WO2006082257A1 - Cápsula y elementos para la producción de síntesis del diamante - Google Patents

Cápsula y elementos para la producción de síntesis del diamante Download PDF

Info

Publication number
WO2006082257A1
WO2006082257A1 PCT/ES2005/000462 ES2005000462W WO2006082257A1 WO 2006082257 A1 WO2006082257 A1 WO 2006082257A1 ES 2005000462 W ES2005000462 W ES 2005000462W WO 2006082257 A1 WO2006082257 A1 WO 2006082257A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
diamond
capsule
crystals
elements
synthesis
Prior art date
Application number
PCT/ES2005/000462
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Ramon Martin Parrondo
Dmitri Bagriantsev
Original Assignee
Instituto De Monocristales, S.L.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Instituto De Monocristales, S.L. filed Critical Instituto De Monocristales, S.L.
Priority to AT05790140T priority Critical patent/ATE536931T1/de
Priority to US11/816,075 priority patent/US8057597B2/en
Priority to JP2007555644A priority patent/JP2008529781A/ja
Priority to EP05790140A priority patent/EP1889656B1/en
Publication of WO2006082257A1 publication Critical patent/WO2006082257A1/es

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J3/00Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
    • B01J3/06Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies
    • B01J3/062Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies characterised by the composition of the materials to be processed
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J3/00Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
    • B01J3/06Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J3/00Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
    • B01J3/06Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies
    • B01J3/065Presses for the formation of diamonds or boronitrides
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2203/00Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
    • B01J2203/06High pressure synthesis
    • B01J2203/0605Composition of the material to be processed
    • B01J2203/061Graphite
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2203/00Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
    • B01J2203/06High pressure synthesis
    • B01J2203/0605Composition of the material to be processed
    • B01J2203/062Diamond
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2203/00Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
    • B01J2203/06High pressure synthesis
    • B01J2203/0605Composition of the material to be processed
    • B01J2203/0625Carbon
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2203/00Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
    • B01J2203/06High pressure synthesis
    • B01J2203/065Composition of the material produced
    • B01J2203/0655Diamond
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2203/00Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
    • B01J2203/06High pressure synthesis
    • B01J2203/0675Structural or physico-chemical features of the materials processed
    • B01J2203/068Crystal growth
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10Apparatus

