WO2007086229A1 - 光源装置、表示装置 - Google Patents

光源装置、表示装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2007086229A1
WO2007086229A1 PCT/JP2006/326064 JP2006326064W WO2007086229A1 WO 2007086229 A1 WO2007086229 A1 WO 2007086229A1 JP 2006326064 W JP2006326064 W JP 2006326064W WO 2007086229 A1 WO2007086229 A1 WO 2007086229A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light emitting
light source
source device
resist layer
white
Prior art date
Application number
PCT/JP2006/326064
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Toyomi Fujino
Masaru Fujii
Hiroyuki Fukasawa
Original Assignee
Sony Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corporation filed Critical Sony Corporation
Priority to US11/909,033 priority Critical patent/US7728343B2/en
Priority to EP06843446.3A priority patent/EP1978566A4/en
Publication of WO2007086229A1 publication Critical patent/WO2007086229A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape

Definitions

  • the present invention relates to a light source device provided with a light emitting element such as a light emitting diode as a light source, and is suitably applied to an illumination light source device for obtaining a surface light source of a desired color (white or other colors) It is.
  • the present invention also relates to a display device provided with a light source device that illuminates the display unit from the back.
  • the light extraction efficiency from the light emitting diode chip is largely affected by the components around the light emitting diode chip.
  • connection between the electrode on the substrate and the chip of the light emitting diode can be made by arranging the package of the light emitting diode on the substrate, or by directly mounting the chip of the light emitting diode on the substrate by an antenna or the like.
  • a form in which the chip is sealed by forming a transparent resin by covering the chip of the light emitting diode and connecting it to the light emitting diode see, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2). It can be mentioned.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-229498
  • the present invention provides a light source device capable of improving the light extraction efficiency of a light emitting element, and a display device provided with the light source device.
  • the light source device of the present invention comprises a substrate having at least one pair of electrodes, one or more light emitting elements, and a transparent resin for sealing the light emitting elements, and a white resist layer is formed on the substrate.
  • the white resist layer is formed to cover a part of the electrode and has an opening at least on the light emitting element and its vicinity and on the terminal of the electrode, and the transparent resin is formed on the white resist layer.
  • a white or transparent member is formed to control the shape of the
  • the white resist layer is formed on the substrate having at least one pair of electrodes, so that the reflectance of the white resist layer is high.
  • the reflectance of the white resist layer is high.
  • the white resist layer has an opening on the light emitting element and in the vicinity thereof and on the terminal of the electrode, it is possible to electrically connect the terminal of the electrode to the light emitting element through the opening of the white resist layer. It has become.
  • the light source device of the present invention comprises a substrate having at least one pair of electrodes, one or more light emitting elements, and a transparent resin for sealing the light emitting elements, and a white resist layer is formed on the substrate.
  • the white resist layer has an opening around the transparent resin, and also serves as a member for controlling the shape of the transparent resin.
  • the reflectance of the white resist layer is high by forming the white resist layer on the substrate, so the reflectance in the transparent resin is improved.
  • light can be efficiently emitted to the outside of the transparent resin.
  • the white resist layer has an opening around the transparent resin and also serves as a member for controlling the shape of the transparent resin, the shape of the transparent resin during the manufacture of the light source device can be obtained by the white resist layer. It is possible to control and form in a predetermined shape.
  • the display device of the present invention further comprises a display unit for displaying an image, and a light source device for illuminating the display unit from the back side, and the light source device is the configuration of the light source device of the present invention. It is a thing.
  • the light source device that illuminates the display unit from the back side is the configuration of the light source device of the present invention, thereby efficiently emitting light out of the transparent resin. Therefore, it is possible to secure sufficient luminance of the image displayed on the display unit.
  • the transparent resin can be formed into a predetermined shape by controlling the shape of the transparent resin at the time of manufacture, it is possible to make the transparent resin into a shape such as a spherical shape or the like with little internal reflection. Light can be efficiently emitted out of the resin.
  • the brightness of the emitted light can be sufficiently ensured.
  • the luminance of the emitted light can be sufficiently ensured, it is possible to obtain the same luminance as the conventional configuration even with less energy.
  • the number of light emitting elements can be reduced to save space and reduce the cost of parts. become.
  • the display device of the present invention since it is possible to sufficiently ensure the luminance of the image displayed on the display unit, it is possible to display the image with less energy than conventional. .
  • the display device it is possible to achieve energy saving such as reduction of power consumption and long life.
  • FIG. 1 A, B A schematic configuration view of a main part of an embodiment of a light source device of the present invention.
  • FIG. 2 A, B It is a schematic block diagram of the principal part of the form which deform
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the main part of the embodiment of the light source device of the present invention.
  • FIG. 4 It is sectional drawing of the principal part of the form which deform
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the main parts of the embodiment of the light source device according to the present invention.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the main part of a mode in which the mode of FIG. 5 is modified.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the main parts of the embodiment of the light source device according to the present invention.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of the main parts of a mode in which the mode of FIG. 7 is modified.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of the main parts of the embodiment of the light source device according to the present invention.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of the main part of a mode in which the mode of FIG. 9 is modified.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of the main parts of the embodiment of the light source device according to the present invention.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of the main part of a mode in which the mode of FIG. 11 is modified.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of the main parts of the embodiment of the light source device according to the present invention.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view of the main parts of the embodiment of the light source device according to the present invention.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view of the main part of a mode in which the mode of FIG. 14 is modified.
  • FIG. 16 is a schematic configuration diagram of a main part of the embodiment of the light source device of the present invention.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view of the main part of a mode in which the mode of FIG. 16 is modified.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view of the main parts of the embodiment of the light source device according to the present invention.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view of the main parts of the embodiment of the light source device according to the present invention.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view of the main parts of the embodiment of the light source device according to the present invention.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view of the main parts of the embodiment of the light source device according to the present invention.
  • FIG. 22 is a schematic configuration diagram of a main part of the embodiment of the light source device of the present invention.
  • FIG. 23 is an enlarged plan view of a state in the middle of manufacturing the light source device of FIG. 22.
  • FIG. 24 is a cross-sectional view of the main parts of the embodiment of the light source device according to the present invention.
  • FIG. 25 is a cross-sectional view of the main parts of the embodiment of the light source device according to the present invention.
  • FIG. 26 is a schematic configuration view (disassembled perspective view) of an embodiment of a color liquid crystal display device provided with a light source device as a backlight light source.
  • FIG. 27 shows reflection spectral distributions of the example of the light source device and the comparative example.
  • a light source device having a configuration in which a chip of a light emitting element is sealed with a transparent resin using a chip of a light emitting element such as a light emitting diode
  • the light extraction efficiency from the chip to the outside of the light emitting element is described above. As such, it is affected by the components around the chip.
  • a white resist layer is formed on a substrate having at least one pair of electrodes so as to cover a part of the electrodes, and at least a light emitting element of this white resist layer and its vicinity, and electrodes
  • the light source device is configured by providing an opening on the terminal and forming a white or transparent member for controlling the shape of the transparent resin on the white resist layer.
  • a white resist layer instead of forming a white or transparent member, a white resist layer has an opening around the transparent resin and constitutes a light source device which doubles as a member for controlling the shape of the transparent resin.
  • the reflectance of the white resist layer is high, so the reflectance inside the transparent resin is improved, and the outside of the transparent resin is formed. Light can be emitted efficiently.
  • the white resist layer has an opening on the light emitting element and in the vicinity thereof and on the terminal of the electrode, the terminal of the electrode and the light emitting element are electrically connected through the opening of the white resist layer. It is possible.
  • this member controls the shape of the transparent resin at the time of manufacture of the light source device to obtain a predetermined shape. It is possible to form in shape.
  • the member is hardly absorbed by the member because the member is white or transparent, so from this point as well, the emitted light is efficiently used.
  • the brightness of the emitted light can be sufficiently ensured.
  • the luminance of the emitted light can be sufficiently ensured, it is possible to obtain the luminance equivalent to that of the conventional configuration even with less energy. Therefore, energy saving such as reduction of the power consumption of the light source device It is possible to improve the life span.
  • a white resist for example, a resist containing white titanium oxide, a solder resist made by Tamura Kaken Co., Ltd., FINEDEL DSR-330S42-13W (trade name), etc. It can be used.
  • a white film by silk screen printing or a white film by mark printing can be used.
  • thermosetting type marking ink manufactured by Solar Ink Mfg. Co., Ltd.
  • development type marking ink It is possible to use a white mark ink material such as Photographer PMR-6000 W30 / CA-40 G30 (trade name).
  • a transparent film obtained by applying a water repellent Z oil repellent ink containing a transparent fluorine material by pad printing can be used.
  • a material of the transparent film formed by such printing and application for example, it is possible to use a water- and oil-repellent treatment agent FS-1010 Z-10 (trade name) manufactured by Fluorotechnologies One.
  • the white resist layer is formed by laminating two or more resist layers, the white resist layer can be formed thick to improve the reflectance.
  • a thick white resist layer by laminating two or more resist layers, a sufficient thickness can be formed, and each resist layer can be rapidly cured.
  • the white resist layer when the white resist layer is formed by further laminating two resist layers, the area and the position of the opening in the vicinity of the light emitting element are made different between the upper layer and the lower layer. It is possible to improve the reflectance in the shape characteristics of When the area of the opening in the vicinity of the light emitting element is made larger in the upper layer than in the lower layer, the edge of the upper layer recedes from the edge of the lower layer, and the cross section becomes stepwise. This opened up Because of the shape, it is easy to reflect light upward.
  • the edge of the upper layer covers the edge of the lower layer, and the corner on the surface side is rounded. Even in this case, the light is easily reflected upward because the shape is opened upward.
  • the upper layer on one side in the direction in which the positions of the openings deviate.
  • the edge of the lower edge recedes the edge of the lower layer, and on the other side the edge of the upper layer covers the edge of the lower layer.
  • the difference in the position of the opening between the upper layer and the lower layer reduces the area in the vicinity of the light emitting element which is not covered by either the upper layer or the lower layer, so that the reflectance near the light emitting element can be further improved. It becomes a trap.
  • the opening in the vicinity of the light emitting element of the entire white resist layer or each resist layer is formed as an inclined surface opened upward. Similarly, it is possible to make it easy to reflect light upward.
  • the light emitting element is a bottom emission type light emitting element (where the light emitting layer is below the element)
  • the light emitting element is mounted with a gap from the electrode surface on the substrate by bump connection.
  • the top surface of the white resist layer is disposed below the light emitting layer of the light emitting element.
  • the white resist layer enters under the light emitting layer, so that the light emitted downward from the light emitting layer is reflected upward.
  • the reflectance can be further improved.
  • the light emitting element is a top emission light emitting element
  • the upper layer is made larger than the lower layer in the area of the opening in the vicinity of the light emitting element in the two resist layers described above. Similar effects can be obtained.
  • an identification material for recognizing the position when connecting the light emitting element to the electrode of the substrate is further formed in a portion under the light emitting element of the electrode, or a transparent resin.
  • the identification material When the identification material is formed in the lower part of the light emitting element of the electrode, after the light emitting element is mounted, the identification material is hidden in the chip of the light emitting element, so that the emitted light hits the identification material. Even in the case of forming on the surface of the substrate outside the transparent resin, the identification material is far from the light emitting element, so that the emitted light hits the identification material.
  • the marking ink etc. used for the above-mentioned white member can be used, but as the identification material, it is not necessary to use the white marking ink. You may use the marking ink of.
  • the use of a marking ink other than white can be more easily identified.
  • the corner of the electrode in the opening of the white resist layer as an identification material. Also in this case, after mounting the light emitting element, make sure that the corner of the electrode is hidden in the chip of the light emitting element.
  • the light-emitting element is a light-emitting element having different light emitting element powers different from each other in at least two types including red, and the opening of the white resist layer inside the transparent resin sealing the red light-emitting element.
  • the reflectance for light of wavelengths near the light emitting color is higher in the white resist layer than in the electrode material, so the opening of the white resist layer is narrowed. It is desirable to form in.
  • the wavelength dependency of the reflectance is compared between gold, silver, and copper used as a metal material for an electrode.
  • Gold has a high reflectance to light in the wavelength near red, but the reflectance falls to about 75% to light in the wavelength near green, and falls below 40% to light in the wavelength near blue. Ru.
  • Silver has a high reflectance to all visible light.
  • Copper has a high reflectance for light of wavelengths in the vicinity of red, and the reflectance decreases to about 0% at wavelengths near green, and gradually decreases from the wavelength near green to the wavelength near blue. Reflectivity is decreasing.
  • the reflectance for wavelengths near blue is about 55% higher than gold.
  • a transparent water repellent paint for example, as a water repellent on the white resist layer or the white member.
  • the substrate on which the white resist layer is formed may be an integral substrate for the entire light source device.
  • a plurality of (relatively small) substrates on which a predetermined number of light emitting elements are provided are arranged at regular intervals. You may configure the light source device by.
  • the arrangement of the light emitting elements is not particularly limited. For example, if light emitting elements of the same luminescent color are arranged at fixed intervals, the arrangement of the wiring and the electrodes and the color distribution uniformity become equal.
  • FIGS. 1A and 1B schematic configuration diagrams of the main parts of a light source device are shown in FIGS. 1A and 1B.
  • FIG. 1A is a sectional view
  • FIG. 1B is a plan view.
  • a pair of electrodes 2 and 3 are formed on a substrate 1, and a light emitting diode chip 4 connected to the electrodes 2 and 3 is sealed in a transparent resin 7. It is done.
  • a light emitting diode chip 4 is disposed on one electrode 2 and electrically connected to the electrode 2. Further, the tip 4 and the other electrode 3 are electrically connected by the wire 5.
  • the transparent resin 7 is in the form of a dome whose upper surface is spherical!
  • the white resist layer 6 is formed on the substrate 1.
  • the white resist layer 6 has an opening in the vicinity of the terminal of the electrode 3 connected to the chip 4 of the light emitting diode or the wire 5 and covers the electrodes 2 and 3 in the portion other than the opening.
  • the opening is rectangular as shown in FIG. 1B.
  • the wall 6A of the opening is in the vicinity of the tip 4 and the terminal of the electrode 3.
  • the white mark ink material 8 is provided around the transparent resin 7, and the shape of the transparent resin 7 is controlled by the white mark ink material 8. Is configured to
  • the white mark ink material 8 can be formed, for example, by a printing method such as silk screen printing.
  • the above-mentioned marking ink can be used.
  • the material of the substrate 1 is not particularly limited, and may be a normal printed substrate or the like, but the substrate 1 can be obtained by using a white substrate using a pre-predator material such as a glass epoxy copper clad laminate. It is possible to improve the reflectivity of itself.
  • white resist layer 6 is formed on substrate 1. Since the white resist layer 6 covers the electrodes 2 and 3 except for the openings, the reflection on the substrate 1 side is reflected as compared with the case where the electrodes 2 and 3 directly face the transparent resin 7. Rates can be increased.
  • the light emitted upward from the transparent resin 7 can be increased to improve the light utilization efficiency.
  • the white mark ink material 8 is provided around the transparent resin 7, and the shape of the transparent resin 7 is controlled by the white mark ink material 8.
  • the light emitted from the light emitting diode can be reduced by reducing the absorption of light by the member, as compared to the member such as non-white resin that is conventionally used to control the shape of the transparent resin. Can be reflected a lot.
  • the white mark ink material 8 has the same reflectance as the white resist layer 6, the reflectance around the transparent resin 7 can be increased.
  • the light source device 10 of the present embodiment light can be efficiently emitted to the outside of the transparent resin 7, so that the luminance of the emitted light can be sufficiently ensured.
  • FIGS. 2A and 2B show schematic configurations of the main parts of a light source device in which the light source device 10 shown in FIG. 1 is partially deformed.
  • the white mark ink material 8 is formed in a ring shape only around the transparent resin 7.
  • the shape of the transparent resin 7 can be controlled by the white mark ink material 8.
  • the white mark ink material 8 is present around the transparent resin 7, light absorption by the members is As a result, the light emitted from the light emitting diode can be reflected a lot.
  • the white resin layer 8 does not contribute to the reflectance and the white resist layer 6 only has a thickness other than the area around the transparent resin 7. , The reflectivity of this part is slightly lower.
  • the material cost of the white mark ink material 8 can be reduced.
  • the other configuration is the same as that of the light source device 10 shown in FIG. 1, and thus the redundant description will be omitted.
  • FIG. 3 shows a schematic configuration diagram (cross-sectional view) of the main part of the light source device.
  • the white resist layer 6 is formed by laminating two resist layers 61 and 62.
  • the white resist layer 6 As described above, by forming the white resist layer 6 by laminating the two resist layers 61 and 62, it becomes easy to form the white resist layer 6 thick.
  • one resist layer is formed thick, it becomes difficult for the exposure light to reach the lower part of the resist layer, so that the resist layer is hardened. For this reason, it takes time for curing, or it may be necessary to irradiate strong exposure light to prevent development residue. Therefore, there is a limit to thickening one resist layer.
  • a thick white resist layer 6 by laminating two or more resist layers 61, 62, a sufficient thickness can be formed, and each resist layer 61, 62 is cured quickly. be able to.
  • the wall surfaces 6A of the openings are substantially integrated.
  • the other configuration is the same as that of the light source device 10 shown in FIG. 1, and therefore redundant description will be omitted.
  • FIG. 4 shows a schematic configuration diagram (cross-sectional view) of the main part of a form of a light source device obtained by partially modifying the light source device 12 shown in FIG.
  • the light source device 13 shown in FIG. 4 is white as the light source device 11 shown in FIGS. 2A and 2B.
  • a mark ink material 8 is formed in a ring shape only around the transparent resin 7.
  • the other configuration is the same as that of the light source device 12 shown in FIG.
  • FIG. 5 shows a schematic configuration diagram (cross-sectional view) of the main part of the light source device.
  • the white resist layer 6 is formed by laminating the two resist layers 61 and 62, and further, the white mark ink material 8 is laminated by the two ink layers 81 and 82. It is formed.
  • the two layers of ink materials 81 and 82 are formed in the same plane pattern.
  • the white resist layer 6 By forming the white resist layer 6 by laminating the two resist layers 61 and 62, it becomes easy to form the white resist layer 6 thick.
