WO1996032696A1 - Carte et module de circuit integre - Google Patents

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WO1996032696A1
WO1996032696A1 PCT/JP1996/000986 JP9600986W WO9632696A1 WO 1996032696 A1 WO1996032696 A1 WO 1996032696A1 JP 9600986 W JP9600986 W JP 9600986W WO 9632696 A1 WO9632696 A1 WO 9632696A1
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Masao Gogami
Yoshikazu Fukushima
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co., Ltd.
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    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]

Definitions

  • the present invention relates to an IC card and an IC module used for the IC card, and more particularly to an IC card and an IC module capable of reducing a physical failure due to bending or the like.
  • IC cards Since IC cards have a high level of security, they can be expected to be used in a variety of fields, and are attracting attention as new information recording media, especially as information media replacing magnetic cards. is there.
  • An IC card is constructed by mounting an IC module in the form of a COB (Chip on Board) on the card base, with each terminal of the IC module and an RZW (reader / writer) contact. The reading and writing of information are performed by contacting and electrically connecting the parts.
  • COB Chip on Board
  • RZW reader / writer
  • the IC module mounted on this IC card has a base material, and a CLK (clock) line, an I / O line, a Vc (power) line,
  • Terminals for RST (reset) line, GND (ground) line, etc. are provided. These terminals and the IC chip (semiconductor element) mounted on the surface of the substrate are electrically connected via wires, and the entire IC chip (semiconductor element) is covered with resin.
  • m-type conduction on both sides of the substrate is made through through holes.
  • the IC card equipped with this IC module has a small IC card itself, and is made of a card base such as polyvinyl chloride. For this reason, The force that bends the card base of the IC card The bend of the card base of the IC card and the direct pressure force on the IC module cause a physical failure of the IC module, which has been a problem.
  • one of the physical failures is a crack in the IC chip, which can respond to the stress that the IC module receives from the outside when the IC card is bent or when direct pressure is applied to the IC module.
  • the break (crack) force ⁇ occurs at the borders of each terminal.
  • Other physical failures are caused by broken wires or cracks in the encapsulating resin.
  • the terminals on the substrate are separated by providing insulating grooves, and the separated parts are the CLK (clock) line, I / O line, ⁇ "line, and RST ( For the reset) line, GND (ground) line, etc., but the insulating groove is formed so as to straddle the IC chip (semiconductor element) area. If a direct pressure force is applied to the IC module, the IC module is stressed, and a particularly large force is applied to the IC chip (semiconductor element) at the insulating groove, and the IC chip is cracked at this point. It was often seen.
  • the present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide an IC card and an IC card module for an IC card with extremely few physical failures.
  • a first feature of the present invention is an IC including a base material, a terminal portion provided on the base material, an IC chip provided on the base material, and a frame provided around the IC chip on the base material.
  • An IC card characterized in that the amount of deformation per unit length when a constant load is applied is larger than that of the card base.
  • a second feature of the present invention is that a base material, a terminal portion provided on one surface of the base material, an IC chip provided on a surface of the base material, and an IC chip provided on the other surface of the base material.
  • An IC module having a frame body provided so as to surround it, and an IC module power, a mounted power base, and a terminal portion having a shape smaller than that of the base material, and being formed on an outer periphery thereof.
  • the IC card is characterized in that an outer fiber portion where the material is exposed is formed, and the end is divided into a plurality of regions by an inner insulating portion, and the width of the outer portion is larger than the width of the inner insulating portion.
  • a third feature of the present invention is that a base material, a terminal portion provided on one surface of the base material, an I c chip provided on a surface of the base material, and an I c chip provided on a surface of the base material.
  • An IC comprising an IC module having a frame provided around a chip, and a force base on which the IC module is mounted, wherein the frame is formed in a planar rectangular shape. It is a force.
  • a fourth feature of the present invention includes a base material, a terminal portion provided on the base material, an IC chip provided on the base material, and a frame provided around the IC chip on the base material,
  • the IC module is characterized in that the frame is filled with resin that seals the IC chip, and the amount of ⁇ per unit length when the prescribed load of the above 2) wood is applied is larger than that of the tree fl. It is.
  • a fifth feature of the present invention is that a base material, a terminal portion provided on one surface of the base material, an IC chip provided on the other surface of the base material, and an IC chip provided on the other surface of the base material
  • the terminal part is smaller than that of the base material
  • the outer periphery of the terminal part is formed by exposing the base material
  • the end ⁇ ⁇ is formed by the inner part.
  • the IC module is characterized in that the width of the outer insulating portion is larger than the width of the entire inner portion.
  • a sixth feature of the present invention is that a base material, a terminal portion provided on one surface of the base material, an IC chip provided on the flKT surface of the base material, and an IC chip provided on the other surface of the base material
  • An IC module having a frame provided around the frame is lowered, and the frame is formed in a rectangular shape.
  • the surroundings of the IC chip are protected by a frame or resin, and the base of the portion other than the surroundings of the IC chip is protected.
  • the material can be made larger to absorb external bending stress. Therefore, the bending stress applied to the surroundings of the IC chip can be increased.
  • the external insulating portion on the outer periphery of the terminal portion where the base material is exposed is deformed to absorb the bending stress from the outside.
  • the width of the outer insulating portion larger than the width of the inner insulating portion inside the terminal portion, the bending stress can be effectively absorbed.
  • the IC chip can be effectively protected by the rectangular frame.
  • FIG. 1A is a plan view of an IC card showing a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1B is a side sectional view of the IC card according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2A is a plan view of an IC card showing a modification of the present invention.
  • FIG. 2B is a side sectional view of an IC card showing a modification of the present invention.
  • FIG. 3A is a plan view of an IC card showing a further modification of the present invention.
  • FIG. 3B is a side sectional view of an IC card showing a further modification of the present invention.
  • FIG. 4A is a diagram showing the function of the conductive adhesive sheet.
  • FIG. 4B is a diagram showing the function of the conductive adhesive sheet.
  • FIG. 4C is a diagram showing the function of the conductive adhesive sheet.
  • Figure 5 shows the relationship between the bending failure ⁇ ⁇ S of the sealing resin and the IC card ⁇ BE3 ⁇ 4S.
  • FIG. 6A is a diagram showing the relationship between the flexural modulus of the sealing resin and the IC card ⁇ ffi3 ⁇ 4JK.
  • FIG. 6B is a diagram showing ⁇ E3 ⁇ 4S of the IC card according to the present invention in comparison with a conventional IC card.
  • FIG. 6C is a diagram showing a comparison between an IC module according to the present invention and a conventional IC module.
  • Figure 7 shows the relationship between the amount of flexure at the time of flexural failure and the flexural failure of the IC card.
  • FIG. 8 is a diagram showing the relationship between the flexural fracture strength of the IC card and the IC card ⁇ E strength.
  • FIG. 9A is a plan view of an IC card showing a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 9B is a plan view of an IC module showing a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 9C is a side sectional view of an IC card showing a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 10A is a plan view of an IC card showing a modification of the present invention.
  • FIG. 10B is a plan view of an IC module showing a modification of the present invention.
  • FIG. 10C is a side sectional view of an IC card showing a modification of the present invention.
  • FIG. 11 is a side view showing the base and the terminal of the IC module.
  • FIG. 12 is a plan view of an IC module according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a view showing a frame manufacturing process according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 14A is a plan view showing a modification of the frame.
  • FIG. 14B is a side sectional view showing an example of the frame.
  • FIG. 15A is a side sectional view showing a further modification of the frame.
  • FIG. 15B is a side sectional view showing a further modification of the frame.
  • FIG. 15C is a sectional side view showing a further modification of the frame.
  • an IC card 1 according to the present invention is mounted in a card Si * 2 made of polyvinyl chloride and the like, and in a recess 3 formed in the card base 2.
  • IC module 10 is provided.
  • the IC module 10 includes a substrate 11, a terminal portion 15 having an insulating groove 15 a provided on one surface (upper surface) of the substrate 11, and a surface ( An IC chip (body element) 12 provided on the TE) via the conductive adhesive sheet 18 and a frame 14 provided surrounding the IC chip 12 on the surface CS) of the substrate 11 have.
  • the frame 14 is filled with a sealing resin 13 for sealing the IC chip 12 and the conductive adhesive sheet 18. Note that the sealing resin 13 is not necessarily provided.
  • the base material 11 there is provided an E-portion 16 connected to the conductive adhesive sheet 18, and the base material 11 has through holes 19 formed therein.
  • the terminal portion 15 provided on one surface of the base material 11 and the portion 16 provided on the surface of the base material 11 are connected by a through hole 19 penetrating the base material 11. I have.
  • the IC chip 12 and the part 16 are electrically connected via a conductive adhesive sheet 18. For this reason, the IC chip 12 is electrically connected to the terminal part 15 via the conductive adhesive sheet 18, the IS ⁇ part 16 and the through hole 19.
  • the terminal section 15 is made of a copper foil layer and a gold plating provided on the copper foil layer, and is electrically connected to an external circuit such as an RZW (reader / writer).
  • RZW reader / writer
  • the sealing resin 13 and the base material 11 constituting the IC module according to the present invention are made of a material whose g is significantly different from that of the conventional one, so that chip cracks and sealing resin cracking forces are difficult to generate. It has become.
  • a flexible glass epoxy material having a thickness of 75 can be used as the substrate 11.
  • polyimide, polyester, paper phenol, BT resin, or the like may be used as the base material 11.
  • the thickness including the base material 11, the terminal portion 15 and the i3 ⁇ 43 ⁇ 4 portion 16 is desirably a total thickness of 120 m or less. From the viewpoint of cushioning properties against pressure from the end 15, it is preferable to increase the thickness of the substrate 11 as much as possible within the total thickness of 120 ⁇ m or less.
  • the substrate 11 When polyimide is used as the substrate 11, it must be multilayered in order to increase its thickness.In this case, the polyimide foil is coated directly on the pot foil without using an adhesive, or the interlayer is used. A material using a thermoplastic polyimide can be used for bonding. In each case, the peel strength between the layers is larger than the adhesion between the sealing resin 13 and the base material 11, and the peel S between the layers needs to be 2 kg or more.
  • the copper foil laminated and provided on the base material 11 is subjected to etching, and the i3 ⁇ 4S part 16 and the terminal part 15 are provided on the front and back surfaces of the flexible base material 11. It is also possible to use both rolled copper foil and m ⁇ copper foil. Electrolytic copper foil is suitable in terms of the density with the substrate 11 and cost, but rolled copper foil is suitable in terms of flexibility.
  • the copper foil is subjected to the plating force to form the terminal portion 15 force.
  • Hard gold plating is suitable from the viewpoint of reliability, and the thickness of plating is preferably 1 m or more from abrasion resistance. .
  • FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the destruction of the sealing resin and the IC card ⁇ E3 ⁇ 4g. As shown in FIG. 5, it can be seen that the IC card ⁇ E3 ⁇ 43 ⁇ 4 rises significantly when the bending fracture furnace of the sealing resin reaches 11 Kg f / mm 2 ⁇ U :.
  • the IC card ⁇ refers to the case where the IC card 1 is placed on the iron plate 5 and the IC module 10 is pin-pushed P from ⁇ to an iron ball having a diameter of 11 mm at a speed of ⁇ lmm. This is the value of the pin push P when the IC chip of the IC module 10 is strongly broken.
  • FIG. 6A is a diagram showing the relationship between the flexural modulus of the sealing resin and the IC card ⁇ EES. As shown in FIG. 6A, it can be seen that when the flexural modulus reaches 140 OKg f Zmm '£ Lh, the IC card ⁇ significantly increases. When the bending elastic modulus of the sealing resin 13 exceeds 300 OKg f / mm 2 , the sealing work of the sealing resin becomes actually difficult, so the bending elastic modulus of the sealing resin is 1400 to 3000 kg f / mm 2. It is preferred that
  • FIG. 6C shows an IC module 20a according to the present invention and a conventional IC module 20b having a relatively thick base material 21 and from which the frame 24 has been removed.
  • the IC module 20a according to the present invention shown in FIG. 6C corresponds to the IC module 20 shown in FIGS. 2A and 2B, and in FIG. 6C, the IC module shown in FIGS. 2A and 2B.
  • the same reference numerals are given to the same portions as the portions of 20 and detailed description is omitted.
  • IC card ⁇ E3 ⁇ 43 ⁇ 4 (kgf) greatly increases compared to the conventional IC card having the conventional IC module 20b.
  • the present invention improves the crosslink density of the epoxy resin compared to the epoxy sealing resin which is liquid at room temperature.
  • the shape of the filler (filament) from a spherical shape to a flake shape, it is possible to obtain a sealing resin 13 having a desired ⁇ S after abuse.
  • the liquid injection resin injection method is advantageous in the following points compared to other resin sealing methods at present.
  • the high-viscosity resin which is difficult to discharge by the potting method, can be sealed. It is also excellent in mass productivity.
  • a one-part epoxy resin is advantageous in terms of workability and quality stability, and as a curing agent, a phenol-based or amine-based adhesive is used to adhere to the substrate 11. Suitable for ⁇ ⁇ .
  • the sealing resin 13 is an epoxy resin, its T g (glass point transfer is preferably 130 to 200 and ⁇ is preferable. If it is too low, heat change is large, and if it is too high, water absorption is high. It is not preferable because there is. As long as the frame body 14 is higher in strength than the sealing resin 13, the sealing resin 13 can be protected against bending deformation of the IC card 1. For this reason, the frame 14 is preferably made of a highly rigid material such as glass epoxy, carbon fiber, zirconium ceramics, or titanium (preferably, and the glass cloth having a diameter of 3 ⁇ 4S3 is more excellent. be able to.
  • the frame body 14 made of glass epoxy, a material having a flexural modulus of 160 OKg f / mm 2 Ri: of JIS K6911 and a high 3 ⁇ 4S or low property of bending fracture 3 ⁇ 4J3 ⁇ 413 kgf / mm 2 or more is used. Can be.
  • thermosetting ki adhesive sheet such as epoxy is temporarily bonded to a glass epoxy plate having a predetermined thickness (0.5 mm) equal to the height of the frame body 14.
  • thermoplastic adhesive sheet such as polyimide, which has a melting point of 150 ° C or higher, which is higher than the curing temperature of the sealing resin. It is possible.
  • the temporarily bonded product is fixed to a glass epoxy base _b thicker than the height (0.5 mm) of the frame body 14 with an adhesive tape.
  • the glass epoxy plate is fixed with a pin or the like using a paper phenol plate so as to sandwich the glass epoxy plate, and then the glass epoxy plate is processed into a frame shape by a router. At this time, after cutting the inside (center) of the frame, the outer periphery of the frame is processed.
  • the processed frame body 14 is positioned on the base material 11, and is placed on the base material 11 for 160 minutes under a pressure of 240 kgf to obtain a frame body 14 fixed on the base material 11.
  • Other methods for forming the frame include potting, silk printing, forming the frame using UV-curable resin, casting, injection molding, and punching.