Definitions

  • the present invention corresponds to a capsule with different elements that are incorporated into a high pressure and temperature machine, so that by the method of diamond growth by temperature gradient, the synthesis of diamond monocrystals is obtained inside the types Ib, Ha and Hb.
  • diamond crystals Normally the diamonds obtained by synthesis at high pressures and temperatures are called type Ib and contain hundreds of ppm of nitrogen in their crystalline network. Due to this structural nitrogen content, diamond crystals have a color that ranges from light yellow to dense yellow.
  • This limitation usually has a lower value for jewelry.
  • this color can be subtracted by means of the introduction of a nitrogen sensor in the reaction zone, mixed with the solvent.
  • the solvent is free of dissolved nitrogen, because it reacts with the collector, producing different compounds such as nitrides, carbides, compounds
  • the present invention consists in achieving with the capsule that a favorable vertical gradient is presented for the growth of diamonds, prevailing over any radial gradient by means of heating discs at the ends of the heating zone, which implies a great control over the conditions of growth More specifically, on the speed of growth. And this rigorous control over the speed of growth, in turn, enables better quality control in large crystals.
  • Another important novelty is to use a carbon source with a special design formed by cylindrical and conical holes (graphite, amorphous carbon, diamond or other) with a solvent metal with a number of gases that are introduced into the capsule.
  • a nitrogen sensor is used to avoid the formation of nitrides, carbides, oxides, which are detrimental to growth which, as an important novelty, is placed outside the reaction zone, that is, without coming into direct contact with the solvent used.
  • the problems of inclusions of the reaction compounds between nitrogen, carbon and the sensor are eliminated.
  • These compounds are produced and maintained outside the diamond growth zone, therefore, their inclusion within the monocrystal is extremely difficult. This is possible since the nitrogen that is inside the reaction chamber normally has great mobility by diffusion, coming into contact with the sensor, which acts as a nitrogen trap, fixing it in the surroundings of the area where it is located and preventing re-enter the growth zone.
  • Another important novelty of the present invention is the design of the joints in the form of a frame.
  • the casing is constituted of a mixture of commercial refractory salts and oxides of a well-defined composition, compared to the use of phyllite or other materials that may differ in properties. 3.
  • GETTER OR RECEIVER 1 The placement of the collector or “setter” (hereinafter collector) outside the growth zone allows the presence of bodies or compounds not favorable for the growth of the diamond, such as carbides, nitrides, oxides or others
  • Figure 1 Section of the high pressure and high temperature capsule for the synthesis of a single crystal confined to high pressure
  • Figure 2 High pressure joint
  • Figure 3 Section of the high pressure and high temperature capsule for synthesis of single crystal type Ib
  • Figure 4 Representation of the qualitative dependence of the electrical resistance of the heating disk as a function of the percentage by weight of the conductive component of the electricity.
  • Figure 5 Represents the amount of N in ppm that will remain within the diamond as a function of the weight of the sensor contained in the insulation.
  • Figure 6 section of the internal part of the capsule for the synthesis of crystals type Ma and Nb
  • Figure 7 Represents how to improve with the system of the invention, with heating discs at the ends, the speed of growth in relation to time, with respect to conventional systems, to equal quality.
  • the synthesis of a monocrystalline confined at high pressure consists of the following elements that are determined by:
  • the heating discs (6) and (7) that allow obtaining a vertical gradient for a diamond growth are placed at the ends of the heating zone. Said gradient remains on any radial gradient.
  • the heating discs consist of: a) an electrical insulating material (ZrO 2 , AI 2 O 3 , other refractory oxides) b) an electrical conductive material (graphite, W, Mo, other refractory metals) c) an intermediate material that makes plasticized (NaCI, CsCI, other salts, MoO, other refractory oxides.) These three components are mixed in powder form in the following percentage percentage by weight: a) 50-40 b) 5-20 (as specified in Figure 4). c) 50-40 The optimal gradient is obtained by the following variables:
  • the electrical resistance of the lower heating disk must be less than that of the upper one.
  • a carbon source (9) (graphite, amorphous carbon, diamond or other), with a geometry that minimizes the amount of solvent metal needed.
  • Said carbon source can use the different forms represented in Figure 3a, 3b and 3c, where it can be seen that they can be cylindrical and conical.
  • the solvent is introduced into the capsule in the form of a solid commercial alloy with a minimum gas content.
  • the nitrogen sensor (Al, Ti, Hf and others) is used outside the diamond growth zone. The nitrogen is sequestered by the collector outside the diamond growth zone, thus avoiding the formation of nitrides, carbides, oxides or other undesirable phases for diamond growth.
  • the nitrogen collector (Al, Ti, Hf and others) in powder form is mixed with insulating material (AI 2 O 3 , ZrO 2 , MgO, other refractory oxides).
  • a permeable membrane also allows the regulation of the color of the diamond (nitrogen fixation)
  • the design of the high pressure joint is formed by elements that facilitate assembly in the high pressure and high temperature machine, since it is composed of frames such as: steel frame (14), aluminum frame (15) and material Cranid fiber and mineral fiber insulator (16), as specified in Figure 2.
  • a set of WC punches, a set of high pressure seals and a properly adjusted reaction capsule are introduced into the high pressure and temperature chamber.
  • the high pressure machine is then subjected to hydraulic pressure, up to the necessary value previously calibrated.
  • the temperature inside the capsule is increased by electric power to an appropriate value. This power is maintained for a programmed time. Finally, the temperature and pressure are lowered, ending the cycle. Then the capsule is extracted, opened and the products are observed.
  • All crystals are characterized by being yellow and shaped like the octahedral crystal or octahedral cube.
  • the nitrogen concentration is between 50 and 150 ppm.
  • the metal inclusions are concentrated in the area of the initial seed.
  • the capsule of Figure 6 which consists of the following elements:
  • the temperature gradient is adjusted between 10 and 40 0 C and is used as a source of carbon graphite crystal.
  • the color of the diamond crystals is regulated by the thickness, H, of the membrane 22 and the amount of sensor present in the mixture 23.
  • the capsule of Figure 6 is used for the growth of white crystals.
  • the temperature gradient is adjusted between 10 and 3O 0 C and crystalline graphite carbon is used as the source of carbon.
  • the color of the diamond crystals is regulated by the thickness H of the membrane 22 and the amount of sensor present in the mixture 23.
  • the sensor used has been Ti and Al.
  • the growth rate has been adjusted between 2 and 8 mg / h.
  • White crystals have been obtained up to 1.8 carats valid for decorative applications. In all crystals metal inclusions are found in the area of the seed. The results are shown in table 3.
  • the capsule of Figure 6 is used for the growth of blue crystals.
  • the same pressure and temperature parameters and gradient of examples 12-14 are used. Between 1 and 60 ppm of B is introduced into the solvent metal. Crystals of different blue color are obtained. The results are shown in table 4. TABLE 4

Abstract

La presente invención consiste en conseguir con la cápsula que se presenta un gradiente vertical favorable para el crecimiento de diamantes, prevaleciendo sobre cualquier gradiente radial por medio de discos calefactores en los extremos de la zona de calefacción, lo cual implica un gran control sobre las condiciones de crecimiento. Más concretamente, sobre la velocidad de crecimiento, posibilita, a su vez, un mejor control de la calidad en grandes cristales. Otra novedad importante es emplear una fuente de carbono con un diseño especial formado por huecos cilíndricos y cónicos (grafito, carbono amorfo, diamante u otro) con un metal disolvente con un número de gases que se introducen en la cápsula. Asimismo se utiliza un captador de nitrógeno para evitar la formación de nitruros, carburos, óxidos, que son perjudiciales para el crecimiento que como novedad importante se coloca fuera de la zona de reacción.

