WO2009104310A1 - 圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器および電波時計 - Google Patents

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electrode
substrate wafer
wafer
piezoelectric vibrator
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理志 沼田
潔 荒武
一義 須釜
栗田　澄彦
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セイコーインスツル株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a surface mount type (SMD) piezoelectric vibrator in which a piezoelectric vibrating piece is sealed in a cavity formed between two bonded substrates, and a piezoelectric vibrator for manufacturing the piezoelectric vibrator.
  • SMD surface mount type
  • the present invention relates to a manufacturing method, an oscillator having a piezoelectric vibrator, an electronic device, and a radio timepiece.
  • a piezoelectric vibrator using crystal or the like is used as a timing source such as a time source or a control signal, a reference signal source, or the like in a mobile phone or a portable information terminal.
  • Various piezoelectric vibrators of this type are known, and one of them is a surface-mount type piezoelectric vibrator.
  • this type of piezoelectric vibrator a three-layer structure type in which a piezoelectric substrate on which a piezoelectric vibrating piece is formed is joined so as to be sandwiched from above and below by a base substrate and a lid substrate is known. In this case, the piezoelectric vibrator is housed in a cavity (sealed chamber) formed between the base substrate and the lid substrate.
  • a two-layer structure type has been developed instead of the three-layer structure type described above.
  • This type of piezoelectric vibrator has a two-layer structure in which a base substrate and a lid substrate are directly bonded, and a piezoelectric vibrating piece is accommodated in a cavity formed between the two substrates.
  • This two-layer structure type piezoelectric vibrator is excellent in that it can be made thinner than the three-layer structure, and is preferably used.
  • a piezoelectric vibrating piece and an external electrode formed on the base substrate are made conductive by using a conductive member formed so as to penetrate the base substrate. Piezoelectric vibrators are known (see, for example, Patent Documents 1 to 4).
  • the piezoelectric vibrator 300 includes a base substrate 301 and a lid substrate 302 that are anodically bonded to each other via a bonding film 307, and a cavity C formed between the substrates 301 and 302. And a piezoelectric vibrating piece 303 sealed inside.
  • the piezoelectric vibrating piece 303 is, for example, a tuning fork type vibrating piece, and is mounted on the upper surface of the base substrate 301 in the cavity C via the conductive adhesive E.
  • the base substrate 301 and the lid substrate 302 are insulating substrates made of, for example, ceramic or glass.
  • a through hole 304 penetrating the base substrate 301 is formed in the base substrate 301 of the two substrates 301 and 302.
  • a conductive member 305 is embedded in the through hole 304 so as to close the through hole 304.
  • the conductive member 305 is electrically connected to the external electrode 306 formed on the lower surface of the base substrate 301 and is electrically connected to the piezoelectric vibrating piece 303 mounted in the cavity C.
  • the conductive member 305 closes the through-hole 304 to maintain airtightness in the cavity C, and electrically connects the piezoelectric vibrating piece 303 and the external electrode 306. It plays a big role. In particular, if the close contact with the through hole 304 is insufficient, the airtightness in the cavity C may be impaired, and if the contact with the conductive adhesive E or the external electrode 306 is insufficient, The malfunction of the piezoelectric vibrating piece 303 will be caused.
  • Patent Documents 1 to 4 describe that the conductive member 305 is formed of a conductive paste (Ag paste, Au—Sn paste, etc.), how to actually form it, etc. No specific manufacturing method is described.
  • a conductive paste Asg paste, Au—Sn paste, etc.
  • it needs to be baked and cured. That is, after the conductive paste is embedded in the through hole 304, it is necessary to perform baking and cure.
  • organic matter contained in the conductive paste disappears due to evaporation, and thus the volume after firing usually decreases compared to before firing (for example, when an Ag paste is used as the conductive paste) The volume is reduced by about 20%).
  • the through hole may be opened at the center.
  • airtightness in the cavity C is impaired, or electrical conductivity between the piezoelectric vibrating piece 303 and the external electrode 306 is impaired.
  • An object of the present invention is to provide a surface mount type piezoelectric vibrator, a method of manufacturing the piezoelectric vibrator, an oscillator having the piezoelectric vibrator, an electronic device, and a radio timepiece.
  • the present invention provides the following means in order to solve the above problems.
  • the piezoelectric vibrator according to the present invention uses a base substrate, a lid substrate formed with a cavity recess, and the lid substrate bonded to the base substrate with the recess facing the base substrate, and the recess.
  • the through-hole electrode formed so as to penetrate the base substrate, maintaining airtightness in the cavity, and electrically connected to the external electrode, and the upper surface of the base substrate and bonded thereto
  • a lead electrode for electrically connecting the through electrode to the piezoelectric vibrating piece, and the through electrode includes a plurality of metal fine particles and a plurality of glass beads. It is characterized in that it is formed by curing the paste material.
  • the piezoelectric vibrator according to the present invention uses a base substrate and a lid substrate formed with a cavity recess, the lid substrate bonded to the base substrate with the recess facing the base substrate, and the recess.
  • a piezoelectric vibrating piece bonded to the upper surface of the base substrate in a state of being accommodated in a cavity formed between the base substrate and the lid substrate; and an external electrode formed on the lower surface of the base substrate; Formed through the base substrate to maintain airtightness in the cavity and electrically connected to the external electrodes, and formed on and bonded to the upper surface of the base substrate.
  • a lead electrode for electrically connecting the through electrode to the piezoelectric vibrating piece, and the through electrode includes a plurality of metal fine particles and a plurality of glass beads. It is characterized by being formed by curing glass frit containing a's.
  • the piezoelectric vibrator manufacturing method includes a piezoelectric vibrator in which a piezoelectric vibrating piece is sealed in a cavity formed between a base substrate and a lid substrate that are bonded to each other. Forming a plurality of cavity recesses for forming the cavity when both wafers are superimposed on the lid substrate wafer.
  • a base electrode forming step for forming a plurality of through electrodes penetrating the wafer by using a paste material containing a plurality of metal fine particles and a plurality of glass beads on the base substrate wafer, and for the base substrate
  • a routing electrode forming step for forming a plurality of routing electrodes electrically connected to the through electrodes on the upper surface of the wafer, and a plurality of the piezoelectric vibrating pieces
  • the through electrode forming step includes a through hole forming step of forming a plurality of through holes penetrating the base substrate wafer, and the plurality of through holes. It is characterized a filling step of closing the through hole by filling the paste material, a firing step of curing by baking implanted paste material at a predetermined temperature, in that it comprises within.
  • a piezoelectric vibrator in which a piezoelectric vibrating piece is sealed in a cavity formed between a base substrate and a lid substrate bonded to each other is provided. Forming a plurality of cavity recesses for forming the cavity when both wafers are superimposed on the lid substrate wafer.
  • a recess forming step of forming a plurality of cavity recesses on the lid substrate wafer is performed. These recesses are recesses that become cavities when the two wafers are overlapped later.
  • a through hole forming step of forming a plurality of through holes penetrating the wafer in the base substrate wafer is performed.
  • a filling step of filling the plurality of through holes with a paste material or glass frit without gaps to close the through holes is performed.
  • a firing process is performed in which the filled paste material or glass frit is fired and cured at a predetermined temperature. As a result, the paste material or glass frit is firmly fixed to the inner surface of the through hole.
  • the paste material or the glass frit contains an organic substance, and this organic substance evaporates when fired. Therefore, when the paste material or the glass frit is fired, the volume is reduced as compared with that before firing. Therefore, if a simple paste material or glass frit that does not contain glass beads is embedded in the through hole and then fired, a large dent is generated on the surface of the paste material or glass frit.
  • a paste material or glass frit containing a plurality of glass beads is used. Therefore, after the filling step, a plurality of glass beads are embedded in the through hole together with the paste material or the glass frit.
  • the amount of paste material or glass frit can be reduced by the amount of glass beads compared to the case where the inside of the through hole is filled with only the paste material or glass frit. That is, the amount of paste material or glass frit used can be reduced as much as possible. Therefore, even if the organic substance in the paste material or glass frit evaporates due to the firing process, the amount of the paste material or glass frit itself is much smaller than before, so the effect of the volume reduction of the paste material or glass frit is small. Therefore, the dents on the surface appearing after the paste material or glass frit is cured are so small as to be negligible. Therefore, the surface of the base substrate wafer and the surface of the cured paste material or glass frit are substantially flush. By performing this firing step, the through electrode forming step is completed. In addition, since the plurality of metal fine particles contained in the paste material or the glass frit are in contact with each other, the electrical conductivity of the through electrode is ensured.
  • a lead electrode forming step is performed in which a conductive material is patterned on the upper surface of the base substrate wafer to form a plurality of lead electrodes electrically connected to the respective through electrodes.
  • the routing electrode is formed so as to be accommodated in the recess formed in the lid substrate wafer.
  • the through electrode is substantially flush with the upper surface of the base substrate wafer.
  • the routing electrode patterned on the upper surface of the base substrate wafer is in close contact with the through electrode without generating a gap or the like therebetween. Thereby, the electrical continuity between the routing electrode and the through electrode can be ensured.
  • a mounting process is performed in which the plurality of piezoelectric vibrating reeds are joined to the upper surface of the base substrate wafer via the routing electrodes. Thereby, each joined piezoelectric vibrating piece will be in the state which conduct
  • an overlaying process for overlaying the base substrate wafer and the lid substrate wafer is performed. As a result, the plurality of bonded piezoelectric vibrating reeds are housed in a cavity surrounded by the recess and both wafers.
  • a bonding process is performed for bonding both the stacked wafers.
  • the piezoelectric vibrating piece can be sealed in the cavity.
  • the through-hole formed in the base substrate wafer is closed by the through-electrode, the airtightness in the cavity is not impaired through the through-hole.
  • the paste material or glass frit constituting the through electrode is firmly adhered to the inner surface of the through hole, airtightness in the cavity can be reliably maintained.
  • an external electrode forming step is performed in which a conductive material is patterned on the lower surface of the base substrate wafer to form a plurality of external electrodes electrically connected to the respective through electrodes.
  • the through electrode is substantially flush with the lower surface of the base substrate wafer, as in the case of forming the routing electrode, so that the patterned external electrode generates a gap or the like between them. Without contact with the through electrode. Thereby, the electrical connection between the external electrode and the through electrode can be ensured.
  • the piezoelectric vibrating piece sealed in the cavity can be operated using the external electrode.
  • a cutting process is performed in which the bonded base substrate wafer and lid substrate wafer are cut into small pieces into a plurality of piezoelectric vibrators.
  • the through electrode can be formed in a substantially flush state with respect to the base substrate, the through electrode can be securely adhered to the routing electrode and the external electrode. As a result, stable continuity between the piezoelectric vibrating piece and the external electrode can be ensured, the reliability of the operation performance can be improved, and high quality can be achieved. In addition, since the airtightness in the cavity can be reliably maintained, the quality can be improved also in this respect. In addition, since the through electrode can be formed by a simple method using a paste material or glass frit, the process can be simplified.
  • the piezoelectric vibrator according to the present invention is characterized in that, in the piezoelectric vibrator of the present invention, the glass beads have a thermal expansion coefficient substantially equal to that of the base substrate.
  • the method for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the present invention is characterized in that, in the method for manufacturing a piezoelectric vibrator of the present invention, glass beads having a thermal expansion coefficient substantially equal to that of the base substrate wafer are used as the glass beads. It is what.
  • the thermal expansion coefficient of the glass beads contained in the paste material or the glass frit is substantially equal to the coefficient of the base substrate wafer. That is, during the baking process, the expansion amount of the glass beads in the paste material or glass frit and the base substrate wafer are substantially equal. As a result, cracks and the like can be prevented from occurring in the base substrate wafer, and the quality of the piezoelectric vibrator can be improved.
  • the piezoelectric vibrator according to the present invention is the above-described piezoelectric vibrator according to the present invention, wherein the glass beads are spherical.
  • the method for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the present invention is characterized in that in the method for manufacturing a piezoelectric vibrator of the present invention, spherical glass beads are used as the glass beads.
  • the glass beads contained in the paste material or the glass frit are spherical. Therefore, the glass beads come into contact with each other by point contact. Therefore, a gap can be secured between the glass beads after the glass beads are brought into contact with each other. Therefore, even if the glass beads are filled in the through holes as much as possible, a paste material containing metal fine particles from one side of the base substrate to the other side using the gap secured between the glass beads Or it becomes possible to spread a glass frit.
  • the electrical conductivity of the through electrode which is ensured by bringing the conductive metal fine particles into contact with each other in the paste material or the glass frit, is not hindered by the contact between the insulating glass beads. Thereby, the electrical conductivity of the through electrode can be secured more stably.
