WO1995002312A1 - Strukturierte leiterplatten und folienleiterplatten und verfahren zu deren herstellung - Google Patents

Strukturierte leiterplatten und folienleiterplatten und verfahren zu deren herstellung Download PDF

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foils
mask
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plating
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Marco Martinelli
Walter Schmidt
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Dyconex Patente Ag
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Definitions

  • the invention is in the field of the production of printed circuit boards and relates to printed circuit boards, film printed circuit boards and semi-finished products for film printed circuit boards with structured covers and with plasma-etched through-plating and relates to a photochemical method for producing the same.
  • Thin multilayer foil circuit boards with a thickness of less than 100 ⁇ m and through-plating with a diameter of less than 100 ⁇ m have to have certain finishes for all of these structures in the case of multiple exposures using different photomasks have tolerance tolerances that quickly reach the order of magnitude of the structures themselves.
  • the thicknesses of the current paths and the plated-through holes are restrictive. After structuring the pre-processed plated-through holes, they are plasma-etched and electroplated, for example with copper. The through-plating obtained in this way deteriorate the dimensional stability of the entire film printed circuit board, since galvanically deposited metal layers are not stress-free. Galvanic plating also leads to an increase in the thickness of the uppermost metal foil of the foil circuit board itself. The thicker a metal layer, the more difficult it is to etch chemically. The physical advantage of the smallest dimensions on foils! This limits the number of pusher plates, as does the electronic advantage of thin current paths.
  • Varnish can be applied and predried using various methods such as printing, rolling up, pouring on electrostatic spraying, electrophoretic deposition, etc.
  • the solder resist resist film is laminated on using a vacuum laminator.
  • the structures in these covers are transferred via a photomask with a high structure resolution of 20 ⁇ m.
  • Disadvantages are high installation costs for the necessary machines, ovens, etc. and also disadvantageous are the high process costs, due to their low environmental impact (use of wet chemistry and wastewater treatment, etc.).
  • the applied solder resist is also brittle and therefore difficult for flexible switching tion carrier such as foil circuit boards can be used because it can flake off when the foil circuit boards are bent.
  • circuit boards, film circuit boards and semi-finished products for film circuit boards with structured covers and with plasma-etched through-plating are produced in accordance with the invention as defined in the patent claims.
  • the invention is based on the fact that plasma-etched structures in insulator layers not only with known “chemical” masks (structured photoresist), but also with “mechanical” masks (structured plasma-etch-resistant film, preferably made of conductor material) simultaneously and with a high Have a resolution of less than 100 ⁇ m introduced.
  • the insulator layers and cover layers are advantageously polyimide foils and the structured mask foils are steel or copper foils.
  • the steel or copper foils can be reversibly or irreversibly positioned on the polyimide foils to be etched. This means that mask foils can be firmly connected to foil circuit boards, so that polyimide foils are plasma-etched in accordance with the structures of copper foils.
  • the copper can then be integrated into the manufacturing process of the printed circuit boards, foil printed circuit boards and the semi-finished products for foil printed circuit boards and structured, for example, in current paths.
  • mask foils can also be connected to foil conductive plates only for plasma etching, for example by means of clips. Steel foils are therefore only temporarily clamped on foil circuit boards and then removed again, making them a reusable resource.
  • Removable mask foils are applied to insulator layers in such a way that the positions of through openings in the mask foils coincide with the positions of the through-plating or covers to be produced. men fall.
  • Foil packs are formed by tightly pressing the mask foils, so that in a plasma etching process, through-plating openings and / or masking limits are etched into the insulator and / or masking layers according to the through openings of the mask foils.
  • the mask foils can be removed immediately thereafter and then replaced in further manufacturing processes, for example by other mask foils for other mechanical structuring, but they can then also be replaced in other manufacturing processes, for example, by photoresist for photochemical structuring.
  • FIGS. 1-8 show a variant of the method according to the invention of the photochemical structuring of current paths and pads on part of a prefabricated product and the mechanical structuring of through-plating with masking foils.
  • FIGS. 9-17 show a further variant of the method according to the invention of the photochemical structuring of current paths and solder eyes on part of a prefabricated product and the mechanical structuring of through-plating using masking foils.
  • FIG. 18-25 show a further variant of the method according to the invention of the photochemical structuring of current paths and solder eyes on part of a prefabricated product and the mechanical structuring of through-plating by means of mask foils.
  • FIG. 26 shows an embodiment of local weak points in the area of the mask films peeling off from the prefabricated products.
  • Fig. 27 shows another embodiment of local vulnerabilities in the
  • Fig. 28-32 show a further variant of the method according to the invention with mechanical structuring of covers on part of a foil guide plate.
  • FIG. 33 shows a perspective view of part of an exemplary embodiment of a foil guide plate with a cover structured in the method according to the invention.
  • 34-37 show a further variant of the method according to the invention with mechanical structuring of covers on part of a foil guide plate.
  • FIG. 1 to 8 show a variant of the method according to the invention of the photochemical structuring of current paths and soldering eyes on part of a prefabricated product and the mechanical structuring of through-plating according to mask foils.
  • the prefabricated product and the procedural steps are shown in these figures in a section along the planar extent of the prefabricated product.
  • the through plating to be produced should connect at least two electrically conductive layers or conductor layers separated from one another by a layer of insulator or plastic.
  • the through-plating thus penetrates intermediate insulator layers arranged alternately between conductor layers and in each case connects at least two such conductor layers.
  • the throughplanning Conditions do not have to run perpendicular to the surface of the plastic layer to be penetrated, they can also pass obliquely through them.
  • the structuring of pads in conductor layers is not necessary for the method according to the invention.
  • Figure 1 shows a prefabricated product V of the method.
  • a multilayer prefabricated product V is advantageously used, which consists, for example, of an insulator layer or plastic film 2 laminated on both sides with electrically conductive layers or conductor layers 1, 1 '.
  • Copper foils can be used as the conductor layers 1, 1 'and suitable plastic foils, for example polyimide foils or epoxy foils, can be used as the insulating layers 2.
  • suitable plastic foils for example polyimide foils or epoxy foils
  • cold-laminated composite foils consisting of a thicker aluminum foil and thinner copper foils laminated on both sides can also be used.
  • Suitable starting products are, for example, foils made of stainless steel, brass, bronze, aluminum-magnesium alloys, Invar, molybdenum etc.
  • These conductor layers 1, 1 'and the plastic film 2 are 3 to 100 ⁇ m thick.
  • the prefabricated product V can be rigid or flexible.
  • FIG. 2 shows how the prefabricated product V according to FIG. 1 is coated on both sides with photoresist 3,3 '.
  • the conductor layers 1,1 ' are completely covered with photoresist 3,3'.
  • Solid or liquid photoresist can be used.
  • the layers of photoresist 3, 3 ' can be exposed in known photochemical processes, as a result of which conductive pattern structures and through-plating structures are transferred via a photomask.
  • FIG. 3 shows this photochemically structured structuring of the layers of photoresist 3, 3 '.
  • conductive pattern Structures 5 and through-plating structures 4 are attached, in the structured layer photoresist 3 'conductor pattern structures 5' and through-plating structures 4 'are attached. These structures extend down to the conductor layers 1, 1 '.
  • the diameter of the through-plating structures 4,4 ' is typically 25 to 100 ⁇ m.
  • These structures 4, 4 ', 5, 5' are freely selectable, they can have circular cylindrical, round, oval and also square, rectangular, polygonal diameters.
  • the conductor pattern structures 5,5 'and the through-plating structures 4,4' serve to transmit the circuit design (current paths, soldering eyes, etc.) and the information regarding the position and structure of the through-plating to be produced in the conductor layers 1, 1 '. In the areas where photoresist 3, 3 'is located, no electrically conductive material of the conductor layers 1, 1' is removed in the following method steps.
  • FIG. 4 shows the prefabricated product V structured in this way after the wet-chemical etching of the material of the conductor layers 1, 1 'which is not covered by photoresist 3, 3'.
  • This etching leads to the targeted removal of individual areas of the conductor layers 1, 1 '.
  • current paths SP, soldering eyes L and preprocessed through-plating openings 4 * are formed by insulating regions 5 " .
  • the wet-chemical etching takes place specifically in the depth, ie the -conductor layers 1, 1 'are in areas uncovered by photoresist 3, 3' to removed onto the plastic film 2.
  • the wet chemical etching takes place simultaneously in all exposed areas (ie the areas accessible to the caustic chemicals and liquids).
  • Figure 5 shows that - in the manufacturing stage according to Figure 4
  • Prefabricated product V after removal (stripping) of the layers of photoresist 3,3 ' This is done using known and proven chemical processes.
  • Two thin ones Mask foils 7,7 ', for example stainless steel foils, with a thickness of less than 100 ⁇ m have been reversibly attached to the structured conductor layers 1,1'. They are fixed by means of clips 15, 15 'and can be removed again by loosening them. The fixation is a tight pressing.
  • the through openings 8, 8' are therefore also larger worked as the preprocessed through plating openings 4 "in order to compensate for any dimensional changes of the plastic film 2.
  • through-openings with a most favorable outside diameter D g are used for an optimal dimensioning with minimal space consumption. This is calculated from the outside diameter of the pads L minus the outside diameter of the pre-machined through-plating openings 4 * divided by two.
  • FIG. 6 shows a film package according to FIG. 5 after the plasma etching of the through-plating openings 10 in the plastic film 2.
  • the through-plating openings 10 are etched at the position of the through openings 8, 8 'of the masking films 7, 7'.
  • the through-plating openings 10 are deliberately etched back, ie they are etched along the planar extent of the prefabricated product V under the edges of the conductor layers 1, 1 'structured, for example, in solder eyes L or current paths SP.
  • Other areas of exposed plastic film 2, for example the insulating areas 5 " are protected from the plasma attack by the mask films 7, 7 '.
  • FIG. 7 shows a plasma-etched foil package according to FIG. 6 after a contact layer 11 has been plated out of an electrically conductive material, for example made of copper.
  • an electrically conductive material for example made of copper.
  • the mask foils 7, 7 'and the through-plating openings 10 of the prefabricated product V are covered with a contact layer 11 such that the through-plating openings 10 are plated through.
  • the electrically conductive material is electrochemically deposited and plated.
  • Through-plated openings 10 are referred to as through-plating 12. net.
  • This deposited contact layer 11 is thin and has a thickness of less than 25 ⁇ m.
  • the through-plating 12 has electrical contact with solder pads L, current paths SP and the mask foils 7, 7 'via connection areas 16, 16'.
  • FIG. 8 shows the two-layer foil guide plate according to FIG. 7 after removal of the mask foils 7, 7 '.
  • the removal of the mask foils 7, 7 ' is problem-free in the case of thin, plated-on contact layers 11 with thicknesses of less than 10 ⁇ m; after loosening the clips 15, 15', these can be removed.
  • a two-layer foil guide plate is provided with further insulator and conductor layers and is structured photochemically and mechanically by repeating the method according to the invention in the first variant according to FIGS. 1 to 8.
  • the two-layer foil conductive plate provided with insulator and conductor layers is again a prefabricated product V. Those areas of the prefabricated product V are always structured that are accessible to light, chemicals, liquids (from the outside) and on which mask foals can be positioned.
  • Those skilled in the art are aware of many possible variations when this invention is known.
  • the thickness of the contact layers 11 is a critical parameter. In the case of thicker contact layers 11, there may be an uncontrolled separation of the mask foils 7, 7 'from the prefabricated product V in the connection areas 16, 16'. This can lead to tearing off areas of plated-on contact layers 11 and, for example, damage to plated-through holes 12 due to interruption of electrical contacts to solder eyes L or current paths SP. Such undesirable tears due to heavily plated connections between the prefabricated product V and the mask foils 7, 7 'are avoided in the further variants of the inventive method according to FIGS. 9 to 27.
  • the contact layer 11 can also be removed from the mask foils 7, 7 'by chemical etching.
  • the mask foals 7,7' cannot lie flat on the prefabricated product V in such areas, and small ones can accumulate Open voids between them.
  • Such cavities can be accessible for the etching medium and / or chemicals and liquids during plasma etching or at other times during plating, but this is not a further problem or can be eliminated in a simple manner.
  • the etching rate in narrow cavities is practically zero, since only small amounts of etching medium can penetrate them and are poorly renewed.
  • the penetration of chemicals and liquids when plating into such cavities can be avoided by previously filling the cavities with a harmless liquid, for example with water.
  • FIGS. 9 to 17 show a further variant of the method according to the invention for the photochemical structuring of current paths and Soldering eyes on part of a prefabricated product and the mechanical structuring of through plating.
