WO2004086468A1 - 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 - Google Patents

露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 Download PDF

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WO2004086468A1
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liquid
substrate
recovery
optical system
exposure apparatus
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Hiroyuki Nagasaka
Soichi Owa
Yasufumi Nishii
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Nikon Corporation
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    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers

Definitions

  • the present invention relates to an exposure apparatus, an exposure method, and a method for manufacturing a device, which expose a pattern to a substrate in a state where an immersion area is formed between a projection optical system and the substrate.
  • Semiconductor devices and liquid crystal display devices are manufactured by the so-called photolithography technique of transferring a pattern formed on a mask onto a photosensitive substrate.
  • An exposure apparatus used in the photolithography process has a mask stage for supporting a mask and a substrate stage for supporting a substrate. The mask stage and the pattern of the mask are sequentially moved on the substrate stage. Is transferred to the substrate via the projection optical system.
  • further improvement in the resolution of the projection optical system has been desired in order to cope with higher integration of device patterns.
  • the resolution of the projection optical system increases as the exposure wavelength used decreases and as the numerical aperture of the projection optical system increases. Therefore, the exposure wavelength used in the exposure apparatus is becoming shorter year by year, and the numerical aperture of the projection optical system is also increasing.
  • the mainstream exposure wavelength is 248 ⁇ m of KrF excimer laser, but 19.3 nm of shorter wavelength ArF excimer laser is also being put to practical use.
  • the depth of focus (DOF) is as important as the resolution.
  • the resolution R and the depth of focus ⁇ 5 are respectively represented by the following equations.
  • ⁇ is the exposure wavelength
  • ⁇ ⁇ is the numerical aperture of the projection optical system
  • l ⁇ and k 2 are the process coefficients.
  • the space between the lower surface of the projection optical system and the surface of the substrate is filled with a liquid such as water or an organic solvent to form an immersion area, and the wavelength of the exposure light in the liquid is one in air.
  • a liquid such as water or an organic solvent
  • Zn Zn (n is the refractive index of the liquid is usually about 1.2 to 1.6) to improve the resolution and to increase the depth of focus by about n times.
  • Is configured to supply the liquid in front of the projection area where the liquid crystal is projected, and is configured to flow the liquid in one direction from the near side of the projection area along the moving direction of the substrate. Then, when the moving direction of the substrate is switched from the predetermined direction to the opposite direction, the position (nozzle) for supplying the liquid is also switched. However, when this switching is performed, the supply of the liquid from the-direction is suddenly stopped and the supply of the liquid from the other direction is started with respect to the projection area, so that the vibration of the liquid between the projection optical system and the substrate occurs. (So-called water hammer phenomena), vibrations in the liquid supply device itself (supply pipes, supply nozzles, etc.) may cause problems such as degradation of the pattern image.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and when performing exposure processing with a liquid immersion area formed between a projection optical system and a substrate, the liquid immersion area can be formed stably.
  • An object of the present invention is to provide an exposure apparatus, an exposure method, and a device manufacturing method capable of collecting this liquid satisfactorily, preventing outflow or scattering of the liquid to the surroundings, and performing accurate exposure processing. Further, according to the present invention, when performing exposure processing in a state where a liquid immersion area is formed between a projection optical system and a substrate, exposure processing can be performed with high accuracy without being affected by vibrations that occur during supply or recovery of a liquid. An object of the present invention is to provide an exposure apparatus and a device manufacturing method.
  • a liquid immersion area (AR2) on a part of the substrate (P) including the projection area (AR1) of the projection optical system (PL)
  • a plurality of different immersion areas (AR1) are formed.
  • direction Liquid supply mechanism (10, 11, 12, 13, 13, 13, A, 14, 14, A) that simultaneously supplies the liquid (1) onto the substrate (P) at multiple positions separated from each other
  • an exposure apparatus (E) that simultaneously supplies the liquid (1) onto the substrate (P) at multiple positions separated from each other
  • the liquid supply mechanism for forming the immersion area is provided at a plurality of positions separated in a plurality of different directions with respect to the projection area (that is, a plurality of sides of the projection area, In the case of the projection area, X side, — X side, + Y side, at least two sides of one Y side) Liquid supply is performed simultaneously, so the desired liquid immersion area between the projection optical system and the substrate Can be formed.
  • liquid supply is simultaneously performed at multiple positions separated in multiple directions, so that when performing exposure processing while moving the substrate, a good liquid immersion area is always formed even if the direction of substrate movement is changed. it can.
  • an exposure apparatus for exposing a substrate by projecting an image of a predetermined pattern via a liquid (1) onto a substrate (P).
  • the liquid (1) is supplied onto the substrate (P) to form a liquid immersion area (AR2) on a part of the substrate (P) including the projection area (AR1) of the projection optical system (PL) Liquid supply mechanism (10, 11, 12, 13, 13 A, 14, 14 A);
  • An exposure apparatus (EX) comprising:
  • the liquid recovery mechanism for recovering the liquid is provided at a plurality of positions separated in a plurality of different directions with respect to the projection area (that is, a plurality of sides of the projection area having different sides, for example, rectangular projections). (At least from the X side, the X side, the + Y side, and the one Y side in the area) Since liquid recovery is performed simultaneously, liquid recovery can be performed reliably. You.
  • an exposure apparatus for exposing a substrate by projecting an image of a predetermined pattern onto a substrate (P) through a liquid (i):
  • the liquid recovery mechanism (20, 21, 22, 22A, 22D, 24) provides an exposure apparatus (EX) that recovers liquid with different recovery powers depending on the liquid recovery position.
  • the liquid collecting mechanism that simultaneously collects the liquid at a plurality of positions on the substrate collects the liquid with different collecting forces depending on the liquid collecting position, so that the liquid collecting operation can be performed smoothly.
  • the space between the projection optical system and the substrate can be filled with an appropriate amount of liquid, and an immersion region can be formed in a desired region on the substrate. For example, by setting the liquid recovery force on the front side (downstream side) in the moving (scanning) direction of the substrate to be larger than on the rear side (upstream side), the liquid recovery operation can be performed smoothly.
  • the liquid trapping surface (3 1) that captures the liquid (1) is located outside the liquid collection position by the liquid recovery mechanism (20, 21, 22, 22A) with respect to the projection area (AR 1). And an exposing device (EX) comprising the formed trap member (30).
  • an exposing device (EX) comprising the formed trap member (30).
  • the liquid (1) is supplied onto the substrate (P) to form a liquid immersion area (AR2) on a part of the substrate (P) including the projection area (AR1) of the projection optical system (PL) Liquid supply mechanism (10, 11, 12, 13, 13A, 14A, 14A);
  • the liquid (1) is supplied by the liquid supply mechanism (10, 11, 11, 12, 13, 13A, 14, 14A), and the liquid recovery mechanism (20, 21, 22, 22A)
  • An exposure apparatus (EX) provided between the liquid collection position and the projection area (AR 1) is provided.
  • the supply of the liquid by the liquid supply mechanism is performed between the liquid recovery position of the liquid recovery mechanism and the projection area, so that the liquid is smoothly supplied to the projection area.
  • the supplied liquid can be smoothly recovered from the substrate.
  • the liquid (1) that has a higher affinity for the liquid contact surface (2a) at the tip of the projection optical system (PL) than the affinity for the surface of the substrate (P) is applied to the projection area of the projection optical system (PL).
  • a device manufacturing method of the present invention is characterized by using the exposure apparatus (EX) or the exposure method of the above embodiment. According to the present invention, it is possible to provide a device having a pattern formed with good pattern accuracy and exhibiting desired performance.
  • Liquid recovery mechanism with recovery flow path (96A, 97A, 98A, 99A, 96B, 97B, 98B, 99B, 96, 97T, 98T, 99T) for recovering supplied liquid (20, 61, 62, 63, 64, 71, 72, 73, 74);
  • An exposure apparatus (EX) is provided in which at least one of the supply channel and the recovery channel is formed in a laminated member in which a plurality of plate members (91, 92, 93) are laminated. In the immersion lithography, it is necessary to supply a uniform liquid flow to the immersion area and to collect the same from the immersion area.
  • the liquid (1) is supplied onto the substrate (P) to form a liquid immersion area (AR2) on a part of the substrate (P) including the projection area (AR1) of the projection optical system (PL)
  • the liquid supply mechanism (10) is provided with an exposure device (EX) that is vibrationally separated from the projection optical system (PL).
  • EX exposure device
  • the projection optical system and the liquid supply mechanism are vibratingly separated. That is, even if vibration is generated in the liquid supply mechanism, the vibration is not transmitted to the projection optical system. Therefore, it is possible to prevent inconvenience such as deterioration of the pattern image due to vibration of the projection optical system, and it is possible to accurately project the pattern image on the substrate.
  • the exposure apparatus further includes a first support member (100) that supports the projection optical system (PL), and is vibrationally separated from the first support member (100) to support the liquid supply mechanism (10).
  • the first support member that supports the projection optical system and the second support member that supports the liquid supply mechanism are vibrated separately.
  • the vibration generated by the liquid supply mechanism is not transmitted to the projection optical system.
  • an interferometer for measuring the position information of the substrate stage is attached to the first support member, and a reference mirror (fixed mirror) is attached to the lens barrel of the projection optical system. Since no vibration is transmitted to these interferometers or reference mirrors, it is possible to accurately measure the position information of the substrate stage and perform position control based on the measurement results.
  • the liquid recovery mechanism (20) is provided with an exposure device (EX) that is vibrationally separated from the projection optical system (PL).
  • an exposure device (EX) that is vibrationally separated from the projection optical system (PL).
  • the exposure apparatus (EX) since the projection optical system and the liquid recovery mechanism are vibrated separately, even if vibration occurs in the liquid recovery mechanism, the vibration is transmitted to the projection optical system. I don't get it. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of inconvenience when the pattern image is deteriorated due to the vibration of the projection optical system, and it is possible to project the pattern image onto the substrate with high accuracy.
  • the exposure apparatus (EX) according to the ninth aspect further comprises a first support member (100) for supporting the projection optical system (PL) and a first support member (100) which are vibrated and separated.
  • the first support member that supports the projection optical system and the second support member that supports the liquid recovery mechanism are vibratingly separated. It is not transmitted to the system.
  • an interferometer for measuring the position information of the substrate stage is attached to the first support member, and a reference mirror (fixed mirror) is attached to the lens barrel of the projection optical system. Vibration is not transmitted to the meter and the reference mirror, so the position information of the substrate stage is measured and the position control based on the measurement result is performed accurately. be able to.
  • an image of a predetermined pattern is formed on a substrate via a liquid (1).
  • liquid is supplied from supply ports (13A, 14A) arranged so as to face the substrate.
  • Liquid supply mechanism (10, 11, 1, 12, 13, 14);
  • the liquid supply mechanism is provided with an exposure apparatus (EX) that continuously supplies the liquid from the supply port while the exposure processing is performed on the plurality of shot areas on the substrate.
  • EX exposure apparatus
  • the supply device arranged at a predetermined position regardless of the moving direction of the substrate while the exposure processing of the plurality of shot areas on the substrate is performed. Since the liquid is continuously supplied from the mouth, the vibration of the liquid supply mechanism itself and the vibration of the liquid (water hammer phenomenon) can be prevented, and the pattern image can be accurately projected on the substrate.
  • an exposure apparatus which projects an image of a predetermined pattern onto a substrate (P) via a liquid (1) and sequentially exposes a plurality of shot areas on the substrate.
  • a projection optical system (PL) for projecting an image of the pattern onto the substrate
  • a liquid supply mechanism (13A, 14A) for supplying liquid from supply ports (13A, 14A) arranged at predetermined positions. 10, 11, 12, 13, 14) and;
  • the liquid recovery mechanism performs an exposure process on a plurality of shot areas on the substrate.
  • An exposure apparatus (EX) for continuously collecting the liquid from the recovery port while the exposure apparatus is provided.
  • the liquid is continuously collected from the collection port irrespective of the moving direction of the substrate while the exposure processing of the plurality of shot areas on the substrate is performed.
  • the device manufacturing method of the present invention is characterized by using the exposure apparatus (EX) of the above embodiment.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of the exposure apparatus of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view showing a schematic configuration of a liquid supply mechanism and a liquid recovery mechanism that are characteristic parts of the present invention.
  • FIG. 3 is a perspective view showing a schematic configuration of a liquid supply mechanism and a liquid recovery mechanism that are characteristic parts of the present invention.
  • FIG. 4 is a side sectional view showing a schematic configuration of a liquid supply mechanism and a liquid recovery mechanism which are characteristic parts of the present invention.
  • FIG. 5 is a view showing a shot area set on the substrate.
  • FIGS. 6 (a) and 6 (b) are schematic diagrams showing the behavior of the liquid.
  • FIG. 7 is a diagram showing another embodiment of the liquid supply mechanism and the liquid recovery mechanism.
  • FIG. 8 is a diagram showing another embodiment of the liquid supply mechanism and the liquid recovery mechanism.
  • FIG. 9 is a diagram showing another embodiment of the liquid supply mechanism and the liquid recovery mechanism.
  • FIGS. 10 (a) and (b) are diagrams showing another embodiment of the liquid supply mechanism.
  • FIG. 11 is a side sectional view showing another embodiment of the trap member.
  • FIG. 12 is a side sectional view showing another embodiment of the trap member.
  • FIG. 13 is a perspective view showing another embodiment of the trap member.
  • FIG. 14 is a schematic perspective view showing another embodiment of the liquid supply mechanism and the liquid recovery mechanism according to the present invention.
  • FIG. 15 is a view showing another embodiment of the slit tube section in FIG.
  • FIG. 16 is a schematic perspective view showing another embodiment of the liquid supply mechanism and the liquid recovery mechanism according to the present invention.
  • FIG. 17 is a perspective view showing a first member of the flow path forming members.
  • FIGS. 18 (a) and 18 (b) are perspective views showing a second member of the flow path forming member.
  • FIGS. 19 (a) and (b) are perspective views showing a third member of the flow path forming member.
  • FIG. 20 is a schematic configuration diagram showing another embodiment of the exposure apparatus of the present invention.
  • FIG. 21 is a flowchart showing an example of a semiconductor device manufacturing process.
  • BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION an exposure apparatus of the present invention will be described with reference to the drawings.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of the exposure apparatus of the present invention.
  • an exposure apparatus EX includes a mask stage MS for supporting a mask M, a substrate stage PST for supporting a substrate P, and an illumination for illuminating the mask M supported on the mask stage MST with exposure light EL.
  • the optical system I the projection optical system PL that projects and exposes the pattern image of the mask M illuminated by the exposure light EL onto the substrate P supported on the substrate stage PST, and the control that controls the overall operation of the entire exposure system EX Device C 0 NT.
  • the exposure apparatus EX of the present embodiment is an immersion exposure apparatus to which the immersion method is applied in order to substantially shorten the exposure wavelength to improve the resolution and to substantially increase the depth of focus.
  • the exposure system EX is at least While the pattern image of the mask M is being transferred onto the substrate P, the liquid 1 supplied from the liquid supply mechanism 10 causes a liquid immersion area on a part of the substrate P including the projection area AR 1 of the projection optical system PL. Form AR 2. Specifically, the exposure apparatus EX fills the liquid 1 between the optical element 2 at the tip of the projection optical system PL and the surface of the substrate P, and fills the liquid 1 and the liquid 1 between the projection optical system PL and the substrate P. The pattern image of the mask M is projected onto the substrate Pi: via the projection optical system PL, and the substrate P is exposed.
  • the exposure device EX exposes the pattern formed on the mask M to the substrate P while synchronously moving the mask M and the substrate P in different directions (opposite directions) in the scanning direction.
  • a scanning exposure apparatus a so-called scanning stepper
  • the direction coincident with the optical axis AX of the projection optical system PL is the Z-axis direction
  • the direction of the synchronous movement (scanning direction) between the mask M and the substrate P in a plane perpendicular to the Z-axis direction is the X-axis direction.
  • the direction perpendicular to the Z-axis direction and the Y-axis direction is defined as the Y-axis direction.
  • the directions around the X axis, Y axis, and Z axis are defined as 0 °, ⁇ ⁇ , and ⁇ ⁇ directions, respectively.
  • substrate includes a semiconductor wafer coated with a photosensitive resist, which is a photosensitive material
  • mask includes a reticle on which a device pattern to be reduced and projected onto the substrate is formed.
  • the illumination optical system IL illuminates the mask M supported by the mask stage MST with the exposure light EL.
  • the exposure light source and an optical illuminator for equalizing the illuminance of the light flux emitted from the exposure light source. It has a condenser lens that collects the exposure light EL from the optical lens, a relay lens system, and a variable field stop that sets the illumination area on the mask M with the exposure light EL in a slit shape. .
  • a predetermined illumination area on the mask M is illuminated by the illumination optical system IL with exposure light EL having a uniform illuminance distribution.
  • the exposure light EL emitted from the illumination optical system IL includes, for example, ultraviolet bright lines (g-line, h-line, i-line) emitted from a mercury lamp, and KrF excimer laser light (wavelength 248 nm).
  • the mask stage M ST supports the mask M, and is two-dimensionally movable in a plane perpendicular to the optical axis AX of the projection optical system P, that is, in the XY plane, and is finely rotatable in the 0 Z direction.
  • the mask stage MST is driven by a mask stage driving device MSTD such as a linear motor.
  • the mask stage driving device MSTD is controlled by a control device C0NT.
  • a movable mirror 50 is provided on the mask stage MST.
  • a laser interferometer 51 is provided at a position facing the movable mirror 50.
  • the position and the rotation angle of the mask M on the mask stage MST in the two-dimensional direction are measured in real time by the laser interferometer 51, and the measurement result is output to the control unit CON.
  • the control unit C CNT positions the mask M supported by the mask stage M ST by driving the mask stage driving unit M S T D based on the measurement result of the laser interferometer 51.
  • the projection optical system PL projects and exposes the pattern of the mask M onto the substrate P at a predetermined projection magnification ⁇ , and includes a plurality of optical elements including an optical element (lens) 2 provided at the tip of the substrate P side. These optical elements are supported by a lens barrel PK.
  • the projection optical system PL is a reduction system whose projection magnification 3 is, for example, 1/4 or 1/5.
  • the projection optical system PL may be either a unity magnification system or a magnifying system.
  • the optical element 2 at the tip of the projection optical system PL of the present embodiment is provided so as to be detachable (replaceable) with respect to the lens barrel PK, and the liquid 1 in the immersion area AR 2 comes into contact with the optical element 2. I do.
  • the optical element 2 is made of fluorite. Since fluorite has a high affinity for water, the liquid 1 can be brought into close contact with almost the entire liquid contact surface 2a of the optical element 2.
  • the liquid (water) 1 having a high affinity with the liquid contact surface 2a of the optical element 2 is supplied, so that the liquid contact surface 2a of the optical element 2 The adhesion is high, and the optical path between the optical element 2 and the substrate P can be reliably filled with the liquid 1.
  • the optical element 2 may be quartz having a high affinity for water.
  • the liquid contact surface 2a of the optical element 2 is subjected to a hydrophilic (lyophilic) treatment to improve the affinity with the liquid 1. May be increased.
  • the substrate stage ps ⁇ supports the substrate p and supports the Z stage 52 that holds the substrate p via the substrate holder, the XY stage 53 that supports the Z stage 52, and the XY stage 53.
  • the substrate stage PST is driven by a substrate stage driving device PSTD such as a linear motor.
  • the board stage driving device PSTD is controlled by the control device C0NT.
  • the Z stage 52 By driving the Z stage 52, the position (focus position) in the Z axis direction of the substrate P held on the Z stage 52 and the position in the 0X and 0Y directions are controlled.
  • the XY stage 53 By driving the XY stage 53, the position of the substrate P in the XY direction (the position in a direction substantially parallel to the image plane of the projection optical system PL) is controlled.
  • the Z stage 52 controls the focus position and the tilt angle of the substrate P to adjust the surface of the substrate P to the image plane of the projection optical system PL by using a smart toe-and-cass method and a smart repelling method.
  • the XY stage 53 determines the position of the substrate P in the X-axis direction and the Y-axis direction. It goes without saying that the Z stage and the XY stage may be provided integrally.
  • a movable mirror 55 that moves with respect to the projection optical system PL together with the substrate stage PST is provided on the substrate stage PST (Z stage 52).
  • a laser interferometer 56 is provided at a position facing the movable mirror 55.
  • the position and the rotation angle of the substrate P on the substrate stage PST in the two-dimensional direction are measured in real time by the laser interferometer 56, and the measurement results are output to the control unit CONTROL.
  • the control device C O N T positions the substrate P supported by the substrate stage P ST by driving the substrate stage driving device P ST D based on the measurement result of the laser interferometer 56.
  • An auxiliary plate 57 is provided on the substrate stage PST (Z stage 52) so as to surround the substrate P.
  • the auxiliary plate 57 has a flat surface at almost the same height as the surface of the substrate P held by the substrate holder.
  • the liquid supply mechanism 10 supplies a predetermined liquid 1 onto the substrate P, and includes a first liquid supply section 11 and a second liquid supply section 12 capable of supplying the liquid 1, and a first liquid supply section.
  • a first supply member which is connected to a supply pipe 11A connected to a supply pipe 11A having a flow path to supply the liquid 1 sent from the first liquid supply section 11 onto the substrate P.
  • the first and second supply members 13 and 14 are arranged close to the surface of the substrate P, and are provided at different positions in the plane direction of the substrate P. Specifically, the first supply member 13 of the liquid supply mechanism 10 is provided on one side ( ⁇ X side) in the scanning direction with respect to the projection area AR1, and the second supply member 14 is provided on the other side (+ X Side).
  • Each of the first and second liquid supply units 11 and 12 includes a tank for storing the liquid 1 and a pressurizing pump.
  • the supply pipes 11A and 12A and the supply members 13 and The liquid 1 is supplied onto the substrate P via each of 14.
  • the liquid supply operation of the first and second liquid supply units 11 and 12 is controlled by a control device CONT.
  • the control device CONT is a unit for the first and second liquid supply units 11 and 12 on the substrate P.
  • the liquid supply amount per time can be controlled independently. In the present embodiment, pure water is used as the liquid 1.
  • Pure water can be used not only for ArF excimer laser light, but also for ultraviolet emission lines (g-line, h-line, 1-line) and KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) emitted from a mercury lamp. Deep ultraviolet light (DUV light) can be transmitted.
  • the liquid recovery mechanism 20 recovers the liquid 1 on the substrate P, and the surface of the substrate P A collection member 22 having a collection port 22A disposed in close proximity to the collection member 22 and a liquid collection section 21 connected to the collection member 22 via a collection pipe 21A having a flow path. I have.
  • the liquid recovery unit 21 includes, for example, a suction device such as a vacuum pump, and a tank for storing the recovered liquid 1.
  • FIG. 2 is a plan view showing a schematic configuration of the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery mechanism 20.
  • FIG. 3 is a perspective view partially cut away. As shown in FIG.
  • the projection area AR 1 of the projection optical system PL is set in a rectangular shape having the Y-axis direction (non-scanning direction) as a longitudinal direction, and the immersion area AR filled with the liquid 1. 2 is formed on a part of the substrate P so as to include the projection area AR1.
  • the first supply member 13 of the liquid supply mechanism 10 for forming the liquid immersion area AR 2 of the projection area AR 1 is provided on one side ( ⁇ X side) in the scanning direction with respect to the projection area AR 1.
  • the second supply member 14 is provided on the other side (+ X side). As shown in FIGS. 2 and 3, the first and second supply members 13 and 14 are provided with internal spaces (1) through which the liquid 1 delivered from the first and second liquid supply units 11 and 12 flows.
  • the supply ports 13 A, 14 A of the first and second supply members 13, 14 are each formed in a substantially arc shape in plan view, and the supply ports 13 A, 14 A in the Y-axis direction are formed.
  • the size is set to be at least larger than the size of the projection area AR1 in the Y-axis direction.
  • the supply ports 13 A and 14 A formed in a substantially arc shape in plan view are in the scanning direction. They are arranged so as to sandwich the projection area A R 1 in the (X direction).
  • the liquid supply mechanism 10 is provided from a plurality of positions separated from the supply ports 13A and 14A in a plurality of different directions with respect to the projection area AR1, that is, on different sides of the rectangular projection area AR1.
  • liquid 1 is simultaneously supplied from both sides (+ X direction side, -X direction side) of projection area AR1.
  • the recovery member 22 of the liquid recovery mechanism 20 is a double annular member, and has a recovery port 22 A continuously formed in an annular shape facing the surface of the substrate P, and a recovery port 22 A. And an annular internal space (internal flow path) 22 H through which the separated liquid 1 flows.
  • the recovery member 22 of the liquid recovery mechanism 20 is disposed so as to surround the supply members 13 and 14 of the liquid recovery mechanism 10 and the projection area AR1.
  • partition members (partitions) 23 for dividing the internal space 22 H into a plurality of spaces (division spaces) 24 in the circumferential direction are provided at predetermined intervals. That is, the configuration is such that the partition member 23 is provided inside the collection port 22 A continuously formed so as to surround the projection area A R 1. Each of the divided spaces 24 divided by the partition members 23 penetrates in the vertical direction.
  • the lower end of the collecting member 22 having the collecting port 22 A is close to the surface of the substrate P, while the upper end is a collecting space part that spatially collects the plurality of divided spaces 24.
  • One end of the collection pipe 21 A is connected to the manifold section 25, and the other end is connected to the liquid collection section 21.
  • the liquid recovery mechanism 20 recovers the liquid 1 on the substrate P via the recovery port 22A (recovery member 22) and the recovery pipe 21A by driving the liquid recovery section 21. That is, the installation position of the recovery port 22A is the recovery position for recovering the liquid 1 on the substrate P, and the liquid recovery mechanism 20 recovers the liquid 1 on the substrate P at a recovery position away from the projection area AR1. It is supposed to do.
  • the recovery port 22A of the liquid recovery mechanism 20 is substantially annular in plan view, and has a configuration surrounding the projection area AR1. That is, the collection port 22A is connected to the four sides of the rectangular projection area AR1 (+ X direction side, one X direction side, + Y direction side, one Y direction side), in other words, the projection area AR1.
  • the liquid recovery mechanism 20 is provided with a recovery port 22 A provided to surround the projection area A R 1. Accordingly, the liquid 1 on the substrate P can be simultaneously collected at a plurality of positions separated in a plurality of different directions with respect to the projection area A R1.
  • the structure is provided between the position (the position of the collection port 22A) and the projection area AR1. That is, the supply of the liquid 1 by the liquid supply mechanism 10 is performed between the liquid recovery position of the liquid recovery mechanism 20 and the projection area A R 1.
  • FIG. 4 is an enlarged side sectional view of a main part showing first and second supply members 13 and 14 and a recovery member 22 arranged close to the substrate P.
  • the internal flow paths 13 H and 14 1 to 1 of the first and second supply members 13 and 14 of the liquid supply mechanism 10 are substrates? It is provided almost perpendicular to the surface of the.
  • the internal flow path 22 H (divided space 24) of the recovery member 22 of the liquid recovery mechanism 20 is also provided substantially perpendicular to the surface of the substrate P.
  • the supply position of the liquid 1 to the substrate P by the first and second supply members 13 and 14 (the installation position of the supply ports 13A and 14A) is the liquid collection position of the liquid collection mechanism 20.
  • the projection optical system PL is provided at a predetermined distance from each of the first and second supply members 13 and 14, and the collection member 22 and the first and second supply members 13 and 1 are provided. 4 are provided at a predetermined distance from each other. In the present embodiment, the distance between the surface of the substrate P and the supply ports 13 A and 14 A, the distance between the surface of the substrate P and the collection port 22 A, the surface of the substrate P and the projection optical system PL The distance from the lower end surface is set almost the same.
  • supply port 13 A, 14 A, recovery port 22 A s
  • the position (height) of the lower end surface of the projection optical system PL in the Z-axis direction is set to be the same.
  • the liquid 1 supplied from the supply ports 13A and 14A of the first and second supply members 13 and 14 to the substrate P in a direction substantially perpendicular to the substrate surface is supplied to the projection optical system PL.
  • the liquid is supplied so as to spread between the lower end surface of the tip portion (optical element 2) and the substrate P.
  • the liquid 1 flowing out of the supply members 13 and 14 with respect to the projection area AR 1 is collected from the supply members 13 and 14 with respect to the collection member 2 2 which is disposed outside the projection area AR 1 with respect to the projection area AR 1.
  • the liquid is collected (sucked) from the substrate surface in a direction substantially perpendicular to the substrate surface from the collection port 22A.
  • a member through which the liquid 1 flows is made of a synthetic resin such as polytetrafluoroethylene. Thereby, it is possible to suppress the liquid 1 from containing impurities.
  • a predetermined length of liquid that captures the liquid 1 that cannot be completely collected by the recovery member 22 of the liquid recovery mechanism 20 is provided outside the collection area 22 of the recovery member 22 of the liquid recovery mechanism 20.
  • a trap member 30 provided with a trap surface 31 is provided. The trap member 30 is attached to an outer surface of the collection member 22.
  • the trap surface 31 is a surface of the trap member 30 facing the substrate P side (that is, the lower surface), and is inclined with respect to a horizontal plane as shown in FIG. More specifically, the trap surface 31 is inclined so as to move away from the projection area AR 1 (the liquid immersion area AR 2) to the surface of the substrate P as going outward (upward). .
  • the trap member 30 is formed of, for example, a metal such as stainless steel. As shown in FIG. 2, the trap member 30 is an annular member in a plan view, and is connected to the outer surface of the collection member 22 so as to be fitted to the collection member 22.
  • the trap surface 31 of the trap member 30 is disposed so as to surround the projection area AR 1 (liquid immersion area AR 2), and the trap member 30 and the trap surface 3 of the lower surface of the present embodiment are arranged.
  • 1 has a substantially elliptical shape in plan view. That is, the tiger and the soap surface 31 of the trapping member 30 are provided so that the length in the radiation direction differs depending on the position with respect to the optical axis AX of the projection optical system PL.
  • the length of the trap surface 31 in the scanning direction (X-axis direction) is longer than that in the non-scanning direction (Y-axis direction).
  • the length of the trap surface 31 at the position corresponding to the center of the projection area AR1 in the Y-axis direction is the longest.
  • the trap surface 31 is subjected to a lyophilic treatment (hydrophilic treatment) to increase the affinity for the liquid 1.
  • the trap surface 31 is subjected to a surface treatment according to the affinity with water.
  • the surface of the substrate P is coated with a water-repellent (contact angle of about 70 to 80 °) photosensitive material for an ArF excimer laser (for example, TARF-P6100 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.).
  • the liquid affinity of the trap surface 31 for the liquid 1 is higher than the liquid affinity of the surface of the substrate P for the liquid 1.
  • the surface treatment for the trap surface 31 is performed according to the polarity of the liquid 1. Since the liquid 1 in the present embodiment is water having a high polarity, the trapping surface 31 is made hydrophilic by forming a thin film with a material having a high molecular structure such as alcohol, for example, as a hydrophilic treatment. 1 is given hydrophilicity.
  • oxygen (0 Two ) 0 Two Hydrophilicity can also be imparted by performing a plasma treatment.
  • the trap surface 31 when water is used as the liquid 1, it is desirable to treat the trap surface 31 with a material having a large polar molecular structure such as an OH group on the surface.
  • the thin film for the surface treatment is formed of a material that is insoluble in the liquid 1.
  • the treatment conditions are appropriately changed according to the material characteristics of the liquid 1 to be used.
  • a part of the pattern image of the mask M is projected onto the rectangular projection area AR 1 immediately below the tip of the projection optical system PL, and the mask M is moved in the X direction (or + X direction) with respect to the projection optical system PL.
  • the substrate P moves in the + X direction (or -X direction) via the XY stage 53; 5 V ( ⁇ is the projection magnification) Move with.
  • a plurality of shot areas S1 to S12 are set on the substrate P, and after the exposure to one shot area is completed, the stepping movement of the substrate P is performed.
  • the controller CONT monitors the output of the laser interferometer 56 so that the optical axis AX of the projection optical system P advances along the dashed arrow 58 in FIG. Shall move.
  • the mask M is loaded on the mask stage MST, and the substrate P is loaded on the substrate stage PST (see FIG. 1).
  • the control device CNT drives the liquid supply mechanism 10 to start the liquid supply operation on the substrate P.
  • the liquid 1 flowing through the supply pipes 11A and 12A spreads in the width direction of the internal flow paths 13H and 14H of the supply members 13 and 14, and is supplied. It is supplied to a wider area on the substrate P than the ports 13A and 14A.
  • the supply ports 13 A and 14 A are arranged on both sides of the projection area AR 1 in the X-axis direction (scanning direction), and the control device CONT controls the supply ports 13 A and 13 A of the liquid supply mechanism 10.
  • the liquid 1 is simultaneously supplied onto the substrate P from both sides of the projection area AR 1 from 14 A.
  • the liquid supply mechanism 10 has a plurality of directions (+ X direction, one X direction) different from the projection area AR1 from the supply ports 13A and 14A provided on both sides of the projection area AR1. ) Simultaneously supplies liquid 1 from multiple locations.
  • the liquid 1 supplied onto the substrate P from the supply ports 13A and 14A forms the liquid immersion area AR2 at least in a wider range than the projection area AR1.
  • the liquid is applied to the substrate P from both sides of the projection area A R1 in the scanning direction.
  • the control device CONT controls the liquid supply operation of the first and second liquid supply units 11 and 12 of the liquid supply mechanism 10, and in the scanning direction from before the projection area AR 1.
  • Set the liquid supply per unit time to be greater than the liquid supply on the opposite side. For example, when performing exposure processing while moving the substrate P in the + X direction, the control device CONT determines the liquid amount from the one X side (that is, the supply port 13A) with respect to the projection area AR1, and (Ie, the amount of liquid from the supply port 14A) is larger than the amount of liquid from the supply port 14A.
  • the control device CONT drives the liquid recovery unit 21 of the liquid recovery mechanism 20 to perform the liquid recovery operation on the substrate P in parallel with the supply operation of the liquid 1 by the liquid supply mechanism 10.
  • the liquid 1 on the substrate P flowing outward from the supply ports 13A and 14A to the projection area A R1 is recovered from the recovery port 22A.
  • the liquid 1 recovered from the collecting part 22 A flows through each of the divided spaces 24 partitioned by the partition member 23, and then gathers in the manifold part 25.
  • the liquid 1 collected in the manifold section 25 is recovered to the liquid recovery section 21 through the recovery pipe 21A.
  • a structure is provided in which a plurality of divided spaces 24 are connected to one liquid recovery unit 21.
  • the liquid recovery mechanism 20 is provided with a plurality of positions separated in a plurality of different directions with respect to the projection area AR 1 from a recovery port 22 A provided so as to surround the projection area AR 1, that is, a rectangular shape.
  • the liquid 1 on the substrate P is simultaneously collected from the four sides (+ X direction side, —X direction side, + Y direction side, and one Y direction side) of the projection area AR 1.
  • the control device C 0 NT uses the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery mechanism 20 to collect the liquid 1 on the substrate P in parallel with the supply of the liquid 1 to the surface of the substrate P, and to control the substrate P that supports the substrate P. While moving the stage PST in the X-axis direction (scanning direction), the pattern image of the mask M is projected onto the substrate P via the liquid 1 between the projection optical system PL and the substrate P and the projection optical system PL. Expose. At this time, the liquid supply mechanism 10 supplies the liquid 1 from both sides of the projection area AR1 through the supply ports 13A and 14A in the scanning direction. Since the immersion is performed occasionally, the immersion area A R 2 is formed uniformly and well.
  • the liquid recovery mechanism 20 is provided at a plurality of positions around the projection area AR 1 including both sides in the scanning direction of the projection area AR 1 via the recovery port 22 A of the recovery member 22 surrounding the projection area AR 1. Prevents liquid 1 from leaking and scattering around substrate P while collecting 1 at the same time.
  • the liquid recovery mechanism 20 since pure water having low affinity with the photosensitive material on the surface of the substrate P is supplied as the liquid 1, the liquid can be smoothly recovered by the liquid recovery mechanism 20.
  • Fig. 6 (a) shows the liquid 1 during exposure processing of the first shot area (for example, S1, S3 in Fig. 5) set on the substrate P while moving the substrate P in the + X direction. It is a schematic diagram showing a behavior.
  • the first shot area for example, S1, S3 in Fig. 5
  • the liquid 1 is simultaneously supplied from the supply ports 13A and 14A to the space between the projection optical system PL and the substrate P, thereby including the projection area AR1.
  • An immersion area AR 2 is formed.
  • the liquid amount per unit time of the liquid 1 supplied from the supply port 13 A provided on the X side is given by the supply port 14 provided on the + X side. Since the amount of liquid per unit time of liquid 1 supplied from A is set to be larger than that, liquid 1 supplied from supply port 13A is pulled by substrate P moving in + X direction and projected. It is arranged smoothly in the space between the optical system PL and the substrate P.
  • the liquid 1 that is going to flow out of the supply ports 13A and 14A is recovered from the recovery port 22A, and the occurrence of the inconvenience of flowing out around the substrate P is suppressed.