  • the piezoelectric vibrator according to the present invention is the above-described piezoelectric vibrator according to the present invention, in which the base substrate and the lid substrate are interposed via a bonding film formed between the two substrates so as to surround the recess. It is characterized by being anodically bonded.
  • the piezoelectric vibrator manufacturing method according to the present invention is the piezoelectric vibrator manufacturing method according to the present invention, wherein the base substrate wafer and the lid substrate wafer are overlapped before the mounting step.
  • the base substrate wafer and the lid substrate wafer can be anodically bonded via the bonding film, both the wafers are bonded more firmly to each other in the cavity. Airtightness can be increased. Therefore, the piezoelectric vibrating piece can be vibrated with higher accuracy, and further quality improvement can be achieved.
  • the piezoelectric vibrator according to the present invention is characterized in that, in the piezoelectric vibrator of the present invention, the piezoelectric vibrating piece is bump-bonded by a conductive bump.
  • the method for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the present invention is the method for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the present invention, wherein the piezoelectric vibrating piece is bump-bonded using a conductive bump in the mounting step. It is a feature.
  • the piezoelectric vibrating piece since the piezoelectric vibrating piece is bump-bonded, the piezoelectric vibrating piece can be floated from the upper surface of the base substrate by the thickness of the bump. Therefore, the minimum vibration gap necessary for the vibration of the piezoelectric vibrating piece can be naturally secured. Therefore, the reliability of the operation performance of the piezoelectric vibrator can be further improved.
  • the piezoelectric vibrator according to the present invention is characterized in that, in the above-described piezoelectric vibrator of the present invention, the metal fine particles have a non-spherical shape.
  • the method for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the present invention includes embedding a paste material or glass frit containing non-spherical metal particles in the filling step in the method for manufacturing a piezoelectric vibrator of the present invention. It is a feature.
  • the metal fine particles contained in the paste material or the glass frit are not spherical, but are formed in a non-spherical shape, for example, an elongated fiber shape or a cross-sectional star shape. Therefore, when they come into contact with each other, it is likely to be a line contact rather than a point contact. Therefore, the electrical continuity of the through electrode can be further increased.
  • the method for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the present invention is the method for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the present invention, wherein the paste material or glass frit is defoamed in the filling step, and then the paste material or glass is used. A frit is embedded in the through hole.
  • the paste material or glass frit is defoamed in advance, the paste material or glass frit containing as little bubbles as possible can be filled. Therefore, even if a baking process is performed, the volume reduction of a paste material or glass frit can be suppressed as much as possible. Therefore, the surface of the base substrate wafer after the baking step and the surface of the hardened paste material or glass frit become more flush with each other. As a result, more stable continuity between the piezoelectric vibrating piece and the external electrode can be ensured, and higher quality can be achieved.
  • the piezoelectric vibrator according to the present invention includes a base substrate, a lid substrate formed with a cavity recess, the lid substrate bonded to the base substrate with the recess facing the base substrate, and the base substrate.
  • the through-hole formed so as to be electrically connected to the external electrode and the piezoelectric vibrating piece and the through-electrode are electrically connected to the through-hole while maintaining airtightness in the cavity.
  • the through electrode is connected to a conductive core member inserted into the through hole, and a glass flip.
  • the more glass frits are also mixed with a high granular material hardness, it is characterized in that the through hole and the core part and the cylindrical body is filled in the gap, in being configured with.
  • the piezoelectric vibrator according to the present invention includes a base substrate, a lid substrate that is formed with a cavity recess, and is bonded to the base substrate with the recess facing the base substrate; and the base substrate A piezoelectric vibrating piece housed in the cavity formed between the lid substrate and bonded to the upper surface of the base substrate, an external electrode formed on the lower surface of the base substrate, and formed on the base substrate.
  • the through-hole formed so as to be electrically connected to the external electrode and the piezoelectric vibrating piece and the through-electrode are electrically connected to the through-hole while maintaining airtightness in the cavity.
  • the through electrode has a conductive core member inserted in the through hole, and a pace Is mixed with said paste material high granulate hardness than wood is, is characterized in that the through hole and the core part and the cylindrical body is filled in the gap, in being configured.
  • the core portion is not a conductive paste but a rod-shaped member, so that the volume does not decrease during firing. Further, even if the core material portion, the glass frit or paste material constituting the cylindrical body, and the filler mixed with the granular material having a hardness higher than that of the glass frit or paste material are disposed in the through-hole, the glass It is possible to suppress the generation of bubbles in the frit or paste material, and it is possible to suppress volume reduction.
  • the cylindrical body is not a glass frit or paste material alone, but a mixture of glass frit or paste material and granular material having a hardness higher than that of the glass frit or paste material is adopted, the hardness of the cylindrical body is increased, It can suppress that a cylinder is ground excessively. Therefore, it is possible to form a through electrode that ensures airtightness in the through hole. That is, it is possible to provide a high-quality two-layer surface-mount type piezoelectric vibrator that reliably maintains airtightness in the cavity and ensures stable conductivity between the piezoelectric vibrating piece and the external electrode.
  • the granular material is a glass bead.
  • the filler can be configured at low cost and the function as the cylinder can be reliably exhibited by simply mixing the glass frit or paste material constituting the cylinder with readily available glass beads. It is possible to form a penetrating electrode that ensures airtightness in the through hole.
  • the piezoelectric vibrator according to the present invention is characterized in that the hardness of the cylindrical body is substantially the same as the hardness of the base substrate.
  • a core material part, the glass frit or paste material which comprises a cylinder, and the filler with which the granular material with hardness higher than this glass frit or paste material was mixed and it is a through-hole. Even if the base substrate and the surface of the through electrode are polished after being placed on and fired, the cylinder body has almost the same hardness as the base substrate. Can be suppressed.
  • the lead electrode when the lead electrode is formed on the upper surface of the base substrate to electrically connect the piezoelectric vibrating piece and the through electrode thereafter, the lead electrode can be formed with high accuracy and the occurrence of disconnection or the like can be suppressed. Can do. Therefore, it is possible to provide a high-quality two-layer structure surface-mount type piezoelectric vibrator that ensures stable continuity between the piezoelectric vibrating piece and the external electrode.
  • a method of manufacturing a piezoelectric vibrator in which a piezoelectric vibrating piece is sealed in a cavity formed between a base substrate and a lid substrate joined to each other. And a core member that extends substantially the same thickness as the base substrate along a direction orthogonal to the surface of the base portion and has a flat tip formed at the tip. And inserting a filler onto the second surface of the base substrate, inserting the core material portion into the through-hole of the base substrate and bringing the base portion of the housing into contact with the first surface of the base substrate.
  • the filler is applied to a paste-like glass frit on the cured glass. It is characterized in that is a mixture of high granular material hardness than Sufuritto.
  • the piezoelectric vibrator manufacturing method is a method of manufacturing a piezoelectric vibrator in which a piezoelectric vibrating piece is sealed in a cavity formed between a base substrate and a lid substrate joined to each other. And a core member that extends substantially the same thickness as the base substrate along a direction perpendicular to the surface of the base portion and has a flat tip formed at the tip. And inserting a filler onto the second surface of the base substrate, inserting the core material portion into the through-hole of the base substrate and bringing the base portion of the housing into contact with the first surface of the base substrate.
  • the filler is a paste material, a paste material after curing. It is characterized in that also a mixture of a high granulate hardness.
  • the filler is fired at a predetermined temperature to form the cylindrical body, and the through hole, the cylindrical body, and the core portion of the casing are integrally fixed. be able to.
  • the base part is fired together, so that both ends of the cylindrical body and the core part can be fixed together while keeping both ends substantially flush with the surface of the base substrate.
  • the filler is a mixture of paste-like glass frit or paste material and granular material having a hardness higher than that of the glass frit or paste material. It can approach the hardness of the substrate.
  • the hardness of the cylindrical body can be brought close to the hardness of the base substrate.
  • the base portion of the casing and the first surface of the base substrate on which the base portion is disposed are ground and polished so that the core portion of the casing is exposed, and then filled.
  • the base part which played the role which positions the material (tubular body) and the core part can be removed, and only the core part can be left inside the cylinder.
  • the hardness of the cylindrical body is configured to approach the hardness of the base substrate, it is possible to prevent the cylindrical body from being excessively polished during polishing.
  • the piezoelectric vibrator manufacturing method includes a piezoelectric vibrator manufacturing method in which the piezoelectric vibrator is manufactured using a base substrate wafer and a lid substrate wafer.
  • a through-hole electrode penetrating through the wafer is formed by using a conductive casing having a core portion extending substantially the same thickness as the base substrate wafer and having a flat tip.
  • a mounting step for bonding to the upper surface of the base substrate wafer via a contact electrode, and the base substrate wafer and the lid substrate wafer are overlapped, and a piezoelectric element is formed in the cavity surrounded by the recess and both wafers.
  • An external electrode forming step of forming an external electrode electrically connected to the through electrode, and a cutting step of cutting the bonded wafers into a plurality of piezoelectric vibrators In the through electrode forming step, a through hole forming step for forming a through hole for disposing a through electrode in the base substrate wafer, and the housing in the through hole of the base substrate wafer And a through electrode arrangement step of filling the gap between the through hole and the core of the casing with a filler in which a paste-like glass frit and a granular material having a hardness higher than that of the glass frit are mixed.
  • a method for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the present invention is the method for manufacturing a piezoelectric vibrator in which the piezoelectric vibrator is manufactured using a base substrate wafer and a lid substrate wafer.
  • a through-hole electrode that penetrates the wafer is formed using a conductive casing that has a core material portion that extends approximately the same thickness as the base substrate wafer along the tip and is formed flat.
  • a mounting step of bonding to the upper surface of the base substrate wafer through the routing electrode, and the base substrate wafer and the lid substrate wafer are overlapped, and a piezoelectric element is formed in the cavity surrounded by the recess and both wafers.
  • An external electrode forming step of forming an external electrode electrically connected to the through electrode, and a cutting step of cutting the bonded wafers into a plurality of piezoelectric vibrators includes a through-hole forming step for forming a through-hole for disposing a through-electrode on the base substrate wafer, and a through-hole in the base substrate wafer.
  • a through hole forming step for forming a through hole for arranging the through electrode on the base substrate wafer is performed.
  • a casing is disposed in the through hole, and a paste-like glass frit or paste material and granular material having a hardness higher than that of the glass frit or paste material are provided in a gap between the through hole and the core member of the casing.
  • a through electrode arrangement step of filling the filler mixed with the body is performed.
  • the core portion is inserted into the through-hole until the base portion of the casing contacts the base substrate wafer. Therefore, both ends of the core member can be substantially flush with the surface of the base substrate wafer.
  • both ends of the core part can be easily connected to the base substrate wafer by placing the base part in contact with the base substrate wafer. It is possible to easily and reliably be flush with the surface. Therefore, the workability in the through electrode arrangement process can be improved.
  • the base portion is formed in a flat plate shape, even if the base substrate wafer is placed on a flat surface such as a desk between the through electrode placement step and the subsequent firing step, the ratchet portion is formed. There is no stickiness and it is stable. Also in this respect, workability can be improved.
  • a firing process is performed in which the filler is fired at a predetermined temperature to form a cylinder, and the through hole, the cylinder, and the core part of the casing are fixed integrally.
  • the filler is a mixture of paste-like glass frit or paste material and granular material having a hardness higher than that of the glass frit or paste material.
  • the hardness of the substrate wafer can be approximated. For example, by adopting glass beads made of the same material as the base substrate wafer for the granular material, the hardness of the cylinder can be approximated to the hardness of the base substrate wafer.
  • a grinding / polishing step is performed in which the base portion of the casing and the upper surface of the base substrate wafer on which the base portion is disposed are ground and polished after firing so that the core portion of the casing is exposed.
  • the base part which played the role which positioned the filler (cylinder) and the core part can be removed, and only the core part can be left inside the cylinder.
  • the hardness of the cylinder is configured to approach the hardness of the base substrate wafer, it is possible to prevent the cylinder from being excessively ground and polished during grinding and polishing. As a result, it is possible to obtain a through electrode in which the cylinder and the core member are integrally fixed.
  • the through electrode is formed of a glass frit or paste material and a conductive core material part, that is, when glass beads are not filled, bubbles or recesses are generated in the glass frit or paste material during firing.
  • the glass frit is fired, generally, bismuth or the like is mixed in the glass frit, so that it is soft and lower than the hardness of the base substrate wafer. Therefore, in the subsequent grinding / polishing process, the glass frit portion is excessively ground / polished, resulting in a dent on the surface.
  • the cylindrical body is formed by using the filler in which the glass frit or paste material is mixed with the granular material having a hardness higher than that of the glass frit or paste material. There is no risk of large dents appearing on the surface.
