WO2000052814A1 - Gleichrichteranordnung, vorzugsweise für einen drehstromgenerator für kraftfahrzeuge - Google Patents

Gleichrichteranordnung, vorzugsweise für einen drehstromgenerator für kraftfahrzeuge Download PDF

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WO2000052814A1
WO2000052814A1 PCT/DE2000/000499 DE0000499W WO0052814A1 WO 2000052814 A1 WO2000052814 A1 WO 2000052814A1 DE 0000499 W DE0000499 W DE 0000499W WO 0052814 A1 WO0052814 A1 WO 0052814A1
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rectifier
diodes
semiconductor
diode
series
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PCT/DE2000/000499
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Richard Spitz
Doerte Eimers-Klose
Hans-Reiner Krauss
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Robert Bosch Gmbh
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    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02P—CONTROL OR REGULATION OF ELECTRIC MOTORS, ELECTRIC GENERATORS OR DYNAMO-ELECTRIC CONVERTERS; CONTROLLING TRANSFORMERS, REACTORS OR CHOKE COILS
    • H02P9/00—Arrangements for controlling electric generators for the purpose of obtaining a desired output
    • H02P9/14—Arrangements for controlling electric generators for the purpose of obtaining a desired output by variation of field
    • H02P9/26—Arrangements for controlling electric generators for the purpose of obtaining a desired output by variation of field using discharge tubes or semiconductor devices
    • H02P9/30—Arrangements for controlling electric generators for the purpose of obtaining a desired output by variation of field using discharge tubes or semiconductor devices using semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/02—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal
    • H02M7/04—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/06—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes without control electrode or semiconductor devices without control electrode
    • H02M7/062—Avoiding or suppressing excessive transient voltages or currents

Definitions

  • Rectifier arrangement preferably for a three-phase generator for motor vehicles
  • the invention relates to a three-phase bridge rectifier arrangement according to the genus
  • the three-phase bridge rectifier arrangement according to the invention with the characterizing features of the independent claim has the advantage, in contrast, of reliable voltage stabilization even for high vehicle electrical system voltages to achieve by the bridge rectifier arrangement itself, in particular for example with an operating voltage at B + of 42 volts and a maximum ripple at B + of 47 volts, a voltage limitation is reliably achieved as soon as the voltage at B + reaches a value of 55 volts.
  • pairs of Zener diodes in particular makes it possible to produce high limiting voltages with narrow tolerance ranges.
  • FIG. 1 shows a rectifier arrangement known per se
  • FIG. 2 shows a first one Embodiment
  • Figure 3 shows a second
  • Figure 4 is a current-voltage diagram and Figure 5 another embodiment.
  • Figure 1 shows a known three-phase bridge rectifier arrangement.
  • the three connections u, v and w of a three-phase generator are each connected to a pair of diodes (1, 4), (2, 5) and (3, 6), the connections being designed as a center tap of the diodes connected in series.
  • the anodes of the diodes 4, 5 and 6 are connected to ground, the cathodes of the diodes 1, 2 and 3 to the positive pole B + of the rectifier arrangement.
  • the rectifier arrangement allows a ripple of 47 volts at B + and limited (caused by the coil arrangement of the alternator) at the same time the voltage at B + to a maximum of 55 volts.
  • at least the diodes of the pairs 14, 15 and 16 are designed as Zener diodes, so that between each combination of two of the three three-phase phases, at least one current path with two anti-serial Zener diodes
  • Zener diodes instead of Zener diode pairs is only possible with difficulty if, for example, the Zener diodes are to transmit a maximum ripple at B + of at least 47 volts to B +, but at the same time the predetermined limit for voltage limitation is relatively close to 47 volts (for example the 55 volts mentioned above).
  • the manufacturing tolerance for breakdown voltages in Zener diodes is typically 6 volts, for example covers one
  • the arrangement according to the invention avoids these difficulties in that the breakdown voltage is realized as the sum of two half as large breakdown voltages of series-connected Zener diodes of a pair of Zener diodes 14, 15 and 16, respectively.
  • the individual diodes have, for example, a breakdown voltage of 24.5 volts on average, with a tolerance that is also halved of +/- 1.5 volts.