  • the white mark ink material 8 can be formed thick by forming the white mark ink material 8 by laminating the two ink materials 81 and 82.
  • FIG. 6 shows a schematic configuration diagram (cross-sectional view) of main parts of a form of a light source device obtained by partially modifying the light source device 14 shown in FIG.
  • the white mark ink material 8 is formed in a ring shape only around the transparent resin 7.
  • the other configuration is the same as that of the light source device 14 shown in FIG.
  • FIG. 7 shows a schematic block diagram (cross-sectional view) of the main part of the light source device.
  • the upper resist layer 62 of the force two layers forming the white resist layer 6 by laminating the two resist layers 61 and 62 is the inside of the transparent resin 7. Only formed.
  • the opening around the chip 4 of the light emitting diode is formed at the same position by the lower resist layer 61 and the upper resist layer 62.
  • the white resist layer 6 is formed thick by forming the white resist layer 6 by laminating two resist layers 61 and 62, and the white resist layer 6 is formed. Can increase the reflectance of
  • the upper resist layer 62 is not formed outside the transparent resin 7, the upper resist layer 62 is not formed. The material cost of the upper resist layer 62 can be reduced.
  • FIG. 8 shows a schematic configuration diagram (cross-sectional view) of main parts of a form of a light source device obtained by partially modifying the light source device 16 shown in FIG.
  • a white mark ink material 8 is formed in a ring shape only around the transparent resin 7 as in the light source device 11 shown in FIGS. 2A and 2B.
  • the other configuration is the same as that of the light source device 16 shown in FIG.
  • FIG. 9 shows a schematic configuration diagram (cross-sectional view) of the main part of the light source device.
  • the white resist layer 6 is formed by laminating two resist layers 61 and 62, and the upper resist layer 62 of the two force layers forms the outer periphery of the transparent resin 7. An opening is also formed in the vicinity.
  • the opening near the outer periphery of the transparent resin 7 of the upper resist layer 62 is formed in a ring shape along the outer periphery of the transparent resin 7.
  • the inner wall 8A of the white mark ink material 8 recedes to the outside from each of the above-described embodiments, and the opening near the outer periphery of the transparent resin 7 of the upper resist layer 62. Rather, the inner wall 8A is formed outside. This is so that even if the positional relationship between the white resist layer 6 (61, 62) and the white black ink material 8 is formed out of position by a predetermined positional force, the white mark ink material 8 does not protrude inside.
  • the shape of the transparent resin 7 can be controlled also by this opening which is made only with the white mask material 8. .
  • FIG. 10 shows a schematic configuration diagram (cross-sectional view) of main parts of a form of a light source device obtained by partially modifying the light source device 18 shown in FIG.
  • a white mark ink material 8 is formed in a ring shape only around the transparent resin 7.
  • the other configuration is the same as that of the light source device 18 shown in FIG.
  • FIG. 11 shows a schematic configuration view (cross-sectional view) of main parts of a light source device.
  • the white mark ink material 8 is also formed inside the transparent resin 7.
  • the white mark ink material 8 inside the transparent resin 7 is formed in a ring shape along the outer periphery of the transparent resin 7.
  • the white mark ink material 8 is also formed inside the transparent resin 7, the white mark ink material 8 having a high reflectance is used to set the reflectance of the transparent resin 7 inside the substrate 1 side. It can be further enhanced.
  • FIG. 12 shows a schematic configuration diagram (cross-sectional view) of main parts of a form of a light source device obtained by partially modifying the light source device 20 shown in FIG.
  • the white mark ink material 8 is formed in the shape of a peripheral scaly ring of the transparent resin 7 similarly to the light source device 11 shown in FIGS. 2A and 2B.
  • the other configuration is the same as that of the light source device 20 shown in FIG.
  • FIG. 13 shows a schematic configuration diagram (cross-sectional view) of main parts of a light source device.
  • the white resist layer 6 is formed only on the outside of the transparent resin 7 by forming the white resist layer 6 by laminating two resist layers 61 and 62. Instead, a white mark ink material 8 is formed inside the transparent resin 7.
  • the white mark ink material 8 is not formed outside the transparent resin 7.
  • the present embodiment differs from the above-described embodiments in that the shape of the transparent resin 7 is controlled by the inner wall 6A of the opening of the white resist layer 6 !.
  • the thick white mark ink material 8 can further increase the reflectance on the substrate 1 side inside the transparent resin 7. Can.
  • FIG. 14 shows a schematic block diagram (cross-sectional view) of the main part of the light source device.
  • a white resist layer 6 is formed by laminating two resist layers 61 and 62, and the white resist layer 6 is formed of the transparent resin 7 outside and the transparent resin 7. An opening is formed along the outer periphery of the transparent resin 7 so as to be formed on the inner side and the inner side, respectively.
  • the white mark ink material 8 is formed on the white resist layer 6 outside the transparent resin 7, and the inner wall 8 A of the white mark ink material 8 recedes to the outside, and the transparent resin 7 of the white resist layer 6 is The inner wall 8A is formed on the outer side than the opening along the outer circumference of the.
  • the white resist layer 6 By forming the white resist layer 6 by laminating the two resist layers 61 and 62 inside the transparent resin 7, it is formed thicker by the two resist layers 61 and 62, and the relative reflectance is relatively high.
  • the high white resist layer 6 can increase the reflectance of the transparent resin 7 on the substrate 1 side.
  • the shape of the transparent resin 7 is controlled by the inner wall 6A of the opening along the outer periphery of the transparent resin 7 of the white resist layer 6 and the inner wall 8A of the white mark ink material 8. .
  • FIG. 15 shows a schematic configuration diagram (cross-sectional view) of main parts of a form of a light source device in which the light source device 23 shown in FIG. 14 is partially deformed.
  • the white mark ink material 8 is formed in the shape of a peripheral scale ring of the transparent resin 7 similarly to the light source device 11 shown in FIGS. 2A and 2B.
  • the other configuration is the same as that of the light source device 23 shown in FIG.
  • FIG. 16A and FIG. 16B show schematic configuration diagrams of a main part of a light source device according to still another embodiment of the present invention.
  • FIG. 16A is a cross-sectional view
  • FIG. 16B is a plan view.
  • a light source device is configured by including light emitting diodes of two or more light emitting colors including red R.
  • a light source device is configured by including light emitting diodes of three colors of red R, green B, and blue G. Then, the chips 4 of the respective light emitting diodes are individually sealed in the transparent resin 7. Further, in the present embodiment, the chip 4R of the light emitting diode of red R is as shown in FIG. 16A and FIG. 16B. Inside the transparent resin 7, the opening of the white resist layer 6 is formed in a wide area, and the electrodes 2 and 3 face the transparent resin 7 from the opening of this wide area.
  • chip 4 (4G) of the green G light-emitting diode and chip 4 (4B) of the blue B light-emitting diode white as close to the chip 4 as in the configuration shown in FIGS. 1A and 1B.
  • the electrodes 2 and 3 are covered with a color resist layer 6.
  • the metal material of the electrodes 2 and 3 has a higher reflectance than the white resist layer 6 which has a high reflectance to light in the wavelength near red, so for the red R light emitting diode, the white resist layer is used.
  • the substrate is formed by forming the openings 6 in a large area and making the electrodes 2 and 3 face the transparent resin 7
  • the reflectance on one side can be increased.
  • the metal materials of the electrodes 2 and 3 have lower reflectance than the white resist layer 6 which has a lower reflectance to light in the wavelength near green and light in the wavelength near blue, the green G and blue B light emitting diodes
  • the reflectance of the substrate 1 side can be increased by covering the electrodes 2 and 3 with the white resist layer 6 to the vicinity of the chip 4.
  • the chip 4 (4G) of the green G light emitting diode and the chip 4 (4B) of the blue B light emitting diode have the same configuration as that of the transparent resin 7 as in the configuration shown in FIGS.
  • a white mark ink material 8 is provided inside, and the white mark ink material 8 is used to increase the reflectance on the substrate 1 side.
  • the white mark ink material 8 is formed in the shape of a peripheral seal ring of the transparent resin 7 as shown in the cross-sectional view of FIG. 17 by partially modifying the configuration shown in FIGS. 16A and 16B. As a configuration that has been
  • FIGS. 16A and 16B may be partially modified to control the shape of the transparent resin 7 by the inner wall 6A of the white resist layer 6 as in the configuration shown in FIG. .
  • FIG. 18 shows a schematic block diagram (cross-sectional view) of the main part of the light source device.
  • the white resist layer 6 is formed by laminating the two resist layers 61 and 62, and the area of the opening in the vicinity of the chip 4 of the light emitting diode is the resist of the upper layer.
  • the layer 62 is formed to be larger than the underlying resist layer 61.
  • the area of the opening in the vicinity of the chip 4 of the light emitting diode is formed so that the upper resist layer 62 is larger than the lower resist layer 61, so that the inner wall 6B of the upper resist layer 62 is the lower layer. Is recessed from the inner wall 6A of the resist layer 61, and the cross section of the white resist layer 6 (61, 62) is stepped. As a result, since the white resist layer 6 (61, 62) has a shape opened upward, it is easy to reflect light upward, so the utilization efficiency of the emitted light is further improved. Can be raised.
  • FIG. 19 shows a schematic block diagram (cross-sectional view) of the main part of the light source device.
  • the white resist layer 6 is formed by laminating two resist layers 61 and 62, and the area of the opening in the vicinity of the chip 4 of the light emitting diode
  • the layer 62 is formed to be smaller than the underlying resist layer 61.
  • the edge of the upper resist layer 62 is the lower resist
  • the corner on the surface side of the inner wall 6B of the upper resist layer 62 is rounded.
  • the white resist layer 6 (61, 62) has a shape opened upward, light can be easily reflected upward, so that the utilization efficiency of the emitted light can be further enhanced.
  • FIG. 20 shows a schematic block diagram (cross-sectional view) of main parts of a light source device.
  • the white resist layer 6 is formed by laminating two resist layers 61 and 62, and the area of the opening in the vicinity of the chip 4 of the light emitting diode
  • the layer 62 and the lower resist layer 61 are made equal, and the position of the opening is made different between the upper resist layer 62 and the lower resist layer 61.
  • the opening of the upper resist layer 62 is formed on the left side of the opening of the lower resist layer 61 in the drawing.
  • the area of the opening in the vicinity of the chip 4 of the light emitting diode is made equal between the upper resist layer 62 and the lower resist layer 61, and the opening of the upper resist layer 62 is By shifting the layer 61 on the left side of the opening in the figure, the inner wall 6B of the upper resist layer 62 recedes from the inner wall 6A of the lower resist layer 61 on the left side in the horizontal direction in the drawing. On the right side, the edge of the upper resist layer 62 covers the edge of the lower resist layer 61. As a result, since the white resist layer 6 (61, 62) has a shape opened upward on either side, the light can be easily reflected upward, and the utilization efficiency of the emitted light can be further enhanced. . Furthermore, by shifting the positions of the upper resist layer 62 and the lower resist layer 61, the upper resist layer 62 and the lower resist layer 61 are not formed. The area can be reduced to further enhance the utilization efficiency of the emitted light.
  • the opening of resist layer 62 in the upper layer is also formed by shifting the opening of resist layer 61 in the lower layer, as a whole. It can be made into the shape opened upward.
  • FIG. 21 shows a schematic block diagram (cross-sectional view) of the main part of the light source device.
  • the light source device 28 of the present embodiment is different from the light source device 27 shown in FIG. 20 in the inner wall 6A of the opening of the lower resist layer 61 and the inner wall 6B of the opening of the upper resist layer 62.
  • the deviation is also open on the upper side, and has a sloped surface.
  • the exposure mask is a special mask which is thin and directed toward the edge of the mask (or the transmittance of exposure light is high).
  • both the inner wall 6A of the opening of the lower resist layer 61 and the inner wall 6B of the opening of the upper resist layer 62 are inclined upward, the light source device 27 shown in FIG. As described above, the light can be more easily reflected upward as compared to the case of the stepped cross section, so that the utilization efficiency of the emitted light can be further enhanced.
  • FIGS. 22A and 22B show schematic configurations of the main parts of a light source device according to still another embodiment of the present invention.
  • FIG. 22A shows a cross-sectional view
  • FIG. 22B shows a plan view.
  • the chip 4 of the light emitting diode is connected to the terminals of the left and right electrodes 2 and 3 by the bumps 9 provided under the chip 4.
  • the upper surface force of the white resist layer 6 is lower than the lower surface of the tip 4. Further, the size of the opening of the white resist layer 6 is smaller than the external dimension of the chip 4, and the white resist layer 6 penetrates under the chip 4. Within the opening of white resist layer 6 The wall 6A is inward of the tip 4 in the left-right direction as well as in the front-rear direction, as shown by a chain line in FIG. 22B.
  • the upper surface force of the white resist layer 6 is lower than the lower surface of the chip 4 of the light emitting diode.
  • Light emitted from the light emitting layer (in particular, light emitted in the lateral direction or obliquely downward direction) as a white resist layer
  • the size of the opening of the white resist layer 6 is smaller than the external size of the chip 4.
  • the white resist layer 6 penetrates under the chip, the light emitted downward from the light emitting layer can be reflected upward to further improve the reflectance.
  • the present embodiment is particularly suitable for a chip of a bottom emission type light emitting diode in which the light emitting layer is below the element and a large amount of light is emitted downward.
  • the top emission type light emitting diode chip The effect of improving the reflectance is obtained even when applied to
  • the chip 4 of the light emitting diode is connected to the electrodes 2 and 3 of the substrate 1 at the time of manufacturing the light source device, the chip 4 is usually provided with an identification material for recognizing the position of the chip 4. Place it near the area to be
  • a mark ink material (having a color other than white) is used as the identification material, but when such a mark ink material is used for the chip 4 of the light emitting diode, the mark ink material is used.
  • the light emitted from the light emitting diode may be absorbed or scattered due to this.
  • a unique shape of the electrode member prepared around the light emitting element is often used as the identification material, the exposure of the electrode member more than necessary for the light emitting element other than the red light emitting element lowers the utilization efficiency of the emitted light.
  • the surface of the electrodes 2 and 3 in the lower part of the chip 4 of the light emitting diode and the surface of the substrate 1 outside the transparent resin 7 are identified. Form the material.
  • the identification material is formed on the surface of the electrodes 2 and 3 in the lower part of the chip 4 of the light emitting diode, the identification material is hidden by the chip 4 after the chip 4 is mounted. Become.
  • the identification material is far from the tip 4 Because it becomes dark, the emitted light hits the identification material.
  • a mark ink material or the like similar to the conventional one may be used for the identification material. If two or three patterns (corners etc.) are used as the identification material, it is not necessary to provide a step of forming the identification material, so the number of steps can be reduced and the manufacturing cost of the light source device can be reduced. become.
  • FIG. 23 is an enlarged plan view of a state in the middle of manufacturing the light source device 29, specifically, a state before the chip 4 is mounted.
  • the right electrode 3 is formed so as to extend to the left under the bump 9 and it is possible to use the corner 40 at the left front and the left back of the electrode 3 as an identification material.
  • the corner 40 of the electrode 3 can be easily recognized by a camera or the like.
  • corner of the left electrode 2 is also possible to use the corner of the left electrode 2 as an identification material.
  • the corners are inside the opening (inner wall 6A) of the white resist layer 6, and are hidden by the white resist layer 6. Not desirable.
  • the configuration of the light source device of each form shown in FIGS. 1 to 21 may be modified and connected to the left and right electrodes 2 and 3 by bumps or the like without using the wire 5.
  • the left and right electrodes 2, 3 and the white resist layer 6 have a substantially symmetrical structure by not using the wire 5, the positional force of the inner wall of the opening of the left and right electrodes 2, 3 and 6 is slightly different. It will change.
  • FIG. 24 shows a schematic block diagram (cross-sectional view) of the main part of the light source device.
  • the water repellent material 41 is formed on the white mark ink material 8 formed in the form of a peripheral seal ring of the transparent resin 7.
  • the water repellent 41 is a water repellent when the white mark ink material 8 alone is not sufficient in water repellency. In order to have good control of the shape of the transparent resin 7 with good characteristics, it is provided.
  • a water repellent paint which is not yellowing to ultraviolet light and heat and which is transparent in order to make use of the reflectance of the white mark ink material 8 of the base, and which has a relatively low viscosity.
  • a water repellent such as silicone resin can be used as the water repellent 41.
  • FIG. 25 shows a schematic block diagram (cross-sectional view) of the main part of the light source device.
  • a water repellent material 41 is formed on the outer side of a white mark ink material 8 formed in the shape of a ring of transparent resin 7.
  • the transparent resin 7 extends to the inner side of the water repellent 41.
  • the other configuration is the same as that of the light source device 30 shown in FIG.
  • the light source device of each of the embodiments shown in FIGS. 1 to 25 can be used for applications such as illumination, projector light sources, and backlight devices for color liquid crystal display devices.
  • the light source device of each of the embodiments is applied to a backlight device, and a color liquid crystal display panel of a transmission type and a backlight device provided on the back side of the color liquid crystal display panel
  • a liquid crystal display device can be configured.
  • a light emitting diode group is configured in which R, G, and B light emitting diodes are grouped one by one or in a predetermined number and arranged in a predetermined arrangement (for example, delta arrangement arranged in a triangle). Then, by arranging the light emitting diode groups in, for example, a matrix, a backlight device is configured.
  • FIG. 26 shows a schematic configuration diagram (an exploded perspective view) of an embodiment of such a color liquid crystal display device.
  • the color liquid crystal display device 100 shown in FIG. 26 includes a transmissive color liquid crystal display panel 110 and a backlight unit 140 provided on the back side of the color liquid crystal display panel 110.
  • a transmissive color liquid crystal display panel 110 two transparent substrates (TFT substrate 111 and counter electrode substrate 112) made of glass or the like are disposed to face each other, and, for example, in the gap, A liquid crystal layer 113 in which a nematic (TN) liquid crystal is sealed is provided.
  • TFT substrate 111 thin film transistors (TFTs) 116 as switching elements arranged in a matrix and a pixel electrode 117 are formed.
  • the thin film transistor 116 is sequentially selected by the scanning line 115 and writes the video signal supplied from the signal line 114 to the corresponding pixel electrode 117.
  • a counter electrode 118 and a color filter 119 are formed on the inner surface of the counter electrode substrate 112.
  • the color filter 119 is divided into segments corresponding to the respective pixels. For example, it is divided into three segments of three primary colors: red filter, green filter, and blue filter.
  • the transmission type color liquid crystal display panel 110 having such a configuration is sandwiched between two polarizing plates 131 and 132, and the knock light unit 140 emits white light from the back side. In this state, a desired full-color image can be displayed by driving by the active matrix method.
  • the knock light unit 140 illuminates the color liquid crystal display panel 110 also with the back side force.
  • the knock light unit 140 has a light source, and the backlight device 120 emits surface light from the light irradiation surface 120a of the white light obtained by mixing the light emitted from the light source, and the knock light device. It comprises a diffusion plate 141 laminated on the light emitting surface 120 a of 120.
  • the diffusion plate 141 makes the luminance of the surface emission uniform by diffusing the white light emitted from the light emission surface 120 a.
  • the knock light device 120 is configured.
  • LEDs light emitting diodes
  • other light emitting elements may be used to constitute the light source device in the present invention.
  • a semiconductor laser or the like it is also possible to use a semiconductor laser or the like as a light emitting element.
  • a white resist layer 6 is formed on the substrate 1 and the electrodes 2 and 3, and a white resist layer is formed.
  • the thickness of 6 was changed to 40 m, 30 m and 22.5 ⁇ m to prepare samples respectively.
  • the reflection spectral distribution on the electrodes (wirings) 2 and 3 was measured.
  • the reflection spectral distribution at the outside of the electrodes (wirings) 2 and 3 was also measured.
  • FIG. 27 also shows the reflection spectrum of Cu used for the wiring material.
  • each embodiment in which the white resist layer 6 is formed on the electrodes (wirings) 2 and 3 has a reflection spectral distribution with substantially the same tendency, and high reflection in a wide wavelength range of visible light. Rates have been obtained.
  • the thickness of the white resist layer 6 is increased to 22.5 / z m, 30 / z m, and 40 / z m, the reflectance is gradually increased.
  • the thickness reaches a certain level, it is considered that the reflectance is saturated.
  • the reflectance on the outside of the electrodes (wirings) 2 and 3 is 60 to 65%, which is less dependent on the wavelength.
  • the reflectance on the short wavelength side is as low as about 53% on the electrodes (wirings) 2 and 3
  • the reflectance gradually increases as the wavelength becomes longer, showing a tendency similar to the reflection spectrum of Cu used for the wiring material.