  • the volume of the cylindrical body may be slightly reduced by firing, it is not so remarkable that it appears as a conspicuous dent and is in a negligible range.
  • the surface of the base substrate wafer and both ends of the cylindrical body and the core member are substantially flush with each other. That is, the surface of the base substrate wafer and the surface of the through electrode can be substantially flush with each other.
  • the through electrode is integrated and fixed in the through hole to ensure the airtightness in the cavity and to ensure stable electrical connection between the piezoelectric vibrating piece and the external electrode.
  • a mounting-type piezoelectric vibrator can be provided.
  • the oscillator according to the present invention is characterized in that the above-described piezoelectric vibrator is electrically connected to an integrated circuit as an oscillator. Furthermore, an electronic device according to the present invention is characterized in that the above-described piezoelectric vibrator is electrically connected to a time measuring unit.
  • the radio timepiece according to the present invention is characterized in that the piezoelectric vibrator described above is electrically connected to the filter unit.
  • the oscillator, electronic device, and radio timepiece according to the present invention are equipped with a high-quality piezoelectric vibrator that ensures airtightness in the cavity and has improved operation reliability.
  • the quality can be improved.
  • a high-quality two-layer surface mount type that can reliably maintain the airtightness in the cavity and secures a stable electrical connection between the piezoelectric vibrating piece and the external electrode. It can be set as a piezoelectric vibrator. Further, according to the method for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the present invention, the above-described piezoelectric vibrator can be efficiently manufactured at a time, and the cost can be reduced. Further, according to the oscillator, the electronic device, and the radio timepiece according to the present invention, since the above-described piezoelectric vibrator is provided, it is possible to improve the reliability of the operation and improve the quality.
  • the filler is obtained by mixing the core material portion, the glass frit or paste material constituting the cylindrical body, and the granular material having higher hardness than the glass frit or paste material. Even if it is fired after being disposed in the through hole, no bubbles or the like are generated in the filler, and volume reduction can be suppressed. Further, since the core part is not a conductive paste but a bar-like member, the volume does not decrease during firing. Therefore, it is possible to form a through electrode that ensures airtightness in the through hole. That is, it is possible to provide a high-quality two-layer surface-mount type piezoelectric vibrator that reliably maintains airtightness in the cavity and ensures stable conductivity between the piezoelectric vibrating piece and the external electrode.
  • FIG. 1 is an external perspective view showing an embodiment of a piezoelectric vibrator according to the present invention.
  • FIG. 2 is an internal configuration diagram of the piezoelectric vibrator shown in FIG. 1, and is a view of a piezoelectric vibrating piece viewed from above with a lid substrate removed.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the piezoelectric vibrator according to the first embodiment of the present invention (a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 2).
  • FIG. 2 is an exploded perspective view of the piezoelectric vibrator shown in FIG. 1.
  • FIG. 2 is a top view of a piezoelectric vibrating piece constituting the piezoelectric vibrator shown in FIG. 1.
  • FIG. 6 is a bottom view of the piezoelectric vibrating piece shown in FIG.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line BB shown in FIG.
  • FIG. 4 is an enlarged view of the through electrode shown in FIG. 3, showing a paste material containing a plurality of metal fine particles.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating a step in manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart illustrated in FIG. 9, and is a diagram illustrating a state in which a plurality of concave portions are formed in a lid substrate wafer that is a base of the lid substrate.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating a process of manufacturing a piezoelectric vibrator according to the flowchart illustrated in FIG.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating a state in which a plurality of through holes are formed in a base substrate wafer that is a base substrate. It is the figure which looked at the state shown in FIG. 11 from the cross section of the wafer for base substrates.
  • FIG. 13 is a diagram illustrating a process for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the flowchart illustrated in FIG. 9, and illustrates a state in which a paste is filled in a through hole after the state illustrated in FIG. 12.
  • FIG. 14 is a diagram illustrating a process of manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart illustrated in FIG. 9, and illustrates a state in which the paste is baked and cured after the state illustrated in FIG. 13.
  • FIG. 13 is a diagram illustrating a state in which a plurality of through holes are formed in a base substrate wafer that is a base substrate. It is the figure which looked at the state shown in FIG. 11 from the cross section of the wafer for base substrates.
  • FIG. 13 is
  • FIG. 15 is a diagram illustrating a process for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the flowchart illustrated in FIG. 9, and illustrates a state in which the bonding film and the routing electrode are patterned on the upper surface of the base substrate wafer after the state illustrated in FIG. 14.
  • FIG. FIG. 16 is an overall view of the base substrate wafer in the state shown in FIG. 15.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating a process of manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart illustrated in FIG. 9, in which the base substrate wafer and the lid substrate wafer are anodically bonded in a state where the piezoelectric vibrating piece is accommodated in the cavity.
  • FIG. FIG. 9 is a diagram showing a modification of the metal fine particles shown in FIG.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view (corresponding to a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 2) of the piezoelectric vibrator in the second embodiment of the present invention. It is a perspective view of the cylinder which comprises the penetration electrode shown in FIG. It is a flowchart which shows the flow at the time of manufacturing the piezoelectric vibrator in 2nd embodiment of this invention.
  • FIG. 22 is a diagram illustrating a step in manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart illustrated in FIG. 21, in which a filler is filled in the through hole and a housing is disposed.
  • FIG. 25 is a diagram showing a step in manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart shown in FIG. 21, and shows a state where the glass frit is fired after the state shown in FIG. 24.
  • FIG. 26 is a diagram illustrating a process for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the flowchart illustrated in FIG. 21, and illustrates a state in which the base portion of the casing is polished after the state illustrated in FIG. 25.
  • It is a block diagram which shows one Embodiment of the oscillator which concerns on this invention.
  • It is a block diagram which shows one Embodiment of the electronic device which concerns on this invention.
  • It is an internal structure figure of the conventional piezoelectric vibrator, and is a figure which looked at a piezoelectric vibration piece from the upper part in the state where a lid substrate was removed. It is sectional drawing of the piezoelectric vibrator shown in FIG.
  • the piezoelectric vibrator 1 of the present embodiment is formed in a box shape in which a base substrate 2 and a lid substrate 3 are laminated in two layers. This is a surface-mounted piezoelectric vibrator 1 in which a vibrating piece 4 is housed.
  • the excitation electrode 15, the extraction electrodes 19 and 20, the mount electrodes 16 and 17, and the weight metal film 21, which will be described later, are omitted for easy understanding of the drawing.
  • the piezoelectric vibrating piece 4 is a tuning fork type vibrating piece formed of a piezoelectric material such as quartz crystal, lithium tantalate or lithium niobate, and when a predetermined voltage is applied. It vibrates.
  • the piezoelectric vibrating reed 4 includes a pair of vibrating arm portions 10 and 11 arranged in parallel, a base portion 12 that integrally fixes a base end side of the pair of vibrating arm portions 10 and 11, and a pair of vibrating arm portions.
  • An excitation electrode 15 comprising a first excitation electrode 13 and a second excitation electrode 14 formed on the outer surfaces of the first and second vibration arms 10 and 11 to vibrate the pair of vibrating arm portions 10 and 11, a first excitation electrode 13 and Mount electrodes 16 and 17 are electrically connected to the second excitation electrode 14.
  • the piezoelectric vibrating reed 4 of this embodiment includes groove portions 18 formed on both main surfaces of the pair of vibrating arm portions 10 and 11 along the longitudinal direction of the vibrating arm portions 10 and 11, respectively. .
  • the groove portion 18 is formed from the proximal end side of the vibrating arm portions 10 and 11 to the vicinity of the middle.
  • the excitation electrode 15 composed of the first excitation electrode 13 and the second excitation electrode 14 is an electrode that vibrates the pair of vibrating arm portions 10 and 11 at a predetermined resonance frequency in a direction approaching or separating from each other. It is formed by patterning on the outer surface of the vibrating arms 10 and 11 while being electrically separated from each other.
  • the first excitation electrode 13 is mainly formed on the groove portion 18 of one vibration arm portion 10 and on both side surfaces of the other vibration arm portion 11, and the second excitation electrode 14 is formed on one side. Are formed mainly on both side surfaces of the vibrating arm portion 10 and on the groove portion 18 of the other vibrating arm portion 11.
  • first excitation electrode 13 and the second excitation electrode 14 are electrically connected to the mount electrodes 16 and 17 via the extraction electrodes 19 and 20 on both main surfaces of the base portion 12, respectively.
  • a voltage is applied to the piezoelectric vibrating reed 4 via the mount electrodes 16 and 17.
  • the excitation electrode 15, the mount electrodes 16 and 17, and the extraction electrodes 19 and 20 described above are made of a conductive film such as chromium (Cr), nickel (Ni), aluminum (Al), or titanium (Ti). It is formed.
  • a weight metal film 21 for adjusting (frequency adjustment) so as to vibrate its own vibration state within a predetermined frequency range is coated on the tips of the pair of vibrating arm portions 10 and 11.
  • the weight metal film 21 is divided into a coarse adjustment film 21a used when the frequency is roughly adjusted and a fine adjustment film 21b used when the frequency is finely adjusted.
  • the piezoelectric vibrating reed 4 configured as described above is bump-bonded to the upper surface of the base substrate 2 by using bumps B such as gold as shown in FIGS. More specifically, a pair of mount electrodes 16 and 17 are bump-bonded to each other on two bumps B formed on the routing electrodes 36 and 37 patterned on the upper surface of the base substrate 2. . As a result, the piezoelectric vibrating reed 4 is supported in a state where it floats from the upper surface of the base substrate 2, and the mount electrodes 16 and 17 and the routing electrodes 36 and 37 are electrically connected to each other.
  • the lid substrate 3 is a transparent insulating substrate made of a glass material such as soda lime glass, and is formed in a plate shape as shown in FIGS.
  • a rectangular recess 3 a in which the piezoelectric vibrating reed 4 is accommodated is formed on the bonding surface side to which the base substrate 2 is bonded.
  • the recess 3 a is a cavity recess 3 a that becomes a cavity C that accommodates the piezoelectric vibrating reed 4 when the two substrates 2 and 3 are overlapped.
  • the lid substrate 3 is anodically bonded to the base substrate 2 with the recess 3a facing the base substrate 2 side.
  • the base substrate 2 is a transparent insulating substrate made of a glass material, for example, soda lime glass, like the lid substrate 3, and has a size that can be superimposed on the lid substrate 3 as shown in FIGS. It is formed in a plate shape.
  • the base substrate 2 is formed with a pair of through holes (through holes) 30 and 31 that penetrate the base substrate 2. At this time, the pair of through holes 30 and 31 are formed so as to be accommodated in the cavity C. More specifically, in the through holes 30 and 31 of the present embodiment, one through hole 30 is formed at a position corresponding to the base 12 side of the mounted piezoelectric vibrating reed 4, and the distal ends of the vibrating arm portions 10 and 11 are formed.
  • the other through hole 31 is formed at a position corresponding to.
  • a through hole having a tapered cross-section whose diameter gradually decreases in two steps toward the lower surface of the base substrate 2 will be described as an example.
  • the present invention is not limited to this case.
  • a through hole with a continuously reduced diameter may be used, or a through hole that passes straight through the base substrate 2 may be used. In any case, it only has to penetrate the base substrate 2.
  • a pair of through electrodes 32 and 33 formed so as to fill the through holes 30 and 31 are formed.
  • the through electrodes 32 and 33 are formed by curing a paste P containing a plurality of glass beads P1, and completely close the through holes 30 and 31 to seal the airtightness in the cavity C.
  • the external electrodes 38 and 39, which will be described later, and the routing electrodes 36 and 37 are connected to each other.
  • the glass beads P1 have substantially the same thermal expansion coefficient as that of the base substrate 2.
  • the glass beads P1 preferably have a diameter of about 20 ⁇ m to 50 ⁇ m.
  • the paste P includes a plurality of metal fine particles P2 together with a plurality of glass beads P1.
  • the through electrodes 32 and 33 are ensured in electrical conductivity because the plurality of metal fine particles P2 contained in the paste P are in contact with each other.
  • the metal fine particles P2 of the present embodiment are formed in an elongated fiber shape (non-spherical shape) with copper or the like will be described as an example.
  • a conductive film for example, aluminum is used to form a bonding film 35 for anodic bonding
  • a pair of routing electrodes 36 and 37 are patterned.
  • the bonding film 35 is formed along the periphery of the base substrate 2 so as to surround the periphery of the recess 3 a formed in the lid substrate 3.
  • the pair of lead-out electrodes 36 and 37 electrically connect one of the through electrodes 32 and 33 to the one mount electrode 16 of the piezoelectric vibrating reed 4 and the other through electrode. 33 and the other mount electrode 17 of the piezoelectric vibrating reed 4 are patterned so as to be electrically connected. More specifically, the one lead-out electrode 36 is formed directly above the one through electrode 32 so as to be positioned directly below the base 12 of the piezoelectric vibrating piece 4.
