WO2000048313A1 - Dispositif a ondes de surface connecte a une embase avec un adhesif conducteur - Google Patents

Dispositif a ondes de surface connecte a une embase avec un adhesif conducteur Download PDF

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Jean-Marc Bureau
Christian Lelong
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Definitions

  • the field of the invention is that of surface wave components used in the electronic field, in particular as RF or IF filters for the purpose of selecting frequency bands.
  • a ceramic or organic base 01 and a ceramic, metallic or organic 02 cover, which can be closed by welding or by bonding ensures the airtightness of the component while providing the necessary cavity.
  • the surface wave devices (DOS) 03 can be assembled by gluing to the base.
  • the electrical connections between the internal studs 011, 012 of the DOS and the external studs 071 and 072 are provided by metallized vias through the base plate 01.
  • Figure 1 illustrates an example of the prior art, in which the electrical connections of the DOS with the outside are of the wire type.
  • the point type technique (“flip chip”) (the component being turned over) is currently used.
  • Figure 2 illustrates an example of DOS encapsulated according to the prior art, which constitutes a variant of Figure 1.
  • the flip-chip type method is developed in detail in US Patent 5,252,882. DOS is transferred active side towards the 'base via balls called metallic'Bumps' which ensures both the electrical connection between the DOS and the base and the mechanical this assembly. However, the limited number and the small size of these balls limit the mechanical strength of the assembly.
  • the invention proposes a new surface wave component comprising a DOS mounted face active towards a base and assembled to said base using an anisotropic conductive adhesive.
  • the anisotropic conductive adhesive advantageously provides an electrical connection function.
  • an encapsulated surface wave component comprising:
  • a surface wave device on the surface of a piezoelectric substrate called the active surface, said device comprising interdigitated electrodes connected to conductive buses;
  • the active surface of the surface wave device is assembled to the base by means of an anisotropic conductive adhesive along an axis Z perpendicular to the plane of the surface wave device, at the level of the conductive buses look at the base electrodes so as to ensure electrical connections.
  • the anisotropic conductive adhesive can also be located over the entire periphery of the surface wave device so as to encapsulate said device.
  • the electrodes of the base have a structure suitable for locally compressing the anisotropic conductive adhesive, a necessary condition for crushing the conductive particles. According to the invention, it is therefore not necessary to perform bumps on the base or on the DOS.
  • This structure comprises a succession of local thicknesses allowing local compression, which can be of the order of a few tens of microns.
  • the anisotropic conductive adhesive is a composite material comprising conductive particles and a binder material.
  • the electrodes of the base constitute barriers against the creep of the anisotropic conductive adhesive towards the active areas of the surface wave device.
  • these electrodes can be in the form of a comb, the teeth of which are perpendicular to the direction of propagation of the acoustic waves of the surface wave device.
  • FIG. 1 and 2 illustrate surface wave devices, encapsulated according to techniques of the known art.
  • FIG 3 illustrates the assembly process used in the invention.
  • Figure 3a shows the anisotropic conductive material at rest between two electrodes
  • Figure 3b shows the anisotropic conductive material in compression between two electrodes.
  • FIG. 4 illustrates an example of a surface wave device comprising two transducers.
  • FIG. 6 illustrates an example of anisotropic conductive material superimposed on a surface acoustic wave device.
  • - Figure 7 illustrates an example of an encapsulated device according to the invention.
  • FIG. 8 illustrates an example of a device according to the invention, encapsulated in a standard housing.
  • the component of the invention comprises a surface wave device which has the particularity of being mounted on the active face towards a base and assembled to this base, via an anisotropic conductive adhesive which ensures both an electrical function and a mechanical function.
  • the same adhesive can also provide an acoustic absorbent function.
  • the anisotropic conductive adhesive material has the property of being conductive in a preferred direction, as illustrated in FIG. 3 which schematically shows a film of conductive adhesive made up of a binder material and conductive particles. Typically, this material inserted between two electrodes, then hot pressed is able to ensure electrical contact, only in the direction Z.
  • Figure 3a shows the ACF film at rest
