WO2003077036A1 - Projektionsobjektiv höchster apertur - Google Patents

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WO2003077036A1
WO2003077036A1 PCT/EP2002/004846 EP0204846W WO03077036A1 WO 2003077036 A1 WO2003077036 A1 WO 2003077036A1 EP 0204846 W EP0204846 W EP 0204846W WO 03077036 A1 WO03077036 A1 WO 03077036A1
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lens
meniscus
projection
group
projection lens
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PCT/EP2002/004846
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Karl-Heinz Schuster
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Carl Zeiss Smt Ag
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    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply

Definitions

  • the invention relates to a projection lens for imaging a pattern arranged in the object plane of the projection lens into the image plane of the projection lens with ultraviolet light of a predetermined working wavelength.
  • Photolithographic projection lenses have been used for the manufacture of semiconductor devices and other finely structured components for several decades. They serve to project patterns of photomasks or graticules, which are also referred to below as masks or reticles, onto an object coated with a light-sensitive layer with the highest resolution on a reduced scale.
  • phase-shifting masks require obscuration-free systems, ie systems without shadowing in the image field. Systems without shadowing in the image field are in the Microlithography generally to be preferred, even if systems with obscuration with otherwise excellent optical properties are available (for example DE 196 39 586 corresponding to US 6,169,627 B1).
  • NA 0.85
  • limits are placed on the angular capacity, especially of the near-image lenses.
  • the object of the invention is to create a projection objective which has a very high numerical aperture on the image side, an image field which is sufficiently large for practical use in wafer steppers or wafer scanners, and a good correction state.
  • a projection lens for imaging a pattern arranged in the object plane of the projection lens into the image plane of the projection lens with ultraviolet light of a predetermined working wavelength has a multiplicity of optical elements which are arranged along an optical axis and one which is arranged at a distance in front of the image plane System cover with a cover diameter.
  • the closest optical group with refractive power to the image plane is a plano-convex group with an essentially spherical entrance surface and an im substantially flat exit surface.
  • the exit surface is the last optical surface of the system and should be arranged in the vicinity of a substrate to be exposed, but without touching it. If necessary, an optical contact can be imparted via an immersion medium, for example a liquid.
  • the plano-convex group has a diameter that is at least 50% of the diaphragm diameter.
  • the diameter of the plano-convex group can preferably even be more than 60% or more than 70% of the diaphragm diameter.
  • the system aperture in the sense of this application is the area near the image plane in which the main beam of the image intersects the optical axis.
  • a diaphragm for limiting and possibly adjusting the aperture used can be arranged in the area of the system diaphragm.
  • the plano-convex group is formed by a single, one-piece plano-convex lens. It is also possible to design the plano-convex group in the form of a divided plano-convex lens, the parts of which are preferably pressed against one another. The division can take place along a flat or curved division surface. A division in particular makes it possible to produce the part of the plano-convex group close to the image field, in which particularly high radiation energy densities occur, from a particularly radiation-resistant material, for example as calcium fluoride, while less radiation-exposed areas can be made from another material, for example synthetic quartz glass. A plane-parallel end plate can optionally be provided as the next element of the plano-convex group.
  • the plano-convex group is preferably blown onto the preceding optical element.
  • the radii to the air gap should be curved this way be that there is no total reflection.
  • the angular load preferably remains smaller than sin u ' from 0.85 to 0.95.
  • the system diaphragm it is particularly advantageous if only lenses with a positive refractive power are arranged between the system diaphragm and the image plane, if appropriate plus one or more plane-parallel, transparent plates.
  • at least one biconvex positive lens can be arranged between the system diaphragm and the plano-convex group. At least two, in particular exactly two, biconvex positive lenses are more favorable.
  • a plano-convex meniscus is preceded by two positive lenses, which provide the essential part of the system power. Because they sit close to the system panel and can work in large diameters, a very small relative field load can also be achieved here.
  • the last lens group arranged between the system diaphragm and the image plane has a maximum of four optical elements with refractive power, ideally only three lenses, which are preferably positive lenses in each case.
  • Lenses with a negative refractive power can be provided as long as their refractive power is low compared to the total refractive power of the lens group arranged between the system aperture and the image plane.
  • Plane-parallel plates can also be provided.
  • a refractive power distribution that is favorable for a high numerical aperture on the image side is characterized in that the last lens group arranged between the system aperture and the image plane advantageously has a focal length that is less than 20% or 17%, in particular less than 15%, of the overall length of the projection lens is.
  • the axial distance between the object plane and the optically conjugate image plane is referred to as the overall length.
  • the distance between the system diaphragm and the image plane is preferably less than 25%, in particular less than 22% of the overall length and / or less than approximately 95%, 90% or 86% of the diaphragm diameter. Overall, a very close-to-image position of the system cover is favorable.
  • the aperture can be real or equivalent to the conjugate location of the real aperture in the presence of an intermediate image.
  • Projection lenses according to the invention can be catadioptric or dioptric and should depict without obscuration. Purely refractive, ie dioptric projection lenses are preferred, in which all optical components with refractive power consist of transparent material.
  • One example is a one-waist system with a stomach close to the object, a stomach close to the image and an intermediate waist, in the area of which the beam diameter is preferably less than approximately 50% of the maximum beam diameter in the area of one of the bellies.
  • the systems can be set up so that all transparent optical elements are made of the same material.
  • synthetic quartz glass is used for all lenses.
  • the synthetic quartz glass can be replaced by a crystal material, eg calcium fluoride.
  • high-aperture projection objectives in particular also purely refractive projection objectives, are possible, in which the numerical aperture NA> 0.85 on the image side.
  • the projection objectives are also suitable for immersion lithography, in which the space between the exit surface of the objective and the substrate is filled with an immersion fluid with a suitable refractive index and sufficient transmission for the wavelength used.
  • Suitable immersion liquids can, for example, mainly contain the elements H, F, C or S. Deionized water can also be used.
  • the invention makes it possible to use lenses with a very large image field diameter that is sufficient for practical lithography, which in preferred embodiments is larger than approx. 10 mm, in particular larger than approx. 20 mm and / or more than 1 %, in particular more than 1.5% of the overall length of the projection lens and / or more than 1%, in particular more than 5% of the largest lens diameter.
  • Preferred projection objectives are distinguished by a number of favorable constructive and optical features which, alone or in combination with one another, are conducive to the suitability of the objective for high-resolution microlithography, in particular in the optical near field and for immersion lithography.
  • At least one aspherical surface is preferably arranged in the area of the system cover.
  • several surfaces with aspheres come closely behind the diaphragm.
  • at least one double-aspherical lens which is preferably a biconvex lens, can be provided between the system aperture and the image plane.
  • the last optical surface before the system diaphragm and the first optical surface after the system diaphragm are aspherical.
  • opposite aspherical surfaces with curvature pointing away from the diaphragm can be provided here.
  • the high number of aspherical surfaces in the area of the system diaphragm is favorable for the correction of the spherical aberration and has a favorable effect on the setting of the isoplanasia.
  • At least one meniscus lens with a concave surface on the object is preferably provided in the area immediately in front of the system diaphragm.
  • at least two such menisci, which follow one another can be favorable, which can have positive or negative refractive power.
  • a group of two menisci of this type is preferred, in which a meniscus with a negative refractive power and a meniscus with a positive one Refractive power follows.
  • the negative refractive power is preferably so great that a slight cross-sectional narrowing (auxiliary waist) can occur in the beam.
  • a meniscus group with a positive meniscus and a negative meniscus behind it, in which the centers of curvature of all optical surfaces are on the object or reticle side, can also be advantageous for other projection lenses, in particular directly in front of a diaphragm in the area, regardless of the other features of the invention
  • the aperture can be a physical aperture for changing the bundle cross-section or a conjugated aperture.
  • At least one meniscus lens with a negative refractive power and a concave surface directed toward the image is arranged between the waist and the system diaphragm.
  • at least two consecutive meniscus lenses of this type, whose centers of curvature lie on the image side are often particularly favorable.
  • the refractive power of the first meniscus on the object side is at least 30% stronger than that of the subsequent meniscus on the image side of the meniscus group.
  • At least one positive meniscus lens with a concave surface on the object side is arranged between the waist and the system diaphragm in the vicinity of the waist.
  • several, for example two, successive lenses of this type can be provided instead of such a meniscus lens.
  • Embodiments are particularly advantageous in which at least one meniscus lens with a concave surface on the object side and behind at least one between the waist and the system diaphragm in this order a meniscus lens with a concave surface on the image side is arranged.
  • Two consecutive menisci of the respective curvatures are preferably provided.
  • the meniscus lenses facing the waist preferably have positive refractive powers, the menisci facing the image plane preferably have negative refractive powers. In the area between these lenses or lens groups, there is therefore a change in the position of the center of curvature of menisci.
  • a plurality of negative lenses are preferably arranged one after the other in the region of the waist, in preferred embodiments there are at least two, preferably three negative lenses. These bear the main burden of the Petzval correction.
  • a lens group with a strong positive refractive power which represents the first belly of the beam guidance, preferably follows behind this input group.
  • at least one meniscus lens with positive refractive power and concave surfaces on the image side can be favorable in the area of large beam heights in the vicinity of the object plane.
  • the center of curvature of which lies on the image side, the exit side facing the image preferably has a relatively strong curvature, the radius of which can be, for example, less than 50% of the overall length of the projection objective.
  • 1 is a lens section through an embodiment of a refractive projection objective which is designed for a 193 nm working wavelength.
  • optical axis denotes a straight line through the centers of curvature of the spherical optical components or through the axes of symmetry of aspherical elements.
  • Directions and distances are described as image-side, wafer-side or image-wise when they are in the direction of the If the image plane or the substrate to be exposed there is directed and as the object side, reticle side or object side, if they are directed towards the object in relation to the optical axis, the object is a mask (reticle) with the pattern of an integrated circuit in the examples
  • the image is formed in the examples on a wafer serving as a substrate and serving with a photoresist layer, but other substrates are also possible, for example elements for liquid crystal displays or substrates for optical he grating
  • the focal lengths given are focal lengths with respect to air.
  • FIG. 1 shows a characteristic structure of a purely refractive reduction objective 1 according to the invention. It serves to insert a pattern of a reticle or the like into an object plane 2 image an image plane 3 conjugated to the object plane on a reduced scale without obscurations or shadowing in the image field, for example on a 5: 1 scale. It is a rotationally symmetrical one-waist system, the lenses of which are arranged along an optical axis 4 which is perpendicular to the object and image plane and form an abdomen 6 on the object side, an abdomen 8 on the image side and an intermediate waist 7. A small auxiliary waist 9 is formed within the second belly 8 close to the system cover 5.
  • the system diaphragm 5 is in the near-image area of large beam diameters.
  • the lenses can be divided into several successive lens groups with specific properties and functions.
  • a first lens group LG1 following the object plane 2 at the input of the projection lens has negative refractive power overall and serves to expand the beam coming from the object field.
  • a subsequent second lens group LG2 with an overall positive refractive power forms the first belly 6 and brings the beam together again in front of the subsequent waist 7.
  • a third lens group LG3 with negative refractive power is followed by a lens group 4 consisting of positive meniscus lenses with positive refractive power, followed by a fifth lens group LG5 consisting of negative meniscus lenses with negative refractive power.
  • the subsequent lens group LG6 with positive refractive power leads the radiation to the system aperture 5.
  • the first lens group LG1 opens with three negative lenses 11, 12, 13 which, in this order, have a biconcave negative lens 11 with an aspherical entry side, a negative meniscus lens 12 with an image-side center of curvature and an aspherical entry side and a negative meniscus lens 13 with an object side
  • Center of curvature and aspherical exit side includes.
  • at least one aspherical surface should be provided on at least one of the first two lenses 11, 12 in order to limit the generation of aberrations in this area.
  • an aspherical surface is provided on each of the three negative lenses.
  • the second lens group LG2 with a small air gap behind the last lens 13 of the first lens group LG1, has a positive meniscus lens 14 with a center of curvature on the object side, a further positive meniscus lens 15 with an object side
  • the only slightly curved entry side of the lens 15, the likewise only slightly curved exit side of the lens 17 and the exit side of the last meniscus lens 20 are aspherical.
  • This second lens group LG2 represents the first belly 6 of the objective.
  • a special feature is the positive meniscus lens 16 arranged at the largest diameter, the centers of curvature of which lie on the image side.
  • the radius of the exit surface of this lens 16 has a value that is less than half the object image distance.
  • This lens group is used primarily for Petzval correction, distortion telecentricity correction and image field correction outside of the main sections.
  • the first negative lens 20 of the third group is preferably a strongly biconcave lens, so that the main waist 7 opens with strongly curved surfaces.
  • the fourth lens group LG4 following the waist 7 consists of two positive meniscus lenses 23, 24 with concave surfaces on the image side, the exit side of the meniscus lens 23 on the input side being aspherical, the other surfaces being spherical. In other embodiments, only a single positive meniscus of corresponding curvature can be provided at this point.
  • the subsequent fifth lens group LG5 also has two meniscus lenses 25, 26, but these each have negative refractive power and the concave surfaces are directed toward the image field 3. If necessary, only a negative meniscus can be provided at this point, the center of curvature of which lies on the wafer side. It has turned out to be favorable if the negative refractive power of the negative meniscus 25 on the object side is at least 30% stronger than that of the subsequent meniscus 26.
  • Such a group with at least one negative meniscus is a central correction element for the function of the one-waist system, to elegantly correct off-axis image errors. In particular, this enables a compact design with relatively small lens diameters.
  • the sixth lens group LG6 begins with a sequence of positive lenses 27, 28, 29, 30, it having turned out to be advantageous if at least two of these lenses are biconvex lenses, such as the lenses 27, 28 which follow one another immediately at the input of the sixth lens group each spherical lens surfaces.
  • the biconvex lenses 27, 28 are followed by a weakly positive meniscus lens 29 with a concave surface on the image side.
  • the sixth lens group LG6 immediately in front of the system diaphragm 5 there is a meniscus group with two meniscus lenses 30, 31, the centers of curvature of which are all on the reticle or object side.
  • a corresponding meniscus lens with positive or negative refractive power could also be provided, in particular in the case of lenses with lower apertures.
  • the group of two 30, 31 shown is preferred, the meniscus lens 30 on the input side preferably having positive refractive power and the subsequent meniscus lens 31 preferably having negative refractive power.
  • their negative refractive power is so great that a slight constriction in the form of an auxiliary waist 9 occurs in the beam path. In this way it can be achieved that oblique spherical tangential to oblique spherical sagital can be balanced out favorably.
  • the seventh lens group LG7 arranged between system aperture 5 and image plane 3 represents a further special feature of the invention Projection lenses. Particularly in this area, special measures are required to master the surface loading of the optical surfaces overall in such a way that low-aberration imaging can be achieved with sufficient transmission of the overall lens. For this purpose, it should be ensured between the aperture 5 and the wafer 3 that no apertures are formed in the component that reach an aperture close to 1 as a component against air. A significant contribution to achieving this goal is made here in that a plano-convex lens 34 with a spherical entrance surface and a flat exit surface is arranged as the last optical element directly in front of the image plane 3.
  • the aim should therefore be the longest possible radius with a high opening of this, preferably spherical, entry surface. This long radius is desirable because it reduces the field load on the entry surface. The longer the radius, the smaller the relative field and thus the induced field aberrations.
  • the entrance surface can also be aspherical.
  • the near-image plano-convex group which is formed here by a single, one-piece lens element 34, has a refractive effect. This can be seen from the fact that the entrance surface is not arranged concentrically to the center of the image field because the radius differs from the lens thickness. Axially elongated lenses of this type are preferred, in which the center of curvature of the entrance surface lies within the lens. Plano-convex groups or plano-convex lenses of this type therefore differ significantly from hemispherical plano-convex lenses in which the radius corresponds essentially to their thickness and which are used, for example, in microscopy to improve the coupling of the light into the microscope objective and themselves may not have any refractive properties.
  • the plano-convex meniscus 34 is preceded by two very large positive lenses 32, 33, which provide the essential contribution to the system power.
  • the fact that they sit close behind the diaphragm in the area of large beam diameters also minimizes the relative field load here.
  • the example thus shows a very simple and efficient design of a lithographic lens suitable for the highest apertures with regard to the area behind the system aperture.
  • the plano-convex meniscus 34 picks up the convergent tufts coming from the positive lenses 32, 33 in air or another suitable gaseous medium within the projection lens with a low refractive power in order to pass them on to the light-sensitive layer of the substrate.
  • Embodiments are therefore favorable in which there are only positive lenses between the aperture 5 and the wafer, it also being possible for one or more plane-parallel plates to be provided in addition.
  • the lowest possible number of optical surfaces in this area is also advantageous, since each surface causes reflection losses even with good anti-reflective coating.
  • the number of lenses should be four or fewer here, and again plane-parallel plates can optionally be provided.
  • surfaces with aspheres should be provided in the area of the diaphragm, particularly close behind it. These can face each other in a lens, as is the case with the biconvex, double-aspherical positive lens 32. It is also advantageous if an aspherical surface is provided both directly in front of the diaphragm plane and immediately behind it. In the example, these are the exit surface of the negative meniscus 31 and the entry surface of the biconvex positive lens 32.
  • the high number of aspheres in the area around the system aperture 5 serves in the example above all to correct the spherical aberration (Zemike coefficients Z9, Z16, Z25, Z26, Z36, Z49) and the setting of the isoplanasia, i.e. the correction of the aperture-related imaging scale.
  • Table 1 summarizes the specification of the design in a known manner in tabular form.
  • Column 1 gives the number of a refractive or otherwise distinguished surface
  • column 2 the radius r of the surface (in mm)
  • column 3 the distance d of the surface from the following surface (in mm), which is referred to as thickness
  • column 4 the material of the optical components
  • column 5 the refractive index or the refractive index of the material of the component, which follows the entry surface.
  • Column 6 shows the usable free radii or half the free diameter of the lenses (in mm).
  • p (h) [((1 / r) h 2 ) / (1 + SQRT (1 - (1-fK) (1 / r) 2 h 2 )] + C1 * h 4 + C2 * h 6 +. ...
  • the numerical aperture on the image side is 1.1.
  • the lens has an overall length (distance between image plane and Object level) of 1297mm. With an image size of 22mm, a light guide value (product of numerical aperture and image size) of 24.1 mm is achieved.
  • the image-side working distance, ie the distance between the flat exit surface of the last optical element 34 and the image plane 3 is not listed separately. For example, it can be 20 to 50nm. This makes the projection lens suitable for near-field lithography.
  • the immersion medium has essentially the same refractive index as the last optical element of the objective (which consists, for example, of glass or crystal), the solid is shortened to achieve a greater distance from the image plane and the resulting larger space is created by the immersion medium, e.g. deionized water filled. If the refractive index of the immersion medium deviates from that of the last optical component, both thicknesses are matched to one another as best as possible.
  • a spherical post-correction is advantageous, which can be carried out, for example, with the aid of suitable manipulators on one or more lens elements, for example by adjusting the air gaps. It may also be favorable to easily modify the design shown here as an example.
  • the example presented offers further development possibilities in the direction of a higher aperture and / or a smaller number of interfaces.
  • some lenses that are adjacent in pairs can be combined to form a single lens in order to reduce the number of interfaces by two.
  • the lenses 23 and 24, the lenses 18 and 19, the lenses 13 and 14, the lenses 26 and 27 and / or the lenses 11 and 12 can each be combined to form a lens.
  • aspherical surfaces must be installed or modified.
  • a combination of lenses is especially useful for shorter wavelengths, e.g. 157nm cheap, where anti-reflective coating and surface roughness of lens surfaces can be problematic.
  • a further positive lens behind the diaphragm can be favorable at the highest apertures in order to introduce new aberrations with as few apertures as possible when the apertures are increased.
  • the advantages of the invention can be used not only with purely refractive projection lenses, but also with catadioptric projection lenses, in particular those that work with geometric or physical (polarization-selective) beam splitting. Special features are in the structure and function in the area of the near-system screen and between this and the picture plane.
  • the upstream lens parts which in the case of catadioptric projection lenses comprise at least one imaging mirror, should at least provide an overcorrection of the longitudinal color error in order to correct the corresponding undercorrection of the last lens group compensate.
  • a Petzval overcorrection should preferably be provided in order to provide a lead for the Petzval undercorrection of the last lens group.