  • the other routing electrode 37 is routed from the position adjacent to the one routing electrode 36 along the vibrating arm portions 10 and 11 to the distal end side of the vibrating arm portions 10 and 11, and then the other through electrode 33. It is formed so that it may be located just above.
  • Bumps B are formed on the pair of lead-out electrodes 36 and 37, and the piezoelectric vibrating reed 4 is mounted using the bumps B.
  • one mount electrode 16 of the piezoelectric vibrating reed 4 is electrically connected to one through electrode 32 through one routing electrode 36, and the other mount electrode 17 is passed through the other routing electrode 37 to the other penetration electrode.
  • the electrode 33 is electrically connected.
  • external electrodes 38 and 39 that are electrically connected to the pair of through electrodes 32 and 33 are formed on the lower surface of the base substrate 2. . That is, one external electrode 38 is electrically connected to the first excitation electrode 13 of the piezoelectric vibrating reed 4 through one through electrode 32 and one routing electrode 36. The other external electrode 39 is electrically connected to the second excitation electrode 14 of the piezoelectric vibrating reed 4 via the other through electrode 33 and the other routing electrode 37.
  • a predetermined drive voltage is applied to the external electrodes 38 and 39 formed on the base substrate 2.
  • a current can be passed through the excitation electrode 15 including the first excitation electrode 13 and the second excitation electrode 14 of the piezoelectric vibrating reed 4, and a predetermined amount is set in a direction in which the pair of vibrating arm portions 10 and 11 are moved closer to and away from each other.
  • Can be vibrated at a frequency of The vibration of the pair of vibrating arm portions 10 and 11 can be used as a time source, a control signal timing source, a reference signal source, and the like.
  • the piezoelectric vibrating reed manufacturing step is performed to manufacture the piezoelectric vibrating reed 4 shown in FIGS. 5 to 7 (S10). Specifically, a quartz Lambert rough is first sliced at a predetermined angle to obtain a wafer having a constant thickness. Subsequently, the wafer is lapped and roughly processed, and then the work-affected layer is removed by etching, and then mirror polishing such as polishing is performed to obtain a wafer having a predetermined thickness.
  • the wafer is patterned with the outer shape of the piezoelectric vibrating reed 4 by photolithography, and a metal film is formed and patterned to obtain the excitation electrode 15, Lead electrodes 19 and 20, mount electrodes 16 and 17, and weight metal film 21 are formed. Thereby, the some piezoelectric vibrating piece 4 is producible.
  • the resonance frequency is coarsely adjusted. This is done by irradiating the coarse adjustment film 21a of the weight metal film 21 with laser light to evaporate a part thereof and changing the weight. Note that fine adjustment for adjusting the resonance frequency with higher accuracy is performed after mounting. This will be described later.
  • a first wafer manufacturing process is performed in which a lid substrate wafer 50 to be the lid substrate 3 later is manufactured up to a state immediately before anodic bonding (S20).
  • a disk-shaped lid substrate wafer 50 is formed by removing the outermost processing-affected layer by etching or the like (S21).
  • a recess forming step is performed in which a plurality of cavity recesses 3a are formed in the matrix direction by etching or the like on the bonding surface of the lid substrate wafer 50 (S22). At this point, the first wafer manufacturing process is completed.
  • a second wafer manufacturing process is performed in which the base substrate wafer 40 to be the base substrate 2 is manufactured up to the state immediately before anodic bonding (S30).
  • a disk-shaped base substrate wafer 40 is formed by removing the outermost processed layer by etching or the like (S31).
  • a through electrode forming process is performed in which a plurality of pairs of through electrodes 32 and 33 are formed on the base substrate wafer 40 using the paste P including the plurality of metal fine particles P2 and the plurality of glass beads P1 (S30A). .
  • the through electrode forming step will be described in detail.
  • a through hole forming step (S32) is performed in which a plurality of a pair of through holes 30, 31 penetrating the wafer 40 is formed in the base substrate wafer 40.
  • the dotted line M shown in FIG. 11 has shown the cutting line cut
  • this process it is performed from the upper surface side of the base substrate wafer 40 by, for example, pressing.
  • through holes 30 and 31 having a tapered cross section can be formed in which the diameter gradually decreases in two steps toward the lower surface of the base substrate wafer 40.
  • a plurality of pairs of through holes 30 and 31 are formed so as to be accommodated in the recess 3a formed in the lid substrate wafer 50.
  • one through hole 30 is formed on the base 12 side of the piezoelectric vibrating reed 4, and the other through hole 31 is formed on the tip side of the vibrating arm sections 10 and 11.
  • a sand blast method or the like may be used as a processing method to form a through-hole whose diameter gradually decreases, or a through-hole that passes straight through the base substrate wafer 40 may be formed. It may be formed.
  • a filling process is performed in which the paste P is filled in the plurality of through holes 30 and 31 without any gaps, and the through holes 30 and 31 are closed (S33).
  • the metal fine particles P2 are not shown.
  • a baking process is performed in which the filled paste P is baked and cured at a predetermined temperature (S34). As a result, the paste P is firmly fixed to the inner surfaces of the through holes 30 and 31.
  • the paste P contains an organic substance, and the organic substance evaporates when fired. Therefore, when the paste P is fired, the volume is reduced as compared with that before firing. Therefore, if a mere paste P that does not contain glass beads P1 is embedded in the through holes 30 and 31 and then baked, a large dent is generated on the surface of the paste P.
  • a paste P including a plurality of glass beads P1 is used. Therefore, after the filling process, a plurality of glass beads P1 are embedded in the through holes 30 and 31 together with the paste P. Therefore, the amount of the paste P can be reduced by the amount of the glass beads P1 as compared with the case where the through holes 30 and 31 are filled only with the paste P. That is, the amount of paste P to be used can be reduced as much as possible. Therefore, even if the organic matter in the paste P evaporates due to the firing process, the amount of the paste P itself is much smaller than before, so the influence of the volume reduction of the paste P is slight. Therefore, as shown in FIG.
  • the dent of the surface which appears after hardening of the paste P is so small that it can be disregarded. Therefore, the surface of the base substrate wafer 40 and the surface of the cured paste P are substantially flush with each other.
  • the melting point of glass is higher than the firing temperature of the metal fine particles, the glass beads P1 are not melted during the firing step. Therefore, the volume of the glass beads P1 does not change before and after the firing process. By performing this firing step, the through electrode forming step is completed.
  • a conductive material is patterned on the upper surface of the base substrate wafer 40, and a bonding film forming step for forming the bonding film 35 is performed as shown in FIGS.
  • the dotted line M shown in FIG. 15, FIG. 16 has shown the cutting line cut
  • the through electrodes 32 and 33 are substantially flush with the upper surface of the base substrate wafer 40 as described above. Therefore, the routing electrodes 36 and 37 patterned on the upper surface of the base substrate wafer 40 are in close contact with the through electrodes 32 and 33 without generating a gap therebetween. As a result, it is possible to ensure the electrical conductivity between the one routing electrode 36 and the one through electrode 32 and the electrical conductivity between the other routing electrode 37 and the other through electrode 33.
  • the second wafer manufacturing process is completed.
  • the order of steps for performing the routing electrode formation step (S36) is performed after the bonding film formation step (S35).
  • the bonding film formation is performed after the routing electrode formation step (S36).
  • the step (S35) may be performed, or both steps may be performed simultaneously. Regardless of the order of steps, the same effects can be obtained. Therefore, the process order may be changed as necessary.
  • a mounting step is performed in which the produced plurality of piezoelectric vibrating reeds 4 are joined to the upper surface of the base substrate wafer 40 via the routing electrodes 36 and 37, respectively (S40).
  • bumps B such as gold are formed on the pair of lead-out electrodes 36 and 37, respectively.
  • the piezoelectric vibrating piece 4 is pressed against the bump B while heating the bump B to a predetermined temperature.
  • the piezoelectric vibrating reed 4 is mechanically supported by the bumps B, and the mount electrodes 16 and 17 and the routing electrodes 36 and 37 are electrically connected.
  • the pair of excitation electrodes 15 of the piezoelectric vibrating reed 4 are in a state of being electrically connected to the pair of through electrodes 32 and 33, respectively.
  • the piezoelectric vibrating reed 4 is bump-bonded, it is supported in a state where it floats from the upper surface of the base substrate wafer 40.
  • an overlaying process for overlaying the lid substrate wafer 50 on the base substrate wafer 40 is performed (S50). Specifically, both wafers 40 and 50 are aligned at the correct position while using a reference mark (not shown) as an index. As a result, the mounted piezoelectric vibrating reed 4 is accommodated in the cavity C surrounded by the recess 3 a formed in the base substrate wafer 40 and the wafers 40 and 50.
  • the superposed two wafers 40 and 50 are put into an anodic bonding apparatus (not shown), and a bonding process is performed in which a predetermined voltage is applied in a predetermined temperature atmosphere to perform anodic bonding (S60). Specifically, a predetermined voltage is applied between the bonding film 35 and the lid substrate wafer 50. As a result, an electrochemical reaction occurs at the interface between the bonding film 35 and the lid substrate wafer 50, and the two are firmly bonded and anodically bonded. Thereby, the piezoelectric vibrating reed 4 can be sealed in the cavity C, and the wafer body 60 shown in FIG. 17 in which the base substrate wafer 40 and the lid substrate wafer 50 are bonded can be obtained. In FIG.
  • a state in which the wafer body 60 is disassembled is illustrated, and the bonding film 35 is not illustrated from the base substrate wafer 40.
  • a dotted line M shown in FIG. 17 illustrates a cutting line that is cut in a cutting process to be performed later.
  • a conductive material is patterned on the lower surface of the base substrate wafer 40 to form a pair of external electrodes 38 and 39 electrically connected to the pair of through electrodes 32 and 33, respectively.
  • a plurality of external electrode forming steps are formed (S70).
  • the piezoelectric vibrating reed 4 sealed in the cavity C can be operated using the external electrodes 38 and 39.
  • the through electrodes 32 and 33 are substantially flush with the lower surface of the base substrate wafer 40 as in the formation of the lead-out electrodes 36 and 37.
  • the external electrodes 38 and 39 are in close contact with the through electrodes 32 and 33 without generating a gap or the like therebetween. Thereby, the continuity between the external electrodes 38 and 39 and the through electrodes 32 and 33 can be ensured.
  • a fine adjustment step of finely adjusting the frequency of each piezoelectric vibrator 1 sealed in the cavity C to be within a predetermined range is performed (S80). More specifically, a voltage is applied to the pair of external electrodes 38 and 39 formed on the lower surface of the base substrate wafer 40 to vibrate the piezoelectric vibrating reed 4. Then, laser light is irradiated from the outside through the lid substrate wafer 50 while measuring the frequency, and the fine adjustment film 21b of the weight metal film 21 is evaporated. Thereby, since the weight of the tip side of a pair of vibration arm parts 10 and 11 changes, the frequency of the piezoelectric vibrating reed 4 can be finely adjusted to be within a predetermined range of the nominal frequency.
  • a cutting process is performed in which the bonded wafer body 60 is cut along the cutting line M shown in FIG.
  • the piezoelectric vibration piece 4 is sealed in the cavity C formed between the base substrate 2 and the lid substrate 3 that are anodically bonded to each other, and the two-layer structure surface mount type piezoelectric vibration shown in FIG.
  • a plurality of children 1 can be manufactured at a time.
  • the order of processes in which the fine adjustment process (S80) is performed may be used.
  • fine adjustment step (S80) fine adjustment can be performed in the state of the wafer body 60, so that the plurality of piezoelectric vibrators 1 can be finely adjusted more efficiently. Therefore, it is preferable because throughput can be improved.
  • the piezoelectric vibrator 1 of the present embodiment can form the through electrodes 32 and 33 in a substantially flush state with respect to the base substrate 2, the through electrodes 32 and 33 are connected to the routing electrodes 36 and 37 and the external electrodes. 38 and 39 can be securely adhered. As a result, stable continuity between the piezoelectric vibrating reed 4 and the external electrodes 38 and 39 can be ensured, and the reliability of the operation performance can be improved to achieve high performance. Moreover, since the airtightness in the cavity C can be reliably maintained, the quality can be improved also in this respect. In addition, since the through electrodes 32 and 33 can be formed by a simple method using the paste P, the process can be simplified. In addition, according to the manufacturing method of the present embodiment, a plurality of the piezoelectric vibrators 1 can be manufactured at a time, so that the cost can be reduced.
  • the thermal expansion coefficient of the glass beads P ⁇ b> 1 included in the paste P of the present embodiment is substantially equal to the thermal expansion coefficient of the base substrate wafer 40.
