WO2004036952A2 - Membran und verfahren zu deren herstellung - Google Patents

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WO2004036952A2
WO2004036952A2 PCT/EP2003/011204 EP0311204W WO2004036952A2 WO 2004036952 A2 WO2004036952 A2 WO 2004036952A2 EP 0311204 W EP0311204 W EP 0311204W WO 2004036952 A2 WO2004036952 A2 WO 2004036952A2
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sacrificial layer
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corrugation grooves
recesses
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Stefan Barzen
Marc Fueldner
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Definitions

  • the present invention relates to a membrane and to a method for producing the same, and here in particular to a membrane with corrugation grooves and non-stick elements and to a method for producing the same.
  • the present invention relates to a membrane for a microphone, for example a silicon microphone.
  • the central element of a micromechanically implemented silicon microphone is the membrane used in it, which is intended to vibrate in the sound field.
  • a prerequisite for this membrane is that it should be as sensitive as possible, but it must not adhere to the counter electrode in the event of strong deflections and resulting contact with a counter electrode. Such strong deflections are caused, for example, by high sound levels, an electrostatic attraction or the surface tension of liquids.
  • corrugation grooves Another approach to improving the sensitivity of a membrane to a silicon microphone is to use called corrugation grooves to provide in the membrane.
  • corrugation grooves Such an approach is described, for example, by Zou, Quanbo et al. in "Design and Fabrication of Silicon Condenser Microphone Using Corrugated Diaphragm Technique” in Journal of Microelectromechanical Systems, Vol. 5, No. 3, September 1996.
  • V-shaped trenches are formed in a silicon substrate in order to the subsequent formation of the membrane to produce the desired corrugation grooves.
  • non-stick elements anti-stick bumps / dimples
  • These non-stick elements are needle-like structures in the membrane, which significantly reduce the contact area when touching the counterelectrode, as described by Brauer, et al. is described in "Silicon Microphone Based on Surface and Bulk Micromachining", Journal of Micromechanics and Microengineering, 11 (2001) pages 319-322.
  • the disadvantage of this approach is that the manufacture of the needle-like structures means additional process expenditure.
  • the present invention has for its object to provide an improved method for producing a membrane and an improved component, wherein both the sensitivity of the membrane and the adherence of the membrane to a can be improved with reduced process engineering manufacturing costs Counter electrode is avoided.
  • the present invention provides a method for producing a membrane for a component, comprising the following steps:
  • the non-stick elements are defined in a region of the sacrificial layer which lies opposite a central region of the counter electrode.
  • the corrugation grooves are defined in a region of the sacrificial layer which lies opposite an edge region of the counter electrode, so that when the membrane is deflected toward the counter electrode, only the one or more non-stick elements come into contact with the counter electrode.
  • a further sacrificial layer is deposited on the structured surface, with a thickness which is compared to thickness of the sacrificial layer is small, so that the structured surface of the sacrificial layer is depicted in the surface of the further sacrificial layer facing away from the sacrificial layer, the membrane material then being deposited onto the structured surface of the further sacrificial layer in step (c) and in step (d) the additional sacrificial layer is also removed.
  • step (d) the sacrificial layer is preferably removed in such a way that a portion of the sacrificial layer remains in a region outside the counter electrode in order to define a structure which supports the membrane at a distance from the counter electrode.
  • corrugation grooves are preferably structured such that they are self-contained and surround the non-stick elements, wherein the corrugation grooves can be circular, polygonal or defined in any shape.
  • the recesses that define the non-stick elements preferably have a lateral dimension that is small compared to a lateral dimension of the recesses that define the corrugation grooves, so that when the membrane material or the further sacrificial layer is deposited, the recesses that define the non-stick elements again completely or almost completely - depending on the desired shape of the bump.
  • the present invention also provides a device with
  • the membrane spaced from the counter electrode to face the counter electrode, wherein the membrane has one or more non-stick elements in a central area of the membrane and one or more corrugation grooves in an edge area of the membrane surrounding the central area, so that when the membrane is deflected toward the counter electrode, only the non-stick elements come into contact with the counter electrode.
  • the component is preferably a microphone, for example a silicon microphone, and the membrane is the microphone membrane.
  • the component can also be a pressure sensor.
  • the advantage of the present invention is that the sensitivity is now improved by one or more corrugation grooves in the membrane, wherein corrugation grooves form a vertical circumferential wave structure in the membrane.
  • one or more ring structures (corrugation grooves) and one or more hole structures (bumps, non-stick elements) are defined in the sacrificial oxide layer, which determines the gap distance in the condenser microphone, which are molded into the membrane during deposition, and thus the desired one Structure.
  • an improvement in the production process is achieved in that the corrugation grooves and the non-stick elements are simultaneously produced in one work step, so that the disadvantages in the prior art which are different for the production of the corrugation grooves and for the production of the non-stick elements are different processes and production processes needed, avoided.
  • An advantage of the present invention is that corrugation grooves are now produced using the same technology with which the non-stick elements have already been produced so that no additional process steps are required according to the invention. Since the surface of the membrane is not structured and therefore reduced in order to increase the sensitivity, the capacity is retained in full.
  • the increase in sensitivity of the corrected membrane according to the invention is comparable to that achieved with spring membranes, but can additionally be adjusted by the number of corrugation grooves.
  • FIG. 1A to ID show an exemplary embodiment for producing a microphone membrane according to the present invention
  • FIG. 2A shows a top view of the microphone membrane produced according to the method described in FIG. 1;
  • FIG. 2B shows a detailed view of a section of the membrane shown in FIG. 2A;
  • FIG. 3 shows a graph which shows the improvement in the sensitivity of the microphone membrane according to the invention as a function of the number of corrugation grooves
  • FIG. 4A shows a representation of a corrugation membrane with the parameters required for determining the sensitivity
  • FIG. 4B shows a cross-sectional illustration of a corrugation groove of the membrane from FIG. 4A.
  • FIGS. 1A to ID An exemplary embodiment of the present invention for producing a silicon microphone is explained in more detail below with reference to FIGS. 1A to ID, the following being the Position of a membrane with non-stick elements (bumps) and corrugation grooves is shown.
  • the membrane can be part of a capacitive microphone, the membrane then forming an electrode of the plate capacitor, and a second static electrode being arranged below it.
  • FIG. 1A shows a substrate 100 which has a first main surface 102.