Description

-I-
CAPSULA Y ELEMENTOS PARA LA PRODUCCIÓN DE SÍNTESIS DEL
DIAMANTE
OBJETO DE LA INVENCIÓN
La presente invención corresponde a una cápsula con distintos elementos que se incorporan a una máquina de alta presión y temperatura, al objeto de que por el método de crecimiento del diamante mediante gradiente de temperatura, se obtenga Ia síntesis de monocristales de diamante en su interior de los tipos Ib, Ha y Hb.
ANTECEDENTES DE LA INVENCIÓN
Normalmente los diamantes obtenidos mediante síntesis a altas presiones y temperaturas son los llamados tipo Ib y contienen cientos de ppm de nitrógeno en su red cristalina. Debido a este contenido estructural en nitrógeno, los cristales de diamante poseen un color que va desde el amarillo claro hasta un amarillo denso.
Esta limitación suele repercutir en un menor valor para Ia joyería.
Por otra parte, este color, puede ser sustraído mediante Ia Introducción de un captador de nitrógeno en Ia zona de reacción, mezclado con el disolvente. De esta forma, el disolvente se ve libre del nitrógeno disuelto, debido a que éste reacciona con el captador, produciendo distintos compuestos como nitruros, carburos, compuestos
Intermedios varios y sus combinaciones. Esta competencia por el nitrógeno del captador con el carbono hace que entre menos nitrógeno en Ia red cristalina del diamante, que está creciendo, proporcionando cristales sustancialmente libres de nitrógeno.
Estos cristales son del tipo denominado Ha y debido a Ia rareza de estos cristales en Ia naturaleza, al ser incoloros y a sus excelentes propiedades de conductividad térmica y dureza, estos cristales son de gran valor en el mercado.
El inconveniente de estos cristales es que su producción es extraordinariamente difícil, debido sobre todo a que Ia reacción de competencia del captador de nitrógeno produce muchos compuestos que permanecen en suspensión, posibilitando su entrada dentro del monocrista!, que está creciendo en forma de inclusión. Este hecho hace difícil Ia obtención de cristales tipo Ha de gran tamaño y a su vez, gran pureza. Además, conseguir eliminar el nitrógeno de Ia red cristalina del diamante implica que durante el proceso puedan entrar otro tipo de impurezas, como sucede con el boro. Los cristales de diamante con impurezas de boro son conocidos como tipo Ilb y poseen un color azul.
DESCRIPCIÓN DE LA INVENCIÓN
La presente invención consiste en conseguir con Ia cápsula que se presenta un gradiente vertical favorable para el crecimiento de diamantes, prevaleciendo sobre cualquier gradiente radial por medio de discos calefactores en los extremos de Ia zona de calefacción, Io cual implica un gran control sobre las condiciones de crecimiento. Mas concretamente, sobre Ia velocidad de crecimiento. Y este control riguroso sobre Ia velocidad de crecimiento, posibilita, a su vez, un mejor control de Ia calidad en grandes cristales. Otra novedad importante es emplear una fuente de carbono con un diseño especial formado por huecos cilindricos y cónicos (grafito, carbono amorfo, diamante u otro) con un metal disolvente con un número de gases que se introducen en Ia cápsula.
Asimismo se utiliza un captador de nitrógeno para evitar Ia formación de nitruros, carburos, óxidos, que son perjudiciales para el crecimiento que como novedad importante se coloca fuera de Ia zona de reacción, es decir, sin entrar en contacto directo con el disolvente empleado. De esta forma, al no haber contacto directo entre el disolvente y el captador de nitrógeno, se eliminan los problemas de inclusiones de los compuestos de reacción entre el nitrógeno, el carbono y el captador. Estos compuestos se producen y se mantienen fuera de Ia zona de crecimiento del diamante, siendo por Io tanto, extremadamente difícil su inclusión dentro del monocristal. Ello es posible dado que el nitrógeno que se encuentra dentro de Ia cámara de reacción posee normalmente gran movilidad por difusión, entrando en contacto con el captador, que actúa como trampa de nitrógeno, fijándolo en los alrededores de Ia zona donde se encuentra e impidiendo que vuelva a entrar en Ia zona de crecimiento.
Otra novedad importante que tiene Ia presente invención es el diseño de las juntas en forma de marco.
Por todo ello, Ia relación de ventajas que Ia invención preconiza respecto al estado de Ia técnica anterior son las siguientes: CÁPSULA:
1. Mejor control del gradiente de temperatura mediante el uso de los elementos calefactores superior e inferior, que permite las siguientes ventajas: • Cambio del gradiente de temperatura sin modificación de Ia composición ni dimensiones de Ia zona de crecimiento del cristal o cristales.
• Cambio del gradiente de temperatura para conseguir una mayor velocidad de crecimiento y una elevada calidad del cristal o cristales.
