WO2000014807A1 - Hochspannungs-halbleiterbauelement - Google Patents

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WO2000014807A1
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Jens-Peer Stengl
Helmut Strack
Hans Weber
Heimo Graf
Michael RÜB
Dirk Ahlers
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Siemens Aktiengesellschaft
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    • H01L29/4238—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out characterised by the surface lay-out

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor component with a semiconductor body having a blocking pn junction, a first zone of a first conductivity type which is connected to a first electrode and to a zone forming the blocking pn junction of a second conductivity type opposite to the first conductivity type and a second zone of the first conductivity type which is connected to a second electrode, the side of the zone of the second conductivity type facing the second zone forming a first surface and in the region between the first surface and a second surface which lies between the first surface and the second zone, areas of the first and the second conduction type are nested.
  • Such semiconductor components are also referred to as compensation components.
  • compensation components are, for example, n- or p-channel MOS field-effect transistors, diodes, thyristors, GTOs or other components.
  • a field effect transistor also called “transistor” for short
  • Compensation components are based on mutual compensation of the charge of n- and p-doped regions in the drift region of the transistor.
  • the areas are spatial so arranged that the line integral via the doping along a line running vertically to the pn junction remains below the material-specific breakthrough charge (silicon: approx. 2 x 10 12 cm -2 ).
  • p- and n-pillars or plates etc. can be arranged in pairs in a vertical transistor, as is customary in power electronics.
  • p- and n-type layers can be stacked alternately laterally between a trench covered with a p-type layer and a trench with an n-type layer (cf. US Pat. No. 4,754,310).
  • the control of the reverse voltage requires a controlled adjustment of the degree of compensation, which can be defined for values in the range ⁇ 10%. With a higher gain in switch-on resistance, the range mentioned becomes even smaller.
  • the degree of compensation can be defined by
  • This object is achieved according to the invention in a semiconductor component of the type mentioned at the outset in that the regions of the first and second conductivity types are doped in such a way that charge carriers of the second conductivity type in regions near the first surface and charge carriers of the first in regions near the second surface Line type predominate.
  • the regions of the second conduction type preferably do not extend as far as the second zone, so that a weakly doped region of the first conduction type remains between this second surface and the second zone. However, it is possible to let the width of this region go towards “zero”.
  • the weakly doped region provides various advantages, such as increasing the reverse voltage, “soft” course of the field strength or improving the commutation properties of the inverse diode.
  • Another development of the invention provides that a degree of compensation caused by the doping is varied between the first and second surfaces in such a way that atomic trunks of the second conduction type dominate near the first surface and atomic trunks of the first conduction type dominate near the second surface.
  • the gradient of the field is significantly less than it would correspond to the doping of the n-region alone.
  • overcompensation of the n-type area with acceptors enables a field distribution that increases towards the rear (p-
  • the field maximum lies in such an interpretation at the bottom of the p-area. If the two doping compensate each other exactly, a horizontal field distribution results.
  • the maximum breakdown voltage is achieved with an exactly horizontal field distribution. If the acceptors or donors predominate, the breakdown voltage decreases in each case. If one therefore plots the breakdown voltage as a function of the degree of compensation, the result is a parabolic curve.
  • a constant doping in the p- and n-conducting regions or a locally varying doping with periodic maxima of the same level leads to a comparatively sharp maximum of the "compensation parabola".
  • a comparatively high breakdown voltage must be targeted in order to achieve reliable yields and production reliability. The aim must therefore be to make the compensation parabola as flat and wide as possible.
  • the drift path i.e. the area of the areas of opposite doping arranged in pairs, cleared of movable charge carriers.
  • the positively charged donor hulls and the negatively charged acceptor hulls remain in the spanning space charge zone. You then first determine the course of the field.
  • the current flow through the space charge zone causes a change in the electric field when the concentration of the charge carriers associated with the current flow comes into the range of the background doping. Electrons compensate donors, holes acceptors. It is therefore very important for the stability of the component which doping is local predominates where charge carriers are generated and how their concentrations occur along their current paths.
  • n-doped region also called “column” in the case of a vertical transistor
  • High current stability is promoted by predominance of the n-doping; however, since the channel area with its positive temperature coefficient prevents inhomogeneous current distribution in a cell field, this operating mode is rather uncritical.
  • a reduction in the current density can be achieved by partially shading the channel connection (cf. DE 198 08 348 AI).
  • the electrons flow out of the drift region and therefore do not influence the field longitudinal electrical field drawn to the top source contact.
  • the hole current is focused along its path through the electrical transverse field: the current density increases here.
  • the longitudinal electrical field is thus initially influenced close to the surface.
  • p-load there is a reduction in the gradient of the electrical field and an increase in the breakdown voltage. This situation is stable as long as the field remains clearly below the critical field strength (for silicon: about 270 kV / cm for a charge carrier concentration of approx. L ⁇ ! 5 cm ⁇ 3).
  • the breakthrough is near the surface.
  • the holes flow to the source contact and influence the field on the way from where it originated to the p-well.
  • the aim must therefore be to bring the breakthrough location as close as possible to the p-well. This can be done, for example, by locally increasing the n-doping.
  • the electrons flow through the complete drift zone to the rear and also influence the field along their current path. Stability is achieved when the effect of the electron current outweighs that of the hole current. Since the geometry of the cell arrangement plays an important role here, there is a range of stable and unstable characteristic curves, particularly near the maximum of the compensation parabola.
  • the conditions in the Avalanche are very similar to those in the event of a breakthrough.
  • the currents are significantly higher and are up to twice the nominal current of the transistor at a nominal current. Since the electrical transverse field always causes the current to be clearly focused, the stability range is left with compensation components at a comparatively low current load. Physically, this means that the current-induced field increase has already progressed so far that the breakthrough field strength is locally reached.
  • the longitudinal electrical field cannot then locally increase further, but the curvature of the longitudinal electrical field continues to increase, which results in a decrease in the breakdown voltage of the affected cell. In the characteristic curve of a single cell and also in the simulation, this is shown by a negative differential resistance; ie the voltage decreases with increasing current. In a large transistor with several 10,000 cells, this will lead to a very rapid inhomogeneous redistribution of the current. A filament is formed and the transistor melts locally.
  • the degree of compensation along the doping regions i.e. in the case of a vertical structure from the top towards the rear of the transistor, it varies so that near the surface the atomic trunks of the second conduction type predominate and near the rear the atomic trunks of the first conduction type.
  • the resulting field distribution has a "hump-shaped" course with a maximum at about half the depth (cf. FIG. 6). Both the electrons and the holes in the breakthrough and in the avalanche thus influence the field distribution. Both charge carrier types have a stabilizing effect because They originate in areas where they compensate for the dominant, excess background doping, so there is a continuous range of stability from p-type to n-type levels of compensation.
  • a variation in the degree of compensation due to production fluctuations only slightly and continuously shifts the breakthrough location in the vertical direction, as long as this variation is smaller than the technically adjusted variation in the degree of compensation.
  • the size of this modification of the degree of compensation also determines the limits of the stability range. This makes the manufacturing window freely selectable.
  • the vertical variation of the degree of compensation can take place by varying the doping in the p-region or by varying the doping in the n-region or by varying the doping in both regions.
  • the variation of the doping along the columns can have a constant slope or take place in several stages. In principle, however, the variation increases monotonically from a p-type compensation level to an n-type compensation level.
  • the invention can easily be applied to p-channel transistors.
  • a correspondingly changed course of the semiconductor regions then occurs:
  • a (p, p-dominated, n-dominated, n) course is replaced by an (n, n-dominated, p-dominated, p) course.
  • the limits of stability are reached on the n-load side when the field runs horizontally near the surface over a noticeable area of the drift path.
  • the stability limit is reached on the p-shaped side when the field near the bottom of the compensating column area runs horizontally over a noticeable area of the drift distance.
  • the semiconductor component according to the invention can in principle have a vertical or also a lateral structure.
  • a lateral structure for example, are n ⁇ ⁇ -and p -type plate-shaped areas arranged laterally reciprocally staggered.
  • lateral transistors can be seen, for example, in the smart power sector or in microelectronics;
  • Vertical transistors are mainly produced in line electronics.
  • the vertical modification of the degree of compensation is very easy to implement, since only the implantation dose has to be changed in the individual epitaxial planes.
  • the "real" compensation dose is then implanted in the middle epitaxial layer, including, for example, 10% less each, and above that, e.g. 10% more.
  • the epitaxial doping can also be changed.
  • the greater controllable spread makes it possible to reduce the manufacturing costs.
  • the number of epitaxial layers required can be reduced, and the openings for the compensation implantation can, due to the higher scatter of the implanted dose, due to the greater relative scatter of the lacquer size and, at the same time, prolonged post-diffusion. fusion for the diffusion of the individual p-areas into a "pillar".
  • the structure according to the invention is produced, for example, by the following individual steps:
  • n-doped epitaxial layer is applied to a semiconductor substrate.
  • the p-doping ions are introduced into this epitaxial layer via a resist mask by means of ion implantation.
  • the entire process is then repeated until there is a sufficiently thick n-multi-layer epitaxial layer with p centers centered and stacked one above the other.
  • the actual component is manufactured by processing, for example, the base zones, source zones, the front metallization and the gate electrodes in a field effect transistor.
  • the p-doped centers merge into a wavy vertical column by thermal diffusion. Because of the intrinsic compensation, the concentration of the p- or n-doping substance is always significantly higher than the resulting electrically active doping.
  • the ripple of the vertical column is also expressed in a varying acceptor-donor ratio k e (z) per horizontal plane.
  • the electrical compensation therefore varies in every horizontal plane in the semiconductor body.
  • the ripple of the column does not significantly change the horizontal field. Therefore, in the first approximation, the contribution Ug ⁇ is considered to be unaffected by the ripple.
  • the voltage recorded vertically in the blocked state in the cell field between the anode and cathode or in the case of a field effect transistor between the source and drain must also be reduced in the lateral direction at the edge of the semiconductor component.