Abstract

Ein höchstaperturiges, rein refraktives Projektionsobjektiv mit einer Vielzahl optischer Elemente hat eine mit Abstand vor der Bildebene angeordnete Systemblende (5). Das der Bildebene (3) des Projektionsobjektivs nächste optische Element ist eine Plankonvexlinse (34) mit einer im wesentlichen sphärischen Eintrittsfläche und einer im wesentlichen ebenen Austrittsfläche. Die Plankonvexlinse hat einen Durchmesser, der mindestens 50% des Blendendurchmessers der Systemblende (5) beträgt. Vorzugsweise sind zwischen Systemblende (5) und Bildebene (3) nur Positivlinsen (32, 33, 34) angeordnet. Das optische System erlaubt Abbildungen bei höchsten Aperturen NA ≥ 0,85, gegebenenfalls bei NA ≥ 1.

Description

Beschreibung Projektionsobjektiv höchster Apertur
Die Erfindung bezieht sich auf ein Projektionsobjektiv zur Abbildung eines in der Objektebene des Projektionsobjektivs angeordneten Musters in die Bildebene des Projektionsobjektivs mit Ultraviolettlicht einer vorgegebenen Arbeitswellenlänge.
Photolithographische Projektionsobjektive werden seit mehreren Jahrzehnten zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und anderen fein strukturierten Bauteilen verwendet. Sie dienen dazu, Muster von Photomasken oder Strichplatten, die nachfolgend auch als Masken oder Retikel bezeichnet werden, auf einen mit einer lichtempfindlichen Schicht beschichteten Gegenstand mit höchster Auflösung in verkleinerndem Maßstab zu projizieren.
Zur Erzeugung immer feinerer Strukturen in der Größenordnung 100nm oder darunter tragen vor allem drei parallel verlaufende Entwicklungen bei. Erstens wird versucht, die bildseitige numerische Apertur (NA) des Projektionsobjektivs über die derzeit erzielbare Werte hinaus in den Bereich von NA = 0,8 oder darüber zu vergrößern. Zweitens werden immer kürzere Arbeitswellenlängen von Ultraviolettlicht verwendet, vorzugsweise Wellenlängen von weniger als 260nm, beispielsweise 248nm, 193nm, 157nm oder darunter. Schließlich werden noch andere Maßnahmen zur Auflösungsvergrößerung genutzt, beispielsweise phasenschiebende Masken und/oder schräge Beleuchtung. Insbesondere die Verwendung phasenschiebender Masken erfordert obskurationsfreie Systeme, d.h. Systeme ohne Abschattungen im Bildfeld. Systeme ohne Abschattungen im Bildfeld sind in der Mikrolithographie generell zu bevorzugen, auch wenn Systeme mit Obskuration mit ansonsten hervorragenden optischen Eigenschaften verfügbar sind (z.B. DE 196 39 586 entsprechend US 6,169,627 B1 ).
Bei Erhöhung der Apertur deutlich über NA = 0,85 werden Grenzen bei der Winkelbelastbarkeit vor allem der bildnahen Linsen erreicht. Größere Aperturen nahe NA = 1 oder darüber werden als unpraktikabel angesehen, da davon ausgegangen werden muss, dass sich bei derart hohen Aperturen Rand- und Komastrahlen aufgrund von Totalreflexion weder aus einem Objektiv auskoppeln noch in die lichtempfindliche Schicht des Substrat einkoppeln lassen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Projektionsobjektiv zu schaffen, welches eine sehr hohe bildseitige numerische Apertur, ein für den praktischen Einsatz in Wafersteppern oder Waferscannem ausreichend großes Bildfeld sowie einen guten Korrektionszustand aufweist.
Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Projektionsobjektiv mit den Merkmalen von Anspruch 1. Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben. Der Wortlaut sämtlicher Ansprüche wird durch Bezugnahme zum Inhalt der Beschreibung gemacht.
Gemäß einem Aspekt der Erfindung hat ein Projektionsobjektiv zur Abbildung eines in der Objektebene des Projektionsobjektivs angeordneten Musters in die Bildebene des Projektionsobjektivs mit Ultraviolettlicht einer vorgegebenen Arbeitswellenlänge eine Vielzahl von optischen Elementen, die entlang einer optischen Achse angeordnet sind, sowie eine mit Abstand vor der Bildebene angeordnete Systemblende mit einem Blendendurchmesser. Die der Bildebene nächste optische Gruppe mit Brechkraft ist eine Plankonvexgruppe mit einer im wesentlichen sphärischen Eintrittsfläche und einer im wesentlichen ebenen Austrittsfläche. Die Austrittsfläche ist die letzte optische Fläche des Systems und soll in der Nähe eines zu belichtenden Substrates, jedoch ohne Berührungskontakt zu diesem, angeordnet werden. Gegebenenfalls kann über ein Immersionsmedium, z.B. eine Flüssigkeit, ein optischer Kontakt vermittelt werden. Die Plankonvexgruppe hat einen Durchmesser, der mindestens 50% des Blendendurchmessers beträgt. Vorzugsweise kann der Durchmesser der Plankonvexgruppe sogar mehr als 60% oder mehr als 70% des Blendendurchmessers betragen.
Die Systemblende im Sinne dieser Anmeldung ist der Bereich nahe der Bildebene, in dem der Hauptstrahl der Abbildung die optische Achse schneidet. Eine Blende zur Begrenzung und gegebenenfalls Verstellung der genutzten Apertur kann im Bereich der Systemblende angeordnet sein. Bei Systemen mit mindestens einem Zwischenbild existiert mindestens eine weitere Blendenebene mit größerem Abstand von der Bildebene.
Durch die oben genannten Maßnahmen ist es möglich, höchste bildseitige numerische Aperturen NA > 0,85 zu realisieren, wobei die numerische Apertur sogar NA = 1 oder mehr betragen kann, beispielsweise NA = 1 ,1. Damit sind bei konventionell gut beherrschbaren Arbeitswellenlängen, beispielsweise bei 193nm,
Strukturbreiten in der Größenordnung von 50nm gut abzubilden. Hohe Aperturen, insbesondere im Bereich von NA = 1 oder darüber, erfordern spezielle Maßnahmen, um die Flächenbelastung der optischen Flächen insgesamt und insbesondere die Flächenbelastung im Bereich zwischen der Systemblende und der Bildebene zu beherrschen. In diesem Bereich dürfen keine zu hohen bauteilbezogenen Aperturen entstehen, da bei sehr schrägem Lichteinfall ein Großteil des auftreffenden Lichtes nicht mehr durch die transparenten optischen Elemente gelangen und somit nicht mehr zur Bildentstehung beitragen kann. Wird als bildnächste brechende Gruppe eine Plankonvexgruppe verwendet, die axial so dick ist, dass deren Durchmesser mehr als die Hälfte des Blendendurchmessers erreicht, so hat die stark gewölbte Eintrittsfläche im Vergleich zu herkömmlichen Linsen eine ungewöhnlich große Dimension. Bei hoher Öffnung der Linsenfläche ist ein langer Radius der Eintrittsfläche anzustreben, da damit die Feldbelastung abnimmt. Je länger der Radius der letzten Eintrittsfläche vor der Bildebene ist, desto kleiner ist das relative Feld und desto kleiner sind damit auch die induzierten Feldaberrationen. Damit wird es möglich, vor der Plankonvexlinse auf geeignete Weise erzeugte hohe Strahlaperturen aberrationsarm und bei vertretbaren Lichtverlusten bis zum Wirkort in der Bildebene zu übertragen.
Die Plankonvexgruppe wird bei einer bevorzugten Weiterbildung durch eine einzelne, einstückige Plankonvexlinse gebildet. Es ist auch möglich, die Plankonvexgruppe in Form einer geteilten Plankonvexlinse auszuführen, deren Teile bevorzugt aneinander angesprengt sind. Die Teilung kann entlang einer ebenen oder gekrümmten Teilungsfläche erfolgen. Eine Teilung ermöglicht es insbesondere, den bildfeldnahen Teil der Plankonvexgruppe, in welchem besonders hohe Strahlungsenergiedichten auftreten, aus einem besonders strahlungsresistenten Material herzustellen, beispielsweise als Kalziumfluorid, während weniger strahlungsbelastete Bereiche aus einem anderen Material, beispielsweise synthetischem Quarzglas, hergestellt sein können. Als bildnächstes Element der Plankonvexgruppe kann gegebenenfalls eine planparallele Abschlussplatte vorgesehen sein. Diese ist vorzugsweise an das vorhergehenden optische Element angesprengt. In engen Grenzen ist es auch möglich, die Plankonvexgruppe in gesonderte Linsenelemente aufzuspalten, zwischen denen mindestens bereichsweise ein geringer Luftabstand bestehen kann, der jedoch deutlich unterhalb eines Millimeters liegen sollte. Die Radien zum Luftspalt sollten so gekrümmt sein, dass keine Totalreflexion stattfindet. Vorzugsweise bleibt die Winkelbelastung dabei je nach Winkelbelastbarkeit der dünnen Entspiegelungsschicht kleiner als sin u' von 0,85 bis 0,95.
Gemäß einem anderen Aspekt der Erfindung ist es besonders günstig, wenn zwischen der Systemblende und der Bildebene nur Linsen mit positiver Brechkraft angeordnet sind, gegebenenfalls zuzüglich einer oder mehrerer planparalleler, transparenter Platten. Beispielsweise kann zwischen der Systemblende und der Plankonvexgruppe mindestens eine bikonvexe Positivlinse angeordnet sein. Günstiger sind mindestens zwei, insbesondere genau zwei bikonvexe Positivlinsen. Bei einer bevorzugten Ausführungsform sind einem plankonvexen Meniskus zwei Positivlinsen vorangestellt, die den wesentlichen Anteil der Systembrechkraft bereitstellen. Dadurch, dass diese dicht an der Systemblende sitzen und im großen Durchmesser arbeiten können, ist auch hier eine sehr kleine relative Feldbelastung erzielbar. Dies ergibt eine sehr einfache und effiziente Auslegung eines Projektionsobjektivs bezüglich des Bereichs hinter der Systemblende. Günstig ist es demnach, wenn die zwischen Systemblende und Bildebene angeordnete letzte Linsengruppe maximal vier brechkraftbehaftete optische Elemente aufweist, idealerweise nur drei Linsen, die vorzugsweise jeweils Positivlinsen sind. Linsen mit negativer Brechkraft können vorgesehen sein, solange deren Brechkraft gering gegenüber der Gesamtbrechkraft der zwischen Systemblende und Bildebene angeordneten Linsengruppe ist. Zusätzlich können planparallele Platten vorgesehen sein.
Eine für eine hohe bildseitige numerische Apertur günstige Brechkraftverteilung zeichnet sich dadurch aus, dass die zwischen Systemblende und Bildebene angeordnete letzte Linsengruppe vorteilhafterweise eine Brennweite hat, die weniger als 20% oder 17%, insbesondere weniger als 15% der Baulänge des Projektionsobjektivs beträgt. Als Baulänge wird hier der axiale Abstand zwischen der Objektebene und der hierzu optisch konjugierten Bildebene bezeichnet. Der Abstand zwischen Systemblende und Bildebene beträgt vorzugsweise weniger als 25%, insbesondere weniger als 22% der Baulänge und/oder weniger als ca. 95%, 90% oder 86% des Blendendurchmessers. Insgesamt ist demnach eine sehr bildnahe Lage der Systemblende günstig. Dabei kann die Blende real oder gleichwertig der konjugierte Ort der realen Blende bei Vorhandensein eines Zwischenbildes sein.
Erfindungsgemäße Projektionsobjektive können katadioptrisch oder dioptrisch aufgebaut sein und sollen obskurationsfrei abbilden. Bevorzugt sind rein refraktive, also dioptrische Projektionsobjektive, bei denen alle mit Brechkraft behafteten optischen Komponenten aus transparentem Material bestehen. Bei einem Beispiel handelt es sich um ein Ein-Taillensystem mit einem objektnahen Bauch, einem bildnahen Bauch und einer dazwischenliegenden Taille, in deren Bereich der Strahlendurchmesser vorzugsweise weniger als ca. 50% des maximalen Strahldurchmessers im Bereich eines der Bäuche beträgt.
Die Systeme können so aufgebaut werden, dass alle transparenten optischen Elemente aus dem gleichen Material gefertigt sind. Bei einer für eine Arbeitswellenlänge von 193nm ausgelegten Ausführungsform wird für alle Linsen synthetisches Quarzglas verwendet. Auch Ausführungsformen für 157nm, bei denen alle Linsen aus Kalziumfluorid oder einem anderen Fluoridkristallmaterial bestehen, sind möglich. Auch Kombinationen mehrerer unterschiedlicher Materialien sind möglich, beispielsweise um die Korrektur von Farbfehlem zu erleichtern oder um Compaction zu verringern. Beispielsweise kann bei 193nm das synthetische Quarzglas durch ein Kristallmaterial, z.B. Kalziumfluorid ersetzt werden. Im Rahmen der Erfindung sind höchstaperturige Projektionsobjektive, insbesondere auch rein refraktive Projektionsobjektive möglich, bei denen die bildseitige numerische Apertur NA > 0,85 ist. Sie beträgt vorzugsweise mindestens 1 und hat bei einer später näher erläuterten Ausführungsform einen Wert NA = 1 ,1. Trotz dieser hohen numerischen Aperturen ist eine Einkopplung von ausreichend Lichtenergie in das zu belichtende Substrat über einen gasgefüllten Spalt möglich, wenn ein ausreichend geringer biidseitiger Arbeitsabstand eingehalten wird. Dieser liegt bei bevorzugten Ausführungsformen unterhalb des Vierfachen der verwendeten Arbeitswellenlänge, insbesondere unterhalb der Arbeitswellenlänge. Besonders günstig ist es, wenn der Arbeitsabstand weniger als die Hälfte der Arbeitswellenlänge beträgt, beispielsweise weniger als ein Drittel, ein Viertel oder ein Fünftel der Arbeitswellenlänge. Bei diesen kurzen Arbeitsabständen kann eine Abbildung im optischen Nahfeld erfolgen, bei der evaneszente Felder, die in unmittelbarer Nähe der letzten optischen Fläche des Abbildungssystems existierten, zur Abbildung genutzt werden. Die Projektionsobjektive sind auch für die Immersionslithographie tauglich, bei der der Raum zwischen der Austrittsfläche des Objektivs und dem Substrat mit einem Immersionsfluid mit geeigneter Brechzahl und ausreichender Transmission für die verwendete Wellenlänge ausgefüllt ist. Geeignete Immersionsflüssigkeiten können z.B. hauptsächlich die Elemente H, F, C oder S enthalten. Auch deionisiertes Wasser ist verwendbar.
Trotz dieser extremen Werte für numerische Apertur und Arbeitsabstand sind Dank der Erfindung Objektive mit einem sehr großen, für die praktische Lithographie ausreichenden Bildfelddurchmesser möglich, der bei bevorzugten Ausführungsformen größer als ca. 10mm, insbesondere größere als ca. 20mm ist und/oder mehr als 1 %, insbesondere mehr als 1 ,5% der Baulänge des Projektionsobjektivs und/oder mehr als 1 %, insbesondere mehr als 5% des größten Linsendurchmessers betragen kann.
Bevorzugte Projektionsobjektive zeichnen sich durch eine Anzahl günstiger konstruktiver und optischer Merkmale aus, die alleine oder in Kombination miteinander für die Eignung des Objektivs für die höchstauflösende Mikrolithographie, insbesondere im optischen Nahfeld und für die Immersionslithographie förderlich sind.
Im Bereich der Systemblende ist vorzugsweise mindestens eine asphärische Fläche angeordnet. Vorzugsweise kommen hinter den Blende dicht aufeinander folgend mehrere Flächen mit Asphären. Insbesondere kann zwischen Systemblende und Bildebene mindestens eine doppelasphärische Linse vorgesehen sein, die bevorzugt eine Bikonvexlinse ist. Somit kann auch im Bereich zwischen Taille und Bildebene, d.h. im letzten Bauch, mindestens eine doppelsphärische Bikonvexlinse günstig sein. Es kann weiter günstig sein, wenn die letzte optische Fläche vor der Systemblende und die erste optische Fläche nach der Systemblende asphärisch ist. Hier können insbesondere gegenüberliegende asphärische Flächen mit von der Blende wegweisender Krümmung vorgesehen sein. Die hohe Anzahl von asphärischen Flächen im Bereich der Systemblende ist günstig für die Korrektion der sphärischen Abberation und wirkt sich günstig auf die Einstellung der Isoplanasie aus.