Abstract

　発光素子からの光の取り出し効率を向上させることができる光源装置を提供する。 　１対の電極２，３を有する基板１と、発光素子４と、この発光素子４を封止する透明樹脂７とから成り、基板１上に白色レジスト層６が形成され、この白色レジスト層６を電極２，３の一部を覆って形成すると共に、少なくとも発光素子４及びその近傍、並びに電極２，３の端子上において、白色レジスト層６に開口部を設け、白色レジスト層６上に透明樹脂７の形状を制御する白色の部材８を形成した光源装置１０を構成する。

Description

光源装置、表示装置
技術分野
[0001] 本発明は、発光ダイオード等の発光素子を光源として備えた光源装置に係わり、所 望の色（白色やその他の色)の面光源を得る照明用光源装置に適応して好適なもの である。また、本発明は、表示部を背面から照明する光源装置を備えた表示装置に 係わる。
背景技術
[0002] 近年、発光ダイオードの高出力化が進んだことにより、発光ダイオード (LED)を使 用して白色光とした、白色 LED光源の用途が広がっている。
特に、高輝度が要求される照明用や、プロジェクタ光源、並びに大型液晶ディスプ レイ用のバックライトへの応用が考えられている。これらの用途において、水銀フリー による環境負荷が小さいこと、色再現性が良好であること、応答性が良好であること、 輝度の可変性を有すること、寿命が長いこと等の発光ダイオードの特長から、白色 L ED光源が、従来の蛍光管 (熱陰極管及び冷陰極管）に代わる白色光源として期待さ れている。
[0003] 上述した白色 LED光源において、省エネルギー化、即ち効率の向上を図るために は、発光ダイオード自体の発光効率を改善するだけでなぐ発光ダイオードのチップ 力もの光取り出し効率を改善することも、重要な要素である。
発光ダイオードのチップからの光取り出し効率には、発光ダイオードのチップの周 囲にある構成部材の影響が大きい。
即ち、光取り出し効率の改善を図るためには、発光ダイオードのチップの周囲の構 成部材を工夫することが必要である。
[0004] 基板上の電極と、発光ダイオードのチップとの接続としては、発光ダイオードのパッ ケージを基板に並べた形態や、発光ダイオードのチップを基板上に直接実装してヮ ィャ等により電極と接続し、さらに発光ダイオードのチップを覆って透明榭脂を形成 することにより、チップを封止した形態 (例えば、特許文献 1や特許文献 2参照。）等が 挙げられる。
[0005] [特許文献 1]特開平 10— 294498号公報
[特許文献 2]特開昭 61— 144890号公報
発明の開示
[0006] しカゝしながら、従来から提案されて!ヽる構成では、発光ダイオードのチップからの光 取り出し効率を充分に大きくするまでには至って 、なかった。
[0007] 上述した問題の解決のために、本発明においては、発光素子からの光の取り出し 効率を向上させることができる光源装置、並びにこの光源装置を備えた表示装置を 提供するものである。
[0008] 本発明の光源装置は、少なくとも 1対の電極を有する基板と、 1つ以上の発光素子 と、この発光素子を封止する透明榭脂とから成り、基板上に白色レジスト層が形成さ れ、この白色レジスト層は、電極の一部を覆って形成されていると共に、少なくとも発 光素子及びその近傍、並びに電極の端子上において、開口部を有し、白色レジスト 層上に透明樹脂の形状を制御する白色又は透明の部材が形成されているものであ る。
[0009] 上述の本発明の光源装置の構成によれば、少なくとも 1対の電極を有する基板上 に、白色レジスト層を形成したことにより、白色レジスト層の反射率が高いため、透明 榭脂の内部における反射率を向上して、透明樹脂の外へ効率良く光を出射させるこ とがでさる。
また、白色レジスト層が発光素子及びその近傍、並びに電極の端子上において、 開口部を有するので、この白色レジスト層の開口部を通じて、電極の端子と発光素子 とを電気的に接続することが可能になっている。
さらに、白色レジスト層上に、透明樹脂の形状を制御する、白色又は透明の部材を 形成したことにより、この部材によって、光源装置の製造時に透明樹脂の形状を制御 して、所定の形状で形成することを可能にする。また、光源装置の使用時に、発光素 子から出射された光が部材に当たっても、部材が白色又は透明であるために、部材 にほとんど吸収されないことから、この点でも出射光を効率良く利用することができる [0010] 本発明の光源装置は、少なくとも 1対の電極を有する基板と、 1つ以上の発光素子 と、この発光素子を封止する透明榭脂とから成り、基板上に白色レジスト層が形成さ れ、この白色レジスト層は、透明樹脂の周囲に開口部を有し、透明樹脂の形状を制 御する部材を兼ねて ヽるものである。
[0011] 上述の本発明の光源装置の構成によれば、基板上に白色レジスト層を形成したこ とにより、白色レジスト層の反射率が高いため、透明樹脂の内部における反射率を向 上して、透明樹脂の外へ効率良く光を出射させることができる。
また、白色レジスト層が、透明樹脂の周囲に開口部を有し、透明樹脂の形状を制御 する部材を兼ねていることにより、白色レジスト層によって、光源装置の製造時に透 明榭脂の形状を制御して、所定の形状で形成することを可能にする。
[0012] また、本発明の表示装置は、画像を表示する表示部と、この表示部を背面側から照 明する光源装置とを備え、この光源装置が上記本発明の光源装置の構成であるもの である。
上述の本発明の表示装置の構成によれば、表示部を背面側から照明する光源装 置が上記本発明の光源装置の構成であることにより、透明樹脂の外へ効率良く光を 出射させることができるため、表示部に表示される画像の輝度を充分に確保すること が可能になる。
[0013] 上述の本発明の光源装置によれば、透明樹脂の外へ効率良く光を出射させること ができる。また、製造時に透明樹脂の形状を制御して所定の形状で形成することが できるため、透明榭脂を球面状等、内部反射の少ない形状とすることが可能であり、 これによつても透明樹脂の外へ効率良く光を出射させることができる。
このように透明樹脂の外へ効率良く光を出射させることができるため、出射光の輝 度を充分に確保することができる。また、出射光の輝度を充分に確保することができ るため、より少ないエネルギーでも従来の構成と同等の輝度を得ることが可能になる
[0014] 従って、光源装置の消費電力の低減等の省エネルギー化や高寿命化を図ることが 可會 になる。
また、発光素子の数を低減して、省スペース化や部品コストの削減を図ることも可能 になる。
[0015] また、本発明の表示装置によれば、表示部に表示される画像の輝度を充分に確保 することが可能になるため、従来よりも少ないエネルギーで画像の表示を行うことがで きる。
従って、表示装置において、消費電力の低減等の省エネルギー化や高寿命化を 図ることが可能になる。
また、発光素子の数を低減して、小型化や部品コストの削減を図ることも可能になる 図面の簡単な説明
[0016] [図 1]A、 B 本発明の光源装置の実施の形態の要部の概略構成図である。
[図 2]A、 B 図 1の形態を変形した形態の要部の概略構成図である。
[図 3]本発明の光源装置の実施の形態の要部の断面図である。
[図 4]図 3の形態を変形した形態の要部の断面図である。
[図 5]本発明の光源装置の実施の形態の要部の断面図である。
[図 6]図 5の形態を変形した形態の要部の断面図である。
[図 7]本発明の光源装置の実施の形態の要部の断面図である。
[図 8]図 7の形態を変形した形態の要部の断面図である。
[図 9]本発明の光源装置の実施の形態の要部の断面図である。
[図 10]図 9の形態を変形した形態の要部の断面図である。
[図 11]本発明の光源装置の実施の形態の要部の断面図である。
[図 12]図 11の形態を変形した形態の要部の断面図である。
[図 13]本発明の光源装置の実施の形態の要部の断面図である。
[図 14]本発明の光源装置の実施の形態の要部の断面図である。
[図 15]図 14の形態を変形した形態の要部の断面図である。
[図 16]A、 B 本発明の光源装置の実施の形態の要部の概略構成図である。
[図 17]図 16の形態を変形した形態の要部の断面図である。
[図 18]本発明の光源装置の実施の形態の要部の断面図である。
[図 19]本発明の光源装置の実施の形態の要部の断面図である。 [図 20]本発明の光源装置の実施の形態の要部の断面図である。
[図 21]本発明の光源装置の実施の形態の要部の断面図である。
[図 22]A、 B 本発明の光源装置の実施の形態の要部の概略構成図である。
[図 23]図 22の光源装置を製造する際の途中の状態の拡大平面図である。
[図 24]本発明の光源装置の実施の形態の要部の断面図である。
[図 25]本発明の光源装置の実施の形態の要部の断面図である。
[図 26]光源装置をバックライト光源として備えたカラー液晶表示装置の一形態の概略 構成図 (分解斜視図)である。
[図 27]光源装置の実施例及び比較例の反射分光分布を示す図である。
発明を実施するための最良の形態
[0017] まず、本発明の具体的な実施の形態の説明に先立ち、本発明の概要について説 明する。
[0018] 発光ダイオード等の発光素子のチップを使用して、発光素子のチップを透明榭脂 で封止した構成の光源装置において、発光素子のチップから外部への光の取り出し 効率は、前述したように、チップの周囲の構成部材の影響を受ける。
[0019] このような構成部材の影響としては、例えば、以下に挙げる要素が考えられる。
(A)透明樹脂の透過率
(B)透明樹脂の屈折率
(C)透明樹脂の形状 (厚さ ·曲率形状）
(D)透明榭脂内部における基板の表面形状
(E)透明榭脂内部における基板表面の反射率
[0020] このうち、 (A)封止榭脂の透過率につ!、ては、透過率が高!、ほど望ま 、。
また、（B)封止榭脂の屈折率については、封止榭脂の外部との屈折率差が小さい ことが望ましい。
また、（C)透明樹脂の形状については、球面形状とすることにより、榭脂と外部との 界面における反射を少なくすることができる。
[0021] 本発明にお 、ては、（D)透明榭脂内部における基板の表面形状及び (E)透明榭 脂内部における基板表面の反射率を改善して、光の取り出し効率を向上させると共 に、（c)透明樹脂の形状を良好な形状とすることをも可能にする。
[0022] そのために、本発明では、少なくとも 1対の電極を有する基板上に電極の一部を覆 うように白色レジスト層を形成し、この白色レジスト層の少なくとも発光素子及びその 近傍、並びに電極の端子上において、開口部を設け、さらに白色レジスト層上に透 明榭脂の形状を制御する白色又は透明の部材を形成して、光源装置を構成する。 或いは、白色又は透明の部材を形成する代わりに、白色レジスト層が透明樹脂の 周囲に開口部を有し、透明樹脂の形状を制御する部材を兼ねている光源装置を構 成する。
[0023] 少なくとも 1対の電極を有する基板上に、白色レジスト層を形成したことにより、白色 レジスト層の反射率が高いため、透明樹脂の内部における反射率を向上して、透明 榭脂の外へ効率良く光を出射させることができる。
[0024] また、白色レジスト層が発光素子及びその近傍、並びに電極の端子上において、 開口部を有するので、この白色レジスト層の開口部を通じて、電極の端子と発光素子 とを電気的に接続することが可能になっている。
[0025] さらに、白色レジスト層上に、透明樹脂の形状を制御する、白色又は透明の部材を 形成したことにより、この部材によって、光源装置の製造時に透明樹脂の形状を制御 して、所定の形状で形成することを可能にする。また、光源装置の使用時に、発光素 子から出射された光が部材に当たっても、部材が白色又は透明であるために、部材 にほとんど吸収されないことから、この点でも出射光を効率良く利用することができる
[0026] このように透明樹脂の外へ効率良く光を出射させることができるため、出射光の輝 度を充分に確保することができる。また、出射光の輝度を充分に確保することができ るため、より少ないエネルギーでも従来の構成と同等の輝度を得ることが可能になる 従って、光源装置の消費電力の低減等の省エネルギー化や高寿命化を図ることが 可會 になる。
さらに、例えば発光素子の数を減らすことにより、発光素子の占める面積や体積を 低減して省スペース化を図ることや、部品コストを低減することも可能になる。 [0027] 白色レジスト層の材料、即ち白色レジストとしては、例えば、白色の酸化チタンを含 有したレジストや、タムラ化研株式会社製のソルダーレジスト FINEDEL DSR- 33 0S42- 13W (商品名）等を使用することができる。
[0028] 白色の部材には、例えば、シルクスクリーン印刷による白色の膜や、マーク印刷に よる白色の膜を用いることができる。
このような印刷により形成される白色の膜の材料としては、例えば、太陽インキ製造 株式会社製の熱硬化型（一液性)マーキングインキの S— 100W CM29 (商品名） や、現像型マーキングインキのフォトファイナー PMR— 6000 W30/CA-40 G3 0 (商品名）等の白色マークインク材を使用することが可能である。
透明の部材には、例えば、透明のフッ素材を含有した撥水 Z撥油性インクをパッド 印刷により塗布した透明の膜を用いることができる。
このような印刷や塗布により形成される透明の膜の材料としては、例えば、フロロテ クノロジ一社製撥水撥油処理剤 FS - 1010Z- 10 (商品名）を使用することが可能で ある。
[0029] 本発明において、さらに、白色レジスト層が 2層以上のレジスト層の積層により形成 されている構成とすること〖こより、白色レジスト層を厚く形成して反射率を向上すること ができる。