  • Semiconductor components are often operated until the breakthrough. In this case, a very high current flows through the impact ionization that occurs. In order not to destroy the semiconductor component, the current densities must not be too high, ie the breakdown current must be distributed as evenly as possible over the entire semiconductor component. However, this requirement can only be met if the cell field carries the largest proportion of this current.
  • Avalanche-resistant semiconductor components in particular vertical transistors, reduce the reverse voltage safety margin required to control overvoltages, which means that in many applications it is possible to use comparatively low-blocking transistors that manage with a comparatively small semiconductor component area for the same R ⁇ g (on) and are therefore less expensive . With conventional high-voltage MOSFETs, this is of great importance because the RTJS (on) of these transistors increases disproportionately with the breakdown voltage.
  • the semiconductor edge can be separated from the cell field, i.e. in additional steps.
  • a full-surface counter-doping of the carrier material at the semiconductor edge is conceivable, e.g. by means of full-surface edge implantation and out-diffusion.
  • an intrinsically compensated and thus highly blocking edge can be produced over the entire surface.
  • such an approach is associated with very high costs.
  • the column structure in the cell field is continued right up to the edge, which means that the carrier material is also increased there to the same blocking voltages as in the cell field.
  • a minimal increase in the edge voltage strength can be achieved in many cases by a suitable variation of the deep compensation profile of the columns, as described for the cell field on the previous pages, whereby the tolerance range with respect to the cell field and thus the tolerance range of the entire semiconductor component is smaller becomes.
  • additional effects can provoke the breakthrough at the edge of the semiconductor component.
  • the near-surface or surface-positioned edge structures cause additional field bending and generate centers of high field strength.
  • edge it may be necessary to provide the edge with a targeted negative “false charge” which causes the equipotential lines to curve in the direction of the semiconductor component surface, with which they can be picked up and guided by the surface structure. This corresponds to a field breakdown at the edge of the semiconductor component. This charge mismatch can also lead to a premature breakdown of the edge of the semiconductor component with respect to the cell field.
  • the result is a high-voltage-resistant edge structure, which consists of several floating zones of the second conductivity type, which are separated from intermediate zones of the first conductivity type, the width of the intermediate zones and the width of the floating zones being smaller than the widths of the regions of the first and the second conductivity type that are nested within the cell field.
  • These floating zones and the intermediate zones are doped so that the charge carriers of the floating zones and the intermediate zones completely clear out when the reverse voltage is applied.
  • the edge volume is therefore preferably processed in one and the same operation as the cell field, both the thickness of an individual epitaxial layer and the cell grid is reduced in the edge area, then after the end of the process there is a homogenized dopant distribution for both charge carriers for each edge cell.
  • the charge introduced via implantation can be ideally adapted to the charge that is defined by the epitaxy. In order to achieve an ideal blocking ability, one will strive for a charge equalization, ie intrinsically compensated conditions.
  • the thickness of the individual epitaxial layers will preferably be designed according to the requirements which the cell field specifies. This also results in a vertically wavy compensation profile at the semiconductor edge, but in a significantly weakened form than in the cell field. A reduction in
  • Another advantage of the described edge concept is the coupling between the manufacturing errors in the edge and in the cell field, since error mechanisms in both areas have the same effect.
  • FIG. 1 shows a plan view of an n-channel lateral MOS
  • FIG. 2 shows a sectional illustration of an n-channel lateral MOS
  • FIGS. 3a to 3d different layouts in the semiconductor component according to the invention
  • FIG. 4 shows a section through an n-channel MOS transistor according to a third exemplary embodiment of the invention
  • FIG. 5 shows the course of the degree of compensation K along a line C-D in FIG. 4,
  • FIG. 6 shows the course of the electric field along the line C-D in FIG. 4,
  • FIG. 7 shows the course of the breakdown voltage as a function of the degree of compensation for constant doping and variable doping
  • FIG. 8 shows a concrete example of a cell design for an n-channel MOS transistor
  • FIGS. 9a to 9c different square edge structure layouts in the semiconductor component according to the invention.
  • FIGS. 10a to 10c different strip-like edge structure layouts in the semiconductor component according to the invention.
  • FIG. 11 shows a hexagonal edge structure layout in the semiconductor component according to the invention
  • FIG. 12 shows a section through an n-channel MOS transistor according to a fourth exemplary embodiment with an edge structure layout
  • FIG. 13 shows a section through an n-channel MOS transistor according to a fifth exemplary embodiment with a further edge structure layout.
  • FIG. 1 shows a plan view of an n-channel MOS transistor with an n + -conducting drain zone 15, an n + - conductive source zone 16, a gate electrode 8 and a p-type region 5.
  • This p-type region 5 extends finger-shaped into an n-type region 4 on a semiconductor substrate 1, so that regions 4 and 5 are “interleaved” with one another
  • the gate electrode 8 can be made of polycrystalline silicon, for example, while an insulating layer which is present underneath this gate electrode 8 and is not shown in Figure 1 is made up of silicon dioxide and / or silicon nitride, for example a p-charge excess, in zone II a "neutral" charge in zone III an n-charge excess.
  • the p-type region 5 extends from the edge of the source zone 16, that is to say an area A, to an area B indicated by dashed lines in the n-type area 4.
  • This area B is spaced apart from the drain zone 15, so that between the area B and the drain zone 15 there is an n-type region 13 in which there is no “nesting” with p-type regions 5.
  • the surface B is advantageously spaced from the drain electrode 15, which leads to an increase in the reverse voltage, a softer course of the electric field and an improvement in the commutation properties of the inverse diode.
  • FIG. 2 shows a section through a further exemplary embodiment of the semiconductor component according to the invention in the form of an n-channel MOS transistor with a drain electrode 2 and a gate insulating layer 9 between the gate electrode 8 and the channel region, which is provided below the insulating layer 9 between a source zone 16 and a drain zone 15 in a p-type region 5.
  • the p-type regions 5 in zones I, II and III have a variable doping, as was explained above with reference to FIG. 1.
  • FIGS. 1 and 2 show two preferred design options for lateral structures of the semiconductor component according to the invention. It is essential in both structures that the specified variable doping is present in the regions 5 and that these regions 5 do not reach the drain zone 15, ie end in an area B at a distance from this drain zone 15. If necessary, however, it is possible to bring the surface B up to the edge of the drain zone 15. As stated above, the degree of compensation can be achieved by varying the doping of the p-type regions 5 or the n-type regions 4.
  • FIGS. 3a to 3d show different layouts for the semiconductor component according to the invention with hexagonal polysilicon structures 17 and polysilicon openings 18 (FIG. 3a), in which aluminum contact holes 19 (FIG. 3b) can optionally be provided.
  • FIG. 3c shows a layout with rectangular polysilicon structures 20 and corresponding polysilicon openings 18 and aluminum contact holes 19, while FIG. 3d schematically shows a stripe structure with polysilicon gate electrodes 8 and aluminum electrodes 21 in plan view and sectional view.
  • FIGS. 3a to 3d show how the semiconductor component according to the invention can be designed with different structures.
  • FIG. 4 shows a section through an n-channel MOS transistor with an n + -conducting silicon semiconductor substrate 1, a drain electrode 2, a first n-type layer 13, a second layer 3 with n-type regions 4 and p-type regions 5, p-type zones 6, n-type zones 7, gate electrodes 8 made of, for example, polycrystalline silicon or Metal, which are embedded in an insulating layer 9 made of silicon dioxide, for example, and a source metallization 10 made of aluminum, for example.
  • the p-type regions 5 do not reach the n + -type semiconductor substrate.
  • zone 5 which forms a "p-pillar"
  • zone I the charge of the p-pillar is the charge of the surrounding n-type region 5 predominates that in zone II the charge of the p-pillar exactly compensates for the charge of the surrounding n-area 5 and that in zone III the charge of the p-pillar does not yet charge the charge of the surrounding n-region 5 predominates.
  • the charge of the p-regions 5 is variable, while the charge of the n-regions 4 is constant in each case.
  • the charge in the p-type regions 5 it is also possible here for the charge in the p-type regions 5 to be constant and for the charge in the n-type regions to be varied. It is also possible to make the charge variable in both areas 4 and 5.
  • FIG. 5 shows in a section CD the course of the degree of compensation K over the depth t of the n-channel MOS transistor: as can be seen from FIG. 5, the degree of compensation K rises with a constant gradient or in steps from point C. to point D monotonously. It can be seen from FIG. 6 that the electric field E between points C and D has an essentially constant curvature over area 5.
  • FIG. 7 shows compensation parabolas for constant and variable doping of the p-type regions 5 in the exemplary embodiment in FIG. 4.
  • the degree of compensation K is plotted on the abscissa, while the ordinate indicates the breakdown voltage U in volts.
  • a curve 11 shows the breakdown voltage U for a variable doping, while a curve 12 shows the breakdown voltage for a constant doping. It can clearly be seen that the variable doping brings about a considerable reduction in the breakdown voltage from approximately 750 V to approximately 660 V. However, a larger range of the degree of compensation can be used for this.
  • FIG. 8 finally shows a cell design in a section with drain D, source S and gate G, the n + -type semiconductor substrate 1, an n-type semiconductor region 13, the n-type layer 3 and n-type regions 4 and p - Conductive regions 5 for the p-conductive region 5 below the source electrode S, the degrees of compensation are given in FIG. 8, for example between + 30% and - 20%, a degree of compensation "0" meaning a real compensation between n-doping and p-doping
  • the doping in the “p-pillar” varies by a factor of 3 while the doping in the “n-pillars” is constant.
  • FIGS. 9a to 9c show, in principle, like FIGS. 3a to 3d, how the semiconductor component according to the invention can be designed with different structures that extend into the edge region.
  • the figures 9a-c, 10a-c and the figure 11 can be seen - are semiconductor peripheral region, a plurality of floating zones 5 formed from the second conductivity type, the ⁇ of intermediate zones 4 are separated from the first conductivity type.