Im Bereich unmittelbar vor der Systemblende ist vorzugsweise mindestens eine Meniskuslinse mit objektseitiger Konkavfläche vorgesehen. Bei höheren Aperturen können mindestens zwei solcher Menisken, die aufeinander folgen, günstig sein, welche positive oder negative Brechkraft haben können. Bei sehr hohen Öffnungswinkeln von NA > 1 ,0 ist eine Zweiergruppe derartiger Menisken bevorzugt, bei der ein Meniskus mit negativer Brechkraft auf einen Meniskus mit positiver Brechkraft folgt. Die negative Brechkraft ist vorzugsweise so groß, dass im Strahlbündel eine geringfügige Querschnittsverengung (Hilfstaille) auftreten kann.
Eine Meniskengruppe mit einem Positiv-Meniskus und einem dahinter liegenden Negativ-Meniskus, bei der die Krümmungsmittelpunkte aller optischen Flächen objektseitig bzw. retikelseitig liegen, kann auch unabhängig von den sonstigen Merkmalen der Erfindung bei anderen Projektionsobjektiven vorteilhaft sein, insbesondere direkt vor einer Blende im Bereich großer Strahldurchmesser, wobei die Blende eine physikalische Blende zur Bündelquerschnittsveränderung oder eine konjugierte Blende sein kann.
Es hat sich weiterhin als vorteilhaft herausgestellt, wenn zwischen der Taille und der Systemblende mindestens eine Meniskuslinse mit negativer Brechkraft und bildwärts gerichteter Konkavfläche angeordnet ist. Besonders günstig sind häufig mindestens zwei aufeinander folgende, derartige Meniskuslinsen, deren Krümmungsmittelpunkte bildseitig liegen. Vorteilhaft ist es dabei, wenn die Brechkraft des ersten, objektseitigseitigen Meniskus um mindestens 30% stärker ist als diejenige des darauffolgenden, bildseitigen Meniskus der Meniskengruppe.
Weiterhin kann es günstig sein, wenn zwischen der Taille und der Systemblende in der Nähe der Taille mindestens eine Positiv- Meniskuslinse mit objektseitiger Konkavfläche angeordnet ist. Auch hier können statt einer derartigen Meniskuslinse mehrere, beispielsweise zwei, aufeinanderfolgende Linsen dieses Typs vorgesehen sein.
Besonders vorteilhaft sind Ausführungsformen, bei denen zwischen Taille und Systemblende in dieser Reihenfolge mindestens eine Meniskuslinse mit objektseitiger Konkavfläche und dahinter mindestens eine Meniskuslinse mit bildseitiger Konkavfläche angeordnet ist. Vorzugsweise sind jeweils zwei aufeinanderfolgende Menisken der jeweiligen Krümmungen vorgesehen. Die der Taille zugewandten Meniskuslinsen haben vorzugsweise positive, die der Bildebene zugewandten Menisken vorzugsweise negative Brechkraft. Im Bereich zwischen diesen Linsen bzw. Linsengruppen findet somit ein Wechsel in der Lage der Krümmungsmittelpunkte von Menisken statt.
Im Bereich der Taille sind bevorzugt mehrere Negativlinsen aufeinander folgend angeordnet, bei bevorzugten Ausführungsformen sind es mindestens zwei, vorzugsweise drei Negativlinsen. Diese tragen die Hauptlast der Petzvalkorrektur.
Am objektseitigen Eingang des Systems beim Eintritt in den ersten Bauch sind wenigstens zwei Negativlinsen vorteilhaft, um das vom Objekt kommende Strahlbündel aufzuweiten. Drei oder mehr derartiger Negativlinsen sind bevorzugt. Bei hohen Eingangsaperturen von mehr als 0,2 ist es günstig, wenn auf mindestens einer der ersten Linsen mindestens eine asphärische Fläche vorgesehen ist. Vorzugsweise hat jede der eingangsseitigen Negativlinsen mindestens eine asphärische Fläche.
Hinter dieser Eingangsgruppe folgt bevorzugt eine Linsengruppe mit starker positiver Brechkraft, welche den ersten Bauch der Strahlführung darstellt. In dieser Gruppe kann im Bereich großer Strahlhöhen im Nahbereich der Objektebene mindestens eine Meniskuslinse mit positiver Brechkraft und bildseitigen Konkavflächen günstig sein. Bei einem derartigen Meniskus, dessen Krümmungsmittelpunkte bildseitig liegen, hat die zum Bild gewandte Austrittsseite bevorzugt eine relativ starke Krümmung, deren Radius beispielsweise kleiner als 50% der Baulänge des Projektionsobjektivs sein kann. Die vorstehenden und weiteren Merkmale gehen außer aus den Ansprüchen auch aus der Beschreibung und der Zeichnung hervor, wobei die einzelnen Merkmale jeweils für sich alleine oder zu mehreren in Form von Unterkombinationen bei einer Ausführungsform der Erfindung und auf anderen Gebieten verwirklicht sein und vorteilhafte sowie für sich schutzfähige Ausführungen darstellen können.
Fig. 1 ist ein Linsenschnitt durch eine Ausführungsform eines refraktiven Projektionsobjektivs, das für 193nm Arbeitswellenlänge ausgelegt ist.
Bei der folgenden Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform bezeichnet der Begriff „optische Achse" eine gerade Linie durch die Krümmungsmittelpunkte der sphärischen optischen Komponenten bzw. durch die Symmetrieachsen von asphärischen Elementen. Richtungen und Abstände werden als bildseitig, waferseitig oder bildwärts beschrieben, wenn sie in Richtung der Bildebene bzw. des dort befindlichen, zu belichtenden Substrats gerichtet sind und als objektseitig, retikelseitig oder objektwärts, wenn sie in Bezug auf die optische Achse zum Objekt gerichtet sind. Das Objekt ist in den Beispielen eine Maske (Retikel) mit dem Muster einer integrierten Schaltung, es kann sich aber auch um ein anderes Muster, beispielsweise eines Gitters handeln. Das Bild wird in den Beispielen auf einem als Substrat dienenden, mit einer Photoresistschicht dienenden Wafer gebildet, jedoch sind auch andere Substrate möglich, beispielsweise Elemente für Flüssigkristallanzeigen oder Substrate für optische Gitter. Die angegebenen Brennweiten sind Brennweiten bezüglich Luft.
In Fig. 1 ist ein charakteristischer Aufbau eines erfindungsgemäßen, rein refraktiven Reduktionsobjektivs 1 gezeigt. Es dient dazu, ein in einer Objektebene 2 angeordnetes Muster eines Retikels oder dergleichen in eine zur Objektebene konjugierte Bildebene 3 in reduziertem Maßstab ohne Obskurationen bzw. Abschattungen im Bildfeld abzubilden, beispielsweise im Maßstab 5 : 1 . Es handelt sich um ein rotationssymmetrisches Ein-Taillensystem, dessen Linsen entlang einer senkrecht zur Objekt- und Bildebene stehenden optischen Achse 4 angeordnet sind und einen objektseitigen Bauch 6, einen bildseitigen Bauch 8 sowie eine dazwischenliegende Taille 7 bilden. Innerhalb des zweiten Bauches 8 ist eine kleine Hilfs-Taille 9 nahe vor der Systemblende 5 ausgebildet. Die Systemblende 5 liegt im bildnahen Bereich großer Strahldurchmesser.
Die Linsen können in mehrere aufeinanderfolgende Linsengruppen mit spezifischen Eigenschaften und Funktionen eingeteilt werden. Eine der Objektebene 2 folgende erste Linsengruppe LG1 am Eingang des Projektionsobjektivs hat insgesamt negative Brechkraft und dient der Aufweitung des vom Objektfeld kommenden Strahlbündels. Eine darauffolgende zweite Linsengruppe LG2 mit insgesamt positiver Brechkraft bildet den ersten Bauch 6 und führt den Strahl vor der nachfolgenden Taille 7 wieder zusammen. Im Bereich der Taille 7 befindet sich eine dritte Linsengruppe LG3 mit negativer Brechkraft. Dieser folgt eine aus Positiv-Meniskuslinsen bestehende Linsengruppe 4 mit positiver Brechkraft, der eine aus Negativ-Meniskuslinsen bestehende fünfte Linsengruppe LG5 mit negativer Brechkraft folgt. Die darauffolgende Linsengruppe LG6 mit positiver Brechkraft führt die Strahlung zur Systemblende 5. Hinter dieser liegt die siebte und letzte Linsengruppe LG7, die aus drei Einzellinsen mit positiver Brechkraft besteht und den Hauptbeitrag zur Erzeugung der sehr hohen bildseitigen numerischen Apertur von NA = 1 ,1 leistet. Für diese gilt: NA = n * sin u ', wobei n die Brechzahl des letzten optischen Mediums (z.B. eines Immersionsfluids) und u' der halbe bildseitige Aperturwinkel ist. Die erste Linsengruppe LG1 eröffnet mit drei Negativlinsen 1 1 , 12, 13, die in dieser Reihenfolge eine bikonkave Negativlinse 11 mit asphärischer Eintrittsseite, eine Negativ-Meniskuslinse 12 mit bildseitigem Krümmungsmittelpunkt und asphärischer Eintrittsseite und eine Negativ-Meniskuslinse 13 mit objektseitigem
Krümmungsmittelpunkt und asphärischer Austrittsseite umfasst. Bei der vorliegenden hohen Eingangsapertur von 0,2125 sollte auf wenigstens einer der ersten beiden Linsen 1 1 , 12 mindestens eine asphärische Fläche vorgesehen sein, um die Erzeugung von Abberationen in diesem Bereich zu begrenzten. Vorzugsweise ist, wie im vorliegenden Beispiel, an jeder der drei Negativlinsen (mindestens) eine asphärische Fläche vorgesehen.
Die zweite Linsengruppe LG2 hat mit geringem Luftabstand hinter der letzten Linse 13 der ersten Linsengruppe LG1 eine Positiv- Meniskuslinse 14 mit objektseitigem Krümmungsmittelpunkt, eine weitere Positiv-Meniskuslinse 15 mit objektseitigem
Krümmungsmittelpunkt, eine Positiv-Meniskuslinse 16 mit bildseitigem Krümmungsmittelpunkt, eine weitere Positivlinse 17 mit nahezu ebener Austrittsseite, eine Positiv-Meniskuslinse 18 mit bildseitigem Krümmungsmittelpunkt der Flächen sowie eine brechkraftarme Meniskuslinse 20 gleicher Krümmungsrichtung mit nahezu parallelen Linsenflächen. Die nur schwach gekrümmte Eintrittsseite der Linse 15, die ebenfalls nur schwach gekrümmte Austrittseite der Linse 17 und die Austrittsseite der letzten Meniskuslinse 20 sind asphärisch. Diese zweite Linsengruppe LG2 stellt den ersten Bauch 6 des Objektivs dar. Eine Besonderheit bildet die beim größten Durchmesser angeordnete Positiv- Meniskuslinse 16, deren Krümmungsmittelpunkte bildseitig liegen. Der Radius der Austrittsfläche diese Linse 16 hat einen Wert, der kleiner als die Hälfte des Objekt-Bildabstandes ist. Diese Linsengruppe dient vor allem der Petzvalkorrektur, der Verzeichnungs-Telezentriekorrektur und der Bildfeldkorrektur außerhalb der Hauptschnitte. Die dritte Linsengruppe LG3 besteht aus drei Negativ-Meniskuslinsen 20, 21 , 22, deren Grenzflächen jeweils sphärisch sind. Diese Linsengruppe trägt die Hauptlast der Korrektur der Bildfeldkrümmung und ist so gestaltet, dass trotz der hohen Systemapertur von NA = 1 ,1 die maximalen Inzidenzwinkel der auf die Linsenflächen treffenden Strahlen unterhalb ca. 60° bzw. der Sinus der Inzidenzwinkel jeweils unterhalb 0,85 liegt. Die erste Negativlinse 20 der dritten Gruppe ist bevorzugt eine stark bikonkave Linse, so dass die Haupttaille 7 mit stark gekrümmten Flächen eröffnet.
Die der Taille 7 folgende vierte Linsengruppe LG4 besteht aus zwei Positiv-Meniskuslinsen 23, 24 mit bildseitigen Konkavflächen, wobei die Austrittsseite der eingangsseitigen Meniskuslinse 23 asphärisch, die übrigen Flächen sphärisch sind. Bei anderen Ausführungsformen kann an dieser Stelle auch nur einziger Positiv-Meniskus entsprechender Krümmung vorgesehen sein.
Die darauffolgende fünfte Linsengruppe LG5 hat ebenfalls zwei Meniskuslinsen 25, 26, jedoch haben diese jeweils negative Brechkraft und die konkaven Flächen sind zum Bildfeld 3 gerichtet. Gegebenenfalls kann an dieser Stelle auch nur ein negativer Meniskus vorgesehen sein, dessen Krümmungsmittelpunkt waferseitig liegt. Es hat sich als günstig herausgestellt, wenn die negative Brechkraft des objektseitigen, Negativ-Meniskus 25 mindestens 30% stärker ist als die des darauffolgenden Meniskus 26. Eine solche Gruppe mit mindestens einem negativen Meniskus ist für die Funktion des Ein-Taillensystems ein zentrales Korrektionselement, um elegant außeraxiale Bildfehler zu korrigieren. Insbesondere wird dadurch ein kompaktes Design mit relativ geringen Linsendurchmessern ermöglicht. Besonders wichtig ist, dass in dem der Taille 7 folgenden Eingansbereich des zweiten Bauches 8 ein Wechsel in der Lage der Krümmungsmittelpunkte zwischen Menisken der vierten Linsengruppe LG4 und der fünften Linsengruppe LG5 stattfindet. Dadurch kann erreicht werden, dass schiefe sphärische Aberration bei extremer Apertur geglättet werden kann.
Die sechste Linsengruppe LG6 beginnt mit einer Abfolge von Positiv- Linsen 27, 28, 29, 30, wobei es sich als günstig herausgestellt hat, wenn mindestens zwei dieser Linsen Bikonvexlinsen sind, wie die am Eingang der sechsten Linsengruppe unmittelbar aufeinanderfolgenden Linsen 27, 28 mit jeweils sphärischen Linsenflächen. Im Beispiel folgt auf die Bikonvexlinsen 27, 28 eine schwach positive Meniskuslinse 29 mit bildseitiger Konkavfläche.
Am Ausgang der sechsten Linsengruppe LG6 unmittelbar vor der Systemblende 5 kommt eine Meniskengruppe mit zwei Meniskuslinsen 30, 31 , deren Krümmungsmittelpunkte alle retikelseitig bzw. objektseitig liegen. An dieser Stelle könnte insbesondere bei Objektiven mit niedrigeren Aperturen auch nur eine entsprechende Meniskuslinse mit positiver oder negativer Brechkraft vorgesehen sein. Bei der gezeigten sehr hohen Apertur von NA > 1 ist die gezeigte Zweiergruppe 30, 31 bevorzugt, wobei die eingangsseitige Meniskuslinse 30 bevorzugt positive und die darauffolgende Meniskuslinse 31 bevorzugt negative Brechkraft hat. Vorteilhafterweise ist deren negative Brechkraft so groß, dass im Strahlengang eine leichte Einschnürung in Form einer HilfsTaille 9 entsteht. Hierdurch kann erreicht werden, dass schiefe sphärische tangential zur schiefen sphärischen sagital günstig austariert werden kann.
Die zwischen Systemblende 5 und Bildebene 3 angeordnete siebte Linsengruppe LG7 stellt eine weitere Besonderheit erfindungemäßer Projektionsobjektive dar. Besonders in diesem Bereich sind spezielle Maßnahmen erforderlich, um die Flächenbelastung der optischen Flächen insgesamt so zu beherrschen, dass eine aberrationsarme Abbildung bei ausreichender Transmission des Gesamtobjektivs erzielbar ist. Hierzu sollte zwischen Blende 5 und Wafer 3 dafür gesorgt werden, dass im Bauteil keine Aperturen entstehen, die als Bauteil gegen Luft eine Apertur nahe 1 erreichen. Ein wesentlicher Beitrag zur Erreichung dieses Zieles wird hier dadurch geschaffen, dass unmittelbar vor der Bildebene 3 als letztes optisches Element eine Plankonvexlinse 34 mit sphärischer Eintrittsfläche und ebener Austrittsfläche angeordnet ist. Diese ist so dick, dass ihr Durchmesser mehr als die Hälfte des Durchmessers der Systemblende 5 beträgt, idealerweise sogar mehr als 60% oder 70% dieses Wertes. Anzustreben ist somit ein möglichst langer Radius mit hoher Öffnung dieser, vorzugsweise sphärischen, Eintrittsfläche. Dieser lange Radius ist anzustreben, da dadurch die Feldbelastung der Eintrittsfläche abnimmt. Je länger der Radius ist, desto kleiner ist das relative Feld und damit die induzierten Feldaberrationen. Die Eintrittsfläche kann auch asphärisch sein.