  • a counter electrode 104 is at least partially formed on the main surface 102 of the substrate 100.
  • a first sacrificial oxide layer 106 is arranged on a surface of the counter electrode 104 facing away from the substrate 100, and in the exemplary embodiment shown in FIG. 1A it is formed in such a way that it completely covers the counter electrode 104 and also on the first main surface 102 of the substrate 100 enough.
  • a first plurality of recesses 110 and a second plurality of recesses 112 are formed in a surface 108 of the first sacrificial oxide layer 106 facing away from the substrate 100, only a few of the recesses being provided with a reference symbol in FIG. 1A for the sake of clarity.
  • the recesses 110, 112 are introduced into the surface 108 of the first sacrificial oxide layer 106 by means of a suitable etching process, the recesses 110 being structured in order to define the structures for the corrugation grooves to be formed in the membrane.
  • the recesses 112 are defined in order to define the structures for the non-stick elements provided in the membrane.
  • the lateral geometry of the recesses 110, 112 is selected such that the recesses 112 are so narrow for the definition of the non-stick elements, for example in the range of 1 ⁇ m, that these recesses 112 during a subsequent oxide deposition, for example with a thickness of 600 nm, almost closed again.
  • the lateral dimension of the recesses 112 is thus approximately in the range of the thickness of the oxide layer to be subsequently applied.
  • the recesses 110 for fixing the corrugation grooves designed significantly wider than the thickness of a subsequent layer produced by an oxide deposition, the dimensions of the recesses 110 being 5 ⁇ m, for example.
  • a second sacrificial oxide layer 116 is applied to the patterned surface 108 of the first sacrificial oxide layer 116 to round the structure as shown in FIG. 1A.
  • the thickness of the second sacrificial oxide layer 116 is small compared to the thickness of the first sacrificial oxide layer and is approximately 600 nm in the exemplary embodiment shown.
  • the dimensions of the recesses 112 are for defining the other Adhesive elements selected such that the lateral dimension of the recesses 112 in the area of the
  • the thickness of the further sacrificial oxide layer 116 lies. This means that after the second sacrificial oxide layer 116 has been deposited from the recesses 112, the so-called bump holes, only a pointed depression remains, as is shown in FIG. 1B by the reference symbol 118.
  • the membrane material is now deposited in order to produce the membrane 120.
  • the membrane material for producing the membrane 120 is in the illustrated embodiment with a thickness of z. B. 200 nm deposited.
  • the depressions 118 formed in the second sacrificial oxide layer 116 are also imaged into the membrane 120 when the membrane material is deposited.
  • the corrugation grooves 124 in the membrane due to the deposition defining the recesses 110 in the upper surface of the first sacrificial oxide layer 106, the corrugation grooves 124 in the membrane.
  • the first sacrificial oxide layer 106 and the second sacrificial oxide layer 116 are partially removed, for example by a suitable etching process, so that the structure shown in FIG. ID with a cavity 128 between the membrane 120 and the substrate 100 or the counter electrode 104 results.
  • the sacrificial layers 106 and 116 are removed such that a portion of the sacrificial layers remains in an area outside of the counter electrode 104 to define a structure 129 that supports the membrane 120 spaced apart from the counter electrode 104.
  • the removal with the sacrificial oxide layers 106, 116 results in the arrangement with the membrane 120, which comprises the corrugation grooves 124 and a plurality of non-stick elements (anti-sticking bumps) 126.
  • Microphone membrane is produced which, on the one hand, has an improved sensitivity due to the corrugation grooves and, on the other hand, does not adhere to the counterelectrode when deflected against the counterelectrode, owing to the anti-adhesive elements provided.
  • the advantage according to the invention lies in the fact that no different manufacturing processes are required to produce the corrugation grooves and the non-stick elements, but rather, according to the invention, these are produced in a common manufacturing step.
  • FIG. 1 there is a structure which forms a silicon microphone in which the non-stick elements are arranged in a central region of the membrane 120, the corrugation grooves 124 being arranged in an edge region of the membrane 120 which corresponds to the
  • FIG. 2A shows a top view of the membrane 120, which was produced in accordance with the method described in FIG. 1.
  • the membrane 120 and the support structure 129 are circular, as is the substrate not shown in FIG. 2A.
  • the six corrugation grooves 124 in the edge region of the membrane 120 are circular and self-contained structures, the inner corrugation groove surrounding the non-stick elements 126 in the central region of the membrane 120.
  • FIG. 2B is an enlarged view of the membrane shown in FIG. 2A with the corrugation grooves 124 and the bumps 126.
  • the corrugation grooves have a width of approximately 5 ⁇ m and the bumps have a width of approximately 1 ⁇ m.
  • the counter electrode comprises a plurality of openings, and the arrangement of the bumps matches these openings.
  • the present invention as described above with reference to the preferred exemplary embodiment in FIGS. 1 and 2, is not restricted to these exemplary embodiments. Rather, the membrane 120 can also have other shapes, e.g. B. rectangular
  • corrugation grooves 124 are not limited to the circular configuration described. Rather, the corrugation grooves can also be formed by a polygon or by several, separate sections. Furthermore, it was shown in the exemplary embodiment described above that a second sacrificial oxide layer 116 is applied to the first sacrificial layer. In another exemplary embodiment, the membrane can also be applied directly to the first sacrificial oxide layer 106.
  • the present invention is not restricted to this application. Rather, the present invention is suitable for all components in which a membrane is provided, which must have a certain sensitivity, and in which adhesion to a counter electrode is to be avoided. Other areas of application include, for example, pressure sensors or the like.
  • the manner in which the sensitivity of a membrane is improved due to the corrugation grooves is explained in more detail below with reference to FIG. 3.
  • the membrane layer 120 is under tension, which the
  • the corrugation groove serves to relax this layer tension. It can be shown that the increase in sensitivity over a wide range is proportional to the number of corrugation grooves N c introduced .
  • FIG. 4A shows a circular corrugation membrane, similar to that shown in FIG. 2, wherein in FIG. 4A the Radius R of the membrane 120 is shown.
  • the membrane comprises four corrugation grooves 124.
  • FIG. 4A shows the distance R c between an edge of the corrugation membrane 120 and the first corrugation groove adjacent to the edge, that is to say the distance between the outermost corrugation groove and the edge of membrane 120.