  • the prefabricated product and the process steps are shown in these figures in a section along the planar extent of the prefabricated product.
  • the process sequence of this variant largely follows that of the variant in the description according to FIGS. 1 to 8, so that only deviations are explained below.
  • the basic difference between the first and second variant of the method according to the invention is that in the second variant the photoresist 3, 3 'is not stripped before the mask films 7, 7' are applied, but is left on the prefabricated product V.
  • the method steps according to FIGS. 9 to 12 are accordingly identical to those of FIGS. 1 to 4.
  • FIG. 13 shows the prefabrication V in the production stage according to FIG. 4, on which two thin mask foils 7, 7 'have been reversibly attached directly to the photoresist 3, 3' by means of clips 15, 15 '.
  • FIGS. 14 and 15 show the process steps of plasma etching and the plating on of the further variant, which largely correspond to the corresponding process steps of the variant according to FIGS. 6 and 7.
  • the through-plating openings 10 are etched and the exposed photoresist 3, 3 'is etched back.
  • These under-etched areas 14, 14 ' form pre-embossed local weak points 17, 17' of the plated-on contact layer 11 in detachment areas between the prefabricated item V and the mask foils 7,7 '.
  • FIGS. 16 and 17 show the prefabricated product V after the mask foils 7, 7 'have been removed by loosening the clips 15, 15' and removing the mask foils 7, 7 '(see FIG. 16) and after conventional stripping of the remaining photoresist 3 , 3 '(see Figure 17).
  • FIGS. 18 to 25 show a further variant of the method according to the invention of the photochemical structuring of current paths and soldering eyes on part of a prefabricated product and the mechanical structuring of through-plating with mask foils.
  • the prefabricated product and the method steps are shown in these figures in a section along the planar extent of the prefabricated product.
  • the procedure of this third variant largely follows that of the variants in the descriptions according to FIGS. 1 to 8 and respectively FIGS. 9 to 15, so that deviations from this are explained in the following.
  • the basic difference from the variant according to FIGS. 1 to 8 is that in the third variant an electrically conductive deposition substance, for example a metal such as nickel or gold, is deposited due to chemical potential differences.
  • the method steps according to FIGS. 18 to 23 are identical to those of FIGS. 1 to 6.
  • FIG. 24 shows the foil package with through plating 12 that is in the production stage according to FIG. 23 or 6.
  • the difference in chemical potential between the conductive materials involved is consciously used to cover only the through plating openings 10 in the area of the current paths SP and soldering eyes L. and to cover the plastic film 2 with a contact layer 11 so as to produce the through-plating 12.
  • the current paths SP and soldering eyes L have been structured from copper foils, a thin layer of nickel or gold can be chemically deposited on the prefabricated product V in a nickel or gold bath.
  • this is used to form through-plating 12 in the through-plating openings 10, which can be electrically contacted via connecting areas 16, 16 'with current paths SP and soldering eyes L, without strong connections to the mask foils 7, 7'.
  • Nickel or gold can be chemically deposited very well on copper, and if activated accordingly, they can also be chemically deposited on the plastic film 2. In this way, foil conductive plates with plasma-etched through-plating 12 of diameters smaller than 100 ⁇ m can be produced from deposited contact layers 11 thinner than 25 ⁇ m.
  • FIG. 25 shows the prefabricated product V after the mask foals 7,7 'have been removed by loosening the clips 15,15' and removing the mask foals 7,7 '. Because the connections between the prefabricated product V and the mask foils 7, 7 'are very thin (less than 10 ⁇ m) or do not exist, there is no damage to the prefabricated product V due to tears in the connection areas 16, 16' during this process.
  • FIGS. 26 and 27 show two embodiments of local weaknesses 17, 17 'in the detachment area of the prefabricated product V from the mask foals 7, 7'. One can only see a part of the prefabricated product V after the process steps of plasma etching of the through openings 10 and the deposition of electrically conductive contact layers 11.
  • the embodiment of local weak points 17, 17 'in the detachment area in FIG. 26 shows a detailed enlargement of the variant of the method according to the invention described in FIGS. 9 to 17, where the photoresist 3, 3' after structuring of the pattern structures 5.5 'and Through-plating structures 4,4 'are not removed (stripped) before the mask foils 7,7' are applied, but remain on the prefabricated product V, and where this photoresist 3,3 'in the process step of plasma etching in areas 14,14' is deliberately underestimated.
  • These areas 14, 14 ' which have been etched back in this way, form pre-embossed local weak points of the plated-on contact layer 11 in detachment areas between the prefabricated product V and the mask foals 7, 7'.
  • the back-etching in the photoresist 3, 3 ' is locally plated with metal, which on the one hand creates good, strong, stable connection areas 16, 16' of the through-plating 12 with the pads L and the current paths SP, but on the other hand only local weak points 17, 17 'of the through-plating 12 with the mask foils 7, 7' are formed, so that the masking foils 7, 7 'can be removed without damage to the prefabricated product V in the region of the through-plating 12, even when thicker contact layers 11 with thicknesses greater than 10 ⁇ m are applied.
  • the further embodiment of local weak points 17, 17 'in the detachment area in FIG. 27 shows a foil guide plate which was produced according to the variants of the method according to the invention according to FIGS. 1 to 8 or FIGS. 18 to 25.
  • local weak points 17, 17 ' are induced by special, advantageous and inexpensive shapes of the through openings 8.8' of the mask foils 7, 7 '.
  • the mask foils 7,7 'according to FIG. 27 have passage openings 8,8' with shapes 20,20 'which, after they have been applied to the prefabricated product V, have narrow cavities in the area of the connection between the prefabricated product V and the mask foils 7,7'. form.
  • electrically conductive material is deposited locally in a targeted manner in order to locally weaken 17, 17' of the chemically and galvanically deposited contact layer 11 in the separation areas between the prefabricated product V and the mask foils 7, 7 'to manufacture.
  • metal for example.
  • locally thin contact layers 11 are formed in these cavities, since a small amount of chemicals and liquids can penetrate into the narrow cavities, so that only thin contact layers 11 are formed here, which represent local weak points 17, 17 'in the critical detachment area.
  • it is not necessary to deposit chemically and galvanically (as in the variant according to FIGS.
  • metal can also be deposited purely chemically to form mask layers 11 (as in the variant according to FIGS. 18 to 25).
  • a locally targeted deposition of metal is carried out due to chemical potential differences between the materials used. This is explained in the description of the variant according to FIGS. 18 to 25.
  • FIGS. 28 to 32 show a further variant of the method according to the invention with mechanical structuring of covers on one part a foil guide plate. This is done in a cut along the planar extent of the foil guide plate.
  • FIG. 28 shows, for example, a two-layer foil conductive plate which consists of current paths SP arranged in two layers of electrically conductive layers or conductor layers 1, 1 'and contact points K, K' which are electrically insulated from one another by an insulator layer 2.
  • the two surfaces with a flat expansion of the film guide plate are referred to as surfaces 0.0 '.
  • the current paths SP of different conductor layers 1, 1 ' can be in electrical contact with one another through plating D.
  • the aim of attaching a structured cover is now to keep the contact points K, K 'of the foil circuit board free of covers so that they can later be fitted with components, while for example the current paths SP and insulating surface areas of the insulator layer 2 are to be covered, in order to protect them from mechanical damage or from corrosion of metallic current paths.
  • FIG. 29 shows how such foil guide plates consisting of cover layers A, A 'and mask foils 7,7' are applied to the surfaces 0,0 '.
  • the cover layers A, A 'consist for example, of polyimide or epoxy films and of epoxy resin-coated polyimide films. The latter is used, for example, to connect polyimide films by means of layers of uncured epoxy resin to mask films 7, 7 'or film circuit boards, etc.
  • the mask foils 7, 7 'consist for example, of conductors such as copper, stainless steel, brass, bronze, aluminum-magnesium alloys, Invar, molybdenum, etc.
  • Such epoxy resin-coated polyimide foils can therefore be laminated along their planar extent on one side with copper foils and laminated onto foil conductor plates on the other side. This advantageously takes place in the same pressing process at pressure and elevated temperature. After the epoxy resin has hardened, these materials are still very flexible and can therefore generally be used as covers for flexible circuit carriers. They are cheap to buy, which means that the process can be operated at low cost. Covering layers A, A 'can be laminated onto both sides of the foil guide plate simultaneously, which is not possible with most of the above-mentioned processes with solder-resist lacquers. These must be applied on one side and dried before the second side can be processed (an exception to this is the expensive electrophoretic process).
  • the through plating D of the foil conductor plate is filled with, for example, epoxy resin-coated polyimide foils, by means of which these conductor tracks are also protected.
  • the thickness of such copper and epoxy resin-coated polyimide films is less than 100 ⁇ m.
  • FIG. 30 shows the mask films 7, 7 'on the cover layers A, A' and the film guide plate according to FIG. 29 after photochemical structuring of these mask films 7, 7 'in contacting structures 3, 3'.
  • This is done using known photochemical methods, the contacting structures 3, 3 'being transferred into the mask foils 7, 7' according to a photomask.
  • the contacting structures 3, 3 ' extend down to the cover layers A, A'.
  • Mask-free (copper-free) areas are thus formed on the cover layers A, A '.
  • the shape of these contacting structures 3, 3 ' can be freely selected, for example they can have circular cylindrical, round, oval and also square, rectangular, polygonal diameters.
  • FIG. 31 shows the mask films 7, 7 'according to FIG.
  • cover openings 4, 4 ' are etched in a plasma etching process in the areas not protected by copper, in accordance with the contacting structures 3, 3' of the mask foils 7, 7 '. Otherwise, the mask foils 7, 7 'protect the covering layers A, A' from the plasma attack, so that there is no etching of the covering layers A, A '.
  • the edges of the contacting structures 3, 3 'of the mask foils 7, 7' are etched back, the cover openings 4, 4 'have slanted walls.
  • the cover openings 4, 4 'in the cover layers A, A' are plasma-etched down to the surfaces 0.0 'of the foil guide plate.
  • Plasma etching is a well-known and proven method, and the above-mentioned etching and the depth of the etching can be precisely regulated and controlled by the person skilled in the art via the etching parameters such as gas pressure, etching time, etc.
  • Plasma etching is an environmentally friendly process in which no contaminated wastewater is produced, which then has to be treated, and there are also no residues that need special disposal.
  • FIG. 32 shows the foil guide plate provided with a cover structured according to FIG. 31 after the masking foils 7, 7 'have been removed.
  • This can be done, for example, by wet chemical etching.
  • exposed areas of the film guide plate such as the contact points K, K ', are of course also chemically etched.
  • the mask foils 7, 7 ' can be worked very thinly (3 to 5 ⁇ m thick), so that they account for less than 20% of the thickness of contact points K, K', so that, with identical etching rates, the mask materials and the contact control materials, the dimensions material loss at the contact points K, K 'is less than 20%, while the mask foils 7,7' are removed.
  • This etching away of less than 20% of the thicknesses of the exposed areas of the foil guide plate, such as contact points, is tolerable.
  • This wet chemical etching is a known and proven method and can be easily controlled by a person skilled in the art.
  • etching rates on such exposed contact points K, K 'and the mask films 7, 7' can, however, be quite different.
  • the contact points K, K ' can be provided with etch retarders or etch protection, such as thin nickel layers or chemically deposited gold layers, or consist entirely of such conductors, so that such treated contact points K, K' are less than 20 when the mask foils 7, 7 'are wet-etched % or not at all.
  • the structured mask foils 7, 7 'do not have to be removed from the structured cover layers A, A', they can very well be left on them and used as passive electrical elements. For example, applications are useful as electromagnetic shielding surfaces, for example as shielding surfaces against high-frequency radiation, which can disrupt the operation of the electronic circuit of the foil guide plate.
  • the structured mask films 7, 7' can also be used as voltage supplies or as ground lines for the film lines. te ⁇ latte can be used.
  • the corresponding interpretations of the thicknesses of the mask foils 7, 7 ', the possibly required electrical connections between the mask foils 7, 7' and the foil guide plate, all of this can be done by a person skilled in the art with knowledge of this invention.
  • FIG. 33 shows a perspective view of part of the surface O of an exemplary embodiment of a foil guide plate with a cover structured in the method according to the invention.
  • the foil circuit board is partially covered by the structured cover layer A.
  • the current paths SP are thus protected from harmful environmental influences by a polyimide layer of the covering layer A, for example, the contact points K are accessible in a rectangular covering opening 4, this local covering opening 4 can be used for later assembly with components, for wire bonding, etc . serve.
