WO2003081564A1 - Afficheur d'image - Google Patents

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Hisao Tanabe
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Dai Nippon Printing Co., Ltd.
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    • HELECTRICITY
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    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • HELECTRICITY
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    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8723Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED

Definitions

  • the present invention relates to an image display device using a current-driven light-emitting device such as an organic electroluminescent device.
  • FIG. 4 is a diagram showing an example of an image display device using an organic electroluminescent device.
  • FIG. 4 (b) is a top view.
  • Interlayer insulating layers 2 and 3 are laminated on a glass substrate 1, on which an anode 4 made of a transparent conductive film defining each light emitting area, an organic light emitting layer 5 and a cathode 6 are formed over the entire surface.
  • a glass substrate 1 has a current driving transistor 8 supplied with current through a power supply line 7, a transistor 9 for controlling the current driving transistor 8 to ONZO, and a vertical electrode 1 for selecting a display cell to emit light.
  • 0 and horizontal electrodes 11 are formed.
  • the vertical electrode 10 and the horizontal electrode 11 are insulated by the interlayer insulating layer 2.
  • Each transistor is protected by the interlayer insulating layer 3, the surface on the transistor is smoothed, and the current driving transistor 8 and the anode 4 are connected through a through hole in the interlayer insulating layer 3. Further, a facing sealing plate 12 is provided so as to cover the entire cathode 6 for sealing the image device.
  • the current driving transistor 8 is turned on, and the power supply line 7 is connected to the anode 4. Then, current flows through the organic light emitting layer 5 and the cathode 6, and the selected cell emits light. This light emitting state continues until an OFF signal is applied to the transistor 9.
  • An image display is performed by selectively driving each of the light emitting cells arranged in a matrix by a transistor.
  • a current-driven light-emitting element such as an organic light-emitting element emits light by flowing a current, and thus it is necessary to keep flowing a current to maintain a light-emitting state. This Therefore, in order to drive the current-driven light-emitting device by active matrix driving, at least two active devices are required in total: a device for keeping current flowing and a device for controlling this device. In addition, a dedicated current supply line is required to keep the current flowing.
  • the current driving type light emitting element is connected to the current driving transistor 8 and is connected between the common power supply line 7 and the common installation line (cathode).
  • One current-driven light-emitting device requires at least two transistors.
  • the wiring is a data line, a scanning line (vertical and horizontal electrodes), a power supply line, and a ground for selecting the current-driven light-emitting device. Since four wires are required, the structure becomes complicated. In particular, as the number of display pixels increases, the power supply lines need to have a low resistance because the current supply capability needs to be increased, and if the line width is increased to reduce the resistance, the aperture ratio of the pixels decreases. Problem.
  • a color conversion method is used for a current-driven light-emitting element.
  • the color conversion method is a method of converting light of a light emitting layer of a specific color into light of another color by a fluorescent dye, for example, converting a part of light of a blue light emitting layer into green and red.
  • the color conversion layer is formed in connection with the light emitting layer.
  • a thin film transistor is formed on the color conversion layer, and an organic electroluminescent layer is formed thereon.
  • An organic electroluminescent layer is formed on the thin film transistor, and a color conversion layer is formed thereon.
  • method (1) it is extremely difficult to form a transistor on the color conversion layer after forming the color conversion layer, since the color conversion layer is required to have heat resistance at a process temperature of 400 ° C or more when forming the transistor. It is.
  • a color conversion layer is formed on the light emitting layer.
  • the light emitting layer is extremely weak and vulnerable to moisture etc., it is directly on the light emitting layer. It is extremely difficult to form a color conversion layer.
  • a top emission method that extracts light from the cathode side can be considered.
  • a substrate on which a light-emitting layer using a light-transmissive cathode is formed and a substrate on which a color conversion layer is formed are separately manufactured, and these are bonded together to realize a color conversion type active drive.
  • the light-emitting layer and the color conversion layer are optically separated, so that optical crosstalk cannot be avoided and the image quality deteriorates. There was a problem of doing it.
  • An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to enable a current of an electroluminescent element to be supplied without lowering the aperture ratio of a pixel, and to secure a high-quality light emitting element with high yield.
  • the current-driven light-emitting element has no optical crosstalk and does not use a light-transmissive cathode.
  • the present invention provides a current-driven light-emitting element
  • the plurality of display cells having a structure in which the current driving type light emitting element and the current driving transistor are connected between a power supply line and a ground line, and the current driving transistor is selectively provided.
