WO2006075707A1 - 光ディスク、記録装置、読出装置、方法 - Google Patents

光ディスク、記録装置、読出装置、方法 Download PDF

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WO2006075707A1
WO2006075707A1 PCT/JP2006/300379 JP2006300379W WO2006075707A1 WO 2006075707 A1 WO2006075707 A1 WO 2006075707A1 JP 2006300379 W JP2006300379 W JP 2006300379W WO 2006075707 A1 WO2006075707 A1 WO 2006075707A1
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WO
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defect
cluster
area
tdfl
written
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PCT/JP2006/300379
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English (en)
French (fr)
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Masaru Kaida
Motoshi Ito
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B20/00—Signal processing not specific to the method of recording or reproducing; Circuits therefor
    • G11B20/10—Digital recording or reproducing
    • G11B20/18—Error detection or correction; Testing, e.g. of drop-outs
    • G11B20/1883—Methods for assignment of alternate areas for defective areas
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B2220/00—Record carriers by type
    • G11B2220/20—Disc-shaped record carriers

Definitions

  • the present invention belongs to the technical field of defect recording temporary recording technology.
  • a defect entry is information in which a position of a defect cluster is associated with a position of an alternative sector that takes the place of the defect cluster.
  • the temporary recording of the defect entry is a process of writing a defect entry for the defective area in the temporary area when a defective area is found during the recording process for the write-once type optical disc.
  • the reason why temporary writing is necessary is as follows.
  • an area for writing defect entries (referred to as defect management area: DMA) is specified in advance on optical disks, write-once (write-once) optical disks are powerful until finalization is performed. It is not possible to write a defect entry in This is because write-once optical discs cannot be rewritten afterwards, and once a defect entry is written, even if a further defect area is found, additional writing to the DMA is impossible. Because it becomes. Therefore, if a defective area is found during the recording process, the defect area is written in a temporary defect management area (called Temporary Disc Management Structure: TDMS). It will be necessary.
  • TDMS Temporary Disc Management Structure
  • Patent Document 1 Japanese Patent No. 2671656 (Fig. 3-6)
  • a plurality of defect area lists are sequentially recorded in the order in which the address power of the defect areas shown in the DMA is small. If you record it like this, By simply optically reading the recorded contents of the optical disk from the outside to the outer periphery, the plurality of defect area lists are read out on the memory in ascending order of the addresses of the defect areas shown in the list. Then, the firmware of the drive device performs processing using the defective area list on the assumption that the defective area list is arranged on the memory in this order. Since the firmware of the drive device realizes so-called physical layer control and is primitive software, it is necessary to provide a defect area list in this order.
  • the address area of the defect area indicated in the defect area list is read out in the memory in ascending order and continuously displayed. Must be arranged in Otherwise, the firmware cannot normally process the defect area list.
  • the defect area list in the TDMS of the conventional optical disc is recorded in the TDMS in a continuous form in which the addresses of the defect areas shown in the list are arranged in a small order.
  • the conventional optical disc does not have a degree of freedom in arranging the defective area list. Since there is no such degree of freedom, if a defective cluster is encountered during recording of the multiple defect area list, it is not allowed to record the multiple defect area list separately. The area list needs to be re-recorded.
  • Figure 1 shows the process when a defect cluster is encountered in the process of writing the defect area list.
  • the first row in the figure shows the multiple clusters that make up TDMS '.
  • TDFL in the figure is a temporary defect area list composed of a plurality of defect area lists.
  • cluster # 2 is assumed to be a defective cluster.
  • the second row shows the state where TDFL # 1 has been written into cluster # 1
  • the third row shows the state where TDFL # 2 has been written into cluster # 2.
  • TDDS Temporal Disc Difinition Structure: hereinafter referred to as TDDS
  • Levels 4 to 7 show the process of writing TDFL # 1 to TDFL # 4 and TDDS after cluster # 3.
  • An object of the present invention is to provide an optical disk that does not expedite the temporary defect management area while maintaining the principle of reading out a plurality of defect area lists onto a memory in a predetermined order. That is.
  • a plurality of defect area lists and structure information are recorded in the temporary defect management area, and the defect area list includes at least an optical disc.
  • One defect area is indicated, and the structure information includes a plurality of pieces of position information indicating positions of the respective defect area lists in the temporary defect management area, and the plurality of position information includes a corresponding defect area list to be read. It is characterized by being arranged according to the order.
  • the optical disc according to the present invention has the above-described configuration, even if the defect area list is arranged in the temporary defect management area, the position information corresponding to each defect area list is stored. As long as the defect area list is read into the memory according to the order, the defect area list is read according to the predetermined reading order and arranged in the memory in that order.
  • This predetermined read order power As described above, if the addresses of the defective areas indicated in the order are the ones in ascending order, the plurality of defect area lists are stored in the order in which the addresses of the defective areas indicated in the order are small. It will be read out and arranged.
  • the reading order of the defect area list is expressed by position information corresponding to the defect area list, a plurality of defect area lists are continuously arranged even if a defect cluster exists in the spare area. There is no need to keep it. In a discrete continuous region across defect clusters Thus, it is possible to arrange the defect area list randomly such that a plurality of defect area lists are arranged.
  • the defect area list to be retried is a partial defect area list that is not all. Since the defect area list to be written at the time of retry is reduced, it is possible to suppress the consumption of the temporary defect management area.
  • defect area list written in the defect cluster and the subsequent defect area list do not necessarily need to be written in a continuous order, the degree of freedom in arranging the defect area list is increased.
  • FIG. 1 is a diagram showing processing when a defect cluster is encountered in the process of writing a defect area list.
  • FIG. 2 (a) is a diagram showing an overall configuration of an optical disc.
  • (B) A diagram showing the internal structure of the cluster.
  • FIG. 3 is a diagram in which a plurality of tracks formed in a snail shape are stretched in the horizontal direction on the BD-R.
  • FIG. 4 is a diagram showing an internal configuration of (a) lead-in area 2.
  • FIG. 5 (a) is a diagram showing a common configuration of lstDMA to 4thDMA.
  • (B) It is a figure which shows the data structure of DFL.
  • (C) It is a figure which shows the data structure of DDS.
  • FIG. 6 is a diagram showing an internal configuration of TDMA.
  • FIG. 7 (a) A diagram showing a data structure of TDFL.
  • FIG. 8 is a diagram showing an example of a discrete arrangement of TDFLs.
  • FIG. 9 is a diagram showing an internal configuration of the recording / reading apparatus 100.
  • FIG. 10 is a diagram showing an internal configuration of a defect management information processing unit 13.
  • FIG. 10 is a diagram showing a writing process of TDMS information by the insertion unit 26.
  • FIGS. 12A to 12C are diagrams showing a write process by the DMA information writing unit 29.
  • FIG. 12A to 12C are diagrams showing a write process by the DMA information writing unit 29.
  • FIG. 13 is a flowchart showing a procedure of DFL read processing.
  • FIG. 14 is a flowchart showing a processing procedure of read Z write processing according to a command from the host controller 200.
  • FIG. 15 is a flowchart showing a processing procedure for writing into TDMS.
  • FIG. 16 is a diagram showing a process in which TDFL is written by the recording / reading apparatus 100 according to the first embodiment.
  • FIG. 17 is a diagram showing an example of a discrete arrangement of TDFLs according to the second embodiment.
  • FIG. 18 is a flowchart showing a TDMS write process according to the second embodiment.
  • FIG. 19 is a diagram showing a process in which TDFL is written by the recording / reading apparatus 100 according to the second embodiment.
  • FIG. 20 is a diagram showing an example of a discrete arrangement of TDFLs according to the third embodiment.
  • FIG. 21 is a flowchart showing a TDMS write process according to the third embodiment.
  • FIG. 22 is a diagram showing a process in which TDFL is written by the recording / reading apparatus 100 according to the third embodiment.
  • Figure 2 (a) shows the overall structure of the optical disc.
  • the optical disc 1 is a large-capacity BD-R that uses a blue laser as a laser, and a large number of tracks are formed in a spiral shape. Each track is formed with a large number of clusters that are divided into small groups.
  • Figure 2 (b) shows the internal structure of the cluster.
  • a cluster is a collection of sectors for error correction and is also called an error correction block. Since error correction is performed in units of this cluster, recording and reproduction operations are performed with this cluster as the minimum unit. As shown in this figure, a cluster consists of 32 sectors and has a size of 64 KBytes.
  • FIG. 3 is a diagram in which a plurality of tracks formed in a spiral shape on the optical disc 1 are drawn in a horizontal direction.
  • the third row in the figure shows a plurality of stretched tracks, and the second row shows a lead-in area 2, a data area 3, and a lead-out area 4 formed on the plurality of tracks. .
  • “Lead-in area 2” stores control information referred to by the apparatus. Further, when the optical head accesses the end of the data area 3, it is added to the track even if the optical head overruns. It is an area that serves as a “margin” so that it can be followed.
  • Data area 3 is an area corresponding to a substantial part of the optical disc.
  • Leadout area 4 stores the control information referred to by the device. Furthermore, when the optical head accesses the end of the data area 3, it can follow the track even if the optical head overruns. It is an area that plays the role of "margin”.
  • the first row in Fig. 3 shows the internal structure of "Data area 3". As shown in the first row, the data area 3 is composed of two spare areas 5 and 7 and a user data area 6.
  • User data area 6 is an area in which arbitrary information is recorded by the user, such as real-time data such as music and video, and computer data such as text database.
  • the “spare areas 5 and 7” are alternative areas in which data is recorded instead of the defective clusters when there is a defective cluster in the user data area 6.
  • FIG. 4 (a) is a diagram showing the internal configuration of the lead-in area 2.
  • the second level of the figure shows the entire lead-in area 2, and the first level shows the internal configuration of the lead-in area 2.
  • the lead-in area 2 includes a first defect management area (first defect management area, hereinafter referred to as IstDMA) and a second defect management area (second defect management area, (Hereinafter referred to as 2ndDMA) and a temporary defect management area (hereinafter referred to as TDMA).
  • IstDMA first defect management area
  • 2ndDMA second defect management area
  • TDMA temporary defect management area
  • FIG. 4B is a diagram showing an internal configuration of the lead-out area 4.
  • the second level of the figure shows the entire lead-out area 4, and the first level shows the internal structure of the lead-out area 4.
  • the lead-out area 4 includes a third defect management area (hereinafter referred to as “3rdDMA”) and a fourth defect management area (hereinafter referred to as “fourth defect management area”). 4thDMA).
  • 3rdDMA and 4thDMA are areas for managing defect cluster information in optical disk 1.
  • lstDMA to 4thDMA are areas arranged at predetermined positions, respectively. Is of variable length depending on the number of defect clusters.
  • lstDMA to 4thDMA have a common configuration.
  • the common configuration is shown in Fig. 5 (a).
  • Each of these DMAs is composed of a disc definition structure (hereinafter referred to as DDS) and a defect area list (hereinafter referred to as DFL).
  • DDS disc definition structure
  • DFL defect area list
  • Fig. 5 (b) shows the data structure of DFL.
  • the DFL consists of a “defect list header” and 0 to M “defect entries # 1 to #M”.
  • the “defect list header” includes the number of defect entries (number of defect entries) included in the DFL.
  • Defect entries # 1 to #M are used in place of "defect cluster start position information” indicating the start position of the defect cluster detected when the user data area 6 is accessed, and the defect cluster. "Alternative cluster location information” indicating the location of the cluster in the spare areas 5 and 7.
  • Figure 5 (c) shows the data structure of DDS.
  • the DDS includes “DFL position information (DFL pointer)” indicating the head DFL position among one or more DFLs in each DMA, and “other information”.
  • the DDS indicates the start position of the DFL. By accessing this DDS first, the DFL in each DMA can be read out to the memory.
  • lstDMA to 4thDMA must contain the same information except for the first position information of the defect list.
  • Each of lstDMA to 4thDMA is composed of 32 clusters, and the first 4 clusters are used for DDS, and DDS is repeatedly recorded four times. Subsequent 28 clusters are used for DFL, 4 clusters at a time, such as clusters 5-8 at first, then the next 4 clusters (clusters 9-12) when in doubt. This completes the explanation of DFL and DDS.
  • TDMA means that before finalizing This is an area for temporarily recording the defect entries generated in this way, and is unique to write-once optical discs that do not exist on read-only optical discs (BD-ROM) or rewritable optical discs (BD-RE). It is an area.
  • BD-ROM read-only optical discs
  • BD-RE rewritable optical discs
  • “Finalize” is a process of making a write-once optical disc a data structure compatible with a rewritable optical disc.
  • the technical meaning of providing TDMA in the lead-in area 5 is as follows. In the case of a rewritable optical disk, lstDMA to 4thDMA can be rewritten, so the defect entry for the latest defective area can be written to lstDMA to 4thDMA and rewritten any number of times. As a result, information on the latest defective area can be shown in lstDMA to 4thDMA.
  • FIG. 6 is a diagram showing a configuration of TDMA.
  • the second row in the figure shows the internal configuration of TDMA.
  • N TDMSs (TDMS # 1, # 2, # 3 ⁇ # ⁇ ) in TDMA.
  • Each of the TDMS is an area in which information (defect entry) about the defect area found at the time of recording in the user data area is written in the first, second, and eta times.
  • TDMS Temporary Disc Difinition Structure
  • TDMS is configured in units of clusters and has a variable length depending on the number of defect entries. Therefore, one cluster or multiple cluster force is configured. If TDMS is composed of one cluster, it will fit in TDFL, TDDS and force cluster. When TDMS is also configured with multiple cluster forces, TDFL and TDDS are stored in the cluster at the end of TDMS, and only TDFL is stored in the other clusters.
  • Figure 7 (a) shows the TDFL data structure.
  • the TDFL has the same configuration as the DFL, and includes a “defect list header” and 0 to M “defect entries # 1 to #M”, as indicated by the lead line fl.
  • the “defect list header” includes the number of defect entries (number of defect entries) included in the DFL.
  • Defect entries # 1 to #M are used in place of "defect cluster position information” indicating the position of the defect cluster detected at the time of accessing the user data area 6 before finalization, and the defect cluster.
  • “Alternative cluster location information” that indicates the location of the cluster in the reserved spare areas 5 and 7.
  • FIG. 7 (b) shows the internal structure of the TDDS.
  • TDDS is fixed size information, 1 sector (2KByte), the same size as the disk definition structure (DDS).
  • the TDDS is arranged in a predetermined position in the last cluster in TDMS, for example, in the last sector among the 32 sectors constituting the cluster.
  • the TDDS includes “TDFL head position information (TDFL pointer)” indicating the head DFL position of each TDFL and “other information”.
  • TDDS is a force that has a role to indicate the position of DFL.
  • DDS differs from DDS in the case where there are multiple TDFLs in the same TD MS.
  • TDDS indicates the head position of each TDFL individually.
  • a plurality of TDFL position information is arranged in ascending order of the defect area address indicated by the corresponding TDFL, and the TDF L # l position information and the TDFL # 2 position information are adjacent in the TDDS. Is a point.
  • these four TDFL # 1 to # 4 position forces TD DS will show. Since the position of each TDFL is indicated in the TDDS, the TDFL can be arranged discretely in one TDMS. [0033] The request for discretely arranging TDFLs occurs particularly when defective clusters exist in the clusters constituting the TDMS.
  • FIG. 8 is a diagram illustrating an example of a discrete arrangement of TDFLs.
  • the first row in this figure shows multiple clusters (cluster # 1, cluster # 2, cluster # 3 to cluster # 7) that make up TDMS, and the second row shows the data written to these clusters 4
  • Two TDFLs (TDFL # 1, TDFL # 2, TDFL # 3, TDFUW) and TDDS are shown.
  • TDMS ′ in FIG. 8 is composed of cluster # 1 to cluster # 7, and cluster # 2 is a defective cluster.
  • TDFL # 1 to TDFL # 4 are cluster # 1 that is the preceding area preceding cluster # 2 that is the defective cluster, and cluster # 3 to cluster # 5 that is the subsequent area following the defective cluster. It is written in a state of being divided into and.
  • the TDDS in Figure 8 shows the TDFL # 1 position information (TDFL # 1: address C1) indicating the address C1 of the last cluster (cluster # 1) in the area preceding the defective cluster as the position of TDFL # 1, and the defect TDFL # 2 location information (TDFL # 2: address C3) that indicates the address C3 of the first cluster (cluster # 3) in the area following the cluster (cluster # 3 to cluster # 5) as the location of TDFL # 2 including.
  • TDFL # 1 position information
  • TDFL # 1 address C1
  • TDFL # 2 address C3
  • TDFL # 1 location information TDFL # 2 location information, TDFL # 3 location information, TDFL # 4 position information
  • TDFL # 1 position information and TDFL # 2 position information are adjacent in the TDDS. Since TDDS force is configured, TDFL # 1 to TDFL # 4 can be read in a predetermined order regardless of the presence of the above-mentioned defect cluster by reading TDFL according to the position information in TDDS. These can be read out and arranged on the memory.
  • the TDDS in this embodiment has position information of four TDFLs, and can indicate the head position of the cluster in which the four TDFLs are written. Therefore, TDFL # 1 and TDFL # 2- TDFL # 4 may be arranged discretely. Therefore, TDFL # 2 to TDFL # 4, which were supposed to be recorded after TDMS cluster # 2 or later, are recorded in TDMS cluster # 3 to cluster # 5, which are adjacent clusters of the defective cluster !, The
  • TDDS is TDFL # 1, TDFL # 2, TDF This indicates the cluster position (address cl, c3, c4, c5) where L # 3 and TDFL # 4 are written.According to the position indicated in these TDDS, the cluster is accessed in the TDMS during playback. Then, these TDFLs can be read into the memory on the device in a sequential order.
  • the TDMS in this embodiment has the force that the second cluster is a defect cluster. This is for simplicity. It does not necessarily have to be the second cluster, and the number of defects is not limited. It's okay! Needless to say!
  • the TDFL position information is stored in the TDDS in ascending order of the defect entries, and only the strong areas that cannot be recorded due to defects or the like can be re-recorded. Can use finite TDMA efficiently.
  • the DFL is recorded in a plurality of discrete areas (lstDMA to 4thDMA) on the optical disc 1, and the DFL position information is determined in advance on the optical disc 1 in ascending order of the address of the defective area indicated in the defect entry. Is placed at the specified position (DDS located at the beginning of lstDMA to 4thDMA).
  • the TDFL is recorded in a plurality of discrete areas on the optical disc 1 (areas before and after the defect cluster as shown in FIG. 8), and the plurality of pieces of TDFL position information are indicated in the defect entry.
  • the optical disk 1 is arranged at a predetermined position (TDDS located immediately before the unrecorded area of TDMS).