1層のレジスト層を厚く形成した場合には、レジスト層が硬化しにくくなり、硬化に時 間が力かったり、現像残りを生じないようにするために強い露光光を照射する必要が 生じたりする。そのため、 1層のレジスト層を厚くするのには、限界がある。
これに対して、 2層以上のレジスト層の積層によって厚 ヽ白色レジスト層を形成する ことにより、充分な厚さを形成することができると共に、各レジスト層を速く硬化させる ことができる。
[0030] また、本発明において、さらに 2層のレジスト層の積層により白色レジスト層を形成し た場合に、上層と下層とで、発光素子近傍における開口の面積や位置を異ならせる ことにより、それぞれの形状特性において、反射率を向上させることが可能である。 発光素子近傍における開口の面積を、上層を下層よりも大きくした場合には、上層 の縁が下層の縁よりも後退しており、断面が階段状になる。これにより上側に開いた 形状となるため、上方へ光を反射させやすくなる。
発光素子近傍における開口の面積を、上層を下層よりも小さくした場合には、上層 の縁が下層の縁に被さるようになって、表面側の角が丸くなる。これによつても上側に 開いた形状となるため、上方へ光を反射させやすくなる。
発光素子近傍における開口の面積を、上層と下層とで等しくして、開口の位置を上 層と下層とで異ならせた場合には、開口の位置のずれた方向において、一方の側で は上層の縁が下層の縁よりも後退し、他方の側では上層の縁が下層の縁に被さる。 これにより、いずれの側でも上側に開いた形状となるため、上方へ光を反射させやす くなる。さらに、開口の位置が上層と下層とで異なることにより、上層又は下層のどち らにも覆われていない発光素子近傍の面積が減少するので、発光素子近傍の反射 率をより向上させることが可會となる。
これら 3種類の形状とした場合には、 2層のレジスト層の位置が所定の位置力 ある 程度までずれたとしても、上側に開いた形状を保って上方に光を反射させやすくする ことが可能である。
[0031] また、 1層又は 2層以上のレジスト層力 成る白色レジスト層において、白色レジスト 層全体又は各レジスト層の発光素子近傍の開口部を、上側に開いた傾斜面とするこ とにより、同様に、上方に光を反射させやすくすることが可能である。
[0032] さらにまた、発光素子が (発光層が素子の下方にある）下面発光型の発光素子であ る場合には、バンプ接続によって発光素子を基板上の電極面から隙間を設けて実装 すると共に、白色レジスト層の上面が発光素子の発光層よりも下方になるように配置 する。これにより発光層から出射した光 (特に横方向や斜め下方向に出射した光)を 上方へ反射させて、反射率を向上させることができる。
この構成において、さらに白色レジスト層の開口部寸法を発光素子の外形寸法より 小さくすることにより、白色レジスト層が発光層の下に入り込むので、発光層から下方 に出射した光を上方へ反射させて、さらに反射率を向上させることができる。
なお、発光素子が上面発光型の発光素子である場合でも、発光層から横方向ゃ斜 め下方向に出射する光があるため、白色レジスト層を同様の構成とすることにより、出 射光を上方へ反射させて反射率を向上させることが可能である。 [0033] また、この構成を、前述した 2層のレジスト層における発光素子近傍における開口の 面積を、上層を下層よりも大きくして階段状の断面形状とした構成の下層に適用する ことにより、同様の効果を得ることが可能である。
[0034] また、本発明において、さらに、発光素子を基板の電極に接続する際に位置を認 識するための識別材を、電極の発光素子の下の部分に形成する、或いは、透明榭脂 よりも外側の基板の表面に形成することにより、発光素子から出射した光が識別材に よって吸収や散乱されることを防いで、その分基板面における反射率を向上させるこ とがでさる。
識別材を電極の発光素子の下の部分に形成した場合には、発光素子を実装した 後に識別材が発光素子のチップに隠れるので、出射光が識別材に当たりに《なる。 透明樹脂よりも外側の基板の表面に形成した場合にも、識別材が発光素子から遠く なるため、出射光が識別材に当たりに《なる。
[0035] このような識別材としては、前述した白色の部材に用いたマーキングインキ等が使 用可能であるが、識別材には、必ずしも白色のマーキングインキを使用する必要はな ぐ他の色のマーキングインキを使用しても構わない。
なお、透明樹脂よりも外側に識別材を形成する場合において、識別材を白色レジス ト層ゃ白色基板上に形成するときには、白色以外のマーキングインキを使用した方が 容易に識別することができる。
[0036] また、白色レジスト層の開口部内にある、電極の角部を、識別材として利用すること も可能である。その場合も、発光素子を実装した後に、電極の角部が発光素子のチ ップに隠れるようにすればよ!、。
[0037] そして、識別材を用いて発光素子を実装する際には、例えば、カメラ等で識別材を 探して、発光素子を実装すべき位置を確認する。
[0038] また、本発明において、さらに、発光素子が赤色を含む少なくとも 2種類の発光色 が異なる発光素子力 なり、赤色の発光素子を封止する透明樹脂の内部において、 白色レジスト層の開口部が広い面積に形成されており、開口部から電極が透明榭脂 に臨んでいる（直接接している)構成とすることにより、赤色の発光素子の基板面にお いて高い反射率が得られる。 これは、電極用の金属材料が赤色近傍の波長の光に対する反射率が高ぐ白色レ ジスト層よりも反射率が高いので、赤色の発光素子については白色レジスト層の開口 部を広 、面積に形成して電極を透明榭脂に臨ませた (直接接するようにした)方が反 射率を高くすることができるためである。
一方、発光色が緑や青の発光素子においては、発光色近傍の波長の光に対する 反射率が、白色レジスト層の方が電極材料よりも高くなるため、白色レジスト層の開口 部を狭 、面積に形成した方が望ま 、。
[0039] ここで、反射率の波長依存性を、金と、銀と、電極用の金属材料として用いられる銅 とで比較する。
金は、赤色近傍の波長の光に対する反射率が高ぐ緑色近傍の波長の光に対して は 75%程度まで反射率が下がり、青色近傍の波長の光に対しては 40%以下に下が る。
銀は、可視光線全体に対して高い反射率を有する。
銅は、赤色近傍の波長の光に対する反射率が高ぐ緑色近傍の波長では反射率 力 0%程度まで下がり、さらに緑色近傍の波長から青色近傍の波長へと短波長側に なるに従い、徐々に反射率が低下していく。青色近傍の波長に対する反射率は 55 %程度で金よりも高くなる。
[0040] また、本発明において、さらに、白色レジスト層又は白色部材の上に、撥水材として 例えば透明の撥水性塗料が形成されている構成とすることも可能である。
このように撥水性塗料力 成る撥水材を設けることにより、白色レジスト層又は白色 部材の撥水性が充分ではない場合でも、撥水性をもたせることができるため、この撥 水材によって透明樹脂の形状を制御することが可能になる。
[0041] なお、白色レジスト層を形成する基板は、光源装置全体で一体の基板としてもよい 力 発光素子を所定の個数ずつ設けた (比較的小型の)基板を、一定の間隔で複数 枚配置することによって光源装置を構成してもよ 、。
また、複数枚の基板を配置する構成において、それぞれの基板内の発光素子をそ れぞれ独立して駆動させる構成とすることにより、各基板内の輝度等をそれぞれ最適 化することも可能になる。 [0042] また、発光素子の配置は特に限定されないが、例えば同一発光色の発光素子を一 定間隔に配置すれば、配線，電極の配置や色分布等力 均等になる。
[0043] 本発明の実施の形態として、光源装置の要部の概略構成図を、図 1A及び図 1Bに 示す。図 1Aは断面図、図 1Bは平面図である。
[0044] この光源装置 10は、基板 1上に一対の電極 2, 3が形成され、これらの電極 2, 3と 接続された発光ダイオードのチップ 4が、透明榭脂 7に封止されて構成されている。 発光ダイオードのチップ 4は、一方の電極 2上に配置されて、この電極 2と電気的に 接続されている。また、チップ 4と他方の電極 3との間は、ワイヤ 5によって電気的に接 続されている。
透明榭脂 7は、上面が球面となったドーム状に形成されて!ヽる。
[0045] 本実施の形態の光源装置 10においては、特に、基板 1上に白色レジスト層 6が形 成されている。
そして、この白色レジスト層 6は、発光ダイオードのチップ 4や、ワイヤ 5と接続された 電極 3の端子付近が開口部となっており、開口部以外の部分では電極 2, 3を覆って いる。
開口部は、図 1Bに示すように矩形状となっている。開口部の壁面 6Aは、チップ 4 や電極 3の端子に近 ヽ箇所にある。
[0046] さらに、本実施の形態の光源装置 10においては、透明榭脂 7の周囲に、白色マー クインク材 8が設けられて、この白色マークインク材 8によって透明榭脂 7の形状を制 御する構成となっている。
[0047] この白色マークインク材 8は、例えば、シルクスクリーン印刷等の印刷法によって形 成することができる。
白色マークインク材 8の材料としては、例えば、前述したマーキングインキを使用す ることがでさる。
[0048] なお、基板 1の材料は、特に限定されず、通常のプリント基板等でも構わないが、ガ ラスエポキシ銅張積層板等のプリプレダ材を用いた白色基板を使用することにより、 基板 1自体の反射率を向上させることができる。
[0049] 上述の本実施の形態の光源装置 10によれば、基板 1上に白色レジスト層 6が形成 されており、白色レジスト層 6がその開口部以外で電極 2, 3を覆っていることにより、 電極 2, 3が直接透明榭脂 7に臨んでいる場合と比較して、基板 1側の反射率を高く することができる。
これにより、透明榭脂 7から上方に出射する光を増やして、光の利用効率を高める ことができる。
[0050] また、本実施の形態の光源装置 10によれば、透明榭脂 7の周囲に、白色マークイ ンク材 8が設けられて、この白色マークインク材 8によって透明榭脂 7の形状を制御す ることにより、透明樹脂の形状を制御するために従来用いられていた、白色ではない 榭脂等の部材と比較して、部材による光の吸収を少なくして、発光ダイオードから出 射した光を多く反射させることができる。
そして、白色マークインク材 8は、白色レジスト層 6と同等の反射率を有するので、透 明榭脂 7の周囲の反射率を高めることができる。
[0051] 本実施の形態の光源装置 10によれば、透明榭脂 7の外へ効率良く光を出射させる ことができるため、出射光の輝度を充分に確保することができる。
また、出射光の輝度を充分に確保することができるため、より少ないエネルギーでも 従来の構成と同等の輝度を得ることが可能になる。
従って、光源装置 10の消費電力の低減等の省エネルギー化や高寿命化を図るこ とが可能になる。
さらに、例えば発光ダイオードのチップ 4の数を減らすことにより、チップ 4の占める 面積や体積を低減して省スペース化を図ることや、部品コストを低減することも可能に なる。
[0052] 次に、図 1に示した光源装置 10を一部変形した光源装置の形態の要部の概略構 成図を図 2A及び図 2Bに示す。
図 2A及び図 2Bに示す光源装置 11は、特に、白色マークインク材 8が透明榭脂 7 の周囲のみにリング状に形成されている。
[0053] この場合も、白色マークインク材 8によって透明榭脂 7の形状を制御することが可能 である。
また、透明榭脂 7の周囲には白色マークインク材 8があるので、部材による光の吸収 を少なくして、発光ダイオードから出射した光を多く反射させることができる。
[0054] 透明榭脂 7の周囲以外の部分では、反射率に寄与する白色マークインク材 8がなく 、白色レジスト層 6のみの厚さとなるため、図 1に示した光源装置 10と比較して、この 部分の反射率が若干低くなる。その一方で、白色マークインク材 8が形成される領域 が透明榭脂 7の周囲に限定されることにより、白色マークインク材 8に係る材料コスト を低減することができる。
[0055] その他の構成は、図 1に示した光源装置 10と同様であるので、重複説明を省略す る。
[0056] 次に、本発明の他の実施の形態として、光源装置の要部の概略構成図（断面図）を 、図 3に示す。
本実施の形態の光源装置 12は、 2層のレジスト層 61, 62の積層により、白色レジス ト層 6を形成している。
[0057] このように、 2層のレジスト層 61, 62の積層によって白色レジスト層 6を形成している ことにより、白色レジスト層 6を厚く形成することが容易になる。
1層のレジスト層を厚く形成すると、レジスト層の下部まで露光光が届きにくくなるた め、レジスト層が硬化しに《なる。このため、硬化に時間が力かったり、現像残りを生 じないようにするために強い露光光を照射する必要が生じたりする。そのため、 1層の レジスト層を厚くするのには、限界がある。
これに対して、 2層以上のレジスト層 61, 62の積層によって厚い白色レジスト層 6を 形成することにより、充分な厚さを形成することができると共に、各レジスト層 61, 62 を速く硬化させることができる。
[0058] なお、本実施の形態の光源装置 12では、 2層のレジスト層 61, 62の開口部の位置 が同一となっているため、開口部の壁面 6Aがほぼ一体化している。
[0059] その他の構成は、図 1に示した光源装置 10と同様であるので、重複説明を省略す る。
[0060] 次に、図 3に示した光源装置 12を一部変形した光源装置の形態の要部の概略構 成図（断面図)を図 4に示す。
図 4に示す光源装置 13は、図 2A及び図 2Bに示した光源装置 11と同様に、白色 マークインク材 8が透明榭脂 7の周囲のみにリング状に形成されている。 その他の構成は、図 3に示した光源装置 12と同様である。
[0061] 次に、本発明のさらに他の実施の形態として、光源装置の要部の概略構成図（断 面図）を、図 5に示す。
