WO2006043645A1 - プローブおよびその製造方法 - Google Patents

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WO2006043645A1
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Tomohisa Hoshino
Yoshiki Yamanishi
Hiroyuki Hashimoto
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Tokyo Electron Limited
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    • G01R1/07342Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card

Definitions

  • the present invention relates to a probe and a method for manufacturing the probe, and, for example, relates to a probe used when performing electrical property inspection of a semiconductor wafer and a method for manufacturing the probe.
  • a probe as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-055936 A card is used.
  • This probe card plays a role of relaying inspection signals between a tester, which is a test apparatus, and an IC chip when it comes into contact with a wafer electrode pad during inspection.
  • This probe card has, for example, a plurality of probe needles corresponding to a plurality of electrode pads formed on an IC chip, and each probe needle and each electrode pad are brought into electrical contact with each other to generate an IC.
  • the chip is inspected.
  • the probe needle includes a cantilever including a top portion that contacts the electrode pad and an elastic member.
  • FIGS. 6A to 6H are diagrams showing a manufacturing process of the probe needle
  • FIG. 7 is an external perspective view of the probe needle formed by the manufacturing process of FIGS. 6A to 6H.
  • a conventional probe needle will be described with reference to FIGS. 6A to 6H and FIG.
  • a resist film 3 is formed on the surface. After exposure through a photomask (not shown), the resist film 3 is developed to form a square opening groove 4 in the resist film 3. After removing the silicon oxide film 2 in the opening 4 portion, anisotropic wet etching is performed on the silicon substrate 1 to form the inverted square frustum-shaped groove 5 as shown in FIG. 6C. As shown in FIG. 2, the resist film 3 and the silicon oxide film 2 are removed.
  • a titanium film 6 serving as a seed of plating is formed on the entire surface of the silicon substrate 1.
  • the sacrificial layer 7 shown in FIG. 6F is formed by photolithography technology except for the portion corresponding to the cantilever 8 and the portion corresponding to the groove 5, and is formed as shown in FIG. 6G. Except for the sacrificial layer 7 part, the part corresponding to the cantilever 8 and the groove 5 are deposited by plating, for example, nickel alloy, and the sacrificial layer 7 is removed as shown in FIG. An inverted square frustum 9 and a cantilever 8 are formed.
  • the probe formed in the manufacturing process shown in FIGS. 6A to 6H has a cantilever 8 portion having a rectangular parallelepiped shape as shown in FIG. 7, for example, a length of 200 to 500 111, a width W Force 1 ⁇ 20 ⁇ 150 / zm, thickness T is 10 ⁇ 20 ⁇ m, top of inverted square frustum 9 is height H is 50 ⁇ 100 ⁇ m, width of tip flat part Wt is about 10 ⁇ 2 m.
  • the groove 5 is formed by anisotropic wet etching as shown in FIG. 6C, if the diameter of the groove 5 is reduced, the depth of the groove 5 becomes shallower. Therefore, if the depth of the groove 5 is increased, the diameter must be increased, the diameter of the top is increased, and the pitch of the electrode nodes is reduced. Can not.
  • the cantilever 8 comes into contact with the electrode pad and other elements, or the inverted square frustum 9 cannot properly contact the electrode pad. Create a problem. Furthermore, if the inverted square frustum 9 is low, the cantilever 8 will crawl and get in contact with the electrode pad * 5.
  • an object of the present invention is to provide a probe that can reliably contact electrode pads arranged at a narrow pitch, and a method for manufacturing the probe.
  • the present invention provides a connection portion to a beam portion in a probe including a beam portion that is cantilevered and supported by a probe substrate and a contact that rises from a tip portion of the beam portion.
  • the width dimension of the contact base is W and the contact height to the top is H, the dimensional relationship of H / W ⁇ 2 is established.
  • the base force of the contactor By making the height to the apex more than twice the width of the base part, It is possible to reliably contact the electrode pads arranged at a narrow pitch without contacting other elements.
  • the contact includes a columnar portion that rises with a base force rising and a top portion that extends in a conical shape from the tip of the columnar portion, and the height of the columnar portion is greater than the height of the conical top portion.
  • the columnar portion has a cross-sectional shape of the same size over the entire height thereof.
  • the columnar part can be formed in the same etching process, so that the manufacturing process can be simplified.
  • the columnar portion includes a large-diameter portion positioned on the base side and having a relatively large width dimension, and a small-diameter portion positioned on the distal end side and having a relatively small width dimension. Since the top portion can be formed at the tip of the small diameter portion, the diameter of the top portion can be further reduced.
  • the tip end portion of the columnar portion and the base portion of the conical top portion have the same cross-sectional shape. Manufacturing is facilitated by using the same cross-sectional shape.
  • the width dimension W of the base of the contact is 100 ⁇ m or less.
  • Another aspect of the present invention includes a step of performing anisotropic dry etching on the main surface of the substrate to form a columnar groove, and performing anisotropic wet etching on the bottom of the columnar groove. Forming a conical groove, and forming a probe contact by embedding metal in the conical groove and the columnar groove.
  • the probe can be easily manufactured.
  • the substrate has a structure in which a first substrate material layer and a second substrate material layer are stacked via boundary layers having different etching rates, and the columnar grooves are The conical groove is formed in the second substrate material layer, and the conical groove is formed in the second substrate material layer.
  • boundary layers with different etching rates it is possible to prevent the same anisotropic dry etching from being performed on the second substrate material when the first substrate material is subjected to anisotropic dry etching.
  • the boundary layer functions as an etching stopper when the columnar groove is formed.
  • the step of forming the contact includes forming a seed for plating on the sidewall of the columnar groove and the bottom of the conical groove, and then depositing a metal on the seed.
  • the step of forming the columnar groove includes performing anisotropic dry etching on the main surface of the substrate to form a large-diameter columnar groove having a relatively large diameter, and a large-diameter columnar groove. Forming a small-diameter columnar groove having a relatively small diameter by performing anisotropic dry etching on the bottom of the substrate.
  • the method further includes the step of performing anisotropic wet etching on a portion connecting the side wall of the small diameter columnar groove and the side wall of the large diameter columnar groove to form a conical slope.