  • the width of the intermediate zones 4 ⁇ and the widths of the floating zones 5 are smaller than the widths of the areas 4, 5 within the cell field.
  • the floating zones 5 and the intermediate zones 4 are dimensioned such that their charge carriers completely clear out when the reverse voltage is applied.
  • the zones 5, the weak in the present embodiment, p-doped are formed, are "floating", it means have an undefined potential.
  • the floating zones 5 ⁇ are spaced from each other, wherein the region between the floating zones 5 ⁇ , an intermediate zone 4 ⁇ defined This intermediate zone ⁇ typically has the same doping concentration as the doping in zones 4 within the cell field.
  • FIGS. 10a, b and c show different variations in the widths of the intermediate zones and the widths of the floating zones compared to the basic widths in the cell field.
  • FIGS. 10a, b and c show the same in the case of the strip-like edge structure layout and FIG. 11 in the case of a hexagonal edge structure layout.
  • FIG. 12 and FIG. 13 show the n-channel MOS transistor known from FIG. 4, which is expanded by an intrinsically compensated edge termination.
  • the transistor is in a known manner with an n + -type silicon semiconductor substrate 1, a drain electrode 2, a first n-type layer 13, a second layer with n-type regions 4 and p-type regions 5, p-type zones 6 , n-conductive zones 7, gate electrodes 8 made of, for example, polycrystalline silicon or metal, which are embedded in an insulating layer 9 of, for example, silicon dioxide, and a source metalization 10 of, for example, aluminum.
  • two p-type regions 5 and n-type regions 4 are shown on the left in the present figure.
  • p-type regions 5 ⁇ and n-type regions 4 ⁇ alternately extend to the right.
  • the p-type regions 5 V have about half the width compared to the p-type regions 5, but do extend approximately the same distance in the n ⁇ -conducting region 13 in the direction of the substrate 1.
  • the regions 5, 4 ⁇ lying adjacent to the regions 4, 5 are connected to a p-conducting zone 6 V , which is connected to the source metallization 10 via a contact hole communicates.
  • the p-type zone 6 X forms a p-ring known from the prior art. In contrast to the cell field, the p-type zone 6 has no n-type zone in order to avoid parasitic transistors.
  • n- and p-type regions 4 5 ⁇ extend far beyond the p-type zone 6 ⁇ in the direction of the component edge.
  • a so-called channel stopper configuration which consists of a gate electrode 8 which is electrically connected to an n-type zone 7 ⁇ X , which in turn is located in a p-type zone 6 N in the n ⁇ type Area 13 is housed.
  • FIG. 12 An alternative to the channel stopper configuration shown in FIG. 12 is the so-called space charge zone stopper shown in FIG.
  • This space charge zone stop consists only of a highly conductive n + -conducting zone which is introduced into the n ⁇ -conducting area.
  • Both exemplary embodiments have in common that the contact holes of the p-type zone 6 are significantly larger than the contact holes in the n- or p-type zones 7, 6.
  • the gate electrode 8, which lies over the regions 4 5 ⁇ is designed to be substantially smaller than the gate electrodes 8 of the cell array.
  • the grid in which the regions 4, 5 are arranged is approximately half as large as the regions 4, 5 of the cell field.

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit in einem Halbleiterkörper alternierend angeordneten Halbleitergebieten (4, 5) abwechselnd unterschiedlichen Leitungstyps, die sich im Halbleiterkörper von wenigstens einer ersten Zone (6) bis in die Nähe zu einer zweiten Zone (1) erstrecken und eine variable Dotierung haben, so daß das elektrische Feld einen von beiden Zonen (6, 1) aus ansteigenden Verlauf hat.

Description

Beschreibung
HOCHSPANNUNGS-HALBLEITERBAUELEMENT
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem einen sperrenden pn-Übergang aufweisenden Halbleiterkörper, einer ersten Zone eines ersten Leitungstyps, die mit einer ersten Elektrode verbunden ist und an eine den sperrenden pn-Übergang bildende Zone eines zweiten, zum er- sten Leitungstyp entgegengesetzten Leitungstyps angrenzt, und mit einer zweiten Zone des ersten Leitungstyps, die mit einer zweiten Elektrode verbunden ist, wobei die der zweiten Zone zugewandten Seite der Zone des zweiten Leitungstyps eine erste Oberfläche bildet und im Bereich zwischen der ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche, die zwischen der ersten Oberfläche und der zweiten Zone liegt, Gebiete des ersten und des zweiten Leitungstyps verschachtelt sind.
Derartige Halbleiterbauelemente werden auch als Kompensati- onsbauelemente bezeichnet. Bei solchen Kompensationsbauelementen handelt es sich beispielsweise um n- oder p-Kanal-MOS- Feldeffekttransistoren, Dioden, Thyristoren, GTO' s oder auch andere Bauelemente. Im folgenden soll jedoch als Beispiel von einem Feldeffekt-Transistor (auch kurz „Transistor" genannt) ausgegangen werden.
Zu Kompensationsbauelementen gibt es, über einen langen Zeitraum verstreut, verschiedene theoretische Untersuchungen (vgl. US 4,754,310 und US 5,216,275), in denen jedoch spezi- eil Verbesserungen des Einschaltwiderstandes RrjS (on) und nicht der Stabilität bei Strombelastung, wie insbesondere Ro- bustheit hinsichtlich Avalanche und Kurzschluß im Hochstromfall bei hoher Source-Drain-Spannung, angestrebt werden.
Kompensationsbauelemente beruhen auf einer gegenseitigen Kompensation der Ladung von n- und p-dotierten Gebieten in der Driftregion des Transistors. Die Gebiete sind dabei räumlich so angeordnet, daß das Linienintegral über die Dotierung entlang einer vertikal zum pn-Übergang verlaufenden Linie jeweils unterhalb der materialspezifischen Durchbruchsladung bleibt (Silizium: ca. 2 x 1012 cm-2) . Beispielsweise können in einem Vertikaltransistor, wie er in der Leistungselektronik üblich ist, paarweise p- und n-Säulen oder Platten etc. angeordnet sein. In einer Lateralstruktur können p- und n- leitende Schichten lateral zwischen einem mit einer p- leitenden Schicht belegten Graben und einem mit einer n- leitenden Schicht belegten Graben abwechselnd übereinander gestapelt sein (vgl. US 4,754,310).
Durch die weitgehende Kompensation der p- und n-Dotierungen läßt sich bei Kompensationsbauelementen die Dotierung des stromführenden Bereichs (für n-Kanal-Transistoren der n-
Bereich, für p-Kanal-Transistoren der p-Bereich) deutlich erhöhen, woraus trotz des Verlusts an stromführender Fläche ein deutlicher Gewinn an Einschaltwiderstand R^g (on) resultiert. Die Sperrfähigkeit des Transistors hängt dabei im wesentli- chen von der Differenz der beiden Dotierungen ab. Da aus
Gründen der Reduktion des Einschaltwiderstandes eine um mindestens eine Größenordnung höhere Dotierung des stromführenden Gebiets erwünscht ist, erfordert die Beherrschung der Sperrspannung eine kontrollierte Einstellung des Kompensati- onsgrades, der für Werte im Bereich < ± 10 % definierbar ist. Bei einem höheren Gewinn an Einschaltwiderstand wird der genannte Bereich noch kleiner. Der Kompensationsgrad ist dabei definierbar durch
(p-Dotierung - n-Dotierung) /n-Dotierung
oder durch
Ladungsdifferenz/Ladung eines Dotierungsgebiets.
Es sind aber auch andere Definitionen möglich. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein robustes Halbleiterbauelement der eingangs genannten Art zu schaffen, das sich einerseits durch eine hohe Avalanchefestigkeit und große Strombelastbarkeit vor bzw. im Durchbruch auszeichnet und an- dererseits im Hinblick auf technologische Schwankungsbreiten von Herstellungsprozessen mit gut reproduzierbaren Eigenschaften einfach herstellbar ist.
Diese Aufgabe wird bei einem Halbleiterbauelement der ein- gangs genannten Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Gebiete des ersten und des zweiten Leitungstyps derart dotiert sind, daß in Bereichen nahe der ersten Oberfläche Ladungsträger des zweiten Leitungstyps und in Bereichen nahe der zweiten Oberfläche Ladungsträger des ersten Leitungstyps überwiegen.
In bevorzugter Weise reichen die Gebiete des zweiten Leitungstyps nicht bis zu der zweiten Zone, so daß zwischen dieser zweiten Oberfläche und der zweiten Zone ein schwach do- tierter Bereich des ersten Leitungstyps verbleibt. Es ist aber möglich, die Breite dieses Bereiches gegen „null" gehen zu lassen. Der schwach dotierte Bereich liefert aber verschiedene Vorteile, wie Erhöhung der Sperrspannung, „weicher" Verlauf der Feldstärke oder Verbesserung der Kommutierungsei- genschaften der Inversdiode.
In einer anderen Weiterbildung der Erfindung ist es vorgesehen, daß zwischen der ersten und zweiten Oberfläche ein durch die Dotierung bewirkter Kompensationsgrad derart variiert ist, daß nahe der ersten Oberfläche Atomrümpfe des zweiten Leitungstyps und nahe der zweiten Oberfläche Atomrümpfe des ersten Leitungstyps dominieren. Es liegen also Schichtenfolgen p, p", n~, n oder n, n~, p~, p zwischen den beiden Oberflächen vor. Vorteilhafte Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Halblei¬ terbauelements (im folgenden auch Kompensationsbauelement ge¬ nannt) ergeben sich aus den weiteren Unteransprüchen.