  • the DFL recording method is similar to the TDFL recording method in that position information indicating the position of the defect entry is recorded in a certain area. Because of this commonality, the playback device uses a common procedure, that is, a predetermined area on the optical disc 1 (DDS at the beginning of lstDMA to 4th DMA, both when using DFL and when using TDFL). If multiple position information is read from the TDMS (TDDS located immediately before the unrecorded area of TDMS), and the defect entry is read in accordance with the order of the multiple position information, the defect entry can be either DFL or TDFL. The processing using this can be executed.
  • the control procedure using TDFL can be realized in a manner compatible with the control procedure using DFL.
  • a control procedure that can use TDFL without incurring the complexity of the control software in the playback device can be implemented in the playback device.
  • the TDFL position information in the present embodiment can achieve compatibility with processing using DFL, and can achieve an excellent effect that the control software in the playback apparatus can be simplified.
  • the recording / reading device 100 in FIG. 9 is a device that has both the function of the recording device according to the present invention and the function of the reading device.
  • the recording / reproducing device 100 will be described.
  • the recording / reading device 100 is connected to the host control device 200 via the I / O bus.
  • the host controller 200 is typically a host computer, and performs reading and data writing on the optical disc 1 according to commands issued by the host controller 200. In this writing, until the finalization is performed, the DMA is left blank, and information about defective clusters found during the recording operation is written to the TDMS.
  • the recording / reading apparatus 100 includes a drive mechanism 11, an instruction processing unit 12, a defect management information processing unit 13, a reproduction control unit 14, a recording control unit 15, and a storage buffer 16. Performs a loading Z eject of the optical disc 1, optically reads the recorded content of the optical disc 1, and optically writes data to the optical disc 1.
  • the instruction processing unit 12 reads user data from the optical disc 1 or writes user data to the optical disc 1 in response to a command issued by the host controller 200.
  • the defect management information processing unit 13 realizes access to the optical disc 1 using the defect entry and also updates the TDMS.
  • Optical disk access using a defect entry refers to access to an alternative cluster if the read destination or write destination of a command from the host controller 200 is a defect cluster indicated by any defect entry It is a process to do. Also, this optical disk access Thus, when a new defective area is found during access to the user data area by the instruction processing unit 12, a new defect entry for the defective area is generated.
  • TDMS update means that a defect entry indicating a newly discovered defect area is added to the TDFL recorded in the latest TDMS, and the defect is detected. Write the TDFL with the entry added to the TDMS next to the TDMS!
  • the reproduction control unit 14 controls the drive mechanism 11 to read out the desired cluster force on the optical disc 1 in accordance with instructions from the command processing unit 12 and the defect management information processing unit 13.
  • the recording control unit 15 controls the drive mechanism 11 to write data to a desired cluster on the optical disc 1 in accordance with instructions from the command processing unit 12 and the defect management information processing unit 13.
  • the storage buffer 16 is a buffer for storing information read from the DMA (referred to as DMA information) and information read from the TDMS (TDMS information).
  • DMA information information read from the DMA
  • TDMS information information read from the TDMS
  • the above is the internal configuration of the recording / reading apparatus 100.
  • FIG. 10 is a diagram showing an internal configuration of the defect management information processing unit 13.
  • the defect management information processing unit 13 includes a DMA information reading unit 21, a TDMS information reading unit 22, a control memory 23, a defect entry addition unit 24, a TDFL conversion unit 25, a TDMS information writing unit 26, and a verification unit 27.
  • the DMA information reading unit 21 determines a normal defect management area in 1stDMA to 4thDMA, and reads the contents recorded in the defect management area to the control memory 23.
  • the DMA information reading unit 21 determines that the finalization is performed because lstDMA to 4thDMA can be normally reproduced, and determines that the finalization is not performed because lstDMA to 4thDMA cannot be normally read because the data is not recorded.
  • the TDMS information reading unit 22 is one in which the loaded optical disc 1 is not finalized. If it is, search the recorded end cluster and search for the latest TDMS (TDMS '-1). The recorded end cluster force is also extracted from the TDDS, and the number n of TDFLs and the position of each TDFL are obtained. If the position of each TDFL is acquired, the TDFL is read from the latest TDMS to the control memory 23, and this is held as a plurality of defect entries constituting the DFL. The plurality of defect entries are used for reading processing.
  • the control memory 23 is a memory for storing the defect entry etc. for work. Defect entry addition part 24>
  • the defect entry adding unit 24 converts the defect entry indicating the defect area into a plurality of defect entries read to the control memory 23. Add. Specifically, for example, when one new defect cluster is detected in the user data area 6, the defect entry tracking unit 24 corresponds to a new defect cluster for a plurality of defect entries in the control memory 23. Add defect entries to Furthermore, it sorts the defect entries according to the position information of the defect clusters contained in the defect entries, and further increases the number of defect entries by "1".
  • the TDFL conversion unit 25 converts the defect entry indicating the defect area found in the current recording process and the defect entry one indicating the defect area detected in the previous recording process into the defect area indicated by the defect entry. Address force Arrange in order from small to large, multiple defect entries arranged in this way are converted to “TDF”, which realizes update of TDMS.In this conversion, multiple defect entries that exist in the control memory 23 The total size is calculated, and it is determined whether or not the total size exceeds the cluster size of the size plus the size of the fixed size TDDS, and if the total size is less than or equal to the cluster size Converts multiple defect entries into a single TDFL TDMS force When composed of Si clusters, the size of TDFL # 1 and fixed size The size of TDDS must be added to one cluster, where the size of TDDS is 1 sector, so the maximum size of TDFL is 31 sectors. If the cluster size is exceeded, convert multiple defect entries to multiple TDFLs
  • the TDMS information writing unit 26 writes the TDFL obtained by the conversion of the TDFL conversion unit 25 into the latest TDMS (TDMS is also ') in ascending order of the address power of the defect area indicated therein. After writing TDFL, write TDDS to TDMS '.
  • FIG. 11 is a diagram illustrating reading of TDMS information by the TDMS information reading unit 22 and writing processing of TDMS information by the TDMS information writing unit 26.
  • Figure 11 (a) shows the preconditions for this process. This situation means that TDFL and TDDS force S are written from TDFL # 1 to TDMS ⁇ -1 out of N TDMS, and only the latest TDMS '-1 is valid. is there.
  • the TDMS information reading unit 22 reads TDFL # 1 to TDFL # 3 and TDDS recorded in TDMS '-1 at the j-th recording (FIG. 11 (b)).
  • the TDMS information writing unit 26 Write TDFL # 1 to TDFL # 4 and TDDS to TDMS '( Figure ll (d)).
  • a defect list indicating all defect areas discovered from the first recording to the jth recording is written in TDMS '.
  • the verify unit 27 is a component built in the TDMS information reading unit 22 and performs verification on the TDFL written by the TDMS information writing unit 26.
  • “verify” refers to an operation of confirming whether or not this recording has been performed normally when recording on a cluster. This verification is realized by making a judgment by performing error correction on the recorded data, and by reading the recorded data and confirming whether the data matches the recorded data. Is done. If it is determined that the recording cannot be normally performed due to a defect or the like, the TDMS information writing unit 26 retries writing of TDFL.
  • the position information generating unit 28 When the TDMS information writing unit 26 tries to write TDFL to TDMS ', the position information generating unit 28 generates TDFL position information indicating the TDFL writing destination in the TDDS on the control memory 23. . Such generation occurs not only on the first TDFL write, but also on a TDFL write retry. As described above, if a plurality of TDFL position information is generated in the TDDS on the control memory 23, only the TDFL position information in which the TDFL is normally recorded is extracted, and the TDFL position information is extracted. The addresses of the defective areas indicated by the corresponding TDFL are rearranged in ascending order.
  • the TDFL position information can be handled by extracting and rearranging the normal TDFL position information. Only the TDFLs that have been correctly written can be arranged in order of decreasing address power of the defective area indicated by the corresponding TDFL.
  • TDFL position information power corresponding to them is rearranged so that they are read out in a predetermined order.
  • the power of the position information generator 28 is the mission.
  • the DMA information writing unit 29 performs a recording process from 1 stDMA to 4th DMA at the time of finalization.
  • FIG. 12 is a diagram showing a writing process by the DMA information writing unit 29.
  • Figure 12 (a) shows the preconditions for this process. This situation means that among the N TDMSs, TDFL # 1 to TDFL # 4 and TDDS are written in TDMS ', and only the latest TDMS' is valid.
  • the recorded contents of TDMS ' are read out to the control memory 23 by the DMA information reading unit 21 (Fig.
  • TDFL # 1 to TDFL # 4 It is converted to DFL, which is a defect entry that exists in, and written to IstDMA (Fig. 12 (c)).
  • DFL obtained by converting TDFL # 1 to TDF L # 4 is written in 2ndDMA, 3rdDMA, and 4thDMA.
  • the above is the internal configuration of the defect management information processing unit 13. Next, the implementation of the defect management information processing unit 13 by software will be described.
  • the defect management information processing unit 13 can be installed in the recording / reading apparatus 100 by generating a program based on the flowcharts shown in FIGS. 13 to 15 and causing the CPU to execute the program.
  • FIG. 13 is a flowchart showing the procedure of DFL read processing.
  • Step S1 waits for processing whether or not the optical disc 1 is loaded. If the optical disc 1 is loaded, the DMA information reading unit 21 in step S2 determines that the optical disc 1 has been finalized. Determine if it is a thing. If it is after finalization, the same processing as for a read-only disc is performed.
  • the TDMS information reading unit 22 searches the terminal cluster in which a plurality of TDMS forces are already recorded, and searches for the latest TDMS # j (step S3).
  • the recorded terminal cluster force is also extracted from the TDDS, and the number n of TDFLs and the position of each TDFL are obtained (step S5).
  • a loop process consisting of steps S6 to S9 is executed. This loop process initializes variable k (step S6), and reads TDFL # k from TDMS based on the TDFL # k position information among multiple TDFL position information in TDDS. Repeat S 7)!
  • the variable k is a control variable.
  • the variable k is incremented every time the loop processing consisting of step S7 to step S9 completes (step S9), and the fact that the variable k becomes n is the end condition of the loop processing (step S8).
  • the defect entry constituting the TDFL is held in the control memory 23 as one defect entry constituting the DFL (step S10), and the host controller 200
  • the optical disk 1 is read and written in accordance with the command from Z (step S30).
  • FIG. 14 is a flowchart showing a processing procedure of read Z write processing in accordance with a command from the host controller 200.
  • Step Sl l and step S12 in Fig. 14 form a command wait loop.
  • Step S11 is a step for determining whether or not the command from the host controller 200 is a read command.
  • the command processing unit 12 receives a command from the host controller 200 as a write command. This is a step for determining whether or not.
  • Step S13 is a step of determining whether or not the instruction processing unit 12 is a defect cluster indicated by any defect entry of the command read destination force DFL. If it is not a defective cluster, the user data is also read out from the read-out cluster force (step S14). If it is a defective cluster, the defect management information processing unit 13 reads the user data for the alternative cluster power of the defective cluster (step S15), and then returns to the loop processing from step SI1 to step S12.
  • step S 18 If the command from host controller 200 is a write command, user data is written to the write destination cluster (step S 18). Thereafter, the process proceeds to a loop process consisting of step S19 to step S23.
  • Step S19 the written user data is verified (step S19), and if a defective cluster is found as a result of the verification (Yes in step S20), the defect management information processing unit 13 substitutes the defective cluster. Assign a cluster (Step S21), generate a defect entry that shows the defect cluster and the alternative cluster in association with each other (Step S22), and retry writing to the alternative cluster (Step S23). Step S20 is repeated until it is determined No.
  • step S24 determines whether a new defect entry has been created (step S24), and if a new defect entry has been created, updates the DFL and adds a new defect entry. (Step S25), convert the updated DFL so obtained to TDFL, write it to the latest TDMS (Step S26), and return to the loop processing from Step S11 to Step S12. It is.
  • FIG. 15 is a flowchart showing a processing procedure of a writing process to TDMS.
  • step S31 the TDFL conversion unit 25 realizes a conversion procedure for converting a plurality of defect entries constituting the DFL into one or more TDFLs.
  • Step S32 is a process in which the TDMA recorded end cluster in the control memory 23 is advanced to the next position, the start position of the unrecorded area is calculated, and this start position is set as the current cluster. This current cluster is the recording start position.
  • This loop process takes out unrecorded TDFLs in the control memory 23 in ascending order and takes them out.
  • TDFL is set to TDFLi, and the TDMS information writing unit 26 writes to the current cluster (step S33), advances the current cluster (step S34), and increments the variable i (step S35). Is repeated until the last previous TDFL (TDFLn-1) is reached (Yes in step S36).
  • step S37 each time one TDFL is written, the verify unit 27 verifies the write (step S37). As a result of this verification, if it is found that the cluster in which TDFL is written is a defective cluster, the variable i is not incremented and the retry flag is turned ON instead (step S38). Step S39 prior to step S33 is a determination as to whether this retry flag is ON force DFF. If the retry flag is ON, the TDMS information writing unit 26 writes TDFLi that has failed to be recorded into the current cluster (step S39). Step S40).
  • step S45 If the TDFL # 1 to TDFL # 3 (the last previous TDFL) force TDMS is written by repeating the above, the processing from step S41 to step S45 is executed.
  • Steps S41 to S45 form a process of writing the last TDFL and TDDS to TDMS.
  • Step S41 indicates the position of the TDFL where the position information generation unit 28 has already been written, and also generates TDFL position information indicating the position where the last TDFL is to be written in the TDDS (Step S41), and then steps S42 to The loop process of step S45 is executed.
  • step S42 the TDDS generated by the TDMS information writing unit 26 and the last TDFL are written to the powerful cluster (step S42), and the verifying unit 27 verifies the written cluster ( If the written cluster is not a defective cluster, the process is terminated. If the written cluster is a defective cluster, the current cluster is set to the next cluster (step S44), and the position information generation unit 28 newly generates a TDDS in which the position of the last TDFL in the TDDS is rewritten (step S45), and executes steps S42 and S43 again.
  • FIG. 16 shows a process in which TDFL is written by the recording / reading apparatus 100 according to the first embodiment.
  • FIG. The first level in this figure shows the multiple clusters that make up the TDMS, and the second to sixth levels show the four TDFLs (TDFL # 1, TDF L # 2, TDFL # 3, TDFL # 4) and TDDS.
  • cluster # 2 is assumed to be a defective cluster.
  • the second level shows a state in which TDFL # 1 is written to cluster # 1 among the clusters constituting this TDMS.
  • the third row shows the state in which TDFL # 2 is written in cluster # 2.
  • cluster # 2 since cluster # 2 is a defective cluster, TDFL # 2 recording is retried.
  • the fourth row shows TDFL # 2 written to the cluster next to cluster # 2 (cluster # 3) by recording retry.
  • the fifth row shows the time when TDFL # 3 was written into cluster # 4, and the sixth row shows the last time when TDFL (TDFL # 4) and TDDS were written.
  • TDFL # 1 and TDFL # 2 to TDFL # 4 are arranged in a discrete manner across the defect entry.
  • TDDS written with the last TDFL Indicates the location (address cl, c3, c4, c5) of the cluster where TDFL # 1, TDFL # 2, TDFL # 3, and TDFL # 4 are written.
  • cl, c3, c4, c5 the location of the cluster where TDFL # 1, TDFL # 2, TDFL # 3, and TDFL # 4 are written.
  • the cluster in the TDMS is accessed according to the position indicated in the TDDS, these TDFLs can be read out from the memory of the recording / reading apparatus 100 in a continuous order.
  • TDFL since it is expressed by the position information corresponding to the reading order power TDFL of TDFL, even if a defect cluster exists in the spare area, a plurality of TDFLs Need not be arranged continuously. It is possible to arrange TDFLs in a random manner, in which multiple TDFLs are placed in discrete continuous areas with defect clusters in between.
  • TDFL in TDMS is designed to speed up TDMS writing. Propose the placement.
  • FIG. 17 is a diagram showing an example of a discrete arrangement of TDFLs according to the second embodiment.
  • the first row in the figure shows the multiple clusters that make up the TDMS, and the second row shows the TDFL (TDFL # 1, TDFL # 2, TDFL # 3, TDFL) written to these clusters. # 4) and TDDS!
  • TDFL and TDDSi In the second stage, TDFL and TDDSi, TDFL # 1, TDFL # 3, TDFL # 4, TDDS, TDFL # 2, TDFL # 4, TDDS They are in order. There are two TDDS and TDFL # 4, but the one recorded later is valid, and the one recorded earlier is treated as invalid. This is because TDDS is effective only for the area immediately before the unrecorded area.
  • TDFL # 1 to TDFL # 4 are
  • TDFL # 1 TDFL # 3
  • TDFL # 2 TDFL # 2
  • the addresses of the defect areas indicated by the corresponding TDFL are arranged in ascending order.
  • cluster # 2 is a defective cluster, and the TDFL # 2 written to this defective cluster should be placed after TDFL # 1. Regardless of this placement order, TDFL # 2 # 4 and TDDS are written in the previous cluster. Even if TDFL # 4 is placed in duplicate and TDFL # 2 is placed out of order, TDDS is the cluster location (address) where TDFL # 1, TDFL # 2, TDFL # 3, and TDFL # 4 are written. cl, c5, c3, c6) are shown in the order of TDFL # 1 to TDFL # 4.When the clusters in TDMS are accessed according to the positions indicated in these TDDS during playback, these are displayed. TDFLs # 1 to # 4 can be read out to the memory of the recording / reading apparatus 100 in a continuous order. Thus, the improvement of the optical disc in the second embodiment allows not only the TDFL discrete arrangement but also the overlapping arrangement.
  • the above is the improvement on the optical disc according to the present embodiment.
  • the recording / reading apparatus 100 will be described.
  • the improvements of the recording / reading apparatus 100 according to the present embodiment are the TDMS information writing unit 26, the verifying unit 27, and the position information generating unit 28.
  • the TDMS information writing unit 26 writes all TDFLs and TDDSs at a time into the latest TDMS in TDMA. If the cluster in which the TDFL is written is a defective cluster, the TDFL written in the defective cluster, the last TDFL, and the TDDS write are retried.
  • the verify unit 27 verifies the written TDFL with respect to the written TDFL when the TDMS information writing unit 26 writes TDFL and TDDS. Determine whether the written TDFL is correct.
  • the position information generation unit 28 generates TDFL position information to be stored in the TDDS when the TDMS information writing unit 26 tries to write the TDFL (including writing at the time of retry). To do.
  • FIG. 18 is a flowchart showing a writing process to the TDMS according to the second embodiment. After performing the same processing of FIG. 15 (step S31, step S32), the processing of step S51 to step S52 is executed.
  • Steps S51 to S52 are predicted to be written in four clusters after the plurality of TDFL force current clusters, and generate TDFL position information indicating the position predicted by the position information generation unit 28 in the TDDS.
  • step S51 the entire writing process is executed, in which TDFL # 1 to TDFL # 4 and TDDS are written after the powerful cluster (step S52).
