WO2003079062A1 - Optical element, method for the production thereof and for determining its optical properties - Google Patents

Optical element, method for the production thereof and for determining its optical properties Download PDF

Info

Publication number
WO2003079062A1
WO2003079062A1 PCT/DE2003/000810 DE0300810W WO03079062A1 WO 2003079062 A1 WO2003079062 A1 WO 2003079062A1 DE 0300810 W DE0300810 W DE 0300810W WO 03079062 A1 WO03079062 A1 WO 03079062A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
optical
optical element
electromagnetic radiation
metallic
layer
Prior art date
Application number
PCT/DE2003/000810
Other languages
German (de)
French (fr)
Other versions
WO2003079062A8 (en
Inventor
Jörg HEBER
Norbert Kaiser
Christian MÜHLIG
Wolfgang Triebel
Original Assignee
Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
Institut für Physikalische Hochtechnologie e.V.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., Institut für Physikalische Hochtechnologie e.V. filed Critical Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
Priority to AU2003223861A priority Critical patent/AU2003223861A1/en
Publication of WO2003079062A1 publication Critical patent/WO2003079062A1/en
Publication of WO2003079062A8 publication Critical patent/WO2003079062A8/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • G02B5/28Interference filters
    • G02B5/283Interference filters designed for the ultraviolet

Definitions

  • the invention relates to optical elements for reflecting, transmitting, guiding and / or filtering electromagnetic radiation in the wavelength range between 100 and 400 nm, at least one layer of a metallic fluoride being formed on a substrate.
  • the invention further relates to a method for producing such optical elements, a method for the detection of optical properties and / or the layer qualities, and uses for an optical element according to the invention.
  • layers or layer systems made of metallic fluorides are used for optical elements.
  • the formation of such layer ten takes place with known vacuum coating processes.
  • optical element which has the features of claim 1.
  • Advantageous uses are the subject of claim 9, the manufacture of the optical elements according to the invention is defined by claim 10 and a method for determining the optical properties and / or the layer qualities of such optical elements is defined by the method according to claim 13.
  • optical elements according to the invention in which at least one layer or a layer system of several such layers of metallic fluorides are formed on a substrate, have a proportion of at least one additional element which is 10 10 ppm by mass, preferably 5 5 ppm by mass, on.
  • This can be one or more elements that are additionally contained in the metallic fluoride, and the elements in question have the property that they luminesce within at least one predefinable wavelength range of the electromagnetic rays.
  • the undesirable elements in the layers formed from metallic fluorides are generally transition metals and / or rare earth metals, which can be contained in neutral form, as ions or isotopes. They can form mixed crystals with the respective metallic fluoride, so that they are relatively difficult to identify and consequently difficult to remove.
  • Rare earth metals from the group of lanthanides are particularly problematic. Depending on the respective element, these tend to luminescence, with at least one wavelength with very high luminescence intensity being recorded for such elements in the wavelength range in question.
  • cerium can cause very high lumuninescence intensities at wavelengths in the range between 290 to 305 nm and with praseodymium at approximately 250 nm. Somewhat lower luminescence intensities are also found for cerium at wavelengths of approx. 365 nm and 405 nm.
  • MgF 2 , YF 3 , LaF 3 , A1F 3 , NdF 3 , BaF 2 , Chiolith, DyF 3 , GdF 3 , cryolite, LiF, NaF, LuF 3 , SmF 3 , SrF 2 have been found to be suitable for use in the formation of layers , TbF 3 , YbF 3 , ZrF highlighted.
  • Layer systems are formed on optical substrates.
  • the optical substrates can be used for a wide variety of optical elements in accordance with the requirements.
  • non-transparent substrates for the reflective optical elements can generally be used without further ado.
  • the transparency of the substrates is a basic requirement.
  • the optical elements can be the electromagnetic Influence radiation in various forms. So there is the possibility of beam guidance, which is certainly easily possible with the reflectors already mentioned. Furthermore, beam shaping can also be carried out, which can be achieved with reflectors as well as with optical lenses.
  • the optical elements can also be designed as a polarizer, polarization splitter, as a phase delay plate, optical window, beam splitter or also as an optical grating.
  • At least one layer of a metallic fluoride is used.
  • this can also act as a protective layer against atmospheric and other environmental influences for the actual grating.
  • optical elements according to the invention are lithographic applications, as are used in particular in semiconductor technology.
  • the optical elements according to the invention can also be used advantageously for monochromatization, in spectral analysis technology for the spectral decomposition of electromagnetic radiation.
  • a reduction in reflection at the respective optical element can also advantageously be achieved.
  • the production of the optical elements according to the invention is based on known methods.
  • the one or more layers of the at least one metallic fluoride are thus formed by loading layering process in vacuum.
  • the respective metallic fluorides can be thermally evaporated, deposited on the respective substrate by electron beam evaporation, ion-assisted deposition or plasma-assisted evaporation.
  • the metallic fluorides are usually used in powder or granule form.
  • the powdery or granular metallic fluoride used has in each case proportions of at least one additional element which are 10 10 ppm by mass, preferably ⁇ 5 ppm by mass.
  • the metallic fluorides can be reactively formed during the process within an atmosphere containing fluorine.
  • the fluorine does not necessarily have to be elementary in such an atmosphere which is required for the reactive formation of the metallic fluorides, but suitable fluorine compounds which can be split up relatively easily can also be used. The latter can even have an advantageous effect, since some fission products, for example hydrogen, can react with other undesirable components which are not embedded in the respective layers.
  • the additional elements that luminesce in a specifiable wavelength range should have a proportion of ⁇ 10 mass ppm.
  • the layer formation is to be carried out in a vacuum using powdered or granular metallic fluorides, the proportion of undesirable impurities which are present in the form of the elements which tend to luminescence can be obtained by appropriate cleaning carried out before the coating of the preliminary product can be reduced or even completely removed.
  • Such cleaning can be carried out, for example, by zone melting which is known per se, but also vacuum sublimation. In certain cases, however, both different cleaning processes can also be carried out, for example to specifically reduce or eliminate certain elements.
  • the proportion of undesirable elements can be reduced to ⁇ 1 ppm by mass. The reduction in the proportion of these elements can also be reduced by targeted ion exchange in a vacuum.
  • the optical properties achieved and / or the layer qualities can also be determined in optical elements according to the invention.
  • the layer or the layer system is irradiated with electromagnetic radiation with a predefinable wavelength and the intensity of the luminescent light caused by the irradiation is determined with at least one optical detector.
  • electromagnetic radiation with preferably shorter wavelengths than the luminescence radiation to be examined in each case, preferably between 100 to 500 nm, can be used.
  • electromagnetic radiation with a significantly smaller wavelength bandwidth in a targeted manner within this wavelength range can be used.
  • the luminescence intensity can also be determined in a wavelength-selective manner and the luminescence intensity measured for such a wavelength both as a measure of the proportion and the detection of the actual presence of such an element within a layer or Layer system can be used.
  • the temporal decay behavior of the luminescence light can also be evaluated.
  • the most varied of beam sources can be used for correspondingly suitable intensive electromagnetic radiation, such as high-pressure mercury lamps, but also various laser light sources suitable for the corresponding wavelength range, e.g. Excimer lasers can be used.
  • the solution according to the invention can be used to achieve optical elements for the wavelength range in question with significantly improved optical properties, which essentially relates to long-term stability, laser strength, reflectivity and transmissivity. Absorption and luminescence losses in particular lent to be reduced. In addition, a reduction in the interaction of the electromagnetic radiation used, a reduced layer degradation and an increase in the layer stability can be achieved with a significantly reduced interference from luminescence.
  • FIG. 1 shows a diagram of the reflectivity of an optical element with an alternating layer system, consisting of MgF 2 and LaF 3 layers, in the wavelength range between 150 and 230 nm
  • FIG. 2 shows a diagram with which the luminescence influence of cerium within an alternating
  • An MgF 2 / LaF 3 alternating layer system with the layer design (1H 1L) 20 1H was formed on a substrate. Electromagnetic radiation with a wavelength of 193 nm was directed onto the surface of this alternating layer system by an ArF laser at an angle of 45 °.
  • the MgF 2 formed the low refractive index and the LaF the higher refractive index component of such a layer system and the MgF layers had a thickness of 34 nm and the LaF 3 a thickness of 29 nm.
  • the entire layer system consisting of the 41 individual layers, had a proportion of the undesired elements ⁇ 5 mass ppm.
  • the diagram shown in FIG. 2 is intended to illustrate the undesired influence of cerium contained in such a layer system, as an example of such an element.

