Beschreibung
Verfahren zum Aufbringen einer Resistschicht, Verwendungen von Klebematerialien sowie Klebematerialien und Resistschicht,
Die Erfindung betrifft ein Verfahren, bei dem auf eine Grundschicht eine Resistschicht aufgebracht, selektiv bestrahlt und entwickelt wird.
Beispielsweise wird ein solches Verfahren im Rahmen eines
Lithografieverfahrens zum Strukturieren der Grundschicht nach dem Entwickeln der Resistschicht oder im Rahmen eines galvanischen Verfahrens eingesetzt, bei dem beispielsweise auf Anschlussinseln in der Grundschicht Kontaktflächen abgeschie- den werden. Bisher wird als Resistschicht ein Fotolack eingesetzt, der im flüssigen Zustand auf die Grundschicht aufgeschleudert wird. Nach dem Verdunsten oder Ausheizen eines im Fotolack enthaltenen Lösungsmittels härtet der Lack aus und wird dann belichtet. Beim Aufschleudern entstehen Schwankun- gen in der Dicke der entstehenden Fotolackschicht. Außerdem ist das Entfernen von Resten der Fotolackschicht nach dem Entwickeln aufwendig. Beispielsweise muss ein Lösungsmittel eingesetzt werden, dessen Entsorgung kostenintensiv ist. Die aufgeschleuderten Resistschichten sind meist dünner als 30 μm (Mikrometer) . Sollen dickere Resistschichten erzeugt werden, so muss das Aufschleudern nach dem Aushärten einer zuvor aufgebrachten Resistschicht entsprechend oft wiederholt werden.
Es ist Aufgabe der Erfindung, ein einfaches Verfahren zum Aufbringen einer Resistschicht anzugeben. Außerdem sollen Verwendungen von Klebematerialien sowie Klebematerialien und eine Resistschicht angegeben werden, die insbesondere in einem solchen Verfahren eingesetzt werden.
Die auf das Verfahren bezogene Aufgabe wird durch die im Patentanspruch 1 angegebenen Verfahrensschritte gelöst. Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen angegeben.
Beim erfindungsgemäßen Verfahren wird die Resistschicht im festen Zustand auf die Grundschicht aufgebracht, insbesondere aufgeklebt. Dies bietet eine Reihe von Vorteilen, insbesondere lässt sich die Resistschicht auf einer ebenen Unterlage mit sehr gleichmäßiger Schichtdicke bspw. in einer kontinu- ierlichen Fertigung herstellen.
Die Resistschicht lässt sich an der Grundschicht befestigen, wenn unmittelbar vor dem Aufbringen der Resistschicht ein Klebematerial auf die Grundschicht und/oder auf die Re- sistschicht aufgebracht wird, bspw. aufgesprüht oder aufgestrichen. Alternativ wird jedoch in einer fertigungstechnisch bzgl . von Kleberesten sauberen Variante eine Resistschicht verwendet, die schon lange vor dem Aufbringen auf die Grundschicht klebt bzw. mit einer Klebeschicht beschichtet ist.
Als bestrahlungsempfindliche Materialien in der Resistschicht sind viele der bisher in Resistschichten eingesetzten Materialien geeignet, z.B. im Falle von Positivresist Diazonaphto- chinon bzw. Naphtochinondiazid und im Falle von Negativresist partiell cyclisiertes Polyisopropen. Die Resistschicht enthält außerdem einen geeigneten Filmbildner, z.B. Phenolharzverbindungen. Zusätze in der Resistschicht sind u.a. Stabilisatoren und/oder Inhibitoren.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren lässt sich bei der Produktion der Resistfolie eingesetztes flüssige Resistmaterial vollständig verwerten. Beim herkömmlichen Aufschleudern werden nur 10 Prozent der Resistflüssigkeit verwendet. Eine Verwendung der übrigen 90 Prozent ist auf Grund von Oxidati - onsvorgängen nicht möglich.