2. Mayor facilidad de preparación y fabricación de Ia carcasa, debido a que está constituida de una mezcla de sales y óxidos refractarios comerciales de composición bien definida, frente al uso de piro filita u otros materiales que pueden diferir en propiedades. 3.
4. . La forma y proporción de Ia fuente de carbono permite el crecimiento de cristales mayores con menos cantidad de cristal disolvente.
CAPTADOR O "GETTER" 1. La colocación del captador o "setter" (en adelante captador) fuera de Ia zona de crecimiento permite evitar Ia presencia de cuerpos o compuestos no favorables para el crecimiento del diamante, como pudieran ser carburos, nitruros, óxidos u otros.
2. Control bueno y fácil del color del diamante entre 0 y 5.0-10.0% del captador. 3. La obtención de cristales blancos no es sensible a un exceso de captador si supera aproximadamente el 15.0%. Esta propiedad hace el proceso muy fiable.
JUNTAS
1. El diseño de Ia junta en forma de marcos facilita Ia fabricación de los elementos que Ia componen.
2. El diseño de Ia junta en forma de marcos facilita su montaje en Ia máquina de alta presión y alta temperatura.
3. No posee elementos dañinos para el medio ambiente o Ia salud, tales como sustancias pulvurulentas o cancerígenas. BREVE DESCRIPCIÓN DE LOS DIBUJOS
Figura 1 : Sección de Ia cápsula de alta presión y alta temperatura para Ia síntesis de un monocristal confinado a alta presión Figura 2: Junta de alta presión
Figura 3: Sección de Ia cápsula de alta presión y alta temperatura para síntesis de monocristal tipo Ib
Figura 4: Representación de Ia dependencia cualitativa de Ia resistencia eléctrica del disco calefactor en función el porcentaje en peso del componente conductor de Ia electricidad.
Figura 5: Representa Ia cantidad de N en ppm que va a permanecer dentro del diamante en función del peso del captador contenido en el aislamiento.
Figura 6: sección de Ia parte interna de Ia cápsula para Ia síntesis de cristales tipo Ma y Nb
Figura 7: Representa como se mejora con el sistema de Ia invención, con discos calefactores en los extremos, Ia velocidad de crecimiento en relación al tiempo, respecto a los sistemas convencionales , a igualdad de calidad.
FORMA DE REALIZACIÓN PREFERENTE DE LA INVENCIÓN
La cápsula de alta presión y alta temperatura que Ia invención preconiza para
Ia síntesis de un monocristal confinada a alta presión consta de los siguientes elementos que están determinados por:
1. Punzón de carburo de wolframio (WC)
2. Junta de alta presión 3. Carcasa de Ia cápsula
4. Tableta perforada inferior y superior
5. Electrodo de molibdeno
6. Elemento de calefacción superior
7. Elemento de calefacción inferior 8. Tubo de grafito
9. Fuente de carbono 10. Metal disolvente
11. Monocristal sintetizado
12. Semilla de diamante
13. Aislamiento.
Los discos calefactores (6) y (7) que permiten Ia obtención de un gradiente vertical para un crecimiento de diamantes están colocados en los extremos de Ia zona de calefacción. Dicho gradiente permanece sobre cualquier gradiente radial.
Los discos calefactores constan de: a) un material aislante eléctrico (ZrO2, AI2O3, otros óxidos refractarios) b) un material conductor eléctrico (grafito, W, Mo, otros metales refractarios) c) un material intermedio que hace de plastificados (NaCI, CsCI, otras sales, MoO, otros óxidos refractarios.) Estos tres componentes se mezclan en forma pulverulenta en Ia siguiente proporción porcentual en peso: a) 50-40 b) 5-20 (tal como se específica en Ia Figura 4). c) 50-40 El gradiente óptimo se obtiene mediante las siguientes variables:
- Composición del disco calefactor
- Grosor
- Tamaño, forma y posición de los contactos eléctricos
Como norma, Ia resistencia eléctrica del disco calefactor inferior debe de ser menor que Ia del superior.
Empleo de una fuente de carbono (9) (grafito, carbono amorfo, diamante u otro), con una geometría tal que minimiza Ia cantidad de metal disolvente necesario. Dicha fuente de carbono puede utilizar las distintas formas representadas en Ia figura 3a, 3b y 3c, donde se observa que pueden ser de hueco cilindrico y cónico. El disolvente se introduce en Ia cápsula en forma de aleación comercial sólida con un mínimo contenido en gases. El captador de nitrógeno (Al, Ti, Hf y otros) se emplea fuera de Ia zona de crecimiento del diamante. El nitrógeno es secuestrado por el captador fuera de Ia zona de crecimiento del diamante, evitándose de esta manera Ia formación de nitruros, carburos, óxidos u otras fases indeseables para el crecimiento del diamante.
Se procede de Ia siguiente forma:
- El captador de nitrógeno (Al, Ti, Hf y otros) en forma de polvo se mezcla con material aislante (AI2O3, ZrO2, MgO, otros óxidos refractarios).