  • the resulting breakdown voltage of the pair of diodes is then in a range from 47 volts to 51 volts, ie one
  • Tolerance range of v2 x 3 volts that's about 4 volts. This is a tolerance range reduced by 2 volts compared to a single diode, which alone would provide the required breakdown voltage.
  • the large current flowing in the reverse direction in the load dump in each diode of the respective diode pair will only generate half the power loss, and the temperature of the pn junction is significantly lower. Because of the halved breakdown voltage, the internal resistance of the diode is also reduced. As a result, the requirement for 55 volts as the maximum voltage can thus be met in a simple manner.
  • the diode pairs 11, 12 and 13 are replaced by high-blocking individual diodes with a breakdown voltage of, for example, greater than 60 volts.
  • the voltage limitation is still ensured by the Zener diode pairs 14, 15 and 16.
  • the diode pairs 11, 12 and 13, like the diode pairs 14, 15 and 16, are designed as Zener diode pairs with a corresponding breakdown voltage. In this case, between each combination of two of the three three-phase phases there are two current paths, each with two anti-serial zener diode pairs, so that in the event of an overvoltage between two phases of the three-phase current, two breakdown paths can be opened, which reduces the current per diode and thus the temperature influence is further reduced to the breakdown voltage.
  • FIG. 3 shows a further exemplary embodiment according to the invention, in which, compared to FIG. 1, the individual diodes 1 to 3 are formed by high-blocking diodes 17, 18 and 19 with a breakdown voltage greater than 55 volts and the individual diodes 4 to 6 are formed by semiconductor rectifier elements 20, 21 and 22 are replaced.
  • the rectifier elements 20, 21 and 22 are each formed by a four-layer diode with a cathode short-circuit, the anode of each four-layer diode being connected to the ground connection.
  • a four-layer diode is formed by a pnpn semiconductor layer sequence with a cathode short circuit and represents a series connection of three pn junctions Positive pole side B + of the rectifier arrangement.
  • FIG. 4 shows a current-voltage diagram (IU diagram) a of a four-layer diode and a current-voltage diagram b of a rectifier element 20, 21 or 22.
  • the four-layer diode In the forward direction, the four-layer diode only switches at a voltage Ul ( for example 50 volts), so a high blocking diode is connected in parallel to the four-layer diode in the rectifier element to ensure transmission through the rectifier element in the case of forward polarity (negative voltage at the cathode of the four-layer element), as in the case of a normal two-layer diode with only one pn junction (curve b , Forward voltage U2).
  • Ul for example 50 volts
  • the current through the four-layer diode or the rectifier element rises sharply from a breakover voltage U3 (for example -50 volts), the four-layer diode breaks through and the voltage drops to a very small value U4 in the reverse direction if the switched-on state is maintained (for example -1 to -2 volts).
  • the value of the current at this voltage flip is the so-called flip current.
  • the value of the breakover voltage U3 and the breakover current can be selected by appropriately dimensioning the four-layer diode. The requirement of a voltage limitation to 55 volts can thus be easily met with the rectifier elements used according to the invention in the rectifier. Compared to an arrangement according to FIG.
  • Rectifier function is advantageous in that when the rectifier elements break down, the voltage drops sharply, so there is also less power dissipation and the breakdown voltage can thereby be determined more precisely.
  • the rectifier elements break down, the voltage drops sharply, so there is also less power dissipation and the breakdown voltage can thereby be determined more precisely.
  • Rectifier elements 20, 21 and 22 are interchanged with the high-blocking diodes 17, 18 and 19. Even in this modified arrangement, at least one breakdown current path given by two antiserially connected rectifier elements is guaranteed for each combination of two of the three three-phase phases.
  • the rectifier elements 20, 21 and 22 are replaced by high-blocking diodes instead of by parallel connections of four-layer diodes (“thyristor diodes”)
  • Transistor diodes Three-layer diodes (“transistor diodes”) are formed. Each rectifier element is therefore formed by a three-layer diode. As is known, a three-layer diode is formed by a pnp semiconductor layer sequence with a cathode short circuit and provides a series connection of two p-n
  • U4 is typically ⁇ 15 V.