  • the height to the top of the base force of the contactor is set to be twice or more than the width of the base, so that the contactor is arranged at a narrow pitch that does not contact other elements. Secure contact with the electrode pad. Even when the electrode pads are arranged in a plurality of rows at a narrow pitch, the probes can be arranged on the probe card in accordance with the arrangement, and the degree of freedom in arrangement can be increased. Furthermore, since the height of the contact is increased even if the beam is stagnated, it is possible to prevent the beam from coming into contact with an electrode pad or the like.
  • FIG. 1 is an external perspective view of a probe needle according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2A is an enlarged view of the probe needle shown in FIG. 1, and is a front view of a columnar portion and a top portion.
  • FIG. 2B is an enlarged view of the probe needle shown in FIG. 1, and is a view of the top as viewed from below.
  • FIG. 3A is a diagram showing an example in which the cross section of the top of the probe needle is formed in a square shape.
  • FIG. 3B is a diagram showing an example in which the cross section of the top of the probe needle is formed in a triangle.
  • FIG. 3C is a diagram showing an example in which the cross section of the top of the probe needle is formed into a polygon.
  • FIG. 3D is a diagram showing an example in which the cross section of the top of the probe needle is formed into a rectangle.
  • FIG. 3E is a diagram showing an example in which the cross section of the top of the probe needle is formed in a circle.
  • FIG. 4A is a diagram showing a manufacturing process of the probe needle shown in FIG. 1, in which an NSG film and a resist film are formed on a silicon substrate with a buried insulating layer interposed therebetween.
  • FIG. 4B is a diagram showing a manufacturing process of the probe needle shown in FIG. 1, in which columnar grooves are formed in a silicon substrate.
  • FIG. 4C The manufacturing process of the probe needle shown in Fig. 1 is shown. It is the figure which exposed the surface of the silicon substrate by dry etching.
  • FIG. 4D This is a diagram showing a manufacturing process of the probe needle shown in FIG. 1 and showing an oxide film formed in a columnar groove.
  • FIG. 4E shows a manufacturing process of the probe needle shown in FIG. 1, in which an NSG film is formed on the bottom of the columnar part.
  • FIG. 4F shows a manufacturing process of the probe needle shown in FIG. 1, with the silicon substrate at the bottom of the columnar part exposed.
  • FIG. 4G shows a manufacturing process of the probe needle shown in FIG. 1, and shows a conical groove formed at the bottom of the columnar part.
  • FIG. 4H shows a manufacturing process of the probe needle shown in FIG. 1, in which a seed of plating is formed on the side wall and the conical groove of the columnar part.
  • FIG. 41 shows a manufacturing process of the probe needle shown in FIG. 1, and shows a resist formed on a seed of plating.
  • FIG. 4K is an external perspective view of a probe needle having a cantilever, a columnar portion, and a top formed by the process shown in FIGS. 4A to J.
  • FIG. 5A is a diagram showing a probe needle manufacturing process according to another embodiment of the present invention, in which a buried insulating layer is formed between silicon substrates.
  • FIG. 5B is a diagram showing a probe needle manufacturing process according to another embodiment of the present invention, in which an NSG film is formed on a silicon substrate.
  • FIG. 5C is a diagram showing a probe needle manufacturing process according to another embodiment of the present invention, in which openings are formed in a resist film and an NSG film.
  • FIG. 5D is a diagram showing a probe needle manufacturing process according to another embodiment of the present invention, in which columnar grooves are formed in a silicon substrate.
  • FIG. 5E is a diagram showing a probe needle manufacturing process according to another embodiment of the present invention, in which the width and depth of the columnar groove are expanded.
  • FIG. 5F is a diagram showing a manufacturing process of a probe needle in another embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a view in which a buried insulating layer below a columnar groove is removed.
  • FIG. 5G is a diagram showing a probe needle manufacturing process according to another embodiment of the present invention, in which an oxide film is formed on the upper surface, side wall, and bottom of the opening of the columnar groove.
  • FIG. 5H is a diagram showing a probe needle manufacturing process according to another embodiment of the present invention, in which an NSG film is formed on an oxide film.
  • FIG. 51 is a diagram showing a probe needle manufacturing process according to another embodiment of the present invention, in which the oxide film at the bottoms of the large columnar groove and the small columnar groove is removed.
  • FIG. 5J is a diagram showing a manufacturing process of a probe needle according to another embodiment of the present invention, in which a slope is formed on the side wall of the small columnar groove and a conical groove is formed on the bottom.
  • FIG. 5K is a view showing a cantilever, a columnar portion, and a top portion formed by the processes of FIGS. 5A to 5J.
  • FIG. 6A is a diagram showing a manufacturing process of a conventional probe needle and a diagram showing a silicon substrate.
  • FIG. 6B is a diagram showing a conventional probe needle manufacturing process, in which a silicon oxide film and a resist film are formed on a silicon substrate.
  • FIG. 6C is a diagram showing a conventional probe needle manufacturing process, in which an inverted square frustum-shaped groove is formed in a silicon substrate.
  • FIG. 6D is a diagram showing a conventional probe needle manufacturing process, in which the silicon substrate resist film and the silicon oxide film are removed.
  • FIG. 6E A diagram showing a conventional probe needle manufacturing process, in which a titanium film is formed on a silicon substrate.
  • [6F] A diagram showing a conventional probe needle manufacturing process in which a sacrificial layer is formed on a titanium film.
  • FIG. 6G A diagram showing a manufacturing process of a conventional probe needle, in which plating is deposited on a portion corresponding to a cantilever and a groove.
  • FIG. 6H A diagram showing a conventional probe needle manufacturing process, with the sacrificial layer removed.
  • FIG. 7 is an external perspective view of a probe needle formed by the manufacturing process shown in FIG. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIG. 1 is an external perspective view of a probe needle according to an embodiment of the present invention.
  • FIGS. 2A and 2B are enlarged views of the probe needle shown in FIG. 1, and particularly FIG. 2A is a columnar portion. 2B is a front view of the top, and FIG.
  • a probe gold plate 20 includes a cantilever 21 as a beam portion, and a columnar portion 22 and a top portion 23 as contacts extending from the tip end portion of the cantilever 21.
  • the columnar part 22 is formed at one end of a cantilever 21 supported by a shoulder on the probe substrate, and a top 23 is formed at the tip of the columnar part 22.
  • the columnar portion 22 is formed with a height hi of several tens to several hundreds / zm, more preferably about 50 to 200 / ⁇ ⁇ , and the base of the columnar portion 22 serving as a connection point to the cantilever 21. It is formed in a quadrangular prism shape with a width W of several tens / zm, more preferably about 50 m.
