WO1982003458A1 - Thin layer strain gauge and method for the manufacture thereof - Google Patents

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WO1982003458A1
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Gmbh Robert Bosch
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    • G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
    • G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
    • G01L1/2287—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges constructional details of the strain gauges
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    • Y10T29/49103—Strain gauge making

Definitions

  • the invention is based on a thin-film strain gauge according to the preamble of the main claim.
  • Strain gauges of this type are known, both in a conventional design with wire-shaped or foil-like resistance elements and in thin-film technology.
  • elastically deformable spring elements spring elements which are deflectable on one side or centrally, are extensible in the longitudinal direction or are deformable in some other way are used in connection with at least one strain-sensitive resistor.
  • four strain-sensitive resistors are often connected to form a Wheatstone bridge.
  • the resistance elements of the strain gauges from a material or a combination of materials with a small temperature coefficient of electrical resistance in order to eliminate measurement errors due to temperature fluctuations, which are noticeable in the same way as deflections of the element.
  • Strain gauges have already been used in conventional technology, in which both the resistance elements and part of the supply lines were made of constantan, but there were losses of the measurement signal on the supply lines.
  • the thin-film strain gauge according to the invention with the characterizing features of the main claim has a number of decisive advantages.
  • one largely avoids the temperature errors which arise due to different temperature coefficients of the electrical resistance of the supply lines and the resistance ranges.
  • practically no higher conductor resistance has to be accepted and thus no reduction in the measuring sensitivity of the resistor or the bridge.
  • both the low-resistance connections between the various resistance areas and the associated connecting lines can be produced from the same material, both sources of error can be eliminated.
  • the manufacture of the various elements by means of thermal evaporation or sputtering results in a solution which is tailored specifically to thin-film technology and can be integrated without difficulty into another thin-film circuit on the same substrate. The manufacturing process is particularly easy.
  • connecting conductor tracks for the external electrical connections allows any design of the same, so that the possibility of varying the type of contacting of the thin-film strain gauge is retained, for example for connections by soldering, bonding or welding in accordance with the conditions of use of the measuring bridge.
  • the proposal according to the invention results in an arrangement of an adherent, tinnable and / or remaining and / or galvanically amplifiable metallization system for thin-film strain gauges and thin-film circuits in the context of particularly efficient production.
  • Expensive pretreatments of the surfaces of the elastically deformable spring elements are dispensed with, especially when using thin, high-resistance glass insulation layers printed in two separate process sections.
  • the double pressure creates a non-porous insulation layer, the individual layers advantageously being baked on for themselves. This burn-in process can be used without additional effort, e.g. Harden CuBe spring element substrates in the same process.
  • FIG. 1 shows the circuit principle of a Wheatstone bridge with strain gauges
  • FIG. 2 shows an arrangement of a thin-layer strain gauge bridge that can be deflected on one side
  • FIG. 3 shows a centrally deflectable arrangement on a diaphragm-like spring element
  • Figure 4 shows a section along the line IV-IV in Figure 2
  • Figure 5 shows an arrangement with a plurality of spring elements with thin-film measuring strips before their division into the individual elements.
  • FIG. 1 shows a bridge circuit with four strain-sensitive resistors R1, R2, R3 and R4. These resistors are electrically connected to one another via short, low-resistance connections L11, L12, L21, L22, L31, L32, L41 and L42. From the connection points, connecting conductor tracks L5, L6, L7 and L8 lead to external contact points K5, K6, K7 and K8. The supply voltage U is applied to the spark K5 and K7, the measurement signal is taken in the bridge diagonal at the contact points K6 and K8.
  • Resistors R1 to R4 form the thin film strain gauges which are arranged in a Wheatstone bridge; Of course, a measurement can also be carried out with a single resistor R, the measurement signal being tapped as a voltage change across this resistor.
  • the various resistors R1 to R4 should be connected to each other with a low resistance and the connecting conductor tracks L5 to L8 TO the contacting points K5 to K8 should also have a low resistance.
  • the electrical connections should consist of a material or a combination of materials with a temperature coefficient of electrical resistance that practically does not differ from the temperature coefficient of the resistance ranges, so that there is no measurement error in the case of temperature fluctuations, which would correspond to an apparent deflection of the spring elements .
  • This is particularly the case when longer conductor tracks are necessary because, for reasons of liability, the bridge can not be contacted directly in the extended spring element area.
  • the resistors R1 to R 4 not only the resistors R1 to R 4 but also the low-resistance connections L11 to L42 and the connecting conductor tracks L5 to L8 are made of resistance material, which, however, is different from the resistance material of the actual resistors R1 to R4.
  • FIG. 2 shows a first exemplary embodiment of the invention, the low-resistance connections L11 to L42 as well as the various resistance areas R1 to R4 and the associated connecting conductor tracks L5 to L8 being applied as a thin layer by sputtering.
  • the strain gauge according to FIG. 2 is produced as an arrangement that can be deflected on one side in the right region of the illustration, which results in an expansion of the resistors R1 and R3, while the resistors R2 and R4 remain essentially unchanged during deflections.
  • FIG. 3 shows an arrangement of a thin-film strain gauge with a symmetrical structure, which is suitable for central deflection and is designed, for example, in the region delimited by dashed lines as an expandable membrane.
  • the four strain gauges of the bridge circuit are formed by two tangentially stretched resistors R1 and R3 and by two resistors R2 and Rt stretched in the radial direction.
  • the low-resistance connections L11 to L42 and the connecting conductor tracks L5 to L8 are adapted to the different geometry and are led out on two different sides. Due to the symmetrical arrangement, they do not cause measurement errors.
  • the resistance temperature coefficients (TKR) of the resistance materials used for the strain-sensitive resistors R1 to R4, the low-resistance connections L11 to L42 and the connecting conductor tracks L5 to L8 are of the same order of magnitude.
  • the low-resistance connections L11 to L42 and the connecting conductor tracks L5 to L8 consist of constantan, in which nitrogen and / or air from the residual gas has been incorporated during dusting or vapor deposition.
  • R1 to R4 are particularly suitable for tantalum nitride (Ta 2 N, TaN) and / or tantalum oxynitride (TaO x N y ), which is also used in
  • Sputtering or vapor deposition of tantalum can be produced by reaction with nitrogen and / or air in the residual gas and has approximately the same temperature coefficient as the doped constantan.
  • the strain-sensitive resistors R1 to R4 can be applied to a thin organic film, which is glued to an elastically deformable spring element, especially when it is Spring elements with non-flat surfaces.
  • FIGS. 2 and 3 have omitted the representation of the spring element;
  • FIG. 5 shows the shape of a spring element, as can be used, for example, for an arrangement according to FIG. 2.
  • FIG. 5 illustrates the production of the individual thin-layer strain gauges according to FIG. 2.
  • the individual elements are divided out of a plate 11, which initially represents the larger production unit.
  • the plate 1 be is made of CuBe spring material and has a size of 3 inches x 3 inches in the arrangement shown in FIG. 5, which is common in thin-film metallization technology and in photoetching technology. Out.