  • An image display device for driving and displaying an image is characterized in that a power supply electrode column for supplying a current to each display cell is formed on a power supply common electrode formed on a counter substrate surface parallel to the substrate.
  • An image display device is provided.
  • the power supply electrode pillar is connected to a power supply pad provided in a notch formed in a part of a cathode formed on the current driven light emitting element, and the power supply electrode pillar is formed through the pad.
  • it is connected to a driving transistor.
  • the present invention provides a power supply electrode extending between both substrates by driving a substrate on which a current driving transistor is formed and a substrate on which a current driving type light emitting element is formed, by driving the driving transistor. Individually through the pillar to each pixel of the current driven light emitting device Provided is an image display device which supplies an electric current to display an image.
  • an anode, a light-emitting layer, and a cathode are sequentially formed on the substrate on which the current-driven light-emitting element is formed, and a cutout is formed in the light-emitting layer and the cathode for each anode.
  • a power supply electrode pillar extending from the substrate on which the current driving transistor is formed is connected to the notch.
  • the current-driven light-emitting device may have a color conversion layer.
  • a color conversion layer, an anode, a light emitting layer, and a cathode are sequentially formed on the substrate on which the current-driven light emitting element is formed, and the light emitting layer and the cathode are cut for each anode. It is preferable that a power supply electrode pillar extending from the substrate on which the notch portion is formed and the current driving transistor is formed is connected to the notch portion.
  • FIG. 1 is a diagram showing an example of the image display device of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram showing another example of the image display device of the present invention.
  • FIG. 3 is a diagram showing another example of the image display device of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram showing a conventional example of an image display device using an organic electroluminescent element.
  • the present invention relates to an image display device using a current-driven light-emitting element such as an organic electroluminescent element, and in this image display device, a substrate on which a current-driven light-emitting element is formed; It is characterized by providing a power supply electrode column for supplying a current between the light emitting element and an opposing substrate with the light emitting element interposed therebetween.
  • a power supply electrode column for supplying a current between the light emitting element and an opposing substrate with the light emitting element interposed therebetween.
  • the image display device of the present invention has three modes.
  • a power supply common electrode is provided on a substrate facing a substrate on which a current-driven light emitting element is formed, and a power supply electrode pillar formed between the power supply common electrode and the substrate.
  • the second mode is a current driving transistor and an organic light emitting layer. Are formed on separate substrates, and these substrates are connected by power supply electrode pillars.
  • a current driving transistor and an organic light emitting layer having a color conversion layer are formed on separate substrates, and a power supply electrode pillar is provided between the substrates. To supply current.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating an example of an image display device according to this embodiment.
  • FIG. 1A is a cross-sectional view
  • FIG. 1B is a top view. Since the same numbers as those in FIG. 4 indicate the same contents, detailed description thereof will be omitted.
  • an interlayer insulating layers 2 and 3 an anode 4 made of a transparent conductive film, an organic light emitting layer 5, and a cathode 6 are formed on a glass substrate 1, and a current driving transistor 8 formed on the glass substrate 1 is formed. A current is supplied to the anode 4 through the anode.
  • a power supply common electrode 20 is formed on the entire surface of the opposing substrate 13 (corresponding to the opposing sealing plate 12 in FIG. 4) opposed to the cathode 6 disposed opposite to the glass substrate 1. Then, a power supply electrode column 21 for supplying a current to the current driving transistor 8 of each display cell is formed on the power supply common electrode 20.
  • the power supply electrode pillar is made of metal or conductive resin, and also has a function as a spacer between the substrates. Then, a cutout is formed in a part of the cathode 6 and the organic light emitting layer 5 formed on the entire surface of the glass substrate 1 for each anode that defines each light emitting area of the display cell, and power is supplied to this part.
  • a pad 22 is formed, and this is connected to each power supply electrode pillar 21.
  • the vertical electrode 10 When the transistor 9 of the display cell selected by the horizontal electrode 11 is turned on, the corresponding current driving transistor 8 is turned on, and current flows through the anode 4, the organic light emitting layer 5, and the cathode 6, and the selected transistor is turned on. The cell emits light.
  • the power supply line is not formed on the glass substrate 1 as in the related art, and the current is supplied from the power supply electrode pillar 21 extending vertically from the opposing substrate, so that the light emitting area is limited by the power supply line.
  • a high aperture ratio can be ensured without any need.
  • the substrate 12 is also provided as a sealing plate in the conventional one, and is also used for forming the common electrode for power supply. Therefore, the aperture ratio can be increased while maintaining the conventional structure.