  • Figure 3b illustrates the hot pressing operation which ensures electrical contact between the two electrodes. More specifically, these figures illustrate a variant in which the base E comprises comb-shaped electrodes whose DE teeth are shown in section, opposite the DOS electrode.
  • the electrical conductivity is achieved by crushing the particles in the z axis, corresponding to the conduction axis, during the transfer by pressure between the two surfaces to be assembled.
  • one of the electrodes corresponds to that of the surface acoustic wave device, the other electrode may have been produced on the surface of the base, as will be described in more detail later.
  • thermosetting or thermoplastic polymer loaded with polymer particles metallized by in particular a deposit of gold or nickel can vary between a few microns and about twenty microns.
  • the density of the particles can typically be of the order of 1000 balls / mm 2 to 15000 balls / mm 2 .
  • the anisotropic conductive material makes it possible to link the acoustic wave device to a base.
  • a surface acoustic wave device produced on the surface of a piezoelectric substrate of the quartz type, lithium tantalate, on which are produced by vacuum evaporation, the combs of interdigitated electrodes which constitute the active surface generating acoustic waves, and buses generally made of aluminum which make it possible to electrically supply the combs.
  • An example of such a device is illustrated in FIG. 4.
  • Two transducers Ti and T 2 are produced on the surface of the piezoelectric substrate, each one comprises respectively two buses Bu, B- ⁇ 2 , B 2 ⁇ , B 22 and combs of electrodes Pi and P 2 .
  • the rear face of the surface wave device can be ribbed to absorb bulk waves.
  • Base E is shown in Figure 5a. It has on one of its faces electrodes En, E ⁇ 2 , E 2 ⁇ , E 2 2 intended to ensure the contact of the buses Bu, B 12 , B 2 ⁇ , B 2 2 of the transducers Ti and T 2 previously described , on the other side not shown, conductive pads provide electrical contact with the outside, it may for example be a printed circuit to be connected to the surface wave device. Conductive vias made through the base provide the electrical connection between the electrodes En, E-
  • the base can be made of ceramic (Al 2 0) or of charged polymer (for example epoxy-glass resin) or else in polyimide film (for example of Kapton).
  • the function of the anisotropic conductive material is to mechanically assemble and electrically connect the acoustic wave device to the base.
  • the anisotropic conductive material can also be deposited on the base side or on the device side.
  • MCA anisotropic conductive material
  • a deposit can be made by screen printing, deposit with a syringe. It is also possible to carry out a deposition covering the entire surface of the substrate or of the base then localized by chemical, mechanical etching or by laser ablation so as to release the free space necessary for the propagation of surface waves.
  • the deposition of the material is carried out at the level of the opposite electrical connection pads (bus / electrodes of the base), but the anisotropic nature of the conductive material, allows deposition on larger surfaces than those to be connected , without short-circuiting the independent conductive pads, located in the same plane.
  • the material can in particular, advantageously be located in the following places:
  • the anisotropic conductor is advantageously placed on the fingers of the electrode combs. Under the effect of pressure and temperature, the creep of the anisotropic conductor is stopped by the barriers that constitute the electrodes and more particularly the handle of the combs, as illustrated in FIG. 5c.
  • the teeth DE12 have a structure made up of thickeners making it possible to locally compress the adhesive in the zones Z c .
  • the zones Zf represent zones of creep vis-à-vis the uncompressed conductive adhesive.
  • the zones Z b formed by the handle of the comb constitute zones preventing the creep of the anisotropic conductive adhesive ACF towards the active regions.
  • the three elements of the device / conductive material / base are assembled. This operation is carried out at a temperature and at a pressure which are determined according to the nature of the anisotropic conductive material. Typically, the pressure necessary to obtain bonding and the establishment of the electrical contact varies between 10 and 30 bars and the temperature varies between 150 ° C. and 220 ° C.
  • the anisotropic conductive material also provides a sealing function which makes it possible to design a surface acoustic wave device, particularly compact, since having no lost space as shown in Figure 7 which illustrates the device of Figure 6 assembled with a base, in a section plane AA '.
  • the assembly illustrated in Figure 7 can just as easily be integrated into a standard encapsulation box as shown in Figure 8, the MCA material always ensures the electrical connection between the base and the surface acoustic wave device.
  • Low walls m and a cover C constitutes the upper part of the encapsulation box.