  • the top 23 is formed to be an inverted quadrangular pyramid having a height h2 of approximately 30 / zm.
  • the top portion 23 is formed in a conical shape, and the tip end portion thereof has a rectangular flat surface having a side of approximately 10 m as shown in Fig. 2B. This flat surface is formed to increase the contact area when the top 23 contacts the electrode pad, to reduce the resistance component, and to facilitate current flow.
  • the top 23 does not contact the adjacent knots even if the pitch of the electrode pads is reduced. Also, the top 23 is raised from the cantilever 21 by the columnar portion 22 to reduce the diameter of the inverted square pyramid, which is the top 23, and the cantilever 21 is stiffened even if the height h2 of the top 23 is low. The possibility of contact with the electrode pad can be eliminated.
  • the probe according to this embodiment has a relatively simple structure, and the height hi + h2 can be increased while the width W of the contactor is reduced, so that the electrode pads are arranged in a plurality of rows at a narrow pitch. Can be arranged on the probe card corresponding to the arrangement, The degree of freedom of the column can be increased.
  • the columnar portion 22 shown in FIG. 1 is formed into a quadrangular prism shape, and the top portion 23 is a force formed to be an inverted quadrangular frustum. It may be formed in a polygonal column shape.
  • the top 23 may also be formed in the shape of an inverted truncated cone, inverted triangular truncated cone, or inverted polygonal truncated cone corresponding to the shape of the columnar portion 22.
  • FIG. 3A to 3E are cross-sectional views showing various examples of the columnar part.
  • Fig. 3A shows an example in which the columnar portion 22 is formed as a square column, the width W is the length of the longest diagonal line, and
  • Fig. 3B is a columnar portion 22 formed as a triangular column, and the width W is the longest. The length of one side.
  • the columnar portion 22 is formed as a polygonal column, and the width W is the length of the longest diagonal line.
  • FIG. 3D the columnar portion 22 is formed by a rectangular column having a rectangular cross section, and the width W is the length of the longest diagonal line.
  • FIG. 3E the columnar portion 22 is formed of a cylinder, and the width W is a diameter.
  • FIG. 4A to 4F are diagrams showing a manufacturing process of the probe needle 20 shown in FIG.
  • a substrate material having a two-layer structure laminated through boundary layers having different etching rates is used.
  • the main surface of the first layer substrate material By subjecting the main surface of the first layer substrate material to anisotropic dry etching, a rectangular column groove corresponding to the columnar portion 22 is formed, and the second layer substrate material is anisotropically wet etched.
  • a groove corresponding to the top 23 of the inverted quadrangular pyramid is formed.
  • the columnar portion 22 and the top portion 23 are formed by applying a plating to the groove thus formed.
  • As the substrate a substrate material in which a silicon oxide film is previously formed above and below a silicon layer and a substrate material in which a silicon oxide film is formed only on the upper surface of the silicon layer are used in combination.
  • an NSG (non-doped silicon oxide film) film 32 is formed on a silicon substrate 31 serving as a first-layer substrate material.
  • a buried insulating layer 34 is formed by a CVD method as a boundary layer having a different etching rate between the silicon substrate 31 and the silicon substrate 33 as the second-layer substrate material.
  • the buried insulating layer 34 functions as a stopper when the silicon substrate 31 is subjected to anisotropic dry etching, and a silicon oxide film is typically used.
  • a silicon nitride film may be used.
  • a resist film 35 is formed on the NSG film 32. After exposure through a photomask, the resist film 35 is developed to open a square opening in the resist film 35.
  • anisotropic dry etching is performed to form an opening 36 in the NSG film 32, and as shown in FIG. 4B, a deep columnar groove 36a is formed in the silicon substrate 31 so as to extend below the opening 36.
  • the surface of the buried insulating layer 34 is exposed.
  • the buried insulating layer 34 under the columnar grooves 36a is dry-etched to expose the surface of the silicon substrate 33, the resist film 35 is removed, and then the substrate surface as shown in FIG. 4D.
  • An oxide film 37 is formed on the entire side wall and bottom of the columnar groove 36a. At this time, since the NSG film 32 shown in FIG. 4C is included in the oxide film 37, the oxide film 37 on the upper surface of the opening of the columnar groove 36a is thicker than the side wall of the columnar groove 36a.
  • an NSG film 38 is formed on the oxide film 37 on the silicon substrate 31 by a CVD method so that the thickness at the bottom of the columnar groove 36a having a relatively large thickness is reduced. Then, when anisotropic dry etching is performed as shown in FIG. 4F, the oxide film 37 on the side wall of the columnar groove 36a becomes thin, but the oxide film 37 on the bottom is removed and the silicon substrate 33 is exposed. . Further, as shown in FIG. 4G, anisotropic wet etching is performed on the silicon substrate 33 using an aqueous KOH solution to form a conical groove 36b having an inverted quadrangular truncated pyramid on the silicon substrate 33 at the bottom of the columnar groove 36a.
  • titanium oxide or copper oxide is deposited on the oxide film 37, the side wall of the columnar groove 36a, and the bottom of the conical groove 36b of the inverted square frustum using the CVD method. It is formed as seed 39. Furthermore, as shown in FIG. 41, a resist 40 is formed on the seed 39 using a lithography technique except for the portion corresponding to the cantilever 21, and the region surrounded by the resist 40 and the columnar shape are formed as shown in FIG. For example, a nickel alloy 41 is deposited in the groove 36a and the conical groove 36b and removed from the silicon substrates 31, 33, etc., and as shown in FIG. 4K, a probe having a cantilever 21, a columnar portion 22, and a top portion 23. Needle 20 can be formed.
  • the columnar groove 36a corresponding to the columnar portion 22 is formed by anisotropic dry etching
  • the conical groove 36b corresponding to the top portion 23 is formed by anisotropic wet etching.
  • the columnar portion 22 and the apex portion 23 are formed by the same process, and only the force apex portion 23 is formed by another sacrificial substrate, and the columnar portion Contact 22 Try to wear it.
  • FIGS. 5A to 5K are diagrams showing a manufacturing process of a probe needle according to another embodiment of the present invention.
  • the stepped portion is formed so that the columnar portion 22 has a large diameter columnar groove and a small diameter columnar groove.