Las proporciones de esta mezcla permiten el control de Ia coloración de los cristales del diamante
Una membrana permeable permite también Ia regulación del color del diamante (fijación de nitrógeno)
El diseño de Ia junta de alta presión está formado por elementos que facilitan el montaje en Ia máquina de alta presión y alta temperatura, ya que está compuesta por marcos como son: marco de acero (14), marco de aluminio (15) y material aislante de fibra de aránido y fibra mineral (16), tal como se especifica en Ia figura 2.
EJEMPLOS Todos los ejemplos se han realizado siguiendo el siguiente esquema general:
- Se introducen en Ia cámara de alta presión y temperatura un juego de punzones de WC, un juego de juntas de alta presión y una cápsula de reacción debidamente ajustados. A continuación se somete a presión hidráulica Ia máquina de alta presión, hasta el valor necesario previamente calibrado. Se aumenta Ia temperatura del interior de Ia cápsula mediante potencia eléctrica hasta un valor apropiado. Se mantiene dicha potencia durante un tiempo programado. Finalmente, se baja Ia temperatura y Ia presión, finalizando el ciclo. A continuación se extrae Ia cápsula, se abre y se observan los productos.
EJEMPLOS 1-5
Para el crecimiento de cristales amarillos tipo Ib se emplea Ia cápsula de Ia figura 3, que consta de los siguientes elementos específicos:
1. Punzón de carburo de wolframio 2. Junta de alta presión
3. Carcasa de Ia cápsula 4. Tapa perforada inferior
5. Electrodo de molibdeno
8. Tubo de grafito
9. Fuente de carbono
10. Metal disolvente
12. Semilla de diamante
13. Aislamiento
17. Disco calefactor superior
18. Disco calefactor interior
19. Disco matriz
20. Placa de platino 21 Disco de molibdeno
Se ajusta el gradiente de temperatura entre 10 y 5O0C y se emplea como fuente de carbono grafito cristalino. Los resultados se exponen en Ia tabla 1.
Todos los cristales se caracterizan por ser de color amarillo y forma del cristal octaédrica o cubo octaédrica. La concentración de nitrógeno está entre 50 y 150 ppm. Las inclusiones metálicas se concentran en Ia zona de Ia semilla inicial.
TABLA 1
Figure imgf000008_0001
EJEMPLO 6
Se emplea como fuente de carbono diamante sintético en polvo. Las condiciones son iguales a las del ejemplo 1. Tras 85 horas de mantenimiento se obtiene un cristal de 3,6 quilates con una concentración de nitrógeno de 120 ppm.
EJEMPLOS 7-11
Para el crecimiento de cristales ligeramente coloreados se emplean Ia cápsula de Ia figura 6, que consta de los siguientes elementos:
8. Tubo de grafito 9. Fuente de carbono
10. Metal solvente
12. Semilla de diamante
13. Aislante
17. Disco calefactor superior 18. Disco calefactor inferior
21. Disco de molibdeno
22. Membrana permeable de altura H
23. Superficie c. inferior 24 Placa de Pt
Se ajusta el gradiente de temperatura entre 10 y 400C y se emplea como fuente de carbono grafito cristalino. El color de los cristales de diamante se regula mediante el grosor, H, de Ia membrana 22 y Ia cantidad de captador presente en Ia mezcla 23.
Se han obtenido cristales hasta 5'5 quilates en peso y diferentes coloraciones. En todos los cristales se encuentran inclusiones metálicas en Ia zona de Ia semilla. Tales inclusiones no impiden su aplicación comercial. La cápsula de Ia figura 6 Los resultados se exponen en Ia tabla 2.
TABLA 2
Figure imgf000009_0001
Figure imgf000010_0001
*Relaclón en % entre ei peso del captador Wg, y el disolvente, Wd: Wg/Wd.100 **G.I.A. Gemmological ¡nstitute of America
EJEMPLOS 12 Y 14
Para el crecimiento de cristales blancos se emplea Ia cápsula de Ia figura 6.
Se ajusta el gradiente de temperatura entre 10 y 3O0C y se emplea como fuente de carbono grafito cristalino.
El color de los cristales de diamante se regula mediante el grosor H de Ia membrana 22 y Ia cantidad de captador presente en Ia mezcla 23. El captador empleado ha sido Ti y Al. La velocidad de crecimiento se ha ajustado entre 2 y 8 mg/h. Se han obtenido cristales blancos hasta 1'8 quilates validos para aplicaciones decorativas. En todos los cristales se encuentran inclusiones metálicas en Ia zona de Ia semilla. Los resultados se exponen en Ia tabla 3.
TABLA 3
Figure imgf000010_0002
*Relación en % entre el peso del captador, Wg, y el del disolvente, ** G.I.A. Gemmological Institute of America
EJEMPLOS 15 Y 16
Para el crecimiento de cristales azules se emplea Ia cápsula de Ia figura 6. Se emplean los mismos parámetros de presión y temperatura y gradiente de los ejemplos 12-14. Se introduce entre 1 y 60 ppm de B en el metal disolvente. Se obtienen cristales de distinto color azul. Los resultados se exponen en Ia tabla 4. TABLA 4
Figure imgf000011_0001