  • the amount of liquid moving to the + X side with respect to the projection area AR 1 increases, and the collection port 22 A provided with the liquid collection position on the + X side becomes It may not be possible to collect all of liquid 1.
  • the liquid 1 that could not be recovered at the + X side recovery port 22A is trapped by the trap member 30 provided on the + X side from the liquid recovery position. Since it is captured on the surface 31, it does not flow out or scatter around the substrate P.
  • the trap surface 31 is lyophilic to the liquid 1 and has a higher liquid affinity than the surface of the substrate P, so the trap surface 31 flows out of the liquid recovery position of the recovery port 22A. Ginger solution The body 1 is pulled to the trap surface 31 side without being pulled to the substrate P side. This suppresses the occurrence of inconvenience such as the liquid 1 remaining on the substrate P.
  • the trap surface 31 is inclined upward as it goes outward with respect to the liquid immersion area A R2 including the projection area A R 1, the outflow of the liquid 1 to the outside can be more effectively prevented.
  • the substrate P and the trapping surface 3 1 1 have a larger volume than the first volume (the volume corresponding to the unit area of the substrate P) between the substrate P and the projection optical system PL.
  • the liquid 1 that is about to flow out is held in the second volume smoothly because the volume of the liquid 1 is larger than that of the second volume.
  • the fluid energy to be spilled is converted to potential energy by moving upward along the trap surface 31. This can effectively prevent the spill of the liquid 1 to the outside.
  • the amount of liquid supplied from the supply port 14 A provided on the-side is set smaller than the amount of liquid supplied from the supply port 13 A provided on the -X side.
  • the control device CONT moves the projection area AR1 of the projection optical system PL to a second shot area different from the first shot area.
  • the substrate P is stepped and moved.Specifically, for example, after the scanning exposure processing for the shot area S1 is completed, the controller CONT is used to perform the scanning exposure processing for the shot area S2.
  • the stepping movement is performed in the Y-axis direction between the two shot areas S1 and S2 on the substrate P.
  • the liquid supply mechanism 10 moves the liquid during the stepping movement between the two shot areas of the substrate Pi. 1 during the exposure of the short area It is different with respect to definitive supply amount.
  • the control device C ⁇ _N T represents a single against the upper substrate P from the liquid supply mechanism 1 0 in a stepping movement
  • the liquid supply amount per unit time is made smaller than the liquid supply amount during scanning exposure of the shot area.
  • the controller CONT operates the first and second liquid supply units 11 and 12 in accordance with the movement operation (stepping movement or scanning movement) of the substrate P which forms a part of the exposure processing execution operation. Change the amount of liquid supply per unit time.
  • the liquid supply mechanism 10 reduces the supply amount of the liquid 1 per unit time during the stepping movement of the substrate P, but maintains (continues) the supply operation of the liquid 1.
  • the liquid supply mechanism 10 maintains (continues) the liquid supply operation from the supply ports 13A and 14A even when the scanning direction changes due to a change in the shot area or during stepping movement.
  • the liquid supply mechanism 10 continuously supplies the liquid 1 from the supply ports 13A and 14A provided at a plurality of positions when sequentially exposing a plurality of shot areas on the substrate P. Do not change the liquid supply position according to the scanning direction or change the liquid supply position during stepping movement.
  • the liquid supply mechanism 10 keeps the exposure to all the shot areas S1 to S12 until the series of exposure processing operations for one substrate P is completed (the substrate P is loaded on the substrate stage PST and Until the processing is completed and unloaded from the substrate stage PST), the liquid 1 is continuously supplied from a plurality of positions. Thereby, it is possible to prevent the occurrence of vibration of the liquid (water hammer phenomenon) due to the supply and stoppage of the liquid 1.
  • FIG. 6 (b) shows the liquid 1 when the second shot area (for example, S2, S4 in FIG. 5, etc.) set on the substrate P is exposed while moving the substrate P in the 1X direction. It is a schematic diagram which shows the behavior of. In FIG.
  • the liquid 1 is supplied from the supply ports 13A and 14A to the space between the projection optical system PL and the substrate P, and thereby the liquid is included so as to include the projection area AR1.
  • An immersion area AR 2 is formed.
  • per unit time of the liquid 1 supplied from the supply port 14 A provided on the + X side with respect to the projection area A R 1 The liquid supplied from the supply port 14 A is larger than the liquid amount per unit time of the liquid 1 supplied from the supply port 13 A provided on the X side. 1 is arranged smoothly in the space between the projection optical system PL and the substrate P by being pulled by the substrate P moving in the X direction.
  • the control device CONT controls the first and second liquid supply units 11 and 12 per unit time according to the moving direction (moving operation) of the substrate P which forms a part of the exposure processing execution operation. Change the liquid supply amount of.
  • the liquid 1 that is about to flow out of the supply ports 13A and 14A is recovered from the recovery port 22A, and occurrence of inconvenience such as flowing out around the substrate P is suppressed.
  • the liquid recovery mechanism 20 recovers the liquid 1. Collected from 22 A. As a result, it is possible to reliably prevent the liquid 1 from remaining or flowing out.
  • the trap surface 31 of the trap member 30 provided on the ⁇ X side from the liquid recovery position.
  • the trap surface 31 is formed so as to incline upward as it goes outward with respect to the projection area A R 1, but may be horizontal (0 degrees).
  • the trap surface 31 is inclined downward, the fluid energy flowing out will not be converted into potential energy, and even when the substrate P moves in the opposite direction, the fluid 1 will be trapped.
  • the trap surface 31 is preferably a horizontal plane (0 degrees) or an upwardly inclined surface.
  • the amount of liquid supplied to the substrate P per unit time is large, or when the scanning speed is high, the amount of liquid that tends to flow outward increases, so that the inclination angle of the trap surface 31 is limited to these liquids.
  • the optimum angle is set according to the supply amount and the scanning speed. In other words, when the liquid supply amount is large or the scanning speed is high, The inclination angle of the step surface 31 is set large.
  • the trap surface 31 may not be able to capture (hold) the liquid 1 completely.
  • the liquid holding force of the trap surface 31 is increased by increasing the lyophilicity by the lyophilic treatment, when the inclination angle is increased, the processing conditions of the lyophilic treatment are changed to change the trap surface 3 1.
  • the inclination angle of the trap surface 31 is set to an optimum angle based on parameters such as a liquid supply amount, a scanning speed, and a material property of the liquid (liquid affinity of the trap surface).
  • the recovery member 22 of the present embodiment includes a recovery port 22 A continuously formed in an annular shape, a partition member 23 provided inside the recovery port 22 A, and a partition member 23. And a liquid collection unit 21 connected to a manifold unit 25 that collects the divided spaces 24 via a collection pipe 21A.
  • Configuration. Accordingly, since only one liquid recovery unit 21 including a vacuum pump and the like needs to be provided, the device configuration can be simplified. Here, a state occurs in which the suction load for recovering the liquid 1 is different at each of the positions in the circumferential direction of the recovery member 22, thereby reducing the suction force of the liquid recovery unit 21 and smoothing the recovery operation. May not be possible. However, the collection operation can be performed smoothly by providing the partition members 23.
  • the suction force of the vacuum pump constituting the recovery unit 21 may be reduced.
  • the partition member 23 is provided inside the continuously formed recovery port 22A (internal space 22H) to provide the divided spaces 24 which are independent from each other, so that the air can be trapped in the area where air is trapped.
  • the area where only liquid 1 is sucked can be spatially separated, so that the air entrapment area expands or prevents the inconvenience caused when the suction force of the liquid recovery unit 21 decreases due to the entrained air.
  • the liquid recovery mechanism 20 can smoothly recover the liquid 1 even if the liquid recovery unit 21 is a single system.
  • in order to form the immersion area AR2 at a plurality of positions separated from the projection area AR1 in a plurality of different directions (from different sides of the projection area AR1).
  • the substrate P moves in multiple directions including the scanning direction ( ⁇ X direction) and the stepping direction (Y direction).
  • the liquid immersion area AR2 can always be formed smoothly and satisfactorily between the projection optical system PL and the substrate P. Therefore, the exposure process can be performed with a high resolution and a wide depth of focus.
  • the liquid supply mechanism 10 continuously supplies the liquid 1 from a plurality of positions, so that the liquid vibration accompanying the supply and stop of the liquid 1 is performed. (Water hammer phenomenon) can be prevented from occurring, thereby preventing deterioration of the transferred pattern.
  • the liquid supply mechanism 10 supplies the liquid 1 from both sides of the projection area AR1 in the scanning direction from the supply ports 13A and 14A, so the supplied liquid 1 moves in the scanning direction.
  • the liquid immersion area AR 2 is smoothly formed so as to include the projection area AR 1 because the liquid immersion area AR 2 is wet-spread by being pulled by the substrate P to be projected.
  • the liquid supply mechanism 10 increases the amount of liquid supplied before the projection area AR1 in the scanning direction to be larger than the amount of liquid supplied on the opposite side.
  • the liquid 1 supplied to the substrate P is drawn by the moving substrate P, flows along the moving direction of the substrate P, and is smoothly drawn into the space between the projection optical system PL and the substrate P. Is done.
  • the liquid 1 supplied from the liquid supply mechanism 10 can be smoothly disposed between the projection optical system PL and the substrate P even if the supplied energy is small, and the liquid immersion area AR 2 can be formed well. Can be.
  • the direction in which the liquid 1 flows can be switched. Even when the substrate P is scanned in either direction, the liquid immersion area AR 2 can be smoothly formed between the projection optical system PL and the substrate P, and a high resolution and a wide depth of focus can be obtained.
  • the recovery member 22 of the liquid recovery mechanism 20 is formed in an annular shape so as to surround the projection area AR 1 and the supply members 13 and 14, and is provided in a plurality of different directions with respect to the projection area AR 1.
  • the liquid recovery mechanism 20 keeps the liquid immersion area AR until the series of exposure processing operations for one substrate P is completed (the exposure processing for all the shot areas S1 to S12 on the substrate P is completed). Until the recovery of the liquid 1 forming the liquid 2 has been completed), since the recovery operation is continuously performed from the recovery b 2 A, which is arranged so as to surround the projection area AR 1, a series of substrates P Even if the liquid 1 spreads in any direction during the exposure processing operation, the liquid 1 can be collected well.
  • the trapping surface 31 is formed in an elliptical shape in plan view with the longitudinal direction being the direction along the scanning direction (X-axis direction) where the liquid 1 is most likely to flow out of the substrate P. The liquid 1 can be reliably prevented from flowing out.
  • the trap surface 31 is subjected to a lyophilic treatment for increasing the affinity with the liquid 1, the liquid 1 to be discharged can be satisfactorily captured. Furthermore, since the liquid affinity of the trap surface 31 is surface-treated so as to be higher than the liquid affinity of the surface of the substrate P, the liquid 1 which is going to flow out does not adhere to the substrate P but adheres to the substrate P. Since the liquid 1 is trapped on the wrapping surface 31, it is possible to prevent inconvenience caused when the liquid 1 remains on the surface of the substrate P. Also, the trap surface 31 faces outward with respect to the projection area A R 1 The liquid 1 that is about to flow out can be captured well, and when the scanning direction of the substrate P is reversed, the captured liquid 1 is trapped on the trap surface. Collection port 2 connected to this trapping surface 3 1 to transmit 3 1 downward
  • the liquid (water) 1 has a higher affinity for the liquid contact surface 2 a at the tip of the projection optical system PL than for the photosensitive material applied to the surface of the substrate P. Is supplied for immersion exposure, so that the optical path between the projection optical system PL and the substrate P can be reliably filled with the liquid 1, and the liquid (1) supplied onto the substrate (P) can be filled. ) Is collected smoothly, and problems such as outflow and scattering of liquid 1 can be prevented.
  • the amount of liquid supplied from the near side in the scanning direction is larger than the amount of liquid supplied from the opposite side in the scanning direction.
  • the liquid 1 supplied from both sides of the AR 1 may be the same amount. Also in this case, since the supply amount of the liquid 1 does not fluctuate even when the scanning direction is switched, the occurrence of the water hammer phenomenon can be more reliably prevented. On the other hand, while continuing to supply the liquid 1, the amount of liquid supplied from both sides in the scanning direction of the projection area AR 1 is changed according to the scanning direction, so that the amount of liquid 1 used can be reduced while suppressing the occurrence of the Warmer-Hammer phenomenon. Can be suppressed. In the present embodiment, the liquid 1 is continuously supplied from the supply ports 13A and 14A during the exposure processing operation for one substrate P, but may be stopped halfway.
  • the liquid supply mechanism 10 may be configured to stop supplying the liquid 1 to the substrate P during the stepping movement of the substrate P. In this case, when starting the scanning exposure, the scanning exposure may be performed after supplying the liquid 1 for a predetermined time and waiting for the liquid vibration to subside. With such a configuration, use of liquid 1 The amount can be reduced.
  • the supply ports 13A and 14A of the liquid supply mechanism 10 are provided on both sides in the scanning direction with respect to the projection area AR1, but for example, all around the projection area AR1.
  • Supply ports may be provided so as to surround, that is, on both sides in the non-scanning direction of the projection area AR1. Then, the liquid 1 may be supplied onto the substrate P from each of the supply ports provided so as to surround the projection area i or A R 1.
  • the liquid 1 may be supplied from all four supply ports, or the supply provided on both sides in the scanning direction.
  • the liquid 1 may be supplied only from the port, and the liquid supply from the supply ports provided on both sides in the non-scanning direction may be stopped (or supplied in a small amount). Then, when the substrate P is moved in the non-scanning direction, the liquid may be supplied from supply ports provided on both sides in the non-scanning direction.
  • a configuration may be adopted in which an annular supply member is provided so as to surround the projection area A R 1, and the liquid 1 is supplied onto the substrate P via the supply member.
  • the apparatus configuration since only one liquid supply unit is required to supply the liquid 1 to the supply member, the apparatus configuration can be simplified.
  • the supply ports 13 A and 14 A are provided on both sides in the scanning direction with respect to the projection area AR 1 as in the above-described embodiment, the projection area AR 1 can be sufficiently set as the immersion area AR 2, The amount of liquid 1 used can be reduced.
  • the supply ports 13A and 14A of the liquid supply mechanism 10 are provided on both sides in the scanning direction with respect to the projection area AR1, but the projection optical system PL and the substrate are provided.
  • the liquid When the space between P and P is sufficiently filled with the liquid 1, the liquid may be supplied from one supply port arranged near the projection area AR1. In this case as well, by continuing to supply the liquid from one supply port until the exposure of all shots on one substrate P is completed, the generation of the liquid 1 is suppressed while suppressing the occurrence of the hammer phenomenon. The amount used can be reduced.
  • the first and second supply members 13 and 14 are separated from the collection member 22. However, the first and second supply members 13 and 14 and the collection member 22 are different from each other. It may be connected, or a connecting member for connecting the first and second supply members 13 and 14 and the recovery member 22 may be provided.
  • the internal flow paths 13 H and 14 H of the supply members 13 and 14 and the internal flow path 22 H of the collection member 22 are perpendicular to the surface of the substrate P. However, it may be inclined.
  • the internal flow paths 13H and 14H (or the supply ports 13A and 14A) of the supply members 13 and 14 may be provided so as to face the projection area AR1. Further, the distances (heights) between the supply ports 13A and 14A and the recovery port 22A of the recovery member 22 and the surface of the substrate P may be different.
  • each of the liquid supply mechanism 10 including the supply members 13 and 14 and the liquid recovery mechanism 20 including the recovery member 22 includes a projection optical system PL and a support member that supports the projection optical system PL.
  • the liquid recovery mechanism 20 includes a single liquid recovery unit 21 and a recovery port connected to the liquid recovery unit 21 via a recovery pipe 21A and formed in a continuous annular shape.
  • the configuration includes the recovery member 22 having 22 A, a plurality of liquid recovery units may be provided. As a result, it is possible to suppress the variation of the collecting force at each collecting position of the collecting port 22A.
  • the control device C 0 NT may make the respective collecting powers of the plurality of liquid collecting sections different according to the liquid collecting position. This will be described with reference to FIG.
  • FIG. 7 is a view showing another embodiment of the present invention, and is a schematic plan view showing another example of the liquid recovery mechanism 20. In FIG.
  • the liquid recovery mechanism 20 includes a first liquid recovery section 26, a second liquid recovery section 27, and a second liquid recovery section 26 connected to the first liquid recovery section 26 via a recovery pipe 26A. It comprises a first recovery member 28 and a second recovery member 29 connected to the second liquid recovery section 27 via a recovery pipe 27A.
  • Each of the first and second collection members 28 and 29 is formed in a substantially arc shape in a plan view, and the first collection member 28 is disposed on the X side of the projection area AR 1.
  • the member 29 is disposed on the + X side of the projection area AR1.
  • the first and second collection members 28 and 29 include a collection port facing the substrate P side and a partition member provided therein, as in the above embodiment.
  • the recovery operations of the first and second liquid recovery units 26 and 27 are independently performed by the control unit C CNT.
  • the control device CON ⁇ ⁇ ⁇ supplies the liquid 1 onto the substrate P from the liquid supply mechanism 10 and the first and second liquid recovery sections 2 of the liquid recovery mechanism 20. Drive each of 6 and 27 to collect liquid 1 on substrate P.
  • the control device CONT controls the liquid recovery force of the liquid recovery mechanism 20 so as to be different depending on the liquid recovery position. More specifically, the control device CONT sets the liquid recovery amount (recovery force) per unit time before the projection area A R1 in the scanning direction smaller than the liquid recovery amount on the opposite side.
  • the liquid recovery force on the front side in the scanning direction (downstream side where the liquid 1 flows) is increased.
  • the recovery force of the second recovery member 29 (second liquid recovery unit 27) provided on the + X side with respect to the projection area AR 1 Is made larger than the collecting force of the first collecting member 28 (first liquid collecting part 26) provided on the —X side.
  • the liquid recovery operation by the first and second liquid recovery units 26 and 27 is described. Although the operation is performed at the same time, the operation may be performed separately.
  • the recovery member of the liquid recovery mechanism 20 is arranged so as to surround the entire projection area AR1, but may be configured to be located only on both sides in the scanning direction of the projection area AR1. .
  • the recovery member of the liquid recovery mechanism 20 is formed continuously so as to surround the projection area AR1, but as shown in FIG. It may be a configuration in which it is arranged in a static manner.
  • the liquid supply mechanism 10 may have a configuration in which a plurality of supply members 13D and 14D are intermittently arranged. In this case as well, since the collection operation is continuously performed at the collection port arranged so as to surround the projection area AR1, even if the liquid 1 spreads in any direction of the liquid 1, the liquid 1 can be collected well. be able to.
  • the liquid recovery mechanism 20 provides a liquid recovery force (a liquid per unit time) at a position away from the projection area AR1 in the scanning direction. (Collection amount) is made larger than the liquid collection force at another position, specifically, at a position separated in the non-scanning direction, so that the liquid 1 on the substrate P can be collected smoothly during scanning exposure. be able to.
  • a plurality of liquid recovery units having a vacuum pump or the like are connected to each of the divided spaces 24 divided by the partition member 23 via a recovery pipe, and the recovery operation of the plurality of liquid recovery units is performed. By performing individual control, the recovery force may be varied according to the liquid recovery position.
  • the supply member of the liquid supply mechanism 10 has a substantially arc shape in a plan view, but may have a linear shape as shown in FIG.
  • the supply members 13 and 14 which are linear in plan view as shown in FIG. 9 are respectively provided on both sides in the scanning direction of the projection area AR1.
  • the recovery member 22 of the liquid recovery mechanism 20 is not limited to an annular shape, but may be a rectangular shape as shown in FIG.
  • a porous body 40 may be provided in the internal flow path 13 H (14 H) of the supply member 13 (14) of the liquid supply mechanism 10.
  • a partition member 41 may be provided to form a slit-like flow path.
  • the trap member 30 (trap surface 31) has been described as having an elliptical shape in plan view, but may have a perfect circular shape or a rectangular shape.
  • the trapping member 30 is formed into an elliptical shape as in the above-described embodiment, so that the liquid 1 which is going to flow is Can be captured well.
  • the trap member 30 (trap surface 31) has an elliptical shape and is provided so as to surround the recovery member 22 on the entire outside of the liquid recovery position of the recovery member 22.
  • the configuration may be such that, for example, it is provided only on both sides of the projection area AR1 in the scanning direction, and is not provided at a position separated from the projection area AR1 in the non-scanning direction. Since the liquid 1 is likely to flow out on both sides in the scanning direction, simply providing the trap members 30 on both sides in the scanning direction of the projection area A R 1 can be achieved. The liquid 1 to be discharged can be captured well. Further, the inclination angle of the trap surface 31 may be set to be different depending on the position. For example, the inclination angle near both sides in the scanning direction of the projection area AR 1 in the trapping surface 31 may be made larger than the other portions.
  • the trap surface 31 does not need to be a flat surface, and may be, for example, a shape obtained by combining a plurality of planes.
  • FIG. 11 is a view showing another embodiment of the trap surface 31 of the trap member 30. As shown in FIG. 11, the trap surface 31 may be curved. Specifically, as shown in FIG. 11, the trap surface 31 may have a cross-sectional view, for example, a quadratic curve or an arc. Here, the trap surface 31 is preferably a curved surface swelling toward the substrate P side. Even with such a shape, the liquid 1 can be satisfactorily captured. Alternatively, as shown in FIG. 12, the trap surface 31 may be subjected to a surface area enlargement treatment, specifically, a rough surface treatment.
  • the trap member 30 may be composed of a plurality of fin members 32.
  • the fin member 32 has a substantially triangular shape in a side view, and a side (lower side) facing the substrate P is inclined upward as going outward with respect to the projection area AR1.
  • the plurality of fin members 32 are radially attached to the outer side surface of the collection member 22 so that the longitudinal direction thereof is directed outward.
  • the plurality of fin members 32 are separated from each other, and a space 33 is formed between each fin member 32.
  • the liquid 1 that has not been completely recovered by the recovery member 22 is captured by the surface tension in the space 33 between the fin members 32, thereby preventing the liquid 1 from flowing out of the substrate P.
  • the plurality of fin members 32 may be provided at equal intervals, or may be provided at unequal intervals. You may. For example, the interval between the fin members 32 provided at positions along the scanning direction may be set smaller than the interval between the fin members 32 provided at positions along the non-scanning direction.
  • each of the plurality of fin members 32 may be the same, or the length of the fin member 32 provided at a position along the scanning direction may be the same as the fin member 3 provided at other positions. May be longer than 2.
  • a part of the trap member may be formed by the fin member, and the remaining region may be formed by the trap surface.
  • the fin member 32 may be attached to the trap surface 31 described with reference to FIG. It is preferable that the surface of the fin member 32 be subjected to a lyophilic treatment for increasing the affinity with the liquid 1.
  • the lyophilic property of the trap surface 31 may have a distribution.
  • the surface treatment can be performed so that the contact angles of the liquids on a plurality of regions on the surface to be surface treated have different values.
  • the lyophilicity of a part of the trap surface 31 outside the projection region A R1 may be reduced with respect to the inside region.
  • a configuration may be employed in which only a partial area along the scanning direction is subjected to the lyophilic treatment.
  • the lyophilic treatment was described to be performed on the trap surface 31.
  • the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery mechanism 20 may be used for the surface of the flow path through which the liquid 1 flows.
  • the lyophilic treatment can also be performed.
  • the liquid recovery can be performed smoothly.
  • the lyophilic treatment can be applied to the tip of the projection optical system PL including the lens barrel PK with which the liquid 1 comes into contact.
  • the thin film for the surface treatment may be a single-layer film or a film having a plurality of layers. There may be.
  • the liquid supply mechanism 10 includes a first liquid supply unit 11 and a second liquid supply unit 12, and a liquid supply mechanism 10 provided on one side ( ⁇ X side) in the scanning direction with respect to the projection area AR1.
  • first and second supply members 13 and 14 have internal flow paths 13 H and 14 H and supply ports formed at the lower ends thereof. 13 A and 14 A, respectively, and are formed in a substantially arc shape in plan view.
  • the first supply pipe 41 connecting the first liquid supply section 11 and the first supply member 13 has a straight pipe section 43 and a slit pipe section 44.
  • One end of the straight pipe section 43 is connected to the first liquid supply section 11, and the other end of the straight pipe section 43 is connected to one end of the slit pipe section 44.
  • the other end of the slit pipe section 44 is connected to the upper end of the internal flow path 13H of the first supply member 13.
  • One end of the slit tube portion 44 is formed to have substantially the same size as the straight tube portion 43, and the other end portion is formed to be approximately the same size as the upper end of the first supply member 13.
  • the slit tube portion 44 is formed in a substantially triangular shape in plan view so as to gradually expand in the horizontal direction from one end to the other end, and the slit formed in the slit tube portion 44 is formed.
  • the inner channel 44 H is formed so as to gradually expand in the horizontal direction from one end to the other end.
  • the second supply pipe 42 connecting the second liquid supply section 12 and the second supply member 14 has a straight pipe section 45 and a slit pipe section 46.
  • One end of the straight pipe section 45 is connected to the second liquid supply section 12, and the other end of the straight pipe section 45 is connected to one end of the slit pipe section 46.
  • the other end of the slit pipe section 46 is connected to the upper end of the internal flow path 14 H of the second supply member 14.
  • One end of the slit tube portion 46 is formed to have substantially the same size as the straight tube portion 45, and the other end portion is formed to have substantially the same size as the upper end portion of the second supply member 14.
  • the slit tube portion 46 is formed in a substantially triangular shape in plan view so as to gradually expand in the horizontal direction from one end portion to the other end portion, and is formed in a slit-like shape formed in the slit tube portion 46.
  • the internal flow path 46H is formed so as to gradually expand in the horizontal direction from one end to the other end.
  • the liquid recovery mechanism 20 includes a recovery member 22 formed in an annular shape in plan view, a plurality of liquid recovery units 61 to 64, a recovery member 22 and each of the liquid recovery units 61 to 64. A plurality of recovery pipes 71 to 74 to be connected are provided.
  • the liquid recovery section includes four first to fourth liquid recovery sections 61 to 64, and the recovery pipes correspond to the first to fourth liquid recovery sections 71 to 74. It consists of four.
  • the recovery member 22 includes an annular internal flow path 22H and a recovery port 22A formed at a lower end thereof.
  • the partition member (23) is not provided in the internal flow path 22H of the embodiment shown in Fig. 14.
  • the recovery member 22 of the liquid recovery mechanism 20 is disposed outside the first and second supply members 13 and 14 of the liquid supply mechanism 10.
  • the first recovery pipe 71 that connects the first liquid recovery part 61 and the recovery member 22 among the plurality of liquid recovery parts has a straight pipe part 75 and a slit pipe part 76.
  • One end of the straight pipe part 75 is connected to the first liquid recovery part 61, and the other end of the straight pipe part 75 is connected to one end of the slit pipe part 76.
  • the other end of the slit pipe 76 is connected to the upper end of the internal flow path 22 H of the recovery member 22.
  • one end of the slit tube 76 is formed to be substantially the same size as the straight tube 75, while the other end of the slit tube 76 is formed in an annular shape.
  • the collecting member 22 is formed to have a size approximately 1/4 of the upper end of the collecting member 22.
  • the slit tube portion 76 is formed in a substantially triangular shape in plan view so as to gradually expand in the horizontal direction from one end portion to the other end portion, and the slit formed in the slit tube portion 76 is formed.
  • the internal flow path 76H is formed so as to gradually expand in the horizontal direction from one end to the other end.
  • the second recovery pipe 72 that connects the second liquid recovery section 6.2 and the recovery member 22 has a straight pipe section 77 and a slit pipe section 78, and One end of the tube portion 78 is formed to be approximately the same size as the straight tube portion 77, while the other end of the slit tube portion 78 is approximately one-fourth of the upper end of the annular collection member 22. It is formed in size.
  • the slit tube section 78 is formed in a substantially triangular shape in a plan view, and the slit-shaped internal flow path 78 H formed in the slit tube section 78 extends from one end to the other end. It is formed to expand gradually in the horizontal direction.
  • the third recovery pipe 73 connecting the third liquid recovery section 63 and the recovery member 22 has a straight pipe section 79 and a slit pipe section 80, and the fourth liquid recovery section 73 has a straight pipe section 80.
  • the fourth recovery pipe 74 connecting the part 64 and the recovery member 22 has a straight pipe part 81 and a slit pipe part 82.
  • each of the slit tube portions 80 and 82 is formed to have a size approximately one-fourth of the upper end of the annular recovery member 22.
  • Each of the slit tube portions 80 and 82 is formed in a substantially triangular shape in plan view, and the slit-shaped internal flow passages 80H and 82H formed in the slit tube portions 80 and 82. Each of them is formed so as to gradually expand in the horizontal direction from one end to the other end.
  • the members through which the liquid flows specifically, the supply pipes 41, 42 and the recovery pipes 71 to 74 are, as described above, It may be formed of a synthetic resin such as polytetrafluoroethylene or may be formed of a metal such as stainless steel and aluminum.
  • the member through which the liquid flows is made of metal.
  • aluminum has a small contact angle with the liquid (water), so that the liquid flows smoothly. be able to.
  • a trap member 30 is provided around the recovery member of the liquid recovery mechanism 20 as in the previous embodiment.
  • the control device C CNT drives each of the first and second liquid supply units 11 and 12 of the liquid supply mechanism 10.
  • the liquid 1 delivered from each of the first and second liquid supply sections 11 and 12 flows through the first and second supply pipes 41 and 42, respectively, and then flows through the first and second liquid supply sections. It is supplied onto the substrate P via the supply members 13 and 14.
  • the liquid 1 delivered from the first liquid supply section 11 flows through the straight pipe section 43 of the first supply pipe 41 and then flows through the slit pipe section 44 so that the liquid 1 flows horizontally (horizontally).
  • the liquid 1 is supplied onto the substrate P with a substantially uniform liquid supply amount at each position of the substantially arc-shaped supply port 13A whose longitudinal direction is in the Y-axis direction.
  • the liquid 1 sent out from the second liquid supply section 12 also flows through the straight pipe section 45 of the second supply pipe 42 and then passes through the slit pipe section 46 in the horizontal direction (lateral direction).
  • the liquid is supplied to the second supply member 14, so that the liquid is supplied onto the tomb plate P with a substantially uniform liquid supply amount at each position of the supply port 14 A. That is, in the embodiment described with reference to FIGS. 2 and 3, since the supply pipes 11A are all constituted by straight pipes, the Y-axis direction extends in the longitudinal direction from the supply pipes 11A of the straight pipes.
  • the difference in the flow path area causes the central part in the longitudinal direction of the supply port 13 A of the first supply member 13, that is, immediately below the supply pipe 11 A.
  • the liquid supply rate at a position distant from the supply pipe 11A. It may be uneven in position.
  • the amount of liquid supplied at the center in the longitudinal direction of the supply port 13 A (the position directly below the supply pipe 11 A) is changed to the longitudinal end of the supply port 13 A (the distance from the supply pipe 11 A).
  • the liquid supply amount in the liquid immersion area AR2 may be non-uniform because the liquid supply amount is larger than the liquid supply amount at the position where the liquid is supplied. Only While supplying the liquid 1 from the first liquid supply section 11 to the first supply member 13 (supply port 13 ⁇ ) having the Y-axis direction as a longitudinal direction, at least a part of the supply pipe 41 is provided.
  • the size of the flow path is set according to the size of the first supply member 13, and a part of the supply pipe 41 gradually expands in the horizontal direction toward the first supply member 13 as in the present embodiment.
  • a substantially uniform liquid supply is provided at each position of the supply port 13 of the first supply member 13 whose longitudinal direction is the axial direction.
  • the liquid 1 can be supplied onto the substrate P at a supply amount.
  • the liquid 1 sent from the second liquid supply unit 12 is also uniformly supplied onto the substrate P via the second supply pipe 42 and the second supply member 14.
  • control device CONT drives each of the first to fourth liquid recovery units 61 to 64 of the liquid recovery mechanism 20 to collect the liquid 1 on the substrate P into the recovery member 22 and the first to fourth liquid recovery units. Recover through each of the collection tubes 71-74.
  • Each of the first to fourth liquid recovery units 61 to 64 recovers by sucking the liquid 1 on the substrate P through the first to fourth recovery tubes 71 to 74. Then, the liquid 1 on the substrate P is recovered at each position of the recovery port 22 A of the annular recovery member 22 with a substantially uniform recovery amount (recovery force).
  • the liquid recovery amount (recovery force) at each position of the recovery port 22A due to the difference in the flow path area
  • the collection amount may be uneven at each position of the collection port 22A.
  • the liquid recovery volume at the position directly below the recovery pipe becomes larger than the liquid supply volume at other positions, and there is a possibility that the liquid immersion area AR 2 may not be uniform because uniform liquid recovery is not possible .
  • a part of the collection pipe is formed into a slit pipe section 76, 78, 80, 8 having a tapered internal flow path that gradually expands in the horizontal direction toward the collection member 22.
  • the liquid on the substrate P can be recovered with a substantially uniform liquid recovery amount at each position of the recovery port 22A of the annular recovery member 22.
  • the liquid is supplied uniformly at each position of the supply ports 13 A and 14 A.
  • the liquid can be supplied and can be uniformly recovered at each position of the recovery port 22A, so that a uniform liquid immersion area A R2 can be formed.
  • the internal flow path 44H (46H) of the slit pipe section 44 (46) is hollow, but as shown in FIG.
  • a plurality of fin members 85 may be provided (from the part toward the other end). This allows the liquid 1 to be rectified and then supplied onto the substrate P via the supply member 13 (14).
  • the fin member 85 may be extended to the internal flow path 13H (14H) of the supply member 13 (14).
  • fin members 85 are provided in each of the internal flow paths 76 H, 78 H, 80 H, and 82 H of the slit pipe sections 76, 78, 80, and 82 constituting the recovery pipe of the liquid recovery mechanism 20. Is also good.
  • the liquid 1 on the substrate P cannot be completely collected, and the liquid 1 on the substrate P is outside the collection member 22. It can be spilled.
  • the lower surfaces of the substantially triangular slit tube portions 44 and 46 provided at positions along the scanning direction (X-axis direction) of the substrate P may be used as trap surfaces instead of the trap members 30. it can.
  • a plurality of collection tubes 71 to 74 are connected to one collection member 22.
  • a plurality of collection members (collection members) are provided so as to correspond to the plurality of collection tubes 71 to 74.
  • the opening may be provided close to the substrate P.
  • FIG. 16 is a schematic perspective view showing the liquid supply mechanism (10) and the liquid recovery mechanism (20) according to the present embodiment.
  • the liquid supply mechanism (10) is connected to the first and second Liquid supply units 11 and 12 and first and second supply pipes 41 and 42 connected to the first and second liquid supply units 11 and 12, respectively, are provided.
  • the liquid recovery mechanism (20) is the first
  • each of the first and second supply pipes 41 and 42 is connected to the first and second liquid supply sections 11 and 12, and the other end is formed by the flow path forming member 90. Connected to a supply channel described later.
  • One end of each of the first to fourth recovery pipes 71 to 74 is connected to the first to fourth liquid recovery units 61 to 64, and the other end is formed by a flow path forming member 90 described later. Connected to the recovery channel.
  • the flow path forming member 90 includes a first member 91, a second member 92 arranged above the first member 91, and a third member 93 arranged above the second member 92.
  • the flow path forming member 90 is arranged so as to surround the projection optical system PL, and each of the first to third members 91 to 93 constituting the flow path forming member 90 has the same outer dimensions and a rectangular shape.
  • the c- shaped holes 91A to 93A which have holes 91A to 93A in the center of the plate-like member and in which the projection optical system PL can be placed are formed so as to communicate with each other. Have been.
  • FIG. 17 is a perspective view showing the first member 91 disposed at the lowest stage among the first to third members.
  • the first member 91 is formed on the —X side of the projection optical system PL, and has a first supply hole portion 94 A forming a supply port for supplying the liquid 1 to the substrate P, and a + X side of the projection optical system PL.
  • a second supply hole 95A that forms a supply port for supplying a liquid onto the substrate P.
  • Each of the first supply hole portion 94A and the second supply hole portion 95A is formed in a substantially arc shape in plan view.
  • the first member 91 is formed on one X side of the projection optical system PL, and forms a first recovery hole portion 96 A that forms a recovery port for recovering the liquid on the substrate P, and one of the projection optical system PL.
  • a second collection hole 97A formed on the Y side and forming a collection port for collecting the liquid on the substrate P, and formed on the + X side of the projection optical system PL to collect the liquid on the substrate P
  • the third collection hole 98 A forming the collection port and the + Y side of the projection optical system PL
  • a fourth recovery hole portion 99A formed to form a recovery port for recovering the liquid on the substrate P.
  • FIG. 18 is a perspective view showing the second member 92 arranged at the middle stage among the first to third members, where FIG. 18 (a) is a perspective view seen from above, and FIG. ) Is a perspective view seen from below.
  • the second member 92 is formed on the —X side of the projection optical system PL, and is connected to the first supply hole 94 A of the first member 91.
  • a fourth supply hole 95B formed on the + X side of the PL and connected to the second supply hole 95A of the first member 91 is provided.