  • a current-driven light-emitting element such as an organic electroluminescent element
  • wiring for supplying power to each pixel is required on the same surface as the light-emitting element, which reduces the aperture ratio of the pixel.
  • a power supply common electrode is formed on the opposing sealing substrate, and a current is supplied to each pixel from the power supply electrode pillar. This eliminates the need for power supply lines on the board, and enables a high aperture ratio to be realized.
  • the substrate on which the current driving transistor is formed and the substrate on which the organic light emitting layer is formed are separated, and the current is passed through a power supply electrode column extending between the substrates for each display cell with both substrates facing each other.
  • the current is supplied without lowering the aperture ratio, and both substrates having different yields can be separately formed.
  • a current driving transistor 8 On the glass substrate 1, a current driving transistor 8, a transistor for controlling ON / OFF of the current driving transistor 8, a vertical electrode and a horizontal electrode for selecting a display cell to emit light, and a current driving transistor 8 are formed.
  • the power supply electrode pillar 21 extends from the power supply pad 22 connected to the transistor 8 through the interlayer insulating layer 3 to the opposing substrate.
  • the vertical and horizontal electrodes are isolated by an interlayer insulating layer 2, each transistor is protected by an interlayer insulating layer 3, and the surface on the transistor is smoothed. In this embodiment, since no electrode is formed on the interlayer insulating layer 3, the electrode can be omitted.
  • an anode 23 made of a transparent electrode is formed for each section defining each light emitting area.
  • An organic light emitting layer 24 and a cathode 25 are laminated on the entire surface of the substrate on the anode, and a cutout is formed in a part of the organic light emitting layer 24 and the cathode 25 for each anode.
  • Power supply electrode column 21 is connected to the anode 23.
  • Power supply electrode pole 21 is made of metal or conductive resin. It also has a function as a spacer between substrates.
  • the glass substrate 1 is used as a circuit board for selectively driving the current-driven light-emitting element, and the current-driven light-emitting element is formed on the glass substrate 13 facing the current-driven light-emitting element.
  • the current supply to the element is performed by the power supply electrode pillar 21 extending vertically from the glass substrate 1 side.
  • the current drive type light emitting element side substrate eliminates the need for current drive transistors and associated wiring.
  • the light emitting area is not limited by the supply line or the like, and a high aperture ratio can be secured. Further, the quality control of the current driving transistor circuit substrate and the current driving type light emitting element substrate can be performed separately.
  • a wiring for supplying power to each pixel is conventionally required on the same surface as the current-driven light-emitting element.
  • the current driving transistor circuit substrate and the current driving type light emitting element substrate are separated and opposed to each other, and the current is supplied from the opposing current driving transistor circuit substrate to each pixel. Since the current is supplied, the current driving transistor on the current driving type light emitting element side substrate and the wiring associated therewith become unnecessary, and a high aperture ratio can be realized. Furthermore, since the substrate on which the current-driven type optical element is formed and the substrate on which the drive element is formed can be completely separated, individual quality control becomes possible, and extremely high quality can be secured.
  • a third embodiment of the image display device of the present invention will be described.
  • the image display device of the present embodiment will be described with reference to FIG.
  • a substrate on which a current driving transistor is formed and a substrate on which an organic light emitting layer having a color conversion layer is formed are provided.
  • the current is supplied through an electrode pillar extending between the two substrates for each display cell with the two substrates facing each other.
  • a current driving transistor 8 On the glass substrate 1, there are formed a current driving transistor 8, a transistor for controlling the current driving transistor 8 on-off, a vertical electrode and a horizontal electrode for selecting a display cell to emit light, and a current driving transistor.
  • a power supply electrode column 21 protrudes from the power supply pad 22 connected to the transistor 8 through the interlayer insulating layer 3 and extends to the opposing substrate.
  • the vertical and horizontal electrodes are insulated by the eyebrow insulating layer 2, each transistor is protected by the interlayer insulating layer 3, and the surface on the transistor is smoothed. In this embodiment, since no electrode is formed on the interlayer insulating layer 3, the electrode can be omitted.
  • a color conversion layer 26 is formed by patterning by a photolithography process, and an anode 23 made of a transparent electrode is formed on each of the sections defining each light emitting area. Formed.
  • An organic light emitting layer 24 and a cathode 25 are laminated on the entire surface of the substrate on the anode, and a cutout is formed in a part of the organic light emitting layer 24 and the cathode 25 for each anode.