  • U4 is typically ⁇ 15 V.
  • only six semiconductor chips are required for the high-voltage electrical system.
  • FIG. 5 shows a side view of the mechanical structure of a pair of diodes 11, 12, 13, 14, 15 or 16.
  • Each individual diode of a pair of diodes is designed as a press-in diode 31 or 32 with a press-in base 33 or 34.
  • the semiconductor chip is arranged in the interior of the illustrated diode housing (not shown) and can be contacted from the outside via the head wire 35 or 36 and the press-in base 33 or 34.
  • the two press-in bases are electrically conductively connected via the aluminum cooling plate 30, into which the press-in bases are pressed into two openings which are adapted to the shape of the press-in base.
  • the semiconductor chips are arranged in the press-in diodes 31 and 32 with interchanged surface orientations, so that the cathode of one diode is electrically connected to the anode of the other diode via the cooling plate.
  • the head wires are electrically connected to the three-phase connections or the poles (ground connection or B +) of the electrical system (not shown in FIG. 5).
  • the complete rectifier according to FIG. 2 is then composed of six identical cooling plate arrangements according to FIG. 5, the six cooling plates being fixed, for example, on a connecting plate made of plastic and the connections between the cooling plate arrangements being injected into the plastic.
  • the cooling plate arrangement according to FIG. 5 is also for realizing a rectifier element 20, 21 or 22 3 can be used by arranging a semiconductor chip with a four-layer diode in the press-in diode 31 and a semiconductor chip with a high-blocking diode in the press-in diode 32.
  • the anode of the diode is, for example, electrically connected to the cathode of the four-layer diode via the cooling plate; the opposite electrodes must then be contacted with one another via the head wires and connected to the relevant three-phase phase (not shown in FIG. 5).
  • the mechanical construction of a pair of diodes 11 to 16 can also be carried out without a cooling plate 30 by arranging a series connection of two semiconductor diode chips within a single diode housing of a press-in diode.
  • the current path through the new press-in diodes runs from the press-in base via a solder area to the first diode chip, from there via a further solder area which connects the first with the second diode chip arranged above it, to the second diode chip and from there via another
  • solder area to the head wire As in the known arrangement, this structure can be soldered with only one diode chip in a conventional soldering furnace.

Abstract

Es wird eine Dreiphasen-Brückengleichrichteranordnung mit drei Gleichrichterpfaden vorgeschlagen, in denen jeweils zwei Gleichrichterelemente in Reihe liegen, wobei jeder Gleichrichterpfad zwischen den Gleichrichterelementen mit einer von drei Leitungen eines Drehstromanschlusses (u, v, w) verbindbar ist, wobei die drei dem Drehstromanschluss gegenüberliegenden Kathoden-Anschlüsse der Gleichrichterelemente zu einem Pluspol (B+) und die drei dem Drehstromanschluss gegenüberliegenden Anoden-Anschlüsse der Gleichrichterelemente zu einem Minuspol zusammengeschaltet sind, wobei mindestens drei der Gleichrichterelemente durch zweipolige Halbleitergleichrichter (11, 12, 13, 14, 15, 16; 11, 12, 13, 20, 21, 22) mit mindestens zwei in Reihe geschalteten p-n-Übergängen gebildet werden. Die Anordnung dient zur Bereitstellung eines 42-Volt-Kraftfahrzeug-Bordnetzes mit Gewährleistung zuverlässiger Spannungsbegrenzung.

Description

Gleichrichteranordnung, vorzugsweise für einen Drehstromgenerator für Kraftfahrzeuge
Stand der Technik
Die Erfindung geht aus von einer Dreiphasen- Brückengleichrichteranordnung nach der Gattung des
Hauptanspruchs. Aus der DE 42 25 359 Cl sind bereits Dreiphasen-Brückengleichrichteranordnungen mit zwei Halbleiterdioden pro Phase bekannt, bei denen die Spannungsstabilisierenden Eigenschaften einzelner Zenerdioden ausgenutzt werden. Bei dieser Art von Spannungsstabilisierung ist jedoch, wenn die Gleichrichteranordnung für höhere Kraftfahrzeug- Bordnetzspannungen von beispielsweise 42 Volt ausgelegt werden soll, die Herstellungstoleranz der Durchbruchspannung der Zenerdioden zu groß, um bei gegebener minimal durchzulassender Welligkeit der Spannung eine zuverlässige Spannungsbegrenzung zu erzielen.