  • This plate 11 can, for example, produce 16 approximately triangular spring elements 10.
  • the individual elements 10 are separated from one another, in contrast to the hitherto usual etching process, by the more economical method of stamping, which, although generally known, has not been used in spite of its procedural advantages when separating such thin-layer arrangements because of their brittleness and because of the feared rejects due to damage during separation has been.
  • the cutting steps for a further mask etching process which represents the greatest additional effort in the case of separating etching, are omitted.
  • the cutting is done after all processing steps to the finished measuring bridge. It is only important here that the surface covered with the glass insulation layer I and thus also the thin-layer metallization is at least 1 mm away from all punched edges, which does not cause any difficulties in the screen printing process.
  • the conductor track regions L11 to L42 and L5 to L8 are applied from constantan doped with nitrogen and / or air in a reactive sputtering process in an argon atmosphere as a discharge gas which is mixed with nitrogen and / or air.
  • the conversion of the cathode material tantalum to tantalum nitride (Ta 2 N, TaN) or optionally to tantalum oxynitride takes place
  • TiO X N y which forms the resistance layer, and furthermore subsequently the production of the conductor track sections in the same atmosphere doped with nitrogen and / or air.
  • the latter consist of constantan doped with nitrogen and / or air, which in this way obtains a temperature coefficient which is approximately equal to the temperature coefficient of the resistance layer. While pure constantan has a temperature coefficient of approximately -10 ppm / ° K, the constantan sputtered, for example, with 1% nitrogen in the discharge gas has a temperature coefficient of -80 ppm / ° K, which corresponds to the temperature coefficient of the tantalum nitride layer sputtered under this discharge composition for the resistors.
  • the resistance layer R and the conductor layer L are thus applied in the same reactive vacuum cycle.
  • two different cathodes made of tantalum and constantan can be used in a high frequency sputtering system are dusted at the same time and the spring elements to be coated are first guided past the tantalum cathode and then the constantan cathode using a transport mechanism.
  • the cathode size and thus different sputtering rates and sputtering times the desired thickness ratios are realized, while at the same time as the sputtering of the constantan layer, the resistance layer made of tantainitride or tantalum oxide nitride is thermally pre-aged.
  • the insulation layer I is produced from at least two layers of glass which are applied one after the other in the manner of multiple printing and then baked in. Two or more separate screen printing processes result in a pore-free insulation layer I without pretreatment of the spring element S underneath. When the glass insulation layer I is baked in, the spring element S is hardened without any additional effort.
  • the constantan layer for the conductor track areas L11 to L42 and L5 to L8 has a sufficient cross-section to ensure the required conductivity.
  • the arrangement in FIG. 4 schematically shows the proportions: the glass insulation layer I with a thickness of 15 to 50 ⁇ m is first firmly adhered to an elastically deformable substrate with a thickness of the order of a few 100 ⁇ m.
  • the resistance layer made of, for example, tantalum nitride is in a thickness range of 0,1 0.1 ⁇ m, preferably approximately 0.5 ⁇ m, while the constantan layer lying over it has a thickness of approximately 0.2 to 0.5 ⁇ m. These sizes must of course be used in each case application cases are adapted.
  • the structure of the thin-film strain gauges according to the invention thus suppresses an apparent strain of the measuring resistors at variable temperature.
  • the interconnection of the various resistors in a measuring bridge also compensates for the faulty change in resistance caused exclusively by thermal expansion of the spring element.
  • the constantan layer on the measuring resistance layer caused, for example, by an error in the exposure mask.
  • the measuring resistor does not differ in temperature coefficient from the other, residue-free bridge resistors. In the case of contact layers previously used, this led to the exclusion of the bridge from precision measurements at variable ambient temperatures, although the bridge resistances were balanced.

Abstract

Such a strain gauge may be integrated in a thin layer circuit. The gauge comprises a spring element which may be formed in connection with at least one elongation sensitive resistance. The arrangement of resistances (R1 to R4), the low resistance junctions (L11 to L42) between the different resistant fields and the connection channels (L5 to L8) pertaining thereto are effected in a vacuum process, preferably by cathodic spraying. The low resistance connections (L11 to L42) and the connection channels (L6 to L8) are made with a material which, while different from that of resistant fields, has approximately the same temperature coefficient in order to exclude temperature errors.

Description

Dünhschicht-Dehnungsmeßstreifen und Verfahren zu seiner HerstellungThin-film strain gauges and process for their manufacture
Stand der TechnikState of the art
Die Erfindung geht aus von einem Dünnschicht-Dehnungsmeßstreifen nach der Gattung des Hauptanspruches. Derartige Dehnungsmeßstreifen sind bekannt und zwar sowohl in herkömmlicher Bauweise mit drahtförmigen oder folienartigen Widerstandselementen wie auch in Dünnschichttechnik. Als elastisch verformbare Federelemente werden dabei in bekannter Weise einseitig oder zentral auslenkbare, in Längsrichtung dehnbare oder andersartig verformbare Federelemente in Verbindung mit wenigstens einem dehnungsempfindlichen Widerstand verwendet. Zur Erhöhung der Keßgenauigkeit sind häufig vier dehnungsempfindliche Widerstände zu einer Wheatstone-Brücke zusammengeschaltet. The invention is based on a thin-film strain gauge according to the preamble of the main claim. Strain gauges of this type are known, both in a conventional design with wire-shaped or foil-like resistance elements and in thin-film technology. As elastically deformable spring elements, spring elements which are deflectable on one side or centrally, are extensible in the longitudinal direction or are deformable in some other way are used in connection with at least one strain-sensitive resistor. To increase the accuracy of the measurement, four strain-sensitive resistors are often connected to form a Wheatstone bridge.
Weiterhin ist es bekannt, die Widerstandselemente der Dehnungsmeßstreifen aus einem Material oder einer Materialkombination mit kleinem Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes herzustellen, um Meßfehler durch Temperaturschwankungen auszuschalten, welche sich in gleicher Weise wie Auslenkungen des Elementes bemerkbar machen. In konventioneller Technik sind bereits Dehnungsmeßstreifen verwendet worden, bei denen sowohl die Widerstandselemente als auch ein Teil der Zuleitungen aus Konstantan hergestellt waren, wobei sich jedoch Verluste des Meßsignals auf den Zuleitungen ergaben.Furthermore, it is known to manufacture the resistance elements of the strain gauges from a material or a combination of materials with a small temperature coefficient of electrical resistance in order to eliminate measurement errors due to temperature fluctuations, which are noticeable in the same way as deflections of the element. Strain gauges have already been used in conventional technology, in which both the resistance elements and part of the supply lines were made of constantan, but there were losses of the measurement signal on the supply lines.