Eine Weiterbildung geht von der Überlegung aus, dass die Auswahl des Resistschichtmaterials und auch das Belichten der Resistschicht schon unter Berücksichtigung des späteren Lösevorgangs vorgenommen werden sollten. Außerdem geht die Erfin- düng davon aus, dass es Klebstoffe gibt, die ihre Klebekraft bei Einwirkung einer Bestrahlung verändern. Beispielsweise werden durch die Bestrahlung aus Monomeren oder auch aus Oligomeren Polymere oder auch Copolymere erzeugt, wobei die dabei auftretende Vernetzung zu einer Herabsetzung der Klebe- kraft führt. Andererseits lassen sich durch eine Bestrahlung jedoch auch Polymere bzw. Copolymere in Monomere oder Oligo- mere aufspalten, wobei die Klebekraft erhöht wird. Eine andere Klasse von Klebstoffen enthält den Klebestoff zersetzende Stoffe, die durch eine Bestrahlung aktiviert oder deaktiviert werden können. Unterschiedlich stark vernetzte Bereiche der
Resistschicht bzw. der Klebstoffschicht werden durch Lösungsmittel unterschiedlich schnell gelöst, so dass eine Entwicklung der Resistschicht auf einfache Art und Weise möglich ist.
Somit lässt sich einerseits beispielsweise für ein sogenanntes Positivresist eine Resistschicht einsetzen, die anfangs eine geringere Klebekraft hat. Beim Belichten werden Polymere aufgespaltet, wodurch die Klebekraft in dem belichteten Be- reich zwar steigt, diese Bereiche jedoch durch ein Lösungsmittel leichter entfernt werden können als die unbelichteten Bereiche .
Andererseits lässt sich bei einem Negativresist ein Material mit einer ursprünglich hohen Klebekraft einsetzen. Die belichteten Bereiche werden beim Belichten beispielsweise vernetzt, so dass die Klebekraft in diesen Bereichen herabgesetzt wird. Beim Entwickeln werden jedoch nur die unbelichteten Bereiche entfernt, d.h. die noch nicht vernetzten Berei- ehe.
Deshalb wird bei einer Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens bzw. bei einem zweiten Aspekt der Erfindung eine Resistschicht aus einem Klebstoff verwendet, dessen Klebekraft sich bei der Bestrahlung verringert oder erhöht. Durch diese Maßnahme entsteht ein einfaches Verfahren, bei dem auf der Grundschicht nach dem Entwickeln verbleibende Bereiche auf einfache Art und Weise entfernt werden können. Aufgrund der ursprünglich geringen Klebekraft bzw. der beim Bestrahlen verringerten Klebekraft lassen sich diese Bereiche beispiels- weise durch Verwenden eines Abziehklebebandes auf einfache Art entfernen, insbesondere ohne den Einsatz zusätzlicher Lösungsmittel oder mit einer verringerten Lösungsmittelmenge.
Bei einer insbesondere Negativresists betreffenden Weiterbil- düng des erfindungsgemäßen Verfahrens verringert sich die Klebekraft bei einer Bestrahlung um mehr als 30 % oder um mehr als 50 % oder um mehr als 90 % bezogen auf die Ur- sprungsklebekraft an der Grundschicht. Herstellungsangaben beziehen sich bspw. auf die Klebekraft an Siliziumwafern oder an Polyimidwafern. Die ursprüngliche Klebekraft an Silizium ist bspw. größer als 1 N/20 mm oder sogar größer als 10 N/20 mm. Nach der Belichtung sinkt die Klebekraft bspw. auf 0,16 N/20mm. Insbesondere sind auch Stoffe, bei denen sich die Klebekraft um mehr als 90 % verringert, auf einfache Art und Weise herstellbar.
Bei einer alternativen Weiterbildung erhöht sich die Klebekraft um mehr als 50 % oder um mehr als 100 %. Auch solche Stoffe sind auf einfache Art und Weise herstellbar und insbe- sondere für Positivresists geeignet.
Bei einer nächsten Weiterbildung wird die Resistschicht mit einer elektromagnetischen Strahlung, vorzugsweise mit einer ultravioletten Strahlung oder einer Röntgenstrahlung be- strahlt bzw. belichtet. Jedoch lassen sich alternativ auch
Teilchenstrahlen einsetzen, beispielsweise Elektronenstrahlen oder Ionenstrahlen. Die Strahlung dient dazu, die Klebekraft
zu verändern, indem bestimmte chemische Veränderungen durch die Strahlung hervorgerufen werden, beispielsweise eine Polymerisation oder eine Aufspaltung von Polymeren.