  • the conductive adhesive sheet 18 is formed by filling conductive particles 18b in a resin layer 18a, and includes an IC chip 12 and a base material 11. Are adhered and fixed by the conductive adhesive sheet 18. Further, as shown in FIG. 4, the electrode portion 12a of the IC chip and the substrate portion 16 are electrically connected via conductive particles 18b.
  • the conductive adhesive sheet 18 is a locally conductive sheet formed to have a thickness or a number of 10 m (preferably 3 mm), and as shown in FIG.
  • the resin layer 18a is composed of conductive particles 18b scattered in the resin layer 18a.
  • the resin layer 18a is made of a curable resin or a mixed resin of a thermosetting resin and a thermoplastic resin. It is composed.
  • FIG. 4B shows a state before the application of zero pressure
  • FIG. 4C shows a state after the application of IfeME.
  • the IC chip 12 and the base material 11 are heated and pressed through the force ⁇ conductive adhesive sheet 18.
  • the portion where the pad portion 12a of one chip 12 and the E portion 16 of the base material 11 face each other is electrically connected via the conductive particles 18b.
  • the electrical connection between the 1 ⁇ portion 16 of the base material 11 and the IC chip 12 need not be limited to the above example.
  • the conductive adhesive sheet 18 As in this example, a uniform and strong bond can be obtained between the IC chip 12 and the i ⁇ part 16 of the base material 11, so that the IC chip Even when stress is applied to 12, the separation between the IC chip 12 and the base material 11 and the crack of the IC chip 12 can be prevented. Also, there is no need to worry about disconnection because there is no wire.
  • the outer height of the frame 14 can be suppressed to the minimum size. It is effective from the viewpoint of preventing destruction to make the outer dimensions of the sealing resin 13 surrounded by the frame body 14 as small as possible.
  • the deflection Y when a load is applied to a beam-like specimen having a rectangular cross section supported at two points is expressed by the following equation.
  • W is the width of the test piece mm
  • h is the height of the specimen mm
  • I E can be harmed, and the amount of deformation Y per unit length when a predetermined load is applied is also proportional to.
  • Base material 1 encapsulation resin 13, frame body 14, and card base 2
  • the amount per unit length Y 'when a predetermined load is applied is Y' of base material 1> card base 2 Y '> Sealed tree JI purpose 1 3 Y'
  • the base material 11, the card base 2, the sealing resin 13, and the frame 14 largely bend in this order.
  • the IC chip 1 is bent around the IC chip 1.
  • the base material 11 corresponding to a portion other than the IC chip 12 can be largely bent.
  • the bending action applied to the IC card 1 can be absorbed by the bent substrate 11. 1A and 1B, the arrow L1 indicates the long side direction, and the arrow L2 indicates the 3 ⁇ 4 direction.
  • FIG. 2A is a plan view of the IC card
  • FIG. 2B is a cross-sectional view taken along A1-A2 of FIG. 2A.
  • the IC module 20 has a terminal portion having a base material 21, an IC chip 22, a sealing resin 23, a frame 24, and an insulating groove 25a. 25 and wires 28.
  • an IC chip (semiconductor element) 22 is provided on the lower surface of the base material 21.
  • the electrical connection between the electrode pad 22 a of the chip (semiconductor element) 22 and the terminal portion 25 is made by a wire 28 passing through the gap 29.
  • a frame 24 is provided to reinforce the sealing effect 23.
  • the IC card 1 shown in FIGS. 2A and 2B has a card base 2, a base 21, an encapsulating resin 23 and a frame 24 made of a card base 2 shown in FIGS. 1A and 1B.
  • the materials are substantially the same as those of the base material 11, the sealing resin 13 and the frame 24.
  • FIGS. 2A and 2B have a simple structure without through holes, and are excellent in productivity and cost.
  • the wire 28 of the IC module 20 does not cross the insulating groove 25a of the terminal portion 25.
  • the terminal portion 25 is divided into a plurality of regions by the insulating groove 25a, and the insulating groove 25a in the long side direction L1 of the power terminal portion 25 has a shape.
  • the insulating groove 25a in the S direction L2 is formed in an arc shape such that each of the partitioned terminal portions 25 is convex toward the center, and the convex circle of each terminal portion 25 is formed.
  • the arcs are staggered to prevent concentration of bending stress.
  • the positions of the IC chip 22 and the wire 28 are indicated by ⁇ for easy understanding.
  • FIGS. 3A and 3B are further modified examples.
  • FIG. 3A is a plan view of the IC card
  • FIG. 3B is a cross-sectional view taken along B1-B2 of FIG. 3A.
  • a wire 28 is provided across the insulating groove 25a of the terminal portion 25.
  • FIG. 3A the positions of the IC chip 22 and the wire 28 are indicated by to indicate the positional relationship.
  • the materials of the card base 2, the base 21, the sealing resin 23, and the frame 24 are the card base 2, the base shown in FIGS. 1A and 1B. 11.
  • the materials are substantially the same as those of the sealing resin 13 and the frame body 14.
  • the IC card 1 shown in FIGS. 1A and 1B Using the IC card 1 shown in FIGS. 1A and 1B, the IC card 1 shown in FIGS. 2A and 2B, and the IC card 1 shown in FIGS. 3A and 3B, The physical failure of the IC module due to the bending of the IC card, which was observed in the conventional IC card, was reduced. In particular, remarkable reduction in the cracks of the IC chip in actual use was confirmed. In addition, the IC card 1 according to the present invention gave a flexure large enough to irreversibly deform the IC card 1, but no physical failure of the IC module 10 was observed.
  • the IC modules 10 and 20 for the IC card according to the present invention are made stronger by making the IC modules 10 and 20 themselves stronger than before, so that the IC Physical failure of modules 10 and 20 can be reduced. In particular, Cracks of the IC chips 12 and 22 and breakage of the sealing resin can be significantly reduced.
  • the second embodiment is different from the IC card 1 shown in FIGS. 1A and 1B in that the material of the sealing resin 13 constituting the IC module 10 of the IC card 1 is changed. This is almost the same as IC card 1 shown in FIG. 1A and FIG. 1B.
  • the sealing resin 13 has an epoxy resin and a curing agent in the epoxy resin
  • the epoxy resin is an epoxy resin such as bisphenol A type, bisphenol F type, alicyclic, polyglycol, etc. Fat is used.
  • Curing agents include fatty acid anhydrides, aromatic anhydrides, acid anhydrides such as chlorinated acid anhydrides, modified polyamides such as cyclic polyamines, aromatic polyamines, aromatic polyamines, and polyamide polyamines. Are used.
  • the sealing resin 13 which is desirable as the highly reliable IC module 10 is a high-strength, high-strength resin having a high bending elasticity and a low flexural modulus ⁇
  • the filler component is filled in the sealing resin 13.
  • the filler is composed of a powder such as silica, quartz, alumina, aluminum hydroxide, calcium carbonate, and titanium oxide, and the filler is added by 70% J.
  • the powder shape of the filler is spherical, flake-like force, and the like. It is possible to further improve the ⁇ by adding an additional filler in the form of a beard called a beard crystal in the form of 1% to 2% of the filler ⁇ .
  • Additional - 11 - pressure filler metal or, MgO, ZnO, T i 0 2, A 1 2 0 3 oxides such ceramics, potassium titanate, double oxides, such as aluminum borate, basic magnesium sulfate ceramics, carbide Gay Non-oxide ceramics such as silicon and gay-nitride, and other ceramics such as graphite, CaCOj, ZnCOg, and Mg (OH) 2 , or tetrapots for organic pentamers such as polyoxymethylene and liquid crystal polymers It is of a shape and is collectively called Pescar.
  • MgO, ZnO, T i 0 2, A 1 2 0 3 oxides such ceramics, potassium titanate, double oxides, such as aluminum borate, basic magnesium sulfate ceramics, carbide Gay Non-oxide ceramics such as silicon and gay-nitride, and other ceramics such as graphite, CaCOj, ZnCOg, and Mg (OH) 2 , or tetra
  • the resin of the present invention is filled with 78% spherical silica having a particle size of 10 to 30 zm as a filler, and as described above, a high ⁇ J ⁇ IC module 10 can be obtained.
  • 10% of the filler in the resin is an additional filler in the form of a tetrapod as described above, so that an improvement effect of about 20% or more can be obtained.
  • the addition of a filler of £ Lh is not practical because a drastic decrease in workability cannot be avoided due to an increase in viscosity.
  • flexible resins such as epoxidized silicone, urethane, polybutadiene, and acrylic elastomer resins contained in conventional resins have a high degree of Since it is easy to generate soil, it is not added to the sealing resin of the present invention.
  • the Tg of the sealing resin has a close correlation with the crosslink density, which is closely related to physical storage. If it is too low, ⁇ J ⁇ cannot be obtained, and if it is too high, it becomes brittle, which is not preferable.
  • the temperature should be between 130 ° C and 180 ° C.
  • the present inventor has determined that the bending failure when a load is applied to a beam specimen having a rectangular cross section supported at two points based on JIS K6911, and the amount of deflection at the time of rupture, The ratio S was considered.
  • S the bending strength of the resin Z
  • H the amount of flexure at the time of resin fracture
  • H the flexural fracture load H of the IC card
  • the flexural breaking load H of the IC card is 2 ⁇ A load is applied to the chip 1 and the load when the IC chip 12 surrounded by the resin 13 is broken.
  • Fig. 8 shows the relationship between the IC card deflection rupture load H and the IC card ⁇ E3 ⁇ 4g.
  • the definition of the IC card ⁇ E3 ⁇ 4 ⁇ in FIG. 8 is the same as the definition of the IC card ⁇ shown in FIG.
  • the flexural breaking load of IC cards currently in practical use is at a level of 2.5 kgf. From the relationship between the IC card flexural fracture load H and the IC card point pressure strength shown in Fig. 8, when the IC card flexural fracture load H exceeds 2.5 kgf, the IC card ⁇ E 3 ⁇ 4® is dramatically improved. I understand. Therefore, as shown in Figure 7, S (bending enemy / deflection during rupture) must be 4 kgf Zmm so that the flexural breaking load H of the IC card is 2.
  • H should be 3KgJ3 ⁇ 4 ⁇ (desirably, S at that time should be 6Kg f / mm 3 or more).
  • S the amount of deflection of the bending fracture ⁇ Z broken ⁇
  • S is considered to larger desirable, in the sealing resin forming the current, S is considered as the limit at 18Kg fZmm 3 gJ3 ⁇ 4.
  • the bending rupture of the resin at this time 3 ⁇ 4 ⁇ is 2 OKg f / mm 2 and the strain is 1.
  • an IC card 100 is mounted in a card i01 made of polyvinyl chloride vinyl and the like, and in a recess 103 formed in the card base 101.
  • An IC module 110 is provided.
  • FIG. 9A is a plan view of the IC card
  • FIG. 9B is a plan view of the IC module
  • FIG. 9C is a side sectional view of the IC module.
  • the IC module 110 has a plurality of regions by a base material 111 and a groove 115b (internal part) provided on one surface (upper surface) of the base material 111.
  • the ⁇ 1 node 112a of the IC chip 112 and the terminal 115 are identical to the ⁇ 1 node 112a of the IC chip 112 and the terminal 115 .
  • the frame 114 is filled with a sealing resin 113 for sealing around the IC chip 112.
  • the length of the terminal portion 115 is smaller than the shape of the base material 111, and the outer insulating portion 115c where the base material 111 is exposed on the outer periphery of the terminal portion 115 is formed. It is formed strongly.
  • This outer insulating part 115c is
  • the widths a and b of these external insulating portions 115c are both larger than the width of the insulating groove 115b. Also, the widths a and b of the outer insulating portion 115c are determined with respect to the card base 101 (54.03mm x 85.72mm) whose shape is determined by the ISO standard.
  • the maximum values of the widths a and b can be obtained when the substrate 111 of the IC module 110 is enlarged and the edge of the substrate 111 is extended to the edge of the card substrate 101. * 4) ⁇
  • the width a of the outer ife ⁇ portion 1 15 c is 0.6 mm, and the width b is 0.3 mm, both of which are considerably larger than the width of the external insulation of conventional IC modules. I have.
  • the base material 111 of the IC module 110 is made of glass epoxy having a thickness of 75 mm
  • the IC card ⁇ : 101 is made of a polychlorinated rubber. Furthermore, the amount of ⁇ per unit length when a predetermined load is applied to the substrate 111 of the IC module 110 is larger than that of the card ⁇ i01 (see equation (4)).
  • the amount per unit length when a predetermined load is applied to the substrate 1 11 is set to be larger than the force S ⁇ l 0 1, and the widths a and b of the outer insulating portion 1 15 c are made larger.
  • the bending stress with respect to the bending of the IC card 100 can be absorbed by the flexible outer portion 115c, which causes cracking of the IC chip 112 or the sealing resin 113. Is prevented from occurring.
  • the IC module 110 in this embodiment has a simple structure without through holes, and is excellent in terms of characteristics and cost.
  • the IC module 110 is configured such that the wire 118 does not cross the insulating groove 115b.
  • the terminal portion 115 is divided into a plurality of regions 115a by the insulating groove 115b, and the insulation in the long side direction of the IC module 110 is provided.
  • the groove 1 15 b is formed linearly.
  • the insulating groove 1 15b in the ⁇ direction of the IC module 110 is formed such that each region 1 15a is directed toward the center of the terminal portion 115 and has a convex arc shape.
  • the convex arcs of the region 1 15a are arranged so as to be continuous with each other.
  • the positions of the IC chip 112 and the wires 118 are indicated by dotted lines to facilitate understanding of the positional relationship.
  • the stress of bending (especially bending in the direction) to the IC card 100 is hard. Instead of being concentrated at one location of the terminal portion 115, it is dispersed to the high-quality base material 111 formed by t115b. Therefore, the bending stress on the IC chip 112, the wire 118, the sealing resin 113, and the frame 114 below the end 115 can be extremely reduced.
  • a flexible glass epoxy thickness of 75 can be used as the substrate 111 of the IC module 110 used in the present example. This is a flexible material having a larger amount of deflection per unit length with respect to the applied stress than polyvinyl chloride, which is the material of the IC card substrate 101, as described above.
  • glass epoxy polyimide, polyester, paper phenol, BT resin, or the like may be used as the base material.
  • the total thickness including the base material 111 and the terminal portion 115 be equal to or less than 120 tzm. From the viewpoint of cushioning properties against pressing from the terminal portion 115, it is preferable to make the thickness of the base material 111 as large as possible within the total thickness of 120 / xm or less.
  • polyimide When polyimide is used as the base material, it must be multilayered in order to increase the thickness.In this case, polyimide is directly coated on copper foil without using an adhesive, or In some cases, thermoplastic polyimide is used for bonding between layers. In any case, the adhesion between the sealing resin 113 and the substrate 111 is also large due to the large peeling force between the layers, and the peeling between the layers ⁇ ⁇ S is 3 ⁇ 4 ⁇ of 2 kg or more. is necessary.
  • FIG. 11 is a diagram showing a relationship between the base material 11 1 and the terminal portion 1 15.
  • S3 ⁇ 4) K and etching are applied to the copper foil 121 provided on the base material 111 of the IC module 110.