Abstract

The invention relates to optical elements, methods for the production of these optical elements and for determining the attained optical properties. These optical elements are, in particular, ones used for reflecting, transmitting, guiding and/or filtering electromagnetic radiation in a wavelength range of 100 to 400 nm. At least one layer consisting of a metallic fluoride is formed on a substrate. The inventive solution should improve the optical properties and, in particular, prevent the interfering influence of luminescence to the greatest possible extent. Following the layer formation, the optical elements produced in this manner can be irradiated with electromagnetic radiation of a preset wavelength, and the luminescence intensity can be determined by using optical detectors.

Description

Optisches Element, Verfahren zu seiner Herstellung und zur Bestimmung seiner optischen EigenschaftenOptical element, process for its production and for the determination of its optical properties
Die Erfindung betrifft optische Elemente zur Reflexion, Transmission, Führung und/oder Filterung elektromagnetischer Strahlung im Wellenlängenbereich zwischen 100 und 400 nm, wobei auf einem Substrat min- destens eine Schicht eines metallischen Fluorides ausgebildet ist . Weiter betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung solcher optischer Elemente, ein Verfahren für den Nachweis optischer Eigenschaften und/oder den Schichtgüten sowie Verwendungen für ein erfindungsgemäßes optisches Element .The invention relates to optical elements for reflecting, transmitting, guiding and / or filtering electromagnetic radiation in the wavelength range between 100 and 400 nm, at least one layer of a metallic fluoride being formed on a substrate. The invention further relates to a method for producing such optical elements, a method for the detection of optical properties and / or the layer qualities, and uses for an optical element according to the invention.
Wegen ihrer vorteilhaften optischen Eigenschaften im kurzwelligen Spektralbereich des ultravioletten Lichtes, also von 100 bis 400 nm werden für optische Ele- mente Schichten oder SchichtSysteme aus metallischen Fluoriden eingesetzt. Die Ausbildung solcher Schich- ten erfolgt dabei mit an sich bekannten Vakuum- Beschichtungsverfahren .Because of their advantageous optical properties in the short-wave spectral range of ultraviolet light, that is from 100 to 400 nm, layers or layer systems made of metallic fluorides are used for optical elements. The formation of such layer ten takes place with known vacuum coating processes.
Dabei weisen die bekannten Lösungen und Produkte je- doch Defizite bezüglich der gewünschten Reflexionsund Transmissionsparameter sowie Nachteile durch infolge auftretender Verfärbungen, Spannungsrissbildung, die bis zur Ablatation führen können, auf. Dadurch sind sie bei einer Langzeitbenutzung und insbe- sondere im Hochleistungsbereich, also bei hohen Intensitäten problematisch, so dass Langzeiteinsätze nicht ohne weiteres erreicht werden.The known solutions and products, however, have deficits with regard to the desired reflection and transmission parameters as well as disadvantages due to discoloration and stress cracking, which can lead to ablation. As a result, they are problematic in long-term use and in particular in the high-performance range, that is to say at high intensities, so that long-term use is not easily achieved.
Einer erhöhten Absorption, infolge von innerhalb sol- eher Schichten vorhandenen Kohlenwasserstoffanlagerungen konnte durch gezielte Reduzierung des Kohlenwasserstoffanteils begegnet werden.Increased absorption due to the presence of hydrocarbon deposits within such layers could be countered by a targeted reduction in the hydrocarbon content.
Es hat sich aber herausgestellt, dass weitere Absorp- tionsverluste und zusätzliche Verschlechterungen der optischen Eigenschaften durch das Auftreten von eigentlich unerwünschter Lumineszenz auftreten. Daraus resultieren erhöhte Absorptionswechselwirkungen, insbesondere bei Schichtsystemen aus metallischen Fluo- riden. Des Weiteren ist eine erhöhte Schichtdegradation und eine verringerte Schichtstabiltät nachteilig. Außerdem liegt es auf der Hand, dass die Lumineszenzemissionen für viele Anwendungsfälle einen unerwünschten Störlichteinfluss darstellen.However, it has been found that further absorption losses and additional deteriorations in the optical properties occur due to the occurrence of actually undesirable luminescence. This results in increased absorption interactions, especially in layer systems made of metallic fluorides. Furthermore, increased layer degradation and reduced layer stability are disadvantageous. It is also obvious that the luminescence emissions represent an undesirable influence of stray light for many applications.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, optische Elemente für den Einsatz im Wellenlängenbereich von 100 bis 400 nm elektromagnetischer Strahlung zur Verfügung zu stellen, die verbesserte Absorptions- und Reflexions- eigenschaften aufweisen und bei denen der störendeIt is therefore an object of the invention to provide optical elements for use in the wavelength range from 100 to 400 nm of electromagnetic radiation, which have improved absorption and reflection properties and in which the interfering
