-Bereiches des Strom-Dünnschichttransistors 122 ist mit einer Masseleitung 114 elektrisch verbunden, während das andere Ende des Source/Drain-Berei ches mit einer Elektrode 115 eines Lumineszenzelements 131 elektrisch verbunden ist. Wenn der Strom-Dünnschichttransistor 122 eingeschaltet ist, fließt der Strom der Masseleitung 114 zum Lumineszenzelement 131, wie z. B. einer organischen EL-Anzeigevorrichtung, durch den Strom-Dünnschichttransistor 122, so dass das Lumineszenzelement 131 Licht emittiert. Obwohl in dieser Anordnung ferner eine Elektrode des Haltekondensators mit einer Masseleitung 114 verbunden ist, ist es auch möglich, dass diese mit einer Kapazitätsleitung verbunden ist, die separat vorgesehen ist, anstatt mit der Masseleitung 114 verbunden zu sein. Alternativ kann eine Elektrode des Haltekondensators mit einer benachbarten Gate-Leitung verbunden sein.
(Erste Ausführungsform)
2 ist ein Äquivalenzschaltbild einer organischen EL-Anzeigevorrichtung, die mit Dünnschichttransistoren ausgestattet ist, gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 3 ist ein Ansteuerspannungsdiagramm einer organischen EL-Anzeigevorrichtung mit Dünnschichttransistoren gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 4 ist ein StromSpannung-Kennliniendiagramm von Strom-Dünnschichttransistoren gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 5 ist ein Strom-Spannung-Kennliniendiagramm einer organischen EL-Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
In 2 sind eine Abtastleitung 111, eine Datenleitung 112, eine Halteelektrode 113, eine Masseleitung 114, eine aus AL gebildete Pixelelektrode 115, eine aus ITO gebildete gegenüberliegende Elektrode 116, ein schaltender Dünnschichttransistor 121, ein N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor 122, ein Haltekondensator 123, ein organisches EL-Anzeigeelement 131 (im Folgenden als "vorwärts ausgerichtete organische EL-Anzeigevorrichtung" bezeichnet), das durch den von der Speiseleitung 116 zur Pixelelektrode 115 fließenden Strom veranlasst wird, Licht zu emittieren, und die Stromrichtungen der organischen EL-Anzeigevorrichtung 131 und 141 gezeigt.
In 3 sind ein Abtastpotenzial 211, ein Signalpotenzial 212, ein Haltepotenzial 213, ein Massepotenzial 214, ein Pixelpotenzial 215 und ein Gegenpotenzial 216 gezeigt. In 3 ist nur ein Teil jedes Potenzials gezeigt, um die jeweiligen Potenzialbeziehungen dazustellen. Das Potenzial der Abtastleitung 111 entspricht dem Abtastpotenzial 211; das Potenzial der Datenleitung 112 entspricht dem Signalpotenzial 212; das Potenzial der Halteelektrode 113 entspricht dem Haltepotenzial 213; das Potenzial der Masseleitung 114 entspricht dem Massepotenzial 214; das Potenzial der Pixelelektrode 115, die aus AI gebildet ist, entspricht dem Pixelpotenzial 215; und das Potenzial der Gegenelektrode 116, die aus ITO (Indium-Zinn-Oxid) gebildet ist, entspricht dem Gegenpotenzial 216. 3 zeigt jedes Signalpotenzial schematisch und teilweise.
Das Bezugszeichen 221 bezeichnet eine Periode, in der sich ein Pixel im Anzeigezustand befindet, wobei Strom in das vorwärts ausgerichtete organische EL-Anzeigeelement 131 fließt, so dass es Licht emittiert, während das Bezugszeichen 222 eine Periode bezeichnet, in der sich das Pixel im NichtAnzeigezustand befindet, in welchem kein Strom in das vorwärts ausgerichtete organische EL-Anzeigelement 131 fließt, so dass dieses kein Licht emittiert.
Wie in 4 gezeigt ist, zeigt eine Kurve 31 die Strom-Spannung-Kennlinie eines N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistors 122, die beobachtet wird, wenn die Drain-Spannung gleich 4 V ist, während eine Kurve 32 die Strom-Spannung-Kennlinie des N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistors 122 zeigt, die beobachtet wird, wenn die Drain-Spannung gleich 8 V ist. Hinsichtlich der jeweiligen Drain-Spannung können die folgenden Tatsachen beobachtet werden. Wenn die Gate-Spannung niedrig ist, ist der N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor 122 ausgeschaltet, wobei eine kleine Menge des Drain-Stroms fließt, was einen hohen Source/Drain-Widerstand anzeigt.
Wenn die Gate-Spannung hoch ist, ist der N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor 122 eingeschaltet, wobei eine große Menge an Drain-Strom fließt, was einen niedrigen Source/Drain-Widerstand anzeigt.