Die bildnahe Plankonvexgruppe, die hier durch ein einzelnes, einstückiges Linsenelement 34 gebildet wird, hat brechende Wirkung. Dies ist daran erkennbar, dass die Eintrittsfläche nicht konzentrisch zur Bildfeldmitte angeordnet ist, weil der Radius sich von der Linsendicke unterscheidet. Bevorzugt sind axial langgestreckte Linsen dieses Typs, bei denen der Krümmungsmittelpunkt der Eintrittsfläche innerhalb der Linse liegt. Plankonvexgruppen bzw. Plankonvexlinsen dieser Art unterschieden sich daher wesentlich von halbkugeligen Plankonvexlinsen, bei denen der Radius im wesentlichen ihrer Dicke entspricht und die beispielsweise in der Mikroskopie zur Verbesserung der Einkopplung des Lichtes in das Mikroskopobjektiv genutzt werden und selbst keine brechende Eigenschaften haben dürfen. Dem Plankonvexmeniskus 34 sind bei der gezeigten Ausführungsform zwei sehr große Positivlinsen 32, 33 vorangestellt, die den wesentlichen Beitrag zur Systembrechkraft bereitstellen. Dadurch, dass sie dicht hinter der Blende im Bereich großer Strahldurchmesser sitzen, ist auch hier die relative Feldbelastung minimiert. Das Beispiel zeigt somit eine sehr einfach und effiziente Auslegung eines für höchste Aperturen geeigneten lithographischen Objektivs bezüglich des Bereichs hinter der Systemblende. Der Plankonvexmeniskus 34 greift mit geringer Brechkraft das von den Positivlinsen 32, 33 kommende, konvergente Büschel in Luft bzw. einem anderen geeignetem gasförmigen Medium innerhalb des Projektionsobjektivs auf, um es in die lichtempfindliche Schicht des Substrats weiterzuleiten. Günstig sind somit Ausführungsformen, bei denen zwischen Blende 5 und Wafer ausschließlich positive Linsen stehen, wobei zusätzlich allenfalls noch eine oder mehrere planparallele Platten vorgesehen sein können. Auch eine möglichst niedrige Anzahl optischer Flächen in diesem Bereich ist günstig, da jede Fläche auch bei guter Entspiegelung Reflexionsverluste verursacht. Die Linsenanzahl sollte hier vier oder weniger betragen, wobei wiederum planparallele Platten optional vorgesehen sein können.
Weitere vorteilhafte Maßnahmen bestehen darin, dass im Bereich der Blende, insbesondere dicht hinter dieser, Flächen mit Asphären vorgesehen sein sollten. Diese können sich in einer Linse gegenüberstehen, wie es im Falle der bikonvexen, doppelt-asphärischen Positivlinse 32 der Fall ist. Günstig ist weiterhin, wenn sowohl unmittelbar vor der Blendenebene, als auch unmittelbar dahinter eine asphärische Fläche vorgesehen ist. Im Beispielsfall sind dies die Austrittsfläche des Negativ-Meniskus 31 und die Eintrittsfläche der bikonvexen Positivlinse 32. Die hohe Anzahl von Asphären im Bereich um die Systemblende 5 dient im Beispielfall vor allem der Korrektur der sphärischen Abberation (Zemike-Koeffizienten Z9, Z16, Z25, Z26, Z36, Z49) sowie der Einstellung der Isoplanasie, also der Korrektur des aperturbehafteten Abbildungsmaßstabes.
In Tabelle 1 ist die Spezifikation des Designs in bekannter Weise in tabellarischer Form zusammengefasst. Dabei gibt Spalte 1 die Nummer einer brechenden oder auf andere Weise ausgezeichneten Fläche, Spalte 2 den Radius r der Fläche (in mm), Spalte 3 den als Dicke bezeichneten Abstand d der Fläche zur nachfolgenden Fläche (in mm), Spalte 4 das Material der optischen Komponenten und Spalte 5 die Brechzahl bzw. den Brechungsindex des Materials des Bauelementes an, welches der Eintrittsfläche folgt. In Spalte 6 sind die nutzbaren, freien Radien bzw. der halbe freie Durchmesser der Linsen (in mm) angegeben.
Bei der Ausführungsform sind dreizehn der Flächen, nämlich die Flächen 2, 4, 7, 10, 15, 19, 27, 32, 41 , 43, 45, 46 und 48 asphärisch. Tabelle 2 gibt die entsprechenden Asphärendaten an, wobei sich die asphärischen Flächen nach folgender Vorschrift berechnen:
p(h)=[((1/r)h2)/(1+SQRT(1 -(1-f-K)(1/r)2h2)]+C1 *h4+C2*h6+....
Dabei gibt der Kehrwert (1/r) des Radius die Flächenkrümmung und h den Abstand eines Flächenpunktes von der optischen Achse an. Somit gibt p(h) die sogenannten Pfeilhöhe, d.h. den Abstand des Flächenpunktes vom Flächenscheitel in z-Richtung, d.h. in Richtung der optischen Achse. Die Konstanten K, C1 , C2, ... sind in Tabelle 2 wiedergegeben.
Das mit Hilfe dieser Angaben reproduzierbare optische System 1 ist für eine Arbeitswellenlänge von ca. 193nm ausgelegt, bei der das für alle Linsen verwendete, synthetisches Quarzglas einen Brechungsindex n = 1 ,56029 hat. Die bildseitige numerische Apertur beträgt 1 ,1. Das Objektiv hat eine Baulänge (Abstand zwischen Bildebene und Objektebene) von 1297mm. Bei einer Bildgröße von 22mm wird ein Lichtleitwert (Produkt aus numerischer Apertur und Bildgröße) von 24,1 mm erreicht. Der bildseitige Arbeitsabstand, d.h. der Abstand zwischen der ebenen Austrittsfläche des letzten optischen Elements 34 und der Bildebene 3 ist nicht gesondert aufgeführt. Es kann z.B. 20 bis 50nm betragen. Dadurch ist das Projektionsobjektiv für die Nahfeld- Lithographie geeignet.
Möchte man an Stelle der Nahfeld-Lithographie Immersionslithographie betreiben, so ist dies durch geringfügige Modifikationen leicht möglich. Hat das Immersionsmedium im wesentlichen die gleiche Brechzahl wie das letzte optische Element des Objektivs ( das beispielsweise aus Glas oder Kristall besteht), so wird der Festkörper zur Erzielung eines größeren Abstandes zur Bildebene gekürzt und der entstehende größere Zwischenraum durch das Immersionsmedium, z.B. deionisiertes Wasser gefüllt. Weicht der Brechungsindex des Immersionsmediums von demjenigen der letzten optischen Komponente ab, werden beide Dicken bestmöglich aufeinander abgestimmt. Gegebenenfalls ist eine sphärische Nachkorrektur günstig, die beispielsweise mit Hilfe geeigneter Manipulatoren an einem oder mehreren Linsenelementen beispielsweise durch Verstellung von Luftabständen durchgeführt werden kann. Es kann auch günstig sein, dass hier beispielhaft dargestellt Design leicht zu modifizieren.
Damit ist ein Projektionsobjektiv geschaffen, das bei einer Arbeitswellenlänge von 193nm arbeitet, mit Hilfe konventioneller Techniken für Linsenherstellung und Beschichtungen hergestellt werden kann und eine Auflösung von Strukturen deutlich unterhalb 100nm erlaubt. Viele einzeln oder in Kombination nützliche, konstruktive Maßnahmen und der neuartige Aufbau des Bereichs zwischen Blende 5 und Bildebene 3 ermöglichen eine Gesamtapertur im zu belichtenden Medium von 1 ,1 bei relativ kleinen Flächenbelastungen der optischen Flächen innerhalb des Projektionsobjektivs. Strukturbreiten im Bereich von 50nm können trotz der riesigen Apertur von 1 ,1 hervorragend dargestellt werden. Deutlich wird dies an geringen Queraberrationswerten und an einem Wellenfront-RMS-Wert von 2,6mλ bei 193nm über alle Bildhöhen.
Das vorgestellte Beispiel bietet weitere Entwicklungsmöglichkeiten in Richtung höherer Apertur und/oder geringerer Zahl der Grenzflächen. Beispielsweise können einige paarweise benachbarte Linsen zu jeweils einer einzigen Linse zusammengefasst werden, um auf diese Weise die Grenzflächenzahl jeweils um zwei zu reduzieren. Beispielsweise können die Linsen 23 und 24, die Linsen 18 und 19, die Linsen 13 und 14, die Linsen 26 und 27 und/oder die Linsen 11 und 12 jeweils zu einer Linse zusammengefasst werden. Gegebenenfalls sind hierbei asphärische Flächen zu verlegen oder zu modifizieren. Eine Zusammenfassung von Linsen ist besonders für kürzere Wellenlängen, z.B. 157nm günstig, bei denen Entspiegelung und Oberflächenrauhigkeit von Linsenoberflächen problematisch sein können. Gegebenenfalls kann bei höchsten Aperturen hinter der Blende eine weitere Positivlinse günstig sein, um bei Aperturerhöhungen möglichst wenig aperturbehaftete neue Aberrationen einzuführen.
Die Vorteile der Erfindung sind nicht nur bei rein refraktiven Projektionsobjektiven nutzbar, sondern auch bei katadioptrischen Projektionsobjektiven, insbesondere solchen, die mit geometrischer oder physikalischer (polarisationsselektiver) Strahlteilung arbeiten. Besonderheiten liegen vor allem bei Aufbau und Funktion im Bereich der bildnahen Systemblende und zwischen dieser und der Bildebene. Die vorgeschalteten Objektivteile, welche bei katadioptrischen Projektionsobjektiven mindestens einen abbildenden Spiegel umfassen, sollten zumindest eine Überkorrektur des Farblängsfehlers bereitstellen, um die entsprechende Unterkorrektur der letzten Linsengruppe zu kompensieren. Vorzugsweise sollte eine Petzval-Überkorrektur bereitgestellt werden, um einen Vorhalt für die Petzval-Unterkorrektur der letzten Linsengruppe bereitzustellen. Da diese, ähnlich wie eine einzelne Positivlinse, bezüglich sphärischer Aberration unterkorrigiert ist, sollte der vorgelagerte Objektivteil insgesamt sphärisch überkorrigierend wirken. Die Maßnahmen zur Erzielung dieser optischen Charakteristika sind dem Fachmann bekannt und werden daher hier nicht näher erläutert.
Figure imgf000024_0001
BRECHZAHL 1/2 FREIER
F AECHE RADIEN DICKEN GLAESER 193.304nm DURCHMESSER
0 0.000000000 27.200000000 L710 0.99998200 45.607
1 0.000000000 5.918415780 L710 0.99998200 53.333
2 -856.520151429AS 8.513391670 SI02HL 1.56028895 54.216
3 221.390186129 4.416825103 N2 1.00000320 58.807
4 388.002080060AS 7.500000000 SI02HL 1.56028895 62.597
5 145.662170604 35.066769313 N2 1.00000320 64.799
6 -156.528478897 13.825053459 SI02HL 1.56028895 68.237
7 -569.268909317AS 1.048245321 N2 1.00000320 84.737
8 -685.623617269 46.805975671 SI02HL 1.56028895 86.118
9 -204.957576367 0.709606715 N2 1.00000320 103.144
10 -880.911273998AS 54.777943597 SI02HL 1.56028895 125.013
11 -248.526945989 1.683182576 N2 1.00000320 131.423
12 224.822351709 54.871581452 SI02HL 1.56028895 156.309
13 512.337183722 33.734945339 N2 1.00000320 153.303
14 304.374483761 58.667551666 SI02HL 1.56028895 146.757
15 -6287.676161070AS 0.700000000 N2 1.00000320 140.984
16 129.979785804 69.743588545 SI02HL 1.56028895 112.463
17 138.594373293 2.395572054 N2 1.00000320 85.809
18 138.485177581 10.992090105 SI02HL 1.56028895 84.654
19 162.930027134AS 45.897552290 N2 1.00000320 78.232
20 -186.365747641 7.500000000 SI02HL 1.56028895 75.979
21 209.249850090 47.901412683 N2 1.00000320 70.469
22 -92.976145902 7.500000000 SI02HL 1.56028895 70.319
23 3940.003552383 22.698881573 N2 1.00000320 84.285
24 -210.566279065 13.458540900 SI02HL 1.56028895 86.301
25 -481.930608562 10.599713214 N2 1.00000320 98.309
26 -299.003037123 29.233512385 SI02H 1.56028895 100.896
27 -211.128540124AS 0.700000000 N2 1.00000320 111.974
28 -241.783293846 45.186608069 SI02HL 1.56028895 113.068
29 -142.093795869 0.700000000 N2 1.00000320 118.747
30 373.228657636 15.000000000 SI02HL 1.56028895 144.714
31 281.545559695 37.551434993 N2 1.00000320 144.973
32 2257.943358151AS 15.000000000 SI02HL 1.56028895 146.555
33 942.886809577 9.018344987 N2 1.00000320 151.237
34 1839.757565259 41.221307008 SI02HL 1.56028895 152.796
35 -572.892294825 0.700000000 N2 1.00000320 156.198
36 536.885209090 59.927790928 SI02HL 1.56028895 168.303
37 -588.394317091 0.700000003 N2 1.00000320 168.532
38 600.944472100 32.859055286 SI02HL 1.56028895 162.458
39 1435.651038119 39.540839130 N2 1.00000320 158.952
40 -542.595637794 21.000000000 SI02HL 1.56028895 157.309
41 -421.356226662AS 28.605920520 N2 1.00000320 156.999
42 -253.952587228 15.000000000 SI02HL 1.56028895 153.788
43 -804.677872363AS 32.000000000 N2 1.00000320 158.842
44 0.000000000 10.700000010 N2 1.00000320 162.250
45 439.828583479AS 60.615863511 SI02HL 1.56028895 169.169
46 -554.126799640AS 0.854609370 N2 1.00000320 169.058
47 251.288231110 66.707994802 SI02HL 1.56028895 152.022
48 -1261.158042833AS 0.700000000 N2 1.00000320 149.150
49 120.292681477 139.355322544 SI02HL 1.56028895 99.158
50 0.000000000 0.000000000 SI02HL 1.56028895 11.402
51 0.000000000 0.000000000 '' 1.00000000 11.402
Figure imgf000025_0001
FLAECHE NR. 2 FLAECHE NR. 15
K 0.0000 K 0. .0000
Cl -2.94971307e-008 Cl 1. ,77772008e-009
C2 -5.57984348e-011 C2 6, ,20555687e-014
C3 8.46982512e-015 C3 1. ,17962639e-018
C4 5.00708078e-019 C4 -3, .75710986e-023
C5 -3.78477968e-022 C5 8. .23659263e-027
C6 4.94732324e-026 C6 -3, .78043433e-031
C7 -2.07498764e-030 C7 5. .28341681e-036
C8 0.00000000e+000 C8 0. .00000000e+000
C9 0.00000000e+000 C9 0. .00000000e+000
FLAECHE NR. 4 FLAECHE NR. 19
K 0.0000 K 0 . 0000
Cl 2.26266925e-007 Cl 1. 12510953e-007
C2 4.12437333e-011 C2 5 . 25382772e-012
C3 -8.13482251e-015 C3 3. 54985200e-016
C4 -9.73333957e-019 C4 2 .17219317e-020
C5 5.21683282e-022 C5 3. 35596515e-024
C6 -6.98262222e-026 C6 -1. 94149952e-028
C7 3.24713110e-030 C7 4 . 47299373e-032
C8 0.00000000e+000 C8 0. 00000000e+000
C9 0.00000000e+000 C9 0 . 00000000e+000
FLAECHE NR. 7 FLAECHE NR. 27
K 0.0000 K 0.0000
Cl 2.14406930e-008 Cl 2.75008177e-008
C2 4.01486796e-013 C2 -4.51696088e-013
C3 -1.15749689e-016 C3 -5.50353634e-018
C4 -2.17404465e-020 C4 -2.48871975e-022
C5 4.76039865e-024 C5 -4.84285060e-026
C6 -4.04274950e-028 C6 4.35721702e-030
C7 2.26352156e-032 C7 -1.70355795e-034
C8 0.00000000e+000 C8 0.00000000e+000
C9 0.00000000e+000 C9 0.00000000e+000
FLAECHE NR. 10 FLAECHE NR. 32
K 0. .0000 K 0.0000
Cl 4. ,04801375e-008 Cl 4.61774725e-009
C2 3. ,59502309e-013 C2 -1.45428945e-013
C3 -4, .82739756e-017 C3 5.33766031e-018
C4 -2. .12222071e-021 C4 -1.05172907e-022
C5 3, .16153319e-025 C5 1.13262775e-027
C6 -1. .24031349e-029 C6 2.90828821e-032
C7 1. .72585585e-034 C7 -9.47335184e-037
C8 0. .00000000e+000 C8 0.00000000e+000
C9 0 .00000000e+000 C9 0.00000000e+000
Figure imgf000026_0001
FLAECHE NR. 41 FLAECHE NR. 48
K 0.0000 K 0.0000
Cl -1.74774919e~009 Cl 2.98238360e-010
C2 3.60065638e-015 C2 -6.63488568e-014
C3 -6.33371869e-019 C3 8.08884615e-018
C4 -2.58752868e-023 C4 -1.56791602e-022
C5 -1.29026764e-027 C5 -6.64400102e-029
C6 4.06422380e-032 C6 3.42882241e-032
C7 -2.03413277e-036 C7 -1.87278246e-037
C8 0.00000000e+000 C8 0.00000000e+000
C9 0.00000000e+000 C9 0.00000000e+000
FLAECHE NR. 43
K 0. .0000
Cl -1, ,52776855e-009
C2 3. ,99966157e-014
C3 -3. ,59152071e-019
C4 -2. .46490776e-023
C5 2. .62578515e-028
C6 9. .94510225e-032
C7 -1, .17559041e-036
C8 0, .00000000e+000
C9 0, .00000000e+000
FLAECHE NR. 45
K 0.0000
Cl -6.79036688e-009
C2 -4.98113790e-014
C3 2.59739233e-018
C4 -5.22422066e-023
C5 1.38345858e-028
C6 -9.60600374e-033
C7 4.93449545e-037
C8 0.00000000e+000
C9 0.00000000e+000
FLAECHE NR. 46
K 0.0000
Cl -1.23311338e-009
C2 9.47803783e-014
C3 -6.59387651e-020
C4 -4.20864177e-023
C5 -4.65343524e-028
C6 -7.27238546e-033
C7 5.62850375e-037
C8 0.00000000e+000
C9 0.00000000e+000