Abstract

L'invention concerne un dispositif à ondes de surface relié à une embase par un matériau conducteur anisotrope dans une direction perpendiculaire au plan du dispositif à ondes de surface et de l'embase. Ce matériau conducteur anisotrope assure la tenue mécanique et l'encapsulation du dispositif à ondes de surface. Il est déposé localement dans le plan de l'embase, de manière à assurer la présence d'une cavité dans laquelle peuvent se propager les ondes acoustiques de surface.

Description

DISPOSITIF A ONDES DE SURFACE CONNECTE A UNE EMBASE AVEC UN ADHESIF CONDUCTEUR
Le domaine de l'invention est celui des composants à ondes de surface utilisés dans le domaine électronique, notamment comme filtres RF ou IF dans le but de sélectionner des bandes de fréquences.
Ces composants utilisent le principe de propagation acoustique des ondes de surface, à la surface d'un substrat piézo-électrique. Pour assurer une propagation des ondes acoustiques de surface satisfaisante, la surface du composant doit être protégée contre toutes pollutions et toutes sollicitations mécaniques.
Par ailleurs, comme les ondes acoustiques se propagent à la surface du substrat piézo-électrique, cette surface doit être laissée libre pour ne pas perturber la propagation des ondes, ce qui constitue une contrainte supplémentaire au niveau des boîtiers d'encapsulation.
Les technologies actuelles d'encapsulation des filtres à ondes de surface reposent sur un boîtier en deux parties, comme illustrée en Figure 1 : une embase céramique ou organique 01 , et un couvercle céramique, métallique ou organique 02, dont la fermeture par soudure ou par collage assure l'herméticité du composant tout en ménageant la cavité nécessaire. Dans ce type de boîtiers, les dispositifs à ondes de surface (DOS) 03, peuvent être assemblés par collage sur l'embase. Les connexions électriques entre les plots internes 011 , 012 du DOS et des plots externes 071 et 072 sont assurées par des vias métallisés au travers de l'embase 01.
La Figure 1 illustre un exemple de l'art antérieur, dans lequel les connexions électriques du DOS avec l'extérieur sont de type fil. Pour assurer une meilleure compacité, la technique de type point (« flip chip »), (le composant étant retourné) est actuellement employée. La Figure 2 illustre un exemple de DOS encapsulé selon l'art connu, qui constitue une variante de la Figure 1. La méthode de type flip-chip est développée en détail dans le brevet US 5252 882. Le DOS est reporté face active vers l'embase par l'intermédiaire de billes appelées « Bumps » métalliques qui assure à la fois la connexion électrique entre le DOS et l'embase et la tenue mécanique de cet assemblage. Cependant, le nombre limité et la petite taille de ces billes limitent la tenue mécanique de l'assemblage.
C'est pourquoi certains ont proposé d'utiliser une résine d'encapsulation pour renforcer la tenue mécanique de ces billes qui assurent les connexions électriques entre le DOS et l'embase. De telles résines sont notamment décrites dans le brevet européen EP 0896 427 A2.
Dans ce contexte, l'invention propose un nouveau composant à ondes de surface comprenant un DOS monté face active vers une embase et assemblé à ladite embase à l'aide d'un adhésif conducteur anisotrope. L'adhésif conducteur anisotrope assure avantageusement une fonction de connexion électrique.
Plus précisément l'invention a pour objet un composant à ondes de surface encapsulé comprenant :
- un dispositif à ondes de surface à la surface d'un substrat piézo-électrique dite surface active, ledit dispositif comportant des électrodes interdigitées reliées à des bus conducteurs ;
- une embase comportant des électrodes reliées à des plots conducteurs externes ; caractérisé en ce que : la surface active du dispositif à ondes de surface est assemblée à l'embase par l'intermédiaire d'un adhésif conducteur anisotrope selon un axe Z perpendiculaire au plan du dispositif à ondes de surface, au niveau des bus conducteurs en regard des électrodes de l'embase de manière à assurer des connexions électriques. Selon une variante de l'invention, l'adhésif conducteur anisotrope peut également être situé sur l'ensemble de la périphérie du dispositif à ondes de surface de manière à réaliser l'encapsulation dudit dispositif.
Les électrodes de l'embase ont une structure adaptée pour comprimer localement l'adhésif conducteur anisotrope, condition nécessaire pour écraser les particules conductrices. Selon l'invention, il n'est donc pas nécessaire de réaliser des bumps sur l'embase ou sur le DOS. Cette structure comporte une succession de surépaisseurs locales permettant la compression locale, pouvant être de l'ordre de quelques dizaines de microns. Selon une variante préférentielle de l'invention, l'adhésif conducteur anisotrope est un matériau composite comportant des particules conductrices et un matériau liant.