Vorteile der Erfindung
Die erfindungsgemäße Dreiphasen-Brückengleichrichter- Anordnung mit den kennzeichnenden Merkmalen des unabhängigen Anspruchs hat demgegenüber den Vorteil, auch für hohe Bordnetzspannungen eine zuverlässige Spannungsstabilisierung durch die Brückengleichrichteranordnung selbst zu erzielen, insbesondere wird beispielsweise bei einer Betriebsspannung an B+ von 42 Volt und einer maximalen Welligkeit an B+ von 47 Volt zuverlässig eine Spannungsbegrenzung erzielt, sobald die Spannung an B+ einen Wert von 55 Volt erreicht .
Durch die in den abhängigen Ansprüchen aufgeführten Maßnahmen sind vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des im Hauptanspruch angegebenen Gleichrichters möglich.
Insbesondere durch das Vorsehen von Zenerdiodenpaaren wird es möglich, hohe Begrenzungsspannungen mit engen Toleranzbereichen herzustellen.
Insbesondere vorteilhaft ist es auch, große
BegrenzungsSpannungen durch Integration von mindestens zwei pn-Übergängen in einem einzigen Halbleiterelement in der Form von Drei- oder Vierschichtdioden bereitzustellen. Insbesondere das Problem der Instabilität des Durchbruchs infolge übermäßiger Erwärmung aufgrund des großen Load-Dump- Stroms und positiven Temperaturgangs der DurchbruchsSpannung wird unterbunden, da die Spannung kurz nach dem Durchbruch auf einen kleinen Wert abfällt, der dann nur noch erforderlich ist, um das Drei- oder Vierschichtelement im durchgeschalteten Zustand zu belassen.
Zeichnung
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert . Es zeigen Figur 1 eine an sich bekannte Gleichrichteranordnung, Figur 2 ein erstes Ausführungsbeispiel, Figur 3 ein zweites
Ausführungsbeispiel, Figur 4 ein Strom-Spannungs-Diagramm und Figur 5 ein weiteres Ausführungsbeispiel.
Beschreibung der Ausführungsbeispiele
Figur 1 zeigt eine an sich bekannte Dreiphasen- Brückengleichrichteranordnung . Die drei Anschlüsse u, v und w eines Drehstromgenerators sind jeweils mit einem Diodenpaar (1, 4), (2, 5) beziehungsweise (3, 6) verbunden, wobei die Anschlüsse als Mittenabgriff der jeweils in Reihe geschalteten Dioden ausgebildet sind. Die Anoden der Dioden 4, 5 und 6 sind mit Masse verbunden, die Kathoden der Dioden 1, 2 und 3 mit dem Pluspol B+ der Gleichrichteranordnung.
Liegt an den Anschlüssen u,v und w ein Drehstrom an, so wird dieser in einen Gleichstrom umgewandelt, indem die positiven Halbwellen der drei Phasen zum Pluspol abgeleitet werden, die negativen Halbwellen zum Masseanschluß; die jeweils gegenüberliegenden Gleichrichterdioden sind dann hierzu in Sperrichtung gepolt. Spannungsversorgungen für Kraftfahrzeug-Bordnetze mit einer Betriebsspannung an B+ von 14 oder 28 Volt können auf diese Weise mit bekannten Halbleiterdioden bereitgestellt werden. Figur 2 zeigt ein erstes erfindungsgemäßes
Ausführungsbeispiel, bei dem im Vergleich zur Figur 1 die Einzeldioden 1 bis 6 durch Paare 11, 12, 13, 14, 15 und 16 von in Reihe geschalteten Dioden ersetzt sind, d.h. die Diodenpaare stellen Schaltungselemente mit zwei in Reihe geschalteten p-n-Übergängen dar.