In 5 bezeichnet das Bezugszeichen 4 die Strom-Spannung-Kennlinie des vorwärts ausgerichteten organischen EL-Anzeigeelements 131. Hier stellt die Spannung das Gegenpotenzial 216 gegen das Pixelpotenzial 215 dar, wobei der Strom den Strom darstellt, der von der gegenüberliegenden Elektrode 116 zur Pixelelektrode 115 fließt. Das vorwärts ausgerichtete EL-Anzeigeelement 131 ist ausgeschaltet, wenn die Spannung nicht höher ist als eine bestimmte Schwellenspannung; der Widerstand ist hoch und erlaubt keinen Stromfluss, so dass die Vorrichtung kein Licht emittiert. Die Vorrichtung ist eingeschaltet, wenn die Spannung über einer bestimmten Schwellenspannung liegt, wobei der Widerstand niedrig ist und einen Stromfluss erlaubt, so dass die Vorrichtung Licht emittiert. In diesem Fall beträgt die oben erwähnte Schwellenspannung etwa 2 V.
Im Folgenden wird mit Bezug auf 2, 3, 4 und 5 der Betrieb einer organischen EL-Anzeigevorrichtung beschrieben, die mit den Dünnschichttransistoren dieser Ausführungsform ausgestattet ist.
Der schaltende Dünnschichttransistor 121 steuert die Leitfähigkeit zwischen der Datenleitung 112 und der Halteelektrode 113 mittels des Potenzials der Abtastleitung 111. Mit anderen Worten, das Abtastpotenzial 211 steuert die Leitfähigkeit zwischen dem Signalpotenzial 212 und dem Haltepotenzial 213. Obwohl in diesem Beispiel der schaltende Dünnschichttransistor 121 ein N-Kanal-Typ-Dünnschichttransistor ist, kann auch ein P-Kanal-Typ-Dünnschichttransistor verwendet werden.
Für die Periode 221, in der sich das Pixel im Anzeigezustand befindet, ist das Signalpotenzial 212 hoch, wobei das Haltepotenzial 213 auf einem hohen Pegel gehalten wird. Für die Periode 222, in der sich das Pixel im Nicht-Anzeigezustand befindet, ist das Signalpotenzial 212 niedrig, wobei das Haltepotenzial 213 auf einem niedrigen Pegel gehalten wird.
Der N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor 122 besitzt die in 3 gezeigte Kennlinie und steuert die Leitfähigkeit zwischen der Masseleitung 114 und der Pixelelektrode 115 mittels des Potenzials der Halteelektrode 113. Mit anderen Worten, das Haltepotenzial 213 steuert die Leitfähigkeit zwischen dem Massepotenzial 214 und dem Pixelpotenzial 212. Für die Periode 222, in der sich das Pixel im Anzeigezustand befindet, ist das Haltepotenzial 213 hoch, so dass die Masseleitung 114 mit der Pixelelektrode 115 elektrisch verbunden ist. Für die Periode 222, in der sich das Pixel im Nicht-Anzeigezustand befindet, ist das Haltepotenzial 213 niedrig, so dass die Masseleitung 114 von der Pixelelektrode 115 getrennt ist.
Das organische EL-Anzeigeelement 131 besitzt die in 5 gezeigte Kennlinie. Für die Periode 221, in der sich das Pixel im Anzeigezustand befindet, fließt der Strom zwischen der Pixelelektrode 115 und den gegenüberliegenden Elektroden 116, so dass das organische EL-Anzeigeelement 131 Licht emittiert. Für die Periode 222, in der sich das Pixel im NichtAnzeigezustand befindet, fließt kein Strom, so dass die Vorrichtung kein Licht emittiert.
6(a) ist eine Schnittansicht einer organischen Dünnschichttransistor-EL-Anzeigevorrichtung (ein Pixel) gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 6(b) ist eine Draufsicht einer organischen Dünnschichttransistor EL-Anzeigevorrichtung (ein Pixel) gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Der Schnitt längs der Linie A-A' der 6(a) entspricht dem Schnitt längs der Linie A-A' der 6(b).
In 5 bezeichnet das Bezugszeichen 132 eine Lochinjektionsschicht, während das Bezugszeichen 133 eine organische EL-Schicht bezeichnet und das Bezugszeichen 151 einen Resist bezeichnet.
In diesem Beispiel verwenden der schaltende Dünnschichttransistor 121 und der N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor 122 die Struktur und den Pro zess, die gewöhnlich für einen Niedertemperatur-Polysilicium-Dünnschichttransistor verwendet werden, welche für DünnschichttransistorFlüssigkristallanzeigevorrichtungen verwendet werden, d. h. eine Top-Gate-Struktur und einen Prozess, der unter der Bedingung durchgeführt wird, dass die maximale Temperatur gleich 600°C oder weniger beträgt. Es sind jedoch auch andere Strukturen und Prozesse anwendbar.