  • FIG. 4B shows a cross section of a corrugation groove as formed in FIG. 4A, where w c indicates the width of the corrugation groove, h c indicates the depth of the corrugation groove, t indicates the thickness of the membrane 120, and b c / 2 represents half the distance of the corrugation groove under consideration from the adjacent corrugation groove.
  • ⁇ 0 denotes the layer stress of the membrane material.
  • the membrane is at a lower effective mechanical stress in the membrane 120.

Abstract

Bei einem Verfahren zur Herstellung einer Membran (120) für ein Bauelement, z. B. ein Mikrophon, wird zunächst ein Substrat (100) bereitgestellt, auf dem eine Gegenelektrode (104) angeordnet ist. Auf einer dem Substrat (100) abgewandten 0berfläche der Gegenelektrode (104) ist eine Opferschicht vorgesehen. Die der Gegenelektrode (104) abgewandte Oberfläche der Opferschicht wird strukturiert, um eine Mehrzahl von Ausnehmungen in der Oberfläche zu bilden, um gleichzeitig ein oder mehrere Antihaftelemente und eine oder mehrere Korrugationsrillen zu definieren. Anschließend wird ein Membranmaterial auf die strukturierte Oberfläche der Opferschicht abgeschieden. Dann wird die Opferschicht entfernt, um die Membran (120) zu bilden, die eine oder mehrere Korrugationsrillen (124) und eines oder mehrere Antihaftelemente (126) aufweist.

Description

Beschreibung
Membran und Verfahren zu deren Herstellung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Membran und auf ein Verfahren zum Herstellen derselben, und hier insbesondere auf eine Membran mit Korrugationsrillen und Antihaft- elementen sowie auf ein Verfahren zur Herstellung derselben. Insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf eine Membran für ein Mikrophon, beispielsweise ein Siliziummikrophon.
Zentrales Element eines mikromechanisch realisierten Silizium-Mikrophons ist die darin verwendete Membran, die in dem Schallfeld schwingen soll. Eine Voraussetzung für diese Membran ist, dass diese möglichst empfindlich sein soll, sie darf jedoch bei starken Auslenkungen und einer daraus resultierenden Berührung mit einer Gegenelektrode nicht an der Gegenelektrode haften bleiben. Solche starken Auslenkungen werden beispielsweise durch hohe Schallpegel, eine elektrostatische Anziehung oder die Oberflächenspannung von Flüssigkeiten verursacht.
Im Stand der Technik sind verschiedene Ansätze bekannt, um zum einen die Empfindlichkeit der Membran zu verbessern, und um zum anderen die Anhaftung der Membran zu vermeiden.
Ein Ansatz zur Optimierung der Empfindlichkeit besteht darin, die Schichteigenschaften und den lateralen Entwurf der Memb- ran zu optimieren, beispielsweise durch sogenannte Federmembranen. Der Nachteil dieses Ansatzes besteht jedoch darin, dass durch die sich aufgrund der Optimierung ergebende verringerte Fläche der Membran auch gleichzeitig die Kapazität der Membran sinkt.
Ein weiterer Ansatz zur Verbesserung der Empfindlichkeit einer Membran für ein Silizium-Mikrophon besteht darin, söge- nannte Korrugationsrillen in der Membran vorzusehen. Ein solcher Ansatz wird beispielsweise von Zou, Quanbo et al. in „Design and Fabrication of Silicon Condenser Microphone Using Corrugated Diaphragm Technique" in Journal of Microelectrome- chanical Systems, Vol. 5, Nr. 3, September 1996 beschrieben. Gemäß diesem Ansatz werden V-förmige Gräben in einem .Siliziumsubstrat gebildet, um bei der nachfolgenden Ausbildung der Membran die erwünschten Korrugationsrillen zu erzeugen.
Ein Ansatz zur Vermeidung von einem irreversiblen Ankleben der Membran an einer Gegenelektrode besteht darin, sogenannte Antihaftelemente (Antisticken Bumps/Dimples) herzustellen. Bei diesen Antihaftelementen handelt es sich um nadelartige Strukturen in der Membran, die die Kontaktfläche bei einer Berührung mit der Gegenelektrode deutlich reduzieren, wie dies von Brauer, et al. in „Silicon Microphone Based on Sur- face and Bulk Micromachining", Journal of Micromechanics and Microengineering, 11 (2001) Seiten 319-322 beschrieben wird. Der Nachteil dieses Ansatzes besteht darin, dass die Herstel- lung der nadelartigen Strukturen zusätzlichen Prozessaufwand bedeutet.
Hinsichtlich der im Stand der Technik bekannten Lösungen ist festzuhalten, dass diese unabhängige Prozesse lehren, um zum einen die Antihaftelemente zu erzeugen und zum anderen die Empfindlichkeit der Membran zu erhöhen.
Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein verbessertes Verfahren zur Herstellung einer Membran sowie ein verbessertes Bauelement zu schaffen, wobei mit reduziertem prozesstechnischen Fertigungsaufwand sowohl eine Empfindlichkeit der Membran verbessert werden kann, als auch das Anhaften der Membran an einer Gegenelektrode vermieden wird.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren nach Anspruch 1 und ein Bauelement nach Anspruch 11 gelöst. Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zur Herstellung einer Membran für ein Bauelement, mit folgenden Schritten:
(a) Bereitstellen eines Substrats, auf dem eine Gegenelektro- de angeordnet ist, wobei auf der dem Substrat abgewandten 0- berfläche der Gegenelektrode eine Opferschicht angeordnet ist;
(b) Strukturieren der der Gegenelektroden abgewandten Oberfläche der Opferschicht, um eine Mehrzahl von Ausnehmungen in der Oberfläche zu bilden, um gleichzeitig ein oder mehrere Antihaftelemente und eine oder mehrere Korrugationsrillen zu definieren;
(c) Abscheiden eines Membranmaterials auf die strukturierte Oberfläche der OpferSchicht; und
(d) Entfernen der Opferschicht, um die Membran zu bilden, die eine oder mehrere Korrugationsrillen und eines oder mehrere Antihaftelemente aufweist.
Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung werden die Antihaftelemente in einem Bereich der Opferschicht definiert, der einem Zentralbereich der Gegenelektrode gegenüberliegt. Die Korrugationsrillen werden bei diesem Ausführungsbeispiel in einem Bereich der Opferschicht definiert, der einem Randbereich der Gegenelektrode gegenü- berliegt, so dass bei einer Auslenkung der Membran zu der Gegenelektrode lediglich das eine oder die mehreren Antihaftelemente mit der Gegenelektrode in Kontakt kommen.
Gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel der vor- liegenden Erfindung wird nach dem Strukturieren der Opferschicht eine weitere Opferschicht auf der strukturierten 0- berfläche abgeschieden, mit einer Dicke, die verglichen mit einer Dicke der Opferschicht gering ist, so dass die strukturierte Oberfläche der Opferschicht in der der Opferschicht abgewandten Oberfläche der weiteren Opferschicht abgebildet ist, wobei dann im Schritt (c) das Membranmaterial auf die strukturierte Oberfläche der weiteren Opferschicht abgeschieden wird und im Schritt (d) zusätzlich die weitere Op_fer- schicht entfernt wird.
Vorzugsweise wird im Schritt (d) die Opferschicht derart ent- fernt, dass ein Abschnitt der Opferschicht in einem Bereich außerhalb der Gegenelektrode zurückbleibt, um eine Struktur zu definieren, die die Membran beabstandet von der Gegenelektrode trägt.
Vorzugsweise werden die Korrugationsrillen derart strukturiert, dass diese in sich geschlossen sind und die Antihaftelemente umgeben, wobei die Korrugationsrillen kreisförmig, polygonzugmäßig oder in beliebiger Form definiert sein können.
Vorzugsweise haben die Ausnehmungen, die die Antihaftelemente definieren, eine laterale Abmessung, die verglichen mit einer lateralen Abmessung der Ausnehmungen, die die Korrugationsrillen definieren, klein sind, so dass beim Abscheiden des Membranmaterials oder der weiteren Opferschicht die Ausnehmungen, die die Antihaftelemente definieren, wieder ganz oder nahezu ganz - je nach gewünschter Form des Bumps - verschlossen werden.
Die vorliegende Erfindung schafft ferner ein Bauelement, mit
einem Substrat, einer auf dem Substrat angeordneten Gegenelektrode;
einer Membran, die beabstandet von der Gegenelektrode getragen ist, um der Gegenelektrode gegenüberzuliegen, wobei die Membran eines oder mehrere Antihaftelemente in einem Zentralbereich der Membran und eine oder mehrere Korrugationsrillen in einem den Zentralbereich umgebenden Randbereich der Membran aufweist, so dass bei einer Auslenkung der Membran zu der Gegenelektrode lediglich die Antihaftelemente in Kontakt mit der Gegenelektrode kommen.
Vorzugsweise handelt es sich bei dem Bauelement um ein Mikrophon, beispielsweise ein Siliziummikrophon, und die Membran ist die Mikrophonmembran. Alternativ kann es sich bei dem Bauelement auch um einen Drucksensor handeln.
Der Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass die Empfindlichkeit nun durch eine oder mehrere Korrugations- rillen in der Membran verbessert wird, wobei Korrugationsrillen eine vertikale umlaufende Wellenstruktur in der Membran bilden. Erfindungsgemäß wird hierfür in der Opferoxidschicht, die den Spaltabstand im Kondensermikrophon bestimmt, eine o- der mehrere Ringstrukturen (Korrugationsrillen) und eine oder mehrere Lochstrukturen (Bumps, Antihaftelemente) definiert, die sich bei der Abscheidung der Membran in diese abformen, und so die erwünschte Struktur ergeben.
Erfindungsgemäß wird eine Verbesserung des Herstellungsver- fahrens dadurch erreicht, dass gleichzeitig die Korrugationsrillen und die Antihaftelemente in einem Arbeitsschritt hergestellt werden, so dass die Nachteile im Stand der Technik, welche für die Herstellung der Korrugationsrillen und für die Herstellung der Antihaftelemente jeweils unterschiedliche Verfahren und Herstellungsprozesse benötigten, vermieden werden.
Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass Korrugationsrillen nun mit der gleichen Technologie erzeugt werden, mit der bisher auch schon die Antihaftelemente erzeugt wurden, so dass erfindungsgemäß keine zusätzlichen Prozessschritte erforderlich sind. Da die Fläche der Membran zur Erhöhung der Empfindlichkeit nicht strukturiert und damit verkleinert wird, verbleibt die Kapazität in vollem Umfang erhalten.
Die Empfindlichkeitssteigerung der erfindungsgemäßen Jorru- gierten Membran ist vergleichbar mit der, wie sie bei Federmembranen erreicht wird, kann jedoch zusätzlich durch die Anzahl der Korrugationsrillen eingestellt werden.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend anhand der beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1A bis ID ein Ausführungsbeispiel zur Herstellung einer Mikrophonmembran gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2A eine Draufsicht auf die gemäß den in Fig. 1 beschriebenen Verfahren hergestellte Mikrophonmembran;
Fig. 2B eine Detailansicht eines Ausschnitts der in Fig. 2A gezeigten Membran;
Fig. 3 einen Graphen, der die Verbesserung der Empfindlich- keit der erfindungsgemäßen Mikrophonmembran abhängig von der Anzahl der Korrugationsrillen anzeigt;
Fig. 4A eine Darstellung einer Korrugationsmembran mit den für die Bestimmung der Empfindlichkeit erforderlichen Parame- ter; und
Fig. 4B eine Querschnittsdarstellung einer Korrugationsrille der Membran aus Fig. 4A.
Nachfolgend wird ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zur Herstellung eines Siliziummikrophons anhand der Fig. 1A bis ID näher erläutert, wobei im folgenden die Her- Stellung einer Membran mit Antihaftelementen (Bumps) und Korrugationsrillen dargestellt wird. Die Membran kann Teil eines kapazitiven Mikrophons sein, wobei die Membran dann eine E- lektrode des Plattenkondensators bildet, und eine zweite sta- tische Elektrode unter derselben angeordnet ist.
In Fig. 1A ist ein Substrat 100 gezeigt, welches eine erste Hauptoberfläche 102 aufweist. Auf der Hauptoberfläche 102 des Substrats 100 ist zumindest teilweise eine Gegenelektrode 104 gebildet. Auf einer dem Substrat 100 abgewandten Oberfläche der Gegenelektrode 104 ist eine erste Opferoxidschicht 106 angeordnet, wobei diese bei dem in Fig. 1A gezeigten Ausführungsbeispiel derart gebildet ist, dass diese die Gegenelektrode 104 vollständig bedeckt und ferner auf die erste Haupt- Oberfläche 102 des Substrats 100 reicht.