Einfluss von Lumineszenz weitestgehend vermieden wer- den kann.Influence of luminescence is largely avoided that can.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe mit einem optischen Element, das die Merkmale des Anspruchs 1 auf- weist, gelöst. Vorteilhafte Verwendungen sind Gegenstand des Anspruchs 9, die Herstellung der erfindungsgemäßen optischen Elemente ist mit dem Anspruch 10 sowie ein Verfahren zur Bestimmung der optischen Eigenschaften und/oder der Schichtgüten solcher opti- scher Elemente mit dem Verfahren nach Anspruch 13 definiert .According to the invention, this object is achieved with an optical element which has the features of claim 1. Advantageous uses are the subject of claim 9, the manufacture of the optical elements according to the invention is defined by claim 10 and a method for determining the optical properties and / or the layer qualities of such optical elements is defined by the method according to claim 13.
Die erfindungsgemäßen optischen Elemente, bei denen mindestens eine Schicht oder ein Schichtsystem mehre- rer solcher Schichten aus metallischen Fluoriden auf einem Substrat ausgebildet sind, weisen einen Anteil mindestens eines zusätzlichen Elementes, der ≤ 10 Masse-ppm, bevorzugt ≤ 5 Masse-ppm ist, auf. Dabei kann es sich um ein aber auch mehrere Elemente, die zusätzlich im metallischen Fluorid enthalten sind, handeln und die betreffenden Elemente weisen die Eigenschaft auf, dass sie innerhalb mindestens eines vorgebbaren Wellenlängenbereiches der elektromagnetischen Strahlen lumineszieren.The optical elements according to the invention, in which at least one layer or a layer system of several such layers of metallic fluorides are formed on a substrate, have a proportion of at least one additional element which is 10 10 ppm by mass, preferably 5 5 ppm by mass, on. This can be one or more elements that are additionally contained in the metallic fluoride, and the elements in question have the property that they luminesce within at least one predefinable wavelength range of the electromagnetic rays.
Bei den in den aus metallischen Fluoriden gebildeten Schichten unerwünschten Elementen handelt es sich in der Regel um Übergangsmetalle und/oder Seltenerdmetalle, die in neutraler Form, als Ionen oder Isotope enthalten sein können. Sie können mit dem jeweiligen metallischen Fluorid Mischkristalle bilden, so dass sie relativ schwer erkennbar sind und demzufolge auch schwer entfernt werden können.The undesirable elements in the layers formed from metallic fluorides are generally transition metals and / or rare earth metals, which can be contained in neutral form, as ions or isotopes. They can form mixed crystals with the respective metallic fluoride, so that they are relatively difficult to identify and consequently difficult to remove.
Besonders problematisch sind dabei Seltenerdmetalle aus der Gruppe der Lanthanide . Diese neigen, je nach dem jeweiligen Element zur Lumineszenz, wobei im in Rede stehenden Wellenlängenbereich für solche Elemente jeweils mindestens eine Wellenlänge mit sehr hoher Lumineszenzintensität zu verzeichnen ist. So können beispielsweise durch Cer sehr hohe Lumunineszenzintensitäten bei Wellenlängen im Bereich zwischen 290 bis 305 nm und bei Praseodym bei ca. 250 nm auftreten. Etwas geringere Lumineszen- zintensitäten sind für Cer außerdem bei Wellenlängen von ca. 365 nm und 405 nm zu verzeichnen.Rare earth metals from the group of lanthanides are particularly problematic. Depending on the respective element, these tend to luminescence, with at least one wavelength with very high luminescence intensity being recorded for such elements in the wavelength range in question. For example, cerium can cause very high lumuninescence intensities at wavelengths in the range between 290 to 305 nm and with praseodymium at approximately 250 nm. Somewhat lower luminescence intensities are also found for cerium at wavelengths of approx. 365 nm and 405 nm.
Als geeignete für die Schichtausbildung einsetzbare metallische Fluoride haben sich MgF2, YF3, LaF3, A1F3, NdF3, BaF2, Chiolith, DyF3, GdF3, Kryolith, LiF, NaF, LuF3, SmF3, SrF2, TbF3, YbF3, ZrF herausgestellt .MgF 2 , YF 3 , LaF 3 , A1F 3 , NdF 3 , BaF 2 , Chiolith, DyF 3 , GdF 3 , cryolite, LiF, NaF, LuF 3 , SmF 3 , SrF 2 have been found to be suitable for use in the formation of layers , TbF 3 , YbF 3 , ZrF highlighted.
Dabei können mit solchen metallischen Fluoriden und dabei vorteilhaft ausgewählter Paarungen von Fluori- den Wechselschichtsysteme, bevorzugt als λ/4-With such metallic fluorides and advantageously selected pairings of fluorides, alternating layer systems, preferably as λ / 4-
Schichtsysteme auf optischen Substraten ausgebildet werden.Layer systems are formed on optical substrates.
Die optischen Substrate können bezüglich ihrer opti- sehen Eigenschaften (Transmission/Reflexion) und in ihrer Gestaltung entsprechend der Erfordernisse für unterschiedlichste optische Elemente eingesetzt werden.With regard to their optical properties (transmission / reflection) and their design, the optical substrates can be used for a wide variety of optical elements in accordance with the requirements.
So können beispielsweise nicht transparente Substrate für die reflektierenden optischen Elemente in der Regel ohne weiteres eingesetzt werden. Für andere Einsätze solcher optischen Elemente ist jedoch die Transparenz der Substrate eine Grundvoraussetzung.For example, non-transparent substrates for the reflective optical elements can generally be used without further ado. For other uses of such optical elements, however, the transparency of the substrates is a basic requirement.
Die optischen Elemente können die elektromagnetische Strahlung in verschiedenster Form beeinflussen. So besteht die Möglichkeit der Strahlführung, was mit den bereits erwähnten Reflektoren sicher ohne weiteres möglich ist. Des Weiteren kann aber auch eine Strahlformung durchgeführt werden, was mit Reflektoren, wie auch mit optischen Linsen erreicht werden kann.The optical elements can be the electromagnetic Influence radiation in various forms. So there is the possibility of beam guidance, which is certainly easily possible with the reflectors already mentioned. Furthermore, beam shaping can also be carried out, which can be achieved with reflectors as well as with optical lenses.