  • a buried insulating layer 34 is formed between the silicon substrate 31 and the silicon substrate 33.
  • an NSG film 32 is formed on the silicon substrate 31 by the CVD method. To do. After the resist film 35 is formed on the NSG film 32, the resist film 35 is exposed to light through a photomask to develop the resist film 35, a rectangular opening is formed in the resist film 35, and anisotropic dry etching is performed. As shown in FIG. 5C, a rectangular opening 36 is opened in the NSG film 32. As shown in FIG.
  • a resist film 35 is formed on the opening 36 except for a portion corresponding to a columnar groove 36c having a smaller diameter than the width of the opening 36, and the silicon substrate 31 is anisotropically etched. Then, a columnar groove 36c having a depth approximately half that of the silicon substrate 31 is formed.
  • the resist film 35 is removed, and anisotropic dry etching is performed using the NSG film 32 as a mask to increase the width and depth of the columnar groove 36c as shown in FIG. 5E.
  • anisotropic dry etching is performed using the NSG film 32 as a mask to increase the width and depth of the columnar groove 36c as shown in FIG. 5E.
  • a two-stage groove is formed: a large-diameter columnar groove 36d and a small-diameter columnar groove 36e below the large-diameter columnar groove 36d.
  • the buried insulating layer 34 under the columnar groove 36e is removed by anisotropic dry etching, and as shown in FIG.5G, the top surface, side wall, and bottom of the opening of the columnar groove 36d in the silicon substrate 31 are removed.
  • An oxide film 37 is formed on the whole.
  • the NSG film 32 shown in FIG. 5F being included in the oxide film 37, the thickness of the oxide film 37 on the upper surface of the opening of the columnar groove 36d increases.
  • an NSG film 38 is formed on the oxide film 37 by the CVD method. At this time, the NSG film 38 is formed so that the bottom of the small-diameter columnar groove 36e is thin, and the thickness around the opening of the large-diameter columnar groove 36d is large.
  • the NSG film 38 is removed and the bottom portion of the columnar groove 36d and the bottom of the columnar groove 36e in the oxide film 37 are removed. The parts of and are removed.
  • the silicon substrates 31 and 33 are anisotropically wet-etched using a KOH aqueous solution, and the upper side of the columnar groove 36e of the small-diameter portion of the silicon substrate 31 has the width of the columnar groove 36d.
  • a slope 42 whose width is equal to the width of the columnar groove 36e is formed at the lower part of the equal part, and a conical groove 36f of an inverted square frustum is formed in the silicon substrate 33. Large-diameter columnar groove 36d and slope below it 42 corresponds to the columnar portion 22a having a stepped portion having a different cross-sectional area, and the conical groove 36f corresponds to the top portion 23a.
  • the tip portion of the top portion 23a can be tapered further.
  • the top 23a can be brought into contact with the electrode pad accurately and reliably.
