WO2001018597A1 - Afficheur à cristaux liquides - Google Patents

Description

明 細 書 液晶表示装置装置 技術分野

本発明は、 液晶表示装置に係り、 所謂横電界方式と称される液晶表示 装置に関するものである。 背景技術

横電界方式と称される液晶表示装置は、 液晶を介して対向配置される 各透明基板の一方の透明基板の液晶側の各画素領域に、 画素電極とこの 画素電極との間に透明基板と平行な電界 （横電界） を発生せしめる対向 電極とが形成されて構成されている。

画素電極と対向電極の間の領域を透過する光に対して、 その量を前記 電界が印加された液晶の駆動によって、 制御するようになつている。

このような液晶表示装置は、 表示面に対して斜めの方向から観察して も表示に変化のない、 いわゆる広視野角特性に優れたものとして知られ ている。

そして、 これまで、 前記画素電極と対向電極は光を透過させるこ との ない導電層で形成されていた。

しかし、 近年、 画素領域の周辺を除く領域の全域に透明電極からなる 対向電極を形成し、 この対向電極上に絶縁膜を介して一方向に延在し該 一方向に交差する方向に並設させた透明電極からなる帯状の画素電極を 形成した構成のものが知られるに到った。

このような構成の液晶表示装置は、 横電界が画素電極と対向電極との 間に発生し、 依然として広視野角特性に優れるとともに、 開口率が大幅 に向上するようになる。

なお、 こ の技術は た と え ば S I D ( Society for Information Display) 9 9 D I GE S T : P 2 0 2〜P 2 0 5、 あるいは特閧平 1 1 - 2 02 35 6号公報に記載がなされている。 発明の開示

以上に述べた横電界方式の液晶駆動方式を液晶表示装置に採用するこ とによ り、 その視野角特性及び開口率を格段に向上させることが可能と なるが、 新たに対策すべき種々の技術的な問題点も現れた。

例えば、 上述の構成を有する液晶表示装置の画素に液晶分子の捻じれ 方向が互いに逆になる領域を設けて表示領域を左右からそれそれ観た場 合に生じる着色差を相殺させる所謂マルチ ドメイ ン方式を採用すること を試みたとき、 表示品質の観点から、 種々の改良を施す必要性が見出さ れた。

本発明は、 このような事情に基づいてなされたもので、 その目的は、 上述の所謂横電界方式の液晶表示装置における表示動作性能 （液晶分子 の駆動性能） を向上させ、 またその表示品質を高めることにある。

本願において開示される新規な液晶表示装置のうち、 代表的なものの 概要を簡単に説明すれば、 以下のとおりである。

その一例は、 液晶を介して互いに対向配置される透明基板のうち一方 の透明基板の液晶側の画素領域に、 絶縁膜を介して配置される画素電極 と対向電極が形成され、 これら各電極との間には透明基板に平行な成分 を有する電界を発生せしめるとともに、 前記画素電極と対向電極のうち 一方の電極は、 他方の電極の周辺部であって少なく とも該他方の電極と 重畳しない領域に形成された透明電極で構成され、 前記絶縁膜は多層構 造 （少なく とも 2層の絶縁膜を積層させた構造） となっていることを特 徴とするものである。

このように構成された液晶表示装置は、 絶縁膜を介して配置される画 素電極と対向電極は、 その重畳する部分において容量素子が形成される が、 その重畳面積が大き く なつて しまう と必要以上の値となってしまう ことになる。

このため、 画素電極と対向電極との間の絶縁膜を多層構造とすること によって、 該容量素子の容量値を所望の値に低減させることができる。 また、 他の一例は、 液晶を介して互いに対向配置される透明基板のう ち一方の透明基板の液晶側の矩形状の画素領域に、 絶縁膜を介して配置 される画素電極と対向電極が形成され、 これら各電極との間には透明基 板に平行な成分を含む電界を発生せしめるとともに、 前記対向電極は、 画素電極の周辺部であって少なく とも該画素電極と重畳しない領域に形 成された透明電極で構成され、 前記画素電極は、 その延在方向と直交す る方向に並設された複数の電極であって、 該延在方向を変える屈曲部を 有する第 1 の電極と、 画素領域の周辺の少なく も一部に直線的に延在す る第 2の電極とから構成されていることを特徴とするものである。

このように構成された液晶表示装置は、 画素電極を、 前記第 1の電極 の他に、 画素領域の周辺の少なく とも一部に、 すなわち、 第 1の電極が 屈曲部を有するが故に横電界は発生し難くなる部分 （デッ ドスペース） に、 直線的に延在する第 2の電極を新たに設けることによ り、 この第 2 の電極と対向電極との間にも横電界が究生するようになる。

このため、 該デッ ドスペースの発生を抑制でき、 実質的な画素領域の 拡大を図ることができるようになる。

本発明に係るこれら及びその他の目的、 特徴、 及び効果は本発明を実 施する形態の記載にこれに付された図面を関連させることによ り、 更に 明確に後述されよう。 図面の簡単な説明

第 1図は、 本発明による液晶表示装置の画素領域の一実施例を示す平 面図である。

第 2図は、 第 1図の 2— 2線における断面図である。

第 3図は、 第 1図の 3— 3線における断面図である。

第 4図は、 第 1 図の 4 一 4線における断面図である。

第 5図は、 本発明による液晶表示装置に組み込まれる液晶表示パネル の外観を示す平面図である。

第 6図は、 液晶表示パネルの各透明基板を固定しかつ液晶を封入され るシール材の構成を示す断面図である。

第 7図は、 本発明による液晶表示装置のゲー ト信号端子の一実施例を 示す構成図である。

第 8図は、 本発明による液晶表示装置の ドレイ ン信号端子の一実施例 を示す構成図である。

第 9図は、 本発明による液晶表示装置の対向電圧信号端子の一実施例 を示す構成図である。

第 1 0図は、 本発明による液晶表示装置の一実施例を示す等価回路図 である。

第 1 1 図は、 本発明による液晶表示装置の駆動の一実施例を示すタイ ミ ングチャー トである。

第 1 2図は、 本発明による液晶表示装置において、 その液晶表示パネ ルに外部回路を接続させた場合の平面図である。

第 1 3図は、 本発明による液晶表示装置の製造方法の一実施例を示す 工程図である。

第 1 4図は、 本発明による液晶表示装置の製造方法の一実施例を示す 工程図で、 上記第 1 3図にて説明された工程に続く工程を説明する図で ある。

第 1 5図は、 本発明による液晶表示装置の画素領域の他の実施例を示 す平面図である。

第 1 6図は、 第 1 5図の 1 6— 1 6線における断面図である。

第 1 7図は、 第 1 5図の 1 7— 1 7線における断面図である。

第 1 8図は、 第 1 5図の 1 8— 1 8線における断面図である。

第 1 9図は、 本発明による液晶表示装置の製造方法の他の実施例を示 す工程図である。

第 2 0図は、 本発明による液晶表示装置の製造方法の他の実施例を示 す工程図で、 上記第 1 9図にて説明された工程に続く工程を説明する図 である。

第 2 1 図は、 本発明による液晶表示装置の画素領域の他の実施例を示 す平面図である。

第 2 2図は、 第 2 1図の 2 2 - 2 2線における断面図である。

第 2 3図は、 本発明による液晶表示装置の画素領域の他の実施例を示 す平面図である。

第 2 4図は、 第 2 3図の 2 4— 2 4線における断面図である。

第 2 5図は、 第 2 3図の 2 5 - 2 5線における断面図である。

第 2 6図は、 第 2 3図の 2 6 - 2 6線における断面図である。

第 2 7図は、 本発明による液晶表示装置の画素領域の他の実施例を示 す平面図である。

第 2 8図は、 第 2 7図の 2 8— 2 8線における断面図である。

第 2 9図は、 第 2 7図の 2 9 - 2 9線における断面図である。

第 3 0図は、 第 2 7図の 3 0— 3 0線における断面図である。

第 3 1 図は、 本発明による液晶表示装置の画素領域の他の実施例を示 す平面図である。 第 3 2図は、 第 3 1図の 3 2— 3 2線における断面図である。

第 3 3図は、 第 3 1図の 3 3— 3 3線における断面図である。

第 3 4図は、 第 3 1図の 3 4— 3 4線における断面図である。

第 3 5図は、 上述した各実施例の液晶表示装置の印加電圧—透過率の 特性を示すグラフである。

第 3 6図は、 本発明による液晶表示装置の画素領域の他の実施例を示 す平面図である。

第 3 7図は、 本発明による液晶表示装置の画素領域の他の実施例を示 す平面図である。

第 3 8図は、 第 3 7図の 3 8— 3 8線における断面図である。

第 3 9図は、 第 3 7図の 3 9 - 3 9線における断面図である。

第 4 0図は、 本発明による液晶表示装置の画素領域の他の実施例を示 す平面図である。

第 4 1図は、 第 4 0図の 4 1 - 4 1線における断面図である。

第 4 2図は、 本発明による液晶表示装置の画素領域の他の実施例を示 す説明図である。

第 4 3図は、 本発明による液晶表示装置の画素領域の他の実施例を示 す断面図である。

第 4 4図は、 本発明による液晶表示装置の画素領域の他の実施例を示 す平面図である。

第 4 5図は、 第 4 4図の 4 5— 4 5線における断面を示す図である。 第 4 6図は、 本発明による液晶表示装置の画素領域の他の実施例を示 す平面図である。

第 4 7図は、 第 4 6図の 4 7— 4 7線における断面を示す図である。 第 4 8図は、 本発明による液晶表示装置の画素領域の他の実施例を示 す平面図である。 第 4 9図は、 本発明による液晶表示装置の画素領域の他の実施例を示 す平面図である。

第 5 0図は、 本発明による液晶表示装置の画素領域の他の実施例を示 す平面図である。 発明を実施するための最良の形態

以下、 実施例によ り本発明による液晶表示装置をよ り詳細に説明する 〔実施例 1〕

《画素の構成》

第 1 図は、 本発明による液晶表示装置 （パネル） の画素領域における 構成図であ り、 液晶を介して互いに対向配置される各透明基板のうちの 一方の透明基板の液晶側から観た平面図である。

第 1図の 2— 2線における断面図を第 2図に、 3 _ 3線における断面 図を第 3図に、 4 _ 4線における断面図を第 4図に示している。

まず、 第 1 図において、 図中 X方向に延在され y方向に並設されるゲ — ト信号線 G Lがたとえばクロム （ C r ) で形成されている。 このゲー ト信号線 G Lは後述する ドレイ ン信号線 D Lとで矩形状の領域を形成し. その領域は画素領域を構成するようになつている。

そして、 この画素領域には、 後述する画素電極 P Xとの間で電界を発 生せしめる対向電極 C Tが形成され、 この対向電極 C Tは該画素領域の 周辺を除 く 全域に形成され、 透明導電体である た と えば I T 0 1 ( Indium- Tin- Oxide) から構成されている。

この対向電極 C Tは、 その周辺の全域を縁取るようにして該対向電極 C Tと接続された対向電圧信号線 C Lが形成され、 この対向電圧信号線 C Lは図中左右の画素領域 （ゲー ト信号線 G Lに沿って配置される各画 素領域） における対向電極 C Tに同様に形成された対向電圧信号線 C L と一体的に形成されている。

この場合における画素領域の対向電圧信号線 C どう しの接続は、 画 素領域の上部および下部のそれそれでなされている。 対向電圧信号線 C Lと後述の ドレイ ン信号線 D Lとの重なりの部分を極力小さ く し、 それ らの間に発生する容量を小さ くする趣旨である。

この対向電圧信号線 C Lは、 たとえばクロム （ C r ) からなる不透明 の材料で形成されている。 このようにした場合、 後述の ドレイ ン信号線 D Lとこれに近接する対向電極 C Tの辺部との間にノイズと して作用す る電界が発生し、 それによつて液晶の光透過率が所望通り に得られなく ても、 その部分は該対向電圧信号線 C Lによって遮光されることから、 表示品質の面からの不都合を解消できるようになる。

このことは、 ゲー ト信号線 G Lとこれに近接する対向電極 C Tの周辺 部との間に発生する電界 （ノイズ） による不都合も解消できることを意 味する。

また、 上述したように、 対向電圧信号線 C Lの材料をゲー ト信号線 G

Lと同一の材料とすることによ り、 それらを同一の工程で形成でき製造 工数の増大を回避させることができる。

ここで、 前記対向電圧信号線 C Lは、 C rに限定されることなく、 た とえば A 1、 あるいは A 1を含有する材料で形成するようにしてもよい ことはいうまでもない。

しかし、 この場合、 この対向電圧信号線 C Lは対向電極 C Tに対して 上層に位置づけるのが効果的となる。 けだし、 対向電極 C Tを構成する

I T 0膜の選択エッチング液 （たとえば H B r ) は容易に A 1 を溶解し てしまうからである。

さらに、 対向電圧信号線 C Lの対向電極 C T との少なく とも接触面に は T i、 C r、 M o、 T a、 W等の高融点金属を介在させることが効果 的となる。 けだし、 対向電極 C Tを構成する I T 0は対向電圧信号線 c L中の A 1を酸化させて高抵抗層を生成させてしまうからである。