Vorteile der ErfindungAdvantages of the invention
Der erfindungsgemäße Dünnschicht-Dehnungsmeßstreifen mit den kennzeichnenden Merkmalen des Hauptanspruches hat demgegenüber eine Vielzahl entscheidender Vorteile. Insbesondere vermeidet man weitestgehend die Temperaturfehler, welche sich durch unterschiedliche Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes der Zuleitungen und der Widerstandsbereiche einstellen. Hierbei braucht praktisch kein höherer Leiterbahnwiderstand in Kauf genommen zu werden und somit auch keine Verringerung der Meßempfindlichkeit des Widerstandes oder der Brücke. Da sowohl die niederohmigen Verbindungen zwischen den verschiedenen Widerstandsbereichen als auch die zugehörigen Anschlußleitungen aus dem gleichen Material herstellbar sind, können beide Fehlerquellen ausgeschaltet werden. Durch Herstellung der verschiedenen Elemente mittels thermischer Verdampfung oder Kathodenzerstäubung ergibt sich eine Losung, welche speziell auf DünnSchichttechnik zugeschnitten ist und in eine andere Dünnschicht-Schaltung auf einem gleichen Substrat ohne Schwierigkeiten integrierbar ist. Der Herstellungsprozeß ist besonders einfach. Der Aufbau der Anschlußleiterbahnen für die äußeren elektrischen Anschlüsse läßt eine beliebige Gestaltung derselben zu, so daß auch die Variationsmδglichkeit der Kontaktierungsart des Dünnschicht-Dehnungsmeßstreifens erhalten bleibt, z.B. für Anschlüsse durch Loten, Bonden oder Schweißen entsprechend den Einsatzbedingungen der Meßbrücke.The thin-film strain gauge according to the invention with the characterizing features of the main claim has a number of decisive advantages. In particular, one largely avoids the temperature errors which arise due to different temperature coefficients of the electrical resistance of the supply lines and the resistance ranges. Here practically no higher conductor resistance has to be accepted and thus no reduction in the measuring sensitivity of the resistor or the bridge. Since both the low-resistance connections between the various resistance areas and the associated connecting lines can be produced from the same material, both sources of error can be eliminated. The manufacture of the various elements by means of thermal evaporation or sputtering results in a solution which is tailored specifically to thin-film technology and can be integrated without difficulty into another thin-film circuit on the same substrate. The manufacturing process is particularly easy. The construction of the connecting conductor tracks for the external electrical connections allows any design of the same, so that the possibility of varying the type of contacting of the thin-film strain gauge is retained, for example for connections by soldering, bonding or welding in accordance with the conditions of use of the measuring bridge.
Durch den erfindungsgemäßen Vorschlag ergibt sich eine Anordnung aus einem haftfesten, verzinn- und/oder verbleibaren und/oder galvanisch verstärkbaren Metallisierungsystem für Dünnschicht-Dehnungsmeßstreifen und Dünnschicht-Schaltungen im Rahmen einer besonders rationellen Fertigung. Teure Vorbehandlungen der Oberflächen der elastisch verformbaren Federelemente entfallen, insbesondere bei Verwendung dünner, hochohmiger, in zwei getrennten Verfahrensabschnitten aufgedruckten Glasisolationsschichten. Durch den Zweifachdruck entsteht eine porenfreie Isolationsschicht, wobei die Einzelschichten vorteilhafterweise jeweils für sich eingebrannt werden. Dieser Einbrennvorgang kann ohne zusätzlichen Aufwand dazu genutzt werden, z.B. CuBe-Federelement-Substrate im gleichen Vorgang zu härten.The proposal according to the invention results in an arrangement of an adherent, tinnable and / or remaining and / or galvanically amplifiable metallization system for thin-film strain gauges and thin-film circuits in the context of particularly efficient production. Expensive pretreatments of the surfaces of the elastically deformable spring elements are dispensed with, especially when using thin, high-resistance glass insulation layers printed in two separate process sections. The double pressure creates a non-porous insulation layer, the individual layers advantageously being baked on for themselves. This burn-in process can be used without additional effort, e.g. Harden CuBe spring element substrates in the same process.
Zeichnungdrawing
Zwei Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung schematisch dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigen Figur 1 das Schaltungsprinzip einer Wheatstone-Brücke mit Dehnungsmeßstreifen, Figur 2 eine einseitig auslenkbare Anordnung einer Dünns chicht-Dehnungsmeßstreif en-Brücke, Figur 3 eine zentral auslenkbare Anordnung auf einem membranartigem Feder element, Figur 4 einen Schnitt nach der Linie IV-IV in Figur 2 und Figur 5 eine Anordnung mit einer Vielzahl von Federelementen mit Dünnschicht-Meßstreifen vor ihrer Zerteilung in die Einzelelemente.Two embodiments of the invention are shown schematically in the drawing and explained in more detail in the following description. FIG. 1 shows the circuit principle of a Wheatstone bridge with strain gauges, FIG. 2 shows an arrangement of a thin-layer strain gauge bridge that can be deflected on one side, and FIG. 3 shows a centrally deflectable arrangement on a diaphragm-like spring element, Figure 4 shows a section along the line IV-IV in Figure 2 and Figure 5 shows an arrangement with a plurality of spring elements with thin-film measuring strips before their division into the individual elements.
Beschreibung der AusführungsbeispieleDescription of the embodiments
Figur 1 zeigt eine Brückenschaltung mit vier dehnungsempfindlichen Widerständen R1, R2, R3 und R4. Diese Widerstände sind über kurze, niederohmige Verbindungen L11, L12, L21, L22, L31, L32, L41 und L42 elektrisch miteinander verbunden. Von den Verbindungspunkten führen Anschlußleiterbahnen L5, L6, L7 und L8 ZU äußeren Kontaktierungspunkten K5, K6, K7 und K8. Die Speisespannung U wird an die Funkte K5 und K7 angelegt, das Meßsignal wird in der Brückendiagonale an den Kontaktierungsstellen K6 und K8 abgenommen.FIG. 1 shows a bridge circuit with four strain-sensitive resistors R1, R2, R3 and R4. These resistors are electrically connected to one another via short, low-resistance connections L11, L12, L21, L22, L31, L32, L41 and L42. From the connection points, connecting conductor tracks L5, L6, L7 and L8 lead to external contact points K5, K6, K7 and K8. The supply voltage U is applied to the spark K5 and K7, the measurement signal is taken in the bridge diagonal at the contact points K6 and K8.