Bei einer nächsten Weiterbildung haben nach dem Entwickeln auf der zu strukturierenden Schicht verbleibende Bereiche der Resistschicht eine verringerte Klebekraft im Vergleich zur unbestrahlten Resistschicht. Die verringerte Klebekraft erleichtert das spätere Entfernen der verbliebenen Bereiche. Falls es sich um einen zusammenhängenden Bereich handelt, lässt sich die verbliebene Resistschicht beispielsweise mit einer Pinzette auf einfache Art abziehen.
Bei einer anderen Weiterbildung werden die verbliebenen Be- reiche mit einer Klebefläche abgezogen, deren Klebekraft größer als die verringerte Klebekraft der Resistschicht ist, vorzugsweise mit einem Klebeband oder einem Klebeblatt. Ein Klebeband oder ein Klebeblatt ermöglicht es, den Abziehwinkel in weiten Bereichen frei zu wählen und gegebenenfalls auch während des Abziehens zu verändern.
Bei einer anderen Weiterbildung werden die verbliebenen Bereiche mit einem Lösungsmittel entfernt. Die Entfernung mit einem Lösungsmittel ist einfacher als bisher, weil die Klebe- kraft der verbliebenen Bereiche stark verringert ist, insbesondere im Vergleich zu Fotolacken, die an der Grundschicht ausgehärtet sind.
Bei einer nächsten Weiterbildung des erfindungsgemäßen Ver- fahrens wird als Entwickler ein organisches Lösungsmittel verwendet, insbesondere N-Methylpyrolidon oder Dimethylsul- fooxid. Die Strukturformel für Dimethylsulfooxid lautet:
H3C-SO-CH3
Die genannten Entwickler werden bei der Entwicklung von Foto- lack auch bisher verwendet und sind kostengünstig verfügbar.
Bei einer nächsten Weiterbildung wird die Resistschicht mit Hilfe einer Klebefläche aufgebracht, deren Klebekraft kleiner als die Klebekraft der unbestrahlten Schicht an der Grundschicht ist. Bei einer Ausgestaltung wird ein Klebeband oder ein Klebeblatt verwendet. Ein solches Aufbringen der Resistschicht kann ohne das Entstehen von Kleberesten an den zum Aufbringen benutzten Maschinen oder Werkzeugen durchgeführt werden. Alternativ lässt sich die Resistschicht beispielsweise auch mit einem siebdruckähnlichen Verfahren auf die Grundschicht aufbringen.
Bei einer nächsten Weiterbildung wird ein Resist mit einer Antireflexionsschicht verwendet. Durch das Verwenden einer Antireflexionsschicht lassen sich die minimalen Strukturbrei- ten bei der Strukturierung der Resistschicht und damit beispielsweise auch bei der Strukturierung der Grundschicht verringern. Zwar wird das erfindungsgemäße Verfahren auch zum Erzeugen von Strukturen mit minimalen Abmessungen größer als 5 oder 10 μm eingesetzt. Jedoch lässt sich das Verfahren auch einsetzen, wenn die minimale Strukturbreite im Bereich von 1 μm oder darunter liegt.
Bei einer nächsten Weiterbildung hat die Resistschicht eine Dicke größer als 30 μm, größer als 50 μm oder sogar größer als 100 μm. Eine so dicke Resistschicht lässt sich in einem Aufbringvorgang aufbringen. Beim Verwenden von Fotolack sind mehrere Auf ringvorgänge erforderlich, d.h. abwechselnd Auf- schleudern, Aushärten, Aufschleudern usw. Das Verfahren zum Aufbringen der Resistschicht wird also durch die Weiterbil- düng wesentlich vereinf cht.
Bei einer anderen Weiterbildung wird die Grundschicht gemäß den nach dem Entwickeln verbleibenden Bereichen der Resistschicht strukturiert, vorzugsweise in einem Trockenätz- prozess oder in einem nass-chemischen Atzprozess. Alternativ wird zwischen den verbleibenden Bereichen der Resistschicht auf der Grundschicht Material aufgebracht, vorzugsweise durch
8 Klebeblatt auf die Grundschicht aufgeklebt . Erst danach wird die andere Außenschicht entfernt. Anschließend wird das erfindungsgemäße Verfahren oder eine seiner Weiterbildungen durchgeführt .