  • Copper foil and copper foil can be used. Copper foil is suitable in terms of the density with the base material 11 and cost, but rolled foil is suitable in terms of flexibility.
  • a hard gold plate 123 is provided on the base plate 122 to form a terminal portion 115.
  • soft gold plating and silver plating can be used, but from the point of view of hardness, hard gold plating 123 is suitable, and from wear resistance, the thickness of hard gold plating is 1 ju mh is preferred.
  • IC chip semiconductor element as sealing resin 113 of IC module 110
  • the flexural modulus of elasticity of JISK 6911 is 1400 to 3 0 0 OK gf / mm 2 , bending fracture 3 ⁇ 4Jg l 1-2 OK gf Zmm 2 If it is a high boat or low boat, it is effective in preventing rupture of IC chip 112 A deflection of 1.3 mm or less is preferable.
  • the sealing resin 113 is protected against deformation such as bending of the IC card 100. be able to.
  • glass epoxy, carbon fiber, zirconia ceramics, or titanium can be used as the frame 114.
  • the glass epoxy the smaller the diameter of the glass cloth, the better it is, so that the strength can be adjusted and used.
  • carbon fiber the higher the fiber density, the better 3 ⁇ 4 ⁇ . Therefore, adjust 3 ⁇ 4 ⁇ before use. Ceramics are strong in zirconia ceramics.
  • the frame 114 made of glass epoxy the flexural modulus of JIS ⁇ 9 11 1 6 0 OK gf mm '] ⁇ , bending fracture 3 ⁇ 4JS 13 Kgf / mm 2 or more High 3 ⁇ 4S, ® ⁇ properties can be used.
  • the above-described frame body 114 made of glass epoxy is provided on the base material 110, for example, as follows.
  • thermosetting b adhesive sheet such as epoxy is temporarily mounted on a glass epoxy plate having a predetermined thickness (0.5 mm) equal to the height of the frame body 114.
  • the temporarily mounted product is fixed with a double-sided adhesive tape on a glass epoxy table that is thicker than the height (0.5 mm) of the frame 114.
  • the glass epoxy plate is fixed by pins using a paper phenol plate so as to sandwich the glass epoxy plate, and then the glass epoxy plate is processed into a frame shape by a router. At this time, after cutting the inside (center) of the frame, the outer periphery of the frame is processed.
  • the processed frame 1 1 1 4 is positioned on the substrate 1 1 1, and it is attached to the substrate 1 1 1 1 by ⁇ ffi under a pressing condition of 240 kgf for 16 minutes, 15 minutes. Obtain the fixed frame 1 1 4.
  • a method of forming the frame using potting, thermosetting by a silk printing method, or UV-cured resin is used.
  • the widths a and b of the outer insulating portion 115c of the IC module 110 are determined as a result of a durability test as shown in Table 1, and are not particularly limited to these values.
  • the endurance test was conducted by repeating the bending test of the ISO standard (78 16-1) several times.
  • the endurance test for the card was determined by whether the IC module 110 was damaged or not. Sex is determined.
  • the bending test of the IS 0 standard (7816-1) consists of a maximum deflection amount, long side bending of 2 Omm, and short side bending of 1 Omm at a speed of 30 times per minute at a speed of 30 times per minute in the four directions of long, short, front and back, 250 It repeats 1000 times each time.
  • the width of the insulating groove 115b between the respective regions 115a of the terminal portion 115 is 0.2 mm, which is the width of the normal IC module 110.
  • the widths a and b of the outer insulating portion 115c are both larger than the width of the insulating groove 115.
  • FIG. 1OA is a plan view of the IC card
  • FIG. 10B is a plan view of the IC module
  • FIG. 10C is a side sectional view of the IC module.
  • an IC card 200 includes a card base 201 and an IC module 210 mounted in a recess 203 of the force base 201.
  • the IC module 210 connects the base portion 211, the terminal portion 215 divided into a plurality of regions 215a by the groove 215b, the IC chip 212, the @ pad 212a of the IC chip 212, and the terminal portion 215. And a wire 218 passing through a gap 229 of the substrate 211.
  • a frame 214 force is provided on the base material 211.
  • the frame 214 is filled with a sealing resin 213 for sealing around the IC chip 212.
  • the wire 218 is provided through the insulating groove 215b of the terminal 215.
  • the outer side 215c of the terminal portion 215 is the longer side of the card base 201.
  • the width a in the direction and the width b in the direction perpendicular thereto are 0.6 mm and 0.3 mm, respectively.
  • FIG. 10B the positions of the IC chip 210 and the wire 218 are indicated by, for easy understanding of the positional relationship.
  • the IC module 210 has a frame 214 for reinforcing the sealing resin 213 as shown in FIG.
  • the materials of the sealing resin 213 and the base material 211 are the same as those of the IC module 110 shown in FIGS. 9A to 9C, so that cracks are not easily generated in the IC chip 212 and the sealing resin 213. I'm sorry.
  • the endurance test of the ISO standard (7816-1) was performed by changing the widths a and b of the external insulation part 215c of the IC module 210 shown in Fig. 1 OA to Fig. 10C variously.
  • the substrates 111 and 211 of the IC modules 110 and 210 are
  • the IC modules 110 and 210 are made more flexible. , 210 itself with IC card 100,
  • the number of physical starting positions of 210 can be reduced. As a result, the IC chip 1 1 2,
  • FIGS. 12 to 15C a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 12 to 15C.
  • the IC module 3 10 Is attached.
  • the IC module 310 is composed of a substrate 311, a terminal portion 315 provided on one surface of the substrate 311, and a substrate 311.
  • An IC chip 3 12 provided on the surface is provided, and a frame body 3 14 is provided on the tfc ⁇ surface of the base material 3 1 surrounding the IC chip 3 12.
  • the frame 3 14 is filled with a sealing resin 13 (see FIG. 1B) for sealing the IC chip 3 12, but the sealing resin 13 is not necessarily provided.
  • the frame 3 14 has a plane rectangular shape, and the width of one of the four sides of the frame 3 14 that is parallel to the long side direction L 1 of the card base 2 is other than that. It is larger than the width of the three sides. In this manner, by increasing the width of one side of the frame 3 14 parallel to the long side direction of the card base 2, the frame 3 14 against bending action applied in the long side direction of the card base 2 is increased. Rigidity can be increased.
  • the frame 3 14 it is important to use a material that has a higher elastic modulus, higher fracture, etc., and is less deformed by stress than the sealing resin 13 (see FIG. 1B). is there. Since most of the sealing resin 13 is provided by a solid filler called filler, it is not possible to increase the amount of filler and increase the Have difficulty. Bending elasticity for sealing resin 13 - 2 1 - 3 0 0 0 K gf / mm 2 at constant, 2 0 K gf / mm 2 at ⁇ broken bending is considered practical limitations. Therefore, by using a material having higher strength for the frame 314, the effect of the frame 314 can be obtained.
  • a carbon fiber plate material having a flexural modulus of 6400 Kgf / mm 2 and a bending fracture of 1 13 Kgf / mm 2 is processed into a donut shape by router processing, and a frame 3 having good You can get 1 4
  • glass epoxy made of carbon fiber or glass cloth impregnated with epoxy resin is suitable from the point of contact with and sealing resin, and in the case of glass epoxy, cloth The smaller the diameter force, the smaller the 3 ⁇ 4Jt is.
  • an adhesive sheet 320 was formed on one surface of the plate material 314a (FIG. 13).
  • a thermosetting epoxy-based or thermo-polyester hot-melt adhesive sheet conventionally used for bonding substrate materials has a ⁇ ⁇ -like property.
  • the thermoplastic type has drawbacks such as poor heat resistance. Therefore, as the adhesive sheet 320,
  • thermoplastic were mixed, and an adhesive sheet 320 having both properties balanced was used.
  • the adhesive sheet 320 is fch-plated to a plate material 304a using a roll laminator, the adhesive sheet 320 is backed with a plastic film 330 having a thickness of 100 m. From the 314a side, a donut was added using a router 335 (Fig. 13). Next, the plastic film 330 was peeled off from the adhesive sheet 320 to form a frame 314. The frame 3 14 is bonded to the base 3 11 via an adhesive sheet 3 20.
  • the frame body 3 14 can be formed.
