WO2003038992A1 - Melangeur d'harmoniques d'ordre pair a filtre integre et appareil de communication radio haute frequence l'utilisant - Google Patents

Melangeur d'harmoniques d'ordre pair a filtre integre et appareil de communication radio haute frequence l'utilisant Download PDF

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WO2003038992A1
WO2003038992A1 PCT/JP2002/011098 JP0211098W WO03038992A1 WO 2003038992 A1 WO2003038992 A1 WO 2003038992A1 JP 0211098 W JP0211098 W JP 0211098W WO 03038992 A1 WO03038992 A1 WO 03038992A1
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WO
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harmonic mixer
frequency
filter
even harmonic
transmission line
Prior art date
Application number
PCT/JP2002/011098
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English (en)
French (fr)
Inventor
Atsushi Yamada
Yoshihisa Amano
Yoshinori Motouchi
Original Assignee
Sharp Kabushiki Kaisha
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03DDEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D9/00Demodulation or transference of modulation of modulated electromagnetic waves
    • H03D9/06Transference of modulation using distributed inductance and capacitance
    • H03D9/0608Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of diodes
    • H03D9/0633Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of diodes mounted on a stripline circuit

Definitions

  • the present invention relates to a filter-integrated even-harmonic mixer in which an even-harmonic mixer and a high-frequency band-pass filter used in a microwave millimeter-wave communication device are connected by a transmission line, and a high-frequency wireless communication device using the same.
  • FIG. 9 is a configuration diagram of a conventional even harmonic mixer described in, for example, Japanese Patent No. 2795972.
  • a high frequency signal (frequency f rf) and a local oscillation signal (frequency f lo) are input, and an intermediate frequency signal (frequency f if) is defined as the difference between the even multiple of f lo and f rf.
  • This is an example of an even harmonic mixer for a down converter that outputs the number of local frequencies.
  • 1 is a high-frequency signal terminal
  • 2 is a local oscillation signal terminal
  • 3 is an intermediate frequency signal terminal
  • 4a and 4b are diodes.
  • the diodes 4 a and 4 b are connected in parallel with opposite polarities to form an anti-parallel diode pair 5.
  • Reference numeral 6 denotes a low-pass filter for passing an intermediate frequency signal
  • reference numeral 7 denotes a band-pass filter for passing a high-frequency signal, both of which are connected to a first terminal 8 of the anti-parallel diode pair 5.
  • the first terminal 8 is connected to an open-end stub 10 having approximately 1/4 wavelength with respect to the local oscillation signal frequency.
  • the second terminal 9 of the anti-parallel diode pair 5 is connected to a tip short-circuit stub 11 having approximately 114 wavelengths with respect to the local vibration signal frequency.
  • the low-pass filter 6 and the band-pass filter 7 constitute the duplexer 12.
  • the even harmonic mixer for downconverter having the above configuration operates as follows. That is, a local oscillation signal having a frequency of flo is input from the local oscillation signal terminal 2 and applied to the second terminal 9 of the anti-parallel diode pair 5. On the other hand, a high-frequency signal of frequency f rf is input from the high-frequency signal terminal 1 and To the first terminal 8 of the chip parallel diode pair 5. Then, a mixed wave (frequency f out) given by the following equation is generated at both ends of the anti-parallel diode pair 5.
  • a signal having a frequency f if given by the following equation is selected and output from the intermediate frequency signal terminal 3 as an intermediate frequency signal.
  • connection point 8 with the open-end stub 10 having approximately 114 wavelengths with respect to the local oscillation signal frequency f lo is It functions as an open circuit for the high frequency signal f rf and as a short circuit for the local oscillation signal f lo.
  • connection point 9 with the short-circuited stub 11 of approximately 1/4 wavelength for the local oscillation signal frequency f lo is short-circuited for the high-frequency signal f rf and short-circuited for the local oscillation signal f lo Functions as an open.
  • the local oscillation signal and the high-frequency signal can mutually isolate each other.
  • the intermediate frequency signal is input to the intermediate frequency signal terminal 3
  • the local oscillation signal is input to the local oscillation signal terminal 2
  • the high frequency signal is input from the high frequency signal terminal 1. It can also function as an output up-converter mixer.
  • the above-mentioned conventional even harmonic mixer has the following problems. That is, it is necessary to separately connect a band-pass filter that passes a high-frequency signal input to the high-frequency signal terminal 1, which increases the cost of the component and the mounting process. Also, when the frequency in the millimeter-wave band is very high, the loss at the connection point between the even-harmonic mixer and the band-pass filter becomes remarkable, deteriorating the characteristics.
  • the even harmonic mixer and the bandpass filter are formed on the same semiconductor chip for the purpose of reducing the above components and mounting cost, and reducing the loss at the connection point between the even harmonic mixer and the bandpass filter. Integration is also conceivable.
  • the above-mentioned even harmonic mixer and the band-pass filter are separately designed, and simply By simply arranging them on a semiconductor chip and connecting them with transmission lines of an appropriate length and integrating them, most of the passive circuits such as the open-end stub 10 and the short-circuited stub 11 and the filters 6 and 7 of the even harmonic mixer are mostly used. Occupy the area of. Therefore, there is a problem that the area of the semiconductor chip is increased and the unit price of the semiconductor chip is increased. Disclosure of the invention
  • an object of the present invention is to provide a filter-type even harmonic which can simplify the configuration of a connection portion between the even harmonic mixer and the filter, reduce the size of the circuit, and reduce the cost of the semiconductor chip.
  • An object of the present invention is to provide a mixer and a high-frequency wireless communication device using the same.
  • a first invention is a filter-type even harmonic mixer in which an even harmonic mixer and a high-frequency bandpass filter are connected by a transmission line, wherein the even harmonic mixer, the transmission line and The length of the transmission line is set so as to be substantially short-circuited with respect to the frequency of the local oscillation signal input to the even harmonic mixer, as viewed from the connection point of the transmission line. It is characterized by:
  • the impedance on the transmission line side as viewed from the connection point between the even harmonic mixer and the transmission line is substantially short-circuited to the frequency of the local oscillation signal. Therefore, it is possible to omit an open-end stub for giving an equivalent ground to the frequency of the local oscillation signal. As a result, the occupied area is reduced, and the area and cost in the case of a chip are reduced as compared with the case where a separate high-frequency bandpass filter is connected to the even harmonic mixer as in the past.
  • the transmission loss at the frequency of the local oscillation signal in a circuit in which the transmission line and the high-frequency bandpass filter are integrated is 2
  • the reflection loss is approximately O dB
  • the reflection phase angle is approximately 180 °.
  • the reflection coefficient of the circuit in which the transmission line and the high-frequency bandpass filter are integrated with respect to the frequency of the local oscillation signal is ⁇ 1, and can be regarded as equivalent to ground.
  • the filter-integrated even harmonic mixer of the first invention is described.
  • the even harmonic mixer is configured to include at least an anti-parallel diode and a short-circuited tip.
  • the even-harmonic mixer does not include an open-end stub, and the occupied area of the even-harmonic mixer, and consequently, the filter-type even-harmonic mixer, is reduced. Becomes smaller.
  • the finoletter-type even harmonic mixer of the first invention is formed on a semiconductor substrate.
  • the even harmonic mixer, the high-frequency bandpass filter, and the transmission line are integrally formed on one semiconductor substrate. Therefore, even when the frequency in the millimeter wave band or the like is very high, the loss of the signal at the connection between the high frequency bandpass filter and the even harmonic mixer is reduced as much as possible. Further, in addition to the above-described circuit configuration that does not include the open-end stub, the entire circuit is reduced, so that the cost per semiconductor chip is reduced.
  • the high-frequency band-pass filter has a microstrip line resonator.
  • the impedance of the microstrip line resonator becomes very large for a signal having a frequency within the pass band of the filter. Therefore, the signal can pass through the capacitance in the high-frequency band-pass filter.
  • the impedance of the microstrip line resonator becomes smaller for a signal having a frequency far away from the pass band of the filter, and the signal is reflected without passing through the capacitor.
  • the high-frequency band-pass filter has an input circuit and an output circuit configured by a microstrip line, and the input circuit And the output circuit are coupled by at least one of capacitive coupling and magnetic coupling.
  • the high-frequency wireless communication device of the second invention is a filter integrated type of the first invention. It is characterized by using an even harmonic mixer.
  • FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a filter-type even harmonic mixer of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram showing a specific configuration in which the filter-type even harmonic mixer shown in FIG. 1 is formed on a gallium arsenide substrate.
  • FIG. 3 is a diagram showing the reflection loss / transmission loss and the reflection phase angle when the transmission line and the high-frequency bandpass filter side are viewed from the connection point X in FIG.
  • FIG. 4 is an enlarged view of the high-frequency band-pass filter in FIG.
  • FIG. 5 is a circuit diagram in which the high-frequency band-pass filter shown in FIG. 4 is represented by substantially equivalent lumped constants.
  • FIG. 6 is a longitudinal sectional view of the anti-parallel diode pair in FIG.
  • FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a filter-integrated even harmonic mixer different from that of FIG.
  • FIG. 8 is a block diagram of the high-frequency wireless communication device according to the present invention.
  • FIG. 9 is a configuration diagram of a conventional even harmonic mixer. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a filter-integrated even harmonic mixer of the present embodiment.
  • an intermediate frequency signal (frequency f IF ) and a local oscillation signal (frequency ⁇ ⁇ ) are input, and a high frequency signal (frequency f is output at a frequency that is a mixture of twice the frequency f and frequency f IF ) is input.
  • the mixer is an even harmonic mixer for an up converter, that is, the following relationship exists between the frequency f, the frequency f IF, and the frequency f L0 .
  • ⁇ RF 2 X f L0 + f IF
  • This even-harmonic mixer integrated with finolators is composed of an even-harmonic mixer 21, a transmission line 22 and a high-frequency bandpass filter 23, and the even-harmonic mixer 21 and the high-frequency bandpass filter 23 One end is connected via a transmission line 22. From the connection point 24 between the even harmonic mixer 21 and the transmission line 22, the impedance looking at the transmission line 22 side is the frequency f L of the local oscillation signal. The length of the transmission line 22 is set so as to be approximately 0 with respect to.
  • the even-harmonic mixer 21 includes an open parallel diode pair 25 formed by connecting two diodes in parallel with their polarities reversed, a short-circuited stub 26, and an intermediate frequency signal transmission line 27. And a local oscillation signal transmission line 28 and a capacitor 29.
  • One end of the transmission line 27 for the intermediate frequency signal is connected to a connection point 24 between the above-mentioned parallel parallel diode pair 25 and the transmission line 22.
  • the other end 30 of the intermediate frequency signal transmission line 27 is connected to one end of a capacitor 29, and the other end of the capacitor 29 is grounded.
  • a connection point 30 with 29 is an intermediate frequency signal terminal 31. Further, a tip short-circuit stub 26 is connected to the other end of the parallel pair 25. Further, one end of a local oscillation signal transmission line 28 is connected to a connection point 32 between the parallel-parallel diode pair 25 and the tip short-circuit stub 26, and the other end of the local oscillation signal transmission line 28 is connected to the connection point 32. Local oscillation signal pin 3 3
  • This tip short-circuit stub 26 has a frequency fL. The length is set so that it becomes 1/4 wavelength.
  • the filter-type even harmonic mixer having the above configuration operates as follows. That is, the frequency input from the local oscillation signal terminal 33 described above.
  • the local oscillation signal passes through the local oscillation signal transmission line 28 and is input to the anti-parallel diode pair 25.
  • the tip short-circuit stub 26 is frequency. Since the length is set to be 1/4 wavelength for, it is equivalent to open for frequency ⁇ , which is equivalent to not connecting anything.
  • the impedance of the transmission line 22 from the connection point 24 between the even harmonic mixer 21 and the transmission line 22 is frequency f L. Is approximately 0 with respect to frequency . Is almost equal to the condition of grounding. Therefore, the voltage of the input local oscillation signal is all applied to the anti-parallel diode pair 25. Their to, mixing the intermediate frequency signal of the input frequency f IF from the local oscillation signal and the intermediate frequency signal pin 3 1 input from the local oscillation signal terminal 3 3 in antiparallel die O over de pair 2 within 5 As a result, signals having various frequency components are generated.
  • the frequency f RF is
  • the short-circuited stub 26 at the tip becomes approximately 1/2 wavelength with respect to the frequency, and the connection point 32 is substantially equivalent to the ground at the frequency f. Therefore, the frequency soil signal is not output from the local oscillation signal terminal 33.
  • FIG. 2 is a specific example in which the filter-type even harmonic mixer having the configuration shown in FIG. 1 is formed on a 70 / zm-thick Hidani gallium substrate.
  • 2A is a plan view
  • FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIG. 2A.
  • the frequency is i L. 29.5 GHz
  • frequency ⁇ IF is 1 GHz to 3 GHz
  • frequency is 6 OG Hz to 62 GHz.
  • the size of the substrate is approximately 0.7 mm X 1.0 mm.
  • reference numeral 41 denotes the above anti-parallel diode pair
  • reference numeral 42 denotes a short-circuited stub
  • reference numeral 43 denotes a transmission line for an intermediate frequency signal
  • reference numeral 44 denotes a transmission line for a local oscillation signal
  • reference numeral 45 denotes a MIM (metal-insulated).
  • Object-metal) capacitor which constitutes an even harmonic mixer.
  • the even harmonic mixer, the transmission line 46 and the high frequency bandpass filter 47 constitute a filter-type even harmonic mixer.
  • the stub 42, the transmission line 46 and the local oscillation signal transmission line 44 are formed to have a line width of 55 microns so that the characteristic impedance is approximately 50 ⁇ .
  • the transmission line 43 for the intermediate frequency signal has a line width of 25 microns so that the characteristic impedance is approximately 70 ⁇ .
  • 50 is a terminal for an intermediate frequency signal
  • 51 is a terminal for a local oscillation signal
  • 52 is a terminal for a high frequency signal
  • 53 is a gallium substrate
  • 54 is a grounding metal. is there.
  • the length of the short-circuit stub 42 is set so that it becomes 1/4 wavelength with respect to the frequency fw (29.5 GHz), including the length of the through hole 48 and the pad 49. Have been.
  • The] ⁇ 1] ⁇ capacitor 45 is set to 0.4 pF so that it has a high impedance with respect to the intermediate frequency signal and a low impedance with respect to the high frequency signal.
  • the effective length of the transmission line 46 (between X and Y) is set to 450 ⁇ .
  • the effective length is defined as the length along the bent Kaizumi Road.
  • a transmission line with an effective length of 450 ⁇ is a transmission line having an electrical length equivalent to a linear line with a length of 450 / m (a line that is not bent in the middle).
  • the reflection loss / transmission loss seen from the connection point X on the right side in the figure is as shown in FIG. 3A, and the reflection phase angle is as shown in FIG. 3B. That is, the transmission loss at the frequency ⁇ (6 OGHz to 6 201 ⁇ ) is about 28, and the signal at the frequency JF RF is almost passed. On the other hand, the transmission loss at the frequency fw (29.5 GHz) is about 20 dB, the reflection loss is 0 dB, and the reflection phase angle is 180. The following characteristics are shown. This reflection coefficient when the frequencies I omega has means substantially one 1 der Rukoto, can be regarded as equal to equivalently grounded.
  • the inventors have determined that the frequency f L of the high-frequency bandpass filters 23, 47 as described above.
  • the transmission loss at (29.5 GHz) is about 20 dB
  • the reflection loss is 0 dB
  • the characteristic that the reflection phase angle is 180 ° is used to design an even harmonic mixer.
  • the present invention was conceived in consideration of making a part of the circuit carry high-frequency bandpass filters 23 and 47.
  • the high-frequency band-pass filter 47 is generally constituted by transmission lines 121 to 124.
  • the transmission lines 121 and 122 constitute an input circuit or an output circuit, and the tips 125 and 126 function as input terminals or output terminals.
  • the transmission lines 123 and 124 have a length of about 1 / 2 ⁇ with respect to the wavelength at the center frequency of the passing signal, and constitute an open line resonator as a microstrip line resonator. I have.
  • a part of the transmission line 121 and a part of the transmission line 123 are arranged in parallel and capacitively coupled.
  • a part of the transmission line 122 and a part of the transmission line 124 are arranged in parallel and capacitively coupled.
  • a part of the transmission line 123 and a part of the transmission line 124 are arranged in parallel (the part of the ellipse 128) and are capacitively coupled.
  • a part of the transmission line 121 and a part of the transmission line 122 are arranged in parallel (part of an ellipse 127), and are capacitively coupled and magnetically coupled.
  • FIG. 5 shows a circuit diagram in which the high-frequency bandpass filter 47 shown in FIG. 4 is represented by a substantially equivalent lumped constant.
  • Resonator 129 and resonator 130 correspond to transmission line 123 and transmission line 12 in FIG.
  • the capacitance 131 represents the capacitive coupling between the transmission line 121 and the transmission line 123 in FIG.
  • the capacity 132 is a capacitive coupling between the transmission line 122 and the transmission line 124. Is represented.
  • the capacity 13 3 represents the capacitive coupling 128 of the transmission line 123 and the transmission line 124 in FIG.
  • the coupling indicated by the ellipse 1 34 represents the capacitive coupling and the magnetic coupling indicated by the ellipse 1 27 in FIG.
  • the operation of the high-frequency bandpass filter 47 will be described with reference to FIG.
  • the impedance of the resonators 129 and 130 becomes very large. Therefore, a signal input from the input terminal 135 or the input terminal 133 can pass through the capacitors 131, 132, and 133.
  • the impedance of the resonators 129 and 130 decreases. Therefore, the signal is reflected without passing through the capacitor 133.
  • the high-frequency band-pass filter 47 in the present embodiment it is possible to realize a filter-type even harmonic mixer having a smaller size and excellent characteristics.
