EP1163692B1 - Substratparallel arbeitendes mikrorelais - Google Patents

Substratparallel arbeitendes mikrorelais Download PDF

Info

Publication number
EP1163692B1
EP1163692B1 EP00908889A EP00908889A EP1163692B1 EP 1163692 B1 EP1163692 B1 EP 1163692B1 EP 00908889 A EP00908889 A EP 00908889A EP 00908889 A EP00908889 A EP 00908889A EP 1163692 B1 EP1163692 B1 EP 1163692B1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
contact piece
substrate
movable contact
microrelay
drive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
EP00908889A
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
EP1163692A1 (de
Inventor
Ralf Struempler
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ABB Research Ltd Switzerland
ABB Research Ltd Sweden
Original Assignee
ABB Research Ltd Switzerland
ABB Research Ltd Sweden
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ABB Research Ltd Switzerland, ABB Research Ltd Sweden filed Critical ABB Research Ltd Switzerland
Publication of EP1163692A1 publication Critical patent/EP1163692A1/de
Application granted granted Critical
Publication of EP1163692B1 publication Critical patent/EP1163692B1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
    • H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H1/00—Contacts
    • H01H1/12—Contacts characterised by the manner in which co-operating contacts engage
    • H01H1/14—Contacts characterised by the manner in which co-operating contacts engage by abutting
    • H01H1/20—Bridging contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H9/00—Details of switching devices, not covered by groups H01H1/00 - H01H7/00
    • H01H9/30—Means for extinguishing or preventing arc between current-carrying parts
    • H01H9/34—Stationary parts for restricting or subdividing the arc, e.g. barrier plate