本実施の形態の光源装置 14は、 2層のレジスト層 61, 62の積層により、白色レジス ト層 6を形成し、さらに、白色マークインク材 8を 2層のインク材 81, 82の積層により形 成している。
2層のインク材 81, 82は、同一の平面パターンに形成されている。
[0062] 2層のレジスト層 61, 62の積層によって白色レジスト層 6を形成していることにより、 白色レジスト層 6を厚く形成することが容易になる。
また、 2層のインク材 81, 82の積層により白色マークインク材 8を形成していることに より、白色マークインク材 8を厚く形成することができる。
[0063] 次に、図 5に示した光源装置 14を一部変形した光源装置の形態の要部の概略構 成図（断面図)を図 6に示す。
図 6に示す光源装置 15は、図 2A及び図 2Bに示した光源装置 11と同様に、白色 マークインク材 8が透明榭脂 7の周囲のみにリング状に形成されている。
その他の構成は、図 5に示した光源装置 14と同様である。
[0064] 次に、本発明のさらに他の実施の形態として、光源装置の要部の概略構成図（断 面図）を、図 7に示す。
本実施の形態の光源装置 16は、 2層のレジスト層 61, 62の積層により、白色レジス ト層 6を形成している力 2層のうち上層のレジスト層 62は、透明榭脂 7の内部のみに 形成されている。
なお、発光ダイオードのチップ 4の周囲の開口部は、下層のレジスト層 61と上層の レジスト層 62とで、同一の位置に形成されている。
[0065] 透明榭脂 7の内部においては、 2層のレジスト層 61, 62の積層によって白色レジス ト層 6を形成していることにより、白色レジスト層 6を厚く形成して、白色レジスト層 6の 反射率を高めることができる。
透明榭脂 7の外部においては、上層のレジスト層 62が形成されていないことにより、 上層のレジスト層 62に係る材料コストを低減することができる。
[0066] 次に、図 7に示した光源装置 16を一部変形した光源装置の形態の要部の概略構 成図（断面図)を図 8に示す。
図 8に示す光源装置 17は、図 2A及び図 2Bに示した光源装置 11と同様に、白色 マークインク材 8が透明榭脂 7の周囲のみにリング状に形成されている。
その他の構成は、図 7に示した光源装置 16と同様である。
[0067] 次に、本発明のさらに他の実施の形態として、光源装置の要部の概略構成図（断 面図）を、図 9に示す。
本実施の形態の光源装置 18は、 2層のレジスト層 61, 62の積層により、白色レジス ト層 6を形成している力 2層のうち上層のレジスト層 62は、透明榭脂 7の外周付近に も開口部が形成されている。
上層のレジスト層 62の透明榭脂 7の外周付近の開口部は、図示しないが、透明榭 脂 7の外周にならつてリング状に形成されて!、る。
また、本実施の形態では、白色マークインク材 8の内壁 8Aが、前述した各実施の形 態よりも外側に後退しており、上層のレジスト層 62の透明榭脂 7の外周付近の開口部 よりも内壁 8Aが外側に形成されている。これは、白色レジスト層 6 (61, 62)と白色マ 一クインク材 8との位置関係が所定の位置力 ずれて形成されても、白色マークイン キ材 8が内側にはみ出すことがないようにするためである。
[0068] 上層のレジスト層 62が透明榭脂 7の外周付近に開口部を有することにより、白色マ 一クインク材 8だけでなぐこの開口部によっても透明榭脂 7の形状を制御することが できる。
[0069] 次に、図 9に示した光源装置 18を一部変形した光源装置の形態の要部の概略構 成図（断面図)を図 10に示す。
図 10に示す光源装置 19は、図 2A及び図 2Bに示した光源装置 11と同様に、白色 マークインク材 8が透明榭脂 7の周囲のみにリング状に形成されている。
その他の構成は、図 9に示した光源装置 18と同様である。
[0070] 次に、本発明のさらに他の実施の形態として、光源装置の要部の概略構成図（断 面図）を、図 11に示す。 本実施の形態の光源装置 20は、透明榭脂 7の内部にも白色マークインク材 8を形 成している。
透明榭脂 7の内部の白色マークインク材 8は、図示しないが、透明榭脂 7の外周に ならってリング状に形成されて 、る。
[0071] 透明榭脂 7の内部にも白色マークインク材 8を形成していることにより、反射率の高 い白色マークインク材 8によって、透明榭脂 7の内部の基板 1側の反射率をさらに高 めることができる。
[0072] 次に、図 11に示した光源装置 20を一部変形した光源装置の形態の要部の概略構 成図（断面図)を図 12に示す。
図 12に示す光源装置 21は、図 2A及び図 2Bに示した光源装置 11と同様に、白色 マークインク材 8が透明榭脂 7の周隨こリング状に形成されている。
その他の構成は、図 11に示した光源装置 20と同様である。
[0073] 次に、本発明のさらに他の実施の形態として、光源装置の要部の概略構成図（断 面図）を、図 13に示す。
本実施の形態の光源装置 22は、 2層のレジスト層 61, 62の積層により、白色レジス ト層 6を形成している力 この白色レジスト層 6を透明榭脂 7の外部のみに形成し、そ の代わりに、透明榭脂 7の内部に白色マークインク材 8を形成している。
なお、白色マークインク材 8は、透明榭脂 7の外部には形成されていない。
[0074] 本実施の形態では、白色レジスト層 6の開口部の内壁 6Aによって透明榭脂 7の形 状が制御される点で、前述した各実施の形態とは異なって!/、る。
[0075] 透明榭脂 7の内部に白色マークインク材 8を形成していることにより、厚い白色マー クインク材 8によって、透明榭脂 7の内部の基板 1側の反射率をさらに高めることがで きる。
[0076] 次に、本発明のさらに他の実施の形態として、光源装置の要部の概略構成図（断 面図）を、図 14に示す。
本実施の形態の光源装置 23は、 2層のレジスト層 61, 62の積層により、白色レジス ト層 6を形成し、この白色レジスト層 6を、透明榭脂 7の外部と透明榭脂 7の内部とにそ れぞれ形成して、その間に透明榭脂 7の外周に沿うように開口部を設けている。 また、白色マークインク材 8は、透明榭脂 7の外部の白色レジスト層 6上に形成され 、白色マークインク材 8の内壁 8Aが外側に後退しており、白色レジスト層 6の透明榭 脂 7の外周に沿った開口部よりも内壁 8Aが外側に形成されて ヽる。
[0077] 透明榭脂 7の内部に、 2層のレジスト層 61, 62の積層による白色レジスト層 6が形成 されていることにより、 2層のレジスト層 61, 62により厚く形成され比較的反射率の高 い白色レジスト層 6によって、透明榭脂 7の内部の基板 1側の反射率を高めることがで きる。
また、本実施の形態では、白色レジスト層 6の透明榭脂 7の外周に沿った開口部の 内壁 6Aと、白色マークインク材 8の内壁 8Aとによって、透明榭脂 7の形状が制御さ れる。
[0078] 次に、図 14に示した光源装置 23を一部変形した光源装置の形態の要部の概略構 成図（断面図)を図 15に示す。
図 15に示す光源装置 24は、図 2A及び図 2Bに示した光源装置 11と同様に、白色 マークインク材 8が透明榭脂 7の周隨こリング状に形成されている。
その他の構成は、図 14に示した光源装置 23と同様である。
[0079] 次に、本発明のさらに他の実施の形態として、光源装置の要部の概略構成図を、 図 16A及び図 16Bに示す。図 16Aは断面図、図 16Bは平面図である。
本実施の形態では、赤色 Rを含む 2色以上の発光色の発光ダイオードを備えて光 源装置を構成する。
例えば、赤色 R、緑色 B、青色 Gの 3色の発光ダイオードを備えて、光源装置を構成 する。そして、それぞれの発光ダイオードのチップ 4を、個別に透明榭脂 7に封止する 本実施の形態では、さらに、赤色 Rの発光ダイオードのチップ 4Rについては、図 16 A及び図 16Bに示すように、透明榭脂 7の内部において、白色レジスト層 6の開口部 が広い面積に形成され、この広い面積の開口部から電極 2, 3が透明榭脂 7に臨んで いる。
一方、緑色 Gの発光ダイオードのチップ 4 (4G)及び青色 Bの発光ダイオードのチッ プ 4 (4B)においては、図 1A及び図 1Bに示した構成と同様に、チップ 4の近くまで白 色レジスト層 6で電極 2, 3を覆う。
[0080] 電極 2, 3の金属材料が、赤色近傍の波長の光に対する反射率が高ぐ白色レジス ト層 6よりも反射率が高いので、赤色 Rの発光ダイオードについては、白色レジスト層
6の開口部を広い面積に形成して電極 2, 3を透明榭脂 7に臨ませることにより、基板
1側の反射率を高めることができる。
電極 2, 3の金属材料が、緑色近傍の波長の光や青色近傍の波長の光に対する反 射率が低ぐ白色レジスト層 6よりも反射率が低いので、緑色 G及び青色 Bの発光ダイ オードについては、チップ 4の近くまで白色レジスト層 6で電極 2, 3を覆うことにより、 基板 1側の反射率を高めることができる。
[0081] なお、緑色 Gの発光ダイオードのチップ 4 (4G)及び青色 Bの発光ダイオードのチッ プ 4 (4B)については、図 11〜図 13に示した構成と同様に、透明榭脂 7の内部に白 色マークインク材 8を設けて、白色マークインク材 8によって基板 1側の反射率を高め るようにしてちょい。
[0082] また、この図 16A及び図 16Bに示した構成を一部変形して、図 17に断面図を示す ように、白色マークインク材 8が透明榭脂 7の周隨こリング状に形成された構成として ちょい。
また、この図 16A及び図 16Bに示した構成を一部変形して、図 13に示した構成の ように、白色レジスト層 6の内壁 6Aで透明榭脂 7の形状を制御する構成としてもよい。
[0083] 次に、本発明のさらに他の実施の形態として、光源装置の要部の概略構成図（断 面図）を、図 18に示す。
本実施の形態の光源装置 25は、 2層のレジスト層 61, 62の積層により、白色レジス ト層 6を形成し、さらに、発光ダイオードのチップ 4近傍における開口部の面積を、上 層のレジスト層 62が下層のレジスト層 61よりも大きくなるように形成している。
[0084] 発光ダイオードのチップ 4近傍における開口部の面積を、上層のレジスト層 62が下 層のレジスト層 61よりも大きくなるように形成したことにより、上層のレジスト層 62の内 壁 6Bが下層のレジスト層 61の内壁 6Aよりも後退しており、白色レジスト層 6 (61, 62 )の断面が階段状になっている。これにより、白色レジスト層 6 (61, 62)が上側に開い た形状となるため、上方へ光を反射させやすくなることから、出射光の利用効率をさら に高めることができる。
[0085] 次に、本発明のさらに他の実施の形態として、光源装置の要部の概略構成図（断 面図）を、図 19に示す。
本実施の形態の光源装置 26は、 2層のレジスト層 61, 62の積層により、白色レジス ト層 6を形成し、さらに、発光ダイオードのチップ 4近傍における開口部の面積を、上 層のレジスト層 62が下層のレジスト層 61よりも小さくなるように形成している。
[0086] 発光ダイオードのチップ 4近傍における開口部の面積を、上層のレジスト層 62が下 層のレジスト層 61よりも小さくなるように形成したことにより、上層のレジスト層 62の縁 が下層のレジスト層 61の縁に被さるようになって、上層のレジスト層 62の内壁 6Bの 表面側の角が丸くなる。これにより、白色レジスト層 6 (61, 62)が上側に開いた形状 となるため、上方へ光を反射させやすくなることから、出射光の利用効率をさらに高め ることがでさる。
[0087] 次に、本発明のさらに他の実施の形態として、光源装置の要部の概略構成図（断 面図）を、図 20に示す。
本実施の形態の光源装置 27は、 2層のレジスト層 61, 62の積層により、白色レジス ト層 6を形成し、さらに、発光ダイオードのチップ 4近傍における開口部の面積を、上 層のレジスト層 62と下層のレジスト層 61とで等しくして、かつ、開口部の位置を、上層 のレジスト層 62と下層のレジスト層 61とで異ならせている。上層のレジスト層 62の開 口部は、下層のレジスト層 61の開口部よりも図中左側にずらして形成されている。
[0088] 発光ダイオードのチップ 4近傍における開口部の面積を、上層のレジスト層 62と下 層のレジスト層 61とで等しくして、かつ、上層のレジスト層 62の開口部を、下層のレジ スト層 61の開口部よりも図中左側にずらして形成したことにより、図中左右方向にお いて、左側では上層のレジスト層 62の内壁 6Bが下層のレジスト層 61の内壁 6Aよりも 後退しており、右側では上層のレジスト層 62の縁が下層のレジスト層 61の縁に被さ つている。これにより、白色レジスト層 6 (61, 62)力 左右いずれの側でも上側に開い た形状となるため、上方へ光を反射させやすくなることから、出射光の利用効率をさら に高めることができる。さらにまた、上層のレジスト層 62と下層のレジスト層 61の位置 をずらしたことにより、上層のレジスト層 62及び下層のレジスト層 61がない開口部の 面積が低減して、出射光の利用効率をさらに高めることができる。
[0089] なお、本実施の形態において、さらに、図 20の前後方向においても、上層のレジス ト層 62の開口部を、下層のレジスト層 61の開口部力もずらして形成することにより、 全体として上側に開いた形状とすることができる。
[0090] 次に、本発明のさらに他の実施の形態として、光源装置の要部の概略構成図（断 面図）を、図 21に示す。