Claims

REIVINPICACIONES
1a.- Cápsula de reacción y elementos para Ia producción de síntesis del diamante que, mediante el método de gradiente de temperatura, se caracteriza porque en Ia cápsula se utilizan unos discos calefactores en los extremos de Ia zona de calefacción, para obtener el gradiente vertical de temperatura que constan de un material aislante eléctrico (ZrO2O3, AI2O3, otros óxidos refractarios), un material conductor eléctrico (grafito, W, Mo, otros metales refractarios), un material intermedio que hace de plastificador (NaCI, CsCI, otras sales, MoO, otros óxidos refractarios). Estos tres componentes se mezclan en forma pulverulenta en Ia siguiente proporción porcentual en peso: 50-40; 5-20; 50-40, respectivamente. El gradiente óptimo se obtiene mediante las siguientes variables: Composición del disco calefactor; grosor, tamaño, forma y posición de los cristales eléctricos. Como norma Ia resistencia eléctrica del disco calefactor inferior debe ser menor que Ia del superior.
2a.- Cápsula de reacción y elementos para Ia producción de síntesis del diamante que, de acuerdo con Ia reivindicación 1 , se emplea una fuente de carbono (grafito, carbono amorfo, diamante u otro), con una geometría formada por huecos cilindricos y cónicos, que minimiza Ia cantidad de metal disolvente necesario. Dicho disolvente se introduce en Ia cápsula en forma de aleación comercial sólida, con un mínimo contenido en gases.
3a.- Cápsula de reacción y elementos para Ia producción de síntesis del diamante, que de acuerdo con Ia reivindicaciones anteriores, se caracteriza porque se emplea un captador de nitrógeno (Al, Ti, Hf y otros) fuera de Ia zona de crecimiento del diamante, evitándose de esta manera Ia formación de nitruros, carburos, óxidos u otras fases indeseables para el crecimiento del diamante. Las fases de que consta son las siguientes:
- El captador de nitrógeno (Al, Ti, Hf y otros) en forma de polvo se mezcla con material aislante (AI2O3 , ZrO2, MgO, otros óxidos refractarios); las proporciones de esta mezcla permiten el control de Ia coloración de los cristales del diamante; y una membrana permeable permite también Ia regulación del color del diamante (fijación del nitrógeno). 4a.- Cápsula de reacción y elementos para Ia producción de síntesis del diamante, que de acuerdo con Ia reivindicaciones anteriores, se caracteriza porque el proceso de producción de síntesis de monocristales de diamante se realiza introduciendo en Ia máquina de alta presión y temperatura, un juego de punzones de WC, un juego de juntas de alta presión y una cápsula de reacción debidamente ajustados. A continuación se somete a presión hidráulica Ia máquina de alta presión hasta el valor necesario previamente calibrado entre 4,5 GPa y 6,5 GPa. Se aumenta Ia temperatura del interior entre 1350 0C y 1650 0C, de Ia cápsula mediante potencia eléctrica hasta un valor apropiado. Se mantiene dicha potencia durante un tiempo programado. Finalmente, se baja Ia temperatura y Ia presión finalizando el ciclo. A continuación se extrae Ia cápsula, se abre y se observan los productos.
5a.- Cápsula de reacción y elementos para Ia producción de síntesis del diamante, que de acuerdo con Ia reivindicaciones anteriores, se caracteriza porque todos los cristales de diamante Ib son de color amarillo y forma de cristal octaédrica o cubo octaédrico, con una concentración de nitrógeno comprendido entre 50 y 150 ppm; velocidad de crecimiento más de 7 mg/h y peso de los cristales más de 3 quilates.
6a.- Cápsula de reacción y elementos para Ia producción de síntesis del diamante, que de acuerdo con las reivindicaciones anteriores, se caracteriza porque todos los cristales de diamante ligeramente coloreados, el color del cristal se regula mediante el grosor de Ia membrana y Ia cantidad de captador presente en Ia mezcla, obteniéndose cristales mayores de 1,0 quilates en peso.
7a.- Cápsula de reacción y elementos para Ia producción de síntesis del diamante, que de acuerdo con Ia reivindicaciones anteriores, se caracteriza porque se ha obtenido cristales blancos válidos para aplicaciones decorativas, cuyo color se regula mediante el grosor de Ia membrana y Ia cantidad de captador presente en Ia mezcla, que está formado de Ti y Al.
8a.- Cápsula de reacción y elementos para Ia producción de síntesis del diamante, que de acuerdo con las reivindicaciones anteriores, se caracteriza porque en Ia obtención de cristales azules se emplean los mismos parámetros que para cristales blancos, con Ia particularidad de incluir distintas ppm de boro, al objeto de conseguir distintos colores azules hasta el azul opaco.
PCT/ES2005/000462 2005-02-21 2005-08-16 Cápsula y elementos para la producción de síntesis del diamante WO2006082257A1 (es)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AT05790140T ATE536931T1 (de) 2005-02-21 2005-08-16 Kapsel und elemente für die herstellung von synthetischen diamanten
US11/816,075 US8057597B2 (en) 2005-02-21 2005-08-16 Capsule and elements for synthesised diamond production
JP2007555644A JP2008529781A (ja) 2005-02-21 2005-08-16 合成ダイヤモンド製造用カプセル及び要素
EP05790140A EP1889656B1 (en) 2005-02-21 2005-08-16 Capsule and elements for synthesised diamond production

