WO2005066920A1 - 表示装置 - Google Patents

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WO2005066920A1
WO2005066920A1 PCT/JP2004/017146 JP2004017146W WO2005066920A1 WO 2005066920 A1 WO2005066920 A1 WO 2005066920A1 JP 2004017146 W JP2004017146 W JP 2004017146W WO 2005066920 A1 WO2005066920 A1 WO 2005066920A1
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organic
substrate
display
film transistor
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PCT/JP2004/017146
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Inventor
Takayuki Takeuchi
Norishige Nanai
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
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Publication date
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    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]

Definitions

  • the present invention relates to a display device that drives a pixel using a thin film transistor containing an organic material in an active layer.
  • TFTs and ⁇ ⁇ are suitably used as driving elements in active matrix type liquid crystal displays and the like.
  • Various types of TFT configurations have been proposed, but basically, a current flowing between a source electrode and a drain electrode provided in contact with a semiconductor layer is insulated from the semiconductor layer. It is configured to be controlled by a voltage applied to a gate electrode provided through a layer (that is, an electric field generated by the applied voltage).
  • semiconductor materials currently in practical use include semiconductor materials such as amorphous silicon and low-temperature polysilicon, which are relatively inexpensive in terms of characteristics as compared with crystalline silicon, but are relatively inexpensive. There is.
  • examples of insulating materials that are currently in practical use include silicon nitride and silicon nitride.
  • TFT manufacturing processes using these semiconductor materials and insulating materials require large-scale equipment such as plasma CVD and thin-film control equipment for precision processing. Therefore, the manufacturing cost of the TFT increases.
  • the manufacturing process generally includes a process at a processing temperature exceeding 350 ° C., there is a limitation on usable substrate materials and the like.
  • an organic semiconductor composed of an organic compound has been receiving attention as a semiconductor material that can be used for TFTs.
  • This organic semiconductor is a low-cost process and a low-temperature process, such as spin coating, ink-jet printing, and immersion technology.
  • the semiconductor layer can be formed by a manufacturing process such as singleting. Therefore, the manufacturing cost of the TFT can be reduced, and restrictions on usable substrate materials and the like are eliminated. Also, the low-cost process and low-temperature process described above are suitable. Because it can be used, TFTs can be formed on flexible substrates and large-area substrates, which is expected to expand applications to large-screen displays, sheet-like displays, and paper-like displays. ing.
  • the organic materials that make up the organic TFT are often degraded by gas and moisture in the air, so that the organic TFT is sealed by an appropriate method in order to use it as an electronic device. There is a need.
  • a representative example of an electronic device using an organic material is an organic electroluminescent device (hereinafter, referred to as an organic EL device).
  • Organic EL elements have the same problems as organic TFTs in that organic materials are used, and the sealing technology greatly affects the life of the element.
  • a method of sealing the organic EL device portion formed on the substrate with a metal cap (Patent Document 1) and disposing a desiccant in the container (Patent Document 1) Reference 2) has been taken.
  • a method of vertically sealing an organic EL element layer with a polymer film including a barrier layer having low permeability to oxygen or water vapor is disclosed (for example, see Patent Document 3).
  • a transparent conductive film formed on the surface of an organic EL element is formed of a metal oxide whose oxygen content is less than the stoichiometric composition and absorbs water and oxygen. (For example, see Patent Document 3).
  • Patent Documents 3 and 4 and the like aim at extending the life of the organic EL element. (Not limited to EL), it is necessary to prevent gas and moisture in the atmosphere from entering by the same method.
  • the method using a metal cap disclosed in Patent Documents 1 and 2 and the method disclosed in Patent Document 3 require a separate sealing member, which increases the number of manufacturing steps and makes the display device thicker. There were issues such as becoming.
  • the organic EL element which is a display element portion is protected, but when an organic TFT is used as a TFT, gas and moisture in the air enter the organic TFT portion. There was a problem that it could not be prevented.
  • the life of the display is required to be further increased with the increase in the number of sheets and the size of the display.
  • a method of protecting the organic material portion without increasing the number of constituent members has been demanded.
  • Patent Document 1 JP-A-8-306955
  • Patent Document 2 JP 2002-216951 A
  • Patent Document 3 Japanese Patent Application Publication No. 2002-543563
  • Patent document 4 JP 2002-237390
  • the present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems.
  • an organic material is used for a transistor for driving a display device, effective protection can be achieved without increasing the number of constituent members.
  • a possible display device is provided.
  • a display device of the present invention is a display device in which pixels are driven by using a thin film transistor containing an organic material in at least an active layer, wherein the thin film transistor portion and the display element portion are laminated and formed in this order on a substrate.
  • a pixel electrode formed on the substrate side of the display element portion also serves as a drain electrode of the thin film transistor.
  • FIG. 1A is a cross-sectional view of a display device according to Embodiment 1 of the present invention, which is a cross-sectional view taken along line II of FIG. 1B, and FIG. 1B is a view of a substrate surface of the display device according to Embodiment 1 of the present invention. Is a perspective view of
  • FIG. 2 is a correlation diagram between a source electrode and a lifetime of a display device according to Example 1 of Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 3A is a cross-sectional view of the display device according to Embodiment 2 of the present invention, and is a cross-sectional view taken along the line IIII of FIG. 3B.
  • FIG. 3B is a perspective view of the display device according to Embodiment 2 of the present invention. It is a map
  • FIG. 4A is a cross-sectional view of a display device in a comparative example, and is a cross-sectional view taken along line III-III of FIG. 4B.
