WO1997039607A1

WO1997039607A1 - Dispositif de traitement au plasma

Info

Publication number: WO1997039607A1
Application number: PCT/JP1996/001018
Authority: WO
Inventors: Manabu Edamura; Ryoji Nishio; Ken Yoshioka; Saburo Kanai
Original assignee: Hitachi, Ltd.
Priority date: 1996-04-12
Filing date: 1996-04-12
Publication date: 1997-10-23
Also published as: KR100428428B1; KR100471728B1; KR20020009597A; KR20040011600A; US6245202B1

Description

明細鲁

プラズマ処理装 fi

技術分野

本発明は、半導体や液晶ディスプレーに使角される基板等の製造に用いられるプラズマ処理装 «およびプラズマ処理方法に係り、特にエッチングゃ成腴等の処理に好速なプラズマ処理装 ttおよびプラズマ処理方法に Wする。背景技術

半導体素子の高集積化ならびに半導体ウェハの大口径化ゃ液晶ディスブレーの大面穣化に伴い、半導体索子上にエツチング処理や成 R処理する処理装傲に求められる要求が、年々皴しくなつている。プラズマエツチング装便、プラズマ C V D装置およびプラズマアツシング装置といつたプラズマ処理装 «においてもその状況は同じである。つまり、スループットを向上させるため、プラズマの高密度化、被処理物の大面種化への対応およぴクリ一ン化等の実現が重要 »題となっている。

上記プラズマ処理装傲に用いられるプラズマ源として、高周波容量結合型プラズマ源、マイクロ波 E C Rプラズマ »およぴ高甩波誘導桔合型プラズマ ¾等があり、これらはその特徼を生かして橡々な ½理プロセスごとに使い分けられている。この 3つのプラズマ源の中で、高周波誘導結合型プラズマ源を備えたプラズマ処理装像が近年急速に普及している。誘導結合型プラズマ処理装置の一例が特開平 2— 235332号公報に示されている。この誘導結合型プラズマ処理装懨においては、チャンパの —部をなす石英などの絶緣材を介して処理チヤンパ外に配恨された、ループ、コイルあるいはらせん状の ¾周波アンテナに、数 100kHzから数 100MH zの高周波電力を耠«し、アンテナにより形成される誘導磁場が、処理チャンバ内に導入されたプロセスガスにエネルギを供給し、ブラズマを発生および維持している。なお、高周波誘導結合型プラズマ処理装 «においてアンテナをチャンバ内に眩ける場合もあり、例えば、特閱平 7 106095号公報に記載の例では、高周波 8 導コィルであるらせん型のアンテナを、チャンパ内の被処理物である半導体ウェハに対向する位置に胶釁している。これらの ¾用波 8導結合型プラズマ ftt理装置では、プラズマ中に誘導電流が生じ、プラズマと Λ周波アンテナが電気回路的に誘導結合している（アンテナを一次コイル、プラズマ中の電流を 2次コイルとみなしたトランス回路）ため、導結合型プラズマ ½理装雷と呼ばれる。

f 導結合型プラズマ処理装《の利点は、（ 1 ) 単純なアンテナと ¾周波電 ¾という简単で安価な構成で、数《To r rの低圧下で、 10^{1 1} ~ 10 ^u (佃/ C B ³ ) という比敕的高密度のプラズマを発生できること、 ( 2 ) 被処理物に対向して平面的にコイルを配¾することにより、大面積のプラズマを容易に発生させることができること、（3 ) 処理チャンパ内部が简素であるので、処理中に被処理物上に飛来する異物を少なくできること、等にある。これらの誘導結合型プラズマ «k理装 ¾では、低圧力の下で «密度のプラズマが発生し、イオンの平均自由行程が大きくなる。これにより、被処理物に入射するイオンの方向を搶えることができ、微細加工に適した ¾ぃ理速度が得られる。発明の鬩示