Das vorwärts ausgerichtete organische EL-Anzeigeelement 131 wird von der aus AI gebildeten Pixelelektrode 115, der aus ITO gebildeten gegenüberliegenden Elektrode 116, der Lochinjektionsschicht 132 und der organischen EL-Schicht 133 gebildet. Im vorwärts ausgerichteten organischen EL-Anzeigeelement 131 kann die Richtung des Stroms der organischen EL-Anzeigevorrichtung, die mit 141 bezeichnet ist, von der aus ITO gebildeten gegenüberliegenden Elektrode 116 zu der aus Al-gebildeten Pixelelektrode 115 festgelegt sein. Ferner ist die Struktur der organischen EL-Anzeigevorrichtung nicht auf diejenige beschränkt, die hier verwendet wird. Es sind auch andere Strukturen anwendbar, solange die Richtung des Stroms der organischen EL-Anzeigevorrichtung, die mit 141 bezeichnet ist, auf die Richtung von der gegenüberliegenden Elektrode zur Pixelelektrode festgelegt werden kann.
Hierbei werden die Lochinjektionsschicht 132 und die organische EL-Schicht 133 mittels eines Tintenstrahldruckverfahrens ausgebildet, das den Resist 151 als eine Trennstruktur zwischen den Pixeln verwendet, während die aus ITO gebildete gegenüberliegende Elektrode 116 mittels eines SputterVerfahrens gebildet wird, wobei jedoch andere Verfahren ebenfalls anwendbar sind.
In diesem Beispiel ist das Massepotenzial 214 niedriger als das Gegenpotenzial 216, wobei der Strom-Dünnschichttransistor der N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor 122 ist.
In der Periode 221, in der sich das Pixel im Anzeigezustand befindet, ist der N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor 122 eingeschaltet. Der Strom, der durch das vorwärts ausgerichtete organische EL-Anzeigeelement 131 fließt, d. h. der EIM-Strom des N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistors 122 hängt von der Gate-Spannung ab, wie in 3 gezeigt ist. Hierbei bedeutet der Ausdruck "Gate-Spannung" die Potenzialdifferenz zwischen dem Haltepotenzial 213 und dem niedrigem Potenzial des Massepotenzials 214 und des Pixelpotenzials 215. In diesem Beispiel ist das Massepotenzial 214 niedriger als das Pixelpotenzial 215, so dass die Gate-Spannung die Potenzialdifferenz zwischen dem Haltepotenzial 213 und dem Massepotenzial 214 angibt. Die Potenzialdifferenz kann ausreichend groß sein, so dass eine ausreichend große Menge an EIN-Strom verfügbar ist. Der EIN-Strom des N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistors 122 hängt ferner von der Drain-Spannung ab. Dies beeinflusst jedoch nicht die obige Situation.
Um im Gegensatz hierzu eine notwendige Menge an EIN-Strom zu erhalten, kann das Haltepotenzial 213 niedriger gemacht werden, wobei die Amplitude des Signalpotenzials 212 und somit die Amplitude des Abtastpotenzials 211 verringert werden können. Mit anderen Worten, im schaltenden Dünnschichttransistor 121 und im N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor 122 kann eine Verringerung der Ansteuerspannung erreicht werden, ohne irgendeinen Verlust an Anzeigequalität, anormale Operationen oder eine Verringerung in der Frequenz, die diesen freigibt, zu arbeiten, zu bewirken.
Ferner ist bei der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung das Signalpotenzial 212 für das Pixel, das sich im Anzeigezustand befinden soll, niedriger als das Gegenpotenzial 216.
Wie oben erwähnt worden ist, hängt in der Periode 221, in der das Pixel sich im Anzeigezustand befindet, der EIN-Strom des N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistors 122 von der Potenzialdifferenz zwischen dem Haltepotenzial 213 und dem Massepotenzial 214 ab, jedoch nicht direkt von der Potenzialdifferenz zwischen dem Haltepotenzial 213 und dem Gegenpotenzial 216. Somit kann das Haltepotenzial 213, d. h. das Signalpotenzial 212 für das Pixel, das sich im Anzeigezustand befinden soll, niedriger gemacht werden als das Gegenpotenzial 216, wodurch die Amplitude des Signalpotenzials 212 und die Amplitude des Abtastpotenzials 211 verringert werden können, während ein ausreichend großer EIN-Strom im N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor 122 aufrecht erhalten wird. Das heißt, im schaltenden Dünnschichttransistor 121 und im N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor 122 kann eine Verringerung der Ansteuerspannung erreicht werden, ohne irgendeinen Verlust an Anzeigequalität, anormale Betriebszustände oder eine Verringerung der Frequenz, die den Betrieb ermöglicht, zu bewirken.