  • the coupling 127 in FIG. 4 is composed of a capacitive coupling and a magnetic coupling like the coupling 134 shown in FIG. To achieve a high attenuation characteristic.
  • the attenuation characteristics are inferior to those in the case where the two couplings are used, the effect of the present embodiment is not sufficiently achieved. You can get it.
  • the high-frequency band-pass filters 23 and 47 are not limited to those shown in FIG. 2, but pass signals having a frequency ⁇ RP and largely attenuate unnecessary signals in a frequency band near the RP. It has characteristics to achieve its purpose, and frequency.
  • Other shapes and structures may be used as long as the signal has a characteristic that transmission loss is large and reflection loss is small. frequency .
  • the optimum length of the transmission line in the present invention depends on the structure of the filter, when a high-frequency bandpass filter having another structure is used, the impedance viewed from the connection point X on the right side in the above figure is the frequency f L .
  • FIG. 2 shows an example in which a microstrip line is used, a coplanar spring road and a ground coplanar line may be used. Also, the function as an up-converter for converting an intermediate frequency signal into a high-frequency signal has been described, but it can also be used as a down-converter for converting a high-frequency signal into an intermediate frequency signal.
  • FIG. 6 shows a longitudinal section of the above-mentioned unch parallel diode pair 41.
  • the antiparallel diode pair 41 is configured by connecting two diodes 61 and 62 of opposite polarity in parallel. Both diodes (represented by diode 61 in FIG.
  • n + GaAs layer 64 having a carrier concentration of 5.0 ⁇ 10 18 cm— 3 and a thickness of 50 Onm, and a carrier concentration of 3.0 ⁇ 10 18 cnf 3 thick at the 2 Ontn of n + GaI nP) i6 5, TGaAs layer 6 6 thick carrier concentration at 3. 0 X 1 0 16 ctrf 3 is 70 onm, are sequentially Epitakisharu growth.
  • an ohmic electrode 67 made of AuGe / Ni / Au and a wiring metal 68 are formed on the n + GaAs layer 64.
  • a Schottky electrode 69 made of Ti / Pt / Au and a #Izumi metal 70 are formed on the n-GaAs layer 66.
  • the area of the Schottky electrode of the diode in the present embodiment as described above is 6 mX 7 ⁇ .
  • 71 is a ground metal.
  • one end of the even harmonic mixer 21 and one end of the high frequency bandpass filters 23 and 47 are connected via the transmission lines 22 and 46, and the filter integrated even harmonic It constitutes a wave mixer.
  • An anti-parallel diode pair 25, 41 is formed by connecting even harmonic mixer 21 to two diodes in parallel with their polarities reversed, and an anti-parallel diode pair 25, 41.
  • Stub 26, 4 2 connected to the other end of the anti-parallel diode pair 25, 4 1 and the anti-parallel diode pair Local oscillation connected to connection point 3 2 between 25, 4 1 and short-circuit stub 2 6, 4 2 It is composed of signal transmission lines 28 and 44.
  • the high-frequency band-pass filters 23 and 47 pass the signal of the frequency f pp by appropriately setting the effective length of the transmission lines 22 and 46, in addition to the characteristics to greatly attenuate unwanted signals, you Keru transmission loss to the frequency I omega is 2 0 dB approximately, reflection loss is 0 dB, the reflection phase angle has a Do that characteristics _ 1 8 0 ° ing. Therefore, the impedance of the transmission lines 22 and 46 from the connection point 24 and X between the even harmonic mixer 21 and the transmission lines 22 and 46 is the frequency of the local oscillation signal. Is almost zero. In other words, connection point 24, X has frequency f L. Is almost equal to the condition of grounding.
  • the local oscillation signal terminals 33 and 51 must be connected to the local oscillation signal transmission line.
  • the frequency f L provided in the conventional even harmonic mixer is provided in the conventional even harmonic mixer.
  • the open-ended stub with a line length of about 1 mm to provide equivalent grounding to the stub can be eliminated.
  • the connection between the even harmonic mixer and the high-frequency bandpass filter can be simplified, and as shown in FIG. 2, the circuit layout of the filter-integrated even harmonic mixer can be made very compact. Therefore, the chip size can be reduced.
  • the even harmonic mixer 21, the high-frequency bandpass filters 23, 47, and the transmission lines 22, 46 are integrated on a single gallium arsenide substrate 53. It is configured. Therefore, even when the frequency in the millimeter wave band or the like is very high, the signal loss at the connection between the high-frequency bandpass finoletors 23 and 47 and the even harmonic mixer 21 can be minimized. .
  • FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a filter-type even harmonic mixer of the present embodiment. It is.
  • the present filter-type even harmonic mixer is essentially the same as the filter-type even harmonic mixer described in the first embodiment. That is, the even harmonic mixer 8 1, the transmission line 8 2, the high-frequency band-pass filter 8 3, the anti-parallel diode pair
  • the high frequency signal terminal 91 is the even harmonic mixer 21, transmission line 22, high frequency bandpass filter 23, anti-parallel diode pair 25, Short-circuit stub 26, transmission line 27 for intermediate frequency signal, transmission line 28 for local oscillation signal, capacitor 29, terminal 31 for intermediate frequency signal, terminal 33 for local oscillation signal, and terminal 34 for high frequency signal. Is the same.
  • the transmission line 9 is connected between one end of the anti-parallel diode pair 84 and the connection point 9 2 in order to match the even harmonic mixer 81 and the transmission line 82 with the signal of the frequency f. 3 is added, and a transmission line 95 is added between the other end of the antenna parallel diode pair 84 and the connection point 94 between the short-circuit stub 85 at the end and the transmission line 87 for the local oscillation signal.
  • the difference is that an open-end stub 96 is added to point 92.
  • the transmission lines 93 and 95 and the open-end stub 96 can be realized with a short length of about 0.05 to 0.10 wavelength with respect to the normal frequency ⁇ . Accordingly, the circuit layout of the filter-type even harmonic mixer and the increase in chip size can be minimized.
  • FIG. 8 is a block diagram of the high-frequency wireless communication device.
  • the transmitter 101 is composed of a modulation signal source 103, a filter / letter integrated even harmonic mixer 104, a power amplifier 105, an antenna 106, and a local oscillation signal source 107. It is configured.
  • the filter-type even harmonic mixer 104 is composed of an even harmonic mixer 108 as an up-converter, a transmission line 109, and a high-frequency bandpass filter / letter 110.
  • the receiver 02 is a tuner 1 1 1, a filter-type even harmonic mixer 1 1 2, L3, antenna 114 and local oscillation signal source 115.
  • the filter-integrated even harmonic mixer 112 includes an even harmonic mixer 116 as a downconverter, a transmission line 117, and a high-frequency bandpass filter 118.
  • the modulation signal source 103 outputs video and data, and indicates, for example, an intermediate frequency signal of a broadcasting satellite or a communication satellite.
  • the high-frequency wireless communication device having the above configuration operates as follows. That is, the intermediate frequency signal generated by the modulation signal source 103 of the transmitter 101 occupies between 1 GHz and 3 GHz, and the intermediate frequency signal terminal of the filter type even harmonic mixer 104 is used. (Equivalent to 31, 50, 89).
  • the local oscillation signal generated by the local oscillation signal source 107 is a sine wave having a frequency of 29.5 GHz, and the local oscillation signal terminals (33, 5) of the filter-type even harmonic mixer 104 are provided. (Equivalent to 1, 90). Then, the intermediate frequency signal and the local oscillation signal are mixed in the filter-type even harmonic mixer 104.
  • the radiated high-frequency radio wave 119 is received by the antenna 114 of the receiver 102, becomes a high-frequency signal of the receiver 102, and is amplified by the low-noise amplifier 113. Further, it is input to a high frequency signal terminal (corresponding to 34, 52, 91) of the finoletter type even harmonic mixer 112. On the other hand, the frequency 2 generated by the local oscillation signal source 1 1 5
  • the sine wave signal of 9.5 GHz is input to the local oscillation signal terminal of the filter-type even harmonic mixer 112. Then, the high-frequency signal is mixed with the local oscillation signal inside the filter-type even harmonic mixer 112, and is converted again into an intermediate frequency signal having a frequency between 1 GHz and 3 GHz. The intermediate frequency signal thus obtained is input to the tuner 111 and converted into desired information.
  • the filter-integrated even-harmonic mixer 104 and the filter-type even-harmonic mixer 112 use the even-harmonic mixers of the first and second embodiments. It is possible to use exactly the same configuration as the finoleta-integrated even-harmonic mixer 104 and the filter-integrated even-harmonic mixer 112. Also, The power amplifier 105 and the low noise amplifier 113, the antenna 106 and the antenna 114, the local oscillation signal source 107 and the local oscillation signal source 115 may have the same configuration.
  • the filter-type even harmonic mixer 104, the power amplifier 105, and the local oscillation signal source 107 constituting the transmitter 101 integrate all or a part of them on one semiconductor chip. May be.