  • FIGS. 34 to 37 show a further variant of the method according to the invention with mechanical structuring of covers on part of a foil guide plate. This is done in a cut along the planar extent of the foil guide plate.
  • the process sequence of this variant largely follows the variant in the description according to FIGS. 28 to 32, so that only deviations from this are explained below.
  • FIG. 34 shows an example of a two-layer film guide plate that can be structurally covered, just as in FIG. 28.
  • FIG. 35 shows how covers consisting of cover layers A, A 'and masking foils 7, 7' are applied to the surfaces 0.0 'of the foil guide plate.
  • the cover layers A, A 'consist for example, of polyimide films which are only coated on one side with non-hardened epoxy resin along their planar extent and which, via this epoxy resin, have the surfaces 0.0' of the film guide plate in one Pressing process irreversibly connected.
  • the thickness of this epoxy resin-coated polyimide film is less than 100 ⁇ m.
  • the mask foils 7, 7 ' are reversibly connected to the cover layers A, A'.
  • the mask foils 7, 7 ' are thus photochemically structured in contacting structures 3, 3' before they are applied to the cover layers A, A '.
  • the contacting structures (3,3 ') are transferred into the mask foils 7,7' according to a photomask, then the contacting structures 3,3 'are wet-etched penetrating the masking foils 7,7' in such a way that the contacting structures 3,3 'after application of the mask foils 7, 7 'on the cover layers A, A' form areas free of mask material on the cover layers A, A '.
  • Contacting structures 3, 3 'of any shape and structure, such as round and square openings, elongated straight and curved openings, etc. can be produced.
  • FIG. 36 shows the mask foils 7, 7 'according to FIG. 35 attached to the foil guide plate after mechanical structuring of these covering layers A, A' in covering openings 4,4 '.
  • These cover openings 4, 4 ' are etched in a plasma etching process in the areas not protected by copper, in accordance with the contacting structures 3, 3' of the mask foils 7, 7 '. Otherwise, the mask foils 7, 7 'protect the cover layers A, A' from the plasma attack, so that there is no etching of the cover layers A, A '.
  • the edges of the contacting structures 3, 3 'of the mask foils 7, 7' are etched back, the cover openings 4, 4 'have inclined walls.
  • FIG. 37 shows the foil guide plate provided with a cover structured according to FIG. 36 after removal; of the mask foils 7.7 '.
  • the foamed conductor plate F covered in a structured manner in the method according to the invention is identical to that according to FIG. 32.
  • the multilayer printed circuit boards and foamed printed circuit boards produced in the process according to the invention thus have structured covers with cover openings 4, 4 ', which form areas on the printed circuit boards and film conductive plates, which are free of covering material, these cover openings 4, 4' being freely shaped, circular cylindrical, round, have oval and also square, rectangular, polygonal diameters, these cover openings forming 4,4 'structures with sharply outlined edges, the resolution of which is less than 100 ⁇ m, which are flexible and do not flake off when flexible circuit carriers are bent.

Abstract

Die Erfindung betrifft mehrlagige Leiterplatten, Folienleiterplatten und Halbzeuge für Folienleiterplatten und ein Verfahren zur Herstellung derselben, mit in Isolatorschichten (2) strukturierten Durchplattierungen (12), mit in Abdeckschichten (A, A') strukturierten Abdecköffnungen (4, 4') der Oberflächen (O, O'), mit in Leiterschichten strukturierten Strompfaden (SP), mit Kontaktstellen (K, K'), wobei zur Erniedrigung der Anzahl der benötigten photochemischen Strukturierungen die Durchplattierungen (12) und die Abdecköffnungen (4, 4') mechanisch strukturiert werden, indem in Isolatorschichten (2) vorgearbeitete Durchplattierungsöffnungen (10, 10') gemäss Durchplattierungsstrukturen (8, 8') von Maskenfolien (7, 7') geätzt werden, dass in den Durchplattierungsöffnungen (10, 10') elektrisch leitfähige Abscheidesubstanzen zur Bildung von Kontaktschichten (11) in den Durchplattierungsöffnungen (10) abgeschieden werden und indem in Abdeckschichten (A, A') Abdecköffnungen (4, 4') gemäss Kontaktierstrukturen (3, 3') von Maskenfolien (7, 7') geätzt werden, derart dass die Abdecköffnungen (4, 4') abdeckmaterialfreie Bereiche auf den Leiterplatten, Folienleiterplatten und auf den Halbzeugen für derartige Folienleiterplatten bilden und die Abdecköffnungen (4, 4') frei geformt gearbeitet sind, kreiszylindrische, runde, ovale und auch quadratische, rechteckige, mehreckige Durchmesser aufweisen.

Description

STRUKTURIERTE LEITERPLATTEN UND FOLIENLEITERPLATTEN UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
Die Erfindung liegt auf dem Gebiet der Herstellung von Leiterplatten und sie betrifft Leiterplatten, Folienleiterplatten und Halbzeuge für Folienleiterplat¬ ten mit strukturierten Abdeckungen und mit plasma-geätzten Durchplattierun- gen und sie betrifft ein photochemisches Verfahren zur Herstellung derselben.
Bei der Herstellung dünner, mehrlagiger Folienleiteφlatten aus Isolator¬ schichten und Leiterschichten werden bisher eine grössere Anzahl getrennter Strukturierungen mittels photochemischer Verfahren vorgenommen. Somit werden zur Strukturierung von Durchplattierungen in Isolatorschichten zuerst vorbereitete Durchplattierungen strukturiert, an deren Position dann später die Durchplattierungen plasma-geätzt und aufplattiert werden. Im Unterschied hierzu werden Strompfaden und Lötaugen photochemisch direkt in elektrisch leitenden Schichten strukturiert. Schliesslich erfolgt auch die photochemische Strukturierung von Abdeckungen in nachträglich aufgebrachten, schützenden Abdeckschichten auf Oberflächen von Folienleiteφlatten. Solche Strukturierungen laufen nach bekannten und bewährten photochemi¬ schen Verfahren ab, die in der Elektrotechnik weit verbreitet sind. Sie werden nacheinander angewendet und weisen als mehrstufige Herstellungsprozesse die folgenden prinzipielle Nachteile auf:
Je mehr Strukturierungen benötigt werden, desto teuerer wird die Herstellung. Für jede dieser Strukturierungen müssen Photomasken hergestellt und genau positioniert werden, ausserdem müssen Schichten von Photoresist auf das Vorfabrikat zur Herstellung von Folienleiteφlatten aufgebracht und wieder entfernt werden.
Je mehr Strukturierungen benötigt werden, desto geringer ist die Ausbeute. Die Gesamtausbeute mehrerer sequentiell durchgeführter Herstellungspro¬ zesse wird aus dem Produkt der Einzelausbeuten gebildet, der Ausschuss eines jeden Prozesses begrenzt die Ausbeute aller darauffolgenden Prozesse.
Je mehr Strukturierungen benötigt werden, desto grösser ist der fabrikation¬ stechnische Mehraufwand. Die potentiellen physikalischen und elektronischen Möglichkeiten der verwendeten photochemischen Verfahren werden also durch die hohe Anzahl an durchgeführten Strukturierungen beschränkt. Im folgenden werden solche Beschränkungen aufgezählt:
Beschränkend sind die Fertigungstoleranzen. Dünne mehrlagige Folien¬ leiteφlatten mit Dicken kleiner 100 μm und Durchplattierungen vom Durchmesser kleiner 100 μm müssen bei mehreren Belichtungen gemäss verschiedener Photomasken für alle diese Strukturierungen gewisse Ferti- gungstoleranzen aufweisen, die rasch in die Grössenordnung der Struktu¬ ren selbst geraten.
Beschränkend sind die Dicken der Strompfade und der Durchplattierun- gen. Nach einer Strukturierung der vorgearbeiteten Durchplattierungen, werden diese plasma-geätzt und galvanisch, beispielsweise mit Kupfer aufplattiert. Diese so erhaltenen Durchplattierungen verschlechtern die Dimensionsstabilität der gesamten Folienleiterplatte, da galvanisch abge¬ schiedene Metallschichten nicht spannungsfrei sind. Auch führt die galva- nische Aufplattierung zu einer Zunahme der Dicke der obersten Metall¬ folie der Folienleiterplatte selbst. Je dicker ein Metallschicht ist, desto schwerer ist sie chemisch zu Ätzen. Der physikalische Vorteil kleinster Dimensionen auf Folien! eiterplatten wird so limitiert, der elektronische Vorteil dünner Strompfade ebenfalls.
Beschränkend sind schliesslich die photochemischen Strukturierungen von Abdeckungen auf Leiterplatten und Folienleiterplatten. Für die Erzeu¬ gung sehr feiner Strukturierungen in Abdeckschichten mit scharf umrisse- nen Rändern wird vorteilhafterweise photoempfindlicher Lötstopp-Lack oder photoempfindliche Lötstopp-Resistfolie aufgetragen. Der Lötstopp-
Lack lässt sich über verschiedene Methoden wie Aufdrucken, Aufrollen, Aufgiessen elektrostatisches Aufsprühen, elektrophoretische Abscheidung, etc. aufbringen und vortrocknen. Die Löttstopp-Resistfolie wird mittels eines Vakuum-Laminators auflaminiert. Die Strukturen in diesen Abdek- kungen werden über eine Photomaske mit einer hohen Strukturauflösung von 20 μm übertragen. Nachteilig sind tue hohen Installationskosten für die notwendigen Maschinen, Öfen, etc. und nachteilig sind auch die hoher Verfahrenskosten, bedingt durch deren geringe Umweltverträglichkeit (Einsatz von Nasschemie und Abwasser-Aufbereitung, etc.). Auch ist der applizierte Lötstopp-Lack spröde und daher schwerlich für flexible Schal- tungsträger wie Folienleiterplatten verwendbar, da er beim Biegen der Folienleiterplatten abplatzen kann.
Wünschenswert ist ein photochemisches Verfahren zur Herstellung von Lei¬ terplatten, Folienleiterplatten und zur Herstellung von Halbzeugen für Folien¬ leiterplatten mit strukturierten Abdeckungen und mit plasma-geätzten Durch¬ plattierungen, die die oben beschriebenen Nachteile der mehrfachen Struktu¬ rierungen mindern. Ein solches Verfahren soll kostengünstig sein, es soll ge- ringen Ausschuss aufweisen, es soll eine hohe Strukturauflösung und Dimen¬ sionsstabilität ermöghchen und es soll bezüghch der Formgebung solcher Strukturen in den Leiterschichten, in den Isolatorschichten und in den Ab¬ deckschichten flexibel sein. Des weiteren sollen bekannte und bewährte Tech¬ niken, Materialien und dergleichen zur Anwendung kommen. Auch soll das Verfahren bezüghch der Weiterverarbeitung und bei wechselnden Dimensio¬ nen der zu bestückenden Bauelemente mit bekannten Verfahren kompatibel sein. Insbesondere soll die Anzahl der benötigten photochemischen Struktu¬ rierungen erniedrigt werden.
Solche Leiterplatten, Folienleiterplatten und Halbzeuge für Folienleiterplatten mit strukturierten Abdeckungen und mit plasma-geätzten Durchplattierungen werden gemäss der in den Patentansprüchen definierten Erfindung hergestellt.
Die Erfindung beruht darauf, dass sich plasma-geätzte Strukturen in Isolator¬ schichten nicht nur mit bekannten "chemischen" Masken (strukturiertes Photo- resist), sondern auch mit "mechanischen" Masken (strukturierte plasma-ätzre- sistente Folie, vorzugsweise aus Leitermaterial) simultan und mit einer hohe Auflösung von kleiner 100 μm einbringen lassen. Man spricht daher auch von "mechanischen Strukturierungen" von Isolatorschichten und Abdeckschichten.
Beim erfindungsgemässen Verfahren werden Strompfade und Lötaugen in Leiterschichten photochemisch mit Hilfe von Photoresist strukturiert. Vorge¬ arbeitete Durchplattierungen in Isolatorschichten und Abdeckungen in Ab¬ deckschichten hingegen werden mit Hilfe der Maskenfolien mechanisch struk¬ turiert. Dies führt zu einer erwünschten Erniedrigung der Anzahl notwendiger photochemischer Strukturierungen.