このため、 一実施例と して、 A l、 あるいは A 1を含有する材料から なる対向電圧信号線 C Lを形成する場合、 前記高融点金属を一層目とす る多層構造とすることが好ましい。

そして、 このように対向電極 C T、 対向電圧信号線 C L、 およびゲー ト信号線 G Lが形成された透明基板の上面には、 それらをも被ってたと えば S i Nからなる絶縁膜 G Iが形成されている。

この絶縁膜 G I は、 後述の ドレイ ン信号 D Lに対しては対向電圧信号 線 C Lおよびゲー ト信号線 G Lの層間絶縁膜と しての機能を、 後述の薄 膜トランジスタ T F Tの形成領域においてはそのゲ一 ト絶縁膜と しての 機能を、 後述の容量素子 C s t gの形成領域においてはその誘電体膜と しての機能を有するようになつている。

そして、 ゲー ト信号線 G Lの一部 （図中左下） に重畳されて薄膜トラ ンジス夕 T F Tが形成され、 この部分の前記絶縁膜 G I上にはたとえば a— S iからなる半導体層 A Sが形成されている。

この半導体層 A Sの上面にソース電極 S D 1および ドレイ ン電極 S D 2が形成されることによって、 ゲー ト信号線 G Lの一部をゲー ト電極と する逆ス夕ガ構造の M I S型 トランジス夕が形成されることになる。 そ して、 このソース電極 S D 1およびドレイ ン電極 S D 2は ドレイ ン信号 線 D Lと同時に形成されるようになっている。

すなわち、 第 1図中 y方向に延在され X方向に並設された ドレイ ン信 号線 D Lが形成され、 この ドレイ ン信号線 D Lの一部が前記半導体層 A Sの表面にまで延在されることによつて薄膜トランジスタ T F Tの ドレ イ ン電極 S D 2 を構成するようになっている。

また、 該 ドレイ ン信号線 D Lの形成の際にソース電極 S D 1 が形成さ れ、 このソース電極 S D 1は画素領域内にまで延在されて後述の画素電 極 P Xとの接続を図るコン夕ク ト部をも一体的に形成されるようになつ ている。

なお、 第 3図に示すように、 半導体層 A Sの前記ソース電極 S D 1お よびドレイ ン電極 S D 2 との界面にはたとえば n型不純物が ドーピング されたコンタク ト層 d 0が形成されている。

このコンタク ト層 d 0は、 半導体層 A Sの表面の全域に n型不純物 ド 一ビング層を形成し、 さらにソース電極 S D 1およびドレイ ン電極 S D 2の形成後において、 該各電極をマスクとしてこれら各電極から露出さ れた半導体層 A Sの表面の n型不純物 ドーピング層をェツチングするこ とによって形成されるようになっている。

なお、 この実施例では、 半導体層 A Sは薄膜トラジス夕 T F Tの形成 領域ばかりでなく、 ドレイ ン信号線 D Lに対するゲー ト信号線 G L、 対 向電圧信号線 C L との交差部にも形成されている。 層間絶縁膜と しての 機能を強化させるためである。

そして、 このように薄膜トランジスタ T F Tが形成された透明基板の 表面には、 該薄膜トランジスタ T F Tをも被ってたとえば S i Nからな る保護膜 P S Vが形成されている。 薄膜トラジス夕 T F Tの液晶 L Cと の直接の接触を回避するためである。

さらに、 この保護膜 P S Vの上面には画素電極 P Xがたとえば I T 0 2 ( Indium- T in- Oxide ) からなる透明な導電膜によって形成されている , 画素電極 P Xは、 前記対向電極 C Tの形成領域に重畳されて、 この実 施例では 5本形成され、 それそれ図中 y方向に延在して等間隔に形成さ れているとともに、 その両端はそれそれ X方向に延在する同材料層で互 いに接続されるようになっている。

ちなみに、 この実施例では、 隣り合う画素電極 P X間の間隔 Lはたと えば l〜 1 5 m、 幅 Wはたとえば l〜 1 0 /mの範囲で設定されるよ うになつている。

この場合、 各画素電極 P Xの下端の同材料層は前記保護膜 P S Vに形 成されたコンタク ト孔を通して前記薄膜トランジスタ T F Tのソース電 極 S D 1のコンタク ト部と接続されるようになっており、 また、 上端の 同材料層は前記対向電圧信号線 C Lと重畳されて形成されている。

このように構成した場合、 対向電極 C Tと各画素電極 P Xとの重畳部 には絶縁膜 G I と保護膜 P SVとの積層膜を誘電体膜とする容量素子 C s t gが形成されるようになつている。

この容量素子 C s t gは、 薄膜トランジスタ T F Tを介して ドレイ ン 信号線 D Lからの映像信号が画素電極 PXに印加された後に、 該薄膜 ト ランジス夕 T F Tがオフとなっても該映像信号が画素電極 P Xに比較的 長く蓄積される等のために設けられたものとなっている。

ここで、 この容量素子 C s t gの容量は、 対向電極 C Tと各画素電極 P Xとの重畳面積に比例し、 その面積が比較的大き く なつてしまって必 要以上の値に設定されてしまう憂いがあるが、 その誘電体膜は絶縁膜 G Iと保護膜 P S Vとの積層構造となっていることから結果的にはその憂 いはない構成となっている。

すなわち、 絶縁膜 G Iは薄膜トランジスタ T F Tのゲ一 ト絶縁膜とし て機能させることから、 その膜厚を大き くできないが、 保護膜 P S Vに 関しては、 そのような制約がないことから、 該保護膜 P SVを前記絶縁 膜 G Iとともに所定の膜厚 （保護膜 P S Vのみの膜厚はたとえば 1 0 0 nm〜4〃m) にすることによって該容量素子 C s t gの容量を所定の 値に低減させることができる。

なお、 前記保護膜 P S Vと しては、 S i Nに限定されることなく、 た とえば合成樹脂によって形成されていてもよいことはいうまでもない。 この場合、 塗布によ り形成することから、 その膜厚を大き く形成する場 合においても製造が容易であるという効果を奏する。

そして、 このように画素電極 P Xおよび対向電極 C Tが形成された透 明基板の表面には該画素電極 P Xおよび対向電極 C Tをも被って配向膜 O R I 1が形成されている。 この配向膜 O R I 1 は液晶 L Cと直接に接 触する膜で該液晶 L Cの初期配向方向を決定づけるものとなっている。

なお、 上述した実施例では、 画素電極 P Xを透明な電極として構成し たものであるが、 必ずしも透明でなく、 たとえば C rのような不透明の 金属材料であってもよい。 これによつて開口率が若干低下するが、 液晶 L Cの駆動においては全く支障がないからである。

上記実施例において、 ゲー ト信号線 G L、 対向電圧信号線 C L、 ドレ イ ン信号線 D Lについてはクロム （ C r ) を用いて説明したが、 他の高 融点金属、 M o、 W、 T i、 T a、 あるいはこれらの 2種以上の合金、 あるいはこれらの 2種以上の積層膜を用いてもよいことはもちろんであ る。

さ らに、 透明導電膜についても I T Oを用いて説明したが、 I Z O ( Indium- Zinc- Oxide ) でも同様の効果が得られるこ とはいう までもな い。

《フ ィル夕基板》

このように構成された透明基板は T F T基板と称され、 この T F T基 板と液晶 L Cを介して対向配置される透明基板はフィル夕基板と称され ている。

フ ィ ル夕基板は、 第 2図に示すように、 その液晶側の面に、 まず、 各 画素領域を画するようにしてブラ ックマ ト リ ックス B Mが形成され、 こ のブラックマ ト リ ックス B Mの実質的な画素領域を決定する開口部には それを被ってフ ィ ル夕 F I Lが形成されるようになっている。 そして、 ブラ ックマ ト リ ックス B Mおよびフィルタ F I Lを被ってた とえば樹脂膜からなるオーバーコ一 ト膜 0 Cが形成され、 このオーバー コート膜の上面には配向膜 0 R I 2が形成されている。

《液晶表示パネルの全体構成》

第 5図は、 マ ト リ ックス状に配置された各画素領域の集合によって構 成される表示領域 A Rを示す液晶表示パネルの全体構成図である。

透明基板 S U B 2は、 透明基板 S U B 1 に対して若干小さ く形成され. その図中右側辺および下側辺は透明基板 S U B 1の対応する辺とそれそ れほぽ面一となるように配置されるようなつている。

これによ り、 透明基板 S U B 1の図中左側辺および上側辺は透明基板 S U B 2 によって被われない領域が形成され、 この領域において、 それ それ、 各ゲー ト信号線 G Lに走査信号を供給するためのゲー ト信号端子 T g、 各ドレイ ン信号線 D Lに映像信号を供給するための ドレイ ン信号 端子 T dが形成されるようになつている。

透明基板 S U B 2の透明基板 S U B 1 に対する固定は、 該透明基板 S U B 2の周辺に形成されたシール材 S Lによってなされ、 このシール材 S Lは各透明基板 S U B 1、 S U B 2の間に液晶 L Cを封入するための 封入材としての機能をも有している。

第 6図は、 各透明基板 S U B 1、 S U B 2の間に介在される液晶 L C はシール材 S Lよつて封入されていることを示している。

なお、 このシール材 S Lの一部 （第 5図の中右側） には液晶封入口 I N Jがあり、 この液晶封入口 I N Jは、 ここから液晶を封入した後は、 図示しない液晶封止剤によって封止されるようになつている。

《ゲート信号端子》

第 7図は、 各ゲー ト信号線 G Lに走査信号を供給するためのゲー ト信 号端子 G T Mを示した構成図で、 第 7図 （ a ) は平面図、 第 7図 （ b ) は同図 （a) の B— B線における断面図である。

まず、 透明基板 S UB 1上にたとえば I T 0膜 I T O 1からなるゲ一 ト信号端子 GTMが形成されている。 このゲー ト信号端子 G TMは対向 電極 C Tと同時に形成されるようになつている。

ゲー ト信号端子 GTMの材料として I T O膜 I T 0 1を用いたのは電 食の発生を困難にするためである。

そして、 このゲー ト信号端子 G TMには、 そのゲー ト信号線 G L側の 端部においてゲート信号線 G Lが被うようにして形成されている。

さらに、 これらゲー ト信号端子 G TMおよびゲー ト信号線 G Lを被つ て絶縁膜 G Iおよび保護膜 P S Vが順次積層され、 これら保護膜 P S V および絶縁膜 G Iに設けた開口によって、 ゲー ト信号端子 GTMの一部 が露呈されるようになっている。

なお、 前記絶縁膜 G Iおよび保護膜 P S Vは、 表示領域 ARにおける それらの延在部分として形成されるものである。

《 ドィ レン信号端子》

第 8図は、 ドレイ ン信号線 D Lに映像信号を供給するための ドレイ ン 信号端子 D T Mを示した構成図で、 第 8図 （ a ) は平面図、 第 8図 ( b ) は同図 （ a) の B— B線における断面図である。

まず、 透明基板 S U B 1上に形成される ドレイ ン信号端子 D T Mは、 電食に対して信頼性のある I T 0膜 I T 0 1から構成され、 この I T O 膜 I T O 1は対向電極 C Tと同時に形成されるようになっている。

そして、 この ドレイ ン信号端子 D T Mは、 絶縁膜 G I上に形成される ドレイ ン信号線 D Lと接続されることになるが、 該絶縁膜 G Iにコン夕 ク ト孔を形成して接続させよう とする場合に以下のような不都合が発生 する。

すなわち、 I T 0膜上に形成された S i Nからなる絶縁膜 G Iは、 該 I T O膜と接触する部分において白濁が生じ、 その部分にコンタク ト孔 を形成した場合に該孔は逆テ一パ状に形成され、 ドレイ ン信号線 D Lの 接続に不良が生じる可能性を残すことになる。

このため、 同図に示すように、 ドレイ ン信号端子 D T Mの端部に重畳 させてたとえば C rからなる金属層 g 1を形成し、 この金属層 g l上の 絶縁膜 G Iにコンタク ト孔を形成するようにしている。

そして、 このコンタク ト孔の形成は、 該絶縁膜 G Iの上に保護膜 P S Vを形成した後に行なうことによって製造工数の低減を図っていること から、 該保護膜 P S Vに形成したコンタク ト孔を通し、 画素電極 PXと 同時に形成される I T O膜 I T O 2によって ドレイ ン信号線 D Lと前記 金属層 g 1との接続を行っている。

ここで、 前記金属層 g lは C rを用いた場合を示したものであるが、 A 1あるいは A 1を含む材料であってもよい。 この場合、 上述したよう に I T 0膜との接触面において酸化されやすいことから、 たとえば該金 属層 g 1を T i /A 1 /T iというように、 上下面のそれそれに高融点 金属層を設けた三層構造とすることによって良好な接続を図ることがで きるようになる。

《対向電圧信号端子》

第 9図は、 対向電圧信号線 C Lに対向電圧信号を供給するための対向 電圧信号端子 C TMを示した構成図で、 第 9図 （a) は平面図、 第 9図 ( b ) は同図 （a) の B— B線における断面図である。