Mit dieser Anordnung lassen sich Spannungsversorgungen für Kraftfahrzeug-Bordnetze mit einer Betriebsspannung an B+ von 42 Volt verwirklichen. Die Gleichrichteranordnung erlaubt eine (durch die Spulenanordnung des Drehstromgenerators bedingte) Welligkeit von 47 Volt an B+ und begrenzt gleichzeitig die Spannung an B+ auf maximal 55 Volt. Hierzu sind beispielsweise mindestens die Dioden der Paare 14, 15 und 16 als Zenerdioden ausgebildet, so daß zwischen jeder Kombination von zwei der drei Drehstromphasen mindestens ein Strompfad mit zwei antiseriell geschalteten Zenerdioden-
Paaren angeordnet ist. Dadurch wird in jeder Phasenlage des Drehstroms sichergestellt, daß, bei entsprechend eingestellter Durchbruchspannung der einzelnen Zenerdioden, die Betriebsspannung an B+ einen Wert von 55 Volt nicht übersteigt, indem bei Bedarf das betreffende Zenerdiodenpaar „durchbricht", also die betreffenden beiden Drehstromphasen kurzschließt. Mit einzelnen Zenerdioden statt Zenerdiodenpaaren ist dies nur schwer möglich, wenn beispielsweise die Zenerdioden eine maximale Welligkeit an B+ von mindestens 47 Volt noch an B+ weiterleiten sollen, gleichzeitig aber die vorgegebene Grenze zur Spannungsbegrenzung relativ nahe an 47 Volt (beispielsweise die oben genannten 55 Volt) liegt. Die Herstellungstoleranz für Durchbruchspannungen bei Zenerdioden beträgt typischerweise 6 Volt, deckt also beispielsweise einen
Bereich von 47 bis 53 Volt ab. Der tatsächliche Durchbruch erfolgt jedoch bei höheren Spannungen, da der Innenwiderstand in Sperrichtung bei einer Zenerdiode mit einer derartig hohen Durchbruchspannung entsprechend hoch ist und einen zusätzlichen Spannungsabfall verursacht, der bei Einleitung des Zenerdioden-Durchbruchs aufgebracht werden muß. Außerdem fließen insbesondere beim Kraftfahrzeug über längere Zeiten große Ströme durch die Dioden, die die Zenerdioden erwärmen. Dadurch wiederum erhöht sich der an sich schon hohe Innenwiderstand der Zenerdioden in
Sperrichtung, ferner hat auch die Durchbruchspannung bei Avalanchedioden einen positiven Temperaturgang, wodurch sich die für den Durchbruch erforderliche Spannung nochmals erhöht. Zuguterletzt fließen beim Durchbruch selbst, also im Falle des „Load-Dump", große Ströme, die die
Durchbruchspannung infolge des genannten positiven Temperaturgangs erhöhen können, so daß die Durchbruchspannung weiter ansteigt. Die erfindungsgemäße Anordnung hingegen vermeidet diese Schwierigkeiten, indem die Durchbruchspannung als Summe zweier halb so großer Durchbruchspannungen von in Reihe geschalteten Zenerdioden eines Zenerdiodenpaares 14, 15 beziehungsweise 16 realisiert ist. Die Einzeldioden weisen beispielsweise eine Durchbruchspannung von 24,5 Volt im Mittel auf, bei einer ebenfalls halbierten Toleranz von +/- 1,5 Volt. Die resultierende Durchbruchspannung des Diodenpaares liegt dann in einem Bereich von 47 Volt bis 51 Volt, hat also einen