  • the probe of the present invention can be used for a probe card having a plurality of probe needles corresponding to a plurality of electrode pads formed on an IC chip by forming a top at the tip of a pillar portion.

Abstract

 プローブ針20は、カンチレバー21と、柱状部22と、頂部23とを含み、柱状部22はカンチレバー21の一端に、片持ち支持されるように形成されており、柱状部22の先端に頂部23が形成されている。柱状部22の高さが頂部23の高さよりも高く形成され、柱状部22と頂部23との高さが、幅に比べて2倍以上となるように選ばれている。

Description

明 細 書
プローブおよびその製造方法
技術分野
[0001] この発明はプローブおよびその製造方法に関し、例えば、半導体ウェハの電気的 特性検査を行う際に用いられるプローブおよびその製造方法に関する。
背景技術
[0002] 例えば、半導体ウェハに多数形成されたメモリ回路やロジック回路などの ICチップ の電気的特性検査を行うために、コンタクタとして例えば、特開 2000— 055936号 公報に記載されているようなプローブカードが用いられている。このプローブカードは 、検査時にウェハの電極パッドと接触したときに、試験装置であるテスタと ICチップ間 で検査信号の授受を中継する役割を果たして 、る。
[0003] このプローブカードは、例えば ICチップ上に形成された複数の電極パッドに対応し た複数のプローブ針を有し、各プローブ針と各電極パッドとをそれぞれ電気的に接 触させて ICチップの検査を行うようにしている。プローブ針は、電極パッドに接触する 頂部と、弾性部材とからなるカンチレバーを含む。
[0004] 図 6A〜図 6Hはプローブ針の製造プロセスを示す図であり、図 7は図 6A〜図 6H の製造プロセスで形成されたプローブ針の外観斜視図である。図 6A〜図 6Hおよび 図 7を参照して、従来のプローブ針について説明する。
[0005] 図 6Aに示すシリコン基板 1の表面に、図 6Bに示すようにシリコン酸ィ匕膜 2を形成し た後、その表面にレジスト膜 3を形成する。図示しないフォトマスクを介して露光した 後、レジスト膜 3を現像処理し、レジスト膜 3に四角形の開口溝 4を形成する。開口 4の 部分のシリコン酸ィ匕膜 2を除去した後、シリコン基板 1に異方性ウエットエッチングを施 し、図 6Cに示すように逆四角錐台状の溝 5を形成した後、図 6Dに示すようにレジスト 膜 3とシリコン酸ィヒ膜 2とを除去する。
[0006] さらに、図 6Eに示すようにシリコン基板 1の表面全体にメツキの種となるチタン膜 6を 形成する。次に、フォトリソグラフィ技術によって、カンチレバー 8に相当する部分およ び溝 5に相当する部分を除いて図 6Fに示す犠牲層 7を形成し、図 6Gに示すよう〖こ 犠牲層 7部分を除いてカンチレバー 8に相当する部分と溝 5とに例えばニッケル合金 をメツキすることで堆積し、図 6Hに示すように犠牲層 7を除去して、プローブ針の頂 部である逆四角錐台 9とカンチレバー 8とを形成する。
[0007] 図 6A〜図 6Hに示す製造工程で形成されたプローブは、図 7に示すようにカンチレ バー 8部分は直方体の形状であり、例ぇば長さしカ 200〜500 111、幅 W力 ½0〜15 0 /z m、厚さ Tが 10〜20 μ mの大きさであり、逆四角錐台 9である頂部は高さ Hが 50 〜100 μ mであり、先端の平面部分の幅 Wtは 10 ± 2 mほどの大きさとなる。
[0008] ところで、最近では ICチップの集積度が高まってきており、電極パッドの数も増加す るとともに電極パッドの配列ピッチも益々狭くなつてきている。このため、プローブ針も 幅を狭くしなければ、隣接する電極パッドに接触してしまい、電極パッドのピッチに対 応しなくなつてきている。し力しながら、図 7に示したプローブ針の頂部となる逆四角 錐台 9は、その幅を小さくしょうとすると、その高さが低くなつてしまう。
[0009] すなわち、逆四角錐台 9は、図 6Cに示すように溝 5を異方性ウエットエッチングで形 成されるために、溝 5の径を小さくすれば、溝 5の深さが浅くなつてしまい、溝 5の深さ を深くした場合には、径を大きくせざるを得ず、頂部の径が大きくなつてしまい、電極 ノッドのピッチが狭くなつてきているのに対応することができない。
[0010] このように逆四角錐台 9の高さが低い場合には、カンチレバー 8が電極パッドや他 の素子に接触したり、逆四角錐台 9が電極パッドに適切に接触できなくなるなどの問 題を生じる。さらに、逆四角錐台 9が低ければカンチレバー 8が橈んで電極パッドに 接虫してしまう *5それち生じる。
発明の開示
[0011] そこで、この発明の目的は、狭いピッチで配列された電極パッドに確実に接触でき るプローブおよびその製造方法を提供することである。
[0012] この発明は、プローブ基板に片持ち支持される梁部と、この梁部の先端部から立ち 上がって延びる接触子とを備えたプローブにお 、て、梁部への接続箇所となる接触 子の基部の幅寸法を Wとし、基部力も頂点までの接触子高さ寸法を Hとしたとき、 H /W≥ 2の寸法関係が成立することを特徴とする。
[0013] 接触子の基部力 頂点までの高さを基部の幅よりも 2倍以上にすることで、接触子 が他の素子に接触したりすることなぐ狭 、ピッチで配列された電極パッドに確実に 接触できる。
[0014] 好ましくは、接触子は、基部力 立ち上がって延びる柱状部と、柱状部の先端から 錐状に延びる頂部とを含み、柱状部の高さは、錐状頂部の高さよりも大きい。
[0015] 好ましくは、柱状部は、その全体高さに亘つて同じ大きさの横断面形状を有してい る。同じ横断面形状にすることで、同じエッチング工程で柱状部を形成できるので、 製造工程を簡略化できる。
[0016] 好ましくは、柱状部は、基部側に位置して相対的に大きな幅寸法を有する大径部と 、先端側に位置して相対的に小さな幅寸法を有する小径部とを含む。小径部の先端 に頂部を形成できるので、頂部の径をより小さくできる。
[0017] 好ましくは、柱状部の先端部と、錐状頂部の基部とは、同じ大きさの横断面形状を 有して 、る。同じ横断面形状とすることで製造が容易になる。
[0018] 好ましくは、接触子の基部の幅寸法 Wは、 100 μ m以下である。
[0019] この発明の他の局面は、基板の主表面に対して異方性ドライエッチングを行なって 柱状の溝を形成する工程と、柱状の溝の底部に対して異方性ウエットエッチングを行 なって錐状の溝を形成する工程と、錐状の溝および柱状の溝に金属を埋め込んでプ ローブの接触子を形成する工程とを備える。