透明基板 S UB 1上に形成される対向電圧信号端子 C TMも、 電食に 対して信頼性のある I T〇膜 I T 0 1から構成され、 この I T 0膜 I T 0 1は対向電極 C Tと同時に形成されるようになっている。

そして、 この対向電圧信号端子 C TMには、 その対向電圧信号線 C L 側の端部において該対向電圧信号線 C Lが被う ようにして形成されてい る。

さらに、 これら信号線を被って、 表示領域 A Rにおけるそれらの延在 部分と して形成される絶縁膜 G Iおよび保護膜 P S Vが順次積層され、 これら保護膜 P S Vおよび絶縁膜 G I に設けた開口によって、 対向電圧 信号端子 C T Mの一部が露呈されるようになっている。

《等価回路》

第 1 0図は、 液晶表示パネルの等価回路を該液晶表示パネルの外付け 回路とともに示した図である。

第 1 0図中、 X方向に延在され y方向に並設される各ゲー ト信号線 G Lには垂直走査回路 Vによって順次走査信号 （電圧信号） が供給される ようになっている。

走査信号が供給されたゲー ト信号線 G Lに沿って配置される各画素領 域の薄膜トランジスタ T F Tは該走査信号によってオンするようになつ ている。

そして、 このタイ ミ ングにあわせて映像信号駆動回路 Hから各 ドレイ ン信号線 D Lに映像信号が供給されるようになつており、 この映像信号 は各画素領域の該薄膜トランジスタを介して画素電極 P Xに印加される ようになつている。

各画素領域において、 画素電極 P Xとともに形成されている対向電極 C Tには対向電圧信号線 C Lを介して対向電圧が印加されており、 それ らの間に電界を発生させるようになつている。

そして、 この電界のうち透明基板 S U B 1 と平行な成分を有する電界 (横電界） によって液晶 L Cの光透過率を制御するようになっている。 なお、 同図において各画素領域に示した R、 G、 Bの各符号は、 各画 素領域にそれそれ赤色用フィルタ、 緑色用フィル夕、 青色用フィル夕が 形成されていることを示している。 《画素表示のタイ ミ ングチャー ト》

第 1 1 図は、 液晶表示パネルに供給する各信号のタイ ミ ングチャー ト を示すもので、 図中、 V Gはゲー ト信号線 G Lに供給する走査信号を、 V Dは ドレイ ン信号線 D Lに供給する映像信号を、 また、 V Cは対向電 圧信号線 C Tに供給する対向電圧信号を示している。

対向電圧信号 V Cの電位を一定にした一般的なライ ン反転 （ ドッ ド反 転） を示す駆動波形図である。

《液晶表示パネルモジュール》

第 1 2図は、 第 5図に示した液晶表示パネルに外付け回路を実装した モジュール構造を示した平面図である。

同図において、 液晶表示パネル P N Lの周辺には、 垂直走査回路 V、 映像信号駆動回路 H、 および電源回路基板 P C B 2が接続されている。 垂直走査回路 Vは、 複数のフィルムキャ リア方式で形成された駆動 I Cチップから構成され、 その出力バンプは液晶表示パネルのゲー ト信号 端子 G T Mに接続され、 入力バンプはフレキシブル基板上の端子に接続 されている。

映像信号駆動回路 Hも、 同様に、 複数のフィルムキャ リア方式で形成 された駆動 I Cチップから構成され、 その出力バンプは液晶表示パネル の ドレイ ン信号端子 D T Mに接続され、 入力バンプはフレキシブル基板 上の端子に接続されている。

電源回路基板 P C B 2はフラ ッ トケーブル F Cを介して映像信号駆動 回路 Hに接続され、 この映像信号駆動回路 Hはフラ ッ トケーブル F Cを 介して垂直走査回路 Vに接続されている。

なお、 本発明では、 このようなものに限定されることはなく、 各回路 を構成する半導体チップを透明基板 S U B 1 に直接搭載し、 その入出力 バンプのそれそれを該透明基板 S U B 1 に形成された端子 （あるいは配 線層） に接続させるいわゆる C O G (Chip On Glass) 方式にも適用で きることはいうまでもない。

《製造方法》

第 1 3図及び第 1 4図は、 上述した T F T基板の製造方法の一実施例 を示す工程図である。

この製造は （A) 乃至 （F) までのフォ ト工程を経て完成され、 第 1 3図並びに第 1 4図の夫々において、 図中左側は画素領域を、 図中右側 は ドレイ ン信号端子形成領域を示している。

以下、 工程順に説明する。

工程 （A)

透明基板 S U B 1を用意し、 その表面の全域にたとえばスパッ夕 リ ン グによって I T O膜を形成する。 そして、 フォ ト リ ソグラフィ技術を用 いて該 I T 0膜を選択エッチングし、 画素領域には対向電極 C Tを、 ま た ドレイ ン信号端子形成領域には ドレイ ン信号端子 D TMを形成する。 工程 （B)

透明基板 S UB 1の表面の全域に C r膜を形成する。 そして、 フォ ト リ ソグラフィ技術を用いて該 C r膜を選択エッチングし、 画素領域には ゲー ト信号線 G Lおよび対向電圧信号線 C Lを、 また ドレイ ン信号端子 形成領域には中間接続体となる導電層 g 1を形成する。

工程 （ C )

透明基板 S UB 1の表面の全域にたとえば CVD法によって S i N膜 を形成し絶縁膜 G Iを形成する。

さらに、 この絶縁膜 G Iの表面の全域にたとえば C V D法によって a _ S i層、 n型不純物が ドーピングされた a— S i層を順次形成する。 そして、 フォ ト リ ソグラフィ技術を用いて該 a— S i層を選択エッチ ングし、 画素領域に薄膜 トランジスタ T F Tの半導体層 A Sを形成する , 工程 （D)

透明基板 S U B 1の表面の全域に、 たとえばスパッタ リ ング法によつ て C r膜を形成し、 フォ ト リ ソグラフィ技術を用いて該 C r膜を選択ェ ツチングし、 画素領域に ドレイ ン信号線 D L、 薄膜トランジスタ T F T のソース電極 S D 1およびドレイ ン電極 S D 2を、 また ドレイ ン信号端 子形成領域に該ドレイ ン信号線 D Lの延在部を形成する。

工程 （E)

透明基板 S UB 1の表面の全域に、 たとえば CVD法によって S i N 膜を形成し保護膜 P S Vを形成する。 そして、 フォ ト リ ソグラフィ技術 を用いて該保護膜 P SVを選択エッチングし、 画素領域に薄膜トランジ ス夕 T F Tの ドレイ ン電極 S D 2の一部を露呈させるコンタク ト孔を形 成するとともに、 ドレイ ン信号端子形成領域には該保護膜 P S Vの下層 の絶縁膜 G Iにまで貫通させて前記導電層 g 1の一部を露呈させるコン タク ト孔を形成する。

工程 （ F )

透明基板 S UB 1の表面の全域にたとえばスパッタ リ ング法によって I T O膜 I T 02を形成する。 そして、 フォ ト リソグラフィ技術を用い て該 I T O膜を選択エッチングし、 画素領域に前記コンタク ト孔を通し て薄膜トランジスタ T F Tの ドレイ ン電極 S D 2と接続された画素電極 PXを形成するとともに、 ドレイ ン信号端子形成領域には ドレイ ン信号 線 D Lと前記導電層 g 1との接続を図る接続体層を形成する。

上記製造方法において、 工程 （A) と工程 （B) は逆転し得る。 すな わち、 ゲー ト信号線 G L上に対向電極 C Tを上部よ り接続させる構成と なる。 この場合、 ゲー ト信号線 G Lの断面形状は緩やかなテーパ加工が 必要となる。

一方、 本方式では、 対向電極 C Tがゲー ト信号線 G Lや対向電圧信号 線 C Lよ り下部にあるので、 ゲー ト信号線 G Lの断面形状に拘らず良好 な接続が得られることになる。

一方、 本実施例では、 ゲー ト絶縁膜 G Iとして S i N膜を用いたが、 I T O上の白濁を確実に回避するために少なく とも I T Oと接触するゲ ー ト絶縁膜 G Iを S i 0₂ や S i 0 N等の酸素を含む絶縁膜を用いても よい。

〔実施例 2〕

《画素の構成》

第 1 5図は、 本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す平面図で. 同図の 1 6— 1 6線における断面図、 1 7— 1 7線における断面図、 1 8— 1 8線における断面図を、 それそれ第 1 6図、 第 1 7図、 第 1 8図 に示している。

実施例 1に示した第 1図と対応しており、 それと同符号のものは同一 の材料を示している

実施例 1と異なる構成は、 まず、 透明電極からなる対向電極 C Tが絶 縁膜 G I上に形成され、 ドレイ ン信号線 D Lと同層になっている。

このことは、 対向電極 C Tはゲー ト信号線 GLと異なった層として形 成されていることを意味する。

そして、 該対向電極 C Tの ドレイ ン信号線 D Lと近接する辺部に設け られる導電膜 F GTは、 ゲー ト信号線 GLと同層に設けられており、 該 対向電極 C Tとは電気的に接続されていない状態で形成されている。

このため導電膜 F G Tは、 実施例 1のように、 対向電圧信号線 C Lの 一部として機能するこ とはなく、 専ら、 ドレイ ン信号線 D Lと対向電極 C Tとの間にノイズと して発生する電界による液晶の光漏れ等を遮光す る遮光材として機能するようになっている。

このように構成した場合、 ドレイ ン信号線 D Lと対向電極 C Tとの間 隔を狭めることができて開口率を向上させることができる効果を有する , しかし、 該導電膜 F G Tはこのように形成することなく、 対向電極 C Tと同層に形成し、 該対向電極 C Tの ドィ レン信号線 D Lと近接する辺 部に一部接続させて形成してもよいことはもちろんである。

そして、 各画素領域のう ち ドレイ ン信号線 D Lに沿って （ゲー ト信号 線 G Lに直交する方向に） 配置される各画素領域の対向電極 C Tは、 互 いに接続されて構成されている。

すなわち、 各画素領域の対向電極 C Tは、 ゲー ト信号線 G Lが形成さ れている領域を股いで互いに一体的に形成されている。

換言すれば、 ドレイ ン信号線 D Lに沿って配置される各画素領域の対 向電極 C Tは該 ドレイ ン信号線 D Lに沿って帯状に形成され、 これら帯 状の各対向電極 C Tは ドレイ ン信号線 D Lの形成領域によって分断され ている。

この対向電極 C Tはゲー ト信号線 G Lと異なる層で形成されており、 このゲート信号線 G Lに接続されることなく形成できる。

このように帯状に形成された対向電極 C Tは画素領域の集合体と して 形成される表示領域の外側から対向電圧信号が供給されるようにすれば. 実施例 1 に示したような対向電圧信号線 C Lを特に形成せずに済むとい う効果を奏する。

このため、 画素電極 P Xは、 ゲー ト信号線 G Lによ り近接させて、 あ るいは、 さらに該ゲー ト信号線 G L上に重畳させた状態にまで延在させ る （第 1 5図参照） ことによって、 該ゲー ト信号線 G Lの近傍において も画素領域としての機能をもたせることができるようになる。

このことは、 ゲー ト信号線 G Lの近傍において、 該ゲート信号線 G L それ自体にブラ ックマ ト リ ックスと しての機能をもたせるだけで充分と なり （換言すれば、 ゲー ト信号線 G L とその近傍を被う ブラ ックマ ト リ ックスを必要と しない） 、 開口率の大幅な向上が図れるという効果を奏 する。

なお、 上述した実施例では、 各画素領域のうち ドレイ ン信号線 D Lに 沿って配置される各画素領域の対向電極 C Tを共通に構成したものであ る。 しかし、 ゲー ト信号線 G Lに沿って配置される各画素領域の対向電 極 C Tを共通に構成するようにしてもよいことはいうまでもない。

この場合、 対向電極 C Tは ドレイ ン線 D L と異なる層で構成されてい ることが必要となり、 たとえば実施例 1の構成において適用できる。

《製造方法》

第 1 9図及び第 2 0図は上述した実施例で示した液晶表示装置の製造 方法の一実施例を示した工程図であ り、 第 1 3図及び第 1 4図と対応し た図となっている

実施例 1 の場合と比較して、 対向電極 C Tが絶縁膜 G Iの上面に形成 され、 この対向電極 C T上に保護膜 P S Vを介して画素電極 P Xが形成 されている構成の相違に対応させて、 製造工程に相違を有するようにな つている。

〔実施例 3〕

第 2 1 図は本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す平面図で第 1 5図に対応した図となっている。 この第 2 1 図の 2 2 - 2 2線におけ る断面図を第 2 2図に示している。

第 2 1図において、 第 1 5図と同一の符号は同一の材料を示している , 第 1 5図の構成と異なる部分は、 まず、 ドレイ ン信号線 D Lに沿って配 置される各画素領域内を該 ドレイ ン信号線 D Lとほぼ平行に走行する対 向電圧信号線 C Lが形成されていることにある。