In einer dem Substrat 100 abgewandten Oberfläche 108 der ersten Opferoxidschicht 106 sind eine erste Mehrzahl von Ausnehmungen 110 sowie eine zweite Mehrzahl von Ausnehmungen 112 gebildet, wobei in Fig. 1A der Übersichtlichkeit halber lediglich einzelne der Ausnehmungen mit einem Bezugszeichen versehen sind. Die Ausnehmungen 110, 112 werden durch einen geeigneten Ätzvorgang in die Oberfläche 108 der ersten Opferoxidschicht 106 eingebracht, wobei die Ausnehmungen 110 strukturiert sind, um die Strukturen für die in der Membran zu bildenden Korrugationsrillen zu definieren. Die Ausnehmungen 112 sind definiert, um die Strukturen für die in der Membran vorgesehenen Antihaftelemente zu definieren. Die laterale Geometrie der Ausnehmungen 110, 112 ist derart ge- wählt, dass die Ausnehmungen 112 für die Definition der Antihaftelemente so schmal sind, beispielsweise im Bereich von 1 μm, dass diese Ausnehmungen 112 bei einer nachfolgenden Oxid- Abscheidung, beispielsweise mit einer Dicke von etwa 600 nm, nahezu wieder geschlossen werden. Die laterale Abmessung der Ausnehmungen 112 liegt somit in etwa im Bereich der Dicke der nachfolgend aufzubringenden Oxidschicht. Demgegenüber sind die Ausnehmungen 110 zur Festlegung der Korrugationsrillen deutlich breiter ausgelegt, als die Dicke einer nachfolgenden, durch eine Oxidabscheidung erzeugten Schicht, wobei die Abmessung der Ausnehmungen 110 beispielsweise 5 μm betragen kann.
Wie in Fig. 1B gezeigt ist, wird auf die strukturierte Oberfläche 108 der ersten Opferoxidschicht eine zweite Opferoxidschicht 116 aufgebracht, um die Struktur, wie sie in Fig. 1A gezeigt ist, zu verrunden. Die Dicke der zweiten Opferoxid- schicht 116 ist, verglichen mit der Dicke der ersten Opferoxidschicht gering, und beträgt bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel etwa 600 nm. Wie oben anhand der Fig. 1A beschrieben wurde, sind die Abmessungen der Ausnehmungen 112 zur Definition der an die Haftelemente derart gewählt, dass die laterale Abmessung der Ausnehmungen 112 im Bereich der
Dicke der weiteren Opferoxidschicht 116 liegt. Dies führt dazu, dass nach dem Abscheiden der zweiten Opferoxidschicht 116 von den Ausnehmungen 112, den sogenannten Bump-Löchern, nur eine spitze Vertiefung verbleibt, wie dies in Fig. 1B durch das Bezugszeichen 118 gezeigt ist.
Aufgrund der Abmessung der Ausnehmungen 110 zur Definition der Korrugationsrillen in der Oberfläche 108 der ersten Opferoxidschicht 106, welche deutlich größer ist als die Dicke der Oxidschicht 116, ergibt sich eine entsprechende Abbildung der Ausnehmungen 110 in die zweite Opferoxidschicht 116.
In einem nachfolgenden Schritt, wie er in Fig. IC gezeigt ist, wird nun das Membranmaterial abgeschieden, um die Memb- ran 120 zu erzeugen. Das Membranmaterial zur Erzeugung der Membran 120 wird bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel mit einer Dicke von z. B. 200 nm abgeschieden. Wie in Fig. IC durch das Bezugszeichen 122 dargestellt ist, werden die in der zweiten Opferoxidschicht 116 gebildeten Vertiefungen 118 bei der Abscheidung des Membranmaterials auch in die Membran 120 abgebildet. Gleichzeitig bilden sich aufgrund der Abscheidung unter Definition der Ausnehmungen 110 in der Ober- fläche der ersten Opferoxidschicht 106 die Korrugationsrillen 124 in der Membran.
1. In einem abschließenden Verfahrensschritt, werden die ers- te Opferoxidschicht 106 und die zweite Opferoxidschicht 116 teilweise entfernt, beispielsweise durch einen geeigneten Ätzprozess, so dass sich die in Fig. ID dargestellte Struktur mit einem Hohlraum 128 zwischen der Membran 120 und dem Substrat 100 bzw. der Gegenelektrode 104 ergibt. Die Opfer- schichten 106 und 116 werden derart entfernt, dass ein Abschnitt der Opferschichten in einem Bereich außerhalb der Gegenelektrode 104 zurückbleibt, um eine Struktur 129 zu definieren, die die Membran 120 beabstandet von der Gegenelektrode 104 trägt. Wie in Fig. ID zu erkennen ist, ergibt sich aufgrund der Entfernung der Opferoxidschichten 106, 116 die Anordnung mit der Membran 120, welche die Korrugationsrillen 124 sowie eine Mehrzahl von Antihaftelementen (Anti-Sticking- Bumps) 126 umfasst.
Erfindungsgemäß wurde somit auf einfache Art und Weise eine
Mikrophonmembran erzeugt, die zum einen aufgrund der Korrugationsrillen eine verbesserte Empfindlichkeit aufweist und zum anderen bei einer Auslenkung gegen die Gegenelektrode nicht an derselben anhaftet, aufgrund der vorgesehenen Antihaftele- mente. Wie oben beschrieben wurde, liegt der erfindungsgemäße Vorteil darin, dass keine verschiedenen Herstellungsprozesse zur Erzeugung der Korrugationsrillen und der Antihaftelemente erforderlich sind, sondern vielmehr diese, erfindungsgemäß, in einem gemeinsamen Herstellungsschritt erzeugt werden.
Bei dem in Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel ergibt sich eine Struktur, welche ein Siliziummikrophon bildet, bei dem die Antihaftelemente in einem Zentralbereich der Membran 120 angeordnet sind, wobei die Korrugationsrillen 124 in ei- nem Randbereich der Membran 120 angeordnet sind, der den
Zentralbereich mit den Antihaftelementen umgibt und ferner mit der Tragestruktur 129 verbunden ist. Diese Struktur führt dazu, dass bei einer starken Auslenkung der Membran 120 der Zentralbereich mit den Antihaftelementen 126 so weit ausgelenkt werden kann, dass dieser in Kontakt mit der Gegenelektrode 104 gelangt, wobei hier dann eine Anhaftung vermieden wird, da die Kontaktfläche aufgrund der vorgesehenen Antihaftelemente 126 ausreichend reduziert ist.