  • the sealing resin 13 has a low strength and is easily peeled off from the frame 3 14 because the adhesion with the sealing resin 13 is low because of its low strength. . Therefore, a mark is attached to the inner cross section ⁇ of the frame body 3 14 to prevent the sealing resin from peeling off.
  • zirconia ceramics or titanium is used, a frame having good 3 ⁇ 4Jt can be obtained.
  • a mold was used in addition to router processing.
  • FIGS. 14A and 14B an adhesive sheet 320 is provided on the base material 311 side of the frame 3114, and a space 3221 is formed in the frame 3114. ing.
  • the inner surface of the frame 3 14 is perpendicular to the substrate 3 11 (perpendicular to the adhesive sheet 320), but the outer surface of the frame 3 14 is away from the substrate 3 11 ( (Fig. 14B, lower).
  • the compensation can be arbitrarily adjusted in the bending direction of the IC chip plate and the card.
  • the outer surface of the frame 3 14 shown in FIG. 15A is perpendicular to the substrate 311, but the inner surface is away from the substrate 311 (downward in FIG. 15A). Then, the space 3221 is inclined so as to gradually narrow toward the central portion, and then perpendicular to the substrate 311.
  • the frame body 3 14 shown in FIG. 15B has irregularities 3 2 ′ formed on its inner surface.
  • the irregularities 3 222 prevent the sealing resin 13 from peeling off from the frame 3 14.
  • the frame 314 shown in FIG. 15C is tapered in a direction away from the inner surface and the external force base material 311 (downward in FIG. 15C). The seal on the inner surface of the frame 3 14 prevents the sealing resin from peeling off from the frame 3 14.

Description

明 細 害
I Cカードおよび I Cモジュール 技術分野
本発明は、 I Cカードおよびこの I Cカードに用いる I Cモジュールに係り、 とりわけ曲げなどによる物理的故障を低減することができる I cカードおよび I Cモジュールに関する。
背景技術
I Cカードは、 高度なセキュリティ一を有するため、 種々の分野での利用力く期 待でき、 新しい情報記録媒体として、特に磁気カードに代わる情報言 媒体とし て注目を集めており、 次第に普及しつつある。
I Cカードは、 "^には COB (Ch i p on Boa r d) の形態をとつ た I Cモジュールをカード基体に搭載して構成されており、 I Cモジュールの各 端子と、 RZW (リーダライタ） のコンタクト部とを接触させて電気的に接続し て情報の読み出し、書込みが行われている。
この I Cカードに搭載される I Cモジュールは、基材を有し、 この基材の一方 の面に、 CLK (クロック） ライン、 I/Oライン、 Vc. (電源） ライン、
RST (リセット） ライン、 GND (グランド） ライン用等からなる端子部が設 けられている。 またこれらの端子部と基材の の面に搭載された I Cチップ (半導体素子） とがワイヤを介して電気的に接続され、 I Cチップ （半導体素子） 全体が樹脂にて被覆される。
なお、 基材の両面の m 的導通はスルーホールを介してなされている。
しかしな力くら、 この I Cモジュールを搭載した I cカードにおいては、 I C力 ード自体カ く、 ポリ塩ィ匕ビニル等のカード基体から成っている。 このため、 I Cカードのカード基体に曲がり力く生じる力 この I Cカードのカード基体の曲 がり並びに I Cモジュールへの直接圧力力く原因で I Cモジュール力物理的に故障 することがあり問題となっていた。
特に、 物理的故障の一つは、 I Cチップのクラックであり、 I Cカードが曲が る際、 もくしは、 I Cモジュールへ直接圧力が加えられた場合、 I Cモジュール が外部から受ける応力に対応できなくなり、各端子部の境部等において破壊 （ク ラック） 力 <発生するものである。 他には、 ワイヤの断線によるものや封止樹脂の クラックが原因の物理的故障もある。
例えば、 従来の I Cモジュールにおいては、基材上の端子部は絶縁溝を設ける ことにより分離され、 分離された部分が、 それぞれ、 C L K (クロック） ライン、 I /Oライン、 Ί " ライン、 R S T (リセッ ト） ライン、 G N D (グラ ンド） ライン用等を形成しているが、 絶縁溝が I Cチップ （半導体素子） 領域を 跨ぐように形成されている。 このため、 I Cカードの曲がりの際、 もしくは、 I Cモジュールへ直接圧力力、'加わった場合、 I Cモジュールが応力を受け、 絶縁溝 の部分で I Cチップ （半導体素子） に特に大きな力がかかることになり、 この部 分で I Cチップにクラックが見られることが多かった。
また、 封止樹脂が破壊する場合には、 曲げ応力が集中する封止棚旨の境界部分 にクラック力《生じることが多かつた。
発明の開示
本発明は、 このような点を考慮してなされたものであり、 物理的故障が極めて 少ない I Cカードおよび I Cカード用の I Cモジュールを提供することを目的と する。
本発明の第 1の特徴は、基材と、 基材に設けられた端子部と、基材に設けられ た I Cチップと、基材に I Cチップを囲んで設けられた枠体とを有する I Cモジ ユールと、 この I Cモジュール力装着されたカード基体とを備え、 前記基材の所 定荷重を加えた場合の単位長さ当りの変形量は、前記カード基体のものより大き いことを特徴とする I Cカードである。
本発明の第 2の特徴は、基材と、基材の一方の面に設けられた端子部と、基材 の の面に設けられた I Cチップと、 基材の他方の面に I Cチップを囲んで設 けられた枠体とを有する I Cモジュールと、 この I Cモジュール力、'装着された力 ード基体とを備え、端子部の形状は基材のものより小さくなつて、 その外周に基 材が露出する外部繊部分を形成し、端 は内部絶縁部分によつて複数の領域 に区画さ 外部 部分の幅は内部絶縁部分の幅より大きいことを特徴とする I Cカードである。
本発明の第 3の特徴は、基材と、基材の一方の面に設けられた端子部と、基材 の の面に設けられた I cチップと、 基材のte^の面に I cチップを囲んで設 けられた枠体とを有する I Cモジュールと、 この I Cモジュールが装着された力 一ド基体とを備え、枠体は平面矩形状に形成されていることを特徴とする I C力 一ドである。
本発明の第 4の特徵は、基材と、基材に設けられた端子部と、 基材に設けられ た I Cチップと、 基材に I Cチップを囲んで設けられた枠体とを備え、 枠体内に I Cチップを封止する樹脂を充てんするとともに、前言 2¾材の所定荷重を加えた 場合の単位長さ当りの^量は、樹 fl旨のものより大きいことを特徴とする I Cモ ジュールである。
本発明の第 5の特徴は、 基材と、基材の一方の面に設けられた端子部と、基材 の他方の面に設けられた I Cチップと、 基材の他方の面に I Cチップを囲んで設 けられた枠体とを備え、 端子部の は基材のものより小さくなつて、 その外周 に基材が露出する外部絶縁部分を形成し、 端^ βは内部 部分によつて の 領域に区画され、 外部絶縁部分の幅は内部総部分の幅より大きいことを特徴と する I Cモジュールである。 本発明の第 6の特徴は、基材と、基材の一方の面に設けられた端子部と、基材 の flKTの面に設けられた I Cチップと、 基材の他方の面に I Cチップを囲んで設 けられた枠体とを有する I Cモジュールとを俯え、 枠体は矩¾ ^に形成されてい ることを特徽とする I Cモジュールである。
本発明の第 1および第 4の特徴によれば、外部から曲げ応力力、'加わつた場合に、 I Cチップ囲りを枠体または榭脂により保護するとともに、 I Cチップ囲り以外 の部分の基材を大きく ^させて外部からの曲げ応力を吸収することができる。 このため I Cチップ囲りに加わる曲げ応力を^することができる。
本発明の第 2および第 5の特徴によれば、 外部から曲げ応力カ加わつた場合に、 基材が露出する端子部外周の外部絶縁部分を変形させて外部からの曲げ応力を吸 収することができる。 この場合、 外部絶縁部分の幅を端子部内部の内部絶縁部分 の幅より大きくすることにより、 曲げ応力の吸収作用を効果的に行うことができ る。
本発明の第 3および第 6の特徵によれば、 矩形状に形成された枠体によって I Cチップを効果的に保護することができる。
図面の簡単な説明
図 1 Aは本発明の第 1の実施例を示す I Cカードの平面図。
図 1 Bは本発明の第 1の実施例を示す I Cカードの側断面図。
図 2 Aは本発明の変形例を示す I Cカードの平面図。
図 2 Bは本発明の変形例を示す I Cカードの側断面図。
図 3 Aは本発明の更なる変形例を示す I Cカードの平面図。
図 3 Bは本発明の更なる変形例を示す I Cカードの側断面図。
図 4 Aは導電接着シー卜の作用を示す図。
図 4 Bは導電接着シー卜の作用を示す図。
図 4 Cは導電接着シー卜の作用を示す図。 図 5は封止樹脂の曲げ破壊 ¾Sと I Cカード^ BE¾Sとの関係を示す図。 図 6 Aは封止榭脂の曲げ弾性率と I Cカード^ ffi¾JKとの関係を示す図。 図 6 Bは本発明による I Cカードの^ E¾Sを従来の I Cカードと比較して示 す図。
図 6 Cは本発明による I Cモジュールと従来の I Cモジュールを比較して示す 図。
図 7は曲げ破壞 破壊時のたわみ量と I Cカードのたわみ破壊 との関 係を示す図。
図 8は I Cカードのたわみ破壊強度と I Cカード^ E強度との関係を示す図。 図 9 Aは本発明の第 3の実施例を示す I Cカードの平面図。
図 9 Bは本発明の第 3の実施例を示す I Cモジユールの平面図。
図 9 Cは本発明の第 3の実施例を示す I Cカードの側断面図。
図 1 0 Aは本発明の変形例を示す I Cカードの平面図。
図 1 0 Bは本発明の変形例を示す I Cモジュールの平面図。
図 1 0 Cは本発明の変形例を示す I Cカードの側断面図。
図 1 1は I Cモジュールの基材と端子部とを示す側面図。
図 1 2は本発明の第 4の実施例を示す I Cモジュールの平面図。
図 1 3は本発明の第 4の実施例を示す枠体の製造工程を示す図。
図 1 4 Aは枠体の変形例を示す平面図。
図 1 4 Bは枠体の娜例を示す側断面図。
図 1 5 Aは枠体の更なる変形例を示す側断面図。
図 1 5 Bは枠体の更なる変形例を示す側断面図。
図 1 5 Cは枠体の更なる変形例を示す側断面図。
発明を H¾するための最良の形態
第 1の実施例 まず図 1 A乃至図 8により本発明の第 1実施例について説明する。 図 1 Aおよ び図 1 Bに示すように、 本発明による I Cカード 1はポリ塩ィ匕ビニル等からなる カード Si* 2と、 このカード基体 2に形成された凹部 3内に装着された I Cモジ ユール 1 0とを備えている。
このうち I Cモジュール 1 0は基材 1 1と、 この基材 1 1の一方の面 （上面） に設けられた絶縁溝 1 5 aを有する端子部 1 5と、基材 1 1の の面 (TE) に導電性接着シート 1 8を介して設けられた I Cチップ （ 体素子） 1 2と、 基材 1 1の の面 C S) に I Cチップ 1 2を囲んで設けられた枠体 1 4とを 有している。 また枠体 1 4内には、 I Cチップ 1 2および導電性接着シート 1 8 を封止するための封止樹脂 1 3が充てんされている。 なお、封止樹脂 1 3は必ず しも設ける' ^はない。
さらに基材 1 1の の面には、 導電性接着シート 1 8に接続された E ^部 1 6力く設けられ、 また基材 1 1にはスルーホール 1 9力®通している。 基材 1 1 の一方の面に設けられた端子部 1 5と、 基材 1 1の の面に設けられた 部 1 6とは、基材 1 1を貫通するスルーホール 1 9によって接続されている。 また I Cチップ 1 2と 部 1 6とは導電性接着シート 1 8を介して、 電気的に接続 されている。 このため、 I Cチップ 1 2は端子部 1 5と導電性接着シート 1 8、 IS^部 1 6およびスルーホール 1 9を介して電気的に接続されている。
端子部 1 5は、 鋦箔層とこの銅箔層上に施された金めつきとからなり、 RZW (リーダライタ） 等の外部回路と電気的に接続されるようになつている。
本発明による I Cモジュールを構成する封止樹脂 1 3および基材 1 1は、 その ¾gが従来のものと大きく異なる素材からなつており、 チップクラックや封止榭 脂クラック力 <発生しずらいものとなっている。
基材 1 1としては、 フレキシブルな、 ガラスエポキシからなる 7 5 厚のも のを用いることができる。 ガラスエポキシの他には、 ポリイミ ド、 ポリエステル、紙フエノール、 B Tレ ジン等を基材 1 1として用いても良い。
基材 1 1、 端子部 1 5および i¾¾部 1 6を含めた厚みは、総厚 1 2 0 m以下 が望ましい。 端 1 5からの押圧に対するクッション性からは、総厚 1 2 0 β m以下の中で出来るだけ基材 1 1の厚みを多くとつた方が好ましい。
ポリイミ ドを基材 1 1として用いる場合、 厚みをかせぐ意味から多層にせざる を得ないが、 この場合、 接着剤を用いることなく、鍋箔に直接ポリイミ ドをコ一 ティングしたもの、 もしくは、 層間の貼り合わせに熱可塑製のポリイミ ドを用い たものを用いることができる。 いずれの場合も、 封止樹脂 1 3と基材 1 1との接 着 よりも層間の剥離強度が大きいことが^で、 層間の剥離 ¾Sは 2 K g以 上であることが必要である。
基材 1 1に積層して設けられた銅箔に対して 、 エッチングが施されて、 フ レキシブルな基材 1 1の表裏面に i¾S部 1 6および端子部 1 5力設けられるが、 銅箔としては、 圧延銅箔、 m ^銅箔いずれもでの使用も可能である。 基材 1 1と の密¾¾の点およびコス卜の点では電解銅箔が適しているが、 柔軟性の点では圧 延銅箔が適している。
このように銅箔に対してメツキ力施されて端子部 1 5力く形成される。 この場合 のメツキとしては硬質金メッキ、軟質金メッキ、 銀メツキいずれも使用すること ができる力 信頼性の点からは、 硬質金メツキが適し、 耐摩耗性からは、 メツキ の厚みは 1 m以上が好ましい。
封止榭脂 1 3としては、 I Cチップ 1 2を保護する点で、 I Cチップ 1 2より 高 、 性の封止樹脂が好ましく、実用上では J I S K 6 9 1 1の曲げ 弾性率 1 4 0 0〜3 0 0 O K g f / 2 、 曲げ破壤 1 1〜2 O K g f Zm m2 の高強度、 形性のものであれば、 I Cチップ 1 2の破壊防止の点では効 果的で、 破壌時のたわみ量 1 . 3 mm以下のものが好ましい。 次に図 5および図 6により封止樹脂 13の特性について述べる。 図 5は封止榭 脂の破壊 と I Cカード^ E¾gとの関係を示す図である。 図 5に示すように、 封止樹脂の曲げ破壊爐が 11 Kg f /mm2 ^U:となった場合に、 I Cカード ^E¾¾が大幅に上昇することがわかる。
図 5において、 I Cカード^ とは、 I Cカード 1を鉄板 5上に載置し I Cモジュール 10部分を ±^から直径 11mmの鉄球にて^ lmmの速度で ピン押し Pを行った場合において、 I Cモジュール 10の I Cチップ 12力く破壊 した場合のピン押し Pの である。
なお、 封止樹脂 13の曲げ破壊爐が 2 OKg f/mm2 を越えると、封止榭 脂の封止 が実際 むずかしくなるため、封止樹脂 13の曲げ破壊 は 11 〜2 OKg f/mm2 であること： ^好ましい。
また図 6 Aは、封止樹脂の曲げ弾性率と I Cカード^ EE¾Sとの関係を示す図 である。 図 6 Aに示すように、 曲げ弾性率が 140 OKg f Zmm' £Lhになつ た場合に、 I Cカード^ が大幅に上昇することがわかる。 なお、封止樹脂 13の曲げ弾性率が 300 OKg f/mm2 を越えると、 封止樹脂の封止作業が 実際丄むずかしくなるため、封止樹脂の曲げ弾性率は 1400〜3000Kg f /mm2 であることが好ましい。
次に図 6 Bおよび図 6 Cにより、 本発明による I Cモジュールの作用効果につ いて述べる。 まず図 6 Cにより、 本発明による I Cモジュール 20 aと、 比較的 厚い基材 21を有するとともに枠体 24が取除かれた従来の I Cモジュール 20 bとを示す。 なお図 6 Cに示す本発明による I Cモジュール 20 aは、 図 2 Aお よび図 2 Bに示す I Cモジュール 20に対応しており、 図 6 Cにおいて図 2 Aお よび図 2 Bに示す I Cモジュール 20の部分と同一部分には同一符号を付して詳 細な説明は省略する。
図 6 Bに示すように、 本発明による I Cモジュール 20 aを有する本発明によ る I Cカードは、 従来の I Cモジュール 2 0 bを有する従来の I Cカードに対し て I Cカード^ E¾¾ (k g f ) が大幅に増加する。
