WO1980000520A1 - Method of making thick film fine patterns - Google Patents

Description

. 明 細 書

厚膜微細パ タ ー ンの生成方法

技術分野

本発明は回路形成用の 厚膜ペ ー ス ト を絶緣基板上 に塗布 して所望回路パタ ー ン を生成する ぺ タ 一 ン生成方法の改良に 関 し， 更に詳細には極め て微細 ¾ バ タ 一 ン が安価に且つ容易に生成で き る方法で， 厚膜形ハ イ ブ リ ッ ド I c や プ ラ ズ マ デ ィ ス フ' レイ 等. の回路パタ ー ン形成に適用 して特に 有効 厚膜微細 パ タ ー ン の生成方法に関する も の であ る

冃 ^:技術

ハ イ ブ リ ツ ド I C にはその膜生成法の相違 に よ 厚膜形 イ プ リ ッ ド I c と 薄 形ハ イ ブ y 'ノ ト' I c カ あ る o

厚膜形ハ イ ブ リ ッ ド I c は各種回路形成用 ペー ス ト を用い て基板上に回路膜を形成する も の で ， ぺ ー ス ト と し ては 11 ， 8， 11ー？ 1等 ©貴金属粉末と ガラ ス フ リ ッ ト を混合 して それを有機樹脂バ ィ ン ダ溶液 中 に分散 さ せた導体べ一ス ト ， 又は抵抗値の大き い A g—P d 粉末，酸化ル テニ ゥ ム 粉末等と ガ ラ ス フ リ ッ ト を混合 してそれ を有機樹脂バ イ ン ダ溶液中 に分散 さ せた抵抗体べ— ス ト ， 又はチ タ ン 酸や ジ ル コ ン酸 系の 強誘電体粉末等 と ガ ラ ス フ リ ッ ト を混合 してそ れ を有機樹脂バ イ ン ダ溶液中 に分散させた誘電体べ — ス ト ， ま たはガ ラ ス フ リ ッ ト を有機樹脂バ イ ンダ 溶液中に分散させた絶緣体ペー ス ト 等が市販され ' 各種ペー ス -ト の混合物はペー ス ト メ 一 力 に Z り 種 々 の も のが存在する。 これ ら一般に使用さ れている回 路形成用ペ ース ト には必ず有機樹脂バ イ ン ダ溶液が 含ま れてお 13 ' こ れは メ チ ル セ ル ロ ー ス ， ェ チ ル セ ル ロ ー ス等の有機樹脂をブチル カ ル ビ ト ー ル ， プチ ル カ ル ビ ト — ル ア セ テ ー ト 等の高沸点の有機溶剤で 溶解 レた液状体か ら る り 一定の粘度を与え る よ う 作 用する も の で あ る 。

従来の厚膜パ タ — ンの生成方法は上述 したペー ス ト を ア ル ミ ナ セ ラ ミ ッ ク絶縁基板上 に ス ク リ 一 ン 印 刷手段で塗布 して所望形状の導体パ タ ー ン ， 抵抗体 ノ、' タ ー ン ， コ ン テ ン サ用 パ タ ー ン を形成 し， し力 る 後， 該回路パ タ ー ン を焼成する こ と に よ 絶緣基板 上に配線導体， 抵抗体， コ ン デ ン サ を膜素子 と して 生成する も の で あ っ た ο

—方， 薄膜形ハ イ ブ リ ッ ド I C は ス パ ッ タ リ ン ： 装置や蒸着装置等の膜形成装置を用い， 該装置に よ ！) A u , A ， N i— C r ， T a 等の金属 を一且気化 さ せて 絶 緣基板の全表面に付着させ， しか る後 この金属薄膜 を フ ォ ト エ ッ チ'ン グ手段で不要部分 を除去 してパタ 一 二 ン グ し所望形状の配線導体， 抵抗体， コ ン デン サ を絶緣基板上に形成する も の で あ る 。

と ころ で， 上述 した厚膜生成法では絶緣基 ·板上に ペ ー ス ト 膜を形成させる装置は薄膜生成法に よ る膜

一 OM WIP 形成装置に比べ極めて安価であ り ， 且つ形成時間が 短 ぐ て済み しか も形成時の 制御が簡単であ る ため低 価格な .©路基板を量産良 く 得る こ と が で き る 特長を も ってい る。 しか し， その反面今ま での厚膜生成法 では薄膜车成 ¾ © ょ う ¾ 微細パ タ ー ン を得る こ とが でき い欠点があ る。