Selon une variante de l'invention les électrodes de l'embase constituent des barrières contre le fluage de l'adhésif conducteur anisotrope vers les zones actives du dispositif à ondes de surface. Avantageusement ces électrodes peuvent être en forme de peigne dont les dents sont perpendiculaires à la direction de propagation des ondes acoustiques du dispositif à ondes de surface. L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre non limitatif et grâce aux figures annexées, parmi lesquelles :
- Les Figures 1 et 2 illustrent des dispositifs à ondes de surface, encapsulés selon des techniques de l'art connu. - La Figure 3 illustre le processus d'assemblage utilisé dans l'invention. La Figure 3a montre le matériau conducteur anisotrope au repos entre deux électrodes, la Figure 3b montre le matériau conducteur anisotrope en compression entre deux électrodes.
- La figure 4 illustre un exemple de dispositif à ondes de surface comprenant deux transducteurs.
- Les Figure 5a à 5c illustrent des exemples d'embase pouvant être utilisées dans l'invention.
- La Figure 6 illustre un exemple de matériau conducteur anisotrope superposé à un dispositif à ondes acoustiques de surface. - La Figure 7 illustre un exemple de dispositif encapsulé selon l'invention.
- La Figure 8 illustre un exemple de dispositif selon l'invention, encapsulé dans un boîtier standard.
De manière générale, le composant de l'invention comprend un dispositif à ondes de surface qui a la particularité d'être monté face active vers une embase et assemblé à cette embase, via un adhésif conducteur anisotrope qui assure à la fois une fonction électrique et une fonction mécanique. Le même adhésif peut assurer également une fonction d'absorbant acoustique. Le matériau adhésif conducteur anisotrope présente la propriété d'être conducteur dans une direction privilégiée, comme l'illustre la Figure 3 qui schématise un film d'adhésif conducteur constitué d'un matériau liant et de particules conductrices. Typiquement, ce matériau inséré entre deux électrodes, puis pressé à chaud est en mesure d'assurer le contact électrique, uniquement selon la direction Z. La Figure 3a montre le film ACF au repos, la Figure 3b illustre l'opération de pressage à chaud qui permet d'assurer le contact électrique entre les deux électrodes. Plus précisément ces figures illustrent une variante dans laquelle l'embase E comporte des électrodes en forme de peignes dont les dents DE sont représentées en coupe, en regard de l'électrode du DOS.
La conductivité électrique est réalisée par écrasement des particules dans l'axe z, correspondant à l'axe de conduction, lors du report par pression entre les deux surfaces à assembler. Dans le cadre de l'invention, une des électrodes, correspond à celle du dispositif à ondes acoustiques de surface, l'autre électrode peut avoir été réalisée à la surface de l'embase, comme cela sera décrit plus en détail ultérieurement.
Pour assurer l'anisotropie recherchée du matériau liant les deux surfaces conductrices à connecter, on peut avantageusement utiliser un polymère thermodurcissable ou thermoplastique chargé avec des particules polymères métallisées par notamment un dépôt d'or ou de nickel. La taille des particules peut varier entre quelques microns et une vingtaine de microns. La densité des particules peut typiquement être de l'ordre de 1000 billes/mm2 à 15000 billes/mm2.
Dans le cadre de l'invention, le matériau conducteur anisotrope permet de lier le dispositif à ondes acoustiques à une embase.
De manière plus détaillée, nous allons décrire un exemple de dispositif à ondes acoustiques de surface, réalisé à la surface d'un substrat piézo-électrique de type quartz, tantalate de lithium, sur lequel sont réalisées par évaporation sous vide, les peignes d'électrodes interdigitées qui constituent la surface active génératrice d'ondes acoustiques, et des bus généralement en aluminium qui permettent d'alimenter électriquement les peignes. Un exemple d'un tel dispositif est illustré en Figure 4. Deux transducteurs Ti et T2 sont réalisés à la surface du substrat piézo-électrique, chacun comporte respectivement deux bus Bu, B-ι2, B2ι, B22 et des peignes d'électrodes Pi et P2. La face arrière du dispositif à ondes de surface peut être striée pour absorber les ondes de volume.