このような高艇、 性の封止樹脂は、従来の樹脂を上回る酸を持つも のであるが、 本発明では、常温で液状のエポキシ封止用樹脂に対し、 エポキシ樹 脂の架橋密度を向上させ、且つ、充填剤 （フイラ一） の を球状からフレーク 状に変更することにより、 榭 ]!謝止後に所望の ¾Sをもつ封止樹脂 1 3を得るこ とができる。
上記、常温で液状のエポキシ封止用樹脂の封 ih^法としては、 ·Η¾的に用いら れているポッティング方式、 印刷方式の他に、 液 止用樹脂の射出方式が挙げ られる力く、 I Cモジュール 1 0の作製においては、 液状封止用樹脂の射出方式を 用いることができる。
液 ^止用樹脂の射出方式は、 現状の他の樹脂封 式と比較すると以下の点 で有利である。
( 1 ) トランスファーモールドと比較した場合、 金型が不要であり、 低コスト となる。 そして、 jgffで吐出可能なため信頼性の面でも優れる。
(2) ポッティング方式と比較した場合、 ポッティング方式では吐出困難な高 粘度樹脂も封止可能である。 また量産性に優れている。
( 3 ) 印刷方式と比較した場合、 刷版力不要で、且つ、 樹脂物性の許容度が大 きい。
なお、 ここで用いられる樹脂としては、 作業性、 品質安定性の点で、 一液性の エポキシ樹脂が有利であり、 硬化剤としては、 フエノール系、 舰ァミン系が基 材 1 1との接着 ¾ ^の点で適する。
封止榭脂 1 3はエポキシ系樹脂であるが、 その T g (ガラス点移 力く 1 3 0〜2 0 0て^^が好ましい。 低すぎると熱変化が大きく、 高すぎると吸水性が あるため好ましくない。 枠体 14としては、封止榭脂 13よりも、 高 ¾¾、 性のものであれば、 I Cカード 1の曲がり変形に対し、 封止樹脂 13を保護することができる。 この ため枠体 14としてはガラスエポキシ、 カーボンファイバー、 ジルコ二アセラミ ックス、 チタンなどの高剛性材料力《好ましく、 またガラスクロスの直径が ¾S3な もの程 が優れるため、 これの ¾Sを調整して用いることができる。
具体的には、 ガラスエポキシからなる枠体 14としては、 J I S K6911 の曲げ弾性率 160 OKg f /mm2 Ri:、 曲げ破壊 ¾J¾13Kg f /mm2 以 上の高 ¾S、 低 性のものを用いることができる。
上記、 ガラスエポキシからなる枠体 14を基材 11に設けるには、例えば、以 下のようにして行う。
先ず、 枠体 14の高さに等しい所定の厚 （0. 5mm) のガラスエポキシ板に、 エポキシなどの熱硬 k i接着シートを仮接着する。
但し、 ^のように、 ワイヤボンディングを行う場合には、 ボンディング' as、 封止樹脂の硬化温度よりも高い 150°C以上の融点を示すポリィミ ドなどの熱可 塑型接着シートを用いることも可能である。
次いで、仮接着されたものを、 枠体 14の高さ （0. 5mm) より厚いガラス エポキシ台 _bに 粘着テ一プで固定する。
次いで、上記ガラスエポキシ板を挟み込むように、紙フエノール板を用いピン 等により固定した後、 ルーターによりガラスエポキシ板を枠体の形状に加工する。 この際、 枠体の内側 （中央） をくりぬいた後に枠体の外周を加工する。
加工された枠体 14を基材 11上に位置決めし、 160て、 15分間、 240 Kg f の押圧の条件で、 ^着し、 基材 1 1上に固定された枠体 14を得る。 他の枠体の形^法としては、 ポッティング、 シルク印刷方法で^化、 UV 硬化の樹脂を用いて枠体を形成する方法や、 注型、 射出成形、打ち抜きなどが挙 げられる。 導電性接着シート 1 8は、 図 4 A〜図 4 Cに示すように、 樹脂層 1 8 a中に導 電粒子 1 8 bを充填させたもので、 I Cチップ 1 2と基材 1 1とは、 この導電性 接着シート 1 8により接着固定される。 また I Cチップの電極部 1 2 aと基材の 部 1 6とは、 図 4 Βに示すように、電気的に導電粒子 1 8 bを介して接続さ れている。
導電性接着シート 1 8は、 厚みか'数 1 0 m (好ましくは 3 o mm ) に形成された局部的に導電可能なシートであり、 図 4 Aに示すように、 樹脂雇 1 8 aと、 この樹脂層 1 8 a中に散在された導電粒子 1 8 bとから構成さ こ のうち樹脂層 1 8 aは、 化性樹脂や熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との混合樹 脂等から構成されたものである。 導電性接着シート 1 8としては、 日立 < ^； 会社製の異方導電フィルム （商品名ァニソルム） 等を用いることができる。
I Cチップ 1 2と基材 1 1との間に導電性接着シート 1 8を挟み加 圧する 場合について、 電気的接続の原理を図 4 Bおよび図 4 Cに用いて説明する。 この 場合、 図 4 Bは加¾¾0圧前の状態であり、 図 4 Cは加 IfeME後の状態である。 図 4 Bの状態から、 図 4 Cの状態になると、 I Cチップ 1 2と基材 1 1と力 <導 電性接着シート 1 8を介して加熱加圧される。 この場合、 1 チップ1 2の パッド部 1 2 aと基材 1 1の E¾部 1 6と力対向した部分では、 導電粒子 1 8 b を介して電気的に接続した状態となる。 一方 I Cチップ 1 2の電極パッド部 1 2 aと基材 1 1の赚部 1 6と力対向していない部分においては、導電粒子 1 8 b を介して電気的に接続した伏態とはならない。 このため、 必要な箇所のみ電気的 に接続が成される。
基材 1 1の 1 ^部 1 6と I Cチップ 1 2の電気的接続は、 上記の例に限定され る必要はない。
本 例のような導電性接着シート 1 8を用いることにより、 I Cチップ 1 2 と基材 1 1の i ^部 1 6との間に均一で強固な接着が得られるため、 I Cチップ 12に応力が加わった場合でも、 I Cチップ 12と基材 11との間の剥離、 およ び I Cチップ 12のクラックを防止することができる。 また、 ワイヤがないので 断線の心配も無い。
更に、 枠体 14の外 高さを最小の大きさに抑えることができる。 なお、 枠 体 14で囲まれた封止栴脂 13の外形寸法を可能な限り小さくすることは破壊防 止の点から有効である。
次に I Cモジュール 10の基材 11、封止榭脂 13および枠体 14と、 I C力 一ドのカード基体 2との の関係について述べる。
に J I S K 6911によれば、 2点で支持された矩形断面を有する梁状 試^に荷重を加えた場合のたわみ Yは以下の式で表わされる。
Fx£ 3
Y = (1)
4WhJ X E ここで、 Yはたわみ mm
Fは荷重 K g f
Wは試験片の幅 mm
hは試験片の高さ mm
& は支持点間の距離 mm
Eは曲げ弾性率 K f /mm 2 である <
(1)式において、 所定荷重を加えた場合の単位長さ当りの変形量は、
Y' = xC (2) となる <
Wh3 X E ここで、 Cは定数である t (2 ) 式からわかるように、 所定荷重を加えた場合の単位長さ当りの^ ^量
Y' は に比例することがわかる。
Wh X E また （2 ) 式において、 梁状試験片の矩形断面の断面二次モーメント Iは Wh 3
であるから、 （2) 式は、
1 2
Υ' = x C ( 3 )
I E とも害くことができ、 所定荷重を加えた場合の単位長さ当りの変形量 Yは、 にも比例する。
I E 基材 1 1、 封止樹脂 1 3、 枠体 1 4およびカード基体 2各々の所定荷重を加え た場合の単位長さ当りの 量 Y' は、 基材 1 1の Y' 〉カード基体 2の Y' 〉封止樹 JI旨 1 3の Y'
〉枠体 1 4の Y' …… （4)
の関係を満たしている。
すなわち、 単位長さに対して所定荷重を加えた場合、 基材 1 1、 カード基体 2、 封止樹脂 1 3および枠体 1 4の順で大きくたわむことになる。 このように基材 1 1、 カード基体 2、 封止樹脂 1 3および枠体 1 4の順で大きくたわませること により、 I Cカード 1に曲げ作用が加わった場合に、 I Cチップ 1 2回りを枠体 1 4および封止樹脂 1 3によって保護するとともに、 I Cチップ 1 2以外の部分 に対応する基材 1 1を大きくたわませることができる。 このように I Cチップ 1 2以外の部分に対応する基材 1 1を大きくたわませることによって、 I Cカー ド 1に加わる曲げ作用を、 たわんだ基材 1 1によって吸収することができる。 な お、 図 1 Aおよび図 1 Bにおいて、 矢印 L 1 は長辺方向を示し、矢印 L 2 は ¾ 方向を示す。
次に、 図 2 Αおよび図 2 Βにより本発明の変形例を示す。 図 2 Aは I Cカード の平面図であり、 図 2 Bは図 2 Aの A 1一 A 2における断面図である。
図 2 Aおよび図 2 Bにおいて、 I Cモジュール 2 0は、基材 2 1と、 I Cチッ プ 2 2と、封止樹脂 2 3と、枠体 2 4と、絶縁溝 2 5 aを有する端子部 2 5と、 ワイヤ 2 8とを備えている。
図 2 Aおよび図 2 Bにおいて、基材 2 1の下面に I Cチップ （半導体素子） 2 2か'設けられ、 I。チップ（半導体素子） 2 2の電極パッド 2 2 aと端子部 2 5との電気的接続が間隙 2 9内を通るワイヤ 2 8にて行われている。 また封止 fl旨 2 3を補強するため枠体 2 4が設けられている。
図 2 Aおよび図 2 Bに示す I Cカード 1は、 カード基体 2、基材 2 1、封止樹 脂 2 3および枠体 2 4の材料は、 図 1 Aおよび図 1 Bに示すカード基体 2、 基材 1 1、封止樹脂 1 3および枠体 2 4の材料と略同一である。
また、 図 2 Aおよび図 2 Bにおいて、 図 1 Aおよび図 1 Bに示すものと異なり、 スルーホールを設けない簡単な構造であり、生産性、 コストの面で優れる。
また図 2 Aおよび図 2 Bに示すように、 I Cモジュール 2 0のワイヤ 2 8は端 子部 2 5の絶縁溝 2 5 aを横切らないようになつている。
そして、 図 2 Aに示すように、 端子部 2 5は、絶縁溝 2 5 aにより複数の領域 に区画されているカ^ 端子部 2 5の長辺方向 L 1 の絶縁溝 2 5 aは 状に形成 され、 S方向 L 2 の絶縁溝 2 5 aは区画されたそれぞれの端子部 2 5が中心に 向かい凸となるよう円弧状に形成されており、 また各端子部 2 5の凸の円弧状は、 曲げ応力の集中を防ぐため、 それぞれ互い違いに配置されている。 なお、 位置関 係を分かり易くするため、 図 2 A中、 I Cチップ 2 2およびワイヤ 2 8の位置が ^で示されている。
このように絶縁溝 2 5 aを設けて端^ 152 5を形成することにより、 I Cカー ド 1の曲げ （特に、長辺方向の曲げ） の応力が端子部 2 5の一箇所に集中するこ とがなく分散される。 このため端子部 2 5下部の I Cチップ 2 2や、 ワイヤ 2 8、 封止樹脂 2 3、 枠体 2 4等への曲げ応力を、極めて少なくすることができる。 次いで、 図 3 Aおよび図 3 Bにより更なる変形例を示す。 図 3 Aは I Cカード の平面図であり、 図 3 Bは図 3 Aの B 1 — B 2における断面図である。
図 3 Aおよび図 3 Bに示す I Cモジュール 2 0において、 端子部 2 5の絶縁溝 2 5 aを横切ってワイヤ 2 8力 '設けられている。
位置関係を分かり易くするため、 図 3 A中、 I Cチップ 2 2およびワイヤ 2 8 の位置を で示す。
図 3 Aおよび図 3 Bにおいて、 カード基体 2、基材 2 1、封止樹脂 2 3、 およ び枠体 2 4の材料は、 図 1 Aおよび図 1 Bに示すカード基体 2、 基材 1 1、封止 樹脂 1 3および枠体 1 4の材料と略同一となっている。
図 1 Aおよび図 1 Bに示す I Cカード 1と、 図 2 Aおよび図 2 Bに示す I C力 ード 1と、 図 3 Aおよび図 3 Bに示す I Cカード 1を使用してみた力、'、 従来の I Cカードにみられた、 I Cカードの曲がりに起因する I Cモジュールの物理的 故障を少なくできた。 特に、 I Cチップのクラックは実使用上で顕著な低減が確 認された。 また本発明による I Cカード 1について、 I Cカード 1が不可逆的に 変形するほどの大きさの撓みを与えたが、 I Cモジュール 1 0の物理的故障は見 られなかった。
本発明の I Cカード用の I Cモジュール 1 0， 2 0は、上記のように、 I Cモ ジュール 1 0， 2 0自体を従来よりも強固にしたことにより、 I Cカード 1の曲 がりに起因する I Cモジュール 1 0, 2 0の物理的故障を少なくできる。 特に、 I Cチップ 1 2, 2 2のクラックおよび封止樹脂の破壞を顕著に低滅することが できる。
第 2の実施例
次に本発明の第 2の実施例について述べる。 第 2の実施例は、 図 1 Aおよび図 1 Bに示す I Cカード 1において、 I Cカード 1の I Cモジュール 1 0を構成す る封止樹脂 1 3の材質を変えたものであり、他は図 1 Aおよび図 1 Bに示す I C カード 1と略同一である。
すなわち、封止樹脂 1 3はエポキシ樹脂と、 このエポキシ樹脂中の硬化剤とを 有し、 このうちエポキシ樹脂はビスフエノール A型、 ビスフエノール F型、脂環 式、 ポリグリコール系、 等のエポキシ榭脂が用いられる。 硬化剤としては、 脂肪 酸無水物、 芳香族 水物、塩素化酸無水物などの酸無水物、 II旨,ポリアミン、 fl旨環族ポリアミン、 芳香族ポリアミン、 ポリアミ ドポリアミン、 などの変性ァミ ン等が用いられる。
I Cモジュール 1 0の信頼性には、 封止樹脂 1 3の物理強度が大きく関係する ことが実験的にもわかっており、 封止樹脂 1 3の に関係が大きい材料^と して充てん剤であるフィラー^^と、 柔 が挙げられる。
本件発明者の研究結果によれば、 高信頼性 I Cモジュール 1 0として望ましい 封止樹脂 1 3は、 曲げ破壊艇および曲げ弾性率力 {高く、 たわみ量の小さい高強 度、 性の樹脂であるので、 この様な物性を得るための充てん剤として、 フ ィラー成分力《封止樹脂 1 3中に充てんされる。
フィラー^はシリカ、 石英、 アルミナ、 水酸化アルミニウム、炭酸カルシゥ 厶、 酸化チタン等の粉末からなり、 このフィラー^は 7 0 %J¾±添加される。 この場合、 フィラー^の粉末形状としては、球状、 フレーク状力、'挙げられる。 フィラー^中に 1 o%〜2 o%m , ひげ結晶と呼ばれるテトラポット形状の 追加フィラーを添加することで、 さらに ¾ ^向上をはかることか 能である。追 - 11 - 加フィラーは金属または、 MgO、 ZnO、 T i 02、 A 12 03 などの酸化物 セラミクス、 チタン酸カリウム、 ホウ酸アルミニウム、塩基性硫酸マグネシウム などの複酸化物セラミクス、 炭化ゲイ素、 窒化ゲイ素などの非酸化物セラミック ス、 その他、 黒鉛、 CaCOj、 ZnCOg、 Mg (OH) 2 などのセラミック ス、 またはポリオキシメチレン、 液晶ポリマーなどの有機高5子を 分とするテ トラポット形状のもので、 ゥイスカーと総称される。
本発明の樹脂は、充てん剤として、粒径 10〜30 zmの球状シリカが 78% 充てんされ、 前述した様に高 ¾J¾の I Cモジュール 10を得ることができる。 ま た樹脂の充てん剤中 10%は前述したテトラポット形状の追加フィラーとなって おり、 このため約 20%以上の 向上効果が得られる。 但し、 これ £Lhの充て ん剤の添加は、 粘度増大により、 作業性の大幅な低下が避けられないため、実用 的ではない。
また、 従来の樹脂中に含まれている柔 D¾)^、 すなわち、 エポキシ化されたシ リコーン、 ウレタン、 ポリブタジエン、 アクリルエラストマ一樹脂などのフレキ シブル樹脂は、 の度合が大きくなり、 I Cチップの破壌が生じやすくなるた め、 本発明の封止樹脂中には加えていない。
また、 封止樹脂の Tgは、 物理藏に関係の大きい架橋密度と密接な相関が見 られ、 低すぎると、 ¾J¾が得られず、高すぎると、 もろくなるため好ましくない。
130°C以上 180°C以下の範囲とすることカ ましい。
本件発明者は、 上言 止樹脂 13に関し、 J I S K6911に基づいて 2点 で支持された矩形断面を有する梁伏試験片に荷重を加えた場合の曲げ破壊 と、 その破壌時のたわみ量との比 Sを検討した。 次に S、 すなわち樹脂の曲げ破壤強 度 Z榭脂破壊時のたわみ量と、 I Cカードのたわみ破壊荷重 Hと関係を検討した 結果、 Sと Hとの間に図 7に示す相関関係があることを見出した。
図 7において、 I Cカードのたわみ破壊荷重 Hとは、 2^持された I Cカー ド 1に対して荷重を加えていき、 樹脂 13に囲まれた I Cチップ 12の破壊され た場合の荷重をいう。
また、 I Cカードたわみ破壌荷重 Hと I Cカード^ E¾gとの関係を図 8に示 す。 ここで図 8の I Cカード^ E¾ ^の定義は、 図 5に示す I Cカード^ の定義と同一である。
現在実用化されている I Cカードのたわみ破壊荷重は 2. 5Kg fのレベルで ある。 図 8に示す I Cカードのたわみ破壊荷重 Hと I Cカード点圧強度の関係か ら、 I Cカードのたわみ破壊荷重 Hが 2. 5Kgfを越えると、 I Cカード^ E ¾®が飛躍的に向上することがわかる。 このため図 7に示すように、 I Cカード のたわみ破壊荷重 Hが 2. となるよう、 S (曲げ破壊敵/破壌時のたわ み量） は 4Kg f Zmmとなる必要がある。 高信頼性を要求される用途において は、 他の物理 ¾J 、 I Cカード; ¾E¾¾から、 Hが 3KgJ¾±となること力《望ま しく、 その時の Sは 6Kg f /mm3 以上が となる。 S (曲げ破壊髓 Z破 壊時のたわみ量） の値は、 大きい程望ましいと考えられるが、現状の封止樹脂製 造においては、 Sが 18Kg fZmm3 gJ¾で限界と考えられる。 このときの樹 脂の曲げ破断 ¾ ^は 2 OKg f /mm2 、 ひずみは 1. となる。
Sがこれ ΰϋ:になると、封止 fmi:取扱いがきわめて困難となるため、実用的 ではない。 I Cモジュール 10の破壌時の觀旨 13を詳細に麟すると塑性破壤 を生じており、 榭脂の破断時の物性値である S (曲げ破壊 ¾J¾Z破壊時のたわみ 量） を用いることにより、 より現実的な I Cモジュール 10の破壌状況を予測す ることができる。
第 3の実施例
以下、 本発明の第 3の ^例について図 9 A乃至図 11により述べる。 図 9A 乃至図 9 Cに示すように、 I Cカード 100はポリ塩ィ匕ビニル等からなるカード i 01と、 このカード基体 101に形成された凹部 103内に装着された I Cモジュール 110とを備えている。
ここで図 9 Aは I Cカードの平面図、 図 9 Bは I Cモジュールの平面図、 図 9 Cは I Cモジュールの側断面図である。
このうち、 I Cモジュール 110は、 基材 111と、 この基材 111の一方の 面 （上面） に設けられ 溝 115b (内部 部分） によって複数の領域