Toleranzbereich von v2 x 3 Volt, das sind zirka 4 Volt. Das ist ein um 2 Volt reduzierter Toleranzbereich gegenüber einer Einzeldiode, die für sich alleine bereits die geforderte Durchbruchspannung bereitstellen würde. Darüber hinaus wird der beim Load-Dump in Sperrichtung fließende große Strom in jeder Diode des betreffenden Diodenpaars nur die halbe Verlustleistung erzeugen, die Temperatur des pn- Übergangs liegt deutlich niedriger. Wegen der halbierten Durchbruchspannung ist auch der Innenwiderstand der Diode reduziert. Im Ergebnis kann somit die Forderung nach 55 Volt als maximaler Spannung in einfacher Weise erfüllt werden. In einer abgewandelten Ausführungsform sind die Diodenpaare 11, 12 und 13 durch hochsperrende Einzeldioden mit einer Durchbruchspannung von beispielsweise größer als 60 Volt ersetzt. Die Spannungsbegrenzung wird weiterhin durch die Zenerdiodenpaare 14, 15 und 16 gewährleistet. In einer weiteren Ausführungsform sind die Diodenpaare 11, 12, und 13 ebenfalls wie die Diodenpaare 14, 15 und 16 als Zenerdiodenpaare mit entsprechender Durchbruchspannung ausgebildet. In diesem Fall liegen zwischen jeder Kombination von zwei der drei Drehstromphasen zwei Strompfade mit jeweils zwei antiseriell geschalteten Zenerdioden-Paaren, so daß bei einer Überspannung zwischen zwei Phasen des Drehstroms zwei Durchbruchpfade geöffnet werden können, wodurch sich der Strom je Diode reduziert und somit der Temperatureinfluß auf die Durchbruchspannung nochmals verkleinert wird. Figur 3 zeigt ein weiteres erfindungsgemäßes Ausführungsbeispiel, bei dem im Vergleich zur Figur 1 die Einzeldioden 1 bis 3 durch hochsperrende Dioden 17, 18 und 19 mit einer Durchbruchspannung größer als 55 Volt gebildet werden und die Einzeldioden 4 bis 6 durch Halbleiter- Gleichrichterelemente 20, 21 und 22 ersetzt sind. Die Gleichrichterelemente 20, 21 und 22 werden jeweils durch eine Vierschichtdiode mit Kathodenkurzschluß gebildet, wobei die Anode jeder Vierschichtdiode mit dem Masseanschluß verbunden ist. Eine Vierschichtdiode ist bekanntermaßen durch eine pnpn-Halbleiter-Schichtenfolge mit Kathodenkurzschluß gebildet und stellt eine Reihenschaltung von drei p-n-Übergängen dar. Jeder Vierschichtdiode antiparallelgeschaltet zwischen dem Masseanschluß und dem jeweiligen Phasenanschluß u, v beziehungsweise w ist eine hochsperrende Diode vom Typ der Dioden auf der Pluspolseite B+ der Gleichrichteranordnung.
Zur Erläuterung der Funktionsweise der Anordnung nach Figur 3 zeigt Figur 4 ein Strom-Spannungsdiagramm (I-U-Diagramm) a einer Vierschichtdiode und ein Strom-Spannungsdiagramm b eines Gleichrichterelements 20, 21 bzw. 22. In Durchlaßrichtung schaltet die Vierschichtdiode erst bei einer Spannung Ul (zum Beispiel 50 Volt) durch, daher ist beim Gleichrichterelement eine hochsperrende Diode zur Vierschichtdiode parallelgeschaltet, um bei Durchlaßpolung (negative Spannung an der Kathode des Vierschichtelements) Durchlaß durch das Gleichrichterelement zu gewährleisten wie bei einer normalen Zweischichtdiode mit nur einem p-n- Übergang (Kurve b, Durchlaßspannung U2) . Bei Polung in Sperrichtung hingegen steigt der Strom durch die Vierschichtdiode bzw. das Gleichrichterelement ab einer Kippspannung U3 (zum Beispiel -50 Volt) stark an, die Vierschichtdiode bricht durch und die Spannung sinkt bei beibehaltenem durchgeschalteten Zustand in Sperrichtung auf einen sehr kleinen Wert U4 (zum Beispiel -1 bis -2 Volt) . Der Wert des Stroms be diesem Kippen der Spannung ist der sogenannte Kippstrom. Der Wert der Kippspannung U3 und des Kippstroms kann durch entsprechende Dimensionierung der Vierschichtdiode gewählt werden. Das Erfordernis einer Spannungsbegrenzung auf 55 Volt kann mit den erfindungsgemäß im Gleichrichter eingesetzten Gleichrichterelementen somit leicht erfüllt werden. Gegenüber einer Anordnung nach Figur 2 werden statt 12 nur 9 Halbleiterdiodenchips benötigt und somit statt 6 nur 3 mehr als bei dem bekannten Aufbau nach Figur 1 für Niedervolt-Bordnetze. Während bei der Lösung nach Figur 2 die Verlustleistung m Flußrichtung der Dioden gegenüber dem bekannten Aufbau nach Figur 1 durch die doppelte Diodenanzahl verdoppelt ist, liegt die Verlustleistung aufgrund einer kleineren Anzahl von Diodenchips niedriger. Darüberhmaus ist bei der