  • FIG. 4B is a perspective view of the display device in the comparative example on a substrate surface.
  • the thin film transistor portion and the display element portion are laminated and formed in this order on a substrate, and a pixel electrode formed on the substrate side of the display element portion serves as a drain electrode of the thin film transistor.
  • a source electrode of the thin film transistor has an active layer in a thickness direction with respect to the pixel electrode. It is preferable that they are formed so as to face each other. Thus, the entire upper surface of the channel region of the active layer can be protected by the pixel electrode also serving as the drain electrode.
  • the source electrode has a size of 25% or more of the pixel electrode area.
  • the source electrode area per pixel becomes sufficiently large.
  • the current density during TFT operation is reduced, and as a result, the life of the organic TFT section is extended. It can be extended further.
  • a conductive film for suppressing gas and moisture permeation is formed outside the display element portion. Thereby, even the surface of the display element portion can be shielded from gas and moisture gas from the air, and the life can be extended.
  • suppressing the permeation of gas such as oxygen or moisture can be measured by a gas transport test at room temperature.
  • the oxygen transport rate (OTR) can be measured at room temperature (23 ° C) and in a dry environment using a commercially available instrument (eg, OxtranlOZ50 manufactured by Mocon).
  • the conductive film is formed so as to cover the entire display region. This makes it possible to more effectively suppress the permeation of a gas having a surface force and a gas of moisture as compared with the case where the conductive film on the surface of the display element portion is divided for each pixel.
  • the substrate is a substrate that suppresses gas transmission of oxygen and moisture.
  • intrusion of gas and moisture gas from the substrate side can be shielded, and the life can be extended.
  • the substrate preferably has flexibility.
  • the display element unit uses an organic electroluminescent device. According to such a configuration, it is possible to realize a light-weight and thin display device which has a long service life, is self-luminous by direct current low voltage driving, and is self-luminous.
  • the active layer portion of the thin film transistor includes an organic semiconductor layer.
  • an organic semiconductor layer As a result, it is possible to realize a transistor that is flexible and has high impact resistance in a low-cost process.
  • FIG. 1A is a cross-sectional view of the display device according to Embodiment 1 and is a cross-sectional view taken along line II of FIG. 1B.
  • FIG. 1A shows a cross-sectional view of a region for two pixels.
  • a source electrode 12 is patterned on a plastic substrate 11 having low gas and moisture permeability.
  • an organic semiconductor layer 13 is formed thereon, and the lower half of the gate insulating film 14i is patterned on the way, and after the gate electrode 14 is patterned and formed thereon, the gate insulating film 14i is formed.
  • the upper half is patterned, and the rest of the organic semiconductor layer 13 is laminated.
  • a pixel electrode 15 serving also as a drain electrode is formed on the organic semiconductor layer 13.
  • an organic EL layer 16 and a low-conductivity conductive film 17 having gas and moisture permeability as a display element portion are formed thereon so as to substantially cover the display region (the entire surface of the pixel).
  • the organic EL layer 16 is configured by laminating layers such as an electron transport layer, a light emitting layer, and a hole transport layer.
  • Reference numeral 10 denotes a thin film transistor (TFT)
  • reference numeral 20 denotes a display element unit.
  • FIG. 1B shows the positional relationship of the components in the area corresponding to the two pixels shown in FIG. 1A through the projection toward the pixel electrode 15 side and the plastic substrate 11 side.
  • the organic semiconductor layer 13 and the insulating layer are omitted.
  • the gate electrode 14 of each pixel is connected to a gate scan line 18, and the source electrode 12 is connected to a source scan line 19.
  • an insulating layer is provided at the intersection of the gate scan line 18 and the source scan line 19.
  • the source electrode 12 is preferably configured to be at least 25% of the area of the pixel electrode 15.
  • the pixel electrode 15 is formed so as to cover the active layer portion (the organic semiconductor layer 13 on the source electrode 12).
  • the connection wiring portion from the source electrode 12 to the source scan line 19 and the organic semiconductor layer 13 portion on the source scan line 19 are excluded.
  • FIG. 3A is a cross-sectional view of a region corresponding to two pixels of the display device according to Embodiment 2 and is a cross-sectional view taken along line II-II of FIG. 3B.
  • a gate electrode 34 is patterned on a plastic substrate 31. After patterning an insulating layer 34i thereon, the source electrode 32 is The pattern is formed. After the organic semiconductor layer 33 is formed thereon, a pixel electrode 35 also serving as a drain electrode is formed.
  • FIG. 3B shows the positional relationship of the respective constituent elements in the area corresponding to the two pixels shown in FIG. 3A through the transparent view from the pixel electrode 35 side to the plastic substrate 31 side.
  • the organic semiconductor layer 33 and the insulating layer 34i are omitted.
  • the gate electrode 34 of each pixel is connected to a gate scan line 38, and the source electrode 32 is connected to a source scan line 39.
  • an insulating layer 34i is provided at the intersection of the gate scan line 38 and the source scan line 39. Further, the pixel electrode 35 is formed so as to cover the active layer portion (the organic semiconductor layer 33 portion on the source electrode 32), and to be exhausted! RU
  • the plastic substrate 11 in this example is formed by depositing a 50 ⁇ m thick A1 film on a 50 ⁇ m thick polyethylene terephthalate (hereinafter referred to as PET) film, and further depositing another 50 ⁇ m thick PET film.
  • PET polyethylene terephthalate
  • This plastic substrate can suppress the permeation of gas and moisture by the A1 film, and has flexibility.