Die optischen Elemente können aber auch als Polarisa- tor, Polarisationsteiler, als Phasenverzδgerungsplat- te, optisches Fenster, Strahlteiler oder auch als optisches Gitter ausgebildet sein.However, the optical elements can also be designed as a polarizer, polarization splitter, as a phase delay plate, optical window, beam splitter or also as an optical grating.
In jedem Fall wird jedoch zumindest eine Schicht ei- nes metallischen Fluorides eingesetzt. Bei optischen Gittern kann diese beispielsweise auch als Schutzschicht gegen atmosphärische und andere Umwelteinflüsse für das eigentliche Gitter fungieren.In any case, however, at least one layer of a metallic fluoride is used. In the case of optical gratings, for example, this can also act as a protective layer against atmospheric and other environmental influences for the actual grating.
Vorteilhafte Einsatzgebiete für erfindungsgemäße optische Elemente sind lithographische Anwendungen, wie sie in der Halbleitertechnik insbesondere eingesetzt werden. Die erfindungsgemäßen optischen Elemente können aber auch zur Monochromatisierung, in der Spekt- ralanalysetechnik für die SpektralZerlegung elektromagnetischer Strahlung vorteilhaft eingesetzt werden.Advantageous areas of use for optical elements according to the invention are lithographic applications, as are used in particular in semiconductor technology. However, the optical elements according to the invention can also be used advantageously for monochromatization, in spectral analysis technology for the spectral decomposition of electromagnetic radiation.
Bei bestimmter Auslegung, beispielsweise eines Schichtsystems kann auch vorteilhaft eine Reflexions- minderung am jeweiligen optischen Element erreicht werden.With a certain design, for example a layer system, a reduction in reflection at the respective optical element can also advantageously be achieved.
Die Herstellung der erfindungsgemäßen optischen Elemente baut auf bekannte Verfahren auf . So erfolgt die Ausbildung der einen oder auch mehreren Schichten aus dem mindestens einen metallischen Fluorid durch Be- schichtungsverfahren im Vakuum.The production of the optical elements according to the invention is based on known methods. The one or more layers of the at least one metallic fluoride are thus formed by loading layering process in vacuum.
Hierzu können die jeweiligen metallischen Fluoride thermisch verdampft, durch Elektronenstrahlverdamp- fung, ionenunterstützte Abscheidung oder plasmaunterstützte Verdampfung auf dem jeweiligen Substrat abgeschieden werden.For this purpose, the respective metallic fluorides can be thermally evaporated, deposited on the respective substrate by electron beam evaporation, ion-assisted deposition or plasma-assisted evaporation.
Hierzu werden die metallischen Fluoride üblicherweise in Pulver- oder Granulatform eingesetzt. Für die erfindungsgemäßen optischen Elemente weist das eingesetzte pulver- oder granulatförmige metallische Fluorid jeweils Anteile mindestens eines zusätzlichen E- lementes die ≤ 10 Masse-ppm, bevorzugt ≤ 5 Masse-ppm sind, auf.For this purpose, the metallic fluorides are usually used in powder or granule form. For the optical elements according to the invention, the powdery or granular metallic fluoride used has in each case proportions of at least one additional element which are 10 10 ppm by mass, preferably ≤ 5 ppm by mass.
Es besteht aber auch die Möglichkeit mit an sich bekannten PVD/CVD-Verfahren die Schichtausbildung der verschiedenen metallischen Fluoride unter Verwendung metallischer Targets durchzuführen. Die metallischen Fluoride können während des Prozesses innerhalb einer Fluor enthaltenden Atmosphäre reaktiv gebildet werden. Dabei muss das Fluor innerhalb einer solchen für die reaktive Bildung der metallischen Fluoride erfor- derlichen Atmosphäre nicht zwingend elementar vorliegen, sondern es können auch geeignete relativ leicht aufspaltbare Fluorverbindungen eingesetzt werden. Letzteres kann sich sogar vorteilhaft auswirken, da einige Spaltprodukte, beispielsweise Wasserstoff mit anderen unerwünschten Komponenten reagieren können, die nicht in die jeweiligen Schichten eingelagert werden.However, there is also the possibility of carrying out the layer formation of the various metallic fluorides using metallic targets using known PVD / CVD methods. The metallic fluorides can be reactively formed during the process within an atmosphere containing fluorine. The fluorine does not necessarily have to be elementary in such an atmosphere which is required for the reactive formation of the metallic fluorides, but suitable fluorine compounds which can be split up relatively easily can also be used. The latter can even have an advantageous effect, since some fission products, for example hydrogen, can react with other undesirable components which are not embedded in the respective layers.
Unabhängig davon, dass für die Ausbildung der Schich- ten im Vakuum metallische Targets oder bereits metallische Fluoride in Pulver- oder Granulatform einge- setzt werden, sollten die zusätzlich enthaltenden Elemente, die in einem vorgebbaren Wellenl ngenbereich lumineszieren, einen Anteil ≤ 10 Masse-ppm aufweisen.Irrespective of the fact that metallic targets or already metallic fluorides in powder or granule form are used for the formation of the layers in a vacuum. are set, the additional elements that luminesce in a specifiable wavelength range should have a proportion of ≤ 10 mass ppm.