  • step S52 the entire writing process is executed, in which TDFL # 1 to TDFL # 4 and TDDS are written after the powerful cluster.
  • the generation of TDFL position information by the position information generation unit 28 in step S51 is performed by generating TDFL position information in the TDDS, assuming that the TDFL positions are arranged after the four TDFL force current clusters. If there are k TDFLs that are to be written, there are k TDFLs to be retried, and the TDFL position information of the i-th TDFL (i ⁇ k) The
  • Step S53 is verification by the verify unit 27 for all the writing results. If the writing contents are normal (successful in step S53), the processing of this flowchart ends.
  • the location information indicates the location of the already written TDFL, the location where the failed TDFL should be written, and the location where the last TDFL should be written.
  • the generation unit 28 After the generation unit 28 generates the TDDS in the TDDS (step S54), the process proceeds to a loop process including the steps S55 to S58.
  • the TDMS information writing unit 26 executes a retry.
  • the target of the retry is a new TDDS that indicates the location of the new TDFL # 2, not just the failed TDFL # 2, and TDFL # 4 that should be written to the same cluster as this TDDS. It is.
  • steps S55 to S58 the TDFL that the TDMS information writing unit 26 failed to write, the last TDFL, and the TDDS are written after the current cluster (step S55), and the verify eye 27 is written.
  • the cluster is verified (step S56). If the written cluster is not a defective cluster, the process is terminated. If the written cluster is a defective cluster, the current cluster is changed to the next cluster (step S57). ), The position information generator 28 generates a new TDDS by rewriting the position of the TDFL for which writing failed and the position of the last TDFL in the TDDS (step S58), and executes steps S55 and S56 again. It is to do.
  • the generation and rewriting of the TDFL position information by the position information generation unit 28 in steps S54 and S58 are performed as follows.
  • the TDMS is arranged in the order of one or more TDFL (1) to be retried and the last TDFL (2), so one or more TDFLs to be retried are Rewrite the TDFL position information in TDDS assuming that it is arranged after the current cluster. If there are k TDFLs to be retried, k out of k TDFLs to be retried, the TDFL position of the i-th TDFL (i ⁇ k) Position information
  • FIG. 19 is a diagram showing a process in which TDFL is written by the recording / reading apparatus 100 according to the second embodiment.
  • the first row in the figure shows the multiple clusters that make up TDMS # j, and the second through third rows show the four TDFLs written in these clusters (TDFL # 1 TDFL # 2 TDFL # 3 Shows the process of writing TDFL # 4) and TDDS.
  • cluster # 2 is assumed to be a defective cluster.
  • the second row shows the state in which TDFL # 1 TDFL # 4 and TDDS are written to cluster # 1 force cluster # 4.
  • This TDDS indicates the location (address cl, c2, c3, c4) of the cluster where TDFL # 1 TDF L # 2, TDFL # 3 TDFL # 4 is written.
  • cluster # 2 is a defective cluster, so a retry is required.
  • This retry also applies to a new TDDS that indicates the position of a new TDFL # 2, not just TDFL # 2 that failed to be written, and TDFL # 4 that should be written to the same cluster as this TDDS.
  • the third row shows the time when TDFL # 2 TDFL # 4 TDDS force S was written after cluster # 5 by retry.
  • the TDDS written with the last TDFL indicates the cluster location (address cl, c5, c3, c6) where TDFL # 1 TDFL # 2 TDFL # 3 TDFL # 4 was written.
  • these TDFLs can be read into the memory of the recording / reading apparatus 100 in a continuous order.
  • the time required for TDMS update can be shortened and the usability can be improved. Is possible. In addition, it is possible to reduce the risk of failure due to sudden stoppage of the update due to power off during the TDMS update. In addition, when the TDMA has defects such as scratches, multiple clusters arranged in the radial direction are often defective.
  • the third embodiment relates to an improvement that achieves an intermediate level writing speed between the first embodiment and the second embodiment, although not as much as the second embodiment.
  • FIG. 20 is a diagram illustrating an example of a discrete arrangement of TDFLs according to the third embodiment.
  • the first row in the figure shows the multiple clusters that make up the TDMS, and the second row shows the TDFL (TDFL # 1, TDFL # 2, TDFL # 3, TDFL) written to these clusters. # 4) and TDDS
  • TDFL and TDDS are arranged in the order of TDFL # 1, TDFL # 3, TDFL # 2, TDFL # 4, and TDDS.
  • cluster # 2 is a defective cluster, and TDFL # 2 written to this defective cluster is placed before TDFL # 4, which is the last TDFL. It can be seen that the TDFL written by the retry is written in the cluster immediately before the last TDFL, TDFL # 4.
  • TDDS will change the cluster location (address cl, c4, c3, c5) where TDFL # 1, TDFL # 2, TDFL # 3, and TDFL # 4 are written to Since they are shown in the order of # 1 to TDFL # 4, when the clusters in TDMS are accessed according to the positions indicated in these TD DSs during playback, these TDFLs are recorded in a continuous order in the recording / reading device 100. Can be read into the memory. In this way, the improvement of the optical disc in the third embodiment allows a discrete arrangement of TDFLs.
  • the TDFL position information is positioned in the ascending order of the defect entry in the TDDS, and only the leading position information of the TDFL that cannot be recorded due to a defect or the like is subsequently transmitted. Since they are arranged, a finite TDMS size can be used efficiently.
  • the recording / reading apparatus 100 according to the present embodiment will be described.
  • the improvements are in the TDMS information writing unit 26, the verifying unit 27, and the position information generating unit 28.
  • the TDMS information writing unit 26 writes all TDFLs except the last TDFL to the latest TDMS in TDMA at once. If the cluster to which the TDFL is written is a defective cluster, the TDFL written to the defective cluster is retried, and then the last TDFL and TDDS are written to the TDMS.
  • the verification unit 27 performs verification on the written TDFL when the TDMS information writing unit 26 writes TDFL and TDDS (including writing at the time of retry). Determine whether the written TDFL is correct.
  • the position information generating unit 28 When the TDMS information writing unit 26 tries to write the TDFL (including writing at the time of retry), the position information generating unit 28 according to the third embodiment has a TDFL position to be stored in the TDDS. Generate information.
  • FIG. 21 is a flowchart showing a write process to TDMS according to the third embodiment. After performing the same processing of FIG. 15 (step S31, step S32), the processing of step S63 to step S64 is executed.
  • Steps S63 to S64 are predicted to be written in the four clusters after the TDFL force current cluster, and after generating TDFL position information indicating the position predicted by the position information generation unit 28 in the TDDS. (Step S63), TDFL # 1 to TDFLn-1 are written to the current cluster and later (Step S64).
  • Step S65 is verification by the verify unit 27 for the result of all writing. If the writing contents are normal (successful in step S65), the processing from step S66 to step S70 is skipped.
  • Steps S66 to S70 are processes in the case where a defective cluster exists, and the position information generation unit indicates information indicating the position of the TDFL that has been successfully written and the position where the failed TDFL is to be written. After 28 is generated in TDDS (Step S66) Then, the process proceeds to a loop process consisting of step S67 to step S70.
  • steps S67 to S70 the TDMS information writing unit 26 writes the TDFL that failed to be written after the current cluster (step S67), moves the current cluster to the next cluster (step S68), and then writes.
  • the verifying unit 27 performs verification of the written cluster (step S69), and if the written cluster is not a defective cluster, the loop process is skipped and the process proceeds to step S71. If so, the position information generation unit 28 rewrites the position information of the TDFL that failed to be written in the TDDS (step S70), and the process proceeds to step S67 again.
  • TDMS rewrites TDFL position information in TDDS, assuming that one or more TDFLs to be retried are arranged after the current cluster. If there are k TDFLs to be retried, the i-th TDFL (i ⁇ k) TDFL position information of k TDFLs to be retried is
  • Steps S71 to S75 indicate the position of the already written TDFL and also generate information in the TDDS indicating the position where the last TDFL should be written (Step S71).
  • the generated TDDS and the last TDFL are written to the powerful cluster by the TDMS information writing unit 26 (step S72), and the written cluster is verified (step S73). If the written cluster is not a defective cluster, the process is terminated. If the written cluster is a defective cluster, the current cluster is changed to the next cluster (step S74), and the position information of the last TDFL in the TDDS is obtained. The rewritten TDDS is newly generated by the position information generation unit 28 (step S75), and steps S72 and S73 are executed again.
  • FIG. 22 is a diagram showing a process in which TDFL is written by the recording / reading apparatus 100 according to the third embodiment.
  • the first row in the figure shows the multiple clusters that make up TDMS # j, and the second through fourth rows are the four TDFLs (TDFL # 1, TDFL # 2, TDFL # 3, TDFL # 4) and TDDS are written.
  • cluster # 2 is assumed to be a defective cluster.
  • the second row shows the state written from TDFL # 1 to TDFL # 3 to cluster # 1 to cluster # 3.
  • cluster # 2 is a defective cluster
  • a retry is required.
  • the retry here is only the power of TDFL # 2 that failed to write.
  • the last TDFL, TDFL # 4, and TDDS are written at once.
  • the third row shows the state in which TDFL # 2 has been written by retrying
  • the fourth row shows the state in which TDFL # 4 and TDDS have been written.
  • the TDDS written with the last TDFL indicates the cluster location (address cl, c4, c3, c5) where TDFL # 1, TDFL # 2, TDFL # 3, and TDFL # 4 are written.
  • the clusters in the TDMS are accessed according to the positions indicated in the TDDS, these TDFLs can be read out to the memory of the recording / reading apparatus 100 in a continuous order.
  • writing of the TDFL, the last TDFL, and the TDDS that cannot be recorded due to a defect or the like is retried, so that the time required for TDMS update is shortened and the usability is improved. It becomes possible to improve. In addition, it is possible to reduce the risk of failure due to sudden stoppage of TDMS update due to power off during the update.
  • the TDMA has defects such as scratches
  • multiple clusters arranged in the radial direction are often defective. Since the inner circumference of optical disc 1 is almost 2 clusters, if TDMS is composed of 4 clusters, if the contents to be written to TDMS are always the same at the time of retry, TDMS There is a possibility of repeated update failures.
  • the TDFL corresponding to the defect cluster changes every time, so that the probability of successful retry can be increased.
  • TDMS is recorded as TDFL and TDDS !, but other additional information may be added.
  • the size of TDFL, TDDS, and additional information is the size of one TDMS.
  • the size of the TDDS is not necessarily the same as the size of the DDS.
  • the size size cluster size obtained by adding TDFL, TDDS, and other meaningful information is not enough! / ⁇ ⁇ , that portion is used as data with no meaning, for example, 0 is written as the cluster size. Needless to say.
  • the TDFL is targeted in the first embodiment, it is list information consisting of entries from the substitution source and substitution destination.
  • the overwriting record data in the recorded area is recorded in another area, and the entry is virtually overwritten by the entry. It goes without saying that even lists that are recorded can be handled in exactly the same way.
  • the DMA information reading unit 21 has a function for determining whether or not finalization is performed from 1 stDMA to 4th DMA.For example, if a finalization identification flag for identifying whether finalization is performed is provided at a predetermined position in the TDMS, the TDMS information The reading unit 22 can also determine whether or not the finalization force is available. The finalize identification flag is not necessarily TDM.
  • the TDFL is read one cluster at a time and stored in the storage buffer 16.
  • the position force indicated by the TDFL # 1 position information After all the clusters have been read up to the recorded end cluster, the TDFL position information Only the valid TDFL corresponding to the position indicated by may be extracted and rearranged in the order of the TDFL position information.
  • the TDFL is read one cluster at a time and stored in the storage buffer 16.
  • the TDFL position information indicates whether there is an invalid cluster or invalid cluster between the TDFL indicated by the TDFL position information. Judgment of the continuity of, and if there are valid TDFLs in succession, multiple clusters may be read out continuously! /. In this case, the time required to acquire the defect entry can be shortened compared to the case of reading one cluster at a time.
  • all the read TDFLs can be combined and held as DFL, or they can be held in the read state.
  • the TDMS update by the TDFL conversion unit 25 in the first embodiment is merely an example, and it is sufficient that information regarding the defect is reflected.
  • sorting defect entries is not necessarily something that must be done! / ⁇ .
  • the TDMS in each embodiment may be added with force and other additional information composed of TDFL and TDDS.
  • the size of TDFL, TDDS, and additional information is the size of one TDMS.
  • the cluster that failed to be recorded and the block including the TDDS are continuously recorded and verified, but only the cluster that failed to be recorded and the verification are repeated. T after successfully recording the last block except TDFL and TDDS It's okay to record and verify blocks that contain DDS. /.
  • the recording it is determined that the recording has failed when the verification is performed, and the recording is retried.
  • the retry may be performed according to an error that has occurred during the recording. .
  • the recorded cluster that has already been recorded by continuous recording is verified, the cluster that failed to be recorded is still recorded, and the cluster that includes the block and TDDS is recorded. The same effect can be obtained by repeating the continuous recording and verification.
  • the TDFL position information of the TDFL is obtained by rewriting the TDFL position information corresponding to each TDFL included in the TDDS before the retry, but it is not always necessary to rewrite the TDFL position information before the retry.
  • the TDFL position information corresponding to each TDFL included in the TDDS may be rewritten by obtaining the TDFL position information of all valid TDFLs. That's ugly.
  • all the clusters that failed to be recorded are continuously recorded and verified, and after recording other than the last TDFL and TDDS normally, the last TDFL and TD DS are recorded and verified. It is okay to write and verify the cluster and TDDS that failed to be recorded in a continuous cluster.
  • all the clusters that failed to be recorded are continuously recorded and verified repeatedly, and after recording other than the last TDFL and TDDS normally, the TDDS and the last TDFL are recorded and verified. Record the TDFLs that failed to be recorded one by one, repeat the verification, and record everything except the last TDFL normally, then the last TDFL and T It is okay to record and verify DDS and repeat it.
  • the order of valid TDFL # l to TDFL # n may be in ascending order. For example, if the position where TDFLfti should be recorded is a defect cluster, TDFL is recorded in the order of TDFL # 1, TDFL # 2, TDFL # 3, ..., defect cluster, and TDFL # n, so they are arranged in ascending order. .
  • the program according to the present invention can be created as follows. First, the software developer uses a programming language to write a source program that implements each flowchart and functional components. In this description, the software developer uses a class structure, variables, array variables, and external function calls according to the syntax of the programming language to create a source program that implements each flowchart or functional component. Describe.
  • the described source program is given to the compiler as a file.
  • the compiler translates these source programs to generate an object program.
  • Translation by the compiler consists of processes such as syntax analysis, optimization, resource allocation, and code generation.
  • syntax analysis lexical analysis, syntax analysis, and semantic analysis of the source program are performed, and the source program is converted into an intermediate program.
  • the intermediate program is divided into basic blocks, control flow analysis, and data flow analysis.
  • resource allocation variables in the intermediate program are allocated to registers or memory of the processor of the target processor in order to adapt to the instruction set of the target processor.
  • code generation each intermediate instruction in the intermediate program is converted into program code to obtain an object program.
  • the object program generated here is composed of one or more program codes that cause a computer to execute each step of the flowcharts shown in the embodiments and individual procedures of functional components. .
  • program codes such as a processor native code and JAVA (registered trademark) bytecode.
  • program code There are various modes for realizing each step by the program code. If each step can be realized by using an external function, it will be a call program code that calls this external function. Also, the program code power to realize one step may belong to different object programs. In RISC processors with limited instruction types, each step in the flowchart may be realized by combining arithmetic, logical, and branch instructions.
  • the programmer activates the linker for them.
  • the linker allocates these object programs and related library programs in the memory space, and combines them into one to generate a load module.
  • the load module generated in this way is premised on reading by a computer, and causes the computer to execute the processing procedure shown in each flowchart and the processing procedure of functional components.
  • the program according to the present invention can be created through the above processing.
  • the program according to the present invention can be used as follows.
  • the load module corresponding to the program is written in the instruction ROM together with the basic input / output program (BIOS) and various middleware (operation system).
  • BIOS basic input / output program
  • the program according to the present invention can be used as a control program for the recording / reading apparatus 100 by incorporating such an instruction ROM into the control unit and causing the CPU to execute it.
  • the recording / reading device 100 is a model with a built-in hard disk
  • the basic input / output program (BIOS) is built into the instruction ROM, and various middleware (operation system) System) is preinstalled on the hard disk.
  • the boot ROM recording / reading device 100 is also provided for booting the system from the hard disk.
  • the recording / reading apparatus 100 performs bootstrap using the boot ROM, starts the operation system, causes the CPU to execute the application as one application, and uses the program according to the present invention.
  • the hard disk model recording / reading apparatus 100 can use the program of the present invention as one application, the program according to the present invention can be transferred alone, lent, or supplied through a network. .
  • the defect management information processing unit 13 shown in each embodiment can be realized as a single system LSI.
  • the system LSI means a package in which a bare chip is mounted on a high-density substrate.
  • a system LSI that includes multiple bare chips mounted on a high-density substrate and knocked to give the bare chip the same external structure as a single LSI is also included in the system LSI.
  • uch a system LSI is called a multichip module;).
  • system LSI types such as QFP (tad flood array) and PGA (pin grid array).
  • QFP is a system LSI with pins attached to the four sides of the package.
  • a PGA is a system LSI with many pins attached to the entire bottom surface.
  • pins serve as an interface with other circuits. Since pins in the system LSI have such an interface role, the system LSI plays the role of the core of the recording / reading apparatus 100 by connecting other circuits to these pins in the system LSI.
  • the bare chip packaged in the system LSI consists of a "front end part", a “backend part”, and a "digital processing part".
  • the “front-end part” is the part that digitizes analog signals, and the “back-end part” analyzes the data obtained as a result of digital processing. This is the part to be output in the mouth.
  • Each component shown as an internal configuration diagram in each embodiment is mounted in this digital processing unit.
  • the load module As described earlier in “Use as embedded program”, the load module, basic input / output program (BIOS), and various middleware (operation system) are written in the instruction ROM.
  • the load module corresponding to this program is created in particular, so the system ROM according to the present invention is produced by packaging the instruction ROM storing the load module corresponding to the program as a bare chip. be able to.
  • SoC implementation and SiP implementation can be used.
  • SoC (System on chip) implementation is a technology that burns multiple circuits on a single chip.
  • SiP (System in Package) mounting is a technology that combines multiple chips into a single package using grease or the like.
  • the integrated circuit generated as described above is sometimes called an IC, LSI, super-LSI, or unroller LSI depending on the degree of integration.
  • each recording / reading apparatus may be configured as one chip.
  • Integrated circuit implementation is not limited to the above-described SoC implementation and SiP implementation, and may be realized by a dedicated circuit or a general-purpose process. It is conceivable to use a Field Programmable Gate Array (FPGA) that can be programmed after manufacturing the LSI, or a silicon figureable 'processor that can reconfigure the connection and settings of the circuit cells inside the LSI.