Bei einer Weiterbildung wird die weitere Außenschicht durch eine Außenschicht eines anderen Abschnitts derselben Außenschicht eines zusammengerollten Klebebandes oder durch eine Außenseite eines anderen Klebeblattes eines Klebeblattstapels aus mindestens zwei Klebeblättern gebildet. Dadurch lassen sich die Außenschichten mehrfach nutzen, nämlich zum Bedecken von jeweils zwei Klebeschichten bzw. von jeweils zwei Abschnitten einer Klebeschicht.
Außerdem betrifft die Erfindung ein Klebeband oder ein Klebeblatt, das eine Klebeschicht enthält, deren Klebekraft sich bei einer Bestrahlung ändert. Das Klebeband oder Klebeblatt enthält mindestens eine Antireflexionsschicht , die eine Reflexion der Strahlung verhindert oder verringert . Durch das Verwenden einer Antireflexionsschicht lassen sich die minimalen Strukturbreiten beim Strukturieren der Klebeschicht verringern .
Bei einer Weiterbildung wird die Antireflexionsschicht in der Mitte der Klebeschicht oder am Rand der Klebeschicht angeordnet. Die Antireflexionsschicht hat beispielsweise eine andere Brechzahl als die restliche Klebeschicht. Alternativ oder zusätzlich ist der Absorptionskoeffizient für die Strahlung in der Antireflexionsschicht größer als in der Klebeschicht.
Die genannten Klebematerialien werden insbesondere in dem erfindungsgemäßen Verfahren oder einer seiner Weiterbildungen eingesetzt .
Im Folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung an Hand der beiliegenden Zeichnungen erläutert. Darin zeigen:
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Figur 1 ein Klebeband,
Figuren 2A und 2B die Strukturierung einer Resistschicht auf einer integrierten Schaltungsanordnung und eine galvanische Abscheidung, und
Figuren 3A und 3B die Strukturierung einer Resistschicht auf einer integrierten Schaltungsanordnung und die nachfolgende Strukturierung einer Schicht .
Figur 1 zeigt ein Klebeband 10, das eine Klebeschicht 12 und eine Außenschicht 14 enthält. Die Klebeschicht 12 enthält einen Stoff, dessen Klebekraft durch Bestrahlung mit ultraviolettem Licht verringert wird. Bei der Herstellung des Klebe- bandes 10 beträgt die Klebekraft der Klebeschicht 12 auf einem Siliziumwafer beispielsweise 2,0 N/20 mm. Die Dicke der Klebeschicht 12 beträgt Ausführungsbeispiel 50 μm. Ein Beispiel für die Zusammensetzung der Klebeschicht 12 wir weiter unten näher erläutert. Die Außenschicht 14 besteht beispiels- weise aus PET bzw. PETP (Polyethylenterephthalat), d.h. aus Polyethylen, oder aus einem anderen geeigneten Kunststoff. Die Außenschicht 14 lässt sich leicht von der Klebeschicht 12 abziehen.
Das Klebeband 10 wird auf einer Rolle aufgerollt, so dass die Außenschicht 14 die Klebeschicht 12 von beiden Seiten einschließt.
Bei einem anderen Ausführungsbeispiel enthält das Klebeband 10 zusätzlich zur Klebeschicht 12 und zur Außenschicht 14 noch eine Antireflexionsschicht 16, die die gleiche Zusammensetzung wie die Klebeschicht 12 hat. Zusätzlich enthält die Antireflexionsschicht 16 jedoch noch Teilchen, welche die Absorption von ultravioletter Strahlung in der Antireflexi- onsschicht 16 erhöhen.
10 Figur 2A zeigt eine integrierte Schaltungsanordnung 20, die nicht dargestellte integrierte Bauelemente, z.B. Transistoren, enthält. Außerdem enthält die integrierte Schaltungsanordnung 20 eine Oxidschicht 22, z.B. eine Siliziumdioxidschicht. In der Oxidschicht 22 befindet sich eine Metallisierungslage 24, die eine Vielzahl von Kupferleitbahnen enthält, von denen in Figur 2A zwei Kupferleitbahnen 26 und 28 dargestellt sind. Barriereschichten sind zur übersichtlicheren Darstellung in Figur 2A nicht eingezeichnet.
Nach der Durchführung eines CMP-Verfahrens (chemisches mechanisches Polieren) und eines Reinigungsverfahrens wurde das Klebeband 10 auf die integrierte Schaltungsanordnung 10 aufgeklebt. Anschließend wurde die Außenschicht 14 abgezogen, beispielsweise manuell mit Hilfe einer Pinzette oder mit Hilfe eines Abziehklebebandes und einer Abziehmaschine.