  • the filter-integrated even-harmonic mixer 104 and the power amplifier 105 are integrated, the loss at the connection therebetween can be significantly reduced, and the pump necessary to output a predetermined transmission power can be obtained. Gains are reduced. As a result, the size and power consumption of the transmitter can be reduced.
  • all or a part of the filter-integrated even-harmonic mixer 112, the low-noise amplifier 113, and the local oscillation signal source 115 constituting the receiver 102 are mounted on one semiconductor chip. You may accumulate.

Description

明 細 書 フィルター体型偶高調波ミキサおよびそれを用いた高周波無線通信装置 技術分野
この発明は、 マイクロ波ミリ波通信装置に用いられる偶高調波ミキサと高周波 帯域通過フィルタとが伝送線路で接続されたフィルタ一体型偶高調波ミキサ、 お よび、 それを用いた高周波無線通信装置に関する。 背景技術
図 9は、 例えば、 特許第 2 7 9 5 9 7 2号に記載されている従来の偶高調波ミ キサの構成図である。 この偶高調波ミキサにおいては、 高周波信号 (周波数 f rf) と局部発振信号 (周波数 f lo)とを入力し、 中間周波信号 (周波数 f if)として f lo の偶数倍と f rfとの差の周波数の局波数を出力するダウンコンバータ用偶高調波 ミキサの例である。
図 9において、 1は高周波信号端子、 2は局部発振信号端子、 3は中間周波信 号端子、 4 a, 4 bはダイオードである。 このダイオード 4 a, 4 bは、 逆極性で並列 接続されており、 アンチパラレルダイオードペア 5を構成している。 また、 6は 中間周波信号を通過させる低域通過フィルタ、 7は高周波信号を通過させる帯域 通過フィルタであり、 共にアンチパラレルダイオードペア 5の第 1の端子 8に接 続されている。 さらに、 この第 1の端子 8には、 局部発振信号周波数に対して略 1 / 4波長の先端開放スタブ 1 0が接続されている。 一方、 アンチパラレルダイ ォードペア 5の第 2の端子 9には、 局部宪振信号周波数に対して略 114波長の 先端短絡スタブ 1 1が接続されている。 尚、 低域通過フィルタ 6および帯域通過 フィルタ 7で、 分波器 1 2を構成している。
上記構成を有するダウンコンバータ用偶高調波ミキサは次のように動作する。 すなわち、 上記局部発振信号端子 2から周波数 f loの局部発振信号を入力して、 ァンチパラレルダイォードペア 5の第 2の端子 9に加える。 一方、 高周波信号端 子 1から周波数 f rfの高周波信号を入力して、 帯域通過フィルタ 7を介してァン チパラレルダイォードペア 5の第 1の端子 8に加える。 そうすると、 次式で与え られる混合波 (周波数 f out)が、 アンチパラレルダイォードペア 5の両端に発生 する。
f out= | f rf ± 2 m f lo |
ここで、 m:整数
そして、 この混合波のうち、 例えば次式で与えられる周波数 f ifの信号を選択し て、 中間周波信号として中間周波信号端子 3から出力するのである。
£ if = f rf— 2 m I lo
ここで、 上記中間周波信号の周波数 f ifが、 周波数 f rfと比較して十分小さい 場合には、 局部発振信号周波数 f loに対して略 114波長の先端開放スタブ 1 0 との接続点 8は、 高周波信号 f rfに対しては開放、 局部発振信号 f loに対しては 短絡として機能する。 一方、 局部発振信号周波数 f loに対して略 1 / 4波長の先 端短絡スタブ 1 1との接続点 9は、 高周波信号 f rfに対しては短絡、 局部発振信 号 f loに対しては開放として機能する。 局部発振信号と高周波信号はお互いにァ イソレーシヨンが取れる。 また、 局部発振信号の偶高調波信号は、 アンチパラレ ルダイォードペア 5内でキヤンセルされるために、 どこからも出力されなレ、。 尚、 上記構成を有するダウンコンバータ用偶高調波ミキサは、 中間周波信号を 中間周波信号端子 3に入力し、 局部発振信号を局部発振信号端子 2に入力して、 高周波信号を高周波信号端子 1から出力するアップコンバータ用ミキサとして機 能させることもできる。
しかしながら、 上記従来の偶高調波ミキサにおいては、 以下のような問題があ る。 すなわち、 高周波信号端子 1に入力される高周波信号を通過させる帯域通過 フィルタを別途接続する必要があり、 その部品と実装工程との費用が高くなる。 また、 ミリ波帯等周波数が非常に高い場合には、 偶高調波ミキサと帯域通過フィ ルタとの接続点での損失が顕著になって特性が劣化するのである。
一方、 上記部品と実装費用との低減と、 偶高調波ミキサと帯域通過フィルタと の接続点における損失の低減を目的として、 偶高調波ミキサと帯域通過フィルタ とを同一半導体チップ上に形成して集積化することも考えられる。 ところが、 そ の場合には、 上記偶高調波ミキサと帯域通過フィルタとを別々設計して、 単純に 半導体チップ上に並べて適当な長さの伝送線路で接続して集積化するだけでは、 偶高調波ミキサの先端開放スタブ 1 0,先端短絡スタブ 1 1およびフィルタ 6, 7 等の受動回路が大部分の面積を占めてしまう。 そのため、 半導体チップの面積が 大きくなって半導体チップの単価が高くなるという問題がある。 発明の開示
そこで、 この発明の目的は、 偶高調波ミキサとフィルタとの間の接続部の構成 を簡素化すると共に回路の小型化を可能にし、 半導体チップのコストを下げるこ とができるフィルター体型偶高調波ミキサ、 および、 それを用いた高周波無線通 信装置を提供することにある。
上記目的を達成するため、 第 1の発明は、 偶高調波ミキサと高周波帯域通過フ ィルタとが伝送線路で接続されたフィルター体型偶高調波ミキサであって、 上記 偶高調波ミキサと伝送線路との接続点から見た上記伝送線路側のィンピーダンス 力 上記偶高調波ミキサに入力される局部発振信号の周波数に対して略短絡とな るように、 上記伝送線路の長さが設定されていることを特徴としている。
上記構成によれば、 偶高調波ミキサと伝送線路との接続点から見た上記伝送線 路側のィンピーダンスが局部発振信号の周波数に対して略短絡となっている。 し たがって、 上記局部発振信号の周波数に対して等価的な接地を与えるための先端 開放スタブを省略することが可能になる。 その結果、 従来のように、 偶高調波ミ キサに別途高周波帯域通過フィルタを接続する場合に比較して、 占有面積が少な くなリ、 チップ化した場合の面積およびコストの低下が図られる。
また、 1実施例では、 上記第 1の発明のフィルター体型偶高調波ミキサにおい て、 上記伝送線路と高周波帯域通過フィルタとを一体とした回路における上記局 部発信号の周波数での透過損は 2 O dB以上であり、 反射損は略 O dBであり、 反 射位相角は略一 1 8 0 °である。
この実施例によれば、 上記伝送線路と高周波帯域通過フィルタとを一体とした 回路の上記局部発信号の周波数に対する反射係数がー 1であり、 等価的に接地に 等しいと見なすことができる。
また、 1実施例では、 上記第 1の発明のフィルタ一体型偶高調波ミキサにおい て、 上記偶高調波ミキサは、 少なくともアンチパラレルダイオードと先端短絡ス タプを含んで構成されている。
この実施例によれば、 上記偶高調波ミキサには先端開放スタブが含まれておら ず、 上記偶高調波ミキサ、 延いては本フィルター体型偶高調波ミキサの占有面積 が少なくなリ、 回路規模が小さくなる。
また、 1実施例では、 上記第 1の発明のフィノレター体型偶高調波ミキサは、 半 導体基板上に形成されている。
この実施例によれば、 上記偶高調波ミキサと高周波帯域通過フィルタと伝送線 路がーつの半導体基板上に一体化して構成されている。 したがって、 ミリ波帯等 の周波数が非常に高い場合であっても、 上記高周波帯域通過フィルタと偶高調波 ミキサとの接続部における信号の損失が極力少なくなる。 さらに、 上述したよう な先端開放スタブを含まない回路構成とすることと併せて、 回路全体が小さくな るため、 半導体チップ一個当りの費用が低減される。
また、 1実施例では、 上記第 1の発明のフィルター体型偶高調波ミキサにおい て、 上記高周波帯域通過フィルタは、 マイクロストリップ線路共振器を有してい る。
この実施例によれば、 フィルタの通過帯域内の周波数を有する信号に対してマ イクロストリップ線路共振器のィンピーダンスが非常に大きくなる。 したがって、 上記信号は上記高周波帯域通過フィルタ内の容量を通過することができる。 これ に対して、 フィルタの通過帯域から大きく離れた周波数を有する信号に対して上 記マイクロストリップ線路共振器のィンピーダンスが小さくなり、 上記信号は上 記容量を通過できずに反射される。
また、 1実施例では、 上記第 1の発明のフィルター体型偶高調波ミキサにおい て、 上記高周波帯域通過フィルタはマイクロストリップ線路で構成された入力回 路と出力回路を有しており、 上記入力回路と出力回路とは、 容量結合および磁気 結合のうちの少なくとも一方によって結合されている。