In Fig. 2A ist eine Draufsicht der Membran 120 gezeigt, die gemäß dem in Fig. 1 beschriebenen Verfahren hergestellt wur- de.
Wie in Fig. 2A zu erkennen ist, ist die Membran 120 sowie die Tragestruktur 129 kreisförmig ausgeführt, und ebenso das in Fig. 2A nicht dargestellte Substrat. Die sechs Korrugations- rillen 124 im Randbereich der Membran 120 sind kreisförmig gebildet und in sich geschlossene Strukturen, wobei die innere Korrugationsrille die Antihaftelemente 126 im Zentralbereich der Membran 120 umgibt.
Fig. 2B ist eine vergrößerte Darstellung der in Fig. 2A gezeigten Membran mit den Korrugationsrillen 124 und den Bumps 126. Die Korrugationsrillen haben eine Breite von etwa 5μm, und die Bumps haben eine Breite von etwa lμm. Vorzugsweise umfasst die Gegenelektrode eine Mehrzahl von Öffnungen, und die Anordnung der Bumps ist passend zu diesen Öffnungen.
Die vorliegende Erfindung, wie sie oben anhand des bevorzugten Ausführungsbeispiels in Fig. 1 und 2 beschrieben wurde, ist nicht auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr kann die Membran 120 auch andere Formen, z. B. rechteckige
Formen, annehmen, und ebenso sind die Korrugationsrillen 124 nicht auf die beschriebene kreisförmige Ausgestaltung beschränkt. Die Korrugationsrillen können vielmehr auch durch einen Polygonzug oder durch mehrere, voneinander getrennte Abschnitte gebildet sein. Ferner wurde bei dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel dargelegt, dass auf die erste Opferschicht eine zweite Opferoxidschicht 116 aufgebracht wird. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel, kann die Membran auch direkt auf die erste Op- feroxidschicht 106 aufgebracht werden.
Obwohl die Beschreibung der obigen Ausführungsbeispiele anhand eines Siliziummikrophons erfolgte, wird darauf hingewiesen, dass die vorliegende Erfindung nicht auf diese Anwendung beschränkt ist. Vielmehr ist die vorliegende Erfindung für alle Bauelemente geeignet, bei denen eine Membran vorgesehen ist, welche eine bestimmte Empfindlichkeit aufweisen muss, und bei der eine Anhaftung auf einer Gegenelektrode zu vermeiden ist. Andere Einsatzgebiete umfassen beispielsweise Drucksensoren oder ähnliches.
Nachfolgend wird anhand der Fig. 3 näher erläutert, auf welche Art und Weise sich eine Verbesserung der Empfindlichkeit einer Membran aufgrund der Korrugationsrillen erreicht wird. Die Membranschicht 120 steht unter Zugspannung, welche die
Empfindlichkeit der Membran 120 wesentlich bestimmt. Die Kor- rugationsrille dient zur Relaxation dieser Schichtspannung. Dabei kann gezeigt werden, dass die Steigerung der Empfindlichkeit in weiten Bereichen proportional zur Anzahl der ein- gebrachten Korrugationsrillen Nc verläuft. In der in Fig. 3 dargestellten Graphik, welche auf einer FEM-Analyse (FEM = Finite Elemente Methode) beruht, ist die Empfindlichkeitssteigerung bezogen auf diejenige einer Kreismembran 120, wie sie beispielsweise in Fig. 2 gezeigt ist, dargestellt. Wie aus der in Fig. 3 gezeigten Darstellung zu entnehmen ist, kann hier bereits durch Verwendung von nur zwei Korrugationsrillen (Nc = 2) die Empfindlichkeit verdoppelt werden.
Für eine genauere Beschreibung der Empfindlichkeit einer Kor- rugationsmembran, muss deren Geometrie betrachtet werden. In Fig. 4A ist eine kreisförmige Korrugationsmembran, ähnlich der in Fig. 2 gezeigten, wiedergegeben, wobei in Fig. 4A der Radius R der Membran 120 eingezeichnet ist. Bei dem in Fig. 4A gezeigten Ausführungsbeispiel umfasst die Membran vier Korrugationsrillen 124. Ferner ist in Fig. 4A der Abstand Rc zwischen einem Rand der Korrugationsmembran 120 sowie der zum Rand benachbart liegenden, ersten Korrugationsrille wiedergegeben, also der Abstand zwischen der äußersten Korrugationsrille und dem Rand der Membran 120.
In Fig. 4B ist ein Querschnitt einer Korrugationsrille, wie sie in Fig. 4A gebildet ist, dargestellt, wobei wc die Breite der Korrugationsrille angibt, hc die Tiefe der Korrugationsrille angibt, t die Dicke der Membran 120 angibt, und bc/2 die Hälfte des Abstandes der betrachteten Korrugationsrille zu der benachbarten Korrugationsrille wiedergibt.