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
ES200500386A ES2258919B2 (es) 2005-02-21 2005-02-21 Capsula y elementos para la produccion de sintesis del diamante.
ESP200500386 2005-02-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2006082257A1 true WO2006082257A1 (es) 2006-08-10

Family

ID=36776987

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/ES2005/000462 WO2006082257A1 (es) 2005-02-21 2005-08-16 Cápsula y elementos para la producción de síntesis del diamante

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8057597B2 (es)
EP (1) EP1889656B1 (es)
JP (1) JP2008529781A (es)
AT (1) ATE536931T1 (es)
ES (1) ES2258919B2 (es)
WO (1) WO2006082257A1 (es)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120312227A1 (en) * 2011-06-10 2012-12-13 Gemesis Diamond Company Multi-heater system for growing high quality diamond and a method for growing the same
US20130266678A1 (en) * 2012-04-09 2013-10-10 Smith International, Inc. Thermal insulation layer and pressure transfer medium for high pressure high temperature cell
CN107115825A (zh) * 2017-06-28 2017-09-01 河南省力量钻石股份有限公司 一种宝石级大单晶金刚石多腔体合成结构及其制备方法和应用

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102600766B (zh) * 2012-03-30 2014-03-05 常熟市怡华金刚石有限公司 一种六面顶压机合成宝石级金刚石的方法
CN102600768B (zh) * 2012-03-30 2014-03-05 常熟市怡华金刚石有限公司 一种六面顶压机高温高压人工单晶合成中的间接加热式合成装配
US9586376B2 (en) 2012-04-09 2017-03-07 Smith International, Inc. High pressure high temperature cell
GB201513453D0 (en) * 2015-07-30 2015-09-16 Element Six Uk Ltd And Element Six Technologies Ltd Capsule assemblies for ultra-high pressure presses and methods for using them
GB201513446D0 (en) * 2015-07-30 2015-09-16 Element Six Uk Ltd And Element Six Technologies Ltd Capsule assemblies for ultra-high pressure presses and methods for using them
CN111992139A (zh) * 2020-08-07 2020-11-27 邓炎 一种双碳源合成人造金刚石制备装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4147255A (en) * 1976-10-27 1979-04-03 Hiroshi Ishizuka Process for synthesizing diamonds
US4301134A (en) * 1973-11-02 1981-11-17 General Electric Company Novel diamond products and the manufacture thereof
US6030595A (en) * 1993-10-08 2000-02-29 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Process for the production of synthetic diamond