Die Widerstände R1 bis R4 bilden die Dünnschicht-Dehnungsmeßstreifen, die in einer Wheatstone-Brücke angeordnet werden; selbstverständlich kann eine Messung auch mit einem einzelnen Widerstand R durchgeführt werden, wobei das Meßsignal als Spannungsänderung an diesem Widerstand abgegriffen wird. Mit der erfindungsgemäßen Anordnung läßt sich insbesondere eine in eine Dünnschichtschaltung integrierbare Präzisions-Dünnschicht-Dehnungsmeßanordnung herstellen, welche zur Messung von z.B. Kraft, Druck, Weg, Gewicht oder Beschleunigung verwendbar ist. Um das Meßsignal nicht zu schwächen, sollen die verschiedenen Widerstände R1 bis R4 niederohmig miteinander verbunden sein und auch die Anschlußleiterbahnen L5 bis L8 ZU den Kontaktierungsstellen K5 bis K8 sollen möglichst niederohmig sein. Neben der Forderung nach niederohmigen Verbindungen steht jedoch die sehr wesentliche Forderung, das die elektrischen Verbindungen aus einem Material oder eine Materialkombination mit einem Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes bestehen sollen, der sich von dem Temperaturkoeffizienten der Widerstandsbereiche praktisch nicht unterscheidet, damit sich bei Temperaturschwankungen kein Meßfehler ergibt, welcher einer scheinbaren Auslenkung der Federelemente entsprechen würde. Das ist besonders dann der Fall, wenn längere Leiterbahnen notwendig sind, weil z.B. aus Haftungsgründen nicht unm ittelbar im gedehnten Federeleaentbereich die Xontaktierung der Brücke erfolgen kann. Zu diesem Zweck sind nicht nur die Widerstände R1 bis R 4 sondern auch die niederohmigen Verbindungen L11 bis L42 und die Anschlußleiterbahnen L5 bis L8 aus Widerstandsmaterial hergestellt, welches jedoch von dem Widerstandsmatεrial der eigentlichen Widerstände R1 bis R4 verschieden ist. Alle sonst üblichen Dünnschichtkontakt-Metallisierungen wie Kupfer, Nickel oder Gold oder auch Schichtkombinationen von gut leitfähigen Metallen eignen sich nicht für Präzisions-Dünnschicht-Dehnungsneßstreifen, da sie Temperaturkoeffizienten besitzen, welche um den Faktor 1000 größer sind als der Temperaturkoeffizient der Widerstandsschicht, so daß sich nicht vernachlässigbare Fehler ergeben.Resistors R1 to R4 form the thin film strain gauges which are arranged in a Wheatstone bridge; Of course, a measurement can also be carried out with a single resistor R, the measurement signal being tapped as a voltage change across this resistor. With the arrangement according to the invention it is possible, in particular, to produce a precision thin-film strain gauge arrangement which can be integrated into a thin-film circuit and which can be used to measure, for example, force, pressure, displacement, weight or acceleration. In order not to weaken the measuring signal, the various resistors R1 to R4 should be connected to each other with a low resistance and the connecting conductor tracks L5 to L8 TO the contacting points K5 to K8 should also have a low resistance. In addition to the demand for low-resistance connections, there is very essential requirement that the electrical connections should consist of a material or a combination of materials with a temperature coefficient of electrical resistance that practically does not differ from the temperature coefficient of the resistance ranges, so that there is no measurement error in the case of temperature fluctuations, which would correspond to an apparent deflection of the spring elements . This is particularly the case when longer conductor tracks are necessary because, for reasons of liability, the bridge can not be contacted directly in the extended spring element area. For this purpose, not only the resistors R1 to R 4 but also the low-resistance connections L11 to L42 and the connecting conductor tracks L5 to L8 are made of resistance material, which, however, is different from the resistance material of the actual resistors R1 to R4. All other usual thin-film contact metallizations such as copper, nickel or gold or even layer combinations of highly conductive metals are not suitable for precision thin-film strain gauges, since they have temperature coefficients that are 1000 times greater than the temperature coefficient of the resistance layer, so that result in non-negligible errors.
Figur 2 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung, wobei sowohl die niederohmigen Verbindungen L11 bis L42 als auch die verschiedenen Widerstandsbereiche R1 bis R4 und die zugehörigen Anschlußleiterbahnen L5 bis L8 durch Kathodenzerstäubung als Dünnschicht aufgebracht sind. Der Dehnungsmeßstreifen gemäß Figur 2 ist als einseitig im recht en Bereich der Darst ellung auslenkbare Anordnung hergestellt, wodurch sich eine Dehnung der Widerstände Rl und R3 ergibt, während die Widerstände R2 und R4 bei Auslenkungen im wesentlichen unverändert bleiben. Figur 3 stellt eine Anordnung eines Dünnschicht-Dehnungsmeßstreifens mit symmetrischem Aufbau dar, welcher sich zur zentralen Auslenkung eignet und beispielsweise im gestrichelt umgrenzten Bereich als dehnbare Membrane ausgebildet ist. Gleiche Teile tragen die gleichen Bezugszeichen wie in den Figuren 1 und 2. Die vier Dehnungsmeßstreifen der Brückenschaltung werden bei dieser Anordnung von zwei tangential gedehnten Widerständen R1 und R3 sowie von zwei in radialer Richtung gedehnten Widerständen R2 und Rt gebildet. Die niederohmigen Verbindungen L11 bis L42 und die Anschlußleiterbahnen L5 bis L8 sind der andersartigen Geometrie angepaßt und nach zwei verschiedenen Seiten herausgeführt. Durch die symmetrische Anordnung verursachen sie keine Meßfehler.FIG. 2 shows a first exemplary embodiment of the invention, the low-resistance connections L11 to L42 as well as the various resistance areas R1 to R4 and the associated connecting conductor tracks L5 to L8 being applied as a thin layer by sputtering. The strain gauge according to FIG. 2 is produced as an arrangement that can be deflected on one side in the right region of the illustration, which results in an expansion of the resistors R1 and R3, while the resistors R2 and R4 remain essentially unchanged during deflections. FIG. 3 shows an arrangement of a thin-film strain gauge with a symmetrical structure, which is suitable for central deflection and is designed, for example, in the region delimited by dashed lines as an expandable membrane. The same parts have the same reference numerals as in FIGS. 1 and 2. In this arrangement, the four strain gauges of the bridge circuit are formed by two tangentially stretched resistors R1 and R3 and by two resistors R2 and Rt stretched in the radial direction. The low-resistance connections L11 to L42 and the connecting conductor tracks L5 to L8 are adapted to the different geometry and are led out on two different sides. Due to the symmetrical arrangement, they do not cause measurement errors.