Danach wird eine selektive Belichtung unter Verwendung einer Fotomaske durchgeführt. Pfeile 30 symbolisieren das auftref- fende ultraviolette Licht. Durch die Belichtung entstehen in der Klebeschicht 12 belichtete Bereiche 32 bis 36, die oberhalb der Zwischenräume zwischen den Kupferleitbahnen 26 und 28 liegen. Die belichteten Bereiche 32 bis 36 begrenzen unbe- lichtete Bereiche 38, 40, die oberhalb der Kupferleitbahn 26 bzw. 28 liegen. In den belichteten Bereichen 32 bis 36 bilden sich durch die Belichtung stark vernetzte Polymere, welche die Klebekraft der Klebeschicht 12 in den belichteten Bereichen 32 bis 36 herabsetzen. In den unbelichteten Bereichen 38 und 40 liegen dagegen nur vergleichsweise schwach vernetzte bzw. kurze Polymere vor, so dass die Klebekraft unverändert hoch bleibt.
Wie in Figur 2B dargestellt, wird anschließend ein Entwicklungsvorgang mit Hilfe eines Lösungsmittels ausgeführt, wel- ches die 'weniger vernetzten Bereiche, d.h. die unbelichteten Bereiche 38 und 40 stärker löst als die belichteten Bereiche 32 bis 36. Beim Entwickeln werden deshalb die unbelichteten
11 Bereiche 36 und 40 der Klebeschicht 12 entfernt, so dass an ihrer Stelle Aussparungen 50 und 52 entstehen, deren Boden bis zur Kupferleitbahn 26 bzw. 28 reicht.
Anschließend werden mit Hilfe eines galvanischen Verfahrens in der Aussparung 50 und in der Aussparung 52 Kupferkontakte 54 bzw. 56 abgeschieden. Es wird ein galvanisches Verfahren mit Außenstrom oder ein außenstromloses galvanisches Verfahren verwendet .
Bei einem anderen Ausführungsbeispiel wird ein Klebemittel 12 eingesetzt, das als Positivresist arbeitet. In diesem Fall hat das Klebemittel 12 ursprünglich eine geringe Klebekraft. Beim Belichten werden die Bereiche 38 und 40 belichtet. In diesem Bereichen werden Polymere durch die Belichtung aufgespaltet. Gleichzeitig erhöht sich in diesen Bereichen die Klebekraft. Beim Entwickeln werden wiederum die Bereiche 38 und 40 entfernt und auch das weitere Verfahren ist so, wie oben an Hand der Figur 2B erläutert.
Bei beiden an Hand der Figuren 2A und 2B erläuterten Verfahren wird nach dem Galvanisieren ein Abziehklebeband verwendet, das auf die Klebeschicht 12 aufgebracht wird und anschließend abgezogen wird. Beim Abziehen bleiben die verblie- benen Bereiche 32 bis 36 am Abziehklebeband hängen und werden von der integrierten Schaltungsanordnung 20 entfernt.
Wie in Figur 3A dargestellt, lässt sich das Klebeband 10 auch zum Strukturieren einer Schicht verwenden. Eine integrierte Schaltungsanordnung 100 enthält eine Oxidschicht 102, z.B. eine Siliziumdioxidschicht oder eine BPSG-Schicht (Bor Phosphor Silikat Glas) . Auf der Siliziumdioxidschicht 102 befindet sich eine zu strukturierende Metallschicht 104, die im Ausführungsbeispiel aus Aluminium oder einer Aluminiumlegie- rung mit -geringen Zusätzen von unter 5 Gew.-% besteht.
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Auf die Aluminiumschicht 104 wird das Klebeband 10 geklebt . Anschließend wird die Außenschicht 14 abgezogen, so dass nur noch die Klebeschicht 12 bzw. die Klebeschicht und die Antireflexionsschicht 16 auf der Metallschicht 104 verbleibt. Danach wird die Klebeschicht 12 mit Hilfe einer Fotomaske selektiv belichtet, siehe Pfeile 130. Dabei entstehen belichtete Bereiche 132 bis 136, die unbelichtete Bereiche 138 und 140 begrenzen. Die Belichtung führt in den belichteten Bereichen 132 bis 136 zu einer stärkeren Vernetzung und zu einer Senkung der Klebekraft der Klebeschicht 12 an der Metall - Schicht 104.