  • the shapes and sizes of the third and fourth supply holes 94B and 95B correspond to the first and second supply holes 94A and 95A, respectively.
  • the second member 92 is formed on the lower surface thereof on one X side of the projection optical system PL and connected to the first collection hole 96A of the first member 91, and a first collection groove portion 96B.
  • a fourth recovery groove portion 9 B connected to 9 A is provided.
  • Each of the first to fourth recovery grooves 96B to 99B is formed in a substantially arc shape in plan view so as to correspond to the shape and size of the first to fourth recovery holes 96A to 99A. And are provided at substantially equal intervals along the periphery of the projection optical system PL.
  • FIG. 19 is a perspective view showing the third member 93 arranged at the uppermost stage among the first to third members, and FIG.
  • FIG. 19 (a) is a perspective view seen from above, and FIG. b) is a perspective view seen from below.
  • the third member 93 is formed on the lower surface thereof at one X side of the projection optical system PL, and the first supply groove portion 94C connected to the third supply hole portion 94B of the second member 92, and the projection is performed.
  • a second supply groove 95C formed on the + X side of the optical system PL and connected to the fourth supply hole 95B of the second member 92 is provided.
  • the shape and size of the first and second supply grooves 94C and 95C are the third and fourth supply holes 94B and 95B (therefore, the first and second supply holes 94).
  • A, 95A) it is formed in a substantially arc shape in plan view.
  • first supply pipe 41 and the first supply groove portion 94C are connected via a tapered groove portion 94T.
  • the tapered groove portion 94T is formed so as to gradually expand in the horizontal direction from the connection portion to the first supply pipe 41 toward the first supply groove portion 94C.
  • the second supply pipe 42 and the second supply groove 95C are connected via a tapered groove 95T.
  • the first to third members 91 to 93 are formed of a metal such as stainless steel, titanium, aluminum, or an alloy containing them, and the holes and grooves of each member 91 to 93 are formed, for example. It is formed by electric discharge machining.
  • the members 91 to 93 are joined by using an adhesive, a thermocompression bonding method, or the like to form the flow path forming member 90. Is done.
  • the tapered groove portion 94T, the first supply groove portion 94C, the third supply hole portion 94B, and the first supply hole portion 94 are formed.
  • Each of A is connected (communicated), and a supply flow path connected (communicated) to the first supply pipe 41 is formed by these.
  • the tapered groove portion 95 T, the second supply groove portion 95 C, the fourth supply hole portion 95 B, and the second supply hole portion 95 A are connected (communicated), so that the 2 A supply flow path connected (communicated) to the supply pipe 41 is formed.
  • the liquid 1 sent from each of the first and second liquid supply units 11 and 12 is placed on the substrate P via the first and second supply pipes 41 and 42 and the supply flow path. Supplied.
  • the plate members 91 to 93 are laminated to form a liquid.
  • a body supply channel is formed.
  • the tapered groove portion 96 T, the first recovery groove portion 96 B, and the first recovery hole portion 96 A are connected (communicated) to be connected (communicated) to the first recovery pipe 71.
  • a recovery channel is formed. Similarly, by connecting (communicating) each of the tapered grooves 97, the second recovery groove 97B, and the second recovery hole 97A, the tape-shaped groove 97 is connected to the second recovery pipe 72. A recovery flow path (communicating) is formed, and the tapered groove 98 T, the third recovery groove 98 B, and the third recovery hole 98 A are connected (communicated) to form the third recovery. A collection flow path connected to (communicated with) the pipe 73 is formed, and each of the tapered grooves 999, the fourth collection groove 999B, and the fourth collection hole 990A is connected (communicated). As a result, a recovery flow path connected (communicated) to the fourth recovery pipe 74 is formed.
  • the plate members 91 to 93 are stacked to form a liquid recovery channel. Then, the liquid on the substrate P is collected via the above-mentioned collection flow path and the first to fourth collection pipes 71 to 74, respectively.
  • the first and second supply pipes 41 and 42 are connected with tapered grooves 94 and 95T, respectively, as in the embodiment described with reference to FIG.
  • the liquid can be supplied uniformly at each position of the supply port whose longitudinal direction is the Y-axis direction.
  • a tapered groove is connected to each of the recovery pipes 71 to 74, so that liquid recovery can be recovered with a uniform recovery force.
  • each of the first to third members 91 to 93 which are plate-like members, for example, when liquid is sucked by entrapping air during liquid recovery.
  • the generated vibration can be absorbed by the flow path forming member 90.
  • a plurality of plate-shaped members 91 to 93 are each subjected to machining such as electric discharge machining to form a portion of a flow path, and a liquid flow path is formed by combining these parts. Therefore, each of the supply channel and the recovery channel can be easily formed. It should be noted that among the plurality of members 91 to 93 forming the flow path forming member 90, the lowermost stage is arranged.
  • the members 9 "! To 93 forming the flow path forming member 90 are square plate members. Alternatively, a circular plate member may be used, or an elliptical plate member long in the X direction. In the above-described flow path forming member 90, both the supply flow path and the recovery flow path are formed, but only one of them is formed inside the flow path forming member 90.
  • a flow path forming member formed by laminating a plurality of members may be provided separately for a supply flow path and a recovery flow path.
  • each of the liquid supply mechanism 10 including the supply members 13 and 14 and the liquid recovery mechanism 20 including the recovery member 22 includes: It is preferable to support the projection optical system PL with a support member other than the support member that supports the projection optical system PL.
  • a support structure for supporting the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery mechanism 20 will be described with reference to Fig. 20.
  • Fig. 20 shows a support structure for the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery mechanism 20.
  • an exposure apparatus EX includes a lens barrel base (first support member) 100 supporting a projection optical system PL, a lens barrel base 100, a mask stage MST, and
  • the board stage includes a main frame (second support member) 102 for supporting the PST 102.
  • the Z stage and the XY stage are shown integrally.
  • the main frame 102 is installed almost horizontally on the floor surface of a clean room or the like via the legs 108.
  • the main frame 102 has an upper stepped portion 102A projecting inward and A lower step portion 102 B is formed.
  • the illumination optical system I is fixed on the upper portion of the main frame 102. It is supported by the support frame 1 2 0 which is.
  • a plurality of 1 2 6 are provided.
  • the mask stage MST is supported in a non-contact manner on the upper surface (guide surface) of the mask platen 124 by air bearings 126, and can be moved two-dimensionally in the XY plane by the mask stage driving device. It can be slightly rotated in the direction.
  • a flange 104 is provided on the outer periphery of the barrel PK holding the projection optical system PL, and the projection optical system PL is supported on the barrel base 100 via the flange 104.
  • An anti-vibration device 106 including an air mount is placed between the lens barrel base 100 and the lower step 102B of the main frame 102, and supports the projection optical system PL.
  • the lens barrel base plate 100 is supported by a lower step portion 102 B of the main frame 102 via a vibration isolator 106.
  • the anti-vibration device 106 prevents the vibration of the main frame 102 from being transmitted to the lens barrel base 100 that supports the projection optical system PL. 2 are (vibrationally) separated from vibration.
  • On the lower surface of the substrate stage PST a plurality of gas bearings (air bearings) 130 as non-contact bearings are provided.
  • a stage base 112 is supported on the main frame 102 via a vibration isolator 110 including an air mount and the like.
  • the substrate stage PST is supported in a non-contact manner on the upper surface (guide surface) of the stage base 112 by an air bearing 130, and can be moved two-dimensionally in the XY plane by the substrate stage driving device. It can be slightly rotated in the Z direction. Further, the substrate stage PST can be moved in the Z-axis direction, the 0X direction, and the ⁇ Y direction.
  • the vibration isolator 110 prevents the vibration of the main frame 102 from being transmitted to the stage base 112 supporting the substrate stage PST in a non-contact manner, so that the stage base 111 and the main frame 102 are not transmitted. And are separated with respect to vibration.
  • a movable mirror 55 is provided at a predetermined position on the + X side of the substrate stage PST, and a reference mirror (fixed mirror) 114 is provided at a predetermined position on the + X side of the lens barrel PK.
  • a laser interferometer 56 is provided at a position facing the moving mirror 55 and the reference mirror 114. Since the laser interferometer 56 is attached to the lens barrel base 100, the laser interferometer 56 is separated from the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery mechanism 20 with respect to vibration.
  • C Laser interferometer In step 56, the movable mirror 55 is irradiated with the measuring beam (measuring light), and the reference mirror 114 is irradiated with the reference beam (reference light).
  • the reflected light from each of the moving mirror 55 and the reference mirror 114 based on the irradiated measurement beam and reference beam is received by the light receiving section of the laser interferometer 56, and the laser interferometer 56 interferes with these lights. Then, the amount of change in the optical path length of the measurement beam with reference to the optical path length of the reference beam, and thus the positional information of the movable mirror 55 with reference to the reference mirror 114, that is, the positional information of the substrate stage PST is measured. I do.
  • a movable mirror and a reference mirror are provided on the substrate stage PST and on the + Y side of the lens barrel PK, and a laser interferometer is provided at a position facing these.
  • the lens barrel base 100 has a focus detection system for measuring the focus position (Z position) and inclination of the substrate P, and an alignment for detecting an alignment mark on the substrate P.
  • Measurement systems (not shown) such as a system are also supported, and these measurement systems are also separated from the main frame 102, the liquid supply mechanism 10, and the liquid recovery mechanism 20 with respect to vibration.
  • the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery mechanism 20 are supported by the lower step portion 102B of the main frame 102.
  • the recovery pipe 21 A and the like are supported by a support member 140, and the support member 140 is connected to the lower step portion 102 B of the main frame 102.
  • the supply members 13 and 14, the recovery member 22, the supply pipes 11 As 12 A and the recovery pipe 21 A are illustrated in a simplified manner.
  • the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery mechanism 20 are supported by the main frame 102 that is separated from the lens barrel base 100 that supports the projection optical system PL and the vibration, so that the liquid is supplied.
  • the mechanism 10 and the liquid recovery mechanism 20 are separated from the projection optical system PL with respect to vibration.
  • vibrations that occur when the liquid is supplied or when the liquid is collected are transmitted through the lens barrel surface plate 100 to the projection optical system PL, the laser interferometer 56, and the heat focus detection system and the alignment system. It is not transmitted to measurement systems such as. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of inconvenience when the pattern image is deteriorated due to the vibration of the projection optical system, and it is possible to accurately control the position of the substrate stage (substrate P). Projection can be performed with high accuracy.
  • the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery mechanism 20 are supported by the stage base 112 holding the substrate stage PST and the main frame 102 separated with respect to vibration, so that the liquid supply mechanism 10 and the liquid supply mechanism 10 are supported.
  • the liquid recovery mechanism 20 and the stage base 1 12 are separated from each other with respect to vibration. Therefore, the vibration generated during liquid supply or liquid recovery is not transmitted to the stage base 112, and there is a disadvantage that the positioning accuracy or the movement accuracy of the substrate stage PST is reduced. Can be prevented.
  • the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery mechanism 20 are physically supported by the main frame 102, but the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery mechanism 20 are connected to each other. They may be separated and attached to the main frame 102. Further, a support member different from the main frame 102 may be arranged on a floor such as a clean room, and the support member may support the liquid supply mechanism and the liquid recovery mechanism. As described above, pure water is used as the liquid 1 in the present embodiment.
  • Pure water has the advantage that it can be easily obtained in large quantities at a semiconductor manufacturing plant or the like, and that there is no adverse effect on the photo resist on the substrate P, optical elements (lenses), and the like.
  • pure water has no adverse effect on the environment and has an extremely low impurity content, so it is expected to have the effect of cleaning the surface of the substrate P and the surface of the optical element provided on the tip end of the projection optical system PL. it can.
  • pure water for exposure light EL with a wavelength of about 193 nm
  • the refractive index n of (water) is about 1.44
  • an ArF excimer laser light wavelength: 193 nm
  • 1 / n that is, the wavelength is shortened to about 134 nm, and a high resolution can be obtained.
  • the depth of focus is expanded to about n times, that is, about 1.44 times as compared with that in the air, when it is sufficient to secure the same depth of focus as that used in air, projection The numerical aperture of the optical system PL can be further increased, and the resolution is also improved in this regard.
  • the numerical aperture NA of the projection optical system may be 0.9 to 1.3.
  • the numerical aperture NA of the projection optical system is increased as described above, the imaging performance may be deteriorated by the polarization effect with the random polarized light conventionally used as the exposure light. Is desirable.
  • linearly polarized light is illuminated along the longitudinal direction of the mask (reticle) line and the spatial line, and the S-polarized light component (from the mask (reticle) pattern is obtained. It is preferable that a large amount of diffracted light of the polarization direction component along the longitudinal direction of the line pattern is emitted.
  • the space between the projection optical system PL and the resist applied to the surface of the substrate P is filled with air (gas).
  • the transmittance of the diffracted light of the S-polarized component which contributes to the improvement of the contrast
  • on the resist surface becomes higher, so that even when the numerical aperture NA of the projection optical system exceeds 1.0.
  • High imaging performance can be obtained. Further, it is more effective to appropriately combine a phase shift mask or an oblique incidence illumination method (particularly, a diball illumination method) adapted to the longitudinal direction of the line pattern.
  • a lens is attached to the tip of the projection optical system PL as the optical element 2, and this lens is used to adjust the optical characteristics of the projection optical system PL, for example, aberrations (spherical aberration, coma, etc.). Can be.
  • the optical element 2 An optical plate for adjusting the chemical characteristics may be used.
  • the optical element 2 that comes into contact with the liquid 1 can be a parallel flat plate that is less expensive than a lens.
  • the optical element 2 By making the optical element 2 a parallel flat plate, the uniformity of the transmittance of the projection optical system PL, the illuminance of the exposure light EL on the substrate P, and the illuminance distribution during transportation, assembly, adjustment, etc. of the exposure apparatus EX If a substance that lowers the pressure (e.g., a silicon-based organic substance) adheres to the plane-parallel plate, it is only necessary to replace the plane-parallel plate immediately before supplying the liquid 1, and the optical element that comes into contact with the liquid 1 is a lens.
  • a substance that lowers the pressure e.g., a silicon-based organic substance
  • the liquid 1 of the present embodiment is water, but may be a liquid other than water.
  • the light source of the exposure light EL is an F 2 laser
  • the F 2 laser beam than INO such transmitted through water, permeable example perfluorinated polyether F 2 laser light as the liquid 1 (PFPE )
  • PFPE perfluorinated polyether F 2 laser light
  • a fluorinated fluid such as a fluorinated oil.
  • the lyophilic treatment is performed by forming a thin film of a material having a small polar molecular structure containing fluorine, for example, on the trap surface 31 and other portions in contact with the liquid 1.
  • liquid 1 other liquids that have transparency to the exposure light EL, have the highest possible refractive index, and are stable with respect to the projection optical system PL and the photo resist applied to the surface of the substrate P ( It is also possible to use, for example, cedar oil). Also in this case, the surface treatment is performed according to the polarity of the liquid 1 to be used.
  • the above-described projection optical system PL is configured (designed) so that its imaging performance is optimized in an immersion state where the image surface side is filled with liquid 1 (pure water).
  • the configuration (design) may be such that desired imaging performance is obtained even in the state.
  • the exposure apparatus EX when a large depth of focus DOF is required, the exposure apparatus EX is used in an immersion state, and when a high throughput is required, a part of the exposure apparatus EX is used.
  • the exposure apparatus EX can be used in a non-immersion state.
  • an aerial image sensor or a wavefront aberration measurement sensor on the substrate stage PST in order to measure the imaging performance after replacing some optical elements.
  • a mask for measuring wavefront aberration may be used, and based on the measurement results of the imaging performance, some optical elements may be moved or exposed so that desired imaging performance is obtained in each state. Fine adjustment of the wavelength of the light EL may be performed.
  • the details of the aerial image sensor are described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-14005 (corresponding to U.S. Pat.
  • the details of the sensor are disclosed in, for example, International Publication No. WO 02/36636, and the disclosure thereof is incorporated as far as the laws of the country designated or selected in this international application permit.
  • the substrate P in each of the above embodiments is used not only for a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, but also for a glass substrate for a display device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or an exposure apparatus. An original mask or reticle (synthetic quartz, silicon wafer) or the like is applied.
  • the mask M and the substrate P are moved synchronously to
  • the pattern of the mask M is exposed collectively while the mask M and the substrate P are stationary, and the substrate P is sequentially exposed.
  • the present invention can also be applied to a step-and-repeat type projection exposure apparatus (stepper).
  • the present invention is also applicable to a step-and-stitch type exposure apparatus in which at least two patterns are partially overlapped and transferred on a substrate P.
  • the present invention is also applicable to a twin-stage type exposure apparatus. The structure and exposure operation of a twin-stage type exposure apparatus are described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos.
  • the type of the exposure apparatus EX is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element that exposes a semiconductor element pattern on a substrate P, but may be an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element or a display, or a thin film magnetic head.
  • each of the stages PST and MST may be of a type that moves along a guide, or may be a guideless type that does not have a guide. Examples of using Lynamo in the stage are disclosed in U.S. Patents 5,623,853 and 5,528,118, each of which is permitted by the laws of the country designated or selected in this international application. To the extent possible, the contents of these documents are incorporated and incorporated as part of the text.