  • the power supply electrode column 21 is connected to the anode 23.
  • the power supply electrode column 21 is made of metal or conductive resin, and also has a function as a spacer between both substrates.
  • the current driving transistor 8 is selected by the vertical electrode and the horizontal electrode formed on the glass substrate 1 side to conduct, and the current driving transistor 8 is connected through the power supply electrode column 21 connected to the current driving transistor.
  • a current flows through the anode 22 made of a transparent conductive film, the organic light emitting layer 23, and the cathode 24, the selected cell emits light, and light passing through the transparent conductive film is partially converted by the color conversion layer 26, Color light output can be obtained from the glass substrate 13 side.
  • the glass substrate 1 side is a circuit board for selectively driving the current driven type light emitting element, and the current driven type light emitting element having the color conversion layer on the glass substrate 13 side facing the glass substrate 1 side.
  • the current driving type light emitting element having the color conversion layer can be formed very easily, and a high-definition image display can be performed, and the current driving transistor circuit board and the current driving type light emitting element can be formed. It is possible to control the quality of the die light emitting element substrate individually.
  • current-driven light-emitting devices such as organic electroluminescent devices are driven by a color conversion method.

Description

[技術分野]
本発明は、 有機電界発光素子等の電流駆動型の発光素子を用いた画像表示装置 に関するものである。 明
[背景技術]
図 4は、 有機電界発光素子を用いた画像表示装置の例を示す図で、 図 4 ( a ) 書
は断面図、 図 4 ( b ) は上面図である。
ガラス基板 1に層間絶縁層 2および 3が積層され、 その上に各発光ェリアを規 定する透明導電膜からなる陽極 4、 全面に有機発光層 5、 および陰極 6が形成さ れている。 また、 ガラス基板 1には、 電源供給線 7を通して電流供給される電流 駆動用トランジスタ 8、 その電流駆動用トランジスタ 8を O NZO F F制御する ためのトランジスタ 9、 発光させる表示セルを選択する縦電極 1 0、 および横電 極 1 1が形成されている。 縦電極 1 0およぴ横電極 1 1は層間絶縁層 2で絶縁さ れる。 また、 各トランジスタは層間絶縁層 3で保護されるとともに、 トランジス タ上の面が平滑化され、 さらに電流駆動用トランジスタ 8と陽極 4とは層間絶縁 層 3のスルーホールを通して接続されている。 また、 陰極 6全体を覆うように対 向封止板 1 2が画像装置の密封用として設けられている。