Wie in Figur 3B dargestellt, wird die Klebeschicht 12 anschließend mit Hilfe eines Lösungsmittels entwickelt. Dabei entstehen zwischen den belichteten Bereichen 132 bis 136
Aussparungen 150 und 152, die an den Stellen liegen, an denen sich ursprünglich die unbelichteten Bereiche 138 bzw. 140 befanden. Die belichteten Bereiche 132 bis 136 bleiben beim Entwickeln unverändert.
Wie in Figur 3C dargestellt, wird anschließend mit Hilfe eines anisotropen Ätzprozesses die Metallschicht 104 gemäß der in der Klebeschicht 12 vorhandenen Struktur strukturiert. Dabei werden die Aussparungen 150 und 152 durch die Metall - Schicht 104 hindurch erweitert. Am Ende des Ätzprozesses liegt der Boden der Aussparung 150 auf der Oxidschicht 102. Der Boden der Aussparung 152 liegt ebenfalls auf dem Boden der Oxidschicht 102. Aus der durchgehenden Metallschicht 104 sind beim Strukturieren Metallleitbahnen 160 bis 164 entstan- den.
Nach dem Atzprozess werden die verbliebenen Reste 132 bis 136 der Klebeschicht 12 mit Hilfe eines Abziehklebebandes, so wie oben an Hand der Figur 2B erläutert, entfernt.
Bei einem anderen Ausführungsbeispiel wird für das an Hand der Figuren 3A bis 3C erläuterte Verfahren ebenfalls eine
13 Klebeschicht 12 eingesetzt, die als Positivresist wirkt. Auf die Ausführungen zu den Figuren 2A und 2B in Zusammenhang mit einem Positivresist wird verwiesen.
Die Klebeschicht 12 enthält bei einem Ausführungsbeispiel eine Verbindung mit kleinem molekularen Gewicht, die mindestens zwei fotopolymerisierbare Kohlenstoff-Kohlenstoff- Doppelbindungen je Molekül enthält. Außerdem enthält die Klebeschicht 12 einen Fotopolymerisationsinitiator.
Die fotopolymerisierbare Verbindung hat ein zahlendurchschnittliches Molekulargewicht von etwa 10000 oder weniger, vorzugsweise von 5000 oder weniger. Die Anzahl der fotopolymerisierbaren Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindungen je Molekül sollte 2 bis 6 betragen, insbesondere 3 bis 6. Besonders bevorzugte Beispiele für diese fotopolymerisierbaren Verbindungen sind Trimethylolpropantriacrylat , Pentae- rythrittriacryla , Pentaerythrittetraacrylat , Dipentae- rythritmonohydroxypentaacrylat und Dipentaerythrithexaacry- lat. Zu anderen fotopolymerisierbaren Verbindungen, die verwendet werden können, gehören, 1, -Butandioldiacrylat , 1,6- Hexandioldiacrylat, Polyethylenglycoldiacrylat und handelsübliches Oligoestheracrylat .
Diese fotopolymerisierbaren Verbindungen können allein oder gemischt verwendet werden. Die Menge, in der die fotopolymerisierbare Verbindung verwendet wird, liegt im Bereich von 1 bis 100 Gewichtsteilen auf 100 Gewichtsteile des Basispolymers. Wenn die Menge, in der die fotopolymerisierbare Verbin- düng verwendet wird, zu gering ist, wird die dreidimensionale Netzwerkstruktur bei Bestrahlen der druckempfindlichen Klebeschicht 12 mit Licht nur unzureichend gebildet und die Abnahme der Adhäsionskraft der dünnen Klebeschicht 12 an der integrierten Schaltungsanordnung 20 ist zu gering. Wenn ande- rerseits «ihre Menge zu groß ist, nimmt die Plastizität der resultierenden druckempfindlichen KlebstoffSchicht deutlich zu und die ursprüngliche Klebekraft steigt übermäßig.
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Beispiele für fotopolymerisierbare Initiatoren sind: Isopro- pylbenzoinäther, Isobutylbenzoinäther, Benzophenon, Michler's Keton, Chlorothioxanthon, Dodecylthioxanthon, Di ethylthio- xanthon, Diethylthioxanthon, Acetophenondiethylketal, Benzyl- dimethylketal, α-Hydroxyzyklohexylphenylketon und 2- Hydroxymethylphenylpropan. Diese Verbindungen können allein oder in Form von Mischungen verwendet werden.