Die Wirkung der ineinander verschachtelten Gebiete, abwechselnd unterschiedlichen Leitungstyps, auf das elektrische Feld ist im Unterschied zu beispielsweise einem klassischen DMOS-Transistor wie folgt („lateral" und „vertikal" beziehen sich im folgenden auf einen Vertikaltransistor) :
(a) Es existiert ein zur Verbindungsrichtung zwischen den Elektroden „laterales" Querfeld, dessen Stärke vom Anteil der lateralen Ladung (Linienintegral senkrecht zum lateralen pn-Übergang) relativ zur Durchbruchsladung ab- hängt. Dieses Feld führt zur Trennung von Elektronen und Löchern und zu einer Verringerung des stromtragenden Querschnitts entlang der Strompfade. Diese Tatsache ist für das Verständnis der Vorgänge im Avalanche, der Durchbruchskennlinie und des Sättigungsbereichs des Kennlinienfeldes von prinzipieller Bedeutung.
(b) Das zur Verbindungsrichtung zwischen Elektronen parallele „vertikale" elektrische Feld wird lokal von der Differenz der benachbarten Dotierungen bestimmt. Dies be- deutet, daß sich bei einem Überschuß von Donatoren (n-
Lastigkeit: die Ladung in den n-leitenden Gebieten überwiegt die Ladung der p-Gebiete) einerseits eine DMOS- ähnliche Feldverteilung (Maximum des Felds am sperrenden pn-Übergang, in Richtung gegenüberliegender Bauele- mentrückseite abnehmendes Feld) einstellt, wobei der
Gradient des Felds jedoch deutlich geringer ist, als es der Dotierung des n-Gebiets alleine entsprechenden würde. Andererseits ist jedoch durch Überkompensation des n-leitenden Gebietes mit Akzeptoren eine in Richtung Rückseite ansteigende Feldverteilung möglich (p-
Lastigkeit, Überschuß der Akzeptoren gegenüber den Donatoren) . Das Feldmaximum liegt in einer solchen Auslegung am Boden des p-Gebiets. Kompensieren sich die beiden Dotierungen exakt, ergibt sich eine horizontale Feldverteilung.
Mit einer exakt horizontalen Feldverteilung wird das Maximum der DurchbruchsSpannung erreicht. Überwiegen die Akzeptoren oder die Donatoren, nimmt die DurchbruchsSpannung jeweils ab. Trägt man folglich die DurchbruchsSpannung als Funktion des Kompensationsgrads auf, ergibt sich ein parabelför iger Ver- lauf.
Eine konstante Dotierung in den p- und n-leitenden Gebieten oder auch eine lokal variierende Dotierung mit periodischen Maxima gleicher Höhe führt dabei zu einem vergleichsweise scharf ausgeprägten Maximum der „Kompensationsparabel". Zu Gunsten eines „Fertigungsfensters" (Einbeziehung der Schwankungen aller relevanter Einzelprozesse) muß eine vergleichsweise hohe DurchbruchsSpannung angepeilt werden, um verläßliche Ausbeuten und Produktionssicherheit zu erreichen. Ziel muß es daher sein, die Kompensationsparabel möglichst flach und breit zu gestalten.
Wird an das Bauelement Sperrspannung angelegt, so wird die Driftstrecke, d.h. der Bereich der paarweise angeordneten Ge- biete entgegengesetzter Dotierung, von beweglichen Ladungsträgern ausgeräumt. Es verbleiben die positiv geladenen Donatorrümpfe und die negativ geladenen Akzeptorrümpfe in der sich aufspannenden Raumladungszone. Sie bestimmen dann zunächst den Verlauf des Felds.
Der Stromfluß durch die Raumladungszone bewirkt eine Veränderung des elektrischen Felds, wenn die Konzentration der mit dem Stromfluß verbundenen Ladungsträger in den Bereich der Hintergrunddotierung kommt. Elektronen kompensieren dabei Do- natoren, Löcher die Akzeptoren. Für die Stabilität des Bauelements ist es also sehr wichtig, welche Dotierung lokal überwiegt, wo Ladungsträger erzeugt werden und wie sich ihre Konzentrationen entlang ihrer Strompfade einstellen.
Für die folgenden Ausführungen wird zum Verständnis der Ba- sismechanismen, zunächst eine konstante Dotierung der p- und n-leitenden Gebiete angenommen.
Im eingeschalteten Zustand und insbesondere im Sättigungsbereich des Kennlinienfeldes eines MOS-Transistors fließt ein reiner Elektronenstrom aus dem Kanal in ein n-dotiertes Gebiet, bei einem Vertikaltransistor auch „Säule" genannt, wobei in der Tiefe eine zunehmende Fokussierung des Stromflusses aufgrund des elektrischen Querfelds eintritt. Hochstrom- Stabilität wird durch Überwiegen der n-Dotierung gefördert; da jedoch der Kanalbereich mit seinem positiven Temperaturkoeffizienten eine inhomogene Stromverteilung in einem Zellenfeld unterbindet, ist diese Betriebsart eher unkritisch. Eine Reduktion der Stromdichte läßt sich durch partielle Abschattung des Kanalanschlusses erreichen (vgl. DE 198 08 348 AI) .
Für die Durchbruchskennlinie bzw. deren Verlauf ist folgendes zu beachten: Die Erzeugung von Elektronen und Löchern erfolgt im Bereich maximaler Feldstärke. Die Trennung beider Ladungs- trägerarten wird durch das elektrische Querfeld vorgenommen. Entlang beider Strompfade im p- bzw. n-Gebiet tritt eine Fokussierung und weitere Multiplikation ein. Schließlich tritt auch keine Wirkung einer partiellen Kanalabschattung ein. Stabilität liegt nur dann vor, wenn die beweglichen Ladungs- träger außerhalb ihrer Entstehungsorte zu einem Anstieg des elektrischen Felds und damit zu einem Anstieg der Durchbruchsspannung der jeweiligen Zelle führen. Für Kompensationsbauelemente bedeutet dies Stabilität im p- und n-lastigen Bereich, jedoch nicht im Maximum der Kompensationsparabel. Im p-lastigen Bereich erfolgt der Durchbruch am „Boden" der Säule. Die Elektronen fließen aus der Driftregion heraus und beeinflussen das Feld somit nicht. Die Löcher werden durch das elektrische Längsfeld zum oberseitigen Source-Kontakt gezogen. Dabei wird der Löcherstrom längs seines Weges durch das elektrische Querfeld fokussiert: die Stromdichte steigt hier an. Damit wird das elektrische Längsfeld zunächst oberflä- chennah beeinflußt. Infolge der Kompensation der überschüssigen Akzeptorrümpfe (p-Lastigkeit) ergibt sich eine Reduktion des Gradienten des elektrischen Felds und ein Anstieg der Durchbruchsspannung. Diese Situation ist solange stabil, als das Feld dort deutlich unterhalb der kritischen Feldstärke (für Silizium: etwa 270 kV/cm für eine Ladungsträgerkonzentration von ca. lθ!5 cm~3) bleibt.
Im n-lastigen Bereich mit einem Überschuß an Donatoren ist der Durchbruch oberflächennah. Die Löcher fließen zum Source- kontakt und beeinflussen das Feld noch auf dem Weg von ihren Entstehungsort bis zu p-Wanne. Ziel muß es daher sein, den Durchbruchsort möglichst nahe an die p-Wanne heranzulegen. Dies kann beispielsweise durch eine lokale Anhebung der n- Dotierung geschehen. Die Elektronen fließen durch die kom- plette Driftzone zur Rückseite und beeinflussen das Feld ebenfalls entlang ihres Strompfads. Stabilität wird dann erzielt, wenn die Wirkung des Elektronenstroms die des Löcherstroms überwiegt. Da hier die Geometrie der Zellenanordnung eine wichtige Rolle spielt, gibt es insbesondere nahe des Ma- ximums der Kompensationsparabel einen Bereich stabiler und instabiler Kennlinien.
Die Verhältnisse im Avalanche sind sehr ähnlich zu denjenigen bei einem Durchbruch. Die Ströme sind jedoch deutlich höher und betragen bei einem Nennstrom bis zum Doppelten des Nennstromes des Transistors. Da das elektrische Querfeld immer eine deutliche Fokussierung des Stroms bewirkt, wird bei Kompensationsbauelementen bei vergleichsweise geringer Strombelastung der Stabilitätsbereich verlassen. Physikalisch bedeu- tet dies, daß der strominduzierte Feldanstieg bereits so weit fortgeschritten ist, daß lokal die Durchbruchsfeldstärke erreicht wird. Das elektrische Längsfeld kann dann lokal nicht mehr weiter ansteigen, die Krümmung des elektrischen Längsfelds nimmt jedoch weiter zu, woraus ein Rückgang der Durchbruchsspannung der betroffenen Zelle resultiert. In der Kennlinie einer Einzelzelle und auch in der Simulation zeigt sich dies durch einen negativen differentiellen Widerstand; d.h. die Spannung geht mit ansteigendem Strom zurück. In einem großen Transistor mit mehreren 10.000 Zellen wird dies zu einer sehr raschen inhomogenen Umverteilung des Stroms führen. Es bildet sich ein Filament, und der Transistor schmilzt lo- kal auf.
Daraus ergeben sich die folgenden Konsequenzen für die Stabilität von Kompensationsbauelementen:
(a) Durch die Trennung von Elektronen und Löchern kommt es nicht wie bei IGBT's und Dioden zu einer „Autostabili- sierung". Vielmehr müssen Kompensationsgrad, Feldverteilung und Durchbruchsort exakt eingestellt werden.
(b) Auf der Kompensationsparabel gibt es bei konstanter Do- terierung der p- und n-Gebiete bzw. „Säulen" stabile Bereiche im deutlich p- und im deutlich n-lastigen Bereich. Beide Bereiche hängen nicht zusammen. Damit ergibt sich nur ein extrem kleines Fertigungsfenster. Die Kompensationsparabel ist bei konstanter Dotierung der p- und n-Gebiete bzw. Säulen überaus steil. Der Durchbruchsort verlagert sich innerhalb weniger Prozente vom Boden der p-Säule in Richtung Oberfläche.