  • the thermal expansion coefficient of the glass beads P1 when the thermal expansion coefficient of the glass beads P1 is larger than the thermal expansion coefficient of the base substrate wafer 40, the amount of expansion by which the peripheral portions of the through holes 30 and 31 are pushed from the inside by the glass beads P1 in the paste P is It becomes larger than the expansion amount for expanding the diameters of the holes 30 and 31. For this reason, a load is applied to the peripheral portions of the through holes 30 and 31, and cracks and the like are generated.
  • the thermal expansion coefficient of the glass beads P1 contained in the paste P is substantially equal to the thermal expansion coefficient of the base substrate wafer 40, and the glass beads P1 in the paste P and the base substrate wafer 40 are subjected to a baking process. Since the expansion amounts are substantially equal, there is no possibility that the above-described phenomenon occurs. Thereby, it is possible to prevent cracks and the like from occurring in the base substrate wafer 40 and to improve the quality of the piezoelectric vibrator 1.
  • the glass beads P1 are spherical. Therefore, the glass beads P1 are in point contact with each other. Therefore, a gap can be secured between the glass beads P1 after the glass beads P1 are brought into contact with each other. Therefore, even if the glass beads P1 are filled in the through holes 30 and 31 as much as possible, the metal fine particles are transferred from one surface side of the base substrate 2 to the other surface side by using the gap secured between the glass beads P1. It becomes possible to spread the paste P containing P2. For this reason, the electrical continuity of the through electrodes 32 and 33 secured by the conductive fine metal particles P2 contacting each other in the paste P is hindered by the contact between the insulating glass beads P1. Absent. Thereby, the electrical continuity of the through electrodes 32 and 33 can be secured more stably.
  • the through electrodes 32 and 33 are formed using the paste P including the plurality of glass beads P1 and the plurality of metal fine particles P2.
  • the through electrodes 32 are formed using glass frit. , 33 may be formed. Even when glass frit is used, a baking step of baking and curing is performed, but the glass frit, like the paste P, is reduced in volume compared to before baking when baking. However, by using the glass frit containing the glass beads P1, the dents on the surface appearing after the glass frit is hardened become small enough to be ignored. Moreover, the electrical conductivity of the through electrodes 32 and 33 can be ensured by using the glass frit containing the metal fine particles P2.
  • the shape of the metal fine particle P2 may be another shape.
  • it may be spherical.
  • the metal fine particles P2 are in contact with each other, they are in point contact, so that electrical continuity can be similarly secured.
  • the non-spherical metal fine particle P2 like a long and thin fiber shape, it is likely to be a line contact rather than a point contact when contacting each other. Therefore, since the electrical continuity of the through electrodes 32 and 33 can be further improved, it is preferable to use the paste P containing the non-spherical metal fine particles P2 rather than the spherical shape.
  • a strip shape shown in FIG. 18A or a corrugated shape shown in FIG. 18B may be used, as shown in FIG. 18C.
  • the paste P may be embedded in the through holes 30 and 31 after the paste P is defoamed (for example, centrifugal defoaming or evacuation).
  • the paste P by performing the defoaming process on the paste P in advance, it is possible to fill the paste P containing as little bubbles as possible. Therefore, even if a baking process is performed, volume reduction of the paste P can be suppressed as much as possible. Therefore, the surface of the base substrate wafer 40 after the baking step and the surface of the hardened paste P are more flush with each other. Thereby, more stable electrical conductivity between the piezoelectric vibrating reed 4 and the external electrodes 38 and 39 can be ensured, and higher quality can be achieved.
  • glass bead P1 was made into ball shape, it is not restrict
  • the glass beads P1 are spherical, the glass beads P1 can be brought into contact with each other by point contact, and the electrical conductivity of the through electrodes 32 and 33 can be more stably ensured. It is preferably spherical.
  • the piezoelectric vibrator 1 of the present embodiment is formed in a box shape in which a base substrate 2 and a lid substrate 3 are laminated in two layers, and the piezoelectric vibrating reed 4 in the internal cavity C. Is a surface mount type piezoelectric vibrator in which is stored.
  • the piezoelectric vibrating reed 4 is bump-bonded to the upper surface of the base substrate 2 using a bump B such as gold. More specifically, a pair of mount electrodes 16 and 17 are bump-bonded to each other on two bumps B formed on the routing electrodes 36 and 37 patterned on the upper surface of the base substrate 2. . As a result, the piezoelectric vibrating reed 4 is supported in a state where it floats from the upper surface of the base substrate 2, and the mount electrodes 16 and 17 and the routing electrodes 36 and 37 are electrically connected to each other.
  • a bump B such as gold. More specifically, a pair of mount electrodes 16 and 17 are bump-bonded to each other on two bumps B formed on the routing electrodes 36 and 37 patterned on the upper surface of the base substrate 2. . As a result, the piezoelectric vibrating reed 4 is supported in a state where it floats from the upper surface of the base substrate 2, and the mount electrodes 16 and 17 and the routing electrodes 36 and 37 are electrical
  • the base substrate 2 is a transparent insulating substrate made of a glass material, for example, soda-lime glass, like the lid substrate 3, and is formed in a plate shape with a size that can be superimposed on the lid substrate 3.
  • the base substrate 2 is formed with a pair of through holes (through holes) 230 and 231 penetrating the base substrate 2.
  • the pair of through holes 230 and 231 are formed so as to be accommodated in the cavity C. More specifically, in the through holes 230 and 231 of the present embodiment, one through hole 230 is formed at a position corresponding to the base 12 side of the mounted piezoelectric vibrating reed 4, and the distal ends of the vibrating arm portions 10 and 11 are formed.
  • the other through hole 231 is formed at a position corresponding to.
  • a through hole having a tapered cross section whose diameter gradually decreases from the lower surface to the upper surface of the base substrate 2 will be described as an example.
  • the present invention is not limited to this, and the base substrate 2 is straightened.
  • a through hole that penetrates may be used. In any case, it only has to penetrate the base substrate 2.
  • a pair of through electrodes 232 and 233 formed so as to fill the through holes 230 and 231 are formed.
  • These through-electrodes 232 and 233 are formed by the cylindrical body 206 and the core member 207 that are integrally fixed to the through-holes 230 and 231 by firing, and completely cover the through-holes 230 and 231. While maintaining the airtightness in the cavity C, it plays the role which makes the external electrodes 38 and 39 mentioned later and the routing electrodes 36 and 37 conduct
  • the cylindrical body 206 is obtained by mixing paste glass frit 206a and glass beads 206b formed of the same glass material as that of the base substrate 2, and firing the mixture.
  • the cylindrical body 206 is formed in a cylindrical shape having flat ends and substantially the same thickness as the base substrate 2.
  • a core member 207 is disposed at the center of the cylinder 206 so as to penetrate the cylinder 206.
  • the outer shape of the cylindrical body 206 is formed in a conical shape (tapered cross section) according to the shape of the through holes 230 and 231.
  • the cylindrical body 206 is fired in a state of being embedded in the through holes 230 and 231, and is firmly fixed to the through holes 230 and 231.
  • the paste-like glass frit 206a is generally mixed with bismuth or the like, the hardness is small.
  • the blue plate glass has a hardness of 570 HV (Vickers hardness)
  • the glass frit 206a has a hardness of 410 HV.
  • a glass frit 206 a mixed with glass beads 206 b made of the same material as the base substrate 2 is used, and the hardness thereof is about 500 HV, which can approach the hardness of the base substrate 2.
  • the outer diameter of the core part 207 is set to 200 ⁇ m
  • the outer diameter of the through holes 230 and 231 on the side where the base part 208 is arranged is set to 220 ⁇ m
  • the outer diameter on the side opposite to the side where the base part 208 is arranged is set to 400 ⁇ m.
  • the particle size of the glass beads 206b is 5 to 20 ⁇ m, the generation of bubbles can be suppressed.
  • the glass beads 206b are softened at a temperature higher by 50 ° C. or more than the firing temperature of the glass frit 206a.
  • the core material portion 7 is a conductive core material formed in a cylindrical shape from a metal material, and is formed so that both ends are flat and substantially the same thickness as the thickness of the base substrate 2, similar to the cylindrical body 206. Yes.
  • the core member 207 is located in the center hole 206c of the cylindrical body 206, and is firmly fixed to the cylindrical body 206 by firing of the cylindrical body 206.
  • the through electrodes 232 and 233 are ensured to have electrical conductivity through the conductive core member 207.
  • a bonding film 35 for anodic bonding and a pair of routing electrodes 36 and 37 are patterned by a conductive material.
  • the bonding film 35 is formed along the periphery of the base substrate 2 so as to surround the periphery of the recess 3 a formed in the lid substrate 3.
  • Bumps B are formed on the pair of routing electrodes 36 and 37, and the piezoelectric vibrating reed 4 is mounted using the bumps B.
  • one mount electrode 16 of the piezoelectric vibrating reed 4 is electrically connected to one through electrode 232 via one routing electrode 36, and the other mount electrode 17 passes through the other routing electrode 37 to the other penetration electrode.
  • the electrode 233 is electrically connected.
  • external electrodes 38 and 39 are formed on the lower surface of the base substrate 2 so as to be electrically connected to the pair of through electrodes 232 and 233, respectively. That is, one external electrode 38 is electrically connected to the first excitation electrode 13 of the piezoelectric vibrating reed 4 through one through electrode 232 and one routing electrode 36. The other external electrode 39 is electrically connected to the second excitation electrode 14 of the piezoelectric vibrating reed 4 via the other through electrode 233 and the other routing electrode 37.
  • the piezoelectric vibrating reed manufacturing process is performed to manufacture the piezoelectric vibrating reed 4 (see FIGS. 5 to 7) (S10). Specifically, a quartz Lambert rough is first sliced at a predetermined angle to obtain a wafer having a constant thickness. Subsequently, the wafer is lapped and roughly processed, and then the work-affected layer is removed by etching, and then mirror polishing such as polishing is performed to obtain a wafer having a predetermined thickness.
  • the wafer is patterned with the outer shape of the piezoelectric vibrating reed 4 by photolithography technique, and a metal film is formed and patterned to obtain the excitation electrode 15, Lead electrodes 19 and 20, mount electrodes 16 and 17, and weight metal film 21 are formed. Thereby, the some piezoelectric vibrating piece 4 is producible.
  • the resonance frequency is coarsely adjusted. This is done by irradiating the coarse adjustment film 21a of the weight metal film 21 with laser light to evaporate a part thereof and changing the weight. Note that fine adjustment for adjusting the resonance frequency with higher accuracy is performed after mounting. This will be described later.
  • a first wafer manufacturing process is performed in which a lid substrate wafer 50 to be the lid substrate 3 later is manufactured up to a state immediately before anodic bonding (S20).
  • a disk-shaped lid substrate wafer 50 (see FIG. 10) is formed by removing the outermost process-affected layer by etching or the like (S21).
  • a recess forming step is performed in which a plurality of cavity recesses 3a are formed in the matrix direction by etching or the like on the bonding surface of the lid substrate wafer 50 (S22). At this point, the first wafer manufacturing process is completed.
  • a second wafer manufacturing process is performed in which the base substrate wafer 40 to be the base substrate 2 is manufactured up to the state immediately before anodic bonding (S30).
  • a disk-shaped base substrate wafer 40 is formed by removing the outermost processed layer by etching or the like (S31).
  • a through electrode forming step for forming a plurality of pairs of through electrodes 232 and 233 on the base substrate wafer 40 is performed (S30A).
  • the through electrode forming step will be described in detail.
  • a through hole forming step (S32) for forming a plurality of a pair of through holes 230 and 231 penetrating the base substrate wafer 40 is performed (see FIG. 11).
  • this process for example, sandblasting is performed from the lower surface side of the base substrate wafer 40.
  • through holes 230 and 231 having a tapered cross section whose diameter gradually decreases from the lower surface to the upper surface of the base substrate wafer 40 can be formed.
  • a plurality of pairs of through holes 230 and 231 are formed so as to be accommodated in the recesses 3a formed in the lid substrate wafer 50.
  • one through hole 230 is formed on the base 12 side of the piezoelectric vibrating reed 4, and the other through hole 231 is formed on the distal end side of the vibrating arm portions 10 and 11.
  • the core member 207 of the casing 209 is disposed in the plurality of through holes 230 and 231 and glass beads 206b formed of the same material as the base substrate 2 are mixed with the glass frit 206a made of a glass material.
  • a setting process for filling the filled material 206d into the through holes 230 and 231 is performed (S33).
  • a conductive casing 209 having a core member 207 that extends by a thickness and has a flat tip is used. Furthermore, as shown in FIG.
  • the core member 207 is inserted until the base 208 of the casing 209 comes into contact with the base substrate wafer 40.