  • each stage PST, MS ⁇ The drive mechanism for each stage PST, MS ⁇ is as follows: A magnet unit with two-dimensionally arranged magnets is opposed to an armature unit with two-dimensionally arranged coils, and each stage PST, MST is driven by electromagnetic force Alternatively, a flat motor may be used. In this case, one of the magnet unit and the armature unit is connected to the stages PST and MST, and the other of the magnet unit and the armature unit is provided on the moving surface side of the stages PST and MS. Just fine.
  • the reaction force generated by the movement of the substrate stage PST may be mechanically released to the floor (ground) using a frame member so as not to be transmitted to the projection optical system PL.
  • the method of dealing with this reaction is disclosed in detail in, for example, US Pat. No. 5,528,118 (Japanese Patent Application Laid-Open No. H8-166649), which is designated or selected in the present international application. To the extent permitted by applicable national law, the content of this document will be incorporated by reference into the text.
  • the reaction force generated by the movement of the mask stage MST may be mechanically released to the floor (ground) using a frame member so as not to be transmitted to the projection optical system PL.
  • the method of processing this reaction force is disclosed in detail in, for example, U.S. Pat. to the extent allowed by laws of the selected countries, c to are incorporated herein by reference the disclosure of
  • the exposure apparatus EX of the embodiment of the present invention maintains various mechanical subsystems including the components listed in the claims of the present application with predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. So, it is manufactured by assembling. Before and after this assembly, adjustments to achieve optical accuracy for various optical systems, adjustments to achieve mechanical accuracy for various mechanical systems, and various electrical The air system is adjusted to achieve electrical accuracy.
  • the process of assembling the exposure apparatus from various subsystems includes mechanical connections, wiring connections of electric circuits, and piping connections of pneumatic circuits among the various subsystems. From these various subsystems It goes without saying that there is an individual assembly process for each subsystem before the assembly process for the exposure apparatus.
  • a microdevice such as a semiconductor device has a step 201 for designing the function and performance of the microdevice, a step 202 for fabricating a mask (reticle) based on this design step, Step 203 for manufacturing a substrate as a substrate of the device, Step 204 for exposing a mask pattern to the substrate by the exposure apparatus EX of the above-described embodiment, Step for assembling a device (dicing process, bonding process) , Including the package process) 205, inspection step 206, etc.
  • the immersion area when performing exposure processing in a state where an immersion area is formed between a projection optical system and a substrate, the immersion area can be formed stably and the liquid can be favorably formed. Since it can be collected and the outflow of liquid to the surroundings can be prevented, exposure processing can be performed with high accuracy. Therefore, the exposure apparatus of the present invention is extremely useful for high-resolution exposure using a short wavelength light source such as an ArF excimer laser.

Description

明細書 露光装置、 露光方法及びデバイス製造方法 技術分野
本発明は、 投影光学系と基板との間に液浸領域を形成した状態で基板にパター ンを露光する露光装置、 露光方法及びデノ ィス製造方法に関するものである。 背景技術
半導体デバイスや液晶表示デバイスは、 マスク上に形成されたパターンを感光 性の基板上に転写する、 いわゆるフ才トリソグラフィの手法により製造される。 このフォ卜リソグラフイエ程で使用される露光装置は、 マスクを支持するマスク ステージと基板を支持する基板ステ一ジとを有し、 マスクステ一ジ及び基板ステ -ジを逐次移動しながらマスクのパターンを投影光学系を介して基板に転写する ものである。 近年、 デバイスパターンのより一層の高集積化に対応するために投 影光学系の更なる高解像度化が望まれている。 投影光学系の解像度は、 使用する 露光波長が短いほど、また投影光学系の開口数が大きいほど高くなる。そのため、 露光装置で使用される露光波長は年々短波長化しており、 投影光学系の開口数も 増大している。 そして、 現在主流の露光波長は K r Fエキシマレ一ザの 2 4 8 η mであるが、 更に短波長の A r Fエキシマレ一ザの 1 9 3 n mも実用化されつつ ある。 また、 露光を行う際には、 解像度と同様に焦点深度 （D O F ) も重要とな る。 解像度 R、 及び焦点深度 <5はそれぞれ以下の式で表される。
R = k , - λ / Ν A … （ 1 )
<5二士 k 2 . λ / Ν A 2 … （2 )
ここで、 λは露光波長、 Ν Αは投影光学系の開口数、 l^、 k 2はプロセス係数 である。 （ 1 ) 式、 （ 2 ) 式より、 解像度 Rを高めるために、 露光波長 λを短く して、 開口数 Ν Αを大きくすると、 焦点深度 <5が狭くなることが分かる。 焦点深度 (5が狭くなり過ぎると、 投影光学系の像面に対して基板表面を合致さ せることが困難となり、露光動作時のマージンが不足するおそれがある。そこで、 実質的に露光波長を短く して、 且つ焦点深度を広くする方法として、 例えば、 国 際公開第 9 9 / 4 9 5 0 4号公報に開示されている液浸法が提案されている。 こ の液浸法は、 投影光学系の下面と基板表面との間を水や有機溶媒等の液体で満た して液浸領域を形成し、 液体中での露光光の波長が空気中の 1 Z n ( nは液体の 屈折率で通常 1 . 2〜1 . 6程度） になることを利用して解像度を向上するとと もに、 焦点深度を約 n倍に拡大するというものである。 ところで、 上記従来技術には以下に述べる問題が存在する。 上記従来技術は基 板を所定方向に移動しつつ走査露光する際に投影光学系と基板との間に液浸領域 を形成できるため有効であるが、 基板の移動方向に関して、 マスクのパターンの 像が投影される投影領域の手前で液体を供給する構成であって、 液体を投影領域 の手前側から基板の移動方向に沿って一方向に流す構成である。 そして、 基板の 移動方向を前記所定方向から反対方向に切り替える際、 液体を供給する位置 （ノ ズル） も切り替える構成である。 ところが、 この切り替え時に投影領域に対して —方向からの液体の供給を急に停止して他方向からの液体の供給を開始すること になるため、 投影光学系と基板との間で液体の振動 （所謂ウォーターハンマー現 象） が発生したり、 液体供給装置自体 （供給管や供給ノズルなど） に振動が発生 して、 パターン像の劣化を引き起こすという問題が生じたり、 また、 投影領域に 対して一方向から液体を流す構成であるため、 投影光学系と基板との間に液浸領 域が十分に形成されない場合が起きるという問題も生じることが解明されてきた ( また、 上記従来技術では、 液体を回収する回収部は前記基板の移動方向に流れ る液体の下流側のみで液体を回収する構成であるため、 液体を十分に回収できな い場合があるという問題も生じるようになった。 液体を十分に回収できないと基 板上に液体が残存し、 この残存した液体に起因して露光ムラの発生を引き起こす おそれが生じる。 また、 液体を十分に回収しきれないと、 残存した液体が周辺の 機械部品に飛散し、 請を生じさせる等の不都合も生じる。 更に、 液体が残存した り飛散したりすると、 基板が置かれている環境 （湿度など） の変動をもたらし、 ステージ位置計測に用いる光干渉計の検出光の光路上の屈折率の変化を引き起こ すなどに起因して、 所望のパターン転写精度を得られなくなるおそれも生じる。 また、 液体回収ノズルによって基板上の液体を回収する際に、 液体回収装置自 体 (回収管や回収ノズルなど) に振動が発生する可能性がある。 その振動が投影 光学系や基板ステージ、 あるいは基板ステ一ジの位置を計測するための干渉計の 光学部材などに伝わると、 基板上に回路パターンを精度良く形成できないおそれ があ o 発明の開示 本発明は、 このような事情に鑑みてなされたものであって、 投影光学系と基板 との間に液浸領域を形成した状態で露光処理する際、 液浸領域を安定して形成で きるとともにこの液体を良好に回収でき、 周辺への液体の流出や飛散等を防止し て精度良く露光処理できる露光装置、 露光方法及びデバイス製造方法を提供する ことを目的とする。 また、 本発明は、 投影光学系と基板との間に液浸領域を形成 した状態で露光処理する際、 液体の供給あるいは回収の際に生じる振動の影響を 受けずに、 精度良く露光処理できる露光装置、 及びデバイス製造方法を提供する ことを目的とする。 上記の課題を解決するため、 本発明は実施の形態に示す図 1〜図 2 1 に対応付 けした以下の構成を採用している。 但し、 各要素に付した括弧付き符号はその要 素の例示に過ぎず、 各要素を限定する意図は無い。 本発明の第 1の態様に従えば、所定パターンの像を液体 ( 1 )を介して基板（P ) に投影することによって基板を露光する露光装置であって：
前記パターンの像を基板に投影する投影光学系 ( P L ) と ；
投影光学系 （P L ) の投影領域 （A R 1 ) を含む基板 （P ) 上の一部に液浸領 域 （A R 2 ) を形成するために、 投影領域 （A R 1 ) に対して異なる複数の方向 に離れた複数の位置で基板 （P) 上に液体 （ 1 ) の供給を同時に行う液体供給機 構（ 1 0、 1 1、 1 2、 1 3、 1 3 A、 1 4、 1 4 A) と；を備える露光装置（E
X) が提供される。 本発明によれば、 液浸領域を形成するための液体供給機構は、 投影領域に対し て異なる複数の方向に離れた複数の位置で （すなわち、 投影領域の異なる複数の 側、 例えば、 矩形の投影領域であれば X側、 — X側、 +Y側、 一 Y側の少なくと も二つの側から） 液体の供給を同時に行うので、 投影光学系と基板との間に所望 の液浸領域を形成できる。 また、 複数の方向に離れた複数の位置で液体の供給を 同時に行うようにしたので、 基板を移動しながら露光処理する際、 基板の移動方 向を変えても常に液浸領域を良好に形成できる。 投影領域の両側で同時に液体を 供給するようにすれば、 液体の供給位置を切り替える必要が無くなるので、 液体 の振動 （ウォーターハンマ一現象） の発生を防止することができ、 パターン像を 基板上に精度良く投影することができる。 本発明の第 2の態様に従えば、所定バタ一ンの像を液体（ 1 )を介して基板（ P ) に投影することによって基板を露光する露光装置であって：
前記パターンの像を基板に投影する投影光学系 （P L) と ；
投影光学系 （P L) の投影領域 （ A R 1 ) を含む基板 （ P ) 上の一部に液浸領 域 （AR 2) を形成するために基板 （P) 上に液体 （ 1 ) を供給する液体供給機 構 （ 1 0、 1 1 、 1 2、 1 3、 1 3 A、 1 4、 1 4A) と ；
投影領域（A R 1 ) に対して異なる複数の方向に離れた複数の位置で基板（P) 上の液体 （ 1 ) の回収を同時に行う液体回収機構 （ 20、 2 1、 22、 22 A) と ； を備える露光装置 （EX) が提供される。 本発明によれば、 液体を回収するための液体回収機構は、 投影領域に対して異 なる複数の方向に離れた複数の位置で （すなわち、 投影領域の異なる複数の側、 例えば、 矩形の投影領域であれば X側、 — X側、 +Y側、 一 Y側の少なくとも二 つの側から） 液体の回収を同時に行うので、 液体の回収を確実に行うことができ る。 したがって、 基板上に液体が残存する状態の発生を防止でき、 露光ムラの発 生や基板が置かれている環境が変動するのを防止でき、 パターン像を基板上に精 度良く投影することができる。 本発明の第 3の態様に従えば、所定パ夕 -ンの像を液体 ( i )を介して基板（ P ) に投影することによって基板を露光する露光装置であって：
前記パターンの像を基板に投影する投影光学系 （P L) と ；
投影光学系 （P L) の投影領域 （ A R 1 ) を含む基板 ( P ) 上の一部に液浸領 域 （AR 2) を形成するために基板 (P) 上に液体 ( 1 ) を供給する液体供給機 構 （ 1 0、 1 1、 1 2、 1 3、 1 3A、 1 4、 1 4A) と ；
基板 （P) 上の液体 （ 1 ) の回収を複数の位置で同時に行う液体回収機構 （2 0、 21、 22、 22A、 22 D、 24) と ； を備え、
液体回収機構 （20、 21、 22、 22 A、 22 D、 24) は液体回収位置に 応じて異なる回収力で液体を回収する露光装置 （EX) が提供される。 本発明によれば、 液体の回収を基板上の複数の位置で同時に行う液体回収機構 は、 液体回収位置に応じて異なる回収力で液体を回収するので、 液体回収動作を 円滑に行うことができる。 したがって、 投影光学系と基板との間を適切な量の液 体で満たすことができ、 基板上の所望領域内に液浸領域を形成できる。 例えば、 基板の移動 （走査） 方向に関して前方側 （下流側） の液体の回収力を後方側 （上 流側） より大きく設定することで、 液体回収動作を円滑に行うことができる。 あ るいは、 基板の移動 （走査） 方向に沿った位置に配置された液体回収機構の液体 回収力を、 移動方向と交わる方向に沿った位置に配置された液体回収機構の液体 回収力より大きくすることによつても液体回収動作を円滑に行うことができる。 本発明の第 4の態様に従えば、所定パターンの像を液体 ( 1 )を介して基板（P) に投影することによって基板を露光する露光装置であって：
前記パターンの像を基板に投影する投影光学系 (P L) と ；
投影光学系 （P L) の投影領域 （AR 1 ) を含む基板 （P) 上の一部に液浸領 域 （AR 2) を形成するために基板 （P) 上に液体 （ 1 ) を供給する液体供給機 構 （ 1 0、 1 1、 1 2、 1 3、 1 3 A、 1 4、 1 4A) と ；
投影領域 （A R 1 ) から離れた回収位置で基板 （P) 上の液体 （ 1 ) の回収を 行う液体回収機構 （20、 2 1、 22、 22 A ) と ；
投影領域 （ A R 1 ) に対して液体回収機構 ( 20、 2 1、 22、 22 A) によ る液体回収位置の外側に配置され、液体（ 1 ) を捕捉する液体トラップ面（3 1 ) が形成された卜ラップ部材（30) と；を備える露光装置（EX)が提供される。 本発明によれば、 液体回収機構による液体回収位置の外側に、 液体を捕捉する 所定長さの液体トラップ面が形成された卜ラップ部材を設けたことにより、 仮に 液体回収機構で液体が回収しきれなくてもこの卜ラップ部材により液体を捕捉す ることで、 周囲への液体の流出や飛散等の不都合の発生を防止できる。 したがつ て、 基板が置かれている環境の変動の発生を防止でき、 所望のパターン精度でパ 夕一ン像を基板に投影できる。 本発明の第 5の態様に従えば、所定パ夕―ンの像を液体（ 1 )を介して基板（ P ) に投影することによって基板を露光する露光装置であって：
前記パターンの像を基板に投影する投影光学系 （P L) と ；
投影光学系 （P L) の投影領域 （ A R 1 ) を含む基板 （ P ) 上の一部に液浸領 域 （AR 2) を形成するために基板 (P) 上に液体 ( 1 ) を供給する液体供給機 構 （ 1 0、 1 1、 1 2、 1 3、 1 3 A、 1 4、 1 4A) と ；
投影領域 （A R 1 ) から離れた回収位置で基板 （P) 上の液体 （ 1 ) の回収を 行う液体回収機構 （20、 2 1、 22、 22 A) と； を備え、
液体供給機構 （ 1 0、 1 1、 1 2、 1 3、 1 3 A、 1 4、 1 4 A) による液体 ( 1 ) の供給は、 液体回収機構 (20、 2 1、 22、 22 A) の液体回収位置と 投影領域 （A R 1 ) との間で行われる露光装置 (EX) が提供される。 本発明によれば、 液体供給機構による液体の供給は液体回収機構の液体回収位 置と投影領域との間で行われるので、 液体は投影領域に円滑に供給されるととも に、 供給された液体は基板上から円滑に回収することができる。 本発明の第 6の態様に従えば、 所定パターンの投影光学系 （P L) による像を 液体 （1 ) を介して基板 （P) に投影することによって基板を露光する露光方法 であつて：
投影光学系 （P L) の先端の液体接触面 （2 a) との親和性が、 基板 （ P ) 表 面との親和性よりも高い液体 （ 1 ) を、投影光学系 （P L)の投影領域（ A R 1 ) を含む基板 ( P ) 上の一部に液浸領域 (A R 2 ) を形成するために供給すること と ；
前記液浸領域 （AR 2) に供給された液体 （ 1 ) を介して所定パターンの像を 基板 （P) に投影すること ； とを含む露光方法が提供される。 本発明によれば、投影光学系の先端の液体接触面に液体を密着することができ、 投影光学系と基板との間の光路を安定した液浸状態にすることが可能になるとと もに、 基板上の液体を円滑に回収することができる。 本発明のデバイス製造方法は、 上記態様の露光装置 （EX) または露光方法を 用いることを特徴とする。 本発明によれば、 良好なパターン精度で形成されたパ ターンを有し、 所望の性能を発揮できるデバイスを提供できる。 本発明の第 7の態様に従えば、所定バタ ンの像を液体（ 1 )を介して基板（ P ) に投影することによって基板を露光する露光装置であって：
前記パターンの像を基板に投影する投影光学系 （P L) と ；
基板 （P) 上に液体 （ 1 ) を供給する供給流路 （94 A、 95A、 94 B、 9 5 B ) を有する液体供給機構 ( 1 0、 1 1、 1 2、 41、 42) と；
供給された液体を回収する回収流路 （ 96 A、 97A、 98A、 99 A、 96 B、 97 B、 98 B、 99 B、 96丁、 97 T、 98 T、 99 T) を有する液体 回収機構 （ 20、 61、 62、 63、 64、 71、 72、 73、 74 ) と ； を備 、 前記供給流路及び回収流路の少なくとも一方が、複数の板状部材（91、 92、 93 )が積層された積層部材中に形成されている露光装置（ E X )が提供される。 液浸露光では、 均一な液体流を液浸領域に供給し且つそこから回収することが 必要となるが、 本発明の露光装置が備える積層部材は、 流路がそれぞれ形成され た複数の板状部材を、 それらの流路が連通して供給流路及び回収流路の少なくと も一方をそれぞれ形成するように積層することによって形成することができる。 それゆえ、 複雑な流路構造であっても、 極めてコンパク 卜に、 容易に、 しかも低 コス卜で形成することが可能となる。 本発明の第 8の態様に従えば、所定バタ ンの像を液体（ 1 )を介して基板（ P ) に投影することによって基板を露光する露光装置であって：
前記パターンの像を基板に投影する投影光学系 （P L) と ；
投影光学系 （P L) の投影領域 （ A R 1 ) を含む基板 （ P ) 上の一部に液浸領 域 （AR 2) を形成するために基板 （P) 上に液体 （ 1 ) を供給する液体供給機 構 （ 1 0) と ；を備え、
液体供給機構 （ 1 0) は、 投影光学系 （P L) とは振動的に分離されている露 光装置 （EX) が提供される。 第 8の態様に従う露光装置によれば、 投影光学系と液体供給機構とは振動的に 分離されている。 即ち、 液体供給機構で振動が発生してもその振動は投影光学系 には伝わらない。 したがって、 投影光学系が振動することでパターン像が劣化す るといった不都合の発生を防止でき、 パターン像を基板上に精度良く投影するこ とができる。 露光装置は、 さらに、 投影光学系 （P L) を支持する第 1支持部材 ( 1 00) と、 第 1支持部材 (1 00) と振動的に分離され、 液体供給機構 ( 1 0) を支持 する第 2支持部材 ( 1 02) とを備え得る。 この構造によれば、 投影光学系を支 持する第 1支持部材と、 液体供給機構を支持する第 2支持部材とは振動的に分離 されているので、 液体供給機構で発生した振動は投影光学系には伝わらない。 ま た、 例えば基板ステージの位置情報を計測するための干渉計を第 1支持部材に取 り付けたり、 参照鏡 (固定鏡) を投影光学系の鏡筒に取り付ける等の構成とする ことで、 これら干渉計や参照鏡には振動が伝わらないので、 基板ステージの位置 情報の計測やその計測結果に基づく位置制御を精度良く行うことができる。 本発明の第 9の態様に従えば、所定バタ -ンの像を液体 ( 1 )を介して基板（ P ) に投影することによって基板を露光する露光装置であって：
前記パターンの像を基板に投影する投影光学系 （P L) と ；
投影光学系 （P L) の投影領域 （ A R 1 ) を含む基板 （ P ) 上の一部に供給さ れた液体 （ 1 ) を回収する液体回収機構 （ 20) と；を備え、
液体回収機構 （ 20) は、 投影光学系 （P L) とは振動的に分離されている露 光装置 （EX) が提供される。 本発明の第 9の態様の露光装置によれば、 投影光学系と液体回収機構とは振動 的に分離されているので、 液体回収機構で振動が発生してもその振動は投影光学 系には伝わらない。 したがって、 投影光学系が振動することでパターン像が劣化 するといつた不都合の発生を防止でき、 パターン像を基板上に精度良〈投影する ことができる。 第 9の態様の露光装置 （EX) は、 さらに、 投影光学系 （P L) を支持する第 1支持部材 （ 1 00 ) と、 第 1支持部材 （ 1 00) と振動的に分離され、 液体回 収機構 （ 20) を支持する第 2支持部材 （ 1 02) とを備え得る。 この構成によ れぱ、 投影光学系を支持する第 1支持部材と、 液体回収機構を支持する第 2支持 部材とは振動的に分離されているので、 液体回収機構で発生した振動は投影光学 系には伝わらない。 また、 例えば基板ステージの位置情報を計測するための干渉 計を第 1支持部材に取り付けたり、 参照鏡 (固定鏡) を投影光学系の鏡筒に取り 付ける等の構成とすることで、これら干渉計や参照鏡には振動が伝わらないので、 基板ステージの位置情報の計測やその計測結果に基づく位置制御を精度良く行う ことができる。 本発明の第 1 0の態様に従えば、 所定パターンの像を液体 ( 1 ) を介して基板
( P) に投影し、 該基板上の複数のショッ 卜領域を順次露光する露光装置であつ て、
前記パターンの像を前記基板に投影する投影光学系 (P L) と；
該投影光学系の投影領域を含む基板上の一部に液浸領域を形成するために、 前 記基板と対向するように配置された供給口 （ 1 3 A、 1 4 A) から液体を供給す る液体供給機構 （ 1 0、 1 1、 1 2、 1 3、 1 4) と； を備え、
該液体供給機構は、 前記基板上の複数のショッ 卜領域の露光処理が行なわれて いる間に前記供給口から液体を供給し続ける露光装置 （EX) が提供される。 本発明の第 1 0の態様の露光装置によれば、 基板上の複数のショッ 卜領域の露 光処理が行なわれている間、 基板の移動方向によらず、 所定位置に配置された供 給口から液体を供給し続けるので、 液体供給機構自体の振動や液体の振動 （ゥォ —ターハンマー現象） を防止することができ、 パターン像を基板上に精度良〈投 影することができる。 本発明の第 1 1の態様に従えば、 所定パターンの像を液体 （ 1 ) を介して基板 (P) に投影し、 該基板上の複数のショッ 卜領域を順次露光する露光装置であつ て、
前記パターンの像を前記基板に投影する投影光学系 （P L) と；
該投影光学系の投影領域を含む基板上の一部に液浸領域を形成するために、 所 定位置に配置された供給口 （ 1 3A、 1 4 A) から液体を供給する液体供給機構 ( 1 0、 1 1、 1 2、 1 3、 1 4) と ；
前記基板と対向するように配置された回収口 （22A) を有し、 前記液体供給 機構から供給された液体を回収する液体回収機構 （20、 21、 22) と ；を備 、
該液体回収機構は、 前記基板上の複数のショッ 卜領域の露光処理が行なわれて いる間に前記回収口から液体を回収し続ける露光装置 （E X ) が提供される。 本発明の第 1 1の態様の露光装置によれば、 基板上の複数のショット領域の露 光処理が行なわれている間、 基板の移動方向によらず、 回収口から液体を回収し 続ける。 これにより、 液体をより確実に回収することができるとともに、 回収の 開始や停止に伴う液体回収機構自体の振動が抑制され、 パターン像を基板上に精 度良く投影することができる。 本発明のデバイス製造方法は、 上記態様の露光装置 （E X ) を用いることを特 徴とする。 本発明によれば、 良好なパターン精度で形成されたパターンを有し、 所望の性能を発揮できるデバイスを提供できる。 本発明によれば、 投影光学系と基板との間に液浸領域を形成した状態で露光処 理する際にも精度良く露光処理できる。 図面の簡単な説明 図 1は、 本発明の露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。
図 2は、 本発明の特徴的部分である液体供給機構及び液体回収機構の概略構成 を示す平面図である。
図 3は、 本発明の特徴的部分である液体供給機構及び液体回収機構の概略構成 を示す斜視図である。
図 4は、 本発明の特徴的部分である液体供給機構及び液体回収機構の概略構成 を示す側断面図である。
図 5は、 基板上に設定されたショッ卜領域を示す図である。
図 6 ( a ) 及び （b ) は、 液体の挙動を示す模式図である。
図 7は、 液体供給機構及び液体回収機構の他の実施形態を示す図である。 図 8は、 液体供給機構及び液体回収機構の他の実施形態を示す図である。 図 9は、 液体供給機構及び液体回収機構の他の実施形態を示す図である。 図 1 0 ( a ) 及び （b ) は、 液体供給機構の他の実施形態を示す図である。 図 1 1は、 卜ラップ部材の他の実施形態を示す側断面図である。
図 1 2は、 卜ラップ部材の他の実施形態を示す側断面図である。
図 1 3は、 卜ラップ部材の他の実施形態を示す斜視図である。
図 1 4は、 本発明に係る液体供給機構及び液体回収機構の他の実施形態を示す 概略斜視図である。
図 1 5は、 図 1 4におけるスリツ卜管部の他の実施形態を示す図である。 図 1 6は、 本発明に係る液体供給機構及び液体回収機構の他の実施形態を示す 概略斜視図である。
図 1 7は、 流路形成部材のうち第 1部材を示す斜視図である。
図 1 8 ( a )及び（b )は、流路形成部材のうち第 2部材を示す斜視図である。 図 1 9 ( a )及び（b )は、流路形成部材のうち第 3部材を示す斜視図である。 図 2 0は、 本発明の露光装置の別の実施形態を示す概略構成図である。
図 2 1は、 半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチヤ一ト図である。 発明を実施するための最良の形態 以下、 本発明の露光装置について図面を参照しながら説明する。 図 1は本発明 の露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。 図 1において、 露光装置 E X は、 マスク Mを支持するマスクステージ M S丁と、 基板 Pを支持する基板ステー ジ P S Tと、 マスクステージ M S Tに支持されているマスク Mを露光光 E Lで照 明する照明光学系 Iしと、 露光光 E Lで照明されたマスク Mのパターン像を基板 ステージ P S Tに支持されている基板 Pに投影露光する投影光学系 P Lと、 露光 装置 E X全体の動作を統括制御する制御装置 C 0 N Tとを備えている。 また、 本実施形態の露光装置 E Xは、 露光波長を実質的に短くして解像度を向 上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装 置であって、 基板 P上に液体 1を供給する液体供給機構 1 0と、 基板 P上の液体 1を回収する液体回収機構 2 0とを備えている。 露光装置 E Xは、 少なくともマ スク Mのパターン像を基板 P上に転写している間、 液体供給機構 1 0から供給し た液体 1 により投影光学系 P Lの投影領域 A R 1 を含む基板 P上の一部に液浸領 域 A R 2を形成する。 具体的には、 露光装置 EXは、 投影光学系 P Lの先端部の 光学素子 2と基板 Pの表面との間に液体 1 を満たし、 この投影光学系 P Lと基板 Pとの間の液体 1及び投影光学系 P Lを介してマスク Mのパターン像を基板 Pi: に投影し、 基板 Pを露光する。 ここで、 本実施形態では、 露光装置 EXとしてマスク Mと基板 Pとを走査方向 における互いに異なる向き （逆方向） に同期移動しつつマスク Mに形成されたパ 夕一ンを基板 Pに露光する走査型露光装置 （所謂スキャニングステツパ） を使用 する場合を例にして説明する。 以下の説明において、 投影光学系 P Lの光軸 AX と一致する方向を Z軸方向、 Z軸方向に垂直な平面内でマスク Mと基板 Pとの同 期移動方向 （走査方向） を X軸方向、 Z軸方向及び Y軸方向に垂直な方向 （非走 査方向）を Y軸方向とする。また、 X軸、 Y軸、及び Z軸まわり方向をそれぞれ、 0Χ、 Θ ヽ及び Θ Ζ方向とする。 なお、 ここでいう 「基板」 は半導体ウェハ上 に感光性材料であるフ才卜レジス卜を塗布したものを含み、 「マスク」 は基板上 に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。 照明光学系 I Lはマスクステージ M S Tに支持されているマスク Mを露光光 E Lで照明するものであり、 露光用光源、 露光用光源から射出された光束の照度を 均一化するオプティカルィンテグレ一夕、 オプティカルィンテグレー夕からの露 光光 E Lを集光するコンデンサレンズ、 リレーレンズ系、 露光光 E Lによるマス ク M上の照明領域をスリツ ト状に設定する可変視野絞り等を有している。 マスク M上の所定の照明領域は照明光学系 I Lにより均一な照度分布の露光光 E Lで照 明される。 照明光学系 I Lから射出される露光光 E Lとしては、 例えば水銀ラン プから射出される紫外域の輝線 （g線、 h線、 i線） 及び K r Fエキシマレーザ 光 (波長 248 nm)等の遠紫外光 (D UV光）や、 A r Fエキシマレ一ザ光 (波 長 1 93 nm) 及び F2レーザ光 (波長 1 57 nm) 等の真空紫外光 (V U V光） などが用いられる。本実施形態においては A r Fエキシマレーザ光が用いられる。 マスクステージ M S Tはマスク Mを支持するものであって、 投影光学系 Pしの 光軸 A Xに垂直な平面内、 すなわち X Y平面内で 2次元移動可能及び 0 Z方向に 微小回転可能である。 マスクステージ M S Tはリニアモー夕等のマスクステージ 駆動装置 M S T Dにより駆動される。 マスクステージ駆動装置 M S T Dは制御装 置 C 0 N Tにより制御される。 マスクステージ M S T上には移動鏡 5 0が設けら れている。 また、 移動鏡 5 0に対向する位置にはレーザ干渉計 5 1 が設けられて いる。 マスクステージ M S T上のマスク Mの 2次元方向の位置、 及び回転角はレ 一ザ干渉計 5 1によりリアルタイムで計測され、 計測結果は制御装置 C O N丁に 出力される。 制御装置 C O N Tはレーザ干渉計 5 1の計測結果に基づいてマスク ステージ駆動装置 M S T Dを駆動することでマスクステージ M S Tに支持されて いるマスク Mの位置決めを行う。 投影光学系 P Lはマスク Mのバタ一ンを所定の投影倍率^で基板 Pに投影露光 するものであって、 基板 P側の先端部に設けられた光学素子 （レンズ） 2を含む 複数の光学素子で構成されており、これら光学素子は鏡筒 P Kで支持されている。 本実施形態において、 投影光学系 P Lは、 投影倍率 3が例えば 1 / 4あるいは 1 / 5の縮小系である。 なお、 投影光学系 P Lは等倍系及び拡大系のいずれでもよ し、。 また、 本実施形態の投影光学系 P Lの先端部の光学素子 2は鏡筒 P Kに対し て着脱 （交換） 可能に設けられており、 光学素子 2には液浸領域 A R 2の液体 1 が接触する。 光学素子 2は蛍石で形成されている。 蛍石は水との親和性が高いので、 光学素 子 2の液体接触面 2 aのほぼ全面に液体 1 を密着させることができる。すなわち、 本実施形態においては光学素子 2の液体接触面 2 aとの親和性が高い液体 (水) 1 を供給するようにしているので、 光学素子 2の液体接触面 2 aと液体 1 との密 着性が高く、 光学素子 2と基板 Pとの間の光路を液体 1で確実に満たすことがで きる。 なお、 光学素子 2は水との親和性が高い石英であってもよい。 また光学素 子 2の液体接触面 2 aに親水化 （親液化） 処理を施して、 液体 1 との親和性をよ り高めるようにしてもよい。 基板ステージ p s τは基板 pを支持するものであって、 基板 pを基板ホルダを 介して保持する Zステージ 5 2と、 Zステージ 5 2を支持する X Yステージ 5 3 と、 X Yステージ 5 3を支持するベース 5 4とを備えている。 基板ステージ P S Tはリニアモ一夕等の基板ステージ駆動装置 P S T Dにより駆動される。 基板ス テ一ジ駆動装置 P S T Dは制御装置 C 0 N Tにより制御される。 Zステージ 5 2 を駆動することにより、 Zステージ 5 2に保持されている基板 Pの Z軸方向にお ける位置 （フォーカス位置） 、 及び 0 X、 0 Y方向における位置が制御される。 また、 X Yステージ 5 3を駆動することにより、 基板 Pの X Y方向における位置 (投影光学系 P Lの像面と実質的に平行な方向の位置）が制御される。すなわち、 Zステージ 5 2は、 基板 Pのフォーカス位置及び傾斜角を制御して基板 Pの表面 を才一トフ才一カス方式、 及び才ー卜レペリング方式で投影光学系 P Lの像面に 合わせ込み、 X Yステージ 5 3は基板 Pの X軸方向及び Y軸方向における位置決 めを行う。 なお、 Zステージと X Yステージとを一体的に設けてよいことは言う までもない。 基板ステージ P S T ( Zステージ 5 2 ) 上には、 基板ステージ P S Tとともに 投影光学系 P Lに対して移動する移動鏡 5 5が設けられている。 また、 移動鏡 5 5に対向する位置にはレーザ干渉計 5 6が設けられている。 基板ステージ P S T 上の基板 Pの 2次元方向の位置、 及び回転角はレーザ干渉計 5 6によりリアルタ ィ厶で計測され、 計測結果は制御装置 C O N Tに出力される。 制御装置 C O N T はレーザ干渉計 5 6の計測結果に基づいて基板ステージ駆動装置 P S T Dを駆動 することで基板ステージ P S Tに支持されている基板 Pの位置決めを行う。 また、 基板ステージ P S T ( Zステージ 5 2 ) 上には、 基板 Pを囲むように補 助プレート 5 7が設けられている。 補助プレー卜 5 7は基板ホルダに保持された 基板 Pの表面とほぼ同じ高さの平面を有している。 ここで、 基板 Pのエッジと補 助プレー卜 5 7との間には 0 . 1〜2 m m程度の隙間があるが、 液体 1の表面張 力によりその隙間に液体 1 が流れ込むことはほとんどなく、 基板 Pの周縁近傍を 露光する場合にも、 補助プレー卜 5 7により投影光学系 P Lの下に液体 1を保持 することができる。 液体供給機構 1 0は所定の液体 1 を基板 P上に供給するものであって、 液体 1 を供給可能な第 1液体供給部 1 1及び第 2液体供給部 1 2と、 第 1液体供給部 1 1に流路を有する供給管 1 1 Aを介して接続され、 この第 1液体供給部 1 1から 送出された液体 1 を基板 P上に供給する供給口 1 3 Aを有する第 1供給部材 1 3 と、 第 2液体供給部 1 2に流路を有する供給管 1 2 Aを介して接続され、 この第 2液体供給部 1 2から送出された液体 1 を基板 P上に供給する供給口 1 4 Aを有 する第 2供給部材 1 4とを備えている。 第 1、 第 2供給部材 1 3、 1 4は基板 P の表面に近接して配置されており、 基板 Pの面方向において互いに異なる位置に 設けられている。 具体的には、 液体供給機構 1 0の第 1供給部材 1 3は投影領域 A R 1に対して走査方向一方側 （― X側） に設けられ、 第 2供給部材 1 4は他方 側 （+ X側） に設けられている。 第 1、 第 2液体供給部 1 1、 1 2のそれぞれは、 液体 1 を収容するタンク、 及 び加圧ポンプ等を備えており、 供給管 1 1 A、 1 2 A及び供給部材 1 3、 1 4の それぞれを介して基板 P上に液体 1を供給する。 また、 第 1 、 第 2液体供給部 1 1、 1 2の液体供給動作は制御装置 C O N Tにより制御され、 制御装置 C O N T は第 1、 第 2液体供給部 1 1、 1 2による基板 P上に対する単位時間あたりの液 体供給量をそれぞれ独立して制御可能である。 本実施形態において、 液体 1には純水が用いられる。 純水は A r Fエキシマレ 一ザ光のみならず、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線（ g線、 h線、 1線）及び K r Fエキシマレーザ光 (波長 2 4 8 n m )等の遠紫外光 ( D U V光） も透過可能である。 液体回収機構 2 0は基板 P上の液体 1 を回収するものであって、 基板 Pの表面 に近接して配置された回収口 2 2 Aを有する回収部材 2 2と、 この回収部材 2 2 に流路を有する回収管 2 1 Aを介して接続された液体回収部 2 1とを備えている。 液体回収部 2 1は例えば真空ポンプ等の吸引装置、 及び回収した液体 1を収容す るタンク等を備えており、 基板 P上の液体 1を回収部材 2 2及び回収管 2 1 Aを 介して回収する。 液体回収部 2 1の液体回収動作は制御装置 C O N Tにより制御 され、 制御装置 C O N Tは液体回収部 2 1による単位時間あたりの液体回収量を 制御可能である。 また、 液体回収機構 2 0の回収部材 2 2の外側には、 液体 1を捕捉する所定長 さの液体卜ラップ面 3 1が形成された卜ラップ部材 3 0が配置されている。 図 2は液体供給機構 1 0及び液体回収機構 2 0の概略構成を示す平面図、 図 3 は一部破断して図示した斜視図である。 図 2に示すように、 投影光学系 P Lの投 影領域 A R 1は Y軸方向 （非走査方向） を長手方向とする矩形状に設定されてお り、 液体 1が満たされた液浸領域 A R 2は投影領域 A R 1を含むように基板 P上 の一部に形成されている。 そして、 投影領域 A R 1の液浸領域 A R 2を形成する ための液体供給機構 1 0の第 1供給部材 1 3は投影領域 A R 1に対して走査方向 一方側 （― X側） に設けられ、 第 2供給部材 1 4は他方側 （+ X側） に設けられ ている。 図 2及び図 3に示すように、 第 1、 第 2供給部材 1 3、 1 4は、 第 1、 第 2液 体供給部 1 1、 1 2から送出された液体 1を流通する内部空間 （内部流路） 1 3 H、 1 4 Hと、 内部空間 1 3 H、 1 4 Hを流通した液体 1を基板 P上に供給する 供給口 1 3 A、 1 4 Aとをそれぞれ有している。 なお、 図 3には第 2液体供給部 1 2は図示されていないが、 構造は第 1液体供給部 1 1 と同じである。 第 1、 第 2供給部材 1 3、 1 4の供給口 1 3 A、 1 4 Aはそれぞれ平面視略円弧状に形成 されており、 この供給口 1 3 A、 1 4 Aの Y軸方向におけるサイズは、 少なくと も投影領域 A R 1の Y軸方向におけるサイズより大きくなるように設定されてい る。 そして、 平面視略円弧状に形成されている供給口 1 3 A、 1 4 Aは走査方向 ( X方向） に関して投影領域 A R 1を挟むように配置されている。 液体供給機構 1 0は、 供給口 1 3 A、 1 4 Aより、 投影領域 A R 1に対して異なる複数の方向 に離れた複数の位置から、 すなわち、 矩形の投影領域 A R 1の異なる側 （この例 では、 投影領域 A R 1の両側 （+ X方向側、 — X方向側） ） から液体 1を同時に 供給する。 液体回収機構 2 0の回収部材 2 2は二重環状部材であって、 基板 Pの表面に向 くように環状に連続的に形成された回収口 2 2 Aと、 回収口 2 2 Aから回収され た液体 1を流通する環状の内部空間 (内部流路) 2 2 Hとを有している。 液体回 収機構 2 0の回収部材 2 2は液体回収機構 1 0の供給部材 1 3、 1 4、 及び投影 領域 A R 1を取り囲むように配置されている。 そして、 回収部材 2 2の内部には この内部空間 2 2 Hを周方向において複数の空間 （分割空間） 2 4に分割する仕 切部材 （仕切り） 2 3が所定間隔で設けられている。 すなわち、 投影領域 A R 1 を取り囲むように連続的に形成された回収口 2 2 Aの内部に仕切部材 2 3が設け られた構成となっている。仕切部材 2 3により分割された分割空間 2 4のそれぞ れは上下方向で貫通している。 そして、 回収部材 2 2のうち、 回収口 2 2 Aを有 する下端部は基板 Pの表面に近接され、 一方、 上端部は複数の分割空間 2 4を空 間的に集合する集合空間部であるマ二ホールド部 2 .5となっている。 そして、 こ のマ二ホールド部 2 5に回収管 2 1 Aの一端部が接続され、 他端部が液体回収部 2 1に接続されている。液体回収機構 2 0は、 液体回収部 2 1を駆動することに より、 回収口 2 2 A (回収部材 2 2 ) 及び回収管 2 1 Aを介して基板 P上の液体 1を回収する。 すなわち、 回収口 2 2 Aの設置位置が基板 P上の液体 1の回収を 行う回収位置であり、 液体回収機構 2 0は投影領域 A R 1から離れた回収位置で 基板 P上の液体 1の回収を行うようになっている。 ここで、 液体回収機構 2 0の 回収口 2 2 Aは平面視略円環状であって投影領域 A R 1を取り囲んだ構成となつ ている。 すなわち、 回収口 2 2 Aは、 矩形の投影領域 A R 1の 4つの側 ( + X方 向側、 一 X方向側、 + Y方向側、 一 Y方向側） 、 換言すると投影領域 A R 1に対 して直交する 4つの方向に離れた 4つの位置に存在している。 したがって、 液体 回収機構 2 0は、 投影領域 A R 1を取り囲むように設けられている回収口 2 2 A より、 投影領域 A R 1に対して異なる複数の方向に離れた複数の位置で基板 P上 の液体 1の回収を同時に行うことができる。 そして、 液体供給機構 1 0の第 1、 第 2供給部材 1 3、 1 4それぞれの供給口 1 3 A、 1 4 Aの設置位置、 すなわち基板 P上に対する液体 1の供給位置は、 液 体回収位置 （回収口 2 2 Aの位置） と投影領域 A R 1 との間に設けられた構成と なっている。 つまり、 液体供給機構 1 0による液体 1の供給は、 液体回収機構 2 0の液体回収位置と投影領域 A R 1 との間で行われる。 図 4は基板 Pに近接して配置された第 1、 第 2供給部材 1 3、 1 4、 及び回収 部材 2 2を示す要部拡大側断面図である。 図 4に示すように、 液体供給機構 1 0 の第 1、 第 2供給部材 1 3、 1 4それぞれの内部流路 1 3 H、 1 4 1~1は基板？の 表面に対してほぼ垂直に設けられている。 同様に、 液体回収機構 2 0の回収部材 2 2の内部流路 2 2 H (分割空間 2 4 ) も、 基板 Pの表面に対してほぼ垂直に設 けられている。 そして、 第 1、 第 2供給部材 1 3、 1 4による基板 Pに対する液 体 1の供給位置 （供給口 1 3 A、 1 4 Aの設置位置） は、 液体回収機構 2 0の液 体回収位置 （回収口 2 2 Aの設置位置） と投影領域 A R 1 との間に設定されてい る。 また、 投影光学系 P Lと第 1、 第 2供給部材 1 3、 1 4のそれぞれとは所定 距離だけ離れて設けられているとともに、 回収部材 2 2と第 1、 第 2供給部材 1 3、 1 4のそれぞれとも所定距離だけ離れて設けられている。 