Bei den Anordnungen nach Figur 2 und Figur 3 liegen die Widerstands-Temperaturkoeffizienten (TKR) der verwendeten Widerstandsmaterialien für die dehnungsempfindlichen Widerstände R1 bis R4, die niederohmigen Verbindungen L11 bis L42 und die Anschlußleiterbahnen L5 bis L8 in der gleichen Größenordnung. Dabei bestehen die niederohmigen Verbindungen L11 bis L42 und die Anschlußleiterbahnen L5 bis L8 aus Konstantan,in welches beim Aufstäuben oder Aufdampfen Stickstoff und/oder Luft aus dem Restgas eingebaut worden ist. Für die dehnungsempfindlichen WiderständeIn the arrangements according to FIGS. 2 and 3, the resistance temperature coefficients (TKR) of the resistance materials used for the strain-sensitive resistors R1 to R4, the low-resistance connections L11 to L42 and the connecting conductor tracks L5 to L8 are of the same order of magnitude. The low-resistance connections L11 to L42 and the connecting conductor tracks L5 to L8 consist of constantan, in which nitrogen and / or air from the residual gas has been incorporated during dusting or vapor deposition. For the strain sensitive resistors
R1 bis R4 eignen sich besonders Tantalnitrid (Ta2N, TaN) und/oder Tantaloxinitrid (TaOxNy), welcher ebenfalls beimR1 to R4 are particularly suitable for tantalum nitride (Ta 2 N, TaN) and / or tantalum oxynitride (TaO x N y ), which is also used in
Zerstäuben oder Aufdampfen von Tantal durch Reaktion mit Stickstoff und/oder Luft im Restgas hergestellt werden und etwa den gleichen Temperaturkoeffizienten wie das dotierte Konstantan besitzt. Die dehnungsempfindlichem Widerstände R1 bis R4 können auf eine dünne organische Folie aufgebracht sein, welche auf ein elastisch verformbares Federelement aufgeklebt wird, besonders wenn es sich um Federelemente mit nicht ebenen Oberflächen handelt. Auf die Darstellung des Federelementes ist in den Figuren 2 und 3 verzichtet worden, die Gestalt eines Federelementes, wie es beispielsweise für eine Anordnung gemäß Figur 2 verwendbar ist, zeigt die später noch näher zu erläuternde Figur 5.Sputtering or vapor deposition of tantalum can be produced by reaction with nitrogen and / or air in the residual gas and has approximately the same temperature coefficient as the doped constantan. The strain-sensitive resistors R1 to R4 can be applied to a thin organic film, which is glued to an elastically deformable spring element, especially when it is Spring elements with non-flat surfaces. FIGS. 2 and 3 have omitted the representation of the spring element; FIG. 5 shows the shape of a spring element, as can be used, for example, for an arrangement according to FIG. 2.
Noch vorteilhafter als das Aufbringen der DünnschichtDehnungsmeßstreifen auf dem Federelement mit Hilfe einer beschichteten Folie ist das direkte Aufdampfen oder Aufstäuben der Dünnschichten auf ein Federelement, welches dann vorher bereits mit einer Isolationsschicht versehen werden muß, ein Verfahren, welches sich besonders bei Federelementen mit nicht gekrümmter Oberfläche anbietet. Diese Isolationsschicht ist aus Figur 4 ersichtlich und dort mit I bezeichnet. Aus dem Schnitt nach der Linie IV-IV in Figur 2 ergibt sich die Anordnung gemäß Figur 4 , wobei das als Substrat dienende Federelement mit S bezeichnet ist. Auf dem Federelement S liegt fest haftend die Isolationsschicht I, hierauf das Widerstandsmaterial R, R3 und über dem Widerstandsmaterial die Anschlußleiterbahn L7, im vorliegenden Fall aus Konstantan in entsprechender 3reite und Dicke hergestellt, um einen ausreichend niedrigen Widerstand für die Anschlußleitung zu erzielen. Die Isolationsschicht I besteht aus einer porenfreien, dünnen, hochchmigen Glasisolationsschicht, welche unmittelbar auf das Federelement S, insbesondere auf eine Kupferberyllium (CuBe)-Federplatte aufgebracht ist.Even more advantageous than applying the thin-layer strain gauges to the spring element with the help of a coated film is the direct vapor deposition or dusting of the thin layers on a spring element, which must then already be provided with an insulation layer beforehand, a method which is particularly useful for spring elements with a non-curved surface offers. This insulation layer can be seen in FIG. 4 and is labeled I there. The arrangement according to FIG. 4 results from the section along the line IV-IV in FIG. 2, the spring element serving as substrate being denoted by S. On the spring element S is the insulation layer I firmly adhered, then the resistance material R, R3 and over the resistance material the connecting conductor track L7, in the present case made of constantan in appropriate width and thickness to achieve a sufficiently low resistance for the connecting line. The insulation layer I consists of a pore-free, thin, high-pressure glass insulation layer which is applied directly to the spring element S, in particular to a copper beryllium (CuBe) spring plate.
Figur 5 veranschaulicht die Herstellung der einzelnen Dünnschicht-Dehnungsmeßelemente gemäß Figur 2. Die Einzelelemente werden aus einer Platte 11 herausgeteilt, welche zunächst die größere Fertigungseinheit darstellt. Die Platte 1 be steht aus CuBe-Federmaterial und hat in der in Figur 5 dargestellten Anordnung eine Größe von 3 Zoll x 3 Zoll, welche in der Dünnschichtmetallisierungstechnik und in der Fotoätztechnik üblich ist. Aus. dieser Platte 11 lassen sich z.B. 16 etwa dreieckfδrmige Federelemente 10 herstellen. Das Trennen der Einzelelemente 10 voneinander erfolgt im Gegensatz zu dem bisher üblichen Trennätzen durch das wirtschaftlichere Verfahren des Trennstanzens, welches, obwohl grundsätzlich bekannt, beim Trennen derartiger Dünnschichtanordnungen wegen deren Sprödigkeit und wegen des befürchteten Ausschusses durch Beschädigungen beim Trennen bislang trotz seiner verfahrensmäßigen Vorteile nicht verwendet worden ist. Insbesondere entfallen beim Trennstanzen die Arbeitsschritte für einen weiteren Maskenätzprozeß, welcher beim Trennätzen den größten Mehraufwand darstellt. Das Trennstanzen erfolgt nach Durchführung aller Verarbeitungsschritte zur fertigen Meßbrücke. Hierbei ist es lediglich wichtig, daß die mit der Glasisolationsschicht I bedeckte Fläche und damit auch die Dünnschichtmetallisierung von allen gestanzten Rändern wenigstens 1 mm entfernt ist, was beim Siebdruckverfahren keine Schwierigkeiten verursacht.FIG. 5 illustrates the production of the individual thin-layer strain gauges according to FIG. 2. The individual elements are divided out of a plate 11, which initially represents the larger production unit. The plate 1 be is made of CuBe spring material and has a size of 3 inches x 3 inches in the arrangement shown in FIG. 5, which is common in thin-film metallization technology and in photoetching technology. Out. This plate 11 can, for example, produce 16 approximately triangular spring elements 10. The individual elements 10 are separated from one another, in contrast to the hitherto usual etching process, by the more economical method of stamping, which, although generally known, has not been used in spite of its procedural advantages when separating such thin-layer arrangements because of their brittleness and because of the feared rejects due to damage during separation has been. In particular, the cutting steps for a further mask etching process, which represents the greatest additional effort in the case of separating etching, are omitted. The cutting is done after all processing steps to the finished measuring bridge. It is only important here that the surface covered with the glass insulation layer I and thus also the thin-layer metallization is at least 1 mm away from all punched edges, which does not cause any difficulties in the screen printing process.