Außerdem ist diesem Beispiel das Signalpotenzial 212 für das Pixel, das sich im Nicht-Anzeigezustand befinden soll, höher als das Massepotenzial 214.
In der Periode 222, in der sich das Pixel im Nicht-Anzeigezustand befindet, ist dann, wenn das Signalpotenzial 212 etwas höher wird als das Massepotenzial 214, der N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor 222 nicht vollständig ausgeschaltet. Der Source/Drain-Widerstand des N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistors 122 wird jedoch erheblich höher, wie in 3 gezeigt ist. Somit wird das Pixelpotenzial 215, das bestimmt wird durch Dividieren des Massepotenzials 214 und des Gegenpotenzials 216 durch die Werte des Widerstands des N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistors 122 und des Widerstands des vorwärts ausgerichteten organischen EL-Anzeigeelements 131, gleich einem Potenzial nahe dem Gegenpotenzial 216.
Die Spannung, die an das vorwärts ausgerichtete organische EL-Anzeigeelement 131 angelegt ist, ist die Potenzialdifferenz zwischen dem Pixelpotenzial 215 und dem Gegenpotenzial 216. Wie in 5 gezeigt ist, ist das vorwärts ausgerichtete organische EL-Anzeigeelement 131 ausgeschaltet, wenn die Spannung nicht höher ist als eine bestimmte Schwellenspannung, wenn kein Strom fließt, so dass die Anzeigevorrichtung kein Licht emittiert. Das heißt, die Nutzung eines Schwellenpotenzials des vorwärts ausgerichte ten organischen EL-Anzeigeelements 131 ermöglicht, dass das vorwärts ausgerichtete organische EL-Anzeigeelement 131 kein Licht emittiert, selbst wenn das Signalpotenzial 212 etwas höher ist als das Massepotenzial 214, und wenn der N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor 122 nicht vollständig ausgeschaltet ist.
Hierbei kann die Amplitude des Signalpotenzials 212 und somit die Amplitude des Abtastpotenzials 211 gesenkt werden, indem das Signalpotenzial 212 für das Pixel, das sich im Nicht-Anzeigezustand befinden soll, höher gemacht wird als das Massepotenzial 214. Mit anderen Worten, bezüglich des schaltenden Dünnsichttransistors 121 und des N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistors 122 kann eine Verringerung des Ansteuerpotenzials erreicht werden, ohne irgendeinen Verlust an Anzeigequalität, anormale Betriebszustände oder eine Verringerung der Frequenz, die den Betrieb ermöglicht, zu bewirken.
Der Betrieb einer organischen EL-Anzeigevorrichtung, die mit den Dünnschichttransistoren des Beispiels ausgestattet ist, ist nicht so einfach wie oben beschrieben; sie arbeitet unter einer komplizierteren Beziehung zwischen Spannung und Strom. Die obige Beschreibung trifft jedoch näherungsweise und qualitativ zu.
(Zweite Ausführungsform)
7 ist ein Äquivalenzschaltbild einer organischen EL-Anzeigevorrichtung, die mit Dünnschichttransistoren ausgestattet ist, gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 8 ist ein Ansteuerspannungsdiagramm der organischen EL-Anzeigevorrichtung mit Dünnschichttransistoren gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 9 ist ein Strom-Spannung-Kennliniendiagramm eines Strom-Dünnschichttransistors gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 10 ist ein Strom-Spannung-Kennliniendiagramm der organischen EL-Anzeigevorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
In 7 ist eine Pixelelektrode gezeigt, die aus ITO 615 gebildet ist, sowie eine gegenüberliegende Elektrode, die aus AI 616 gebildet ist, ein P-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor 622 und eine organische EL-Anzeigevorrichtung 631 (im folgenden als "rückwärts ausgerichtete organische ELAnzeigevorrichtung" bezeichnet), die durch den Strom, der von der Pixelelektrode 615 zur Speiseleitung 616 fließt, zum Emittieren von Licht veranlasst wird. Das Bezugszeichen 641 bezeichnet die Richtung des Stroms der organischen EL-Anzeigevorrichtung. Diese Richtung ist die Umkehrung derjenigen, die in 2 gezeigt ist. Mit Ausnahme hiervon ist diese Ausführungsform die gleiche wie die in 1 gezeigte obige erste Ausführungsform.
8 entspricht 3, mit der Ausnahme, dass der Pegel jedes Potenzials sich von demjenigen der 3 unterscheidet.