Definitions

  • This invention relates to a micro relay for switching on and off electric current.
  • a micro relay according to the preamble of claim 1 is from K E PETERSEN: “Micromechanical Membrane Switches on Silicon” IBM JOURNAL OF RESEARCH AND DEVELOPMENT, US, IBM CORPORATION, ARMONK, Vol. 23, No. 4, July 1979 (1979-07), Pages 376-385-385, XP002101779 ISSN: 0018-8646 known.
  • micro-relays are mounted on a substrate and have a movable contact piece on the substrate as well as an elastic suspension of the contact piece and an electrically actuated drive of the contact piece on.
  • the drive for example electrostatic, electromagnetic or can work piezoelectrically, the movable contact piece from an open position moved into a closed position or vice versa, the elastic Suspension provides a restoring force.
  • the contact piece for example, elastic properties have or be part of the drive.
  • Microrelays are made by the known methods of semiconductor technology or comparable methods of microtechnology are manufactured and are particularly suitable in this respect for integration with other semiconductor technology facilities, in particular integrated circuits or transistors.
  • micro-relays have a particularly good comparison to conventional electromagnetic ones Relay extraordinary due to the small moving masses fast response times.
  • the switching capacities required are very high low, so that in particular when used multiple times in a larger one Circuit can achieve significant performance savings.
  • micro relays not only have small construction volumes in Claim but also have correspondingly low weights. After all, with suitable encapsulation, they are again due to the small size Size and the small moving masses extremely insensitive both in mechanical as well as in thermal terms. So the technician is with the use of microrelays is much more flexible than with conventional electromagnetic Relay.
  • the invention is based on the technical problem, one compared to the prior art to find technology-enhanced micro-relays.
  • the invention solves this problem by means of a micro-relay having a substrate, a movable contact piece on the substrate, an elastic suspension of the movable contact piece and an electrically actuable drive of the movable contact piece, characterized in that the movable contact piece is essentially parallel to the substrate by the drive in the suspension is movable and by a method for producing a micro-relay of the above type, in which the movable contact piece receives at least a substantial part of its functional structure through a two-dimensional structuring method parallel to the substrate.
  • the microrelay according to the invention is thus characterized in that the movable Contact piece has a substrate-parallel direction of movement.
  • the moveable The contact piece moves in a way planar and not, as in the State of the art, more or less perpendicular to the substrate plane. hereby there are various possibilities for technical improvements.
  • To the entire microrelay can be essentially two-dimensional be what the application of typical microtechnological processes, in particular with regard to the necessary lithography, etching or coating steps basically simplified.
  • a flat structure can also increase the possibilities of one later encapsulation or protection by a cover or the like.
  • the structure of the microrelay be either partial, i. H. the structure of the movable contact piece, the drive or the elastic Suspension, or to carry out two-dimensionally as far as possible.
  • the function-determining ones Structural elements can be selected two-dimensionally in the substrate plane and accordingly implemented simply and uniformly in lithography and structuring can be.
  • the buried Layers in the appropriate places can be removed to make certain Detach parts from the substrate and thus, for example, elastic or movable to design.
  • Silicon is a suitable structural material, also because it is doped appropriately depending on the need, both practically insulating and electrically conductive can be executed. This is through appropriate implantation or diffusion steps also possible in a manner adapted to the microrelay structure.
  • Buried layers can consist of SiO 2 , for example, and also in order to maximize the contact points with the established semiconductor technology processes.
  • SiO 2 or another insulator If silicon on SiO 2 or another insulator is used, it is possible to fall back on imported SOI (Silicon on Insulator) structures, particularly if single-crystal silicon is preferred as the building material, on SI-MOX wafers.
  • SOI Silicon on Insulator
  • ion etching processes and in particular RIE processes.
  • RIE processes With ion etching can be used in various materials with suitable process control almost vertical flanks in completely sufficient for this application Create depths. These processes are also to be processed for larger ones Even surfaces and are well suited for automated mass production. In addition to other established ion etching processes, this stands out RIE process through a large selection of known processes for various Materials with justifiable expenditure on equipment and relatively high Etching rates.
  • a Rod arranged parallel to the substrate can be used, preferably a Has truss structure to achieve good stability with low weight. This makes them sensitive to vibrations and shocks and they respond quickly Structures with high resonance frequencies possible.
  • This truss structure can be considered in view of the two-dimensional preferred in this invention Realize the structure with a two-dimensional structuring of the micro relay.
  • the movable contact piece can have an oblique contact surface, at an angle to the direction of movement and at the same time essentially running perpendicular to the substrate plane. Due to the oblique arrangement of the contact surface can be in contact with a corresponding complementary contact surface a fixed contact piece without too much physical expansion of the movable contact piece a relatively large contact area can be achieved. At the same time, the oblique angle of attack between the direction of movement and the contact surface also a translation of the power of the drive be achieved, especially if it is on the opposite of the contact surface Side of the movable contact piece, a corresponding second contact surface or other investment there.
  • the movable or a fixed contact piece is designed so that itself in the closing movement, for example due to a bending of a contact piece a noticeable cross component between the respective contact surfaces, d. H. a component of movement in the surface direction, the contact quality be improved.
  • An electrostatic version is preferred as the drive, because it compared to electromagnetic or piezoelectric drives lower utility services as well as lower utility voltages having.
  • electrostatic drives namely the to compensate for relatively low driving forces is a toothed finger structure preferred, which is considered in the present invention standing two-dimensional structuring can be sensibly implemented.
  • the elastic suspension is preferably meandering by at least one trained footbridge. On the details of these geometric designs will be discussed in more detail in the description of the exemplary embodiments.
  • the invention also makes it possible to use one of conventional ones To install circuit breakers known arcing chamber structure, as shown in more detail in the third embodiment.
  • the invention relates both to a novel microrelay structure as well as a two-dimensional structuring process designed for this purpose. Accordingly, the above statements are about the different Individual aspects of the invention both with regard to the disclosure corresponding device features as well as with regard to process features to understand.
  • Figures 1 and 2 show a first embodiment with a movable Contact piece, which is a rod 1 in the direction of movement with a through has transverse struts built truss structure.
  • a movable Contact piece which is a rod 1 in the direction of movement with a through has transverse struts built truss structure.
  • At the in the figure right side of the rod 1 are two oblique to that in the figures of the Horizontal corresponding direction of movement and perpendicular to that of the drawing plane corresponding contact plane 3 extending contact surfaces of the movable Contact piece and two complementary contact surfaces 4 of a fixed Contact piece 5.
  • the movable contact piece is due to an elastic suspension in one double meandering web structure 6 in the horizontal direction in Figure 1, d. H. parallel to the substrate, movable. 1 shows an open state of the Micro relay, in which two parts of the fixed contact piece 5 from each other are separated, whereas FIG. 2 shows the microrelay in the closed state shows in which the movable contact piece the two parts of the fixed Contact piece 5 connects.
  • the current flow I that is now possible is indicated.
  • the entire movable contact piece By removing a buried SiO 2 layer from the substrate, the entire movable contact piece, including the left side of the drive 7 and the elastic suspension 6 in the figures, is removed. The remaining parts shown, in particular the fixed contact piece 5 and the right side in the figures of the drive 7 are firmly connected to the substrate by the buried SiO 2 layer.
  • the force necessary for the movement is generated by a designated 7 toothed finger structure by applying a voltage U in the in the figures 1 and 2 shown is operated.
  • the fingers are exaggerated in Figure 1 shown far apart, they can also be open reach into each other.
  • the de-energized state thus corresponds to that in Figure 1 shown open position, whereas when creating a positive Voltage through the electrostatic attraction the restoring force of the elastic Suspension 6 is overcome and the closed position is established.
  • the meandering webs are the elastic ones by appropriate doping Suspension 6 and the fingers of the drive 7 electrically conductive.
  • the truss structure of the rod 1 is designed to be insulating Separate the drive from the switched path in potential.
  • the contact areas 3 and 4 are covered with Au by appropriate oblique vapor deposition; the fixed contact piece 5 can be a relatively solid one metallic conductor track.
  • To the ohmic resistance in the closed Decrease position can also be the contact-side tip of the movable Contact piece between the two inclined contact surfaces 3 with one sufficiently thick metal layer and thus the two contact surfaces 3 electrically connect.
  • the case shown corresponds to an open relay when de-energized the usual design of conventional electromagnetic relays, however not necessarily. It can also be caused by electrostatic repulsion, or by electrostatic Attraction of fingers in opposite directions, one basically closed microrelay structure due to the elastic suspension 6 can be opened by applying voltage.
  • Figures 3 and 4 show a second embodiment, only those of Details deviating from the first exemplary embodiment are explained.
  • the truss structure 2 of the movable contact piece bears on the contact-side end of the contact piece rod 1 a substantially transverse to Beam 8 extending in the direction of the bar, with bars located at both ends thereof reinforced metal structures 9 connected by a metallic bridge 10 are.
  • Analog contact surfaces lie opposite each of the contact surfaces 9 11 on two parts of the fixed contact piece 5.
  • this structure has the advantage that a slight movement component due to a slight bending of the beam 8 between the contact surfaces 9 and 11 transverse to the closing direction of the microrelay results. Experience has shown that this can improve the quality of the contact become.
  • the third exemplary embodiment in FIGS. 5 and 6 shows a variant with a quenching chamber structure 12 constructed from vertical Si webs which are electrically insulated on the substrate by the buried SiO 2 layer.
  • the contact piece from the closed position shown in FIG. 6 to the open position shown in FIG. 5 can have an arc due to the rounded shape of the fixed contact piece 5 at the point denoted by 13 and the rounded shape of the contact-side end 14 of the movable contact piece along the as Structure 13 acting rail are driven into the quenching chamber 12.
  • a curved shape of the arc is driven due to 12.
  • a curved shape of the arc is important due to the suitable shape at 13 and 14.
  • the third embodiment differs from the first and second in that the movable contact piece is not about two separate Parts of the fixed contact piece 5 can connect, but a part itself of the current path to be switched. This is shown in FIGS. 5 and 6 by the Reinforced lines in the area of the current path shown, d. H. in the area of the fixed contact piece 5, the arcing chamber 12, the movable Contact piece, d. H. of the rod 1, which is made conductive here, in the figures 5 and 6 lower meandering suspension structure 6 and the conductive Connection between the left end of the structure in FIGS. 5 and 6 and the extinguishing chamber 12.