Verfahrensmäßig hat es sich bei der Herstellung der Dünnschicht-Dehnungsmeßstreifen besonders bewährt, wenn auf eine auf das Federelement S aufgebrachte Isolationszwischenschicht I ganzflächig zunächst eine Widerstandsschicht R und anschließend eine leitfähige Schicht L aus Widerstandsmaterial, vorzugsweise aus Konstantan, aufgebracht wird. Diese Schichten können aufgedampft oder aufgestäubt werden, die folgenden Angaben der Beschreibung beziehen sich auf eine Schicht, welche durch Kathodenzerstäubung hergestellt worden ist. Bei der weiteren Bearbeitung zu den fertigen Dehnungsmeßstreifen gemäß Figur 2 oder Figur 3 wird zu nächst in einem ersten Ätzschritt die Gesamtstruktur der Widerstands- und Leiterbahnbereiche erzeugt und anschließend in einem zweiten Ätzschritt das Leiterbahnmaterial selektiv von den Widerstandsbereichen abgeätzt. Ist das Substrat eine Folie, welche auf das Federelement nachträglich aufgebracht wird, dann empfiehlt es sich, diese vor der Metallisierung reversibel, auf einem stabilen Träger, z.B. einer Glasplatte, aufzubringen, damit nach der Metallisierung einfach der Fctoätzprozeß durchgeführt werden kann. Die Leiterbahnbereiche L11 bis L42 und L5 bis L8 werden aus mit Stickstoff und/oder Luft dotiertem Konstantan in einem reaktiven Aufstäubverfahren in einer Argonatmosphäre als Entladungsgas aufgebracht, welches mit Stickstoff und/oder Luft vermischt ist. Im gleichen Prozess erfolgt einerseits die Umwandlung des Kathodenmaterials Tantal zu Tantalnitrid (Ta2N, TaN) oder gegebenenfalls zu TantaloxinitridIn terms of method, it has proven particularly useful in the production of the thin-layer strain gauges if, on the intermediate insulation layer I applied to the spring element S, first a resistance layer R and then a conductive layer L of resistance material, preferably of constantan, is applied over the entire surface. These layers can be vapor-deposited or sputtered on; the following information in the description relates to a layer which has been produced by sputtering. During further processing to the finished strain gauges according to FIG. 2 or FIG The overall structure of the resistor and conductor track regions is then generated in a first etching step and then the conductor track material is selectively etched off from the resistor regions in a second etching step. If the substrate is a film which is subsequently applied to the spring element, then it is advisable to apply it reversibly before the metallization on a stable support, for example a glass plate, so that after the metallization the functional etching process can be carried out easily. The conductor track regions L11 to L42 and L5 to L8 are applied from constantan doped with nitrogen and / or air in a reactive sputtering process in an argon atmosphere as a discharge gas which is mixed with nitrogen and / or air. In the same process, the conversion of the cathode material tantalum to tantalum nitride (Ta 2 N, TaN) or optionally to tantalum oxynitride takes place
(TaOXNy), welches die Widerstandsschicht bildet, und darüber hinaus anschließend in der gleichen, mit Stickstoff und/oder Luft dotierten Atmosphäre die Herstellung der Leiterbahnabschnitte. Letztere bestehen aus mit Stickstoff und/oder Luft dotiertem Konstantan, welches auf diese Weise einen Temperaturkoeffizienten erhält, der etwa gleich dem Temperaturkoeffizienten der Widerstandsschicht ist. Während reines Konstantan einen Temperaturkoeffizienten von etwa-10 ppm/°K besitzt hat das z.B. mit 1 % Stickstoff im Entladumgsgas aufgestäubte Konstantan einen Temperaturkoeffizienten von -80 ppm/ °K, welcher dem Temperaturkoeffizienten der unter dieser Entladungszusammensetzung aufgestäubten Tantalnitridschicht für die Widerstände entspricht. Es erfolgt also das Aufbringen der Widerstandsschicht R und der Leiterbahnschicht L im gleichen reaktiven Vakuumzyklus. So können z.B. in einer Eochfrequenz-Zerstäubungsanlage zwei verschiedene Kathoden aus Tantal und Konstantan gleichzeitig abgestäubt werden und die zu beschichteten Federelemente mit Hilfe eines Transportmechanismus zunächst an der Tantal- dann an der Konstantan-Kathode vorbeigeführt werden. Mit Hilfe der Kathodengrδße und damit unterschiedlicher Aufstäubraten und AufstäubZeiten werden die gewünschten Dickenverhältnisse realisiert, wobei gleichzeitig mit dem Aufstäuben der Konstantan-Schicnt eine thermische Voralterung der Widerstandsschicht aus Tantainitrid oder Tantaloxidnitrid erfolgt.(TaO X N y ), which forms the resistance layer, and furthermore subsequently the production of the conductor track sections in the same atmosphere doped with nitrogen and / or air. The latter consist of constantan doped with nitrogen and / or air, which in this way obtains a temperature coefficient which is approximately equal to the temperature coefficient of the resistance layer. While pure constantan has a temperature coefficient of approximately -10 ppm / ° K, the constantan sputtered, for example, with 1% nitrogen in the discharge gas has a temperature coefficient of -80 ppm / ° K, which corresponds to the temperature coefficient of the tantalum nitride layer sputtered under this discharge composition for the resistors. The resistance layer R and the conductor layer L are thus applied in the same reactive vacuum cycle. For example, two different cathodes made of tantalum and constantan can be used in a high frequency sputtering system are dusted at the same time and the spring elements to be coated are first guided past the tantalum cathode and then the constantan cathode using a transport mechanism. With the help of the cathode size and thus different sputtering rates and sputtering times, the desired thickness ratios are realized, while at the same time as the sputtering of the constantan layer, the resistance layer made of tantainitride or tantalum oxide nitride is thermally pre-aged.
Die Isolationsschicht I wird aus wenigstens zwei nacheinander nach Art eines Mehrfachdruckes im Siebdruckverfahren aufgebrachten und anschließend eingebrannten Glasschichten hergestellt. Durch zwei oder mehr getrennte Siebdruckprozesse erreicht man eine porenfreie Isolationsschicht I ohne Vorbehandlung des darunterliegenden Federelementes S. Beim Einbrennen der Glas-Isolationsschicht I wird darüber hinaus ohne Mehraufwand eine Härtung des Federelementes S erreicht.The insulation layer I is produced from at least two layers of glass which are applied one after the other in the manner of multiple printing and then baked in. Two or more separate screen printing processes result in a pore-free insulation layer I without pretreatment of the spring element S underneath. When the glass insulation layer I is baked in, the spring element S is hardened without any additional effort.