ところで、上記特鬩平 2 — 235332号公報に ffi載された誘導結合型ブラズマ処理装置においては、処理チャンパ中のプラズマに対して、 A用波アンテナを石英などの絶緣材を介して大気側に B£*している。そのため、絶緣材には大気圧に耐える十分な ¾度が必要であり、被処理物が大面積化している現状では、被処理物の面積に応じて絶緣材を厚くする必要がある。

また、アンテナとプラズマとは、誘導結合以外に静電容量的にも結合する。そして、艳緣材がプラズマにより削られることが頻発する。したがって、信頼性を十分高めるためには、絶緣材を厚くする必要がある。絶緣材カ *厚くなると、例え ίί、 Jounal of Vacuum Science All (5) , Sept/Oct 1993, P.2487 誌中の Ke 11 e rらの fife文に記載されているように、プラズマの生成効率が著しく低下し、プラズマの着火性、安定性に恶影響を与える。

—方、特閱平 7- 106095号公報に開示されたプラズマ処理装 ¾では、アンテナをチャンバ内に胶置したので、前述の生成効率の »βはある程度解決されるが、以下に述べる新たな不具合を生じる。

高周波アンテナの表面は艳緣材料により保謾されているが、誘導結合プラズマ装雷においては、一般にアンテナの直近に強いプラズマが生成されるため、特にプラズマエッチング装置のような反応性のガスを用いる装 ftでは、保護膜のダメージが極めて大きい。アンテナ自身は金属製なので、保護 Rが破損すると金 Λイオンを発生し、半導体ウェハにおいて金 JR汚染が生じる。また、アンテナそのものの交換が必要となり、メンテナンスに多大の時間とコストを要する、という不具合を生じる。さらに、アンテナの背後には冷却プレートが股置されており、このブレートを、アンテナに対して絶縁する必要がある。このような構造では、冷却プレートをアンテナに対して熱的に密着させにくい。真空中あるいはプラズマ処理中のような低圧力下では、構造物の接触面での熱伝達は ¾めて悪いので、冷却プレートによるアンテナの冷却効果をあまり期待できない、という他の不具合がある。

さらに、被処理物とは反対側に股けたアンテナの背後にも、被処理物側と同じように高い密度のプラズマが生成される。被処理物のプラズマ処理には、ァンテナ背後のプラズマは有効に使われないので、実質的なプラズマ生成効率が低下するとともに、背後のチャンバ壁が強いブラズマにさらされる、という他の不具合を生じる。

本発明は、上述の従来技術の »«および不具合を解決するためになされたものである。すなわち本発明の目的は、高周波アンテナを大^側に胶像したプラズマ処理装 βにおいては、プラズマ生成効率の課理、処理チヤンバ内に設鬣したプラズマ &理装置においては、 ¾餍波アンテナの表面保護および冷却の猓题、アンテナ背後に発生するプラズマによる効率低下の課题を解決し、より広い遠転条件下で、安定したプラズマを高い効率で生成できるプラズマ^理装 *を提供することにある。また、 « 頼性が ¾く、メンテナンスが容易なプラズマ処理装置を提供することをも目的とする。