Description

Diese Erfindung bezieht sich auf ein Mikrorelais zum Ein- und Ausschalten eines elektrischen Stromes.
Konventionelle Relais, beispielsweise elektromagnetische Schütze, sind elektromagnetisch betätigte Schalter mit einem beweglichen Kontaktstück, das durch die Wechselwirkung eines Elektromagneten mit einem beweglichen Teil seines Kerns betätigt wird. Anstatt einer detaillierten Darstellung dieses Standes der Technik wird als Beispiel verwiesen auf "New Electromagnetic Contactor with Wide Control Voltage Range" von P. Stephansson, H. Vefling, G. Johansson, Cl. Henrion in ABB Review 1/1997, Seite 29 ff.
Als Alternative zu solchen konventionellen Relais sind in jüngster Zeit sogenannte Mikrorelais entwickelt und untersucht worden. Diesbezüglicher Stand der Technik findet sich beispielsweise in H. F. Schlaak, F. Arndt, J. Schimkat, M. Hanke, Proc. Micro System Technology 96, 1996, Seiten 463-468. Es wird weiterhin verwiesen auf R. Allen: "Simplified Process is Used to Make Micromachined FET-like Four-Terminal Microswitches and Microrelays" in Electronic Design, 8 July, 1996, Seite 31.
Ein Mikrorelais nach dem Oberbegriffs des Anspruchs 1 is aus K E PETERSEN: "Micromechanical Membrane Switches on Silicon" IBM JOURNAL OF RESEARCH AND DEVELOPMENT,US,IBM CORPORATION, ARMONK, Bd. 23, Nr. 4, Juli 1979 (1979-07), Seiten 376-385-385, XP002101779 ISSN: 0018-8646 bekannt.
Im allgemeinen sind Mikrorelais auf einem Substrat angebracht und weisen ein bewegbares Kontaktstück auf dem Substrat sowie eine elastische Aufhängung des Kontaktstückes und einen elektrisch betätigbaren Antrieb des Kontaktstückes auf. Mit dem Antrieb, der beispielsweise elektrostatisch, elektromagnetisch oder piezoelektrisch arbeiten kann, wird das bewegbare Kontaktstück von einer Öffnungsposition in eine Schließposition oder umgekehrt bewegt, wobei die elastische Aufhängung für eine Rückstellkraft sorgt. Dabei können die einzelnen Teile auch kombiniert sein, das Kontaktstück beispielsweise elastische Eigenschaften haben oder Teil des Antriebs sein.
Mikrorelais werden durch die bekannten Verfahren der Halbleitertechnologie oder vergleichbare Verfahren der Mikrotechnik hergestellt und eignen sich insoweit besonders zur Integration mit anderen halbleitertechnologischen Einrichtungen, insbesondere integrierten Schaltungen oder Transistoren.
Daneben haben Mikrorelais insbesondere im Vergleich zu konventionellen elektromagnetischen Relais aufgrund der kleinen bewegten Massen außerordentlich schnelle Ansprechzeiten. Gleichzeitig sind die notwendigen Schaltleistungen sehr gering, so daß sich insbesondere bei mehrfacher Verwendung in einer größeren Schaltung erhebliche Leistungseinsparungen erzielen lassen.
Bei vielen Anwendungen ist es außerdem von erheblichem Interesse, daß moderne Mikrorelais aufgrund ihrer kleinen Bauweise nicht nur geringe Bauvolumina in Anspruch nehmen sondern auch entsprechend niedrige Gewichte aufweisen. Schließlich sind sie bei geeigneter Kapselung wiederum aufgrund der kleinen Baugröße und der kleinen bewegten Massen außerordentlich unempfindlich sowohl in mechanischer als auch in thermischer Hinsicht. Der Techniker ist also bei der Anwendung von Mikrorelais sehr viel flexibler als bei konventionellen elektromagnetischen Relais.
Der Erfindung liegt das technische Problem zugrunde, ein gegenüber dem Stand der Technik verbessertes Mikrorelais zu finden.
Dieses Problem löst die Erfindung durch ein Mikrorelais mit einem Substrat, einem bewegbaren Kontaktstück auf dem Substrat, einer elastischen Aufhängung des bewegbaren Kontaktstücks und einem elektrisch betätigbaren Antrieb des bewegbaren Kontaktstücks, dadurch gekennzeichnet, daß das bewegbare Kontaktstück durch den Antrieb in der Aufhängung im wesentlichen substratparallel bewegbar ist,
sowie durch ein Verfahren zur Herstellung eines Mikrorelais der oben stehenden Art, bei dem das bewegbare Kontaktstück durch ein substratparalleles zweidimensionales Strukturierungsverfahren zumindest einen wesentlichen Teil seiner funktionalen Struktur erhält.
Besondere Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
Das erfindungsgemäße Mikrorelais zeichnet sich also dadurch aus, daß das bewegbare Kontaktstück eine substratparallele Bewegungsrichtung hat. Das bewegbare Kontaktstück bewegt sich also gewissermaßen planar und nicht, wie im Stand der Technik, mehr oder weniger senkrecht zur Substratebene. Hierdurch ergeben sich verschiedene Möglichkeiten für technische Verbesserungen. Zum einen kann das gesamte Mikrorelais im wesentlichen zweidimensional ausgeführt werden, was die Anwendung typischer mikrotechnologischer Verfahren, insbesondere im Hinblick auf notwendige Lithographie-, Ätz- oder Beschichtungsschritte grundsätzlich vereinfacht. Zum zweiten läßt sich vermeiden, daß Teile des Mikrorelais in der Richtung senkrecht zur Substratebene in größerem Umfang von dem Mikrorelais abstehen und somit nachfolgende Lithographieschritte, beispielsweise im Zusammenhang mit benachbarten mikroelektronischen Schaltungen, behindern. Schließlich kann ein flacher Aufbau auch die Möglichkeiten einer späteren Verkapselung oder eines Schutzes durch eine Abdeckung oder dgl. erleichtem.
Es ist vor allem bevorzugt, die Struktur des Mikrorelais entweder teilweise, d. h. die Struktur des bewegbaren Kontaktstücks, des Antriebes oder der elastischen Aufhängung, oder insgesamt soweit wie möglich zweidimensional auszuführen. Dies bedeutet, daß bei der Auslegung der Geometrie die funktionsbestimmenden Strukturelemente zweidimensional in der Substratebene gewählt werden und dementsprechend einfach und einheitlich in Lithographie und Strukturierung umgesetzt werden können.
Dabei ist es günstig, mit vergrabenen Schichten unter der die solchermaßen zweidimensional aufgebauten Teile bildenden Schicht zu arbeiten, wobei die vergrabenen Schichten an den geeigneten Stellen entfernt werden können, um bestimmte Teile vom Substrat zu lösen und damit beispielsweise elastisch oder bewegbar zu gestalten.
Im Hinblick auf die Parallelität der Technologie zu mikroelektronischen Verfahren bietet sich als Strukturmaterial Silizium an, auch weil es bei geeigneter Dotierung je nach Notwendigkeit sowohl praktisch isolierend als auch elektrisch leitfähig ausgeführt sein kann. Dies ist durch geeignete Implantations- oder Diffusionsschritte auch in an die Mikrorelaisstruktur angepaßter Weise möglich.
Vergrabene Schichten können beispielsweise aus SiO2 bestehen, und zwar ebenfalls um die Berührungspunkte mit den etablierten halbleitertechnologischen Verfahren zu maximieren.
Bei Verwendung von Silizium auf SiO2 oder einem anderen Isolator kann dabei auf eingeführte SOI (Silicon on Insulator)-Strukturen zurückgegriffen werden, insbesondere, wenn einkristallines Silizium als Baumaterial bevorzugt ist, auf SI-MOX-Wafer.
Günstige Strukturierungsverfahren für zweidimensionale Strukturen des Mikrorelais sind allgemein lonenätzverfahren und insbesondere RIE-Verfahren. Mit lonenätzverfahren lassen sich bei geeigneter Prozeßführung in verschiedenen Materialien nahezu vertikale Flanken in für diese Anwendung völlig ausreichenden Tiefen herstellen. Diese Verfahren sind außerdem auch bei größeren zu prozessierenden Flächen gleichmäßig und eignen sich gut für eine automatisierte Massenfertigung. Neben anderen etablierten lonenätzverfahren zeichnet sich das RIE-Verfahren durch eine große Auswahl bekannter Prozesse für verschiedenste Materialien bei gleichzeitig vertretbarem apparativem Aufwand und relativ hohen Ätzraten aus.
Hierzu wird als technologisches Beispiel verwiesen auf "Vertical Mirrors Fabricated by Deep Reactive Ion Etching for Fiber-Optic Switching Applications" von C. Marxer et al, Journal of Microelectromechanical Systems, Band 6, Nr. 3, September 1997, Seiten 277-285. Dort sind mikrooptische Schalter für faseroptische Anwendungen beschrieben, die durch einen RIE-Prozeß in Silizium auf vergrabenen SiO2-Schichten mit 75 µm hohen vertikalen Wänden strukturiert wurden. Die Offenbarung dieses Dokuments ist hier durch Inbezugnahme inbegriffen.
Zum Verbinden einer Kontaktfläche eines Kontaktstücks mit dem Antrieb kann ein substratparallel angeordneter Stab verwendet werden, der vorzugsweise eine Fachwerkstruktur aufweist, um bei geringem Gewicht eine gute Stabilität zu erzielen. Dadurch sind vibrations- und stoßunempfindliche und schnell ansprechende Strukturen mit hohen Resonanzfrequenzen möglich. Diese Fachwerkstruktur läßt sich im Hinblick auf den bei dieser Erfindung bevorzugten zweidimensionalen Aufbau mit einer zweidimensionalen Strukturierung des Mikrorelais günstig realisieren.
Weiterhin kann das bewegbare Kontaktstück eine schräge Kontaktfläche aufweisen, und zwar schräg zur Bewegungsrichtung und gleichzeitig im wesentlichen senkrecht zur Substratebene verlaufend. Durch die schräge Anordnung der Kontaktfläche kann bei Berührung mit einer entsprechenden komplementären Kontaktfläche eines feststehenden Kontaktstücks ohne zu große körperliche Ausdehnung des bewegbaren Kontaktstücks eine relativ große Kontaktfläche erzielt werden. Gleichzeitig kann durch den schrägen Anstellwinkel zwischen der Bewegungsrichtung und der Kontaktfläche auch eine Übersetzung der Kraft des Antriebs erzielt werden, vor allem wenn es auf der der Kontaktfläche entgegengesetzten Seite des bewegbaren Kontaktstückes eine entsprechende zweite Kontaktfläche oder anderweitige Anlage gibt.
Wenn das bewegbare oder ein feststehendes Kontaktstück so ausgelegt ist, daß sich in der Schließbewegung beispielsweise durch eine Verbiegung eines Kontaktstückes eine spürbare Querkomponente zwischen jeweiligen Kontaktflächen, d. h. eine Bewegungskomponente in Flächenrichtung, ergibt, kann die Kontaktqualität verbessert werden.
Als Antrieb kommt bevorzugt eine elektrostatische Ausführung in Betracht, weil sie gegenüber elektromagnetischen oder piezoelektrischen Antrieben den Vorteil sowohl geringer Versorgungsleistungen als auch niedriger Versorgungsspannungen aufweist. Um den grundsätzlichen Nachteil elektrostatischer Antriebe, nämlich die relativ niedrigen Antriebskräfte, auszugleichen, ist eine verzahnt angeordnete Fingerstruktur bevorzugt, die sich gerade bei der hier erfindungsgemäß in Betracht stehenden zweidimensionalen Strukturierung sinnvoll realisieren läßt.
Die elastische Aufhängung ist vorzugsweise durch zumindest einen mäanderförmig ausgebildeten Steg gegeben. Auf die Einzelheiten dieser geometrischen Gestaltungen wird bei der Beschreibung der Ausführungsbeispiele näher eingegangen.
Schließlich ergibt sich mit der Erfindung auch die Möglichkeit, eine von konventionellen Leistungsschutzschaltern her bekannte Löschkammerstruktur einzubauen, wie im dritten Ausführungsbeispiel näher dargestellt.
Wie ausgeführt, bezieht sich die Erfindung sowohl auf eine neuartige Mikrorelaisstruktur als auch auf ein hierzu ausgelegtes zweidimensionales Strukturierungsverfahren. Dementsprechend sind die obenstehenden Ausführungen zu den verschiedenen Einzelaspekten der Erfindung sowohl im Hinblick auf die Offenbarung entsprechender Vorrichtungsmerkmale als auch im Hinblick auf Verfahrensmerkmale zu verstehen.
Weitere Einzelheiten der Erfindung werden mit Hilfe der folgenden drei Ausführungsbeispiele der Erfindung näher erläutert. Die dabei offenbarten Einzelmerkmale können auch in anderen Kombinationen erfindungswesentlich sein.
Es zeigen:
  • Die Figuren 1 und 2 das erste Ausführungsbeispiel im geöffneten bzw. geschlossenen Zustand des Mikrorelais;
  • die Figuren 3 und 4 das zweite Ausführungsbeispiel im geöffneten bzw. geschlossenen Zustand; und
  • die Figuren 5 und 6 das dritte Ausführungsbeispiel im geöffneten bzw. geschlossenen Zustand.
    • Die im Folgenden dargestellten Ausführungsbeispiele können mit der in der zitierten Veröffentlichung von C. Marxer et al dargestellten Technologie hergestellt werden, wobei die Kontaktflächen durch entsprechend verstärkte Aufdampfungen unter schrägem Winkel aufgebracht werden können. Es sind im Prinzip auch elektrolytische Kontaktverstärkungen an ausgewählten Stellen möglich.
    Die Figuren 1 und 2 zeigen ein erstes Ausführungsbeispiel mit einem bewegbaren Kontaktstück, das einen in Bewegungsrichtung liegenden Stab 1 mit einem durch querverlaufende Verstrebungen aufgebauten Fachwerkaufbau aufweist. An der in der Figur rechten Seite des Stabes 1 liegen zwei schräg zu der in den Figuren der Horizontalen entsprechenden Bewegungsrichtung und senkrecht zu der der Zeichenebene entsprechenden Substratebene verlaufende Kontaktflächen 3 des bewegbaren Kontaktstückes und zwei komplementäre Kontaktflächen 4 eines feststehenden Kontaktstücks 5.
    Das bewegbare Kontaktstück ist aufgrund einer elastischen Aufhängung in einer doppelten mäanderförmigen Stegstruktur 6 in in Figur 1 horizontaler Richtung, d. h. substratparallel, bewegbar. Dabei zeigt Figur 1 einen geöffneten Zustand des Mikrorelais, bei dem zwei Teile des feststehenden Kontaktstücks 5 voneinander getrennt sind, wohingegen Figur 2 das Mikrorelais im geschlossenen Zustand zeigt, in dem das bewegbare Kontaktstück die beiden Teile des feststehenden Kontaktstücks 5 verbindet. Der nun mögliche Stromfluß I ist angedeutet.
    Durch Entfernen einer vergrabenen SiO2-Schicht vom Substrat gelöst ist dabei das gesamte bewegbare Kontaktstück einschließlich der in den Figuren linken Seite des Antriebs 7 und der elastischen Aufhängung 6. Die übrigen dargestellten Teile, insbesondere das feststehende Kontaktstück 5 und die in den Figuren rechte Seite des Antriebs 7 sind durch die vergrabene SiO2-Schicht fest mit dem Substrat verbunden.
    Die für die Bewegung notwendige Kraft wird erzeugt durch eine mit 7 bezeichnete verzahnte Fingerstruktur, die durch Anlegen einer Spannung U in der in den Figuren 1 und 2 dargestellten Weise betätigt wird. Die Finger sind in Figur 1 übertrieben weit auseinander gezogen dargestellt, sie können auch im offenen Zustand noch ineinander hineinreichen. Der spannungslose Zustand entspricht also der in Figur 1 dargestellten offenen Position, wohingegen bei Anlegen einer positiven Spannung durch die elektrostatische Anziehung die Rückstellkraft der elastischen Aufhängung 6 überwunden und die geschlossene Position hergestellt wird.
    Durch entsprechende Dotierungen sind die mäanderförmigen Stege der elastischen Aufhängung 6 und die Finger des Antriebs 7 elektrisch leitend. Im Gegensatz dazu ist der Fachwerkaufbau des Stabes 1 isolierend ausgeführt, um den Antrieb gegenüber der geschalteten Strecke im Potential zu trennen. Die Kontaktflächen 3 und 4 sind durch entsprechende Schrägbedampfungen mit Au belegt; das feststehende Kontaktstück 5 kann dabei einer relativ massiv ausgeführten metallischen Leiterbahn entsprechen. Um den Ohmschen Widerstand in der geschlossenen Position zu verringern, kann auch die kontaktseitige Spitze des bewegbaren Kontaktstücks zwischen den beiden schrägen Kontaktflächen 3 mit einer ausreichend dicken Metallschicht belegt sein und somit die beiden Kontaktflächen 3 elektrisch verbinden.
    Der dargestellte Fall eines im spannungsfreien Zustand offenen Relais entspricht der üblichen Ausführung konventioneller elektromagnetischer Relais, ist jedoch nicht zwingend. Es kann auch durch elektrostatische Abstoßung, oder durch elektrostatische Anziehung von entsprechend gegensinnig angebrachten Fingern, eine durch die elastische Aufhängung 6 grundsätzlich geschlossene Mikrorelaisstruktur durch Spannungsbeaufschlagung geöffnet werden.
    Die Figuren 3 und 4 zeigen ein zweites Ausführungsbeispiel, wobei nur die von dem ersten Ausführungsbeispiel abweichenden Einzelheiten erläutert werden.
    Und zwar trägt die Fachwerkstruktur 2 des bewegbaren Kontaktstücks an dem kontaktseitigen Ende des Kontaktstückstabes 1 einen im wesentlichen quer zur Richtung des Stabes verlaufenden Balken 8 mit an seinen beiden Enden befindlichen verstärkten Metallstrukturen 9, die durch eine metallische Brücke 10 verbunden sind. Jeweils gegenüberliegend den Kontaktflächen 9 liegen analoge Kontaktflächen 11 an zwei Teilen des feststehenden Kontaktstückes 5. In der in Figur 4 dargestellten geschlossenen Position hat diese Struktur den Vorteil, daß sich durch eine leichte Verbiegung des Balkens 8 eine kleine Bewegungskomponente zwischen den Kontaktflächen 9 und 11 quer zur Schließrichtung des Mikrorelais ergibt. Dadurch kann die Qualität des Kontaktes erfahrungsgemäß verbessert werden.
    Das dritte Ausführungsbeispiel in den Figuren 5 und 6 zeigt eine Variante mit einer aus vertikalen Si-Stegen, die durch die vergrabene SiO2-Schicht elektrisch isoliert auf dem Substrat stehen, aufgebauten Löschkammerstruktur 12. Beim Öffnen des Mikrorelais, also bei einer Bewegung des bewegbaren Kontaktstücks von der in Figur 6 dargestellten geschlossenen Position in die in Figur 5 dargestellte geöffnete Position kann dementsprechend ein Lichtbogen durch die gerundete Form des feststehenden Kontaktstückes 5 an der mit 13 bezeichneten Stelle und durch die gerundete Form des kontaktseitigen Endes 14 des bewegbaren Kontaktstücks entlang der als Laufschiene wirkenden Struktur 13 in die Löschkammer 12 getrieben werden. Hierbei ist eine gebogene Form des Lichtbogens aufgrund 12 getrieben werden. Hierbei ist eine gebogene Form des Lichtbogens aufgrund der geeigneten Formgebung bei 13 und 14 von Bedeutung.
    Im übrigen unterscheidet sich das dritte Ausführungsbeispiel von dem ersten und zweiten dadurch, daß das bewegbare Kontaktstück nicht etwa zwei getrennte Teile des feststehenden Kontaktstücks 5 verbinden kann, sondern selbst ein Teil des zu schaltenden Strompfades bildet. Dies ist in den Figuren 5 und 6 durch die verstärkte Linienführung im Bereich des Strompfades dargestellt, d. h. im Bereich des feststehenden Kontaktstückes 5, der Löschkammer 12, des bewegbaren Kontaktstücks, d. h. des Stabes 1, der hier leitend ausgeführt ist, der in den Figuren 5 und 6 unteren mäanderförmigen Aufhängungsstruktur 6 und der leitenden Verbindung zwischen dem in den Figuren 5 und 6 linken Ende der Struktur und der Löschkammer 12.

    Claims (12)

    1. Mikrorelais mit
      einem Substrat,
      einem bewegbaren Kontaktstück (1) auf dem Substrat,
      einer elastischen Aufhängung (6) des bewegbaren Kontaktstücks (1) und
      einem elektrisch betätigbaren Antrieb (7) des bewegbaren Kontaktstücks (1),
      dadurch gekennzeichnet, daß das bewegbare Kontaktstück (1) durch den Antrieb (7) in der Aufhängung (6) im wesentlichen substratparallel bewegbar ist.
    2. Mikrorelais nach Anspruch 1, bei dem zumindest ein wesentlicher Teil der funktionalen Struktur des bewegbaren Kontaktstücks (1), der elastischer Aufhängung (6) und/oder des Antriebs (7) in Form einer zweidimensionalen Struktur in einer substratparallelen Ebene vorgesehen ist.
    3. Mikrorelais nach Anspruch 2 mit einer zwischen der zweidimensionalen Struktur (1, 6, 7) und dem Substrat angeordneten vergrabenen Schicht, die unter bewegbaren Strukturteilen entfernt ist.
    4. Mikrorelais nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem das bewegbare Kontaktstück einen substratparallel angeordneten Stab (1) aufweist, der eine Kontaktfläche (3, 9, 14) mit dem Antrieb (7) verbindet.
    5. Mikrorelais nach Anspruch 4, bei dem der Stab (1) eine Fachwerkstruktur (2) aufweist.
    6. Mikrorelais nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem das bewegbare Kontaktstück (1) eine schräg zur Bewegungsrichtung und senkrecht zum Substrat verlaufende Kontaktfläche (3) aufweist.
    7. Mikrorelais nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem sich bei einer das Mikrorelais schließenden Bewegung des bewegbaren Kontaktstükkes (1) eine Querbewegungskomponente zwischen Kontaktflächen (9, 11) des bewegbaren Kontaktstückes (1) und eines feststehenden Kontaktstükkes (5) ergibt.
    8. Mikrorelais nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem der Antrieb eine elektrostatisch wirkende verzahnte Fingerstruktur (7) aufweist.
    9. Mikrorelais nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem die elastische Aufhängung einen mäanderförmigen Steg (6) aufweist.
    10. Mikrorelais nach einem der vorstehenden Ansprüche mit einer Löschkammerstruktur (12).
    11. Verfahren zur Herstellung eines Mikrorelais nach einem der vorstehenden Ansprüche bei dem das bewegbare Kontaktstück (1), der Antrieb (7) und/oder die elastische Aufhängung (6) durch ein substratparalleles zweidimensionales Strukturierungsverfahren zumindest einen wesentlichen Teil ihrer funktionalen Struktur erhalten.
    12. Verfahren nach einem der Ansprüch 11, bei dem eine zwischen der zweidimensionalen Struktur (1, 6, 7) und dem Substrat angeordnete vergrabene Schicht teilweise entfernt wird, um Strukturteile vom Substrat zu lösen.
    EP00908889A 1999-03-20 2000-03-17 Substratparallel arbeitendes mikrorelais Expired - Lifetime EP1163692B1 (de)

    Applications Claiming Priority (3)

    Application Number Priority Date Filing Date Title
    DE19912669 1999-03-20
    DE19912669A DE19912669A1 (de) 1999-03-20 1999-03-20 Substratparallel arbeitendes Mikrorelais
    PCT/CH2000/000152 WO2000057445A1 (de) 1999-03-20 2000-03-17 Substratparallel arbeitendes mikrorelais

    Publications (2)

    Publication Number Publication Date
    EP1163692A1 EP1163692A1 (de) 2001-12-19
    EP1163692B1 true EP1163692B1 (de) 2003-02-05

    Family

    ID=7901818

    Family Applications (1)

    Application Number Title Priority Date Filing Date
    EP00908889A Expired - Lifetime EP1163692B1 (de) 1999-03-20 2000-03-17 Substratparallel arbeitendes mikrorelais

    Country Status (5)

    Country Link
    US (1) US6613993B1 (de)
    EP (1) EP1163692B1 (de)
    AT (1) ATE232331T1 (de)
    DE (2) DE19912669A1 (de)
    WO (1) WO2000057445A1 (de)

    Cited By (1)

    * Cited by examiner, † Cited by third party
    Publication number Priority date Publication date Assignee Title
    DE102007035633A1 (de) 2007-07-28 2009-02-19 Protron Mikrotechnik Gmbh Verfahren zur Herstellung mikromechanischer Strukturen sowie mikromechanische Struktur

    Families Citing this family (12)

    * Cited by examiner, † Cited by third party
    Publication number Priority date Publication date Assignee Title
    DE10040867A1 (de) * 2000-08-21 2002-05-23 Abb Research Ltd Mikroschalter
    US6917268B2 (en) * 2001-12-31 2005-07-12 International Business Machines Corporation Lateral microelectromechanical system switch
    US20040027029A1 (en) * 2002-08-07 2004-02-12 Innovative Techology Licensing, Llc Lorentz force microelectromechanical system (MEMS) and a method for operating such a MEMS
    US7446300B2 (en) * 2002-11-19 2008-11-04 Baolab Microsystems, S. L. Miniature electro-optic device having a conductive element for modifying the state of passage of light between inlet/outlet points and corresponding uses thereof
    US20050156191A1 (en) * 2004-01-21 2005-07-21 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Actuator structure and optical device
    JP4540443B2 (ja) * 2004-10-21 2010-09-08 富士通コンポーネント株式会社 静電リレー
    KR100748747B1 (ko) 2006-02-17 2007-08-13 현대자동차주식회사 비접촉 ｒｆ ｍｅｍｓ 스위치
    WO2009148677A2 (en) * 2008-03-11 2009-12-10 The Regents Of The University Of California Microelectromechanical system (mems) resonant switches and applications for power converters and amplifiers
    FR2950194B1 (fr) * 2009-09-11 2011-09-02 Commissariat Energie Atomique Actionneur electromecanique a electrodes interdigitees
    EP2780925B1 (de) * 2011-12-21 2018-09-05 Siemens Aktiengesellschaft Schütz
    KR101276369B1 (ko) * 2012-01-10 2013-06-18 현대중공업 주식회사 배선용 차단기
    CN103956299A (zh) * 2014-03-31 2014-07-30 苏州锟恩电子科技有限公司 一种微机械rf开关

    Family Cites Families (7)

    * Cited by examiner, † Cited by third party
    Publication number Priority date Publication date Assignee Title
    US5025346A (en) * 1989-02-17 1991-06-18 Regents Of The University Of California Laterally driven resonant microstructures
    DE4126107C2 (de) * 1991-08-07 1993-12-16 Bosch Gmbh Robert Beschleunigungssensor und Verfahren zur Herstellung
    DE4205029C1 (en) * 1992-02-19 1993-02-11 Siemens Ag, 8000 Muenchen, De Micro-mechanical electrostatic relay - has tongue-shaped armature etched from surface of silicon@ substrate
    DE4229068C2 (de) * 1992-09-01 1994-06-16 Bosch Gmbh Robert Beschleunigungsschalter und Verfahren zur Herstellung
    FR2706075B1 (fr) * 1993-06-02 1995-07-21 Lewiner Jacques Dispositif de commande du type actionneur à pièce mobile conservant son orientation au cours du mouvement.
    KR100252009B1 (ko) * 1997-09-25 2000-04-15 윤종용 마이크로 진동구조물과 그 공진주파수 조절방법 및 이를 이용한 마이크로 엑츄에이터
    DE19800189C2 (de) * 1998-01-05 2000-05-18 Stefan Vogel Mikromechanischer Schalter

    Cited By (2)

    * Cited by examiner, † Cited by third party
    Publication number Priority date Publication date Assignee Title
    DE102007035633A1 (de) 2007-07-28 2009-02-19 Protron Mikrotechnik Gmbh Verfahren zur Herstellung mikromechanischer Strukturen sowie mikromechanische Struktur
    DE102007035633B4 (de) * 2007-07-28 2012-10-04 Protron Mikrotechnik Gmbh Verfahren zur Herstellung mikromechanischer Strukturen sowie mikromechanische Struktur

    Also Published As

    Publication number Publication date
    WO2000057445A1 (de) 2000-09-28
    DE19912669A1 (de) 2000-09-21
    US6613993B1 (en) 2003-09-02
    EP1163692A1 (de) 2001-12-19
    ATE232331T1 (de) 2003-02-15
    DE50001205D1 (de) 2003-03-13

    Similar Documents

    Publication Publication Date Title
    DE10004393C1 (de) Mikrorelais
    EP1163692B1 (de) Substratparallel arbeitendes mikrorelais
    DE19820821C1 (de) Elektromagnetisches Relais
    DE602004003403T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Steuerung der modularen asynchronen Schütze
    EP0640242B1 (de) Kontaktfederanordnung für ein relais zum führen und schalten hoher ströme
    DE3544656A1 (de) Synchron betaetigbare elektrische stromschalteinrichtung
    DE19850397A1 (de) Elektrische Fehlerstromschutz-Schalteinrichtung
    EP0199668A2 (de) Strombegrenzende Schalteinheit mit einer Kontaktbrückenanordnung
    EP1597743A1 (de) Magnetischer linearantrieb
    WO2003060940A1 (de) Mikro-elektromechanisches system und verfahren zu dessen herstellung
    DE102015119352B4 (de) Elektromechanischer schutzschalter
    WO1999043013A1 (de) Mikromechanisches elektrostatisches relais
    EP0610464B1 (de) Beschleunigungsschalter und verfahren zur herstellung
    EP1269506B1 (de) Mikroaktoranordnung
    DE102021202409A1 (de) Kapazitiv betätigbarer MEMS-Schalter
    EP0007429A1 (de) Elektrischer Niederspannungs-Lastschalter
    DE19800189C2 (de) Mikromechanischer Schalter
    DE102008011175B4 (de) Mikromechanischer Aktuator und Verfahren zu seiner Herstellung
    EP0358287B1 (de) Antriebsbauteil für einen mehrpoligen Niederspannungs-Leistungsschalter
    EP1312100B1 (de) Mikroschalter
    EP1031161B1 (de) Mikrorelais
    EP1191559A2 (de) Mikroschalter und Verfahren zu dessen Herstellung
    DE19937811A1 (de) Relais, insbesondere Mikro Relais zum Schalen eines Stromkreises
    EP1246215A1 (de) Mikrorelais mit neuem Aufbau
    DE102022200337A1 (de) MEMS-Relais

    Legal Events

    Date Code Title Description
    PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

    Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

    17P Request for examination filed

    Effective date: 20010830

    AK Designated contracting states

    Kind code of ref document: A1

    Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE

    GRAG Despatch of communication of intention to grant

    Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS AGRA

    17Q First examination report despatched

    Effective date: 20020425

    GRAG Despatch of communication of intention to grant

    Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS AGRA

    GRAH Despatch of communication of intention to grant a patent

    Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS IGRA

    GRAH Despatch of communication of intention to grant a patent

    Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS IGRA

    GRAA (expected) grant

    Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

    AK Designated contracting states

    Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE

    PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

    Ref country code: FI

    Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

    Effective date: 20030205

    Ref country code: GB

    Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

    Effective date: 20030205

    Ref country code: GR

    Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

    Effective date: 20030205

    Ref country code: IE

    Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

    Effective date: 20030205

    Ref country code: NL

    Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

    Effective date: 20030205

    REG Reference to a national code

    Ref country code: GB

    Ref legal event code: FG4D

    Free format text: NOT ENGLISH

    REG Reference to a national code

    Ref country code: CH

    Ref legal event code: EP

    REG Reference to a national code

    Ref country code: IE

    Ref legal event code: FG4D

    Free format text: GERMAN

    REF Corresponds to:

    Ref document number: 50001205

    Country of ref document: DE

    Date of ref document: 20030313

    Kind code of ref document: P

    PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

    Ref country code: LU

    Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

    Effective date: 20030317

    Ref country code: AT

    Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

    Effective date: 20030317

    Ref country code: CY

    Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

    Effective date: 20030317

    PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

    Ref country code: MC

    Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

    Effective date: 20030331

    Ref country code: BE

    Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

    Effective date: 20030331

    PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

    Ref country code: SE

    Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

    Effective date: 20030505

    Ref country code: DK

    Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

    Effective date: 20030505

    Ref country code: PT

    Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

    Effective date: 20030505

    NLV1 Nl: lapsed or annulled due to failure to fulfill the requirements of art. 29p and 29m of the patents act
    GBV Gb: ep patent (uk) treated as always having been void in accordance with gb section 77(7)/1977 [no translation filed]

    Effective date: 20030205

    PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

    Ref country code: ES

    Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

    Effective date: 20030828

    BERE Be: lapsed

    Owner name: *ABB RESEARCH LTD

    Effective date: 20030331

    REG Reference to a national code

    Ref country code: IE

    Ref legal event code: FD4D

    Ref document number: 1163692E

    Country of ref document: IE

    ET Fr: translation filed
    PLBE No opposition filed within time limit

    Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

    STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

    Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT

    26N No opposition filed

    Effective date: 20031106

    PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

    Ref country code: CH

    Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

    Effective date: 20040331

    Ref country code: LI

    Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

    Effective date: 20040331

    REG Reference to a national code

    Ref country code: CH

    Ref legal event code: PL

    PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

    Ref country code: FR

    Payment date: 20100402

    Year of fee payment: 11

    PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

    Ref country code: IT

    Payment date: 20100329

    Year of fee payment: 11

    PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

    Ref country code: DE

    Payment date: 20110325

    Year of fee payment: 12

    REG Reference to a national code

    Ref country code: FR

    Ref legal event code: ST

    Effective date: 20111130

    PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

    Ref country code: FR

    Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

    Effective date: 20110331

    PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

    Ref country code: IT

    Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

    Effective date: 20110317

    REG Reference to a national code

    Ref country code: DE

    Ref legal event code: R119

    Ref document number: 50001205

    Country of ref document: DE

    Effective date: 20121002

    PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

    Ref country code: DE

    Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

    Effective date: 20121002