  • Au was used for the source electrode 12 and the source scan line 19, and Au for the gate electrode 14 and the gate scan line 18, and LiZMg-AgZAu was used for the pixel electrode 15.
  • 0.5 ⁇ m-thick pentacene is used as the organic semiconductor layer 13
  • 0.05 ⁇ m-thick TaO is used as the insulating layer 14 i
  • a 0.1 ⁇ m-thick Au gate electrode 14 is formed.
  • organic EL layer 16 has a thickness 0. 35 / zm bet Lihue - using Rujiamin derivative (TPD) Z aluminum quinolinol complex (Alq).
  • the electrolytic film 17 has a thickness of 0.3 ⁇ m and has an oxygen vacancy introduced by adjusting the oxygen atmosphere and film forming conditions during film formation. (ITO) was used. This ⁇ Koyori, lOmlZm 2 / day / MPa less than the gas transport properties are obtained, et al.
  • the current flowing between the source and the drain is controlled.
  • a voltage is applied between the pixel electrode and the conductive film, and the organic EL layer is generated.
  • the voltage applied to the gate was 30-50 V DC, and the voltage applied to the organic EL layer was 5-10 V DC.
  • the area of the source electrode 12 was prepared by comparing several sizes including the area of the pixel electrode 15 including 25%. The results are shown in Table 1 below.
  • FIG. 4A is a cross-sectional view of the display device of the comparative example, showing a cross-sectional view taken along the line III-III of FIG. 4B.
  • FIG. 4B shows the positional relationship of each component by seeing through the upper surface side plastic substrate 41 side for the area of two pixels.
  • the same plastic substrate as in Example 1 was used as the substrate 41.
  • a source electrode 42, a source scan line 49, and a drain electrode 45d were patterned with Au.
  • a LiZMg-AgZAu pattern was formed as the pixel electrode 45 so as to be connected to the drain electrode.
  • pentacene was patterned as the organic semiconductor layer 43, and TaO was patterned as the insulating layer 44i. Sarapiko, organic
  • TPDZAlq was patterned as the EL layer 46, and a conductive film 47 was formed thereon as in Example 1.
  • the display device of the comparative example uses the same material as that of the first embodiment as the material of each component, and differs only in the structure.
  • Example 1 has a longer life than Comparative Example.
  • These results show that the display element covered with the conductive film that suppresses the transmission of gas and moisture as in Example 1 is different from the configuration in which the organic TFT section and the display element section are provided on the substrate as in the comparative example. It can be seen that long life can be achieved by sandwiching the organic TFT between the substrate and the substrate, and making the pixel electrode cover the upper surface of the active layer. Further, as plotted in the graph of FIG. 2, in the sample of Example 1, the case where the area of the source electrode was 25% or more of the area of the pixel electrode was particularly improved in the life as compared with the case where the area of the pixel electrode was less than 25%. Was confirmed.
  • Example 2 the configuration described in Embodiment 2 and FIGS. 3A to 3B was used.
  • Example 2 the same materials as those in Example 1 were used for the components.
  • a 16 ⁇ 16 pixel (256 pixel) matrix device was prepared as an actual display device, and the current flowing through the organic EL element in an air atmosphere at a temperature of 60 ° C. and a humidity of 85% was used.
  • Example 1 the time when 13% of pixels, which is 5%, was defective was defined as the lifetime.
  • Example 2 As a result of the life evaluation of Example 2, the life was 302 hours. Compared to the comparative example shown in the first embodiment, it is apparent that the life is sufficiently improved.
  • the material forming each component is not limited to the material described in this embodiment.
  • the plastic substrate may use another polymer film such as polyethylene naphthalate or polyimide instead of the PET film, or use a metal such as nickel, chromium, copper, etc. instead of the A1 film as the noria layer.
  • a film of an alloy thereof or an insulator such as an inorganic oxide or an inorganic nitride may be used.
  • an inorganic substrate such as a glass substrate may be used, a flexible plastic substrate or the like as described in this embodiment mode can provide a flexible display device or a flexible and impact-resistant substrate. It is preferable because a lightweight display device can be configured.
  • each electrode such as a source electrode, a drain electrode, and a gate electrode
  • LiZMg—AgZAu is used for a pixel electrode.
  • the material of these electrodes is not limited to these.
  • Various conductive materials can be selected irrespective of organic or inorganic depending on the relationship between the layer and the display element portion.
  • ITO having oxygen defects introduced therein was used as the surface conductive film
  • a normal ITO film was used as the conductive film, and instead, another layer having a noria function was laminated on either side. It can be easily inferred that the same effect can be obtained even if used.
  • a transparent conductor material other than ITO may be used as long as it has an effect of suppressing gas and moisture permeation.
  • the organic semiconductor layer and the gate insulating film are also combined with pentacene and TaO.
  • a combination of commonly used organic insulating films such as ⁇ -conjugated organic semiconductors and polyvinyl phenol may be used, and the same effect can be obtained with other organic semiconductors and insulators. Is obtained.
  • a material for another purpose (for example, a protective film for preventing scratches, a color filter, or the like) ) May be arranged.
  • the organic EL element is used for the display element portion, but the display element portion is not limited to this.
  • the organic EL layer of each embodiment can be used in place of a liquid crystal layer.
  • a color filter or the like is arranged, it is arranged on the liquid crystal element, so the conductive film that suppresses the transmission of gas and moisture does not become the outermost layer.
  • a backlight, a polarizing plate, a reflecting plate, or the like is used. May be required separately, but when they are added, the effect of the present invention is not affected.