Gleichrichterfunktion von Vorteil, daß beim Durchbruch der Gleichrichterelemente die Spannung stark absinkt, somit zusätzlich weniger Verlustleistung anfällt und dadurch die Durchbruchspannung genauer festlegbar ist. In einer abgewandelten Ausführungsform können die
Gleichrichterelemente 20, 21 und 22 mit den hochsperrenden Dioden 17, 18 und 19 vertauscht werden. Auch bei dieser abgewandelten Anordnung ist für ede Kombination von zwei der drei Drehstromphasen mindestens ein durch zwei antiseriell geschaltete Gleichrichterelemente gegebener Durchbruchstrompfad gewährleistet. In einer anderen abgewandelten Ausführungsform der Figur 3 werden die Gleichrichterelemente 20, 21 und 22 statt durch Parallelschaltungen von Vierschichtdioden („Thyristordioden") mit hochsperrenden Dioden durch
Dreischichtdioden („Transistordioden") gebildet. Jedes Gleichrichterelement wird also durch eine Dreischichtdiode gebildet. Eine Dreischichtdiode wird bekanntermaßen durch eine pnp-Halbleiter-Schichtenfolge mit Kathodenkurzschluß gebildet und stellt eine Reihenschaltung von zwei p-n-
Übergängen dar. Eine Dreischichtdiode weist bekanntermaßen bereits eine I-U-Kennlmie der Form b m Figur 4 auf, eine zusätzliche Beschaltung mit einer parallelgeschalteten hochsperrenden Diode erübrigt sich also.
Bei einer Dreischichtdiode liegt U4 typischerweise bei - 15 V. In dieser abgewandelten Ausführungsform werden für das Hochvolt-Bordnetz somit insgesamt nur noch sechs Halbleiterchips benötig .
Figur 5 zeigt in einer Seitenansicht den mechanischen Aufbau eines Diodenpaares 11, 12, 13, 14, 15 oder 16. Jede Einzeldiode eines Diodenpaares ist als Einpreßdiode 31 beziehungsweise 32 mit einem Einpreßsockel 33 bzw. 34 ausgebildet. Der Halbleiterchip ist im Inneren des abgebildeten Diodengehäuses angeordnet (nicht abgebildet) und von außen über den Kopfdraht 35 bzw. 36 und den Einpreßsockel 33 bzw. 34 kontaktierbar . Die beiden Einpreßsockel sind elektrisch leitend über das Aluminiumkühlblech 30 verbunden, in das die Einpreßsockel in zwei der Form der Einpreßsockel angepaßte Öffnungen eingepreßt sind.
Zur Realisierung einer Reihenschaltung der Einzeldioden sind die Halbleiterchips in den Einpreßdioden 31 und 32 mit vertauschten Oberflächenorientierungen angeordnet, so daß über das Kühlblech die Kathode der einen Diode mit der Anode der anderen Diode elektrisch in Verbindung steht. Die Kopfdrähte sind gemäß Figur 2 elektrisch mit den Drehstromanschlüssen bzw. den Polen (Masseanschluß bzw. B+) des Bordnetzes verbunden (in Figur 5 nicht dargestellt) . Der komplette Gleichrichter nach Figur 2 setzt sich dann aus sechs gleichen Kühlblechanordnungen gemäß Figur 5 zusammen, wobei die sechs Kühlbleche beispielsweise auf einer Verbindungsplatte aus Kunststoff fixiert und die Verbindungen zwischen den Kühlblechanordnungen im Kunststoff eingespritzt werden.