この対向電圧信号線 C Lは、 対向電極 C Tの直下に （あるいは直上で あってもよい） に形成され、 換言すれば該対向電極 C Tに接続されて形 成され、 対向電極 C Tのそれ自体の電気的抵抗を低減させる機能をもた せている。

この対向電圧信号線 C Lはたとえば ドレイ ン信号線 D Lと同時に形成 され、 該 ドレイ ン信号線 D Lと同一の材料からなっている。 このことか ら、 該対向電圧信号線 C Lは、 対向電極 C Τを構成する I Τ 0よ り も電 気的抵抗の小さな導電層から構成されている。

そして、 この対向電圧信号線 C Lは、 画素領域をほぼ 2等分するよう にしてその中央を走行するようになっている。 その両脇に存在する ドレ イ ン信号線 D L との短絡を確実に回避できるように形成できるからであ る。

さらに、 この対向電圧信号線 C Lは、 図中 y方向に延在して形成され る画素電極 P Xのうちの一つと重畳されて形成されている。

画素電極 P Xの形成されている部分は光透過率の低減が免れない部分 となっていることから、 この部分に対向電圧信号線 C Lを位置づけさせ ることによって、 画素領域の全体における光透過率の低減を最小限に抑 えよう とする趣旨である。

この実施例では、 ドレイ ン信号線 D Lの上面に I T 0膜 I T O 1 が積 層されて形成され、 該 ドレイ ン信号線 D Lが断線されて形成された場合 でも該 I T O膜 I T O 1 によって該断線を修復できる構成となっている , この I T◦膜 I T 0 1は、 対向電極 C Tの形成の際に同時に形成でき るので、 製造工数の増大を回避できる効果を奏する。

〔実施例 4〕

第 2 3図は、 本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す平面図で、 その 2 4— 2 4線における断面図、 2 5— 2 5線における断面図、 2 6 - 2 6線における断面図を、 それそれ第 2 4図、 第 2 5図、 第 2 6図に 示している。 第 2 3図は第 1図に対応した図となっており、 同一の符号は同一の材 料を示している。

第 2 3図において、 第 1 図と異なる構成は、 画素電極 P Xが絶縁膜 G I上に形成され、 対向電極 C T とはこの絶縁膜 G I を介して配置されて いる。 すなわち、 液晶側の画素電極 P Xは保護膜 P V S (および配向膜 0 R I 1 ) を介して配置されている。

このようにした場合、 液晶 L C中への電気力線が保護膜 P V Sによる 分圧効果によって増大され、 該液晶 L Cの材料として低抵抗のものを選 択でき、 結果として残像の少ない表示を得る効果を奏する。

また、 このようにした場合、 第 2 5図に示すように、 薄膜トランジス 夕 T F Tのソース電極 S D 1 と画素電極 P Xとの接続を直接行なうこと ができるので、 たとえば保護膜等に形成したコンタク ト孔を通して行な う煩雑さを解消することができる。

〔実施例 5〕

第 2 7図は、 本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す平面図で- その 2 8— 2 8線における断面図、 2 9— 2 9線における断面図、 3 0 — 3 0線における断面図を、 それそれ第 2 8図、 第 2 9図、 第 3 0図に 示している。

第 2 7図は第 1図に対応した図となっており、 同一の符号は同一の材 料を示している。

第 2 7図において、 第 1 図と異なる構成は、 まず、 絶縁層を介して画 素電極 P Xは下層に位置づけられ、 対向電極 C Tは上層に位置づけられ ている。

第 2 8図に示すように、 絶縁膜 G I の上面に第 1保護膜 P S V 1 が形 成され、 この第 1保護膜 P S V 1上に画素電極 P Xが形成されている。

この画素電極 P Xは画素領域の周辺を除く大部分の領域に形成された 透明からなる電極で、 第 1保護膜 P S V 1の下層に形成される薄膜トラ ンジス夕 T F Tのソース電極 S D 2 とコンタク ト孔を通して接続されて いる。

そして、 このように形成された画素電極 P Xをも被って第 2保護膜 P S V 2が形成され、 この第 2保護膜 P S V 2の上面に対向電極 C Tが形 成されている。

この対向電極 C Tは、 前記画素電極 P Xに重畳される領域に図中 y方 向に延在し X方向に並設される複数の帯状の電極として形成されるが、 それらの両端部は各対向電極 C Tの間の領域を除く他の全ての領域に該 各対向電極 C Tと一体的に形成された導電層と接続されて形成されてい る。

換言すれば、 対向電極 C Tは、 少なく とも表示領域を被う ようにして 形成された導電層 （ I T O ) のうち、 前記画素電極 P Xに重畳される領 域内の導電層に、 図中 y方向に延在し X方向に並設される複数の帯状の 開口を形成することによって、 形成されるようになっている。

このことは、 対向電極 C T として機能する導電層以外の他の導電層は 対向電圧信号線 C L として利用でき、 このようにした場合、 導電層全体 の電気抵抗を大幅に低減できるという効果を奏するようになる。

また、 対向電極 C Tとして機能する導電層以外の他の導電層は、 ゲー ト信号線 G Lおよび ドレイ ン信号線 D Lを被った状態で形成できること になる。

このことは、 対向電極 C Tとして機能する導電層以外の他の導電層は 従来のブラ ックマ ト リ ックス層としての機能をもたせることができるこ とを意味する。

液晶の光透過率を制御する透明基板と平行な成分をもつ電界 （横電 界） は、 対向電極 C T と して機能する導電層と画素電極 P Xの間におい て発生し、 それ以外の部分では発生し得ないからである。

このため、 第 2 8図に示すように、 透明基板 S U B 2側にはブラ ック マ ト リ ツクス層を形成する必要がなく なり、 製造の工数の低減が図れる という効果を奏するようになる。

なお、 この場合、 液晶と して、 電界が印加されない状態で黒表示がで きるいわゆるノーマリブラ ックのものを用いることによって、 前記導電 層のブラ ックマ ト リ ックスとしての機能を強化することができるように なる。

また、 ゲー ト信号線 G Lあるいは ドレイ ン信号線 D Lは、 前記導電膜 との間で容量を発生せしめることは否めなく なる。 このことから、 それ らの間に介在される第 1保護膜 P S V 1および第 2保護膜 P S V 2のう ちたとえば第 2保護膜 P S V 2を塗布で形成できる樹脂膜で構成し、 こ の樹脂膜の膜厚を比較的大き く形成することによって該容量を小さ く す ることができる。

たとえば、 第 1保護膜 P S V 1 として、 その比誘電率が 7で、 膜厚が 1 0 0〜 9 0 0 nmの S i N膜を用いた場合、 第 2保護膜 P S V 2 と し て、 その比誘電率が 3〜 4で、 膜厚が 1 0 0 0〜 3 0 0 0 nmの有機膜 が適当となる。

また、 第 2保護膜 P S V 2は第 1保護膜 P S V 1 と比べて比誘電率が 1 / 2以下であれば、 その膜厚に関係なく、 また、 膜厚が 2倍以上であ れば、 その比誘電率に関係なく、 実際の製品に支障がないことが確認さ れている。

〔実施例 6〕

第 3 1図は本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す平面図であ り、 その 3 2— 3 2線における断面図を第 3 2図に示している。

第 3 1図は実施例 5 と比較してさ らに改良された構成を示すもので、 第 2 7図乃至第 3 0図と同符号のものは同一材料を示している。

実施例 5の場合と異なる構成は、 まず、 画素電極 P Xは絶縁膜 G I上 に形成され、 対向電極 C Tは該画素電極 P X上に形成された第 1保護膜 P S V 1上に形成されている。 換言すれば、 画素電極 P Xと対向電極 C Tは第 1保護膜 P S V 1 を介して層を異ならしめている。

一方、 画素領域を除く他の領域には第 2保護膜 P S V 2が形成されて いる。 この第 2保護膜 P S V 2は、 たとえば少なく とも表示領域の全域 に該第 2保護膜 P S V 2 を形成した後に、 画素領域に相当する部分を選 択エッチングすることによって形成される。

さらに、 残存された第 2保護膜 P S V 2の表面には導電層が形成され ている。 この導電層は対向電極 C Tと一体に形成され、 実施例 5の場合 と同様に、 少なく とも表示領域の全域に導電層を形成した後に、 画素電 極 P Xに重畳される領域内の導電層に、 図中 y方向に延在し X方向に並 設される複数の帯状の開口を形成することによつて対向電極 C Tが形成 されるようになつている。

このように構成された液晶表示装置は、 ゲー ト信号線 G Lあるいは ド レイ ン信号線 D Lと前記導電層との間に第 1保護膜 P S V 1および第 2 保護膜 P S V 2 を介在させることによつてそれらの間に発生させる容量 を小さ くできるとともに、 画素電極 P Xと対向電極 C T との間に第 1保 護膜 P S V 1のみを介在させることによってそれらの間の電界を液晶 L C側へ強く発生させることができる効果を奏する。

〔上記各実施例の特性比較〕

第 3 5図は、 上記実施例 1、 実施例 2、 実施例 4、 実施例 5、 および 実施例 6の各構成における印加電圧に対する透過率の特性を示したグラ フを示している。

ここで、 各実施例の液晶表示装置は、 いわゆる 1 5形 X G A規定のも ので、 ゲー ト信号線 G Lの幅を 1 0〃 m、 ドィ レン信号線 D Lの幅を 8 mとしたものを対象としている。

第 3 5図では、 比較のため、 上記各実施例の他に、 T N型の T F T— L C Dおよび I P S型の T F T— L C Dの特性をも示している。

第 3 5図から、 実施例 1 においてはその開口率が 6 0 %、 実施例 2 に おいてはその開口率が 7 0 %、 実施例 4においてはその開口率が 5 0 %■ 実施例 5および 6 においてはその開口率が 8 0 %になることが確認され る。

ここで、 実施例 5および 6の場合に開口率が特に高いのは従来用いら れていたブラックマ ト リ ックスを不要とした構成としたことによる。

また、 実施例 6の場合、 実施例 5 と比較して駆動電圧を低くできるの は、 画素領域において第 2保護膜 P S V 2が形成されていない構成とな つていることによる。

上記特性は主に負の誘電異方性を有する液晶材料を用いて作成した素 子の特性である。 一方、 正の誘電異方性を有する液晶材料を用いた場合. 各実施例の透過率の最大値がそれそれ 0 . 5 %低下したが、 逆に、 しき い値電圧が 0 . 5 V低下する効果が得られた。

〔実施例 7〕

第 3 6図は、 本発明による液晶表示装置の他の実施例を示した平面図 で、 上述した各実施例をいわゆるマルチ ドメ ンイ ン方式の液晶表示装置 に適用した場合を示したものである。

ここで、 マルチ ドメイ ン方式とは、 液晶の広がり方向に発生する電界 (横電界） において、 各画素領域内に該横電界の方向が異なる領域を形 成するようにし、 各領域の液晶の分子の捩じれ方向を逆にすることによ り、 たとえば表示領域を左右からそれそれ観た場合に生じる着色差を相 殺させる効果を奏するようになる。 第 3 6図は、 例えば第 1図に対応した図となっており、 一方向に延在 しそれと交差する方向に並設させた帯状の各画素電極 P Xを、 前記一方 向に対して角度 0 ( P型液晶で、 配向膜のラビング方向を ドレイ ン信号 線の方向と一致づけた場合、 5〜 4 0 。 が適当） に傾けて延在された後 に角度 （一 2 0 ) に屈曲させて延在させることを繰り返してジグザグ状 に形成したものとなっている。

この場合、 対向電極 C Tは画素領域の周辺を除く領域に形成され、 こ の対向電極 C Tに上述した構成の各画素電極 P Xが重畳するように配置 させるだけで、 マルチ ドメイ ン方式の効果を奏することができる。

特に、 画素電極 P Xの屈曲部において対向電極 C Tとの間に発生する 電界は、 画素電極 P Xの他の部分において対向電極 C T との間に発生す る電界と全く異なることなく発生することが確かめられている。 従来は いわゆるディ スク リネーショ ン領域と称され、 液晶の分子の捩じれの方 向がランダムになって不透過部が発生していた。

このため、 画素電極 P Xの屈曲部の近傍において光透過率の低下とい うような不都合が生じないという効果を奏する。

なお、 この実施例では、 画素電極 P Xは第 3 6図中 y方向に延在させ て形成したものであるが、 図中 X方向に延在させるようにし、 それに屈 曲部を設けてマルチ ドメイ ン方式の効果を得るようにしてもよい。

また、 この実施例では、 画素電極 P Xに屈曲部を設けてマルチ ドメイ ン方式の効果を得るようにしたものである。

しかし、 画素電極 P Xを少なく とも画素領域の周辺を除く全域に形成 し、 例えば第 2 8図に示したように、 対向電極 C Tを一方向に延在させ その方向に交差する方向に並設させた構成のものにあっては、 該対向電 極に屈曲部を設けてマルチ ドメイ ン方式の効果を得るようにしてもよい ことはいうまでもない。 〔実施例 8〕