115 aに区画された端子部 115と、基材 111の^の面 ( ®) に設けら れた I Cチップ 112と、 基材 111の他方の面に I Cチップ 112を囲んで設 けられた枠体 114とを有している。
また、 I Cチップ 112の ^ 1ノヽ°ッド 112 aと端子部 115とは、 基材
111の間隙 129を通るワイヤ 118によって電気的に接続されている。 また、 枠体 114内には、 I Cチップ 112回りを封止する封止樹脂 113が充てんさ れている。
また、 図 9 A乃至図 9 Cに示すように、 端子部 115の¾^は基材111の形 状より小さくなつており、 端子部 115の外周に基材 111が露出する外部絶縁 部分 115 c力く形成されている。 この外部絶縁部分 115 cは、 カード基体
101の短辺方向 L2 の幅 aと、 カード S^l 01の長辺方向 L1 の幅 bとを有 している。 これら外部絶縁部分 115 cの幅 a, bは、 いずれも絶縁溝 115 b の幅より大きくなつている。 また外部絶縁部分 115 cの幅 a， bは、 I SO規 格により定まる形状のカード基体 101 (54. 03mmx 85. 72mm) に 対して、
0. 2mm< ^方向 L2 の幅 a < 28. 02mm、
0. 2mm<;¾2方向 L1 の幅 b< 65. 85mm、
であることが好ましい。
この場合、 幅 a, bの最大値は、 I Cモジュール 110の基材 111を拡大し て基材 111の端縁をカード基材 101の端縁まで延ばした時に得ることができ *4)ο
具体的には外部 ife^部分 1 1 5 cの幅 aは 0. 6 mm、 幅 bは 0. 3 mmとな つており、 いずれも従来の I Cモジュールの外部絶縁部分の幅よりかなり大きく なっている。
次に I Cカード 1 0 0を構成する構成要素の材料について述べる。 まず I Cモ ジュール 1 1 0の基材 1 1 1は、 7 5 mm厚のガラスエポキシからなり、 また I Cカード^: 1 0 1はポリ塩ィ匕ビュルからなっている。 さらに I Cモジュール 1 1 0の基材 1 1 1の所定荷重を加えた場合の単位長さ当りの^^量は、 カード ^ i 0 1のものより大きくなつている （ （4) 式参照） 。
このように、 基材 1 1 1の所定荷重を加えた場合の単位長さ当りの 量を力 一ド S^ l 0 1より大きくとるとともに、 外部絶縁部分 1 1 5 cの幅 a， bを大 きくとることによって、 I Cカード 1 0 0の曲げに対する曲げ応力を柔軟な外部 部分 1 1 5 cで吸収することができ、 このため I Cチップ 1 1 2または封止 樹脂 1 1 3に対してクラックが発生することが防止される。
また、 本実施例における I Cモジュール 1 1 0は、 スルーホールを設けない簡 単な構造であり、 ^性、 コストの面でも優れている。
また、 I Cモジュール 1 1 0は、 絶縁溝 1 1 5 bをワイヤ 1 1 8が横切らない ようになつている。 なお、 図 9 Bに示すように、 端子部 1 1 5は、 絶縁溝 1 1 5 bにより複数の領域 1 1 5 aに区画されている力く、 I Cモジュール 1 1 0の長辺 方向の絶縁溝 1 1 5 bは直線状に形成されている。 また I Cモジュール 1 1 0の ^方向の絶縁溝 1 1 5 bはそれぞれの各領域 1 1 5 aが端子部 1 1 5の中心に 向かいかつ凸の円弧状となるよう形成されており、 かつ各領域 1 1 5 aの凸の円 弧状は、 それぞれ互い連いに配置されている。 なお、 位置関係を分かり易くする ため、 図 9 Bにおいて、 I Cチップ 1 1 2およびワイヤ 1 1 8の位置が点線で示 されている。 このように端^ 151 1 5に 溝 1 1 5 bを設けて各領域 1 1 5 aを形成する ことにより、 I cカード 1 0 0に対する曲げ （特に、： 方向の曲げ） の応力が 硬質の端子部 1 1 5の一箇所に集中することがなく t 1 1 5 bによつて形成 された钦質の基材 1 1 1に分散される。 このため端 1 1 5下部の I Cチップ 1 1 2、 ワイヤ 1 1 8、封止樹脂 1 1 3および枠体 1 1 4への曲げ応力を極めて 少なくすることができる。
本!^例に用いられた I Cモジュール 1 1 0の基材 1 1 1としては、 フレキシ ブルな、 ガラスエポキシからなる 7 5 厚を用いることができる。 これは、上 述のように I Cカード基体 1 0 1の材質であるポリ塩化ビニルよりも、 付加した 応力に対する単位長さあたりのたわみ量の大きい柔钦なものである。
なお基材 1 1 1としてガラスエポキシの他には、 ポリイミ ド、 ポリエステル、 紙フ Iノール、 B Tレジン等を基材として用いても良い。
基材 1 1 1および端子部 1 1 5を含めた厚みは、 総厚 1 2 0 tz m以下が望まし い。 端子部 1 1 5からの押圧に対するクッション性からは、 総厚 1 2 0 /x m以下 の中で出来るだけ基材 1 1 1の厚みを多くとった方が好ましい。
ポリイミ ドを基材 1 1 1として用いる場合、 厚みをかせぐ意味から多層にせざ るを得ないが、 この場合、 接着剤を用いることなく、 銅箔に直接ポリイミ ドをコ 一ティングしたもの、 もしくは、 層間の貼り合わせに熱可塑製のポリイミ ドを用 いたものがある。 いずれの場合も、封止樹脂 1 1 3と基材 1 1 1との接着體ょ りも、 層間の剥離 ¾¾が大きいこと力 で、層間の剥離 ¾Sとしては 2 K g以 上の ¾ ^が必要である。
次に図 1 1により、 端子部 1 1 5について述べる。 ここで図 1 1は基材 1 1 1 と端子部 1 1 5との関係を示す図である。
図 1 1に示すように、 I Cモジュール 1 1 0の基材 1 1 1に積層して設けられ た銅箔 1 2 1に対して S¾)K、 エッチングが施される。 銅箔 1 2 1としては、 圧延 銅箔、 銅箔いずれもでの使用も可能である。 基材 1 1 1との密¾¾の点およ びコストの点では 銅箔が適しているが、 柔钦性の点では圧延匍箔が適してい る。
次に銅箔 1 2 1に下地メツキ 1 2 2が設けられた後、 この下地メツキ 1 2 2上 に硬質金メツキ 1 2 3が設けられて端子部 1 1 5力形成される。硬質金メツキの 他、 軟質金メツキ、 銀メツキいずれも使用することができるが、 ίϋΙ性の点から は、硬質金メツキ 1 2 3が適し、 耐摩耗性からは、硬質金メツキの厚みは 1 ju m hが好ましい。
I Cモジュール 1 1 0の封止樹脂 1 1 3としては、 I Cチップ （半導体素子）
1 1 2を保護する点で、 I cチップ （半導体素子） 1 1 2より高強度、 ms ^ の封止樹脂が好ましく、 実用上では J I S K 6 9 1 1の曲げ弾性率 1 4 0 0〜 3 0 0 O K g f /mm2 、 曲げ破壊 ¾Jg l 1〜2 O K g f Zmm2 の高艇、 低 性のものであれば、 I Cチップ 1 1 2の破壌防止の点では効果的で、破壊時 のたわみ量 1. 3 mm以下のもの力好ましい。
枠体 1 1 4としては、 封止樹脂 1 1 3よりも、 高 、 低変形性のものであれ ば、 I Cカード 1 0 0の曲がり等の変形に対し、封止樹脂 1 1 3を保護すること ができる。 枠体 1 1 4としてはガラスエポキシや、 カーボンファイバー、 ジルコ 二アセラミックス、 チタンを用いることができる。 ガラスエポキシとしては、 ガ ラスクロスの直径が微細なもの程 が優れるため、 この強度を調整して用 t、る ことができる。 カーボンファイバーについても、 ファイバーの密度か いもの程、 ¾ ^が優れるため、 同じく ¾ ^を調整して用いる。 セラミックスはジルコニァセ ラミックス力ϋましい。
具体的には、 ガラスエポキシからなる枠体 1 1 4としては、 J I S Κδ 9 1 1 の曲げ弾性率 1 6 0 O K g f mm' ]¾±、 曲げ破壊 ¾JS 1 3 K g f /mm2 以 上の高 ¾S、 ® ^性のものを用いることができる。 上記、 ガラスエポキシからなる枠体 1 1 4を基材 1 1 0に設けるには、 例えば、 以下のようにして行う。
先ず、 枠体 1 1 4の高さに等しい所定の厚 （0. 5 mm) のガラスエポキシ板 に、 エポキシなどの熱硬 b 接着シートを仮装着する。
次いで、 仮装着されたものを、 枠体 1 1 4の高さ （0. 5 mm) より厚いガラ スエポキシ台 上に両面粘着テープで固定する。
次いで、上記ガラスエポキシ板を挟み込むように、紙フヱノール板を用いピン により固定した後、 ルーターによりガラスェポキシ板を枠体の形状に加工する。 この際、 枠体の内側 （中央） をくりぬいた後に枠体の外周を加工する。
加工された枠体 1 1 4を基材 1 1 1上に位置決めし、 1 6 0 、 1 5分間、 2 4 0 K g f の押圧の条件で、 ^ffi着し、基材 1 1 1上に固定された枠体 1 1 4 を得る。
他の枠体 1 1 4の形^法としては、 ポッティング、 シルク印刷方法で熱硬化、 U V硬化の樹脂を用 tゝて枠体を形成する方法が挙げられる。
I Cモジュール 1 1 0の外部絶縁部分 1 1 5 cの幅 a及び bは、 表 1に示すよ うに耐久性テストの結果決めたもので、特に、 この値に限定はされない。
なお、 耐久テストは、 I S O規格 （7 8 1 6— 1 ) の曲げテストを複数回繰り 返したもので、 I Cモジュール 1 1 0に破 S¾生が有るか否かで、 そのカードの 曲げに対する耐久性を判断したものである。
(表 1 ) 外部絶縁部分の幅 a I Cモジユールの破損発生の数
(顏ゾ
外部絶縁部分の幅 b mn
0. 2 0. 3 0. 4
0. 2 3 3 2
0. 3 2 2 2
0. 4 1 1 0
0. 5 0 0 0
0. 6 0 0 0
1. 0 0 0 0 I S 0規格 (7816-1) の曲げ試験は、最大たわみ量、長辺曲げ 2 Omm、 短辺曲げ 1 Ommを毎分 30回の速度で、長、短、表、裏の 4方向、 各 250回 ずつ、 合計 1000回繰り返すものである。
本耐久性テストは、 上記規格試験を 10セット、 合計 1000回、 繰り返すも のである。
これより、外部赚部分の幅 aを 0. 5mm£U:にすれば、 I SO規格 （78 16-1) に準じた曲 i ft久テス卜に耐えることが分かる。
本実施例においては端子部 115の各領域 115 a間の絶縁溝 115 bの幅は 0. 2mmとなっている力く、通常の I Cモジュール 110においてもこの^の 幅である。 また外部絶縁部分 115 cの幅 a, bは、 いずれも絶縁溝 115 の 幅よりも大きくなる。
次いで、 本発明の変形例について、 図 1 OA乃至図 10Cにより説明する。 こ のうち図 1 OAは I Cカードの平面図であり、 図 10 Bは I Cモジュールの平面 図であり、 図 10 Cは I Cモジユールの側断面図である。
図 1 OA乃至図 10 Cにおいて、 I Cカード 200はカード基体 201と、 力 一ド基体 201の凹部 203内に装着された I Cモジュール 210とを備えてい る。 また I Cモジュール 210は基材 211と、 溝 215 bによって複数の 領域 215 aに区画された端子部 215と、 I Cチップ 212と、 I Cチップ 212の @パッド 212 aと端子部 215とを接続するとともに基材 211の 間隙 229を通るワイヤ 218とを有している。
また基材 211には枠体 214力《設けられ、 この枠体 214内には I Cチップ 212回りを封止する封止樹脂 213が充てんされている。
図 1 OA乃至図 10 Cに示す I Cモジュール 210は、 端子部 215の絶縁溝 215 bを つてワイヤ 218が配設されている。 また図 1 OA乃至図 10 C において端子部 215の外部 部分 215 cのうちカード基体 201の長手方 向の幅 aと、 これに直交する方向の幅 bは、 それぞれ 0. 6mm、 0. 3mmと なっている。
なお、位置関係を分かり易くするため、 図 10Bにおいて I Cチップ 210お よびワイヤ 218の位置は で示されている。
I Cモジュール 210は、 ± ^のように、封止樹脂 213を補強するため枠体 214を有している。 なお封止樹脂 213および基材 211の材料は、 図 9 A乃 至図 9 Cに示す I Cモジュール 110のものと同一となっており、 I Cチップ 212や封止樹脂 213にクラックが発生しずらくなつている。
図 1 OA乃至図 10 Cに示す I Cモジュール 210の外部絶縁部分 215 cの 幅 a, bを種々変えて I SO規格 (7816-1)の耐久テストを行ったが、 図
9 A乃至図 9 Cに示す I Cモジュール 110とほぼ同じ結果が得られ、 外部 部分の幅 aを 0. 5mm以上にすれば、 I Cモジュール 210の破損の節制は見 られなかった。
次に、上記 例の I Cカード 100, 200を実際に してみた力 従来 の I Cカードにみられた、 I Cカードの曲がりに起因する I Cモジュールの物理 的故障を少なくできた。 特に、 I Cチップ 112, 212へのクラックは実使用 上で顕著な低減が確認された。
別に、 これらの I Cカード 100， 200について、 I Cカード 100, 200か不可逆的に^するほどの大きさの橈みを与えたが、 いずれも I Cモジ ユール 110, 210の物理的故障は見られなかった。
以上のように、 I Cモジュール 110, 210の基材 111, 211を基体
101, 201より柔軟なものとし、且つ、 I Cモジュール 110, 210の外 部絶縁部分 115 c, 215 cの幅 a, bを広くして端^ 115, 215を狭 くすることにより、 I Cモジュール 110， 210自体を I Cカード 100,
200の曲げに対し ίίέ¾よりも柔軟に対応できるようにすることができる。 これ により、 I Cカード 1 0 0 , 2 0 0の曲がりに起因する I Cモジュール 1 1 0 ,
2 1 0の物理的故陣を少なくすることができる。 この結果、 I Cチップ 1 1 2 ,
2 1 2のクラックおよび封止樹脂 1 1 3 , 2 1 3の破壤を顕著に低減することが できる。
第 4の実施例
次に本発明の第 4の実施例について、 図 1 2乃至図 1 5 Cにより説明する。 図 1 2に示すように、 第 4の実施例は図 1 Aおよび図 1 Bに示す I Cカード 1にお いて、 I Cモジュール 1 0の代わりにカード基体 2の凹部 3内に I Cモジュール 3 1 0を装着したものである。
すなわち、 図 1 2に示すように I Cモジュール 3 1 0は基材 3 1 1と、 この基 材 3 1 1の一方の面に設けられた端子部 3 1 5と、基材 3 1 1の の面に設け られた I Cチップ 3 1 2とを備え、 基材 3 1 1のtfc^の面に I Cチップ 3 1 2を 囲んで枠体 3 1 4力設けられている。 なお、 枠体 3 1 4内に、 I Cチップ 3 1 2 を封止する封止樹脂 1 3 (図 1 B参照） が充てんされるが、必ずしも封止樹脂 1 3を設けなくてもよい。
図 1 2に示すように、 枠体 3 1 4は平面矩 をなしており、 枠体 3 1 4の 4 つの辺のうちカード基体 2の長辺方向 L 1 と平行する 1辺の幅が他の 3辺の幅よ り大きくなつている。 このように枠体 3 1 4のうちカード基体 2の長辺方向と平 行する 1辺の幅を大きくすることにより、 カード基体 2の長辺方向に加わる曲げ 作用に対して枠体 3 1 4の剛性を高めることができる。
枠体 3 1 4としては、 封止樹脂 1 3 (図 1 B参照） よりも、 弾性率、 破断 等の ««的¾«が高く、 応力に対して変形の少ない材質を用いることが重要であ る。 封止榭脂 1 3は、 その の多くをフイラ一と呼ばれる固体の充てん剤 によってもたされているため、 その封止mJ:の制約から、 «I限に充てん剤を 増やし、 を上げることは困難である。 封止樹脂 1 3については曲げ弾性 - 2 1 - 率で 3 0 0 0 K g f /mm2 、 曲げ破壊碰で 2 0 K g f /mm2 が実用上の限 界であると考えられる。 従ってこれ以上の 強度を有する材料を枠体 3 1 4に 用いることにより、 枠体 3 1 4の補 ¾¾果が得られる。
本発明では、 曲げ弾性率 6 4 0 0 K g f /mm2 、 曲げ破壊 1 1 3 K g f /mm2 のカーボンファイバー製板材をルーター加工によりドーナツ形状に加工 して、良好な を有する枠体 3 1 4を得ることができる。 枠体 3 1 4の材質と しては、 カーボンファイバーまたはガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させたガ ラスエポキシが、 と、封止樹脂との接 の点から適しており、 ガラスェポ キシの場合はクロスの直径力、'細いもの程、 ¾Jtが高いため望ましい。
具体的には、 図 1 3に示すように枠体 3 1 4の高さ 0. 4 mmを得るために、 0. 1 mm厚のプリプレグを 4枚積層し、補強以外の含有率か くかっ觀 の大きな板材 3 1 4 aを した。 次にこの板材 3 1 4 aの片側の面に、接着シ ート 3 2 0を めした （図 1 3 ) 。 接着シート 3 2 0は従来から基板材料の接 着に用いられる熱硬ィ [^のエポキシ系、 または熱可 のポリエステル系のホッ トメルト接着シートが ~Ηϊδ的であるが、 熱硬ィ は接着時間が長く、 熱可塑型は 耐熱性に劣るなど欠点がある。 そのため、接着シート 3 2 0として、
と熱可塑 を混合し、 両方の特性をバランスした接着シート 3 2 0を用いた。 このような接着シート 3 2 0をロールラミネーターを用いて板材 3 1 4 aに fch めした後、 接着シート 3 2 0を 1 0 0 2 m厚のプラスチックフィルム 3 3 0で裏 うちして、 板材 3 1 4 a側からルーター 3 3 5を用いて所定のドーナツ に加 ェした （図 1 3 ) 。 次に接着シート 3 2 0からプラスチックフィルム 3 3 0を剥 離して、 枠体 3 1 4を ^した。 この枠体 3 1 4は接着シート 3 2 0を介して基 材 3 1 1に接着される。
なお板材 3 1 4 aをルーター加工する代わりに、 P P S (ポリフエ二レンスル フイ ド） 、 液晶ポリエステル等の高 ¾Sプラスチックのガラス 強 b i出 β£ により、 枠体 3 1 4を ¾¾することもできる。 この場合は、 ¾S的には、遜色な いものが 可能である力 封止樹脂 1 3との接着 が低いため、封止樹脂 1 3力、'枠体 3 1 4から剥離しやすい欠点がある。 そのため、 枠体 3 1 4の内側断 面^^に をつけ、封止樹脂の剥離を防止することができる。 また、 ジルコ二 アセラミックス、 チタンを用いても、良好な ¾Jtを有した枠体を ^することが できる。 またカーボンファイバー材については、 ルーター加工の他に型を用いた
^s も可能で、 ^^にはこちらの方式が有利である。