  • FPGA Field Programmable Gate Array
  • a silicon figureable 'processor that can reconfigure the connection and settings of the circuit cells inside the LSI.
  • integrated circuit technology that replaces LSI emerges as a result of advances in semiconductor technology or derived technologies, it is natural that functional blocks may be integrated using that technology. For example, biotechnology can be applied.
  • optical disc, recording device, and reading device The internal configuration of the optical disc, recording device, and reading device according to the present invention is disclosed in the above-described embodiment, and it is apparent that mass production is performed based on this internal configuration. it can. Therefore, the optical disc, the recording / reading apparatus, and the reading Output device has industrial applicability c

Abstract

　光ディスク１には、欠陥管理領域(DMA)が存在する。当該欠陥管理領域の一時的欠陥管理領域(TDMS)には、複数の欠陥領域リスト(TDFL)と、構造情報(TDDS)とが記録されている。欠陥領域リスト(TDFL)は、光ディスク１のアクセス時に発見された少なくとも1つの欠陥領域を示す。構造情報(TDDS)は、欠陥領域リスト(TDFL)のそれぞれに対応する複数の位置情報を含み、前記複数の位置情報は、構造情報(TDDS)において対応する欠陥領域リスト(TDFL)が読み出されるべき順序に従って並べられている。

Description

光ディスク、記録装置、読出装置、方法
技術分野
[0001] 本発明は、欠陥エントリーの一時記録技術の技術分野に属する発明である。
背景技術
[0002] 欠陥エントリーとは、欠陥クラスタの位置と、その欠陥クラスタの代わりとなる代替セ クタの位置とを対応づけた情報である。
この欠陥エントリーの一時記録とは、ライトワンス型の光ディスクに対する記録処理 時において、欠陥領域が発見された場合、この欠陥領域についての欠陥エントリー を、一時的な領域に書き込むという処理である。一時的な書き込みが必要な理由は 以下の通りである。光ディスクには、欠陥エントリーを書き込むための領域 (Defect Ma nagement Area:DMAと呼ばれる)が予め規定されているものの、追記型 (ライトワンス型 )の光ディスクでは、フアイナライズ処理がなされるまで、力かる DMAに欠陥エントリー を書き込む訳にはいかない。何故なら、ライトワンス型の光ディスクでは、事後的な書 き換えが不可能であり、一旦欠陥エントリーを書き込んだ後に、更なる欠陥領域が発 見されたとしても、 DMAに対する追記 '変更が不可能になるからである。そのため、記 録処理時にお!、て欠陥領域が発見された場合は、その欠陥領域にっ 、ての欠陥ェ ントリーを、一時的な欠陥管理領域 (Temporary Disc Management Structure:TDMSと 呼ばれる)に書き込むことが必要になる。
[0003] 欠陥領域につ!、ての複数の欠陥エントリ一力もなる一時的な欠陥領域リスト (Tempo rary DeFect List:以下 TDFLと呼ぶ)を、 TDMSに書き込む技術については、以下の 特許文献 1に示される先行技術がある。
特許文献 1 :特許第 2671656号公報 (第 3— 6図）
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0004] DMAにおいて複数の欠陥領域リストは、それに示される欠陥領域のアドレス力 小 さい順序に並べられて、連続的に記録されている。こうして記録しておけば、内周か ら外周にかけて光ディスクの記録内容を光学的に読み込んでゆくだけで、複数の欠 陥領域リストは、それに示される欠陥領域のアドレスが小さい順に、メモリ上に読み出 されることになる。そしてドライブ装置のファームウェアは、かかる順序で、欠陥領域リ ストがメモリ上で並べられているものとして、欠陥領域リストを用いた処理を行う。ドライ ブ装置のファームウェアは、いわゆる物理層の制御を実現するものであり、原始的な ソフトウェアなので、かかる順序で、欠陥領域リストを供することが必要とされる。
[0005] TDMSに記録された欠陥領域リストも、 DMAに記録された欠陥領域リストと同様の性 質をもつので、それに示される欠陥領域のアドレス力 小さい順に、メモリ上に読み出 され、連続的に配列されねばならない。そうでないと、上記ファームウェアは、欠陥領 域リストに対する処理を正常に行うことはできないからである。
従って、従来の光ディスクの TDMSにおける欠陥領域リストは、それに示される欠陥 領域のアドレスが、小さい順序に並べられて、連続した形で、 TDMSに記録されてい る。しかし、この順序での記録が要求されるため、従来の光ディスクでは、欠陥領域リ スト配置の自由度が存在しないという問題点がある。かかる自由度がないので、複数 欠陥領域リストの記録途中に、欠陥クラスタに遭遇した場合、複数欠陥領域リストをバ ラバラに記録することが許容されず、その欠陥クラスタ以降のクラスタに、全ての欠陥 領域リストを記録し直す必要がある。
[0006] 欠陥クラスタの遭遇時に、全欠陥領域リストを記録し直す必要があるので、 TDMSと して利用可能な領域の消耗が早いという問題点がある。
図 1は、欠陥領域リストの書き込みの過程で、欠陥クラスタに遭遇した際の処理を示 した図である。本図における第 1段目は、 TDMS 'を構成する複数のクラスタを示す。 図中の TDFLは、複数の欠陥領域リストから構成される一時的な欠陥領域リストである 。第 1段目において、 TDMSを構成するクラスタ #1〜クラスタ #4のうち、クラスタ #2は、 欠陥クラスタであるとする。第 2段目は、 TDFL#1がクラスタ #1に書き込まれた状態を示 し、第 3段目は、 TDFL#2がクラスタ #2に書き込まれた状態を示す。クラスタ #2が欠陥ク ラスタであるとすると、従来では、 TDFL#1〜TDFL#4力 連続に配置されることを想定 しているので、リトライにより、クラスタ #3以降に、 TDFL#1〜TDFL#4と、 TDDSと力 S書き 込まれることになる。 TDDS (Temporary Disc Difinition Structure:以下 TDDSと呼ぶ）と は、 TDFL#1〜TDFL#4のうち、先頭のもの (図中のアドレス C3)の位置情報を示す情 報である。第 4段目〜第 7段目は、クラスタ #3以降に、 TDFL#1〜TDFL#4と、 TDDSと が書き込まれる過程を示す。
[0007] ここで TDMSは、リードイン領域と呼ばれる光ディスク上の限られた領域に割り当てら れている。欠陥クラスタに遭遇した際、全ての欠陥領域リストを書き直す必要があるの で、従来の TDFLの配置では、この限られた TDMSの消費が早いという問題がある。 本発明の目的は、所定の順序に並べられた形で、複数欠陥領域リストをメモリ上に 読み出すとの原則を貫きつつも、一時的欠陥管理領域の消耗を早めることがない光 ディスクを提供することである。
課題を解決するための手段
[0008] 上記目的を達成するため、本発明に係る光ディスクは、前記一時的欠陥管理領域 に複数の欠陥領域リストと、構造情報とが記録されており、前記欠陥領域リストは、光 ディスクにおける少なくとも 1つの欠陥領域を示し、前記構造情報は、一時的欠陥管 理領域における各欠陥領域リストの位置を示す複数の位置情報を含み、前記複数の 位置情報は、対応する欠陥領域リストが読み出されるべき順序に従って並べられて 、ることを特徴として 、る。
発明の効果
[0009] 本発明に係る光ディスクは上述した構成を有して 、るので、たとえ欠陥領域リストが 、一時的欠陥管理領域においてバラバラに配置されたとしても、各欠陥領域リストに 対応する位置情報の順序に従って、欠陥領域リストをメモリに読み出す限り、欠陥領 域リストは、所定の読み出し順序に従って読み出され、その順序でメモリ上で配置さ れること〖こなる。
[0010] この所定の読み出し順序力 上述したような、それに示される欠陥領域のアドレスが 小さいものの順序であるなら、複数の欠陥領域リストは、それに示される欠陥領域の アドレスが、小さい順序で、メモリ上に読み出され、配列されることになる。
欠陥領域リストの読み出し順序が、欠陥領域リストに対応する位置情報にて表現さ れているので、予備の領域内に欠陥クラスタが存在したとしても、複数の欠陥領域リ ストを連続的に配置しておく必要はない。欠陥クラスタを挟んだ離散的な連続領域に 、この複数の欠陥領域リストを配置するという、欠陥領域リストのランダムな配置が可 會 になる。
[0011] 一時的欠陥管理領域内に欠陥クラスタが存在する場合に、ランダムな配置が許容 されるので、複数の欠陥領域リストを、クラスタ列に書き込む場合において、 1つのクラ スタが欠陥であった場合、リトライの対象となる欠陥領域リストは、全部ではなぐ一部 の欠陥領域リストになる。リトライ時に書き込むべき欠陥領域リストが少なくなるので、 一時的欠陥管理領域の消耗を抑えることができる。
[0012] 欠陥クラスタに書き込まれた欠陥領域リストと、これ以降の欠陥領域リストとは必ずし も連続した順序で書き込まれる必要はないので、欠陥領域リスト配置の自由度が増 す。
図面の簡単な説明
[0013] [図 1]欠陥領域リストの書き込みの過程で、欠陥クラスタに遭遇した際の処理を示した 図である。
[図 2] (a)光ディスクの全体構成を示す図である。 （b)クラスタの内部構成を示す図 である。
[図 3]BD- Rにお 、てスノィラル状に形成されて 、る複数のトラックを、横方向に引き 伸ばして描いた図である。
[図 4] (a)リードイン領域 2の内部構成を示す図である。
[0014] (b)リードアウト領域 4の内部構成を示す図である。
[図 5] (a) lstDMA〜4thDMAの共通の構成を示す図である。 （b) DFLのデータ構造 を示す図である。 （c) DDSのデータ構造を示す図である。
[図 6]TDMAの内部構成を示す図である。
[図 7] (a) TDFLのデータ構造を示す図である。
[0015] (b) TDDSの内部構成を示す図である。
[図 8]TDFLの離散配置の一例を示す図である。
[図 9]記録読出装置 100の内部構成を示す図である。
[図 10]欠陥管理情報処理部 13の内部構成を示す図である。
[図 ll] (a)〜（d) TDMS情報読出部 22による TDMS情報の読み出しと、 TDMS情報書 込部 26による TDMS情報の書き込み処理とを示す図である。
[図 12] (a)〜（c) DMA情報書込部 29による書き込み処理を示す図である。
[図 13]DFLの読み出し処理の手順を示すフローチャートである。
[図 14]上位制御装置 200からのコマンドに応じた読み出し Z書き込み処理の処理手 順を示すフローチャートである。
[図 15]TDMSへの書き込み処理の処理手順を示すフローチャートである。
[図 16]第 1実施形態に係る記録読出装置 100により、 TDFLが書き込まれる過程を示 した図である。
[図 17]第 2実施形態に係る TDFLの離散配置の一例を示す図である。
[図 18]第 2実施形態に係る TDMSへの書き込み処理を示すフローチャートである。
[図 19]第 2実施形態に係る記録読出装置 100により、 TDFLが書き込まれる過程を示 した図である。
[図 20]第 3実施形態に係る TDFLの離散配置の一例を示す図である。
[図 21]第 3実施形態に係る TDMSへの書き込み処理を示すフローチャートである。
[図 22]第 3実施形態に係る記録読出装置 100により、 TDFLが書き込まれる過程を示 した図である。
符号の説明
1 光ディスク
2 リードイン領域
3 データ領域
4 リードアウト領域
5 スペア領域
6 ユーザデータ領域
7 スペア領域
11 BD— Rドライブ
12 命令処理部
13 欠陥管理情報処理部
14 再生制御部 15 記録制御部
16 格納バッファ
21 DMA情報読出部
22 TDMS情報読出部
23 制御メモリ
24 欠陥エントリー追加部
25 TDFL変換咅
26 TDMS情報書込部
27 ベリファイ部
28 位置情報生成部
29 DMA情報書込部
100 じ録読出装！^
200 上位制御装置
発明を実施するための最良の形態
[0017] 本発明に係る光ディスクの生産行為の形態について説明する。図 2 (a)は、光ディ スクの全体構成を示す図である。光ディスク 1は、レーザとして青色レーザを用いる大 容量の BD-Rであり、スパイラル状に多数のトラックが形成されている。各トラックには、 細力べ分けられた多数のクラスタが形成されて 、る。
図 2 (b)は、クラスタの内部構成を示す図である。クラスタとは、誤り訂正のためのセ クタの集まりをいい、誤り訂正ブロックとも呼ばれる。エラー訂正は、このクラスタの単 位でなされるので、記録および再生動作は、このクラスタを最小単位として行われる。 本図に示すようにクラスタは、 32個のセクタからなり、 64KByteのサイズをもつ。
[0018] 図 3は、光ディスク 1においてスパイラル状に形成されている複数のトラックを、横方 向に引き伸ばして描いた図である。本図の第 3段目は、引き伸ばされた複数のトラック を示し、第 2段目は、この複数トラック上に形成される、リードイン領域 2と、データ領域 3と、リードアウト領域 4を示す。
"リードイン領域 2"は、装置が参照する制御情報を格納しており、更に、光ヘッドが データ領域 3の端へアクセスする場合に、光ヘッドがオーバーランしてもトラックに追 随できるように"のりしろ"としての役割を果たす領域である。
[0019] "データ領域 3"は、光ディスクの実体部分にあたる領域である。
"リードアウト領域 4"は、装置が参照する制御情報を格納しており、更に、光ヘッド がデータ領域 3の端へアクセスする場合に、光ヘッドがオーバーランしてもトラックに 追随できるように"のりしろ"としての役割を果たす領域である。
図 3の第 1段目は、 "データ領域 3"の内部構成を示す。この第 1段目に示すように、 データ領域 3は、 2つのスペア領域 5、 7と、ユーザデータ領域 6と力 構成される。
[0020] "ユーザデータ領域 6"とは、音楽やビデオなどのリアルタイムデータや文章ゃデー タベースなどのコンピュータデータなど、ユーザによって任意の情報が記録される領 域である。
"スペア領域 5、 7"とは、ユーザデータ領域 6内に欠陥クラスタが存在する場合、そ の欠陥クラスタの代わりにデータを記録する代替領域のことである。
くリードイン領域 2の内部構成 >
図 4 (a)は、リードイン領域 2の内部構成を示す図である。本図の第 2段目は、リード イン領域 2全体を示し、第 1段目は、このリードイン領域 2の内部構成を示す。この第 1 段目に示すように、リードイン領域 2には、第 1の欠陥管理領域 (first Defect Manage ment Area,以下 IstDMAと呼ぶ）と、第 2の欠陥管理領域（Second Defect Manageme nt Area,以下 2ndDMAと呼ぶ）と、一時的な欠陥管理領域 (Temporary Disc Managem ent Area、以下 TDMAと呼ぶ）とが存在する。 IstDMAと 2ndDMAは共に光ディスク 1に おける欠陥クラスタの情報を管理するための領域である。
[0021] <リードアウト領域 4の内部構成 >
図 4 (b)は、リードアウト領域 4の内部構成を示す図である。本図の第 2段目は、リー ドアウト領域 4全体を示し、第 1段目は、このリードアウト領域 4の内部構成を示す。こ の第 1段目に示すように、リードアウト領域 4には、第 3の欠陥管理領域 (Third Defect Management Area,以下 3rdDMAと呼ぶ）と第 4の欠陥管理領域（Fourth Defect Mana gement Area,以下 4thDMAと呼ぶ）を備えている。 3rdDMAと 4thDMAは共に光デイス ク 1における欠陥クラスタの情報を管理するための領域である。
[0022] ここで lstDMA〜4thDMAはそれぞれ所定の位置に配置される領域であり、サイズ は欠陥クラスタの個数に応じて可変長である。
lstDMA〜4thDMAは共通の構成を有する。その共通の構成とは、図 5 (a)の通りで ある。これらの DMAは、それぞれディスク定義構造（Disc Definition Structure以下 D DSと呼ぶ）と欠陥領域リスト（DeFect List:以下 DFLと呼ぶ）と力 構成され、 DDSの次 に DFLが配置されると!/、うものである。
[0023] < DFLのデータ構造 >
図 5 (b)は、 DFLのデータ構造を示す図である。
DFLは、 "欠陥リストヘッダ"と、 0個以上 M個以下の"欠陥エントリ #1〜#M "から構成 される。
"欠陥リストヘッダ"は、 DFL中に含まれる欠陥エントリの個数 (欠陥エントリ数)などを 含む。
[0024] "欠陥エントリ #1〜#M "は、ユーザデータ領域 6に対するアクセス時に検出された欠 陥クラスタの先頭位置を示す"欠陥クラスタの先頭位置情報"と、その欠陥クラスタの 代わりに用いられたスペア領域 5、 7内のクラスタの位置を示す"代替クラスタの位置 情報"とを含む。
< DDSのデータ構造 >
図 5 (c)は、 DDSのデータ構造を示す図である。 DDSは、各 DMAにおける 1つ以上 の DFLのうち、先頭の DFL位置を示す" DFL位置情報 (DFLポインタ)"と、 "その他の 情報"とを含む。 DDSには、 DFLの先頭位置が示されているので、この DDSを、先にァ クセスすることにより、各 DMAにおける DFLをメモリに読み出することができる。
[0025] lstDMA〜4thDMAは、欠陥リストの最初の位置情報を除いて、同一の情報を含ん でいなければならない。 lstDMA〜4thDMAは、それぞれ 32クラスタで構成されており 、先頭の 4クラスタは DDS用に使用され、 DDSが 4回繰り返し記録される。それ以降の 2 8クラスタは、 DFL用に使用され、最初はクラスタ 5〜8、不確かな状態になったら次の 4 クラスタ（クラスタ 9〜12)というように 4クラスタずつ使用される。以上が、 DFL、 DDSに ついての説明である。
[0026] <TDMA>