[0020] このような製造工程を採用することで、プローブの製造が容易になる。
[0021] 好ましくは、基板は、第 1の基板材料の層と第 2の基板材料の層とをエッチングレー トの異なる境界層を介して積層した構造を有しており、柱状の溝は、第 1の基板材料 の層に形成され、錐状の溝は、第 2の基板材料の層に形成される。エッチングレート の異なる境界層を使用することで、第 1の基板材料に異方性ドライエッチングを行つ たときに第 2の基板材料に同じ異方性ドライエッチングがされてしまうのを阻止できる
[0022] 好ましくは、境界層は、柱状の溝を形成する際にエッチングストツバとして機能する
[0023] 好ましくは、接触子を形成する工程は、柱状の溝の側壁と錐状の溝の底部にメツキ 用の種を形成し、その後この種の上に金属を堆積することを含む。 [0024] 好ましくは、柱状の溝を形成する工程は、基板の主表面に対して異方性ドライエツ チングを行って相対的に径の大きな大径柱状溝を形成することと、大径柱状溝の底 部に対して異方性ドライエッチングを行って相対的に径の小さな小径柱状溝を形成 することを含む。
[0025] 好ましくは、小径柱状溝の側壁と、大径柱状溝の側壁とを接続する部分に対して、 異方性ウエットエッチングを行って錐状の斜面を形成する工程をさらに備える。
[0026] この発明では、接触子の基部力 頂点までの高さを基部の幅よりも 2倍以上にする ことで、接触子が他の素子に接触したりすることなぐ狭いピッチで配列された電極パ ッドに確実に接触できる。し力も、電極パッドが狭いピッチで複数列配列されていても 、その配列に対応してプローブをプローブカードに配列することができ、配列の自由 度を高くできる。さらに、梁部が橈んでも接触子の高さを高くしているので、梁部が電 極パッドなどに接触してしまうのも防止できる。
図面の簡単な説明
[0027] [図 1]この発明の一実施形態におけるプローブ針の外観斜視図である。
[図 2A]図 1に示したプローブ針を拡大して示す図であり、柱状部と頂部との正面図で ある。
[図 2B]図 1に示したプローブ針を拡大して示す図であり、頂部を下から見た図である
[図 3A]プローブ針の頂部の断面を正方形に形成した例を示す図である。
[図 3B]プローブ針の頂部の断面を三角形に形成した例を示す図である。
[図 3C]プローブ針の頂部の断面を多角形に形成した例を示す図である。
[図 3D]プローブ針の頂部の断面を長方形に形成した例を示す図である。
[図 3E]プローブ針の頂部の断面を円形に形成した例を示す図である。
[図 4A]図 1に示したプローブ針の製造プロセスを示し、埋め込み絶縁層を間に配した シリコン基板上に、 NSG膜とレジスト膜を形成した図である。
[図 4B]図 1に示したプローブ針の製造プロセスを示し、シリコン基板に柱状溝を形成 した図である。
[図 4C]図 1に示したプローブ針の製造プロセスを示し、柱状溝の埋め込み絶縁層を ドライエッチングしてシリコン基板の表面を露出させた図である。
圆 4D]図 1に示したプローブ針の製造プロセスを示し、柱状溝に酸化膜を形成した 図である。
[図 4E]図 1に示したプローブ針の製造プロセスを示し、柱状部の底部に NSG膜を形 成した図である。
[図 4F]図 1に示したプローブ針の製造プロセスを示し、柱状部の底部のシリコン基板 を露出させた図である。
[図 4G]図 1に示したプローブ針の製造プロセスを示し、柱状部の底部に錐状溝を形 成した図である。
[図 4H]図 1に示したプローブ針の製造プロセスを示し、柱状部の側壁と錐状溝とにメ ツキの種を形成した図である。
[図 41]図 1に示したプローブ針の製造プロセスを示し、メツキの種の上にレジストを形 成した図である。
圆 4J]図 1に示したプローブ針の製造プロセスを示し、柱状溝と錐状溝とにニッケル 合金を堆積した図である。
[図 4K]図 4A〜図 Jに示したプロセスで形成したカンチレバーと柱状部と頂部を有す るプローブ針の外観斜視図である。
[図 5A]この発明の他の実施形態におけるプローブ針の製造プロセスを示す図であり 、シリコン基板間に埋め込み絶縁層を形成した図である。
[図 5B]この発明の他の実施形態におけるプローブ針の製造プロセスを示す図であり 、シリコン基板上に NSG膜を形成した図である。
[図 5C]この発明の他の実施形態におけるプローブ針の製造プロセスを示す図であり 、レジスト膜と NSG膜とに開口部を形成した図である。
[図 5D]この発明の他の実施形態におけるプローブ針の製造プロセスを示す図であり 、シリコン基板に柱状溝を形成した図である。
[図 5E]この発明の他の実施形態におけるプローブ針の製造プロセスを示す図であり 、柱状溝の幅と深さを広げた図である。
[図 5F]この発明の他の実施形態におけるプローブ針の製造プロセスを示す図であり 、柱状溝の下部の埋め込み絶縁層を除去した図である。
[図 5G]この発明の他の実施形態におけるプローブ針の製造プロセスを示す図であり 、柱状溝の開口部上面と側壁と底部とに酸ィ匕膜を形成した図である。
[図 5H]この発明の他の実施形態におけるプローブ針の製造プロセスを示す図であり 、酸ィ匕膜上に NSG膜を形成した図である。
[図 51]この発明の他の実施形態におけるプローブ針の製造プロセスを示す図であり、 大柱状溝と小柱状溝との底部の酸ィ匕膜を除去した図である。
[図 5J]この発明の他の実施形態におけるプローブ針の製造プロセスを示す図であり、 小柱状溝の側壁に斜面を形成し、底部に錐状溝を形成した図である。
[図 5K]図 5A〜図 5Jのプロセスで形成したカンチレバーと柱状部と頂部とを示す図で ある。
[図 6A]従来のプローブ針の製造プロセスを示す図であり、シリコン基板を示す図であ る。
[図 6B]従来のプローブ針の製造プロセスを示す図であり、シリコン基板上にシリコン 酸ィ匕膜とレジスト膜を形成した図である。
[図 6C]従来のプローブ針の製造プロセスを示す図であり、シリコン基板に逆四角錐 台状の溝を形成した図である。
圆 6D]従来のプローブ針の製造プロセスを示す図であり、シリコン基板力 レジスト膜 とシリコン酸ィ匕膜とを除去した図である。
圆 6E]従来のプローブ針の製造プロセスを示す図であり、シリコン基板上にチタン膜 を形成した図である。
圆 6F]従来のプローブ針の製造プロセスを示す図であり、チタン膜上に犠牲層を形 成した図である。
[図 6G]従来のプローブ針の製造プロセスを示す図であり、カンチレバーに相当する 部分と溝にメツキを堆積した図である。
[図 6H]従来のプローブ針の製造プロセスを示す図であり、犠牲層を除去した図であ る。
[図 7]図 6に示した製造プロセスで形成されたプローブ針の外観斜視図である。 発明を実施するための最良の形態
[0028] 図 1はこの発明の一実施形態におけるプローブ針の外観斜視図であり、図 2A、図 2Bは図 1に示したプローブ針を拡大して示す図であり、特に図 2Aは柱状部と頂部の 正面図であり、図 2Bは頂部を下力も見た図である。