本実施の形態の光源装置 28は、図 20に示した光源装置 27の構成に対して、下層 のレジスト層 61の開口部の内壁 6A及び上層のレジスト層 62の開口部の内壁 6Bを、 V、ずれも上側に開 、た傾斜面とした構成である。
[0091] このようにレジスト層 61, 62の開口部の内壁 6A, 6Bを傾斜面とするには、例えば、 レジスト層 61, 62を露光する際に、露光光を斜めに照射すればよい。
また、例えば、露光マスクを、マスクの端部へ向力つて薄くなつていく（或いは露光 光の透過率が高くなつて ヽく）特殊なマスクとすることが考えられる。
さらにまた、例えば、レジスト層 61, 62を形成した後に、内壁を削って傾斜面を形 成することち考免られる。
さらにまた、レジスト層 61, 62を印刷工程にて形成した後に硬化前の自重による変 形で傾斜面を形成することも可能である。
[0092] 下層のレジスト層 61の開口部の内壁 6A及び上層のレジスト層 62の開口部の内壁 6Bを、いずれも上側に開いた傾斜面としたことにより、図 20に示した光源装置 27の ように階段状の断面とした場合よりも、さらに上方へ光を反射させやすくなることから、 出射光の利用効率をさらに高めることができる。
[0093] 次に、本発明のさらに他の実施の形態として、光源装置の要部の概略構成図を、 図 22A及び図 22Bに示す。図 22Aは断面図を示し、図 22Bは平面図を示す。
本実施の形態の光源装置 29は、発光ダイオードのチップ 4を、チップ 4の下に設け たバンプ 9によって左右の電極 2, 3の端子と接続している。
また、白色レジスト層 6の上面力 チップ 4の下面よりも下方になつている。 さらに、白色レジスト層 6の開口部の寸法がチップ 4の外形寸法よりも小さくなつてお り、白色レジスト層 6がチップ 4の下に入り込んでいる。白色レジスト層 6の開口部の内 壁 6Aが、図 22Bに鎖線で示すように、左右方向でも前後方向でも、チップ 4より内側 に入り込んでいる。
[0094] 白色レジスト層 6の上面力 発光ダイオードのチップ 4の下面よりも下方になつてい ることにより、白色レジスト層 6の上面が発光ダイオードの発光層よりも下方にあるため
、発光層から出射した光 (特に横方向や斜め下方向に出射した光)を白色レジスト層
6により上方へ反射させて、反射率を向上させることができる。
また、白色レジスト層 6の開口部の寸法がチップ 4の外形寸法よりも小さくなつており
、白色レジスト層 6がチップの下に入り込んでいることにより、発光層から下方に出射 した光を上方へ反射させて、さらに反射率を向上させることができる。
[0095] 本実施の形態は、特に、発光層が素子の下方にあり下方向に出射する光が多い下 面発光型の発光ダイオードのチップに好適であるが、上面発光型の発光ダイオード のチップに適用しても反射率を向上させる効果が得られる。
[0096] ところで、光源装置の製造時に、発光ダイオードのチップ 4を基板 1の電極 2, 3に 接続する際には、通常、チップ 4の位置を認識するための識別材を、チップ 4が配置 される箇所の近くに設けて ヽる。
一般的には、この識別材として、マークインク材（白色以外の色のもの）が用いられ ているが、このようなマークインク材を発光ダイオードのチップ 4用に使用した場合、マ 一クインク材によって発光ダイオードから出射した光が吸収や散乱される虞がある。 或いはまた、この識別材として発光素子の周囲に用意した電極部材の特異形状を 用いることも多いが、赤の発光素子以外に対しては必要以上の電極部材の露出は出 射光の利用効率の低下を招く。
[0097] そこで、図 22に示した光源装置 29において、例えば、発光ダイオードのチップ 4の 下の部分の電極 2, 3の表面や、透明榭脂 7よりも外側の基板 1の表面に、識別材を 形成する。
識別材を発光ダイオードのチップ 4の下の部分の電極 2, 3の表面に形成した場合 には、チップ 4を実装した後に、識別材がチップ 4に隠れるので、出射光が識別材に 当たりにくくなる。
透明榭脂 7よりも外側の基板 1の表面に形成した場合にも、識別材がチップ 4から遠 くなるため、出射光が識別材に当たりに《なる。
[0098] また、識別材を発光ダイオードのチップ 4の下の部分の電極 2, 3の表面に形成する 場合には、従来と同様のマークインク材等を識別材に用いてもよいが、電極 2, 3のパ ターン (角部等)を識別材に利用すると、識別材を形成する工程を設ける必要がなく なるため、工程数を削減して、光源装置の製造コストを低減することが可能になる。
[0099] ここで、図 22に示した光源装置 29において、電極 2, 3のパターン（角部等）を識別 材に利用する場合を、図 23を参照して説明する。図 23は、光源装置 29を製造する 際の途中の状態、具体的にはチップ 4を実装する前の状態の拡大平面図である。 右の電極 3は、バンプ 9の下まで左側に延びて形成されている力 この電極 3の左 手前や左奥にある角部 40を、識別材として利用することが可能である。
電極 3は、色又は反射率が基板 1とは異なるので、カメラ等で容易に電極 3の角部 4 0を認識することができる。
また、識別材として、左の電極 2の角部を利用することも可能である。
なお、電極 2, 3の角部等を識別材として利用するためには、その角部が、白色レジ スト層 6の開口部（内壁 6A)よりも内側にあって、白色レジスト層 6に隠れていないこと が望ましい。
[0100] なお、図 18〜図 22【こ示した各形態の光源装置 25, 26, 27, 28, 29【こ対してち、 それぞれ、図 2A及び図 2Bと同様に、白色マークインク材 8を透明榭脂 7の周囲のみ に形成した構成に変形してもよ！/ヽ。
[0101] また、図 1〜図 21に示した各形態の光源装置の構成を変形して、ワイヤ 5を使用せ ずに、左右の電極 2, 3にバンプ等により接続しても構わない。この場合、ワイヤ 5を使 用しないことにより、左右がほぼ対称な構造となるため、左右の電極 2, 3及び白色レ ジスト層 6の開口部の内壁の位置力 図 1〜図 21とは若干変わることになる。
[0102] 次に、本発明のさらに他の実施の形態として、光源装置の要部の概略構成図（断 面図）を、図 24に示す。
本実施の形態の光源装置 30は、透明榭脂 7の周隨こリング状に形成した白色マー クインク材 8の上に、撥水材 41が形成されている。
[0103] 撥水材 41は、白色マークインク材 8だけでは撥水性が充分ではない場合に、撥水 性をもたせて透明榭脂 7の形状の制御を良好に行うために設けて 、るものである。 撥水材 41の材料としては、紫外線や熱に対して黄変することがなぐかつ下地の白 色マークインク材 8の反射率を活かすために透明であり、さらに粘性が比較的低い撥 水性塗料が適している。具体的には、例えば、シリコーン榭脂等の撥水剤を撥水材 4 1に使用することができる。
[0104] 次に、本発明のさらに他の実施の形態として、光源装置の要部の概略構成図（断 面図）を、図 25に示す。
本実施の形態の光源装置 31は、透明榭脂 7の周隨こリング状に形成した白色マー クインク材 8の外側に、撥水材 41が形成されている。
この場合は、撥水材 41が白色マークインク材 8の外側に形成されているため、透明 榭脂 7が撥水材 41の内側まで広がっている。
その他の構成は、図 24に示した光源装置 30と同様である。
[0105] 図 1〜25に示した各実施の形態の光源装置は、照明用、プロジェクタ光源、カラー 液晶表示装置のバックライト装置、等の用途に用いることが可能である。
[0106] 例えば、これら各実施の形態の光源装置をバックライト装置に適用して、透過型の カラー液晶表示パネルと、このカラー液晶表示パネルの背面側に設けられたバックラ イト装置とから、カラー液晶表示装置を構成することができる。
カラー液晶表示装置用のバックライト装置に適用する場合には、赤色 Rの発光ダイ オードと緑色 Gの発光ダイオードと青色 Bの発光ダイオードとをそれぞれ透明榭脂 7 に封止して、これら 3色 R, G, Bの発光ダイオードを、 1個ずつ或いは所定の個数で まとめて所定の配置 (例えば三角形状に並べたデルタ配置等）とした発光ダイオード 群を構成する。そして、この発光ダイオード群を例えばマトリックス状に配置することに より、バックライト装置を構成する。
[0107] このようなカラー液晶表示装置の一形態の概略構成図 (分解斜視図）を図 26に示 す。
図 26に示すカラー液晶表示装置 100は、透過型のカラー液晶表示パネル 110と、 このカラー液晶表示パネル 110の背面側に設けられたバックライトユニット 140とから 成る。 [0108] 透過型のカラー液晶表示パネル 110は、ガラス等で構成された 2枚の透明な基板 ( TFT基板 111、対向電極基板 112)を互いに対向配置させ、その間隙に、例えば、 ッイステツドネマチック (TN)液晶を封入した液晶層 113を設けた構成となって 、る。 TFT基板 111には、マトリクス状に配置されたスイッチング素子としての薄膜トランジ スタ（TFT) 116と、画素電極 117とが形成されて!、る。
薄膜トランジスタ 116は、走査線 115により、順次選択されると共に、信号線 114か ら供給される映像信号を、対応する画素電極 117に書き込む。
対向電極基板 112は、その内表面に、対向電極 118及びカラーフィルター 119が 形成されている。
[0109] カラーフィルター 119は、図示しないが、各画素に対応したセグメントに分割されて いる。例えば、 3原色である赤色フィルター、緑色フィルター、青色フィルターの 3つの セグメントに分割されている。
[0110] このカラー液晶表示装置 100では、このような構成の透過型のカラー液晶表示パネ ル 110を 2枚の偏光板 131, 132で挟み、ノ ックライトユニット 140により背面側から 白色光を照射した状態で、アクティブマトリクス方式で駆動することによって、所望の フルカラー映像を表示させることができる。
[0111] ノ ックライトユニット 140は、カラー液晶表示パネル 110を背面側力も照明するもの である。図 26に示すように、ノ ックライトユニット 140は、光源を備え、光源から出射さ れた光を混色した白色光を光照射面 120aから面発光するバックライト装置 120と、こ のノ ックライト装置 120の光出射面 120a上に積層された拡散板 141とから構成され ている。
拡散板 141は、光出射面 120aから出射された白色光を拡散させることにより、面発 光における輝度の均一化を行うものである。
[0112] そして、ノ ックライト装置 120は、 3色 R, G, Bの発光ダイオードから成る発光ダイォ ード群が、図示しないが、マトリックス配置されて構成される。
これにより、各発光ダイオード群において、効率良く光が出射されるので、カラー液 晶表示パネル 110に表示される画像の輝度を充分に確保することができる。
また、画像の輝度を充分に確保することができるため、より少ないエネルギーでも従 来の構成と同等の輝度で画像を表示することが可能になる。
[0113] なお、上述の各実施の形態では、発光素子として、発光ダイオード (LED)を用い たが、本発明では、その他の発光素子を用いて光源装置を構成してもよい。例えば、 半導体レーザ等を発光素子として用いることも可能である。
[0114] (実施例）
続いて、実際に光源装置を作製して、反射分光分布の測定を行った。
実施例として、基板 1及び電極 2, 3上に白色レジスト層 6を形成し、白色レジスト層
6の厚さを、 40 m、 30 m、 22. 5 μ mと変えて、それぞれ試料を作製した。
また、比較例として、白色レジスト層 6を形成していない試料を作製した。
[0115] これら各試料について、電極 (配線） 2, 3上における反射分光分布を測定した。比 較例の試料では、電極 (配線） 2, 3外上における反射分光分布も測定した。
測定結果を図 27に示す。また、図 27には、参考として、配線材料に使用される Cu の反射分光にっ 、ても示して 、る。
[0116] 図 27より、電極 (配線） 2, 3上に白色レジスト層 6を形成した各実施例は、ほぼ同様 の傾向の反射分光分布となっており、可視光線の広い波長範囲で高い反射率が得 られている。また、白色レジスト層 6の厚さを 22. 5 /z m, 30 /z m, 40 /z mと厚くしてい くに従い、反射率が少しずつ増大していることがわかる。なお、厚さがある程度に達 すると、反射率が飽和すると考えられる。
一方、比較例は、電極 (配線） 2, 3外上では波長依存性が小さぐ 60〜65%の反 射率となっている。電極 (配線） 2, 3上では、短波長側での反射率が 53%程度と低く
、波長が長くなるに従い反射率が徐々に高くなつており、配線材料に使われる Cuの 反射分光とほぼ同様の傾向を示している。
[0117] 即ち、電極 (配線） 2, 3上に白色レジスト層 6を形成した、各実施例の構成とすること により、可視光線の広い波長範囲で高い反射率が得られ、光の取り出し効率を高め ることがでさる。
[0118] 本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなぐ本発明の要旨を逸脱し な!、範囲でその他様々な構成が取り得る。
引用符号の説明 1 基板、 2, 3 電極、 4 (発光ダイオードの）チップ、 5 ワイヤ、 6 白色レジスト層、 7 透明榭脂、 8, 81, 82 白色マークインク材、 9 ノ ンプ、 10, 11, 12, 13, 14, 1 5, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31 光源装 置、 41 撥水材、 61, 62 レジスト層、 100 カラー液晶表示装置