上記目的を達成するための本発明の第 1の態様は、

上 SB課题は、高周波アンテナを処理チャンバ内節で、チャンバと一体 * 造とすることにより解決される。离用波電力を給電されるアンテナは、チヤンパとの Mを適切な厚みの絶縁材料によって »綠し、プラズマあるいは、プラズマ処理用の反応性ガスから保護するために、プラズマに接する表面をアルミナや石英などの絶緣材料で ¾う。アンテナは、範緣材を介して、プラズマに接することになるが、本発明では、大気圧を処理チャンバの部分でもたせているので、従来技術の大気側に誘導コィルを E雷するプラズマ処理装置に用いられる絶緣材の石英窓とは異なり、この艳緣材は、大気圧に »える必要が無いために、薄くすることが可能である。絶緣材は、大気圧に财えない厚さであるために、アンテナとその周りの铯緣材の Mには、腺 Mを作らないようにするか、あるいは、この陳間の部分の圧力を、常に処理チヤンパ内の圧力に近くすることが望ましい。実際は、絶緣材とアンテナの Wには、構造上、微小な隙 Mあるいは接触面が生じることがあるが、従来技術の項で述べたように、低圧下では、この部分の熱伝達が悪いために、アンテナが加熱してしまうという問題を生じる。この問を解決するために、例えば、 H eガスのような非反応性ガスを数 To r r程度、アンテナの用囲の腺 IWに導入するような構造とすることにより、アンテナの熱を直接あるいは閬接的に冷却される近傍の絶縁材に逃し、アンテナの加熟の問题は解決されるし、この程度の圧力に対しては、プラズマとアンテナのの艳緣材をそれほど厚くする必要もない。

本発明のプラズマ処理装 *によれば、プラズマの生成効率が向上し、より広い運転条件下で、安定したプラズマを生成できる。また、アンテナを保護する絶縁材が削れて減少しても、艳緣材のみを交換すればよいので、従来技術のアンテナに比べてメンテナンス性が向上する。その結果、プラズマ処理性能および装 βの稼働率が向上し、ハイスルーブットでの微細なエッチング加工や商品 Κな成 R加工およぴ表面処理が可能になる。

本発明のさらに他の目的および効果は、以下の詳細な説明から明らかになるであろう。図面の筒単な説明

第 1図は本発明に係るプラズマ処理装 *の一実施例の模式図で主要部を縱断面で示した図、第 2図はアンテナ部の分解斜視図、第 3図はアンテナ付近を拡大して示した模式図、第 4図は本発明に保るプラズマ処理装置の他の実旌例の模式図で主要 »を縱断面で示した 0、第 5 Ηないし第 8図は本発明に係るプラズマ処理装 βのさらに他の実施例の模式図で主要部を維断面で示した図である。発明を実施するための最良の形態

第 1図に、本発明のプラズマ処理装 «の一実 ½例を示す。処理チャンバ 3は、例えば表面をアルマイト処理したアルミニゥム製の其空容器であり、電気的に接地されている。処理チャンバ 3の下方にはチャンパ内のガスを吸引するための真空排気手段 6が、側部には被 ½理物である半導体ウェハ 1をチヤンパ内に擻入および搬出するための JR送システム 5 が股けられている。処理チヤンパ 3内には、半導体ウェハ 1 を載 ¾するための電植 2が股 ttされている。搬送システム 5により処理チヤンパ内に搬入された半導体ウェハ 1 は、鼋接のほぼ中央 »に股けられたブッシュロッド 1 3により電植 2上に遠ばれた後、 ¾流電濾 2 4に接絞され «¾ 2内に像えられた餘電チャック 1 5で静鼋吸着され、水平方向位置および垂直方向位置が保持される。電 ¾ 2は、アルミニウムあるいはステンレス等の金属材料から形成される。 »電チャック 1 6は、例えばァルミニゥムの電極上に、シリコンカーバイドあるいは ¾化チタニゥムを配合したアルミナ等の誘 «体材料を 1 mm程度の厚さ形成したものである。静電チャック 1 6に数 1 0 0 V程度の電圧が印加されると、半導体ゥェハ 1が »鼋チヤック 1 6に静電吸着される。また、プラズマ ½理中の半導体ウェハ 1に入射するイオンのエネルギを制御するために、電植 2に整合器 1 1を介して数百 K H zから数十 M H zの雨波数の高周波電源 1 2が接続される。さらに、電植 2の内部には、プラズマにより加熱される処理中のウェハの温度を一定に保っため冷却要の冷媒が流通する冷媒流路 1 5が形成されている。

ウェハ 1 と «¾ 2の間には、低圧力下での接触面の熟伝達を促進させるために、 H e等の非反応性ガスが數 To r r〜十数 To r r程度、流路 1 4 を通じて導入される。ウェハ載鬣面以外の電極表面は、艳緣材でできたサセブタ 1 7およびカバー 1 8等により、プラズマや反応性ガスから保護されている。