第 3 7図は、 本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す平面図で 第 2 7図と対応した図となっている。

なお、 第 3 7図中、 3 8— 3 8線における断面図、 3 9— 3 9線にお ける断面図を、 それそれ第 3 8図及び第 3 9図に示している。

第 2 7図と同符号のものは同一の材料から構成されている。 第 2 7図 との構成上の相違は、 画素電極 P Xにある。

この画素電極 P Xは、 対向電極 C T と重畳される部分においてその周 辺を除く部分に開口が形成されて構成されている。 このため、 一方向に 延在する対向電極 C Tの中心軸は前記画素電極 P Xの開口の中心軸とほ ぼ一致づけられ、 該対向電極 C Tの幅を Wとした場合、 前記開口の幅は それよ りも小さい L Lとして形成されている。

このように構成した場合、 該画素電極 P Xと対向電極 C T との間に発 生する電界の分布は第 2 7図におけるそれ全く 同様にして発生できるよ うになつている。

そして、 前記開口を設けることによって、 その分だけ画素電極 P Xと 対向電極 C Tとの間の容量を小さ くすることができる効果を奏する。 上述したよう に、 画素電極 P Xと対向電極 C T との間の容量は、 画素 電極 P Xに供給される映像信号を比較的長く蓄積させるためにある程度 は必要となるが、 必要以上に大き く なることによって、 信号の遅延によ る表示の輝度ばらつきが発生することから、 前記開口を適当な大きさに することによつて該容量を最適な値とすることができるようになる。

ここで、 前記画素電極 P Xに形成する開口によって該画素電極 P Xと 対向電極 C T との間に発生する容量の値を設定しょう とする場合、 該画 素電極 P Xに対する対向電極 C Tの位置ずれによって、 所定の容量値が 得られないことが考えられる。 この場合、 例えば第 4 2図に示すように、 画素電極 P Xの開口におけ る一対の辺部 （この図では位置ずれの不都合の顕著さを考え、 図中 y方 向に平行な辺を例にとっている） をたとえばジグザク状に形成し、 各辺 のそれそれに山部 （凸部） および谷部 （凹部） が形成される開口を形成 する。

画素電極 P Xと対向電極 C Tとが、 第 4 2図 （ a ) に示すように位置 ずれなく配置された場合、 それらの容量の値は、 それらの重畳された面 積で決定されることになる。

そして、 画素電極 P Xに対して対向電極 C Tが、 第 4 2図 （ b ) に示 すように X方向に位置ずれが生じた場合にも、 それらの重畳される面積 が不変であり、 容量の値に変化が生じない。

一方の辺の山部が引っ込んだ場合に他方の辺の山部が突き出す関係が 生じるからである。

このことから、 開口のパターンは上述したものに限定されることはな く、 たとえば一方の電極の位置ずれに対して、 該位置ずれの方向に交差 する開口辺の一方の辺に該電極側へ突き出す凸部が形成され、 また他方 の辺に該電極に対して引っ込む凸部が形成されていればよい。

なお、 このような構成は、 第 2 7図の構成を前提とするものではなく、 上述した各実施例の全てに適用できるものである。 例えば、 対向電極 C Tが少なく とも画素領域の周辺を除く全域に形成されている構成となつ ている場合、 この対向電極 C Tにおいて、 画素電極 P Xと重畳される部 分においてその周辺を除く部分に開口を形成するようにしてもよい。 さ らに、 この場合の一方の電極の開口は、 その周辺において他方の電極と 重畳するようになっているが、 必ずしも重畳されていなくてもよいこと はいうまでもない。

〔実施例 9〕 第 4 0図は、 本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す平面図で. その 4 1 — 4 1線における断面図を第 4 1図に示している。

第 4 0図及び第 4 1図は、 実施例 5 (図 2 7〜図 3 0 ) の改良と して 説明した図で、 その特徴点はたとえば合成樹脂膜で構成される第 2保護 膜 P S V 2 にスぺーサとしての機能ももたせるようにしたものである。

ここで、 スぺーサは、 一方の透明基板側に対して他方の透明基板を精 度よいギャ ップを保持して支持するもので、 表示領域の全域に及んで液 晶の層厚を均一にさせることが要求される。

この実施例では、 たとえばゲー ト信号線 G Lの一部に重畳する領域に 該スぺ一ザの形成領域を設け、 このスぺーサは第 2保護膜 P S V 2 と一 体に形成された突起部として構成されている。

このスぺーサを設ける個所は各画素領域において同一の場所とするこ とによって、 表示領域の全域に及んで液晶の層厚を均一にすることがで きる。 同一の場所であれば、 そこの部分の積層構造が同一であるからで ある。

このスぺーサは、 たとえば第 2保護膜 P S V 2 を形成する際に、 まず, 光感光性の合成樹脂膜をスぺーザの高さ分を加算させた膜厚で形成し、 その後、 たとえばスぺーザの形成領域に強い光を、 そしてスぺーザの形 成領域外の領域に弱い光を選択的に照射させ、 現像工程を経ることによ つて形成できるようになる。

このように形成される各スぺーサは、 同じ高さのものが精度よ く得ら れるようになることから、 各透明基板の間のギヤップを表示領域の全域 にわたつて均一に保持させることができるようになる。

なお、 この実施例では、 スぺーザの形成後において、 対向電極を形成 する必要があるが、 たとえ、 スぺ一ザの頂面において該対向電極の材料 が残存したとしても、 いわゆるフィル夕基板の側には電極が配置されて いない構成となつていることから、 それによる不都合は生じないように なっている。

また、 この実施例では、 実施例 5の改良として説明したものであるが. この実施例に限定されることはないことはいうまでもない。

液晶に近い層として合成樹脂膜を形成する必要のある場合には、 それ と一体にスぺ一サを形成できる効果を有するが、 そうでない場合であつ ても、 いずれか一方の透明基板に固定されたスぺーサを形成することは. 各透明基板の間のギヤップを精度よく均一にできるからである。

〔実施例 1 0〕

第 4 3図は本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す断面図であ る。

第 4 3図は実施例 5 と比較してさらに改良された構成を示すもので、 第 2 7図の 2 8— 2 8線に沿った別の断面図を示している。 なお、 画素 領域を示す平面図は実施例 5の第 2 7図と同一構成となる。

実施例 1 との構成上の相違は、 まず、 対向電極 C Tの下部であり、 画 素電極 P Xを絶縁分離している保護絶縁膜 P S V 2が対向電極 C Tある いは対向電圧信号配線 C Lをマスクとして掘るように加工されている。

この加工によ り、 ドレイ ン信号線 D Lと対向電圧信号配線 C Lの間の 絶縁膜 P S V 2は厚く、 同様に、 対向電極 C Tと画素電極 P Xと直接重 なる領域の絶縁膜は厚く形成され、 対向電極 C T間の間隔部分の絶縁膜 P S V 2は薄く形成される。

上記加工の効果は、 厚く形成された絶縁膜は、 薄膜トランジスタ T F Tの負荷の容量を低減させる、 あるいは ドレイ ン信号線 D Lの負荷容量 を低減せしめる。

一方、 薄く形成された絶縁膜 P S V 2は画素電極 P Xと対向電極 C T 間の絶縁膜による電圧降下を低減し、 液晶に充分な電圧を印加すること が可能となり、 液晶のしきい電圧を低減できる。

また、 上記絶縁膜 P S V 2の加工は対向電極 C Tをマスクと して加工 するので、 この対向電圧 C Tと自己整合的に加工され、 表示むらが極め て発生しにくい。

以上、 実施例 1乃至 1 0 を参照して説明したことから明らかなように. 本発明による液晶表示装置によれば、 極めて性能の高いものが得られる ようになる。

〔実施例 1 1〕

第 4 4図は本発明による液晶表示装置の他の実施例での画素領域にお ける構成図であり、 液晶を介して互いに対向配置される一対の透明基板 の一方の透明基板を液晶側から観た平面図である。 また、 第 4 5図は第 4 4図の 4 5 - 4 5線における断面を示した図である。

まず、 第 4 4図において、 透明基板 S U B 1上に図中 X方向に延在さ れ y方向に並設されるゲー ト信号線 G Lがたとえばクロム （ C r ) で形 成されている。 このゲー ト信号線 G Lは後述する ドレイ ン信号線 D L と で矩形状の領域を形成し、 その領域は画素領域を構成するようになって いる。

この画素領域には、 ゲー ト信号線 G Lとともに、 前記ゲー ト信号線 G L との接続及び前記 ドレイ ン信号線 D L (後の工程で形成される） との 重畳が回避されるようにして、 対向電圧信号線 C Lが形成されている。 対向電圧信号線 C Lは、 ゲー ト信号線 G L と同一の材料で形成してよい ため、 ゲー ト信号線 G Lと同一の工程で設けられる。 第 4 4図に示され るように、 この対向電圧信号線 C Lは、 画素領域の中央において図中 y 方向に走行する帯状の導電層 C L ' と、 この導電層に接続されて画素領 域の周辺に沿って形成された枠体状の導電層 C L " とから構成され、 こ の画素領域を間にした左右の画素領域における対向電圧信号線 C L とは 図中 x方向に延在する対向電圧信号線 C Lによって互いに接続されるよ うになつている。 この対向電圧信号線 C Lは、 後述する対向電極 C Tに 対向電圧信号を供給するための信号線と して機能するが、 遮光膜と して の機能をも有するようにして形成されている。 この遮光膜としての機能 の詳細については後述する

さらに、 該画素領域には、 その僅かな周辺部を除く 中央部の全域に、 透明導電体であるたとえば I T 0 1 ( Indium-T in-Oxi de ) からなる対向 電極 C Tが形成されている。 本実施例並びに後述の実施例 1 2〜 1 5 に おいては、 基板主面側に設けられる透明導電体からなる対向電極 C T ( I T 0 1 ) の輪郭を太線で示す。 この対向電極 C T ( I T 0 1 ) は、 これよ り基板主面から離れた他の透明導電体の膜 （画素電極 P X ( I T 0 2 ) に少なく とも一部が覆われる。 透明導電体としては、 本実施例に て用いた I T 0に代えて、 例えば、 I Z O ( I ndium- Z inc-Oxide ) ゃィ オン · コ一ティ ングなどで得られる金属の薄膜等、 これに入射する光を 十分な強度で出射できるように形成された導電膜 （例えば、 入射光の少 なく とも 6 0 %を透過させ得る） を用いてもよい。

この対向電極 C Tはその周辺部が前記対向電圧信号線 C Lの枠体状の 導電層の内側の周辺部に直接に重畳するように形成され、 これによ り該 対向電極 C Tに対向電圧信号線 C Lから供給される対向電圧が印加され るようになっている。 これらのゲー ト信号線 G L、 対向電圧信号線 C L . および対向電極 C Tをも被って透明基板 S U B 1の上面の全域には、 た とえば S i Nからなる絶縁膜 G Iが形成されている。 この絶縁膜 G I は. 後述の ドレイ ン信号線 D Lに対しては対向電圧信号線 C Lおよびゲー ト 信号線 G Lの層間絶縁膜と しての機能を、 後述の薄膜トランジスタ T F Tの形成領域においてはそのゲー ト絶縁膜と しての機能、 後述の容量素 子 C s t gの形成領域においてはその誘電体膜と しての機能を有するよ うになつている。

第 44図の左下に示されるように、 ゲー ト信号線 G Lの一部に重畳さ れる薄膜トランジスタ T F Tの部分の前記絶縁膜 G I上には、 例えば a _ S iからなる半導体層 A Sが形成されている。

この半導体層 A Sの上面にソース電極 S D 2およびドレイ ン電極 S D 1が形成されることによって、 ゲ一 ト信号線 G Lの一部をゲ一 ト電極と する逆ス夕ガ構造の M I S型トランジス夕が形成されることになる。 そ して、 このソース電極 S D 2およびドレイ ン電極 S D 1は ドレイ ン信号 線 D Lと同時に形成されるようになっている。

すなわち、 第 44図において y方向に延在され X方向に並設された ド レイ ン信号線 D Lが形成され、 この ドレイ ン信号線 D Lの一部が前記半 導体層 A Sの表面にまで延在されるこ とによって薄膜トランジスタ T F Tの ドレイ ン電極 S D 1を構成するようになつている。

また、 該 ドレイ ン信号線 D Lの形成の際にソース電極 S D 2が形成さ れ、 このソース電極 S D 2は画素領域内の一部にまで延在されて後述の 画素電極 P Xとの接続を図るコンタク ト部をも一体的に形成されるよう になっている。

なお、 半導体層 A Sの前記ソース電極 S D 2およびドィ レン電極 S D 1との界面にはたとえば n型不純物が ドーピングされたコンタク ト層 d 0が形成されている。

このコンタク ト層 d Oは、 半導体層 A Sの表面の全域に n型不純物 ド —ビング層を形成し、 さらにソース電極 S D 2および ドレイ ン電極 S D 1の形成後において、 該各電極をマスクと してこれら各電極から露出さ れた半導体層 A Sの表面の n型不純物 ド一ビング層をエッチングするこ とによって形成されるようになっている。