Die Konstantanschicht für die Leiterbahnbereiche L11 bis L42 und L5 bis L8 hat einen ausreichenden Querschnitt, um die erforderliche Leitfähigkeit sicherzustellen. Die Anordnung in Figur 4 zeigt schematisch die Größenverhältnisse: Auf ein elastisch verformbares Substrat mit einer Dicke in der Größenordnung von einigen 100 μm ist zunächst festhaftend die Glas-Isolationsschicht I mit einer Dicke von 15 bis 50 μm aufgedruckt. Die Widerstandssehicht aus z.B. Tantalnitrid liegt in einem Dickenbereich ≤ 0,1 μm, vorzugsweise bei etwa 0,5 μm, während die daruberliegenden Konstantanschicht eine Dicke von ca. 0,2 bis 0,5 μm aufweist, Diese Größen müssen selbstverständlich den jeweiligen Verwen dungsfällen angepaßt werden. Durch den erfindungsgemäßen Aufbau der Dünnschicht-Dehnungsmeßstreifen wird also eine scheinbare Dehnung der Meßwiderstände bei veränderlicher Temperatur unterdrückt. Durch die Verschaltung der verschiedenen Widerstände in einer Meßbrücke wird außerdem die ausschließlich durch Wärmedehnung des Federelementes verursachte und damit fehlerhafte Widerstandsveränderung kompensiert.The constantan layer for the conductor track areas L11 to L42 and L5 to L8 has a sufficient cross-section to ensure the required conductivity. The arrangement in FIG. 4 schematically shows the proportions: the glass insulation layer I with a thickness of 15 to 50 μm is first firmly adhered to an elastically deformable substrate with a thickness of the order of a few 100 μm. The resistance layer made of, for example, tantalum nitride is in a thickness range of 0,1 0.1 μm, preferably approximately 0.5 μm, while the constantan layer lying over it has a thickness of approximately 0.2 to 0.5 μm. These sizes must of course be used in each case application cases are adapted. The structure of the thin-film strain gauges according to the invention thus suppresses an apparent strain of the measuring resistors at variable temperature. The interconnection of the various resistors in a measuring bridge also compensates for the faulty change in resistance caused exclusively by thermal expansion of the spring element.
Neben den bereits aufgeführten Vorteilen der vorgeschlagenen Schichtkombination ist schließlich noch als sehr günstig herauszustellen, daß bei Ätzrückständen der Kons-tantanschicht auf der Meßwiderstandsschicht, verursacht beispielsweise durch einen Fehler in der Belichtungsmaske beim. Fotoätzeh, der Meßwiderstand in seinem Temperaturkoeffizienten nicht von den anderen, rückstandsfreien Brückenwiderständen abweicht. Bei bisher eingesetzten Kontaktschichten führte das zum Ausschluß der Brücke von Präzisionsmessungen bei veränderlicher Umgebungstemperatur, obwohl die Brückenwiderstände abgeglichen waren. In addition to the advantages of the proposed layer combination already mentioned, it should finally be pointed out very favorably that, in the case of etching residues, the constantan layer on the measuring resistance layer, caused, for example, by an error in the exposure mask. Photo etch, the measuring resistor does not differ in temperature coefficient from the other, residue-free bridge resistors. In the case of contact layers previously used, this led to the exclusion of the bridge from precision measurements at variable ambient temperatures, although the bridge resistances were balanced.

Claims

Ansprüche Expectations
1. Dünnschicht-Dehnungsmeßstreifen, insbesondere in eine DünnschichtSchaltung integrierbarer Präzisions-DünnschichtDehnungsmeßstreifen zur Messung von Kraft, Druck, Weg, Gewicht oder Beschleunigung, mit einem elastisch verformbaren Federelement (10, S) in Verbindung mit wenigstens einem dehnungsempfindlichen Widerstand, vorzugsweise mit vier zu einer Wheatstone-Brücke (Figur 1) zusammengeschalteten dehnungsempfindlichen Widerständen (R1 bis R4), dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsanordnung (R1 bis R4) und/oder die niederohmigen Verbinr düngen (L11 bis L42) zwischen verschiedenen Widerstandsbereichen und/oder zugehörige Anschlußleiterbahnen (L5 bis L8) durch thermisches Verdampfen oder durch Kathodenzerstäubung aufgebracht sind, daß außer dem Widerstandsbereich (R1 bis R4) auch die niederohmigen Verbindungen (L11 bis L42) und/oder die Anschlußleiterbahnen (L5 bis L8) aus Widerstandsmaterial bestehen, welches von dem Widerstandsmaterial des eigentlichen Widerstandsbereiches (R1 bis R4) verschieden ist, und daß die Wicerstands-Temperaturkoeffizienten (TKR) der verwendeten Widerstandsmaterialien für den dehnungsempfindlichen Widerstand (R1 bis R4) und/oder die niederohmigen Verbindungen (L11 bis L42) und/oder die Anschlußleiterbahnen (L5 bis L8) in der gleichen Größenordnung liegen.1. Thin-film strain gauges, in particular precision thin-film strain gauges that can be integrated into a thin-film circuit for measuring force, pressure, displacement, weight or acceleration, with an elastically deformable spring element (10, S) in connection with at least one strain-sensitive resistor, preferably with four to one Wheatstone bridge (Figure 1) interconnected strain-sensitive resistors (R1 to R4), characterized in that the resistor arrangement (R1 to R4) and / or the low-resistance connector (L11 to L42) fertilize between different resistance areas and / or associated connecting conductor tracks (L5 to L8) are applied by thermal evaporation or by cathode sputtering, that in addition to the resistance range (R1 to R4) the low-resistance connections (L11 to L42) and / or the connecting conductor tracks (L5 to L8) consist of resistance material which is different from the resistance material of the actual resistance range (R1 to R4), and that the resistance temperature coefficients (TKR) of the resistance materials used for the strain-sensitive resistor (R1 to R4) and / or the low-resistance connections (L11 to L42) and / or the Connection conductor tracks (L5 to L8) are of the same order of magnitude.
2. Dehnungsmeßstreifen nach Anspruch 1, dadurch. gekennzeichnet, daß die niederohmigen Verbindungen (L11 bis L42) und/oder die Anschlußleiterbahnen (L5 bis L8) aus mit Stickstoff dotiertem Konstantan bestehen.2. Strain gauge according to claim 1, characterized. characterized in that the low-resistance connections (L11 to L42) and / or the connecting conductor tracks (L5 to L8) consist of constantan doped with nitrogen.
3. Dehnungsmeßstreifen nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der/die dehnungsempfindlichen3. Strain gauge according to claim 1 or 2, characterized in that the strain sensitive
Widerstände (R1 bis R4 ) aus Tantalnitrid (Ta2N, TaN) und/oderResistors (R1 to R4) made of tantalum nitride (Ta 2 N, TaN) and / or
Tantaloxinitrid (TaOxNy) bestehen.Tantalum oxynitride (TaO x N y ) exist.
4 . Dehnungsmeßstreifen nach einem äer vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der/die dehnungsempfindlichen Widerstände (R1 bis R4) auf eine dünne organische Folie aufgebracht sind, welche auf ein elastisch verformbares Federelement (10) aufgeklebt ist. 4th Strain gauge according to any preceding claim, characterized in that the strain-sensitive resistors (R1 to R4) are applied to a thin organic film which is glued to an elastically deformable spring element (10).