L'embase E est représentée en Figure 5a. Elle comporte sur l'une de ses faces des électrodes En, Eι2, E2ι, E22 destinées à assurer le contact des bus Bu, B12, B2ι, B22 des transducteurs Ti et T2 précédemment décrits, sur l'autre face non représentée des plots conducteurs permettent d'assurer le contact électrique avec l'extérieur, il peut s'agir par exemple d'un circuit imprimé à connecter au dispositif à ondes de surface. Des vias conducteurs réalisés au travers de l'embase assurent la liaison électrique entre les électrodes En, E-|2l E2ι, E22 et les plots conducteurs externes. Dans cette technologie, l'embase peut être réalisée en céramique (Al2 0 ) ou en polymère chargé (par exemple de la résine époxy-verre) ou bien encore en film polyimide (par exemple du Kapton). Le matériau conducteur anisotrope a pour fonction d'assembler mécaniquement et de connecter électriquement le dispositif à ondes acoustiques à l'embase. Pour ce faire, le matériau conducteur anisotrope (MCA), peut aussi bien être déposé côté embase ou côté dispositif. Lorsque l'on choisit un film de MCA, on peut notamment utiliser une préforme prédécoupée mécaniquement, par laser ou par toute autre méthode. Lorsque l'on choisit une pâte, on peut réaliser un dépôt par sérigraphie, dépôt à la seringue. On peut également procéder à un dépôt couvrant toute la surface du substrat ou de l'embase puis localisé par gravure chimique, mécanique ou par ablation laser de manière à dégager l'espace libre nécessaire à la propagation des ondes de surface. Dans tous les cas, le dépôt du matériau est effectué au niveau des plages de connexions électriques en regard (bus/électrodes de l'embase), mais le caractère anisotrope du matériau conducteur, permet le dépôt sur des surfaces plus étendues que celles à connecter, sans court-circuiter les plages conductrices indépendantes, situées dans un même plan. Le matériau peut notamment, avantageusement être localisé dans les endroits suivants :
- Sur les surfaces non actives du dispositif à ondes de surface, afin de renforcer la tenue mécanique de l'assemblage en augmentant la surface de collage et en répartissant les contraintes mécaniques. - Sur des zones spécifiques du dispositif à ondes de surface, afin d'absorber les ondes acoustiques de surface si nécessaire (il peut typiquement s'agir de supprimer des réflexions des bords du dispositif, suppression du couplage acoustique entre différentes zones actives). - Sur l'ensemble de la périphérie d'un dispositif à ondes de surface, pour en assurer l'étanchéité comme illustré en Figure 6.
Par ailleurs, pour assurer une épaisseur calibrée de matériau anisotrope conducteur, et calibrer la hauteur de la cavité ainsi définie, il est possible d'utiliser des billes métalliques (appelées bumps) déposées côté dispositif à ondes de surface.
Il est également possible de réaliser des structures en relief côté dispositif ou côté embase pour comprimer localement l'adhésif conducteur anisotrope, pour contrôler le fluage du matériau conducteur anisotrope et en particulier empêcher sa migration vers les surfaces actives du dispositif. Il s'agit d'électrodes sous forme de peigne, comme l'illustre la Figure 5b. En effet lors de la réalisation de l'assemblage embase substrat on dispose avantageusement le conducteur anisotrope sur les doigts des peignes d'électrodes. Sous l'effet de la pression et de la température, le fluage du conducteur anisotrope est arrêté par les barrières que constituent les électrodes et plus particulièrement le manche des peignes, comme l'illustre la Figure 5c. Les dents DE12 ont une structure constituée de surépaisseurs permettant de comprimer localement l'adhésif dans les zones Zc. Selon l'invention il n'est donc pas nécessaire de réaliser des bumps sur l'embase ou sur le DOS. Les zones Zf représentent des zones de fluage vis-à-vis de l'adhésif conducteur non comprimé. Les zones Zb constituées par le manche du peigne constituent des zones barrière au fluage de l'adhésif conducteur anisotrope ACF vers les régions actives.
Lorsque les motifs désirés sont réalisés au niveau du matériau conducteur anisotrope, on procède à l'assemblage des trois éléments dispositif / matériau conducteur / embase. Cette opération est effectuée à une température et à une pression qui sont déterminées en fonction de la nature du matériau conducteur anisotrope. Typiquement, la pression nécessaire pour obtenir le collage et l'établissement du contact électrique varie entre 10 et 30 bars et la température varie entre 150° C et 220° C. Dans l'exemple cité ci-dessus, le matériau conducteur anisotrope assure également une fonction d'étanchéité qui permet de concevoir un dispositif à ondes acoustiques de surface, particulièrement compact, puisque ne présentant aucune place perdue comme le met en évidence la Figure 7 qui illustre le dispositif de la Figure 6 assemblé à une embase, dans un plan de coupe AA'.
Pour des applications dans lesquelles les contraintes d'étanchéité et de robustesse sont très fortes, l'assemblage illustré en Figure 7, peut tout aussi bien être intégré dans un boîtier d'encapsulation standard comme le schématise la figure 8, le matériau MCA assure toujours la connexion électrique entre l'embase et le dispositif à ondes acoustiques de surface. Des murets m et un couvercle C constitue la partie supérieure du boîtier d'encapsulation.