[0029] 図 1において、プローブ金†20は、梁部としてのカンチレバー 21と、カンチレバー 21 の先端部から立上がって延びる接触子としての柱状部 22および頂部 23とを含む。 柱状部 22はプローブ基板に肩持ち支持されたカンチレバー 21の一端に形成されて おり、柱状部 22の先端に頂部 23が形成されている。柱状部 22は図 2Aに示すように 高さ hiが数十〜数百/ z m、より好ましくはおよそ 50〜200 /ζ πιに形成され、カンチレ バー 21への接続箇所となる柱状部 22の基部の幅 Wが数十/ z m、より好ましくはおよ そ 50 mの四角柱形状に形成されている。
[0030] 頂部 23はその高さ h2がおよそ 30 /z mの逆四角錐台となるように形成されている。
すなわち、柱状部 22の高さ hiが頂部 23の高さ h2よりも高く形成され、柱状部 22と頂 部 23との高さ hl +h2=H力 幅 Wに比べて HZW≥ 2の寸法関係が成立するように 選ばれている。さらに、柱状部 22の横断面積と、頂部 23の柱状部 22との接続部分 の横断面積がほぼ等しく形成されて 、る。
[0031] 頂部 23は、錐状に形成されており、その先端部は図 2Bに示すように一辺がおよそ 10 mの四角形状の平坦面を有している。この平坦面は、頂部 23が電極パッドに接 触したときに接触面積を大きくして、抵抗成分を減らして電流が流れ易くするために 形成されている。
[0032] このように頂部 23の径を細くすることで、電極パッドのピッチが狭くなつても、頂部 2 3が隣接するノッドに接触することがない。し力も、頂部 23を柱状部 22によりカンチレ バー 21から嵩上げすることで、頂部 23である逆四角錐台の径を細くして、頂部 23の 高さ h2が低くても、カンチレバー 21が橈んで電極パッドに接触するおそれを解消で きる。
[0033] したがって、この実施形態によるプローブは、比較的構造が簡単であって、接触子 の幅 Wを狭くしながら高さ hi +h2を高くできるので、電極パッドが狭いピッチで複数 列配列されていても、その配列に対応してプローブカードに配列することができ、配 列の自由度を高くできる。
[0034] なお、図 1に示した柱状部 22は四角柱形状に形成し、頂部 23は逆四角錐台となる ように形成した力 これに限ることなぐ柱状部 22は円柱状,三角柱状,多角柱状に 形成してもよい。また、頂部 23も柱状部 22の形状に対応して逆円錐台,逆三角錐台 ,逆多角錐台の形状に形成してもよい。
[0035] 図 3A〜図 3Eは柱状部の各種例を示す横断面図である。図 3Aは柱状部 22を四 角柱に形成した例であり、幅 Wは最長となる対角線の長さであり、図 3Bは柱状部 22 を三角柱に形成したものであり、幅 Wは最長となる 1辺の長さである。図 3Cは柱状部 22を多角柱で形成したものであり、幅 Wは最長となる対角線の長さである。図 3Dは 柱状部 22を断面が長方形の四角柱で形成したものであり、幅 Wは最長となる対角線 の長さである。図 3Eは柱状部 22を円柱で形成したものであり、幅 Wは直径である。
[0036] 図 4A〜図 4Fは図 1に示したプローブ針 20の製造プロセスを示す図である。この発 明の実施形態として、エッチングレートの異なる境界層を介して積層された 2層構造 を持つ基板材料が用いられる。第 1層目の基板材料の主表面を異方性でドライエツ チングすることにより、柱状部 22に相当する四角柱の溝が形成され、第 2層目の基板 材料を異方性でウエットエッチングすることにより、逆四角錐台の頂部 23に相当する 溝が形成される。このようにして形成された溝にメツキを施すことで柱状部 22と頂部 2 3とが形成される。基板としては、予めシリコン層の上下にシリコン酸ィ匕膜が形成され た基板材料と、シリコン層の上面にのみシリコン酸ィ匕膜が形成された基板材料とを張 り合わせて用いられる。
[0037] より具体的に説明すると、図 4Aに示すように、第 1層目の基板材料となるシリコン基 板 31上に NSG (ノンドープシリコン酸ィ匕膜)膜 32が形成されており、このシリコン基板 31と、第 2層目の基板材料となるシリコン基板 33との間に、エッチングレートの異なる 境界層として、埋め込み絶縁層 34が CVD法により形成されている。埋め込み絶縁層 34は、シリコン基板 31を異方性ドライエッチングしたときにストッパとしての機能を果 たすものであり、典型的にはシリコン酸ィ匕膜が用いられるが、酸ィ匕膜に代えてシリコン 窒化膜を用いてもよい。 NSG膜 32上にはレジスト膜 35が形成され、フォトマスクを介 して露光した後、レジスト膜 35を現像処理し、レジスト膜 35に四角形の開口部を開け 、異方性ドライエッチングを施して、 NSG膜 32に開口部 36を形成し、図 4Bに示すよ うに、開口部 36の下側に延びるようにシリコン基板 31に深い柱状溝 36aを形成して、 埋め込み絶縁層 34の表面を露出させる。さらに、図 4Cに示すように、柱状溝 36aの 下側の埋め込み絶縁層 34をドライエッチングしてシリコン基板 33の表面を露出させ、 レジスト膜 35を除去した後、図 4Dに示すように基板表面と柱状溝 36aの側壁および 底部との全体に酸化膜 37を形成する。このとき、図 4Cに示した NSG膜 32は酸ィ匕膜 37に含まれてしまうので、柱状溝 36aの側壁に比べて柱状溝 36aの開口部上面の酸 化膜 37の厚みが厚くなる。
[0038] 図 4Eに示すように、シリコン基板 31上の酸ィ匕膜 37上に比較的厚みが厚ぐ柱状溝 36aの底部における厚みが薄くなるように NSG膜 38を CVD法により形成する。そし て、図 4Fに示すように異方性ドライエッチングすると、柱状溝 36aの側壁の酸ィ匕膜 37 は薄くなるが、底部上の酸ィ匕膜 37が除去されてシリコン基板 33が露出する。さらに、 図 4Gに示すように KOH水溶液を用いてシリコン基板 33を異方性ウエットエッチング することにより、柱状溝 36aの底部のシリコン基板 33に逆四角錐台の錐状溝 36bを形 成する。
[0039] 図 4Hに示すように、 CVD法を用いて酸化膜 37上と、柱状溝 36aの側壁と、逆四角 錐台の錐状溝 36bの底部とに酸ィ匕チタンまたは酸化銅をメツキの種 39として形成す る。さらに、図 41に示すようにカンチレバー 21に相当する部分を除いてメツキの種 39 上にリソグラフィ技術を用いてレジスト 40を形成し、図 Jに示すように、レジスト 40で 囲まれた領域と柱状溝 36aと錐状溝 36bとに例えばニッケル合金 41を堆積し、シリコ ン基板 31, 33などから取り外すことで図 4Kに示すように、カンチレバー 21と、柱状 部 22と、頂部 23とを有するプローブ針 20を形成できる。
[0040] 上述のごとぐこの実施形態によれば、異方性ドライエッチングにより柱状部 22に相 当する柱状溝 36aを形成し、異方性ウエットエッチングにより頂部 23に相当する錐状 溝 36bを形成し、これらの柱状溝 36aと錐状溝 36bに金属を埋め込むことで比較的 簡単な構造のプローブ針 20を形成できる。