また、 本実施形態 では、 基板 Pの表面と供給口 1 3 A、 1 4 Aとの距離と、 基板 Pの表面と回収口 2 2 Aとの距離と、 基板 Pの表面と投影光学系 P Lの下端面との距離とはほぼ同 じに設定されている。換言すれば、 供給口 1 3 A、 1 4 A、 回収口 2 2 A s 及び 投影光学系 P Lの下端面それぞれの Z軸方向における位置 （高さ） は同じに設定 されている。 そして、第 1、第 2供給部材 1 3、 1 4の供給口 1 3 A、 1 4 Aから基板 Pに、 基板面に対してほぼ垂直方向から供給された液体 1は、 投影光学系 P Lの先端部 (光学素子 2 ) の下端面と基板 Pとの間に濡れ拡がるように供給される。 また、 投影領域 A R 1に対して供給部材 1 3、 1 4の外側に流出した液体 1は、 この供 給部材 1 3、 1 4より投影領域 A R 1に対して外側に配置されている回収部材 2 2の回収口 2 2 Aより基板面からほぼ垂直方向に回収 （吸引） されるようになつ ている。 ここで、 液体供給機構 1 0及び液体回収機構 2 0を構成する各部材のうち少な くとも液体 1が流通する部材は、 例えばポリ四フッ化工チレン等の合成樹脂によ り形成されている。 これにより、 液体 1に不純物が含まれることを抑制できる。 液体回収機構 2 0の回収部材 2 2のうち投影領域 A R 1に対して外側には、 液 体回収機構 2 0の回収部材 2 2で回収しきれなかった液体 1を捕捉する所定長さ の液体卜ラップ面 3 1が形成されたトラヅプ部材 3 0が設けられている。 トラヅ プ部材 3 0は回収部材 2 2の外側面に取り付けられている。 トラップ面 3 1は卜 ラップ部材 3 0のうち基板 P側を向く面 （すなわち下面） であって、 図 4に示す ように、 水平面に対して傾斜している。 具体的には、 卜ラップ面 3 1は投影領域 A R 1 (液浸領域 A R 2 ) に対して外側に向かうにつれて基板 Pの表面に対して 離れるように （上に向かうように） 傾斜している。 卜ラップ部材 3 0は、 例えば ステンレス等の金属により形成されている。 図 2に示すように、 トラップ部材 3 0は平面視環状部材であって、 回収部材 2 2に嵌合するように回収部材 2 2の外側面に接続されている。 そして、 トラップ 部材 3 0の卜ラップ面 3 1は投影領域 A R 1 (液浸領域 A R 2 ) を取り囲むよう に配置されており、 本実施形態における卜ラップ部材 3 0及びこの下面のトラッ プ面 3 1は平面視略楕円形状となっている。 すなわち、 卜ラップ部材 3 0のトラ 、ソプ面 3 1は投影光学系 P Lの光軸 A Xを基準として、 放射方向の長さがその位 置に応じて異なるように設けられている。本実施形態では、走査方向（X軸方向） における卜ラップ面 3 1の長さが、 非走査方向 （Y軸方向） に対して長くなつて いる。 更に具体的には、 投影領域 A R 1の Y軸方向中央部に対応する位置におけ る卜ラップ面 3 1の長さが最も長くなつている。 トラップ面 3 1には、 液体 1 との親和性を高める親液化処理 （親水化処理） が 施されている。 本実施形態において、 液体 1は水であるため、 トラップ面 3 1に は水との親和性に応じた表面処理が施されている。 なお、 基板 Pの表面には撥水 性 （接触角 7 0〜8 0 ° 程度） の A r Fエキシマレーザ用の感光材 （例えば、 東 京応化工業株式会社製 TARF-P6100 ) が塗布されており、 卜ラップ面 3 1の液体 1 に対する液体親和性が基板 Pの表面の液体 1に対する液体親和性よりも高くなつ ている。 卜ラップ面 3 1に対する表面処理は液体 1の極性に応じて行われる。 本実施形 態における液体 1は極性の大きい水であるため、 卜ラップ面 3 1に対する親水化 処理として、 例えばアルコールなど極性の大きい分子構造の物質で薄膜を形成す ることで、 このトラップ面 3 1に対して親水性を付与する。 あるいは、 卜ラップ 面 3 1に対して、 例えば処理ガスとして酸素 （0 2 ) を用いてプラズマ処理する 0 2プラズマ処理を施すことによつても親水性を付与することができる。 このよ うに、 液体 1 として水を用いる場合には卜ラップ面 3 1 に O H基など極性の大き い分子構造を持ったものを表面に配置させる処理が望ましい。 ここで、 表面処理 のための薄膜は液体 1 に対して非溶解性の材料により形成される。 また、 親液化 処理は、 使用する液体 1の材料特性に応じてその処理条件を適宜変更される。 次に、 上述した露光装置 E Xを用いてマスク Mのバタ ン像を基板 Pに露光す る方法について説明する。 ここで、 本実施形態における露光装置 E Xは、 マスク Mと基板 Pとを X軸方向 (走査方向) に移動しながらマスク Mのパターン像を基板 Pに投影露光するもの であって、 走査露光時には、 投影光学系 P Lの先端部直下の矩形状の投影領域 A R 1にマスク Mの一部のパターン像が投影され、 投影光学系 P Lに対して、 マス ク Mが— X方向 （又は + X方向） に速度 Vで移動するのに同期して、 X Yステー ジ 5 3を介して基板 Pが + X方向（又は— X方向） に速度；5 ■ V ( ^は投影倍率） で移動する。 そして、 図 5の平面図に示すように、 基板 P上には複数のショット 領域 S 1〜S 1 2が設定されており、 1つのショッ 卜領域への露光終了後に、 基 板 Pのステッピング移動によって次のショッ 卜領域が走査開始位置に移動し、 以 下、 ステップ ·アンド ·スキャン方式で基板 Pを移動しながら各ショッ 卜領域に 対する走査露光処理が順次行われる。 なお、 本実施形態では、 制御装置 C O N T は、 投影光学系 Pしの光軸 A Xが図 5の破線矢印 5 8に沿って進むようにレーザ 干渉計 5 6の出力をモニタしつつ X Yステージ 5 3を移動するものとする。 まず、 マスク Mがマスクステージ M S Tにロードされるとともに、 基板 Pが基 板ステージ P S Tにロードされる （図 1参照） 。 次いで、 走査露光処理を行うに 際し、 制御装置 C O N Tは液体供給機構 1 0を駆動し、 基板 P上に対する液体供 給動作を開始する。 液浸領域 A R 2を形成するために液体供給機構 1 0の第 1、 第 2液体供給部 1 1、 1 2のそれぞれから供給された液体 1は、 供給管 1 1 A、 1 2 Aを流通した後、 第 1、 第 2供給部材 1 3、 1 4を介して基板 P上に供給さ れ、 投影光学系 P Lと基板 Pとの間に液浸領域 A R 2を形成する。 ここで、 図 4 に示すように、 供給管 1 1 A、 1 2 Aを流通した液体 1は供給部材 1 3、 1 4の 内部流路 1 3 H、 1 4 Hの幅方向に拡がり、 供給口 1 3 A、 1 4 Aより基板 P上 の広い範囲に供給される。 このとき、 供給口 1 3 A、 1 4 Aは投影領域 A R 1の X軸方向 （走査方向） 両側に配置されており、 制御装置 C O N Tは、 液体供給機 構 1 0の供給口 1 3 A、 1 4 Aより投影領域 A R 1の両側から基板 P上への液体 1の供給を同時に行う。 液体供給機構 1 0は、 投影領域 A R 1の両側に設けられている供給口 1 3 A、 1 4 Aより、 すなわち、 投影領域 A R 1に対して異なる複数の方向 （+ X方向、 一 X方向) に離れた複数の位置から液体 1 を同時に供給する。 これにより、 供給 口 1 3 A、 1 4 Aから基板 P上に供給された液体 1は液浸領域 A R 2を少なくと も投影領域 A R 1より広い範囲で形成する。 本実施形態において、 投影領域 A R 1の走査方向両側から基板 Pに対して液体 1 を供給する際、 制御装置 C O N Tは、 液体供給機構 1 0の第 1、 第 2液体供給 部 1 1、 1 2の液体供給動作を制御し、 走査方向に関して、 投影領域 A R 1の手 前から供給する単位時間あたりの液体供給量を、 その反対側で供給する液体供給 量よりも多く設定する。 例えば、 基板 Pを + X方向に移動しつつ露光処理する場 合、 制御装置 C O N Tは、 投影領域 A R 1 に対して一 X側 （すなわち供給口 1 3 A )からの液体量を、 + X側（すなわち供給口 1 4 A )からの液体量より多く し、 一方、 基板 Pを— X方向に移動しつつ露光処理する場合、 投影領域 A R 1に対し て + X側からの液体量を、 — X側からの液体量より多くする。 また、 制御装置 C O N Tは、 液体回収機構 2 0の液体回収部 2 1 を駆動し、 液 体供給機構 1 0による液体 1の供給動作と並行して、 基板 P上の液体回収動作を 行う。 これにより、 図 4に示すように、 供給口 1 3 A、 1 4 Aより投影領域 A R 1に対して外側に流れる基板 P上の液体 1は、 回収口 2 2 Aより回収される。 回 収ロ 2 2 Aから回収された液体 1は仕切部材 2 3により仕切られた分割空間 2 4 のそれぞれを流通した後、 マ二ホールド部 2 5に集合する。 マ二ホールド部 2 5 に集合した液体 1は回収管 2 1 Aを通って液体回収部 2 1に回収される。 このよ うに、 本実施形態では、 1つの液体回収部 2 1に対して複数の分割空間 2 4が接 続されている構造を備えている。 そして、 液体回収機構 2 0は、 投影領域 A R 1 を取り囲むように設けられている回収口 2 2 Aより、 投影領域 A R 1 に対して異 なる複数の方向に離れた複数の位置、 すなわち、 矩形の投影領域 A R 1の 4つの 側 （+ X方向側、 — X方向側、 + Y方向側、 一 Y方向側） から基板 P上の液体 1 の回収を同時に行う。 制御装置 C 0 N Tは、 液体供給機構 1 0及び液体回収機構 2 0により基板 Pの 表面に対する液体 1の供給と並行して基板 P上の液体 1の回収を行いつつ、 基板 Pを支持する基板ステージ P S Tを X軸方向 （走査方向） に移動しながら、 マス ク Mのバタ -ン像を投影光学系 P Lと基板 Pとの間の液体 1及び投影光学系 P L を介して基板 P上に投影露光する。 このとき、 液体供給機構 1 0は走査方向に関 して投影領域 A R 1の両側から供給口 1 3 A、 1 4 Aを介して液体 1の供給を同 時に行っているので、 液浸領域 A R 2は均一且つ良好に形成されている。 また、 液体回収機構 2 0は、 投影領域 A R 1を囲む回収部材 2 2の回収口 2 2 Aを介し て投影領域 A R 1の走査方向両側を含む投影領域 A R 1周囲の複数の位置におい て液体 1の回収を同時に行っているたぬ、 液体 1の基板 P周囲への流出や飛散を 防止している。 なお、 本実施形態においては、 基板 P表面の感光材との親和性が 低い純水を液体 1 として供給するようにしているので、 液体回収機構 2 0による 回収を円滑に行うことができる。 図 6 ( a ) は、 基板 Pを + X方向に移動しながら基板 P上に設定された第 1の ショウト領域 （例えば図 5の S 1、 S 3など） を露光処理する際の液体 1の挙動 を示す模式図である。 図 6 ( a ) において、 投影光学系 P Lと基板 Pとの間の空 間に対して供給口 1 3 A、 1 4 Aから液体 1が同時に供給され、 これにより投影 領域 A R 1を含むように液浸領域 A R 2が形成される。 ここで、 投影領域 A R 1 に対して— X側に設けられている供給口 1 3 Aから供給される液体 1の単位時間 あたりの液体量が、 + X側に設けられている供給口 1 4 Aから供給される液体 1 の単位時間あたりの液体量より多く設定されているため、 供給口 1 3 Aから供給 された液体 1は + X方向に移動する基板 Pに引っ張られるようにして、 投影光学 系 P Lと基板 Pとの間の空間に円滑に配置される。 また、 供給口 1 3 A、 1 4 A より外側に流出しょうとする液体 1は回収口 2 2 Aより回収され、 基板 P周囲に 流出したりする不都合の発生が抑えられている。 ここで、 基板 Pが + X方向に移動することにより、 投影領域 A R 1に対して + X側に移動する液体量が増し、 + X側に液体回収位置を設けている回収口 2 2 A が液体 1を全て回収できない場合がある。 ところが、 図 6 ( a ) に示すように、 + X側の回収口 2 2 Aで回収しきれなかつた液体 1はこの液体回収位置より + X 側に設けられている卜ラップ部材 3 0のトラップ面 3 1で捕捉されるため、 基板 Pの周囲等に流出したり飛散したりすることがない。 ここで、 トラップ面 3 1は 液体 1に対して親液化処理されており、 しかも基板 Pの表面より高い液体親和性 を有しているので、 回収口 2 2 Aの液体回収位置より外側に流出しょうとする液 体 1は、 基板 P側に引っ張られずに卜ラップ面 3 1側に引っ張られる。 これによ り、 基板 P上に液体 1 が残存する等の不都合の発生が抑えられている。 ここで、 トラップ面 3 1は投影領域 A R 1 を含む液浸領域 A R 2を基準として 外側に向かうにつれて上方向に傾斜しているため、 液体 1の外部への流出をより 効果的に防止できる。 つまり、 上方向に傾斜していることにより、 基板 Pと投影 光学系 P Lとの間の第 1の体積 （基板 Pの単位面積に対応する体積） に対して、 基板 Pと卜ラップ面 3 1 との間の第 2の体積の (まうが大きくなるため、 流出しよ うとする液体 1は第 2の体積部分に円滑に保持される。 また、 上方向に傾斜して いることにより、 外側に流出しょうとする流体エネルギーは卜ラップ面 3 1に沿 つて上方向に移動することで位置エネルギーに変換され、 これにより液体 1の外 側への流出を効果的に防止できる。 また、 + X側に設けられている供給口 1 4 Aから供給される液体量は、 — X側 に設けられている供給口 1 3 Aから供給される液体量に対して少なく設定されて いる。 すなわち、 + X側の回収口 2 2 Aに対して供給口 1 3 Aより近い位置にあ る供給口 1 4 Aからの液体供給量が少な〈設定されているので、 + X側に移動す る基板 Pに液体 1が引っ張られても、 基板 Pの + X側から外部に流出しようとす る液体量が抑えられている。 第 1のショッ 卜領域の露光処理が終了したら、 制御装置 C O N Tは、 投影光学 系 P Lの投影領域 A R 1 を前記第 1のショッ 卜領域とは別の第 2のショッ 卜領域 に配置するために、 基板 Pをステッピング移動する。 具体的には、 例えばショウ ト領域 S 1に対する走査露光処理終了後、 ショッ 卜領域 S 2に対して走査露光処 理するために、 制御装置 C O N Tは基板 P上の 2つのショヅ 卜領域 S 1、 S 2間 で Y軸方向にステッピング移動する。 このとき、 液体供給機構 1 0は、 基板 P i の 2つのショッ 卜領域間のステッピング移動中における液体 1の供給量を、 ショ ヅ ト領域の露光中における供給量に対して異ならせる。 具体的には、 制御装置 C 〇N Tは、 ステッピング移動中での液体供給機構 1 0からの基板 P上に対する単 位時間あたりの液体供給量を、 ショッ ト領域の走査露光中の液体供給量より少な くする。 これにより、 露光処理に寄与しないステッピング移動中での基板 Pに対 する液体供給量が抑えられ、 露光処理全体 （基板 Pが基板ステージ P S Tにロー ドされて全ショッ 卜領域 S 1〜S 1 2に対する露光処理が終了して基板ステージ P S Tからアンロードされるまで） における液体使用量を抑えることができる。 このように、 制御装置 C O N Tは、 露光処理実行動作の一部を構成する基板 Pの 移動動作 （ステッピング移動又は走査移動） に応じて、 第 1、 第 2液体供給部 1 1、 1 2それぞれの単位時間あたりの液体供給量を変える。 ここで、 液体供給機構 1 0は、 基板 Pのステッピング移動中において液体 1の 単位時間あたりの供給量を低減させるが、液体 1の供給動作を維持（継続）する。 つまり、 液体供給機構 1 0は、 ショッ 卜領域が変わることにより走査方向が変わ つたり、 あるいはステッピング移動時においても、 供給口 1 3 A、 1 4 Aからの 液体供給動作を維持 （継続） する。 このように、 液体供給機構 1 0は、 基板 P上 の複数のショッ 卜領域を順次露光するときに、 複数の位置に設けられた供給口 1 3 A、 1 4 Aから液体 1 を供給し続け、 走査方向に応じて液体供給位置を変えた り、 ステッピング移動時に液体供給位置を変えたりしない。 換言すれば、 液体供 給機構 1 0は、 1つの基板 Pに関する一連の露光処理動作が終了するまで （基板 Pが基板ステージ P S Tにロードされて全ショヅ 卜領域 S 1〜S 1 2に対する露 光処理が終了して基板ステージ P S Tからアンロードされるまで） 、 複数の位置 から液体 1 を供給し続ける。 これにより、 液体 1の供給及び停止に起因する液体 の振動 （ウォーターハンマー現象） の発生を防止することができる。 図 6 ( b ) は、 基板 Pを一 X方向に移動しながら基板 P上に設定された第 2の ショッ ト領域 (例えば図 5の S 2、 S 4など) を露光処理する際の液体 1の挙動 を示す模式図である。 図 6 ( b ) において、 投影光学系 P Lと基板 Pとの間の空 間に対して供給口 1 3 A、 1 4 Aから液体 1 が供給され、 これにより投影領域 A R 1を含むように液浸領域 A R 2が形成される。 ここで、 投影領域 A R 1に対し て + X側に設けられている供給口 1 4 Aから供給される液体 1の単位時間あたり の液体量が、 一 X側に設けられている供給口 1 3 Aから供給される液体 1の単位 時間あたりの液体量より多〈設定されているため、 供給口 1 4 Aから供給された 液体 1は— X方向に移動する基板 Pに引っ張られるようにして、 投影光学系 P L と基板 Pとの間の空間に円滑に配置される。 このように、 制御装置 C O N Tは、 露光処理実行動作の一部を構成する基板 Pの移動方向 （移動動作） に応じて、 第 1、第 2液体供給部 1 1、1 2それぞれの単位時間あたりの液体供給量を変える。 また、 供給口 1 3 A、 1 4 Aより外側に流出しょうとする液体 1は回収口 2 2 A より回収され、 基板 P周囲に流出したりする不都合の発生を抑えられている。 ここで、 基板 Pがー X方向に移動することにより、 + X側のトラップ面 3 1に 捕捉されている液体 1はトラップ面 3 1に沿って下降し、 液体回収機構 2 0の回 収ロ 2 2 Aより回収される。 これにより、 液体 1の残存や外部への流出を確実に 防止することができる。 そして、 基板 Pの— X側への移動に伴って— X側に移動 する液体量が増し、 これにより一 X側の回収口 2 2 Aで液体 1 を全て回収しきれ なくても、 図 6 ( b ) に示すように、 この液体回収位置より— X側に設けられて いる 卜ラップ部材 3 0のトラップ面 3 1で液体 1が捕捉される。 なお、 ここでは、 卜ラップ面 3 1は投影領域 A R 1 に対して外側に向かうにつ れて上方向に傾斜するように形成されているが、 水平 （0度） であってもよい。 —方、 卜ラップ面 3 1が下方向に傾斜していると、 外側に流出しょうとする流体 エネルギーは位置エネルギーに変換されず、 しかも逆方向に基板 Pが移動する際 にも流体 1は卜ラップ面 3 1 に沿って下降するように回収口 2 2 Aまで移動しな いため、 液体 1 を回収口 2 2 Aで円滑に回収することができない。 したがって、 トラップ面 3 1は水平面（0度）または上方向への傾斜面であることが好ましい。 なお、 基板 P上に対する単位時間あたりの液体供給量が多い場合や、 走査速度 が高速である場合、 外側に流出しょうとする液体量も多くなるので、 卜ラップ面 3 1の傾斜角度はこれら液体供給量及び走査速度に応じて最適角度に設定されて いる。 つまり、 液体供給量が多い場合や走査速度が高速である場合には、 卜ラッ プ面 3 1の傾斜角度は大きく設定される。 一方、 トラップ面 3 1の傾斜角度が大 きすぎると、 卜ラップ面 3 1で液体 1を捕捉（保持）しきれなくなる場合がある。 ここで、 親液化処理による親液性を強くすることでトラップ面 3 1の液体保持力 が大きくなるので、 傾斜角度を大きくする場合、 親液化処理の処理条件を変更し て卜ラップ面 3 1に対して最適な親液性を付与することにより、 傾斜角度を大き くしても液体 1を保持することができる。そこで、卜ラップ面 3 1の傾斜角度は、 液体供給量、 走査速度、 及び液体の材料特性 （卜ラップ面の液体親和性） 等の各 パラメータに基づいて、 最適角度に設定される。 ところで、 本実施形態の回収部材 2 2は、 円環状に連続的に形成された回収口 2 2 Aと、 回収口 2 2 Aの内部に設けられた仕切部材 2 3と、 この仕切部材 2 3 で分割された複数の分割空間 2 4とを有する構成であって、 複数の分割空間 2 4 を集合するマ二ホールド部 2 5に回収管 2 1 Aを介して液体回収部 2 1が接続さ れている構成である。 これにより、 真空ポンプ等を含んで構成される液体回収部 2 1は 1つ設ければいいため、 装置構成を簡略化できる。 ここで、 回収部材 2 2 の周方向の各位置のそれぞれにおいて液体 1を回収するための吸引負荷が異なる 状態が発生し、 これにより液体回収部 2 1の吸引力が低下し、 回収動作を円滑に 行うことができなくなる場合がある。 しかしながら、 仕切部材 2 3を設けたこと により回収動作を円滑に行うことができる。 つまり、 例えば、 液体 1の挙動に起 因して、回収部材 2 2のうち + X側の回収口 2 2 Aでは液体 1のみが回収（吸引） されているのに対し、 —X側の回収口 2 2 Aでは空気を含んで （空気をかみこん で） 吸引する状態が発生する場合がある。 この場合、 —X側の回収口 2 2 Aにお ける空気かみこみ領域が拡がり、 本実施形態のように一系統の液体回収部 2 1で 液体 1を回収する場合、 かみこんだ空気により液体回収部 2 1を構成する真空ポ ンプの吸引力が低下する不都合が生じる場合がある。 ところが、 連続的に形成さ れた回収口 2 2 Aの内部 (内部空間 2 2 H ) に仕切部材 2 3を設けて互いに独立 した分割空間 2 4を設けたことにより、 空気をかみこむ領域に対して液体 1のみ を吸引する領域を空間的に分離できるので、 空気かみこみ領域が拡がったりかみ こんだ空気により液体回収部 2 1の吸引力が低下するといつた不都合の発生を防 止でき、 これにより液体回収部 2 1がー系統であっても液体回収機構 2 0は液体 1を円滑に回収することができる。 以上説明したように、 液浸領域 A R 2を形成するために、 投影領域 A R 1 に対 して異なる複数の方向に離れた複数の位置で (投影領域 A R 1の互いに異なる複 数の側から） 基板 P上の液体 1の供給を同時に行う液体供給機構 1 0を設けたの で、 基板 Pが走査方向 ( ± X方向) 及びステッピング方向 (士 Y方向) を含む複 数の方向に移動する場合であっても、 投影光学系 P Lと基板 Pとの間に液浸領域 A R 2を常に円滑且つ良好に形成することができる。 したがって、 高い解像度及 び広い焦点深度のもとで露光処理を行うことができる。 基板 P上の複数のショッ ト領域のそれぞれを順次露光処理する際に、 液体供給 機構 1 0により複数の位置から液体 1 を供給し続けるようにしたので、 液体 1の 供給及び停止に伴う液体振動 （ウォーターハンマー現象） の発生を防止すること ができ、 これにより転写されるパターン劣化を防止することができる。 また、 液体供給機構 1 0は、 供給口 1 3 A、 1 4 Aより、 投影領域 A R 1の走 査方向両側から液体 1 を供給するようにしたので、供給された液体 1は走査方向 に移動する基板 Pに引っ張られるようにして投影領域 A R 1に濡れ拡がるため、 液浸領域 A R 2は投影領域 A R 1を含むように円滑に形成される。 そして、 本実 施形態では、 液体供給機構 1 0は、 走査方向に関して、 投影領域 A R 1の手前か ら供給する液体量を、 その反対側で供給する液体量よりも多くするので、 基板 P 上に供給された液体 1は、 移動する基板 Pに引っ張られるようにして基板 Pの移 動方向に沿って流れ、 投影光学系 P Lと基板 Pとの間の空間に引き込まれるよう にして円滑に配置される。 したがって、 液体供給機構 1 0から供給された液体 1 は、 その供給エネルギーが小さくても投影光学系 P Lと基板 Pとの間に円滑に配 置され、 液浸領域 A R 2を良好に形成することができる。 そして、 走査方向に応 じて供給口 1 3 A、 1 4 Aそれぞれから供給する液体量を変更することで液体 1 の流れる方向を切り替えることができ、 これにより + X方向、 又は一 X方向のど ちらの方向に基板 Pを走査する場合にも、 投影光学系 P Lと基板 Pとの間に液浸 領域 A R 2を円滑に形成することができ、 高い解像度及び広い焦点深度を得るこ とができる。 また、液体回収機構 2 0の回収部材 2 2は、投影領域 A R 1及び供給部材 1 3、 1 4を囲むように円環状に形成されており、 投影領域 A R 1に対して異なる複数 の方向に離れた複数の位置で （投影領域 A R 1の異なる複数の側から） 基板 P上 の液体 1の回収を同時に行うため、 基板 P外側への液体 1の流出や飛散等といつ た不都合の発生を確実に防ぐことができる。 即ち、 液体回収機構 2 0は、 1つの 基板 Pに関する一連の露光処理動作が終了するまで （基板 P上の全ショッ卜領域 S 1〜S 1 2に対する露光処理が終了して、 液浸領域 A R 2を形成していた液体 1の回収が完了するまで） 、 投影領域 A R 1を取り囲むように配置されている回 収ロ 2 2 Aから回収動作を継続的に行っているので、 基板 Pの一連の露光処理動 作中に液体 1がいずれの方向に濡れ拡がった場合でも、 液体 1を良好に回収する ことができる。 また、 基板 Pに関する一連の露光処理動作中に、 回収口 2 2 Aか らの液体の吸弓 Iを停止させる必要がないので、 液体の吸引停止に伴う振動を抑え ることができる。 また、 液体回収機構 2 0で回収しきれなかった液体 1を捕捉する卜ラップ部材 3 0を設けたことにより、 基板 P外側への液体 1の流出や飛散等の不都合の発生 を防止できる。 そして、 本実施形態において、 トラップ面 3 1は、 液体 1が基板 P外側に最も流出しやすい走査方向 （X軸方向） に沿う方向を長手方向とする平 面視楕円形状に形成されているため、液体 1の外部への流出を確実に防止できる。 また、 卜ラップ面 3 1には液体 1との親和性を高める親液化処理が施されている ので、 流出しょうとする液体 1を良好に捕捉することができる。更に、 卜ラップ 面 3 1の液体親和性は、 基板 P表面の液体親和性よりも高くなるように表面処理 されているので、 外部に流出しょうとする液体 1は基板 Pに付着せずに卜ラップ 面 3 1に捕捉されるため、 基板 Pの表面に液体 1が残存するといつた不都合の発 生を防止できる。 また、 トラップ面 3 1は投影領域 A R 1に対して外側に向かう につれて上方向に傾斜しているので、 外部に流出しょうとする液体 1を良好に捕 捉でき、 しかも、 基板 Pの走査方向が逆方向になった際、 捕捉されている液体 1 は卜ラップ面 3 1 を下方に伝わるため、 このトラップ面 3 1に接続する回収口 2
2 Aで良好に回収される。 また、 液体供給機構 1 0からは、 投影光学系 P Lの先端の液体接触面 2 aとの 親和性が、 基板 P表面に塗布された感光材との親和性よりも高い、 液体 （水） 1 を液浸露光用に供給するようにしているので、 投影光学系 P Lと基板 Pとの間の 光路を液体 1で確実に満たすことができるとともに、 基板 ( P ) 上に供給された 液体 （ 1 ) が円滑に回収され、 液体 1の流出や飛散等の不都合を防止できる。 なお、本実施形態では投影領域 A R 1の走査方向両側から液体 1 を供給する際、 走査方向に関して手前から供給する液体量をその反対側で供給する液体量よりも 多く しているが、投影領域 A R 1の両側から供給する液体 1 を同量にしてもよい。 この場合も、 走査方向を切り替える際にも液体 1の供給量変動が生じないため、 ウォーターハンマー現象の発生をより確実に防止できる。 一方、 液体 1 を供給し 続けながら、 走査方向に応じて投影領域 A R 1の走査方向両側から供給する液体 量を変化させることにより、 ウォー夕一ハンマー現象の発生を抑えつつ液体 1の 使用量を抑えることができる。 なお、本実施形態では、 1枚の基板 Pに対する露光処理動作中は供給口 1 3 A、 1 4 Aからの液体 1の供給をし続ける構成であるが、 途中で停止してもよい。 例 えば、 基板 Pを + X側に走査移動する際には供給口 1 4 Aからの液体供給を停止 して供給口 1 3 Aのみから液体 1を供給し、 基板 Pを— X側に走査移動する際に は供給口 1 3 Aからの液体供給を停止して供給口 1 4 Aのみから液体 1 を供給す る構成であってもよい。 更には、 基板 Pのステッピング移動時には、 液体供給機 構 1 0は基板 Pに対する液体 1の供給を停止する構成でもよい。 この場合、 走査 露光を開始するに際し、 液体 1の供給を所定時間行って液体振動がおさまるのを 待ってから走査露光すればよい。 このような構成とすることにより液体 1の使用 量を抑えることができる。 一方、 液体 1 を供給し続けることにより、 液体振動が おさまるまでの待ち時間を設定する必要がないため、スル一プッ トを向上できる。 本実施形態では、 液体供給機構 1 0の供給口 1 3 A、 1 4 Aは投影領域 A R 1 に対して走査方向両側に設けられている構成であるが、 例えば投影領域 A R 1の 周りを全て囲むように、すなわち投影領域 A R 1の非走査方向両側にも供給口（供 給部材） を設けるようにしてもよい。 そして、 投影領 i或 A R 1 を囲むように設け られた供給口のそれぞれから基板 P上に液体 1 を供給するようにしてもよい。 こ こで、 投影領域 A R 1に対して走査方向両側のそれぞれと、 非走査方向両側のそ れぞれとに供給口を設けた際、 すなわち、 投影領域 A R 1 を囲むように互いに独 立した 4つの供給口を設けた際、 基板 Pを走査方向に移動しつつ露光処理する際 には、 4つの供給口の全てから液体 1 を供給してもよいし、 走査方向両側に設け られた供給口のみから液体 1 を供給し、 非走査方向両側に設けられた供給口から の液体供給を停止 （あるいは少量供給） してもよい。 そして、 非走査方向に基板 Pを移動するときに、 非走査方向両側に設けられた供給口から液体を供給するよ うにしてもよし、。あるいは、投影領域 A R 1 を囲むように環状の供給部材を設け、 この供給部材を介して基板 P上に液体 1を供給する構成であってもよい。 この場 合、 液体 1を供給部材に送出する液体供給部は 1つでよいため、 装置構成を簡略 化できる。 一方、 上記実施形態のように、 投影領域 A R 1に対して走査方向両側 に供給口 1 3 A、 1 4 Aがあれば投影領域 A R 1 を十分に液浸領域 A R 2にする ことができ、 液体 1の使用量を抑えることができる。 また、 本実施例では、 液体供給機構 1 0の供給口 1 3 A、 1 4 Aは投影領域 A R 1 に対して走査方向両側に設けられている構成であるが、 投影光学系 P Lと基 板 Pとの間が液体 1で十分に満たされる場合には、 投影領域 A R 1の近くに配置 された 1箇所の供給口から液体を供給するようにしてもよい。 この場合も、 1枚 の基板 P上の全ショッ 卜の露光が終了するまで、 その 1箇所の供給口から液体を 供給し続けることによって、 ウォー夕一ハンマー現象の発生を抑えつつ、 液体 1 の使用量を抑えることができる。 なお、 上記実施形態では、 第 1、 第 2供給部材 1 3、 1 4と回収部材 2 2とは 離れているが、 第 1、 第 2供給部材 1 3、 1 4と回収部材 2 2とは接続されてい てもよいし、 第 1、 第 2供給部材 1 3、 1 4と回収部材 2 2との間にこれらを接 続する接続部材を設けてもよい。 また、 上記実施形態では、 供給部材 1 3、 1 4 の内部流路 1 3 H、 1 4 Hや回収部材 2 2の内部流路 2 2 Hは基板 Pの表面に対 して垂直であるように説明したが、傾斜していてもよい。例えば、供給部材 1 3、 1 4の内部流路 1 3 H、 1 4 H (あるいは供給口 1 3 A、 1 4 A ) を投影領域 A R 1側に向くように設けてもよい。 更に、 供給口 1 3 A、 1 4 Aと回収部材 2 2 の回収口 2 2 Aとの基板 Pの表面に対する距離 （高さ） を異なるように設けても よい。 なお、 供給部材 1 3、 1 4を含む液体供給機構 1 0、 及び回収部材 2 2を含む 液体回収機構 2 0のそれぞれは、 投影光学系 P L及びこの投影光学系 P Lを支持 する支持部材以外の支持部材で支持されることが好ましい。 これにより、 液体回 収機構 1 0や液体回収機構 2 0で発生した振動が、 投影光学系 P Lに伝達するこ とを防ぐことができる。 また逆に、 投影光学系 P Lと供給部材 1 3、 1 4とを隙 間無く接触させることにより、 液体 1への大気の混入を防ぐ効果も期待できる。 以下、本発明の他の実施形態について説明する。ここで、以下の説明において、 上述した実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、 その 説明を簡略もしくは省略する。 上記実施形態に係る液体回収機構 2 0は、 1つの液体回収部 2 1 と、 この液体 回収部 2 1に回収管 2 1 Aを介して接続され、 円環状に連続的に形成された回収 口 2 2 Aを有する回収部材 2 2とを備えた構成であるが、 複数の液体回収部を設 けてもよい。 これにより回収口 2 2 Aの各回収位置での回収力のばらつきを抑え ることが可能となる。 また、 制御装置 C 0 N Tはこの複数の液体回収部のそれそ- れの回収力を液体回収位置に応じて異ならせるようにしてもよい。 このことを図 7を参照しながら説明する。 図 7は、 本発明の他の実施形態を示す図であって、 液体回収機構 2 0の他の例 を示す平面模式図である。 図 7において、 液体回収機構 2 0は、 第 1液体回収部 2 6と、 第 2液体回収部 2 7と、 この第 1液体回収部 2 6に回収管 2 6 Aを介し て接続された第 1回収部材 2 8と、 第 2液体回収部 2 7に回収管 2 7 Aを介して 接続された第 2回収部材 2 9とを備えている。 第 1、 第 2回収部材 2 8、 2 9の それぞれは平面視略円弧状に形成されており、 第 1回収部材 2 8は投影領域 A R 1の— X側に配置され、 一方、 第 2回収部材 2 9は投影領域 A R 1の + X側に配 置されている。 なお、 第 1、 第 2回収部材 2 8、 2 9は、 上記実施形態同様、 基 板 P側を向く回収口と、 その内部に設けられた仕切部材とを備えている。 また、 第 1、 第 2液体回収部 2 6、 2 7の回収動作は制御装置 C O N Tによりそれぞれ 独立して亍われる。 基板 Ρ上のショット領域を走査露光するに際し、 制御装置 C O N Τは液体供給 機構 1 0より液体 1を基板 P上に供給するとともに、 液体回収機構 2 0のうち第 1、 第 2液体回収部 2 6、 2 7のそれぞれを駆動し、 基板 P上の液体 1を回収す る。 ここで、 制御装置 C O N Tは、 液体回収機構 2 0の液体回収力を、 液体回収 位置に応じて異なるように制御する。 具体的には、 制御装置 C O N Tは、 走査方 向に関して、 投影領域 A R 1の手前での単位時間あたりの液体回収量 （回収力） を、 その反対側での液体回収量よりも少なく設定する。 すなわち、 走査方向前方 側 （液体 1が流れる下流側） での液体回収力を多くする。 具体的には、 基板 Pが + X方向に移動しているときには、 投影領域 A R 1に対して + X側に設けられた 第 2回収部材 2 9 (第 2液体回収部 2 7 ) による回収力を、 —X側に設けられた 第 1回収部材 2 8 (第 1液体回収部 2 6 ) による回収力より大きくする。 これに より、 外部への流体 1の流出を防ぎつつ基板 P上の液体回収動作を円滑に行うこ とができる。 なお、 上記実施形態では、 第 1、 第 2液体回収部 2 6、 2 7による液体回収動 作を同時に行う構成であるが、 別々に行う構成であってもよい。例えば、 基板 P が + X方向に移動しているときには、 投影領域 A R 1に対して + X側に設けられ た第 2回収部材 2 9 (第 2液体回収部 2 7 ) による液体回収動作のみを行い、 第 1回収部材 2 8 (第 1液体回収部 2 6 ) による液体回収動作を停止する構成であ つてもよい。 この場合、 液体 1は主に + X側に流れるため、 第 2液体回収部 2 7 の回収動作のみによっても液体 1を回収できる。 また、 上記各実施形態では、 液体回収機構 2 0の回収部材は投影領域 A R 1の 全部を囲むように配置されているが、 投影領域 A R 1の走査方向両側のみにある 構成であってもよい。 また、 上記各実施形態では、 液体回収機構 2 0の回収部材は投影領域 A R 1を 取り囲むように連続的に形成されているが、 図 8に示すように、複数の回収部材 2 2 Dを断続的に配置する構成であってもよい。 同様に、 液体供給機構 1 0に関 しても複数の供給部材 1 3 D、 1 4 Dを断続的に配置する構成であってもよい。 この場合も、 投影領域 A R 1を取り囲むように配置された回収口で回収動作を継 続的に行っているので、 液体 1のいずれの方向に濡れ拡がった場合でも、 液体 1 を良好に回収することができる。 また、 液体回収機構 2 0の回収部材を複数設けた場合等において、 液体回収機 構 2 0は、 投影領域 A R 1に対して走査方向に離れた位置での液体回収力 （単位 時間あたりの液体回収量） を、 それとは別の位置、 具体的には非走査方向に離れ た位置での液体回収力よりも大きくすることにより、 走査露光する際、 基板 P上 の液体 1を円滑に回収することができる。 また、 仕切部材 2 3により分割された分割空間 2 4のそれぞれに対して真空ポ ンプ等を有する複数の液体回収部を回収管を介してそれぞれ接続し、 これら複数 の液体回収部の回収動作を個別に制御することで、 液体回収位置に応じて回収力 を異ならせるようにしてもよい。 なお、 分割空間 2 4のそれぞれに個別に液体回 収部を接続せず、 1つの液体回収部と複数の分割空間 2 4のそれぞれとを複数の 回収管で接続し、 これら回収管のそれぞれに弁を設け、 弁の開度を調整すること で、 液体回収位置に応じて回收カを異ならせるようにしてもよい。 更には、 前記 複数の回収管それぞれの長さを変えることで、 圧力損失により各分割空間 2 4で の回収力を異ならせることも可能である。 なお、 上記各実施形態では、 液体供給機構 1 0の供給部材は平面視略円弧状で あるが、 図 9に示すように、 直線状であってもよい。 ここで、 図 9に示す平面視 直線状の供給部材 1 3、 1 4は、 投影領域 A R 1の走査方向両側にそれぞれ設け られている。 同様に、 液体回収機構 2 0の回収部材 2 2も円環状に限らず、 図 9 に示すように矩形状であってもよい。 図 1 0 ( a ) に示すように、 液体供給機構 1 0の供給部材 1 3 ( 1 4 ) の内部 流路 1 3 H ( 1 4 H ) に多孔質体 4 0を設けてもよい。 あるいは図 1 0 ( b ) に 示すように、 仕切部材 4 1を設けてスリッ卜状の流路を形成してもよい。 こうす ることにより、 供給部材 1 3 ( 1 4 ) から基板 P上に供給される液体 1を整流で き、 基板 P上で乱流が発生したり液体が振動したりする不都合の発生を抑えるこ とができる。 上記各実施形態では、 卜ラップ部材 3 0 (トラップ面 3 1 ) は平面視楕円形状 であるように説明したが、 真円形状、 あるいは矩形状であってもよい。 一方、 液 体 1が流出しゃすいのは投影領域 A R 1の走査方向両側であるため、 上記実施形 態のように、 トラップ部材 3 0を楕円形状にすることにより、 流出しょうとする 液体 1を良好に捕捉できる。 また、 上記実施形態では、 卜ラップ部材 3 0 (トラ ップ面 3 1 ) は楕円形状であって回収部材 2 2の液体回収位置の外側全部に回収 部材 2 2を取り囲むように設けられている構成であるが、 例えば投影領域 A R 1 の走査方向両側のみに設け、 投影領域 A R 1に対して非走査方向に離れた位置に は設けない構成とすることができる。 液体 1が流出しやすいのは走査方向両側で あるため、投影領域 A R 1の走査方向両側にトラップ部材 3 0を設けるだけでも、 流出しょうとする液体 1を良好に捕捉できる。 また、 卜ラップ面 3 1の傾斜角度 はその位置に応じて異なるように設定されていてもよい。例えば、 卜ラップ面 3 1のうち投影領域 A R 1の走査方向両側付近の傾斜角度を他の部分より大きくす るようにしてもよい。 また、 卜ラップ面 3 1はフラッ ト面である必要は無く、 例 えば複数の平面を組み合わせた形状であってもよい。 図 1 1はトラヅプ部材 3 0のトラップ面 3 1の他の実施形態を示す図である。 図 1 1に示すように、 トラップ面 3 1は曲面状であってもよい。具体的には、 図 1 1に示すように、 トラップ面 3 1は断面視例えば 2次曲線状あるいは円弧状で あってもよい。 ここで、 卜ラップ面 3 1は基板 P側に膨らむ曲面であることが好 ましい。 このような形状であっても、 液体 1を良好に捕捉することができる。 あるいは、 図 1 2に示すように、 トラップ面 3 1に対して表面積拡大処理、 具 体的には粗面処理を施してもよい。粗面処理することにより トラップ面 3 1の表 面積が拡大し、 液体 1をより一層良好に捕捉可能となる。 なお、 粗面処理はトラ ップ面 3 1の全面にする必要は無く、 卜ラップ面 3 1のうち、 例えば走査方向に 沿った一部の領域のみに粗面処理を施す構成であってもよい。 図 1 3に示すように、 卜ラップ部材 3 0を複数のフィン部材 3 2により構成し てもよい。 図 1 3において、 フィン部材 3 2は側面視略三角形状であって、 基板 Pに対向する辺 （下辺） は、 投影領域 A R 1に対して外側に向かうにつれて上方 向に傾斜している。 そして、 これら複数のフィン部材 3 2は、 回収部材 2 2の外 側面に、 その長手方向を外側に向けるようにして放射状に取り付けられている。 ここで、 複数のフィン部材 3 2どうしは離間しており、 各フィン部材 3 2間には 空間部 3 3が形成されている。 回収部材 2 2で回収しきれなかった液体 1は、 フ ィン部材 3 2の間の空間部 3 3に表面張力で捕捉されることにより、 液体 1の基 板 P外部への流出が防止される。 なお、 複数のフィン部材 3 2は等間隔で設けられてもよいし、 不等間隔であつ てもよい。 例えば、 走査方向に沿う位置に設けられるフィン部材 3 2の間隔を、 非走査方向に沿う位置に設けられるフィン部材 3 2の間隔より小さ〈設定しても よい。 また、 複数のフィン部材 3 2それぞれの長さ (放射方向のサイズ) は同じ でもよいし、 走査方向に沿う位置に設けられるフィン部材 3 2の長さがそれ以外 の位置に設けられるフィン部材 3 2より長くてもよい。 また、 卜ラップ部材 3 0 のうち、 一部の領域をフィン部材により構成し残りの領域をトラップ面により構 成することもできる。 更には、 図 4等を参照して説明したトラップ面 3 1 にフィ ン部材 3 2を取り付ける構成であってもよい。 なお、 フィン部材 3 2の表面に対 しても、 液体 1 との親和性を高める親液化処理を施しておくことが好ましい。 上記各実施形態において、 トラップ面 3 1 (あるいはフィン部材 3 2 ) に対し て親液化処理を施す場合、 この卜ラップ面 3 1の親液性に分布を持たせるように してもよい。 換言すれば、 表面処理する面上の複数の領域についての液体の接触 角がそれぞれ異なる値となるように表面処理を行うことができる。 例えば、 トラ ップ面 3 1のうち投影領域 A R 1に対して外側の一部の領域の親液性を内側の領 域に対して低下するようにしてもよい。 更に、 卜ラップ面 3 1の全部を親液化処 理する必要はなく、 例えば走査方向に沿う一部の領域のみを親液化処理する構成 であってもよい。 なお、 上記実施形態では、 トラップ面 3 1 に対して親液化処理を施すように説 明したが、 液体供給機構 1 0や液体回収機構 2 0のうち液体 1が流れる流路の表 面に対しても親液化処理を施すことができる。 特に、 液体回収機構 2 0の回収部 材 2 2に親液化処理を施しておくことにより、 液体回収を円滑に行うことができ る。 あるいは、 液体 1が接触する鏡筒 P Kを含む投影光学系 P Lの先端部に対し ても親液化処理を施すことができる。 なお、 光学素子 2に薄膜を形成する場合、 露光光 E Lの光路上に配置されるものであるため、 露光光 E Lに対して透過性を 有する材料で形成され、 その膜厚も露光光 E Lを透過可能な程度に設定される。 また、 表面処理のための薄膜は単層膜であってもよいし複数の層からなる膜で あってもよい。 また、 その形成材料も、 金属、 金属化合物、 及び有機物など、 所 望の性能を発揮できる材料であれば任意の材料を用いることができる。 また、基板 Pの表面にも液体 1 との親和性に合わせて表面処理を施してもよい。 なお、 上述したように、 卜ラップ面 3 1の液体親和性が、 基板 P表面の液体親和 性より高いことが好ましい。 次に、 図 1 4を参照しながら本発明に係る液体供給機構 1 0及び液体回収機構 2 0の他の実施形態について説明する。 図 1 4において、 液体供給機構 1 0は、 第 1液体供給部 1 1及び第 2液体供給 部 1 2と、 投影領域 A R 1に対して走査方向一方側 （― X側） に設けられた第 1 供給部材 1 3と、 他方側 （+ X側） に設けられた第 2供給部材 1 4と、 第 1液体 供給部 1 1 と第 1供給部材 1 3とを接続する第 1供給管 4 1 と、 第 2液体供給部 1 2と第 2供給部材 1 4とを接続する第 2供給管 4 2とを備えている。 第 1 、 第 2供給部材 1 3、 1 4は、 図 2及び図 3を参照して説明した実施形態同様、 内部 流路 1 3 H、 1 4 Hと、 その下端部に形成された供給口 1 3 A、 1 4 Aとをそれ それ備えており、 平面視略円弧状に形成されている。 第 1液体供給部 1 1 と第 1供給部材 1 3とを接続する第 1供給管 4 1は、 直管 部 4 3と、 スリツ ト管部 4 4とを有している。 直管部 4 3の一端部は第 1液体供 給部 1 1 に接続し、 直管部 4 3の他端部はスリッ 卜管部 4 4の一端部に接続して いる。 また、 スリッ ト管部 4 4の他端部は第 1供給部材 1 3の内部流路 1 3 Hの 上端部に接続している。 スリツ 卜管部 4 4の一端部は直管部 4 3とほぼ同じ大き さに形成され、 他端部は第 1供給部材 1 3の上端部とぼぼ同じ大きさに形成され ている。 そして、 スリヅ 卜管部 4 4は一端部から他端部に向かって水平方向に漸 次拡がるように平面視略三角形状に形成されており、 スリツ 卜管部 4 4に形成さ れているスリッ 卜状の内部流路 4 4 Hは一端部から他端部に向かって水平方向に 漸次拡がるように形成されている。 同様に、 第 2液体供給部 1 2と第 2供給部材 1 4とを接続する第 2供給管 4 2 は、 直管部 4 5と、 スリツト管部 4 6とを有している。 直管部 4 5の一端部は第 2液体供給部 1 2に接続し、 直管部 4 5の他端部はスリッ卜管部 4 6の一端部に 接続している。 また、 スリヅ卜管部 4 6の他端部は第 2供給部材 1 4の内部流路 1 4 Hの上端部に接続している。 スリット管部 4 6の一端部は直管部 4 5とほぼ 同じ大きさに形成され、 他端部は第 2供給部材 1 4の上端部とほぼ同じ大きさに 形成されている。 そして、 スリヅト管部 4 6は一端部から他端部に向かって水平 方向に漸次拡がるように平面視略三角形状に形成されており、 スリツ卜管部 4 6 に形成されているスリッ卜状の内部流路 4 6 Hは一端部から他端部に向かって水 平方向に漸次拡がるように形成されている。 液体回収機構 2 0は、 平面視環状に形成された回収部材 2 2と、 複数の液体回 収部 6 1〜6 4と、 回収部材 2 2と液体回収部 6 1 ~ 6 4のそれぞれとを接続す る複数の回収管 7 1〜7 4とを備えている。本実施形態において、 液体回収部は 第 1〜第 4液体回収部 6 1〜6 4の 4つで構成され、 これに対応するように回収 管は第 1〜第 4回収管 7 1〜7 4の 4つで構成されている。 回収部材 2 2は、 図 2及び図 3を参照して説明した実施形態同様、 環状の内部流路 2 2 Hと、 その下 端部に形成された回収口 2 2 Aとを備えている。 