Claims

Patentansprüche
1. Projektionsobjektiv zur Abbildung eines in der Objektebene des Projektionsobjektivs angeordneten Musters in eine Bildebene des Projektionsobjektivs mit Ultraviolettlicht einer vorgegeben Arbeitswellenlänge, das Projektionsobjektiv mit: einer Vielzahl von optischen Elementen, die entlang einer optischen Achse angeordnet sind; und einer mit Abstand vor der Bildebene angeordneten Systemblende
(5) mit einem Blendendurchmesser; wobei die der Bildebene nächste optische Gruppe mit Brechkraft eine Plankonvexgruppe (34) mit einer im wesentlichen sphärischen Eintrittsfläche und einer im wesentlichen ebenen
Austrittsfläche ist; und wobei die Plankonvexgruppe (34) einen Durchmesser hat, der mindestens 50% des Blendendurchmessers beträgt.
2. Projektionsobjektiv nach Anspruch 1 , bei dem die Plankonvexgruppe durch eine einzige, vorzugsweise einstückige Plankonvexlinse (34) gebildet ist.
3. Projektionsobjektiv nach Anspruch 1 oder 2, bei dem zwischen der Systemblende (5) und der Bildebene (3) nur Linsen (32, 33, 34) mit positiver Brechkraft angeordnet sind, gegebenenfalls in Kombination mit mindestens einer planparallelen Platte.
4. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem zwischen der Systemblende (5) und der Bildebene (3), insbesondere zwischen Systemblende und Plankonvexgruppe (34), mindestens eine bikonvexe Positivlinse angeordnet ist, vorzugsweise zwei bikonvexe Positivlinsen (32, 33).
5. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine zwischen Systemblende (5) und Bildebene (3) angeordnete letzte Linsengruppe (LG7) maximal vier optische
Elemente mit Brechkraft aufweist, vorzugsweise nur drei Linsen
(32, 33, 34).
6. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine zwischen Systemblende (5) und Bildebene (3) angeordnete letzte Linsengruppe eine Brennweite hat, die weniger als 20%, insbesondere weniger als 15% der Baulänge des Projektionsobjektivs beträgt.
7. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem ein Abstand zwischen der Systemblende und der Bildebene (3) weniger als 25% der Baulänge und/oder weniger als 95% des Blendendurchmesser beträgt.
8. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem es sich um ein rein refraktives Projektionsobjektiv (1 ) handelt.
9. Projektionsobjektiv nach Anspruch 7, bei dem es sich um ein EinTaillen-System mit einem objektnahen Bauch (6), einem bildnahen Bauch (8) und einer dazwischenliegenden Taille (7) handelt.
10. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, das für eine Arbeitswellenlänge von 193nm ausgelegt ist.
11. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem alle transparenten optischen Elemente aus dem gleichen Material gefertigt sind, insbesondere aus synthetischem Quarzglas.
12. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, das eine bildseitige numerische Apertur NA > 0,85 hat, wobei vorzugsweise NA ≥ 1 ist.
13. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem ein bildseitiger Arbeitsabstand weniger als das Vierfache der Arbeitswellenlänge beträgt, wobei der Arbeitsabstand vorzugsweise kleiner als die Arbeitswellenlänge ist und insbesondere weniger als die Hälfte der Arbeitswellenlänge beträgt.
14. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Bildfelddurchmesser größer als 10mm, insbesondere größer als 20mm ist und/oder bei dem der Bildfelddurchmesser mehr als 1 %, insbesondere mehr als 1 ,5% der Baulänge des
Projektionsobjektivs und/oder mehr als 1 %, insbesondere mehr als 5% des größten Linsendurchmessers beträgt.
15. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem zwischen Systemblende (5) und Bildebene (3) mindestens eine doppelt-asphärische Linse (32) angeordnet ist, die vorzugsweise als Bikonvexlinse ausgebildet ist.
16. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die letzte optische Fläche vor der Systemblende (5) und die erste optische Fläche nach der Systemblende asphärisch sind, vorzugsweise mit von der Blende wegweisenden Krümmungen.
17. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem in einem Nahbereich vor der Systemblende (5), insbesondere unmittelbar vor der Systemblende, mindestens eine
Meniskuslinse (30, 31 ) mit objektwärts gerichteten Konkavflächen angeordnet ist.
18. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem mindestens eine Meniskusgruppe mit mindestens zwei aufeinanderfolgenden Meniskuslinsen (30, 31 ) mit objektseitigen Konkavflächen im Nahbereich der Systemblende (5), insbesondere unmittelbar vor der Systemblende angeordnet ist.
19. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem im Nahbereich vor der Systemblende (5) eine Positiv- Negativ-Meniskengruppe mit zwei Meniskuslinsen (30, 31 ) angeordnet ist, deren Linsenflächen objektseitig konkav sind.
20. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem zwischen der Taille (7) und der Bildebene (3) durch Einschnürung des Strahldurchmessers eine Hilfstaille (9) vorliegt, die vorzugsweise im Nahbereich vor der Systemblende (5) angeordnet ist.
21. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem zwischen der Taille (7) und der Systemblende (5) mindestens eine Meniskuslinse (25, 26) mit negativer Brechkraft und bildwärts gerichteten Konkavflächen angeordnet ist.
22. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem zwischen der Taille (7) und der Systemblende (5) eine Meniskengruppe mindestens zwei Meniskuslinsen (25, 26) mit negativer Brechkraft und bildwärts gerichteten Konkavflächen angeordnet ist, wobei vorzugsweise die Brechkraft des objektseitigen Meniskus dieser Meniskengruppe mindestens 30% größer ist als die Brechkraft einer darauffolgenden Meniskuslinse (26) der Meniskengruppe.
23. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem zwischen der Taille (7) und der Systemblende (5) in der Nähe der Taille mindestens eine Positiv-Meniskuslinse (23, 24) mit objektseitiger Konkavfläche angeordnet ist.
24. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem zwischen der Taille (7) und der Systemblende (5) in dieser Reihenfolge mindestens eine Meniskuslinse (23, 24) mit objektseitiger Konkavfläche und darauffolgend mindestens eine Meniskuslinse (25, 26) mit bildseitiger Konkavfläche angeordnet ist, wobei vorzugsweise die mindestens eine Meniskuslinse mit objektseitiger Konkavfläche positive Brechkraft und die mindestens eine Meniskuslinse mit bildseitiger Konkavfläche negative Brechkraft hat.
25. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei im Bereich der Taille (7) eine Negativgruppe mit mindestens zwei Negativlinsen (20, 21 , 22) angeordnet ist, wobei die Negativgruppe vorzugsweise mindestens drei aufeinanderfolgende Negativlinsen aufweist.
26. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine der Objektebene (2) folgende erste Linsengruppe (LG1 ) mindestens zwei, vorzugsweise drei oder mehr Negativlinsen (11 , 12, 13) aufweist.
27. Projektionsobjektiv nach Anspruch 26, bei dem in der ersten Linsengruppe (LG1 ) mindestens eine der auf die Objektebene folgenden ersten vier optischen Flächen asphärisch ist, wobei vorzugsweise in der ersten Linsengruppe mindestens zwei optische Flächen asphärisch sind.
28. Projektionsobjektiv nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem im Bereich großer Strahldurchmesser im Nahbereich der Objektebene (2) mindestens eine Meniskuslinse (16) mit positiver Brechkraft und bildseitiger Konkavfläche angeordnet ist.
29. Projektionsobjektiv nach Anspruch 28, bei dem die zur Bildebene gerichtete konvexe Fläche der Meniskuslinse (16) einen Radius hat, der kleiner als 50% der Baulänge des Projektionsobjektivs ist.
30. Projektionsobjektiv zur obskurationsfreien Abbildung eines in der Objektebene des Projektionsobjektivs angeordneten Musters in eine Bildebene des Projektionsobjektivs mit Ultraviolettlicht einer vorgegeben Arbeitswellenlänge, das Projektionsobjektiv mit: einer Vielzahl von optischen Elementen, die entlang einer optischen Achse angeordnet sind; und einer mit Abstand vor der Bildebene (3) angeordneten
Systemblende (5); wobei zwischen der Systemblende (5) und der Bildebene (3) nur Linsen (32, 33, 34) mit positiver Brechkraft angeordnet sind, gegebenenfalls zusätzlich zu mindestens einer planparallelen Platte.
31. Projektionsobjektiv zur Abbildung eines in der Objektebene dei Projektionsobjektivs angeordneten Musters in eine Bildebene dei Projektionsobjektivs mit Ultraviolettlicht einer vorgegebei Arbeitswellenlänge, das Projektionsobjektiv mit: einer Vielzahl von optischen Elementen, die entlang eine optischen Achse angeordnet sind; und einer mit Abstand vor der Bildebene (3) angeordneter
Systemblende (5); wobei unmittelbar vor der Systemblende mindestens eine Meniskusgruppe mit mindestens zwei aufeinanderfolgender
Meniskuslinsen (30, 31 ) mit objektseitigen Konkavflächer angeordnet ist.
32. Projektionsobjektiv nach Anspruch 31 , bei dem die Meniskusgruppe eine Positiv-Negativ-Meniskengruppe mit zwe
Meniskuslinsen (30, 31 ) ist, deren Linsenflächen objektseitic konkav sind.
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WO (2) WO2003077036A1 (de)