Die Kühlblechanordnung gemäß Figur 5 ist auch für die Realisierung eines Gleichrichterelements 20, 21 oder 22 gemäß Figur 3 verwendbar, indem in der Einpreßdiode 31 ein Halbleiterchip mit einer Vierschichtdiode und in der Einpreßdiode 32 ein Halbleiterchip mit einer hochsperrenden Diode angeordnet wird. Die Anode der Diode ist beispielsweise über das Kühlblech mit der Kathode der Vierschichtdiode elektrisch verbunden, die entgegengesetzten Elektroden müssen dann über die Kopfdrähte miteinander kontaktiert und mit der betreffenden Drehstromphase verbunden werden (nicht eingezeichnet in Figur 5) .
Alternativ zur Figur 5 kann der mechanische Aufbau eines Diodenpaares 11 bis 16 auch unter Verzicht auf ein Kühlblech 30 ausgeführt werden, indem eine Reihenschaltung von zwei Halbleiterdiodenchips innerhalb eines einzigen Diodengehäuses einer Einpreßdiode angeordnet wird. Dadurch wird es möglich, diese in Form jeweils einer einzigen Einpreßdiode realisierten Diodenpaare in bereits bekannten Gleichrichter-Kühlblechanordnungen einzusetzen, indem einfach die Einpreßdioden mit einem einzigen Halbleiterchip im Innern durch die neuen Einpreßdioden ersetzt werden. Der Strompfad durch die neuen Einpreßdioden verläuft dabei vom Einpreßsockel über einen Lotbereich zum ersten Diodenchip, von dort über einen weiteren Lotbereich, der den ersten mit dem darüber angeordneten zweiten Diodenchip verbindet, zum zweiten Diodenchip und von dort über einen weiteren
Lotbereich zum Kopfdraht . Dieses Gebilde kann wie bei der bekannten Anordnung mit nur einem Diodenchip in einem üblichen Lötofen verlötet werden.

Claims

Ansprüche
1. Dreiphasen-Brückengleichrichteranordnung mit drei Gleichrichterpfaden, in denen jeweils zwei
Gleichrichterelemente in Reihe liegen, wobei jeder Gleichrichterpfad zwischen den Gleichrichterelementen mit einer von drei Leitungen eines Drehstromanschlusses (u,v,w) verbindbar ist, wobei die drei dem Drehstromanschluß gegenüberliegenden Kathoden-Anschlüsse der Gleichrichterelemente zu einem Pluspol (B+) und die drei dem Drehstromanschluß gegenüberliegenden Anoden- Anschlüsse der Gleichrichterelemente zu einem Minuspol zusammengeschaltet sind, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens drei der Gleichrichterelemente durch zweipolige Halbleitergleichrichter (11, 12, 13, 14, 15, 16; 11, 12, 13, 20, 21, 22) mit mindestens zwei in Reihe geschalteten p-n-Übergängen gebildet werden.
2. Gleichrichteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die mit dem Pluspol verbundenen Halbleitergleichrichter durch zwei in Reihe geschaltete Halbleiterdioden (11, 12, 13) , insbesondere Zenerdioden, gebildet werden.
3. Gleichrichteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die mit dem Pluspol verbundenen Halbleitergleichrichter durch hochsperrende Halbleiterdioden (17, 18, 19) gebildet werden.
4. Gleichrichteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die mit dem Minuspol verbundenen Halbleitergleichrichter durch zwei in Reihe geschaltete Halbleiterdioden (14, 15, 16), insbesondere Zenerdioden, gebildet werden.
5. Gleichrichteranordnung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die mit dem Minuspol verbundenen Halbleitergleichrichter durch jeweils eine Antiparallelschaltung einer Vierschichtdiode mit einer hochsperrenden Diode gebildet werden.
6. Gleichrichteranordnung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die mit dem Minuspol verbundenen Halbleitergleichrichter durch jeweils eine
Dreischichtdiode gebildet werden.
7. Gleichrichteranordnung nach einem der Ansprüche 2 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die in Reihe geschalteten Halbleiterdioden (11, 12, 13, 14, 15, 16) aus jeweils zwei Halbleiterchips bestehen, wobei die Halbleiterchips aufeinander gelotet und in einem gemeinsamen Diodengehause untergebracht sind.
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