WO2004016546A3 - Schichtsystem mit einer siliziumschicht und einer passivierschicht, verfahren zur erzeugung einer passivierschicht auf einer siliziumschicht und deren verwendung - Google Patents

Schichtsystem mit einer siliziumschicht und einer passivierschicht, verfahren zur erzeugung einer passivierschicht auf einer siliziumschicht und deren verwendung Download PDF

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Abstract

Es wird ein Schichtsystem mit einer Siliziumschicht (11) vorgeschlagen, auf der zumin­dest bereichsweise oberflächlich eine Passivierschicht (17) aufgebracht ist, wobei die Passivierschicht (17) eine erste, zumindest weitgehend anorganische Teilschicht (14) und eine zweite, zumindest weitgehend polymere Teilschicht (15) aufweist. Weiter wird ein Verfahren zur Erzeugung einer Passivierschicht (17) auf einer Siliziumschicht (11) vor­ geschlagen, wobei auf der Siliziumschicht (11) eine erste, anorganische Teilschicht (14), auf dieser eine Zwischenschicht und auf dieser eine zweite, polymere Teilschicht (15) er­zeugt wird, die die Passivierschicht (17) bilden. Die Erzeugung der Zwischenschicht er­folgt derart, dass die Zwischenschicht in ihrem der ersten Teilschicht (14) benachbarten Oberflächenbereich wie die erste Teilschicht (14) und in ihrem der zweiten Teilschicht (15) benachbarten Oberflächenbereich wie die zweite Teilschicht (15) zusammengesetzt ist, und dass die Zusammensetzung der Zwischenschicht kontinuierlich oder stufenweise von der Zusammensetzung entsprechend der ersten Teilschicht in die Zusammensetzung entsprechend der zweiten Teilschicht übergeht. Das vorgeschlagene Schichtsystem oder das vorgeschlagene Verfahren eignet sich besonders bei der Erzeugung von freitragenden Strukturen in Silizium.
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