Vorteilhafterweise sind die Isolatorschichten und Abdeckschichten Polyimidfo- lien und die strukturierten Maskenfolien sind Stahl- oder Kupferfolien. Die Stahl- oder Kupferfolien lassen sich reversibel oder irreversibel an den zu ätzenden Polyimid-Folien positionieren. Das heisst, dass Maskenfolien mit Fo¬ lienleiterplatten fest verbunden werden können, sodass Polyimid-Folien ge¬ mäss der Strukturen von Kupferfolien plasma-geätzt werden. Das Kupfer kann dann in den Herstellungsprozess der Leiterplatten, Folienleiterplatten und der Halbzeuge für Folienleiterplatten integriert und beispielsweise in Strompfade strukturiert werden. Das heisst, dass Maskenfolien mit Folienleiteφlatten aber auch nur zum Plasma-Ätzen, beispielsweise mittels Klammern, verbunden werden können. Stahlfolien werden also nur temporär auf Folienleiterplatten gespannt und daraufhin wieder entfernt und sind so ein wiederwiederverwert- bare Betriebsmittel.
Wiederlösbare Maskenfolien werden so auf Isolatorschichten aufgebracht, dass die Positionen von Durchgangsöffnungen in den Maskenfolien mit den Positionen der herzustellenden Durchplattierungen oder Abdeckungen zusam- menfallen. Durch dichtes Anpressen der Maskenfolien werden Folienpakete gebildet, sodass in einem Plasma-Ätz- Verfahren Durchplattierungsöffnungen und/oder Abdeckbegrenzungen gemäss den Durchgangsöffnungen der Mas¬ kenfolien in die Isolator- und/oder Abdeckschichten geätzt werden. Die Mas¬ kenfolien können sofort danach entfernt werden und dann in weiteren Her¬ stellungsprozessen beispielsweise durch andere Maskenfolien für andere me¬ chanische Strukturierungen ersetzt werden, sie können dann in weiteren Her¬ stellungsprozessen beispielsweise aber auch durch Photoresist für photochemi¬ sche Strukturierungen ersetzt werden.
Anhand der nachfolgend aufgeführten Figuren 1 bis 37 wird die Erfindung näher erläutert.
Fig.1-8 zeigen eine Variante des erfindungsgemässen Verfahrens der photochemischen Strukturierung von Strompfaden und Lötaugen auf einem Teil eines Vorfabrikats und der mechanischen Struktu¬ rierung von Durchplattierungen mit Maskenfolien.
Fig.9-17 zeigen eine weitere Variante des erfindungsgemässen Verfahrens der photochemischen Strukturierung von Strompfaden und Löt- augen auf einem Teil eines Vorfabrikats und der mechanischen Strukturierung von Durchplattierungen mittels Maskenfolien.
Fig.18-25 zeigen eine weitere Variante des erfindungsgemässen Verfahrens der photochemischen Strukturierung von Strompfaden und Löt¬ augen auf einem Teil eines Vorfabrikats und der mechanischen Strukturierung von Durchplattierungen mittels Maskenfolien. Fig.26 zeigt eine Ausführungsform lokaler Schwachstellen im Ablösebe¬ reich der Maskenfolien von den Vorfabrikaten.
Fig.27 zeigt eine weitere Ausführungsform lokaler Schwachstellen im
Ablösebereich der Maskenfolien von den Vorfabrikaten.
Fig.28-32 zeigen eine weitere Variante des erfindungsgemässen Verfahrens mit mechanischer Strukturierung von Abdeckungen auf einem Teil einer Folienleiteφlatte.
Fig.33 zeigt in einer perspektivischen Ansicht einen Teil einer beispiel¬ haften Ausführungsform einer Folienleiteφlatte mit einer im erfindungsgemässen Verfahren strukturierten Abdeckung.
Fig.34-37 zeigen eine weitere Variante des erfindungsgemässen Verfahrens mit mechanischer Strukturierung von Abdeckungen auf einem Teil einer Folienleiteφlatte.
In den Figuren 1 bis 8 sieht man eine Variante des erfindungsgemässen Ver¬ fahrens der photochemischen Strukturierung von Strompfaden und Lötaugen auf einem Teil eines Vorfabrikats und der mechanischen Strukturierung von Durchplattierungen gemäss Maskenfolien. Das Vorfabrikat und die Verfah¬ rensschritte sind in diesen Figuren in einem Schnitt entlang der flächigen Ausdehnung des Vorfabrikats dargestellt. Die herzustellenden Durchplattie¬ rungen sollen mindestens zwei voneinander durch eine Schicht Isolator oder Kunststoff getrennte, elektrisch leitende Schichten oder Leiterschichten mit¬ einander verbinden. Die Durchplattierungen durchdringen also alternierend zwischen Leiterschichten angeordnete, intermediäre Isolatorschichten und ver- binden jeweils mindestens zwei solcher Leiterschichten. Die Durchplaπierun- gen müssen nicht senkrecht zur Oberfläche der zu durchdringenden Kunst¬ stoffschicht verlaufen, sie können auch schräg durch sie hindurchgehen. Für das erfindungsgemässe Verfahren ist die Strukturierung von Lötaugen in Lei- terschichten nicht notwendig.
Figur 1 zeigt ein Vorfabrikat V des Verfahrens. Vorteilhafterweise wird ein mehrlagiges Vorfabrikat V verwendet, das beispielsweise aus einer doppel¬ seitig mit elektrisch leitenden Schichten oder Leiterschichten 1,1' kaschierten Isolatorschicht oder Kunststoff-Folie 2 besteht. Als -Leiterschichten 1,1' kön¬ nen Kupferfolien, als Isolatorschichten 2 können geeignete Kunststofffolien, beispielsweise Polyimidfolien oder Epoxydfolien verwendet werden. Anstelle von Kupferfolien können auch kalt laminierte Kompositfolien bestehend aus einer dickeren Aluminiumfolie und beidseitig darauf laminierten, dünneren Kupferfolien. Ebenfalls geeignete Ausgangsprodukte sind beispielsweise Fo¬ lien aus rostfreiem Stahl, Messing, Bronze, Aluminium-Magnesium-Legierun- gen, Invar, Molybdän etc. Diese Leiterschichten 1,1' und die Kunststoff-Folie 2 sind 3 bis 100 μm dick. Das Vorfabrikat V kann starr oder flexibel sein.
Figur 2 zeigt wie das Vorfabrikat V gemäss Figur 1 beidseitig mit Photoresist 3,3' beschichtet wird. Die Leiterschichten 1,1' sind vollständig mit Photoresist 3,3' bedeckt. Es kann festes oder flüssiges Photoresist verwendet werden. Die Schichten Photoresist 3,3' können in bekannten photochemischen Verfahren belichtet werden, wodurch Leiterbildstrukturen und Durchplattierungsstruk- turen über eine Photomaske übertragen werden.
Figur 3 zeigt diese photochemisch durchgeführte Strukturierung der Schichten Photoresist 3,3'. In der strukturierten Schicht Photoresist 3 sind Leiterbild- Strukturen 5 und Durchplattierungsstrukturen 4 angebracht, in der struktu¬ rierten Schicht Photoresist 3' sind Leiterbildstrukturen 5' und Durchplattie¬ rungsstrukturen 4' angebracht. Diese Strukturen reichen bis auf die Leiter¬ schichten 1,1' herab. Der Durchmesser der Durchplattierungsstrukturen 4,4' beträgt typischerweise 25 bis 100 μm. Diese Strukturen 4,4',5,5' sind frei wähl¬ bar, sie können kreiszylindrische, runde, ovale und auch quadratische, recht¬ eckige, mehreckige Duchmesser aufweisen. Die Leiterbildstrukturen 5,5' und die Durchplattierungsstrukturen 4,4' dienen zur Übertragung des Schaltungs¬ entwurfs (Strompfade, Lötaugen, etc.) und der Informationen bezüglich Posi- tion und Struktur der herzustellenden Durchplattierungen in den Leiter¬ schichten 1,1'. In den Bereichen, wo sich Photoresist 3,3' befindet, wird in den folgenden Verfahrensschritten kein elektrisch leitendes Material der Leiterschichten 1,1' entfernt.
Figur 4 zeigt das derart photochemisch strukturierte Vorfabrikat V nach er¬ folgtem nasschemischen Ätzen des von Photoresist 3,3' unbedeckten Materials der -Leiterschichten 1,1'. Dieses Ätzen führt zum gezielten Entfernen einzelner Bereiche der Leiterschichten 1,1'. Hierdurch werden durch Isolierbereiche 5" getrennte Strompfade SP, Lötaugen L und vorgearbeitete Durchplattierungs¬ öffnungen 4* gebildet. Das nasschemische Ätzen findet gezielt in der Tiefe statt, d.h. die -Leiterschichten 1,1' werden in von Photoresist 3,3' unbedeckten Bereichen bis auf die Kunststoff-Folie 2 herunter entfernt. Das nasschemische Ätzen findet in allen exponierten Bereichen (d.h. die Bereiche die für die ätzenden Chemikalien und Flüssigkeiten zugänglich sind) gleichzeitig statt.
Figur 5 zeigt das - sich im Herstellungsstadium gemäss Figur 4 befindliche
Vorfabrikat V nach Entfernen (Strippen) der Schichten Photoresist 3,3'. Dies geschieht mittels bekannter und bewährter chemischer Prozesse. Zwei dünne Maskenfolien 7,7', beispielsweise rostfreie Stahlfolien, mit einer Dicke kleiner 100 μm sind auf den strukturierten Leiterschichten 1,1' reversibel angebracht worden. Sie werden mittels Klammern 15,15' fixiert und können durch Lösen derselben wieder entfernt werden. Das Fixieren ist ein dichtes Anpressen. Die Positionierung der Maskenfolien 7,7' geschieht auf bekannte Art und Weise, beispielsweise mittels Registrierbolzen. D.h. auf dem Vorfabrikat V und den Maskenfolien 7,7' sind besonders geformte Marlderungen angebracht, die bei¬ spielsweise in Deckung miteinander gebracht werden, wodurch eine kontrol¬ lierte Positionierung derselben geschieht.
Die Maskenfolien 7,7' sind durch Formätzen strukturiert und weisen Durch¬ gangsöffnungen 8,8' auf. Diese werden fluchtend mit Durchplattierungsöff¬ nungen 4* der -Leiterschichten 1,1' positioniert. Die Aussendurchmesser der Durchgangsöffnungen 8,8' sind grösser als die Aussendurchmesser der vor¬ gearbeiteten Durchplattierungsöffnungen 4* der Leiterschichten 1,1' aber sie sind kleiner als die Aussendurchmesser der um diese vorgearbeiteten Durch¬ plattierungsöffnungen 4" angebrachten Lötaugen L. Das Formätzen der Durchgangsöffnungen 8,8' findet in einem gesonderten, hier nicht gezeigten, bekannten Herstellungsverfahren statt. Es können beliebige Formen und Strukturen, wie runde und eckige Öffnungen, längliche gerade und gebogene Öffnungen etc. verwendet werden. Die Durchgangsöffnungen 8,8' sind auch deshalb grösser gearbeitet als die vorgearbeiteten Durchplattierungsöffnungen 4", um allfällige Dimensionsänderungen der Kunststoff-Folie 2 auszugleichen. Vorteilhafterweise verwendet man Durchgangsöffnungen mit einem günstig¬ sten Aussendurchmesser Dg für eine optimalste Dimensionierung bei minima¬ lem Platzverbrauch. Dieser berechnet sich aus dem Aussendurchmesser der Lötaugen L minus dem Aussendurchmesser der vorgearbeiteten Durchplattie¬ rungsöffnungen 4* dividiert durch zwei. Das dichte Anpressen der Maskenfolien 7,7' auf das Vorfabrikat V wird da¬ durch erleichtert, dass die Maskenfolien 7,7' leicht konkav geformt sind, der¬ art, dass sie sich an ihren Rändern leicht nach aussen, von der flächigen Aus¬ dehnung des Vorfabrikats V wegbiegen, sodass durch das Befestigen mittels der Klammern 15,15' Biegekräfte generiert werden, welche ein verwackel- und verrückungsfreies Aufliegen der Maskenfohen 7,7' auf dem Vorfabrikat V zur Bildung von Folienpaketen gewährleisten. Dies ist wichtig, da diese so gebil¬ deten Folienpakete transportiert werden müssen, beispielsweise für das Plas¬ ma-Ätzen in und wieder aus den Plasma-Reaktor.