すな わ ち， 従来の厚膜生成法は上述 した如 く 回路 パ タ ー ン をス ク リ ー ン印刷で形成 してい る ため ， ス ク リ ー ン メ ッ シ ュ の大 き さ に限界が あ 通常実用に 供 し う る パ タ ー ン幅は 2 0 0 m 程度が限度 と さ れて お ， 薄膜生成法の如 く パ タ ー ン幅が 程度の 微細パ タ ー ン を得る こ と が困難であ った。

こ の ため， 従来のハ イ ブ リ ッ ド I C に おい ては電 気回路が高密度であ る も のは 電気的にそれほ ど高精 度の電気回路を形成する 必要が く と も 全て薄膜生 成法に よ り 製造 してお 高価 回路基板 と る つて い た o - ま た， 厚膜生成法の特殊な 例と し て微細 ¾回路パ タ ー ン を得るため フ ォ ト ヱ ツ チ ン グ技術 を組合せた 方法があ る。 こ れは光感光性物質を 含むペ ー ス ト を 絶緣基板上に塗布 し乾燥され た後， こ のペー ス ト 膜 自 体を露光 · 現像 して所望の 回路 パ タ ー ン を 形成 し しかる後 ， 該回路パ タ ー ン を焼成 して回路基板を得 る方法であ る o

し力 し が ら ， こ の方 法ではべ一 ス ト が特殊製法

_Ο ΡΙ 、 ^WIPO に よ る ため高価であ .り ， 且つ市販されて い る も のが A u 導体ペース ト や Ag 導体ペー ス ト 等の少品種の みであ 種 々 の膜素子が生成で き ない問題があ る o しか も ， 特殊ペー ス .ト を用い る Oで取扱いが複雑で 均一 ¾微細パ タ ー ン を再現性良 く 得る こ が困難で あ り ， 実用さ れてい る例は極めて少 ¾い と 思わ れ る。

更に ， X方向電極パ タ ー ン群 と Y方向電極パタ ー ン群をそれぞれ備えた 2 枚の ガ ラ ス基板 を重ね合わ せ， 該 ガ ラ ス基板間に ネ オ ン ガス やヘ リ ゥ 厶 ガス等 の希ガ ス を封入 した構造か ら る プ ラ ズ マ デ ィ ス フ- レ イ に 'おい て ， 低コ ス ト 化を計ったセ ル フ シ フ ト 形 パ ネ ルは放電用の上記 X ， Y 電極パ タ ー ン を ミ ヤ ン ダ形状等複雑パ タ — ン で形成す る ため 6 0 m程度の 微細バ タ — ンが必要であ り ， この ため今ま では上記 薄膜生成法でパ タ ー ン形成 して 高価 も の と な つ ていた o

発明の開示 ■ 本発明の 目 的は斯か る点に鑑み薄膜生成法に よ る バ タ ー ン幅 と 同程度の微細パ タ ー ン が高密度に し か も 安価 に且つ容易に形成 でき る厚膜微細パ タ ー ン の 生成方法を提供す る も の であ る。

本発 明の他の目 的は上述 した特殊る ペ ー ス ト を用 いずに厚膜回路形成用 と して市 販さ れて い る通常の ペース ト に よ 微細パ タ ー ンが形成でき る厚膜微細 パ タ ー ンの生成方法を提供す る も の であ る。

OMPI一 WIPO~~ 更に他の 目 的は高精度の微細バ タ ー ンが再現性良 ぐ 形成でき る厚膜微細バ タ ー ンの生成方法を提供す る も のであ る。

本発明に よ れば， 回路形成用 の厚膜ペ ー ス ト と該 厚膜ペ ー ス ト パ タ ー ン ニ ン グす る ため O フ オ ト レ ジス ト を有 し， 且つ該厚膜ペ ース ト と 該 フ ォ ト レ ジ ス ト は一方を有機溶剤を含む油性と し， 他方 を有機 溶剤 を含ま る い水 ·性と して る 13 , 前記厚膜ペー ス ト を基板上に塗布 して乾燥さ せた後， 該ペー ス ト 膜面 に前記 フ ォ ト レ ジ ス ト を被看形成 し その後該レ ジ ス ト 膜を露光 · 現像 して露出 した前記ペー ス ト膜を 溶去 し， しかる後， 残存 したペ ー ス ト 膜を焼成し て な る こ と を特徴 と した厚膜微細パ タ ー ン の生成方法 が提供さ れる o