なお、 図 1 4に示す実施形態の 内部流路 2 2 Hには仕切部材 （2 3 ) が設けられていない。 液体回収機構 2 0の 回収部材 2 2は、 液体供給機構 1 0の第 1、 第 2供給部材 1 3、 1 4の外側に配 置されている。 複数の液体回収部のうち第 1液体回収部 6 1 と回収部材 2 2とを接続する第 1 回収管 7 1は、 直管部 7 5と、 スリット管部 7 6とを有している。 直管部 7 5の 一端部は第 1液体回収部 6 1に接続し、 直管部 7 5の他端部はスリッ卜管部 7 6 の一端部に接続している。 また、 スリヅ卜管部 7 6の他端部は回収部材 2 2の内 部流路 2 2 Hの上端部に接続している。 ここで、 スリッ ト管部 7 6の一端部は直 管部 7 5とほぼ同じ大きさに形成され、 一方、 スリツ 卜管部 7 6の他端部は円環 状の回収部材 2 2の上端部の略 1 / 4の大きさに形成されている。 そして、 スリ ット管部 7 6は一端部から他端部に向かって水平方向に漸次拡がるように平面視 略三角形状に形成されており、 スリヅ卜管部 7 6に形成されているスリッ卜状の 内部流路 7 6 Hは一端部から他端部に向かって水平方向に漸次拡がるように形成 されている。 同様に、 第 2液体回収部 6. 2と回収部材 2 2とを接続する第 2回収管 7 2は、 直管部 7 7と、 スリツ 卜管部 7 8とを有しており、 スリツ卜管部 7 8の一端部は 直管部 7 7とぼぼ同じ大きさに形成され、 一方、 スリット管部 7 8の他端部は円 環状の回収部材 2 2の上端部の略 1 / 4の大きさに形成されている。 そして、 ス リッ卜管部 7 8は平面視略三角形状に形成され、 スリッ卜管部 7 8に形成されて いるスリッ卜状の内部流路 7 8 Hは一端部から他端部に向かって水平方向に漸次 拡がるように形成されている。 また、 第 3液体回収部 6 3と回収部材 2 2とを接 続する第 3回収管 7 3は、 直管部 7 9と、 スリツト管部 8 0とを有しており、 第 4液体回収部 6 4と回収部材 2 2とを接続する第 4回収管 7 4は、直管部 8 1 と、 スリッ卜管部 8 2とを有している。 そして、 スリット管部 8 0、 8 2の他端部は 円環状の回収部材 2 2の上端部の略 1 / 4の大きさにそれぞれ形成されている。 そして、 スリット管部 8 0、 8 2のそれぞれは平面視略三角形状に形成され、 ス リツ卜管部 8 0、 8 2に形成されているスリット状の内部流路 8 0 H、 8 2 Hの それぞれは一端部から他端部に向かって水平方向に漸次拡がるように形成されて いる。 液体供給機構 1 0及び液体回収機構 2 0を構成する部材のうち液体が流通する 部材、具体的には供給管 4 1、 4 2、及び回収管 7 1〜7 4は、上述したように、 ポリ四フッ化工チレン等の合成樹脂により形成されてもよいし、 例えばステンレ ス鋼ゃアルミニウム等の金属により形成されてもよい。 本実施形態では、 液体が 流通する部材は金属製である。 特に、 液体供給機構 1 0及び液体回収機構 2 0の うち液体の流路を構成する部材をァルミニゥムとすることにより、 アルミニウム は液体 （水） との接触角が小さいため、 液体を円滑に流通することができる。 ま た、 図 1 4には示されていないが、 液体回収機構 2 0の回収部材の周囲には先の 実施形態と同様にトラップ部材 3 0が設けられている。 次に、 液体供給機構 1 0及び液体回収機構 2 0の動作について説明する。 液浸 領域 （A R 2 ) を形成するために、 制御装置 C O N Tは、 液体供給機構 1 0の第 1、 第 2液体供給部 1 1、 1 2のそれぞれを駆動する。 第 1、 第 2液体供給部 1 1、 1 2のそれぞれから送出された液体 1は、 第 1、 第 2供給管 4 1、 4 2のそ れぞれを流通した後、 第 1、 第 2供給部材 1 3、 1 4を介して基板 P上に供給さ れる。 ここで、 第 1液体供給部 1 1から送出された液体 1は、 第 1供給管 4 1の 直管部 4 3を流通した後、スリッ卜管部 4 4を流通することで水平方向（横方向） に拡がり、 スリツ卜管部 4 4の他端部において、 第 1供給部材 1 3の内部流路 1 3 H (供給口 1 3 A ) のほぼ Y軸方向のサイズまで拡がった後、 第 1供給部材 1 3の内部流路 1 3 Hを介して基板 P上に供給される。 これにより、 液体 1は、 Y 軸方向を長手方向とする略円弧状の供給口 1 3 Aの各位置においてほぼ均一な液 体供給量で基板 P上に供給される。 同様に、 第 2液体供給部 1 2より送出された 液体 1も、 第 2供給管 4 2の直管部 4 5を流通した後、 スリッ卜管部 4 6を介し て水平方向 （横方向） に拡がってから、 第 2供給部材 1 4に供給されるため、 供 給口 1 4 Aの各位置においてほぼ均一な液体供給量で墓板 P上に供給される。 すなわち、 図 2及び図 3を参照して説明した実施形態では、 供給管 1 1 Aは全 て直管で構成されているため、 この直管の供給管 1 1 Aから Y軸方向を長手方向 とする第 1供給部材 1 3に直接液体を供給すると、 その流路面積の違いにより、 第 1供給部材 1 3の供給口 1 3 Aの長手方向中央部、 すなわち供給管 1 1 Aの直 下の位置における液体供給量と、 供給口 1 3 Aの長手方向端部、 すなわち供給管 1 1 Aと離れた位置における液体供給量とに差が生じ、 液体供給量が供給口 1 3 Aの各位置において不均一になる場合がある。 具体的には、 供給口 1 3 Aの長手 方向中央部 （供給管 1 1 Aの直下の位置） における液体供給量が、 供給口 1 3 A の長手方向端部 (供給管 1 1 Aと離れた位置）における液体供給量より多くなり、 均一な液体供給ができずに液浸領域 A R 2が不均一になる可能性が生じる。 しか しながら、 Y軸方向を長手方向とする第 1供給部材 1 3 (供給口 1 3 Α ) に第 1 液体供給部 1 1より液体 1を供給する際、 供給管 4 1の少なくともその一部の流 路の大きさを第 1供給部材 1 3の大きさに応じて設定し、 本実施形態のように、 供給管 4 1の一部を第 1供給部材 1 3に向かって水平方向に漸次拡がるテーパ状 の内部流路 4 4 Ηを有するスリット管部 4 4としたことにより、 Υ軸方向を長手 方向とする第 1供給部材 1 3の供給口 1 3 Αの各位置においてほぼ均一な液体供 給量で基板 P上に液体 1を供給することができる。 同様に、 第 2液体供給部 1 2 から送出された液体 1も第 2供給管 4 2及び第 2供給部材 1 4を介して基板 P上 に均一に供給される。 また、 制御装置 C O N Tは、 液体回収機構 2 0の第 1〜第 4液体回収部 6 1〜 6 4のそれぞれを駆動して、 基板 P上の液体 1を回収部材 2 2及び第 1〜第 4回 収管 7 1〜7 4のそれぞれを介して回収する。 第 1〜第 4液体回収部 6 1〜6 4 のそれぞれは第 1〜第 4回収管 7 1〜7 4を介して基板 P上の液体 1を吸引する ことで回収する。 そして、 基板 P上の液体 1は円環状の回収部材 2 2の回収口 2 2 Aの各位置においてほぼ均一な回収量 （回收力） で回収される。 すなわち、 上述同様、 直管の回収管と回収部材 2 2とを直接接続すると、 その 流路面積の違いにより回収口 2 2 Aの各位置における液体回収量 （回収力） に差 が生じ、 液体回収量が回収口 2 2 Aの各位置において不均一になる場合がある。 例えば、 回収管の直下の位置における液体回収量が、 それ以外の位置における液 体供給量より多くなり、 均一な液体回収ができずに液浸領域 A R 2が不均一にな る可能性が生じる。 しかしながら、 本実施形態のように、 回収管の一部を回収部 材 2 2に向かって水平方向に漸次拡がるテーパ状の内部流路を有するスリツ 卜管 部 7 6、 7 8、 8 0、 8 2としたことにより、 円環状の回収部材 2 2の回収口 2 2 Aの各位置においてほぼ均一な液体回収量で基板 P上の液体を回収することが できる。 このように、 供給口 1 3 A、 1 4 Aそれぞれの各位置において液体を均一に供 給できるとともに、 回収口 22 Aの各位置において均一に回収できるので、 均一 な液浸領域 A R 2を形成することができる。 図 1 4を参照して説明した実施形態では、 スリッ 卜管部 44 (46) の内部流 路 44 H (46 H) は空洞状であるが、 図 1 5に示すように、 液体供給機構 1 0 の供給管 41 (42) の一部を構成するスリッ ト管部 44 (46) の内部流路 4 4 H (46 H) に、 液体 1の流通方向に沿って （スリヅ 卜管部の一端部から他端 部に向かって) 複数のフィン部材 85を設けてもよい。 これにより、 液体 1を整 流してから供給部材 1 3 ( 1 4) を介して基板 P上に供給することができる。 な お、 このフィン部材 85を供給部材 1 3 ( 1 4) の内部流路 1 3 H ( 1 4 H ) ま で延ばしてもよい。 また、 液体回収機構 20の回収管を構成するスリツ 卜管部 7 6、 78、 80、 82の内部流路 76 H、 78 H、 80 H、 82 Hのそれぞれに フィン部材 85を設けるようにしてもよい。 なお、 例えば基板 Pが高速に走査移動する場合など、 図 1 4に示した実施形態 においても基板 P上の液体 1を回収しきれずに、 基板 P上の液体 1が回収部材 2 2の外側に流出する場合が考えられる。その場合、基板 Pの走査方向（X軸方向） に沿う位置に設けられた平面視略三角形状のスリツ ト管部 44、 46の下面を、 トラップ部材 30の代わりに卜ラップ面として用いることができる。 なお、 本実施形態では、 1つの回収部材 22に対して複数の回収管 71〜74 が接続されている構成であるが、 複数の回収管 71〜74に対応するように複数 の回収部材 （回収口） を基板 Pに近接して設ける構成であってもよい。 次に、 図 1 6〜図 1 9を参照しながら本発明に係る液体供給機構 1 0及び液体 回収機構 20の他の実施形態について説明する。 図 1 6は本実施形態に係る液体供給機構 （ 1 0) 及び液体回収機構 （ 20 ) を 示す概略斜視図である。 図 1 6において、 液体供給機構 （ 1 0) は、 第 1、 第 2 液体供給部 1 1、 1 2と、 第 1、 第 2液体供給部 1 1、 1 2のそれぞれに接続す る第 1、 第 2供給管 4 1、 4 2とを備えている。 液体回収機構 （2 0 ) は、.第 1
〜第 4液体回収部 6 1〜 6 4と、 第 1〜第 4液体回収部 6 1〜 6 4のそれぞれに 接続する第 1〜第 4回収管 7 1〜7 4とを備えている。 そして、 第 1、 第 2供給 管 4 1、 4 2のそれぞれの一端部は第 1、第 2液体供給部 1 1、 1 2に接続され、 他端部は流路形成部材 9 0により形成される後述する供給流路に接続される。第 1〜第 4回収管 7 1〜7 4のそれぞれの一端部は第 1〜第 4液体回収部 6 1〜6 4に接続され、 他端部は流路形成部材 9 0により形成される後述する回収流路に 接続される。 流路形成部材 9 0は、 第 1部材 9 1 と、 第 1部材 9 1の上部に配置され第 2部 材 9 2と、 第 2部材 9 2の上部に配置され第 3部材 9 3とを備えている。 流路形 成部材 9 0は投影光学系 P Lを囲むように配置され、 この流路形成部材 9 0を構 成する第 1〜第 3部材 9 1〜9 3のそれぞれは、 同一外寸で矩形の板状部材であ つてその中央部に投影光学系 P Lを配置可能な穴部 9 1 A〜9 3 Aを有している c 穴部 9 1 A〜 9 3 Aは互いに連通するように形成されている。 また、 第 1、 第 2 供給管 4 1、 4 2は、 第 1〜第 3部材のうち最上段の第 3部材 9 3に接続され、 第 1〜第 4回収管 7 1〜7 4は、 中段の第 2部材 9 2に接続されている。 図 1 7は、 第 1〜第 3部材のうち最下段に配置される第 1部材 9 1を示す斜視 図である。 第 1部材 9 1は、 投影光学系 P Lの— X側に形成され、 基板 Pに液体 1を供給する供給口を形成する第 1供給穴部 9 4 Aと、 投影光学系 P Lの + X側 に形成され、 基板 P上に液体を供給する供給口を形成する第 2供給穴部 9 5 Aと を備えている。第 1供給穴部 9 4 A及び第 2供給穴部 9 5 Aのそれぞれは平面視 略円弧状に形成されている。 更に、 第 1部材 9 1は、 投影光学系 P Lの一 X側に 形成され、 基板 P上の液体を回収する回収口を形成する第 1回収穴部 9 6 Aと、 投影光学系 P Lの一 Y側に形成され、 基板 P上の液体を回収する回収口を形成す る第 2回収穴部 9 7 Aと、 投影光学系 P Lの + X側に形成され、基板 P上の液体 を回収する回収口を形成する第 3回収穴部 9 8 Aと、 投影光学系 P Lの + Y側に 形成され、 基板 P上の液体を回収する回収口を形成する第 4回収穴部 9 9 Aとを 備えている。第 1〜第 4回収穴部 9 6 A〜9 9 Aのそれぞれは平面視略円弧状に 形成されており、 投影光学系 P Lの周囲に沿って略等間隔に設けられている。 ま た、 回収穴部 9 6 A〜9 9 Aのそれぞれは、 供給穴部 9 4 A、 9 5 Bより投影光 学系 P Lに対して外側に設けられている。 図 1 8は、 第 1〜第 3部材のうち中段に配置される第 2部材 9 2を示す斜視図 であって、 図 1 8 ( a ) は上側から見た斜視図、 図 1 8 ( b ) は下側から見上げ た斜視図である。第 2部材 9 2は、 投影光学系 P Lの— X側に形成され、 第 1部 材 9 1の第 1供給穴部 9 4 Aに接続する第 3供給穴部 9 4 Bと、 投影光学系 P L の + X側に形成され、 第 1部材 9 1の第 2供給穴部 9 5 Aに接続する第 4供給穴 部 9 5 Bとを備えている。 第 3、 第 4供給穴部 9 4 B、 9 5 Bそれぞれの形状及 び大きさは、 第 1、 第 2供給穴部 9 4 A、 9 5 Aに対応している。 更に、 第 2部材 9 2はその下面に、 投影光学系 P Lの一 X側に形成され、 第 1 部材 9 1の第 1回収穴部 9 6 Aに接続する第 1回収溝部 9 6 Bと、 投影光学系 P Lの— Y側に形成され、 第 1部材 9 1の第 2回収穴部 9 7 Aに接続する第 2回収 溝部 9 7 Bと、 投影光学系 P Lの + X側に形成され、 第 1部材 9 1の第 3回収穴 部 9 8 Aに接続する第 3回収溝部 9 8 Bと、投影光学系 P Lの + Y側に形成され、 第 1部材 9 1の第 4回収穴部 9 9 Aに接続する第 4回収溝部 9 9 Bとを備えてい る。 第 1〜第 4回収溝部 9 6 B〜9 9 Bのそれぞれは、 第 1〜第 4回収穴部 9 6 A〜 9 9 Aの形状及び大きさに対応するように平面視略円弧状に形成されており、 投影光学系 P Lの周囲に沿って略等間隔に設けられている。 また、 第 1回収管 7 1 と第 1回収溝部 9 6 Bとは、 テ一パ状溝部 9 6 Tを介して接続されている。 テ 一パ状溝部 9 6 Tは、 第 1回収管 7 1に対する接続部から第 1回収溝部 9 6 Bに 向かって水平方向に漸次拡がるように形成されている。 同様に、 第 2回収管 7 2 と第 2回収溝部 9 7 Bとはテーパ状溝部 9 7 Tを介して接続されており、 第 3回 収管 7 3と第 3回収溝部 9 8 Bとはテーパ状溝部 9 8 Tを介して接続されており、 第 4回収管 7 4と第 4回収溝部 9 9 Bとはテ一パ状溝部 9 9 Tを介して接続され ている。 図 1 9は、 第 1〜第 3部材のうち最上段に配置される第 3部材 9 3を示す斜視 図であって、 図 1 9 ( a ) は上側から見た斜視図、 図 1 9 ( b ) は下側から見上 げた斜視図である。 第 3部材 9 3はその下面に、 投影光学系 P Lの一 X側に形成 され、 第 2部材 9 2の第 3供給穴部 9 4 Bに接続する第 1供給溝部 9 4 Cと、 投 影光学系 P Lの + X側に形成され、 第 2部材 9 2の第 4供給穴部 9 5 Bに接続す る第 2供給溝部 9 5 Cとを備えている。 第 1、 第 2供給溝部 9 4 C、 9 5 Cそれ それの形状及び大きさは、 第 3、 第 4供給穴部 9 4 B、 9 5 B (ひいては第 1、 第 2供給穴部 9 4 A、 9 5 A ) に対応するように平面視略円弧状に形成されてい る。 また、 第 1供給管 4 1 と第 1供給溝部 9 4 Cとは、 テーパ状溝部 9 4 Tを介 して接続されている。 テーパ状溝部 9 4 Tは、 第 1供給管 4 1に対する接続部か ら第 1供給溝部 9 4 Cに向かって水平方向に漸次拡がるように形成されている。 同様に、 第 2供給管 4 2と第 2供給溝部 9 5 Cとはテーパ状溝部 9 5 Tを介して 接続されている。 第 1〜第 3部材 9 1〜9 3は、 例えばステンレスやチタン、 アルミニウム、 あ るいはこれらを含む合金等の金属により形成されており、 各部材 9 1〜9 3の穴 部や溝部は例えば放電加工により形成される。 放電加工により各部材 9 1〜9 3 に対して加工した後、 これら各部材 9 1〜9 3を接着剤や、 熱圧着法等を用いて 接合することにより、 流路形成部材 9 0が形成される。 各部材 9 1〜9 3を積層 して接合することで、 テ一パ状溝部 9 4 T、 第 1供給溝部 9 4 C、 第 3供給穴部 9 4 B、 及び第 1供給穴部 9 4 Aのそれぞれが接続 （連通） され、 これらにより 第 1供給管 4 1に接続 （連通） する供給流路が形成される。 同様に、 テーパ状溝 部 9 5 T、 第 2供給溝部 9 5 C、 第 4供給穴部 9 5 B、 及び第 2供給穴部 9 5 A のそれぞれが接続 (連通) されることで、 第 2供給管 4 1に接続 (連通) する供 給流路が形成される。 そして、 第 1、 第 2液体供給部 1 1、 1 2のそれぞれから 送出された液体 1は、 第 1、 第 2供給管 4 1、 4 2、 及び上記供給流路を介して 基板 P上に供給される。 すなわち、 板状部材 9 1〜9 3が積層されることで、 液 体供給流路が形成される。 また、 テーパ状溝部 9 6 T、 第 1回収溝部 9 6 B、 及び第 1回収穴部 9 6 Aの それぞれが接続 （連通） されることで、 第 1回収管 7 1に接続 （連通） する回収 流路が形成される。 同様に、 テ—パ状溝部 9 7丁、 第 2回収溝部 9 7 B、 及び第 2回収穴部 9 7 Aのそれぞれが接続 (連通) されることで、 第 2回収管 7 2に接 続（連通）する回収流路が形成され、テーパ状溝部 9 8 T、第 3回収溝部 9 8 B、 及び第 3回収穴部 9 8 Aのそれぞれが接続 （連通） されることで、 第 3回収管 7 3に接続 （連通） する回収流路が形成され、 テ—パ状溝部 9 9丁、 第 4回収溝部 9 9 B、 及び第 4回収穴部 9 9 Aのそれぞれが接続 （連通） されることで、 第 4 回収管 7 4に接続 （連通） する回収流路が形成される。 すなわち、 板状部材 9 1 〜9 3が積層されることで、 液体回収流路が形成される。 そして、 基板 P上の液 体は、 上記回収流路、 及び第 1〜第 4回収管 7 1 ~ 7 4のそれぞれを介して回収 される。 このとき、 第 1 、 第 2供給管 4 1、 4 2のそれぞれにはテ一パ状溝部 9 4丁、 9 5 Tが接続されるので、 図 1 4を参照して説明した実施形態同様、 Y軸方向を 長手方向とする供給口の各位置において均一に液体供給を行うことができる。 同 様に、 回収管 7 1〜7 4のそれぞれにもテ一パ状溝部が接続されるので、 液体回 收を均一な回収力で回収することができる。 そして、 板状部材である第 1〜第 3部材 9 1〜9 3のそれぞれで流路形成部材 9 0を形成したことにより、 例えば液体回収の際に空気をかみこんで液体を吸引 した際に発生する振動を、 流路形成部材 9 0で吸収することができる。 また、 複 数の板状部材 9 1〜9 3のそれぞれに対して放電加工等の加工を施して流路のー 部を形成し、これらを組み合わせることで液体の流路を形成するようにしたので、 供給流路及び回収流路のそれぞれを容易に形成することができる。 なお、 流路形成部材 9 0を形成する複数の部材 9 1〜9 3のうち、 最下段に配 置される第 1部材 9 1の下面の第 1〜第 4回収穴部 9 6 A〜9 9 Aの周囲に X Y 平面に対して傾斜した面を設けて、 その面を親液処理することにより、 液体回収 機構で回収しきれなかった液体を捕捉する卜ラップ面として用いるようにしても よい。 また、 流路形成部材 9 0を形成する部材 9 "！〜 9 3は四角形の板状部材で あるが、 円形の板状部材を使ってもよいし、 X方向に長い楕円状の板状部材にし てもよい。 また、 上述の流路形成部材 9 0は、 その内部に供給流路と回収流路の両方が形 成されているが、 どちらか一方のみを流路形成部材 9 0の内部に設けるようにし てもよい。 また、 複数の部材を積層して形成される流路形成部材を供給流路用と 回収流路用とに分けて、 別々に備えるようにしてもよい。 次に、 本発明の更なる別実施形態について説明する。 上述したように、 供給部 材 1 3、 1 4を含む液体供給機構 1 0、 及び回収部材 2 2を含む液体回収機構 2 0のそれぞれは、 投影光学系 P L及びこの投影光学系 P Lを支持する支持部材以 外の支持部材で支持することが好ましい。 以下、 液体供給機構 1 0及び液体回収 機構 2 0を支持する支持構造について図 2 0を参照しながら説明する。 図 2 0は、 液体供給機構 1 0及び液体回収機構 2 0の支持構造を示す概略図で ある。図 2 0において、露光装置 E Xは、投影光学系 P Lを支持する鏡筒定盤（第 1支持部材） 1 0 0と、 鏡筒定盤 1 0 0、 マスクステージ M S T、 及び基板ステ —ジ P S Tを支持するメインフレ一厶 （第 2支持部材） 1 0 2とを備えている。 なお、 図 2 0では、 Zステージ及び X Yステージは一体で図示されている。 メイ ンフレーム 1 0 2は、 クリーンルームなどの床面上に脚部 1 0 8を介してほぼ水 平に設置されている。 メインフレーム 1 0 2には、 内側に向けて突出する上側段 部 1 0 2 A及び下側段部 1 0 2 Bが形成されている。 照明光学系 Iしは、 メインフレーム 1 0 2の上部に固定された支持フレーム 1 2 0により支持されている。 メインフレーム 1 0 2の上側段部 1 0 2 Aには、 防 振装置 1 2 2を介してマスク定盤 1 2 4が支持されている。 マスクステージ M S T及びマスク定盤 1 2 4の中央部にはマスク Mのパターン像を通過させる開口部 が形成されている。 マスクステージ M S Tの下面には非接触軸受である気体軸受
(エアベアリング） 1 2 6が複数設けられている。 マスクステージ M S Tはエア ベアリング 1 2 6によりマスク定盤 1 2 4の上面 (ガイ ド面） に対して非接触支 持されており、 マスクステージ駆動装置により X Y平面内で 2次元移動可能及び 0 Z方向に微小回転可能である。 投影光学系 P Lを保持する鏡筒 P Kの外周にはフランジ 1 0 4が設けられてお り、 投影光学系 P Lはこのフランジ 1 0 4を介して鏡筒定盤 1 0 0に支持されて いる。 鏡筒定盤 1 0 0とメインフレーム 1 0 2の下側段部 1 0 2 Bとの間にはェ ァマウントなどを含む防振装置 1 0 6が配置されており、 投影光学系 P Lを支持 する鏡筒定盤 1 0 0はメインフレ—厶 1 0 2の下側段部 1 0 2 Bに防振装置 1 0 6を介して支持されている。 この防振装置 1 0 6によって、 メィンフレーム 1 0 2の振動が、 投影光学系 P Lを支持する鏡筒定盤 1 0 0に伝わらないように、 鏡 筒定盤 1 0 0とメインフレーム 1 0 2とが振動に関して （振動的に） 分離されて いる。 基板ステージ P S Tの下面には複数の非接触軸受である気体軸受 （エアべァリ ング） 1 3 0が設けられている。 また、 メインフレーム 1 0 2上には、 エアマウ ン卜等を含む防振装置 1 1 0を介してステージベース 1 1 2が支持されている。 基板ステージ P S Tはエアベアリング 1 3 0によりステージべ一ス 1 1 2の上面 (ガイ ド面） に対して非接触支持されており、 基板ステージ駆動装置により、 X Y平面内で 2次元移動可能及び 0 Z方向に微小回転可能である。 更に、 基板ステ —ジ P S Tは、 Z軸方向、 0 X方向、 及び Θ Y方向にも移動可能である。 この防 振装置 1 1 0によって、 メインフレーム 1 0 2の振動が、 基板ステージ P S Tを 非接触支持するステージべ一ス 1 1 2に伝わらないように、 ステージベース 1 1 2とメインフレーム 1 0 2とが振動に関して分離されている。 基板ステージ P S T上の + X側の所定位置には移動鏡 5 5が設けられ、 鏡筒 P Kの + X側の所定位置には参照鏡 （固定鏡） 1 1 4が設けられている。 また、 移 動鏡 5 5及び参照鏡 1 1 4に対向する位置にはレーザ干渉計 5 6が設けられてい る。 レーザ干渉計 5 6は、 鏡筒定盤 1 0 0に取り付けられているため、 レーザ干 渉計 5 6と液体供給機構 1 0及び液体回収機構 2 0とは振動に関して離れている c レーザ干渉計 5 6は、 移動鏡 5 5に測長ビーム （測定光） を照射するとともに、 参照鏡 1 1 4に参照ビーム （参照光） を照射する。 照射した測長ビーム及び参照 ビームに基づく移動鏡 5 5及び参照鏡 1 1 4それぞれからの反射光はレ一ザ干渉 計 5 6の受光部で受光され、 レーザ干渉計 5 6はこれら光を干渉し、 参照ビーム の光路長を基準とした測長ビームの光路長の変化量、 ひいては、 参照鏡 1 1 4を 基準とした移動鏡 5 5の位置情報、 すなわち基板ステージ P S Tの位置情報を計 測する。 同様に、 不図示ではあるが、 基板ステージ P S T上及び鏡筒 P Kの + Y 側にも移動鏡及び参照鏡が設けられ、 これらに対向する位置にはレーザ干渉計が 設けられている。 また、 鏡筒定盤 1 0 0には、 基板 Pのフォ—カス位置 （Z位置） 及び傾斜を計 測するための才ー卜フォーカス検出系や基板 P上のァライメン卜マークを検出す るァライメント系等、 不図示の計測系も支持されており、 これらの計測系も、 メ インフレーム 1 0 2、 液体供給機構 1 0、 液体回収機構 2 0とは振動に関して分 離されることになる。 液体供給機構 1 0及び液体回収機構 2 0は、 メインフレ—厶 1 0 2の下側段部 1 0 2 Bに支持されている。本実施形態では、液体供給機構 1 0を構成する第 1、 第 2供給部材 1 3、 1 4、 供給管 1 1 A、 1 2 A、 及び液体回収機構 2 0を構成 する回収部材 2 2、 回収管 2 1 Aなどが、 支持部材 1 4 0によって支持され、 こ の支持部材 1 4 0がメインフレーム 1 0 2の下側段部 1 0 2 Bに接続された構成 となっている。 なお、 図 2 0では、 供給部材 1 3、 1 4、 回収部材 2 2、 供給管 1 1 A s 1 2 A , 及び回収管 2 1 Aなどは簡略化して図示されている。 このように、 投影光学系 P Lを支持する鏡筒定盤 1 0 0と振動に関して分離さ れたメインフレーム 1 0 2で液体供給機構 1 0及び液体回収機構 2 0を支持する ことによって、 液体供給機構 1 0及び液体回収機構 2 0と投影光学系 P Lとは振 動に関して分離されたことになる。 したがって、 液体供給の際、 あるいは液体回 収の際に生じる振動が、 鏡筒定盤 1 0 0を介して投影光学系 P L、 レーザ干渉計 5 6、 及び才ー卜フォーカス検出系ゃァライメン卜系等の計測系に伝わることが ない。 したがって、 投影光学系が振動することでパターン像が劣化するといつた 不都合の発生を防止でき、 また、 基板ステージ （基板 P ) の位置制御を精度良く 行うことができるため、 パターン像を基板上に精度良く投影することができる。 また、 基板ステージ P S Tをま持するステージベース 1 1 2と振動に関して分離 されたメインフレーム 1 0 2で液体供給機構 1 0及び液体回収機構 2 0を支持す ることによって、 液体供給機構 1 0及び液体回収機構 2 0とステージべ一ス 1 1 2とは振動に関して分離されたことになる。 したがって、 液体供給の際、 あるい は液体回収の際に生じる振動が、 ステージベース 1 1 2に伝わることもなく、 基 板ステージ P S Tの位置決め精度、 あるいは移動精度を低下させる不都合が生じ るのを防止することができる。 なお、 本実施形態においては、 メインフレーム 1 0 2に液体供給機構 1 0及び 液体回収機構 2 0がー体的に支持されているが、 液体供給機構 1 0と液体回収機 構 2 0とを分離して、 メインフレーム 1 0 2に取り付けるようにしてもよい。 更 にメインフレーム 1 0 2とは別の支持部材をクリーンルーム等の床に配置し、 こ の支持部材に液体供給機構と液体回収機構とを支持するようにしてもよい。 上述したように、 本実施形態における液体 1には純水が用いられている。 純水 は、 半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、 基板 P上のフォトレ ジス卜や光学素子 （レンズ） 等に対する悪影響がない利点がある。 また、 純水は 環境に対する悪影響がないとともに、 不純物の含有量が極めて低いため、 基板 P の表面、 及び投影光学系 P Lの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄す る作用も期待できる。 そして、 波長が 1 9 3 n m程度の露光光 E Lに対する純水 (水） の屈折率 nはほぼ 1 . 4 4程度と言われており、 露光光 E Lの光源として A r Fエキシマレーザ光（波長 1 9 3 n m )を用いた場合、基板 P上では 1 / n、 すなわち約 1 3 4 n m程度に短波長化されて高い解像度が得られる。 更に、 焦点 深度は空気中に比べて約 n倍、 すなわち約 1 . 4 4倍程度に拡大されるため、 空 気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、 投影光学 系 P Lの開口数をより増加させることができ、 この点でも解像度が向上する。 なお、上述したように液浸法を用いた場合には、投影光学系の開口数 N Aが 0 . 9〜1 . 3になることもある。 このように投影光学系の開口数 N Aが大きくなる 場合には、 従来から露光光として用いられているランダム偏光光では偏光効果に よって結像性能が悪化することもあるので、 偏光照明を用いるのが望ましい。 そ の場合、 マスク （レチクル） のライン .アンド ' スぺ一スパ夕一ンのラインパ夕 —ンの長手方向に合わせた直線偏光照明を行い、 マスク （レチクル） のパターン からは、 S偏光成分 （ラインパターンの長手方向に沿った偏光方向成分） の回折 光が多く射出されるようにするとよい。 投影光学系 P Lと基板 P表面に塗布され たレジス卜との間が液体で満たされている場合、 投影光学系 P Lと基板 P表面に 塗布されたレジストとの間が空気 （気体） で満たされている場合に比べて、 コン トラス卜の向上に寄与する S偏光成分の回折光のレジスト表面での透過率が高く なるため、 投影光学系の開口数 N Aが 1 · 0を越えるような場合でも高い結像性 能を得ることができる。 また、 位相シフ卜マスクやラインパターンの長手方向に 合わせた斜入射照明法 （特にダイボール照明法） 等を適宜組み合わせると更に効 果的である。 なお、 ラインパターンの長手方向に合わせた斜入射照明法について は、 例えば特開平 6— 1 8 8 1 6 9号公報に開示されており、 本国際出願で指定 または選択された国の法令で許容される限りにおいて、 その開示を援用して本文 の記載の一部とする。 本実施形態では、 投影光学系 P Lの先端に光学素子 2としてレンズが取り付け られており、 このレンズにより投影光学系 P Lの光学特性、 例えば収差 （球面収 差、 コマ収差等） の調整を行うことができる。 なお、 光学素子 2としては前記光 学特性を調整する光学プレー卜であってもよい。 一方、 液体 1 と接触する光学素 子 2を、 レンズより安価な平行平面板とすることも可能である。 光学素子 2を平 行平面板とすることにより、 露光装置 E Xの運搬、 組立、 調整時等において投影 光学系 P Lの透過率、 基板 P上での露光光 E Lの照度、 及び照度分布の均一性を 低下させる物質 (例えばシリコン系有機物等) がその平行平面板に付着しても、 液体 1を供給する直前にその平行平面板を交換するだけでよく、 液体 1 と接触す る光学素子をレンズとする場合に比べてその交換コストが低くなるという利点が ある。 すなわち、 露光光 E Lの照射によりレジストから発生する飛散粒子、 また は液体 1中の不純物の付着などに起因して液体 1に接触する光学素子の表面が汚 れるため、 その光学素子を定期的に交換する必要があるが、 この光学素子を安価 な平行平面板とすることにより、 レンズに比べて交換部品のコストが低く、 且つ 交換に要する時間を短くすることができ、 メンテナンスコスト （ランニングコス 卜） の上昇やスループッ 卜の低下を抑えることができる。 なお、 液体 1の流れによって生じる投影光学系 P Lの先端の光学素子と基板 P との間の圧力が大きい場合には、 その光学素子を交換可能とするのではなく、 そ の圧力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。 なお、 本実施形態の液体 1は水であるが、 水以外の液体であってもよい。 例え ば、露光光 E Lの光源が F 2レーザである場合、 この F 2レーザ光は水を透過しな いので、 液体 1 としては F 2レーザ光を透過可能な例えば過フッ化ポリエーテル ( P F P E ) やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。 この場合、 卜 ラップ面 3 1 をはじめとする液体 1 と接触する部分には、 例えばフッ素を含む極 性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。 また、 液体 1 としては、 その他にも、 露光光 E Lに対する透過性があってできるだけ屈折率 が高く、 投影光学系 P Lや基板 P表面に塗布されているフォ卜レジス卜に対して 安定なもの （例えばセダー油） を用いることも可能である。 この場合も表面処理 は用いる液体 1の極性に応じて行われる。 なお、 上述の投影光学系 P Lは、 その像面側を液体 1 (純水） で満たした液浸 状態で、 その結像性能が最適となるように構成 （設計） されているが、 投影光学 系 P Lの一部の光学素子 (基板 Pに近い光学素子） を交換することによって、 そ の像面側に液体が存在しない非液浸状態やその像面側を別の液体で満たした液浸 状態でも所望の結像性能が得られるような構成 (設計) にしてもよい。 投影光学 系 P Lをこのような構成にすることによって、 例えば、 大きな焦点深度 D O Fが 必要な場合には露光装置 E Xを液浸状態で使用し、 高スループッ 卜が要求される 場合には一部の光学素子を交換して非液浸状態で露光装置 E Xを使用することが できる。 その場合、 一部の光学素子の交換後の結像性能を測定するために、 基板 ステージ P S T上に空間像センサや波面収差測定センサを配置しておくことが望 ましい。 また、 波面収差測定用のマスクを用いてもよいし、 その結像性能の測定 結果に基づいて、 各状態で所望の結像性能が得られるように、 一部の光学素子を 動かしたり、 露光光 E Lの波長の微調整を行うようにしてもよい。 なお、 上記空 間像センサの詳細については、 例えば特開 2 0 0 2 - 1 4 0 0 5号 （対応米国特 許公開 2 0 0 2 0 0 4 1 3 7 7 )に、また波面収差測定センサの詳細については、 例えば国際公開第 0 2ノ6 3 6 6 4号公報に開示されており、 本国際出願で指定 または選択された国の法令で許容される限りにおいて、 それらの開示を援用して 本文の記載の一部とする。 また、一部の光学素子の交換は、露光装置 E Xに投影光学系 P Lを搭載したまま 行うのが望ましいが、露光装置 E Xから投影光学系 P Lを外した状態で行うように してもよい。 なお、 上記各実施形態の基板 Pとしては、 半導体デバイス製造用の半導体ゥェ 八のみならず、 ディスプレイデバイス用のガラス基板や、 薄膜磁気へヅ ド用のセ ラミックウェハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合 成石英、 シリコンウェハ） 等が適用される。 露光装置 E Xとしては、 マスク Mと基板 Pとを同期移動してマスク Mのパター ンを走査露光するステップ■アンド ' スキャン方式の走査型露光装置 （スキヤ二 ングステツパ） の他に、 マスク Mと基板 Pとを静止した状態でマスク Mのパター ンを一括露光し、 基板 Pを順次ステップ移動させるステップ 'アンド - リピート 方式の投影露光装置 （ステツバ） にも適用することができる。 また、 本発明は基 板 P上で少なくとも 2つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ■アン ド ■ スティツチ方式の露光装置にも適用できる。 また、 本発明は、 ツインステージ型の露光装置にも適用できる。 ツインステ一 ジ型の露光装置の構造及び露光動作は、 例えば特開平 1 0— 1 63099号及び 特開平 1 0— 21 4783号 （対応米国特許 6, 341 , 007、 6， 400， 441、 6, 549, 269及び 6 , 590, 634) 、特表 2000-5059 58号 （対応米国特許 5, 969, 441 ) あるいは米国特許 6 , 208, 40 7に開示されており、 本国際出願で指定または選択された国の法令で許容される 限りにおいて、 それらの開示を援用して本文の記載の一部とする。 露光装置 E Xの種類としては、 基板 Pに半導体素子パ夕ーンを露光する半導体 素子製造用の露光装置に限られず、 液晶表示素子製造用又はデイスプレイ製造用 の露光装置や、 薄膜磁気へッ ド、 撮像素子 （CC D) あるいはレチクル又はマス クなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。 基板ステージ P S Tやマスクステージ M S Tにリニアモ一夕を用いる場合は、 エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を 用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各ステージ P S T、M S Tは、 ガイ ドに沿って移動するタイプでもよく、 ガイ ドを設けないガイ ドレスタイプで あってもよい。 ステージにリニァモー夕を用いた例は、 米国特許 5 , 623, 8 53及び 5， 528, 1 1 8に開示されており、 それぞれ本国際出願で指定また は選択された国の法令で許容される限りにおいて、これらの文献の記載内容を援用 して本文の記載の一部とする。 各ステージ P S T、 M S Τの駆動機構としては、 二次元に磁石を配置した磁石 ユニットと、 二次元にコイルを配置した電機子ュニッ卜とを対向させ電磁力によ り各ステージ P S T、 M S Tを駆動する平面モータを用いてもよい。 この場合、 磁石ュニヅ 卜と電機子ュニヅ卜とのいずれか一方をステージ P S T、 M S Tに接 続し、 磁石ュニヅ卜と電機子ュニッ卜との他方をステージ P S T、 M S Τの移動 面側に設ければよい。
基板ステージ P S Tの移動により発生する反力は、 投影光学系 P Lに伝わらな いように、 フレーム部材を用いて機械的に床 (大地） に逃がしてもよい。 この反 力の処理方法は、 例えば、 米国特許 5 , 5 2 8 , 1 1 8 (特開平 8 _ 1 6 6 4 7 5号公報）に詳細に開示されており、本国際出願で指定または選択された国の法令 で許容される限りにおいて、この文献の記載内容を援用して本文の記載の一部とす る。
マスクステージ M S Tの移動により発生する反力は、 投影光学系 P Lに伝わら ないように、 フレー厶部材を用いて機械的に床 （大地） に逃がしてもよい。 この 反力の処理方法は、 例えば、 米国特許第 5 , 8 7 4 , 8 2 0 (特開平 8— 3 3 0 2 2 4号公報）に詳細に開示されており、本国際出願で指定または選択された国の法 令で許容される限りにおいて、この文献の開示を援用して本文の記載の一部とする c
以上のように、 本願実施形態の露光装置 E Xは、 本願特許請求の範囲に挙げら れた各構成要素を含む各種サブシステムを、 所定の機械的精度、 電気的精度、 光 学的精度を保つように、 組み立てることで製造される。 これら各種精度を確保す るために、 この組み立ての前後には、 各種光学系については光学的精度を達成す るための調整、 各種機械系については機械的精度を達成するための調整、 各種電 気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。 各種サブシステム から露光装置への組み立て工程は、 各種サブシステム相互の、 機械的接続、 電気 回路の配線接続、 気圧回路の配管接続等が含まれる。 この各種サブシステムから 露光装置への組み立て工程の前に、 各サブシステム個々の組み立て工程があるこ とはいうまでもない。 各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了した ら、 総合調整が行われ、 露光装置全体としての各種精度が確保される。 なお、 露 光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うこと が よし 。 半導体デバイス等のマイクロデバイスは、 図 2 1に示すように、 マイクロデバ イスの機能■性能設計を行うステップ 2 0 1、 この設計ステップに基づいたマス ク (レチクル) を製作するステップ 2 0 2、 デバイスの基材である基板を製造す るステップ 2 0 3、 前述した実施形態の露光装置 E Xによりマスクのパターンを 基板に露光する露光処理ステップ 2 0 4、 デバイス組み立てステップ （ダイシン グ工程、 ボンディング工程、 パッケージ工程を含む） 2 0 5、 検査ステップ 2 0 6等を経て製造される。 産業上の利用可能性 本発明によれば、 投影光学系と基板との間に液浸領域を形成した状態で露光処 理する際、 液浸領域を安定して形成できるとともにこの液体を良好に回収でき、 周辺への液体の流出等を防止できるので、 精度良く露光処理できる。 従って、 本 発明の露光装置は A r Fエキシマレーザ等の短波長光源を用いた高解像度の露光 に極めて有用である。

Claims

請求の範囲
1 . 所定パターンの像を液体を介して基板に投影することによって基板を露光 する露光装置であって：
前記パターンの像を基板に投影する投影光学系と；
投影光学系の投影領域を含む基板上の一部に液浸領域を形成するために、 投影 領域に対して異なる複数の方向に離れた複数の位置で基板上に液体の供給を同時 に行う液体供給機構と；を備える露光装置。
2 . 前記液体供給機構は、 前記基板上の複数のショッ 卜領域を順次露光すると きに、前記複数の位置から液体を供給し続ける請求項 1に記載の露光装置。
3 . 前記液体供給機構は、 前記投影領域の両側から前記基板上への液体の供給 を同時に行う請求項 1に記載の露光装置。
4 . 前記液体供給機構は、 前記投影領域の両側から同量の液体を供給する請求 項 3に記載の露光装置。
5 . 前記基板上の各ショッ卜領域は所定の走査方向に移動しながら露光され、 前記液体供給機構は、 前記走査方向に関して前記投影領域の両側から前記液体の 供給を行う請求項 3に記載の露光装置。
6 . 前記液体供給機構は、 前記走査方向に関して、 前記投影領域の手前から供 給する液体量を、 その反対側で供給する液体量よりも多くする請求項 5に記載の
7 . 前記液体の供給と並行して前記基板上の液体の回収を行う液体回収機構を 更に備える請求項 1に記載の露光装置。
8 . 前記液体回収機構は、 前記投影領域に対して異なる複数の方向に離れた複 数の位置で前記基板上の液体の回収を同時に行う請求項 7に記載の露光装置。
9 . 所定バタ一ンの像を液体を介して基板に投影することによつて基板を露光 する露光装置であって：
前記パ夕一ンの像を基板に投影する投影光学系と；
投影光学系の投影領域を含む基板上の一部に液浸領域を形成するために基板上 に液体を供給する液体供給機構と；
投影領域に対して異なる複数の方向に離れた複数の位置で基板上の液体の回収 を同時に行う液体回収機構と；を備える露光装置。
1 0 . 前記液体回収機構は、 前記投影領域の両側で前記回収を同時に行う請求 項 8または 9に記載の露光装置。
1 1 . 前記液体回収機構は、 前記投影領域を取り囲むように連続的に形成され た回収口を有する請求項 8または 9に記載の露光装置。
1 2 . 前記連続的に形成された回収口の内部に仕切りが設けられている請求項 1 1に記載の露光装置。
1 3 . 前記液体回収機構は液体の回収位置に応じて異なる回収力で液体を回収 する請求項 8または 9に記載の露光装置。
1 4 . 所定パターンの像を液体を介して基板に投影することによって基板を露 光する露光装置であって：
前記パターンの像を基板に投影する投影光学系と；
投影光学系の投影領域を含む基板上の一部に液浸領域を形成するために基板上 に液体を供給する液体供給機構と ；
基板上の液体の回収を複数の位置で同時に行う液体回収機構と；を備え、 液体回収機構は液体回収位置に応じて異なる回収力で液体を回収する露光装置 c
1 5 . 前記基板上の各ショッ卜領域は所定の走査方向に移動しながら露光され、 前記液体回収機構は、 前記投影領域に対して前記走査方向に離れた所定位置での 液体回収力を、 前記所定位置とは別の位置での液体回収力よりも大きくする請求 項 1 3または 1 4に記載の露光装置。
1 6 . 前記投影領域に対して前記液体回収機構による液体回収位置の外側に配 置され、 前記液体回収機構で回収しきれなかつた液体を捕捉する所定長さの液体 卜ラップ面が形成されたトラップ部材を更に備える請求項 7、 9及び 1 4のいず れか一項に記載の露光装置。
1 7 . 所定パターンの像を液体を介して基板に投影することによって基板を露 光する露光装置であって：
前記パターンの像を基板に投影する投影光学系と；
投影光学系の投影領域を含む基板上の一部に液浸領域を形成するために基板上 に液体を供給する液体供給機構と；
投影領域から離れた回収位置で基板上の液体の回収を行う液体回収機構と； 投影領域に対して液体回収機構による液体回収位置の外側に配置され、 液体を 捕捉する液体トラップ面が形成されたトラップ部材と；を備える露光装置。
1 8 . 前記卜ラップ面は、 前記液体との親和性を高める処理が施されている請 求項 1 6または 1 7に記載の露光装置。
1 9 . 前記卜ラップ面の液体親和性は、 前記基板表面の液体親和性よりも高い 請求項 1 8に記載の露光装置。
2 0 . 前記トラップ面は水平面に対して傾斜している請求項 1 6または 1 7に 記載の露光装置。
2 1 . 前記トラップ面は、 前記投影領域を取り囲むように配置され、 前記トラ ップ面の位置に応じて長さが異なる請求項 1 6または 1 7に記載の露光装置。
2 2 . 前記卜ラップ面で捕捉された液体は、 前記液体回収機構に回収される請 求項 1 6または 1 7に記載の露光装置。
2 3 . 前記液体供給機構は、 前記液体回収機構による液体回収位置と前記投影 領域との間で液体の供給を行う請求項 7、 9、 1 4及び 1 7のいずれか一項に記
2 4 . 所定バタ一ンの像を液体を介して基板に投影することによつて基板を露 光する露光装置であって：
前記パターンの像を基板に投影する投影光学系と；
投影光学系の投影領域を含む基板上の一部に液浸領域を形成するために基板上 に液体を供給する液体供給機構と；
投影領域から離れた回収位置で基板上の液体の回収を行う液体回収機構と ； を 雨え、
液体供給機構による液体の供給は、 液体回収機構の液体回収位置と投影領域と の間で行われる露光装置。
2 5 . 前記液体供給機構は実行動作に応じて液体の供給量を変える請求項 2 3 または 2 4に記載の露光装置。
2 6 . 前記基板上の各ショッ ト領域は前記基板を移動しながら走査露光され、 前記液体供給機構は、 前記基板上の 2つのショッ 卜領域間のステッピング移動中 と各ショッ 卜領域の露光中とで液体の供給量を異ならせる請求項 2 5に記載の露
2 7 . 前記液体供給機構は、 前記投影光学系の先端の液体接触面との親和性が 前記基板表面との親和性よりも高い液体を供給する請求項 1、 9、 1 4、 1 7及 び 2 4のいずれか一項に記載の露光装置。