続いて TDMAについて説明する。 TDMAとは、フアイナライズを実施する以前にお いて生成された欠陥エントリーを一時的に記録するための領域であり、読出専用の 光ディスク (BD- ROM)や、書き換え可能型の光ディスク (BD-RE)には存在しない、追 記型光ディスク特有の領域である。
[0027] "フアイナライズ"とは、追記型の光ディスクを書換え型の光ディスクと互換のあるデ ータ構造にする処理である。リードイン領域 5に、 TDMAを設けておくことの技術的意 義は以下の通りである。書換え型光ディスクの場合、 lstDMA〜4thDMAの書換えが 可能であるため、最新の欠陥領域に関する欠陥エントリーを lstDMA〜4thDMAに書 き込み、これを何度でも書き換えることができる。そのため、最新の欠陥領域に関する 情報を、 lstDMA〜4thDMAに示させておくことができる。
[0028] しかしながら追記型光ディスクの場合は、 lstDMA〜4thDMAへの記録は、 1回しか 出来ないため、最新の欠陥領域に関する情報を、 lstDMA〜4thDMAに示させておく ことができない。このように、書き換え型の光ディスクとの互換をとるために TDMAを設 けている。
< TDMAの内部構成 >
図 6は、 TDMAの構成を示す図である。本図の第 2段目は、 TDMAの内部構成を示 す。この第 2段目に示すように、 TDMAには、 N個のTDMS(TDMS#1,#2,#3 · · · ·#Ν)が 存在する。 Ν個の TDMSのそれぞれは、 1回目、 2回目、 η回目の、ユーザデータ領域 に対する記録時に発見された欠陥領域についての情報 (欠陥エントリー)を書き込ん でおく領域である。
[0029] これら TDMSは、番号が大きいもの程新しぐそして一番番号が大きいもののみが有 効になる。光ディスク 1に対するアクセスにあたっては、 TDMSのうち、最新のもののみ が参照され、フアイナライズにあたっては、 TDMSのうち、最新のものの内容が、 IstD MA〜4thDMAに書き込まれることになる。
TDMSは何れも共通の構成を有している。その共通構成とは、図 6の第 1段目に示 す通りであり、 "一時欠陥領域リスト (Temporary DeFect List:以下 TDFLと呼ぶ)"と、 " 一時ディスク定義構造（Temporary Disc Difinition Structure:以下 TDDSと呼ぶ）"とか ら構成され、 TDFLの次に TDDSが配置されると!/、うものである。
[0030] TDMSはクラスタ単位で構成されており、欠陥エントリの数によって可変長であるた め、 1つのクラスタもしくは複数クラスタ力 構成される。 TDMSが 1つのクラスタで構成 される場合、 TDFLと TDDSと力^つのクラスタに収められることになる。 TDMSが複数ク ラスタ力も構成される場合は、 TDMS末尾のクラスタに、 TDFLと TDDSとが収められ、 それ以外のクラスタには、 TDFLのみが収められる。
[0031] < TDFLのデータ構造 >
図 7 (a)は、 TDFLのデータ構造を示す図である。
TDFLは、 DFLと同一の構成であり、引き出し線 flに示すように、 "欠陥リストヘッダ" と 0個以上 M個以下の"欠陥エントリ #1〜#M "から構成される。
"欠陥リストヘッダ"は、 DFL中に含まれる欠陥エントリの個数 (欠陥エントリ数)などを 含む。
[0032] "欠陥エントリ #1〜#M "は、フアイナライズ前のユーザデータ領域 6に対するアクセス 時に検出された欠陥クラスタの位置を示す"欠陥クラスタの位置情報"と、その欠陥ク ラスタの代わりに用いられたスペア領域 5、 7内のクラスタの位置を示す"代替クラスタ の位置情報"とを含む。
< TDDSの内部構成 >
図 7 (b)は、 TDDSの内部構成を示す図である。 TDDSは固定サイズの情報、 1セクタ (2KByte)であり、ディスク定義構造（DDS)と同じサイズである。 TDDSは、 TDMSにお ける末尾のクラスタ内の所定の位置、例えばクラスタを構成する 32個のセクタのうち、 末尾セクタに配置される。図 7 (b)に示すように、 TDDSは、各 TDFLの先頭の DFL位 置を示す" TDFL先頭位置情報 (TDFLポインタ)"と、 "その他の情報"とを含む。 DDS 同様、 TDDSは、 DFLの位置を示す役割をもつ力 DDSと決定的に違うのは、同じ TD MSに複数の TDFLが存在する場合、 TDDSは、これら各 TDFLの先頭位置を、個別に 示す複数の TDFL位置情報を有する点である。そして、対応する TDFLにて示される 欠陥領域のアドレスが小さい順序に、複数の TDFL位置情報が並べられており、 TDF L#l位置情報、 TDFL#2位置情報が、 TDDS内部において隣り合つている点である。こ こで同じ TDMSに TDFL力 つ存在する場合、これら 4つの TDFL#1〜#4の位置力 TD DSに示されることになる。 TDDSに、各 TDFLの位置が示されるので、 1つの TDMS内 において、 TDFLを離散的に配置することができる。 [0033] TDFLを離散配置したいとの要請は、 TDMSを構成するクラスタに欠陥クラスタが存 在する場合に、特に生じる。
< TDFLの離散配置 >
図 8は、 TDFLの離散配置の一例を示す図である。本図における第 1段目は、 TDMS を構成する複数のクラスタ (クラスタ #1、クラスタ #2、クラスタ #3〜クラスタ #7)を示し、第 2 段目は、これらのクラスタに書き込まれた 4つの TDFL(TDFL#1、 TDFL#2、 TDFL#3、 TDFUW)と、 TDDSとを示す。
[0034] 図 8における TDMS 'は、クラスタ #1〜クラスタ #7からなり、その中のクラスタ #2は、欠 陥クラスタである。本図において TDFL#1〜TDFL#4は、その欠陥クラスタであるクラス タ #2に先行する先行領域であるクラスタ #1と、欠陥クラスタに後続する後続領域であ るクラスタ #3〜クラスタ #5とに分断した状態で書き込まれている。
図 8における TDDSは、欠陥クラスタに先行する領域における最後のクラスタ (クラス タ #1)のアドレス C1を、 TDFL#1の位置として示す TDFL#1位置情報 (TDFL#1:アドレス C1)と、欠陥クラスタに後続する領域 (クラスタ #3〜クラスタ #5)における最初のクラスタ（ クラスタ #3)のアドレス C3を、 TDFL#2の位置として示す TDFL#2位置情報 (TDFL#2:ァ ドレス C3)とを含む。この図 8における TDDSの特徴は、対応する TDFLにて示される欠 陥領域のアドレスが小さい順序に、複数の TDFL位置情報 (TDFL#1位置情報、 TDFL #2位置情報、 TDFL#3位置情報、 TDFL#4位置情報)が並べられており、 TDFL#1位 置情報、 TDFL#2位置情報が、 TDDS内部において隣り合つていることである。 TDDS 力 のように構成されているので、 TDDS内の位置情報に従い、 TDFLを読み出してゆ けば、上述した欠陥クラスタの存在に拘らず、 TDFL#1〜TDFL#4を予め定められた 順序で読み出し、これらをメモリ上〖こ並べることができる。
[0035] 以上のように本実施形態における TDDSは、 4つの TDFLの位置情報をもっており、 4 つの TDFLが書き込まれたクラスタの先頭位置を指し示すことができるので、 TDFL#1 と、 TDFL#2〜TDFL#4を離散的に配置しても構わない。そのため、本来 TDMSのクラ スタ #2以降に記録されるはずであった TDFL#2〜TDFL#4が、欠陥クラスタの隣接クラ スタである TDMSのクラスタ #3〜クラスタ #5に記録されて!、る。
[0036] TDFL#1〜TDFL#4が離散配置されたとしても、 TDDSは、 TDFL#1、 TDFL#2、 TDF L#3、 TDFL#4が書き込まれたクラスタの位置 (アドレス cl,c3,c4,c5)を示しているので、 再生時において、これら TDDSに示された位置に従って、 TDMS内のクラスタにァクセ スすれば、これらの TDFLを、連続した順序で、装置上のメモリに読み出すことができ る。
尚、本実施形態における TDMSは 2つ目のクラスタが欠陥クラスタであるとした力 こ れは簡単のためであり、必ずしも 2つ目に存在する必要は無ぐまた、欠陥の数もいく つであっても良!、ことは言うまでもな!/、。
[0037] 以上のように、第 1実施形態における光ディスク 1では、 TDDSに TDFL位置情報を 欠陥エントリの昇順に格納することとし、欠陥などにより記録できな力つた領域のみを 再記録可能とするので、有限な TDMAを効率的に使用できる。
< DFL位置情報と、 TDFL位置情報との対比 >
ここで DFLは、光ディスク 1上の複数の離散的な領域 (lstDMA〜4thDMA)に記録さ れており、 DFL位置情報は、欠陥エントリーに示される欠陥領域のアドレスが小さい 順に、光ディスク 1の予め決められた位置 (lstDMA〜4thDMAの先頭に位置する DDS )に配置される。
[0038] TDFLは、光ディスク 1上の複数の離散的な領域 (図 8に示したような欠陥クラスタの 前後の領域)に記録されており、複数の TDFL位置情報は、欠陥エントリーに示される 欠陥領域のアドレスが小さい順に、光ディスク 1の予め決められた位置 (TDMSの未記 録領域直前に位置する TDDS)に配置される。
これらを対比すると、欠陥エントリーの位置を示す位置情報を、ある決まった領域に 記録しておくという点で、 DFLの記録方式は、 TDFLの記録方式と共通性を有してい るといえる。こうした共通性があるので、再生装置は、 DFLを利用する場合も、 TDFLを 利用する場合も、共通の手順、即ち、光ディスク 1上の決められた領域 (lstDMA〜4th DMAの先頭にある DDS、 TDMSの未記録領域直前に位置する TDDS)から複数の位 置情報を読み出し、これら複数位置情報の順序に従い、欠陥エントリーを読み出すと の処理を行えば、欠陥エントリーが DFL、 TDFLの何れの場合でも、これを利用した処 理を実行することができる。
[0039] DFLを用いた制御手順と互換をとる形で、 TDFLを用いた制御手順を実現できるの で、再生装置における制御ソフトウェアの複雑ィ匕を招くことなぐ TDFLを利用できるよ うな制御手順を再生装置に実装することができる。このように、本実施形態における T DFL位置情報は、 DFLを用いた処理との互換を実現し、再生装置における制御ソフト ウェアを簡略することができるという優れた効果を奏することができる。
[0040] 以上で本発明に係る光ディスクの実施行為にっ ヽての説明を終える。
<記録読出装置 100 >
続 、て、本発明に係る記録装置及び読出装置の実施行為につ 、ての説明を始め る。図 9における記録読出装置 100は、本発明に係る記録装置の機能と、読出装置 の機能とを兼備した装置であり、以降、この記録再生装置 100について説明を行う。
[0041] 図 9において記録読出装置 100は、 I/Oバスを介して上位制御装置 200と接続され ている。この上位制御装置 200は、典型的にはホストコンピュータであり、この上位制 御装置 200が発する、コマンドに従い光ディスク 1に対する読み出しや、データ書き 込みを実行する。この書き込みにあたって、フアイナライズがなされる時までは、 DMA を空欄にしておき、記録動作中に発見された欠陥クラスタについての情報を、 TDMS に書き込むとの動作を行う。
[0042] この図 9において記録読出装置 100は、ドライブ機構 11、命令処理部 12、欠陥管 理情報処理部 13、再生制御部 14、記録制御部 15、格納バッファ 16から構成される ドライブ機構 11は、光ディスク 1のローデイング Zイジェクトを行い、光ディスク 1の記 録内容を光学的に読み出し、また光ディスク 1に、光学的にデータを書き込む。
[0043] 命令処理部 12は、上位制御装置 200が発したコマンドに応じて、光ディスク 1から のユーザデータの読み出しを行い、又は、光ディスク 1に対するユーザデータの書き 込みを実行する。
欠陥管理情報処理部 13は、欠陥エントリーを用いた、光ディスク 1に対するアクセス を実現すると共に、 TDMSの更新を実現する。
[0044] "欠陥エントリーを用いた光ディスクアクセス"とは、上位制御装置 200からのコマン ドの読出先又は書込先が、どれかの欠陥エントリーに示される欠陥クラスタであるなら 、代替クラスタにアクセスするという処理である。また、この光ディスクアクセスにあたつ て、命令処理部 12による、ユーザデータ領域のアクセス中に欠陥領域が新たに発見 された場合、その欠陥領域に対する欠陥エントリーを新たに生成する。
[0045] "TDMSの更新"とは、記録処理にぉ 、て、新たに発見された欠陥領域を示す欠陥 エントリーを、最新の TDMSに記録されている TDFLに追カ卩し、そうして欠陥エントリー が追加された TDFLを、当該 TDMSの次の TDMSに書き込むことを!、う。
再生制御部 14は、命令処理部 12及び欠陥管理情報処理部 13からの指示に従つ て、光ディスク 1上の所望のクラスタ力もデータを読み出すよう、ドライブ機構 11を制 御する。
[0046] 記録制御部 15は、命令処理部 12及び欠陥管理情報処理部 13からの指示に従つ て、光ディスク 1上の所望のクラスタに、データを書き込むよう、ドライブ機構 11を制御 する。
格納バッファ 16は、 DMAからの読み取り情報 (DMA情報という)、 TDMSからの読み 取り情報 (TDMS情報)をー且格納しておくためのバッファである。
[0047] 以上が、記録読出装置 100の内部構成である。
<欠陥管理情報処理部 13の内部構成 >
続いて、欠陥管理情報処理部 13の内部構成についてより詳しく説明する。図 10は 、欠陥管理情報処理部 13の内部構成を示す図である。本図において欠陥管理情報 処理部 13は、 DMA情報読出部 21、 TDMS情報読出部 22、制御メモリ 23、欠陥ェン トリー追加部 24、 TDFL変換部 25、 TDMS情報書込部 26、ベリファイ部 27、位置情報 生成部 28、 DMA情報書込部 29から構成される。
[0048] < DMA情報読出部 21 >
DMA情報読出部 21は、 1 stDMA〜4thDMAの中で正常な欠陥管理領域を判断し、 その欠陥管理領域に記録された内容を制御メモリ 23に読み出す。ここで DMA情報 読出部 21は、 lstDMA〜4thDMAが正常に再生できることでフアイナライズ後と判断し 、 lstDMA〜4thDMAが未記録のために正常な読み出しができな 、ことでフアイナライ ズ前と判断する。
[0049] < TDMS情報読出部 22 >
TDMS情報読出部 22は、ローデイングされた光ディスク 1が未フアイナライズのもの である場合、記録済み終端クラスタを探索し、最新の TDMS(TDMS ' -1)をサーチする 。そして記録済みの終端クラスタ力も TDDSを取り出して、 TDFLの数 nと、各 TDFLの 位置とを取得する。各 TDFLの位置を取得すれば、最新の TDMSから TDFLを制御メ モリ 23に読み出し、これを DFLを構成する複数の欠陥エントリ一として保持する。この 複数の欠陥エントリ一は、読出処理に用いられる。
<制御メモリ 23 >
制御メモリ 23は、欠陥エントリ一等を作業用に格納しておくためのメモリである。 く欠陥エントリー追加部 24 >
欠陥エントリー追加部 24は、 j回目の記録処理において、ユーザデータ領域 6中の 欠陥領域が発見された場合、その欠陥領域を示す欠陥エントリーを、制御メモリ 23に 読み出された複数の欠陥エントリーに付け加える。具体的には、例えばユーザデー タ領域 6において、新規に 1つの欠陥クラスタが検出された場合、欠陥エントリー追カロ 部 24は、制御メモリ 23における複数の欠陥エントリーに対して、新規欠陥クラスタに 相当する欠陥エントリを追加する。さらに欠陥エントリに含まれる欠陥クラスタの位置 情報に従い欠陥エントリのソーティングを行い、さらに欠陥エントリ数を "1 "増カロさせる く TDFL変換部 25 >
TDFL変換部 25は、今回の記録処理において、発見された欠陥領域を示す欠陥ェ ントリーと、前回までの記録処理において、発見された欠陥領域を示す欠陥エントリ 一とを、それに示される欠陥領域のアドレス力 小さい順序に並べ、そうして並べられ た複数の欠陥エントリーを" TDFじ'に変換する。これにより、 TDMSの更新を実現する 。この変換にあたって、制御メモリ 23中に存在する複数欠陥エントリーの総サイズを 算出し、この総サイズを固定サイズである TDDSのサイズと足し合わせたサイズカ^つ のクラスタサイズを越えるかどうかを判定する。そして、足し合わせたサイズがクラスタ サイズ以下である場合には、複数の欠陥エントリーを 1つの TDFLに変換する。 TDMS 力 Siつのクラスタから構成されるとき、 TDFL#1のサイズと、固定サイズの TDDSのサイ ズとを足し合わせて、 1クラスタにせねばならない。ここで TDDSのサイズは、 1セクタで あるので、 TDFLのサイズは最大 31セクタサイズとなる。一方、足し合わせたサイズが 、クラスタサイズを越える場合には、複数の欠陥エントリーを複数の TDFLに変換する
[0051] <TDMS情報書込部 26 >
TDMS情報書込部 26は、 TDFL変換部 25の変換により得られた TDFLを、それに示 される欠陥領域のアドレス力 小さい順に、最新の TDMS(TDMSも')に書き込んでゆく 。また、 TDFLの書き込み後、 TDDSも TDMS 'に書き込む。図 11は、 TDMS情報読出 部 22による TDMS情報の読み出しと、 TDMS情報書込部 26による TDMS情報の書き 込み処理とを示す図である。図 11 (a)は、この処理の前提となる状況を示している。 この状況とは、 N個の TDMSのうち、 TDFL#1から TDMS ·- 1までに TDFL、 TDDS力 S書 き込まれており、最新の TDMS '-1のみが有効になっているというものである。この場 合、 TDMS情報読出部 22は j回目の記録時において、 TDMS '-1に記録されている T DFL#1〜TDFL#3、 TDDSを読み出す (図 11 (b))。 j回目の記録処理時に発見された 欠陥領域を示す TDFL#4を、この TDMSに存在する TDFL#1〜TDFL#3に加えて (図 1 1 (c))、 TDMS情報書込部 26は、 TDFL#1〜TDFL#4、 TDDSを TDMS 'に書き込む（ 図 l l (d))。これにより TDMS 'には、 1回目から j回目の記録時までに発見された全て の欠陥領域を示す欠陥リストが書き込まれることになる。
[0052] <ベリファイ部 27 >
ベリファイ部 27は、 TDMS情報読出部 22に内蔵されている構成要素であり、 TDMS 情報書込部 26により書き込まれた TDFLに対してべリファイを行う。本明細書におい て、 "ベリファイ"とは、クラスタに対する記録時に、この記録が正常に行われたかどう かを確かめる動作をいう。このべリファイには、記録したデータに対して、エラー訂正 を行うことで判断する方法や、記録されたデータを読み出して、そのデータが記録さ れたデータと一致しているかを確かめることで実現される。欠陥等により正常に記録 できな力つたと判断した場合、 TDMS情報書込部 26は、 TDFLの書き込みをリトライす ることになる。