なお、 この実施例では、 半導体層 A Sは薄膜トランジスタ T F Tの形 成領域ばかりでなく、 ドレイ ン信号線 D Lに対するゲー ト信号線 G L、 対向電圧信号線 C Lとの交差部にも形成されている。 層間絶縁膜と して の機能を強化せしめためである。

そして、 このように薄膜 トランジスタ T F Tが形成された透明基板 S UB 1の表面には、 該薄膜トランジスタ T F Tをも被ってたとえば S i

Nからなる保護膜 P S Vが形成されている。 薄膜トランジスタ T F Tの 液晶 L Cとの直接の接触を回避するためである。

さらに、 この保護膜 P S Vの上面には画素電極 P Xがたとえば I T 0

2 ( Indium-Tin-Oxide) からなる透明な導電膜によって形成されている そ して、 この画素電極 PXはその一部において、 前記保護膜 P S Vに 形成されたコンタク ト孔を通して前記薄膜トランジスタ T F Tのソース 電極 S D 2の延在部と接続されるようになっている。

この画素電極 P Xは、 画素領域のほぼ中央において第 44図中 y方向 に延在する対向電圧信号線 C L ' 上で屈曲部を有する複数の第 1の電極 P X ' と、 これら第 1の電極 PX， の各端部をそれそれ接続する枠体状 の第 2の電極 PX" とから構成されている。 換言すれば、 第 1の電極 P

X ' は、 前記対向電極信号線 C L ' によって画される一方の画素 頁域側 において、 該対向電極信号線 C L ' に対して い Θ ： 0 < 4 5 ° ) の傾 きを有して図中 y方向に等間隔に配置され、 また、 他方の画素領域側に おいて、 該対向電極信号線に対して （ + θ : 0 < 4 5 ° ) の傾きを有し て第 44図中 y方向に等間隔に配置されているとともに、 各画素領域の 対応する電極どう しは該対向電極信号線 C L ⁵ 上で互いに接続された構 成となっている。

このように第 1の電極 C L ' に屈曲部を設けているのはいわゆるマル チ ドメイ ン方式を採用するものであ り、 一方の傾き を有する画 素電極と他方の傾き （ + Θ) を有する画素電極のそれそれの対向電極 C Tに対して発生する電界の方向を異なら しめ、 液晶分子の捻じれ方向を 逆にすることによ り、 たとえば表示領域を左右からそれそれ観た場合に 生じる着色差を相殺させる効果を奏するためである。

この第 1の電極 P X ' の各々の屈曲部は、 上述した対向電圧信号線 C Lのうち、 画素領域の中央において y方向に延在する信号線 C L ' に重 畳するようにして位置づけられている。

第 1の電極 P X ' の屈曲部の近傍は、 この部分において電界の方向が ランダムとな り、 厳密な横電界がかからない不透過領域 （以下、 この領 域をディスク リネーシヨ ン領域と称する） が発生することから、 この領 域を該信号線 C L ' によって遮光する構成としたものである。

また、 前記第 1の電極 P X' は、 その屈曲部を中心と して電極の広が り角は 2 0 (く 9 0 ° ) であり、 鋭角となっている。

このようにした場合、 この屈曲部において対向電極 C Tとの間に比較 的強い電界がかかり易く なり、 液晶分子の回転を高速に行わしめること ができるようになる。 このため、 この屈曲部を起点として、 その周りひ いては画素領域の全域に及んで液晶分子の回転の高速化を波及せしめる ことができ、 結果としてレスポンスの高速化を図った表示を達成せしめ る効果を奏するようにできる。

また、 画素電極 P Xのうち第 2の電極 P X" は、 前記対向電圧信号線 C Lのうち枠体状に形成された信号線 C L" の内側の周辺部に重畳され た枠体状の電極 P X" からなり、 前記第 1の電極 P X ' の延在端と接続 された構成となっている。

第 2の電極 P X" のうち第 4 4図中 y方向に延在する部分と、 それに 隣接して配置される ドレイ ン信号線 D Lとの間には、 上述した対向電圧 信号線 C L" が図中 y方向に延在されて形成されている。

この対向電圧信号線 C L" は、 ドレイ ン信号線 D Lとの間の隙間をな るべく小さくするようにして、 その幅が大きく形成されている。

換言すれば、 画素電極 P Xのうち第 4 4図中 y方向に延在する電極 P X" と、 それに隣接して配置される ドレイ ン信号線 D Lとの間の隙間は 該対向電圧信号線 C L" によって遮光されている構成となっている。

ドレイ ン信号線 D Lからはそれに供給される映像信号によって電界が 発生し、 この電界は対向電圧信号線 C L" 側へ終端させるようにすると もに、 該電界によって変化する液晶の光透過率の変化による光透過を遮 光させんとする趣旨である。

このように構成された画素電極 P Xは、 次のような種々の効果を奏す るようになっている。

まず、 対向電極 C Tとの間で発生する電界の方向を異なら しめる領域 は、 画素領域を二分割して形成しているため、 各画素電極 P X (第 1の 電極 P X' ) の屈曲部はそれそれ一つとなり、 その総数は該第 1の電極 P X' の数に相当することになる。

従来、 例えば、 第 4 4図中 y方向に延在され X方向に並設された各画 素電極のそれそれを、 その長手方向に沿って右側へ傾斜させた後に左側 へ傾斜させ、 さらに右側へ傾斜させることを繰り返した、 いわゆるジグ ザグ形状にしたもの比べ、 該電極の屈曲部を大幅に減少させた構成とす ることができるようになる。

このため、 該電極 P X ' の屈曲部において、 ディスク リネ一シヨ ン領 域が発生するのを大幅に減少させることができるようになる。

また、 画素電極 P Xを、 前記第 1の電極 P X ' の他に、 画素領域の周 辺に枠体状に配置される第 2の電極 P X" を新たに設けることによ り、 この第 2の電極 P X" と対向電極 C Tとの間にも横電界が発生するよう になる。

従来、 上述したようなジグザク形状の画素電極では、 隣接する ドレイ ン信号線との間に小さなスペースと大きなスペースとが交互に形成され. このうち大きなスペースにおいては充分な横電界が発生しないいわゆる デッ ドスペースが生じていた。

このため、 本実施例のように構成することによ り、 上述したデッ ドス ペースの発生を抑制でき、 実質的な画素領域の拡大を図ることができる ようになる。

なお、 この第 2の電極 P X " は、 薄膜トランジスタ T F Tのソース電 極 S D 2 を介して第 1の電極 P X ⁵ のそれそれに映像信号を供給させる 機能をも有する。

このため、 この機能を充足する限り、 第 2の電極 P X " は必ずしも画 素領域の周辺に沿った枠体状の形状に形成する必要がないことはいう ま でもない。

たとえば、 第 4 4図の第 2の電極 P X " において、 図中 X方向に平行 に位置づけられるものうち、 図中上側 （薄膜トランジスタ T F Tと反対 側） のものを特に形成しなくても充分な効果が得られるようになる。 こ のように画素電極 P Xが形成された透明基板 S U B 1の表面には該画素 電極 P Xをも被って配向膜 （第 4 4図及び第 4 5図には図示せず、 実施 例 1参照） が形成されている。 この配向膜は、 図中 y方向にラビング処 理がなされた液晶 L Cと直接に接触する膜で、 該液晶 L Cの初期配向方 向を決定づけるものとなっている。

なお、 上述した実施例では、 画素電極 P Xを透明な電極と して構成し たものであるが、 必ずしも透明でなければならないこ とはなく、 例えば

C rのような不透明の金属材料であってもよい。 これによつて開口率が 若干低下するが、 液晶 L Cの駆動においては全く支障がないからである, また、 このように構成された透明基板 S U B 1 はいわゆる T F T基板 と称され、 この T F T基板と液晶 L Cを介して対向配置される透明基板 はフィル夕基板と称されている。 フィル夕基板は、 その液晶側の面に、 まず、 各画素領域を画するようにしてブラ ックマ ト リ ックスが形成され. このブラックマ ト リ ックスの実質的な画素領域を決定する開口部にはそ れを被ってフィル夕が形成されるよう になっている。 そして、 ブラ ック マ ト リ ックスおよびフィル夕を被って、 例えば樹脂膜からなるオーバ一 コート膜が形成され、 このオーバーコー ト膜の上面には配向膜が形成さ れている。 これらの詳細は、 実施例 1 にて述べたとおりである。

〔実施例 1 2〕

第 4 6図は、 本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す図で、 図 1 に対応した図面となっている。 また、 第 4 7図は第 4 6図の 4 7— 4 7線における断面を示す図である。

第 4 4図と異なる構成は、 まず、 屈曲部を有する画素電極 P Xの該屈 曲部の近傍を遮光する部材として、 ドレイ ン信号線 G Lとともに形成さ れる （したがって該信号線と材料が同一） 導電層 C Lを用いていること にある。

この導電層 C Lは対向電圧信号線 L Cを構成するものであり、 このた め、 透明電極を構成される対向電極 C Tは、 この対向電圧信号線 L Cの 上層 （下層であってもよい） に重畳されて形成されるようになっている , また、 該導電層 G L ' は、 画素領域のほぼ中央を y方向に走行して形 成されているため、 その両脇に位置づけられる各ドレイ ン信号線 G Lと のショー トの憂いなく形成することができるようになる。

〔実施例 1 3〕

第 4 8図は、 本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す図で、 第 4 4図に対応した図となっている。

第 4 4図との構成上の相違は画素電極 P Xに見られ、 屈曲部を有する 複数の第 1の電極 P X ' の各端部をそれそれ接続する枠体状の第 2の電 極 P X " の図中 y方向に延伸する部分に代えて、 当該画素電極の中央部 を図中 y方向に延伸する第 3の電極 P X 3を設けている。

このように構成した場合にも、 画素領域の全域にわたつて画素電極を デッ ドスペースなく形成することができるようになる。

〔実施例 1 4〕

第 4 9図は、 本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す図で、 第 4 4図に対応した図となっている。

第 4 4図と異なる構成は、 画素領域において電界の方向が異なる領域 をこの図中 X方向に平行な境界によって二分割したことにある。

このため、 屈曲部を有する画素電極 P X (第 1の電極 P X， ) は、 一 方の画素領域において図中 X方向に対して ― φ ： 0 > 4 5 ° ) の角度 を有して配置され、 他方の画素領域において （ + ø ： ø > 4 5 ° ) の角 度を有して配置されるとともに、 該境界部において対応する画素電極が 互いに接続されたパターンを有している。

このようにした場合においても、 デッ ドスペースの縮小化、 および画 素電極の第 1の電極 P X ' の屈曲部の数の減少化を図ることができるよ うになる。

また、 このようにした場合、 配向膜の初期配向方向 （図中 y方向） と 各電界の方向との最も好ましい設定から、 第 1の電極はその屈曲部にお ける開き角度 （ 2 ) は鈍角となるように設定できるようになる。

このため、 画素電極 （第 1の電極） の屈曲部におけるいわゆるデイス ク リネーション領域の発生の減少化を図ることができるようになる。 このことから、 この実施例の場合、 各画素電極の屈曲部における遮光 手段を備えた構成とはなっていないが、 ディスク リネーシヨン領域の完 全なる発生の防止のため該遮光手段を設けるようにしてもよいことはい うまでもない。 なお、 第 4 9図中、 その第 2の電極 P X " において、 図中 X方向に平 行に位置づけられるものうち、 図中上側 （薄膜トランジスタ T F Tと反 対側） のものを特に形成しなくても充分な効果が得られるこ とはいう ま でもない。

〔実施例 1 5〕

第 5 0図は、 本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す図で、 第 4 4図に対応した図となっている。

第 4 4図との構成上の相違は、 対向電圧信号線 C L と対向電極 C T と の接続にある。 本実施例では、 ゲー ト信号線 G Lにクロム （ C r ) 系の 合金を用い、 基板上にゲー ト信号線 G Lのパターンを形成した後、 S i N x等からなるゲー ト絶縁膜 G I の成膜の前に対向電極 C T ( I T 0 1 ) を形成する。 例えば、 第 1 3図において、 （ B ) の工程が （ A ) の 工程よ り前となる （ （A ) 工程と （ B ) 工程との順序が逆転する） 。 対 向電極 C Tをなす I T◦膜は、 ブラックマ ト リ クス B Mの開口 （その輪 郭を破線で図示） によ り規定される画素の中心にて、 対向電圧信号線 C Lをなす C r膜と直に接触する。

第 5 0図には、 液晶層の光透過率を変調するために液晶分子を回転駆 動させる電場の印加方向、 ドレイ ン信号線 （映像信号線、 データ線とも 呼ぶ） から上記画素 （破線 B Mの枠に囲まれた領域） に洩れる電場の方 向、 及び図示された電極構造を覆う配向膜 （図示せず） をラビング処理 するときのラビングローラの進行方向 （所謂ラ ビング方向） が夫々太線 の矢印で示されている。