Claims

R E V E N D I C A T I O N S
1 - Composant à ondes de surface encapsulé comprenant :
- un dispositif à ondes de surface (DOS) à la surface d'un substrat piézo-électrique dite surface active, ledit dispositif comportant des électrodes interdigitées reliées à des bus conducteurs ;
- une embase (E) comportant des électrodes reliées à des plots conducteurs externes ; caractérisé en ce que : la surface active du dispositif à ondes de surface est assemblée à l'embase par l'intermédiaire d'un adhésif conducteur anisotrope selon un axe Z perpendiculaire au plan du dispositif à ondes de surface, au niveau des bus conducteurs en regard des électrodes de l'embase de manière à assurer des connexions électriques.
2 - Composant à ondes de surface selon la revendication 1 , caractérisé en ce que l'ensemble des électrodes a une structure comportant une succession de surépaisseurs locales (Zc) permettant de comprimer localement l'adhésif conducteur anisotrope (ACF).
3 - Composant à ondes de surface selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que les électrodes de l'embase constituent des structures en relief constituant des barrières contre le fluage de l'adhésif conducteur anisotrope vers les zones actives du dispositif à ondes de surface.
4 - Composant à ondes de surface selon la revendication 3, caractérisé en ce que les électrodes de l'embase ont une architecture en forme de peigne présentant un manche (ME12) et des dents (DE12), lesdites dents étant perpendiculaires à la direction de propagation des ondes acoustiques du dispositif à ondes de surface.
5 - Composant à ondes de surface selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'adhésif conducteur anisotrope est déposé au niveau des dents du peigne (DE12). 6 - Composant à ondes de surface selon l'une des revendications 2 à 5 caractérisé en ce que les surépaisseurs sont de l'ordre de quelques dizaines de microns.
7 - Composant à ondes de surface selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que l'adhésif conducteur anisotrope est un matériau composite comportant des particules conductrices et un matériau liant.
8 - Composant à ondes de surface selon la revendication 7, caractérisé en ce que le matériau liant est un polymère thermodurcissable ou thermoplastique.
9 - Composant à ondes de surface selon l'une des revendications 7 ou 8, caractérisé en ce que les particules conductrices sont des particules de polymères métallisées.
10 - Composant à ondes de surface selon l'une des revendications 7 ou 8, caractérisé en ce que les particules conductrices sont des particules métalliques.
11 - Composant à ondes de surface selon l'une des revendications 7 à 10, caractérisé en ce que les particules ont un diamètre compris entre environ quelques microns et une vingtaine de microns.
12 - Composant à ondes de surface selon l'une des revendications 1 à 11 , caractérisé en ce que l'adhésif conducteur anisotrope possède des propriétés d'absorbant acoustique.
13 - Composant à ondes de surface selon l'une des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que l'adhésif anisotrope conducteur est également situé sur l'ensemble de la périphérie du dispositif à ondes de surface de manière à réaliser l'encapsulation dudit dispositif.
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JP2000599133A JP2002537669A (ja) 1999-02-12 2000-02-11 導電接着剤を用いてベースに結合される表面弾性波素子
DE60006365T DE60006365T2 (de) 1999-02-12 2000-02-11 Akustische oberflächenwellenanordnung verbunden mit einem sockel durch einen leitenden klebstoff
KR1020017010097A KR20010102024A (ko) 1999-02-12 2000-02-11 도전성 접착제로 베이스에 접속된 표면파 디바이스
EP00905118A EP1157460B1 (fr) 1999-02-12 2000-02-11 Dispositif a ondes de surface connecte a une embase avec un adhesif conducteur
US09/890,280 US6556105B1 (en) 1999-02-12 2000-02-11 Surface wave device connected to a base with a conductive adhesive
CA002362736A CA2362736A1 (fr) 1999-02-12 2000-02-11 Dispositif a ondes de surface connecte a une embase avec un adhesif conducteur
HK02106309A HK1044860A1 (en) 1999-02-12 2002-08-27 Surface wave device connected to a base with a conductive adhesive.