Mit der oben beschriebenen Notation, wie sie auch in der Fig. 4 wiedergegeben ist, kann eine Beziehung für die effektive Spannung σc in der Membran 120 in Fig. 4A wie folgt angegeben werden:
Figure imgf000013_0001
In der obigen Gleichung bezeichnet σ0 die Schichtspannung des Membranmaterials. Wie aus der Gleichung zu entnehmen ist, be- ruht die Erhöhung der Empfindlichkeit einer korrugierten
Membran also auf einer niedrigeren effektiven mechanischen Spannung in der Membran 120. Bezugszeichenliste
100 Substrat
102 Oberfläche des Substrats
104 Gegenelektrode
106 erste Oxidschicht
108 Oberfläche der ersten Opferoxidschicht
110 erste Mehrzahl von Ausnehmungen
112 zweite Mehrzahl von Ausnehmungen
116 zweite Opferoxidschicht
118 Vertiefungen der zweiten Opferoxidschicht
120 Membran
122 Vertiefung in der Membran
124 Korrugationsrillen
126 Antihaftelemente
128 Hohlraum
129 Tragestruktur

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Herstellung einer Membran (120) für ein Bauelement, mit folgenden Schritten:
(a) Bereitstellen eines Substrats (100), auf dem eine. Gegenelektrode (104) angeordnet ist, wobei auf einer dem Substrat (100) abgewandten Oberfläche der Gegenelektrode (104) eine Opferschicht (106) angeordnet ist;
(b) Strukturieren der der Gegenelektrode (104) abgewandten Oberfläche (108) der Opferschicht (106), um eine Mehrzahl von Ausnehmungen (110, 112) in der Oberfläche zu bilden, um gleichzeitig ein oder mehrere Antihaftelemente und eine oder mehrere Korrugationsrillen zu definieren;
(c) Abscheiden eines Membranmaterials (120) auf die strukturierte Oberfläche (108) der Opferschicht (106); und
(d) Entfernen der Opferschicht (106) , um die Membran (120) zu bilden, die eine oder mehrere Korrugationsrillen (124) und eines oder mehrere Antihaftelemente (126) aufweist.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem im Schritt (b) die An- tihaftelemente in einem Bereich der Opferschicht (106) definiert werden, der einem Zentralbereich der Gegenelektrode (104) gegenüberliegt, und bei dem die Korrugationsrillen in einem Bereich der Opferschicht (106) definiert werden, der einem Randbereich der Gegenelektrode (104) gegenüberliegt, so dass bei einer Auslenkung der Membran (120) zu der Gegenelektrode (104) lediglich das eine oder die mehreren Antihaftelemente (126) mit der Gegenelektrode (104) in Kontakt kommen.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, das zwischen dem Schritt (b) und dem Schritt (c) folgende Schritte umfasst: Abscheiden einer weiteren Opferschicht (116) auf der strukturierten Oberfläche (108) der Opferschicht (106) mit einer Dicke, die verglichen mit einer Dicke der Opferschicht (106) gering ist, so dass die strukturierte Oberfläche (108) der Opferschicht (106) in der der Opferschicht (106) abgewandten Oberfläche der weiteren Opferschicht (116) abgebildet, wird,
wobei im Schritt (c) das Membranmaterial (120) auf die strukturierte Oberfläche der weiteren Opferschicht (116) abge- schieden wird, und
wobei im Schritt (c) zusätzlich die weitere Opferschicht (116) entfernt wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem im
Schritt (d) die Opferschicht (106) derart entfernt wird, dass ein Abschnitt (129) der Opferschicht (106) in einem Bereich außerhalb der Gegenelektrode (104) zurückbleibt, um eine Struktur zu definieren, die die Membran (120) beabstandet von der Gegenelektrode trägt.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die Opferschicht (106) im Schritt (b) strukturiert wird, um in sich geschlossene Korrugationsrillen zu definieren, die Anti- haftelemente umgeben.
6. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem die Korrugationsrillen (124) kreisförmig oder polygonzugmäßig definiert werden.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem die
Ausnehmungen (112), die die Antihaftelemente definieren, eine laterale Abmessung aufweisen, die verglichen mit einer lateralen Abmessung der Ausnehmungen (110), die die Korrugationsrillen definieren, klein ist, so dass beim Abscheiden des Membranmaterials oder der weiteren Opferschicht (116) die
Ausnehmungen (112), die die Antihaftelemente definieren, wieder verschlossen werden.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem das Membranmaterial (120) Silizium ist.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem das Bauelement ein Mikrophon ist, und bei dem die Membran. (120) eine Mikrophonmembran ist.
10. Bauelement, mit
einem Substrat (100), einer auf dem Substrat (100) angeordneten Gegenelektrode (104);
einer Membran (120) , die beabstandet von der Gegenelektrode (104) getragen ist, um der Gegenelektrode (104) gegenüberzuliegen,
wobei die Membran (120) eines oder mehrere Antihaftelemente (126) in einem Zentralbereich der Membran (120) und eine oder mehrere Korrugationsrillen (124) in einem den Zentralbereich umgebenden Randbereich der Membran (120) aufweist, so dass bei einer Auslenkung der Membran (120) zu der Gegenelektrode (104) lediglich die Antihaftelemente (126) in Kontakt mit der Gegenelektrode (104) kommen.
11. Bauelement nach Anspruch 10, bei der das Bauelement ein Mikrophon ist, und bei dem die Membran (120) eine Mikrophonmembran ist.
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US11/104,396 US7502482B2 (en) 2002-10-11 2005-04-11 Membrane and method for the production of the same
US12/378,878 US7882612B2 (en) 2002-10-11 2009-02-21 Method for producing a membrane

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WO (1) WO2004036952A2 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2552555A (en) * 2016-07-28 2018-01-31 Cirrus Logic Int Semiconductor Ltd MEMS device and process
US20200207608A1 (en) * 2017-04-07 2020-07-02 Texas Instruments Incorporated Isolated protrusion/recession features in microelectromechanical systems

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10247487A1 (de) 2002-10-11 2004-05-06 Infineon Technologies Ag Membran und Verfahren zu deren Herstellung
US7449356B2 (en) * 2005-04-25 2008-11-11 Analog Devices, Inc. Process of forming a microphone using support member
GB0605576D0 (en) * 2006-03-20 2006-04-26 Oligon Ltd MEMS device
US20080019543A1 (en) * 2006-07-19 2008-01-24 Yamaha Corporation Silicon microphone and manufacturing method therefor
DE102006040345B4 (de) * 2006-08-29 2016-08-11 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102006055147B4 (de) 2006-11-03 2011-01-27 Infineon Technologies Ag Schallwandlerstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Schallwandlerstruktur