Figur 6 zeigt ein Folienpaket gemäss Figur 5 nach dem Plasma-Ätzen der Durchplattierungsöffnungen 10 in der Kunststoff-Folie 2. Die Durchplattie¬ rungsöffnungen 10 werden an der Position der Durchgangsöffnungen 8,8' der Maskenfolien 7,7' geätzt. Die Durchplattierungsöffnungen 10 sind bewusst hin¬ terätzt, d.h. sie werden entlang der flächigen Ausdehnung des Vorfabrikats V unter die Ränder der beispielsweise in Lötaugen L oder Strompfade SP struk¬ turierten Leiterschichten 1,1' geätzt. Andere Bereiche freigelegter Kunststoff- Folie 2, beispielsweise die Isolierbereiche 5", werden durch die Maskenfolien 7,7' vor dem Plasma-Angriff geschützt.
Figur 7 zeigt ein plasma-geätztes Folienpaket gemäss Figur 6 nach Aufplat- tierung einer Kontaktschicht 11 aus einem elektrisch leitenden Material, bei- spielsweise aus Kupfer. Bei diesem bekannten und bewährten chemischen und galvanischen Prozess werden die Maskenfolien 7,7' und die Durchplattierungs¬ öffiiungen 10 des Vorfabrikats V mit einer Kontaktschicht 11 überzogen, derart, dass die Durchplattierungsöffnungen 10 durchplattiert werden. Das elektrisch leitende Material wird elektrochemisch abgeschieden und aufplat- tiert. Durchplattierte Öffnungen 10 werden als Durchplattierungen 12 bezeich- net. Diese abgeschiedene Kontaktschicht 11 ist dünn und weist Dicken kleiner 25 μm auf. Die Durchplattierungen 12 haben über Verbindungsbereiche 16,16' elektrischen Kontakt mit Lötaugen L, Strompfaden SP und den Maskenfolien 7,7'. Nach Entfernen der Maskenfolien 7,7' ist eine Ausführungsform einer zweilagige Folienleiteφlatte erfindungsgemäss hergestellt.
Figur 8 zeigt die zweilagige Folienleiteφlatte gemäss Figur 7 nach Entfernen der Maskenfolien 7,7'. Das Entfernen der Maskenfohen 7,7' ist bei dünnen aufplattierten Kontaktschichten 11 mit Dicken kleiner 10 μm problemlos, nach Lösen der Klammern 15,15' können diese abgezogen werden. Zur Her¬ stellung von Folienleiteφlatten mit mehr als zwei Lagen Leiterschichten 1,1' wird beispielsweise eine solche zweilagige Folienleiteφlatte mit weiteren Isolator- und Leiterschichten versehen und durch Wiederholung des erfindungsgemässen Verfahrens in der ersten Variante gemäss den Figuren 1 bis 8 photochemisch und mechanisch strukturiert. Hierbei ist die mit Isolator¬ und -Leiterschichten versehene zweilagige Folienleiteφlatte wiederum ein Vorfabrikat V. Es werden immer solche Bereiche des Vorfabrikats V struktu¬ riert, die für Licht, Chemikalien, Flüssigkeiten (von aussen) zugänglich sind und an denen sich Maskenfohen positionieren lassen. Dem Fachmann stehen hierbei bei Kenntnis dieser Erfindung viele Variationsmöglichkeiten offen.
Die Dicke der Kontaktschichten 11 ist ein kritischer Parameter. Bei dickeren Kontaktschichten 11 kann es in den Verbindungsbereichen 16,16' zur unkon¬ trollierten Trennung der Maskenfolien 7,7' vom Vorfabrikat V kommen. Dies kann zu Abrissen von Bereichen aufplattierter Kontaktschichten 11 und bei¬ spielsweise zu Beschädigungen von Durchplattierungen 12 durch Unterbruch von elektrischen Kontakten zu Lötaugen L oder Strompfaden SP führen. Solche unerwünschten Abrisse aufgrund kräftig aufplattierter Verbindungen zwischen dem Vorfabrikat V und den Maskenfolien 7,7' werden in den weite¬ ren Varianten des erfindungsgemässen Verfahrens gemäss den Figuren 9 bis 27 vermieden.
Die Maskenfolien 7,7' sind wiederverwertbare Betriebsmittel, da sie - nach Entfernen der aufplattierten Kontaktschicht 11 - wieder eingesetzt werden können. In vorteilhaften Ausführungsformen sind die Maskenfohen 7,7' poli¬ erte Metallfolien von denen sich aufplattierten Kontaktschicht 11 durch ein- faches Ablösen wieder entfernen lassen. Das Entfernen der Kontaktschicht 11 von den Maskenfohen 7,7' kann auch durch chemisches Abätzen geschehen.
Verbleiben zwischen Vorfabrikat V und den Maskenfohen 7,7' nach deren ge- genseitiger Fixierung Verunreinigungen, beispielsweise ein Staubkorn, so kön¬ nen die Maskenfohen 7,7' in solchen Bereichen nicht flächig auf dem Vor- fabrikat V liegen und es können sich kleine Hohlräume zwischen diesen auf¬ tun. Solche Hohlräume können einmal beim Plasma-Ätzen oder ein andermal beim Aufplattieren für das Ätz-Medium und respektive Chemikalien und Flüssigkeiten zugänglich sein, was aber nicht weiter störend ist oder auf ein¬ fache Art und Weise behoben werden kann. Zum einen ist die Ätzrate in engen Hohlräumen praktisch Null, da nur geringe Mengen Ätz-Medium in diese eindringen können und schlecht erneuert werden. Zum anderen kann das Eindringen von Chemikalien und Flüssigkeiten beim Aufplattieren in solche Hohlräume durch vorheriges Füllen der Hohlräume mit einer unschäd¬ lichen Flüssigkeit, beispielsweise mit Wasser, vermieden werden.
In den Figuren 9 bis 17 sieht man eine weitere Variante des erfindungsgemäs- sen Verfahrens der photochemischen Strukturierung von Strompfaden und Lötaugen auf einem Teil eines Vorfabrikats und der mechanischen Strukturie¬ rung von Durchplattierungen. Das Vorfabrikat und die Verfahrensschritte sind in diesen Figuren in einem Schnitt entlang der flächigen Ausdehnung des Vorfabrikats dargestellt. Der Verfahrensablauf dieser Variante folgt weitge¬ hend demjenigen der Variante in der Beschreibung gemäss den Figuren 1 bis 8, sodass im folgenden nur Abweichungen erläutert werden.
Der prinzipielle Unterschied zwischen der ersten und zweiten Variante des erfindungsgemässen Verfahrens ist der, dass in der zweiten Variante der Pho¬ toresist 3,3' vor dem Anbringen der Maskenfolien 7,7' nicht gestrippt, sondern auf dem Vorfabrikat V belassen wird. Die Verfahrensschritte gemäss den Figuren 9 bis 12 sind demnach identisch mit denjenigen der Figuren 1 bis 4.
Figur 13 zeigt das sich im Herstellungsstadium gemäss Figur 4 befindliche Vorfabrikat V, auf welches zwei dünne Maskenfolien 7,7' mittels Klammern 15,15' reversibel direkt auf dem Photoresist 3,3' angebracht worden sind. Die Maskenfolien 7,7' besitzen Durchgangsöffnungen 8,8', welche mit den vorgear- beiteten Durchplattierungsöffnungen 4* in Deckung gebracht werden und einen grösseren Durchmesser als diese aufweisen.
Die Figuren 14 und 15 zeigen die Verfahrensschritte des Plasma-Ätzens und des Aufplattierens der weiteren Variante, die weitgehend mit den korrespon¬ dierenden Verfahrensschritten der Variante gemäss den Figuren 6 und 7 übereinstimmen. Beim Plasma-Ätzen werden die Durchplattierungsöffnungen 10 geätzt und das freiliegende Photoresist 3,3' hinterätzt. Diese hinterätzten Bereiche 14,14' bilden vorgeprägte lokale Schwachstellen 17,17' der aufplat- tierten Kontaktschicht 11 in Ablösebereichen zwischen dem Vorfabrikat V und den Maskenfolien 7,7'. Die Hinterätzungen im Photoresist 3,3' werden lokal gezielt äufplattiert, wodurch einerseits gute, stark ausgebildete, stabile Verbindungsbereichen 16,16' der Durchplattierungen 12 mit den Lötaugen L und den Strompfaden SP entstehen, und andererseits lokale Schwachstellen 17,17' der Durchplattierungen 12 mit den Maskenfolien 7,7' entstehen, sodass die Maskenfolien 7,7' auch bei Applikation dickerer Kontaktschichten 11 mit Dicken grösser 10 μm ohne Beschädigungen des Vorfabrikats V im Bereichen der Durchplattierungen 12 entfernt werden können. Diese erste Ausführungs¬ form lokaler Schwachstellen 17,17' wird in der Beschreibung gemäss Figur 26 detailliert beschrieben.
Die Figuren 16 und 17 zeigen das Vorfabrikat V nach dem Entfernen der Maskenfolien 7,7' durch Lösen der Klammern 15,15' und Abziehen der Ma- skenfohen 7,7' (siehe Figur 16) und nach dem konventionellen Strippen des restlichen Photoresists 3,3' (siehe Figur 17).
In den Figuren 18 bis 25 sieht man eine weitere Variante des erfindungsge- mässen Verfahrens der photochemischen Strukturierung von Strompfaden und Lötaugen auf einem Teil eines Vorfabrikats und der mechanischen Struktu¬ rierung von Durchplattierungen mit Maskenfolien. Das Vorfabrikat und die Verfahrensschritte sind in diesen Figuren in einem Schnitt entlang der flächi¬ gen Ausdehnung des Vorfabrikats dargestellt. Der Verfahrensablauf dieser dritten Variante folgt weitgehend denjenigen der Varianten in den Beschrei¬ bungen gemäss den Figuren 1 bis 8 und respektive Figuren 9 bis 15, sodass im folgenden Abweichungen hiervon erläutert werden. Der prinzipielle Unterschied zur Variante gemäss den Figuren 1 bis 8 liegt darin, dass in der dritten Variante eine elektrisch leitfähige Abscheidesub¬ stanz, beispielsweise ein Metall wie Nickel oder Gold, aufgrund chemischer Potentialdifferenzen abgeschieden wird. Die Verfahrensschritte gemäss den Figuren 18 bis 23 sind identisch mit denjenigen der Figuren 1 bis 6.
Figur 24 zeigt das sich im Herstellungsstadium gemäss den Figuren 23 oder 6 befindliche Folienpaket mit Durchplattierungen 12. Hierbei wird die Differenz des chemischen Potentials zwischen den beteiligten leitfähigen Materia en be¬ wusst ausgenutzt, um lediglich die Durchplattierungsöffnungen 10 im Bereich der Strompfade SP und Lötaugen L und der Kunststoff-Folie 2 mit einer Kontaktschicht 11 zu bedecken, um so die Durchplattierungen 12 herzustellen. Wurden beispielsweise die Strompfade SP und Lötaugen L aus Kupferfolien strukturiert, so können auf dem Vorfabrikat V in einem Nickel- oder Goldbad eine dünne Schicht Nickel oder Gold chemisch abgeschieden werden. Im erfindungsgemässen Verfahren wird dies ausgenutzt, um Durchplattierungen 12 in den Durchplattierungsöffnungen 10 zu bilden, welche über Verbindungs¬ bereiche 16,16' mit Strompfaden SP und Lötaugen L elektrisch kontaktierbar sind, ohne dass kräftige Verbindungen zu den Maskenfolien 7,7' entstehen.
Dies wird durch ein örtlich gezieltes Abscheiden von Metall durchgeführt. Steuerbar ist dieser Vorgang aufgrund der chemischen Potentialdifferenzen zwischen den benutzten Materialien. Verwendet man als Maskenfolien 7,7' beispielsweise rostfreie Stahlfolien und als Abscheidesubstanzen, beispiels¬ weise Metalle wie Nickel oder Gold, so wird auf den rostfreien Stahlfolien eine sehr geringe Menge Nickel oder Gold von wenigen μm Dicke abgeschie¬ den, sodass sich keine kräftigen Verbindungen zwischen dem Vorfabrikat V und den rostfreien Stahlfolien bilden und somit auch keine Beschädigungen dem Vorfabrikat V beim Entfernen der rostfreien Stahlfolien verursacht wer¬ den. Verwendet man als Maskenfolien 7,7' vergoldete rostfreie Stahlfolien, so scheidet sich auf diesen, bei Verwendung von Nickel als Abscheidesubstanz, aufgrund deren günstiger chemischer Potentialdifferenz überhaupt kein Nickel ab. Nickel oder Gold lassen sich auf Kupfer chemisch aber sehr gut abschei¬ den, und bei entsprechender Aktivierung lassen sie sich auch auf der Kunst¬ stoff-Folie 2 chemisch abscheiden. Derart lassen sich Folienleiteφlatten mit plasma-geätzten Durchplattierungen 12 von Durchmessern kleiner 100 μm aus abgeschiedenen Kontaktschichten 11 dünner 25 μm herstellen.