  • both ends of the core part 207 can be easily operated by simply pushing the base part 208 until it contacts the base substrate wafer 40. Can be easily and reliably flush with the surface of the base substrate wafer 40. Therefore, workability in the setting process can be improved.
  • the paste-like glass frit 206 a can be reliably filled into the through holes 230 and 231. Furthermore, since the base portion 208 is formed in a flat plate shape, even if the base substrate wafer 40 is placed on a flat surface such as a desk between the setting step and the subsequent firing step, the rattling portion 208 is There is no stickiness and it is stable. Also in this respect, workability can be improved.
  • a firing step of firing the embedded filler at a predetermined temperature is performed (S34). Accordingly, the through holes 230 and 231, the filler 206 d embedded in the through holes 230 and 231, and the housing 209 disposed in the filler 206 d are fixed to each other. Since the entire base portion 208 is fired when performing this firing, both ends of the filler 206d and the core material portion 207 are substantially flush with the surface of the base substrate wafer 40, and the two are integrated. Can be fixed. When the filler 206d is fired, it is solidified as a cylindrical body 206. Subsequently, as shown in FIG. 25, a polishing step is performed to polish and remove the base portion 208 of the housing 209 after firing (S35).
  • the base part 208 which played the role which positioned the cylinder 206 and the core part 207 can be removed, and only the core part 207 can be left inside the cylinder 206.
  • the hardness of the cylindrical body 206 is configured to be approximately the same as the hardness of the base substrate wafer 40, it is possible to suppress the cylindrical body 206 from being excessively ground and polished during grinding and polishing. .
  • a plurality of pairs of through electrodes 232 and 233 in which the cylindrical body 206 and the core member 207 are integrally fixed can be obtained.
  • the through electrode 232 is formed of the cylindrical body 206 made of a glass material and the conductive core portion 207 without using a paste for the conductive portion. , 233. If a paste is used for the conductive part, the organic matter contained in the paste evaporates during firing, so the volume of the paste is significantly reduced compared to before firing. Therefore, if only the paste is embedded in the through holes 230 and 231, a large dent is generated on the surface of the paste after firing.
  • the through electrodes 232 and 233 are formed of glass frit and a conductive core part, bubbles and recesses are generated in the glass frit during firing. Further, even when the glass frit is fired, bismuth or the like is generally mixed in the glass frit, so that it is soft and lower than the hardness of the base substrate wafer 40. Therefore, in the subsequent grinding / polishing process, the glass frit portion is excessively ground / polished, resulting in a dent on the surface.
  • the cylindrical body 206 is formed by using the filler 206d in which the glass beads 206b having higher hardness than the glass frit are mixed with the glass frit 206a, so that a large dent may appear on the surface after firing. There is no. Although the volume of the cylindrical body 206 may be slightly reduced by firing, it is not so prominent that it appears as a conspicuous dent and is in a negligible range. In this grinding / polishing step, the back surface of the base substrate wafer 40 (the surface on the side where the base portion 208 of the housing 209 is not disposed) may be polished to become a flat surface.
  • the surface of the base substrate wafer 40 and both ends of the cylindrical body 206 and the core member 207 are substantially flush with each other. That is, the surface of the base substrate wafer 40 and the surfaces of the through electrodes 232 and 233 can be substantially flush with each other.
  • the through electrode forming process is completed.
  • a conductive film is patterned on the upper surface of the base substrate wafer 40 to form a bonding film 35 (S36), and electrically connected to the pair of through electrodes 232 and 233, respectively.
  • a lead electrode forming step (S37) for forming a plurality of lead electrodes 36 and 37 is performed (see FIGS. 15 and 16).
  • the through electrodes 232 and 233 are substantially flush with the upper surface of the base substrate wafer 40 as described above. Therefore, the routing electrodes 36 and 37 patterned on the upper surface of the base substrate wafer 40 are in close contact with the through electrodes 232 and 233 without generating a gap or the like therebetween.
  • FIG. 21 it is set as the process order which performs the routing electrode formation process (S37) after the bonding film formation process (S36), but on the contrary, after the routing electrode formation process (S37), the bonding film formation is performed.
  • the step (S36) may be performed, or both steps may be performed simultaneously. Regardless of the order of steps, the same effects can be obtained. Therefore, the process order may be changed as necessary.
  • a mounting step is performed in which the produced plurality of piezoelectric vibrating reeds 4 are joined to the upper surface of the base substrate wafer 40 via the routing electrodes 36 and 37, respectively (S40).
  • bumps B such as gold are formed on the pair of lead-out electrodes 36 and 37, respectively.
  • the piezoelectric vibrating piece 4 is pressed against the bump B while heating the bump B to a predetermined temperature.
  • the piezoelectric vibrating reed 4 is mechanically supported by the bumps B, and the mount electrodes 16 and 17 and the routing electrodes 36 and 37 are electrically connected.
  • the pair of excitation electrodes 15 of the piezoelectric vibrating reed 4 are in a state of being electrically connected to the pair of through electrodes 232 and 233, respectively.
  • the piezoelectric vibrating reed 4 is bump-bonded, it is supported in a state where it floats from the upper surface of the base substrate wafer 40.
  • an overlaying process for overlaying the lid substrate wafer 50 on the base substrate wafer 40 is performed (S50). Specifically, both wafers 40 and 50 are aligned at the correct positions while using a reference mark (not shown) as an index. As a result, the mounted piezoelectric vibrating reed 4 is housed in a cavity C surrounded by the recess 3 a formed in the base substrate wafer 40 and the wafers 40 and 50.
  • the superposed two wafers 40 and 50 are put in an anodic bonding apparatus (not shown), and a predetermined voltage is applied in a predetermined temperature atmosphere to perform the anodic bonding (S60). Specifically, a predetermined voltage is applied between the bonding film 35 and the lid substrate wafer 50. As a result, an electrochemical reaction occurs at the interface between the bonding film 35 and the lid substrate wafer 50, and the two are firmly bonded and anodically bonded. Thus, the piezoelectric vibrating reed 4 can be sealed in the cavity C, and a wafer body 60 in which the base substrate wafer 40 and the lid substrate wafer 50 are bonded can be obtained (see FIG. 17).
  • the through-holes 230 and 231 formed in the base substrate wafer 40 are completely closed by the through-electrodes 232 and 233. Will not be damaged through.
  • the cylindrical body 206 and the core member 207 are fixed to each other by firing, and are firmly fixed to the through holes 230 and 231, so that the airtightness in the cavity C is reliably maintained. can do.
  • a conductive material is patterned on the lower surface of the base substrate wafer 40 to form a pair of external electrodes 38 and 39 electrically connected to the pair of through electrodes 232 and 233, respectively.
  • a plurality of external electrode forming steps are formed (S70).
  • the piezoelectric vibrating reed 4 sealed in the cavity C can be operated using the external electrodes 38 and 39.
  • the through electrodes 232 and 233 are substantially flush with the lower surface of the base substrate wafer 40 as in the formation of the lead-out electrodes 36 and 37, and thus the patterning is performed.
  • the external electrodes 38 and 39 are in close contact with the through electrodes 232 and 233 without generating a gap or the like therebetween. Thereby, the electrical connection between the external electrodes 38 and 39 and the through electrodes 232 and 233 can be ensured.
  • a fine adjustment step of finely adjusting the frequency of each piezoelectric vibrator 1 sealed in the cavity C to be within a predetermined range is performed (S80). More specifically, a voltage is applied to the pair of external electrodes 38 and 39 formed on the lower surface of the base substrate wafer 40 to vibrate the piezoelectric vibrating reed 4. Then, laser light is irradiated from the outside through the lid substrate wafer 50 while measuring the frequency, and the fine adjustment film 21b of the weight metal film 21 is evaporated. Thereby, since the weight of the tip end side of the pair of vibrating arm portions 10 and 11 changes, the frequency of the piezoelectric vibrating piece 4 can be finely adjusted so as to be within a predetermined range of the nominal frequency.
  • a cutting process is performed in which the bonded wafer body 60 is cut along the cutting line M (see FIG. 17) to make pieces (S90).
  • the two-layer structure surface-mount type piezoelectric vibrator 1 in which the piezoelectric vibrating reed 4 is sealed in the cavity C formed between the base substrate 2 and the lid substrate 3 that are anodically bonded to each other is once formed. Multiple products can be manufactured.
  • the order of processes in which the fine adjustment process (S80) is performed may be used.
  • fine adjustment step (S80) fine adjustment can be performed in the state of the wafer body 60, so that the plurality of piezoelectric vibrators 1 can be finely adjusted more efficiently. Therefore, it is preferable because throughput can be improved.
  • the piezoelectric vibrator 1 of the present embodiment has no recess on the surface and can form the through electrodes 232 and 233 in a substantially flush state with respect to the base substrate 2, the through electrodes 232 and 233 are used as the routing electrodes. 36 and 37 and the external electrodes 38 and 39 can be securely adhered to each other. As a result, stable continuity between the piezoelectric vibrating reed 4 and the external electrodes 38 and 39 can be ensured, and the reliability of the operation performance can be improved to achieve high performance.
  • the through electrodes 232 and 233 are configured using the conductive core member 207, very stable conductivity can be obtained.
  • the quality in the cavity C can be reliably maintained, the quality can be improved also in this respect.
  • the cylindrical body 206 of the present embodiment is formed by mixing glass beads 206b with glass frit 206a, deformation and volume reduction are unlikely to occur at the subsequent firing stage. Therefore, high-quality through electrodes 232 and 233 can be formed, and the airtightness in the cavity C can be further ensured. Therefore, the quality of the piezoelectric vibrator 1 can be improved. Further, according to the manufacturing method of the present embodiment, a plurality of the piezoelectric vibrators 1 can be manufactured at a time, so that the cost can be reduced.
  • the function as the cylindrical body 206 can be surely exhibited by simply mixing the glass beads 206b that can be easily obtained with the glass frit 206a constituting the cylindrical body 206, and the through holes 230 and 231 are airtight. Can be formed.
  • a core material portion 207, a glass frit 206a constituting the cylindrical body 206, and a filler 206d in which glass beads 206b having a hardness higher than the glass frit 206a are mixed are disposed in the through holes 230 and 231.
  • the hardness of the cylindrical body 206 is closer to the hardness of the base substrate 2 than in the case of the glass frit 206a alone (substantially). Therefore, the cylindrical body 206 can be prevented from being excessively polished in the subsequent polishing process.
  • the routing electrodes 36 and 37 are formed on the upper surface of the base substrate 2 to electrically connect the piezoelectric vibrating reed 4 and the through electrodes 232 and 233 thereafter, the routing electrodes 36 and 37 are formed with high accuracy. And the occurrence of disconnection or the like can be suppressed. Therefore, it is possible to provide a high-quality two-layer structure type surface-mount type piezoelectric vibrator 1 in which stable continuity between the piezoelectric vibrating piece 4 and the external electrodes 38 and 39 is ensured.
  • the cylindrical body 206 is formed using the glass frit 206a including the plurality of glass beads 206b.
  • the cylindrical body 206 is formed using a paste material such as silver paste instead of the glass frit 206a. May be. Even when a paste material is used, a firing step is performed in which the paste material is fired and hardened. However, like the glass frit 206a, the paste material also has a reduced volume compared to before firing. However, by using the paste material containing the glass beads 206b, the dents on the surface appearing after the paste material is hardened become small enough to be ignored.
  • the core member 207 is formed in a columnar shape, but it may be a prism. Even in this case, the same effects can be obtained.
  • the core member 207 having a thermal expansion coefficient substantially equal to that of the base substrate 2 (base substrate wafer 40) and the cylindrical body 206.
  • the base substrate wafer 40, the cylindrical body 206, and the core member 207 are thermally expanded in the same manner. Therefore, due to the difference in thermal expansion coefficient, excessive pressure is applied to the base substrate wafer 40 and the cylindrical body 206 to generate cracks, etc., or between the cylindrical body 206 and the through holes 230 and 231, or the cylindrical body There is no gap between 206 and the core part 207. Therefore, a higher quality through electrode can be formed, and as a result, the piezoelectric vibrator 1 can be further improved in quality.
  • the oscillator 100 is configured such that the piezoelectric vibrator 1 is an oscillator electrically connected to the integrated circuit 101.
  • the oscillator 100 includes a substrate 103 on which an electronic component 102 such as a capacitor is mounted. On the substrate 103, the integrated circuit 101 for the oscillator is mounted, and the piezoelectric vibrator 1 is mounted in the vicinity of the integrated circuit 101.
  • the electronic component 102, the integrated circuit 101, and the piezoelectric vibrator 1 are electrically connected by a wiring pattern (not shown). Each component is molded with a resin (not shown).