In 9 zeigt eine Kurve 81 eine Strom-Spannung-Kennlinie eines P-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistors 622, die beobachtet wird, wenn die Drain-Spannung gleich 4 V ist. Eine Kurve 82 zeigt eine Strom-Spannung-Kennlinie des P-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistors 622, die beobachtet wird, wenn die Drain-Spannung gleich 8 V ist.
In 10 zeigt eine Kurve 9 eine Strom-Spannung-Kennlinie einer rückwärts ausgerichteten organischen EL-Anzeigevorrichtung 631.
Die organische EL-Anzeigevorrichtung, die mit dem Dünnschichttransistoren dieser Ausführungsform ausgestattet ist, arbeitet in der gleichen Weise wie diejenige des ersten Beispiels, mit der Ausnahme, dass die Potenzialbeziehung hinsichtlich des Strom-Dünnschichttransistors umgekehrt ist, aufgrund der Tatsache, dass der Strom-Dünnsichttransistor der P-Kanal-Typ-Dünnschichttransistor 622 ist.
11(a) ist eine Schnittansicht einer organischen EL-Anzeigevorrichtung (ein Pixel), die mit den Dünnsichttransistoren ausgestattet ist, gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 11(b) ist eine Draufsicht einer organischen Dünnsichttransistor-EL-Anzeigevorrichtung (ein Pixel) gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Der Schnitt längs der Linie A-A' der 11(a) entspricht dem Schnitt längs der Linie A-A' der 10(b).
11 entspricht der 6 mit der Ausnahme, dass sie eine Lochinjektionsschicht 622 und eine organische EL-Schicht 633 zeigt.
Die rückwärts ausgerichtete organische EL-Anzeigevorrichtung 631 wird gebildet mittels der Pixelelektrode 615, die aus ITO gebildet ist, der gegenüberliegenden Elektrode 616 die aus AI gebildet ist, der Lochinjektionssicht 632 und der organischen EL-Schicht 633. In der rückwärts ausgerichteten organischen EL-Anzeigevorrichtung 631 kann die Richtung des Stroms der organischen EL-Anzeigevorrichtung, die mit 641 gezeigt ist, auf die Richtung von der aus ITO gebildeten Pixelelektrode 615 zu der aus AI gebildeten gegenüberliegenden Elektrode 616 festgelegt sein.
In dieser Ausführungsform ist ein Massepotenzial 714 höher als ein Gegenpotenzial 716. Ferner ist der Strom-Dünnschichttransistor der P-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor 622.
In dieser Ausführungsform ist ein Signalpotenzial 712 für das Pixel, das sich im Anzeigezustand befinden soll, höher als das Gegenpotenzial 716.
Ferner ist in dieser Ausführungsform das Signalpotenzial 712 für das Pixel, das sich im Nicht-Anzeigezustand befinden soll, niedriger als das Massepotenzial 714.
Alle Wirkungen der organischen Dünnschichttransistor-EL-Anzeigevorrichtung dieser Ausführungsform sind ferner dieselben wie beim ersten Beispiel, mit der Ausnahme, dass die Potenzialbeziehung hinsichtlich des Strom-Dünnschichttransistors umgekehrt ist, aufgrund der Tatsache, dass der Strom-Dünnschichttransistor der P-Kanal-Typ-Dünnschichttransistor 622 ist. In dieser Ausführungsform ist der Strom-Dünnschichttransistor 622 ein PKanal-Typ-Dünnschichttransistor. Diese Anordnung ermöglicht, dass die Verschlechterung des Strom-Dünnschichttransistors 622 im Zeitverlauf erheblich verringert wird. Ferner ermöglicht die Anordnung, die einen P-Kanal-Typ-Polysilicium-Dünnschichttransistor verwendet, dass die Verschlechterung des Strom-Dünnschichttransistors 622 im Zeitverlauf noch weiter verringert wird.
14 ist ein Diagramm eines Prozesses zur Herstellung der stromgesteuerten, Licht emittierenden Anzeigevorrichtung, die mit den Dünnschichttransistoren ausgestattet ist, gemäß der Modifikation des ersten Beispiels der obenbeschriebenen vorliegenden Erfindung.