[0053] <位置情報生成部 28 >
位置情報生成部 28は、 TDMS情報書込部 26が TDFLを TDMS 'に書き込もうとする 際、 TDFLの書込先を示す TDFL位置情報を、制御メモリ 23上の TDDS内に生成する 。こうした生成は、 TDFLの最初の書き込み時だけではなぐ TDFL書き込みのリトライ 時にもなされる。以上のようにして、制御メモリ 23上の TDDS内に、 TDFL位置情報が 複数生成されれば、このうち TDFLが正常に記録された TDFL位置情報のみを取り出 して、これらの TDFL位置情報を、対応する TDFLにて示される欠陥領域のアドレスが 、小さい順序に並べ替える。たとえ TDFLの書き込み時にリトライがなされ、正常な TD FLがバラバラの順序で、 TDMS#j上に配列されたとしても、正常な TDFL位置情報の 取り出しと、並べ替えとにより、 TDFL位置情報は、対応する TDFLが正常に書き込ま れたものだけ、対応する TDFLにて示される欠陥領域のアドレス力 小さい順序に並 ベられること〖こなる。
[0054] 正常な TDFLがバラバラの順序で、 TDMS#j上に配列されたとしても、これらに対応 する TDFL位置情報力 予め定められた順序で、読み出されるよう、 TDFL位置情報 を並べ替えておくの力 位置情報生成部 28の使命である。こうして生成された TDDS は、 TDMS情報書込部 26が最後の TDFLを書き込む際、その最後の TDFLと共に、 T DMSに書き込まれることになる。
[0055] < DMA情報書込部 29 >
DMA情報書込部 29は、フアイナライズの際に 1 stDMA〜4thDMAへの記録処理を 行う。図 12は、 DMA情報書込部 29による書き込み処理を示す図である。図 12 (a)は 、この処理の前提となる状況を示している。この状況とは、 N個の TDMSのうち、 TDMS 'に TDFL#1〜TDFL#4、 TDDSが書き込まれており、最新の TDMS 'のみが有効にな つているというものである。この TDMS 'の記録内容力 DMA情報読出部 21により制 御メモリ 23に読み出され (図 12 (b) )、 DMA情報書込部 29により TDMS#jの記録内容 たる TDFL#1〜TDFL#4に存在する欠陥エントリ一力 DFLに変換されて、 IstDMAに 書き込まれる（図 12 (c) )。同様に、 2ndDMA,3rdDMA,4thDMAにも、 TDFL#1〜TDF L#4を変換することで得られた DFLが書き込まれることになる。
[0056] 以上が欠陥管理情報処理部 13の内部構成である。続いて、ソフトウェアによる欠陥 管理情報処理部 13の実装について説明する。欠陥管理情報処理部 13は、図 13か ら図 15に示すフローチャートに基づき、プログラムを生成して、これを CPUに実行さ せることにより、記録読出装置 100内に実装することができる。 図 13は、 DFLの読み出し処理の手順を示すフローチャートである。
[0057] ステップ S1は、光ディスク 1がローデイングされたか否かの処理待ちであり、もし光 ディスク 1がローデイングされれば、ステップ S2において、 DMA情報読出部 21は、こ の光ディスク 1がフアイナライズ後のものかどうかを判定する。もしフアイナライズ後のも のであれば、読出専用ディスクと同様の処理を行う。
光ディスク 1が未フアイナライズのものなら、 TDMS情報読出部 22は、複数の TDMS 力も記録済みの終端クラスタを探索して、最新の TDMS#jをサーチする (ステップ S3)。 そして記録済みの終端クラスタ力も TDDSを取り出して、 TDFLの数 nと、各 TDFLの位 置とを取得する (ステップ S 5)。各 TDFLの位置を取得すれば、ステップ S6〜ステップ S 9からなるループ処理を実行する。このループ処理は、変数 kを初期化し (ステップ S 6)、 TDDSにおける複数の TDFL位置情報のうち、 TDFL#k位置情報のものに基づき、 TDMSから TDFL#kを読み出すと!、う処理 (ステップ S 7)を繰り返すと!、うものである。 本フローチャートは、変数 kを制御変数にしている。変数 kは、ステップ S7〜ステップ S 9からなるループ処理が一巡する度にインクリメントされ (ステップ S9)、この変数 kが、 n になることがループ処理の終了条件である (ステップ S8)。
[0058] 以上のようにして、 TDFLを読み出せば、 TDFLを構成する欠陥エントリーを、 DFLを 構成する欠陥エントリ一として制御メモリ 23上に保持させた上で (ステップ S10)、上位 制御装置 200からのコマンドに応じた光ディスク 1の読み出し Z書き込み処理を実行 する (ステップ S 30)。
図 14は、上位制御装置 200からのコマンドに応じた読み出し Z書き込み処理の処 理手順を示すフローチャートである。
[0059] 図 14におけるステップ Sl l、ステップ S12は、コマンド待ちループを形成している。
ステップ S 11は、上位制御装置 200からのコマンドが読出コマンドであるか否かの判 定を行うステップであり、ステップ S 12は、命令処理部 12が上位制御装置 200からの コマンドが書込コマンドであるか否かの判定を行うステップである。
上位制御装置 200からのコマンドが読出コマンドであれば、ステップ S 13〜ステップ S15の処理を実行する。ステップ S13は、命令処理部 12がコマンドの読出先力 DF Lのどれかの欠陥エントリーに示される欠陥クラスタであるか否かを判定するステップ であり、欠陥クラスタでないなら、その読出先クラスタ力もユーザデータを読み出す (ス テツプ S 14)。欠陥クラスタであるなら、欠陥管理情報処理部 13がその欠陥クラスタの 代替クラスタ力もユーザデータを読み出した上で (ステップ S15)、ステップ SI 1〜ステ ップ S 12のループ処理に戻る。
[0060] 上位制御装置 200からのコマンドが書込コマンドであれば、書込先クラスタにユー ザデータを書き込む (ステップ S 18)。その後、ステップ S19〜ステップ S23からなるル ープ処理に移行する。
このループ処理は、書き込まれたユーザデータのベリファイを行 、(ステップ S 19)、 ベリファイの結果、欠陥クラスタが発見されれば (ステップ S20で Yes)、欠陥管理情報 処理部 13が欠陥クラスタに代替クラスタを割り当てて (ステップ S21)、欠陥クラスタと、 代替クラスタとを対応づけてけ示す欠陥エントリーを生成して力も (ステップ S22)、代 替クラスタへの書き込みをリトライする (ステップ S23)という処理を、ステップ S20が No と判定されるまで繰り返すものである。
[0061] 書き込まれたユーザデータのベリファイの結果、欠陥クラスタが発見されなければ、 ステップ S24〜ステップ S26の処理を実行する。この処理は、欠陥エントリーが新た に生成されたかどうかを判定して (ステップ S24)、もし欠陥エントリーが新たに生成さ れていれば、 DFLを更新して、新たな欠陥エントリーを追加するとの処理を行い (ステ ップ S25)、そうして得られた更新後の DFLを、 TDFLに変換して、最新の TDMSに書き 込み (ステップ S26)、ステップ S11〜ステップ S12のループ処理に戻るというものであ る。
[0062] 図 15は、 TDMSへの書き込み処理の処理手順を示すフローチャートである。
ステップ S31において、 TDFL変換部 25は、 DFLを構成する複数の欠陥エントリー を、 1つ以上の TDFLに変換する変換手順を実現する。ステップ S32は、制御メモリ 23 にある TDMAの記録済み終端クラスタを 1つ先の位置へ進め、未記録領域の先頭位 置を算出して、この先頭位置をカレントクラスタとする処理である。このカレントクラスタ が記録を開始する位置となる。
[0063] 以降、ステップ S33〜ステップ S40からなるループ処理を実行する。
このループ処理は、制御メモリ 23における未記録 TDFLを昇順に取り出し、取り出し た TDFLを TDFLiとして、 TDMS情報書込部 26がカレントクラスタに書き込み (ステップ S33)、カレントクラスタを次に進めて (ステップ S34)、変数 iをインクリメントするといぅ処 理 (ステップ S35)を、 TDFUが最後の 1つ前の TDFL(TDFLn- 1)になるまで繰り返す (ス テツプ S36で Yes)ものである。
[0064] このループ処理では、 1つの TDFLが書き込まれる度に、ベリファイ部 27は、その書 き込みに対してべリファイを行う (ステップ S37)。このべリファイの結果、 TDFLが書き 込まれたクラスタが欠陥クラスタであることが判明した場合、変数 iのインクリメントを行 わず、代わりにリトライフラグを ONにする (ステップ S38)。ステップ S33に先立つステツ プ S39は、このリトライフラグが ON力 DFFかの判定であり、もしリトライフラグが ONなら 、 TDMS情報書込部 26は、記録に失敗した TDFLiを、カレントクラスタに書き込む (ス テツプ S40)。
[0065] 以上の繰り返しにて、 TDFL#1から TDFL#3(最後の 1つ前の TDFL)力TDMSに書き 込まれれば、ステップ S41〜ステップ S45の処理を実行する。
ステップ S41〜ステップ S45は、最後の TDFLと、 TDDSとを TDMSに書き込む処理 を形成する。ステップ S41は、位置情報生成部 28が既に書き込まれた TDFLの位置 を示すと共に、最後の TDFLが書き込まれるべき位置を示す TDFL位置情報を TDDS 内に生成してから (ステップ S41)、ステップ S42〜ステップ S45のループ処理を実行 するというものである。
[0066] このループ処理は、 TDMS情報書込部 26が生成した TDDSと、最後の TDFLとを力 レントクラスタに書き込み (ステップ S42)、ベリファイ部 27は書き込まれたクラスタのべ リファイを行って (ステップ S43)、書き込まれたクラスタが欠陥クラスタでなければ、処 理を終了し、書き込まれたクラスタが欠陥クラスタであれば、カレントクラスタを次のク ラスタにして (ステップ S44)、位置情報生成部 28が TDDSにおける最後の TDFLの位 置を書き換えた TDDSを新たに生成し (ステップ S45)、再度、ステップ S42、ステップ S 43を実行するというものである。
[0067] ステップ S45における位置情報生成部 28による TDFL位置情報の書き換えは、最 後の TDFLについての TDFL位置情報を、カレントクラスタにすることでなされる。 図 16は、第 1実施形態に係る記録読出装置 100により、 TDFLが書き込まれる過程 を示した図である。本図における第 1段目は、 TDMSを構成する複数のクラスタを示し 、第 2段目〜第 6段目は、これらのクラスタに書き込まれた 4つの TDFL(TDFL#1、 TDF L#2、 TDFL#3、 TDFL#4)と、 TDDSと力 なる。第 1段目において、クラスタ #2は、欠陥 クラスタであるとする。
[0068] 第 2段目は、この TDMSを構成する各クラスタのうち、クラスタ #1に TDFL#1が書き込 まれた状態を示す。第 3段目は、クラスタ #2に TDFL#2が書き込まれた状態を示すが、 上述の通りクラスタ #2は欠陥クラスタであるので、 TDFL#2の記録リトライがなされる。 第 4段目は、記録リトライにより、クラスタ #2の隣のクラスタ (クラスタ #3)に対して、書き込 まれた TDFL#2を示す。第 5段目は、クラスタ #4に TDFL#3が書き込まれた時点を示し 、第 6段目は、最後の TDFL(TDFL#4)と、 TDDSとが書き込まれた時点を示す。
[0069] 以上の第 2段目〜第 6段目において、欠陥エントリーを挟んで TDFL#1と、 TDFL#2 〜TDFL#4とが離散的に配置される力 最後の TDFLと共に書き込まれた TDDSは、 T DFL#1、 TDFL#2、 TDFL#3、 TDFL#4が書き込まれたクラスタの位置 (アドレス cl,c3,c4 ,c5)を示す。再生時において、これら TDDSに示された位置に従って、 TDMS内のクラ スタをアクセスすれば、これらの TDFLを、連続した順序で、記録読出装置 100のメモ リに読み出すことができる。
[0070] 以上のように本実施形態によれば、 TDFLの読み出し順序力 TDFLに対応する位 置情報にて表現されているので、予備の領域内に欠陥クラスタが存在したとしても、 複数の TDFLを連続的に配置しておく必要はない。欠陥クラスタを挟んだ離散的な連 続領域に、この複数の TDFLを配置するという、 TDFLのランダムな配置が可能になる
TDMS内に欠陥クラスタが存在する場合に、ランダムな配置が許容されるので、複 数の TDFLを、クラスタ列に書き込む場合において、 1つのクラスタが欠陥であった場 合、リトライの対象となる TDFLは、全部ではなぐ欠陥クラスタに書き込まれた TDFL になる。リトライ時に書き込むべき TDFLが少なくなるので、 TDMSの消耗を抑えること ができる。
(第 2実施形態）
第 2実施形態は、 TDMSの書き込みの高速化を図るための、 TDMSにおける TDFL の配置を提案する。
[0071] 図 17は、第 2実施形態に係る TDFLの離散配置の一例を示す図である。本図にお ける第 1段目は、 TDMSを構成する複数のクラスタを示し、第 2段目は、これらのクラス タに書き込まれた TDFL(TDFL#1、 TDFL#2、 TDFL#3、 TDFL#4)と、 TDDSとからなる この第 2段目にお!/ヽて、 TDFL及び TDDSiま、 TDFL#1、 TDFL#3、 TDFL#4, TDDS, TDFL#2、 TDFL#4、 TDDSの順序で並んでいる。 TDDS及び TDFL#4は 2つずつ存在 するが、このうち後に記録されたものが有効であり、先に記録されたものは無効として 扱われる。何故なら TDDSは、未記録領域の直前にあるもののみ力 有効になるから である。
[0072] 図 17における TDMS 'には、 TDFL#1〜TDFL#4が、
0最初の書き込みで、書き込みに成功した TDFL(TDFL#1、 TDFL#3、 ), ii)書き込みのリトライで、書き込みに成功した TDFL(TDFL#2)、
iii)最後の TDFL(TDFL#4)
の順に並べられて 、ることがわかる。
[0073] そして TDDSにおいて複数の TDFL位置情報は、対応する TDFLにて示される欠陥 領域のアドレスが、小さい順序に並べられている。
本図においても、クラスタ #2は欠陥クラスタであり、この欠陥クラスタに書き込まれた TDFL#2は、本来 TDFL#1の後に配置すべきである力 この配置順序に拘らず、記録 リトライにより、 TDFL#4及び TDDSが書き込まれたクラスタの 1つ前のクラスタに書き込 まれている。 TDFL#4が重複して配置され、 TDFL#2が順不同に配置されたとしても、 TDDSは、 TDFL#1、 TDFL#2、 TDFL#3、 TDFL#4が書き込まれたクラスタの位置 (アド レス cl,c5,c3,c6)を、 TDFL#1〜TDFL#4の順に示しているので、再生時において、こ れら TDDSに示された位置に従って、 TDMS内のクラスタをアクセスすれば、これらの T DFL#1〜#4を、連続した順序で、記録読出装置 100のメモリに読み出すことができる 。このように、 TDFLの離散的な配置を許容するだけではなぐ重複配置をも許容する のが、第 2実施形態における光ディスクの改良である。
[0074] 以上が本実施形態に係る光ディスクについての改良である。続いて本実施形態に 係る記録読出装置 100について説明する。本実施形態に係る記録読出装置 100の 改良点は、 TDMS情報書込部 26、ベリファイ部 27、位置情報生成部 28にある。
第 2実施形態に係る TDMS情報書込部 26は、 TDMAにおける最新の TDMSに、全 ての TDFLと、 TDDSとを、一度に書き込む。もし、 TDFLが書き込まれたクラスタが欠 陥クラスタであるなら、欠陥クラスタに書き込まれた TDFL、最後の TDFL、 TDDSの書 き込みをリトライする。
[0075] 第 2実施形態に係るベリファイ部 27は、 TDMS情報書込部 26が TDFL、 TDDSの書 き込みを行った際 (リトライ時の書き込みを含む)、書き込まれた TDFLに対してベリファ ィを行 、、書き込まれた TDFLが正し 、かどうかを判定する。
第 2実施形態に係る位置情報生成部 28は、 TDMS情報書込部 26が TDFLの書き込 みを行おうとする際 (リトライ時の書き込みを含む)、 TDDSに格納されるべき TDFL位置 情報を生成する。
[0076] これら TDMS情報書込部 26、ベリファイ部 27、位置情報生成部 28についての改良 は、図 18のフローチャートに表されている。
図 18は、第 2実施形態に係る TDMSへの書き込み処理を示すフローチャートである 。図 15の同様の処理 (ステップ S31、ステップ S32)を行った後、ステップ S51〜ステツ プ S52の処理を実行する。
[0077] ステップ S51〜ステップ S52は、複数の TDFL力 カレントクラスタ以降の 4つのクラ スタに書き込まれると予測して、位置情報生成部 28が予測した位置を示す TDFL位 置情報を TDDS内に生成した上で (ステップ S51)、 TDFL#1〜TDFL#4と、 TDDSとを力 レントクラスタ以降に書き込む (ステップ S52)との、全書き込み処理を実行するもので ある。ここで、 TDFLの記録を 1クラスタずつではなく複数クラスタを連続記録すること により、記録開始位置を探査することによる待ち時間を減少することができ、 TDMSの 更新に要する時間を短縮することが可能となる。
[0078] ステップ S51における位置情報生成部 28による TDFL位置情報の生成は、 4つの T DFL力 カレントクラスタ以降に配列されるとして、 TDDSにおける TDFL位置情報を生 成することでなされる。ここで書き込みの対象となる 1つ以上の TDFLが、 k個存在する とすると、リトライ対象となる k個の TDFLのうち、 i番目の TDFL(i≤k)の TDFL位置情報 を、
i番目の TDFL ( k)の TDFL位置情報 カレントクラスタ + G-1) Xクラスタ とする。
ステップ S53は、こうした全書き込みの結果に対するベリファイ部 27によるべリファイ であり、書き込み内容が正常であるなら (ステップ S53で成功)、本フローチャートの処 理を終了する。
[0079] 欠陥クラスタが存在するなら (ステップ S53で失敗)、既に書き込まれた TDFLの位置 、書き込みに失敗した TDFLが書き込まれるべき位置、最後の TDFLが書き込まれる べき位置を示す情報を、位置情報生成部 28が TDDS内に生成した後 (ステップ S54) 、ステップ S55〜ステップ S58からなるループ処理に移行する。
このステップ S55〜ステップ S58からなるループ処理は、 TDMS情報書込部 26がリ トライを実行するものである。図 17の例でいうと、リトライの対象は、書き込みに失敗し た TDFL#2だけではなぐ新たな TDFL#2の位置を示す新規 TDDSと、この TDDSと同 一クラスタに書き込まれるべき TDFL#4である。