  • the piezoelectric vibrating reed 4 in the piezoelectric vibrator 1 vibrates. This vibration is converted into an electric signal by the piezoelectric characteristics of the piezoelectric vibrating piece 4 and input to the integrated circuit 101 as an electric signal.
  • the input electrical signal is subjected to various processes by the integrated circuit 101 and is output as a frequency signal.
  • the piezoelectric vibrator 1 functions as an oscillator.
  • the operation date and time of the device or external device in addition to a single-function clock oscillator or the like Functions such as controlling the time and providing the time and calendar can be added.
  • RTC real-time clock
  • the oscillator 100 itself is similarly provided because the high-quality piezoelectric vibrator 1 in which the airtightness in the cavity C is ensured and the operation reliability is improved is provided. Higher quality can be achieved by improving the operation reliability. In addition to this, it is possible to obtain a highly accurate frequency signal that is stable over a long period of time.
  • the portable information device 110 having the above-described piezoelectric vibrator 1 will be described as an example of the electronic device.
  • the portable information device 110 according to the present embodiment is represented by, for example, a mobile phone, and is a development and improvement of a wrist watch in the related art. The appearance is similar to that of a wristwatch, and a liquid crystal display is arranged in a portion corresponding to a dial so that the current time and the like can be displayed on this screen.
  • the portable information device 110 includes the piezoelectric vibrator 1 and a power supply unit 111 for supplying power.
  • the power supply unit 111 is made of, for example, a lithium secondary battery.
  • the power supply unit 111 includes a control unit 112 that performs various controls, a clock unit 113 that counts time, a communication unit 114 that communicates with the outside, a display unit 115 that displays various types of information, A voltage detection unit 116 that detects the voltage of the functional unit is connected in parallel.
  • the power unit 111 supplies power to each functional unit.
  • the control unit 112 controls each function unit to control the operation of the entire system such as transmission and reception of voice data, measurement and display of the current time, and the like.
  • the control unit 112 includes a ROM in which a program is written in advance, a CPU that reads and executes the program written in the ROM, and a RAM that is used as a work area of the CPU.
  • the clock unit 113 includes an integrated circuit including an oscillation circuit, a register circuit, a counter circuit, an interface circuit, and the like, and the piezoelectric vibrator 1.
  • the piezoelectric vibrating piece 4 vibrates, and this vibration is converted into an electric signal by the piezoelectric characteristics of the crystal and is input to the oscillation circuit as an electric signal.
  • the output of the oscillation circuit is binarized and counted by a register circuit and a counter circuit. Then, signals are transmitted to and received from the control unit 112 via the interface circuit, and the current time, current date, calendar information, and the like are displayed on the display unit 115.
  • the communication unit 114 has functions similar to those of a conventional mobile phone, and includes a radio unit 117, a voice processing unit 118, a switching unit 119, an amplification unit 120, a voice input / output unit 121, a telephone number input unit 122, and a ring tone generation unit. 123 and a call control memory unit 124.
  • the wireless unit 117 exchanges various data such as voice data with the base station via the antenna 125.
  • the audio processing unit 118 encodes and decodes the audio signal input from the radio unit 117 or the amplification unit 120.
  • the amplifying unit 120 amplifies the signal input from the audio processing unit 118 or the audio input / output unit 121 to a predetermined level.
  • the voice input / output unit 121 includes a speaker, a microphone, and the like, and amplifies a ringtone and a received voice or collects a voice.
  • the ring tone generator 123 generates a ring tone in response to a call from the base station.
  • the switching unit 119 switches the amplifying unit 120 connected to the voice processing unit 118 to the ringing tone generating unit 123 only when an incoming call is received, so that the ringing tone generated in the ringing tone generating unit 123 is transmitted via the amplifying unit 120.
  • the call control memory unit 124 stores a program related to incoming / outgoing call control of communication.
  • the telephone number input unit 122 includes, for example, number keys from 0 to 9 and other keys. By pressing these number keys and the like, a telephone number of a call destination is input.
  • the voltage detection unit 116 detects the voltage drop and notifies the control unit 112 of the voltage drop.
  • the predetermined voltage value at this time is a value set in advance as a minimum voltage necessary for stably operating the communication unit 114, and is, for example, about 3V.
  • the control unit 112 prohibits the operations of the radio unit 117, the voice processing unit 118, the switching unit 119, and the ring tone generation unit 123. In particular, it is essential to stop the operation of the wireless unit 117 with high power consumption. Further, the display unit 115 displays that the communication unit 114 has become unusable due to insufficient battery power.
  • the operation of the communication unit 114 can be prohibited by the voltage detection unit 116 and the control unit 112, and that effect can be displayed on the display unit 115.
  • This display may be a text message, but as a more intuitive display, a x (X) mark may be attached to the telephone icon displayed at the top of the display surface of the display unit 115.
  • the function of the communication part 114 can be stopped more reliably by providing the power supply cutoff part 126 that can selectively cut off the power of the part related to the function of the communication part 114.
  • the portable information device 110 of the present embodiment the portable information device itself is provided with the high-quality piezoelectric vibrator 1 that is surely hermetically sealed in the cavity C and has improved operation reliability. Similarly, it is possible to improve the operation reliability and improve the quality. In addition to this, it is possible to display highly accurate clock information that is stable over a long period of time.
  • the radio-controlled timepiece 130 includes the piezoelectric vibrator 1 electrically connected to the filter unit 131.
  • the radio-controlled timepiece 130 receives a standard radio wave including timepiece information and is accurate. It is a clock with a function of automatically correcting and displaying the correct time.
  • transmitting stations transmitting stations that transmit standard radio waves in Fukushima Prefecture (40 kHz) and Saga Prefecture (60 kHz), each transmitting standard radio waves.
  • Long waves such as 40 kHz or 60 kHz have the property of propagating the surface of the earth and the property of propagating while reflecting the ionosphere and the surface of the earth, so the propagation range is wide, and the above two transmitting stations cover all of Japan. is doing.
  • the antenna 132 receives a long standard wave of 40 kHz or 60 kHz.
  • the long-wave standard radio wave is obtained by subjecting time information called a time code to AM modulation on a 40 kHz or 60 kHz carrier wave.
  • the received long standard wave is amplified by the amplifier 133 and filtered and tuned by the filter unit 131 having the plurality of piezoelectric vibrators 1.
  • the piezoelectric vibrator 1 according to this embodiment includes crystal vibrator portions 138 and 139 having resonance frequencies of 40 kHz and 60 kHz that are the same as the carrier frequency.
  • the filtered signal having a predetermined frequency is detected and demodulated by the detection and rectification circuit 134. Subsequently, the time code is taken out via the waveform shaping circuit 135 and counted by the CPU 136.
  • the CPU 136 reads information such as the current year, accumulated date, day of the week, and time. The read information is reflected in the RTC 137, and accurate time information is displayed. Since the carrier wave is 40 kHz or 60 kHz, the crystal vibrator units 138 and 139 are preferably vibrators having the tuning fork type structure described above.
  • the frequency of the long standard radio wave is different overseas.
  • a standard radio wave of 77.5 KHz is used. Accordingly, when the radio timepiece 130 that can be used overseas is incorporated into a portable device, the piezoelectric vibrator 1 having a frequency different from that in Japan is required.
  • the radio-controlled timepiece 130 of the present embodiment itself includes the high-quality piezoelectric vibrator 1 that is surely hermetically sealed in the cavity C and has improved operation reliability. In addition, it is possible to improve the operation reliability and improve the quality. In addition to this, it is possible to count time stably and with high accuracy over a long period of time.
  • the shape of the through hole is formed in a conical shape having a tapered cross section, but may be a straight cylindrical shape instead of a tapered sectional shape.
  • the grooved piezoelectric vibrating piece 4 in which the groove portions 18 are formed on both surfaces of the vibrating arm portions 10 and 11 has been described as an example.
  • the piezoelectric vibrating piece may be used.
  • the tuning fork type piezoelectric vibrating piece 4 has been described as an example.
  • the tuning fork type is not limited to the tuning fork type.
  • it may be a thickness sliding vibration piece.
  • the base substrate 2 and the lid substrate 3 are anodically bonded via the bonding film 35.
  • the present invention is not limited to anodic bonding.
  • anodic bonding is preferable because both substrates 2 and 3 can be firmly bonded.
  • the piezoelectric vibrating reed 4 is bump-bonded, but is not limited to bump bonding.
  • the piezoelectric vibrating reed 4 may be joined with a conductive adhesive.
  • the piezoelectric vibrating reed 4 can be lifted from the upper surface of the base substrate 2, and a minimum vibration gap necessary for vibration can be secured naturally. Therefore, it is preferable to perform bump bonding.
  • the thermal expansion coefficient of the glass beads is substantially equal to that of the base substrate wafer 40.
  • the present invention is not limited to this.
  • the thermal expansion coefficients of the glass beads and the wafer 40 are substantially equal, the occurrence of cracks can be prevented and the quality can be improved, so the thermal expansion coefficients are preferably substantially equal.
  • the piezoelectric vibrator according to the present invention can be applied to a surface mount type (SMD) piezoelectric vibrator in which a piezoelectric vibrating piece is sealed in a cavity formed between two bonded substrates.