このような構造の画像表示装置においては、 縦電極 1 0および横電極 1 1で選 択された表示セルのトランジスタ 9が O Nすると、 電流駆動用トランジスタ 8が 導通し、 電源供給線 7から陽極 4、 有機発光層 5、 および陰極 6を通して電流が 流れ、 選択されたセルが発光する。 この発光状態はトランジスタ 9に対して O F F用の信号が加えられるまで継続する。 こうしてマトリックス状に配置された各 発光セルをトランジスタで選択駆動することにより画像表示が行われる。
ここで、 有機電界 光素子等の電流駆動型発光素子は、 電流を流すことにより 発光するため、 発光状態を保持するためには電流を流し続ける必要がある。 この ため、 電流駆動型発光素子をアクティブマトリックス駆動するためには、 電流を 流しつづけるための素子と、 この素子を制御するための素子との少なくとも合計 2つのアクティブ素子が必要となる。 また、 電流を流しつづけるためには、 専用 の電流供給線が必要である。
図 4に示したように、 電流駆動型発光素子は電流駆動用トランジスタ 8に接続 され、 共通の電源供給線 7と共通の設置線 (陰極) 間に接続されることとなる。 そして 1つの電流駆動型発光素子にはトランジスタが少なくとも 2つ必要で、 配 線は電流駆動型発光素子を選択するためのデータ線、走査線(縦電極と横電極)、 電源供給線、および接地線の 4電極が必要となるため、複雑な構造となる。特に、 電源供給線は表示画素数が増えると、 電流供給能力を高める必要があるため、 低 抵抗とする必要があり、 低抵抗化するため線幅を大きくすると画素の開口率が低 下してしまうという問題がある。
また、 トランジスタ回路部と電流駆動型発光素子との歩留まりが異なるため、 全体として歩留まり良く高い品質のものを確保するのが困難であるという問題も あった。
また、 電流駆動型発光素子に色変換方式を用いる場合がある。 この色変換方式 とは、 特定色の発光層の光を蛍光色素により他色の光へ変換する方式であり、 例 えば青色発光層の光の一部を緑、 赤に変換するものであり、 この場合、 色変換層 は発光層と接続して形成される。 このような色変換方式の有機電界発光素子を了 クティブ駆動するためには、
①色変換層の上に薄膜トランジスタを形成し、 さらにその上に有機電界発光層を 形成する。
②薄膜トランジスタ上に有機電界発光層を形成し、 さらにその上に色変換層を形 成する。
の 2方式が考えられる。
①の方式では、 色変換層形成後、 その上にトランジスタを形成するために、 色 変換層がトランジスタ形成時のプロセス温度 4 0 0 °C以上の耐熱性をもつことが 要求されるため極めて困難である。 一方、 ②の方式では、 発光層の上に色変換層 を形成するが、 発光層は湿気等に極めて弱く脆弱であるため、 発光層の上に直接 色変換層を形成することは極めて困難である。
これらの対策としては、 図 4に示したようなガラス基板側から光を取り出すボ トムエミッション方式ではなく、 陰極側から光を取り出すトップエミッション方 式の応用が考えられる。これは、光透過性陰極を用いた発光層を形成した基板と、 色変換層を形成した基板を個別に作製し、 これらを貼りあわせることにより色変 換方式のアクティブ駆動を実現しょうとするものであるが、 光透過性陰極の信頼 性に問題があることに加え、 発光層と色変換層とが光学的に分離されるため、 光 学的クロストークの発生が避けられず、 画質が劣化してしまうという問題があつ た。
[発明の開示]
本発明は、 上記課題を解決しょうとするもので、 画素の開口率を下げることな く、 電界発光素子の電流を供給可能にするとともに、 歩留まり良く高い品質の発 光素子を確保することを目的としている。
また、 電流駆動型発光素子に色変換方式を用いた場合には、 光学的クロストー クがなく、 かつ光透過性陰極を使用せずに、 電流駆動型発光素:
動できるようにすることを目的としている。
そのために、 本発明は、 電流駆動型発光素子と、 該電流駆動用
を同一基板上に形成し、 前記電流駆動型発光素子と前記電流駆動用トランジスタ とを電源供給線と接地線間に接続した構造の複数の表示セルを有し、 前記電流駆 動用トランジスタを選択的に駆動して表示する画像表示装置において、 前記基板 と平行な対向基板面に形成された電源用共通電極に、 各表示セルへ電流を供給す るための電源供給電極柱を形成したことを特徴とする画像表示装置を提供する。 また上記発明においては、 前記電源供給電極柱は、 前記電流駆動型発光素子上 に形成された陰極の一部に形成した切り欠き部に設けられた電源供給パッドに接 続され、該パッドを通して前記駆動用トランジスタに接続されることが好ましい。 また、 本発明は、 電流駆動用トランジスタが形成された基板と、 電流駆動型発 光素子が形成された基板とを対向させ、 前記駆動用トランジスタを駆動して両基 板間に延びる電源供給電極柱を通して前記電流駆動型発光素子の各画素へ個別に 電流を供給して画像表示することを特徴とする画像表示装置を提供する。