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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2818170B1 (fr) * 2000-12-19 2003-03-07 Thomson Csf Procede de fabrication d'une sonde acoustique multielements utilisant un film polymere metallise et ablate comme plan de masse
DE10351429B4 (de) * 2003-11-04 2013-10-31 Epcos Ag SAW Bauelement mit Klebestelle und Verwendung dafür
JP4880478B2 (ja) * 2003-12-30 2012-02-22 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 弾性表面波センサアセンブリ
US20070281369A1 (en) * 2003-12-30 2007-12-06 Carter Chad J Acousto-Mechanical Detection Systems and Methods of Use
US7259499B2 (en) * 2004-12-23 2007-08-21 Askew Andy R Piezoelectric bimorph actuator and method of manufacturing thereof
JP4770643B2 (ja) * 2005-10-12 2011-09-14 エプソントヨコム株式会社 圧電デバイス及び、その製造方法
EP2100130A1 (fr) * 2006-12-29 2009-09-16 3M Innovative Properties Company Procédé de détection de bioanalytes par des systèmes de détection acousto-mécaniques comprenant l'addition de liposomes
KR102024608B1 (ko) * 2017-01-11 2019-09-24 엘지전자 주식회사 센서
CN111371429B (zh) * 2018-12-26 2022-07-12 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 控制电路与声波滤波器的集成方法和集成结构
US11063571B2 (en) * 2019-07-25 2021-07-13 Zhuhai Crystal Resonance Technologies Co., Ltd. Packaged electronic components

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07154185A (ja) * 1993-10-04 1995-06-16 Nec Corp 弾性表面波装置およびその製造方法
EP0840369A1 (fr) * 1995-06-30 1998-05-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Composant electronique et son procede de fabrication
EP0896427A2 (fr) * 1997-08-05 1999-02-10 Nec Corporation Dispositif à ondes acoustiques de surface
US5939817A (en) * 1994-09-22 1999-08-17 Nippon Electric Co Surface acoustic wave device