更に本発明に よ れば ， 上述 した厚膜微細パ タ ー ン の生成方法に よ 製造さ れた厚膜形ハ イ ブ リ ッ ド I G が提供される。

更にまた本発明によれが上述した厚膜微細パター ンの生 成方法によ 放電用電極パターン群が製造されたプラズマ ディスプレイが提供される。

図面の簡単 説明

第 1 図 （人）〜（E ) は本発明に係る厚膜微細パタ一ンの生 成方法を工程順に原理的に示した断面図， 第 2図〜第 5 1 は本発明に係る各種回路形成用ペース ト の乾燥'温度と乾燥 時間の関係を示す特性図， 第 6 図は本発明に係る

の実施例を示す断面図であ る o

発明 を実施する ための最良の形態

以下， 添付図面 を参照 しなが ら本発明 の好ま しい 実施例につ き 説明する。

本生成法では先づ第 1 図 （A) に示す如 く . セ ラ ミ ッ ク 等か ら る 絶緣基板 1 の回路形成部分の全表面 に上述 した通常の回路形成用ペ ー ス ト 〔 導体ペ ー ス ト ， 抵抗体ベー ス ト ， 誘電.体ペー ス ト ， 絶縁体べ 一 ス ト 等 ） を 8〜3 0 /z m の厚さ で均一に印刷塗布 して ペ ー ス ト 膜 2 を形成 し， こ れを 6 0 X 〜 で乾燥 硬化さ せる o

次に第 1 図 （B) に示す如 ぐ ， （A) 図 の ペー ス ト膜 2 上 O全面に 有機溶剤 を含 ま る い水溶性の フ ォ ト レ ジス ト 膜 3—を被看形成す る。

続いて， ペ ー ス ト 膜 2 の不要部分を溶去可能にす る ため図示せぬ マ ス ク を使用 して フ ォ ト レ ジ ス ト 膜 3 を露光 し水溶液に漬けて現像する こ と に よ 1?第 1 図 （C) に示す如 く ペ ース ト 膜 2 の不要部分の フ ォ ト レ ジス ト 膜 3 を除去 し， そ こ を露出 させる 。

この状態 か ら有機溶剤 を用い 露出部分のペ ース ト 膜 2 の有機樹脂バ イ ン ダ を溶解さ せ 'て混合粉末を除 去 し第 1 図 （D) の如 く ペ ー ス ト 膜 2 をパ タ ー ニ ン ク す る 。

しか る後， （D) 図 のペ ー ス ト 膜 2 を 焼成 （ 例えほ 8 0 0 Ό〜 9 2 0 Ό ) す る こ と に よ り 第 1 図 （Ε) に示す

OMPI WIPO 如 く ， 該„ぺ ー ス ト 膜 2 ©有機樹脂バ イ ン ダが燃焼気 化 し， 混合 末は融着し， 且つ絶緣基板 1 に 固看さ れて所定の電気特性を示す回路膜 4 に成長 し， 厚膜 微細バ タ 一-ン が生成さ れる 。

¾ お， （D ) 図における フ ォ ト レ ジ ス ト 膜 3 は （E ) 図の焼成工程時にその焼成温度で焼失 し除去する こ とが でき るが， 焼成前 に水に 漬けて予め除去するェ 程 を加えて も かま わる い。

次に ， 本発明のパ タ ー ン生成方法の具体的製造例 について述べる o

先づ， 第 1 図 （A) に おける 回路形成用ペ ー ス ト 膜 2 の乾燥温度であ るが ， 本発明者 らは厚膜形ハイ ブ " ッ ド I C に使用 さ れて い る各種ペ ー ス ト に つ い て 実験 し， その適正乾燥温度条件 を見出 した。

こ の条件はペ ー ス ト 膜カ s フ ォ ト レ ジ ス ト 被看時に 作用 する 外力で変形 し い程度 の硬化状態と る温' 度以上 で， 且つペー ス ト 中 に含有さ れた有機バ イ ン ダ が固化せずに金属粉 ， 酸化物粉 ， ガ ラ ス フ リ ッ、 ト 等が溶解する状 態と な る温度以下であ ， 具体的に は乾燥温度が 6 0 r〜 1 6 0 TC , 乾燥時間が 1 0 分〜 6 0 分が適切であった o