Cited By (126)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6891683B2 (en) 2002-03-01 2005-05-10 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective with a waist
US6952253B2 (en) 2002-11-12 2005-10-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
JP2005286026A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Canon Inc 露光装置
WO2005103788A1 (de) * 2004-04-26 2005-11-03 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zum verbinden eines optischen elements mit einer haltestruktur
US7009682B2 (en) 2002-11-18 2006-03-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7012673B2 (en) 2003-06-27 2006-03-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7034917B2 (en) 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7038760B2 (en) 2003-06-30 2006-05-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7075616B2 (en) 2002-11-12 2006-07-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7081943B2 (en) 2002-11-12 2006-07-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110087B2 (en) 2003-06-30 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7119876B2 (en) 2004-10-18 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7119874B2 (en) 2003-06-27 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7133114B2 (en) 2004-09-20 2006-11-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7145630B2 (en) 2004-11-23 2006-12-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7158211B2 (en) 2003-09-29 2007-01-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7161663B2 (en) 2004-07-22 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7161654B2 (en) 2004-12-02 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7175968B2 (en) 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
US7184122B2 (en) 2003-07-24 2007-02-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7187503B2 (en) 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
US7190527B2 (en) 2002-03-01 2007-03-13 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective
US7193232B2 (en) 2002-11-12 2007-03-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method with substrate measurement not through liquid
US7193681B2 (en) 2003-09-29 2007-03-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7199858B2 (en) 2002-11-12 2007-04-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7209292B2 (en) 2002-12-09 2007-04-24 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective, especially for microlithography, and method for adjusting a projection objective
US7209213B2 (en) 2004-10-07 2007-04-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007514192A (ja) * 2003-12-15 2007-05-31 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 高開口数と平面状端面とを有する投影対物レンズ
US7227619B2 (en) 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7248334B2 (en) 2004-12-07 2007-07-24 Asml Netherlands B.V. Sensor shield
US7251013B2 (en) 2004-11-12 2007-07-31 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7295283B2 (en) 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7301707B2 (en) 2004-09-03 2007-11-27 Carl Zeiss Smt Ag Projection optical system and method
US7304715B2 (en) 2004-08-13 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7352435B2 (en) 2003-10-15 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7355674B2 (en) 2004-09-28 2008-04-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program product
US7359030B2 (en) 2002-11-29 2008-04-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7365827B2 (en) 2004-12-08 2008-04-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7379159B2 (en) 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7379155B2 (en) 2004-10-18 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2008527403A (ja) * 2004-12-30 2008-07-24 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 投影光学系
US7414699B2 (en) 2004-11-12 2008-08-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7423720B2 (en) 2004-11-12 2008-09-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7433015B2 (en) 2003-10-15 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7463423B2 (en) 2005-06-14 2008-12-09 Carl Zeiss Smt Ag Lithography projection objective, and a method for correcting image defects of the same
US7508489B2 (en) 2004-12-13 2009-03-24 Carl Zeiss Smt Ag Method of manufacturing a miniaturized device
US7508488B2 (en) 2004-10-13 2009-03-24 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure system and method of manufacturing a miniaturized device
US7522261B2 (en) 2004-09-24 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7535644B2 (en) 2005-08-12 2009-05-19 Asml Netherlands B.V. Lens element, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7551361B2 (en) 2003-09-09 2009-06-23 Carl Zeiss Smt Ag Lithography lens system and projection exposure system provided with at least one lithography lens system of this type
US7583357B2 (en) 2004-11-12 2009-09-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7589818B2 (en) 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7738074B2 (en) 2003-07-16 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7751032B2 (en) 2004-12-15 2010-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7751127B2 (en) 2005-08-17 2010-07-06 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective and method for optimizing a system aperture stop of a projection objective
US7773195B2 (en) 2005-11-29 2010-08-10 Asml Holding N.V. System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography
US7782538B2 (en) 2003-12-15 2010-08-24 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective having a high aperture and a planar end surface
US7804574B2 (en) 2003-05-30 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using acidic liquid
US7812925B2 (en) 2003-06-19 2010-10-12 Nikon Corporation Exposure apparatus, and device manufacturing method
US7817245B2 (en) 2003-09-29 2010-10-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7855777B2 (en) 2003-07-09 2010-12-21 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
US7894040B2 (en) 2004-10-05 2011-02-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7898643B2 (en) 2003-06-27 2011-03-01 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
US7907254B2 (en) 2003-02-26 2011-03-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7932989B2 (en) 2003-04-11 2011-04-26 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
US7993008B2 (en) 2003-08-26 2011-08-09 Nikon Corporation Optical element and exposure apparatus
US8004649B2 (en) 2003-06-19 2011-08-23 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
US8018657B2 (en) 2003-04-17 2011-09-13 Nikon Corporation Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography
US8035795B2 (en) 2003-04-11 2011-10-11 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the protection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
US8040491B2 (en) 2003-06-13 2011-10-18 Nikon Corporation Exposure method, substrate stage, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8039807B2 (en) 2003-09-29 2011-10-18 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8045136B2 (en) 2004-02-02 2011-10-25 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8054447B2 (en) 2003-12-03 2011-11-08 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, method for producing device, and optical part
US8072576B2 (en) 2003-05-23 2011-12-06 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US8085381B2 (en) 2003-04-11 2011-12-27 Nikon Corporation Cleanup method for optics in immersion lithography using sonic device
US8120751B2 (en) 2003-07-09 2012-02-21 Nikon Corporation Coupling apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method
US8149381B2 (en) 2003-08-26 2012-04-03 Nikon Corporation Optical element and exposure apparatus
US8203693B2 (en) 2005-04-19 2012-06-19 Asml Netherlands B.V. Liquid immersion lithography system comprising a tilted showerhead relative to a substrate
US8208124B2 (en) 2003-08-29 2012-06-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8446579B2 (en) 2008-05-28 2013-05-21 Nikon Corporation Inspection device and inspecting method for spatial light modulator, illumination optical system, method for adjusting the illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8451427B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
US8451424B2 (en) 2003-07-28 2013-05-28 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus
US8462317B2 (en) 2007-10-16 2013-06-11 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8508718B2 (en) 2003-07-08 2013-08-13 Nikon Corporation Wafer table having sensor for immersion lithography
US8520291B2 (en) 2007-10-16 2013-08-27 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8520184B2 (en) 2004-06-09 2013-08-27 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with measuring device
JP2013191871A (ja) * 2013-05-13 2013-09-26 Nikon Corp 反射屈折型の投影光学系、露光装置、および露光方法
US20130271945A1 (en) 2004-02-06 2013-10-17 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US8675177B2 (en) 2003-04-09 2014-03-18 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and method for fabricating device with light amount distribution having light larger in first and second pairs of areas
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US8836929B2 (en) 2002-12-20 2014-09-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Device and method for the optical measurement of an optical system by using an immersion fluid
US8854601B2 (en) 2005-05-12 2014-10-07 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US8860922B2 (en) 2003-10-28 2014-10-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8860923B2 (en) 2003-10-28 2014-10-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8937704B2 (en) 2003-07-31 2015-01-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a resistivity sensor
US8941811B2 (en) 2004-12-20 2015-01-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8941810B2 (en) 2005-12-30 2015-01-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8947637B2 (en) 2003-08-29 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8953144B2 (en) 2003-08-29 2015-02-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8964163B2 (en) 2003-07-28 2015-02-24 Asml Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method with a projection system having a part movable relative to another part
US8964164B2 (en) 2003-05-13 2015-02-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9097992B2 (en) 2004-08-19 2015-08-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9097981B2 (en) 2007-10-12 2015-08-04 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9104117B2 (en) 2004-07-07 2015-08-11 Bob Streefkerk Lithographic apparatus having a liquid detection system
US9110389B2 (en) 2003-06-11 2015-08-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9116346B2 (en) 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9140993B2 (en) 2003-10-28 2015-09-22 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9164209B2 (en) 2003-11-20 2015-10-20 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power having different thicknesses to rotate linear polarization direction
US9207543B2 (en) 2004-04-14 2015-12-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a groove to collect liquid
US9250537B2 (en) 2004-07-12 2016-02-02 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and method with detection of liquid on members of the apparatus
US9256136B2 (en) 2010-04-22 2016-02-09 Asml Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method involving gas supply
US9429495B2 (en) 2004-06-04 2016-08-30 Carl Zeiss Smt Gmbh System for measuring the image quality of an optical imaging system
US9465301B2 (en) 2003-12-23 2016-10-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9507270B2 (en) 2004-06-16 2016-11-29 Asml Netherlands B.V. Vacuum system for immersion photolithography
US9623436B2 (en) 2004-05-18 2017-04-18 Asml Netherlands B.V. Active drying station and method to remove immersion liquid using gas flow supply with gas outlet between two gas inlets
US9746781B2 (en) 2005-01-31 2017-08-29 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US10451973B2 (en) 2005-05-03 2019-10-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10495981B2 (en) 2005-03-04 2019-12-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Families Citing this family (135)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7203007B2 (en) * 2000-05-04 2007-04-10 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure machine comprising a projection lens
KR100866818B1 (ko) * 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
JP2005536775A (ja) 2002-08-23 2005-12-02 株式会社ニコン 投影光学系、フォトリソグラフィ方法および露光装置、並びに露光装置を用いた方法
US7372541B2 (en) * 2002-11-12 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20120127755A (ko) * 2002-12-10 2012-11-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
WO2004053952A1 (ja) * 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US7242455B2 (en) 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US7948604B2 (en) * 2002-12-10 2011-05-24 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
KR101101737B1 (ko) * 2002-12-10 2012-01-05 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
KR20130010039A (ko) 2002-12-10 2013-01-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
DE10308610B4 (de) * 2003-02-27 2006-04-13 Carl Zeiss Immersionsflüssigkeit für die Mikroskopie bei Wasserimmersion
JP4353179B2 (ja) 2003-03-25 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
ATE426914T1 (de) * 2003-04-07 2009-04-15 Nikon Corp Belichtungsgerat und verfahren zur herstellung einer vorrichtung
WO2004093159A2 (en) 2003-04-09 2004-10-28 Nikon Corporation Immersion lithography fluid control system
KR20180089562A (ko) 2003-04-10 2018-08-08 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템
EP2921905B1 (de) 2003-04-10 2017-12-27 Nikon Corporation Ablaufweg zum sammeln von flüssigkeiten für eine immersionslithografievorrichtung
WO2004090633A2 (en) * 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus
KR101323993B1 (ko) 2003-04-10 2013-10-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
US7348575B2 (en) 2003-05-06 2008-03-25 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
KR101516140B1 (ko) 2003-05-06 2015-05-04 가부시키가이샤 니콘 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법
WO2004102646A1 (ja) * 2003-05-15 2004-11-25 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
TW201515064A (zh) 2003-05-23 2015-04-16 尼康股份有限公司 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法
KR101548832B1 (ko) 2003-05-28 2015-09-01 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
US7317504B2 (en) 2004-04-08 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1639391A4 (de) * 2003-07-01 2009-04-29 Nikon Corp Verwendung isotopisch spezifizierter fluide als optische elemente
EP1646075B1 (de) 2003-07-09 2011-06-15 Nikon Corporation Belichtungsvorrichtung und verfahren zur bauelementeherstellung
EP3346485A1 (de) 2003-07-25 2018-07-11 Nikon Corporation Inspektionsverfahren und inspektionsvorrichtung für optisches projektionssystem und herstellungsverfahren für optisches projektionssystem
US7326522B2 (en) * 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
US7700267B2 (en) * 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7579135B2 (en) * 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
EP1670039B1 (de) 2003-08-29 2014-06-04 Nikon Corporation Belichtungsvorrichtung und bauelemente-herstellungsverfahren
KR101238114B1 (ko) 2003-09-03 2013-02-27 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
JP4444920B2 (ja) 2003-09-19 2010-03-31 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US8208198B2 (en) 2004-01-14 2012-06-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective
TW200513809A (en) * 2003-09-29 2005-04-16 Nippon Kogaku Kk Liquid-soaked lens system and projecting exposure apparatus as well as component manufacturing method
US7056646B1 (en) 2003-10-01 2006-06-06 Advanced Micro Devices, Inc. Use of base developers as immersion lithography fluid
ITMI20031914A1 (it) * 2003-10-03 2005-04-04 Solvay Solexis Spa Perfluoropolieteri.
WO2005036623A1 (ja) 2003-10-08 2005-04-21 Zao Nikon Co., Ltd. 基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
JP2005136364A (ja) * 2003-10-08 2005-05-26 Zao Nikon Co Ltd 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
EP1672681B8 (de) 2003-10-08 2011-09-21 Miyagi Nikon Precision Co., Ltd. Belichtungsgerät, substrattrageverfahren, belichtungsverfahren und verfahren zur herstellung einer vorrichtung
TW201738932A (zh) 2003-10-09 2017-11-01 Nippon Kogaku Kk 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法
KR101129946B1 (ko) * 2003-10-22 2012-03-27 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 액침 리소그래피용 굴절 투영 대물렌즈
US7113259B2 (en) * 2003-10-31 2006-09-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7528929B2 (en) 2003-11-14 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005054956A2 (en) * 2003-12-02 2005-06-16 Carl Zeiss Smt Ag Projection optical system
KR101111363B1 (ko) * 2003-12-15 2012-04-12 가부시키가이샤 니콘 투영노광장치 및 스테이지 장치, 그리고 노광방법
US20070081133A1 (en) * 2004-12-14 2007-04-12 Niikon Corporation Projection exposure apparatus and stage unit, and exposure method
US7385764B2 (en) * 2003-12-15 2008-06-10 Carl Zeiss Smt Ag Objectives as a microlithography projection objective with at least one liquid lens
JP4720506B2 (ja) 2003-12-15 2011-07-13 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置、及び露光方法
JP2005189850A (ja) * 2003-12-15 2005-07-14 Carl Zeiss Smt Ag 液浸リソグラフィー用屈折性投影対物レンズ
JP5102492B2 (ja) * 2003-12-19 2012-12-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ
US7460206B2 (en) * 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
US7394521B2 (en) * 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4429023B2 (ja) * 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US20080151364A1 (en) 2004-01-14 2008-06-26 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective
KR101204157B1 (ko) 2004-01-20 2012-11-22 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 마이크로 리소그래픽 투영 노광 장치 및 그 투영 렌즈를 위한 측정 장치
US20050161644A1 (en) 2004-01-23 2005-07-28 Peng Zhang Immersion lithography fluids
TWI259319B (en) * 2004-01-23 2006-08-01 Air Prod & Chem Immersion lithography fluids
KR101276392B1 (ko) 2004-02-03 2013-06-19 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
EP1723467A2 (de) * 2004-02-03 2006-11-22 Rochester Institute of Technology Ein fluid verwendendes photolithographieverfahren und system dafür
CN100592210C (zh) * 2004-02-13 2010-02-24 卡尔蔡司Smt股份公司 微平版印刷投影曝光装置的投影物镜
EP1714192A1 (de) * 2004-02-13 2006-10-25 Carl Zeiss SMT AG Projektionsobjektiv für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsvorrichtung
US7741012B1 (en) 2004-03-01 2010-06-22 Advanced Micro Devices, Inc. Method for removal of immersion lithography medium in immersion lithography processes
US7215431B2 (en) 2004-03-04 2007-05-08 Therma-Wave, Inc. Systems and methods for immersion metrology
US8488102B2 (en) * 2004-03-18 2013-07-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
KR101707294B1 (ko) 2004-03-25 2017-02-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
WO2005098504A1 (en) 2004-04-08 2005-10-20 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system with mirror group
US20060244938A1 (en) * 2004-05-04 2006-11-02 Karl-Heinz Schuster Microlitographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore
WO2005111722A2 (en) 2004-05-04 2005-11-24 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
KR101376931B1 (ko) 2004-05-17 2014-03-25 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈
US7486381B2 (en) * 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050260528A1 (en) * 2004-05-22 2005-11-24 Hynix Semiconductor Inc. Liquid composition for immersion lithography and lithography method using the same
WO2005119369A1 (en) * 2004-06-04 2005-12-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection system with compensation of intensity variatons and compensation element therefor
EP1768171A4 (de) * 2004-06-10 2008-01-09 Nikon Corp Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und bauelementeherstellungsverfahren
DE102004031688B4 (de) * 2004-06-30 2006-06-14 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Anpassung von Strukturabmessungen bei der photolithographischen Projektion eines Musters von Strukturelementen auf einen Halbleiterwafer
EP1626571A1 (de) * 2004-08-13 2006-02-15 STMicroelectronics Limited Bildaufzeichnungskombination
KR20070048164A (ko) 2004-08-18 2007-05-08 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US20060044533A1 (en) * 2004-08-27 2006-03-02 Asmlholding N.V. System and method for reducing disturbances caused by movement in an immersion lithography system
US7529030B2 (en) * 2004-09-06 2009-05-05 Olympus Corporation Optical apparatus with optical element made of a medium exhibiting negative refraction
US20060060653A1 (en) * 2004-09-23 2006-03-23 Carl Wittenberg Scanner system and method for simultaneously acquiring data images from multiple object planes
JP2008516420A (ja) * 2004-10-05 2008-05-15 カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー マイクロリソグラフィ投影露光装置
US7128427B2 (en) * 2004-11-05 2006-10-31 Sematech, Inc. Method and apparatus for fluid handling in immersion lithography
JP4868209B2 (ja) * 2004-11-10 2012-02-01 株式会社ニコン 投影光学系、露光装置、および露光方法
EP1816502B1 (de) * 2004-11-10 2011-06-22 Nikon Corporation Optisches projektionssystem, belichtungsgeräte und belichtungsverfahren
US7397533B2 (en) * 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG124351A1 (en) 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060158615A1 (en) * 2005-01-18 2006-07-20 Williamson David M Catadioptric 1x projection system and method
US7282701B2 (en) * 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
EP1720069A2 (de) 2005-04-07 2006-11-08 Carl Zeiss SMT AG Methode zur Herstellung eines Projektionsobjektivs
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102005017752B4 (de) 2005-04-15 2016-08-04 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Optisches Bauteil aus Quarzglas, Verfahren zur Herstellung des Bauteils und Verwendung desselben
DE102006013560A1 (de) * 2005-04-19 2006-10-26 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage sowie Verfahren zu dessen Herstellung
TWI454731B (zh) 2005-05-27 2014-10-01 Zeiss Carl Smt Gmbh 用於改進投影物鏡的成像性質之方法以及該投影物鏡
US20070013882A1 (en) * 2005-06-07 2007-01-18 Carl Zeiss Smt Ag Method of manufacturing projection objectives and set of projection objectives manufactured by that method
US7385673B2 (en) * 2005-06-10 2008-06-10 International Business Machines Corporation Immersion lithography with equalized pressure on at least projection optics component and wafer
US7262422B2 (en) * 2005-07-01 2007-08-28 Spansion Llc Use of supercritical fluid to dry wafer and clean lens in immersion lithography
US7357768B2 (en) * 2005-09-22 2008-04-15 William Marshall Recliner exerciser
US8202460B2 (en) * 2005-09-22 2012-06-19 International Business Machines Corporation Microelectronic substrate having removable edge extension element
US20070124987A1 (en) * 2005-12-05 2007-06-07 Brown Jeffrey K Electronic pest control apparatus
KR100768849B1 (ko) * 2005-12-06 2007-10-22 엘지전자 주식회사 계통 연계형 연료전지 시스템의 전원공급장치 및 방법
WO2007071569A1 (en) * 2005-12-23 2007-06-28 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus
US7893047B2 (en) * 2006-03-03 2011-02-22 Arch Chemicals, Inc. Biocide composition comprising pyrithione and pyrrole derivatives
DE102006021797A1 (de) 2006-05-09 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung
US8072577B2 (en) * 2006-06-05 2011-12-06 Macronix International Co., Ltd. Lithography systems and processes
EP1906251A1 (de) * 2006-09-26 2008-04-02 Carl Zeiss SMT AG Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungssystem
US20080084549A1 (en) * 2006-10-09 2008-04-10 Rottmayer Robert E High refractive index media for immersion lithography and method of immersion lithography using same
US8654305B2 (en) 2007-02-15 2014-02-18 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography
US8817226B2 (en) 2007-02-15 2014-08-26 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography
US8237911B2 (en) 2007-03-15 2012-08-07 Nikon Corporation Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine
DE102008001216A1 (de) * 2007-04-18 2008-10-23 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie
WO2008138560A1 (de) * 2007-05-14 2008-11-20 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv und projektionsbelichtungsanlage für die mikrolithographie
US7760425B2 (en) * 2007-09-05 2010-07-20 Carl Zeiss Smt Ag Chromatically corrected catadioptric objective and projection exposure apparatus including the same
JP5013119B2 (ja) * 2007-09-20 2012-08-29 信越化学工業株式会社 パターン形成方法並びにこれに用いるレジスト材料
JP5228995B2 (ja) * 2008-03-05 2013-07-03 信越化学工業株式会社 重合性モノマー化合物、パターン形成方法並びにこれに用いるレジスト材料
KR101448152B1 (ko) * 2008-03-26 2014-10-07 삼성전자주식회사 수직 포토게이트를 구비한 거리측정 센서 및 그를 구비한입체 컬러 이미지 센서
EP2128703A1 (de) 2008-05-28 2009-12-02 ASML Netherlands BV Lithographische Vorrichtung und Betriebsverfahren für die Vorrichtung
JP5253081B2 (ja) * 2008-10-14 2013-07-31 キヤノン株式会社 投影光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
JP5218227B2 (ja) * 2008-12-12 2013-06-26 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
CA2784148A1 (en) * 2009-12-28 2011-07-28 Pioneer Hi-Bred International, Inc. Sorghum fertility restorer genotypes and methods of marker-assisted selection
CN102298198B (zh) * 2010-06-22 2013-05-22 上海微电子装备有限公司 一种大视场光刻投影物镜
US8476004B2 (en) 2011-06-27 2013-07-02 United Microelectronics Corp. Method for forming photoresist patterns
DE102012006244A1 (de) * 2012-03-21 2013-09-26 Jenoptik Optical Systems Gmbh Farbkorrigiertes F-Theta-Objektiv für die Lasermaterialbearbeitung
KR101407076B1 (ko) * 2012-05-24 2014-06-13 주식회사 비엘시스템 근적외선을 이용한 인쇄판 프린터용 고해상도 노광장치
US8701052B1 (en) 2013-01-23 2014-04-15 United Microelectronics Corp. Method of optical proximity correction in combination with double patterning technique
US8627242B1 (en) 2013-01-30 2014-01-07 United Microelectronics Corp. Method for making photomask layout
US9230812B2 (en) 2013-05-22 2016-01-05 United Microelectronics Corp. Method for forming semiconductor structure having opening
CN103499876B (zh) * 2013-10-10 2015-07-29 中国科学院光电技术研究所 一种大数值孔径的纯折射式投影光学系统
DE102017106837B4 (de) * 2017-03-30 2023-02-23 Carl Zeiss Jena Gmbh Linsensystem für ein Makroobjektiv für den industriellen Einsatz bei der Qualitätssicherung im Produktionsprozess, Makroobjektiv sowie System
DE102017207582A1 (de) * 2017-05-05 2018-11-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv, Projektionsbelichtungsanlage und Projektionsbelichtungsverfahren
CN109581622B (zh) 2017-09-29 2020-12-04 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种投影物镜
CN113900227B (zh) * 2021-10-09 2022-07-05 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 一种大视场高分辨宽波段的物镜
CN114563866B (zh) * 2022-03-14 2024-02-20 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） 投影物镜系统

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5986824A (en) * 1998-06-04 1999-11-16 Nikon Corporation Large NA projection lens system with aplanatic lens element for excimer laser lithography
US6008884A (en) * 1997-04-25 1999-12-28 Nikon Corporation Projection lens system and apparatus
EP1061396A2 (de) * 1999-06-14 2000-12-20 Canon Kabushiki Kaisha Système de projection optique et appareil d'exposition par projection l'utilisant
WO2001051979A2 (en) * 2000-01-14 2001-07-19 Carl Zeiss Microlithographic reduction projection catadioptric objective
WO2001065296A1 (fr) * 2000-03-03 2001-09-07 Nikon Corporation Systeme optique de reflexion/refraction et dispositif d'exposition par projection contenant celui-ci
US20020005938A1 (en) * 2000-05-30 2002-01-17 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus incorporating this projection optical system, and manufacturing method for micro devices using the exposure apparatus
US20020024741A1 (en) * 2000-02-16 2002-02-28 Chiaki Terasawa Projection optical system and projection exposure apparatus

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0023231B1 (de) * 1979-07-27 1982-08-11 Tabarelli, Werner, Dr. Optisches Lithographieverfahren und Einrichtung zum Kopieren eines Musters auf eine Halbleiterscheibe
US4509852A (en) * 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
JPS57153433A (en) * 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
US5121256A (en) * 1991-03-14 1992-06-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lithography system employing a solid immersion lens
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP3747951B2 (ja) 1994-11-07 2006-02-22 株式会社ニコン 反射屈折光学系
DE4417489A1 (de) 1994-05-19 1995-11-23 Zeiss Carl Fa Höchstaperturiges katadioptrisches Reduktionsobjektiv für die Miktrolithographie
US6631036B2 (en) 1996-09-26 2003-10-07 Carl-Zeiss-Stiftung Catadioptric objective
US6169627B1 (en) 1996-09-26 2001-01-02 Carl-Zeiss-Stiftung Catadioptric microlithographic reduction objective
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP3747566B2 (ja) * 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
US5900354A (en) 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
US6700645B1 (en) 1998-01-22 2004-03-02 Nikon Corporation Projection optical system and exposure apparatus and method
WO1999049504A1 (fr) * 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
US6097537A (en) 1998-04-07 2000-08-01 Nikon Corporation Catadioptric optical system
EP0989434B1 (de) 1998-07-29 2006-11-15 Carl Zeiss SMT AG Catadioptrisches System und dieses verwendender Belichtungsapparat
EP1006388A3 (de) 1998-11-30 2002-05-02 Carl Zeiss Reduktions-Projektionsobjektiv der Mikrolithographie
DE19855108A1 (de) 1998-11-30 2000-05-31 Zeiss Carl Fa Mikrolithographisches Reduktionsobjektiv, Projektionsbelichtungsanlage und -Verfahren
JP3423644B2 (ja) 1999-06-14 2003-07-07 キヤノン株式会社 投影光学系及びそれを用いた投影露光装置
JP2001023887A (ja) 1999-07-09 2001-01-26 Nikon Corp 投影光学系、該光学系を備える投影露光装置及び露光方法
WO2001023933A1 (fr) * 1999-09-29 2001-04-05 Nikon Corporation Systeme optique de projection
WO2001023935A1 (fr) 1999-09-29 2001-04-05 Nikon Corporation Procede et dispositif d'exposition par projection, et systeme optique de projection
EP1094350A3 (de) * 1999-10-21 2001-08-16 Carl Zeiss Optisches Projektionslinsensystem
TW448307B (en) 1999-12-21 2001-08-01 Zeiss Stiftung Optical projection system
US6995930B2 (en) * 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US6486940B1 (en) 2000-07-21 2002-11-26 Svg Lithography Systems, Inc. High numerical aperture catadioptric lens
JP4245286B2 (ja) 2000-10-23 2009-03-25 株式会社ニコン 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置
KR100866818B1 (ko) 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
JP2002244035A (ja) 2000-12-11 2002-08-28 Nikon Corp 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置
JP2002323653A (ja) 2001-02-23 2002-11-08 Nikon Corp 投影光学系，投影露光装置および投影露光方法
US20020163629A1 (en) * 2001-05-07 2002-11-07 Michael Switkes Methods and apparatus employing an index matching medium
JP2003185920A (ja) 2001-12-18 2003-07-03 Nikon Corp 結像光学系及び投影露光装置
JP4016179B2 (ja) * 2002-02-28 2007-12-05 ソニー株式会社 露光装置及び収束レンズの制御方法
WO2003075097A2 (de) 2002-03-01 2003-09-12 Carl Zeiss Smt Ag Refraktives projektionsobjektiv mit einer taille
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
JP2005536775A (ja) 2002-08-23 2005-12-02 株式会社ニコン 投影光学系、フォトリソグラフィ方法および露光装置、並びに露光装置を用いた方法
JP3982362B2 (ja) 2002-08-23 2007-09-26 住友電気工業株式会社 光データリンク

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6008884A (en) * 1997-04-25 1999-12-28 Nikon Corporation Projection lens system and apparatus
US5986824A (en) * 1998-06-04 1999-11-16 Nikon Corporation Large NA projection lens system with aplanatic lens element for excimer laser lithography
EP1061396A2 (de) * 1999-06-14 2000-12-20 Canon Kabushiki Kaisha Système de projection optique et appareil d'exposition par projection l'utilisant
WO2001051979A2 (en) * 2000-01-14 2001-07-19 Carl Zeiss Microlithographic reduction projection catadioptric objective
US20020024741A1 (en) * 2000-02-16 2002-02-28 Chiaki Terasawa Projection optical system and projection exposure apparatus
WO2001065296A1 (fr) * 2000-03-03 2001-09-07 Nikon Corporation Systeme optique de reflexion/refraction et dispositif d'exposition par projection contenant celui-ci
US20020005938A1 (en) * 2000-05-30 2002-01-17 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus incorporating this projection optical system, and manufacturing method for micro devices using the exposure apparatus