本実施例では、 液晶分子を回転駆動する電場は、 図の上下方向 （ ドレ イ ン信号線 D Lの延伸方向） に沿って印加される。 このため、 ドレイ ン 信号線から図の左右方向に画素へ漏洩する電場 （電気力線） が液晶分子 の回転駆動に与える影響が低減され、 縦スメァ （Smear ) による画質の 劣化が抑えられる。 液晶分子を回転駆動させる電場の方向 （ 「液晶への 電場印加方向」 の矢印） と ドレイ ン信号線 D Lから画素に漏洩する電場 の方向 （ 「 ドレイ ン線からの電場方向」 を示す矢印） とが交差する角度 が大きいほど、 上述の縦スメァの発生は抑えられる。 この交差角度が小 さい場合、 ドレイ ン信号線 D L と画素との間に、 対向電極 C T又は画素 電極 P Xを ドレイ ン信号線 D Lに沿って設けることによ り、 ドレイ ン信 号線 D Lから画素への漏洩電場を遮蔽する必要がある。 しかし、 本実施 例では、 櫛歯状に並ぶ画素電極 P X ( I T 0 2 ) を ドレイ ン線と十分な 大きさの角度を以つて交差するように配置したため、 この遮蔽構造が不 要となる。 この特徴は、 第 5 0図に示す画素の左上及び右下にみられ、 画素自体の開口率 （液晶分子の回転駆動によ り変調される光を透過でき る面積） を大きくする。

また、 本実施例によれば、 基板主面からみて一方の透明導電体の膜 I T 0 1 よ り離れて形成された他方の透明導電体の膜 I T◦ 2 (その断面 構造から見て、 上部 I T O層ともよぶ） によ り構成される電極構造の設 計自由度が高く なる。 このため、 ドレイ ン信号線 D Lの延伸方向に交差 する （望ましく は略直交する） 方向に沿ってこれから供給される電圧信 号を画素電極 P Xに印加するように画素全体を設計することができる。

なお、 本実施例においては、 ドレイ ン信号線 D Lに対して画素電極 P Xの櫛歯の延伸方向が直交していないため、 ラビング方向 （これに沿つ た方向に、 電場が印加されない状態での液晶分子が配向する） を ドレイ ン信号線に対して直交する方向に設定することができる。

上述した実施例 1 1乃至 1 4では、 対向電極 C Tは画素領域の僅かな 周辺を除く 中央部の全域に及んで形成されたものである。

しかし、 この対向電極 C Tは画素電極 P Xと重畳する部分に形成され ていなくても、 液晶の動作には全く影響がないことからこのように形成 してもよいことはいうまでもない。

また、 上述した各実施例では、 画素領域の僅かな周辺を除く 中央部の 全域に及んで形成された透明の電極を対向電極 C Tとし、 屈曲部が形成 された電極を画素電極 P Xと して形成したものであるが、 これに限定さ れることなく、 画素領域の僅かな周辺を除く 中央部の全域に及んで形成 された透明の電極を画素電極 P Xと し、 屈曲部が形成された電極を対向 電極 C Tとして形成するようにしてもよいことはいうまでもない。

以上、 実施例 1 1乃至 1 4を参照して説明したことから明らかなよう に、 本発明による液晶表示装置によれば、 優れた品質の画像を表示する ことができるようになる。

Claims

請 求 の 範 囲

1 . 液晶を介して互いに対向配置される透明基板のうち一方の透明基 板の液晶側の画素領域に、 絶縁膜を介して配置される画素電極と対向電 極が形成され、 これら各電極との間には透明基板に平行な成分を含む電 界を発生せしめるとともに、 前記画素電極と対向電極のうち一方の電極 は、 他方の電極の周辺部であって少なく とも該他方の電極と重畳しない 領域に形成された透明電極で構成され、 前記絶縁膜は多層構造となって いることを特徴とする液晶表示装置。

2 . 走査信号の供給によって駆動され、 この駆動によって映像信号を 画素電極に供給する薄膜トランジスタを備え、

前記絶縁膜は前記薄膜トランジス夕のゲー ト絶縁膜の一部を構成する 絶縁膜と該薄膜トランジス夕の液晶との直接の接触を回避する保護膜と の順次積層体からなることを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の液晶 表示装置。

3 . 前記画素電極と対向電極のうち一方の電極は少なく とも画素領域 の周辺を除く領域に形成され、 他方の電極は前記一方の電極に重畳され て一方向に延在され前記一方向と交差する方向に並設された複数の電極 からなることを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の液晶表示装置。

4 . 液晶を介して対向配置される各透明基板のうち一方の透明基板の 液晶側の各画素領域に、

ゲー ト信号線からの走査信号の供給によって駆動される薄膜トランジ ス夕と、 この薄膜トランジスタを介して ドレイ ン信号線からの映像信号 が供給される画素電極と、 この画素電極との間に透明基板の面に沿う成 分を含む電界を発生せしめる対向電極とを備え、

これら画素電極および対向電極は絶縁膜を介在させて形成され、 この うち一方の電極は他方の電極の周辺部であって少なく とも該一方の電極 と重畳しない領域に形成された透明電極で構成されているとともに、 前記絶縁膜は、 前記薄膜トランジス夕のゲー ト絶縁膜として機能させ る第 1の絶縁膜と、 この第 1の絶縁膜とともに画素電極および対向電極 との間の容量値を決定させる第 2の絶縁膜との順次積層体から構成され ていることを特徴とする液晶表示装置。

5 . 前記ゲー ト絶縁膜は対向電極上に設けられた S i 0 ₂ とその上部 に設けられた S i Nの積層構造から構成されていることを特徴とする請 求の範囲第 4項に記載の液晶表示装置。

6 . 液晶を介して対向配置される各透明基板のうち一方の透明基板の 液晶側の面に、 互いに隣接する各画素領域の間に信号線が形成されてい るとともに、

前記各画素領域内に、 層を異なら しめた一対の電極のうち一方の電極 は他方の電極の周辺部であって少なく とも該^^方の電極と重畳しない領 域に形成された透明電極が配置される電極形成領域を備え、

この電極形成領域の周辺のうち前記信号線に近接する辺部に前記透明 電極よ り光透光性の小さな層が形成されていることを特徴とする液晶表 示装置。

7 . ドレイ ン信号線に沿って配置される各画素領域に、 該 ドィ レン信 号線からの映像信号がスィ ツチング素子を介して印加される画素電極と. この画素電極との間に少なく とも液晶の広がり方向と平行な成分を含む 電界を発生せしめる対向電極とを備え、

前記対向電極は、 画素電極と層を異なら しめて形成され、 該画素電極 の周辺部であって少なく とも該画素電極と重畳しない領域に形成された 透明電極で構成されているとともに、

前記 ドレイ ン信号線に隣接する辺部に該対向電極よ り も光透過性の小 さな材料で構成された導電層が形成されていることを特徴とする液晶表 示装置。

8 . 上記画素電極と導電層は互いに接続されているこ とを特徴とする 請求の範囲第 7項に記載の液晶表示装置。

9 . 上記画素電極と導電層は絶縁層を介して配置されていることを特 徴とする請求の範囲第 7項に記載の液晶表示装置。

1 0 . 液晶を介して対向配置される各透明基板のうち一方の透明基板 の各画素領域にスィ ッチング素子と画素電極と対向電極とを備え、

ドレイ ン信号線からの映像信号が前記スィ ツチング素子を介して画素 電極に印加されることによって、 この画素電極と対向電極との間に電界 を発生させるものであって、

前記対向電極は、 画素電極と層を異なら しめて形成され、 該画素電極 の周辺部であって少なく とも該画素電極と重畳しない領域に形成された 透明電極で構成されているとともに、

前記ドレイ ン信号線に隣接する辺部にこの辺部に接続された遮光性の 導電層が形成され、

この導電層は、 隣接する画素領域の対向電極に対向電圧信号を供給す る対向電圧信号線の一部を構成することを特徴とする液晶表示装置。

1 1 . 液晶を介して対向配置される各透明基板のうち一方の透明基板 の各画素領域にスィ ツチング素子と画素電極と対向電極とを備え、

ドレイ ン信号線からの映像信号が前記スィ ツチング素子を介して画素 電極に印加されることによって、 この画素電極と対向電極との間に電界 を発生させるものであって、

前記対向電極は、 画素電極と層を異なら しめて形成され、 該画素電極 の周辺部であって少なく とも該画素電極と重畳しない領域に形成された 透明電極で構成され、 この対向電極を下層にして前記 ドレイ ン信号線に隣接する辺部に A 1 あるいは A 1 を含む材料からなる導電層が高融点金属層を介して重畳さ れていることを特徴とする液晶表示装置。

1 2 . 上記高融点金属層は、 T i、 C r、 M o、 T a、 Wのうちいず れか一つを含む金属層からなることを特徴とする請求の範囲第 1 1項に 記載の液晶表示装置。

1 3 . 絶縁膜を介して、 該絶縁膜の下層に形成される第 1透明金属層 からなる信号端子と、 該絶縁膜の上層に形成される信号線とを備え、 前記信号端子はその一部に透明金属層以外の第 1金属層が重ねて形成 され、 この第 1金属層の一部を露呈させる前記絶縁膜のコンタク ト孔を 通して前記信号端子と信号線との電気的な接続がなされていることを特 徴とする液晶表示装置。

1 4 . 上記絶縁膜上には前記信号線を被って保護膜が形成され、 この 保護膜上には、 前記第 1金属層の一部を露呈させたコンタク ト孔および 前記信号線の一部を露呈させたコン夕ク ト孔を通して該第 1金属層と信 号線との接続を図る第 2透明金属層が形成されていることを特徴とする 請求の範囲第 1 3項に記載の液晶表示装置。

1 5 . 上記第 1金属層は A 1あるいは A 1 を含む材料からなり、 その 上下面のそれそれに少なく とも第 1透明金属層および第 2透明金属層と 接続される部分に高融点金属層が設けられた多層構造からなることを特 徴とする請求の範囲第 1 4項に記載の液晶表示装置。

1 6 . 液晶を介して対向配置される透明基板の一方の透明基板の液晶 側の面に、

一方向に延在されて並設された第 1信号線と、 この第 1信号線と層間 絶縁膜を介して該第 1信号線と交差する方向に延在されて並設される第 2信号線とが形成され、 これら信号線で囲まれた各画素領域に、 第 1信号線および第 2信号線 のうちのいずれか一方の信号線からの走査信号の供給によって駆動する スィ ツチング素子を介して他方の信号線からの映像信号が供給される画 素電極と、

この画素電極と層を異なら しめて形成され、 該画素電極の周辺部であ つて少なく とも該画素電極と重畳しない領域に形成された透明の対向電 極とを備え、

前記画素電極と対向電極との間に前記液晶の広がり方向に電界を発生 せしめるとともに、

各画素領域の対向電極は、 それと層を異なら しめる前記第 1信号線と 第 2信号線のうちのいずれか一方の信号線と交差して互いに共通に接続 されていることを特徴とする液晶表示装置。

1 7 . 上記共通に接続された各対向電極は各画素領域の集合体である 表示領域外から対向電圧信号が供給されることを特徴とする請求の範囲 第 1 6項に記載の液晶表示装置。

1 8 . 液晶を介して互いに対向配置される透明基板の液晶側の面の各 画素領域に、

該透明基板と平行な成分を有する電界を発生せしめる画素電極と対向 電極とが備えられ、

該対向電極は、 画素電極と層を異なら しめて形成され、 該画素電極の 周辺部であって少なく とも該画素電極と重畳しない領域に形成された透 明の導電層から構成されているとともに、

一方向へ並設される各画素領域のほぼ中央を走行し、 かつ前記対向電 極に重ね合わされて形成される対向電圧信号線が備えられ、

この対向電圧信号線は該対向電極よ り も抵抗の小さい材料で構成され ていることを特徴とする液晶表示装置。

1 9 . 上記画素電極は一方向へ延在されて該一方向と交差する方向へ 並設された複数の電極からなり、 これら各画素電極は対向電極に重ね合 わされて配置されるとともに、

前記対向電圧信号線は前記各画素電極のうちの一つに重ね合わされて 該ー方向に延在されていることを特徴とする請求の範囲第 1 8項に記載 の液晶表示装置。

2 0 . 上記一方向へ並設される各画素領域の画素電極にスイ ッチング 素子を介して映像信号を供給する ドレイ ン信号線を備え、

この ドレイ ン信号線には対向電極と同一の材料からなる層が積層され ていることを特徴とする請求の範囲第 1 8項に記載の液晶表示装置。

2 1 . 上記液晶を介して対向配置される透明基板のうちの一方の透明 基板の液晶側の面に、 隣接する各ゲー ト信号線と隣接する各ドレイ ン信 号線とで囲まれた画素領域が形成され、

この画素領域内に、 層を異なら しめて配置され、 前記液晶の広がり方 向に電界を発生せしめる画素電極と対向電極を備え、

前記画素電極および対向電極のうちのいずれか一方の電極は、 前記ゲ 一ト信号線と ドレイ ン信号線と異なる層に形成されているとともに、 少 なく とも画素領域の集合体である表示領域の全域に形成された透明から なる導電層に開口を設けて形成されていることを特徴とする液晶表示装