—方、ウェハと対向するチャンバ内の上方位雪には、本発明の特截的構成である高周波ァンテナシステムが設置されている。滴卷状のアンテナ 9 をアルミナセラミックス等の絶縁材 2 5 a、 2 5 b、 2 5 cで挟み込み、ウェハ 1 の対向面に水平 BB¾している。アンテナ 9の中央部は電流導入 «子 3 0 に接統され、この《流導入 «子 3 0には整合器 7、次いで高周波電源 8が接絞されている。 ¾周波電濠 8の周波数は、特に限定されないが、一般的には、数 100kHzから数 100MH zであり、商用周波数である 13. 56 MH zがもつとも実用的である。铯緣材 2 5 bの下面には、アンテナ 9 を収納するためにアンテナの形状に応じた溝が、上面には冷媒を流す流路 2 6が形成されている。

アンテナ 9 を挟み込む艳緣材 2 5 aの下面には、第 2図の斜視分解図に示したように、ファラデーシールド 2 8が設置されている。ファラデーシールド 2 8は放射状にスリットが形成された薄い金 JR板で電流導入端子 4 0に接絞されており、この電流導入 «子 4 0 と容器外に設けられたスィッチ 3 9 とが接 «されている。そして、スィッチ 3 9の一 «側は電気的に接地されている。シールド 2 8は、アンテナ 9 とプラズマ 4 とが «気回路的に容量結合するのを防止するもので、石英等からなる絶緣カバー 2 9が削れて減少するのを防止する。スィッチ 3 9は、ブラズマの着火の問を解決するために股置されている。すなわち、絶緣カバー 2 9の削れを防止するためには、アンテナとプラズマとの容量的な結合を防止する必要があるが、反面、プラズマが最初に着火する時には、この容量桔合成分が必要である。したがって、プラズマが着火する前は、スィツチ 3 9 を切断してシールド板 2 8 をアースから浮かせておき、ブラズマが着火した後はスィツチ 3 9 を投入してシールドとして機能させる。これにより、カバ一材の削れの防止と着火性の両機能を確保できる。 —般的なプラズマエッチング装镢では、ウェハを保持する電極に高周波を印加して、ウェハに負電位のバイアスを生じさせている。しかしながら、このバイァスのウェハ面内分布はしばしば不均一になっている。この不均一はウェハ 1 に対向した位置にしっかりしたアースを胶けることにより解決できるが、シールド板 2 8はこの対向アースとしても機能するので、ウェハに均一なパイァスをかけることができる。

アンテナ 9の下面を ¾ぅ絶艨カバー 2 9のほぼ中央 ¾には、処理ガスの吹出し口 3 1が形成されている。処理ガスは、チャンバの側面に胶« された処理ガスの導入配管 1 0から絶縁材 2 5 a、力パー板 2 9の Mを轾て、チヤンバ 3内にシャヮー状に導入される。絶綠材 2 5 a , 2 5 b , 2 5 cとアンテナ 9 とは、完全に一体構造とすることが望ましいが、ァルミナセラミツクスの加工寸法精度を安価に高精度化できないこと、金 «とセラミックスの熱靡張が異なること等から、アンテナ 9 と ¾緣材 2 5 b との Mには、少なくとも 0. Innオーダの BR Rができる。その結果、この！近傍での熟伝達が低下し、アンテナ 9で発生した熱は、冷媒流路 2 6 にほとんど逃げない。本実施例では伝熱促進のために、戴植 2 とゥェハ 1 の間の場合と同棣に、ガス供耠手段 3 7に格納された He、 A r、 X e 等の希ガスや S素ガス等の非反応性の伝熱促進ガスを数 T o r r程度、ァンテナ 9および艳緣材 2 5 bの陳間に導入する。