この実施例によれば、 フィルタの通過帯域のすぐ近傍に大きな減衰極を形成し て、 急峻なフィルタ特性を得ることが可能になる。
また、 第 2の発明の高周波無線通信装置は、 上記第 1の発明のフィルタ一体型 偶高調波ミキサを用いたことを特徴としている。
上記構成によれば、 上記高周波帯域通過フィルタと一体化された偶高調波ミキ サを用いているので、 所望の送信電力を出力するための増幅器の利得が小さくな る。 そのために、 低コスト化および低消費電力化が可能になる。 図面の簡単な説明
図 1は、 この発明のフィルター体型偶高調波ミキサにおける構成を示す図であ る。
図 2は、 図 1に示すフィルター体型偶高調波ミキサを砒化ガリゥム基板上に形 成した具体的構成を示す図である。
図 3は、 図 2における接続点 Xから伝送線路および高周波帯域通過フィルタ側 を見た場合における反射損/透過損および反射位相角示す図である。
図 4は、 図 2における高周波帯域通過フィルタの拡大図である。
図 5は、 図 4に示す高周波帯域通過フィルタを略等価な集中定数で表した回路 図である。
図 6は、 図 2におけるアンチパラレルダイォードペアの縦断面図である。
図 7は、 図 1とは異なるフィルタ一体型偶高調波ミキサの構成を示す図である。 図 8は、 この発明の高周波無線通信装置におけるプロック図である。
図 9は、 従来の偶高調波ミキサの構成図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
•第 1実施の形態
図 1は、 本実施の形態のフィルタ一体型偶高調波ミキサにおける構成を示す図 である。 尚、 ここでは、 中間周波信号 (周波数 f IF)と局部発振信号 (周波数 ί ω) とを入力して、 周波数 f の 2倍と周波数 f IFとを混合した周波数の高周波信号 (周波数 f を出力するァップコンバータ用偶高調波ミキサである場合を例に説 明する。 すなわち、 周波数 f と周波数 f IFと周波数 f L0との間には、 以下の関係 があるのである。 ί RF= 2 X f L0+ f IF
本フイノレタ一体型偶高調波ミキサは、 偶高調波ミキサ 2 1 ,伝送線路 2 2およ び高周波帯域通過フィルタ 2 3で構成され、 偶高調波ミキサ 2 1と高周波帯域通 過フィルタ 2 3との一端が、 伝送線路 2 2を介して接続されている。 また、 偶高 調波ミキサ 2 1と伝送線路 2 2との接続点 2 4力 ら、 伝送線路 2 2側を見たィン ピーダンスが局部発振信号の周波数 f L。に対して略 0になるように伝送線路 2 2 の長さが設定されている。
上記偶高調波ミキサ 2 1は、 2つのダイォードを夫々の極性を逆にして並列接 続して成るァンチパラレルダイォードペア 2 5と、 先端短絡スタブ 2 6と、 中間 周波信号用伝送線路 2 7と、 局部発振信号用伝送線路 2 8と、 キャパシタ 2 9で 構成される。
上記ァンチパラレルダイォードペア 2 5と伝送線路 2 2との接続点 2 4に中間 周波信号用伝送線路 2 7の一端が接続されている。 また、 中間周波信号用伝送線 路 2 7の他端 3 0にはキャパシタ 2 9の一端が接続されると共に、 キャパシタ 2 9の他端は接地されている。 そして、 中間周波信号用伝送線路 2 7
2 9との接続点 3 0は中間周波信号用端子 3 1となっている。 さらに、 ラレルダイォードペア 2 5の他端には先端短絡スタブ 2 6が接続されている。 ま た、 ァンチパラレルダイォードペア 2 5と先端短絡スタブ 2 6との接続点 3 2に は局部発振信号用伝送線路 2 8の一端が接続され、 局部発振信号用伝送線路 2 8 の他端が局部発振信号用端子 3 3となっている。 この先端短絡スタブ 2 6は、 周 波数 f L。に対して 1 / 4波長になるように長さが設定されている。
上記構成のフィルター体型偶高調波ミキサは、 以下のように動作する。 すなわ ち、 上記局部発振信号用端子 3 3から入力された周波数 。の局部発振信号は、 局部発振信号用伝送線路 2 8を通過してァンチパラレルダイォードペア 2 5に入 力される。 一方、 先端短絡スタブ 2 6は周波数 。に対して 1 / 4波長になるよ うに長さが設定されているため、 周波数 ί に対しては開放と等価になり、 何も 接続していないのに等しい。
また、 上記偶高調波ミキサ 2 1と伝送線路 2 2との接続点 2 4から伝送線路 2 2側を見たィンピーダンスは周波数 f L。に対して略 0であるので、 接続点 2 4は 周波数 。に対して略接地の条件に等しい。 したがって、 上記入力された局部発 振信号の電圧は、 総てアンチパラレルダイオードペア 2 5に掛ることになる。 そ して、 局部発振信号用端子 3 3から入力された局部発振信号と中間周波信号用端 子 3 1から入力された周波数 f IFの中間周波信号とがアンチパラレルダイォード ペア 2 5内で混合されて、 様々な周波数成分を有する信号が発生する。 そして、 これらの信号のうち、 f RP= 2 X f L0+ f IPの周波数成分の信号のみが帯域通過フ ィルタ 2 3を通過し、 他の周波数成分を持つ信号は帯域通過フィルタ 2 3を通過 することができずに反射される。 その結果、 f = 2 X f L0+ f IFの周波数の信号 のみが、 高周波信号用端子 3 4から出力される。 また、 中間周波信号用伝送線路 2 7は周波数 f RFに対して 1 / 4波長に設定されているので、 周波数 に対して は開放と等価となって何も接続されていないとに等しく、 周波数 f の信号は中 間周波信号用端子 3 1からは出力されない。
さらに、 上記周波数 i IFが周波数 と比較して小さい場合には、 上記周波数 f RFは、
1 RF~ 2 X u)
となるため、 先端短絡スタブ 2 6は周波数 に対して略 1 / 2波長となり、 接 続点 3 2は周波数 f に対して接地と略等価になる。 したがって、 周波数土 の 信号は局部発振信号用端子 3 3からも出力されないのである。
図 2は、 図 1に示す構成を有するフィルター体型偶高調波ミキサを、 厚さ 7 0 /z mの砒ィ匕ガリウム基板上に形成した具体例である。 但し、 図 2 Aは平面図であ り、 図 2 Bは図 2 Aにおける A - A'矢視断面図である。 尚、 この場合は、 周波 数 i L。として 2 9. 5 GHz, 周波数 ί IFとして 1 GHz~ 3 G Hz、 周波数 とし て 6 O G Hz~ 6 2 GHzを想定している。 尚、 基板のサイズは略 0 . 7瞧 X 1 . O mmでめる。
図 2において、 4 1は上記アンチパラレルダイォードペア、 4 2は先端短絡ス タブ、 4 3は中間周波信号用伝送線路、 4 4は局部発振信号用伝送線路、 4 5は M I M (金属 -絶縁物 -金属)キャパシタであって、 偶高調波ミキサを構成してい る。 さらに、 この偶高調波ミキサと、 伝送線路 4 6と、 高周波帯域通過フィルタ 4 7とで、 フィルター体型偶高調波ミキサが構成されている。 ここで、 先端短絡 スタブ 4 2 ,伝送線路 46およぴ局部発振信号用伝送線路 44は、 特性ィンピー ダンスが略 5 0 Ωとなるように線路幅を 5 5ミクロンに形成している。 また、 中 間周波信号用伝送線路 4 3は、 特性ィンピーダンスが略 70 Ωとなるように線路 幅を 2 5ミクロンに形成している。 これらの線路は、 全体の大きさを小さくする ために適宜折り曲げて形成している。
また、 50は中間周波信号用端子であり、 5 1は局部発振信号用端子であり、 5 2は高周波信号用端子であり、 5 3は砒ィ匕ガリウム基板であり、 54は接地金 属である。
また、 上記先端短絡スタブ 4 2は、 スルーホール 48およびパッド 4 9の長さ も含めて周波数 fw(2 9. 5 GHz)に対して 1/4波長になるように、 その長さ が設定されている。 また、 ]^1]^キャパシタ45は、 中間周波信号に対しては高 インピーダンスとなる一方、 高周波信号に対しては低ィンピーダンスとなるよう に、 0. 4pFに設定されている。
上記伝送線路 46 (X〜Yの間)の実効長は 450 μηιに設定している。 尚、 実 効長とは、 折り曲げた茅泉路に沿った長さと定義している。 つまり、 実効長 4 50 μιηの伝送線路とは、 長さが 45 0 / mの直線状の線路 (途中で折り曲げていない 線路)と等価の電気長を有する伝送線路である。
接続点 Xから図中右側 (伝送線路 46および高周波帯域通過フィルタ 47側)を 見た反射損/透過損は図 3 Aに示すようになり、 反射位相角は図 3 Bに示すよう になる。 すなわち、 周波数 ίκρ(6 OGHz〜6 201^)での透過損が2 8程度 であり、 周波数 JF RFの信号は殆ど通過する。 これに対して、 周波数 f w(29. 5 GHz)での透過損は 20 dB程度、 反射損は 0 dBであり、 反射位相角は一 1 8 0。となる特性を示している。 これは、 周波数 ίωの時の反射係数が略一 1であ ることを意味しており、 等価的に接地に等しいと見なすことができる。
以上の結果、 従来のような周波数 ί ωに対して等価的な接地を与えるための先 端開放スタブが存在しなくても、 局部発振信号の電圧は総てアンチパラレルダイ オードペア 4 1に掛ることになる。 このように、 図 2における先端短絡スタブ 4 2 (線路長約 1瞧)の長さと略同じ長さである上記先端開放スタプを省略できるこ とにより、 図 2より明らかなように、 非常にコンパクトなフィルター体型偶高調 波ミキサの回路レイアウトが可能になり、 チップサイズを縮小することができる のである。