2 2 . 上記、 導電層に設けられる開口は、 ドレイ ン信号線の延在方向 に沿って延在され、 該方向に交差する方向に並設されて形成されている ことを特徴とする請求の範囲第 2 1項に記載の液晶表示装置。

2 3 . 表示領域の全域に形成された透明からなる導電層に開口を設け て形成された電極は対向電極とし、 この対向電極は画素電極よ り も液晶 に近い側の層に形成されていることを特徴とする請求の範囲第 2 1項に 記載の液晶表示装置。

2 4 . 前記導電層は、 対向電極の機能とともに、 対向電圧信号線およ びブラ ックマ ト リ ックスの機能をもたせていることを特徴とする請求の 範囲第 2 1項に記載の液晶表示装置。

2 5 . 前記絶縁膜は第 1絶縁膜と第 2絶縁膜との順次積層体からなり . 第 2絶縁膜は、 第 1絶縁膜と比べて比誘電率が 1 / 2以下、 あるいは膜 厚が 2以上となっていることを特徴とする請求の範囲第 2 4項に記載の 液晶表示装置。

2 6 . 液晶を介して対向配置される透明基板のうちの一方の透明基板 の液晶側の面に、 隣接する各ゲー ト信号線と隣接する各 ドレイ ン信号線 とで囲まれた画素領域が形成され、

この画素領域内に、 層を異なら しめて配置され、 前記液晶の広がり方 向に電界を発生せしめる画素電極と対向電極を備え、

前記ゲー ト信号線およびドレイ ン信号線のうち少なく とも一方の信号 線上に絶縁膜を介して導電層が形成されていることを特徴する液晶表示

2 7 . 前記導電層は画素電極と対向電極のうちのいずれかの電極と同 層となっているとともに、 該電極と同一の材料で構成されていることを 特徴とする請求の範囲第 2 6項に記載の液晶表示装置。

2 8 . 液晶を介して対向配置される透明基板のうちの一方の透明基板 の液晶側の面に、 隣接する各ゲー ト信号線と隣接する各 ドレイ ン信号線 とで囲まれた画素領域が形成され、

この画素領域内に、 第 1絶縁膜を介して配置され、 前記液晶の広がり 方向に電界を発生せしめる画素電極と対向電極を備え、

前記第 1絶縁膜上に画素領域の部分に開口を有して前記ゲー ト信号線 およびドレイ ン信号線のうち少なく とも一方を被う第 2絶縁膜が形成さ れ、 この第 2絶縁膜の表面に導電層が形成されていることを特徴する液 晶表示装置。

2 9 . 第 2絶縁膜は、 第 1絶縁膜と比べて比誘電率が 1 / 2以下、 あ るいは膜厚が 2以上となっていることを特徴とする請求の範囲第 2 8項 に記載の液晶表示装置。

3 0 . 前記導電膜は、 画素電極と対向電極のうちいずれか一方の電極 と一体的に形成され、 この電極は、 画素領域の集合体である表示領域の 全域に形成された前記導電膜に開口を形成することによつて形成されて いることを特徴とする請求の範囲第 2 8項に記載の液晶表示装置。

3 1 . 液晶を介して対向配置される透明基板のうち一方の透明基板の 液晶側の面の画素領域に、 該液晶の広がり方向に電界を発生せしめる一 対の電極が形成され、

この一対の電極は層を異なら しめて形成されているとともに、 一方の 電極は他方の電極の周辺部であって少なく とも該一方の電極と重畳しな い領域に形成された透明電極で構成され、 かつ、

他方の電極は、 一方の電極との間に発生する電界の方向を異なら しめ る領域を構成するパターンで形成されていることを特徴とする液晶表示 装置。

3 2 . 液晶を介して対向配置される透明基板のうち一方の透明基板の 液晶側の面の画素領域に、 該液晶の広がり方向に電界を発生せしめる一 対の電極が形成され、

この一対の電極は層を異なら しめて形成されている とともに、 一方の 電極は他方の電極の周辺部であって少なく とも該一方の電極と重畳しな い領域に形成された透明電極で構成され、 かつ、

他方の電極は、 一方向に対して角度 0に傾けて延在された後に角度 ( - 2 Θ ) に屈曲させて延在させるこ とを繰り返したジグザグ状となつ ていることを特徴とする液晶表示装置。

3 3 . 液晶を介して対向配置される透明基板のうち一方の透明基板の 液晶側の画素領域に、 該透明基板と平行な方向に電界を発生せしめる一 対の電極が形成され、

この一対の電極は層を異なら しめて形成されているとともに、 これら一対の電極のうち、 一方の電極は一方向に延在され該方向に交 差する方向に並設された複数の電極からなり、

他方の電極は、 前記一方の電極と重畳する領域に開口が形成されて少 なく とも画素領域の周辺を除く領域に形成された透明電極からなること を特徴とする液晶表示装置。

3 4 . 他方の電極の開口が形成された周辺は一方の電極に重畳されて いることを特徴とする請求の範囲第 3 3項に記載の液晶表示装置。

3 5 . 他方の電極の開口は、 少なく ともその長手方向に平行な各辺の それそれに凹凸が繰り返されるパターンで形成されていることを特徴と する請求の範囲第 3 3項に記載の液晶表示装置。

3 6 . 液晶を介して対向配置される各透明基板のう ち一方の透明基板 の液晶側の面に複数の絶縁膜が積層され、

このうち液晶に近い側の絶縁膜は、 他方の透明基板との間のギヤ ップ を保持する突起体が一体的に形成されていることを特徴とする液晶表示

3 7 . 液晶に近い絶縁膜は、 光硬化性の樹脂膜で構成されていること を特徴とする請求の範囲第 3 6項に記載の液晶表示装置。

3 8 . 液晶を介して対向配置される各透明基板のうち一方の透明基板 の液晶側の各画素領域に、

ゲー ト信号線からの走査信号の供給によって駆動される薄膜トランジ ス夕と、 この薄膜 トランジスタを介して ドレイ ン信号線からの映像信号 が供給される画素電極と、 この画素電極との間に透明基板と平行な方向 へ電界を発生せしめる対向電極とを備え、

これら画素電極および対向電極は層を異なら しめて形成され、 このう ち一方の電極は他方の電極の周辺部であって少なく とも該一方の電極と 重畳しない領域に形成された透明電極で構成されているとともに、 ゲー ト信号線と ドレイ ン信号線との層間絶縁を図る第 1絶縁膜と、 前 記薄膜トランジスタを被って形成される第 2絶縁膜と、 画素電極と対向 電極との層間絶縁を図る第 3絶縁膜とを備え、

前記第 3絶縁膜は、 他方の透明基板との間のギヤ ップを保持する突起 体が一体的に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。

3 9 . 第 3絶縁膜は、 光硬化性の樹脂膜で構成されていることを特徴 とする請求の範囲第 3 8項に記載の液晶表示装置。

4 0 . 液晶と して、 負の誘電異方性を有する液晶物質を用いたことを 特徴とする請求の範囲第 3 8項に記載の液晶表示装置。

4 1 . ゲー ト信号線あるいは ドレイ ン信号線が M o、 C r、 T i、 T a、 Wを少なく とも一つ含む材料で構成されていることを特徴とする請 求の範囲第 3 8項に記載の液晶表示装置。

4 2 . 液晶は電界が印加されていない際に黒表示がなされるノーマリ ブラ ックのものが用いられていることを特徴とする請求の範囲第 3 8項 に記載の液晶表示装置。

4 3 . 液晶を介して互いに対向配置される透明基板のうち一方の透明 基板の液晶側の画素領域に、

第 1の電極と、 この第 1の電極に対して絶縁膜を介して下層に形成さ れ該第 1の電極との間で透明基板に平行な成分を有する電界を発生せし める第 2の電極を備え、

前記第 2の電極は第 1の電極の周辺部であって少なく とも第 1の電極 と重畳しない領域に形成された透明電極からなり、

重畳する第 1の電極と第 2の電極の間の絶縁膜の厚さが、 前記第 2の 電極上で前記第 1の電極が重畳していない領域の絶縁膜よ り も厚いこと を特徴とする液晶表示装置。

4 4 . 液晶を介して互いに対向配置される透明基板のうち一方の透明 基板の液晶側の矩形状の画素領域に、

絶縁膜を介して配置される画素電極と対向電極が形成され、 これら各 電極との間には透明基板に平行な成分を含む電界を発生せしめるととも に、

前記画素電極と対向電極のうち一方の電極は、 他方の電極の周辺部で あって少なく とも該他方の電極と重畳しない領域に形成された透明電極 で構成され、

前記他方の電極は、 その延在方向と直交する方向に並設された複数の 電極であって、 該延在方向を変える屈曲部を有する電極と、 画素領域の 周辺の少なく も一部に直線的に延在する電極とから構成されていること を特徴とする液晶表示装置。

4 5 . 画素領域の周辺の少なく も一部に直線的に延在する他方の電極 は、 延在方向を変える屈曲部を有する他方の電極と接続されていること を特徴とする請求の範囲第の範囲第 4 4項に記載の液晶表示装置。

4 6 . 画素領域の周辺の少なく も一部に直線的に延在する電極は、 屈 曲部を有する電極に映像信号を供給する機能を兼ねていることを特徴と する請求の範囲第 4 5項に記載の液晶表示装置特徴とする液晶表示装置 4 7 . 上記画素領域の周辺に直線的に延在する他方の電極は枠体状と なっていることを特徴とする請求の範囲第 4 5項又は第 4 6項に記載の 液晶表示装置。

4 8 . 液晶を介して互いに対向配置される透明基板のうち一方の透明 基板の液晶側の矩形状の画素領域に、

絶縁膜を介して配置される画素電極と対向電極が形成され、 これら各 電極との間には透明基板に平行な成分を含む電界を発生せしめるととも に、

前記画素電極と対向電極のうち一方の電極は、 他方の電極の周辺部で あって少なく とも該他方の電極と重畳しない領域に形成された透明電極 で構成され、

前記他方の電極は、 その延在方向と直交する方向に並設された複数の 電極であって、 該延在方向を変える屈曲部を有する第 1 の電極と、 画素 領域のほぼ中央に走行し前記各第 1の電極を接続させる第 2の電極とか ら構成されていることを特徴とする液晶表示装置。

4 9 . 上記第 1の電極は、 画素領域を二等分させる境界部で屈曲部を 有することを特徴とする請求の範囲第 4 8項に記載の液晶表示装置。

5 0 . 液晶を介して互いに対向配置される透明基板のうち一方の透明 基板の液晶側の画素領域に、

絶縁膜を介して配置される画素電極と対向電極が形成され、 これら各 電極との間には透明基板に平行な成分を含む電界を発生せしめるととも に、

前記画素電極と対向電極のうち一方の電極は、 他方の電極の周辺部で あって少なく とも該他方の電極と重畳しない領域に形成された透明電極 で構成され、

前記他方の電極はその延在方向と直交する方向に並設された複数の電 極から構成されているとともに、 これら各電極は二分割された画素領域 の境界部で屈曲したパターンとして形成されていることを特徴とする液 晶表示装置。

5 1 . 上記画素領域は分割は液晶の初期配向方向に対してほぼ交差す る方向でなされているとともに、 屈曲部を有する他方の電極の該屈曲部 による開き角度は鈍角となっているこ とを特徴とする請求の範囲第 5 0 項に記載の液晶表示装置。

5 2 . 液晶を介して互いに対向配置される透明基板のうち一方の透明 基板の液晶側の画素領域に、

絶縁膜を介して配置される画素電極と対向電極が形成され、 これら各 電極との間には透明基板に平行な成分を含む電界を発生せしめるととも に、

前記画素電極と対向電極のうち一方の電極は、 他方の電極の周辺部で あって少なく とも該他方の電極と重畳しない領域に形成された透明電極 で構成され、

前記他方の電極はその延在方向を変える屈曲部を有するともに、 その 屈曲部には絶縁膜を介した遮光性の部材が形成されていることを特徴と する液晶表示装置。

5 3 . 上記他方の電極はその延在方向に直交する方向に並設された複 数の電極からなり、 これら各電極の屈曲部は画素領域のほぼ中央を横切 る仮想の線上に位置づけられているとともに、 遮光性の部材は前記仮想 の線上に沿って形成されていることを特徴とする請求の範囲第 5 2項に 記載の液晶表示装置。

5 4 . 上記遮光性の部材は、 対向電極に対向電圧信号を印加する対向 電圧信号線の一部として形成されていることを特徴とする請求の範囲第 5 3項に記載の液晶表示装置。

5 5 . 上記、 液晶を介して互いに対向配置される透明基板のうち一方 の透明基板の液晶側の画素領域に、

絶縁膜を介して配置される画素電極と対向電極が形成され、 これら各 電極との間には透明基板に平行な成分を含む電界を発生せしめるととも に、

前記画素電極と対向電極のうち一方の電極は、 他方の電極の周辺部で あって少なく とも該他方の電極と重畳しない領域に形成された透明電極 で構成され、

前記他方の電極はその延在方向を変える屈曲部を有するともに、 この 屈曲部を中心とする電極の広がり角は鋭角となっていることを特徴とす る液晶表示装置。