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL258431A (es) * 1959-11-27
US3407445A (en) * 1966-03-02 1968-10-29 Gen Electric High pressure reaction vessel for the preparation of diamond
US4409193A (en) * 1981-03-06 1983-10-11 National Institute For Researches In Inorganic Materials Process for preparing cubic boron nitride
US4632817A (en) * 1984-04-04 1986-12-30 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of synthesizing diamond
JP4291886B2 (ja) * 1994-12-05 2009-07-08 住友電気工業株式会社 低欠陥ダイヤモンド単結晶及びその合成方法
US7101433B2 (en) * 2002-12-18 2006-09-05 General Electric Company High pressure/high temperature apparatus with improved temperature control for crystal growth

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4301134A (en) * 1973-11-02 1981-11-17 General Electric Company Novel diamond products and the manufacture thereof
US4147255A (en) * 1976-10-27 1979-04-03 Hiroshi Ishizuka Process for synthesizing diamonds
US6030595A (en) * 1993-10-08 2000-02-29 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Process for the production of synthetic diamond

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
WAKATSUKI M. ET AL.: "Growth of a diamond with Zr-containing molten metal solvents and metal elements as incorporated impurities", DIAMOND AND RELATED MATERIALS, vol. 8, August 1999 (1999-08-01), pages 1438 - 1440, XP004253960 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120312227A1 (en) * 2011-06-10 2012-12-13 Gemesis Diamond Company Multi-heater system for growing high quality diamond and a method for growing the same
US20130266678A1 (en) * 2012-04-09 2013-10-10 Smith International, Inc. Thermal insulation layer and pressure transfer medium for high pressure high temperature cell
CN107115825A (zh) * 2017-06-28 2017-09-01 河南省力量钻石股份有限公司 一种宝石级大单晶金刚石多腔体合成结构及其制备方法和应用

Also Published As

Publication number Publication date
ES2258919B2 (es) 2007-04-01
US8057597B2 (en) 2011-11-15
ATE536931T1 (de) 2011-12-15
JP2008529781A (ja) 2008-08-07
EP1889656A1 (en) 2008-02-20
EP1889656B1 (en) 2011-12-14
EP1889656A4 (en) 2010-12-29
US20110132256A1 (en) 2011-06-09
ES2258919A1 (es) 2006-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2006082257A1 (es) Cápsula y elementos para la producción de síntesis del diamante
Epelbaum et al. Natural growth habit of bulk AlN crystals
ES2675029T3 (es) Producción de fosfuro de boro mediante reducción de fosfato de boro con un metal alcalinotérreo
CN107955969A (zh) 一种持续供料的SiC单晶生长系统
US20140363675A1 (en) Silicon carbide powder and method for manufacturing the same
KR19990062687A (ko) 불화칼슘 결정의 제조방법 및 원료의 처리방법
CN103620094A (zh) SiC单晶体的制造装置以及SiC单晶体的制造方法
EP2336400A2 (en) CdTe single crystal and CdTe polycrystal, and method for producing the same
KR102017951B1 (ko) 납 할로겐화물 페로브스카이트 양자점의 발광파장 변환방법
CN101348939A (zh) 一种提高砷化镓单晶利用率的生长方法
TWI265159B (en) High purity ZrB2 powder and method for production thereof
CN104080885B (zh) 荧光体、其制备方法及其用途
JP2010150052A (ja) サファイア単結晶育成装置
ES2595084T3 (es) Dióxido de zirconio, uso de dióxido de zirconio y procedimiento para la fabricación de un producto refractario
CN109208079A (zh) 一种钙铝石型半导体材料的制备方法
CN207478528U (zh) 一种双碳源合成人造金刚石制备装置
JP6990136B2 (ja) 炭化ケイ素粉末
CN113788480A (zh) 一种高纯碳化硅制备方法及对应的高纯碳化硅
CN106149053A (zh) 一种导模法生长高灵敏度热释光掺碳蓝宝石晶体的方法
KR100538360B1 (ko) 흑색 큐빅상 지르코니아 단결정의 제조방법
RU2469952C1 (ru) Способ получения алмазов
CN115386956B (zh) 一种移动熔剂浮区法生长钆镓石榴石晶体的方法
KR101303130B1 (ko) GaAs 잉곳 제조장치
JP4983776B2 (ja) サファイア単結晶育成装置
CN115041099B (zh) 一种金刚石合成块和金刚石的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007555644

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

DPE2 Request for preliminary examination filed before expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101)
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2005790140

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2005790140

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11816075

Country of ref document: US