(c) Für jedes Kompensationsbauelement gibt es eine Stromzer- störungsschwelle im Avalanche, die unmittelbar mit dem Kompensationsgrad gekoppelt ist. Der Kompensationsgrad bestimmt andererseits die erzielbare Durchbruchsspannung und hat Einfluß auf den R^g (on) -Gewinn.
Bei konstanter Dotierung der p- und n-Gebiete sind - wie oben gesagt - die Bauelemente nahe des Maximums der Korn- pensationsparabel instabil. Dies führt dazu, daß die Bauelemente mit der höchsten Sperrspannung im Avalanche- Test zerstört werden.
Wie oben erläutert wurde, wird zur Vermeidung der Nachteile der Kompensationsgrad längs der Dotierungsgebiete, d.h. bei einer Vertikalstruktur von der Oberseite in Richtung Rückseite des Transistors, so variiert, daß nahe der Oberfläche die Atomrümpfe des zweiten Leitungstyps und nahe der Rückseite die Atomrümpfe des ersten Leitungstyps vorherrschen.
Die resultierende Feldverteilung weist einen „buckeiförmigen" Verlauf mit einem Maximum in etwa halber Tiefe auf (vgl. Figur 6) . Damit beeinflussen sowohl die Elektronen als auch die Löcher im Durchbruch und im Avalanche die Feldverteilung. Beide Ladungsträgerarten wirken stabilisierend, da sie von ihrem Entstehungsort aus jeweils in Gebiete laufen, in denen sie die dominierende, überschüssige Hintergrunddotierung kompensieren. Es gibt so einen durchgehenden Stabilitätsbereich von p-lastigen bis zu n-lastigen Kompensationsgraden.
Eine Variation des Kompensationsgrades durch Fertigungsschwankungen verschiebt den Durchbruchsort in vertikaler Richtung nur wenig und auch kontinuierlich hin und her, so- lange diese Variation kleiner ist als die technologisch eingestellte Variation des Kompensationsgrads. Die Größe dieser Modifikation des Kompensationsgrads bestimmt auch die Grenzen des Stabilitätsbereichs. Damit wird das Fertigungsfenster frei wählbar.
Die Fokussierung der Ströme ist deutlich geringer ausgeprägt, da beide Ladungsträgerarten nur jeweils die halbe Wegstrecke im Bereich des komprimierenden elektrischen Querfelds zurücklegen. Damit werden die Bauelemente im Avalanche mit deutlich höheren Strömen belastbar. Da bei einer Variation des Kompensationsgrads z.B. in Richtung auf „n-Lastigkeit" das elektrische Feld jeweils im oberen Bereich der Driftstrecke zunimmt, im unteren Bereich aber gleichzeitig abnimmt (bei Variation in Richtung auf p- Lästigkeit umgekehrt) , variiert die DurchbruchsSpannung als Funktion des Kompensationsgrads nur relativ wenig. Damit wird die Kompensationsparabel vorzugsweise flach und breit.
Die vertikale Variation des Kompensationsgrades kann durch Variation der Dotierung im p-Gebiet oder durch Variation der Dotierung im n-Gebiet oder durch Variation der Dotierung in beiden Gebieten erfolgen. Die Variation der Dotierung längs der Säulen kann eine konstante Steigung aufweisen oder in mehreren Stufen erfolgen. Grundsätzlich steigt die Variation jedoch monoton von einem p-lastigen Kompensationsgrad zu einem n-lastigen Kompensationsgrad an.
Die Erfindung kann ohne weiteres auch bei p-Kanal- Transistoren angewandt werden. Es tritt dann ein entsprechend geänderter Verlauf der Halbleitergebiete auf: Ein (p, p- dominiert, n-dominiert, n) -Verlauf wird durch einen (n, n- dominiert, p-dominiert, p) -Verlauf ersetzt.
Die Grenzen der Stabilität werden auf der n-lastigen Seite erreicht, wenn das Feld oberflächennah über einen merklichen Bereich der Driftstrecke horizontal verläuft. Auf der p- lastigen Seite erreicht man die Stabilitätsgrenze, wenn das Feld nahe des Bodens des kompensierenden Säulenbereichs über einen merklichen Bereich der Driftstrecke horizontal ver- läuft.
Generell gilt, daß die Kompensationsparabel um so flacher und breiter wird, je größer der Gradient des Kompensationsgrads ist. Die DurchbruchsSpannung im Maximum der Kompensationspa- rabel sinkt entsprechend. Eine weitere wichtige Limitierung der Variation des Kompensationsgrads wird durch die Forderung nach Unterschreitung der Durchbruchsladung gegeben. Darüber hinaus treten bei starker Anhebung der p-Säulen-Dotierung nahe der Oberfläche Stromeinschnürungseffekte auf (lateraler JFET-Effekt) .
Für 600 V-Bauelemente ist beispielsweise eine Variation des Kompensationsgrads längs der p- und n-Gebiete von 50 % vorteilhaft.
Obwohl oben primär von einem Vertikal-Transistor ausgegangen wurde, kann das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement grundsätzlich eine Vertikal- oder auch eine Lateral-Struktur haben. Bei einer Lateral-Struktur sind z.B. n~-und p~-leitende plattenförmige Gebiete lateral ineinander gestaffelt angeordnet.
Anwendungen für solche Lateraltransistoren sind beispielsweise im Smart-Power-Bereich oder auch in der Mikroelektronik zu sehen; Vertikaltransistoren werden dagegen vorwiegend in der Leitungselektronik erzeugt.
Die vertikale Modifikation des Kompensationsgrades ist sehr einfach umzusetzen, da in den einzelnen Epitaxieebenen nur die Implantationsdosis verändert werden muß. Die „echte" Kompensationsdosis wird dann in der mittleren Epitaxieschicht implantiert, darunter z.B. jeweils 10 % weniger, darüber z.B. jeweils 10 % mehr. Anstelle der Implantationsdosis kann aber auch die Epitaxiedotierung geändert werden.
Durch die größere beherrschbare Streuung ist es möglich, die Herstellungskosten zu verringern. Die Zahl der notwendigen Epitaxieschichten kann reduziert werden, und die Öffnungen für die Kompensations-Implantation können infolge höherer Streuung der implantierten Dosis durch die größere relative Streuung des Lackmaßes bei gleichzeitig verlängerter Nachdif- fusion für das Zusammendiffundieren der einzelnen p-Bereiche zur „Säule" verkleinert werden.
Die erfindungsgemäße Struktur wird beispielsweise durch fol- gende Einzelschritte hergestellt:
Zunächst wird eine mehrere μm-dicke, n-dotierte Epitaxieschicht auf ein Halbleitersubstrat aufgebracht. In diese Epitaxieschicht werden über eine Resist-Maske mittels Ionenim- plantation die p-dotierenden Ionen eingebracht. Anschließend wird der gesamte Vorgang so oft wiederholt, bis eine genügend dicke n-Multi-Layer-Epitaxieschicht mit eingelagerten zueinander justierten und übereinander gestapelten p-Zentren vorliegt. Nun erfolgt die Herstellung des eigentlichen Bauele- ments, durch die Prozessierung beispielsweise der Basiszonen, Sourcezonen, der Frontmetallisierung und der Gateelektroden bei einem Feldeffekttransistor. Durch thermische Ausdiffusion schließen sich die p-dotierten Zentren zu einer welligen vertikalen Säule zusammen. Wegen der intrinsischen Kompensation ist die Konzentration des p- oder n-dotierenden Stoffes immer wesentlich höher als die resultierende elektrisch aktive Dotierung.
Die Welligkeit der vertikalen Säule äußert sich auch in einem variierenden Akzeptor-Donator-Verhältnis ke(z) je Horizontal ebene. Die elektrische Kompensation variiert demnach in jeder Horizontalebene im Halbleiterkörper. Die Welligkeit der Säule bewirkt keine wesentliche Änderung des Horizontalfeldes. Deshalb wird in erster Näherung der Beitrag Ug^ als unbeeinflußt von der Welligkeit betrachtet.
In senkrechter Richtung wechseln sich nun aber Schichten mit nicht horizontal-kompensierten p- und n-Ladungen ab. Eine Epitaxieschicht entspricht einer vollständigen Welligkeitspe- riode und entspricht demnach zwei benachbarten pn-Übergängen. Durch die Fertigungsschwankungen bei den Epitaxiezyklen ist die Ladungsbilanz über das Gesamtvolumen eines pn-Übergangs nicht ausgeglichen, so daß der Kompensationsgrad ungleich 0 ist.
Bei einem Halbleiterbauelement nach der vorliegenden Erfin- düng muß die im gesperrten Zustand im Zellenfeld zwischen Anode und Katode bzw. bei einem Feldeffekttransistor zwischen Source- und Drain vertikal aufgenommene Spannung auch am Halbleiterbauelementrand in lateraler Richtung abgebaut werden. Halbleiterbauelemente werden oftmals bis in den Durch- bruch betrieben. In diesem Fall fließt durch die eintretende Stoßionisation ein sehr hoher Strom. Um das Halbleiterbauelement nicht zu zerstören, dürfen keine allzu hohen Stromdichten auftreten, d.h. der Durchbruchsstrom muß sich möglichst gleichmäßig über das gesamte Halbleiterbauelement verteilen. Diese Forderung kann aber nur dann erfüllt werden, wenn das Zellenfeld den größten Anteil dieses Stromes führt. Bricht das Halbleiterbauelement in der Randstruktur bei kleineren Sperrspannungen durch als das Zellenfeld, so führt dies in den meisten Fällen zu irreversiblen thermischen Schädigungen des Halbleiterbauelements. Das Halbleiterbauelement muß demnach Avalanche-fest sein. Avalanche-feste Halbleiterbauelemente, insbesondere Vertikaltransistoren reduzieren den zur Beherrschung von Überspannungen erforderlichen Sperrspannungs-Sicherheitsabstand, wodurch in vielen Anwendungen ver- gleichsweise niedersperrende Transistoren eingesetzt werden können, die bei gleichem R^g (on) mit einer vergleichweise kleinen Halbleiterbauelementfläche auskommen und damit kostengünstiger sind. Bei konventionellen Hochvolt-MOSFET ist dies von sehr großer Bedeutung, weil der RTJS (on) dieser Tran- sistoren überproportional mit der Durchbruchsspannung ansteigt. Bei konventionellen Leistungsbauelementen führen aufwendige oberflächenpositionierte oder oberflächennahe Strukturen gewöhnlich dazu, daß der Halbleiterbauelementrand mehr Spannung sperren kann, als das Zellenfeld. Das tieferliegende Halbleiterbauelementvolumen ist homogen so niedrig dotiert, daß ohne Strukturierung die geforderte Spannung hält. Bei den Halbleiterbauelementen gemäß der vorliegenden Erfindung, die das Herstellungsverfahren der intrinsischen Kompensation nutzten, verschärfen sich die Anforderungen bezüglich der Randstruktur, denn hier muß auch das tieferliegende Volumen unter dem Rand bearbeitet werden. Das die Sperrspannung eigentlich aufnehmende Material, nämlich die Epitaxieschicht über dem hochdotierten Halbleitersubstrat, ist relativ niede- rohmig und wird nur einen Bruchteil der geforderten Spannung sperren. Erst durch das Einbringen der entgegendotierten Säulen wird die Sperrfähigkeit für das Zellenfeld erreicht.