上記高周波帯域通過フィルタ 23, 47における本来の目的は、 周波数 f 6 0GHz〜62GHz)の信号を通過させ、 その近傍周波数成分の不要な信号、 特 に周波数 2 X f ω ( 59 G Hz)の周波数成分と周波数 2 X f ω ( 59 G Hz)—周波 数 f IP(lGHz~3GHz) (=56GHz〜58 GHz)との周波数成分を持つ信号 を大きく減衰させることである。 しかしながら、 発明者らは、 高周波帯域通過フ ィルタ 23, 47の上述のような周波数 fL。( 29. 5 GHz)における透過損は 2 0 dB程度、 反射損は 0 dBであり、 反射位相角は一 180 °となる特性を利用し て、 偶高調波ミキサを設計する上で必要となる回路の一部を高周波帯域通過フィ ルタ 23, 47担わせることを考え、 本発明に至ったのである。
次に、 上記高周波帯域通過フィルタ 47について、 図 4に従って詳細に説明す る。 高周波帯域通過フィルタ 47は伝送線路 121〜伝送線路 124によって概 略構成されている。 そして、 伝送線路 121, 122は入力回路あるいは出力回 路を構成し、 それらの先端 125, 126は入力端子あるいは出力端子として機 能する。 また、 伝送線路 123, 124は、 通過信号の中心周波数での波長えに 対して約 1 / 2 λの長さを有しており、 マイクロストリップ線路共振器としての 開放線路共振器を構成している。
上記伝送線路 121の一部と伝送線路 123の一部とは並行に配置されて、 容 量結合している。 同様に、 伝送線路 122の一部と伝送線路 124の一部とは平 行に配置されて容量結合している。 また、 伝送線路 123の一部と伝送,線路 12 4の一部とは平行に配置 (楕円 128の部分)されて容量結合している。 さらに、 伝送線路 121の一部と伝送線路 122の一部とは並行に配置 (楕円 127の部 分)されて、 容量結合およぴ磁気結合している。
上記構成をより解り易くするために、 図 5に、 図 4に示す高周波帯域通過フィ ルタ 47を略等価な集中定数て表した回路図を示す。 共振器 129および共振器 130は、 図 4における伝送線路 123および伝送線路 12 に一致する。 また、 容量 131は、 図 4における伝送線路 121と伝送線路 123との容量結合を表 している。 また、 容量 132は、 伝送線路 122と伝送線路 124との容量結合 を表している。 さらに、 容量 1 3 3は、 図 4における伝送線路 1 2 3と伝送線路 1 2 4との容量結合 1 2 8を表している。 また、 楕円 1 3 4で示す結合は、 図 4 における楕円 1 2 7で示す容量結合および磁気結合を表している。
次に、 図 5に従って、 上記高周波帯域通過フィルタ 4 7の動作について説明す る。 フィルタの通過帯域内の周波数を有する信号に対しては、 共振器 1 2 9 , 1 3 0のインピーダンスが非常に大きくなる。 したがって、 入力端子 1 3 5あるい は入力端子 1 3 6から入力された信号は容量 1 3 1, 1 3 2, 1 3 3を通過するこ とができる。 これに対して、 フィルタの通過帯域から大きく離れた周波数を有す る信号に対しては、 共振器 1 2 9 , 1 3 0のインピーダンスが小さくなる。 した がって、 上記信号は容量 1 3 3を通過できずに反射される。 一方、 フィルタの通 過帯域から僅かに離れた周波数を有する信号の場合には、 容量 1 3 1, 1 3 2 , 1 3 3を通過する信号の位相と結合 1 3 4を通過する信号の位相とが逆になつて互 いに打ち消し合うことになる。 すなわち、 フィルタの通過帯域のすぐ近傍に大き な減衰極が形成されることになり、 急峻なフィルタ特性を得ることができるので ある。
したがって、 本実施の形態に、 上記高周波帯域通過フィルタ 4 7を用いること によって、 より小型で優れた特性を有するフィルター体型偶高調波ミキサを実現 することができるのである。
尚、 上記高周波帯域通過フィルタ 4 7においては、 図 4における結合 1 2 7を、 図 5に示す結合 1 3 4のごとく容量結合と磁気結合とで構成することによって、 通過帯域のすぐ近傍で急峻な減衰特性を実現するようにしている。 しかしながら、 容量結合およぴ磁気結合の何れか一方のみで構成した場合であっても、 上記両結 合で構成した場合よりも減衰特性は劣るものの、 本実施の形態としての効果を十 分に得ることはできる。
上記高周波帯域通過フィルタ 2 3, 4 7は、 図 2に示すものに限定されるもの ではなく、 周波数 ί RPの信号を通過させ、 その近傍周波数帯域の不要な信号を大 きく減衰させるという本来の目的を達成する特性を有し、 且つ、 周波数 。の信 号に対しては、 透過損が大きくて反射損が小さい特性を有するものであれば、 他 の形状や構造であってもよい。 周波数 。に対する透過損が大きいほど本 明の 効果があるが、 その目安としては 2 OdB以上であればよレ、。 但し、 本発明にお ける伝送線路の最適長はフィルタの構造に依存するため、 別の構造の高周波帯域 通過フィルタを用いる場合は、 接続点 Xから上記図中右側を見たインピーダンス が周波数 f L。の場合に 0になるように伝送線路の長さを設定する必要がある。 尚、 図 2においては、 マイクロストリップ線路を用いた場合を例に示したが、 コプレーナ泉路ゃグランドコプレーナ線路を用いてもよい。 また、 中間周波信号 を高周波信号に変換するアップコンバータとしての機能を説明したが、 高周波信 号を中間周波信号に変換するダウンコンバータとしても用いることができる。 上記ァンチパラレルダイォードペア 4 1の縦断面を図 6に示す。 ァンチパラレ ルダイォードペア 4 1は、 逆極性の 2個のダイオード 6 1 , 6 2を並列接続する ことによって構成されている。 そして、 両方のダイオード(図 6においてはダイ オード 6 1で代表している)は以下のような構成を有している。 すなわち、 半絶 縁性砒化ガリゥム基板 6 3上に、 キヤリァ濃度が 5. 0 X 1 018cm—3で厚さが 50 Onmの n+GaAs層 64、 キャリア濃度が 3. 0 X 1 018cnf3で厚さが 2 Ontnの n+ GaI nP)i6 5, キャリア濃度が 3. 0 X 1 016ctrf3で厚さが 70 Onmの TGaAs 層 6 6が、 順次ェピタキシャル成長されている。 さらに、 n+GaAs層 64上に は、 AuGe/Ni/Auで成るォーミック電極 6 7及び配線金属 6 8が形成されてい る。 また、 n— GaAs層 6 6上には、 Ti/Pt/Auで成るショットキー電極 6 9お ょぴ配 #泉金属 70が形成されている。 以上のような本実施の形態におけるダイォ 一ドのショットキ一電極の面積は、 6 mX 7 μπιである。 尚、 7 1は接地金属 である。
以上のように、 本実施の形態においては、 偶高調波ミキサ 2 1と高周波帯域通 過フィルタ 2 3, 47との一端を伝送線路 2 2, 46を介して接続して、 フィルタ 一体型偶高調波ミキサを構成している。 また、 偶高調波ミキサ 2 1を、 2つのダ ィォードを夫々の極性を逆にして並列接続して成るァンチパラレルダイォードぺ ァ 2 5, 4 1と、 このアンチパラレルダイォードペア 25, 4 1の一端に接続され た中間周波信号用伝送線路 2 7, 4 3と、 アンチパラレルダイォードペア 2 5, 4 1の他端に接続された先端短絡スタブ 26, 4 2と、 アンチパラレルダイォード ペア 25, 4 1と先端短絡スタブ 2 6, 4 2との接続点 3 2に接続された局部発振 信号用伝送線路 2 8 , 4 4で構成している。
その際に、 上記高周波帯域通過フィルタ 2 3 , 4 7は、 伝送線路 2 2, 4 6の実 効長を適当に設定することによって、 周波数 f ppの信号を通過させる一方、 その 近傍周波数成分の不要な信号を大きく減衰させる特性に加えて、 周波数 ί ωにお ける透過損は 2 0 dB程度、 反射損は 0 dBであり、 反射位相角は _ 1 8 0 °とな る特性を有している。 したがって、 偶高調波ミキサ 2 1と伝送線路 2 2 , 4 6と の接続点 2 4, Xから伝送線路 2 2 , 4 6側を見たインピーダンスが、 局部発振信 号の周波数 。に対して略 0になっている。 つまり、 接続点 2 4, Xは、 周波数 f L。に対して略接地の条件に等しいのである。
そのために、 上記局部発振信号用端子 3 3, 5 1から局部発振信号用伝送線路
2 8 , 4 4に入力された周波数 f ωの局部発振信号の電圧は、 総てアンチパラレ ルダイォードペア 2 5, 4 1に掛ることになる。 そして、 中間周波信号用端子 3 1 , 5 0から中間周波信号用伝送線路 2 7 , 4 3に入力された周波数 f IFの中間周 波信号と、 ァンチパラレルダイォードペア 2 5 , 4 1内で混合され、 f RF= 2 X f L0+ f IFの周波数成分の信号のみが高周波帯域通過フィルタ 2 3, 4 7を通過し て高周波信号用端子 3 4 , 5 2から出力されるのである。
すなわち、 本実施の形態によれば、 従来の偶高調波ミキサに設けられている周 波数 f L。に対して等価的な接地を与えるための線路長が約 1 mmの先端開放スタブ を削除することができる。 こうして、 偶高調波ミキサと高周波帯域通過フィルタ との間の接続部を簡素化し、 図 2に示すように、 フィルタ一体型偶高調波ミキサ の回路レイァゥトを非常にコンパクトにすることができる。 したがって、 チップ サイズを縮小することができるのである。
また、 本実施の形態のごとく、 上記偶高調波ミキサ 2 1と高周波帯域通過フィ ルタ 2 3, 4 7と伝送線路 2 2 , 4 6とが一つの砒化ガリゥム基板 5 3上に一体ィ匕 して構成されている。 したがって、 ミリ波帯等の周波数が非常に高い場合であつ ても、 高周波帯域通過フィノレタ 2 3 , 4 7と偶高調波ミキサ 2 1との接続部にお ける信号の損失を極力少なくできるのである。