[0041] なお、図 4Aから図 4Kに示した実施形態では、柱状部 22と頂部 23とを同一のプロ セスで形成するようにした力 頂部 23のみを別の犠牲基板で形成し、柱状部 22に接 着するようにしてちょい。
[0042] 図 5 A〜図 5Kはこの発明の他の実施形態におけるプローブ針の製造プロセスを示 す図である。この実施形態は、柱状部 22が大径柱状溝と小径柱状溝とを有するよう に段差部を形成したものである。
[0043] 図 5Aにおいて、シリコン基板 31とシリコン基板 33との間には、埋め込み絶縁層 34 が形成されており、図 5Bに示すように、シリコン基板 31上に CVD法により NSG膜 32 を形成する。 NSG膜 32上にレジスト膜 35を形成した後、フォトマスクを介して露光し てレジスト膜 35を現像処理し、レジスト膜 35に四角形の開口部を開け、異方性ドライ エッチングを施して、図 5Cに示すように NSG膜 32に四角形の開口部 36を開ける。 図 5Dに示すように開口部 36上に、開口部 36の幅よりも狭い小径部の柱状溝 36cに 相当する部分を除いて、レジスト膜 35を形成し、シリコン基板 31を異方性ドライエツ チングして、シリコン基板 31のほぼ半分程度の深さを有する柱状溝 36cを形成する。
[0044] 次に、レジスト膜 35を除去し、図 5Eに示すように NSG膜 32をマスクに異方性ドライ エッチングを行い柱状溝 36cの幅と深さとを広げる。その結果、大径部の柱状溝 36d とその下部に小径部の柱状溝 36eとの 2段の溝が形成される。図 5Fに示すように、柱 状溝 36eの下部の埋め込み絶縁層 34を異方性ドライエッチングにより除去し、図 5G に示すように、シリコン基板 31の柱状溝 36dの開口部上面と側壁と底部との全体に 酸化膜 37を形成する。このとき、図 5Fに示す NSG膜 32は酸ィ匕膜 37に含まれてしま う結果、柱状溝 36dの開口部上面における酸ィ匕膜 37の厚みが厚くなる。さらに、図 5 Hに示すように、 CVD法により酸化膜 37上に NSG膜 38を形成する。このとき、 NSG 膜 38は大径部の柱状溝 36dの開口部周囲の厚みが厚ぐ小径部の柱状溝 36eの底 部が薄くなるように形成される。
[0045] 図 51に示すように、異方性ドライエッチングを行うと、 NSG膜 38が除去されるととも に酸ィ匕膜 37のうちの柱状溝 36dの底の部分と柱状溝 36eの底の部分とが除去される 。図 5Jに示すように、 KOH水溶液を用いてシリコン基板 31, 33を異方性でウエットェ ツチングを行って、シリコン基板 31の小径部の柱状溝 36eの側壁に上部が柱状溝 36 dの幅に等しぐ下部が柱状溝 36eの幅となる斜面 42を形成するとともにシリコン基板 33に逆四角錐台の錐状溝 36fを形成する。大径部の柱上溝 36dとその下部の斜面 42とは横断面積の異なる段差部を持つ柱状部 22aに相当し、錐状溝 36fは頂部 23a に対応する。
[0046] 以下、図 4H〜図 4Kと同様のプロセスにより、例えばニッケル合金を柱状溝 36d, 錐状溝 36fに堆積することで、図 5Kに示すようにカンチレバー 21と、柱状部 22aと、 柱状部 22aに連なる頂部 23aとを形成することができる。
[0047] この実施形態では、柱状部 22aに横断面積が異なる段差部を形成し、段差部から 連なるように頂部 23aを形成することにより、頂部 23aの先端部をより先細り形状にで きるので、頂部 23aを正確かつ確実に電極パッドに接触させることができる。
[0048] 以上、図面を参照してこの発明の実施形態を説明した力 この発明は、図示した実 施形態のものに限定されない。図示された実施形態に対して、この発明と同一の範 囲内において、あるいは均等の範囲内において、種々の修正や変形をカ卩えることが 可能である。
産業上の利用可能性
[0049] この発明のプローブは柱部の先端に頂部を形成することにより、 ICチップ上に形成 された複数の電極パッドに対応して複数のプローブ針を有するプローブカードに利 用できる。

Claims

請求の範囲
[1] プローブ基板に片持ち支持される梁部と、この梁部の先端部から立ち上がって延び る接触子とを備えたプローブにお 、て、
前記梁部への接続箇所となる前記接触子の基部の幅寸法を wとし、前記基部から 頂点までの接触子高さ寸法を Hとしたとき、 H/W≥ 2の寸法関係が成立することを 特徴とする、プローブ。
[2] 前記接触子は、前記基部から立ち上がって延びる柱状部と、前記柱状部の先端から 錐状に延びる頂部とを含み、
前記柱状部の高さは、前記錐状頂部の高さよりも大きい、請求項 1に記載のプロ一 ブ。
[3] 前記柱状部は、その全体高さに亘つて同じ大きさの横断面形状を有している、請求 項 2に記載のプローブ。
[4] 前記柱状部は、基部側に位置して相対的に大きな幅寸法を有する大径部と、先端側 に位置して相対的に小さな幅寸法を有する小径部とを含む、請求項 2に記載のプロ ーブ。
[5] 前記柱状部の先端部と、前記錐状頂部の基部とは、同じ大きさの横断面形状を有し ている、請求項 2に記載のプローブ。
[6] 前記接触子の基部の幅寸法 Wは、 100 μ m以下である、請求項 1に記載のプローブ
[7] 基板の主表面に対して異方性ドライエッチングを行なって柱状の溝を形成する工程 と、
前記柱状の溝の底部に対して異方性ウエットエッチングを行なって錐状の溝を形成 する工程と、
前記錐状の溝および前記柱状の溝に金属を埋め込んでプローブの接触子を形成 する工程とを備えた、プローブの製造方法。
[8] 前記基板は、第 1の基板材料の層と第 2の基板材料の層とをエッチングレートの異な る境界層を介して積層した構造を有しており、
前記柱状の溝は、前記第 1の基板材料の層に形成され、 前記錐状の溝は、前記第 2の基板材料の層に形成される、請求項 7に記載のプロ ーブの製造方法。
[9] 前記境界層は、前記柱状の溝を形成する際にエッチングストツバとして機能する、 請求項 8に記載のプローブの製造方法。
[10] 前記接触子を形成する工程は、前記柱状の溝の側壁と前記錐状の溝の底部にメッ キ用の種を形成し、その後この種の上に金属を堆積することを含む、請求項 7に記載 のプローブの製造方法。
[11] 前記柱状の溝を形成する工程は、前記基板の主表面に対して異方性ドライエッチ ングを行って相対的に径の大きな大径柱状溝を形成することと、前記大径柱状溝の 底部に対して異方性ドライエッチングを行って相対的に径の小さな小径柱状溝を形 成することを含む、請求項 7に記載のプローブの製造方法。
[12] 前記小径柱状溝の側壁と、前記大径柱状溝の側壁とを接続する部分に対して、異 方性ウエットエッチングを行って錐状の斜面を形成する工程をさらに備える、請求項 1 1に記載のプローブの製造方法。
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