[0080] ステップ S55〜ステップ S58は、 TDMS情報書込部 26が書き込みに失敗した TDFL と、最後の TDFLと、 TDDSとをカレントクラスタ以降に書き込み (ステップ S55)、ベリフ アイ部 27が書き込まれたクラスタのベリファイを行って (ステップ S56)、書き込まれたク ラスタが欠陥クラスタでなければ、処理を終了し、書き込まれたクラスタが欠陥クラスタ であれば、カレントクラスタを次のクラスタにして (ステップ S57)、位置情報生成部 28 が書き込みに失敗した TDFLの位置と、 TDDSにおける最後の TDFLの位置とを書き 換えた TDDSを新たに生成し (ステップ S58)、再度、ステップ S55、ステップ S56を実 行するというものである。
[0081] ステップ S54 S58〖こおける、位置情報生成部 28による TDFL位置情報の生成及 び書き換えは、以下のようにしてなされる。 TDFLのリトライを行う場合、 TDMSには、リ トライの対象となる 1つ以上の TDFL(1)、最後の TDFL(2)の順に並ぶので、リトライの対 象となる 1つ以上の TDFLが、カレントクラスタ以降に配列されるとして、 TDDSにおける TDFL位置情報を書き換える。ここでリトライの対象となる 1つ以上の TDFLが、 k個存 在するとすると、リトライ対象となる k個の TDFLのうち、 i番目の TDFL(i≤k)の TDFL位 置情報を、
i番目の TDFL ( k)の TDFL位置情報 カレントクラスタ + G- 1) Xクラスタ
とする。
また、最後の TDFLの TDFL位置情報を、
最後の TDFLの TDFL位置情報 カレントクラスタ + (k- 1) Xクラスタ
とすることでなされる。
図 19は、第 2実施形態に係る記録読出装置 100により、 TDFLが書き込まれる過程 を示した図である。本図における第 1段目は、 TDMS#jを構成する複数のクラスタを示 し、第 2段目〜第 3段目は、これらのクラスタに書き込まれた 4つの TDFL(TDFL#1 TD FL#2 TDFL#3 TDFL#4)と、 TDDSとが書き込まれる過程を示す。第 1段目において 、クラスタ #2は、欠陥クラスタであるとする。第 2段目は、 TDFL#1 TDFL#4と、 TDDS とをクラスタ #1力 クラスタ #4に書き込んだ状態を示す。この TDDSは、 TDFL#1 TDF L#2、 TDFL#3 TDFL#4が書き込まれたクラスタの位置 (アドレス cl,c2,c3,c4)を示して いる。上述したように、クラスタ #2は欠陥クラスタであるので、リトライが必要になる。こ こでのリトライは、書き込みに失敗した TDFL#2だけではなぐ新たな TDFL#2の位置 を示す新規 TDDSと、この TDDSと同一クラスタに書き込まれるべき TDFL#4も対象に なる。第 3段目は、リトライにより、クラスタ #5以降に、 TDFL#2 TDFL#4 TDDS力 S書き 込まれた時点を示す。最後の TDFLと共に書き込まれた TDDSは、 TDFL#1 TDFL#2 TDFL#3 TDFL#4が書き込まれたクラスタの位置 (アドレス cl,c5,c3,c6)を示す。再 生時において、これら TDDSに示された位置に従って、 TDMS内のクラスタをアクセス すれば、これらの TDFLを、連続した順序で、記録読出装置 100のメモリに読み出す ことができる。
以上のように本実施形態によれば、欠陥などにより記録できな力つた TDFLと、最後 の TDFLと、 TDDSとの書き込みをリトライするので、 TDMS更新に要する時間を短縮し 、使い勝手を向上することが可能となる。また、 TDMSを更新している途中における電 源 OFFなどによる急な更新の停止による失敗の発生リスクを低減させることができる。 さらに、 TDMAに傷などによる欠陥がある場合、径方向に並んでいる複数クラスタが 欠陥であることが多い。光ディスク 1の内周部では 1周がほぼ 2クラスタ分であるため、 TDMSが 4つのクラスタから構成されているとすると、リトライ時において、 TDMSに書き 込むべき内容が、常に同じであるなら、 TDMSの更新の失敗を繰り返す可能性がある 。しかし、第 2実施形態の手順では、径方向に欠陥クラスタが並んでいる場合、欠陥 クラスタに当たる TDFLが毎回変わるので、リトライに成功する確率を高めることができ る。
[0083] (第 3実施形態）
第 3実施形態は、第 2実施形態程ではないが、第 1実施形態と、第 2実施形態との 中間レベルの書き込み速度を実現する改良に関する。
図 20は、第 3実施形態に係る TDFLの離散配置の一例を示す図である。本図にお ける第 1段目は、 TDMSを構成する複数のクラスタを示し、第 2段目は、これらのクラス タに書き込まれた TDFL(TDFL#1、 TDFL#2、 TDFL#3、 TDFL#4)と、 TDDSとからなる
[0084] この第 2段目において、 TDFL及び TDDSは、 TDFL#1、 TDFL#3、 TDFL#2、 TDFL#4 、 TDDSの順序で並んでいる。本図においても、クラスタ #2は欠陥クラスタであり、この 欠陥クラスタに書き込まれた TDFL#2は、最後の TDFLである TDFL#4の前に配置され ている。リトライにより書き込まれた TDFLは、最後の TDFLたる TDFL#4の 1つ前のクラ スタに書き込まれていることがわかる。 TDFL#2が順不同に配置されたとしても、 TDDS は、 TDFL#1、 TDFL#2、 TDFL#3、 TDFL#4が書き込まれたクラスタの位置 (アドレス cl, c4,c3,c5)を、 TDFL#1〜TDFL#4の順に示しているので、再生時において、これら TD DSに示された位置に従って、 TDMS内のクラスタをアクセスすれば、これらの TDFLを 、連続した順序で、記録読出装置 100のメモリに読み出すことができる。このように、 T DFLの離散的な配列を許容するのが、第 3実施形態における光ディスクの改良であ る。
[0085] 以上の様に、第 3実施形態における光ディスク 1では、 TDDSに TDFL位置情報を欠 陥エントリの昇順に位置し、欠陥などにより記録できな力つた TDFLの先頭位置情報 のみを、この後に並べるので、有限な TDMSのサイズを効率的に利用できる。
以上が本実施形態に係る光ディスクについての改良である。続いて本実施形態に 係る記録読出装置 100について説明する。本実施形態に係る記録読出装置 100の 改良点は、 TDMS情報書込部 26、ベリファイ部 27、位置情報生成部 28にある。
[0086] 第 3実施形態に係る TDMS情報書込部 26は、 TDMAにおける最新の TDMSに、最 後の TDFLを除く全ての TDFLを、一度に書き込む。もし、 TDFLが書き込まれたクラス タが欠陥クラスタであるなら、欠陥クラスタに書き込まれた TDFLの書き込みをリトライ し、その後に最後の TDFLと、 TDDSとを TDMSに書き込む。
第 3実施形態に係るベリファイ部 27は、 TDMS情報書込部 26が TDFL、 TDDSの書 き込みを行った際 (リトライ時の書き込みを含む)、書き込まれた TDFLに対してベリファ ィを行 、、書き込まれた TDFLが正し 、かどうかを判定する。
[0087] 第 3実施形態に係る位置情報生成部 28は、 TDMS情報書込部 26が TDFLの書き込 みを行おうとする際 (リトライ時の書き込みを含む)、 TDDSに格納されるべき TDFL位置 情報を生成する。
これら TDMS情報書込部 26、ベリファイ部 27、位置情報生成部 28についての改良 は、図 21のフローチャートに表されている。以降、図 21を参照しながら、第 3実施形 態に係る TDMS情報書込部 26、ベリファイ部 27、位置情報生成部 28の処理につい て説明する。
[0088] 図 21は、第 3実施形態に係る TDMSへの書き込み処理を示すフローチャートである 。図 15の同様の処理 (ステップ S31、ステップ S32)を行った後、ステップ S63〜ステツ プ S64の処理を実行する。
ステップ S63〜ステップ S64は、複数の TDFL力 カレントクラスタ以降の 4つのクラ スタに書き込まれると予測して、位置情報生成部 28が予測した位置を示す TDFL位 置情報を TDDS内に生成した上で (ステップ S63)、TDFL#1から TDFLn- 1までをカレン トクラスタ以降に書き込む (ステップ S64)との処理を実行するものである。
[0089] ステップ S65は、こうした全書き込みの結果に対するベリファイ部 27によるべリファイ であり、書き込み内容が正常であるなら (ステップ S65で成功)、ステップ S66〜ステツ プ S70の処理をスキップする。
ステップ S66〜ステップ S70は、欠陥クラスタが存在する場合の処理であり、書き込 みに成功した TDFLの位置を示すと共に、書き込みに失敗した TDFLが書き込まれる べき位置を示す情報を、位置情報生成部 28が TDDS内に生成した後 (ステップ S66) 、ステップ S67〜ステップ S70からなるループ処理に移行する。
[0090] ステップ S67〜ステップ S70は、 TDMS情報書込部 26が書き込みに失敗した TDFL をカレントクラスタ以降に書き込み (ステップ S67)、カレントクラスタを次のクラスタに移 行した後 (ステップ S68)、書き込まれたクラスタのベリファイをべリファイ部 27が行って ( ステップ S69)、書き込まれたクラスタが欠陥クラスタでなければ、このループ処理を抜 けてステップ S 71に移行し、書き込まれたクラスタが欠陥クラスタであれば、 TDDSに おける書き込みに失敗した TDFLの位置情報を位置情報生成部 28が書き換えた上 で (ステップ S70)、再度、ステップ S67に移行するというものである。
[0091] ステップ S70における位置情報生成部 28による TDFL位置情報の書き換えは、以 下のようにしてなされる。 TDFLのリトライを行う場合、 TDMS〖こは、リトライの対象となる 1つ以上の TDFLが、カレントクラスタ以降に配列されるとして、 TDDSにおける TDFL 位置情報を書き換える。ここでリトライの対象となる 1つ以上の TDFLが、 k個存在する とすると、リトライ対象となる k個の TDFLのうち、 i番目の TDFL(i≤k)の TDFL位置情報 を、
i番目の TDFL(i≤k)の TDFL位置情報 カレントクラスタ + G- 1) Xクラスタ
とする。
ステップ S71〜ステップ S75は、既に書き込まれた TDFLの位置を示すと共に、最 後の TDFLが書き込まれるべき位置を示す情報を TDDS内に生成して力も (ステップ S 71)、ステップ S72〜ステップ S75のループ処理を実行するとい
うものである。
[0092] このループ処理は、生成した TDDSと、最後の TDFLとを TDMS情報書込部 26が力 レントクラスタに書き込み (ステップ S72)、書き込まれたクラスタのベリファイを行って（ ステップ S73)、書き込まれたクラスタが欠陥クラスタでなければ、処理を終了し、書き 込まれたクラスタが欠陥クラスタであれば、カレントクラスタを次のクラスタにして (ステツ プ S74)、 TDDSにおける最後の TDFLの位置情報を書き換えた TDDSを位置情報生 成部 28が新たに生成し (ステップ S75)、再度、ステップ S72、ステップ S73を実行す るというものである。
[0093] ステップ S75における位置情報生成部 28による TDFL位置情報の書き換えは、最 後の TDFLについての TDFL位置情報を、カレントクラスタにすることでなされる。 図 22は、第 3実施形態に係る記録読出装置 100により、 TDFLが書き込まれる過程 を示した図である。本図における第 1段目は、 TDMS#jを構成する複数のクラスタを示 し、第 2段目〜第 4段目は、 4つの TDFL(TDFL#1、 TDFL#2、 TDFL#3、 TDFL#4)と、 T DDSとが書き込まれる過程を示す。第 1段目において、クラスタ #2は、欠陥クラスタで あるとする。第 2段目は、 TDFL#1から TDFL#3まで力 クラスタ #1からクラスタ #3までに 書き込まれた状態を示す。
[0094] 上述したように、クラスタ #2は欠陥クラスタであるので、リトライが必要になる。ここで のリトライは、書き込みに失敗した TDFL#2だけである力 このリトライと同時に、最後 の TDFLである TDFL#4と、 TDDSとを一度に書き込む。第 3段目は、リトライにより、 TD FL#2が書き込まれた状態を示し、第 4段目は、 TDFL#4、 TDDSが書き込まれた状態 を示す。最後の TDFLと共に書き込まれた TDDSは、 TDFL#1、 TDFL#2、 TDFL#3、 T DFL#4が書き込まれたクラスタの位置 (アドレス cl,c4,c3,c5)を示す。再生時において 、これら TDDSに示された位置に従って、 TDMS内のクラスタをアクセスすれば、これら の TDFLを、連続した順序で、記録読出装置 100のメモリに読み出すことができる。
[0095] 以上のように本実施形態によれば、欠陥などにより記録できな力つた TDFLと、最後 の TDFLと、 TDDSとの書き込みをリトライするので、 TDMS更新に要する時間を短縮し 、使い勝手を向上することが可能となる。また、更新途中の電源 OFFなどによる急な T DMS更新の停止による失敗の発生リスクを低減させることができる。
さらに、 TDMAに傷などによる欠陥がある場合、径方向に並んでいる複数クラスタが 欠陥であることが多い。光ディスク 1の内周部では 1周がほぼ 2クラスタ分であるため、 TDMSが 4つのクラスタから構成されているとすると、リトライ時において、 TDMSに書き 込むべき内容が、常に同じであるなら、 TDMSの更新の失敗を繰り返す可能性がある 。しかし、第 3実施形態のような書き込み手順では、径方向に欠陥クラスタが並んでい る場合、欠陥クラスタに当たる TDFLが毎回変わるので、リトライに成功する確率を高 めることができる。
(備考）
以上、本願の出願時点において、出願人が知り得る最良の実施形態について説明 したが、 以下に示す技術的トピックについては、更なる改良や変更実施を加えること ができる。これらの改良'変更を施すか否かは、何れも任意的であり、実施する者の 意思によることは留意されたい。
(TDMSの構成）
ここでは TDMSは TDFLと TDDSとの 2つが記録されて!、るが、その他の追加情報が 追加されてもよい。その場合、 TDFL、 TDDS、追加情報のサイズを足し合わせたサイ ズが、 1つの TDMSのサイズとなる。
(TDDS)
TDDSのサイズは、必ずしも DDSのサイズと同じサイズでなくとも良い。ここで、 TDFL と TDDS、その他の意味のある情報を足し合わせたサイズ力クラスタサイズに満たな!/ヽ 場合は、その部分は意味を持たないデータ、例えば 0を書いた形でクラスタサイズと することは言うまでもない。
(他のリストへの応用）
第 1実施形態では TDFLを対象としたが、代替元と代替先のエントリから成るリスト情 報であって、例えば記録済み領域への上書き記録データを別領域に記録し、エントリ で仮想的に上書き記録するようなリストであっても、全く同様に扱うことが可能であるこ とは言うまでもない。
(TDMSの更新）
第 1実施形態では、新たな欠陥エントリが追加された際の、 TDMS更新において、ェ ントリの追加の影響力、一部の TDFLに限定される場合には差分のみを更新すること も可能であることは 、うまでもな 、。
(フアイナライズ識另 Uフラグ）
DMA情報読出部 21は 1 stDMA〜4thDMAからフアイナライズ前かどうかの判断機能 を有するが、例えば、 TDMS中の所定の位置にフアイナライズ実施有無を識別するた めのフアイナライズ識別フラグを備えれば、 TDMS情報読出部 22でもフアイナライズ前 力どうかの判断を行うことが出来る。なお、フアイナライズ識別フラグは、必ずしも TDM
S中でなくとも、媒体上の所定の位置に含まれて!/、れば良!、。
(TDFLから DFLへの変換） 本実施形態では TDFL位置情報の順序に従って、 TDFLを 1クラスタずつ読み出し て格納バッファ 16に格納した力 TDFL#1位置情報が指し示す位置力 記録済み終 端クラスタまで全クラスタを読み出したあと、 TDFL位置情報が指し示す位置に相当す る有効な TDFLのみを抽出し、 TDFL位置情報の順序で並べ換えたものを DFLとして も良い。
(TDFLの読み出し）
各実施形態では TDFL位置情報の順序に従って、 TDFLを 1クラスタずつ読み出し て格納バッファ 16に格納した力 TDFL位置情報が指し示す TDFLの間に欠陥クラス タゃ無効クラスタが存在するかどうかを、 TDFL位置情報の連続性力 判断し、有効 な TDFLが連続して存在して 、る場合には複数クラスタを連続で読出してもよ!/、。この 場合、 1クラスタずつ読出した場合と比べて、欠陥エントリーを取得するのに要する時 間を短縮することが可能である。
(TDFLから DFLへの変換）
格納バッファ 16中では、読み出した全ての TDFLを組み合わせて DFLとして保持し てお ヽても良 、し、読み出した状態のまま保持してぉ ヽても良 、。
(TDMS更新）
第 1実施形態における TDFL変換部 25による TDMS更新はあくまで一例であり、欠 陥に関する情報が反映されていればよい。例えば欠陥エントリのソーティング等は必 ずしも行われなくてはならな ヽものではな!/ヽ。
(TDMSの構成）
各実施形態における TDMSは TDFLと TDDSの 2つで構成されている力 その他の追 加情報が追加されてもよい。その場合、 TDFL, TDDS、追加情報のサイズを足し合わ せたサイズが、 1つの TDMSのサイズとなる。
(ベリファイのタイミング）
第 2実施形態、第 3実施形態では、記録に失敗したクラスタと TDDSを含むブロック を連続的に記録し、ベリファイしているが、記録に失敗したクラスタのみの記録と、ベリ フアイとを繰り返し、最後の TDFL及び TDDS以外のブロックの記録に成功した後に T DDSを含むブロックの記録、ベリファイを行っても良 、ことは 、うまでもな！/、。
(記録の際にエラーが生じた場合）
第 2実施形態、第 3実施形態では、ベリファイしたときに記録に失敗したことを判定 し、記録リトライを行っているが、記録を行う際に発生したエラーに応じて、リトライを行 つてもよい。この場合、記録時のエラー発生に応じて、既に連続記録により記録を行 つた記録済みクラスタのベリファイを行 ヽ、記録に失敗したクラスタと記録をまだ行つ て 、な 、ブロックと TDDSを含むクラスタを連続記録し、ベリファイすることを繰り返すこ とにより、同様の効果が得られる。
(TDMS更新の対象）
第 3実施形態では、新たな欠陥エントリが追加された際の、 TDMSの更新において、 エントリの追加の影響が、一部の TDFLに限定される場合には差分のみを更新すれ ばよ!/ヽことは!ヽうまでもな!/ヽ。
(TDDSの書き換え）
第 2実施形態では、リトライの前に TDFLの TDFL位置情報を求めて TDDSに含まれ るそれぞれの TDFLに対応する TDFL位置情報を書き換えているが、必ずしもリトライ 前に TDFL位置情報を書き換える必要は無ぐ最後の TDFLと、 TDDSとを書き込む段 階にぉ 、て、全ての有効な TDFLの TDFL位置情報を求めて TDDSに含まれるそれぞ れの TDFLに対応する TDFL位置情報を書き換えても良 、ことは 、うまでもな 、。