Claims

請求の範囲
[1] 少なくとも 1対の電極を有する基板と、 1つ以上の発光素子と、前記発光素子を封 止する透明榭脂とから成り、
前記基板上に白色レジスト層が形成され、
前記白色レジスト層は、前記電極の一部を覆って形成されていると共に、少なくとも 前記発光素子及びその近傍、並びに前記電極の端子上において、開口部を有し、 前記白色レジスト層上に、前記透明樹脂の形状を制御する、白色又は透明の部材 が形成されている
ことを特徴とする光源装置。
[2] 前記白色又は透明の部材が、白色の印刷インクからなることを特徴とする請求項 1 に記載の光源装置。
[3] 前記白色又は透明の部材が、撥水性を有することを特徴とする請求項 1に記載の 光源装置。
[4] 前記白色レジスト層の上、又は前記白色又は透明の部材の上に、撥水性塗料が形 成されて!/ヽることを特徴とする請求項 1に記載の光源装置。
[5] 前記白色レジスト層の前記開口部は、上側が開 、た傾斜面となって 、ることを特徴 とする請求項 1に記載の光源装置。
[6] 前記白色レジスト層が、 2層以上のレジスト層の積層により形成されていることを特 徴とする請求項 1に記載の光源装置。
[7] 前記白色レジスト層が、 2層のレジスト層の積層により形成され、前記 2層のレジスト 層のうち、上層の前記発光素子近傍における開口の面積が、下層の前記発光素子 近傍における開口の面積より大きいことを特徴とする請求項 1に記載の光源装置。
[8] 前記白色レジスト層が、 2層のレジスト層の積層により形成され、前記 2層のレジスト 層のうち、上層の前記発光素子近傍における開口の面積が、下層の前記発光素子 近傍における開口の面積より小さいことを特徴とする請求項 1に記載の光源装置。
[9] 前記白色レジスト層が、 2層のレジスト層の積層により形成され、前記 2層のレジスト 層のうち、上層の前記発光素子近傍における開口の面積と、下層の前記発光素子 近傍における開口の面積とがほぼ等しぐ開口の位置が前記上層と前記下層とで異 なって 、ることを特徴とする請求項 1に記載の光源装置。
[10] 前記上層よりも前記下層が薄いことを特徴とする請求項 7に記載の光源装置。
[11] 前記下層は、前記発光素子近傍の前記開口部が、上側が開いた傾斜面となって いることを特徴とする請求項 7に記載の光源装置。
[12] 前記上層は、前記発光素子近傍の前記開口部が、上側が開いた傾斜面となって いることを特徴とする請求項 8に記載の光源装置。
[13] 前記上層及び前記下層は、いずれも前記発光素子近傍の前記開口部が、上側が 開 、た傾斜面となって 、ることを特徴とする請求項 9に記載の光源装置。
[14] 前記下層の上面の高さが、前記発光素子の発光面よりも低くなつていることを特徴 とする請求項 7に記載の光源装置。
[15] 前記下層の前記発光素子近傍における前記開口部の面積が、前記発光素子の面 積よりも小さくなつていることを特徴とする請求項 14に記載の光源装置。
[16] 前記 2層のレジスト層のうち、上層のレジスト層は、前記透明樹脂の下部及び前記 透明樹脂の周辺にのみ設けられていることを特徴とする請求項 6に記載の光源装置
[17] 前記白色レジスト層の上面の高さが、前記発光素子の発光面より低いことを特徴と する請求項 1に記載の光源装置。
[18] 前記白色レジスト層の前記発光素子近傍の前記開口部の面積が、前記発光素子 の面積より小さいことを特徴とする請求項 17に記載の光源装置。
[19] 前記発光素子は、赤色を含む少なくとも 2種類の発光色が異なる発光素子からなり
、赤色の前記発光素子を封止する前記透明榭脂の内部において、前記白色レジスト 層の前記開口部が他の発光色よりも広い面積に形成されており、前記開口部から前 記電極が他の発光色よりも広い面積で前記透明樹脂に臨んでいることを特徴とする 請求項 1に記載の光源装置。
[20] 前記基板の少なくとも電極側の面が白色であることを特徴とする請求項 1に記載の 光源装置。
[21] 前記発光素子を前記基板の前記電極に接続する際に位置を認識するための識別 材が、前記電極の前記発光素子の下の部分に形成されていることを特徴とする請求 項 1に記載の光源装置。
[22] 前記発光素子を前記基板の前記電極に接続する際に位置を認識するための識別 材が、前記透明樹脂よりも外側の前記基板の表面に形成されていることを特徴とする 請求項 1に記載の光源装置。
[23] 前記複数の発光素子は、少なくとも同一の発光色の発光素子が、前記基板上に一 定間隔に配置されていることを特徴とする請求項 1に記載の光源装置。
[24] 少なくとも 1対の電極を有する基板と、 1つ以上の発光素子と、前記発光素子を封 止する透明榭脂とから成り、
前記基板上に白色レジスト層が形成され、
前記白色レジスト層は、前記透明樹脂の周囲に開口部を有し、前記透明樹脂の形 状を制御する部材を兼ねて ヽる
ことを特徴とする光源装置。
[25] 前記透明樹脂の内部において、前記発光素子の周囲の前記基板上に、白色の印 刷インク力もなる部材が設けられていることを特徴とする請求項 24に記載の光源装 置。
[26] 前記発光素子は、赤色を含む少なくとも 2種類の発光色が異なる発光素子からなり 、赤色の前記発光素子を封止する前記透明榭脂の内部において、前記白色レジスト 層の前記開口部が他の発光色よりも広い面積に形成されており、前記開口部から前 記電極が他の発光色よりも広い面積で前記透明樹脂に臨んでいることを特徴とする 請求項 24に記載の光源装置。
[27] 前記発光素子が発光ダイオードであることを特徴とする請求項 1に記載の光源装置
[28] 前記発光素子が発光ダイオードであることを特徴とする請求項 24に記載の光源装 置。
[29] 画像を表示する表示部と、
前記表示部を背面側から照明する光源装置とを備えて成り、
前記光源装置は、少なくとも 1対の電極を有する基板と、 1つ以上の発光素子と、前 記発光素子を封止する透明榭脂とから成り、前記基板上に白色レジスト層が形成さ れ、前記白色レジスト層は、前記電極の一部を覆って形成されていると共に、少なくと も前記発光素子及びその近傍、並びに前記電極の端子上において、開口部を有し、 前記白色レジスト層上に、前記透明樹脂の形状を制御する、白色又は透明の部材が 形成されている
ことを特徴とする表示装置。
画像を表示する表示部と、
前記表示部を背面側から照明する光源装置とを備えて成り、
前記光源装置は、少なくとも 1対の電極を有する基板と、 1つ以上の発光素子と、前 記発光素子を封止する透明榭脂とから成り、前記基板上に白色レジスト層が形成さ れ、前記白色レジスト層は、前記透明樹脂の周囲に開口部を有し、前記透明樹脂の 形状を制御する部材を兼ねて 、る
ことを特徴とする表示装置。
PCT/JP2006/326064 2006-01-26 2006-12-27 光源装置、表示装置 WO2007086229A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/909,033 US7728343B2 (en) 2006-01-26 2006-12-27 Light source apparatus and display apparatus and white resist layer
EP06843446.3A EP1978566A4 (en) 2006-01-26 2006-12-27 LIGHT SOURCE DEVICE AND DISPLAY DEVICE

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006017922A JP4049186B2 (ja) 2006-01-26 2006-01-26 光源装置
JP2006-017922 2006-01-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007086229A1 true WO2007086229A1 (ja) 2007-08-02

Family

ID=38309030

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2006/326064 WO2007086229A1 (ja) 2006-01-26 2006-12-27 光源装置、表示装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7728343B2 (ja)
EP (1) EP1978566A4 (ja)
JP (1) JP4049186B2 (ja)
KR (1) KR20080092239A (ja)
CN (1) CN100578829C (ja)
TW (4) TW200926465A (ja)
WO (1) WO2007086229A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009164210A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Hitachi Ltd 実装基板、及びこの実装基板を備えるｌｅｄ光源装置
US8098003B2 (en) 2009-06-01 2012-01-17 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light emitting module and illumination device
US8167456B2 (en) * 2006-11-30 2012-05-01 Toshiba Lighting & Technology Corporation Illumination device with semiconductor light-emitting elements
TWI384659B (zh) * 2009-01-23 2013-02-01 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體封裝結構
US9022613B2 (en) 2008-03-26 2015-05-05 Shimane Prefectural Government Semiconductor light emitting device comprising cut-and-bent portions
US10096747B2 (en) 2016-03-10 2018-10-09 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Lumen maintenance factor deterioration suppressing LED module