こ の乾燥温度条件の 実験結果の一部 を第 2 図〜 第 5 図 に囟示 した。 各図に おいて縦軸は乾燥温度 〔 〕 を， 横軸は乾燥時間 〔分〕 'を示 し， A 部は有機バ イ ン ダが固化 しペ ー ス ト膜の 溶去が困難であった過乾燥 領域， B 部は硬化が不十分で フ ォ ト レ ジ ス ト 膜の被 着が困難であった未乾燥領域， G 部はペー ス ト膜の 溶去が容易で且つ レ ジ ス ト 膜の被着が膜変形 を生 じ ずにでき る適正乾燥領域を示す。

第 2 図は Au 導体ペース トで 「デュポン製 ⁿDp9260ⁿ

( 商品名つ 」 の乾燥温度条件を示 し， 第 3 図は Au 導体ペース ト で 「昭栄 化学製 " 4 4 0 5 G " ( 商品名 ） 丄 第 4 図は絶縁体ベー ス ト で 「デュ ポ ン製 " Dp 9429 ⁿ ( 商品名 ） 」 ， 第 5 図は絶緣体ペ ー ス ト で 「昭栄化 学製 " 5 1 7 2 S " (商品名 ） 」 の場合を夫 々示す。

こ の実験に使用 したペ ー ス ト 膜溶去用 ©有機溶剤 は 1 , 1， 1一ト リ ク ロ ル ェ タ ン で， 該有機溶剤を吹付 けて行るつた。 又 ' ペー ス ト膜への.フ ォ ト レ ジス ト 膜形成はス ピ ンナ ー装置、に よ U 基板 を ⁵ O O rpm 程 度回転させた状態で 液状の水溶性 レ ジ ス ト 「富士薬 品製 " フ ジ ロ ン 2 0 " (商品名 ） 」 を散布 して釵 m ( l〜4 i m ) ©レ ジス ト 膜を被着形成 した o

以上の実験結果か ら理解さ れる通 ， 回路形成用 ペ ー ス ト の乾燥温度条件は乾燥温度 が 6 0 Χ 〜 1 60iC， 乾燥時間が 1 0 分以上で製造性の点か ら 6 0 分以下 が適切であった o

お， 上述 した導体ペース ト ， 絶緣体ペ ー ス ト 以 外お よ び抵抗体ペ ース ト ， 誘電体ペ ー ス ト について も 種 々 の も の を実験し たが， やは り 上記乾燥温度条 件が適切であった。

OMP

/_h WIP ^に ， 第 1 図 （B ) において使用 す る フ ォ ト レ ジス ト につい て ど O よ う フ ォ ト レ ジス ト が微細パタ ー ン を得 るために適切であ るかを実験 し た。 この実験 も 本発明者 らは市販さ れてい る種 々 の フ 才 ト レ ジス ト につい て行る い， その結果有機溶剤を含ま るい水 溶性 レ ジス ト が微細パ タ ー ン を形成す るために有効 であ る こ と を見出 した。

下表一 1 に こ の実験に使用 した フ ォ ト レ ジ ス ト の 一部 を示す o ·

上表の 1 〜 6 の フ ォ ト レ ジス ト では微細パ タ ー ン生成が困難で且つペ ー ス ト 膜に よ る回路パタ ー ンが 形成 で き る かっ た。 7 の フ ォ ト レ ジ ス ト では 微細で良好る 回路パ タ — ンが形成 で き た。

具体的に説明す る と ， 2 ， ： , . 5 , ら のフ ォ ト レ ジ 卜 は ネ ガ タ イ プ で該 フ ォ ト レ ジス ト の現像 時に下層 のペ ー ス ト 膜が同時に浮 き 上がっ た ！？ は ぐ

OMPI

/ WIPO .

^ 離 した しレ ジス ト パ タ ー ンが形成で き な い。 又 '

1 , 8 の フ ォ ト レ ジス ト はポ ジ タ ィ ブで現像液と して水溶性の も の を使用す るため現像に よ ) レ ジス ト パ タ ー ンは形成でき たが回路パ タ ー ンは形成でき かった ο

こ の原因は これ ら フ ォ ト レ ジ ス ト （ 1 〜 6 ) には セル ソ ル ブ 了 セ テ ー ト ， 有機ア ミ ン ， キ シレ ン， 酢酸 ブチル ， ケ ト ン ど の有機溶剤が含 ま れて. 'り 該有機溶剤が乾燥状態の ペ ー ス ト 膜に浸透 した状態 で フ ォ ト レ ジ ス ト 膜が形成さ れ ' 且つ _¾ 2 , 4 , 5 , 6 では特に現像液にペー ス ト が溶解 しやすい有機溶剤 を使用 してい る の で現像時にペー ス ト 膜その も ©が 溶解 して しま う ため であ る 。 ま た ， 1 ， 3 では現 像液が水溶性であ る ためペ ー ス ト 膜中に しみ込んだ レ ジ ス ト を除去でき ず且つ フ 才 ト レ ジ ス ト 膜カ ぺー ス ト 膜の不要部分 を溶去 し よ う と する 有機溶剤 （ 例 えが 1 , 1 , 1 一 ト リ ク ロ ル エ タ ン等 ） に溶解 しやす いため全 ぐ 回路パ タ ー ン を形成さ れる い。

こ れ に対 し， ¾ 7 の フ 才 ト レ ジ ス ト は ポ リ ビ ュル ア ル コ ー ト 粉末 を水に浸 し暖め るが ら溶か した水溶液に対 し ジ ァ ゾ化合物 を加えて製造された 水溶性 レ ジ ス ト であ ， 有機獰剤を全 く 含ま ず且つ 現像液 も水 であ る。

従って ， . 7 の フ ォ ト レ ジ ス ト では該 フ ォ ト レ ジ ス ト お よ び現像液に よ り ペ ー ス ト 膜が侵され る こ と

OMPI WIPO が く 且つ有機溶剤に対 して耐薬品性があ る ため露 光 ' 現像 した フ ォ ト レ ジ ス ト パ タ ー ン と ほぼ等しい パ タ ー ン幅 を持った回路バ タ 一 ンが形成さ れる も の と 思、われる o

又， ベ ー ス .ト は上述 した如 く 有機溶剤を含んでお り 油性であ るの に対し ， 水溶性レ ジ ス ト は水性であ る ため相互に反発 し合い ， ベ ー ス ト が乾燥状態であ る に も かかわ らずそれに水溶性 レ ジ ス ト および現像 液 （水） がほ と ん ど しみ込ま い点 も 良好な 回路パ タ — ン が形成で き る要因 と 思われ る 。

お， 有機溶剤 を含 ま な い他の数種 （ 例えぱカ ゼ ィ ン · 重 ク 口 厶酸 ア ン モ ニ ゥ ム系水溶性レ ジ ス ト ） の フ 才 ト レ ジ ス ト を用いて 実験 した結果やは 7 と 同様良好回路パ タ ー ンが形成で き た。

次に ， 第 1 図 （D ) に ける乾燥べ — ス ト 膜を溶去 させる手段については， 有機溶剤 と して 1 ， 1 ， 1一 ト リ ク ロ ル.エ タ ン をは じめ と する厚膜ペ ー ス ト を溶解 させ る もの であ'ればすベて利用 でき 且つ基板を回転 させた状態で該有機溶剤 を ペ ー ス ト 膜の 露出 部分に 吹 き 付けて行る う方法が極めて有効であ った。

比較の ため実験 した他の有機溶剤は ァ セ ト ン ， テ ノレ ピ ネ 才 一 ノレ ， ィ ソ フ- 口 ピ ノレ ア ノレ コ ー ノレ ， ェ チ ノレ ア ノレ コ 一 ノレ ， メ チ ル ア ル コ 一 ノレ ， キ シ レ ン ， @^ 酸ブチ ノレ ； セ ノレ ソ ル ブ ア セ テ ー ト ， ト リ ク ロ ノレ エ チ レ ン で あ り ， これ らは全て良好であ る。 このため ， 毒性 ，

OMPI

Λ, WWIIPPOO _¾

、 火気危険性が少な く 取扱いやすい も の を利用すれば よい こ とがわかった o

又， こ © ょ う 有機溶剤中にただ基板を漬けただ けではペ ー ス ト 膜の除去に時間がかか り 作業性が悪 く 且つ回路パ タ ー ン のサ イ ドエ ッ チン グが大き く 微細パ タ ー ン を得に く い。 こ れに 比 し， 上述 した 有機溶剤の吹 き 付け法に よ る と ， 強制的にベ — ス ト 中の有機樹脂を溶去させ混合粉末 を飛散させる ため 作業効率が 良 く 且つ シ ャ ー プヱ ッ ジ ¾微細パ タ ー ン を容易に得る こ と がで き る 。 又， 基板を 1 0 0 0 r .p,m 以上で回転させるが ら有機溶剤 を吹付ける と ， '溶解 Lたペー ス ト （ 有機樹脂 , 混合粉末 ） が遠心力に よ り 自 動的に基板外へ飛散する の で作業性が向上す る。

¾ お， 有機溶剤の吹付け圧 力は ⁶ 0 X：〜 1 ⁶ 0 Cで乾 燥させたペ ー ス ト 膜を 1 , 1 , 1— ト リ ク ロ ル ェ タ ン に よ 溶去す る場合， 3 ノ cm²〜 2 0ん 9 Z cm² が良好で あった。 これは吹付け圧力が 2 ノ ²以下であ る と 溶去に時間がかか ]? ， 又 2 1 Z 以上であ る と 回 路パ タ ー ンが変形.し た 断線す る危険があ る ためで あ る o

次に ， 本発明の製品への実施例を説明す る。

下表— 2 は ハ イ ブ リ ッ ド I Cへの実施例で， 該表 において I は本発明の生成方法に よ 絶緣基板上に - タ ー ン幅 5 .0 m 、' タ ー ン間隙 8 0 m の直線状 配線導体 を生成 した場合の形成条件， Ϊ は本発明の

_O PI

"WIPO 生成方法に よ り 絶緣基板上に パ タ ー ン幅 ^{5 0 m} ， パ タ ー ン間 ^ 80 m O直線状配線導体を生成 した場合 の形成条件であ る。

' こ れに よ つて生成された配線導体およ び抵抗体は 薄膜生成法に よ 形成し た同幅 ， 同間隔の配線導体 抵抗体と 同程度の電気特性を示 し十分実用で き る も の であ る o

表 一 2

下表一 3 は プ ラ ズ マ デ ィ ス プ レ イ への 実施例で ' ガ ラ ス基板上にパ タ ー ン幅 6 0 m ， パタ ー ン間-隔 Q 0 μ πχ Ό ミ ヤ ンダ形状カゝ ら な る放電用電極 パ タ ー ン を生成 した形成条件であ る ο こ の電極パ タ ー ン を備 え て製造 さ れた プ ラ ズ マ デ ィ ス プ レ イ は 電 極 パ タ

Ο ΡΙ ー ン を薄膜生成法で製造 し た プ ラ ズマ デ ィ ス ブ レイ と 同程度の電気特性を示 し輝度 も十分であ り 実用て き る も の であ った o

表 ： 一 3

第 6 図は本発 明の他の実施例を示す も ので， こ の 方法は基板 1 上に先づ熱可塑性樹脂か ら る接着層 し， 該接着層 ⁵ 上に回路形成用へ 5 を 形成 一ス ト を へ

付着して ペ ー ス ト 膜 ² を形成 した後， 該 一ス ト 膜 2 を水溶性 © フ ォ ト レ ジ ス ト で上述と 同様に パ タ ー ン ニ ン グ して 回路膜を得る も の であ る。

接着層 ⁵ と して は ペ ー ス ト の乾燥温度 よ り 低い軟 化点を も つ熱可塑性樹脂を使用 し ' 例えば常温で固 形の エ ポキ シ樹脂 「ェ ビコ ー ト 1 0 0 4 ( 商品名 ） 1 , ワ ッ ク ス 等が適切 であ る ο

この よ う に接着層 を介在させる こ と に よ ペー ス ト 膜 2 の基板 1 に対する 密着が強固 と り ， 有機溶 剤の吹付けに よ る パ タ ー ンずれが生 じに く ぐ な る た

OMPI め， よ 微細な パ タ ー ン （ 4 - 0 m以下 ） の形成が可 能にな る。

又， 乾燥状態の ペース ト 膜 2 の表面は凹凸がかな り 大 き く ， こ のため該ペ ー ス ト 膜上に被着形成 した 水溶性レ ジス ト の表面 も 凹凸状 と ， 露光時に

' ける マ ス ク と ペ ー ス ト 膜 2 と の密着が不均一 と な る ため ， 所謂 " 切れの よ い回路パ タ ー ン " が得 られに く い。

そ こ で ， ペー ス ト膜 2 0表面を ガ ラ ス フ ァ イ ノ ブ ラ シ 等で ブ ラ ッ シ ン グ して平滑に した上で ， 該ぺ' 一 ス ト 膜面に水溶性レ ジス ト 膜を形成す る方が よ ί? 微 細な パ タ ー ン を得るために 有効であ る。 . '

以上 に記載 した如 く 本発明 に よ れば， 薄膜生成法 に よ る回路パ タ ー ン と 同程度 の徵細パ タ ー ン が厚膜 生成法に よ 得 る こ と が で き ， しか も薄膜生成法の 場合に比べ安価に且つ容易に得る こ と がで き る。

又， 本発明に よ ]3 得 ら れた 回路パ タ ー ンは電気特 性 も 従来の薄膜形成法の も の と 同程度であ 十分実 用化で き る も のであ る。

以上説明 した実施例に対し下記変更 を加えて も本 発 明の範 疇であ る 。

先づ， 上記実施例では水溶性 レ ジ ス ト と して液状 の も の を使用 したカ ， フ イ ル ム 状の水溶性 レ ジス ト を使用 し これを熱圧着でペ ー ス ト 膜上に被着形成 し て も 良い ο

一 O PI /,, IPO . 又， 上記実施例 と しては回路形成用 ペー ス ト が油 性の場合について説明 したが， 今後有機溶剤を含ま い水性のペー ス ト が実用さ れる可能性があ る。

従って， この よ 5 な水性ペー ス ト を用いた場合に は油性の フ ォ ト レ ジス ト を用いて水溶液の吹付けで 水性ペ ー ス ト をパ タ ー ニ ン グする こ と も 本 ¾明の範 疇であ る o

O PI

WIPO

Claims

請 求 の 範 囲

(1) 回路形成用の厚膜ペース ト と 該厚膜ペー ス ト を

パ タ ー ン ニ ン ク する ため の フ 才 ト レ ジス ト を有し .

且つ該厚膜ペース ト と 該 フ ォ ト レ ジス ト は一方を有 機溶刳 を含む油性と し他方を有機溶剤 を含 ま な い水 性 と して る り ， 前記厚膜ペー ス ト を基板上に塗布 し て乾燥さ せた後， 該ペ ー ス ト 膜面に前記 フ ォ ト レジ ス ト を被着形成 し， その後該 レ ジ ス ト 膜を露光 · 現 像 して露出 した前記ペー ス ト 膜を溶去 し， しかる後 残存 し たペ ー ス ト 膜を焼成 して ¾ る こ 'と を特徵 と し た厚膜微細バ タ — ン の生成方法。

12) 前記厚膜ペー ス ト が油性の場合， 乾燥温度は 6 0 Ό

〜 1 6 0で であ る こ と を特徴と した請求の範囲第 1 項 記載の厚膜微細パ タ ー ン の生成方法—。

(3) 前言己 フ ォ ト レ ジ ス ト を ポ リ ビ ュ ル ア ル コ ー ル系 の

水溶性 レ ジ ス ト と し た こ と を特徵 とす る 請求の範囲 第 1 項記載の厚膜微細パ タ一 ン の生成方法。

(4) 前記べ —ス ト 膜を溶去させる 溶剤を前記露出部分

に対 し吹付けて行 な 5 こ と を特徴 と した請 求の範 囲 第 1 項記載の厚膜微細パ タ ー ン の生成方法。

(5) 前記厚膜ペ ー ス ト が油性の場合， 前記溶剤を 3 〜

2 0 k^/ c^の吹付け圧力 と して前記露出部分を溶去さ せた こ と を特徴 と す る請求の範囲第 4 項記載の厚膜 微細パ タ ー ン の生成方法。

(6) 前記溶剤を吹付ける 際， 前記基板を 回転さ せた状

O PI

ん WIPO . 態で行 う こ と を特徵とする.請求の範囲第 4 項およ び第 5項記載の厚膜微細パタ ー ン の生成方法。