2 8 . 前記液体は水であって、前記投影光学系の先端の液体接触面は親水化処 理を施されており、 前記基板表面には撥水性の感光材が塗布されている請求項 2 7に記載の露光装置。
2 9 . 請求項 1 、 9、 1 4、 1 7及び 2 4のいずれか一項記載の露光装置を用 いることを特徴とするデバィス製造方法。
3 0 . 所定パターンの投影光学系による像を液体を介して基板に投影すること によって基板を露光する露光方法であって：
投影光学系の先端の液体接触面との親和性が、 基板表面との親和性よりも高い 液体を、 投影光学系の投影領域を含む基板上の一部に液浸領域を形成するために 供給することと；
前記液浸領域に供給された液体を介して所定バタ一ンの像を基板に投影するこ と； とを含む露光方法。
3 1 . 前記液体は水であって、 前記投影光学系の先端の液体接触面は親水化処 理を施されており、 前記基板表面には撥水性の感光材が塗布されている請求項 3 0に記載の露光方法。
3 2 . 前記基板の露光中に、 前記基板上に前記液体の供給を行うとともに、 前 記基板上の液体を回収する請求項 3 0に記載の露光方法。
3 3 . 請求項 3 0に記載の露光方法を用いるデバイス製造方法。
3 4 . 所定バタ一ンの像を液体を介して基板に投影することによつて基板を露光 する露光装置であって：
前記パターンの像を基板に投影する投影光学系と；
前記基板上に液体を供給する供給流路を有する液体供給機構と；
供給された液体を回収する回収流路を有する液体回収機構と ；を備え、 前記供給流路及び回収流路の少なくとも一方が、 複数の板状部材が積層された 積層部材中に形成されている露光装置。
3 5 . 前記積層部材の中央に積層部材の厚み方向に積層部材を貫通するように、 投影光学系の一部が配置される貫通穴が形成されている請求項 3 4に記載の露光
3 6 . 前記供給流路及び回収流路の少なくとも一方が、 少なくとも 2つの板状 部材の厚み方向を貫通するように形成されている請求項 3 4または 3 5に記載の
3 7 . 所定バタ一ンの像を液体を介して基板に投影することによつて基板を露 光する露光装置であって：
前記パターンの像を基板に投影する投影光学系と；
投影光学系の投影領域を含む基板上の一部に液浸領域を形成するために基板上 に液体を供給する液体供給機構と；を備え、
液体供給機構は、 投影光学系とは振動的に分離されている露光装置。
3 8 . 前記液体供給機構は、 前記バタ一ン像が投影される投影領域の両側に供 給口を有し、 前記基板上への液体の供給を前記投影領域の両側で同時に行う請求 項 3 7に記載の露光装置。
3 9 . 前記基板上の各ショッ ト領域は所定の走査方向に移動しながら露光され、 前記液体供給機構は、 前記走査方向に関して前記投影領域の両側から前記液体の 供給を同時に行う請求項 3 8に記載の露光装置。
4 0 . 前記基板上の液体を回収する液体回収機構を備え、 該液体回収機構は、 前記投影光学系とは振動的に分離されている請求項 3 7に記載の露光装置。
4 1 . 前記液体回収機構の回収口は、 前記液体供給機構の供給口を取り囲むよ うに配置されている請求項 4 0に記載の露光装置。
4 2 . さらに、 前記投影光学系を支持する第 1支持部材と、 第 1支持部材と振 動的に分離され、 前記液体供給機構を支持する第 2支持部材とを備える請求項 3 7に記載の露光装置。
4 3 . 所定バタ一ンの像を液体を介して基板に投影することによつて基板を露 光する露光装置であって：
前記パターンの像を基板に投影する投影光学系と；
投影光学系の投影領域を含む基板上の一部に供給された液体を回収する液体回 収機構と； を備え、
液体回収機構は、 投影光学系とは振動的に分離されている露光装置。
4 4 . さらに、 前記投影光学系を支持する第 1支持部材と、 該第 1支持部材と 振動的に分離され、 前記液体回収機構を支持する第 2支持部材とを備える請求項 4 3に記載の露光装置。
4 5 . 第 1支持部材と第 2支持部材との間には防振機構が配置されている請求 項 4 2または 4 4に記載の露光装置。
4 6 . 前記第 1支持部材に支持され、 前記基板を保持して移動可能な基板ステ ージの位置情報を計測するレーザ干渉計を更に備える請求項 4 2または 4 4に記
4 7 . 前記基板を保持して移動可能な基板ステージを支持するベースを備え、 前記第 2支持部材は、 前記ベース部材と振動的に分離されている請求項 4 2また は 4 4に記載の露光装置。
4 8 . 所定パターンの像を液体を介して基板に投影し、 該基板上の複数のショ ッ 卜領域を順次露光する露光装置であって：
前記バタ一ンの像を前記基板に投影する投影光学系と
該投影光学系の投影領域を含む基板上の一部に液浸領域を形成するために、 前 記基板と対向するように配置された供給口から液体を供給する液体供給機構と； を備え、
該液体供給機構は、 前記基板上の複数のショッ 卜領域の露光処理が行なわれて し、る間に前記供給口から液体を供給し続ける露光装置。
4 9 . 前記液体供給機構は、 複数の供給口を有する請求項 4 8に記載の露光装
5 0 . 前記供給口は、 前記投影領域の両側に配置されている請求項 4 9に記載 の露光装置。
5 1 . 前記基板上の複数のショッ 卜領域のうちの一部のショッ 卜領域は、 前記 基板を所定方向に移動しながら走査露光され、 残りのショッ 卜領域は、 前記所定 方向と反対の方向に前記基板を移動しながら走査露光される請求項 4 8に記載の
5 2 . 所定パターンの像を液体を介して基板に投影し、 該基板上の複数のショ ッ 卜領域を順次露光する露光装置であって：
前記パ夕一ンの像を前記基板に投影する投影光学系と ；
該投影光学系の投影領域を含む基板上の一部に液浸領域を形成するために、 所 定位置に配置された供給口から液体を供給する液体供給機構と ； 前記基板と対向するように配置された回収口を有し、 前記液体供給機構から供 給された液体を回収する液体回収機構と；を備え、
該液体回収機構は、 前記基板上の複数のショッ卜領域の露光処理が行なわれて いる間に前記回収口から液体を回収し続ける露光装置。
5 3 . 前記回収口は、 前記投影領域を取り囲むように配置されている請求項 5 2に記載の露光装置。
5 4 . 前記基板上の複数のショット領域のうちの一部のショット領域は、 前記 基板を所定方向に移動しながら走査露光され、 残りのショッ卜領域は、 前記所定 方向と反対の方向に前記基板を移動しながら走査露光される請求項 5 2に記載の
5 5 . 請求項 3 4、 3 7、 4 3、 4 8及び 5 2のいずれか一項に記載の露光装 置を用いるデバイス製造方法。
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EP04714910.9A EP1598855B1 (en) 2003-02-26 2004-02-26 Exposure apparatus and method, and method of producing apparatus
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US11/211,749 US7268854B2 (en) 2003-02-26 2005-08-26 Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US11/366,746 US7932991B2 (en) 2003-02-26 2006-03-03 Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US11/502,393 US8102504B2 (en) 2003-02-26 2006-08-11 Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US11/826,465 US7907253B2 (en) 2003-02-26 2007-07-16 Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US11/826,622 US7535550B2 (en) 2003-02-26 2007-07-17 Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US11/826,624 US7453550B2 (en) 2003-02-26 2007-07-17 Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
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US11/879,514 US7542128B2 (en) 2003-02-26 2007-07-18 Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US11/826,943 US7907254B2 (en) 2003-02-26 2007-07-19 Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US12/923,947 US8736809B2 (en) 2003-02-26 2010-10-15 Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US14/268,558 US9182684B2 (en) 2003-02-26 2014-05-02 Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US14/286,332 US9348239B2 (en) 2003-02-26 2014-05-23 Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US15/145,467 US9766555B2 (en) 2003-02-26 2016-05-03 Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US15/697,750 US10180632B2 (en) 2003-02-26 2017-09-07 Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US16/225,306 US20190121244A1 (en) 2003-02-25 2018-12-19 Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device

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Cited By (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1710630A3 (en) * 2005-04-05 2006-10-25 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7133114B2 (en) 2004-09-20 2006-11-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006137410A1 (ja) 2005-06-21 2006-12-28 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法
EP1739489A2 (en) * 2005-06-29 2007-01-03 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus immersion damage control
WO2007023813A1 (ja) 2005-08-23 2007-03-01 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
WO2007055199A1 (ja) 2005-11-09 2007-05-18 Nikon Corporation 露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法
WO2007066692A1 (ja) 2005-12-06 2007-06-14 Nikon Corporation 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
KR100737505B1 (ko) * 2005-01-14 2007-07-09 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
EP1821336A1 (en) * 2004-11-18 2007-08-22 Nikon Corporation Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method, exoposure apparatus, and device production method
WO2007094407A1 (ja) 2006-02-16 2007-08-23 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
WO2007094414A1 (ja) 2006-02-16 2007-08-23 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
WO2007094470A1 (ja) 2006-02-16 2007-08-23 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
WO2007097466A1 (ja) 2006-02-21 2007-08-30 Nikon Corporation 測定装置及び方法、処理装置及び方法、パターン形成装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法
WO2007129753A1 (ja) 2006-05-10 2007-11-15 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
WO2007136052A1 (ja) 2006-05-22 2007-11-29 Nikon Corporation 露光方法及び装置、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法
WO2007138834A1 (ja) 2006-05-31 2007-12-06 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法
US20080032234A1 (en) * 2004-09-17 2008-02-07 Takeyuki Mizutani Exposure Apparatus, Exposure Method, and Method for Producing Device
WO2009013903A1 (ja) 2007-07-24 2009-01-29 Nikon Corporation 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US7671963B2 (en) 2004-05-21 2010-03-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7751026B2 (en) 2005-08-25 2010-07-06 Nikon Corporation Apparatus and method for recovering fluid for immersion lithography
US7773195B2 (en) 2005-11-29 2010-08-10 Asml Holding N.V. System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography
US7782442B2 (en) 2005-12-06 2010-08-24 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, projection optical system and device producing method
US7804576B2 (en) 2004-12-06 2010-09-28 Nikon Corporation Maintenance method, maintenance device, exposure apparatus, and device manufacturing method
US7872730B2 (en) 2006-09-15 2011-01-18 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and immersion exposure method, and device manufacturing method
US7875418B2 (en) 2004-03-16 2011-01-25 Carl Zeiss Smt Ag Method for a multiple exposure, microlithography projection exposure installation and a projection system
US7898643B2 (en) 2003-06-27 2011-03-01 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
US7929111B2 (en) 2003-04-10 2011-04-19 Nikon Corporation Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus
US7948616B2 (en) 2007-04-12 2011-05-24 Nikon Corporation Measurement method, exposure method and device manufacturing method
US8004649B2 (en) 2003-06-19 2011-08-23 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
US8023106B2 (en) 2007-08-24 2011-09-20 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
USRE42741E1 (en) 2003-06-27 2011-09-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8035800B2 (en) 2006-03-13 2011-10-11 Nikon Corporation Exposure apparatus, maintenance method, exposure method, and method for producing device
US8054448B2 (en) 2004-05-04 2011-11-08 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US8054472B2 (en) 2006-02-21 2011-11-08 Nikon Corporation Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method, and device manufacturing method
EP2392971A1 (en) 2006-11-16 2011-12-07 Nikon Corporation Surface treatment method and surface treatment apparatus, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
US8089610B2 (en) 2003-04-10 2012-01-03 Nikon Corporation Environmental system including vacuum scavenge for an immersion lithography apparatus
US8098362B2 (en) 2007-05-30 2012-01-17 Nikon Corporation Detection device, movable body apparatus, pattern formation apparatus and pattern formation method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
US8111373B2 (en) 2004-03-25 2012-02-07 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabrication method
US8179517B2 (en) 2005-06-30 2012-05-15 Nikon Corporation Exposure apparatus and method, maintenance method for exposure apparatus, and device manufacturing method
US8189168B2 (en) 2007-05-28 2012-05-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, device production method, cleaning apparatus, cleaning method, and exposure method
US8194232B2 (en) 2007-07-24 2012-06-05 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, position control method and position control system, and device manufacturing method
US8203693B2 (en) 2005-04-19 2012-06-19 Asml Netherlands B.V. Liquid immersion lithography system comprising a tilted showerhead relative to a substrate
US8218129B2 (en) 2007-08-24 2012-07-10 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, measuring method, and position measurement system
US8237919B2 (en) 2007-08-24 2012-08-07 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method for continuous position measurement of movable body before and after switching between sensor heads
US8236467B2 (en) 2005-04-28 2012-08-07 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8289500B2 (en) 2006-09-29 2012-10-16 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8373843B2 (en) 2004-06-10 2013-02-12 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8384875B2 (en) 2008-09-29 2013-02-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8446579B2 (en) 2008-05-28 2013-05-21 Nikon Corporation Inspection device and inspecting method for spatial light modulator, illumination optical system, method for adjusting the illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8451427B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
US8462317B2 (en) 2007-10-16 2013-06-11 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8482716B2 (en) 2004-06-10 2013-07-09 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8508713B2 (en) 2004-06-10 2013-08-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8514366B2 (en) 2006-05-18 2013-08-20 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, maintenance method and device manufacturing method
US8520291B2 (en) 2007-10-16 2013-08-27 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8520187B2 (en) 2003-09-03 2013-08-27 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US8547527B2 (en) 2007-07-24 2013-10-01 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and pattern formation apparatus, and device manufacturing method
US20130271945A1 (en) 2004-02-06 2013-10-17 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US8619231B2 (en) 2009-05-21 2013-12-31 Nikon Corporation Cleaning method, exposure method, and device manufacturing method
US8675177B2 (en) 2003-04-09 2014-03-18 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and method for fabricating device with light amount distribution having light larger in first and second pairs of areas
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US8717533B2 (en) 2004-06-10 2014-05-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8854601B2 (en) 2005-05-12 2014-10-07 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US8867022B2 (en) 2007-08-24 2014-10-21 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method
US8908145B2 (en) 2006-02-21 2014-12-09 Nikon Corporation Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
US9097981B2 (en) 2007-10-12 2015-08-04 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9116346B2 (en) 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9134622B2 (en) 2003-11-14 2015-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9140992B2 (en) 2003-10-28 2015-09-22 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9164209B2 (en) 2003-11-20 2015-10-20 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power having different thicknesses to rotate linear polarization direction
US9224632B2 (en) 2004-12-15 2015-12-29 Nikon Corporation Substrate holding apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method
US9229333B2 (en) 2007-12-28 2016-01-05 Nikon Corporation Exposure apparatus, movable body drive system, pattern formation apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US9239524B2 (en) 2005-03-30 2016-01-19 Nikon Corporation Exposure condition determination method, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method involving detection of the situation of a liquid immersion region
US9304412B2 (en) 2007-08-24 2016-04-05 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and measuring method
US9411247B2 (en) 2004-06-10 2016-08-09 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US9477158B2 (en) 2006-04-14 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9746781B2 (en) 2005-01-31 2017-08-29 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US10451973B2 (en) 2005-05-03 2019-10-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10495980B2 (en) 2005-03-04 2019-12-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1571698A4 (en) * 2002-12-10 2006-06-21 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
KR20180126102A (ko) 2003-02-26 2018-11-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
TWI470671B (zh) * 2003-05-23 2015-01-21 尼康股份有限公司 Exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
EP1494079B1 (en) * 2003-06-27 2008-01-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic Apparatus
JP3862678B2 (ja) * 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
KR101296501B1 (ko) 2003-07-09 2013-08-13 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
WO2005006415A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
TWI245163B (en) * 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4444920B2 (ja) 2003-09-19 2010-03-31 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US7034917B2 (en) * 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US8488099B2 (en) * 2004-04-19 2013-07-16 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
KR101264936B1 (ko) * 2004-06-04 2013-05-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US20070103661A1 (en) * 2004-06-04 2007-05-10 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US20070222959A1 (en) * 2004-06-10 2007-09-27 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US20070139628A1 (en) * 2004-06-10 2007-06-21 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
DE602005022708D1 (de) * 2004-06-15 2010-09-16 Quantum Semiconductor Llc Mit mehreren seitenverhältnissen betreibbare abbildungseinrichtungen
US7180571B2 (en) * 2004-12-08 2007-02-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and actuator
JP2006261606A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Canon Inc 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
TW200644079A (en) * 2005-03-31 2006-12-16 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method, and device production method
US20070132976A1 (en) * 2005-03-31 2007-06-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
EP1876635A4 (en) 2005-04-25 2010-06-30 Nikon Corp EXPOSURE METHOD, EXPOSURE APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
US7317507B2 (en) 2005-05-03 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070085989A1 (en) * 2005-06-21 2007-04-19 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, maintenance method, and device manufacturing method
JPWO2007043535A1 (ja) * 2005-10-07 2009-04-16 株式会社ニコン 光学特性計測方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに検査装置及び計測方法
US20070127002A1 (en) * 2005-11-09 2007-06-07 Nikon Corporation Exposure apparatus and method, and device manufacturing method
WO2007066679A1 (ja) 2005-12-06 2007-06-14 Nikon Corporation 露光装置、露光方法、投影光学系及びデバイス製造方法
EP1978546A4 (en) 2005-12-28 2010-08-04 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
US8953148B2 (en) * 2005-12-28 2015-02-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and making method thereof
EP3147710B1 (en) 2006-01-19 2019-04-10 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
EP1986224A4 (en) 2006-02-16 2012-01-25 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
JP5077770B2 (ja) 2006-03-07 2012-11-21 株式会社ニコン デバイス製造方法、デバイス製造システム及び測定検査装置
JP4889331B2 (ja) * 2006-03-22 2012-03-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US20070291261A1 (en) * 2006-04-14 2007-12-20 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
KR20090023331A (ko) 2006-05-23 2009-03-04 가부시키가이샤 니콘 메인터넌스 방법, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
CN101390194B (zh) * 2006-06-30 2011-04-20 株式会社尼康 维修方法、曝光方法及装置、以及元件制造方法
US7826030B2 (en) * 2006-09-07 2010-11-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8208116B2 (en) 2006-11-03 2012-06-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography system using a sealed wafer bath
US8253922B2 (en) 2006-11-03 2012-08-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography system using a sealed wafer bath
US20080158531A1 (en) * 2006-11-15 2008-07-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8164736B2 (en) * 2007-05-29 2012-04-24 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device
US20080304025A1 (en) * 2007-06-08 2008-12-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
US20090051895A1 (en) * 2007-08-24 2009-02-26 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, device manufacturing method, and processing system
US8279399B2 (en) 2007-10-22 2012-10-02 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US9013681B2 (en) * 2007-11-06 2015-04-21 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method
JP4986185B2 (ja) * 2007-11-07 2012-07-25 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US9256140B2 (en) * 2007-11-07 2016-02-09 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method with measurement device to measure movable body in Z direction
US8665455B2 (en) * 2007-11-08 2014-03-04 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method
US8422015B2 (en) 2007-11-09 2013-04-16 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method
US8711327B2 (en) * 2007-12-14 2014-04-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
SG183058A1 (en) * 2007-12-17 2012-08-30 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
NL1036715A1 (nl) 2008-04-16 2009-10-19 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus.
TW201003053A (en) * 2008-07-10 2010-01-16 Nikon Corp Deformation measuring apparatus, exposure apparatus, jig for deformation measuring apparatus, position measuring method and device manufacturing method
JP4922359B2 (ja) 2008-07-25 2012-04-25 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
CN102597815A (zh) * 2009-10-29 2012-07-18 Lg化学株式会社 具有低反射和高接触角的基板及其制备方法
EP2502115A4 (en) * 2009-11-20 2013-11-06 Pelican Imaging Corp RECORDING AND PROCESSING IMAGES THROUGH A MONOLITHIC CAMERA ARRAY WITH HETEROGENIC IMAGE CONVERTER
US9651873B2 (en) 2012-12-27 2017-05-16 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium
US9057955B2 (en) 2013-01-22 2015-06-16 Nikon Corporation Functional film, liquid immersion member, method of manufacturing liquid immersion member, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9352073B2 (en) 2013-01-22 2016-05-31 Niko Corporation Functional film
JP5979302B2 (ja) 2013-02-28 2016-08-24 株式会社ニコン 摺動膜、摺動膜が形成された部材、及びその製造方法
US20140292111A1 (en) * 2013-03-28 2014-10-02 Ebara Corporation Stage device and electron beam application apparatus
JP6649636B2 (ja) 2015-02-23 2020-02-19 株式会社ニコン 計測装置、リソグラフィシステム及び露光装置、並びにデバイス製造方法
EP4300194A3 (en) 2015-02-23 2024-04-10 Nikon Corporation Measurement device, lithography system and exposure apparatus, and control method, overlay measurement method and device manufacturing method
TWI768409B (zh) 2015-02-23 2022-06-21 日商尼康股份有限公司 基板處理系統及基板處理方法、以及元件製造方法
JPWO2018038071A1 (ja) 2016-08-24 2019-07-18 株式会社ニコン 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法
CN113608413A (zh) 2016-09-30 2021-11-05 株式会社尼康 测量系统
JP7431597B2 (ja) * 2020-02-05 2024-02-15 キヤノン株式会社 振動制御装置、露光装置、および物品製造方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57153433A (en) * 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS6265326A (ja) * 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JPH07220990A (ja) * 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JPH10255319A (ja) * 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JPH10303114A (ja) * 1997-04-23 1998-11-13 Nikon Corp 液浸型露光装置
JPH10340846A (ja) * 1997-06-10 1998-12-22 Nikon Corp 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JPH11176727A (ja) * 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
WO1999049504A1 (fr) * 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
JP2000058436A (ja) * 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法

Family Cites Families (236)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1242527A (en) * 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US3573975A (en) 1968-07-10 1971-04-06 Ibm Photochemical fabrication process
ATE1462T1 (de) 1979-07-27 1982-08-15 Werner W. Dr. Tabarelli Optisches lithographieverfahren und einrichtung zum kopieren eines musters auf eine halbleiterscheibe.