Wie in 14(a) gezeigt ist, ist eine amorphe Siliciumschicht mit einer Dicke von 200 bis 600 Ängström über das gesamte Substrat 1 abgeschieden, wobei die amorphe Siliciumschicht mittels Laserausglühen und dergleichen polykristallisiert wird, um eine polykristalline Siliciumschicht zu bilden. Anschließend wird eine Musterung auf der polykristallinen Siliciumschicht durchgeführt, um eine Siliciumdünnschicht 421 auszubilden, die als ein Source/Drain-Kanalbereich des schaltenden Dünnschichttransistors 121 dient, und um eine erste Elektrode 423 des Speicherkondensators 123 und eine Siliciumdünnschicht 422 zu bilden, die als Source/Drain-Kanalbereich des Strom-Dünnschichttransistors 122 dient. Anschließend wird eine Isolationsschicht 424, die als Gate-Isolationsschicht dient, über den Siliciumdünnschichten 421, 422 und der ersten Elektrode 423 ausgebildet. Anschließend wird eine Implantierung von Phosphorionen (P-Ionen) selektiv auf der ersten Elektrode 423 bewerkstelligt, um deren Widerstand zu senken. Als nächstes, wie in 14(b) gezeigt ist, werden Gate-Elektroden 111 und 111', die aus TaN-Schichten bestehen, auf den Siliciumdünnschichten 421 und 422 durch die Vermittlung der Gate-Isolationsschicht ausgebildet.
Anschließend wird eine Resistmaske 42 auf der Siliciumschicht 422 ausgebildet, die als Strom-Dünnschichttransistor dient, wobei Phosphorionen (P-Ionen) durch eine Selbstausrichtung unter Verwendung der Gate-Elektrode als Maske implantiert werden, um einen N-Typ-Source/Drain-Bereich in der Siliciumschicht 421 auszubilden. Anschließend, wie in 14(c) gezeigt ist, wird eine Resistmaske 412' auf der ersten Siliciumschicht 421 und der ersten Elektrode ausgebildet, wobei Bor (B) durch Selbstausrichtung unter Verwendung der Gate-Elektrode 111' als Maske in die Siliciumschicht 422 ionenimplantiert wird, um einen P-Typ-Source/Drain-Bereich in der Siliciumschicht 422 auszubilden. Auf diese Weise erlaubt eine N-Kanal-Typ-Störstellendotierung 411, den schaltenden Dünnschichttransistor 121 auszubilden. Zu diesem Zeitpunkt ist der Strom-Dünnschichttransistor 122 durch die Resistmaske 42 geschützt, so dass keine N-Kanal-Typ-Störstellendotierung 411 durchgeführt wird. Anschließend erlaubt eine P-Kanal-Typ-Störstellendotierung 412, den Strom-Dünnschichttransistor 122 auszubilden.
Obwohl es nicht gezeigt ist, ist es ferner in einem Fall, in welchem ein Schieberegister eines Ansteuerschaltungsabschnitts, der den schaltenden Transistor 121 ansteuert, und ein Dünnschichttransistor, der eine Abtastwerthalteschaltung und dergleichen bildet, auf dem selben Substrat ausgebildet werden sollen, möglich, diese gleichzeitig im gleichen Prozessschritt auszubilden, wie oben beschrieben worden ist.
Eine zweite Elektrode 425 des Speicherkondensators kann zusammen mit den Gate-Elektroden 111 und 111' gleichzeitig ausgebildet werden, entweder aus den gleichen oder verschiedenen Materialien.
Wie in 14(d) gezeigt ist, werden nach der Ausbildung einer Zwischenschicht-Isolationsschicht 43 Kontaktlöcher und Elektrodenschichten, die von 426, 427, 428 und 429 aus Aluminium, ITO oder dergleichen gebildet sind, ausgebildet.
Nachdem eine Zwischenschicht-Isolationsschicht 44 ausgebildet und eingeebnet worden ist, werden anschließend Kontaktlöcher ausgebildet; anschließend wird ITO 45 mit einer Dicke von 1.000 bis 2.000 Ängström, vorzugsweise etwa 1600 Ängström, ausgebildet, derart, dass eine Elektrode des Strom-Dünnschichttransistors damit verbunden ist. Für jeden Pixelbereich sind Bankschichten 46 und 47 definiert, die nicht weniger als 2,0 μm bereit sind. Als nächstes wird eine organische EL-Schicht 48 mittels eines Tintenstrahlverfahrens und dergleichen in dem Bereich ausgebildet, der von den Bankschichten 46 und 47 umgeben ist. Nachdem die organische EL-Schicht 48 ausgebildet worden ist, wird eine Aluminium-Lithium-Schicht mit einer Dicke von 6000 bis 8000 Ängström als gegenüberliegende Elektrode 49 auf der organischen EL-Schicht 48 abgeschieden. Zwischen der organischen EL-Schicht 48 und der gegenüberliegenden Elektrode 49 kann eine Lochinjektionsschicht angeordnet werden, wie in 6 gezeigt ist.
Der oben erwähnte Prozess ermöglicht, eine organische EL-Anzeigevorrichtung auszubilden, die mittels eines Hochleistungs-Dünnschichttransistors angesteuert wird. Da Polysilicium eine sehr viel höhere Trägermobilität aufweist als amorphes Silicium, ist ein schneller Betrieb möglich.
Genauer, wenn bei dieser Ausführungsform der P-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor 122 und der N-Typ-Schalt-Dünnschichttransistor 121 ausgebildet werden, ist es möglich, beide aus N-Typ- und P-Typ-Dünnschichttransistoren, die Dünnschichttransistoren komplementären Typs sind und ein Schieberegister einer Ansteuerschaltung, eine Abtastwerthalteschaltung und dergleichen bilden, gleichzeitig und entsprechend der oben erwähnten Ausführungsform zu bilden. Die Anordnung ermöglicht, eine Konstruktion zu verwirklichen, die die Verschlechterung des Strom-Dünnschichttransistors 122 im Zeitverlauf zu verringert, ohne die Anzahl der Herstellungsschritte zu erhöhen.
Wie oben beschrieben worden ist, wird bei der ersten Ausführungsform ein N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor verwendet, während bei der zwei ten Ausführungsform ein P-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor verwendet wird. Im folgenden wird die Verschlechterung der P-Kanal- und N-Kanal-Typ-Dünnschichttransistoren im Zeitverlauf untersucht.
12 und 13 sind Diagramme, die jeweils die Verschlechterung eines N-Kanal-Typ- und P-Kanal-Typ-Dünnschichttransistors im Zeitverlauf zeigen, insbesondere von Polysilicium-Dünnschichttransistoren unter äquivalenten Spannungsbeaufschlagungsbedingungen. Die Bezugszeichen 511 und 512 der 12 zeigen die Leitfähigkeitskennlinien eines N-Kanal-Typ-Dünnschichttransistors in den Fällen, in denen Vd = 4 V bzw. Vd = 8 V gilt, vor einer Spannungsbeaufschlagung. Die Bezugszeichen 521 und 522 zeigen die Leitfähigkeitskennlinien eines N-Kanal-Typ-Dünnschichttransistors in den Fällen, in denen Vg = 0 V und Vd = 15 V gilt, und in denen Vg = 4 V und Vd = 8 V gilt, nach einer Spannungsbeaufschlagung von etwa 1000 Sekunden. Die Bezugszeichen 811 und 812 der 13 zeigen die Leitfähigkeitskennlinien eines P-Kanal-Typ-Dünnschichttransistors in den Fällen, in denen Vd = 4 V bzw. Vd = 8 V gilt, vor einer Spannungsbeaufschlagung. Die Bezugszeichen 821 und 822 zeigen die Leitfähigkeitskennlinien eines P-Kanal-Typ-Dünnschichttransistors in den Fällen, in denen Vg = 0 V und Vd = 15 V gilt, und in denen Vg = 4 V und Vd = 8 V gilt, nach einer Spannungsbeaufschlagung von etwa 1000 Sekunden. Es wird deutlich, dass im P-Kanal-Typ-Dünnschichttransistor die Verringerung des EIN-Stroms und die Erhöhung des AUS-Stroms kleiner sind als im N-Kanal-Typ.
Unter Berücksichtigung der Differenz der Kennlinie der Verschlechterung im Zeitverlauf zwischen den P-Typ- und den N-Typ-Dünnschichttransistoren, wie in den 12 bzw. 13 gezeigt ist, wird wenigstens entweder ein schaltender Dünnschichttransistor oder ein Strom-Dünnschichttransistor aus einem P-Kanal-Typ-Dünnschichttransistor gebildet, insbesondere einem P-Typ-Polysilicium-Dünnschichttransistor, wodurch die Verschlechterung im Zeitverlauf unterdrückt werden kann. Durch Ausbilden des schaltenden Dünnschichttransistors sowie des Strom-Dünnschichttransistors aus einem P-Typ-Dünnschichttransistor ist es ferner möglich, die Eigenschaften der Anzeigevorrichtung aufrechtzuerhalten.
Obwohl in der obenbeschriebenen Ausführungsform eine organische EL-Anzeigevorrichtung als Lumineszenzvorrichtung verwendet worden ist, sollte dies nicht einschränkend aufgefasst werden, dennoch muss nicht erwähnt werden, dass ein anorganische EL-Anzeigevorrichtung oder andere stromgesteuerte Lumineszenzvorrichtungen ebenfalls anwendbar sind. Industrielle Anwendbarkeit
Industrielle Anwendbarkeit
Die Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung kann als Anzeigevorrichtung verwendet werden, die mit einer stromgesteuerten Lumineszenzvorrichtung wie z. B. einer organischen EL-Anzeigevorrichtung oder einer anorganischen EL-Anzeigevorrichtung und einer schaltenden Vorrichtung zum Ansteuern der Lumineszenzvorrichtung wie z. B. einem Dünnschichttransistor, ausgestattet ist.