Cited By (405)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7187503B2 (en) 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
US7408716B2 (en) 1999-12-29 2008-08-05 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
US6891683B2 (en) 2002-03-01 2005-05-10 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective with a waist
US7382540B2 (en) 2002-03-01 2008-06-03 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective
US7190527B2 (en) 2002-03-01 2007-03-13 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective
US10620545B2 (en) 2002-11-12 2020-04-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10191389B2 (en) 2002-11-12 2019-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10788755B2 (en) 2002-11-12 2020-09-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10261428B2 (en) 2002-11-12 2019-04-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7075616B2 (en) 2002-11-12 2006-07-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7081943B2 (en) 2002-11-12 2006-07-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9360765B2 (en) 2002-11-12 2016-06-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9097987B2 (en) 2002-11-12 2015-08-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9740107B2 (en) 2002-11-12 2017-08-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7932999B2 (en) 2002-11-12 2011-04-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9885965B2 (en) 2002-11-12 2018-02-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9091940B2 (en) 2002-11-12 2015-07-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method involving a fluid inlet and a fluid outlet
US7795603B2 (en) 2002-11-12 2010-09-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9195153B2 (en) 2002-11-12 2015-11-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9057967B2 (en) 2002-11-12 2015-06-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7482611B2 (en) 2002-11-12 2009-01-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10962891B2 (en) 2002-11-12 2021-03-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9366972B2 (en) 2002-11-12 2016-06-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7193232B2 (en) 2002-11-12 2007-03-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method with substrate measurement not through liquid
US6952253B2 (en) 2002-11-12 2005-10-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7199858B2 (en) 2002-11-12 2007-04-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7224436B2 (en) 2002-11-12 2007-05-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9588442B2 (en) 2002-11-12 2017-03-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10222706B2 (en) 2002-11-12 2019-03-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7119881B2 (en) 2002-11-18 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7009682B2 (en) 2002-11-18 2006-03-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7359030B2 (en) 2002-11-29 2008-04-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7209292B2 (en) 2002-12-09 2007-04-24 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective, especially for microlithography, and method for adjusting a projection objective
US7310187B2 (en) 2002-12-09 2007-12-18 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective, especially for microlithography, and method for adjusting a projection objective
US8836929B2 (en) 2002-12-20 2014-09-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Device and method for the optical measurement of an optical system by using an immersion fluid
US7907253B2 (en) 2003-02-26 2011-03-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US9766555B2 (en) 2003-02-26 2017-09-19 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8102504B2 (en) 2003-02-26 2012-01-24 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7907254B2 (en) 2003-02-26 2011-03-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US9182684B2 (en) 2003-02-26 2015-11-10 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US10180632B2 (en) 2003-02-26 2019-01-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US9348239B2 (en) 2003-02-26 2016-05-24 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8736809B2 (en) 2003-02-26 2014-05-27 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7932991B2 (en) 2003-02-26 2011-04-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7911583B2 (en) 2003-02-26 2011-03-22 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8675177B2 (en) 2003-04-09 2014-03-18 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and method for fabricating device with light amount distribution having light larger in first and second pairs of areas
US9146474B2 (en) 2003-04-09 2015-09-29 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and method for fabricating device with light amount distribution having light larger and different linear polarization states in an on-axis area and a plurality of off-axis areas
US9164393B2 (en) 2003-04-09 2015-10-20 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and method for fabricating device with light amount distribution having light larger in four areas
US9885959B2 (en) 2003-04-09 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator
US9678437B2 (en) 2003-04-09 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction
US8670103B2 (en) 2003-04-11 2014-03-11 Nikon Corporation Cleanup method for optics in immersion lithography using bubbles
US8488100B2 (en) 2003-04-11 2013-07-16 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
US8035795B2 (en) 2003-04-11 2011-10-11 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the protection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
US9329493B2 (en) 2003-04-11 2016-05-03 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
US9785057B2 (en) 2003-04-11 2017-10-10 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
US8634057B2 (en) 2003-04-11 2014-01-21 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
US9500960B2 (en) 2003-04-11 2016-11-22 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
US8848166B2 (en) 2003-04-11 2014-09-30 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
US8848168B2 (en) 2003-04-11 2014-09-30 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
US8514367B2 (en) 2003-04-11 2013-08-20 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
US10185222B2 (en) 2003-04-11 2019-01-22 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
US8493545B2 (en) 2003-04-11 2013-07-23 Nikon Corporation Cleanup method for optics in immersion lithography supplying cleaning liquid onto a surface of object below optical element, liquid supply port and liquid recovery port
US7932989B2 (en) 2003-04-11 2011-04-26 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
US8610875B2 (en) 2003-04-11 2013-12-17 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
US8269946B2 (en) 2003-04-11 2012-09-18 Nikon Corporation Cleanup method for optics in immersion lithography supplying cleaning liquid at different times than immersion liquid
US9304409B2 (en) 2003-04-11 2016-04-05 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
US9958786B2 (en) 2003-04-11 2018-05-01 Nikon Corporation Cleanup method for optics in immersion lithography using object on wafer holder in place of wafer
US9946163B2 (en) 2003-04-11 2018-04-17 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
US8670104B2 (en) 2003-04-11 2014-03-11 Nikon Corporation Cleanup method for optics in immersion lithography with cleaning liquid opposed by a surface of object
US8879047B2 (en) 2003-04-11 2014-11-04 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens using a pad member or second stage during wafer exchange in an immersion lithography machine
US8059258B2 (en) 2003-04-11 2011-11-15 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
US9081298B2 (en) 2003-04-11 2015-07-14 Nikon Corporation Apparatus for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange using a co-planar member in an immersion lithography machine
US8269944B2 (en) 2003-04-11 2012-09-18 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
US8085381B2 (en) 2003-04-11 2011-12-27 Nikon Corporation Cleanup method for optics in immersion lithography using sonic device
US8351019B2 (en) 2003-04-11 2013-01-08 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
US8018657B2 (en) 2003-04-17 2011-09-13 Nikon Corporation Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography
US8094379B2 (en) 2003-04-17 2012-01-10 Nikon Corporation Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography
US9086636B2 (en) 2003-04-17 2015-07-21 Nikon Corporation Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography
US8810915B2 (en) 2003-04-17 2014-08-19 Nikon Corporation Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography
US8599488B2 (en) 2003-04-17 2013-12-03 Nikon Corporation Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography
US8953250B2 (en) 2003-04-17 2015-02-10 Nikon Corporation Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography
US8964164B2 (en) 2003-05-13 2015-02-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9477160B2 (en) 2003-05-13 2016-10-25 Asml Netherland B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10466595B2 (en) 2003-05-13 2019-11-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9798246B2 (en) 2003-05-13 2017-10-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8174668B2 (en) 2003-05-23 2012-05-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US8130363B2 (en) 2003-05-23 2012-03-06 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US9304392B2 (en) 2003-05-23 2016-04-05 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US9939739B2 (en) 2003-05-23 2018-04-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US8072576B2 (en) 2003-05-23 2011-12-06 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US8384877B2 (en) 2003-05-23 2013-02-26 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US8760617B2 (en) 2003-05-23 2014-06-24 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US8134682B2 (en) 2003-05-23 2012-03-13 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US8125612B2 (en) 2003-05-23 2012-02-28 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US8780327B2 (en) 2003-05-23 2014-07-15 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US8169592B2 (en) 2003-05-23 2012-05-01 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US7808611B2 (en) 2003-05-30 2010-10-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using acidic liquid
US7804574B2 (en) 2003-05-30 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using acidic liquid
US9152058B2 (en) 2003-06-09 2015-10-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a member and a fluid opening
US9081299B2 (en) 2003-06-09 2015-07-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving removal of liquid entering a gap
US10180629B2 (en) 2003-06-09 2019-01-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10678139B2 (en) 2003-06-09 2020-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9541843B2 (en) 2003-06-09 2017-01-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a sensor detecting a radiation beam through liquid
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9110389B2 (en) 2003-06-11 2015-08-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9964858B2 (en) 2003-06-11 2018-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9019467B2 (en) 2003-06-13 2015-04-28 Nikon Corporation Exposure method, substrate stage, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9268237B2 (en) 2003-06-13 2016-02-23 Nikon Corporation Exposure method, substrate stage, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8208117B2 (en) 2003-06-13 2012-06-26 Nikon Corporation Exposure method, substrate stage, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8040491B2 (en) 2003-06-13 2011-10-18 Nikon Corporation Exposure method, substrate stage, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9846371B2 (en) 2003-06-13 2017-12-19 Nikon Corporation Exposure method, substrate stage, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8384880B2 (en) 2003-06-13 2013-02-26 Nikon Corporation Exposure method, substrate stage, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8436978B2 (en) 2003-06-19 2013-05-07 Nikon Corporation Exposure apparatus, and device manufacturing method
US9274437B2 (en) 2003-06-19 2016-03-01 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8717537B2 (en) 2003-06-19 2014-05-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, and device manufacturing method
US8705001B2 (en) 2003-06-19 2014-04-22 Nikon Corporation Exposure apparatus, and device manufacturing method
US9001307B2 (en) 2003-06-19 2015-04-07 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8027027B2 (en) 2003-06-19 2011-09-27 Nikon Corporation Exposure apparatus, and device manufacturing method
US8767177B2 (en) 2003-06-19 2014-07-01 Nikon Corporation Exposure apparatus, and device manufacturing method
US9019473B2 (en) 2003-06-19 2015-04-28 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8018575B2 (en) 2003-06-19 2011-09-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, and device manufacturing method
US8004649B2 (en) 2003-06-19 2011-08-23 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
US8724085B2 (en) 2003-06-19 2014-05-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, and device manufacturing method
US9715178B2 (en) 2003-06-19 2017-07-25 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
US8692976B2 (en) 2003-06-19 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus, and device manufacturing method
US10191388B2 (en) 2003-06-19 2019-01-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, and device manufacturing method
US8436979B2 (en) 2003-06-19 2013-05-07 Nikon Corporation Exposure apparatus, and device manufacturing method
US9709899B2 (en) 2003-06-19 2017-07-18 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
US9551943B2 (en) 2003-06-19 2017-01-24 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US10007188B2 (en) 2003-06-19 2018-06-26 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8830445B2 (en) 2003-06-19 2014-09-09 Nikon Corporation Exposure apparatus, and device manufacturing method
US8319941B2 (en) 2003-06-19 2012-11-27 Nikon Corporation Exposure apparatus, and device manufacturing method
US9025129B2 (en) 2003-06-19 2015-05-05 Nikon Corporation Exposure apparatus, and device manufacturing method
US9810995B2 (en) 2003-06-19 2017-11-07 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US7812925B2 (en) 2003-06-19 2010-10-12 Nikon Corporation Exposure apparatus, and device manufacturing method
US7898643B2 (en) 2003-06-27 2011-03-01 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
US7119874B2 (en) 2003-06-27 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
USRE42741E1 (en) 2003-06-27 2011-09-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7012673B2 (en) 2003-06-27 2006-03-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7038760B2 (en) 2003-06-30 2006-05-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110087B2 (en) 2003-06-30 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8508718B2 (en) 2003-07-08 2013-08-13 Nikon Corporation Wafer table having sensor for immersion lithography
US7855777B2 (en) 2003-07-09 2010-12-21 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
US8120751B2 (en) 2003-07-09 2012-02-21 Nikon Corporation Coupling apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method
US8228484B2 (en) 2003-07-09 2012-07-24 Nikon Corporation Coupling apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method
US8879043B2 (en) 2003-07-09 2014-11-04 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
US9383655B2 (en) 2003-07-16 2016-07-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7738074B2 (en) 2003-07-16 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10151989B2 (en) 2003-07-16 2018-12-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8913223B2 (en) 2003-07-16 2014-12-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9733575B2 (en) 2003-07-16 2017-08-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10656538B2 (en) 2003-07-16 2020-05-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8711323B2 (en) 2003-07-16 2014-04-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9804509B2 (en) 2003-07-24 2017-10-31 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10444644B2 (en) 2003-07-24 2019-10-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7557901B2 (en) 2003-07-24 2009-07-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8711333B2 (en) 2003-07-24 2014-04-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9213247B2 (en) 2003-07-24 2015-12-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10146143B2 (en) 2003-07-24 2018-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9594308B2 (en) 2003-07-24 2017-03-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7184122B2 (en) 2003-07-24 2007-02-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10303066B2 (en) 2003-07-28 2019-05-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7175968B2 (en) 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
US10185232B2 (en) 2003-07-28 2019-01-22 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus
US9494871B2 (en) 2003-07-28 2016-11-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus
US8964163B2 (en) 2003-07-28 2015-02-24 Asml Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method with a projection system having a part movable relative to another part
US8749757B2 (en) 2003-07-28 2014-06-10 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus
US9760026B2 (en) 2003-07-28 2017-09-12 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus
US9639006B2 (en) 2003-07-28 2017-05-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US8451424B2 (en) 2003-07-28 2013-05-28 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus
US8937704B2 (en) 2003-07-31 2015-01-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a resistivity sensor
US9285686B2 (en) 2003-07-31 2016-03-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus involving an immersion liquid supply system with an aperture
US8149381B2 (en) 2003-08-26 2012-04-03 Nikon Corporation Optical element and exposure apparatus
US7993008B2 (en) 2003-08-26 2011-08-09 Nikon Corporation Optical element and exposure apparatus
US9046796B2 (en) 2003-08-26 2015-06-02 Nikon Corporation Optical element and exposure apparatus
US8189170B2 (en) 2003-08-26 2012-05-29 Nikon Corporation Optical element and exposure apparatus
US10175584B2 (en) 2003-08-26 2019-01-08 Nikon Corporation Optical element and exposure apparatus
US10514618B2 (en) 2003-08-29 2019-12-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9606448B2 (en) 2003-08-29 2017-03-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9316919B2 (en) 2003-08-29 2016-04-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8947637B2 (en) 2003-08-29 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9568841B2 (en) 2003-08-29 2017-02-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9581914B2 (en) 2003-08-29 2017-02-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9025127B2 (en) 2003-08-29 2015-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8953144B2 (en) 2003-08-29 2015-02-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10025204B2 (en) 2003-08-29 2018-07-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8804097B2 (en) 2003-08-29 2014-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US11003096B2 (en) 2003-08-29 2021-05-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US8208124B2 (en) 2003-08-29 2012-06-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9442388B2 (en) 2003-08-29 2016-09-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10146142B2 (en) 2003-08-29 2018-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7551361B2 (en) 2003-09-09 2009-06-23 Carl Zeiss Smt Ag Lithography lens system and projection exposure system provided with at least one lithography lens system of this type
US8749759B2 (en) 2003-09-29 2014-06-10 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8139198B2 (en) 2003-09-29 2012-03-20 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8305552B2 (en) 2003-09-29 2012-11-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US10025194B2 (en) 2003-09-29 2018-07-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8400615B2 (en) 2003-09-29 2013-03-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8039807B2 (en) 2003-09-29 2011-10-18 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7817245B2 (en) 2003-09-29 2010-10-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9513558B2 (en) 2003-09-29 2016-12-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7193681B2 (en) 2003-09-29 2007-03-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7158211B2 (en) 2003-09-29 2007-01-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9285685B2 (en) 2003-10-15 2016-03-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8174674B2 (en) 2003-10-15 2012-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8711330B2 (en) 2003-10-15 2014-04-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7352435B2 (en) 2003-10-15 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7961293B2 (en) 2003-10-15 2011-06-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7433015B2 (en) 2003-10-15 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8860923B2 (en) 2003-10-28 2014-10-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9760014B2 (en) 2003-10-28 2017-09-12 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9182679B2 (en) 2003-10-28 2015-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9244359B2 (en) 2003-10-28 2016-01-26 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9423698B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US8860922B2 (en) 2003-10-28 2014-10-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10527955B2 (en) 2003-10-28 2020-01-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9146476B2 (en) 2003-10-28 2015-09-29 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9140992B2 (en) 2003-10-28 2015-09-22 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9482962B2 (en) 2003-10-28 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9140993B2 (en) 2003-10-28 2015-09-22 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9423697B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US10248034B2 (en) 2003-10-28 2019-04-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9885872B2 (en) 2003-11-20 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light
US10281632B2 (en) 2003-11-20 2019-05-07 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction
US9164209B2 (en) 2003-11-20 2015-10-20 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power having different thicknesses to rotate linear polarization direction
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8472006B2 (en) 2003-11-24 2013-06-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10088760B2 (en) 2003-12-03 2018-10-02 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, method for producing device, and optical part
US9182685B2 (en) 2003-12-03 2015-11-10 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, method for producing device, and optical part
US9019469B2 (en) 2003-12-03 2015-04-28 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, method for producing device, and optical part
US8054447B2 (en) 2003-12-03 2011-11-08 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, method for producing device, and optical part
JP2007514192A (ja) * 2003-12-15 2007-05-31 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 高開口数と平面状端面とを有する投影対物レンズ
US7782538B2 (en) 2003-12-15 2010-08-24 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective having a high aperture and a planar end surface
US10613447B2 (en) 2003-12-23 2020-04-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9684250B2 (en) 2003-12-23 2017-06-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7589818B2 (en) 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US10768538B2 (en) 2003-12-23 2020-09-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9465301B2 (en) 2003-12-23 2016-10-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9817321B2 (en) 2003-12-23 2017-11-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9665016B2 (en) 2004-02-02 2017-05-30 Nikon Corporation Lithographic apparatus and method having substrate table and sensor table to hold immersion liquid
US8045136B2 (en) 2004-02-02 2011-10-25 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8553203B2 (en) 2004-02-02 2013-10-08 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US10139737B2 (en) 2004-02-02 2018-11-27 Nikon Corporation Lithographic apparatus and method having substrate and sensor tables
US8705002B2 (en) 2004-02-02 2014-04-22 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8547528B2 (en) 2004-02-02 2013-10-01 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8711328B2 (en) 2004-02-02 2014-04-29 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9684248B2 (en) 2004-02-02 2017-06-20 Nikon Corporation Lithographic apparatus having substrate table and sensor table to measure a patterned beam
US10007196B2 (en) 2004-02-02 2018-06-26 Nikon Corporation Lithographic apparatus and method having substrate and sensor tables
US9632431B2 (en) 2004-02-02 2017-04-25 Nikon Corporation Lithographic apparatus and method having substrate and sensor tables
US8724079B2 (en) 2004-02-02 2014-05-13 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8736808B2 (en) 2004-02-02 2014-05-27 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US10007194B2 (en) 2004-02-06 2018-06-26 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10241417B2 (en) 2004-02-06 2019-03-26 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US9423694B2 (en) 2004-02-06 2016-08-23 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US9429848B2 (en) 2004-02-06 2016-08-30 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10234770B2 (en) 2004-02-06 2019-03-19 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US9140990B2 (en) 2004-02-06 2015-09-22 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US20130271945A1 (en) 2004-02-06 2013-10-17 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
USRE42849E1 (en) 2004-02-09 2011-10-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4510494B2 (ja) * 2004-03-29 2010-07-21 キヤノン株式会社 露光装置
JP2005286026A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Canon Inc 露光装置
US7227619B2 (en) 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7034917B2 (en) 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7295283B2 (en) 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9568840B2 (en) 2004-04-14 2017-02-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10705432B2 (en) 2004-04-14 2020-07-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9989861B2 (en) 2004-04-14 2018-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9829799B2 (en) 2004-04-14 2017-11-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9207543B2 (en) 2004-04-14 2015-12-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a groove to collect liquid
US10234768B2 (en) 2004-04-14 2019-03-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7400460B2 (en) 2004-04-26 2008-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Method for connection of an optical element to a mount structure
WO2005103788A1 (de) * 2004-04-26 2005-11-03 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zum verbinden eines optischen elements mit einer haltestruktur
US7652751B2 (en) 2004-05-03 2010-01-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7379159B2 (en) 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10761438B2 (en) 2004-05-18 2020-09-01 Asml Netherlands B.V. Active drying station and method to remove immersion liquid using gas flow supply with gas outlet between two gas inlets
US9623436B2 (en) 2004-05-18 2017-04-18 Asml Netherlands B.V. Active drying station and method to remove immersion liquid using gas flow supply with gas outlet between two gas inlets
US9429495B2 (en) 2004-06-04 2016-08-30 Carl Zeiss Smt Gmbh System for measuring the image quality of an optical imaging system
US8704997B2 (en) 2004-06-09 2014-04-22 Nikon Corporation Immersion lithographic apparatus and method for rinsing immersion space before exposure
US8520184B2 (en) 2004-06-09 2013-08-27 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with measuring device
US8525971B2 (en) 2004-06-09 2013-09-03 Nikon Corporation Lithographic apparatus with cleaning of substrate table
US9645505B2 (en) 2004-06-09 2017-05-09 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with measuring device to measure specific resistance of liquid
US9857699B2 (en) 2004-06-16 2018-01-02 Asml Netherlands B.V. Vacuum system for immersion photolithography
US9507270B2 (en) 2004-06-16 2016-11-29 Asml Netherlands B.V. Vacuum system for immersion photolithography
US10168624B2 (en) 2004-06-16 2019-01-01 Asml Netherlands B.V. Vacuum system for immersion photolithography
US10338478B2 (en) 2004-07-07 2019-07-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9104117B2 (en) 2004-07-07 2015-08-11 Bob Streefkerk Lithographic apparatus having a liquid detection system
US10739684B2 (en) 2004-07-07 2020-08-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9250537B2 (en) 2004-07-12 2016-02-02 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and method with detection of liquid on members of the apparatus
US7161663B2 (en) 2004-07-22 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7804575B2 (en) 2004-08-13 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method having liquid evaporation control
US10838310B2 (en) 2004-08-13 2020-11-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a heater
US11378893B2 (en) 2004-08-13 2022-07-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a heater
US7304715B2 (en) 2004-08-13 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10254663B2 (en) 2004-08-13 2019-04-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a heater
US9188880B2 (en) 2004-08-13 2015-11-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a heater
US9268242B2 (en) 2004-08-13 2016-02-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a heater and a temperature sensor
US10705439B2 (en) 2004-08-19 2020-07-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9488923B2 (en) 2004-08-19 2016-11-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9904185B2 (en) 2004-08-19 2018-02-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9097992B2 (en) 2004-08-19 2015-08-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9746788B2 (en) 2004-08-19 2017-08-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10599054B2 (en) 2004-08-19 2020-03-24 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9507278B2 (en) 2004-08-19 2016-11-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7301707B2 (en) 2004-09-03 2007-11-27 Carl Zeiss Smt Ag Projection optical system and method
US7133114B2 (en) 2004-09-20 2006-11-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8427629B2 (en) 2004-09-24 2013-04-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7808614B2 (en) 2004-09-24 2010-10-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7522261B2 (en) 2004-09-24 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8068210B2 (en) 2004-09-28 2011-11-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program product
US7355674B2 (en) 2004-09-28 2008-04-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program product
US7894040B2 (en) 2004-10-05 2011-02-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8027026B2 (en) 2004-10-05 2011-09-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8755027B2 (en) 2004-10-05 2014-06-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving fluid mixing and control of the physical property of a fluid
US7209213B2 (en) 2004-10-07 2007-04-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7508488B2 (en) 2004-10-13 2009-03-24 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure system and method of manufacturing a miniaturized device
US8004652B2 (en) 2004-10-18 2011-08-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10248033B2 (en) 2004-10-18 2019-04-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9753380B2 (en) 2004-10-18 2017-09-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8934082B2 (en) 2004-10-18 2015-01-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9436097B2 (en) 2004-10-18 2016-09-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7379155B2 (en) 2004-10-18 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7119876B2 (en) 2004-10-18 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9798247B2 (en) 2004-11-12 2017-10-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a liquid confinement structure
US7583357B2 (en) 2004-11-12 2009-09-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10620546B2 (en) 2004-11-12 2020-04-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a liquid confinement structure
US7852457B2 (en) 2004-11-12 2010-12-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7414699B2 (en) 2004-11-12 2008-08-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7423720B2 (en) 2004-11-12 2008-09-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7710537B2 (en) 2004-11-12 2010-05-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9261797B2 (en) 2004-11-12 2016-02-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a liquid confinement structure
US10274832B2 (en) 2004-11-12 2019-04-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a liquid confinement structure
US7251013B2 (en) 2004-11-12 2007-07-31 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9645507B2 (en) 2004-11-12 2017-05-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9964861B2 (en) 2004-11-12 2018-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a liquid confinement structure
US7145630B2 (en) 2004-11-23 2006-12-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7812924B2 (en) 2004-12-02 2010-10-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7161654B2 (en) 2004-12-02 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7248334B2 (en) 2004-12-07 2007-07-24 Asml Netherlands B.V. Sensor shield
US8860926B2 (en) 2004-12-08 2014-10-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8115905B2 (en) 2004-12-08 2012-02-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7365827B2 (en) 2004-12-08 2008-04-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8542342B2 (en) 2004-12-13 2013-09-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Method of manufacturing a miniaturized device
US7508489B2 (en) 2004-12-13 2009-03-24 Carl Zeiss Smt Ag Method of manufacturing a miniaturized device
US7751032B2 (en) 2004-12-15 2010-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8233135B2 (en) 2004-12-15 2012-07-31 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10509326B2 (en) 2004-12-20 2019-12-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8941811B2 (en) 2004-12-20 2015-01-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9703210B2 (en) 2004-12-20 2017-07-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2008527403A (ja) * 2004-12-30 2008-07-24 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 投影光学系
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US9746781B2 (en) 2005-01-31 2017-08-29 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US10495980B2 (en) 2005-03-04 2019-12-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10495981B2 (en) 2005-03-04 2019-12-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8203693B2 (en) 2005-04-19 2012-06-19 Asml Netherlands B.V. Liquid immersion lithography system comprising a tilted showerhead relative to a substrate
US10451973B2 (en) 2005-05-03 2019-10-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10488759B2 (en) 2005-05-03 2019-11-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9310696B2 (en) 2005-05-12 2016-04-12 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US9891539B2 (en) 2005-05-12 2018-02-13 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US9360763B2 (en) 2005-05-12 2016-06-07 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US8854601B2 (en) 2005-05-12 2014-10-07 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US9429851B2 (en) 2005-05-12 2016-08-30 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US8054557B2 (en) 2005-06-14 2011-11-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithography projection objective, and a method for correcting image defects of the same
US9964859B2 (en) 2005-06-14 2018-05-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithography projection objective, and a method for correcting image defects of the same
US7463423B2 (en) 2005-06-14 2008-12-09 Carl Zeiss Smt Ag Lithography projection objective, and a method for correcting image defects of the same
US9316922B2 (en) 2005-06-14 2016-04-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithography projection objective, and a method for correcting image defects of the same
US8879159B2 (en) 2005-06-14 2014-11-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithography projection objective, and a method for correcting image defects of the same
US7692868B2 (en) 2005-06-14 2010-04-06 Carl Zeiss Smt Ag Lithography projection objective, and a method for correcting image defects of the same
US7535644B2 (en) 2005-08-12 2009-05-19 Asml Netherlands B.V. Lens element, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US8049973B2 (en) 2005-08-17 2011-11-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection objective and method for optimizing a system aperture stop of a projection objective
US7751127B2 (en) 2005-08-17 2010-07-06 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective and method for optimizing a system aperture stop of a projection objective
US8456611B2 (en) 2005-11-29 2013-06-04 Asml Holding N.V. System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography
US7773195B2 (en) 2005-11-29 2010-08-10 Asml Holding N.V. System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography
US8941810B2 (en) 2005-12-30 2015-01-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9436096B2 (en) 2005-12-30 2016-09-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8947631B2 (en) 2005-12-30 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10761433B2 (en) 2005-12-30 2020-09-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US11275316B2 (en) 2005-12-30 2022-03-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9851644B2 (en) 2005-12-30 2017-12-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10222711B2 (en) 2005-12-30 2019-03-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US11669021B2 (en) 2005-12-30 2023-06-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8451427B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
US9366970B2 (en) 2007-09-14 2016-06-14 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
US9057963B2 (en) 2007-09-14 2015-06-16 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
US9097981B2 (en) 2007-10-12 2015-08-04 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US10101666B2 (en) 2007-10-12 2018-10-16 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8520291B2 (en) 2007-10-16 2013-08-27 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8508717B2 (en) 2007-10-16 2013-08-13 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8462317B2 (en) 2007-10-16 2013-06-11 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9341954B2 (en) 2007-10-24 2016-05-17 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9857599B2 (en) 2007-10-24 2018-01-02 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9057877B2 (en) 2007-10-24 2015-06-16 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9116346B2 (en) 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9678332B2 (en) 2007-11-06 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8446579B2 (en) 2008-05-28 2013-05-21 Nikon Corporation Inspection device and inspecting method for spatial light modulator, illumination optical system, method for adjusting the illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8456624B2 (en) 2008-05-28 2013-06-04 Nikon Corporation Inspection device and inspecting method for spatial light modulator, illumination optical system, method for adjusting the illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US10209624B2 (en) 2010-04-22 2019-02-19 Asml Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
US9256136B2 (en) 2010-04-22 2016-02-09 Asml Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method involving gas supply
US9846372B2 (en) 2010-04-22 2017-12-19 Asml Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
US10620544B2 (en) 2010-04-22 2020-04-14 Asml Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2013191871A (ja) * 2013-05-13 2013-09-26 Nikon Corp 反射屈折型の投影光学系、露光装置、および露光方法

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