  • the present invention uses a thin film transistor including an organic material in an active layer as an element for driving a pixel of a display device, the pixel is driven using another active element using an organic semiconductor. It is clear that the same effect can be obtained in the display device.
  • the display device has an effect of protecting the organic TFT portion without increasing the number of members from gas and water in the air and extending the life of the organic TFT portion. It is useful for application to a type display.

Abstract

　本発明の表示装置は、少なくとも能動層に有機材料を含む薄膜トランジスタ(10)を用いて画素を駆動する表示装置であって、基板(11)上に前記薄膜トランジスタ部(10)と表示素子部(20)が、この順番に積層形成され、前記表示素子部(20)の前記基板(10)側に形成された画素電極(15)が、前記薄膜トランジスタ(10)のドレイン電極を兼ねている。これにより、表示装置を駆動するためのトランジスタに有機材料を使用した場合に、構成部材を増やすことなく有効な保護が可能な表示装置を提供する。                                                                                 

Description

明 細 書
表示装置
技術分野
[0001] 本発明は能動層に有機材料を含む薄膜トランジスタを用いて画素を駆動する表示 装置に関する。
背景技術
[0002] 現在、薄膜トランジスタ（以下、 TFTと ヽぅ）は、アクティブマトリクス型の液晶ディス プレイ等における駆動素子として好適に使用されている。この TFTの構成としては種 々の構成が提案されているが、基本的には、半導体層に接触して設けられたソース 電極とドレイン電極との間に流れる電流を、半導体層に対して絶縁層を介して設けら れたゲート電極に印加される電圧（つまり、印加される電圧で発生する電界）により制 御するように構成されている。そして、 TFTを構成する前記半導体層に関し、現在実 用化されている半導体材料としては、結晶シリコンと比して特性面では劣るものの、 比較的安価であるアモルファスシリコンや低温ポリシリコン等といった半導体材料があ る。又、ゲート電極が設けられる前記絶縁層に関し、現在実用化されている絶縁材料 としては、酸ィ匕シリコンゃ窒化シリコン等がある。しかし、これらの半導体材料及び絶 縁材料を用いる TFTの製造プロセスでは、プラズマ CVD法等の大規模な装置や、 精密加工のための薄膜制御装置を必要とする。そのため、 TFTの製造コストは高コ スト化する。又、前記製造プロセスは、一般に、 350°Cを越えるような処理温度のプロ セスを含むため、使用可能な基板材料等には制限がある。
[0003] ところで、近年では、 TFT用として利用可能な半導体材料として、有機化合物で構 成される有機半導体が注目されている。この有機半導体は、前述したアモルファスシ リコンゃ低温ポリシリコン等の無機系の半導体を用 V、る場合と比べて、低コストプロセ スでありかつ低温プロセスであるスピンコーティング、インクジェット印刷、及び浸漬コ 一ティング等の製造プロセスによって前記半導体層を形成することが可能である。そ のため、 TFTの製造コストを低コストィ匕することが可能であり、又、使用可能な基板材 料等に関する制限が解消される。又、前述した低コストプロセスや低温プロセスが適 用可能であることにより、フレキシブルな基板上ゃ大面積な基板への TFT形成が実 現でき、これによつて大画面ディスプレイやシートライク、或いはペーパーライクなディ スプレイ等への用途拡大が期待されている。しカゝしながら、有機 TFTを構成する有機 材料は、大気中のガス及び水分によって劣化してしまうことが多ぐ電子デバイスとし て用いるためにはその有機 TFT部分を適切な方法で封止する必要がある。
[0004] 有機材料を用いた電子デバイスの代表的なものに有機エレクト口ルミネッセンス素 子 (以下有機 EL素子と 、う）がある。有機 EL素子にぉ 、ても有機材料を使って 、る 点では、有機 TFTと同様の問題を抱えており、その封止技術というものが素子の寿 命に大きな影響を及ぼす。この問題を解決すべく有機 EL素子においては、基板上 に形成された有機 EL素子部をメタルキャップで封止したり（特許文献 1)、その容器 内に乾燥剤を配置したりする方法 (特許文献 2)がとられてきた。又、酸素や水蒸気の 浸透性の低いバリア層を含むポリマーフィルムで有機 EL素子層を上下力 封止する 方法が開示されている (例えば、特許文献 3参照)。又、有機 EL素子の表面に形成さ れる透明導電膜をィ匕学量論的組成より酸素が不足して ヽる金属酸化物で形成し、水 分や酸素を吸収する方法が開示されている（例えば、特許文献 3参照)。
[0005] 特許文献 3及び 4等に開示されている従来例は、有機 EL素子の長寿命化をねらつ てなされたものであるが、有機 TFTを駆動素子として用いる表示装置 (表示部が有機 ELには限らない）においても同様の方法で、大気中のガス及び水分の浸入を防止 する必要がある。しかしながら、特許文献 1一 2に開示されているメタルキャップを用 いる方法や、特許文献 3に開示の方法では、別途封止用の部材を必要とするため、 製造工程が増え、表示装置が厚くなる等の課題があった。また、特許文献 4に開示の 方法では、表示素子部である有機 EL素子は保護されるが、 TFTとして有機 TFTを 用いる場合には、有機 TFT部に大気中のガス及び水分が浸入してしまうのを防止で きないという問題があった。
[0006] 以上のとおり、ディスプレイのシート化、大型化とともに一層の長寿命化が求められ て 、る中で、構成部材を増やすことなく有機材料部を保護する方法が要請されて ヽ る。