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
JPS5754317A (en) 1980-09-19 1982-03-31 Hitachi Ltd Method and device for forming pattern
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4509852A (en) * 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4390273A (en) 1981-02-17 1983-06-28 Censor Patent-Und Versuchsanstalt Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
DD206607A1 (de) 1982-06-16 1984-02-01 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD242880A1 (de) 1983-01-31 1987-02-11 Kuch Karl Heinz Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
DD221563A1 (de) * 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6194342U (ja) 1984-11-27 1986-06-18
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
US5040020A (en) 1988-03-31 1991-08-13 Cornell Research Foundation, Inc. Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography
JPH0263664A (ja) 1988-08-31 1990-03-02 Keihin Seiki Mfg Co Ltd 真空ダイカスト装置
JPH069195B2 (ja) 1989-05-06 1994-02-02 大日本スクリーン製造株式会社 基板の表面処理方法
JPH03209479A (ja) 1989-09-06 1991-09-12 Sanee Giken Kk 露光方法
US5121256A (en) 1991-03-14 1992-06-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lithography system employing a solid immersion lens
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるｌｓｉ製造縮小投影露光装置の光学系
JPH06188169A (ja) 1992-08-24 1994-07-08 Canon Inc 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法
US5304759A (en) 1992-10-15 1994-04-19 Johnson Service Company Direct mount pressure control with a field adjustable trip point and reset point
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
US6989647B1 (en) 1994-04-01 2006-01-24 Nikon Corporation Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device
US7365513B1 (en) 1994-04-01 2008-04-29 Nikon Corporation Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device
US5528118A (en) 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
US5623853A (en) 1994-10-19 1997-04-29 Nikon Precision Inc. Precision motion stage with single guide beam and follower stage
US6008500A (en) 1995-04-04 1999-12-28 Nikon Corporation Exposure apparatus having dynamically isolated reaction frame
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316124A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US5661092A (en) 1995-09-01 1997-08-26 The University Of Connecticut Ultra thin silicon oxide and metal oxide films and a method for the preparation thereof
US6297871B1 (en) * 1995-09-12 2001-10-02 Nikon Corporation Exposure apparatus
US6104687A (en) 1996-08-26 2000-08-15 Digital Papyrus Corporation Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
DE69738910D1 (de) 1996-11-28 2008-09-25 Nikon Corp Ausrichtvorrichtung und belichtungsverfahren
JP3728613B2 (ja) 1996-12-06 2005-12-21 株式会社ニコン 走査型露光装置の調整方法及び該方法を使用する走査型露光装置
JP2000505958A (ja) 1996-12-24 2000-05-16 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ ２個の物品ホルダを有する二次元バランス位置決め装置及びこの位置決め装置を有するリソグラフ装置
US5815246A (en) 1996-12-24 1998-09-29 U.S. Philips Corporation Two-dimensionally balanced positioning device, and lithographic device provided with such a positioning device
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
USRE40043E1 (en) 1997-03-10 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Positioning device having two object holders
US5744294A (en) * 1997-04-30 1998-04-28 Eastman Kodak Company Radiographic element modified to provide protection from visual fatigue
US5900354A (en) * 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
US6563565B2 (en) * 1997-08-27 2003-05-13 Nikon Corporation Apparatus and method for projection exposure
WO1999025011A1 (fr) 1997-11-12 1999-05-20 Nikon Corporation Appareil d'exposition par projection
EP1039511A4 (en) 1997-12-12 2005-03-02 Nikon Corp PROJECTION EXPOSURE PROCESSING METHOD AND PROJECTION APPARATUS
US6208407B1 (en) 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
WO2000003198A1 (en) 1998-07-08 2000-01-20 Ppt Vision, Inc. Machine vision and semiconductor handling
KR19980081982A (ko) * 1998-08-11 1998-11-25 양승창 형광등 반사갓
JP2000173884A (ja) * 1998-12-02 2000-06-23 Canon Inc デバイス製造装置および方法ならびにデバイス製造装置の配線・配管実装方法
US6377332B1 (en) * 1999-02-03 2002-04-23 Nikon Corporation Optical member for photolithography and photolithography apparatus
US6707529B1 (en) * 1999-02-12 2004-03-16 Nikon Corporation Exposure method and apparatus
AU2233900A (en) 1999-03-23 2000-09-28 Kaneka Corporation Photovoltaic module
TWI242111B (en) 1999-04-19 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus
JP2001021875A (ja) 1999-07-12 2001-01-26 Seiko Epson Corp 液晶装置及びこれを用いた投写型表示装置
CN1260772C (zh) * 1999-10-07 2006-06-21 株式会社尼康 载物台装置、载物台驱动方法和曝光装置及曝光方法
JP3679668B2 (ja) 1999-12-20 2005-08-03 キヤノン株式会社 インクジェット記録ヘッドの製造方法
US6995930B2 (en) * 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7187503B2 (en) * 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
JP2001272604A (ja) 2000-03-27 2001-10-05 Olympus Optical Co Ltd 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置
US20020014403A1 (en) * 2000-04-07 2002-02-07 Eiichi Hoshino Method of fabricating reflective mask, and methods and apparatus of detecting wet etching end point and inspecting side etching amount
JP2002014005A (ja) 2000-04-25 2002-01-18 Nikon Corp 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置
US20020041377A1 (en) 2000-04-25 2002-04-11 Nikon Corporation Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2001084241A1 (en) 2000-05-03 2001-11-08 Silicon Valley Group, Inc. Non-contact seal using purge gas
US6488040B1 (en) 2000-06-30 2002-12-03 Lam Research Corporation Capillary proximity heads for single wafer cleaning and drying
JP3682914B2 (ja) 2000-07-31 2005-08-17 巌 秋月 データ通信システムおよびこれに用いるデータ処理装置、ブラウザを利用した接続維持方法、記録媒体
TW591653B (en) * 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
KR100866818B1 (ko) 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
JP2002198286A (ja) * 2000-12-25 2002-07-12 Nikon Corp 露光装置
KR100555930B1 (ko) * 2001-01-19 2006-03-03 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 그 디바이스
CN1491427A (zh) 2001-02-06 2004-04-21 ������������ʽ���� 曝光装置、曝光法和器件制造法
US7095482B2 (en) * 2001-03-27 2006-08-22 Nikon Corporation Multiple system vibration isolator
WO2002091078A1 (en) 2001-05-07 2002-11-14 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus employing an index matching medium
JP2002333018A (ja) * 2001-05-09 2002-11-22 Canon Inc 流体軸受装置、およびこれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
US6618205B2 (en) * 2001-05-14 2003-09-09 Pentax Corporation Endoscope objective optical system
JP2002343565A (ja) 2001-05-18 2002-11-29 Sharp Corp 有機ｌｅｄ表示パネルの製造方法、その方法により製造された有機ｌｅｄ表示パネル、並びに、その方法に用いられるベースフィルム及び基板
US6600547B2 (en) 2001-09-24 2003-07-29 Nikon Corporation Sliding seal
US20030091767A1 (en) 2001-11-02 2003-05-15 Podhajny Richard M. Anti-microbial packaging materials and methods for making the same
EP1446703A2 (en) 2001-11-07 2004-08-18 Applied Materials, Inc. Optical spot grid array printer
US20040007589A1 (en) * 2002-02-12 2004-01-15 Lindsay Leveen Device and method for dispensing carbonated beverages
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
US7092069B2 (en) * 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
DE10229818A1 (de) * 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
TWI242691B (en) 2002-08-23 2005-11-01 Nikon Corp Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US6988326B2 (en) * 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US7383843B2 (en) 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US6988327B2 (en) 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Methods and systems for processing a substrate using a dynamic liquid meniscus
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US7093375B2 (en) * 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US6954993B1 (en) * 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US6788477B2 (en) * 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101713932B (zh) * 2002-11-12 2012-09-26 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
US7110081B2 (en) * 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3977324B2 (ja) * 2002-11-12 2007-09-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置
CN101349876B (zh) * 2002-11-12 2010-12-01 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
DE60335595D1 (de) * 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
SG131766A1 (en) * 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10253679A1 (de) * 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
DE10258718A1 (de) 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
KR20050085026A (ko) 2002-12-10 2005-08-29 가부시키가이샤 니콘 광학 소자 및 그 광학 소자를 사용한 투영 노광 장치
EP1571698A4 (en) 2002-12-10 2006-06-21 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
KR101157002B1 (ko) 2002-12-10 2012-06-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US6992750B2 (en) * 2002-12-10 2006-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
SG150388A1 (en) 2002-12-10 2009-03-30 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
AU2003302831A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus and method for manufacturing device
SG2011031200A (en) 2002-12-10 2014-09-26 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus and device manufacturing method
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
WO2004053950A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
EP1571694A4 (en) 2002-12-10 2008-10-15 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE DEVICE
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
WO2004053957A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法
WO2004055803A1 (en) * 2002-12-13 2004-07-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer
ATE335272T1 (de) 2002-12-19 2006-08-15 Koninkl Philips Electronics Nv Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts
USRE46433E1 (en) 2002-12-19 2017-06-13 Asml Netherlands B.V. Method and device for irradiating spots on a layer
US7010958B2 (en) * 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
US7112727B2 (en) * 2002-12-20 2006-09-26 Peotec Seeds S.R.L. Mutant allele of tomato
US6781670B2 (en) * 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
TWI247339B (en) * 2003-02-21 2006-01-11 Asml Holding Nv Lithographic printing with polarized light
KR20180126102A (ko) 2003-02-26 2018-11-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JP4352930B2 (ja) * 2003-02-26 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US6943941B2 (en) * 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7206059B2 (en) * 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7029832B2 (en) 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
US20050164522A1 (en) 2003-03-24 2005-07-28 Kunz Roderick R. Optical fluids, and systems and methods of making and using the same
TW585291U (en) * 2003-03-25 2004-04-21 Quanta Comp Inc A strap buckle apparatus for a notebook computer
KR20110104084A (ko) 2003-04-09 2011-09-21 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
JP4656057B2 (ja) 2003-04-10 2011-03-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子
EP1611482B1 (en) 2003-04-10 2015-06-03 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
WO2004090634A2 (en) 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation Environmental system including vaccum scavange for an immersion lithography apparatus
EP1611486B1 (en) 2003-04-10 2016-03-16 Nikon Corporation Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus
SG2013077797A (en) 2003-04-11 2017-02-27 Nippon Kogaku Kk Cleanup method for optics in immersion lithography
SG139736A1 (en) 2003-04-11 2008-02-29 Nikon Corp Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly
WO2004092830A2 (en) 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
KR101369582B1 (ko) 2003-04-17 2014-03-04 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피에서 이용하기 위한 오토포커스 소자의 광학적 배열
JP4025683B2 (ja) * 2003-05-09 2007-12-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法及び露光装置
JP4146755B2 (ja) * 2003-05-09 2008-09-10 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
TWI295414B (en) * 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6995833B2 (en) 2003-05-23 2006-02-07 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2004349645A (ja) * 2003-05-26 2004-12-09 Sony Corp 液浸差動排液静圧浮上パッド、原盤露光装置および液侵差動排液による露光方法
TWI442694B (zh) 2003-05-30 2014-06-21 Asml Netherlands Bv 微影裝置及元件製造方法
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1486827B1 (en) 2003-06-11 2011-11-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4054285B2 (ja) * 2003-06-12 2008-02-27 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4084710B2 (ja) * 2003-06-12 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US6867844B2 (en) * 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP4029064B2 (ja) * 2003-06-23 2008-01-09 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4084712B2 (ja) * 2003-06-23 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4343597B2 (ja) 2003-06-25 2009-10-14 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005019616A (ja) 2003-06-25 2005-01-20 Canon Inc 液浸式露光装置
US6809794B1 (en) * 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP1498778A1 (en) 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1491956B1 (en) 2003-06-27 2006-09-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1494074A1 (en) 2003-06-30 2005-01-05 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007527615A (ja) 2003-07-01 2007-09-27 株式会社ニコン 同位体特定流体の光学素子としての使用方法
WO2005006415A1 (ja) * 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
US7006209B2 (en) 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7326522B2 (en) * 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
EP1503244A1 (en) * 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7175968B2 (en) * 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
US7579135B2 (en) * 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7061578B2 (en) 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7700267B2 (en) * 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7085075B2 (en) 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
US7070915B2 (en) * 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
US6954256B2 (en) * 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US7014966B2 (en) * 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
EP3223074A1 (en) 2003-09-03 2017-09-27 Nikon Corporation Apparatus and method for immersion lithography for recovering fluid
US6961186B2 (en) 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
US7369217B2 (en) * 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
US7678527B2 (en) 2003-10-16 2010-03-16 Intel Corporation Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids
US7411653B2 (en) 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US20070105050A1 (en) 2003-11-05 2007-05-10 Dsm Ip Assets B.V. Method and apparatus for producing microchips
US7924397B2 (en) * 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
JP4295712B2 (ja) 2003-11-14 2009-07-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及び装置製造方法
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1695148B1 (en) 2003-11-24 2015-10-28 Carl Zeiss SMT GmbH Immersion objective
US7125652B2 (en) 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
KR101200654B1 (ko) 2003-12-15 2012-11-12 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 고 개구율 및 평평한 단부면을 가진 투사 대물렌즈
WO2005059654A1 (en) 2003-12-15 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Objective as a microlithography projection objective with at least one liquid lens
WO2005106589A1 (en) 2004-05-04 2005-11-10 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore
WO2005059645A2 (en) 2003-12-19 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Microlithography projection objective with crystal elements
US20050185269A1 (en) * 2003-12-19 2005-08-25 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7460206B2 (en) * 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
US7589818B2 (en) * 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7119884B2 (en) 2003-12-24 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050147920A1 (en) * 2003-12-30 2005-07-07 Chia-Hui Lin Method and system for immersion lithography
US7088422B2 (en) * 2003-12-31 2006-08-08 International Business Machines Corporation Moving lens for immersion optical lithography
JP4371822B2 (ja) * 2004-01-06 2009-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
JP4429023B2 (ja) * 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US20050153424A1 (en) * 2004-01-08 2005-07-14 Derek Coon Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography
CN102207609B (zh) * 2004-01-14 2013-03-20 卡尔蔡司Smt有限责任公司 反射折射投影物镜
KR101233879B1 (ko) 2004-01-16 2013-02-15 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 편광변조 광학소자
WO2005069078A1 (en) 2004-01-19 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens
JP4843503B2 (ja) 2004-01-20 2011-12-21 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置
US7026259B2 (en) * 2004-01-21 2006-04-11 International Business Machines Corporation Liquid-filled balloons for immersion lithography
US7391501B2 (en) * 2004-01-22 2008-06-24 Intel Corporation Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography
WO2005074606A2 (en) 2004-02-03 2005-08-18 Rochester Institute Of Technology Method of photolithography using a fluid and a system thereof
US7050146B2 (en) * 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005076084A1 (en) 2004-02-09 2005-08-18 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
KR101115111B1 (ko) 2004-02-13 2012-04-16 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로 리소그래프 투영 노광 장치 투영 대물 렌즈
KR20070012371A (ko) 2004-02-18 2007-01-25 코닝 인코포레이티드 극자외선을 갖는 고 개구수 이미지용 반사굴절 이미지시스템
US20050205180A1 (en) * 2004-03-16 2005-09-22 Goudeau Michael C Method and apparatus for three dimensional object covers
US20050205108A1 (en) 2004-03-16 2005-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for immersion lithography lens cleaning
US7027125B2 (en) 2004-03-25 2006-04-11 International Business Machines Corporation System and apparatus for photolithography
US7084960B2 (en) 2004-03-29 2006-08-01 Intel Corporation Lithography using controlled polarization
US7227619B2 (en) 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7034917B2 (en) 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7295283B2 (en) 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005098504A1 (en) 2004-04-08 2005-10-20 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system with mirror group
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7271878B2 (en) 2004-04-22 2007-09-18 International Business Machines Corporation Wafer cell for immersion lithography
US20050241694A1 (en) 2004-04-29 2005-11-03 Red Flame Hot Tap Services Ltd. Hot tapping method, system and apparatus
US7244665B2 (en) 2004-04-29 2007-07-17 Micron Technology, Inc. Wafer edge ring structures and methods of formation
US7379159B2 (en) 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8054448B2 (en) 2004-05-04 2011-11-08 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7091502B2 (en) 2004-05-12 2006-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
KR20170028451A (ko) 2004-05-17 2017-03-13 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101368523B1 (ko) 2004-06-04 2014-02-27 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 광학적 결상 시스템의 결상 품질을 측정하기 위한 시스템
EP1759248A1 (en) 2004-06-04 2007-03-07 Carl Zeiss SMT AG Projection system with compensation of intensity variatons and compensation element therefor
US8717533B2 (en) * 2004-06-10 2014-05-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57153433A (en) * 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS6265326A (ja) * 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JPH07220990A (ja) * 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JPH10255319A (ja) * 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JPH10303114A (ja) * 1997-04-23 1998-11-13 Nikon Corp 液浸型露光装置
JPH10340846A (ja) * 1997-06-10 1998-12-22 Nikon Corp 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JPH11176727A (ja) * 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
WO1999049504A1 (fr) * 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
JP2000058436A (ja) * 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法

Cited By (238)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9885959B2 (en) 2003-04-09 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator
US9678437B2 (en) 2003-04-09 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction
US9146474B2 (en) 2003-04-09 2015-09-29 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and method for fabricating device with light amount distribution having light larger and different linear polarization states in an on-axis area and a plurality of off-axis areas
US9164393B2 (en) 2003-04-09 2015-10-20 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and method for fabricating device with light amount distribution having light larger in four areas
US8675177B2 (en) 2003-04-09 2014-03-18 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and method for fabricating device with light amount distribution having light larger in first and second pairs of areas
US9244363B2 (en) 2003-04-10 2016-01-26 Nikon Corporation Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus
US9632427B2 (en) 2003-04-10 2017-04-25 Nikon Corporation Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus
US9910370B2 (en) 2003-04-10 2018-03-06 Nikon Corporation Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus
US8456610B2 (en) 2003-04-10 2013-06-04 Nikon Corporation Environmental system including vacuum scavenge for an immersion lithography apparatus
US8836914B2 (en) 2003-04-10 2014-09-16 Nikon Corporation Environmental system including vacuum scavenge for an immersion lithography apparatus
US7929111B2 (en) 2003-04-10 2011-04-19 Nikon Corporation Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus
US9244362B2 (en) 2003-04-10 2016-01-26 Nikon Corporation Environmental system including vacuum scavenge for an immersion lithography apparatus
US8830443B2 (en) 2003-04-10 2014-09-09 Nikon Corporation Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus
US7969552B2 (en) 2003-04-10 2011-06-28 Nikon Corporation Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus
US9977350B2 (en) 2003-04-10 2018-05-22 Nikon Corporation Environmental system including vacuum scavenge for an immersion lithography apparatus
US7965376B2 (en) 2003-04-10 2011-06-21 Nikon Corporation Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus
US8089610B2 (en) 2003-04-10 2012-01-03 Nikon Corporation Environmental system including vacuum scavenge for an immersion lithography apparatus
US8810768B2 (en) 2003-04-10 2014-08-19 Nikon Corporation Environmental system including vacuum scavenge for an immersion lithography apparatus
US9658537B2 (en) 2003-04-10 2017-05-23 Nikon Corporation Environmental system including vacuum scavenge for an immersion lithography apparatus
US7929110B2 (en) 2003-04-10 2011-04-19 Nikon Corporation Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus
US9715178B2 (en) 2003-06-19 2017-07-25 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
US8004649B2 (en) 2003-06-19 2011-08-23 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
US9709899B2 (en) 2003-06-19 2017-07-18 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
USRE42741E1 (en) 2003-06-27 2011-09-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7898643B2 (en) 2003-06-27 2011-03-01 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
US9547243B2 (en) 2003-09-03 2017-01-17 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US8896807B2 (en) 2003-09-03 2014-11-25 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US8520187B2 (en) 2003-09-03 2013-08-27 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US10203610B2 (en) 2003-09-03 2019-02-12 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US9817319B2 (en) 2003-09-03 2017-11-14 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US9423697B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9140992B2 (en) 2003-10-28 2015-09-22 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9140993B2 (en) 2003-10-28 2015-09-22 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9146476B2 (en) 2003-10-28 2015-09-29 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9760014B2 (en) 2003-10-28 2017-09-12 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9423698B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9244359B2 (en) 2003-10-28 2016-01-26 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US10345712B2 (en) 2003-11-14 2019-07-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9134622B2 (en) 2003-11-14 2015-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9952515B2 (en) 2003-11-14 2018-04-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9885872B2 (en) 2003-11-20 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light
US9164209B2 (en) 2003-11-20 2015-10-20 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power having different thicknesses to rotate linear polarization direction
US10281632B2 (en) 2003-11-20 2019-05-07 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction
US10241417B2 (en) 2004-02-06 2019-03-26 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US9429848B2 (en) 2004-02-06 2016-08-30 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10007194B2 (en) 2004-02-06 2018-06-26 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US20130271945A1 (en) 2004-02-06 2013-10-17 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US9140990B2 (en) 2004-02-06 2015-09-22 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US9423694B2 (en) 2004-02-06 2016-08-23 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10234770B2 (en) 2004-02-06 2019-03-19 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US8634060B2 (en) 2004-03-16 2014-01-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for a multiple exposure, microlithography projection exposure installation and a projection system
US7875418B2 (en) 2004-03-16 2011-01-25 Carl Zeiss Smt Ag Method for a multiple exposure, microlithography projection exposure installation and a projection system
US8111373B2 (en) 2004-03-25 2012-02-07 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabrication method
US8169590B2 (en) 2004-03-25 2012-05-01 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabrication method
US9411248B2 (en) 2004-03-25 2016-08-09 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabrication method
US9046790B2 (en) 2004-03-25 2015-06-02 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabrication method
US10126661B2 (en) 2004-03-25 2018-11-13 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabrication method
US8411248B2 (en) 2004-03-25 2013-04-02 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabrication method
US9285683B2 (en) 2004-05-04 2016-03-15 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US8054448B2 (en) 2004-05-04 2011-11-08 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US8749754B2 (en) 2004-05-21 2014-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7671963B2 (en) 2004-05-21 2010-03-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8553201B2 (en) 2004-05-21 2013-10-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8717533B2 (en) 2004-06-10 2014-05-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8482716B2 (en) 2004-06-10 2013-07-09 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8508713B2 (en) 2004-06-10 2013-08-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US9411247B2 (en) 2004-06-10 2016-08-09 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8373843B2 (en) 2004-06-10 2013-02-12 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US9529273B2 (en) 2004-06-10 2016-12-27 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8704999B2 (en) 2004-06-10 2014-04-22 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US9778580B2 (en) 2004-06-10 2017-10-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US9134621B2 (en) 2004-06-10 2015-09-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US10203614B2 (en) 2004-06-10 2019-02-12 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US10331047B2 (en) 2004-08-19 2019-06-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9746788B2 (en) 2004-08-19 2017-08-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8446563B2 (en) 2004-08-19 2013-05-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8031325B2 (en) 2004-08-19 2011-10-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9488923B2 (en) 2004-08-19 2016-11-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10705439B2 (en) 2004-08-19 2020-07-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9904185B2 (en) 2004-08-19 2018-02-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9507278B2 (en) 2004-08-19 2016-11-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10599054B2 (en) 2004-08-19 2020-03-24 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9097992B2 (en) 2004-08-19 2015-08-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8755028B2 (en) 2004-08-19 2014-06-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9958785B2 (en) 2004-09-17 2018-05-01 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US20080032234A1 (en) * 2004-09-17 2008-02-07 Takeyuki Mizutani Exposure Apparatus, Exposure Method, and Method for Producing Device
US8675174B2 (en) * 2004-09-17 2014-03-18 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7133114B2 (en) 2004-09-20 2006-11-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN103149803A (zh) * 2004-11-18 2013-06-12 尼康股份有限公司 曝光装置、及元件制造方法
US8054465B2 (en) 2004-11-18 2011-11-08 Nikon Corporation Position measurement method
US9857692B2 (en) 2004-11-18 2018-01-02 Nikon Corporation Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
US9348238B2 (en) 2004-11-18 2016-05-24 Niko Corporation Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
US8576379B2 (en) 2004-11-18 2013-11-05 Nikon Corporation Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
CN103149803B (zh) * 2004-11-18 2016-03-30 尼康股份有限公司 曝光装置、及元件制造方法
US9298108B2 (en) 2004-11-18 2016-03-29 Nikon Corporation Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
EP1821336A1 (en) * 2004-11-18 2007-08-22 Nikon Corporation Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method, exoposure apparatus, and device production method
US9223230B2 (en) 2004-11-18 2015-12-29 Nikon Corporation Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
US9223231B2 (en) 2004-11-18 2015-12-29 Nikon Corporation Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
EP1821336A4 (en) * 2004-11-18 2011-03-09 Nikon Corp POSITION MEASURING METHOD, POSITION CONTROL METHOD, MEASURING METHOD, LOADING PROCESS, EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
TWI588872B (zh) * 2004-11-18 2017-06-21 尼康股份有限公司 Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
US8059260B2 (en) 2004-11-18 2011-11-15 Nikon Corporation Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
US8072578B2 (en) 2004-11-18 2011-12-06 Nikon Corporation Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
EP3346486A1 (en) * 2004-11-18 2018-07-11 Nikon Corporation Exposure method and exposure apparatus, and semiconductor device manufacturing methods
US10222708B2 (en) 2004-11-18 2019-03-05 Nikon Corporation Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
EP2772803A1 (en) * 2004-11-18 2014-09-03 Nikon Corporation Positioning and loading a substrate in an exposure apparatus
EP2772804A1 (en) * 2004-11-18 2014-09-03 Nikon Corporation Positioning and loading a substrate in an exposure apparatus
US20130235359A1 (en) * 2004-12-06 2013-09-12 Nikon Corporation Maintenance method, maintenance device, exposure apparatus, and device manufacturing method
US7804576B2 (en) 2004-12-06 2010-09-28 Nikon Corporation Maintenance method, maintenance device, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8456608B2 (en) 2004-12-06 2013-06-04 Nikon Corporation Maintenance method, maintenance device, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8891055B2 (en) 2004-12-06 2014-11-18 Nikon Corporation Maintenance method, maintenance device, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9690206B2 (en) 2004-12-15 2017-06-27 Nikon Corporation Substrate holding apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method
US9224632B2 (en) 2004-12-15 2015-12-29 Nikon Corporation Substrate holding apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method
US9964860B2 (en) 2004-12-15 2018-05-08 Nikon Corporation Substrate holding apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method
KR100737505B1 (ko) * 2005-01-14 2007-07-09 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US9746781B2 (en) 2005-01-31 2017-08-29 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US10495981B2 (en) 2005-03-04 2019-12-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10495980B2 (en) 2005-03-04 2019-12-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9239524B2 (en) 2005-03-30 2016-01-19 Nikon Corporation Exposure condition determination method, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method involving detection of the situation of a liquid immersion region
US8976334B2 (en) 2005-04-05 2015-03-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10209629B2 (en) 2005-04-05 2019-02-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10495984B2 (en) 2005-04-05 2019-12-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101807011B (zh) * 2005-04-05 2012-09-26 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
US9857695B2 (en) 2005-04-05 2018-01-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1710630A3 (en) * 2005-04-05 2006-10-25 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9429853B2 (en) 2005-04-05 2016-08-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8259287B2 (en) 2005-04-05 2012-09-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8988651B2 (en) 2005-04-05 2015-03-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8203693B2 (en) 2005-04-19 2012-06-19 Asml Netherlands B.V. Liquid immersion lithography system comprising a tilted showerhead relative to a substrate
US8941812B2 (en) 2005-04-28 2015-01-27 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8236467B2 (en) 2005-04-28 2012-08-07 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
EP2527921A2 (en) 2005-04-28 2012-11-28 Nikon Corporation Exposure method and exposure apparatus
US10488759B2 (en) 2005-05-03 2019-11-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10451973B2 (en) 2005-05-03 2019-10-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9891539B2 (en) 2005-05-12 2018-02-13 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US9360763B2 (en) 2005-05-12 2016-06-07 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US9310696B2 (en) 2005-05-12 2016-04-12 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US9429851B2 (en) 2005-05-12 2016-08-30 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US8854601B2 (en) 2005-05-12 2014-10-07 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
WO2006137410A1 (ja) 2005-06-21 2006-12-28 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法
EP1962140A3 (en) * 2005-06-29 2010-07-28 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus immersion damage control
EP1739489A2 (en) * 2005-06-29 2007-01-03 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus immersion damage control
EP1739489A3 (en) * 2005-06-29 2007-06-06 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus immersion damage control
US8179517B2 (en) 2005-06-30 2012-05-15 Nikon Corporation Exposure apparatus and method, maintenance method for exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2007023813A1 (ja) 2005-08-23 2007-03-01 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US8018571B2 (en) 2005-08-23 2011-09-13 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
US7751026B2 (en) 2005-08-25 2010-07-06 Nikon Corporation Apparatus and method for recovering fluid for immersion lithography
WO2007055199A1 (ja) 2005-11-09 2007-05-18 Nikon Corporation 露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法
US7773195B2 (en) 2005-11-29 2010-08-10 Asml Holding N.V. System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography
US8456611B2 (en) 2005-11-29 2013-06-04 Asml Holding N.V. System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography
US7782442B2 (en) 2005-12-06 2010-08-24 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, projection optical system and device producing method
WO2007066692A1 (ja) 2005-12-06 2007-06-14 Nikon Corporation 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
US8243254B2 (en) 2005-12-06 2012-08-14 Nikon Corporation Exposing method, exposure apparatus, and device fabricating method
US8547520B2 (en) 2005-12-06 2013-10-01 Nikon Corporation Exposing method, exposure apparatus, and device fabricating method
US8027020B2 (en) 2006-02-16 2011-09-27 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
WO2007094407A1 (ja) 2006-02-16 2007-08-23 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
WO2007094414A1 (ja) 2006-02-16 2007-08-23 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
WO2007094470A1 (ja) 2006-02-16 2007-08-23 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US7714982B2 (en) 2006-02-16 2010-05-11 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8390779B2 (en) 2006-02-16 2013-03-05 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
EP2813893A1 (en) 2006-02-21 2014-12-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8054472B2 (en) 2006-02-21 2011-11-08 Nikon Corporation Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method, and device manufacturing method
US9989859B2 (en) 2006-02-21 2018-06-05 Nikon Corporation Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method
WO2007097466A1 (ja) 2006-02-21 2007-08-30 Nikon Corporation 測定装置及び方法、処理装置及び方法、パターン形成装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法
EP3293577A1 (en) 2006-02-21 2018-03-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US9329060B2 (en) 2006-02-21 2016-05-03 Nikon Corporation Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method
US10012913B2 (en) 2006-02-21 2018-07-03 Nikon Corporation Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
US10088759B2 (en) 2006-02-21 2018-10-02 Nikon Corporation Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
EP3115844A1 (en) 2006-02-21 2017-01-11 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US10088343B2 (en) 2006-02-21 2018-10-02 Nikon Corporation Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method
EP3270226A1 (en) 2006-02-21 2018-01-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US9103700B2 (en) 2006-02-21 2015-08-11 Nikon Corporation Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method
EP3267258A1 (en) 2006-02-21 2018-01-10 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US10409173B2 (en) 2006-02-21 2019-09-10 Nikon Corporation Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method, and device manufacturing method
US10345121B2 (en) 2006-02-21 2019-07-09 Nikon Corporation Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method
US8027021B2 (en) 2006-02-21 2011-09-27 Nikon Corporation Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method
EP3267259A1 (en) 2006-02-21 2018-01-10 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US9690214B2 (en) 2006-02-21 2017-06-27 Nikon Corporation Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
US10132658B2 (en) 2006-02-21 2018-11-20 Nikon Corporation Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method
US8908145B2 (en) 2006-02-21 2014-12-09 Nikon Corporation Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
US9423705B2 (en) 2006-02-21 2016-08-23 Nikon Corporation Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method, and device manufacturing method
EP3327507A1 (en) 2006-02-21 2018-05-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8854632B2 (en) 2006-02-21 2014-10-07 Nikon Corporation Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method, and device manufacturing method
US10139738B2 (en) 2006-02-21 2018-11-27 Nikon Corporation Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
US9857697B2 (en) 2006-02-21 2018-01-02 Nikon Corporation Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method, and device manufacturing method
US10234773B2 (en) 2006-02-21 2019-03-19 Nikon Corporation Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method, and device manufacturing method
US8035800B2 (en) 2006-03-13 2011-10-11 Nikon Corporation Exposure apparatus, maintenance method, exposure method, and method for producing device
US10802410B2 (en) 2006-04-14 2020-10-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a barrier structure to handle liquid
US9477158B2 (en) 2006-04-14 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2007129753A1 (ja) 2006-05-10 2007-11-15 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US8477283B2 (en) 2006-05-10 2013-07-02 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8514366B2 (en) 2006-05-18 2013-08-20 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, maintenance method and device manufacturing method
WO2007136052A1 (ja) 2006-05-22 2007-11-29 Nikon Corporation 露光方法及び装置、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法
WO2007138834A1 (ja) 2006-05-31 2007-12-06 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法
US7872730B2 (en) 2006-09-15 2011-01-18 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and immersion exposure method, and device manufacturing method
US8743341B2 (en) 2006-09-15 2014-06-03 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and immersion exposure method, and device manufacturing method
US8922748B2 (en) 2006-09-29 2014-12-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8289500B2 (en) 2006-09-29 2012-10-16 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
EP2392971A1 (en) 2006-11-16 2011-12-07 Nikon Corporation Surface treatment method and surface treatment apparatus, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
US7948616B2 (en) 2007-04-12 2011-05-24 Nikon Corporation Measurement method, exposure method and device manufacturing method
US8189168B2 (en) 2007-05-28 2012-05-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, device production method, cleaning apparatus, cleaning method, and exposure method
US8098362B2 (en) 2007-05-30 2012-01-17 Nikon Corporation Detection device, movable body apparatus, pattern formation apparatus and pattern formation method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
EP3193212A1 (en) 2007-07-24 2017-07-19 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, position control method and position control system, and device manufacturing method
US9612539B2 (en) 2007-07-24 2017-04-04 Nikon Corporation Movable body drive method, pattern formation method, exposure method, and device manufacturing method for maintaining position coordinate before and after switching encoder head
US8547527B2 (en) 2007-07-24 2013-10-01 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and pattern formation apparatus, and device manufacturing method
US8194232B2 (en) 2007-07-24 2012-06-05 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, position control method and position control system, and device manufacturing method
US8582084B2 (en) 2007-07-24 2013-11-12 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, position control method and position control system, and device manufacturing method
WO2009013903A1 (ja) 2007-07-24 2009-01-29 Nikon Corporation 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US8264669B2 (en) 2007-07-24 2012-09-11 Nikon Corporation Movable body drive method, pattern formation method, exposure method, and device manufacturing method for maintaining position coordinate before and after switching encoder head
US8237919B2 (en) 2007-08-24 2012-08-07 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method for continuous position measurement of movable body before and after switching between sensor heads
US8023106B2 (en) 2007-08-24 2011-09-20 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
US8867022B2 (en) 2007-08-24 2014-10-21 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method
US8767182B2 (en) 2007-08-24 2014-07-01 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
US8218129B2 (en) 2007-08-24 2012-07-10 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, measuring method, and position measurement system
US9304412B2 (en) 2007-08-24 2016-04-05 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and measuring method
US9057963B2 (en) 2007-09-14 2015-06-16 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
US8451427B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
US9366970B2 (en) 2007-09-14 2016-06-14 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
US10101666B2 (en) 2007-10-12 2018-10-16 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9097981B2 (en) 2007-10-12 2015-08-04 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8520291B2 (en) 2007-10-16 2013-08-27 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8462317B2 (en) 2007-10-16 2013-06-11 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8508717B2 (en) 2007-10-16 2013-08-13 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9857599B2 (en) 2007-10-24 2018-01-02 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9341954B2 (en) 2007-10-24 2016-05-17 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9057877B2 (en) 2007-10-24 2015-06-16 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9116346B2 (en) 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9678332B2 (en) 2007-11-06 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9690205B2 (en) 2007-12-28 2017-06-27 Nikon Corporation Exposure apparatus, movable body drive system, pattern formation apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US10310384B2 (en) 2007-12-28 2019-06-04 Nikon Corporation Exposure apparatus, movable body drive system, pattern formation apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US9229333B2 (en) 2007-12-28 2016-01-05 Nikon Corporation Exposure apparatus, movable body drive system, pattern formation apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US10274831B2 (en) 2007-12-28 2019-04-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, movable body drive system, pattern formation apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8456624B2 (en) 2008-05-28 2013-06-04 Nikon Corporation Inspection device and inspecting method for spatial light modulator, illumination optical system, method for adjusting the illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8446579B2 (en) 2008-05-28 2013-05-21 Nikon Corporation Inspection device and inspecting method for spatial light modulator, illumination optical system, method for adjusting the illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8384875B2 (en) 2008-09-29 2013-02-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8619231B2 (en) 2009-05-21 2013-12-31 Nikon Corporation Cleaning method, exposure method, and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120088846A (ko) 2012-08-08
HK1170070A1 (en) 2013-02-15
JP6004030B2 (ja) 2016-10-05
US20070263185A1 (en) 2007-11-15
US7542128B2 (en) 2009-06-02
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TWI468876B (zh) 2015-01-11
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EP2466621B1 (en) 2015-04-01
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JP2018106206A (ja) 2018-07-05
JP5699977B2 (ja) 2015-04-15
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JP5126191B2 (ja) 2013-01-23
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KR101921572B1 (ko) 2018-11-26
KR101643112B1 (ko) 2016-07-26
US7535550B2 (en) 2009-05-19
JP2014112741A (ja) 2014-06-19
KR101875296B1 (ko) 2018-07-05
US20060146306A1 (en) 2006-07-06
TW200500813A (en) 2005-01-01
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SG2012087615A (en) 2015-08-28
KR20140110089A (ko) 2014-09-16
TWI361957B (ja) 2012-04-11
US8736809B2 (en) 2014-05-27
TWI621923B (zh) 2018-04-21
JP6428800B2 (ja) 2018-11-28
US20070263183A1 (en) 2007-11-15
US20070258067A1 (en) 2007-11-08
EP2466624A3 (en) 2012-11-28
HK1208088A1 (en) 2016-02-19
HK1247997A1 (zh) 2018-10-05
TW201719296A (zh) 2017-06-01
EP2466622A3 (en) 2012-11-28
EP2466625B1 (en) 2015-04-22
US20160246188A1 (en) 2016-08-25
TW201220002A (en) 2012-05-16
EP2466623B1 (en) 2015-04-22
JP2017068287A (ja) 2017-04-06
HK1170064A1 (en) 2013-02-15
TW201908879A (zh) 2019-03-01
JP2009147386A (ja) 2009-07-02
US9348239B2 (en) 2016-05-24
EP2466623A2 (en) 2012-06-20
JP5126190B2 (ja) 2013-01-23
CN104678715B (zh) 2017-05-17
KR20160089545A (ko) 2016-07-27
US7268854B2 (en) 2007-09-11
US20140240684A1 (en) 2014-08-28
EP2466624B1 (en) 2015-04-22
US20060274293A1 (en) 2006-12-07
HK1214405A1 (zh) 2016-07-22
US7932991B2 (en) 2011-04-26
US20050280791A1 (en) 2005-12-22
HK1168912A1 (en) 2013-01-11
HK1214372A1 (zh) 2016-07-22
TWI591445B (zh) 2017-07-11
KR20150052334A (ko) 2015-05-13
EP1598855A1 (en) 2005-11-23
KR20110061633A (ko) 2011-06-09
JP2014112716A (ja) 2014-06-19
JP2015121825A (ja) 2015-07-02
KR20120063524A (ko) 2012-06-15
KR101381538B1 (ko) 2014-04-04
EP2466624A2 (en) 2012-06-20
US20190121244A1 (en) 2019-04-25
EP3301511A1 (en) 2018-04-04
JP5353862B2 (ja) 2013-11-27
EP2945184B1 (en) 2017-06-28
US7907253B2 (en) 2011-03-15
KR20170143017A (ko) 2017-12-28
EP2466621A2 (en) 2012-06-20
CN104678715A (zh) 2015-06-03
US20170371253A1 (en) 2017-12-28
EP2466622A2 (en) 2012-06-20
CN102495540A (zh) 2012-06-13
EP1598855A4 (en) 2007-08-22
SG183572A1 (en) 2012-09-27
KR20180126102A (ko) 2018-11-26
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