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2605139A1 (fr) 1986-10-10 1988-04-15 Europ Composants Electron Condensateur du type a film de polymere et a stabilite en temperature elevee
FR2627008B1 (fr) 1988-02-05 1990-06-08 Europ Composants Electron Procede d'impregnation de condensateurs electrolytiques par des sels de tetracyanoquinodimethane
FR2666173A1 (fr) 1990-08-21 1992-02-28 Thomson Csf Structure hybride d'interconnexion de circuits integres et procede de fabrication.
FR2670021B1 (fr) 1990-12-04 1994-03-04 Thomson Csf Procede de realisation de microlentilles pour applications optiques.
FR2685080B1 (fr) 1991-12-17 1995-09-01 Thomson Csf Capteur mecanique comprenant un film de polymere.
FR2701602B1 (fr) 1993-02-12 1995-03-31 Thomson Csf Détecteur thermique comprenant un isolant thermique en polymère expansé.
FR2702309B1 (fr) 1993-03-05 1995-04-07 Thomson Csf Procédé de fabrication d'une sonde acoustique multiéléments, notamment d'une sonde d'échographie.
FR2740933B1 (fr) 1995-11-03 1997-11-28 Thomson Csf Sonde acoustique et procede de realisation
JPH09162693A (ja) * 1995-12-14 1997-06-20 Kokusai Electric Co Ltd 弾性表面波素子
FR2745973B1 (fr) 1996-03-08 1998-04-03 Thomson Csf Memoire de masse et procede de fabrication de memoire de masse
US6287894B1 (en) * 1999-10-04 2001-09-11 Andersen Laboratories, Inc. Acoustic device packaged at wafer level
FR2799883B1 (fr) 1999-10-15 2003-05-30 Thomson Csf Procede d'encapsulation de composants electroniques

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07154185A (ja) * 1993-10-04 1995-06-16 Nec Corp 弾性表面波装置およびその製造方法
US5939817A (en) * 1994-09-22 1999-08-17 Nippon Electric Co Surface acoustic wave device
EP0840369A1 (fr) * 1995-06-30 1998-05-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Composant electronique et son procede de fabrication
EP0896427A2 (fr) * 1997-08-05 1999-02-10 Nec Corporation Dispositif à ondes acoustiques de surface

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
KAZUO ISHIBASHI ET AL.: "A New Anisotropic Conductive Film with Arrayed Conductive Particles", IEEE TRANSACTIONS ON COMPONENTS, PACKAGING AND MANUFACTURING TECHNOLOGY. PART B: ADVANCED PACKAGING., vol. 19, no. 4, November 1996 (1996-11-01), IEEE SERVICE CENTER, PISCATAWAY, NJ., US, pages 752 - 757, XP002119763, ISSN: 1070-9894 *
KEN GILLEO: "Direct Chip Interconnect Using Polymer Bonding", IEEE TRANSACTIONS ON COMPONENTS,HYBRIDS,AND MANUFACTURING TECHNOLOGY., vol. 13, no. 1, March 1990 (1990-03-01), IEEE INC. NEW YORK., US, pages 229 - 234, XP002119765, ISSN: 0148-6411 *
KISHIMOTO Y ET AL: "Anisotropic conductive paste available for flip chip", PROCEEDINGS OF 3RD INTERNATIONAL CONFERENCE ON ADHESIVE JOINING AND COATING TECHNOLOGY IN ELECTRONICS MANUFACTURING 1998 (CAT. NO.98EX180), PROCEEDINGS OF 3RD INTERNATIONAL CONFERENCE ON ADHESIVE JOINING AND COATING TECHNOLOGY IN ELECTRONICS MANUFACT, 1998, New York, NY, USA, IEEE, USA, pages 137 - 143, XP002119762, ISBN: 0-7803-4934-2 *
LIU J: "Recent advances in conductive adhesives for direct chip attach applications", PROCEEDINGS. THE FIRST IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POLYMERIC ELECTRONICS PACKAGING, PEP '97 (CAT. NO.97TH8268), PROCEEDINGS. THE FIRST IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POLYMERIC ELECTRONICS PACKAGING, PEP '97 (CAT. NO.97TH8268), NORRKOPING, SWEDEN, 1997, New York, NY, USA, IEEE, USA, pages 107 - 122, XP002119764, ISBN: 0-7803-3865-0 *

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Publication number Publication date
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