Für das Volumen unter dem Rand ergeben sich grundsätzlich zwei unterschiedliche Bearbeitungsmethoden:
1. Der Halbleiterrand kann, getrennt vom Zellenfeld, d.h. in zusätzlichen Schritten, bearbeitet werden. Denkbar ist eine ganzflächige Gegendotierung des Trägermaterials am Halbleiterrand, z.B. mittels ganzflächiger Randimplantation und Ausdiffusion. Dadurch kann ein ganzflächig in- trinsisch kompensierter und damit hochsperrender Rand ge- fertigt werden. Eine solche Vorgehensweise ist jedoch mit sehr hohen Kosten verbunden.
2. Die Säulenstruktur im Zellenfeld wird bis in den Rand fortgesetzt, womit das Trägermaterial auch dort zu grund- sätzlich gleichen Sperrspannungen wie im Zellenfeld aufgestockt wird. Eine z.B. minimale Erhöhung der Randspannungsfestigkeit läßt sich in vielen Fällen durch eine geeignete Variation des tiefen Kompensationsprofils der Säulen erzielen, wie dies auf den vorhergehenden Seiten für das Zellenfeld beschrieben worden ist, womit allerdings der Toleranzbereich gegenüber dem Zellenfeld und damit der Toleranzbereich des gesamten Halbleiterbauelements kleiner wird. Zudem kommt, daß Zusatzeffekte den Durchbruch am Halbleiterbauelementrand provozieren kön- nen. Zum einen bewirken die oberflächennahen oder oberflächenpositionierten Randstrukturen eine zusätzliche Feldverbiegung und generieren Zentren hoher Feldstärke.
Zum anderen kann es nötig sein, den Rand mit einer gezielten negativen „Fehlladung" zu belegen, die eine Krümmung der Äquipotentiallinien in Richtung der Halbleiterbauelementoberfläche bewirkt, womit diese von der Oberflächenstruktur aufgenommen und geführt werden können. Dies entspricht einem Feldabbau am Halbleiterbauelementrand. Dieses Ladungsfehlverhältnis kann ebenfalls zu einem spannungsmäßig verfrühten Durchbruch des Halbleiterbauelementrandes gegenüber dem Zellenfeld führen.
Demnach ist es am besten, am Rand die Horizontalkomponente des elektrischen Feldes und zugleich die vertikale Welligkeit des Kompensationsprofils zu reduzieren. Beides führt zu höheren Sperrspannungen am Halbleiterbauelementrand. Um dies umzusetzen, muß die örtliche Trennung in Ladungszentren entge- gengesetzter Polarität aufgehoben oder zumindest abgeschwächt werden, d.h. also eine intrinsische Kompensation vorgenommen werden.
Es entsteht somit eine hochspannungsfeste Randstruktur, die aus mehreren floatenden Zonen vom zweiten Leitungstyp besteht, die von Zwischenzonen vom ersten Leitungstyp getrennt sind, wobei die Breite der Zwischenzonen und die Breite der floatenden Zonen kleiner als die Breiten der Gebiete des ersten und des zweiten Leitungstyps sind, die innerhalb des Zellenfeldes ineinander verschachtelt vorliegen. Diese floatenden Zonen und die Zwischenzonen sind so dotiert, daß sich die Ladungsträger der floatenden Zonen und der Zwischenzonen bei angelegter Sperrspannung vollständig ausräumen.
Vorzugsweise wird also das Randvolumen in ein- und demselben Arbeitsgang wie das Zellenfeld bearbeitet, wobei sowohl die Dicke einer einzelnen Epitaxieschicht als auch das Zellraster im Randbereich verkleinert wird, so ergibt sich nach Prozeßende für jede Randzelle eine homogenisierte Dotierstoffverteilung für beide Ladungsträgersorten. Über das Verhältnis der unmaskierten Fläche pro Zelle zur Gesamtzellfläche im Randbereich kann die über Implantation eingebrachte Ladung ideal an die Ladung angepaßt werden, die über die Epitaxie definiert wird. Um eine ideale Sperrfähigkeit zu erreichen, wird man einen Ladungsausgleich, d.h. intrinsisch kompensierte Verhältnisse anstreben.
Vorzugweise wird man die Dicke der Einzelepitaxieschichten nach Anforderungen auslegen, die das Zellenfeld vorgibt. Dadurch ergibt sich auch am Halbleiterrand weiterhin ein vertikal welliges Kompensationsprofil, jedoch in wesentlich abge- schwächter Form, als im Zellenfeld. Eine Reduzierung des
Zellrasters führt nämlich auch dazu, daß die Auflösung der Dotierstoffquellen herabgesetzt wird, wodurch die Grenzen der einzelnen Diffusionsfronten verschwimmen.
Ein weiterer Vorteil des beschriebenen Randkonzepts ist die Kopplung zwischen den Fertigungsfehlern im Rand und im Zellenfeld, da sich Fehlermechanismen in beiden Bereichen in gleicher Richtung auswirken.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Figur 1 eine Draufsicht auf einen n-Kanal-Lateral-MOS-
Transistor nach einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung,
Figur 2 eine Schnittdarstellung eines n-Kanal-Lateral-MOS-
Transistors mit V-förmigen Gräben nach einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung,
Figuren 3a bis 3d verschiedene Layouts bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement, Figur 4 einen Schnitt durch einen n-Kanal-MOS-Transistor nach einem dritten Ausführungsbeispiel der Erfindung,
Figur 5 den Verlauf des Kompensationsgrades K längs einer Linie C-D in Figur 4,
Figur 6 den Verlauf des elektrischen Feldes längs der Linie C-D in Figur 4,
Figur 7 den Verlauf der DurchbruchsSpannung in Abhängigkeit von dem Kompensationsgrad für eine konstante Dotierung und eine variable Dotierung,
Figur 8 ein konkretes Beispiel für ein Zelldesign für einen n-Kanal-MOS-Transistor,
Figuren 9a bis 9c verschiedene quadratische Randstrukturlayouts bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement,
Figuren 10a bis 10c verschiedene streifenförmige Randstrukturlayouts bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement,
Figur 11 ein hexagonales Randstrukturlayout bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement,
Figur 12 einen Schnitt durch einen n-Kanal-MOS-Transistor nach einem vierten Ausführungsbeispiel mit einem Randstrukturlayout, und
Figur 13 einen Schnitt durch einen n-Kanal-MOS-Transistor nach einem fünften Ausführungsbeispiel mit einem weiteren Randstrukturlayout .
Figur 1 zeigt eine Draufsicht auf einen n-Kanal-MOS- Transistor mit einer n+-leitenden Drainzone 15, einer n+- leitenden Sourcezone 16, einer Gateelektrode 8 und einem p- leitenden Gebiet 5. Dieses p-leitende Gebiet 5 erstreckt sich fingerförmig in ein n-leitendes Gebiet 4 auf einem Halbleitersubstrat 1, so daß die Gebiete 4 und 5 ineinander „ver- schachtelt" sind. Die Gateelektrode 8 kann beispielsweise aus polykristallinem Silizium bestehen, während eine unterhalb dieser Gateelektrode 8 vorhandene und in der Figur 1 nicht gezeigte Isolierschicht beispielsweise aus Siliziumdioxid und/oder Siliziumnitrid aufgebaut ist. In dem p-leitenden Ge- biet 5 sind in einer Zone I ein p-Ladungsüberschuß, in einer Zone II eine „neutrale" Ladung in einer Zone III ein n- Ladungsüberschuß vorhanden. Dies bedeutet, daß im Gebiet 5 in der Zone I die p-Ladung die Ladung des umgebenden n-leitenden Gebietes 5 überwiegt, daß weiterhin in der Zone II die p- Ladung genau der Ladung des umgebenden n-leitenden Gebietes 5 kompensiert und daß in der Zone III die p-Ladung geringer ist als die Ladung des umgebenden n-leitenden Gebietes 5. Wesentlich ist also, daß die Ladung des p-Gebietes 5 variabel ist, während die Ladung der n-Gebiete 4 jeweils konstant ist.
Das p-leitende Gebiet 5 reicht vom Rand der Sourcezone 16, also einer Fläche A bis zu einer strichliert angedeuteten Fläche B im n-leitenden Gebiet 4. Diese Fläche B ist von der Drainzone 15 beabstandet, so daß zwischen der Fläche B und der Drainzone 15 ein n-leitender Bereich 13 besteht, in welchem keine „Verschachtelung" mit p-leitenden Gebieten 5 vorliegt. Es ist aber auch möglich, die Fläche B bis zu dem Rand der Drainzone 15 zu verlagern, so daß kein n-leitender Bereich 13 vorliegt. In vorteilhafter Weise ist aber die Fläche B von der Drainelektrode 15 beabstandet, was zu einer Erhöhung der Sperrspannung, einem weicheren Verlauf des elektrischen Feldes und einer Verbesserung der Kommutierungseigenschaften der Inversdiode führt.