次に枠体 3 1 4の変形例について図 1 4 A乃至図 1 5 Cにより説明する。 まず 図 1 4 Aおよび図 1 4 Bにおいて、 枠体 3 1 4の基材 3 1 1側には接着シート 3 2 0が設けられ、 枠体 3 1 4内には空間 3 2 1が形成されている。 枠体 3 1 4 内面は基材 3 1 1に対して直交している （接着シート 3 2 0に対して直交してい る） が枠体 3 1 4外面は基材 3 1 1から離れる方向 （図 1 4 B下方） に向って先 細状に している。
このように、 基材との取付基部の ®¾を大きくすることで、 I Cチップ皿、 カードの曲がり方向に対して、 任意に補 ¾¾果を調節することができる。
次に図 1 5 Aに示す枠体 3 1 4は、 その外面が基材 3 1 1に対して直交してい るが、 その内面は基材 3 1 1から離れる方向 （図 1 5 A下方） に向って中央部分 まで空間 3 2 1が徐々に狭まるよう 斜し、 その後、基材 3 1 1に対して直交す る。
図 1 5 Bに示す枠体 3 1 4は、 その内面に凹凸 3 2 2力、'形成されている。 この ような凹凸 3 2 2によつて封止樹脂 1 3の枠体 3 1 4からの剥離が防止される。 図 1 5 Cに示す枠体 3 1 4は、 その内面および外面力基材 3 1 1から離れる方 向 （図 1 5 C下方） に向って先細状に している。 枠体 3 1 4の内面の に よって、封止樹脂の枠体 3 1 4からの剥離が防止される。

Claims

請 求 の 範 囲
1. 基材と、基材に設けられた端子部と、基材に設けられた I Cチップと、 基材に I Cチップを囲んで設けられた枠体とを有する I Cモジュールと、
この I Cモジュールが装着されたカード とを條え、
前言 材の所定荷重を加えた場合の単位長さ当りの 量は、前記カード基体 のものより大きいことを特徴とする I Cカード。
2. 枠体内に I Cチップを封止する樹脂を充てんしたことを特徽とする請求 項 1言 の I Cカード。
3. カード基体の所定荷重を加えた場合の単位長さ当りの変形量は、 樹脂の ものより大きいことを特徴とする請求項 2言 Bi¾の I Cカード。
4. 樹脂の所定荷重を加えた場合の単位長さ当りの娜量は、 枠体のものよ り大きいことを特徽とする請求項 2記載の I Cカード。
5. 枠体は樹脂の材料より、 曲げ弾性率か Hiくかつ曲げ破壊鍵か い材料 からなることを特徼とする請求項 2記載の I Cカード。
6. 樹脂の材料は、 曲げ弾性率が 1 4 0 0〜3 0 0 0 K g f /mm2 である ことを特徴とする請求項 2記載の I Cカード。
7. 樹脂の材料は、 曲げ破壌艇が 1 1〜 2 0 K g f /mm2 であることを 特徴とする請求項 6記載の I Cカード。
8. 樹脂の材料は、 曲げ破壊艇 Z曲げ破壊時のたわみ量が 6〜 1 8 K g f /mm3 であることを特徴とする請求項 2記載の I Cカード。
9. 樹脂の材料は、 T gが 1 3 0〜1 8 0。Cであることを特徴とする請求項 2記載の I Cカード。
1 0. 樹脂の材料は、 柔 以外の樹脂本体と、硬化剤と、 フィラー状の 充てん剤とを含み、 柔 «ζβ^を含まないことを特徴とする請求項 2記載の I C力
1 1. 榭脂中の充てん剤は 7 0MS%£LLを有することを特徴とする請求項 1 0記載の I Cカード。
1 2. 基材と、基材の一方の面に設けられた端子部と、基材の の面に設 けられた I Cチップと、基材の^の面に I Cチップを囲んで設けられた枠体と を有する I Cモジュールと、
この I Cモジュールが装着されたカード とを備え、
端^の形状は基材のものより小さくなって、 その外周に基材が露出する外部 部分を形成し、
端子部は内部絶縁部分によって複数の領域に区画さ 外部絶縁部分の幅は内 部! ^部分の幅より大きいことを特徴とする請求項 1記載の I Cカード。
1 3. カード基体の短辺方向の外部絶縁部分の幅は、 0. 2〜2 8. 0 2 m mとなっていることを特徴とする請求項 1 2記載の I Cカード。
1 4. カード基体の長辺方向の外部絶縁部分の幅は、 0. 2〜6 5. 8 5 m mとなっていることを特徴とする請求項 1 2言 2«Kの I Cカード。
1 5. I Cチップは、基材の の面に設けられた回路とワイヤによって接 続さ
このワイヤは端子部の内部絶縁部分によつて区画された領域内に配置されてい ることを特徴とする請求項 1 2記載の I Cカード。
1 6. 基材と、基材の一方の面に設けられた と、基材の の面に設 けられた I Cチップと、基材の他方の面に I Cチップを囲んで設けられた枠体と を有する I Cモジュールと、
この I Cモジュール力装着されたカード基体とを備え、
枠体は平面矩^ Kに形成されていることを特徴とする I cカード。
1 7. 枠体は、 少なくとも一3の幅が他の辺の幅より大きいことを特徴とす る請求項 16言 asの I cカード。
18. 枠体内に I Cチップを封止する樹脂を充てんしたことを特徴とする請 求項 16記載の I Cカード。
19. 枠体の断面?^は基材から離れる方向に向って小さくなることを特徴 とする請求項 16記載の I Cカード。
20. の内面には、 凹凸が形成されていることを特徴とする請求項 16 記載の I Cカード。
21. 枠体内空間は、基材から離れる方向に向って徐々に小さくなる断 ¾ を有していることを特徴とする請求項 16記載の I Cカード。
22. 基材と、
基材に設けられた端子部と、
基材に設けられた I Cチップと、
基材に I Cチップを囲んで設けられた枠体とを備え、
枠体内に I Cチップを封止する榭脂を充てんするとともに、
前言 材の所定荷重を加えた場合の単位長さ当りの 量は、 樹脂のものより 大きいことを特徴とする I Cモジュール。
23. 樹脂の所定荷重を加えた場合の単位長さ当りの変形量は、 枠体のもの より大きいことを特徴とする請求項 22記載の I Cモジュール。
24. 枠体は樹脂の材料より、 曲げ弾性率が高くかつ曲げ破壊 ¾Sが高 、材 料からなることを特敏とする請求項 22記載の I Cモジュール。
25. 樹脂の材料は、 曲げ弾性率が 1400〜3000Kg f /mm2 であ ることを特徴とする請求項 22記載の I Cモジュール。
26. 樹脂の材料は、 曲げ破壊 が 11〜2 OKg iZmm2 であること を特徴とする請求項 25記載の I Cモジュール。
27. 樹脂の材料は、 曲げ破壌鍵 Z曲げ破壊時のたわみ量が 6〜18Kg /mm3 であることを特徴とする請求項 2 2言 Ξ«の I Cモジュール。
2 8. 樹脂の材料は、 T gが 1 3 0〜1 8 0 であることを特徴とする請求 項 2 2記載の I Cモジュール。
2 9. 樹脂の材料は、樹脂本体と、硬化剤と、 フィラー状の充てん剤とを含 み、柔 を含まないことを特徴とする請求項 2 2言 B«¾の I Cモジュール。
3 0, 榭脂中の充てん剤は、 7 0fiS%を有することを特徴とする請求項 2 9言 5¾の I Cモジュール。
3 1. 基材と、
基材の一方の面に設けられた端子部と、
基材の の面に設けられた I Cチップと、
基材の の面に I Cチップを囲んで設けられた枠体とを備え、
端子部の形状は基材のものより小さくなって、 その外周に基材が露出する外部 部分を形成し、
端子部は内部 部分によつて複数の領域に区画され、 外部絶縁部分の幅は内 部絶縁部分の幅より大きいことを特徴とする I Cモジュール。
3 2. カード基体の^ 3方向の外部 部分の幅は、 0. 2〜2 8. 0 2 m mとなっていることを特徴とする請求項 3 1記載の I Cモジュール。
3 3. カード基体の長辺方向の外部絶縁部分の幅は、 0. 2〜6 5. 8 5 m mとなっていることを特徴とする請求項 3 1記載の I Cモジュール。
3 4. I Cチップは、 基材の他方の面に設けられた回路とワイヤによって接 ¾? tl^
このワイヤは端子部の内部絶縁部分によって区画された領域内に配置されてい ることを特徴とする請求項 3 1記載の I Cモジュール。
3 5. 基材と、
基材の一方の面に設けられた端子部と、 基材の^の面に設けられた I Cチップと、
基材の の面に I Cチップを囲んで設けられた枠体とを有する I Cモジユー ルとを備え、
枠体は矩形状に形成されていることを特徴とする I Cモジュール。
3 6. 枠体は、 少なくとも" 3の幅が他の辺の幅より大きいことを特徴とす る請求項 3 5§B«の I Cモジュール。
3 7. 枠体内に I Cチップを封止する樹脂を充てんしたことを特徵とする請 求項 3 5記載の I Cモジュール。
3 8. 枠体の断面 は基材から離れる方向に向って小さくなることを特徴 とする請求項 3 5記載の I Cモジュール。
3 9. 枠体の内面には、 凹凸が形成されていることを特徴とする請求項 3 5 記載の I Cモジュール。
4 0. 枠体内の空間は基材から離れる方向に向って徐々に小さくなる断 を有していることを特徵とする請求項 3 5記載の I Cモジュール。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997027625A1 (de) * 1996-01-24 1997-07-31 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur montage eines rahmens auf ein trägermaterial und vorrichtung zur durchführung des verfahrens
WO1998029906A1 (fr) * 1996-12-30 1998-07-09 Schlumberger Systemes Module a circuit integre comportant un organe de conformation
KR100330651B1 (ko) * 1997-06-23 2002-03-29 사토 게니치로 Ｉｃ카드용 모듈, ｉｃ카드, 및 ｉｃ카드용 모듈의 제조방법
JP2007148672A (ja) * 2005-11-25 2007-06-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｉｃモジュールおよび非接触ｉｃカード
JP2013206122A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Toppan Printing Co Ltd Ｉｃモジュールとこれを搭載したｉｃカード

Families Citing this family (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996032696A1 (fr) * 1995-04-13 1996-10-17 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Carte et module de circuit integre
TW381057B (en) * 1997-08-07 2000-02-01 Hitachi Ltd Semiconductor device
JP3914620B2 (ja) * 1997-10-16 2007-05-16 シチズン時計株式会社 Ｉｃカード
US6404643B1 (en) 1998-10-15 2002-06-11 Amerasia International Technology, Inc. Article having an embedded electronic device, and method of making same
US6690284B2 (en) * 1998-12-31 2004-02-10 Daito Corporation Method of controlling IC handler and control system using the same
JP3407192B2 (ja) * 1998-12-31 2003-05-19 株式会社ダイトー テストハンドの制御方法及び計測制御システム
FR2790850B1 (fr) * 1999-03-12 2004-02-27 Gemplus Card Int Procede de fabrication de dispositif electronique portable de type carte a puce
FR2799857A1 (fr) * 1999-10-14 2001-04-20 Gemplus Card Int Procede pour le renforcement d'un module de circuit integre de carte a puce
EP1093081A1 (en) * 1999-10-14 2001-04-18 Nippon Telegraph and Telephone Corporation Integrated circuit chip, method of manufacturing the same, IC card, and method of manufacturing the same
WO2001041054A2 (de) 1999-12-02 2001-06-07 Infineon Technologies Ag Chipkartenmodul mit anisotrop leitfähiger trägerfolie
JP3433422B2 (ja) * 2000-03-17 2003-08-04 住友電気工業株式会社 ガイド穴を有する光コネクタ用多心フェルール
KR100810797B1 (ko) * 2000-05-23 2008-03-06 엔엑스피 비 브이 데이터 기억 매체 및 ｉｃ 모듈
US6339024B1 (en) * 2000-06-28 2002-01-15 International Business Machines Corporation Reinforced integrated circuits
US6641049B2 (en) * 2000-08-31 2003-11-04 Pacusma Company, Ltd. Integrated circuit card with multiple integral electronic modules
JP3966686B2 (ja) * 2000-11-30 2007-08-29 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 接続材料
JP4873776B2 (ja) * 2000-11-30 2012-02-08 ソニー株式会社 非接触ｉｃカード
WO2002082364A1 (fr) * 2001-04-02 2002-10-17 Hitachi, Ltd. Dispositif semi-conducteur et son procédé de production
JP2003006603A (ja) * 2001-06-26 2003-01-10 Toshiba Corp Ｉｃカードおよびこのｉｃカードを有する情報処理装置
DE10139395A1 (de) * 2001-08-10 2003-03-06 Infineon Technologies Ag Kontaktierung von Halbleiterchips in Chipkarten
DE10147140A1 (de) * 2001-09-25 2003-04-17 Giesecke & Devrient Gmbh Chipkarte mit Display
FR2834103B1 (fr) * 2001-12-20 2004-04-02 Gemplus Card Int Carte a puce a module de surface etendue
DE10202727A1 (de) * 2002-01-24 2003-08-21 Infineon Technologies Ag Trägersubstrat für ein Chipmodul, Chipmodul und Chipkarte
DE10214314A1 (de) * 2002-03-28 2003-10-23 Nedcard B V Chipmodul
FR2838850B1 (fr) * 2002-04-18 2005-08-05 Framatome Connectors Int Procede de conditionnement de microcircuits electroniques pour carte a puce et microcircuit electronique ainsi obtenu
US6825744B2 (en) * 2002-04-29 2004-11-30 Analog Devices, Inc. Active alignment as an integral part of optical package design
JP2004021814A (ja) * 2002-06-19 2004-01-22 Konica Minolta Holdings Inc Ｉｃカードの作成方法及びｉｃカード
JP3866178B2 (ja) * 2002-10-08 2007-01-10 株式会社ルネサステクノロジ Ｉｃカード
DE10325564B4 (de) * 2003-06-05 2008-12-18 Infineon Technologies Ag Chipkartenmodul
JP4037332B2 (ja) * 2003-07-10 2008-01-23 シャープ株式会社 Ｉｃモジュールおよびｉｃカード
US6995462B2 (en) 2003-09-17 2006-02-07 Micron Technology, Inc. Image sensor packages
JP4641163B2 (ja) * 2003-11-19 2011-03-02 リンテック株式会社 識別機能紙および識別カード
JP4480385B2 (ja) * 2003-11-25 2010-06-16 Ｎｔｎ株式会社 Ｉｃタグ付軸受およびそのシール
DE202004003554U1 (de) * 2004-03-04 2004-06-03 Novacard Informationssysteme Gmbh Chipkarte
FR2877462B1 (fr) * 2004-10-29 2007-01-26 Arjowiggins Security Soc Par A Structure comportant un dispositif electronique pour la fabrication d'un document de securite.
DE602005013807D1 (de) * 2005-12-30 2009-05-20 Incard Sa IC Karte mit verbesserter Leiterplatine
DE602005014498D1 (de) * 2005-12-30 2009-06-25 Incard Sa Modul einer IC-Karte