前述したように、プラズマ生成劫率を高めるためには、アンテナ 9 とプラズマ 4の距讎を小さくする必要があり、そのため、艳緣材 2 5 aの板厚は薄く大気圧に耐え得ない。しかしながら、数 n»程度の厚さがあれば数 T o r r程度の圧力には十分耐え得る。ただし、チャンパを大気開放したり、突然にトラブルが発生してアンテナ周りの圧力と処理チヤンパの圧力との圧力差が大きくなると、艳緣材 2 5 aが破損するおそれがある。そこで、常時上記圧力を圧力針 3 3、 3 4 を用いてモニタし、所定の圧力差が生じた場合に、安全回路 3 2がバルブ 3 5 を開放し、圧力差を解消する。本実施例においては、アンテナ用の冷媒 2 7 a , 2 7 bおよび非反応性ガスを供耠する供給手段 3 7 を、電極用の冷鏃 1 9 a , 1 9 bおよび非反応性ガスを供耠する供給手段 2 3 とは別に胺けている。しかし、これらの供給手段を共通化して、処理装置全体のコストを低減してもよい。なお、供給手段 2 3には供給流 iを調整するマスフローメータ 2 0 およびパルプ 2 1、ライン圧力を検知する圧力針 2 2等が接接されている。同棣にガス供給手段 3 7にもマスフローメータ 3 8およびバルブ 3 6が接統されている。

第 3図に、アンテナ付近を拡大した模式図を示す。アンテナ 9で発生した熱 4 5 は、アンテナ 8部に導入され 3 7 a、 K M «に充填された伝熱促進ガス 3 7 により絶緣材 2 5 bに伝わり、冷媒流路 2 6 を轾て外邾に運ばれる。この空開（腺間）は、大気およびプラズマ発生空 Wに対して気密に形成されており、プラズマ発生空 Wは絶縁材 2 5 aを 0リングシールして形成されている。伝熱促進ガスは、少量ならばプラズマ処理に対して影響がないので、必ずしもプラズマ発生空 Mに対して気密である必要がない。なお、図示していないが、艳緣材 2 5 a、 2 5 bにガスがよく行き渡るように、緣材の表面に溝が形成されている。

伝熱促進ガスを利用することにより、 ffl次的な効果も生まれる。例えばェッチング処理においては、チャンパの温度が重要なバラメータの一つであり、特にウェハに対向する面の温度はエツチング処理に強い影響を与える。したがって、第 1図に示すようにウェハに対向するカバー材 2 9 には表面温度をモニタする温度検出手段 4 1が設けられている。温度検出手段 4 1 により検出された温度を、伝熱促進ガスの圧力と冷媒の流量にフィ一ドバックしてカバー材 2 9の温度を調節する。なお、数 T o r r程度の非反応性ガスをァンテナ 9の周りに導入する代わりに、例えば、シリコングリース等の液体、あるいは粘性体をアンテナ 9 と絶緣材 2 5 b との Mの隙問に充填したり、高熱伝導性のエポキシ等で隙間を埋めてもよいが、半導体製造の分野では使用できる材質は制眼される。

本発明の第 2の実施例を第 4図に示す。この実施例においては、渦卷状のアンテナ 9 を管状に形成し、その中に直接冷却用の流体を流している。このように構成することにより、アンテナの冷却効率を高めることができるが、反面、 «周波電力が付加されるアンテナ内に冷媒を流す必要があり、腐蝕の発生による侰親性の低下のおそれがある。