Die Figur 25 zeigt das Vorfabrikat V nach dem Entfernen der Maskenfohen 7,7' durch Lösen der Klammern 15,15' und Abziehen der Maskenfohen 7,7'. Weil die Verbindungen zwischen dem Vorfabrikat V und den Maskenfolien 7,7' sehr dünn (kleiner 10 μm) sind oder nicht existieren, treten bei diesem Vorgang keine Beschädigungen des Vorfabrikats V durch Abrisse in den Ver¬ bindungsbereichen 16,16' auf.
Die Figuren 26 und 27 zeigen zwei Ausführungsformen lokaler Schwächsten en 17,17' im Ablösebereich des Vorfabrikats V von den Maskenfohen 7,7'. Man sieht nur einen Teil des Vorfabrikats V nach den Verfahrenschritten des Plasma-Ätzens der Durchgangsöffnungen 10 und dem Abscheiden elektrisch leitfähiger Kontaktschichten 11.
Die Ausführungsform lokaler Schwachstellen 17,17' im Ablösebereich in Figur 26 zeigt eine detaillierte Vergrösserung der gemäss den Figuren 9 bis 17 be¬ schriebenen Variante des erfindungsgemässen Verfahrens, wo das Photoresist 3,3' nach durchgeführter Strukturierung der Leiterbildstrukturen 5.5' und der Durchplattierungsstrukturen 4,4' vor dem Anbringen der Maskenfohen 7,7' nicht entfernt (gestrippt) wird, sondern auf dem Vorfabrikat V verbleibt, und wo dieses Photoresist 3,3' im Verfahrensschritt des Plasma-Ätzens in Berei¬ chen 14,14' bewusst hinterätzt wird. Diese derart hinterätzten Bereiche 14,14' vorgeprägte lokale Schwachstellen der aufplattierten Kontaktschicht 11 in Ablösebereichen zwischen dem Vorfabrikat V und den Maskenfohen 7,7' bilden. Die Hinterätzungen im Photoresist 3,3' werden lokal gezielt mit Metall aufplattiert, wodurch einerseits gute, stark ausgebildete, stabile Verbindungs¬ bereiche 16,16' der Durchplattierungen 12 mit den Lötaugen L und den Strompfaden SP entstehen, aber andererseits nur lokale Schwachstellen 17,17' der Durchplattierungen 12 mit den Maskenfolien 7,7' gebildet werden, sodass die Maskenfolien 7,7' auch bei Applikation dickerer Kontaktschichten 11 mit Dicken grösser 10 μm, ohne Beschädigungen des Vorfabrikats V im Bereich der Durchplattierungen 12 entfernt werden können.
Diese lokalen Schwachstellen 17,17' werden beim Aufplattieren des hinter¬ ätzten Photoresists 3,3' in den Durchplattierungsöffnungen 12 gebildet. Da¬ durch dass sich dass hinterätzte Photoresist 3,3' am Ende der hinterätzten Bereiche 14,14' befindet (die ja enge Spalte sind), dass bei diesem Verfah¬ rensschritt wenig Chemikalien und Flüssigkeiten in diese engen hinterätzten Bereich 14,14' eindringen, und dass während der chemischen und galvanischen Belegung elektrisch leitfähigesn Material wie Metall bevorzugt auf den Leiter¬ schichten 1,1' und den metallischen Maskenfolien 7,7' abgeschieden wird, wird auf dem Photoresist 3,3' nur eine geringe Menge Metall abgeschieden, sodass sich hier lokal dünne Kontaktschichten 11 bilden, welche lokale Schwachstel¬ len 17,17' im kritischen Ablösebereich darstellen. Die weitere Ausführungsform lokaler Schwachstellen 17,17' im Ablösebereich in Figur 27 zeigt eine Folienleiteφlatte die nach den Varianten des erfin¬ dungsgemässen Verfahrens gemäss den Figuren 1 bis 8 oder den Figuren 18 bis 25 hergestellt wurde. In dieser zweiten Ausführungsform werden lokale Schwachstellen 17,17' durch spezielle, vorteilhafte und günstige Formen der Durchgangsöffnungen 8.8' der Maskenfolien 7,7' induziert. Die Maskenfohen 7,7' gemäss Figur 27 besitzen Durcbgangsöffhungen 8,8' mit Ausformungen 20,20', welche nach Aufbringen derselben auf das Vorfabrikat V enge Hohl¬ räume im Bereich der Verbindung zwischen Vorfabrikat V und den Masken- folien 7,7' ausbilden. In diesen, durch Ausformungen 20,20' gebildeten engen Hohlräumen, wird lokal gezielt elektrisch leitfähiges Material abgeschieden, um so lokal Schwachstellen 17,17' der chemisch und galvanisch abgeschiede¬ nen Kontaktschicht 11 in den Ablösebereichen zwischen dem Vorfabrikat V und den Maskenfolien 7,7' herzustellen. Auch hier bieten sich wieder mehrere Möglichkeiten des Abscheidens von beispielsweise Metall an. Zum einen entstehen lokal dünne Kontaktschichten 11 in diesen Hohlräumen, da eine geringe Menge Chemikalien und Flüssigkeiten in die engen Hohlräume ein¬ dringen können, sodass sich hier nur dünne Kontaktschichten 11 bilden, wel¬ che lokale Schwachstellen 17,17' im kritischen Ablösebereich darstellen. Zum anderen muss nicht chemisch und galvanisch (wie in der Variante gemäss den Figuren 1 bis 8) abgeschieden werden, sondern man kann Metall zur Bildung von Maskenschichten 11 auch rein chemisch abscheiden (wie in der Variante gemäss den Figuren 18 bis 25). In diesem Fall wird aufgrund chemischer Potential differenzen zwischen den verwendeten Materialien ein örtlich geziel- tes Abscheiden von Metall durchgeführt. Dies wird in der Beschreibung der Variante gemäss den Figuren 18 bis 25 erläutert.
Die Figuren 28 bis 32 zeigen eine weitere Variante des erfindungsgemässen Verfahrens mit mechanischer Strukturierung von Abdeckungen auf einem Teil einer Folienleiteφlatte. Dies erfolgt in einem Schnitt entlang der flächigen Ausdehnung der Folienleiteφlatte.
Figur 28 zeigt eine beispielsweise zweilagige Folienleiteφlatte, die aus in zwei Lagen elektrisch leitender Schichten oder Leiterschichten 1,1' angeordneten Strompfade SP und Kontaktstellen K,K' besteht, die durch eine Isolatorschicht 2 voneinander elektrisch isoliert sind. Die beiden Oberflächen mit flächiger Ausdehnung der Folienleiteφlatte werden als Oberflächen 0,0' bezeichnet. Die Strompfade SP verschiedener Leiterschichten 1,1' können über Durchplat¬ tierungen D in elektrischem Kontakt miteinander stehen. Ziel des Anbringens einer strukturierten Abdeckung ist es nun, die Kontaktstellen K,K' der Folien¬ leiteφlatte abdeckungsfrei zu halten, um diese später mit Bauelementen be¬ stücken zu können, während beispielsweise die Strompfade SP und isolierende Oberflächenbereiche der Isolatorschicht 2 abgedeckt werden sollen, um diese so vor mechanischer Beschädigung oder vor Korrosion metallischer Strompfa¬ de zu schützen.
Figur 29 zeigt wie auf die Oberflächen 0,0' solche Folienleiteφlatte Abdec¬ kungen bestehend aus Abdeckschichten A,A' und Maskenfolien 7,7' ange¬ bracht werden. Die Abdeckschichten A,A' bestehen beispielsweise aus Polyi- mid- oder Epoxid-Folien und aus Epoxid-Harz beschichteten Polyimid-Folien. Letztere verwendet man beispielsweise um Polyimid-Folien mittels Schichten nicht ausgehärteten Epoxid-Harzes mit Maskenfolien 7,7' oder Folienleiter¬ platten, etc. zu verbinden. Die Maskenfolien 7,7' bestehen beispielsweise aus Leiteren wie Kupfer, rostfreiem Stahl, Messing, Bronze, Aluminium-Magnesi- um-Lerierungen, Invar, Molybdän, etc. Solche Epoxid-Harz beschichtete Polyimid-Folien können also entlang ihrer flächigen Ausdehnung auf der einen Seite mit Kupferfolien auflaminiert und auf der anderen Seite auf Folienleiteφlatten auflaminiert werden. Dies findet vorteilhafterweise im gleichen Veφressvorgang bei Druck und erhöhter Tem- peratur statt. Diese Materialien sind nach dem Aushärten des Epoxid-Harzes weiterhin sehr flexibel und sind daher generell als Abdeckungen für flexible Schaltungsträger einsetzbar. Sie sind günstig im Einkauf, wodurch das Ver¬ fahren kostengünstig betrieben werden kann. Abdeckschichten A,A' können auf beiden Seiten der Folienleiteφlatte simultan auflaminiert werden, was bei den meisten oben genannten Verfahren mit Lötstopp-Lacken nicht möglich ist. Diese müssen einseitig aufgetragen und getrocknet werden, bevor die zweite Seite bearbeitet werden kann (eine Ausnahme hiervon ist das teure elektrophoretische Verfahren).
Die Durchplattierungen D der Folienleiteφlatte werden beim Auflaminieren mit beispielsweise Epoxid-Harz beschichteten Polyimid-Folien gefüllt, wo¬ durch auch diese Leiterbahnen geschützt werden. Die Dicken solcher Kupf¬ erfolien und Epoxid-Harz beschichteter Polyimidfolien sind kleiner 100 μm.
Figur 30 zeigt die auf den Abdeckschichten A,A' und der Folienleiteφlatte angebrachte Maskenfolien 7,7' gemäss Figur 29 nach photochemischer Struk¬ turierung dieser Maskenfolien 7,7' in Kontaktierstrukturen 3,3'. Dies geschieht mit bekannten photochemischen Verfahren, wobei die Kontaktierstrukturen 3,3' gemäss einer Photomaske in die Maskenfolien 7,7' übertragen werden. - Die Kontaktierstrukturen 3,3' reichen bis auf die Abdeckschichten A,A' herab. Es werden somit maskenmaterialfreie (kupferfreie) Bereiche auf den Abdeck¬ schichten A,A' gebildet. Die Form dieser Kontaktierstrukturen 3,3' sind frei wählbar, sie können beispielsweise kreiszylindrische, runde, ovale und auch quadratische, rechteckige, mehreckige Duchmesser aufweisen. Figur 31 zeigt die auf der Folienleiteφlatte angebrachten Maskenfolien 7,7' gemäss Figur 30 nach mechanischer Strukturierung dieser Abdeckschichten A,A' in Abdecköffnungen 4,4'. Diese Abdecköffnungen 4,4' werden in einem Plasma-Ätz- Vorgang in den von Kupfer ungeschützten Bereichen, gemäss den Kontaktierstrukturen 3,3' der Maskenfolien 7,7' geätzt. Ansonsten schützen die Maskenfolien 7,7' die Abdeckschichten A,A' vor dem Plasma-Angriff, so¬ dass dort keine Ätzung der Abdeckschichten A,A' stattfindet. Die Ränder der Kontaktierstrukturen 3,3' der Maskenfolien 7,7' werden hinterätzt, die Ab- decköffnungen 4,4' weisen schräge Wandungen auf. Die Abdecköffnungen 4,4' in den Abdeckschichten A,A' werden bis auf die Oberflächen 0,0' der Fo¬ lienleiteφlatte hinunter plasma-geätzt. Alle diese Kontaktierstrukturen 3,3' der Maskenfolien 7,7' werden im Plasma-Ätz- Vorgang simultan geätzt. Das Plasma-Ätzen ist ein bekannter und bewährtes Verfahren und die erwähnten Hinterätzungen und die Tiefe der Ätzungen lässt sich vom Fachmann über die Ätz-Parameter wie beispielsweise Gasdruck, Ätzdauer, etc. genau regeln und kontrollieren. Plasma-Ätzen ist ein umweltschondes Verfahren, bei dem keine verunreinigten Abwässer entstehen, die dann aufbereitet werden müssen und es entstehen auch keine Rückstände, die speziell entsorgt werden müssen.