Figur 2 zeigt einen Schnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements in der Form eines n-Kanal-MOS-Transistors mit einer Drainelektrode 2 und einer Gate-Isolierschicht 9 zwischen der Gateelektrode 8 und dem Kanalbereich, der unterhalb der Isolierschicht 9 zwischen einer Sourcezone 16 und einer Drainzone 15 in einem p- leitenden Gebiet 5 vorgesehen ist. Auch bei diesem Ausfüh- rungsbeispiel weisen die p-leitenden Gebiete 5 in den Zonen I, II und III eine variable Dotierung auf, wie dies oben anhand der Figur 1 erläutert wurde.
Die Ausführungsbeispiele der Figur 1 und 2 zeigen zwei bevor- zugte Gestaltungsmöglichkeiten für Lateralstrukturen des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes. Wesentlich bei beiden Strukturen ist, daß in den Gebieten 5 die angegebene variable Dotierung vorliegt und daß diese Gebiete 5 die Drainzone 15 nicht erreichen, also in einer Fläche B im Abstand von dieser Drainzone 15 enden. Gegebenenfalls ist es aber möglich, die Fläche B bis an den Rand der Drainzone 15 heranzuführen. Wie oben gesagt, kann der Kompensationsgrad dabei durch Variation der Dotierung der p-leitenden Gebiete 5 oder der n-leitenden Gebiete 4 erzielt werden.
Die Figuren 3a bis 3d zeigen verschiedene Layouts für das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement mit Sechseck- Polysilizium-Strukturen 17 und Polysilizium-Öffnungen 18 (Figur 3a) , in denen gegebenenfalls Aluminium-Kontaktlöcher 19 (Figur 3b) vorgesehen sein können. Figur 3c zeigt ein Layout mit Rechteck-Polysilizium-Strukturen 20 und entsprechenden Polysilizium-Öffnungen 18 und Aluminium-Kontaktlöchern 19, während Figur 3d schematisch in Draufsicht und Schnittdarstellung eine Streifenstruktur mit Polysilizium-Gate- Elektroden 8 und Aluminium-Elektroden 21 angibt.
Die Figuren 3a bis 3d zeigen, wie das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement mit verschiedenen Strukturen gestaltet werden kann .
Figur 4 zeigt einen Schnitt durch einen n-Kanal-MOS- Transistor mit einem n+-leitenden Silizium-Halbleitersubstrat 1, einer Drainelektrode 2, einer ersten n-leitenden Schicht 13, einer zweiten Schicht 3 mit n-leitenden Gebieten 4 und p- leitenden Gebieten 5, p-leitenden Zonen 6, n-leitenden Zonen 7, Gateelektroden 8 aus beispielsweise polykristallinem Silizium oder Metall, die in eine Isolierschicht 9 aus beispielsweise Siliziumdioxid eingebettet sind, und einer Source- Metallisierung 10 aus beispielsweise Aluminium. Die p- leitenden Gebiete 5 erreichen auch hier das n+-leitende Halbleitersubstrat nicht.
In Figur 4 sind zur besseren Übersichtlichkeit lediglich die metallischen Schichten schraffiert dargestellt, obwohl auch die übrigen Gebiete bzw. Zonen geschnitten gezeichnet sind.
In den p-leitenden Gebieten 5 sind in einer Zone I ein p-
Ladungsüberschuß, in einer Zone II eine „neutrale" Ladung und in Zone III ein n-Ladungsüberschuß vorhanden. Dies bedeutet, daß im Gebiet 5, das eine „p-Säule" bildet, in der Zone I die Ladung der p-Säule die Ladung des umgebenden n-leitenden Ge- bietes 5 überwiegt, daß weiterhin in der Zone II die Ladung der p-Säule genau die Ladung des umgebenden n-Gebietes 5 kompensiert und daß in der Zone III die Ladung der p-Säule noch nicht die ladung des umgebenden n-Gebiets 5 überwiegt. Wesentlich ist also, daß die Ladung der p-Gebiete 5 variabel ist, während die Ladung der n-Gebiete 4 jeweils konstant ist. Es ist hier wie in den vorangehenden Ausführungsbeispielen aber auch möglich, daß die Ladung der p-leitenden Gebiete 5 konstant ist und die Ladung der n-leitenden Gebiete variiert wird. Ebenso ist es möglich, in beiden Gebieten 4 und 5 die Ladung variabel zu gestalten.
Figur 5 zeigt in einem Schnitt C-D den Verlauf des Kompensationsgrades K über der Tiefe t des n-Kanal-MOS-Transistors : wie aus der Figur 5 zu ersehen ist, steigt der Kompensations- grad K mit einem konstanten Gradienten oder stufenförmig von dem Punkt C zu dem Punkt D monoton an. Aus Figur 6 ist zu ersehen, daß über dem Gebiet 5 das elektrische Feld E zwischen den Punkten C und D eine im wesentlichen konstante Krümmung besitzt.
Figur 7 zeigt Ko pensationsparabeln für eine konstante und eine variable Dotierung der p-leitenden Gebiete 5 bei dem Ausführungsbeispiel von Figur 4. Auf der Abszisse ist dabei der Kompensationsgrad K in Prozent aufgetragen, während die Ordinate die Durchbruchsspannung U in Volt angibt. Eine Kurve 11 zeigt dabei die DurchbruchsSpannung U für eine variable Dotierung, während eine Kurve 12 die DurchbruchsSpannung für eine konstante Dotierung darstellt. Es ist deutlich zu ersehen, daß die variable Dotierung eine beträchtliche Absenkung der DurchbruchsSpannung von etwa 750 V auf etwa 660 V mit sich bringt. Dafür kann aber ein größerer Bereich des Kompen- sationsgrades ausgenutzt werden.
Figur 8 zeigt schließlich ein Zelldesign in einem Schnitt mit Drain D, Source S und Gate G, dem n+-leitenden Halbleitersub- strat 1, einem n-leitenden Halbleiterbereich 13, der n- leitenden Schicht 3 und n-leitenden Gebieten 4 sowie p- leitenden Gebieten 5 für das p-leitende Gebiet 5 unterhalb der Sourceelektrode S sind in Figur 8 die Kompensationsgrade beispielsweise zwischen + 30 % und - 20 % angegeben, wobei ein Kompensationsgrad „0" eine echte Kompensation zwischen n- Dotierung und p-Dotierung bedeutet. Hier variiert also die Dotierung in der „p-Säule" um einen Faktor 3 während die Dotierung in den „n-Säulen" konstant ist.
Figur 9a bis 9c zeigt prinzipiell wie die Figuren 3a bis 3d, wie das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement mit verschiedenen Strukturen gestaltet werden kann, die sich bis in den Randbereich erstrecken. Wie den Figuren 9a bis c, Figuren 10a bis c und der Figur 11 zu ersehen ist,- sind im Halbleiter- randbereich eine Vielzahl von floatenden Zonen 5 vom zweiten Leitungstyp ausgebildet, die von Zwischenzonen 4 λ vom ersten Leitungstyp getrennt sind. Die Breite der Zwischenzonen 4Λ und die Breiten der floatenden Zonen 5 sind dabei kleiner als die Breiten der Gebiete 4, 5 innerhalb des Zellenfelds. Die floatenden Zonen 5 und die Zwischenzonen 4 sind so dimensioniert, daß sich deren Ladungsträger bei angelegter Sperrspannung vollständig ausräumen. Die Zonen 5 die im vorliegenden Ausführungsbeispiel schwach p-dotiert ausgebildet sind, sind „floatend", d.h. sie weisen ein Undefiniertes Potential auf. Die floatenden Zonen 5λ sind voneinander beabstandet, wobei der Bereich zwischen den floatenden Zonen 5λ eine Zwischenzone 4Λ definiert. Diese Zwischenzone λ weist typischerweise dieselbe Dotierungskonzentration auf, wie die Dotierung in den Zonen 4 innerhalb des Zellenfeldes.
Die Figuren 9a, b und c zeigen verschiedene Variationen der Breiten der Zwischenzonen und der Breiten der floatenden Zonen gegenüber den Grundbreiten im Zellenfeld. Dasselbe zeigen die Figuren 10a, b und c bei der streifenförmigen Randstrukturlayout bzw. die Figur 11 bei einem hexagonalen Randstuk- turlayout .
Figur 12 und Figur 13 zeigen den aus Figur 4 bekannten n-Kanal-MOS-Transistor, der um einen intrinsisch kompensierten Randabschluß erweitert ist. Der Transistor ist in bekannter Weise mit einem n+-leitenden Silizium-Halbleitersubstrat 1, einer Drainelektrode 2, einer ersten n-leitenden Schicht 13, einer zweiten Schicht mit n-leitenden Gebieten 4 und p-leitenden Gebieten 5, p-leitenden Zonen 6, n-leitenden Zonen 7, Gate-Elektroden 8 aus beispielsweise polykristallinem Silizium oder Metall, die in eine Isolierschicht 9 aus beispiels- weise Siliziumdioxid eingebettet sind, und einer Sourcemetal- lisierung 10 aus beispielsweise Aluminium, aufgebaut. Dabei sind in der vorliegenden Figur jeweils zwei p-leitende Gebiete 5 und n-leitende Gebiete 4 auf der linken Seite dargestellt. Nach rechts erstrecken sich abwechselnd weitere p- leitende Gebiete 5λ und n-leitende Gebiete 4λ. Die p- leitenden Gebiete 5V weisen gegenüber den p-leitenden Gebieten 5 in etwa die Hälfte der Breite auf, erstrecken sich doch in etwa gleich weit im n~-leitenden Bereich 13 in Richtung des Substrats 1. Die den Gebieten 4, 5 benachbart liegenden Gebiete 5 4λ sind mit einer p-leitenden Zone 6V verbunden, die über ein Kontaktloch mit der Source-Metallisierung 10 in Verbindung steht. Die p-leitende Zone 6X bildet einen aus dem Stand der Technik bekannten p-Ring. Die p-leitende Zone 6 weist im Gegensatz zum Zellenfeld keine n-leitende Zone auf, um parasitäre Transistoren zu vermeiden. Die n- und p- leitenden Gebiete 4 5λ strecken sich weit über die p- leitende Zone 6λ in Richtung des Bauelementrandes. Am äußersten Rand befindet sich eine sogenannte Channel-Stopper- Konfiguration, die aus einer Gate-Elektrode 8 besteht die mit einer n-leitenden Zone 7λX elektrisch verbunden ist, welche ihrerseits in einer p-leitenden Zone 6 N in dem n~- leitenden Bereich 13 untergebracht ist.