上記発明においては、 前記電流駆動型発光素子が形成された基板上には、 順次 陽極、 発光層、 陰極が形成されるとともに、 前記発光層と前記陰極には各陽極毎 に切り欠き部が形成され、 前記電流駆動用トランジスタが形成された基板から延 びる電源供給電極柱が前記切り欠き部に接続していることが好ましい。
また、 本発明においては、 前記電流駆動型発光素子が、 色変換層を有していて よい。
上記発明においては、 前記電流駆動型発光素子が形成された基板上には、 順次 色変換層、 陽極、 発光層、 陰極が形成されるとともに、 前記発光層と前記陰極に は各陽極毎に切り欠き部が形成され、 前記電流駆動用トランジスタが形成された 基板から延びる電源供給電極柱が前記切り欠き部に接続していることが好ましい。
[図面の簡単な説明]
図 1は、 本発明の画像表示装置の一例を示す図である。
図 2は、 本発明の画像表示装置の他の例を示す図である。
図 3は、 本発明の画像表示装置の他の例を示す図である。
図 4は、 有機電界発光素子を用いた画像表示装置の従来例を示す図である。
[発明を実施するための最良の形態]
本発明は、 有機電界発光素子等の電流駆動型の発光素子を用いた画像表示装置 に関するものであり、 この画像表示装置において、 電流駆動型発光素子が形成さ れた基板と、 その電流駆動型発光素子を挟んで対向する基板との間に電流を供給 する電、源供給電極柱を設けることを特徴とするものである。 本発明においては、 上記電源供給電極柱を設けることにより、 画素部の開口率を下げることなく、 電 界発光素子へ電流を供給可能な画像表示装置とすることができるのである。
本発明の画像表示装置には、 3つの態様がある。 1つ目の態様としては、 電流 駆動型発光素子が形成された基板と対向する基板上に電源用共通電極を設け、 そ の電源用共通電極から基板間に形成された電源供給電極柱によつて電流を供給す るものであり、 2つ目の態様としては、 電流駆動用トランジスタと、 有機発光層 とをそれぞれ別の基板に形成し、 それらの基板間を電源供給電極柱により接続し
、 電流を供給するものであり、 3つ目の態様としては、 電流駆動用トランジスタ と、 色変換層を有する有機発光層とをそれぞれ別の基板に形成し、 それらの基板 間を電源供給電極柱により接続して電流を供給するものである。
以下、 本発明の画像表示装置について、 各態様ごとに説明する。
1 . 第 1の態様
まず、 本発明の画像表示装置における第 1の態様について説明する。 本態様の 画像表示装置について、 図 1を参照しつつ説明する。 図 1は、 本態様の画像表示 装置の例を説明する図で、 図 1 ( a ) は断面図、 図 1 ( b ) は上面図である。 な お、 図 4と同一番号は同一内容を示しているので、 その詳細な説明は省略する。 本態様においては、 ガラス基板 1に層間絶縁層 2および 3、 透明導電膜からな る陽極 4、 有機発光層 5、 および陰極 6を形成し、 さらにガラス基板 1に形成し た電流駆動用トランジスタ 8を通して陽極 4に電流を供給する。
本態様においては、 ガラス基板 1に対向して配置される対向基板 1 3 (図 4の 対向封止板 1 2に相当) の陰極 6との対向面全面に、 電源用共通電極 2 0を形成 し、 この電源用共通電極 2 0に各表示セルの電流駆動用トランジスタ 8に電流を 供給するための電源供給電極柱 2 1を形成する。 電源供給電極柱は金属または導 電性樹脂からなり、 基板間のスぺーサとしての機能も有する。 そして、 ガラス基 板 1側の全面に形成された陰極 6と有機発光層 5との一部に、 表示セルの各発光 エリアを規定する陽極毎に切り欠き部を形成し、 この部分に電源供給パッド 2 2 を形成し、 これと各電源供給電極柱 2 1を接続する。
かかる構成においては、 対向基板の電源用共通電極 2 0から電源供給電極柱 2 1およぴ電源供給パッド 2 2を通して電流駆動用トランジスタ 8に常時電圧が印 加されているので、 縦電極 1 0およぴ横電極 1 1で選択された表示セルのトラン ジスタ 9が O Nすると、 該当する電流駆動用トランジスタ 8が導通し、 陽極 4、 有機発光層 5、 および陰極 6を通して電流が流れ、 選択されたセルが発光する。 このようにガラス基板 1には従来のように電源供給線が形成されず、 対向基板 から垂直に延びる電源供給電極柱 2 1から電流が供給されるため、 電源供給線に よって発光エリアが制限されることなく、 高い開口率を確保できる。 また、 対向 基板 1 2は従来のものにおいても封止板として設けられており、 これを電源供給 用共通電極形成に兼用しているため、 従来の構造を保持したまま開口率が上げら れることとなる。