Dies führt dazu, dass die Kontaktstellen K,K' der Oberflächen 0,0' der Fo¬ lienleiteφlatte freigelegt werden, während beispielsweise die Strompfade SP und isolierende Oberflächenbereiche der Isolatorschicht 2 durch die Abdeck¬ schichten A,A' abgedeckt bleiben. Die oben angegebenen Zielvorgaben dieser ersten Ausführungsform einer strukturierten Abdeckung für eine Folienleiter¬ platte sind also erfüllt.
Figur 32 zeigt die mit einer gemäss Figur 31 strukturierten Abdeckung ver- sehene Folienleiteφlatte nach dem Entfernen der Maskenfolien 7,7'. Dies kann beispielsweise durch nasschemisches Ätzen geschehen. Bei diesem Ver¬ fahrenschritt werden natürlich auch freigelegte Bereiche der Folienleiteφlatte wie die Kontaktstellen K,K' chemisch geätzt werden. Man kann die Masken¬ folien 7,7' aber sehr dünn (3 bis 5 μm dick) arbeiten, sodass diese weniger 20% der Dicke von Kontaktstellen K,K' ausmachen, sodass bei identischen Ätzraten der Maskenmaterialien und der KontaktsteUenmaterialien, der Ma¬ terialverlust an den Kontaktstellen K,K' weniger als 20% ausmacht, während die Maskenfolien 7,7' entfernt werden. Dieses Wegätzen von weniger als 20% der Dicken der freigelegter Bereiche der Folienleiteφlatte wie Kontakstellen ist tolerierbar. Dies nasschemische Ätzen ist ein bekanntes und bewährtes Verfahren und ist vom Fachmann gut kontrollierbar.
Die Ätzraten auf derart freigelegten Kontaktstellen K,K' und den Maskenfo¬ lien 7,7' können aber durchaus verschieden sein. Beispielsweise können die Kontaktstellen K,K' mit Ätzverzögerern oder Ätzschutz wie dünnen Nickel¬ schichten oder chemisch abgeschiedenen Goldschichten versehen sein oder ganz aus solchen Leiteren bestehen, sodass solche behandelten Kontaktstellen K,K' beim Nassätzen der Maskenfolien 7,7' zu weniger als 20% oder über¬ haupt nicht angegriffen werden. Dieses Anbringen von Nickel- oder Gold- schichten auf die Kontakstellen K,K' erfolgt vorteilhafterweise vor dem An¬ bringen der Abdeckung auf die Folienleiteφlatte gemäss Figur 29.
Die strukturierten Maskenfolien 7,7' müssen nicht von den strukturierten Abdeckschichten A,A' entfernt werden, sie können sehr wohl auf diesen belas- sen und als passive elektrische Elemente eingesetzt werden. So sind Anwen¬ dungen als elektromagnetische Schirmflächen sinnvoll, beispielsweise als Schirmflächen gegen hochfrequente Strahlungen, welche den Betreib der elektronischen Schaltung der Folienleiteφlatte stören können. Bei entspre¬ chender Dicke der Maskenfolien 7,7' können die strukturierten Maskenfolien 7,7' auch als Spannungsversorgungen bzw. als Erdleitungen für die Folienlei- teφlatte verwendet werden. Die entsprechenden Auslegungen der Dicken der Maskenfolien 7,7', das vielleicht hierzu benötigte Anbringen elektrischer Ver¬ bindungen zwischen den Maskenfolien 7,7' und der Folienleiteφlatte, all dies kann vom Fachmann bei Kenntnis dieser Erfindung vorgenommen werden.
Figur 33 zeigt in einer perspektivischen Ansicht einen Teil der Oberfläche O einer beispielhaften Ausführungsform einer Folienleiteφlatte mit einer im erfindungsgemässen Verfahren strukturierten Abdeckung. Die Folienleiter- platte ist teilweise von der strukturierten Abdeckschicht A bedeckt. Die Strompfade SP werden so durch eine beispielsweise Polyimid-Schicht der Abdeckschicht A vor schädlichen Umwelteinflüssen geschützt, die Kontakt¬ stelle K hingegen sind in einer rechteckigen Abdecköffnung 4 zugänglich, diese lokale Abdecköffnung 4 kann zur späteren Bestückung mit Bauelemen- ten, zum Drahtbonden, etc. dienen.
Die Figuren 34 bis 37 zeigen eine weitere Variante des erfindungsgemässen Verfahrens mit mechanischer Strukturierung von Abdeckungen auf einem Teil einer Folienleiteφlatte. Dies erfolgt in einem Schnitt entlang der flächigen Ausdehnung der Folienleiteφlatte. Der Verfahrensablauf dieser Variante folgt weitgehend der Variante in der Beschreibung gemäss den Figuren 28 bis 32, sodass im folgenden lediglich Abweichungen hiervon erläutert werden.
Der prinzipielle Unterschied zwischen diesen Varianten des erfindungsgemäs¬ sen Verfahrens ist der, dass in der Variante gemäss den Figuren 34 bis 37 die Maskenfolien 7,7' nicht irreversibel mit den Abdeckschichten A,A' verbunden sind, sondern dass reversibel anbringbare Maskenfolien 7,7' verwendet wer- den. Diese sind schon mit Kontaktierstrukturen 3,3' versehen und stellen wiederverwertbare Betriebsmittel dar.
Figur 34 zeigt eine beispielhafte strukturierbar abzudeckende zweilagige Fo- lienleiteφlatte, genau wie in Figur 28.
Figur 35 zeigt wie auf die Oberflächen 0,0' der Folienleiteφlatte Abdeckun- gen, bestehend aus Abdeckschichten A,A' und Maskenfolien 7,7' angebracht werden. Die Abdeckschichten A,A' bestehen in dieser Variante aus bei¬ spielsweise entlang ihrer flächigen Ausdehnung nur einseitig mit nicht ausge¬ härtetem Epoxid-Harz beschichteten Polyimid-Folien, welche über diesen Epoxid-Harz mit den Oberflächen 0,0' der Folienleiteφlatte in einem Ver- pressvorgang irreversibel verbunden werden. Die Dicken dieser Epoxid-Harz beschichteten Polyimid-Folien sind kleiner 100 μm. Die Maskenfohen 7,7' werden hingegen reversibel mit den Abdeckschichten A,Ä' verbunden. Die Maskenfolien 7,7' bestehen beispielsweise aus rostfreiem Stahl und weisen Dicken kleiner 100 μm auf. Sie werden mit Haltemitteln wie beispielsweise Klammern 15,15' fixiert und können durch Lösen derselben wieder von den Maskenfolien A,A' entfernt werden. Das Fixieren ist ein dichtes .Anpressen. Die Positionierung der Maskenfolien 7,7' geschieht auf bekannte Art und Weise, beispielsweise mittels Registrierbolzen. D.h. auf der Folienleiteφlatte und den Maskenfolien 7,7' sind dann besonders geformte Markierungen ange- bracht, die beispielsweise in Deckung miteinander gebracht werden, wodurch eine kontrollierte Positionierung derselben geschieht. Dadurch, dass die Mas¬ kenfolien 7,7' nach dem Plasma-Ätzen von Abdecköffnungen 4,4' wieder ent¬ fernt und nicht, wie in der ersten Variante, zerstört oder auf diesen belassen werden, sind sie wiederverwertbare Betriebsmittel. Die Maskenfolien 7,7' sind durch Formätzen strukturiert und weisen Kon¬ taktierstrukturen 3,3' auf. Die Maskenfolien 7,7' werden also vor ihrem Auf¬ bringen auf die Abdeckschichten A,A' photochemisch in Kontaktierstrukturen 3,3' strukturiert. Beispielsweise werden die Kontaktierstrukturen (3,3') gemäss einer Photomaske in die Maskenfolien 7,7' übertragen, daraufhin werden die Kontaktierstrukturen 3,3' die Maskenfolien 7,7' durchdringend nassgeätzt, derart, dass die Kontaktierstrukturen 3,3' nach Aufbringen der Maskenfolien 7,7' auf die Abdeckschichten A,A' maskenmaterialfreie Bereiche auf den Ab¬ deckschichten A,A' bilden. Es können Kontaktierstrukturen 3,3' vori belie- bigen Formen und Strukturen, wie runde und eckige Öffnungen, längliche gerade und gebogene Öffnungen, etc. hergestellt werden.
Figur 36 zeigt die auf der Folienleiteφlatte angebrachten Maskenfolien 7,7' gemäss Figur 35 nach mechanischer Strukturierung dieser Abdeckschichten A,A' in Abdecköffnungen 4,4'. Diese Abdecköffnungen 4,4' werden in einem Plasma-Ätz- Vorgang in den von Kupfer ungeschützten Bereichen, gemäss den Kontaktierstrukturen 3,3' der Maskenfolien 7,7' geätzt. Ansonsten schützen die Maskenfolien 7,7' die Abdeckschichten A,A' vor dem Plasma-Angriff, so- dass dort keine Ätzung der Abdeckschichten A,A' stattfindet. Die Ränder der Kontaktierstrukturen 3,3' der Maskenfolien 7,7' werden hinterätzt, die Ab¬ decköffnungen 4,4' weisen schräge Wandungen auf. Die Abdecköffnungen 4,4' in den Abdeckschichten A,A' werden bis auf die Oberflächen 0,0' der Fo¬ lienleiteφlatte hinunter plasma-geätzt. Dies führt dazu, dass die Kontaktstel- len K,K' der Oberflächen 0,0' der Folienleiteφlatte freigelegt werden, wäh¬ rend beispielsweise die Strompfade SP und isolierende Oberflächenbereiche der Isolatorschicht 2 durch die Abdeckschichten A,A' abgedeckt bleiben. Figur 37 zeigt die mit einer gemäss Figur 36 strukturierten Abdeckung ver¬ sehene Folienleiteφlatte nach dem Entfernen; der Maskenfolien 7,7'. die im erfindungsgemässen Verfahren strukturiert abgedeckte Fohenleiteφlatte F ist identisch mit derjenigen gemäss Figur 32.
Die im erfindungsgemässen Verfahren hergestellten mehrlagige Leiteφlatten und Fohenleiteφlatten weisen also strukturierte Abdeckungen mit Abdecköff¬ nungen 4,4' auf, die abdeckmaterialfreie Bereiche auf den Leiteφlatten und Folienleiteφlatten bilden, wobei diese Abdecköffiiungen 4,4' frei geformt gearbeitet sind, -kreiszylindrische, runde, ovale und auch quadratische, recht¬ eckige, mehreckige Duchmesser aufweisen, wobei diese Abdecköffiiungen 4,4' Strukturen mit scharf umrissenen Rändern bilden, deren Auflösung kleiner 100 μm beträgt, die flexibel sind und beim Biegen flexibler Schaltungsträger nicht abplatzen.

Claims

P A T E N T A N S P R Ü C H E
1. Verfahren zur Herstellung mehrlagiger -Leiteφlatten, Fohenleiteφlatten und zur Herstellung von Halbzeugen für Fohenleiteφlatten, mit in Isola¬ torschichten (2) strukturierten Durchplattierungen (12) und mit in Ab- deckschichten (A,A') strukturierten Abdecköffnungen (4,4'), wobei zur
Erniedrigung der Anzahl der benötigten photochemischen Strukturierun¬ gen die Durchplattierungen (12) und die Abdecköffnungen (4,4') mecha¬ nisch strukturiert werden, indem in Isolatorschichten (2) vorgearbeitete Durchplattierungsöffnungen (10,10') gemäss Durchplattierungsstrukturen (8,8') von Maskenfolien (7,7') geätzt werden und indem in Abdeckschich¬ ten (A,A') Abdecköffnungen (4,4') gemäss Kontaktierstrukturen (3,3') von Maskenfolien (7,7') geätzt werden.
2. Verfahren gemäss Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass Maskenfo¬ lien (7,7') reversibel auf Abdeckschichten (A,A') angebracht werden.
3. Verfahren gemäss Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass Maskenfo- lien (7,7') irreversibel auf Abdeckschichten (A,A') angebracht werden.
4. Verfahren gemäss Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in der me¬ chanischen Strukturierung Abdecköffnungen (4,4') als abdeckmaterialfreie Bereiche auf Leiteφlatten, Folienleiteφlatten und auf Halbzeugen für Folienleiteφlatten geätzt werden, dass dies Kontaktierstellen (K,K') sein können und dass andere Bereiche der -Leiteφlatten, Folienleiteφlatten und Halbzeuge für Folienleiteφlatten durch die Maskenfolien (7,7') be¬ deckt bleiben, dass dies Strompfade (SP) sein können.
5. Verfahren gemäss Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Abdeck¬ öffnungen (4,4') frei geformt geätzt werden und dass sie kreiszylindrische, runde, ovale und auch quadratische, rechteckige, mehreckige Duchmesser aufweisen können.