特許文献 1：特開平 8— 306955号公報 特許文献 2 :特開 2002-216951号公報
特許文献 3：特表 2002— 543563公報
特許文献 4:特開 2002-237390公報
発明の開示
[0007] 本発明は、前記従来の課題を解決するためになされたものであり、表示装置を駆動 するためのトランジスタに有機材料を使用した場合に、構成部材を増やすことなく有 効な保護が可能な表示装置を提供する。
[0008] 本発明の表示装置は、少なくとも能動層に有機材料を含む薄膜トランジスタを用い て画素を駆動する表示装置であって、基板上に前記薄膜トランジスタ部と表示素子 部が、この順番に積層形成され、前記表示素子部の前記基板側に形成された画素 電極が、前記薄膜トランジスタのドレイン電極を兼ねていることを特徴とする。
図面の簡単な説明
[0009] [図 1]図 1Aは本発明の実施の形態 1における表示装置の断面図で図 1Bの I I線断 面図、図 1Bは本発明の実施の形態 1における表示装置の基板面への透写図である
[図 2]図 2は本発明の実施の形態 1の実施例 1における表示装置のソース電極と寿命 の相関図である。
[図 3]図 3Aは本発明の実施の形態 2における表示装置の断面図で図 3Bの II II線断 面図、図 3Bは本発明の実施の形態 2における表示装置の基板面への透写図である
[図 4]図 4Aは比較例における表示装置の断面図で図 4Bの III III線断面図、図 4Bは 比較例における表示装置の基板面への透写図である。
発明を実施するための最良の形態
[0010] 本発明は、基板上に前記薄膜トランジスタ部と表示素子部が、この順番に積層形成 され、前記表示素子部の前記基板側に形成された画素電極が、前記薄膜トランジス タのドレイン電極を兼ねていることにより、構成部材を増やすことなく有効な保護が可 能な表示装置を提供できる。
[0011] 前記薄膜トランジスタのソース電極は、前記画素電極に対して厚み方向に能動層 を介して対向して形成されていることが好ましい。これにより能動層のチャネル領域の 上面はすべてドレイン電極を兼ねた画素電極により保護することができる。
[0012] 前記ソース電極は、前記画素電極面積の 25%以上の大きさであることが好ましい。
これにより一画素あたりのソース電極面積が充分大きくなるので、一画素あたりに任 意の必要な電流値を設定した際、 TFT動作時の電流密度を下げ、その結果として有 機 TFT部の寿命をさらに延ばすことができる。
[0013] 前記表示素子部の外側にガス及び水分のガス透過を抑制する導電膜が形成され て!、ることが好ま 、。これにより表示素子部の表面にぉ 、ても空気中からのガス及 び水分のガスを遮蔽でき、長寿命化できる。
[0014] 前記において、酸素や水分などのガスの透過を抑制することは、室温下のガス輸送 試験によって測定できる。室温下のガス輸送試験は、市販の機器 (例えば、 Mocon 製 OxtranlOZ50など）を用いて、室温（23°C)、乾燥環境下で酸素輸送速度 (OT R)を測定できる。
[0015] より具体的には、 lOml/mV日 ZMPa未満が好ましい。
[0016] 前記導電膜は、表示領域全面を覆うように形成されて ヽることが好ま ヽ。これによ り表示素子部表面の導電膜が一つの画素ごとに区切られて構成される場合と比べて 、表面力ものガス及び水分のガスの浸入を効果的に抑制することができる。
[0017] 前記基板は、酸素及び水分のガス透過を抑制する基板であることが好ましい。これ により基板側からのガス及び水分のガスの浸入を遮蔽でき、長寿命化できる。
[0018] また、前記一連の表示装置において、前記基板が可撓性を有することが好ましい。
そのような構成によれば、長寿命で、かつフレキシブルな表示装置や、柔軟で耐衝 撃性の優れた軽量の表示装置などを実現することができる。
[0019] さらに、前記一連の表示装置において、前記表示素子部は有機エレクト口ルミネッ センス素子を用いていることが好ましい。そのような構成によれば、長寿命で、かつ直 流低電圧駆動で自発光の軽量薄型の表示装置を実現することができる。
[0020] また、前記薄膜トランジスタの能動層部は、有機半導体層を含むことが好ま 、。こ れにより、低コストプロセスで、可撓性を有し耐衝撃性にも強いトランジスタを実現す る事がでさる。 [0021] 以下、実施の形態と実施例について、図面を参照しながら説明する。
[0022] (実施の形態 1)
図 1 Aは本実施の形態 1に係る表示装置の断面図で図 1Bの I I線断面図である。 図 1Aでは、 2画素分の領域の断面図を示している。図 1 Aにおいて、ガス及び水分 の浸透性の低いプラスチック基板 11上にソース電極 12がパターン形成される。さら に、その上に有機半導体層 13が形成され、その途中にゲート絶縁膜 14iの下半分を パターン形成し、ゲート電極 14がその上に位置あわせしてパターン形成された後、 ゲート絶縁膜 14iの上半分がパターン形成され、さらに有機半導体層 13の残りが積 層される。さらに前記有機半導体層 13の上にドレイン電極を兼ねる画素電極 15が形 成される。さらに、その上に表示素子部として有機 EL層 16とガス及び水分の透過性 の低 ヽ導電膜 17が表示領域 (画素の構成されて ヽる全面)を概ね覆うように形成さ れる。ここで、有機 EL層 16は、電子輸送層、発光層、正孔輸送層等の各層が積層さ れ構成されている。 10は薄膜トランジスタ (TFT)、 20は表示素子部である。
[0023] 図 1Bは図 1Aに示した 2画素分の領域について画素電極 15側力 プラスチック基 板 11側への透写で各構成要素の位置関係を示したものである。有機半導体層 13や 絶縁層などは省略している。図 1Bにおいて、各画素のゲート電極 14はゲート走査ラ イン 18に、ソース電極 12はソース走査ライン 19にそれぞれ接続されている。ゲート走 查ライン 18とソース走査ライン 19の交差する部分には図示していないが、絶縁層が 設けられる。ソース電極 12は好ましくは画素電極 15の面積の 25%以上の大きさにな るように構成される。また、画素電極 15は、能動層部（ソース電極 12上の有機半導体 層 13部分)を覆い尽くすように形成されている。ここで、覆われるべき能動層部として は、ソース走査ライン 19へのソース電極 12からの接続配線部分およびソース走査ラ イン 19上の有機半導体層 13部は除くものとする。