ところで、第 1図に示した実施例においては、アンテナ 9の上に股けた絶錄材 2 5 b、 2 5 cの厚さを適切に股定する必要がある。ァンテナ 9により形成された変動磁 *範囲に金属製の処理チャンパ壁が存在する *合、プラズマ中の電子がアンテナによる誘導効果により Λ濁波電源からェネルギを供給されて加熱される。しかしながら、チャンパの金属にも誘導《流が発生して電力が消费されるので、生成効率が低下する。なお、上紀特開平 7 - 106095号公報に開示されたプラズマ ½理装 «では、アンテナの背後にもプラズマが発生するので、アンテナと背後のチャンバとの Mの距雜を気にする必要はない。しかし、アンテナ背後に発生するプラズマは、被処理物の処理に有効に使われない可能性が高く、無駄なプラズマの生成により、実質的なプラズマ生成効率が低くなる。本発明者らの実験によれば、少なくとも、アンテナとプラズマの閲の距離よりも、アンテナとチヤンバの間の距雄が大きいことが必要であり、できれば 2倍以上の距離があることが望ましい。つまり、アンテナ 9の下面からカバー 2 9の下面までの K離が、アンテナ 9の上面からチャンバ 3の上部内面までの距離の 2倍以上あることが望ましい。第 5図に、本発明の他の実施例を示す。本実施例においては、チャンバ 3の上部を絶緣材 2 5 cで構成したので、前述したチャンバを椿成する金属に起因するプラズマの生成効率の低下を解消している。これにより、アンテナ 9の上部の艳錄材の厚さを気にする必要がなく、装 Sをコンパクトにできる。

第 6図に、本発明のさらに他の実施例を示す。本実施例においては、アンテナ 9は内側と外側の 2系銃から構成されており、各アンテナの系铳はワンターンのコイルである。アンテナには高周波電力が給電される。それぞれのアンテナ系銃に対して適切に電力を分できる整合回路 7が備えられている。整合回路 7が、内側と外側のアンテナ系統への給電割合を変え、プラズマの分布を制御する。さらに、本実施例においては、シールド板 2 8 に対して接地/非接地の切り瞽えが可能である。また、シールド板 2 8 と «周波電源 4 3あるいは直流電源 4 4 との接続も可能である。これらの電力をシールド板 2 8に印加することにより、カバ一材 2 9の表面に付着する反応生成物をプラズマクリーニングできる効果がある。

第 7図に本発明のさらに他の実施例を示す。本実施例では、コイル形状のァンテナ 9がチヤンバの側面に ¾されている。したがって、力バー 2 9あるいはシールド 2 8等も筒型に形成されているが、第 1 図のようにウェハの対向位置に配 *した場合と同搛の効果がある。ただし、ガス流れの対称性を保持するため、処理ガスの吹出し口 3 1 を、ウェハと対向する位置に股けることが望ましい。

第 8図に、本発明のさらに他の実施锊を示す。本実施例においては、誘導桔合型プラズマ処理装 ttについて説明するが、マイクロ波等の高い周波数を利用したァンテナからの «磁波放射型のプラズマ処理装 ttにも同様に適用できる。第 8図において、マグネトロン 5 1から導波管 5 3、同輪変換器 5 2 および同轴線路 5 4 を経てアンテナ 9に数百 M H zから数 G H zの ¾周波電力が供給される。アンテナ 9からは電磁波が放射され、アンテナ 9 の側方に設けた磁 *コィル 4 9およびこの磁場コイルの下方に胺けた補助コイル 5 0とが静磁場を形成する。上記電磁波とこの餘磁場との相互作用によりプラズマが生成される。アンテナ近傍の構造は第 1図に示した実施例とほぼ同棣であるが、銹導接合型のプラズマ処理装 ¾ではないので、ファラデーシールド 2 9を省いている。このような、誘導結合ブラズマとは、全く異なる屎理のプラズマ処理装儺であっても、アンテナを用いる装置であれば全て本発明を適用できる。

以上、本発明の実施例を半導体デバイス製造用のプラズマエツチング装 *を例にとり示したが、本発明は、プラズマエツチング装 »に限定されるものではなく、プラズマ C V D装 *、プラズマアツシング装置、ブラズマスパッタ装霣などに遍用が可能である。また、半導体デバイスの处理のみならず、浓晶デイスブレイ基板の処理や表面処理全艘に邃用が可能である。さらに、プラズマ発生方式も 8導結合型プラズマ装置に限らず、ァンテナから電磁波を放射するタイブのプラズマ発生方法であれば、様々な装 ¾に邃用可能である。