6. Verfahren gemäss Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als Abdeck¬ schichten (A,A') einseitig entlang ihrer flächigen Ausdehnung mit unaus- gehärtetem Epoxid-Harz beschichtete Polyimid-Folien verwendet werden und dass die Abdeckschichten (A,A') über diesen Epoxid-Harz mit den Oberflächen (0,0') der Leiteφlatten, Fohenleiteφlatten und der Halb¬ zeuge für Folienleiteφlatten in einem Veφressvorgang irreversibel ver¬ bunden werden.
7. Verfahren gemäss einem der Ansprüche 1 oder 6, dadurch gekennzeich¬ net, dass die Maskenfolien (7,7') vor ihrem Aufbringen auf die Abdeck¬ schichten (A,A') photochemisch in Kontaktierstrukturen (3,3') strukturiert werden, dass die Kontaktierstrukturen (3,3') gemäss einer Photomaske in die Maskenfolien (7,7') übertragen werden, dass die Kontaktierstrukturen (3,3') die Maskenfolien (7,7') durchdringend nassgeätzt werden und dass die Kontaktierstrukturen (3,3') somit nach Aufbringen der Maskenfolien (7,7') auf die Abdeckschichten (A,A') maskenmaterialfreie Bereiche auf den Abdeckschichten (A,A') bilden.
Verfahren gemäss Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als Abdeck¬ schichten (A,A') beidseitig entlang ihrer flächigen Ausdehnung mit unaus- gehärtetem Epoxid-Harz beschichtete Polyimid-Folien verwendet werden, dass die Abdeckschichten (A,A') über diesen Epoxid-Harz in einem Ver- pressvorgang auf der einen Seite mit den Oberflächen (O.O') der Leiter¬ platten, Folienleiteφlatten und der Halbzeuge für Folienleiteφlatten und auf der anderen Seite mit den Maskenfolien (7,7') irreversibel verbunden werden.
9. Verfahren gemäss einem der Ansprüche 1 oder 8, dadurch gekennzeich¬ net, dass die Maskenfolien (7,7') nach ihrem Aufbringen auf die Abdeck¬ schichten (A,A') photochemisch in Kontaktierstrukturen (3,3') strukturiert werden, dass die Kontaktierstrukturen (3,3') gemäss einer Photomaske in die Maskenfolien (7,7') übertragen werden, dass die Kontaktierstrukturen (3,3') bis auf die Abdeckschichten (A,A') herab nassgeätzt werden und dass die Kontaktierstrukturen (3,3') somit maskenmaterialfreie Bereiche auf den Abdeckschichten (A,A') bilden.
10. Verfahren gemäss einem der Ansprüche 7 oder 9, dadurch gekennzeich¬ net, dass die Kontaktierstrukturen (3,3') der Maskenfolien (7,7') frei ge¬ formt gearbeitet werden und dass sie kreiszylindrische, runde, ovale und auch quadratische, rechteckige, mehreckige Duchmesser aufweisen kön¬ nen.
11. Verfahren gemäss Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als Masken- folien (7,7') dünne Leiterfolien aus Kupfer, rostfreiem Stahl, Messing, Bronze, Alumi-iium-Magnesium-Legierungen, Invar, Molybdän verwendet werden und da≤s die Dicken dieser Maskenfolien (7,7') kleiner 100 μm beträgt.
12. Verfahren gemäss Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass Maskenfo¬ lien (7,7) über Haltemitteln wie Klammern auf Abdeckschichten (A,A') fixiert und durch Lösen derselben wieder von den Abdeckschichten (A,A') entfernt werden, dass die Maskenfolien (7,7') durch dieses Fixieren dicht auf die Abdeckschichten (A,A') angepresst werden, dass die Mas¬ kenfolien (7,7) mittels Registrierbolzen kontrolliert positioniert werden, wobei die Leiteφlatten, Folienleiteφlatten und die Halbzeuge für Folien¬ leiteφlatten und die Maskenfolien (7,7') über besonders geformte Mar¬ kierungen in Deckung miteinander gebracht werden.
13. Verfahren gemäss Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Mas¬ kenfolien (7,7") als wiederverwendbare Betriebsmittel für mechanische Strukturieruneen verwendet werden.
14. Verfahren gemäss Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass nach der mechanischen Strukturierung der Abdeckung die Maskenfolien (7,7') weggeätzt werden.
15. Verfahren gemäss Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass Maskenfo¬ lien (7,7') mit Dicken von weniger als 20% der Dicken von in der Abdek- kung freigelegten Kontaktstellen (K,K') angebracht werden, dass Mas- kenmaterialien und Kontaktstellenmaterialien mit gleichen Ätzraten ver- wendet werden und dass beim Wegätzen der Maskenfolien (7,7') weniger als 20% der Dicken der Kontaktstellen (K,K') weggeätzt werden.
16. Verfahren gemäss Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass Maskenma¬ terialien und Kontaktstellenmaterialien mit unterschiedlichen Ätzraten verwendet werden und dass beim Wegätzen der Maskenfohen (7,7) weni¬ ger als 20% der Dicken der Kontaktstellen (K,K') weggeätzt werden.
17. Verfahren gemäss Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass nach der mechanischen Strukturierung der Abdeckung die Maskenfolien (7,7*) auf der Abdeckung gelassen werden.
18. Verfahren gemäss Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Mas¬ kenfolien (7,7) als passive elektrische Elemente eingesetzt werden, dass sie als elektromagnetische Schirmflächen verwendbar sind, dass sie als Schirmflächen gegen den Betrieb der elektronischen Schaltung der Leiter- platten, Folienleiteφlatten und Halbzeuge für Folienleiteφlatten stören¬ de hochfrequente Strahlungen verwendbar sind, dass sie als Spannungs- versorgungen bzw. als Erdleitungen für die Leiteφlatten, Folienleiter¬ platten und Halbzeuge für Folienleiteφlatten verwendbar sind.
19. Mehrlagige Leiteφlatten und Folienleiteφlatten hergestellt im Verfahren gemäss einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Abdecköffnungen (4,4') abdeckmaterialfreie Bereiche auf den Leiteφlat¬ ten, Folienleiteφlatten und auf den Halbzeugen für Folienleiteφlatten bilden, wobei diese Abdecköffnungen (4,4') frei geformt gearbeitet sind, kreiszylindrische, runde, ovale und auch quadratische, rechteckige, meh¬ reckige Duchmesser aufweisen, wobei diese Abdecköffnungen (4,4') Strukturen mit scharf umrissenen Rändern bilden, deren Auflösung klei¬ ner 100 μm beträgt, die flexibel sind und beim Biegen flexibler Schal¬ tungsträger nicht abplatzen.
20. Verfahren gemäss Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in den Durchplattierungsöffnungen (10,10') elektrisch leitfähige Abscheidesub- stanzen zur Bildung von Kontaktschichten (11) in den Durchplattierungs¬ öffnungen (10) abgeschieden werden und dass die Maskenfolien (7,7') anschliessend entfernt werden können.
21. Verfahren gemäss Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die mecha¬ nische Strukturierung an einem Vorfabrikat (V) vorgenommen wird und dass die Maskenfolien (7,7') mittels Klammern (15,15') auf dem Vorfabri- kat (V) gepresst positioniert werden.
22. Verfahren gemäss Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass die Mas¬ kenfolien (7,7') konkav geformt sind und beim Anpressen auf das Vor¬ fabrikat (V) unter einer Biegespannung positioniert werden.
23. Verfahren gemäss Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass die mecha¬ nische Strukturierung von Isolatorschichten (2) nach einer photochemi¬ schen Strukturierung von Leiterschichten (1,1') zu Strompfaden (SP) und Lötaugen (L) erfolgt.
24. Verfahren gemäss Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass zur photo¬ chemischen Strukturierung von Leiterschichten (1,1') Photoresistschichten (3,3') auf Leiterschichten (1,1') appliziert werden, dass diese Photoresist¬ schichten (3,3') zu Strompfadstrukturen (5) belichtet und entwickelt wer¬ den, dass die Leiterschichten (1,1') gemäss den Strompfadstrukturen (5) zu Strompfaden (SP) und Lötaugen (L) geätzt werden.
25. Verfahren gemäss Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass die mecha- nische Strukturierung von Isolatorschichten (2) nach photochemischer
Strukturierung von Leiterschichten (1,1') zu vorgearbeiteten Durchplattie¬ rungsöffnungen (4*) erfolgt.
26. Verfahren gemäss Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, dass zur photo¬ chemischen Strukturierung von Leiterschichten (1,1') zu vorgearbeiteten Durchplattierungsöffnungen (4*) Photoresistschichten (3,3') auf diese Leiterschichten (1,1') appliziert werden, dass diese Photoresistschichten (3,3') zu Durchplattierungsstrukturen (4) belichtet und entwickelt werden, dass die Leiterschichten (1,1') gemäss den Durchplattierungsstrukturen
(4) zu vorgearbeiteten Durchplattierungsöffnungen (4*) geätzt werden.
27. Verfahren gemäss den Ansprüchen 24 und 26, dadurch gekennzeichnet, dass die vorgearbeiteten Durchplattierungsöffnungen (4*) von Lötaugen
(L) umgeben geätzt werden.
28. Verfahren gemäss Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, dass der Aus- sendurchmesser von Durchgangsöffnungen (8,8') der Maskenfolien (7,7') kleiner als der Aussendurchmesser der Lötaugen (L) und grösser als der Aussendurchmesser der vorgearbeiteten Durchplattierungsöffnungen (4") der Leiterschichten (1,1') gearbeitet wird, und dass man optimal dimen¬ sionierte Durchgangsöffnungen (8,8') mit einem günstigsten Durchmesser (Dg) verwendet, welcher sich aus dem Aussendurchmesser der Lötaugen (L) minus dem Aussendurchmesser der Durchgangsöffnungen (8,8') divi¬ diert durch zwei berechnet.
29. Verfahren gemäss den Ansprüchen 23 und 25, dadurch gekennzeichnet, dass die photochemische Strukturierung der Strompfade (SP), der Löt¬ augen (L) und der vorgearbeiteten Durchplattierungsöffnungen (4") von Leiterschichten (1,1') in einem Verfahrensschritt erfolgt.
30. Verfahren gemäss Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass lokal dün¬ ne Schwachstellen (17,17') mit Dicken kleiner 10 μm angebracht werden, welche ein beschädigungsfreies Lösen der Maskenfolien (7,7') vom Vor¬ fabrikat (V) nach erfolgter mechanischer Strukturierung ermöglichen.
31. Verfahren gemäss den Ansprüchen 25 und 30, dadurch gekennzeichnet, dass die Bildung von Schwachstellen (17,17') durch hinterätzte Bereiche (14,14') von Schichten Photoresisit (3,3') induziert werden, dass diese in einem weiteren Schritt nach Positionierung der Maskenfolien (7,7') auf dem Vorfabrikat (V) enge Hohlräume im Bereich der Verbindung zwi¬ schen dem Vorfabrikat (V) und den Maskenfolien (7,7') bilden und dass in diesen Hohlräumen lokal geringere Mengen Abscheidesubstanz abge¬ schieden werden, wodurch lokal Schwachstellen (17,17') gebildet werden.
32. Verfahren gemäss Anspruch 30, dadurch gekennzeichnet, dass die Bildung von Schwachstellen (17,17) durch Ausformungen (20,20') der Durch¬ gangsöffnungen (8,8') der Maskenfolien (7,7') induziert werden, dass diese in einem weiteren Schritt nach Positionierung der Maskenfolien (7,7') auf dem Vorfabrikat (V) enge Hohlräume im Bereich der Verbindung zwi¬ schen Vorfabrikat (V) und den Maskenfohen (7,7') bilden und dass in diesen Hohlräumen lokal geringere Mengen Abscheidesubstanz abge¬ schieden werden, wodurch lokale Schwachstellen (17,17') gebildet werden.
33. Verfahren gemäss Anspruch 30, dadurch gekennzeichnet, dass die Bildung von Schwachstellen (17,17') durch chemische Potentialdifferenzen zwi¬ schen den benutzten Materiahen induziert werden, dass auf den Masken¬ folien (7,7) geringere Mengen Abscheidesubstanz als auf dem Vorfabri- kat (V) abgeschieden werden wodurch lokale Schwachstellen (17,17') gebildet werden.
34. Verfahren gemäss einem der Ansprüche 20 bis 33, dadurch gekennzeich- net, dass polierte Maskenfohen (7,7') verwendet werden, von denen sich aufplattierte Kontaktschichten (11) leicht ablösen lassen.
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