[0024] (実施の形態 2)
実施の形態 2では、図 3A— Bを用いて本発明の別の構成について説明する。図 3A は、本実施の形態 2に係る表示装置の 2画素分の領域の断面図で図 3Bの II - II線断 面図を示している。図 3Aにおいて、プラスチック基板 31上にゲート電極 34がパター ン形成される。さらに、その上に絶縁層 34iをパターン形成した後、ソース電極 32が パターン形成される。その上に有機半導体層 33が形成された後、ドレイン電極を兼 ねる画素電極 35が形成される。さら〖こ、その上に表示素子部 20として有機 EL層 36 とガス及び水分の透過性の低 ヽ導電膜 37が表示領域 (画素の構成されて ヽる全面） を概ね覆うように形成される。 10は薄膜トランジスタ (TFT)である。図 3Bは図 3Aに 示した 2画素分の領域について画素電極 35側からプラスチック基板 31側への透写 で各構成要素の位置関係を示したものである。有機半導体層 33や絶縁層 34iなどは 省略している。図 3Bにおいて、各画素のゲート電極 34はゲート走査ライン 38に、ソ ース電極 32はソース走査ライン 39にそれぞれ接続されている。ゲート走査ライン 38 とソース走査ライン 39の交差する部分には図示していないが、絶縁層 34iが設けられ る。また、画素電極 35は、能動層部（ソース電極 32上の有機半導体層 33部分)を覆 V、尽くすように形成されて！、る。
[0025] (実施例 1)
本実施例は実施の形態 1及び図 1 A— Bで説明した構成を用 、た。本実施例におけ るプラスチック基板 11は、厚み 50 μ mのポリエチレンテレフタレート（以下 PETと!、う )フィルムに、厚み 50 μ mの A1膜を蒸着し、さらに別の厚み 50 μ mの PETフィルムを 接着した積層基板を用いた。本プラスチック基板は A1膜によりガス及び水分の透過 を抑制でき、かつ可撓性を有する。ソース電極 12及びソース走査ライン 19と、ゲート 電極 14及びゲート走査ライン 18の各電極は Auを、画素電極 15は LiZMg-AgZA uを用いた。有機半導体層 13としては厚み 0. 5 mのペンタセンを、絶縁層 14iとし ては厚み 0. 05 μ mの Ta Oを用い、厚み 0. 1 μ mの Auで形成したゲート電極 14を
2 5
包み込む形状とした。（ゲート部の総厚 0. 2 iu m)有機EL層16は厚み0. 35 /z mのト リフエ-ルジァミン誘導体 (TPD)Zアルミニウムキノリノール錯体 (Alq )を用いた。導
3
電膜 17はガス及び水分の透過を抑制する機能を付加するため、成膜時の酸素雰囲 気や成膜条件を調整して酸素欠陥を導入した厚み 0. 3 μ mのインジウムースズ酸ィ匕 物（ITO)を用いた。これ〖こより、 lOmlZm2/日 /MPa未満のガス輸送性能が得ら れる。
[0026] ゲート電極に電圧をオン Zオフすることにより、ソース→ドレイン (画素電極）間に流 れる電流を制御する。これにより画素電極と導電膜間に電圧が加わり有機 EL層が発 光する。ゲート印加電圧は直流 30— 50V、有機 EL層に印加する電圧は直流 5— 10 Vとした。
[0027] ソース電極 12の面積は、表 1に示す通り画素電極 15の面積に対して 25%のものを 含めて数種類の大きさを用意して比較した。結果は後の表 1に示す。
[0028] (比較例）
比較例として図 4A - Bに示すような表示装置を作製した。図 4Aは比較例の表示装 置の断面図で図 4Bの III III線断面図を示して!/、る。図 4Bは 2画素分の領域につ!ヽ て上面側力 プラスチック基板 41側への透写で各構成要素の位置関係を示したもの である。図 4A— Bにおいて、基板 41は実施例 1と同様のプラスチック基板を用いた。 前記プラスチック基板 41上にソース電極 42及びソース走査ライン 49と、ドレイン電極 45dを Auでパターン形成した。さらに、前記ドレイン電極と接続するように画素電極 4 5として、 LiZMg— AgZAuをパターン形成した。さらに、有機半導体層 43としてべ ンタセンをパターン形成し、絶縁層 44iとして Ta Oをパターン形成した。さら〖こ、有機
2 5
EL層 46として TPDZAlqをパターン形成し、その上に導電膜 47として、実施例 1と
3
同組成の ITOをパターン形成した。 44はゲート電極、 48はゲート走査ラインである。 このように比較例の表示装置は、各構成部材の材料として実施例 1のものと同一のも のを用いており、その構造のみが異なっている。
[0029] 実際の表示装置としては 16 X 16画素（256画素）のマトリクス状のものを作製し、温 度 60°C、湿度 85%の大気雰囲気中で、有機 EL素子へ流す電流が各表示装置間 で一定となるように TFT駆動を行 ヽ、 5%にあたる 13画素の欠陥が生じた時間を寿 命とした。表 1に本発明の実施例と比較例の寿命評価結果を示す。
[0030] [表 1] 実施例 サンプル N 0 . ソース電極の面積 （％) 寿命
比較例 (画素電極に対する割合） (時間）
1 1 0 2 8 7
2 2 0 4 7 5
実施例 3 2 5 5 2 0
1 4 3 0 5 3 5
5 5 0 5 4 3
比較例 一 一 8 7
[0031] 表 1より、明らかに実施例 1の方が比較例より寿命が延びている。この結果より、比 較例のように基板上に有機 TFT部と表示素子部を併設する構成に比べ、実施例 1の ように、ガス及び水分の透過を抑制する導電膜で覆われた表示素子部で有機 TFT を基板との間に挟み込み、かつ画素電極が能動層の上面を覆い尽くす構成にするこ とにより長寿命化を実現できることがわかる。また、図 2のグラフにプロットしたように、 実施例 1のサンプルにおいて、ソース電極の面積を画素電極の面積の 25%以上に したものは、それ未満のものと比べて、特に寿命が改善されていることが確認できた。
[0032] (実施例 2)
本実施例は実施の形態 2及び図 3A— Bで説明した構成を用いた。実施例 2にお ヽ て各構成要素の材料は実施例 1のものと同じものを用いた。実施例 1と同様に、実際 の表示装置としては 16 X 16画素（256画素）のマトリクス状のものを作製し、温度 60 °C、湿度 85%の大気雰囲気中で、有機 EL素子へ流す電流が実施例 1のものと同じ になるように TFT駆動を行 、、5%にあたる 13画素の欠陥が生じた時間を寿命とした