なお、本明細書に記載した好ましい実旅例は例示的なものであり ¾定的なものではない。発明の範囲は添付のクレームによって示されており、それらのクレームの意味の中に入るすべての変形例は本発明に含まれるものである。

Claims

請求の範囲

1 .気密に形成された処理チヤンバと、この処理チヤンパに取り付けられ処理用のガスを導入するガス導入手段と、前記処理チヤンバ内に導入された処理ガスを排気する排気手段と、前記処理チヤンパ内に設けられ被処理物を載 ttする載懂手段と、プラズマ発生の電力を供給する電力供給手段とを僮えたプラズマ処理装傲において、

前記 «力供給手段にプラズマ発生用のアンテナを接続し、このアンテナを前記処理チャンバ内に配 *したことを特«とするプラズマ処理装置。

2 . 前記処理チャンバと前記アンテナ間に、少なくともアンテナとブラズマ発生位雷との間の距雄よりも大きい厚さを有する絶緣材料を股けたことを特徵とする請求項 1 IB載のプラズマ «I理装 «。

3 . 前記アンテナを、前記載 tt手段の上面に対向して配 βしたことを特徼とする請求項 1記載のプラズマ処理装置。

4 . 前記処理チャンバの前 IBアンテナを囲む部分を絶緣材料で形成したことを特徴とする謂求項 1記載のプラズマ処理装置。

5 . 前記アンテナは少なくとも 2系铳胶けられ、その各々が前配電力供袷手段に接統されていることを特後とする請求項 1記載のプラズマ処理装 11。

6 .前記アンテナとプラズマ発生空 raの wに、導電性の材科からなるシールド板を殷置したことを特徼とする請求項 1記載のプラズマ処理装懂。

7 .前記シールド板の接地と、非接地とを切り換える切り換え手段を股けたことを特藪とする請求項 6記載のプラズマ処理装 11。

8 .前記シールド板を ¾周波電源に接綾したことを特徼とする請求項 6 IS載のプラズマ処理装 ¾。

9 .前記シールド板を ¾流«源に接続したことを特徽とする請求項 6記載のプラズマ処理装雷。

1 0 .前記チャンバ内の前記アンテナと、このアンテナの周囲に胶けた艳縁材料とで区画される空間に、少なくとも大気圧よりも低い圧力の非反応性ガスを導入する手段を股けたことを特後とする請求項 1記載のブラズマ処理装置。

1 1 .前記アンテナを覆う絶縁材料と、この絶緣材料と前記アンテナとで区画された空 Mの圧力を検出する第 1の検出手段と、この空 IWに開閉自在な制御手段を有する速通路を介して接統された処理チヤンバ内の圧力を検出する第 2の検出手段とを眩け、この第 1および » 2の検出手设の検出した前 IS 2つの圧力の圧力差が所定值以上のときに、前 ¾通路を開閉する制御手段を開にする手段を股けたことを特徵とする請求項 1 記載のプラズマ処理装泄。

1 2 .前記被処理物の温度を検出する度検出手段と、この温度検出手段が検出した度に基づいて前 ffi被処理物の温度を ϋ節する温度謂節手段と、前記アンテナを温度爾節する冷鏃供給手段とを股け、前記 a度赒節手段と前記冷媒供給手段とを共通にしたことを特徽とする請求項 1記載のプラズマ処理装 ¾。

1 3 .前 E被処理物と前記載置台の間に非反応性ガスを供給する供給手段を股け、この供耠手段は前 1£アンテナ近傍に伝熱促進用の非反応性ガスを供給するものであることを特 ftとする請求項 6 IB載のプラズマ処理装置。