5. Dehnungsmeßstreifen nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,, daß der/die dehnungsempfindlichen Widerstände (r1 bis R4) unter Einfügung einer Isolationsschicht (I) auf das Federelement (10, S) aufgedampft oder aufgestäubt sind.5. Strain gauge according to one of claims 1 to 3, characterized in that the / the strain-sensitive resistors (r1 to R4) with the insertion of an insulation layer (I) on the spring element (10, S) are evaporated or sputtered.
6. Dehnungsmeßstreifen nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die dehnungsempfindlichen Widerstände (R1 bis R4 ) einer WheatstoneBrücke in rechteckiger Anordnung mit zwei dehnbaren (R1, R3) und zwei ungedehnten (R2, R4) Widerstandsbereichen auf ein einseitig auslenkbares Federelement (10) aufgebracht sind (Figur 2).6. Strain gauge according to one of the preceding claims, characterized in that the strain-sensitive resistors (R1 to R4) of a Wheatstone bridge in a rectangular arrangement with two stretchable (R1, R3) and two unstretched (R2, R4) resistance areas on a spring element (10 ) are applied (Figure 2).
7. Dehnungsmeßstreifen nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die dehnungsempfindlichen Widerstände (R1 bis R4) einer WheatstoneBrücke mit zwei tangential. dehnbaren, etwa halbkreisförmigen Widerstandsbereichen (R1, R3) und mit zwei radial dehnbaren, etwa U-förmigen Widerstandsbereichen (R2, R4) auf einer Rundmembran aufgebracht sind (Figur 3).7. Strain gauge according to one of the preceding claims, characterized in that the strain-sensitive resistors (R1 to R4) of a Wheatstone bridge with two tangential. stretchable, approximately semicircular resistance areas (R1, R3) and with two radially stretchable, approximately U-shaped resistance areas (R2, R4) are applied to a round membrane (Figure 3).
8. Dehnungsmeßstreifen nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die dehnungsempfindlichen Widerstände (R1 bis R4) unter Zwischen läge einer porenfreien, dünnen, hochohmigen Glasisolationsschicht (I) auf das Federelement (S), insbesondere auf eine CuBe-Federplatte, aufgebracht sind.8. Strain gauge according to one of the preceding claims, characterized in that the strain-sensitive resistors (R1 to R4) with intermediate a pore-free, thin, high-resistance glass insulation layer (I) would be applied to the spring element (S), in particular to a CuBe spring plate.
9. Verfahren zur Herstellung eines Dünnschicht-Dehnungsmeßstreifens nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf eine auf das Federelement (S) aufgebrachte Isolations Zwischenschicht (I) ganzflächig zunächst eine Widerstandsschicht (R, R1 bis R4) und anschließend eine gut leitfähige Schicht (L, L11 bis L42, L5 bis L8) aus Widerstandsmaterial, vorzugsweise aus Konstantan, aufgedampft oder aufgestäubt wird, daß in einem ersten Ätzschritt zunächst die Gesamtstruktur der Widerstands- und Leiterbereiche erzeugt und anschließend in einem zweiten Ätzschritt das gut leitfähige Material (L) selektiv von den Widerstandsbereichen (R1 bis R4) abgeätzt werden.9. A method for producing a thin-film strain gauge according to one of the preceding claims, characterized in that on an insulation intermediate layer (I) applied to the spring element (S) over the entire surface, first a resistance layer (R, R1 to R4) and then a highly conductive layer (L, L11 to L42, L5 to L8) from resistance material, preferably from constantan, is evaporated or sputtered on, that in a first etching step the overall structure of the resistance and conductor areas is first produced and then in a second etching step the highly conductive material (L) selectively etched from the resistance areas (R1 to R4).
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterbahnbereiehe (L11 bis L42, L5 bis L8) aus mit Stickstoff und/oder Luft dotiertem Konstantan in einem reaktiven Aufstäubverfahren in mit Stickstoff und/oder Luft vermischtem Entladungsgas aufgebracht werden und daß hierbei die Entladungsgasdotierung so eingestellt und ein entsprechender Anteil Stickstoff und/oder Luft in die Konstantanschicht eingebaut wird, daß der Wider stands-Temperaturkoeffizient der mit Stickstoff und/oder Luft dotierten Konstantanschicht etwa gleich dem Widerstandstemperaturkoeffizienten der darunterliegenden WiderStandsschicht gemacht wird.10. The method according to claim 9, characterized in that the conductor tracks (L11 to L42, L5 to L8) of nitrogen and / or air-doped constantan are applied in a reactive sputtering process in discharge gas mixed with nitrogen and / or air, and in that the Discharge gas doping is set and a corresponding proportion of nitrogen and / or air is built into the constantan layer in such a way that the counter temperature coefficient of the constantan layer doped with nitrogen and / or air is made approximately equal to the resistance temperature coefficient of the underlying resistance layer.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsschicht (R) durch reaktives Aufdampfen oder Aufstäuben von Tantal in einer mit Stickstoff und/oder Luft dotierten Atmosphäre als Tantalnitrid (Ta2N,11. The method according to claim 10, characterized in that the resistance layer (R) by reactive vapor deposition or dusting of tantalum in a nitrogen and / or air doped atmosphere as tantalum nitride (Ta 2 N,
TaN) oder Tantaloacinitrid (TaOxNy) hergestellt und in einem thermischen Prozeß vorgealtert wird.TaN) or tantaloacinitride (TaO x N y ) and pre-aged in a thermal process.
12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufbringen der Widerstandsschicht (R) und der Leiterbahnschicht (L) im gleichen reaktiven Vakuumzyklus einer Hochfrequenz-Aufstäubung mit zwei verschiedenen Kathoden und mit unterschiedlichen Aufstäubraten erfolgt.12. The method according to claim 10 or 11, characterized in that the application of the resistance layer (R) and the conductor track layer (L) in the same reactive vacuum cycle of a high-frequency sputtering with two different cathodes and with different sputtering rates.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolationsschicht (I) aus wenigstens zwei nacheinander nach Art eines Mehrfachdruckes im Siebdruckverfahren aufgebrachten und anschließend einzeln eingebrannten Glasschichten hergestellt wird. 13. The method according to any one of claims 10 to 12, characterized in that the insulation layer (I) from at least two successively applied in the manner of multiple printing by screen printing and then individually baked glass layers.
1U. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Federelement (10, S) beim Einbrennen der GlasIsolationsschicht (I) gehärtet wird. 1U. A method according to claim 13, characterized in that the spring element (10, S) is hardened when the glass insulation layer (I) is stoved.
15. Verfahren zur Herstellung eines Dünnschicht-Dehnungsmeßstreifens nach einem der Ansprüche 9 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Trennung von mehreren, auf einem Standard-Subtrat (11) erzeugten Einzelelementen (10) durch Ausstanzen nach Durchführung aller Bearbeitungsschritte erfolgt. 15. A method for producing a thin-film strain gauge according to one of claims 9 to 14, characterized in that the separation of several, on a standard substrate (11) generated individual elements (10) is carried out by punching out after all processing steps have been carried out.
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