[0033] 実施例 2の寿命評価の結果、寿命は 302時間であった。実施の形態 1で示した比 較例と比べて、十分寿命が改善されて ヽることがゎカゝる。
[0034] なお、以上説明した実施の形態における実施例と比較例の比較から明らかなように
、本発明の効果は、各構成要素の材料に起因するのではなぐいかに各構成要素を 配置するかという構成によって生じるものである。したがって、各構成要素を形成する 材料は本実施の形態で示した材料に限定されな ヽ。 [0035] 例えば、プラスチック基板は、 PETフィルムではなくポリエチレンナフタレートやポリ イミドなどの別のポリマーフィルムを用いても良いし、ノ リア層として A1膜ではなく-ッ ケル、クロム、銅などの金属又はそれらの合金や、無機酸化物や無機窒化物などの 絶縁物の膜を用いても良い。また、ガラス基板などの無機系基板を用いても良いが 本実施の形態で示したように可撓性のあるプラスチック基板などを用いると、フレキシ ブルな表示装置や、柔軟で耐衝撃性の優れた軽量の表示装置を構成できるので好 ましい。
[0036] また、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極などの各電極は Auを、画素電極として は LiZMg— AgZAu、を用いたが、これらの電極材料もこれに限定されるものではな ぐ有機半導体層、表示素子部との関係により、有機、無機を問わず様々な導体材 料が選択可能である。さらに、表層の導電膜としては酸素欠陥を導入した ITOを用い たが、導電膜としては通常の ITO膜を用い、その代わりいずれかの側にノ リア機能を 有する別の層を積層したものを用いても同様の効果が得られることが容易に類推さ れる。また、ガス及び水分の透過を抑制する効果を有するものであれば ITO以外の 透明導体材料を用いても良 ヽ。
[0037] また、同様の理由で有機半導体層やゲート絶縁膜もペンタセンと Ta Oの組み合わ
2 5 せによらず、一般によく用いられる π共役系有機半導体やポリビニルフ ノールなど の有機絶縁膜の組み合わせでも良いし、その他の有機半導体と絶縁物を組み合わ せたものに対しても同様の効果が得られる。
[0038] なお、本実施の形態の各実施例で示した構成における表示素子部最外層の導電 膜上にさらに別の目的の構成材料 (例えば、傷を防止するための保護膜やカラーフ ィルタ等）を配置しても良い。
[0039] また、本発明の実施の形態では表示素子部に有機 EL素子を用いた場合について のみ示したが、表示素子部はこれに限らない。例えば、各実施例の有機 EL層を液晶 層に置き換えて用いることもできる。その際、カラーフィルタ等が配置される場合は液 晶素子の上に配置されるため、ガス及び水分の透過を抑制する導電膜が最外層に はならないが、前述のように実質的には本発明の構成と同じであり、同様の効果が得 られる。また、液晶素子を用いる場合は、バックライト、偏光板、あるいは反射板など が別途必要となる場合があるが、それらが付加された場合でも本発明の効果には影 響しない。
[0040] なお、本発明は表示装置の画素を駆動する素子として、能動層に有機材料を含む 薄膜トランジスタを用いたものであるが、有機半導体を用いたその他の能動素子を用 いて画素を駆動する表示装置においても同様の効果が得られることは明らかである。
[0041] [産業上の利用可能性]
本発明の表示装置は、部材を増やすことなぐ有機 TFT部を大気中のガス及び水 分から保護し長寿命化を実現すると!ヽぅ効果を有し、有機 TFTを用いて画素を駆動 するアクティブマトリクス型のディスプレイ等への応用にお 、て有用である。

Claims

請求の範囲
[1] 少なくとも能動層に有機材料を含む薄膜トランジスタを用いて画素を駆動する表示 装置であって、
基板上に前記薄膜トランジスタ部と表示素子部が、この順番に積層形成され、 前記表示素子部の前記基板側に形成された画素電極が、前記薄膜トランジスタの ドレイン電極を兼ねて 、ることを特徴とする表示装置。
[2] 前記薄膜トランジスタのソース電極は、前記画素電極に対して厚み方向に能動層 を介して対向して形成されて ヽる請求項 1に記載の表示装置。
[3] 前記ソース電極は、前記画素電極面積の 25%以上の大きさである請求項 2に記載 の表示装置。
[4] 前記表示素子部の外側にガス及び水分のガス透過を抑制する導電膜が形成され ている請求項 1一 3のいずれかに記載の表示装置。
[5] 前記導電膜は、表示領域全面を覆うように形成されて!ヽる請求項 4に記載の表示 装置。
[6] 前記基板は、酸素及び水分のガス透過を抑制する基板である請求項 1一 5のいず れかに記載の表示装置。
[7] 前記基板が可撓性を有する請求項 1一 6のいずれかに記載の表示装置。
[8] 前記表示素子部は、有機エレクト口ルミネッセンス素子である請求項 1一 7のいずれ かに記載の表示装置。
[9] 前記薄膜トランジスタの能動層部は、有機半導体層を含む請求項 1一 8のいずれか に記載の表示装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007053265A (ja) * 2005-08-18 2007-03-01 Seiko Epson Corp 半導体装置、電気光学装置及び電子機器
JP2008261954A (ja) * 2007-04-10 2008-10-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機ｅｌデバイス及び有機ｅｌディスプレイ
JPWO2014133141A1 (ja) * 2013-02-28 2017-02-02 日本放送協会 有機電界発光素子

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008242387A (ja) * 2007-03-29 2008-10-09 Seiko Epson Corp 有機トランジスタの駆動方法及び電気泳動表示装置
TWI360708B (en) * 2007-12-17 2012-03-21 Au Optronics Corp Pixel structure, display panel, elecro-optical app

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH022833U (ja) * 1988-06-16 1990-01-10