1 4 .前記アンテナの近傍に配鬣された部材に、この部材の温度を検出する温度検出手段を、非反応性ガスを前記アンテナ近傍に供給する非反応性ガス供耠手段をそれぞれ股けると共に、この非反応性ガス供給手段に非反応性ガスの圧力を制御する圧力制御手段を股け、非反応性ガスの圧力および前記温度検出手段の検出した部材の温度に基づき、前記アンテナ近傍の節材の温度を制御する制御手段を股けたことを特 ftとする猜求項 6記載のプラズマ処理装置。

1 5 .前記アンテナにはマイクロ波が前記電力供給手段により印加されており、このマイク口波の两波数が 4 0 0 kH zないし 1 0 0 Mh z出あることを特徽とする請求項 1に《Β載のプラズマ処理装 *。

1 6 .気密に形成された処理チヤンバ内に胶けられた載 ¾手段に載 *された被処理物をこのチヤンバ内に胶けられたプラズマ発生手段が発生したプラズマを用いてプラズマ処理するプラズマ ½理方法において、前記処理チャンバに一体的に股けられたアンテナとプラズマが発生する空間との Kに股けた導電性のシールド板を初めに非接地にし、ブラズマが点火した後に前 Kシールド板を接地に切り換えることを特«とするプラズマ処理方法。

1 7 . 半導体ウェハ面上に »されたプラズマ処理面を有する半導体デバイスであって、気密に形成された処理チヤン内にこのチヤンパと一体的に形成され、プラズマ発生用の《力を供給する電力供給手段に接絞されたアンテナと、このアンテナに対向して前チヤンバ内に胶けられた載雪台に载 11された前記半導体ウェハとの Mに生成されたプラズマにより、—前記半導体ウェハ面上にプラズマ処理面を形成したことをことを特接とする半導体デバイス。

1 8 .気密に形成された処理チヤンパ内に股けられた載置手段に載置され、このチヤンパ内に股けられたプラズマ発生手 Sが発生したプラズマを用いてプラズマ処理面が形成される半導体デバイスのプラズマ処理方法において、

前記処理チャンバに一体的に胶けられたアンテナとプラズマが発生する空 Mとの間に胶けた導電性のシールド板を初めに非接地にし、ブラズマが点火した後に前記シールド板を接地に切り挑えることを特徽とする半導体デバイスのプラズマ処理方法。

1 9 . 半導体ウェハ面上に施されたプラズマ処理面を有する液晶ディスブレイ基板であって、気密に形成された処理チヤンパ内にこのチャンパと一体的に形成され、プラズマ発生用の電力を供耠する電力供給手段に接耪されたアンテナと、このアンテナに対向して前記チャンバ内に股けられた載像合に載鬣された前半導体ウェハとの Mに生成されたブラズマにより、前記半導体ウェハ面上にプラズマ処理面を形成したことをことを特微とする液 fiディスブレイ基板。

2 0 .気密に形成された処理チャンパ内に肤けられた載 ¾手段に载¾され、このチャンバ内に股けられたプラズマ発生手段が発生したプラズマを用いてプラズマ処理面が形成される液晶ディスブレイ基板のプラズマ処理方法において、

前記処理チヤンバに一体的に Kけられたアンテナとプラズマが発生する空間との IWに胶けた導雪性のシールド: Rを初めに非接地にし、ブラズマが点火した後に前記シールド板を接地に切り換えることを特徽とする液晶ディスブレイ基板のプラズマ ½理方法。

2 1 .気密に形成された理チヤンパ内に股けられた載置手段に載 ¾された被処理物をこのチヤンパ内に胶けられたプラズマ発生手段が発生したプラズマを用いてプラズマ処理するプラズマ処理方法において、前記処理チャンバを其空引きした後、このチャンパに一体的に胶けられたアンテナを用いてプラズマを発生させることを特«とするプラズマ処理方法。

2 2 .前 Kアンテナはチャンバ壁面に埋め込んで形成されたものであることを特徼とする請求項 2 1に ffi載のプラズマ処理方法。