Eine Alternative zu der in Figur 12 gezeigten Channel-Stopper-Konfiguration bildet der in Figur 13 dargestellte sogenannte Raumladungszonen-Stopper . Dieser Raumladungszonen- Stopper besteht nur aus einer gut leitenden n+-leitenden Zone, die in den n~-leitenden Bereich eingebracht ist.
Beiden Ausführungsbeispielen ist gemeinsam, daß die Kontaktlöcher der p-leitenden Zone 6 gegenüber den Kontaktlöchern in den n- bzw. p-leitenden Zonen 7, 6 wesentlich größer sind. Dies hat zur Folge, daß die Gate-Elektrode 8 die über den Gebieten 4 5λ liegt, gegenüber den Gate-Elektroden 8 des Zellenfeldes wesentlich kleiner ausgebildet ist. Das Raster, in welchem die Gebiete 4 , 5 angeordnet sind, ist gegenüber den Gebieten 4, 5 des Zellenfeldes in etwa halb so groß. Bezugszeichenliste :
1 Halbleitersubstrat
2 Drainelektrode 3 Epitaxieschicht
4 n-leitendes Gebiet
5 p-leitendes Gebiet
6 p-leitende Zone
7 n-leitende Zone 8 Gate-Elektrode
9 Isolierschicht
10 Source-Metallisierung
11 Kompensationsparabel für variable Dotierung
12 Kompensationsparabel für konstante Dotierung 13 n~-leitender Bereich
15 Drainzone
16 Sourcezone
17 Sechseck-Polysilizium-Strukturen
18 Polysilizium-Öffnung 19 Aluminium-Kontaktloch
20 Rechteck-Polysilizium-Strukturen
21 Aluminium-Elektroden S Sourceelektrode
G Gateelektrode D Drainelektrode
K Kompensationsgrad (%)
U Spannung (Volt) t Tiefe
E Elektrisches Feld A, B Flächen
4 λ n-leitendes Gebiet
5λ p-leitendes Gebiet
6 p-leitende Zone
7 x v n-leitende Zone 8λλ Gate-Elektrode
6, p-leitende Zone
8Λ Gate-Elektrode

Claims

Patentansprüche
1. Halbleiterbauelement mit einem einen sperrenden pn- Übergang aufweisenden Halbleiterkörper, einer ersten Zone (16, 7) eines ersten Leitungstyps, die mit einer ersten Elektrode (10) verbunden ist und an eine den sperrenden pn- Übergang bildende Zone (6) eines zweiten, zum ersten Leitungstyp entgegengesetzten Leitungstyps angrenzt, und mit einer zweiten Zone (15, 1) des ersten Leitungstyps, die mit ei- ner zweiten Elektrode (2) verbunden ist, wobei die der zweiten Zone (15, 1) zugewandte Seite der Zone (6) des zweiten Leitungstyps eine erste Oberfläche (A) bildet und im Bereich zwischen der ersten Oberfläche (A) und einer zweiten Oberfläche (B) , die zwischen der ersten Oberfläche (A) und der zwei- ten Zone (15, 1) liegt, Gebiete (4, 5) des ersten und des zweiten Leitungstyps ineinander verschachtelt sind, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Gebiete (4, 5) des ersten und des zweiten Leitungstyps derart dotiert sind, daß in Bereichen (I) nahe der ersten Oberfläche (A) Ladungsträger des zweiten Leitungstyps und in Bereichen (III) nahe der zweiten Oberfläche (B) Ladungsträger des ersten Leitungstyps überwiegen.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die zweite Oberfläche (B) von der zweiten Zone (15, 1) beabstandet ist, so daß die ineinander verschachtelten Gebiete (4, 5) des ersten und des zweiten Leitungstyps nicht bis zur zweiten Zone (15, 1) reichen.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die zweite Oberfläche (B) mit der der ersten Zone (16, 7) zugewandten Oberfläche der zweiten Zone (15, 1) zusammen- fällt, so daß die ineinander verschachtelten Gebiete (4, 5) des ersten und als zweiten Leitungstyps bis zur zweiten Zone (15, 1) reichen.
4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß zwischen der zweiten Oberfläche (B) und der zweiten Zone (15, 1) ein schwach dotierter Bereich (13) des ersten Leitungstyps vorgesehen ist.
5. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4 d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß zwischen der ersten und der zweiten Oberfläche (A, B) das elektrische Feld einen von beiden Oberflächen aus ansteigenden Verlauf hat.
6. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß ein durch die Dotierung in den Gebieten (4, 5) des ersten und des zweiten Leitungstyps bewirkter Kompensationsgrad zwischen der ersten und der zweiten Oberfläche (A, B) einen monotonen Verlauf hat.
7. Halbleiterbauelement nach Anspruch 6, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Kompensationsgrad (K) einen stufenförmigen Verlauf hat.
8. Halbleiterbauelement nach Anspruch 6 oder 7, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Kompensationsgrad (K) zwischen der ersten und der zweiten Oberfläche (A, B) um einen Faktor 4 variiert.
9. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der erste Leitungstyp der n-Leitungstyp ist.
10. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 9, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Gebiete (4, 5) des ersten und des zweiten Leitungstyps lateral im Halbleiterkörper angeordnet sind.
11. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 9, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Gebiete (4, 5) des ersten und zweiten Leitungstyps vertikal im Halbleiterkörper angeordnet sind.
12. Halbleiterbauelement nach Anspruch 9, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß in Gebieten (5) des zweiten Leitungstyps ein durch Dotierung bewirkter Kompensationsgrad derart variiert ist, daß nahe der ersten Oberfläche (A) Akzeptorrümpfe und nahe der zweiten Oberfläche (B) Donatorrümpfe dominieren.
13. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 12, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Gebiete (4) in einem Schnitt parallel zur ersten Oberfläche (A) und zur zweiten Oberfläche (B) einen in etwa kreisförmigen Querschnitt aufweisen und eine hexagonale Flächenpackung einnehmen.
14. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 12, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Gebiete (4) in einem Schnitt parallel zur ersten
Oberfläche (A) und zur zweiten Oberfläche (B) einen in etwa kreisförmigen Querschnitt aufweisen und eine in etwa quadratische Flächenpackung einnehmen.
15. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 12, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Gebiete (4) in einem Schnitt parallel zur ersten Oberfläche (A) und zur zweiten Oberfläche (B) einen in etwa streifenförmigen Querschnitt aufweisen-.
16. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 15, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß das Halbleiterbauelement in seinem Randbereich (RB) eine hochspannungsfeste Grundstruktur aufweist, die aus mehreren floatenden Zonen (5 ) vom zweiten Leitungstyp besteht, die von Zwischenzonen (4X) vom ersten Leitungstyp getrennt sind, wobei die Breite der Zwischenzonen und die Breite der floatenden Zonen (4λ) kleiner als die Breiten der Gebiete (4, 5) sind und sich die Ladungsträger der floatenden Zonen (5 ) und der Zwischenzonen (4λ) bei angelegter Sperrspannung vollständig ausräumen.
17. Halbleiterbauelement nach Anspruch 16, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß am äußersten Rand des Randbereiches (RB) des Halbleiterbauelements mindestens ein Raumladungszonenstopper vorgesehen ist.
18. Halbleiterbauelement nach Anspruch 17, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Raumladungszonenstopper ein zwischen der ersten Ober- fläche (A) und der zweiten Oberfläche (B) angeordnetes, stark dotiertes Gebiet vom ersten Leitungstyp aufweist.
19. Halbleiterbauelement nach Anspruch 18, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Raumladungszonenstopper ein Damage-implantiertes Gebiet aufweist.
20. Halbleiterbauelement nach Anspruch 19, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Raumladungszonenstopper eine metallische oder eine
Polysilizium enthaltende Elektrode aufweist, die an den Halbleiterkörper angeschlossen ist.
21. Verfahren zum Herstellen des Halbleiterbauelements nach einem der Ansprüche 1 bis 20, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß in einzelnen Halbleiterschichten durch Änderung einer Ionenimplantationsdosis der Kompensationsgrad (K) in den Gebieten des zweiten Leitungstyps kontinuierlich verändert wird.
22. Verfahren zum Herstellen des Halbleiterbauelements nach einem der Ansprüche 1 bis 20, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß in einzelnen Epitaxieschichten durch Änderung der Epitaxiedotierung der Kompensationsgrad (K) in den Gebieten des zweiten Leitungstyps kontinuierlich verändert wird.
23. Verfahren zum Herstellen des Halbleiterbauelementes nach einem der Ansprüche 1 bis 22, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß in einzelnen Halbleiterschichten durch Änderung einer Ionenimplantationsdosis der Kompensationsgrad (K) in den Gebei- ten des zweiten Leitungstyps kontinuierlich verändert wird.
24. Verfahren zum Herstellen des Halbleiterbauelements nach einem der Ansprüche 1 bis 23, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß in einzelnen Epitaxieschichten durch Änderung der Epitaxiedotierung der Kompensationsgrad (K) in den Gebieten des zweiten Leitungstyps kontinuierlich verändert wird.
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