■第 2実施の形態
図 7は、 本実施の形態のフィルター体型偶高調波ミキサにおける構成を示す図 である。 本フィルター体型偶高調波ミキサは、 上記第 1実施の形態に示すフィル ター体型偶高調波ミキサと本質的には同じである。 すなわち、 偶高調波ミキサ 8 1 ,伝送線路 8 2 ,高周波帯域通過フィルタ 8 3 ,ァンチパラレルダイォードペア
8 4 ,先端短絡スタブ 8 5 ,中間周波信号用伝送線路 8 6 ,局部発振信号用伝送;線 路 8 7 ,キャパシタ 8 8 ,中間周波信号用端子 8 9 ,局部発振信号用端子 9 0およ ぴ高周波信号用端子 9 1は、 上記第 1実施の形態において図 1に示す偶高調波ミ キサ 2 1,伝送線路 2 2 ,高周波帯域通過フィルタ 2 3 ,ァンチパラレルダイォー ドペア 2 5 ,先端短絡スタブ 2 6 ,中間周波信号用伝送線路 2 7,局部発振信号用 伝送線路 2 8 ,キャパシタ 2 9,中間周波信号用端子 3 1 ,局部発振信号用端子 3 3および高周波信号用端子 3 4と同じである。
本実施の形態においては、 上記偶高調波ミキサ 8 1と伝送線路 8 2との接続点
9 2で、 周波数 f の信号に対して偶高調波ミキサ 8 1と伝送線路 8 2との整合 をとるために、 アンチパラレルダイオードペア 8 4の一端と接続点 9 2との間に 伝送線路 9 3を追加し、 ァンチパラレルダイォードペア 8 4の他端と先端短絡ス タブ 8 5と局部発振信号用伝送線路 8 7との接続点 9 4との間に伝送線路 9 5を 追加し、 接続点 9 2に先端開放スタブ 9 6を追カ卩した点が異なる。 尚、 上記伝送 線路 9 3 , 9 5と先端開放スタブ 9 6とは、 通常周波数 ί に対して、 0. 0 5波 長〜 0. 1 0波長程度の短い長さのもので実現できる。 したがって、 フィルター 体型偶高調波ミキサの回路レイアウトゃチップサイズの拡大が最小限に抑えられ る。
'第 3実施の形態
本実施の形態は、 上記第 1,第 2実施の形態におけるフィルター体型偶高調波 ミキサを送信機と受信機とに用いた高周波無線通信装置に関する。 図 8は、 本高 周波無線通信装置におけるブロック図である。 図 8において、 送信機 1 0 1は、 変調信号源 1 0 3,フィ/レタ一体型偶高調波ミキサ 1 0 4,パワーアンプ 1 0 5 , アンテナ 1 0 6および局部発振信号源 1 0 7で構成されている。 尚、 フィルター 体型偶高調波ミキサ 1 0 4は、 ァップコンバータとしての偶高調波ミキサ 1 0 8 と伝送線路 1 0 9と高周波帯域通過フィ /レタ 1 1 0で構成されている。 また、 受 0 2は、 チューナ 1 1 1,フィルター体型偶高調波ミキサ 1 1 2 ,ローノィ L 3,アンテナ 1 1 4及び局部発振信号源 1 1 5で構成されている。 尚、 フィルタ一体型偶高調波ミキサ 1 1 2は、 ダウンコンバータとしての偶高調 波ミキサ 1 1 6と伝送線路 1 1 7と高周波帯域通過フィルタ 1 1 8で構成されて いる。 ここで、 変調信号源 1 0 3は、 映像やデータを出力するものであり、 例え ば、 放送衛星や通信衛星の中間周波数信号を示す。
上記構成を有する高周波無線通信装置は、 以下のように動作する。 すなわち、 送信機 1 0 1の変調信号源 1 0 3で生成される中間周波信号は 1 GHzから 3 G Hzの間を占めており、 フィルター体型偶高調波ミキサ 1 0 4の中間周波信号用 端子(3 1 , 5 0 , 8 9に相当)に入力される。 一方、 局部発振信号源 1 0 7で生成 される局部発振信号は周波数 2 9 . 5 GHzの正弦波であり、 フィルター体型偶高 調波ミキサ 1 0 4の局部発振信号用端子(3 3, 5 1, 9 0に相当)に入力される。 そして、 上記中間周波信号と局部発振信号とはフィルター体型偶高調波ミキサ 1 0 4内で混合される。 こうして、 フイノレター体型偶高調波ミキサ 1 0 4において 発生する信号のうち周波数 6 0 GHzから 6 3 GHzの間の高周波信号のみが出力 され、 パワーアンプ 1 0 5で増幅され、 アンテナ 1 0 6から高周波電波 1 1 9と して放射される。
上記放射された高周波電波 1 1 9は、 上記受信機 1 0 2のアンテナ 1 1 4で受 信されて受信機 1 0 2の高周波信号となり、 ローノイズアンプ 1 1 3で増幅され る。 さらにフィノレター体型偶高調波ミキサ 1 1 2の高周波信号用端子(3 4 , 5 2 , 9 1に相当)に入力される。 一方、 局部発振信号源 1 1 5で生成された周波数 2
9 . 5 G Hzの正弦波の信号は、 フィルター体型偶高調波ミキサ 1 1 2の局部発振 信号用端子に入力される。 そして、 高周波信号は、 フィルター体型偶高調波ミキ サ 1 1 2の内部で局部発振信号と混合され、 再び周波数 1 G Hzから 3 GHzの間 の中間周波信号に変換される。 こうして得られた中間周波信号はチューナ 1 1 1 に入力されて、 所望の情報に変換される。
上述したように、 上記フィルタ一体型偶高調波ミキサ 1 0 4およぴフィルター 体型偶高調波ミキサ 1 1 2は、 上記第 1,第 2実施の形態における偶高調波ミキ サを用いており、 フイノレタ一体型偶高調波ミキサ 1 0 4とフィルタ一体型偶高調 波ミキサ 1 1 2として全く同じ構成のものを使用することが可能である。 また、 パワーアンプ 1 0 5とローノイズアンプ 1 1 3、 アンテナ 1 0 6とアンテナ 1 1 4、 局部発振信号源 1 0 7と局部発振信号源 1 1 5は、 夫々同じ構成のものを用 いてもよい。
上記送信機 1 0 1を構成するフィルター体型偶高調波ミキサ 1 0 4,パワーァ ンプ 1 0 5および局部発振信号源 1 0 7は、 それらの総てまたは一部分を、 一つ の半導体チップ上に集積してもよい。 特に、 フィルタ一体型偶高調波ミキサ 1 0 4およびパワーアンプ 1 0 5を集積化した場合には、 それらの接続部における損 失が著しく低減でき、 所定の送信電力を出力するために必要なパヮーァンプの利 得が小さくなる。 その結果、 送信機の小型および低消費電力化が可能になる。 同 様に、 受信機 1 0 2を構成するフィルタ一体型偶高調波ミキサ 1 1 2 ,ローノィ ズアンプ 1 1 3および局部発振信号源 1 1 5の総てあるいは一部分を、 一つの半 導体チップ上に集積してもよい。

Claims

請 求 の 範 囲
1. 偶高調波ミキサ(21, 81)と高周波帯域通過フィルタ(23, 47, 83) とが伝送線路(22, 46, 82)で接続されたフィルタ一体型偶高調波ミキサであ つて、
上記偶高調波ミキサ(21, 81)と伝送線路(22, 46, 82)との接続点、(24, X, 92)から見た上記伝送線路(22, 46, 82 )側のインピーダンスが、 上記偶 高調波ミキサ(21, 81)に入力される局部発振信号の周波数(ίω)に対して略 短絡となるように、 上記伝送線路(22, 46, 82)の長さが設定されていること を特徴とするフィルタ一体型偶高調波ミキサ。
2. 請求項 1に記載のフィルター体型偶高調波ミキサにおいて、
上記伝送線路(22, 46, 82)と高周波帯域通過フィルタ(23, 47, 83)と を一体とした回路における上記局部発信号の周波数(ίω)での透過損は 2 OdB 以上であり、 反射損は略 OdBであり、 反射位相角は略一 180°であることを特 徴とするフィノレター体型偶高調波ミキサ。
3. 請求項 1に記載のフィルター体型偶高調波ミキサにおいて、
上記偶高調波ミキサ( 21 , 81 )は、 少なくともアンチパラレルダイオード( 2 5, 41, 84)と先端短絡スタブ(26, 42, 85 )を含んで構成されていること を特徴とするフィルタ一体型偶高調波ミキサ。
4. 請求項 3に記載のフィルター体型偶高調波ミキサにおいて、
半導体基板上(53)に形成されていることを特徴とするフィルタ一体型偶高調 波ミキサ。
5. 請求項 1に記載のフィルター体型偶高調波ミキサにおいて、
上記高周波帯域通過フィルタ(47)は、 マイクロストリップ線路共振器(12 3, 124)を有していることを特徴とするフィルタ一体型偶高調波ミキサ。
6 . 請求項 1に記載のフィルター体型偶高調波ミキサにおいて、
上記高周波帯域通過フィルタ(4 7 )は、 マイクロストリップ線路で構成された 入力回路と出力回路を有しており、
上記入力回路と出力回路とは、 容量結合および磁気結合のうちの少なくとも一 方によつて結合されていることを特徴とするフィルター体型偶高調波ミキサ。
7. 請求項 1に記載のフィルター体型偶高調波ミキサを用いたことを特徴とす る高周波無/線通信装置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006060533A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Mitsubishi Electric Corp ダイオードミキサ
JP2006128912A (ja) * 2004-10-27 2006-05-18 Ntt Docomo Inc 共振器及び可変共振器
EP1583226A3 (en) * 2004-03-31 2006-05-24 Eudyna Devices Inc. Radio communication device
JP2007150935A (ja) * 2005-11-30 2007-06-14 Sharp Corp リミッタ付ミキサ、周波数変換装置、通信装置、及びマルチチップモジュール