111: Abtastleitung
112: Datenleitung
113: Halteelektrode
114: Masseleitung
115: Pixelelektrode, aus AI gebildet
116: gegenüberliegende Elektrode, aus ITO gebildet
121: schaltender Dünnschichttransistor
122: N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor
123: Haltekondensator
131: vorwärts ausgerichtete organische EL-Anzeigevorrichtung
132: Lochinjektionsschicht
133: organische EL-Schicht
141: Stromrichtung des Strom-Lumineszenzelements
151: Resist
211: Abtastpotenzial
212: Signalpotenzial
213: Haltepotenzial
214: Massepotenzial
215: Pixelpotenzial
216: Gegenpotenzial
221: Anzeigeperiode der Pixel
222: Nichtanzeigeperiode der Pixel
31: Strom-Spannung-Kennlinie des N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistors, wenn die Drainspannung gleich 4 V ist
32: Strom-Spannung-Kennlinie des N-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistors, wenn die Drainspannung gleich 8 V ist
4: Strom-Spannung-Kennlinie einer vorwärts ausgerichteten organischen EL-Anzeigevorrichtung
611: Abtastleitung
612: Datenleitung
613: Halteelektrode
614: Masseleitung
615: Pixelelektrode, aus ITO gebildet
616: gegenüberliegende Elektrode, aus AI gebildet
621: schaltender Dünnschichttransistor
622: P-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistor
623: Haltekondensator
631: rückwärts ausgerichtete organische EL-Anzeigevorrichtung
632: Lochinjektionsschicht
633: organische EL-Schicht
641: Stromrichtung des Strom-Lumineszenzelements
651: Resist
711: Abtastpotenzial
712: Signalpotenzial
713: Haltepotenzial
714: Massepotenzial
715: Pixelpotenzial
716: Gegenpotenzial
721: Anzeigeperiode der Pixel
722: Nichtanzeigeperiode der Pixel
81: Strom-Spannung-Kennlinie des P-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistors, wenn die Drainspannung gleich 4 V ist
82: Strom-Spannung-Kennlinie des P-Kanal-Typ-Strom-Dünnschichttransistors, wenn die Drainspannung gleich 8 V ist
9: Strom-Spannung-Kennlinie einer vorwärts ausgerichteten organischen EL-Anzeigevorrichtung
511: Leitfähigkeitskennlinie eines N-Kanal-Typ-Dünnschichttransistors vor Anlegen der Spannung, wenn Vd = 4 V
512: Leitfähigkeitskennlinie eines N-Kanal-Typ-Dünnschichttransistors vor Anlegen der Spannung, wenn Vd = 8 V
521: Leitfähigkeitskennlinie eines N-Kanal-Typ-Dünnschichttransistors nach Anlegen der Spannung, wenn Vd = 4 V
522: Leitfähigkeitskennlinie eines N-Kanal-Typ-Dünnschichttransistors nach Anlegen der Spannung, wenn Vd = 8 V
811: Leitfähigkeitskennlinie eines P-Kanal-Typ-Dünnschichttransistors vor Anlegen der Spannung, wenn Vd = 4 V
812: Leitfähigkeitskennlinie eines P-Kanal-Typ-Dünnschichttransistors vor Anlegen der Spannung, wenn Vd = 8 V
821: Leitfähigkeitskennlinie eines P-Kanal-Typ-Dünnschichttransistors nach Anlegen der Spannung, wenn Vd = 4 V
822: Leitfähigkeitskennhinie eines P-Kanal-Typ-Dünnschichttransistors nach Anlegen der Spannung, wenn Vd = 8 V

Claims

Verfahren zum Erzeugen einer Anzeige, umfassend: Bilden eines Transistors auf einem Substrat; Bilden und Ebnen eines ersten Zwischenschicht-Isolationsfilms über dem Transistor; Bilden eines ersten Kontaktlochs in dem ersten Zwischenschicht-Isolationsfilm; Bilden einer Pixelelektrode auf dem ersten Zwischenschicht-Isolationsfilm; und Bilden einer organischen EL-Schicht in einem Pixelbereich, der der Pixel-Elektrode entspricht, wobei der Transistor mit der Pixelelektrode durch das erste Kontaktloch verbunden wird.
Verfahren nach Anspruch 1, ferner umfassend das Bilden eines zweiten Zwischenschicht-Isolationsfilms, bevor der erste Zwischenschicht-Isolationsfilm gebildet wird.
Verfahren nach Anspruch 2, ferner umfassend: Bilden einer Elektrodenschicht auf dem zweiten Zwischenschicht-Isolationsfilm; und Bilden eines zweiten Kontaktlochs, durch welches der Transistor mit der Elektrodenschicht verbunden wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, ferner umfassend das Bilden einer Wall-Schicht zum Definieren des Pixelbereichs.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Bilden der organischen EL-Schicht durch ein Tintenstrahl-Verfahren durchgeführt wird.