Insbesondere dann, wenn die Schichtausbildung im Vakuum unter Verwendung von pulverfδrmigen oder granu- latförmigen metallischen Fluoriden durchgeführt werden soll, können der Anteil der unerwünschten Verun- reinigungen, die in Form der bezeichneten zur Lumineszenz neigenden Elemente vorliegen, durch eine entsprechende vor der Beschichtung durchgeführte Reinigung des Vorproduktes reduziert oder gar vollständig entfernt werden.In particular if the layer formation is to be carried out in a vacuum using powdered or granular metallic fluorides, the proportion of undesirable impurities which are present in the form of the elements which tend to luminescence can be obtained by appropriate cleaning carried out before the coating of the preliminary product can be reduced or even completely removed.
Eine solche Reinigung kann beispielsweise durch an sich bekanntes Zonenschmelzen aber auch eine Vakuum- Sublimation durchgeführt werden. In bestimmten Fällen können aber auch beide unterschiedlichen Reinigungs- verfahren durchgeführt werden, um beispielsweise gezielt bestimmte Elemente zu reduzieren bzw. eliminieren. Mit diesem Verfahren kann der Anteil der unerwünschten Elemente auf ≤ 1 Masse-ppm reduziert werden. Die Verringerung des Anteils dieser Elemente kann auch durch gezielten Ionenaustausch im Vakuum verringert werden.Such cleaning can be carried out, for example, by zone melting which is known per se, but also vacuum sublimation. In certain cases, however, both different cleaning processes can also be carried out, for example to specifically reduce or eliminate certain elements. With this method, the proportion of undesirable elements can be reduced to ≤ 1 ppm by mass. The reduction in the proportion of these elements can also be reduced by targeted ion exchange in a vacuum.
Unter Aufgriff des erfinderischen Gedankens kann bei erfindungsgemäßen optischen Elementen auch eine Be- Stimmung der erreichten optischen Eigenschaften und/oder der Schichtgüten durchgeführt werden. Dabei wird die Schicht bzw. das SchichtSystem mit elektromagnetischer Strahlung mit vorgebbarer Wellenlänge bestrahlt und die durch die Bestrahlung hervorgerufe- ne Intensität des Lumineszenzlichtes mit mindestens einem optischen Detektor bestimmt . Hierfür kann elektromagnetische Strahlung mit bevorzugt kürzeren Wellenlängen, als die jeweils zu untersuchende Lumineszenzstrahlung, bevorzugt zwischen 100 bis 500 nm eingesetzt werden. Es besteht aber auch die Möglichkeit, innerhalb dieses Wellenlängenbereiches gezielt elektromagnetische Strahlung mit deutlich geringerer Wellenlängenbandbreite einzusetzen.Taking up the inventive idea, the optical properties achieved and / or the layer qualities can also be determined in optical elements according to the invention. The layer or the layer system is irradiated with electromagnetic radiation with a predefinable wavelength and the intensity of the luminescent light caused by the irradiation is determined with at least one optical detector. For this purpose, electromagnetic radiation with preferably shorter wavelengths than the luminescence radiation to be examined in each case, preferably between 100 to 500 nm, can be used. However, there is also the possibility of using electromagnetic radiation with a significantly smaller wavelength bandwidth in a targeted manner within this wavelength range.
Da, wie bereits angedeutet, die verschiedenen unerwünschten Elemente Lumineszenzlichtspitzenwerte bei ganz bestimmten Wellenlängen aufweisen, kann die Lumineszenzintensität auch wellenlängenselektiv bestimmt und die für eine solche Wellenlänge gemessene Lumineszenzintensität sowohl als Maß für den Anteil sowie den Nachweis der tatsächlichen Anwesenheit eines solchen Elementes innerhalb einer Schicht oder Schichtsystems genutzt werden. Neben der Lumineszenzintensität kann auch das zeitliche Abklingverhalten des Lumineszenzlichtes ausgewertet werden.Since, as already indicated, the various undesired elements have luminescent light peak values at very specific wavelengths, the luminescence intensity can also be determined in a wavelength-selective manner and the luminescence intensity measured for such a wavelength both as a measure of the proportion and the detection of the actual presence of such an element within a layer or Layer system can be used. In addition to the luminescence intensity, the temporal decay behavior of the luminescence light can also be evaluated.
Für die Lumineszenzanregung können die unterschiedlichsten Strahlquellen für entsprechend geeignete intensive elektromagnetische Strahlung, wie beispiels- weise Quecksilberhochdrucklampen, aber auch verschiedene für den entsprechenden Wellenlängenbereich geeignete Laserlichtquellen, z.B. Excimerlaser eingesetzt werden.For the luminescence excitation, the most varied of beam sources can be used for correspondingly suitable intensive electromagnetic radiation, such as high-pressure mercury lamps, but also various laser light sources suitable for the corresponding wavelength range, e.g. Excimer lasers can be used.
Mit der erfindungsgemäßen Lösung können demzufolge optische Elemente, für den in Rede stehenden Wellenlängenbereich mit deutlich verbesserten optischen Eigenschaften, was im Wesentlichen die Langzeitstabilität, Laserfestigkeit, die Reflektivität und Transmis- sivität betrifft, erreicht werden. Dabei können insbesondere Absorptions- und Lumineszenzverluste deut- lieh reduziert werden. Außerdem ist auch eine Reduzierung der Wechselwirkung der eingesetzten elektromagnetischen Strahlung, eine verminderte Schichtdegradation sowie eine Erhöhung der Schichtstabilität, bei deutlich reduziertem Störeinfluss von Lumineszenz zu erreichen.Accordingly, the solution according to the invention can be used to achieve optical elements for the wavelength range in question with significantly improved optical properties, which essentially relates to long-term stability, laser strength, reflectivity and transmissivity. Absorption and luminescence losses in particular lent to be reduced. In addition, a reduction in the interaction of the electromagnetic radiation used, a reduced layer degradation and an increase in the layer stability can be achieved with a significantly reduced interference from luminescence.
Nachfolgend soll die Erfindung beispielhaft näher erläutert werden.The invention will be explained in more detail below by way of example.
Dabei zeigen:Show:
Figur 1 ein Diagramm der Reflektiviät eines optischen Elementes mit einem Wechselschicht- System, bestehend aus MgF2- und LaF3-Schich- ten, im Wellenlängenbereich zwischen 150 und 230 nm und1 shows a diagram of the reflectivity of an optical element with an alternating layer system, consisting of MgF 2 and LaF 3 layers, in the wavelength range between 150 and 230 nm
Figur 2 ein Diagramm, mit dem der Lumineszen- zeinfluss von Cer innerhalb eines Wechsel-FIG. 2 shows a diagram with which the luminescence influence of cerium within an alternating
SchichtSystems von LaF3- und MgF2-Schichten verdeutlicht werden soll.Layer systems of LaF 3 and MgF 2 layers should be clarified.
Auf einem Substrat wurde ein Wechselschichtsystem MgF2/LaF3 mit dem Schichtdesign (1H 1L) 20 1H ausgebildet. Auf die Oberfläche dieses Wechselschichtsystems wurde elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge von 193 nm von einem ArF-Laser unter einem Winkel von 45° auf das Schichtsystem gerichtet.An MgF 2 / LaF 3 alternating layer system with the layer design (1H 1L) 20 1H was formed on a substrate. Electromagnetic radiation with a wavelength of 193 nm was directed onto the surface of this alternating layer system by an ArF laser at an angle of 45 °.
Dabei bildete das MgF2 die niedrigbrechende und das LaF die hδherbrechende Komponente eines solchen Schichtsystems und die MgF-Schichten wiesen eine Dicke von 34 nm und die LaF3 eine Dicke von 29 nm auf.The MgF 2 formed the low refractive index and the LaF the higher refractive index component of such a layer system and the MgF layers had a thickness of 34 nm and the LaF 3 a thickness of 29 nm.
Wie mit dem in Figur 1 gezeigten Diagramm deutlich wird, konnte im Bereich der eingesetzten Wellenlänge eine Reflektivität oberhalb 97 % erreicht werden.As is clear from the diagram shown in FIG. 1 a reflectivity above 97% could be achieved in the range of the wavelength used.
Das gesamte Schichtsystem, bestehend aus den 41 Ein- zelschichten, wies einen Anteil der unerwünschten E- lemente ≤ 5 Masse-ppm auf.The entire layer system, consisting of the 41 individual layers, had a proportion of the undesired elements ≤ 5 mass ppm.
Mit dem in Figur 2 gezeigten Diagramm soll der unerwünschte Einfluss von in einem solchen Schichtsystem enthaltenem Cer, als ein Beispiel für ein solches E- lement, verdeutlicht werden.The diagram shown in FIG. 2 is intended to illustrate the undesired influence of cerium contained in such a layer system, as an example of such an element.
Dabei wurde wieder ein Wechselschichtsystem, bei dem als Schichtmaterialien LaF3 und MgF2 eingesetzt wor- den sind, verwendet. Das System wurde für 182 nmAn alternating layer system was again used, in which LaF 3 and MgF 2 were used as layer materials. The system was for 182 nm
Design-Wellenlänge bei 0° Einfallswinkel optimiert. Dementsprechend wurden die Schichtdicken des Wechsel- Schichtsystems auf diese Wellenlänge angepasst . Für die Anregung der Lumineszenz wurde intensive gepulste elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge von 193 nm eingesetzt. Mit dem Diagramm aus Figur 2 wird deutlich, dass durch die vorhandene Cer- Konzentration innerhalb eines solchen Wechselschichtsystems eine sehr hohe Lumineszenzintensität bei ei- ner Wellenlänge vonDesign wavelength optimized at 0 ° angle of incidence. The layer thicknesses of the alternating layer system were adjusted accordingly to this wavelength. Intensive pulsed electromagnetic radiation with a wavelength of 193 nm was used to excite the luminescence. The diagram in FIG. 2 clearly shows that the cerium concentration within such an alternating layer system means that the luminescence intensity is very high at a wavelength of
290 nm auftritt, was durch die relativen Angaben an der Abszisse des Diagramms, insbesondere im Vergleich zu einem Kohlenwasserstoff-behafteten System deutlich wird. Diese hohe Lumineszenzintensität hat dement- sprechend eine verminderte Laserbeständigkeit des290 nm occurs, which is clear from the relative information on the abscissa of the diagram, especially when compared to a hydrocarbon-containing system. This high luminescence intensity accordingly has a reduced laser resistance of the
Bauelements durch die aufgezeigte Absorptionswechsel- Wirkung zur Folge und führt gleichzeitig zu einem erhöhten Störlichteinfluss, der für bestimmte Anwendungsfälle den Einsatz von entsprechenden optischen Filterelementen, die wiederum eine Reduzierung der eigentlich gewünschten reflektierten elektromagneti- sehen Strahlung zur Folge hat, erforderlich macht. Component due to the shown absorption change effect and at the same time leads to an increased influence of stray light, which for certain applications the use of appropriate optical filter elements, which in turn reduces the actually desired reflected electromagnetic see radiation causes, requires.