従来では、 有機電界発光素子等の電流駆動型の発光素子をアクティブマトリツ タス駆動する場合に、 発光素子と同一面に各画素に電源供給する配線が必要であ り、 これが画素の開口率を下げる要因となっていたが、 本態様においては、 対向 する封止用の基板に電源用共通電極を形成し、 ここから電源供給電極柱を通して 各画素へ電流供給するようにしたので、 発光素子側の基板上に電源供給線が不要 になり、 高い開口率を実現することが可能となるのである。
2 . 第 2の態様
次に、 本 明の画像表示装置における第 2の態様について説明する。 本態様の 画像表示装置について、 図 2を参照しつつ説明する。 本態様は、 電流駆動用トラ ンジスタが形成された基板と、 有機発光層が形成された基板とを分離し、 両基板 を対向させて表示セル毎に両基板間に延びる電源供給電極柱を通して電流を供給 するようにし、 開口率を下げることなく電流供給し、 かつ歩留まりの異なる両基 板を別々に作成できるようにしたものである。
ガラス基板 1には、 電流駆動用トランジスタ 8、 その電流駆動用トランジスタ 8を O N/O F F制御するためのトランジスタ、 発光させる表示セルを選択する ための縦電極や横電極が形成されるとともに、 電流駆動用トランジスタ 8に接続 された電¾1供給パッド 2 2から層間絶縁層 3を通して電源供給電極柱 2 1が表面 に突出して対向する基板まで延びている。 縦電極や横電極は、 層間絶縁層 2で絶 縁され、 各トランジスタは層間絶縁層 3で保護されるとともに、 トランジスタ上 の面が平滑化されている。 なお、 本態様では層間絶縁層 3上には電極が形成され ないため、 これを省略することも可能である。
一方、 ガラス基板 1と対向するガラス基板 1 3には、 透明電極からなる陽極 2 3が各発光ェリァを規定する区画ごとに形成される。 陽極上には基板全面に渡つ て有機発光層 2 4、 陰極 2 5が積層され、 各陽極ごとに有機発光層 2 4と陰極 2 5との一部に切り欠き部を形成し、 この部分を通して電源供給電極柱 2 1が陽極 2 3に接続している。 電源供給電極柱 2 1は金属または導電性榭脂からなり、 両 基板間のスぺーサとしての機能も有する。
かかる構成においては、 ガラス基板 1側に形成された縦電極および横電極で選 択されたトランジスタが O Nすると、 該当する電流駆動用トランジスタ 8が導通 し、 この電流駆動用トランジスタ 8に接続された電源供給電極柱 2 1を通して対 応する透明導電膜からなる陽極 2 3、 有機発光層 2 4、 および陰極 2 5を通して 電流が流れ、 選択されたセルが発光し、 透明導電膜を通してガラス基板 1 3側か ら光出力が得られる。
このように、 本態様においては、 ガラス基板 1側を電流駆動型発光素子を選択 駆動する回路基板とし、 これと対向するガラス基板 1 3側に電流駆動型発光素子 を形成し、 電流駆動型発光素子への電流供給はガラス基板 1側から垂直に延びる 電源供給電極柱 2 1により行うようにしているため、 電流駆動型発光素子側基板 には電流駆動トランジスタやそれに伴う配線が不要になり、 電源供給線等によつ て発光エリアが制限されること等がなく、 高い開口率を確保できる。 また、 電流 駆動用トランジスタ回路基板と電流駆動型発光素子基板とを別個に品質管理をす ることができるのである。 , 従来、 有機電界発光素子等の電流駆動型の発光素子をアクティブマトリックス 駆動する場合に、 従来では電流駆動型発光素子と同一面に各画素に電源供給する 配線が必要であり、 これが画素の開口率を下げる要因となっていたが、 本態様に おいては電流駆動用トランジスタ回路基板と電流駆動型発光素子基板とを分離し て対向させ、 対向する電流駆動用トランジスタ回路基板から各画素へ電流供給す るようにしたので、 電流駆動型発光素子側基板上の電流駆動用トランジスタとそ れに伴う配線が不要になり、 高い開口率を実現することができるのである。 さらに、 電流駆動型堯光素子を形成する基板と駆動素子を形成する基板とを完 全に分離できるので、 個別の品質管理が可能となり、 極めて高い品質が確保可能 となる。
3 . 第 3の態様
次に、 本発明の画像表示装置における第 3の態様について説明する。 本態様の 画像表示装置について、 図 3を参照しつつ説明する。 本態様は、 電流駆動用トラ ンジスタが形成された基板と、 色変換層を有する有機発光層が形成された基板と を分離し、 両基板を対向させて表示セル毎に両基板間に延びる電極柱を通して電 流を供給するようにしたものである。
ガラス基板 1には、 電流駆動用トランジスタ 8、 その電流駆動用トランジスタ 8を O NZO F F制御するためのトランジスタ、 発光させる表示セルを選択する ための縦電極や横電極が形成されるとともに、 電流駆動用トランジスタ 8に接続 された電源供給パッド 2 2から層間絶縁層 3を通して電源供給電極柱 2 1が表面 に突出して対向する基板まで延びている。 縦電極や横電極は、 眉間絶縁層 2で絶 縁され、 各トランジスタは層間絶縁層 3で保護されるとともに、 トランジスタ上 の面が平滑化されている。 なお、 本態様では層間絶縁層 3上には電極が形成され ないため、 これを省略することも可能である。
一方、 ガラス基板 1と対向するガラス基板 1 3には、 色変換層 2 6がフォトリ ソ工程によりパターエングして形成され、 その上に透明電極からなる陽極 2 3が 各発光ェリァを規定する区画ごとに形成される。 陽極上には基板全面に渡つて有 機発光層 2 4、 陰極 2 5が積層され、 各陽極ごとに有機発光層 2 4と陰極 2 5と の一部に切り欠き部を形成し、 この部分を通して電源供給電極柱 2 1が陽極 2 3 に接続している。 電源供給電極柱 2 1は金属または導電性樹脂からなり、 両基板 間のスぺーサとしての機能も有する。
かかる構成においては、 ガラス基板 1側に形成された縦電極、 および横電極で 選択されて電流駆動用トランジスタ 8が導通し、 この電流駆動用トランジスタに 接続された電源供給電極柱 2 1を通して対応する透明導電膜からなる陽極 2 2、 有機発光層 2 3、 陰極 2 4を通して電流が流れ、 選択されたセルが発光し、 透明 導電膜を通った光は一部色変換層 2 6で変換され、 ガラス基板 1 3側からカラー の光出力が得られる。
このように、 本態様においては、 ガラス基板 1側を、 電流駆動型発光素子を選 択駆動する回路基板とし、 これと対向するガラス基板 1 3側に色変換層を有する 電流駆動型努光素子を形成するようにしているため、 極めて簡単に色変換層を有 する電流駆動型発光素子を形成し、 かつ高精細な画像表示を行うことができると ともに、 電流駆動用トランジスタ回路基板と電流駆動型発光素子基板とを個別に 品質管理をすることができるのである。 従来は、 有機電界発光素子等の電流駆動型の発光素子を色変換方式で: プマトリックス駆動する場合に、 極めて複雑な層構成にするか、 トップミツショ ン方式で光透過性陰極の使用や光学的ク口ストークの発生が避けられなかったが 、 本態様によれば電流駆動用トランジスタが形成された基板と、 色変換層を有す る電流駆動型発光素子とを形成することにより、 高精細な画像表示装置が得られ るとともに、 両基板の個別品質管理が可能となり、 極めて高い品質を確保するこ とができる。
なお、 本発明は、 上記実施形態に限定されるものではない。 上記実施形態は例 示であり、 本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構 成を有し、 同様な作用効果を奏するものは、 いかなるものであっても本発明の技 術的範囲に包含される。

Claims

請求の範囲
1 .電流駆動型発光素子と、該電流駆動用トランジスタとを同一基板上に形成し、 前記電流駆動型発光素子と前記電流駆動用トランジスタとを電源供給線と接地線 間に接続した構造の複数の表示セルを有し、 前記電流駆動用トランジスタを選択 的に駆動して表示する画像表示装置において、 前記基板と平行な対向基板面に形 成された電源用共通電極に、 各表示セルへ電流を供給するための電源供給電極柱 を形成したことを特徴とする画像表示装置。
2 . 前記電源供給電極柱は、 前記電流駆動型発光素子上に形成された陰極の一 部に形成した切り欠き部に設けられた電源供給パッドに接続され、 該パッドを通 して前記駆動用トランジスタに接続されることを特徴とする請求の範囲第 1項に 記載の画像表示装置。
3 . 電流駆動用トランジスタが形成された基板と、 電流駆動型発光素子が形成 された基板とを対向させ、 前記駆動用トランジスタを駆動して両基板間に延びる 電源供給電極柱を通して前記電流駆動型発光素子の各画素へ個別に電流を供給し て画像表示することを特徴とする画像表示装置。
4 . 前記電流駆動型発光素子が形成された基板上には、 順次陽極、 発光層、 陰 極が形成されるとともに、 前記発光層と前記陰極には各陽極毎に切り欠き部が形 成され、 前記電流駆動用トランジスタが形成された基板から延びる電源供給電極 柱が前記切り欠き部に接続していることを特徴とする請求の範囲第 3項に記載の
5 . 前記電流駆動型発光素子が、 色変換層を有することを特徴とする請求の範 囲第 3項に記載の画像表示装置。
6 . 前記電流駆動型発光素子が形成された基板上には、 順次色変換層、 陽極、 発光層、 陰極が形成されるとともに、 前記発光層と前記陰極には各陽極毎に切り 欠き部が形成され、 前記電流駆動用トランジスタが形成された基板から延びる電 源供給電極柱が前記切り欠き部に接続していることを特徴とする請求の範囲第 5 項に記載の画像表示装置。
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