FR2902277B1 (fr) * 2006-06-13 2008-09-05 Valeo Electronique Sys Liaison Support pour composant electrique et dispositif electrique comprenant le support et le composant
DE102006060411B3 (de) * 2006-12-20 2008-07-10 Infineon Technologies Ag Chipmodul und Verfahren zur Herstellung eines Chipmoduls
MY177316A (en) * 2008-02-22 2020-09-11 Toppan Printing Co Ltd Transponder and booklet
TWM362572U (en) * 2009-04-13 2009-08-01 Phytrex Technology Corp Signal convertor
EP2463809A1 (fr) 2010-12-07 2012-06-13 NagraID S.A. Carte électronique à contact électrique comprenant une unité électronique et/ou une antenne
USD691610S1 (en) 2011-11-07 2013-10-15 Blackberry Limited Device smart card
US8950681B2 (en) 2011-11-07 2015-02-10 Blackberry Limited Universal integrated circuit card apparatus and related methods
US8649820B2 (en) 2011-11-07 2014-02-11 Blackberry Limited Universal integrated circuit card apparatus and related methods
WO2013103281A1 (ko) * 2012-01-06 2013-07-11 주식회사 엘지화학 봉지용 필름
US9594999B2 (en) 2012-04-03 2017-03-14 X-Card Holdings, Llc Information carrying card comprising crosslinked polymer composition, and method of making the same
US9122968B2 (en) 2012-04-03 2015-09-01 X-Card Holdings, Llc Information carrying card comprising a cross-linked polymer composition, and method of making the same
USD703208S1 (en) 2012-04-13 2014-04-22 Blackberry Limited UICC apparatus
US8936199B2 (en) 2012-04-13 2015-01-20 Blackberry Limited UICC apparatus and related methods
USD731990S1 (en) * 2012-04-18 2015-06-16 Nok Corporation Integrated circuit tag
USD701864S1 (en) * 2012-04-23 2014-04-01 Blackberry Limited UICC apparatus
EP2850562B1 (fr) 2012-05-16 2016-12-28 Nagravision S.A. Procede de fabrication d'une carte electronique ayant un connecteur externe
EP2741241A1 (en) * 2012-12-10 2014-06-11 Oberthur Technologies A Chip Module having a Protective Layer
WO2014149926A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 X-Card Holdings, Llc Methods of making a core layer for an information carrying card, and resulting products
DE102013104567A1 (de) * 2013-05-03 2014-11-06 Infineon Technologies Ag Chipanordnung, Chipkartenanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Chipanordnung
EP2811427A1 (fr) * 2013-06-07 2014-12-10 Gemalto SA Procédé de fabrication d'un dispositif électronique anti-fissuration
USD770991S1 (en) * 2013-11-05 2016-11-08 Nok Corporation Integrated circuit tag
USD798868S1 (en) * 2015-08-20 2017-10-03 Isaac S. Daniel Combined subscriber identification module and storage card
USD773466S1 (en) * 2015-08-20 2016-12-06 Isaac S. Daniel Combined secure digital memory and subscriber identity module
US9911012B2 (en) 2015-09-25 2018-03-06 International Business Machines Corporation Overlapping, discrete tamper-respondent sensors
US10175064B2 (en) 2015-09-25 2019-01-08 International Business Machines Corporation Circuit boards and electronic packages with embedded tamper-respondent sensor
CN107025481B (zh) * 2016-02-02 2021-08-20 上海伯乐电子有限公司 柔性印制电路板及应用其的智能卡模块和智能卡
US9916744B2 (en) 2016-02-25 2018-03-13 International Business Machines Corporation Multi-layer stack with embedded tamper-detect protection
US9913370B2 (en) * 2016-05-13 2018-03-06 International Business Machines Corporation Tamper-proof electronic packages formed with stressed glass
US9881880B2 (en) 2016-05-13 2018-01-30 International Business Machines Corporation Tamper-proof electronic packages with stressed glass component substrate(s)
US10299372B2 (en) 2016-09-26 2019-05-21 International Business Machines Corporation Vented tamper-respondent assemblies
EP3483929B1 (en) 2017-11-08 2022-04-20 AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Component carrier with electrically conductive and insulating layers and a component embedded therein and manufacturing method thereof
US10306753B1 (en) 2018-02-22 2019-05-28 International Business Machines Corporation Enclosure-to-board interface with tamper-detect circuit(s)
US11361204B2 (en) 2018-03-07 2022-06-14 X-Card Holdings, Llc Metal card

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62249796A (ja) * 1986-04-23 1987-10-30 共同印刷株式会社 Ｉｃカ−ド
JPH0230598A (ja) * 1988-07-20 1990-01-31 Dainippon Printing Co Ltd Ｉｃモジュールおよびｉｃカード
JPH04179595A (ja) * 1990-11-14 1992-06-26 Dainippon Printing Co Ltd Ｉｃカードおよびその製造方法
JPH0542791A (ja) * 1991-08-09 1993-02-23 Omron Corp Ｉｃカード
JPH0562031A (ja) * 1991-08-30 1993-03-12 Mitsubishi Electric Corp Ｉｃカード

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3248385A1 (de) * 1982-12-28 1984-06-28 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Ausweiskarte mit integriertem schaltkreis
US4727246A (en) * 1984-08-31 1988-02-23 Casio Computer Co., Ltd. IC card
JP2502511B2 (ja) * 1986-02-06 1996-05-29 日立マクセル株式会社 半導体装置の製造方法
JPS62214998A (ja) * 1986-03-17 1987-09-21 三菱電機株式会社 薄型半導体カ−ド
JPH0517268Y2 (ja) * 1986-04-16 1993-05-10
DE3639630A1 (de) * 1986-11-20 1988-06-01 Gao Ges Automation Org Datentraeger mit integriertem schaltkreis und verfahren zur herstellung desselben
DE3723547C2 (de) * 1987-07-16 1996-09-26 Gao Ges Automation Org Trägerelement zum Einbau in Ausweiskarten
CA1314688C (en) * 1987-09-14 1993-03-23 Ian Harry Warren Stripping and recovery of dichromate in electrolytic chlorate systems
FR2625000B1 (fr) * 1987-12-22 1991-08-16 Sgs Thomson Microelectronics Structure de carte a puce
FR2629236B1 (fr) * 1988-03-22 1991-09-27 Schlumberger Ind Sa Procede de realisation d'une carte a memoire electronique et carte telle qu'obtenue par la mise en oeuvre dudit procede
US5208450A (en) * 1988-04-20 1993-05-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. IC card and a method for the manufacture of the same
DE3924439A1 (de) * 1989-07-24 1991-04-18 Edgar Schneider Traegerelement mit wenigstens einem integrierten schaltkreis, insbesondere zum einbau in chip-karten, sowie verfahren zur herstellung dieser traegerelemente
US5067008A (en) * 1989-08-11 1991-11-19 Hitachi Maxell, Ltd. Ic package and ic card incorporating the same thereinto
FR2662000A1 (fr) * 1990-05-11 1991-11-15 Philips Composants Carte a microcircuit.
FR2673039A1 (fr) * 1991-02-18 1992-08-21 Em Microelectronic Marin Sa Module protege pour carte a microcircuits.
FR2674052A1 (fr) * 1991-03-15 1992-09-18 Philips Composants Carte a microcircuit.
FR2677785A1 (fr) * 1991-06-17 1992-12-18 Philips Composants Procede de fabrication d'une carte a microcircuit.
WO1993009502A1 (en) * 1991-10-30 1993-05-13 I-Cube Design Systems, Inc. Field programmable logic module
FR2702067B1 (fr) * 1993-02-23 1995-04-14 Schlumberger Ind Sa Procédé et dispositif de fabrication de cartes à mémoire.
JPH0737049A (ja) * 1993-07-23 1995-02-07 Toshiba Corp 外部記憶装置
JPH07117385A (ja) * 1993-09-01 1995-05-09 Toshiba Corp 薄型ｉｃカードおよび薄型ｉｃカードの製造方法
DE4344297A1 (de) * 1993-12-23 1995-06-29 Giesecke & Devrient Gmbh Verfahren zur Herstellung von Ausweiskarten
FR2716281B1 (fr) * 1994-02-14 1996-05-03 Gemplus Card Int Procédé de fabrication d'une carte sans contact.
US5581445A (en) * 1994-02-14 1996-12-03 Us3, Inc. Plastic integrated circuit card with reinforcement structure for protecting integrated circuit module
US5519201A (en) * 1994-04-29 1996-05-21 Us3, Inc. Electrical interconnection for structure including electronic and/or electromagnetic devices
WO1996032696A1 (fr) * 1995-04-13 1996-10-17 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Carte et module de circuit integre

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62249796A (ja) * 1986-04-23 1987-10-30 共同印刷株式会社 Ｉｃカ−ド
JPH0230598A (ja) * 1988-07-20 1990-01-31 Dainippon Printing Co Ltd Ｉｃモジュールおよびｉｃカード
JPH04179595A (ja) * 1990-11-14 1992-06-26 Dainippon Printing Co Ltd Ｉｃカードおよびその製造方法
JPH0542791A (ja) * 1991-08-09 1993-02-23 Omron Corp Ｉｃカード
JPH0562031A (ja) * 1991-08-30 1993-03-12 Mitsubishi Electric Corp Ｉｃカード

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP0766197A4 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997027625A1 (de) * 1996-01-24 1997-07-31 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur montage eines rahmens auf ein trägermaterial und vorrichtung zur durchführung des verfahrens
WO1998029906A1 (fr) * 1996-12-30 1998-07-09 Schlumberger Systemes Module a circuit integre comportant un organe de conformation
KR100330651B1 (ko) * 1997-06-23 2002-03-29 사토 게니치로 Ｉｃ카드용 모듈, ｉｃ카드, 및 ｉｃ카드용 모듈의 제조방법
JP2007148672A (ja) * 2005-11-25 2007-06-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｉｃモジュールおよび非接触ｉｃカード
JP2013206122A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Toppan Printing Co Ltd Ｉｃモジュールとこれを搭載したｉｃカード

Also Published As

Publication number Publication date
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