Claims

Patentansprüche claims
1. Optisches Element zur Reflexion, Transmission, Führung und/oder Filterung elektromagnetischer Strahlung im Wellenlängenbereich zwischen 100 und 400 nm, bei dem auf einem Substrat mindestens eine aus einem metallischen Fluorid gebildete Schicht vorhanden ist;1. Optical element for reflection, transmission, guidance and / or filtering of electromagnetic radiation in the wavelength range between 100 and 400 nm, in which there is at least one layer formed from a metallic fluoride on a substrate;
dabei der Anteil mindestens eines in der Schicht zusätzlich enthaltenen Elementes, das innerhalb mindestens eines vorgebbaren Wellenlängenbereiches der elektromagnetischen Strahlung lumines- ziert, kleiner gleich Masse 10 ppm ist.the proportion of at least one element additionally contained in the layer which luminesces within at least one predefinable wavelength range of the electromagnetic radiation is less than or equal to mass 10 ppm.
2. Optisches Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Substrat ein aus mindestens zwei unterschiedlichen metallischen Fluoriden ausgebildetes Wechselschicht- System ausgebildet ist.2. Optical element according to claim 1, characterized in that an alternating layer system formed from at least two different metallic fluorides is formed on the substrate.
3. Optisches Element nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Wechselschichtsystem als λ/4 Schichtsystem ausgebildet ist.3. Optical element according to claim 1 or 2, characterized in that the alternating layer system is designed as a λ / 4 layer system.
4. Optisches Element nach mindestens einem der vor- hergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil an in den aus metallischen Fluoriden gebildeten Schichten an Übergangsmetallen und/oder Seltenerdmetallen ≤ 10 Masse ppm gehalten ist.4. Optical element according to at least one of the preceding claims, characterized in that the proportion of transition metals and / or rare earth metals in the layers formed from metallic fluorides is kept ≤ 10 mass ppm.
5. Optisches Element nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil eines oder mehrere zusätzlicher in einer oder mehreren Schichten enthaltenen E- lementes ≤ 5 Masse ppm gehalten ist.5. Optical element according to at least one of the preceding claims, characterized in that the proportion of one or more additional is contained in one or more layers of elements ≤ 5 mass ppm.
6. Optisches Element nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Seltenerdmetalle aus der Gruppe der6. Optical element according to at least one of the preceding claims, characterized in that the rare earth metals from the group of
Lanthanide ausgewählt sind.Lanthanides are selected.
7. Optisches Element nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die metallischen Fluoride ausgewählt aus MgF2, YF3, LaF3, AlF3, NdF3, BaF2, Chiolith, DyF3,7. Optical element according to at least one of the preceding claims, characterized in that the metallic fluorides selected from MgF 2 , YF 3 , LaF 3 , AlF 3 , NdF 3 , BaF 2 , Chiolith, DyF 3 ,
GdF3/ Kryolith, LiF, NaF, LuF3, SmF3, SrF2, TbF3, YbF3, ZrF4 sind.GdF 3 / cryolite, LiF, NaF, LuF 3 , SmF 3 , SrF 2 , TbF 3 , YbF 3 , ZrF 4 .
8. Optisches Element nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass es als optischer Reflektor, EntSpiegelung, optische Linse, Polarisator, Polarisationsteiler, Phasenverzδge- rungsplatte, optisches Fenster, Strahlteiler o- der optisches Gitter ausgebildet ist.8. Optical element according to one of claims 1 to 7, characterized in that it is designed as an optical reflector, antireflection, optical lens, polarizer, polarization splitter, phase delay plate, optical window, beam splitter or the optical grating.
9. Verwendung eines optischen Elementes nach einem der Ansprüche 1 bis 8, für lithographische Anwendungen, Lasertechnik, zur Monochromatisie- rung, für Spektralanalysen, Spektralzerlegung, Transmissionserhöhung oder Reflexionsminderung.9. Use of an optical element according to one of claims 1 to 8, for lithographic applications, laser technology, for monochromatization, for spectral analysis, spectral decomposition, transmission increase or reflection reduction.
10. Verfahren zur Herstellung eines optischen Ele- mentes nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass auf einem Substrat im Vakuum eine oder mehrere Schichten aus mindestens einem metallischen Fluorid durch thermische Verdampfung oder Elektronenstrahlverdamp- f ng, ionenunterstützte Abscheidung oder plasmaunterstützte Verdampfung ausgebildet wird/werden, dabei pulverförmige oder granuläre metallische Fluoride, deren Anteil mindestens eines zusätzlichen Elementes, das innerhalb mindestens eines vorgebbaren Wellenlängenbereiches der elektro- magnetischen Strahlung lu inesziert , ≤ Masse 10 ppm gehalten ist, verwendet wird oder10. A method for producing an optical element according to any one of claims 1 to 8, characterized in that one or more layers of at least one metallic fluoride on a substrate in a vacuum by thermal evaporation or electron beam evaporation, ion-assisted deposition or plasma-assisted evaporation is / are being trained, powdery or granular metallic fluorides, the proportion of which is kept at least one additional element, which is ingested within at least one predefinable wavelength range of the electromagnetic radiation, Masse mass 10 ppm, or
durch ein PVD/CVD-Verfahren reaktiv unter Verwendung metallischer Targets, in dem der Anteil mindestens eines zusätzlichen Elementes, das innerhalb mindestens eines vorgebbaren Wellenlängenbereiches der elektromagnetischen Strahlung luminesziert, ≤ Masse 10 ppm gehalten ist, verwendet wird.by a PVD / CVD process reactively using metallic targets, in which the proportion of at least one additional element which luminesces within at least a predefinable wavelength range of the electromagnetic radiation, ≤ mass 10 ppm, is used.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass pulverförmige oder granuläre metallische Fluoride vor der Verdampfung im Vakuum einem Reinigungsverfahren unterzogen werden.11. The method according to claim 10, characterized in that powdered or granular metallic fluorides are subjected to a cleaning process before evaporation in vacuo.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Reinigung durch12. The method according to claim 11, characterized in that the cleaning by
Zonenschmelzen und/oder einer Vakuum-Sublimation durchgeführt wird.Zone melting and / or vacuum sublimation is carried out.
13. Verfahren zur Bestimmung der optischen Eigen- Schäften und/oder Schichtgüten bei optischen E- lementen nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, das die eine oder mehrere aus metallischen Fluoriden gebildeten Schicht (en) mit elektromagnetischer Strahlung vorgebbarer Wellenlänge bestrahlt und die Lumineszenzintensität mit einem optischen Detektor bestimmt wird. 13. A method for determining the optical properties and / or layer qualities in optical elements according to one of claims 1 to 8, characterized in that the one or more layer (s) formed from metallic fluorides is irradiated with electromagnetic radiation of a predeterminable wavelength and the luminescence intensity is determined with an optical detector.
14. Verfahren nach Anspruch 13 , dadurch gekennzeichnet , dass für die Bestrahlung eine Laserlichtquelle verwendet wird.14. The method according to claim 13, characterized in that a laser light source is used for the irradiation.
15. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dass für die Bestrahlung elektromagnetische Strahlung mit kürzerer Wellenlänge, als die der jeweiligen Lumineszenzstrahlung eingesetzt wird.15. The method according to claim 13 or 14, characterized in that for the irradiation electromagnetic radiation with a shorter wavelength than that of the respective luminescent radiation is used.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass mit bestimmten Wellenlängen elektromagnetischer Strahlung, das Vorhandensein oder Nichtvorhandensein bestimmter Elemente in aus metallischen Fluoriden gebildeten Schichten oder Wechselschichtsystemen be- stimmt wird. 16. The method according to any one of claims 13 to 15, characterized in that with certain wavelengths of electromagnetic radiation, the presence or absence of certain elements in layers or alternating layer systems formed from metallic fluorides is determined.
PCT/DE2003/000810 2002-03-18 2003-03-07 Optical element, method for the production thereof and for determining its optical properties WO2003079062A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AU2003223861A AU2003223861A1 (en) 2002-03-18 2003-03-07 Optical element, method for the production thereof and for determining its optical properties

