WO2000003560A3 - Verfahren zur herstellung einer gefüllten vertiefung in einer materialschicht, sowie eine durch das verfahren erzeugte integrierte schaltungsanordnung - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer gefüllten vertiefung in einer materialschicht, sowie eine durch das verfahren erzeugte integrierte schaltungsanordnung Download PDF

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Abstract

Die Vertiefung wird in einer Materialschicht (S) erzeugt, indem in verschiedenen Schritten mindestens eine erste Struktur (S1) und eine zweite Struktur (S2) erzeugt werden, die seitlich aneinandergrenzen und bis zu einem Boden der Vertiefung reichen. Die erste Struktur (S1) und die zweite Struktur (S2) sind so schmal, daß sie durch konformes Erzeugen von Schichten (F1, F2), deren Dicke unabhängig und kleiner als die Tiefe der Vertiefung sind, erzeugt werden können. Die konform erzeugten Schichten (F1, F2) werden durch einen geeigneten Abscheideprozeß gebildet. Über der ersten Struktur (S1) und der zweiten Struktur (S2) kann eine Deckelstruktur erzeugt werden, in der eine Öffnung angebracht werden kann, durch die die erste Struktur (S1) und die zweite Struktur (S2) in einem Ätzschritt entfernt werden können.
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JP2000559711A JP2002520862A (ja) 1998-07-08 1999-07-02 充填される凹部を材料層内に形成する方法、およびこの方法により形成される集積回路装置
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE262262T1 (de) * 2000-08-24 2004-04-15 Fachhochschule Furtwangen Elektrostatischer elektroakustischer wandler
US20040040504A1 (en) * 2002-08-01 2004-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
DE10247487A1 (de) * 2002-10-11 2004-05-06 Infineon Technologies Ag Membran und Verfahren zu deren Herstellung
MXPA05008024A (es) 2003-01-31 2006-01-27 Dow Corning Ireland Ltd Unidad de electrodos para generacion de plasma.
KR20080005854A (ko) 2006-07-10 2008-01-15 야마하 가부시키가이샤 압력 센서 및 그의 제조 방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4753901A (en) * 1985-11-15 1988-06-28 Ncr Corporation Two mask technique for planarized trench oxide isolation of integrated devices
EP0340524A1 (de) * 1988-05-03 1989-11-08 International Business Machines Corporation Planarizierungsverfahren zur Isolation mit breiten Graben
US5324683A (en) * 1993-06-02 1994-06-28 Motorola, Inc. Method of forming a semiconductor structure having an air region
US5358891A (en) * 1993-06-29 1994-10-25 Intel Corporation Trench isolation with planar topography and method of fabrication
US5665622A (en) * 1995-03-15 1997-09-09 International Business Machines Corporation Folded trench and rie/deposition process for high-value capacitors
DE19636914A1 (de) * 1996-09-11 1998-03-12 Siemens Ag Verfahren zum Auffüllen eines Grabens mit Hilfe eines anisotropen Ätzprozesses
EP0862207A1 (de) * 1997-02-27 1998-09-02 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung eines DRAM-Grabenkondensators

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4211582A (en) 1979-06-28 1980-07-08 International Business Machines Corporation Process for making large area isolation trenches utilizing a two-step selective etching technique
DE3727142C2 (de) * 1987-08-14 1994-02-24 Kernforschungsz Karlsruhe Verfahren zur Herstellung von Mikrosensoren mit integrierter Signalverarbeitung
FR2700065B1 (fr) 1992-12-28 1995-02-10 Commissariat Energie Atomique Procédé de fabrication d'accéléromètres utilisant la technologie silicium sur isolant.
US5395790A (en) 1994-05-11 1995-03-07 United Microelectronics Corp. Stress-free isolation layer
US5374583A (en) 1994-05-24 1994-12-20 United Microelectronic Corporation Technology for local oxidation of silicon
DE19509868A1 (de) * 1995-03-17 1996-09-19 Siemens Ag Mikromechanisches Halbleiterbauelement
US5610431A (en) * 1995-05-12 1997-03-11 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Covers for micromechanical sensors and other semiconductor devices
JPH098039A (ja) 1995-06-26 1997-01-10 Oki Electric Ind Co Ltd 埋め込み配線の形成方法及び埋め込み配線
DE19648424C1 (de) * 1996-11-22 1998-06-25 Siemens Ag Mikromechanischer Sensor
JP3274647B2 (ja) * 1998-05-15 2002-04-15 日本電気株式会社 光半導体素子の実装構造

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4753901A (en) * 1985-11-15 1988-06-28 Ncr Corporation Two mask technique for planarized trench oxide isolation of integrated devices
EP0340524A1 (de) * 1988-05-03 1989-11-08 International Business Machines Corporation Planarizierungsverfahren zur Isolation mit breiten Graben
US5324683A (en) * 1993-06-02 1994-06-28 Motorola, Inc. Method of forming a semiconductor structure having an air region
US5358891A (en) * 1993-06-29 1994-10-25 Intel Corporation Trench isolation with planar topography and method of fabrication
US5665622A (en) * 1995-03-15 1997-09-09 International Business Machines Corporation Folded trench and rie/deposition process for high-value capacitors
DE19636914A1 (de) * 1996-09-11 1998-03-12 Siemens Ag Verfahren zum Auffüllen eines Grabens mit Hilfe eines anisotropen Ätzprozesses
EP0862207A1 (de) * 1997-02-27 1998-09-02 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung eines DRAM-Grabenkondensators

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