JPH0774360A (ja) * 1993-01-29 1995-03-17 Gold Star Electron Co Ltd 垂直形薄膜トランジスターの製造方法
JPH10321369A (ja) * 1997-03-19 1998-12-04 Fuji Photo Film Co Ltd エレクトロルミネツセンスデバイス
JP2002299049A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネセンスユニット
JP2003051386A (ja) * 2001-08-06 2003-02-21 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2003101031A (ja) * 2001-09-25 2003-04-04 Ricoh Co Ltd 能動素子及びそれを有する表示素子
JP2003115456A (ja) * 2001-10-05 2003-04-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP2003316292A (ja) * 2002-04-19 2003-11-07 Ricoh Co Ltd 表示装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07297406A (ja) * 1994-04-21 1995-11-10 Tdk Corp 縦型薄膜半導体装置
US5771562A (en) 1995-05-02 1998-06-30 Motorola, Inc. Passivation of organic devices
EP0866644B1 (en) 1997-03-19 2005-10-26 Fuji Photo Film Co., Ltd. Electroluminescence device
TW410478B (en) * 1998-05-29 2000-11-01 Lucent Technologies Inc Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode
TW543341B (en) 1999-04-28 2003-07-21 Du Pont Flexible organic electronic device with improved resistance to oxygen and moisture degradation
US7178927B2 (en) * 2000-11-14 2007-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electroluminescent device having drying agent
JP4223211B2 (ja) 2000-11-14 2009-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP4926324B2 (ja) * 2001-02-08 2012-05-09 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機ｅｌデバイス
EP1246244A3 (en) * 2001-03-30 2007-02-14 Pioneer Corporation Organic electroluminescence unit
GB0108309D0 (en) * 2001-04-03 2001-05-23 Koninkl Philips Electronics Nv Matrix array devices with flexible substrates
JP4839551B2 (ja) * 2001-09-12 2011-12-21 パナソニック株式会社 有機ｅｌ表示装置
JP2003187983A (ja) * 2001-12-17 2003-07-04 Ricoh Co Ltd 有機ｅｌトランジスタ
US7002176B2 (en) * 2002-05-31 2006-02-21 Ricoh Company, Ltd. Vertical organic transistor

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH022833U (ja) * 1988-06-16 1990-01-10
JPH0774360A (ja) * 1993-01-29 1995-03-17 Gold Star Electron Co Ltd 垂直形薄膜トランジスターの製造方法
JPH10321369A (ja) * 1997-03-19 1998-12-04 Fuji Photo Film Co Ltd エレクトロルミネツセンスデバイス
JP2002299049A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネセンスユニット
JP2003051386A (ja) * 2001-08-06 2003-02-21 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2003101031A (ja) * 2001-09-25 2003-04-04 Ricoh Co Ltd 能動素子及びそれを有する表示素子
JP2003115456A (ja) * 2001-10-05 2003-04-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP2003316292A (ja) * 2002-04-19 2003-11-07 Ricoh Co Ltd 表示装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007053265A (ja) * 2005-08-18 2007-03-01 Seiko Epson Corp 半導体装置、電気光学装置及び電子機器
JP2008261954A (ja) * 2007-04-10 2008-10-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機ｅｌデバイス及び有機ｅｌディスプレイ
JPWO2014133141A1 (ja) * 2013-02-28 2017-02-02 日本放送協会 有機電界発光素子

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