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2002113088 DE10213088B4 (en) 2002-03-18 2002-03-18 Optical element, process for its preparation and determination of its optical properties
DE10213088.4 2002-03-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2003079062A1 true WO2003079062A1 (en) 2003-09-25
WO2003079062A8 WO2003079062A8 (en) 2003-12-11

Family

ID=27815902

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/DE2003/000810 WO2003079062A1 (en) 2002-03-18 2003-03-07 Optical element, method for the production thereof and for determining its optical properties

Country Status (3)

Country Link
AU (1) AU2003223861A1 (en)
DE (1) DE10213088B4 (en)
WO (1) WO2003079062A1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007025600B4 (en) 2007-05-31 2009-05-28 Schott Ag Interference filter and method for its production

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4320936A (en) * 1978-09-27 1982-03-23 Canon Kabushiki Kaisha Far ultraviolet dielectric multilayer film
JPS5751146A (en) * 1980-09-09 1982-03-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Preparation of raw material for fluoride optical fiber
DE3813454A1 (en) * 1987-04-24 1988-11-03 Central Glass Co Ltd METHOD FOR PRODUCING INORGANIC METAL COMPOUNDS WITH ULTRA-HIGH PURITY
JPH01115897A (en) * 1987-10-30 1989-05-09 Nippon Mining Co Ltd Production of magnesium fluoride single crystal
JPH06240446A (en) * 1993-02-18 1994-08-30 Canon Inc Production of multilayer optical thin film
EP1152263A1 (en) * 1999-09-30 2001-11-07 Nikon Corporation Optical device with multilayer thin film and aligner with the device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4442045C2 (en) * 1994-11-25 1998-04-23 Fraunhofer Ges Forschung Interference filter
US6162495A (en) * 1997-09-29 2000-12-19 Cymer, Inc. Protective overcoat for replicated diffraction gratings
DE10025214C2 (en) * 2000-05-22 2003-07-17 Zeiss Carl Littrow grid and uses of a Littrow grid

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4320936A (en) * 1978-09-27 1982-03-23 Canon Kabushiki Kaisha Far ultraviolet dielectric multilayer film
JPS5751146A (en) * 1980-09-09 1982-03-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Preparation of raw material for fluoride optical fiber
DE3813454A1 (en) * 1987-04-24 1988-11-03 Central Glass Co Ltd METHOD FOR PRODUCING INORGANIC METAL COMPOUNDS WITH ULTRA-HIGH PURITY
JPH01115897A (en) * 1987-10-30 1989-05-09 Nippon Mining Co Ltd Production of magnesium fluoride single crystal
JPH06240446A (en) * 1993-02-18 1994-08-30 Canon Inc Production of multilayer optical thin film
EP1152263A1 (en) * 1999-09-30 2001-11-07 Nikon Corporation Optical device with multilayer thin film and aligner with the device

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
C. BEGON ET AL.: "Thin-film luminescence under ultraviolet irradiation", APPLIED OPTICS, vol. 38, no. 25, 1 September 1999 (1999-09-01), pages 5458 - 5463, XP002249711 *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 006, no. 127 (C - 113) 13 July 1982 (1982-07-13) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 013, no. 339 (C - 624) 31 July 1989 (1989-07-31) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 018, no. 632 (C - 1280) 2 December 1994 (1994-12-02) *

Also Published As

Publication number Publication date
DE10213088A1 (en) 2003-11-06
DE10213088B4 (en) 2005-03-10
AU2003223861A1 (en) 2003-09-29
WO2003079062A8 (en) 2003-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60126703T2 (en) Multilayer system with protective layer system and manufacturing process
DE69633369T2 (en) A method of producing a thin film, and a thin film produced by the method
DE2643586C3 (en) Interference reflection filter
DE60132355T2 (en) PROTECTIVE OVERLAY FOR REPLICATED LOAD GRIDS
DE69812450T3 (en) Multilayer antireflective coatings for flat incident ultraviolet light
CH709768A2 (en) Scratch-resistant optical element.
DE102007054731A1 (en) Optical element for reflection of UV radiation, manufacturing method therefor and projection exposure apparatus therewith
DE602004005571T2 (en) Clear aluminum-titanium oxide coating and / or alumina coating with a rutile structure
DE102019219177A1 (en) Optical element with a protective coating, process for its production and optical arrangement
CH713317A2 (en) Substrate comprising anti-reflection coating system with hard material coating and method for its production.
WO2006053705A1 (en) Process for protecting a metallic mirror against degradation, and metallic mirror
DE602004011038T2 (en) COATED OPTICS TO IMPROVE DURABILITY
EP0140096B1 (en) Reflective diminishing coating for an optical element of organic material
EP1729114A1 (en) Method of determining the irreversible radiation damages of optical material
EP0407548B1 (en) Deuterium lamp for spectral analysis devices
WO2008017723A1 (en) Temperable solar control layer system and method for the production thereof
DE10353776A1 (en) Reflective mirror for optical systems has a plastic substrate , a layered structure on the plastic substrate and a reflective film
EP1749222A1 (en) High-reflecting dielectric mirror and method for the production thereof
EP1597212B1 (en) Vaporizing material for producing highly refractive optical layers
DE102011054837A1 (en) Optical element
WO2003079062A1 (en) Optical element, method for the production thereof and for determining its optical properties
DE102009046303A1 (en) Calcium fluoride optical elements with improved laser resistance
DE102010006133B4 (en) Antireflection coating system and method for its production
WO2022002524A1 (en) Optical element for the vuv wavelength range, optical arrangement, and method for manufacturing an optical element
EP3743661B1 (en) Composite material for a solar collector

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DK DM DZ EC EE ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NO NZ OM PH PL PT RO RU SD SE SG SK SL TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
CFP Corrected version of a pamphlet front page

Free format text: UNDER (54) PUBLISHED TITLE REPLACED BY CORRECT TITLE

122 Ep: pct application non-entry in european phase
NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Country of ref document: JP