Families Citing this family (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101449005B1 (ko) 2007-11-26 2014-10-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP5367260B2 (ja) * 2007-12-28 2013-12-11 株式会社ジャパンディスプレイ 光源モジュール、照明装置、及び液晶表示装置
JP5289835B2 (ja) * 2008-06-25 2013-09-11 シャープ株式会社 発光装置およびその製造方法
DE102009008738A1 (de) 2009-02-12 2010-08-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiteranordnung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE102009031008A1 (de) 2009-06-29 2010-12-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
JP4747265B2 (ja) * 2009-11-12 2011-08-17 電気化学工業株式会社 発光素子搭載用基板およびその製造方法
JP5623062B2 (ja) 2009-11-13 2014-11-12 シャープ株式会社 発光装置およびその製造方法
CN102598321B (zh) * 2009-11-27 2015-01-21 京瓷株式会社 发光装置
JP5446915B2 (ja) * 2010-01-21 2014-03-19 セイコーエプソン株式会社 生体情報検出器及び生体情報測定装置
JP2011151268A (ja) 2010-01-22 2011-08-04 Sharp Corp 発光装置
CN102279497A (zh) * 2010-06-09 2011-12-14 元太科技工业股份有限公司 彩色滤光基板及显示装置
TW201201419A (en) * 2010-06-29 2012-01-01 Semileds Optoelectronics Co Wafer-type light emitting device having precisely coated wavelength-converting layer
CN203260631U (zh) * 2010-07-01 2013-10-30 西铁城控股株式会社 Led光源装置
JP2012074483A (ja) 2010-09-28 2012-04-12 Toyoda Gosei Co Ltd 発光素子収納用パッケージ
JP5361839B2 (ja) * 2010-10-06 2013-12-04 日本発條株式会社 金属ベース回路基板
TWI407600B (zh) * 2010-10-25 2013-09-01 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體封裝結構的製造方法
US8564000B2 (en) 2010-11-22 2013-10-22 Cree, Inc. Light emitting devices for light emitting diodes (LEDs)
US9490235B2 (en) 2010-11-22 2016-11-08 Cree, Inc. Light emitting devices, systems, and methods
US9000470B2 (en) 2010-11-22 2015-04-07 Cree, Inc. Light emitter devices
US9300062B2 (en) 2010-11-22 2016-03-29 Cree, Inc. Attachment devices and methods for light emitting devices
US8624271B2 (en) 2010-11-22 2014-01-07 Cree, Inc. Light emitting devices
US8575639B2 (en) 2011-02-16 2013-11-05 Cree, Inc. Light emitting devices for light emitting diodes (LEDs)
US20150062915A1 (en) * 2013-09-05 2015-03-05 Cree, Inc. Light emitting diode devices and methods with reflective material for increased light output
JP5582048B2 (ja) * 2011-01-28 2014-09-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
USD702653S1 (en) 2011-10-26 2014-04-15 Cree, Inc. Light emitting device component
US8455908B2 (en) * 2011-02-16 2013-06-04 Cree, Inc. Light emitting devices
JP2012204370A (ja) 2011-03-23 2012-10-22 Sony Corp 光源回路ユニットおよび照明装置、並びに表示装置
JP5817297B2 (ja) * 2011-06-03 2015-11-18 東芝ライテック株式会社 発光装置及び照明装置
JP2013004815A (ja) 2011-06-17 2013-01-07 Sony Corp 光源回路ユニットおよび照明装置、並びに表示装置
WO2013018783A1 (ja) * 2011-08-01 2013-02-07 株式会社Ｓｔｅｑ 半導体装置及びその製造方法
KR20140097284A (ko) 2011-11-07 2014-08-06 크리,인코포레이티드 고전압 어레이 발광다이오드(led) 장치, 기구 및 방법
JP2013179148A (ja) * 2012-02-28 2013-09-09 Unistar Opto Corp 発光ダイオードエリアライトモジュールおよびそのパッケージ方法
JP2013201255A (ja) * 2012-03-23 2013-10-03 Toshiba Lighting & Technology Corp 配線基板装置、発光モジュール、照明装置および配線基板装置の製造方法
US10134961B2 (en) 2012-03-30 2018-11-20 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
US9735198B2 (en) 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
DE102012213178A1 (de) * 2012-04-30 2013-10-31 At & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft LED-Modul mit Leiterplatte
JP6219586B2 (ja) 2012-05-09 2017-10-25 ローム株式会社 半導体発光装置
JP6553143B2 (ja) * 2012-05-09 2019-07-31 ローム株式会社 半導体発光装置
WO2013183693A1 (ja) * 2012-06-07 2013-12-12 株式会社Ｓｔｅｑ Ｌｅｄ照明モジュールおよびｌｅｄ照明装置
JP5994472B2 (ja) 2012-08-09 2016-09-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2014056856A (ja) * 2012-09-11 2014-03-27 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置及び照明装置
CN104488096B (zh) * 2012-09-26 2017-09-22 日亚化学工业株式会社 发光装置
US9345091B2 (en) 2013-02-08 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitting device (LED) light fixture control systems and related methods
JP6221403B2 (ja) 2013-06-26 2017-11-01 日亜化学工業株式会社 発光装置
USD739565S1 (en) 2013-06-27 2015-09-22 Cree, Inc. Light emitter unit
USD740453S1 (en) 2013-06-27 2015-10-06 Cree, Inc. Light emitter unit
JP6255747B2 (ja) * 2013-07-01 2018-01-10 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6344689B2 (ja) * 2013-07-16 2018-06-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 基板、発光装置、照明用光源、および照明装置
JP6265055B2 (ja) * 2014-01-14 2018-01-24 ソニー株式会社 発光装置、表示装置および照明装置
JP6681139B2 (ja) 2014-12-24 2020-04-15 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6414485B2 (ja) * 2015-02-27 2018-10-31 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6675111B2 (ja) * 2015-08-03 2020-04-01 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Ｌｅｄモジュール
JP6583669B2 (ja) * 2015-08-03 2019-10-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Ｌｅｄモジュール
JP6704189B2 (ja) * 2015-08-03 2020-06-03 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Ｌｅｄモジュール
JP6524904B2 (ja) 2015-12-22 2019-06-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7029223B2 (ja) * 2016-07-13 2022-03-03 ローム株式会社 半導体発光装置
USD823492S1 (en) 2016-10-04 2018-07-17 Cree, Inc. Light emitting device
JP6868388B2 (ja) * 2016-12-26 2021-05-12 日亜化学工業株式会社 発光装置および集積型発光装置
JP2018207048A (ja) * 2017-06-08 2018-12-27 大日本印刷株式会社 Ｌｅｄ素子用のフレキシブル基板
JP2018207047A (ja) * 2017-06-08 2018-12-27 大日本印刷株式会社 Ｌｅｄ素子用基板、及び、それを用いたｌｅｄバックライト
CN107466171A (zh) * 2017-07-25 2017-12-12 沈雪芳 柔性印刷电路板、加工工艺及灯带
JP7193698B2 (ja) * 2017-12-26 2022-12-21 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP7037053B2 (ja) 2018-04-25 2022-03-16 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
JP7021056B2 (ja) 2018-11-22 2022-02-16 株式会社日立ビルシステム エレベーター制御システム及びその方法
CN210381444U (zh) * 2019-06-05 2020-04-21 众普森科技（株洲）有限公司 Pcb板及电器设备
CN113391481B (zh) * 2020-03-13 2024-01-02 夏普株式会社 发光元件装载基板及背光源
KR20210136720A (ko) 2020-05-08 2021-11-17 삼성전자주식회사 발광 장치
CN112687748A (zh) * 2020-12-29 2021-04-20 佛山市国星光电股份有限公司 一种背光模块及其制作方法
KR20220123872A (ko) * 2021-03-02 2022-09-13 삼성전자주식회사 백라이트 유닛, 이를 포함하는 디스플레이 장치, 및 백라이트 유닛의 제조 방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61144890A (ja) 1984-12-19 1986-07-02 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄランプのレンズの製造方法
JPH04258184A (ja) * 1991-02-12 1992-09-14 Fuji Xerox Co Ltd 発光表示装置
JPH10294498A (ja) 1997-04-18 1998-11-04 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄ表示器の製造方法
JP2003318449A (ja) 2003-05-20 2003-11-07 Sanyo Electric Co Ltd Ｌｅｄ光源及びその製造方法
JP2004199184A (ja) * 2002-12-16 2004-07-15 Sankyo Seiki Mfg Co Ltd 光学式読取装置
WO2005031882A1 (ja) * 2003-09-30 2005-04-07 Kabushiki Kaisha Toshiba 発光装置
JP2005303211A (ja) * 2004-04-15 2005-10-27 Stanley Electric Co Ltd 平面照射型ｌｅｄ

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4242842C2 (de) * 1992-02-14 1999-11-04 Sharp Kk Lichtemittierendes Bauelement zur Oberflächenmontage und Verfahren zu dessen Herstellung
JP3819448B2 (ja) * 1994-07-28 2006-09-06 三洋電機株式会社 線状光源
WO1997046054A1 (fr) * 1996-05-29 1997-12-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Dispositif organique electroluminescent
JPH1026774A (ja) * 1996-07-12 1998-01-27 Fujitsu Ltd 液晶表示パネルとその製造方法
JP3245378B2 (ja) * 1997-04-24 2002-01-15 スタンレー電気株式会社 面実装型半導体素子
JP3335575B2 (ja) * 1997-06-06 2002-10-21 松下電器産業株式会社 半導体装置およびその製造方法
US6184544B1 (en) * 1998-01-29 2001-02-06 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device with light reflective current diffusion layer
JP2003200612A (ja) * 2001-10-26 2003-07-15 Minolta Co Ltd 像生成装置及び画像形成装置
JP2003234510A (ja) 2003-03-18 2003-08-22 Sanyo Electric Co Ltd 光 源
JP4049033B2 (ja) * 2003-06-26 2008-02-20 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置とその製造方法
DE102004014207A1 (de) * 2004-03-23 2005-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil mit mehrteiligem Gehäusekörper
JP2005322804A (ja) * 2004-05-10 2005-11-17 Nitto Denko Corp 光半導体装置
JP4631683B2 (ja) * 2005-01-17 2011-02-16 セイコーエプソン株式会社 発光装置、及び電子機器
EP1693904B1 (en) * 2005-02-18 2020-03-25 Nichia Corporation Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic
US7800124B2 (en) * 2005-06-30 2010-09-21 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Light-emitting device
US7365371B2 (en) * 2005-08-04 2008-04-29 Cree, Inc. Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed encapsulants
JP3992059B2 (ja) * 2005-11-21 2007-10-17 松下電工株式会社 発光装置の製造方法
JP5028562B2 (ja) * 2006-12-11 2012-09-19 株式会社ジャパンディスプレイイースト 照明装置及びこの照明装置を用いた表示装置
JP5104490B2 (ja) * 2007-04-16 2012-12-19 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
US8415682B2 (en) * 2007-12-28 2013-04-09 Rohm Co., Ltd. Light emitting semiconductor device having an improved outward luminosity efficiency and fabrication method for the light emitting semiconductor device

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61144890A (ja) 1984-12-19 1986-07-02 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄランプのレンズの製造方法
JPH04258184A (ja) * 1991-02-12 1992-09-14 Fuji Xerox Co Ltd 発光表示装置
JPH10294498A (ja) 1997-04-18 1998-11-04 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄ表示器の製造方法
JP2004199184A (ja) * 2002-12-16 2004-07-15 Sankyo Seiki Mfg Co Ltd 光学式読取装置
JP2003318449A (ja) 2003-05-20 2003-11-07 Sanyo Electric Co Ltd Ｌｅｄ光源及びその製造方法
WO2005031882A1 (ja) * 2003-09-30 2005-04-07 Kabushiki Kaisha Toshiba 発光装置
JP2005303211A (ja) * 2004-04-15 2005-10-27 Stanley Electric Co Ltd 平面照射型ｌｅｄ

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1978566A4

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8167456B2 (en) * 2006-11-30 2012-05-01 Toshiba Lighting & Technology Corporation Illumination device with semiconductor light-emitting elements
US8398267B2 (en) 2006-11-30 2013-03-19 Toshiba Lighting & Technology Corporation Illumination device with semiconductor light-emitting elements
JP2009164210A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Hitachi Ltd 実装基板、及びこの実装基板を備えるｌｅｄ光源装置
US9022613B2 (en) 2008-03-26 2015-05-05 Shimane Prefectural Government Semiconductor light emitting device comprising cut-and-bent portions
US9484515B2 (en) 2008-03-26 2016-11-01 S.E.I Inc. Semiconductor light emitting module comprising an exposed plate surface
TWI384659B (zh) * 2009-01-23 2013-02-01 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體封裝結構
US8098003B2 (en) 2009-06-01 2012-01-17 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light emitting module and illumination device
US10096747B2 (en) 2016-03-10 2018-10-09 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Lumen maintenance factor deterioration suppressing LED module

Also Published As

Publication number Publication date
US20090141492A1 (en) 2009-06-04
US7728343B2 (en) 2010-06-01
TWI314307B (ja) 2009-09-01
KR20080092239A (ko) 2008-10-15
CN100578829C (zh) 2010-01-06
TW200926465A (en) 2009-06-16
EP1978566A1 (en) 2008-10-08
EP1978566A4 (en) 2013-11-06
CN101171693A (zh) 2008-04-30
JP2007201171A (ja) 2007-08-09
TW200926464A (en) 2009-06-16
TW200734985A (en) 2007-09-16
JP4049186B2 (ja) 2008-02-20
TW200926466A (en) 2009-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2007086229A1 (ja) 光源装置、表示装置
JP4107349B2 (ja) 光源装置、表示装置
TWI676851B (zh) 畫素陣列封裝結構及顯示面板
US8393775B2 (en) Backlight unit and display device
US20070002566A1 (en) Planar light source device
JP2019050209A (ja) 発光装置
JP5702741B2 (ja) 照明装置、表示装置及びテレビ受信装置
JP7231832B2 (ja) 発光装置、液晶表示装置
TW202018931A (zh) 顯示面板及其畫素結構
JP4103932B2 (ja) 光源装置、表示装置
US20220382108A1 (en) Display device
US10634952B2 (en) Backlight unit and liquid crystal display device including the same
US11018284B2 (en) Light emitting element and electronic device
JP2008263083A (ja) 面光源及び液晶表示装置
TWI777350B (zh) 背光模組
KR101684611B1 (ko) 액정표시장치
KR101640813B1 (ko) 백색 광원모듈 및 이를 적용한 액정표시장치
US20120176771A1 (en) Backlight Device for Liquid Crystal Display
TWI836927B (zh) 發光裝置
KR101831238B1 (ko) 액정표시장치
US11609453B2 (en) Light source assembly, display module and method of manufacturing light source assembly
KR101633408B1 (ko) 액정표시장치
CN209993620U (zh) 一种led光源模组
JP3118574U (ja) 側面光源モジュールを備えた液晶パネル装置
TW202334717A (zh) 顯示裝置以及其製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200680015344.3

Country of ref document: CN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11909033

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2006843446

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020077021784

Country of ref document: KR

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE