WO2004082338A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ Download PDF

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Abstract

有機ＥＬ素子は、透明な基板（３１）と、基板（３１）上に、陽極（３２）、正孔注入層（３３）、正孔輸送層（３４）、発光層（３５）、電子輸送積層体（３６）、陰極側電子輸送層（３７）、陰極（３８）が順次形成された構成を有し、電子輸送積層体（３６）は電子親和力の互いに異なる２種の電子輸送層（３６Ａ，３６Ｂ）が交互に積層された構成を有する。陰極（３８）から注入される電子電流量を増加させて正孔電流量と均衡をとり、発光効率を高める。

Description

有機エレクトロルミネッセンス素子及び 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ 技術分野
本発明は、 一般に光電子素子および光電子素子を用いたフラットパネルディス プレイに関し、 特に有機エレクトロルミネッセンス素子及ぴ有機エレクトロルミ 近年、従来の大型'重量のある C RT (ブラウン管）ディスプレイから、薄型' 軽量のフラットディスプレイに次第に巿場エーズが移行して.いる。 フラットディ スプレイとしては、 液晶ディスプレイ、 プラズマディスプレイが実用化され、 家 庭用テレビ受像機、 パソコン用モニター等として、 実用化されている。
最近、 次世代のフラットディスプレイとして、 エレクト口ルミネッセンスディ スプレイ （以下 「E Lディスプレイ」 と称する。）、 特に有機 E Lディスプレイが 注目されている。 有機 E Lディスプレイを構成する有機 E L素子は、 正孔輸送性 と電子輸送性のそれぞれの有機薄膜を積層した積層型素子の報告 （C. W. Tang and S. A. VanSlyke, Applied Physics Letters vol.51, 913 (1987) ) 以来、 1 0 V 以下の低電圧で発光する大面積発光素子として関心を集め、 盛んに研究がなされ ている。 有機 E Lディスプレイは、 液晶ディスプレイと比較して、 自然発光型で あるのでパックライトを必要とせず薄型化が可能であり、 構造がシンプルで可撓 性のあるディスプレイが作成可能であるので、 応用範囲が拡大されることが期待 されている。 一方、 実用化にあたっては有機 E Lディスプレイは長寿命ィヒに課題 を残している。 背景技術
図 1は、 従来の有機 E L素子の概略断面図である。 図 1に示すように、 有機 E L素子 1 0は、 透明性絶縁基板 1 1上に透明陽極 1 2、 正孔注入層 1 3、 正孔輸 送層 1 4、 発光層 1 5、 電子輸送層 1 6、 陰極 1 8が順次形成された構成となつ ている。 有機 E L素子 1 0は、 正孔が透明陽極 1 1から正孔注入層 1 3に注入さ れ、 一方陰極 1 9から電子が注入され、 正孔及ぴ電子が発光層 1 5において再結 合して放出されたエネルギーにより、 発光層 1 5に含まれる有機蛍光体等が励起 され発光する。 輝度は再結合する正孔及び電子の時間当たりの再結合量で決定さ れ、 また、 発光効率は消費電流に対する輝度で表されるので、 発光に寄与する電 子量及び正孔量の均衡が良好な程、 発光効率は高くなる。
有機 E L素子 1 0は、 透明陽極 1 2は I T O ( I n d i u m T i n O x i d e ) により形成されており、 その I T Oの表面を UVオゾンや酸素プラズマ等 により酸化処理を施すことによって、 仕事関数を正孔注入層のイオン化ポテンシ ャルと整合させることにより、 透明陽極 1 2から正孔注入層 1 3への正孔注入障 壁を低減し、 正孔電流量を増加させている。
一方、 陰極 1 8には、 電子輸送層 1 6への電子注入障壁が小さい低仕事関数を 有する金属の L i、 M gまたそれらの合金 A 1— L i、 M g— A g等が用いられ ている。 最近になり、 L i F/A 1のような金属フッ化物を電子注入層として導 入することにより、 単体 A 1を陰極 1 8に用いても、 L i、 M g等の低仕事関数 金属の単体あるいはそれらの合金を陰極として用いた素子と同等の有機膜への電 子注入能力を示し、 発光効率等の素子特性も低仕事関数金属を陰極として用いた ものと同等あるいはそれ以上の値を示すことが知られている （L. S. Hung, C. W. Tang Tang, and M. G. Mason, Applied Physics Letters vol. 70(2)， 152 (1997))。 しかし、 陰極 1 8にこれらの低仕事関数金属の単体または合金、 あるいは L i F等の電子注入層を導入しても、 発光層 1 5に到達する電子電流量は、 正孔電流 量に比較して少なく、 電子電流量と正孔電流量との不均衡により、 発光に寄与し ない正孔電流が浪費されてしまレヽ、 発光効率を十分に向上することができないと いう問題がある。
さらに、 発光効率が低い場合充分な輝度を得るためには印加する «]£を増して より多くの電流量を流す必要があるが、 電圧を過度に印加すると陽極 1 2と正孔 注入層 1 3、 及ぴ陰極 1 8と電子輸送層 1 6との界面において化学反応が生じ易 くなり、 正孔注入層 1 3、 電子輸送層 1 6が変質して機能が低下し、 ひいては素 子破壌につながり易い。 したがって、 素子寿命を十分に確保することができない という問題がある。
また、 特開 2002— 43063号公報には、 多層電子輸 B域を設けること によりキヤリァの発光層への注入の向上や動作 を低下させたりすることが開 示されている。 しかしながら、 本公報では多層電子輸送領域の構成については具 体的な構成は開示されていない。
特許文献 1 特開 2002— 43063号公報
特許文献 2 特開 2001— 357975号公報 発明の開示
そこで、 本発明は上記の課題を解決した新規かつ有用な有機エレクトロルミネ ッセンス素子およぴ有機ェレクト口ルミ ッセンスディスプレイを«すること を概括課題とする。
本発明のより具体的な課題は、 発光効率が優れ、 長寿命ィ匕が可能な有機エレク ト口ノレミネッセンス素子を提供することである。
本発明の一観点によれば、
陽極と、 陽極上に形成された発光層と、 発光層上に形成されたキャリア輸送積 層体と、 キャリア輸送積層体上に形成された陰極とを有し、
前記キヤリァ輸送積層体は、 第 1のキヤリァ輸送層と第 2のキヤリァ輸送層と が交互に積層されてなり、
前記第 1のキヤリァ輸送層と第 2のキヤリァ輸送層は互いに電子輸送性が異な ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
ここで、 電子輸送性は、 第 1のキャリア輸送層及び第 2のキャリア輸送層を形 成する有機材料の電子親和力、 イオン化ポテンシャル、 エネルギーギャップ等に より決定される。
本努明によれば、 発光層と陰極との間に、 互いに電子輸送性が異なる第 1のキ ャリァ輸送層と第 2のキヤリァ輸送層とが交互に積層されたキヤリァ輸送積層体 が設けられることにより、 発光層に注入される電子電流量を增加することができ る。 その結果、 本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子は、 電子電流量と正 孔電流量とが均衡することにより、高い発光効率を有し、また長い寿命を有する。 上記第 1のキヤリァ輸送層と第 2のキヤリァ輸送層は互いに電子親和力が異な る。 第 1のキヤリァ輸送層と第 2のキヤリァ輸送層の電子親和力が互いに異なる ことにより、 多重量子井戸が形成され、 電子電流量を増加することができる。 な お、 電子親和力は、 キャリア輸送層等を構成する材料の伝導体の下端のエネルギ 一と真空準位とのエネルギー差で表され、 正値で示される。
本発明の他の観点によれば、 上記いずれかの有機エレクトロルミネッセンス素 子を備えた有機ェレク ト口ルミネッセンスディスプレイが提供される。
本発明によれば、 高い発光効率と長い寿命を有する有機エレクトロノレミネッセ ンスディスプレイを実現することができる。 図面の簡単な説明
図 1は、 従来の有機 E L素子の断面図である。
図 2は、 本発明に係る素子構造体の断面図である。
図 3は、 図 2に示す素子構造体の I一 V特' [■生図である。
図 4は、 本発明の第 1の実施の形態の有機 E L素子の断面図である。
図 5は、 第 1の実施の形態の有機 E L素子のエネルギーダイヤグラムである。 図 6は、 エネルギーギヤップを求める方法を説明するための図である。
図 7は、 イオンィ匕ポテンシャルを求める方法を説明するための図である。 図 8は、 実施例及び比較例に係る有機 E L素子に使用した電子輸送層及び正孔 輸送層の特性値を示す図である。
図 9は、 第 1〜第 3実施例及び第 1〜第 2比較例に係る有機 E L素子の層構成 と評価結果を示す図である。
図 1 0は、 第 4〜第 5実施例及び第 3〜第 4比較例に係る有機 E L素子の層構 成と評価結果を示す図である。
図 1 1は、 本発明の第 2の実施の形態の有機 E Lディスプレイの分解斜視図で る。
符号の説明 3 1…基板、 3 2…陽極、 3 3…正孔注入層、 3 4…正孔輸送層、 3 5…発光層、 3 6…電子輸送積層体、 3 7…陰極側電子輸送層、 3 8…陰極、 3 6 A 1 · 3 6 Α 2 ···第 1電子輸送層、 3 6 B 1 · 3 6 B 2…第 2電子輸送層、 50…有機 ELディスプレイ 発明を実施するための最良の態様
始めに本願発明者が本発明をするに至った経緯について説明する。 本願発明者 は以下に示す実験を行い、 本願の特徴である発光層と陰極との間に異なる電子輸 送性を有する電子輸送層を交互に積層した電子輸送積層体を設けることにより、 注入可能な電流密度を増加することができるとの知見を得た。
図 2は、 本実験に使用した本発明に係る素子構造体の断面図である。 図 2を参 照するに、素子構造体 20は、基板 21と、基板 21上に形成された陽極 22と、 陽極 22上に 2つの異なる電子輸送層 26 A、 26 Bが交互に積層された電子輸 送積層体 25と、 電子輸送積層体 26上に積層された陰極側電子輸送層 27と、 陰極側電子輸送層 27上に形成された陰極 28より構成されている。 陽極 22に は A 1を、 陰極 28には L i F/A 1を用いている。 また、 陰極側電子輸送層 2 7には TYE704 (東洋インキ社製商品名） を用いている。 電子輸送積層体 2 6は陽極側より第 1電子輸送層 26A1、 第 2電子輸送層 26B 1、 更にこの順 に交互に第 1電子輸送層 26 A 2、 第 2電子輸送層 26B2が積層されている。 ここでは第 1電子輸送層 26 Aには TYE 704、 第 2電子輸送層 26；6には丁 YG201 (東洋インキネ ±M商品名） を用いている。 TYG201 (東洋インキ 商品名） は緑色発光材料として知られている力 電子輸送層としても使用で きる。 積層の繰り返し数を N=l、 3、 4の素子構造体、 比較のために電子輸送 積層体を除いた以外は同様の素子、 すなわち繰り返し数 N= 0の素子構造体を作 製した。電子輸送積層体 26 ({ }內に示す）及ぴ陰極側電子輸送層 27の厚さ を以下に示す。なお、陰極側電子輸送層 26は、それぞれの素子構造体において、 陰極からの電子注入障壁を同じ条件にするために設けてある。
N=0 ： TYG201 (80 nm)
N= 1 ： {[TYG 201 (30 nm) /TYE 704 (30 nm)] J /TY G 201 ( 20 n m)
N=3 ： {[TYG201 (10 nm) /TYE 704 (10 nm)] J /TY G201 (20 nm) N=4 ： {[TYG 201 (7. 5 nm) TYE 704 (7. 5 nm)] J / TYG201 (20 nm)
電子輸送積層体 25に流れる電流量を測定するために、 陽極 22と陰極 28と の間に直流 0〜10 Vを 0. 5 V刻みで印加して、 電流計により素子に流れる電 流量を測定した。
図 3は、 図 2に示す素子構造体の I一 V特性を示す図である。 図 3を参照する に、 N=0及び N= 1の素子を比較するとほぼ同等の電流量か、 N= 1がやや小 さい。 一方 N=3、 及ぴ N= 4では電流量が大幅に増カ卩し、 繰り返し数が多いほ ど増加していることがわかる。 したがって、 互いに異なる電子輸送性を有する 2 つの電子輸送層 25 A、 25 Bを繰り返し積層することにより電子電流量を増加 することができ、.積層数を多くすることにより正孔電流量とバランスをとだけの 充分な電子電流量を流すことができる。 これは、 電子親和力の異なる、 電子輸送 層を交互に積層することによつて多重量子井戸が形成され、 多重量子井戸効果に より電子電流量が増加したものと推察される。 なお、 N=lの場合に電流量が増 加しなかった理由は、 N=lでは多重量子井戸が形成されていないためであると 推察される。
以上により、 本願発明者は異なる電子輸送層を積層した電子輸送積層体を備え た有機 EL素子の発明に至ったものである。 (第 1の実施の形態）
以下、 図を参照しながら本発明による実施の形態の有機 E L素子について説明 する。
図 4は、 本発明の実施の形態に係る有機 EL素子の断面図である。 図 5は、 図 4に示す本実施の形態の有機 E L素子のエネルギーダイャグラムの一例である。 図 5中、 Eaは電子親和力を、 E gはエネルギーギヤップを、 I はィオン化ポ テンシャルを表す。 図 4及ぴ図 5を参照するに、 本実施の形態の有機 E L素子 3 0は、 透明な基板 31と、 基板 31上に、 陽極 32、 正孔注入層 33、 正孔輸送 層 34、 発光層 35、 電子輸送積層体 36、 陰極側電子輸送層 37、 陰極 38が 順次形成された構成となっている。 基板 31には、 例えば、 ガラス、 石英等の透明性絶縁基板、 S i等の半導体基 板、 P E Tや P ENなどのフィルム、 PV Aなどの樹脂基板等を用いることがで きる。 またはこれらの基板上に有機 E L素子のオンオフを制御する T F T (薄膜 トランジスタ） がマトリクス状に形成されていてもよい。 基板 31の厚さは、 こ れらの基板の材料により適宜選択されるが、 おおよそ 200 / m〜l 000 μπι である。
陽極 32は、 基板 31上に蒸着法ゃスパッタ法により A 1等の導電材料により 形成され、 正孔注入性の観点からは、 仕事関数の大なる Au、 Cr、 Mo等が好 適である。 ただし、 陽極側より光が放射される場合は、 I TOや酸化インジウム 等の透明材料により形成される。
正孔注入層 33及び正孔輸送層 34は、 HOMOが高い、 すなわちイオン化ポ テンシャルが小さい材料が用いられる。 代表的なものとして、 銅フタロシアニン (Cu P c), スターバースト型ァミンの m_MTDATA、 2— TNATA、 T PD、 （x—NPD等が挙げられる。 なお、 陽極と正孔輸送層との間により多くの 正孔注入を行うために、 正孔注入層を設けてもよレヽ。 正孔注入層には、 上述した 銅フタロシアニン (Cu P c)、 スターバースト型ァミンの m— MTDATA、 2 一 TNAT Aを用いることができる。
また、正孔輸送層 34は発光層 35に対して電子親和力が小さい方が好ましレ、。 発光層に電子を蓄積することができ、 発光層における空間電子密度を増加するこ とができる。 具体的には、 図 5に示すように、 正孔輸送層 34の電子親和力 E a 34と発光層の電子親和力 E a 35との関係を E a 34く E a 35とし、 高さ BR34 (=E a 35— E a 34) のエネルギーバリァを形成する。
なお、 ィオン化ポテンシャルの異なる正孔輸送層を交互に積層して設けてもよ い。 正孔に対してエネルギーパリァを形成することにより正孔電流量を抑制し、 電子電流量との均衡を図ることができる。
努光層 35には、 A 1 q 3 ( t r i s (8— hyd r oxyqu i no l i o) a l umi n i um), Znq 2、 Ba l q 2等の金属錯体系材料、 P Z 10、 E M 2等の色素系材料等が使用される。 また、 ノレブレン、 TPB等の色素を Al q 3等のホスト材にドービングしたものを用いることができる。 陰極側電子輸送層 3 7は、 後述する電子輸送積層体 3 6を構成する電子輸送層 と同様の材料により構成される。 特に、 陰極側電子輸送層 3 7は、 電子輸送積層 体 3 6を構成する電子輸送層と比較して、 エネルギーギャップの大きさが同等か より大きい方が好ましい。 陰極側電子輸送層 3 7における発光を防止することが できる。
陰極 3 8には、 仕事関数が小さい、 L i等の金属やその合金 M g—A g、 A 1 一 L i等を用いられる。 また、 L i F /A 1のように金属フッ化物等の電子注入 層を導入した陰極を用いてもよい。
電子輸送積層体 3 6は、 異なる電子輸送性を有する第 1電子輸送層 3 6 A及び 第 2電子輸送層 3 6 Bが交互に積層された構成となっている。 ここで、 異なる電 子輸送性とは、例えば HOMOや L UMO (最低空分子ォービタル)、導電性等が 異なることをいう。 本実施の形態では以下第 1電子輸送層 3 6 A及び第 2電子輸 送層 3 6 Bは電子親和力が互いに異なるものについて説明する。
第 1電子輸送層 3 6 A及ぴ第 2電子輸送層 3 6 Bには、 8—ヒドロキシキノリ ンの金属キレート、金属チォキシノィド化合物、ォキサジァゾール金属キレート、 トリアジン、 4， 4， 一ビス （2， 2—ジフエエルビュル） ビフエ-ル等を用い ることができる。 8—ヒドロキシキノリンの金属キレートのうちで好適なものは、 A 1 q 3 (トリス （8—ヒドロキシキノリネート） ァノレミニゥム、 B a 1 q (ビ ス ( 8—ヒドロキシキノラート)― ( 4—フエニノレフエノラート)アルミニウム、 ビス P B D等が挙げられる。 また、 金属チォキシノイド化合物のうちで好適なも のは、 ビス （8—キノリンチォラート） 亜釦\ ビス （8—キノリンチォラート） カドミウム、 トリス （8—キノリンチォラート） ガリウム、 トリス （8—キノリ ンチォラート) インジウム等が挙げられる。 また、 ォキサジァゾール金属キレー トのうちで好適なものは、 ビス [ 2 - ( 2—ヒドロキシフエ二ノレ) —5—フエ二 ルー 1， 3， 4一ォキサジァゾラート] 亜鉛、 ビス [ 2— ( 2—ヒドロキシフエ ニル） 一 5—フエニル一 1， 3， 4一ォキサジァゾラート]ベリリウム、 ビス [ 2 - ( 2—ヒドロキシフエ二ノレ) - 5 - ( 1—ナフチノレ) 一 1， 3， 4ーォキサジ ァゾラート] 亜鈴、 ビス [ 2— （2—ヒドロキシフエ二ノレ） 一 5— ( 1—ナフチ ル） 一 1， 3， 4—ォキサジァゾラート] ベリリウム等が挙げられる。 第 1.電子輸送層 3 6 Aと第 2電子輸送層 3 6 Bは、 上述した電子輸送層の材料 より第 1電子輸送層 3 6 Aの電子親和力を E a A、 第 2電子輸送層 3 6 Bの電子 親和力を E a Bとしたとき、 電子親和力の関係が E a A< E a Bとなるように選択 する。 力かる関係を有する材料の選択にあたっては後述する測定法を用いて、 電 子親和力を求めればよい。
電子は、 陰極 3 8力 ら発光層 3 5に向かって流通するが、 電子輸送積層体 3 6 には、 例えば第 2電子輸送層 3 6 B2から第 1電子輸送層 3 6 A2の界面におい てこれらの 2つの層の電子親和力の差 EB2— EA2によりエネルギーバリア B R2 が形成され、 井戸型ポテンシャルが形成されている。 第 2電子輸送層 3. 6 B 1か ら第 1電子輸送層 3 6 A1にも同様に、エネルギーバリア B Riが形成され、井戸 型ポテンシャルが形成されている。 したがって、 多重量子井戸が形成され電子電 流量が増加すると推察される。
第 1電子輸送層 3 6 A及び第 2電子輸送層 3 6 Bの膜厚は、 第 1電子輸送層 3 6 A及び第 2電子輸送層 3 6 Bの繰り返し数に応じて適宜選択されるが、 2 n m 〜5 0 n m (好ましくは 5 n m〜 2 0 n m) の範囲に設定される。 5 0 n mより 厚くなると有機 E L素子全体の厚さが過度となり、 適切な印加電圧が過度に大と なり、 陽極又は陰極とこれらに接する正孔注入層または陰極側電子輸送層との界 面において電気化学反応が生じやすくなり、 有機 E L素子の寿命に悪影響を及ぼ す。 また 2 n mより薄いと連続膜が形成されにくくなり、 井戸型ポテンシャルの 周期性が乱れてしまう。
第 1電子輸送層 3 6 A及び第 2電子輸送層 3 6 Bの膜厚は上記の範囲の所定の 膜厚にそれぞれ設定される。 多重量子井戸の周期性が良好となる。 なお、 第 1電 子輸送層 3 6 A及び第 2電子輸送層 3 6 Bの膜厚は同一の膜厚でもよく、 異なつ ていてもよい。
さらに、 第 1電子輸送層 3 6 Aは、 薄膜が第 2電子輸送層 3 6 Bより薄くても 良い。 第 1電子輸送層 3 6 Aは電子親和力が小さいのでバリア層として機能して いるが、 パリア層を薄層化することにより、 さらに電子電流量を増すことができ る。
また、 第 1電子輸送層 3 6 A及ぴ第 2電子輸送層 3 6 Bの繰り返し数は 2〜 1 0 (好ましくは 2〜4 ) に設定される。 1 0より大きいと有機 E L素子の厚さが 過度となり、 2より小さいと多重量子井戸を形成することができない。
なお、 電子輸送層、 正孔輸送層等のエネルギーギャップ、 イオン化ポテンシャ ル、 及ぴ電気親和力を以下の測定条件及び測定方法により求めた。
エネルギーギャップ E gは、 光吸収スぺクトルを測定し、 光吸収スぺクトルの 長波長端のエネルギーをエネルギーギヤップ E gとした。 具体的には、 上記有機 E L素子の各層を形成する条件と同様の条件で、 測定対象の電子輸送層等を単独 に厚さ 5 0 n m程度の薄膜に形成した。 光吸収スぺクトルを測定可能な分光光度 計装置 （日立製作所ネ環、 商品名：スぺクトロフォトメーター U— 4 1 0 0 ) を 用いて大気中において紫外から可視領域の光を厚膜に照射し、 光吸収スぺクトル
(波長依存性） を測定した。
図 6は、 光吸収スぺクトルを示す特性図である。 図 6を参照するに、 光吸収ス ぺクトルの長波長側の裾野の 泉部分 LN 1を長波長側に直線近似により外挿し た難と、 パックグランドの {S /線部分 B G 1を短波長側に直線近似により外挿し た 線との交点 C P 1の波長をエネルギーに換算してエネルギーギヤップ E gと した。
イオン化ポテンシャル I pは、 紫外線光電子分析法により測定した光電子放出 の閾値エネルギーをイオン化ポテンシャル I Pとした。 具体的には、 エネルギー ギヤップ E gの測定に用いた厚膜と同様に形成された厚膜を使用して、 大気雰囲 気型紫外線光電子分析装置 （理研計器社製、 商品名： AC— 1 ) を用いて、 大気 中において紫外線を薄膜に照射し、 放出される光電子数を測定して、 入射紫外線 のエネルギーと光電子数との関係から求めた。 測定条件は、 Alt紫外線のェネル ギー範囲が 3. 8〜 6 . 2 e V、 紫外線強度が 2 0 nWである。
図 7は、 光電子数の平方根と入射紫外線のエネルギーとの関係の一例を示す特 性図である。 図 7を参照するに、 特性線の立ち上がりの直線部分 L N 2を低エネ ルギー側に ¾泉近似により外挿した直線と、 また、 パックダランドの 镍部分よ り高エネルギー側に直線近似により外挿した直線との交点 C P 2のエネルギーを イオン化ポテンシャル I pとした。
さらに、 電子親和力 Eaは、 上記により求めたイオン化ポテンシャル I pとェ ネルギーギャップ E gとの差 （E a= I p— Eg) により求めた。
これらの方法を用いて、 エネルギーギャップ、 イオン化ポテンシャル、 及ぴ電 気親和力を個々の電子輸送材料について測定し、 電子輸送積層体を構成する電子 輸送層の組み合わせを選択することができる。
図 8は以下に説明する本発明による実施例及び本発明によらない比較例の有機 E L素子を構成する電子輸送層及ぴ正孔輸送層のエネルギーギャップ、 ィオンィ匕 ポテンシャル、 及ぴ電気親和力の測定値を示す図である。 図 8に示す測定値に基 づレ、て行つた実施例及び比較例を以下に示す。
[第 1実施例]
ガラス基板上に、 I TOを用いてスパッタ法により厚さ 1 50 nmの陽極の形 成し、 陽極表面を酸素雰囲気中で UV光を 20分間照射して UVオゾン処理を行 つた。次いで正孔注入層として 2— TN AT A (厚さ 40 n m)、正孔輸送層とし て a— NPD (厚さ 10 nm)、発光層として TYG201 (厚さ 20 nm) を順 次形成した。
次いで電子輸送積層体として、 TYE704 (厚さ 1 5 nm) と TYG201 (厚さ 1 5 nm) の組を、 TYE 704から始めて 2回繰り返して形成した。 さ らに電子輸送積層体上に TYE 704 (厚さ 20 nm) を一層形成し、 最後に L i F/A 1からなる陰極を形成した。
本実施例の有機 EL素子は、 電圧 3 V以上で緑色発光が観測された。 電圧 10 V印加時において輝度 91 3 c d/m\ 発光効率 8 · 40 c dZAが得られた。
[第 2実施例]
本実施例の有機 E L素子は、 電子輸送積層体として、 TYE 704 (厚さ 10 nm) と TYG201 (厚さ 10nm) の組を 3回繰り返した以外は、 第 1実施 例と同様である。
本実施例の有機 EL素子は、 電圧 3 V以上で緑色発光が観測された。 電圧 10 V印加時は輝度 1075 c d/ \ 発光効率 9. 70 c d/ Aが得られた。
[第 3実施例] 本実施例の有機 EL素子は、 電子輸送積層体として、 TYE.704 (厚さ 7. 5 nm) と TYG201 (厚さ 7. 5 nm) の組を 4回繰り返した以外は、 第 1 実施例と同様である。
本実施例の有機 EL素子は、 電圧 3 V以上で緑色発光が観測された。 電圧 10 V印加時は輝度 10 1 7 c d/m 発光効率 8. 89 c dZ Aが得られた。
[第 1比較例]
本比較例の有機 E L素子は、 発光層として TYG 201 (厚さ 50 nm) を形 成し、 電子輸送積層体の替わりに電子輸送層を TYG 201 (厚さ 50 nm) に よる 1層とした以外は第 1実施例と同様である。
本比較例の有機 EL素子は、 電圧 3 V以上で緑色発光が観測された。 電圧 10 V印加時において輝度 967 c d/m\ 発光効率 8. 25 c dZAが得られた。
[第 2比較例]
本比較例の有機 E L素子は、 電子輸送積層体として、 TYE 704 (厚さ 30 nm) と TYG201 (厚さ 30 n m) の組を 1組設けた以外は、 第 1実施例と 同様である。
本比較例の有機 EL素子は、 電圧 4 V以上で緑色発光が観測された。 電圧 10 V印加時は輝度 750 c d/m2、 発光効率 7. 48 c d /Aが得られた。 図 9は、 第 1〜第 3実施例、 及び第 1〜第 2比較例の層構成と評価結果を示す である。 図 9を参照するに、 電子輸送積層体である T Y E 704及ぴ T YG20 1の積層の繰り返し数を 2以上とすることで、 第 1比較例のように電子輸送積層 体が電子輸送層 1層の場合や、 第 2比較例のように繰り返し数が 1の場合と比較 して、 発光効率が増加していることが分かる。 また、 第 2実施例の有機 EL素子 は発光効率が最大となっており、 電子電流量と正孔電流量が均衡したためと推察 される。 発光輝度の観点からも第 2実施例の有機 E L素子が最大となっているこ とが分かる。
次に、 電子輸送積層体を構成する TYE 704と TYG201のうち、 TYG 201を A 1 q 3に置換した実施例及び比較例について説明する。 '，
[第 4実施例]
本実施例の有機 E L素子は、 電子輸送積層体として、 T YG 201 (厚さ 10 nm) の替わりに A 1 q 3 (厚さ 10 nm) を用いた以外は第 2実施例と同様で あり、 繰り返し数は 3である。 .
本実施例の有機 E L素子は、 電圧 5 V以上で緑色発光が観測された。 電圧 10 V印加時は輝度 994 c d/m2、 発光効率 7. 52 c d /Aが得られた。
[第 5実施例]
本比較例の有機 E L素子は、 電子輸送積層体の各層の厚さを 7. 5 nmとし、 繰り返し数を 4とした以外は第 4実施例と同様である。
本実施例の有機 EL素子は、 電圧 5 V以上で緑色発光が観測された。 電圧 10 V印加時は輝度 1021 c dZm2、 発光効率 7 · 44 c dZAが得られた。 [第 3比較例]
本比較例の有機 EL素子は、 電子輸送積層体の替わりに電子輸送層を A 1 q 3 (厚さ 30 nm) による 1層とし、 陰極に接する電子輸送層を T YG 20 1 (厚 さ 50 nm) とした以外は、 第 4実施例と同様である。
本比較例の有機 EL素子は、 電圧 5 V以上で緑色発光が観測された。 電圧 10 V印加時は輝度 1058 c d/m2、 発光効率 6. 68 c dZAが得られた。
[第 4比較例]
本比較例の有機 EL素子は、 電子輸送積層体の各層の厚さを 30 nmとし、 繰 り返し数を 1とした以外は第 4実施例と同様である。
本比較例の有機 E L素子は、 電圧 5 V以上で录色発光が観測された。 電圧 10 V印加時は輝度 1005 c d/m\ 発光効率 6. 75 c d/Aが得られた。 図 10は、 第 4〜第 5実施例、 及び第 3〜第 4比較例の層構成と評価結果を示 す図である。 図 10を参照するに、 電子輸送積層体である TYE 704及ぴ A 1 q 3の積層の繰り返し数を 3以上とすることで、 第 3比較例のように電子輸送積 層体が電子輸送層 1層の場合や、 第 4比較例のように繰り返し数が 1の場合と比 較して、 発光効率が增加していることが分かる。
さらに第 2〜第 3.実施例と第 4〜第 5実施例の有機 E L素子の同じ繰り返し数 の実施例同士を比較すると、 TYG201層と TYE 704層とを積層した第 2 〜第 3実施例の有機 EL素子の方力 A 1 q 3層と TYE 704層とを積層した 第 4〜第 5実施例に係る有機 E L素子と比較して、 繰り返し数が 1の比較例 （そ れぞれ第 2比較例、第 4比較例）に対する発光効率の向上率が高レヽことが分かる。 この理由としては、 図 8に示すように、 A 1 q 3層と TYE 704層との電子親 和力の差は 0. 10 e Vであるのに対して、 TYG201層と TYE704層と の電子親和力の差は 0. 23 e Vあり、 TYG201層と TYE 704層と組み 合わせの方が、 多重量子井戸がより十分に形成され、 その結果、 より顕著な多重 量子井戸効果が生じたものと推察される。
(第 2の実施の形態）
図 11は、 本発明の第 2の実施の形態の有機 E Lディスプレイの分解斜視図で ある。 図 11を参照するに、 有機 ELディスプレイ 50は、 ガラス基板 51と、 ガラス基板上にストライプ状に形成された陰極 51と、 陰極 51に対向して垂直 にストライプ状に形成された陽極 54と、 陰極 52と陽極 54との間に形成され た積層体 53等より構成されている。 さらに、 有機 ELディスプレイ 50は、 図 示されていないが、 陰極及び陽極間に印加する電圧を駆動する駆動回路、 水蒸気 や酸素への曝露を防止する封止材料等より構成されている。
有機 E Lディスプレイ 50は、 所望の領域の陰極 52及び陽極 54に電圧を印 加することにより、 所望の領域を発光させることができる。 有機 ELディスプレ ィ 50の特徴は、 陰極 52、 積層体 53、 及び陽極 54が上述した本発明の有機 EL素子により構成されていることである。 したがって、 発光効率が優れ、 長寿 命化が可能な有機 E Lディスプレイを実現することができる。
以上本発明の好ましい実施例について詳述したが、 本発明は係る特定の実す形 態に限定されるものではなく、 特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内にお いて、 種々の変形.変更が可能である。 例えば、 本実施の形態において、 有機 E L素子を基板上に陽極側より順次堆積 して形成してもよく、 陰極側より形成してもよい。 産業上の利用可能性
本発明によれば、 有機エレクトロルミネッセンス素子において、 電子輸送性の 異なる電子輸送層を交互に積層した電子輸送積層体を発光層の陰極側に設けるこ とにより、 発光効率が優れ、 長寿命化が可能な有機ェレク ト口ルミ
子を提供することができる。

Claims

請求の範囲
1 . 陽極と、 陽極上に形成された発光層と、 発光層上に形成されたキャリア 輸送積層体と、 キヤリァ輸送積層体上に形成された陰極とを有し、
前記キャリア輸送積層体は、 第 1のキャリア輸送層と第 2のキャリア輸送層と が交互に積層されてなり、
前記第 1のキヤリァ輸送層と第 2のキヤリァ輸送層は互いに電子輸送性が異な ることを特徴とする有機ェレクト口ルミネッセンス素子。
2 . 前記第 1のキャリア輸送層と第 2のキャリア輸送層は互いに電子親和力 が異なることを特徴とする請求項 1記載の有機エレクトロノレミネッセンス素子。
3 . 前記キャリア輸送積層体は、 第 1のキャリア輸送層と第 2のキャリア輸 送層との繰り返し数が 2〜 1 0の範囲で交互に積層されてなることを特徴とする 請求項 1記載の有機ェレクト口/レミネッセンス素子。
4 . 第 1のキヤリァ輸送層及び第 2のキヤリァ輸送層は各々が所定の膜厚よ りなることを特徴とする請求項 1記載の有機ェレクト口ルミネッセンス素子。
5 . 前記第 1のキャリア輸送層は、 電子親和力が第 2のキャリア輸送層より 小さく、 かつ膜厚が前記第 2のキヤリァ輸送層と同等又は小さいことを特徴とす る請求項 1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
6 . 前記第 1のキヤリァ輸送層及び第 2のキヤリァ輸送層のうちいずれ力一 方が発光層と同一材料よりなることを特徴とする請求項 1記載の有機エレクトロ ノレミネッセンス素子。
7. 前記キヤリァ輸送積層体と陰極との間に電子輸送層を更に有し、 前記電子輸送層は、 エネルギーギヤップが第 1のキヤリァ輸送層及ぴ第 2のキ ャリァ輸送層のうちいずれカゝ大きい方と同等又は大きいことを特徴とする請求項 1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
8. 前記キャリア輸送積層体は、 第 3のキャリア輸送層を更に有し、 第 1のキヤリァ輸送層、 第' 2のキヤリァ輸送層及び第 3のキヤリァ層が順次繰 り返して積層されてなることを特徴とする請求項 1記載の有機ェレクト口ノレミネ 、素十。
9. 前記陽極と発光層との間に芷孔輸送層を更に有し、
前記正孔輸送層は、 電子親和力が発光層より大きいことを特徴とする請求項 1 記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
1 0. 前記陽極と発光層との間に他の正孔輸送層を更に有し、
前記正孔輸送層と前記他の正孔輸送層とが交互に積層されてなり、
前記正孔輸送層と前記他の正孔輸送層は、 互いにイオンィ匕ポテンシャルが異な ることを特徴とする請求項 9記載の有機ェレクト口ルミネッセンス素子。
1 1 . 前記請求項 1〜1 0記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備え た有機エレク
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004362914A (ja) * 2003-06-04 2004-12-24 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた表示装置
WO2007051540A2 (en) * 2005-11-01 2007-05-10 Novaled Ag A method for producing an electronic device with a layer structure and an electronic device
JP2007115800A (ja) * 2005-10-19 2007-05-10 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置とその製造方法
WO2008069153A1 (en) * 2006-12-04 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
JP2009170885A (ja) * 2008-01-15 2009-07-30 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機電界発光素子及びその製造方法
US7569288B2 (en) * 2006-03-01 2009-08-04 Eastman Kodak Company Electroluminescent device including gallium complexes
US7576486B2 (en) 2004-04-02 2009-08-18 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence element having two electroluminescent layers through electron barrier layer
JP2011086935A (ja) * 2009-10-14 2011-04-28 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光素子及びその製造方法
WO2020175501A1 (ja) * 2019-02-26 2020-09-03 京セラ株式会社 太陽電池素子、および太陽電池素子の製造方法

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070103067A1 (en) * 2005-11-08 2007-05-10 Ya-Ping Tsai Organic electroluminescence device and electron transporting layer
EP1798306B1 (de) * 2005-12-07 2008-06-11 Novaled AG Verfahren zum Abscheiden eines Aufdampfmaterials
US20070207345A1 (en) * 2006-03-01 2007-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device including gallium complexes
JP5064482B2 (ja) * 2006-03-14 2012-10-31 エルジー・ケム・リミテッド 高効率の有機発光素子およびその製造方法
TWI353677B (en) 2006-03-21 2011-12-01 Novaled Ag Method for preparing doped organic semiconductor m
JP5475305B2 (ja) * 2009-03-26 2014-04-16 セイコーエプソン株式会社 発光素子、露光ヘッドおよび画像形成装置
JP2012033918A (ja) * 2010-07-08 2012-02-16 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子、有機電界発光デバイス、有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ照明
KR102014168B1 (ko) * 2012-10-12 2019-08-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자, 이의 제조 방법 및 물질층 형성 방법
CN103050634B (zh) * 2013-01-07 2015-04-22 陕西科技大学 一种高电子注入效率有机电致发光器件及其制备方法
WO2015186741A1 (ja) * 2014-06-03 2015-12-10 シャープ株式会社 有機ｅｌ素子、及び製造方法
CN104617223B (zh) 2015-02-03 2017-12-08 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管器件及其制作方法和蒸镀设备
KR102427671B1 (ko) 2015-09-07 2022-08-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
TWI675472B (zh) * 2018-08-14 2019-10-21 友達光電股份有限公司 有機發光裝置及其製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0636877A (ja) * 1992-07-17 1994-02-10 Toshiba Corp 有機ｅｌ素子
JPH07188649A (ja) * 1993-11-18 1995-07-25 Fuji Electric Co Ltd 有機薄膜発光素子
JP2000082585A (ja) * 1998-06-26 2000-03-21 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JP2001357975A (ja) 2000-06-16 2001-12-26 Rohm Co Ltd 有機ｅｌ素子
JP2002043063A (ja) 2000-06-30 2002-02-08 Xerox Corp 有機発光素子

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5343050A (en) * 1992-01-07 1994-08-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic electroluminescent device with low barrier height
US5709959A (en) * 1994-09-16 1998-01-20 Ricoh Company, Ltd. Organic thin film electroluminescence device
US5739545A (en) * 1997-02-04 1998-04-14 International Business Machines Corporation Organic light emitting diodes having transparent cathode structures
US6121727A (en) * 1997-04-04 2000-09-19 Mitsubishi Chemical Corporation Organic electroluminescent device
US6551725B2 (en) * 2001-02-28 2003-04-22 Eastman Kodak Company Inorganic buffer structure for organic light-emitting diode devices
US6558820B2 (en) * 2001-05-10 2003-05-06 Eastman Kodak Company High contrast light-emitting diode devices

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0636877A (ja) * 1992-07-17 1994-02-10 Toshiba Corp 有機ｅｌ素子
JPH07188649A (ja) * 1993-11-18 1995-07-25 Fuji Electric Co Ltd 有機薄膜発光素子
JP2000082585A (ja) * 1998-06-26 2000-03-21 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JP2001357975A (ja) 2000-06-16 2001-12-26 Rohm Co Ltd 有機ｅｌ素子
JP2002043063A (ja) 2000-06-30 2002-02-08 Xerox Corp 有機発光素子

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1603369A4

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004362914A (ja) * 2003-06-04 2004-12-24 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた表示装置
US7800299B2 (en) 2003-06-04 2010-09-21 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device and display using same
US7659659B2 (en) 2003-06-04 2010-02-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device and display using same
US7576486B2 (en) 2004-04-02 2009-08-18 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence element having two electroluminescent layers through electron barrier layer
JP2007115800A (ja) * 2005-10-19 2007-05-10 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置とその製造方法
WO2007051540A2 (en) * 2005-11-01 2007-05-10 Novaled Ag A method for producing an electronic device with a layer structure and an electronic device
EP1780816A3 (en) * 2005-11-01 2007-09-26 Novaled AG A method for producing an electronic device with a layer structure and an electronic device
WO2007051540A3 (en) * 2005-11-01 2007-10-25 Novaled Ag A method for producing an electronic device with a layer structure and an electronic device
US7569288B2 (en) * 2006-03-01 2009-08-04 Eastman Kodak Company Electroluminescent device including gallium complexes
WO2008069153A1 (en) * 2006-12-04 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US7732811B2 (en) 2006-12-04 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
JP2008166745A (ja) * 2006-12-04 2008-07-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置並びに電子機器
US8319210B2 (en) 2006-12-04 2012-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US8916857B2 (en) 2006-12-04 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
JP2009170885A (ja) * 2008-01-15 2009-07-30 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機電界発光素子及びその製造方法
JP4663775B2 (ja) * 2008-01-15 2011-04-06 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機電界発光素子及びその製造方法
US7994713B2 (en) 2008-01-15 2011-08-09 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting diode and method of fabricating the same
JP2011086935A (ja) * 2009-10-14 2011-04-28 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光素子及びその製造方法
WO2020175501A1 (ja) * 2019-02-26 2020-09-03 京セラ株式会社 太陽電池素子、および太陽電池素子の製造方法
JPWO2020175501A1 (ja) * 2019-02-26 2021-12-23 京セラ株式会社 太陽電池素子、および太陽電池素子の製造方法
JP7170831B2 (ja) 2019-02-26 2022-11-14 京セラ株式会社 太陽電池素子、および太陽電池素子の製造方法

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