(ベリファイのタイミング）
第 3実施形態では、記録に失敗したクラスタを全て連続記録し、ベリファイすることを 繰り返し、最後の TDFL及び TDDS以外を正常に記録したあとに、最後の TDFLと、 TD DSとを記録しベリファイしている力 記録に失敗したクラスタと TDDSとを、連続したクラ スタに書き込み、ベリファイを行っても良 、ことは 、うまでもな!/、。
(ベリファイのタイミング）
第 3実施形態では、記録に失敗したクラスタを全て連続記録し、ベリファイすることを 繰り返し、最後の TDFL及び TDDS以外を正常に記録したあとに、 TDDSと、最後の TD FLとを記録しベリファイしている力 記録に失敗した TDFLを 1つずつ記録し、ベリファ ィすることを繰り返し、最後の TDFL以外を正常に記録したあとに、最後の TDFLと、 T DDSとを記録しベリファイすることを繰り返しても良 、ことは 、うまでもな 、。
(TDFLの順序）
欠陥クラスタが存在する場合であっても、有効な TDFL#l〜TDFL#nの順序は昇順 となることがある。例えば、 TDFLftiを記録するはずの位置が欠陥クラスタである場合 、 TDFLは TDFL#1、 TDFL#2、 TDFL#3、 · · ·、欠陥クラスタ、 TDFL#nの順に記録され るため、昇順に並ぶ。
淛御手順の実現）
各実施形態においてフローチャートを引用して説明した制御手順や、機能的な構 成要素による制御手順は、ハードウェア資源を用 、て具体的に実現されて 、ることか ら、自然法則を利用した技術的思想の創作といえ、 "プログラムの発明"としての成立 要件を満たす。
[0099] ·本発明に係るプログラムの生産形態
本発明に係るプログラムは、以下のようにして作ることができる。先ず初めに、ソフト ウェア開発者は、プログラミング言語を用いて、各フローチャートや、機能的な構成要 素を実現するようなソースプログラムを記述する。この記述にあたって、ソフトウェア開 発者は、プログラミング言語の構文に従い、クラス構造体や変数、配列変数、外部関 数のコールを用いて、各フローチャートや、機能的な構成要素を具現するソースプロ グラムを記述する。
[0100] 記述されたソースプログラムは、ファイルとしてコンパイラに与えられる。コンパイラは 、これらのソースプログラムを翻訳してオブジェクトプログラムを生成する。
コンパイラによる翻訳は、構文解析、最適化、資源割付、コード生成といった過程か らなる。構文解析では、ソースプログラムの字句解析、構文解析および意味解析を行 い、ソースプログラムを中間プログラムに変換する。最適化では、中間プログラムに対 して、基本ブロック化、制御フロー解析、データフロー解析という作業を行う。資源割 付では、ターゲットとなるプロセッサの命令セットへの適合を図るため、中間プログラム 中の変数をターゲットとなるプロセッサのプロセッサが有しているレジスタまたはメモリ に割り付ける。コード生成では、中間プログラム内の各中間命令を、プログラムコード に変換し、オブジェクトプログラムを得る。 [0101] ここで生成されたオブジェクトプログラムは、各実施形態に示したフローチャートの 各ステップや、機能的構成要素の個々の手順を、コンピュータに実行させるような 1つ 以上のプログラムコードから構成される。ここでプログラムコードは、プロセッサのネィ ティブコード、 JAVA (登録商標)バイトコードというように、様々な種類がある。プロダラ ムコードによる各ステップの実現には、様々な態様がある。外部関数を利用して、各 ステップを実現することができる場合、この外部関数をコールするコール文力 プログ ラムコードになる。また、 1つのステップを実現するようなプログラムコード力 別々のォ ブジェクトプログラムに帰属することもある。命令種が制限されて 、る RISCプロセッサ では、算術演算命令や論理演算命令、分岐命令等を組合せることで、フローチャート の各ステップを実現してもよ 、。
[0102] オブジェクトプログラムが生成されるとプログラマはこれらに対してリンカを起動する 。リンカはこれらのオブジェクトプログラムや、関連するライブラリプログラムをメモリ空 間に割り当て、これらを 1つに結合して、ロードモジュールを生成する。こうして生成さ れるロードモジュールは、コンピュータによる読み取りを前提にしたものであり、各フロ 一チャートに示した処理手順や機能的な構成要素の処理手順を、コンピュータに実 行させるものである。以上の処理を経て、本発明に係るプログラムを作ることができる
•本発明に係るプログラムの使用形態
本発明に係るプログラムは、以下のようにして使用することができる。
[0103] (0糸且込プログラムとしての使用
本発明に係るプログラムを組込プログラムとして使用する場合、プログラムにあたる ロードモジュールを、基本入出力プログラム (BIOS)や、様々なミドルウェア (オペレー シヨンシステム)と共に、命令 ROMに書き込む。こうした命令 ROMを、制御部に組み込 み、 CPUに実行させることにより、本発明に係るプログラムを、記録読出装置 100の制 御プログラムとして使用することができる。
[0104] GOアプリケーションとしての使用
記録読出装置 100が、ハードディスク内蔵モデルである場合は、基本入出力プログ ラム (BIOS)が命令 ROMに組み込まれており、様々なミドルウェア (オペレーションシス テム)が、ハードディスクにプレインストールされている。また、ハードディスクから、シス テムを起動するためのブート ROM力 記録読出装置 100に設けられている。
[0105] この場合、ロードモジュールのみを、過搬型の記録媒体やネットワークを通じて、記 録読出装置 100に供給し、 1つのアプリケーションとしてハードディスクにインストール する。そうすると、記録読出装置 100は、ブート ROMによるブートストラップを行い、ォ ペレーシヨンシステムを起動した上で、 1つのアプリケーションとして、当該アプリケー シヨンを CPUに実行させ、本発明に係るプログラムを使用する。
[0106] ハードディスクモデルの記録読出装置 100では、本発明のプログラムを 1つのアプリ ケーシヨンとして使用しうるので、本発明に係るプログラムを単体で譲渡したり、貸与し たり、ネットワークを通じて供給することができる。
(欠陥管理情報処理部 13)
各実施形態に示した欠陥管理情報処理部 13は、一個のシステム LSIとして実現す ることがでさる。
[0107] システム LSIとは、高密度基板上にベアチップを実装し、パッケージングしたものを いう。複数個のベアチップを高密度基板上に実装し、ノ ッケージングすることにより、 あたカゝも 1つの LSIのような外形構造を複数個のベアチップに持たせたものも、システ ム LSIに含まれる (このようなシステム LSIは、マルチチップモジュールと呼ばれる。；)。 ここでパッケージの種別に着目するとシステム LSIには、 QFP (タッドフラッドアレイ） 、 PGA (ピングリッドアレイ)という種別がある。 QFPは、パッケージの四側面にピンが 取り付けられたシステム LSIである。 PGAは、底面全体に、多くのピンが取り付けられ たシステム LSIである。
[0108] これらのピンは、他の回路とのインターフェイスとしての役割を担っている。システム LSIにおけるピンには、こうしたインターフェイスの役割が存在するので、システム LSI におけるこれらのピンに、他の回路を接続することにより、システム LSIは、記録読出 装置 100の中核としての役割を果たす。
システム LSIにパッケージングされるベアチップは、 "フロントエンド部"、 "バックェン ド部"、 "デジタル処理部"からなる。 "フロントエンド部"は、アナログ信号を、デジタル 化する部分であり、 "バックエンド部"はデジタル処理の結果、得られたデータを、アナ 口グイ匕して出力する部分である。
[0109] 各実施形態において内部構成図として示した各構成要素は、このデジタル処理部 内に実装される。
先に"組込プログラムとしての使用"で述べたように、命令 ROMには、プログラムにあ たるロードモジュールや、基本入出力プログラム (BIOS)、様々なミドルウェア (オペレー シヨンシステム)が書き込まれる。本実施形態において、特に創作したのは、このプロ グラムにあたるロードモジュールの部分なので、プログラムにあたるロードモジュール を格納した命令 ROMを、ベアチップとしてパッケージングすることにより、本発明に係 るシステム LSIは生産することができる。
[0110] 具体的な実装については、 SoC実装や SiP実装を用いることができ望ましい。 SoC(Sy stem on chip)実装とは、 1チップ上に複数の回路を焼き付ける技術である。 SiP(Syste m in Package)実装とは、複数チップを榭脂等で 1パッケージにする技術である。以上 の過程を経て、本発明に係るシステム LSIは、各実施形態に示した記録読出装置 10 0の内部構成図を基に作ることができる。
[0111] 尚、上述のようにして生成される集積回路は、集積度の違いにより、 IC、 LSI,スーパ -LSI,ウノレ卜ラ LSIと呼称されることちある。
さらに、各記録読出装置の構成要素の一部又は全てを 1つのチップとして構成して もよい。集積回路化は、上述した SoC実装, SiP実装に限るものではなぐ専用回路又 は汎用プロセスで実現してもよい。 LSI製造後に、プログラムすることが可能な FPGA ( Field Programmable Gate Array)や、 LSI内部の回路セルの接続や設定を再構成可 能なシリコンフィギユラブル'プロセッサを利用することが考えられる。更には、半導体 技術の進歩又は派生する技術により LSIに置き換わる集積回路化の技術が登場すれ ば、当然、その技術を用いて機能ブロックの集積回路化を行っても良い。例えば、バ ィォ技術の適応などが可能性としてありうる。
産業上の利用可能性
[0112] 本発明に係る光ディスク、記録装置、読出装置は、上記実施形態に内部構成が開 示されており、この内部構成に基づき量産することが明らかなので、資質においてェ 業上利用することができる。このことから本発明に係る光ディスク、記録読出装置、読 出装置は、産業上の利用可能性を有する c

Claims

請求の範囲
[1] 一時的欠陥管理領域を有するライトワンス型の光ディスクであって、
前記一時的欠陥管理領域には、複数の欠陥領域リストと、構造情報とが記録されて おり、
前記欠陥領域リストは、光ディスクにおける少なくとも 1つの欠陥領域を示し 前記構造情報は、一時的欠陥管理領域における各欠陥領域リストの位置を示す複 数の位置情報を含み、
前記複数の位置情報は、対応する欠陥領域リストが読み出されるべき順序に従つ て並べられている
ことを特徴とする光ディスク。
[2] 一時的欠陥管理領域は、複数のクラスタ力 なり、その中には、欠陥クラスタがあり、 前記複数欠陥領域リストは、その欠陥クラスタに先行する領域と、欠陥クラスタに後 続する領域とに分断した状態で書き込まれており、
前記先行領域における最後のクラスタを欠陥領域リストの位置として示す位置情報 と、後続領域における最初のクラスタを次の欠陥領域リストの位置として示す位置情 報とは、前記構造情報において隣り合って配置されている
ことを特徴とする請求項 1記載の光ディスク。
[3] 前記一時的欠陥管理領域には、
最初の書き込みで、書き込みに成功した欠陥領域リスト (1)、
書き込みのリトライで、書き込みに成功した欠陥領域リスト (2)、
最後の欠陥領域リスト (3)
の順に並べられて 、る部分がある
ことを特徴とする請求項 1記載の光ディスク。
[4] ライトワンス型光ディスクにおける少なくとも 1つの欠陥領域を示す欠陥領域リストを光 ディスクに書き込む記録装置であって、
欠陥領域リストが記録されるべき位置を示す位置情報を含む構造情報を生成する 生成手段と、
生成された構造情報を、欠陥領域リストと共に、ライトワンス型光ディスクにおける一 時的欠陥管理領域に書き込む書込手段とを備え、
前記生成手段は、
記録すべき欠陥領域リストが複数存在する場合、一時的欠陥管理領域における各 欠陥領域リストの位置を示す複数の位置情報を、対応する欠陥領域リストが読み出さ れるべき順序に従って並べる処理を行 ヽ、
前記書込手段は、
前記順序に従って並べられた複数位置情報を含む構造情報を一時的欠陥管理領 域に書き込む
ことを特徴とする記録装置。
[5] 前記記録装置は、欠陥領域リストが書き込まれたクラスタに対してべリファイを行い、 欠陥領域リストが書き込まれたクラスタが欠陥クラスタであるか否かを判定するべリフ アイ手段を備え、
前記書込手段は、
欠陥領域リストが書き込まれたクラスタが欠陥クラスタであるなら、当該欠陥領域リス トを欠陥クラスタの次のクラスタに書き込むことで、書き込みのリトライを行 、、 前記リトライにより
前記複数の欠陥領域リストは、その欠陥クラスタに先行する領域と、前記欠陥クラス タに後続する領域とに分断した状態で書き込まれ、
前記生成手段は、
前記先行領域における最後のクラスタを欠陥領域リストの位置として示す位置情報 と、後続領域における最初のクラスタを次の欠陥領域リスト位置として示す位置情報 とを、前記構造情報において隣り合わせて配置させる
ことを特徴とする請求項 4記載の記録装置。
[6] 前記記録装置は、
全ての欠陥領域リストが書き込まれた時点で、書き込まれた全ての欠陥領域リストに 対してべリファイを行うベリファイ手段を備え、
前記書込手段は、
欠陥領域リストが書き込まれたクラスタが欠陥クラスタであるなら、当該欠陥領域リス トを別のクラスタに書き込むことで、書き込みのリトライを行い、
前記一時的欠陥管理領域には、
最初の書き込みで、書き込みに成功した欠陥領域リスト (1)、
書き込みのリトライで、書き込みに成功した欠陥領域リスト (2)、
最後の欠陥領域リスト (3)
の順に並べられて 、る部分がある
ことを特徴とする請求項 4記載の記録装置。
[7] 前記記録装置は、先頭の欠陥領域リストから最後の 1つ前の欠陥領域リストまでが書 き込まれた時点で、書き込まれた全ての欠陥領域リストに対してべリファイを実行する ベリファイ手段を備え、
欠陥領域リストが書き込まれたクラスタが欠陥クラスタであるなら、当該欠陥領域リス トを別のクラスタに書き込むことで、書き込みのリトライを行い、
前記一時的欠陥管理領域には、
最初の書き込みで、書き込みに成功した欠陥領域リスト (1)、
書き込みのリトライで、書き込みに成功した欠陥領域リスト (2)、
最後の欠陥領域リスト (3)
の順に並べられて 、る部分がある
ことを特徴とする請求項 4記載の記録装置。
[8] 複数の欠陥領域リストと、構造情報とをライトワンス型光ディスクから読み出す読出装 置であって、
前記欠陥領域リストは、光ディスクにおける少なくとも 1つの欠陥領域を示し、 構造情報は、欠陥領域リストが記録されるべき位置を示す位置情報を複数含み、 構造情報において、対応する位置情報が並べられている順序に従い、各欠陥領域 リストを光ディスクからメモリに読み出す読出手段と、
メモリに読み出された欠陥領域リストを保持する保持手段と、
欠陥領域リストに示される欠陥領域に対するアクセスが、上位装置から命じられた 場合、当該欠陥領域の代わりに、当該欠陥領域に対応するスペア領域に対するァク セスを実行するアクセス手段と を備えることを特徴とする読出装置。
[9] ライトワンス型光ディスクにおける少なくとも 1つの欠陥領域を示す欠陥領域リストを光 ディスクに書き込む記録方法であって、
欠陥領域リストが記録されるべき位置を示す位置情報を含む構造情報を生成する 生成ステップと、
生成された構造情報を、欠陥領域リストと共に、ライトワンス型光ディスクにおける一 時的欠陥管理領域に書き込む書込ステップとを備え、
前記生成ステップは、
記録すべき欠陥領域リストが複数存在する場合、一時的欠陥管理領域における各 欠陥領域リストの位置を示す複数の位置情報を、対応する欠陥領域リストが読み出さ れるべき順序に従って並べる処理を行 ヽ、
前記書込ステップは、
前記順序に従って並べられた複数位置情報を含む構造情報を一時的欠陥管理領 域に書き込む
ことを特徴とする記録方法。
[10] 前記記録方法は、欠陥領域リストが書き込まれたクラスタに対してべリファイを行い、 欠陥領域リストが書き込まれたクラスタが欠陥クラスタであるか否かを判定するべリフ アイステップを備え、
前記書込ステップは、
欠陥領域リストが書き込まれたクラスタが欠陥クラスタであるなら、当該欠陥領域リス トを欠陥クラスタの次のクラスタに書き込むことで、書き込みのリトライを行 、、 前記リトライにより
前記複数の欠陥領域リストは、その欠陥クラスタに先行する領域と、前記欠陥クラス タに後続する領域とに分断した状態で書き込まれ、
前記生成ステップは、
前記先行領域における最後のクラスタを欠陥領域リストの位置として示す位置情報 と、後続領域における最初のクラスタを次の欠陥領域リスト位置として示す位置情報 とを、前記構造情報において隣り合わせて配置させる ことを特徴とする請求項 9記載の記録方法。
[11] 前記記録方法は、
全ての欠陥領域リストが書き込まれた時点で、書き込まれた全ての欠陥領域リストに 対してべリファイを行うベリファイステップを備え、
前記書込ステップは、
欠陥領域リストが書き込まれたクラスタが欠陥クラスタであるなら、当該欠陥領域リス トを別のクラスタに書き込むことで、書き込みのリトライを行い、
前記一時的欠陥管理領域には、
最初の書き込みで、書き込みに成功した欠陥領域リスト (1)、
書き込みのリトライで、書き込みに成功した欠陥領域リスト (2)、
最後の欠陥領域リスト (3)
の順に並べられて 、る部分がある
ことを特徴とする請求項 9記載の記録方法。
[12] 前記記録方法は、先頭の欠陥領域リストから最後の 1つ前の欠陥領域リストまでが書 き込まれた時点で、書き込まれた全ての欠陥領域リストに対してべリファイを実行する ベリファイステップを備え、
欠陥領域リストが書き込まれたクラスタが欠陥クラスタであるなら、当該欠陥領域リス トを別のクラスタに書き込むことで、書き込みのリトライを行い、
前記一時的欠陥管理領域には、
最初の書き込みで、書き込みに成功した欠陥領域リスト (1)、
書き込みのリトライで、書き込みに成功した欠陥領域リスト (2)、
最後の欠陥領域リスト (3)
の順に並べられて 、る部分がある
ことを特徴とする請求項 9記載の記録方法。
[13] 複数の欠陥領域リストと、構造情報とをライトワンス型光ディスクから読み出す読出方 法であって、
前記欠陥領域リストは、光ディスクにおける少なくとも 1つの欠陥領域を示し、 構造情報は、欠陥領域リストが記録されるべき位置を示す位置情報を複数含み、 構造情報において、対応する位置情報が並べられている順序に従い、各欠陥領域 リストを光ディスクからメモリに読み出す読出ステップと、
メモリに読み出された欠陥領域リストを保持する保持ステップと、
欠陥領域リストに示される欠陥領域に対するアクセスが、上位装置から命じられた 場合、当該欠陥領域の代わりに、当該欠陥領域に対応するスペア領域に対するァク セスを実行するアクセスステップと
を含むことを特徴とする読出方法。
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