HUP0600892A2 (en) * 2006-11-30 2008-06-30 Pazmany Peter Katolikus Egyete Elastic cover for tactile sensors and tactile sensing arrangement with elastic cover
JP5029147B2 (ja) * 2007-06-04 2012-09-19 オムロン株式会社 音響センサ
US7951636B2 (en) * 2008-09-22 2011-05-31 Solid State System Co. Ltd. Method for fabricating micro-electro-mechanical system (MEMS) device
JP2012505311A (ja) * 2008-10-10 2012-03-01 トーソー エスエムディー，インク． 円形溝プレス装置とスパッターリングターゲットの製造方法
DE102010001021B4 (de) * 2010-01-19 2019-05-09 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren
JP6066422B2 (ja) 2011-02-15 2017-01-25 フジフィルム ディマティックス， インコーポレイテッド マイクロドームアレイを使用した圧電トランスデューサ
US8450213B2 (en) 2011-04-13 2013-05-28 Fujifilm Corporation Forming a membrane having curved features
US8975107B2 (en) 2011-06-16 2015-03-10 Infineon Techologies Ag Method of manufacturing a semiconductor device comprising a membrane over a substrate by forming a plurality of features using local oxidation regions
CN102368837B (zh) * 2011-09-15 2014-08-27 上海交通大学 基于表面微细加工工艺的电容式微麦克风及其制备方法
US9031266B2 (en) * 2011-10-11 2015-05-12 Infineon Technologies Ag Electrostatic loudspeaker with membrane performing out-of-plane displacement
US8986240B2 (en) 2012-02-14 2015-03-24 Alcon Research, Ltd. Corrugated membrane actuators
US9155653B2 (en) * 2012-02-14 2015-10-13 Alcon Research, Ltd. Pressure-driven membrane valve for pressure control system
US9002037B2 (en) 2012-02-29 2015-04-07 Infineon Technologies Ag MEMS structure with adjustable ventilation openings
US8983097B2 (en) 2012-02-29 2015-03-17 Infineon Technologies Ag Adjustable ventilation openings in MEMS structures
US9409763B2 (en) 2012-04-04 2016-08-09 Infineon Technologies Ag MEMS device and method of making a MEMS device
DE102012205921A1 (de) 2012-04-12 2013-10-17 Robert Bosch Gmbh Membrananordnung für einen mikro-elektromechanischen Messumformer und Verfahren zum Herstellen einer Membrananordnung
US9487386B2 (en) 2013-01-16 2016-11-08 Infineon Technologies Ag Comb MEMS device and method of making a comb MEMS device
US8921956B2 (en) 2013-01-25 2014-12-30 Infineon Technologies Ag MEMS device having a back plate with elongated protrusions
US20140268273A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Pixtronix, Inc. Integrated elevated aperture layer and display apparatus
US9024396B2 (en) 2013-07-12 2015-05-05 Infineon Technologies Ag Device with MEMS structure and ventilation path in support structure
US9448126B2 (en) * 2014-03-06 2016-09-20 Infineon Technologies Ag Single diaphragm transducer structure
US20160007119A1 (en) * 2014-04-23 2016-01-07 Knowles Electronics, Llc Diaphragm Stiffener
KR101692717B1 (ko) 2015-12-01 2017-01-04 주식회사 비에스이센서스 정전용량형 멤스 마이크로폰 및 그 제조방법
US9604840B1 (en) * 2016-01-27 2017-03-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Comapny Ltd. MEMS device
CN106829851A (zh) * 2016-12-29 2017-06-13 上海集成电路研发中心有限公司 一种改善mems器件牺牲层刻蚀粘结的方法
DE102017103195B4 (de) * 2017-02-16 2021-04-08 Infineon Technologies Ag Mikroelektromechanisches Mikrofon und Herstellungsverfahren für ein Mikroelektromechanisches Mikrofon
CN108996466A (zh) * 2017-06-07 2018-12-14 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 Mems器件及其形成方法
US10526196B2 (en) 2017-11-08 2020-01-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Structure and formation method of semiconductor device structure
DE112021000789T5 (de) 2020-03-27 2022-12-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Sensor
KR20230007679A (ko) * 2021-07-06 2023-01-13 주식회사 디비하이텍 진동판, 이를 갖는 멤스 마이크로폰 및 이의 제조 방법
CN113460952A (zh) * 2021-07-14 2021-10-01 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 Mems器件及其制造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5573679A (en) * 1995-06-19 1996-11-12 Alberta Microelectronic Centre Fabrication of a surface micromachined capacitive microphone using a dry-etch process

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2097303A (en) * 1932-08-18 1937-10-26 Gen Electric Electrical device
DE3727142C2 (de) * 1987-08-14 1994-02-24 Kernforschungsz Karlsruhe Verfahren zur Herstellung von Mikrosensoren mit integrierter Signalverarbeitung
US5116457A (en) * 1989-04-07 1992-05-26 I C Sensors, Inc. Semiconductor transducer or actuator utilizing corrugated supports
FR2700065B1 (fr) * 1992-12-28 1995-02-10 Commissariat Energie Atomique Procédé de fabrication d'accéléromètres utilisant la technologie silicium sur isolant.
US5870482A (en) * 1997-02-25 1999-02-09 Knowles Electronics, Inc. Miniature silicon condenser microphone
DE59914876D1 (de) * 1998-07-08 2008-11-06 Infineon Technologies Ag Verfahren zur herstellung einer integrierten schaltungsanordnung umfassend einen hohlraum in einer materialschicht, sowie eine durch das verfahren erzeugte integrierte schaltungsanordnung
FI112644B (fi) 2000-11-10 2003-12-31 Vaisala Oyj Pintamikromekaaninen absoluuttipaineanturi ja menetelmä sen valmistamiseksi
US6572218B2 (en) * 2001-01-24 2003-06-03 Xerox Corporation Electrostatically-actuated device having a corrugated multi-layer membrane structure
DE10247487A1 (de) 2002-10-11 2004-05-06 Infineon Technologies Ag Membran und Verfahren zu deren Herstellung

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5573679A (en) * 1995-06-19 1996-11-12 Alberta Microelectronic Centre Fabrication of a surface micromachined capacitive microphone using a dry-etch process

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ZOU Q ET AL: "DESIGN AND FABRICATION OF SILICON CONDENSER MICROPHONE USING CORRUGATED DIAPHRAGM TECHNIQUE" JOURNAL OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS, IEEE INC. NEW YORK, US, Bd. 5, Nr. 3, 1. September 1996 (1996-09-01), Seiten 197-203, XP000636781 ISSN: 1057-7157 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2552555A (en) * 2016-07-28 2018-01-31 Cirrus Logic Int Semiconductor Ltd MEMS device and process
US10111021B2 (en) 2016-07-28 2018-10-23 Cirrus Logic, Inc. MEMS device and process
GB2552555B (en) * 2016-07-28 2019-11-20 Cirrus Logic Int Semiconductor Ltd MEMS device and process
US10674298B2 (en) 2016-07-28 2020-06-02 Cirrus Logic, Inc. MEMS device and process
US20200207608A1 (en) * 2017-04-07 2020-07-02 Texas Instruments Incorporated Isolated protrusion/recession features in microelectromechanical systems
US11932529B2 (en) * 2017-04-07 2024-03-19 Texas Instruments Incorporated Isolated protrusion/recession features in microelectromechanical systems

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