Konkret wurde eine Zusammensetzung aus 100 Teilen Butylacry- lat, 5 Teilen Acrylnitril und 5 Teilen Acrylsäure für eine Copolymerisation in Toluol zur Herstellung eines Acrylcopoly- mers mit einem zahlendurchschnittlichen Molekulargewicht von 300000 verwendet.
Zu 100 Teilen des Acrylcopolymers wurden zugegeben: 5 Teile einer Polyisocyanatverbindung (Handelsname "Coronate L" , hergestellt von der Firma Nippon Polyurethane Co.Ltd.), 15 Teile Dipentaerythritmonohydroxypentaacrylat und 1 Teil α- Hydroxyzyklohexylphenylketon. Diese Teile wurden miteinander gemischt zur Herstellung der Klebeschicht 12.
Die Zusammensetzung wurde in Form einer Schicht auf die Oberfläche der Außenschicht 14 in einer- Dicke Dl von 50 μm aufge- bracht und dann mehrere Minuten lang, z.B. 3 Minuten lang, bei 130°C getrocknet.
Bei einem anderen Ausführungsbeispiel wird ein Acrylcopolymer mit einem zahlendurchschnittlichen Molekulargewicht von 3000 oder von 30000 hergestellt, dem dann die oben genannten Teile zugesetzt werden.
An Stelle der erläuterten Zusammensetzungen für die Klebeschicht 12 lassen sich auch andere bekannte Zusammensetzungen verwenden.
15 Durch die oben angegebenen Verfahren wird insbesondere eine gleichmäßigen Dicke der Resistschicht erzielt. Toleranzen der Dicke kleiner als +/- 3 Prozent können auf einfache Art und Weise eingehalten werden.
Bei bestimmten Waferbearbeitungsvorgängen muss bspw. der Scheibenrand unbelackt sein, um das problemlose Transportieren und Einlegen der Wafer in Maschinen oder einen Stroman- schluss in einem galvanischen Verfahren zu gewährleisten. Das Entfernen des Randes mit einem nur am Rand aufgesprühten
Lösungsmittel würde auf Grund von unvermeidlichem Lösungsmitteleintrag auch in das nicht zu entfernende Resist zu einer Resistdickenerhöhung am Scheibenrand um bis zu 15 Prozent führen.
Schritte zum zusätzlichen Entfernen eines umlaufenden Randbereiches werden vermieden, wenn die bandförmige oder Blattförmige Resistschicht auf eine Größe vorgestanzt (precut) ist, die um mindestens 2 mm oder um mindestens 5 mm kleiner als der Waferdurchmesser ist. In diesem Fall ist ein Zentrierschritt erforderlich. Ein solcher Zentrierschritt ist auch erforderlich, wenn Folien mit dem Umriss des Wafers eingesetzt werden. Ist auf der vorgestanzten bzw. vorgeformten Folie ein Waferflat berücksichtigt, so ist beim Aufbringen der Resistfolie auch auf die richtige Lage des Fiatbereiches zu achten.
Jedoch werden auch ungestanzte Bänder bzw. Blätter eingesetzt, wobei mit einer Schneide nach dem Aufbringen der Fo- lie, z.B. von einer Rolle, entlang des Waferrandes ein passendes Resiststück ausgeschnitten wird. Zentriervorgänge entfallen in diesem Fall.
Tape-La inierprozesse sind außerdem erheblich schneller und billiger als Belackungsprozesse. Die Belichtung lässt sich mit bisher verwendeten Mask-Aligner-Systemen ausführen.
16 Mit den Antire lexionseigenschaften der Folien können auch Metallleitbahnen über Topografien ohne Einschnürungen strukturiert werden.
Eine strahlungsempfindliche Komponente, z.B. eine UN-lichtempfindliche Komponente (ultraviolett) , im Resist und/oder im Klebstoff ermöglicht das restfreie Entfernen von der Scheibenoberfläche, insbesondere ohne Einrisse.
Härtet das Resist beim Bestrahlen weiter aus, so wird es beständiger gegen Plasmaangriffe. Durch das Verwenden temperaturstabiler Komponenten im Resist lässt sich die Plasmaleistung beim Strukturieren einer unter dem Resist liegenden Schicht weiter erhöhen.