JP2007266948A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Mitsubishi Electric Corp 偶高調波ミクサおよびそのバンドパスフィルタ
CN113098401A (zh) * 2021-04-14 2021-07-09 中国电子科技集团公司第三十八研究所 一种太赫兹d波段四次谐波混频器

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005043744A1 (ja) * 2003-10-30 2005-05-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha パルス変調回路
JP4421350B2 (ja) * 2004-03-31 2010-02-24 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 ハーモニックミキサ及びこれを備えた無線装置
EP2016644B1 (en) * 2006-04-25 2011-08-17 ThruVision Systems Limited Feedhorn assembly and method of fabrication thereof
US7873329B2 (en) * 2006-04-25 2011-01-18 ThruVision Systems Limited Transceiver having mixer/filter within receiving/transmitting cavity
DE102010041372A1 (de) * 2010-09-24 2012-03-29 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren und Vorrichtung zur Verarbeitung von Signalen
US8829973B2 (en) * 2010-10-04 2014-09-09 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Switch mode circulator isolated RF mixer
WO2014153146A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-25 Angell C Austen Inorganic plastic crystal electrolytes
US10581132B2 (en) 2017-05-11 2020-03-03 Eagantu Ltd. Tuneable band pass filter
WO2018208368A1 (en) * 2017-05-11 2018-11-15 Eagantu Ltd. Compact band pass filter
CN110417354B (zh) * 2019-07-02 2022-09-27 南京理工大学 基于谐波混频结构的Ku/Ka双频段混频器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0257005A (ja) * 1988-08-23 1990-02-26 Mitsubishi Electric Corp ハーモニックミキサー回路
JPH02182005A (ja) * 1989-01-06 1990-07-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd シングル.ミキサ
JPH03154506A (ja) * 1989-11-13 1991-07-02 Mitsubishi Electric Corp Mic形周波数変換器
JPH04306010A (ja) * 1991-04-02 1992-10-28 Toshiba Corp 周波数変換器
JPH09260955A (ja) * 1996-03-19 1997-10-03 Fujitsu General Ltd ダイプレクサ
JPH11298255A (ja) * 1998-04-09 1999-10-29 Nec Corp ハーモニックミキサ回路

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2795972B2 (ja) 1990-07-18 1998-09-10 三菱電機株式会社 偶高調波ミクサ
US5446923A (en) * 1994-03-03 1995-08-29 B.E.L.-Tronics Limited Mixer using fundamental frequency or second or third harmonic frequencies of a local oscillator for maximized resultant frequency mixer product
JPH0969731A (ja) 1995-08-31 1997-03-11 Mitsubishi Electric Corp 周波数変換回路
JP3893245B2 (ja) * 1999-02-24 2007-03-14 三菱電機株式会社 無線端末装置
JP3504179B2 (ja) * 1999-03-09 2004-03-08 株式会社東芝 周波数変換回路
US6901249B1 (en) * 1999-06-02 2005-05-31 Northrop Grumman Corporation Complementary bipolar harmonic mixer
JP3577262B2 (ja) * 2000-07-07 2004-10-13 シャープ株式会社 フィルタ回路およびそれを用いた高周波通信回路装置
US6879192B2 (en) * 2001-10-18 2005-04-12 L-3 Communications Corporation Even harmonic mixer with high-input, third-order intercept point

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0257005A (ja) * 1988-08-23 1990-02-26 Mitsubishi Electric Corp ハーモニックミキサー回路
JPH02182005A (ja) * 1989-01-06 1990-07-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd シングル.ミキサ
JPH03154506A (ja) * 1989-11-13 1991-07-02 Mitsubishi Electric Corp Mic形周波数変換器
JPH04306010A (ja) * 1991-04-02 1992-10-28 Toshiba Corp 周波数変換器
JPH09260955A (ja) * 1996-03-19 1997-10-03 Fujitsu General Ltd ダイプレクサ
JPH11298255A (ja) * 1998-04-09 1999-10-29 Nec Corp ハーモニックミキサ回路

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1583226A3 (en) * 2004-03-31 2006-05-24 Eudyna Devices Inc. Radio communication device
US7738844B2 (en) 2004-03-31 2010-06-15 Eudyna Devices Inc. Radio communication device
JP4527469B2 (ja) * 2004-08-20 2010-08-18 三菱電機株式会社 ダイオードミキサ
JP2006060533A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Mitsubishi Electric Corp ダイオードミキサ
JP2006128912A (ja) * 2004-10-27 2006-05-18 Ntt Docomo Inc 共振器及び可変共振器
JP4638711B2 (ja) * 2004-10-27 2011-02-23 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ 共振器
US7583168B2 (en) 2004-10-27 2009-09-01 Ntt Docomo, Inc. Resonator
JP2007150935A (ja) * 2005-11-30 2007-06-14 Sharp Corp リミッタ付ミキサ、周波数変換装置、通信装置、及びマルチチップモジュール
JP4572164B2 (ja) * 2005-11-30 2010-10-27 シャープ株式会社 リミッタ付ミキサ、周波数変換装置、通信装置、及びマルチチップモジュール
JP4593503B2 (ja) * 2006-03-28 2010-12-08 三菱電機株式会社 偶高調波ミクサおよびそのバンドパスフィルタ
JP2007266948A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Mitsubishi Electric Corp 偶高調波ミクサおよびそのバンドパスフィルタ
CN113098401A (zh) * 2021-04-14 2021-07-09 中国电子科技集团公司第三十八研究所 一种太赫兹d波段四次谐波混频器
CN113098401B (zh) * 2021-04-14 2022-09-30 中国电子科技集团公司第三十八研究所 一种太赫兹d波段四次谐波混频器

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