  • SMD surface mount type

Abstract

　本発明の圧電振動片は、ベース基板と、キャビティ用の凹部が形成され、前記凹部を前記ベース基板に対向させた状態で前記ベース基板に接合されたリッド基板と、前記凹部を利用して前記ベース基板と前記リッド基板との間に形成されたキャビティ内に収納された状態で、ベース基板の上面に接合された圧電振動片と、前記ベース基板の下面に形成された外部電極と、前記ベース基板を貫通するように形成され、前記キャビティ内の気密を維持するとともに、前記外部電極に対してそれぞれ電気的に接続された貫通電極と、前記ベース基板の上面に形成され、接合された前記圧電振動片に対して前記貫通電極をそれぞれ電気的に接続させる引き回し電極と、を備え、前記貫通電極は、複数の金属微粒子および複数のガラスビーズを含んだペーストの硬化により形成されている。

Description

圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器および電波時計
　本発明は、接合された２枚の基板の間に形成されたキャビティ内に圧電振動片が封止された表面実装型（ＳＭＤ）の圧電振動子、該圧電振動子を製造する圧電振動子の製造方法、圧電振動子を有する発振器、電子機器および電波時計に関するものである。
　近年、携帯電話や携帯情報端末には、時刻源や制御信号などのタイミング源、リファレンス信号源などとして水晶などを利用した圧電振動子が用いられている。この種の圧電振動子は、様々なものが知られているが、その一つとして、表面実装型の圧電振動子が知られている。この種の圧電振動子としては、一般的に圧電振動片が形成された圧電基板をベース基板とリッド基板とで上下から挟み込むように接合した３層構造タイプのものが知られている。この場合、圧電振動子は、ベース基板とリッド基板との間に形成されたキャビティ（密閉室）内に収納されている。また、近年では、上述した３層構造タイプのものではなく、２層構造タイプのものも開発されている。
　このタイプの圧電振動子は、ベース基板とリッド基板とが直接接合されることで２層構造になっており、両基板の間に形成されたキャビティ内に圧電振動片が収納されている。この２層構造タイプの圧電振動子は、３層構造のものに比べて薄型化を図ることができるなどの点において優れており、好適に使用されている。このような２層構造タイプの圧電振動子の一つとして、ベース基板を貫通するように形成された導電部材を利用して、圧電振動片とベース基板に形成された外部電極とを導通させた圧電振動子が知られている（例えば、特許文献１～特許文献４参照)。
　この圧電振動子３００は、図３０、図３１に示すように、接合膜３０７を介して互いに陽極接合されたベース基板３０１およびリッド基板３０２と、両基板３０１、３０２の間に形成されたキャビティＣ内に封止された圧電振動片３０３と、を備えている。圧電振動片３０３は、例えば音叉型の振動片であって、キャビティＣ内においてベース基板３０１の上面に導電性接着剤Ｅを介してマウントされている。
　ベース基板３０１およびリッド基板３０２は、例えばセラミックやガラスなどからなる絶縁基板である。両基板３０１、３０２のうちベース基板３０１には、ベース基板３０１を貫通するスルーホール３０４が形成されている。そして、このスルーホール３０４内には、スルーホール３０４を塞ぐように導電部材３０５が埋め込まれている。この導電部材３０５は、ベース基板３０１の下面に形成された外部電極３０６に電気的に接続されているとともに、キャビティＣ内にマウントされている圧電振動片３０３に電気的に接続されている。
特開２００１－２６７１９０号公報 特開２００７－３２８９４１号公報 特開２００２－１２４８４５号公報 特開２００６－２７９８７２号公報
　ところで、上述した２層構造タイプの圧電振動子において、導電部材３０５は、スルーホール３０４を塞いでキャビティＣ内の気密を維持するとともに、圧電振動片３０３と外部電極３０６とを導通させるという２つの大きな役割を担っている。特に、スルーホール３０４との密着が不十分であると、キャビティＣ内の気密が損なわれてしまう虞があり、また、導電性接着剤Ｅあるいは外部電極３０６との接触が不十分であると、圧電振動片３０３の作動不良を招いてしまう。したがって、このような不具合をなくすためにも、スルーホール３０４の内面に強固に密着した状態でスルーホール３０４を完全に塞ぎ、しかも、表面に凹みなどがない状態で導電部材３０５を形成する必要がある。
　しかしながら、特許文献１～特許文献４には、導電部材３０５を導電ペースト（ＡｇペーストやＡｕ－Ｓｎペーストなど）にて形成する点は記載されているものの、実際にどのように形成するかなどの具体的な製造方法については何ら記載されていない。
　一般的に導電ペーストを使用する場合には、焼成して硬化させる必要がある。つまり、スルーホール３０４内に導電ペーストを埋め込んだ後、焼成を行って硬化させる必要がある。ところが、焼成を行うと、導電ペーストに含まれる有機物が蒸発により消失してしまうため、通常、焼成後の体積が焼成前に比べて減少してしまう（例えば、導電ペーストとしてＡｇペーストを用いた場合には、体積が略２０％程度減少してしまう）。そのため、導電ペーストを利用して導電部材３０５を形成したとしても、表面に凹みが発生してしまったり、酷い場合には貫通孔が中心に開いてしまったりする虞がある。
　その結果、キャビティＣ内の気密が損なわれたり、圧電振動片３０３と外部電極３０６との導通性が損なわれたりする可能性があった。
　そこで、本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、キャビティ内の気密を確実に維持するとともに、圧電振動片と外部電極との安定した導通性を確保した高品質な２層構造式表面実装型の圧電振動子、および圧電振動子の製造方法、圧電振動子を有する発振器、電子機器、電波時計を提供することを目的とする。
　本発明は、前記課題を解決するために以下の手段を提供する。
　本発明に係る圧電振動子は、ベース基板と、キャビティ用の凹部が形成され、前記凹部を前記ベース基板に対向させた状態で前記ベース基板に接合されたリッド基板と、前記凹部を利用して前記ベース基板と前記リッド基板との間に形成されたキャビティ内に収納された状態で、ベース基板の上面に接合された圧電振動片と、前記ベース基板の下面に形成された外部電極と、前記ベース基板を貫通するように形成され、前記キャビティ内の気密を維持するとともに、前記外部電極に対してそれぞれ電気的に接続された貫通電極と、前記ベース基板の上面に形成され、接合された前記圧電振動片に対して前記貫通電極をそれぞれ電気的に接続させる引き回し電極と、を備え、前記貫通電極は、複数の金属微粒子および複数のガラスビーズを含んだペースト材の硬化により形成されていることを特徴としている。
　または、本発明に係る圧電振動子は、ベース基板と、キャビティ用の凹部が形成され、前記凹部を前記ベース基板に対向させた状態で前記ベース基板に接合されたリッド基板と、前記凹部を利用して前記ベース基板と前記リッド基板との間に形成されたキャビティ内に収納された状態で、ベース基板の上面に接合された圧電振動片と、前記ベース基板の下面に形成された外部電極と、前記ベース基板を貫通するように形成され、前記キャビティ内の気密を維持するとともに、前記外部電極に対してそれぞれ電気的に接続された貫通電極と、前記ベース基板の上面に形成され、接合された前記圧電振動片に対して前記貫通電極をそれぞれ電気的に接続させる引き回し電極と、を備え、前記貫通電極は、複数の金属微粒子および複数のガラスビーズを含んだガラスフリットの硬化により形成されていることを特徴としている。
　また、本発明に係る圧電振動子の製造方法は、互いに接合されたベース基板とリッド基板との間に形成されたキャビティ内に圧電振動片が封止された圧電振動子を、ベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとを利用して一度に複数製造する方法であって、前記リッド基板用ウエハに、両ウエハが重ね合わされたときに前記キャビティを形成するキャビティ用の凹部を複数形成する凹部形成工程と、前記ベース基板用ウエハに、複数の金属微粒子および複数のガラスビーズを含んだペースト材を利用して、前記ウエハを貫通する貫通電極を複数形成する貫通電極形成工程と、前記ベース基板用ウエハの上面に、前記貫通電極に対してそれぞれ電気的に接続された引き回し電極を複数形成する引き回し電極形成工程と、複数の前記圧電振動片を、前記引き回し電極を介して前記ベース基板用ウエハの上面に接合するマウント工程と、前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを重ね合わせて、前記凹部と両ウエハとで囲まれる前記キャビティ内に圧電振動片を収納する重ね合わせ工程と、前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを接合し、前記圧電振動片を前記キャビティ内に封止する接合工程と、前記ベース基板用ウエハの下面に、前記貫通電極にそれぞれ電気的に接続された外部電極を複数形成する外部電極形成工程と、接合された前記両ウエハを切断して、複数の前記圧電振動子に小片化する切断工程と、を備え、前記貫通電極形成工程は、前記ベース基板用ウエハに前記ウエハを貫通する貫通孔を複数形成する貫通孔形成工程と、これら複数の貫通孔内に前記ペースト材を埋め込んで前記貫通孔を塞ぐ充填工程と、埋め込んだペースト材を所定の温度で焼成して硬化させる焼成工程と、を備えていることを特徴としている。
　または、本発明に係る圧電振動子の製造方法は、互いに接合されたベース基板とリッド基板との間に形成されたキャビティ内に圧電振動片が封止された圧電振動子を、ベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとを利用して一度に複数製造する方法であって、前記リッド基板用ウエハに、両ウエハが重ね合わされたときに前記キャビティを形成するキャビティ用の凹部を複数形成する凹部形成工程と、前記ベース基板用ウエハに、複数の金属微粒子および複数のガラスビーズを含んだガラスフリットを利用して、前記ウエハを貫通する貫通電極を複数形成する貫通電極形成工程と、前記ベース基板用ウエハの上面に、前記貫通電極に対してそれぞれ電気的に接続された引き回し電極を複数形成する引き回し電極形成工程と、複数の前記圧電振動片を、前記引き回し電極を介して前記ベース基板用ウエハの上面に接合するマウント工程と、前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを重ね合わせて、前記凹部と両ウエハとで囲まれる前記キャビティ内に圧電振動片を収納する重ね合わせ工程と、前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを接合し、前記圧電振動片を前記キャビティ内に封止する接合工程と、前記ベース基板用ウエハの下面に、前記貫通電極にそれぞれ電気的に接続された外部電極を複数形成する外部電極形成工程と、接合された前記両ウエハを切断して、複数の前記圧電振動子に小片化する切断工程と、を備え、前記貫通電極形成工程は、前記ベース基板用ウエハに前記ウエハを貫通する貫通孔を複数形成する貫通孔形成工程と、これら複数の貫通孔内に前記ガラスフリットを埋め込んで前記貫通孔を塞ぐ充填工程と、埋め込んだガラスフリットを所定の温度で焼成して硬化させる焼成工程と、を備えていることを特徴としている。
　この発明に係る圧電振動子および圧電振動子の製造方法においては、まずリッド基板用ウエハに、キャビティ用の凹部を複数形成する凹部形成工程を行う。これら凹部は、後に両ウエハを重ね合わせた際に、キャビティとなる凹部である。
　また、上記工程と同時或いは前後のタイミングで、ベース基板用ウエハに、複数の金属微粒子および複数のガラスビーズを含んだペースト材またはガラスフリットを利用して、貫通電極を複数形成する貫通電極形成工程を行う。この際、後に両ウエハを重ね合わせたときに、リッド基板用ウエハに形成した凹部内に収まるように貫通電極を複数形成する。
　この貫通電極形成工程について、詳細に説明すると、まずベース基板用ウエハにこのウエハを貫通する貫通孔を複数形成する貫通孔形成工程を行う。続いて、これら複数の貫通孔内にペースト材またはガラスフリットを隙間なく埋め込んでこの貫通孔を塞ぐ充填工程を行う。続いて、充填したペースト材またはガラスフリットを所定の温度で焼成して硬化させる焼成工程を行う。これにより、貫通孔の内面にペースト材またはガラスフリットが強固に固着した状態となる。
　ところで、ペースト材またはガラスフリット内には有機物が含まれており、この有機物は焼成することで蒸発してしまう。したがって、ペースト材またはガラスフリットを焼成すると、焼成前に比べて体積が減少してしまう。そのため、仮にガラスビーズが含まれていない単なるペースト材またはガラスフリットを貫通孔内に埋め込んだ後に焼成した場合には、ペースト材またはガラスフリットの表面に大きな凹みが生じてしまう。
　しかしながら、本発明では複数のガラスビーズが含まれたペースト材またはガラスフリットを利用している。したがって、充填工程の後、貫通孔内にはペースト材またはガラスフリットとともにガラスビーズも複数埋め込まれた状態となっている。よって、ペースト材またはガラスフリットだけで貫通孔内を埋める場合と比べて、ガラスビーズの分だけペースト材またはガラスフリットの量を少なくすることができる。つまり、使用するペースト材またはガラスフリットの量をできるだけ少なくすることができる。そのため、焼成工程によってペースト材またはガラスフリット内の有機物が蒸発したとしても、ペースト材またはガラスフリットの量そのものが従来より遥かに少ないので、ペースト材またはガラスフリットの体積減少の影響はわずかである。よって、ペースト材またはガラスフリットの硬化後に現れる表面の凹みは無視できるほど小さい。したがって、ベース基板用ウエハの表面と硬化したペースト材またはガラスフリットの表面とが、ほぼ面一な状態となる。
　この焼成工程を行うことで、貫通電極形成工程が終了する。なお、ペースト材またはガラスフリットに含まれる複数の金属微粒子が互いに接触し合っていることで、貫通電極の電気導通性が確保されている。
　次に、ベース基板用ウエハの上面に導電性材料をパターニングして、各貫通電極に対してそれぞれ電気的に接続された引き回し電極を複数形成する引き回し電極形成工程を行う。この際、後に両ウエハを重ね合わせたときに、リッド基板用ウエハに形成した凹部内に収まるように引き回し電極を形成する。
　特に貫通電極は、上述したように、ベース基板用ウエハの上面に対してほぼ面一な状態となっている。そのため、ベース基板用ウエハの上面にパターニングされた引き回し電極は、間に隙間等を発生させることなく貫通電極に対して密着した状態で接する。これにより、引き回し電極と貫通電極との導通性を確実なものにすることができる。
　次に、複数の圧電振動片を、それぞれ引き回し電極を介してベース基板用ウエハの上面に接合するマウント工程を行う。これにより、接合された各圧電振動片は、引き回し電極を介して貫通電極に対して導通した状態となる。マウント終了後、ベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとを重ね合わせる重ね合わせ工程を行う。これにより、接合された複数の圧電振動片は、凹部と両ウエハとで囲まれるキャビティ内に収納された状態となる。
　次に、重ね合わせた両ウエハを接合する接合工程を行う。これにより、両ウエハが強固に密着するので、圧電振動片をキャビティ内に封止することができる。この際、ベース基板用ウエハに形成された貫通孔は、貫通電極によって塞がれているので、キャビティ内の気密が貫通孔を通じて損なわれることがない。特に、貫通電極を構成するペースト材またはガラスフリットは、貫通孔の内面に強固に密着しているため、キャビティ内の気密を確実に維持することができる。
　次に、ベース基板用ウエハの下面に導電性材料をパターニングして、各貫通電極にそれぞれ電気的に接続された外部電極を複数形成する外部電極形成工程を行う。
　この場合も引き回し電極の形成時と同様に、ベース基板用ウエハの下面に対して貫通電極がほぼ面一な状態となっているため、パターニングされた外部電極は、間に隙間などを発生させることなく貫通電極に対して密着した状態で接する。これにより、外部電極と貫通電極との導通性を確実なものにすることができる。この工程により、外部電極を利用して、キャビティ内に封止された圧電振動片を作動させることができる。
　最後に、接合されたベース基板用ウエハおよびリッド基板用ウエハを切断して、複数の圧電振動子に小片化する切断工程を行う。
　その結果、互いに接合されたベース基板とリッド基板との間に形成されたキャビティ内に圧電振動片が封止された２層構造式表面実装型の圧電振動子を一度に複数製造することができる。
　特に、ベース基板に対してほぼ面一な状態で貫通電極を形成できるので、この貫通電極を、引き回し電極および外部電極に対して確実に密着させることができる。その結果、圧電振動片と外部電極との安定した導通性を確保することができ、作動性能の信頼性を向上して、高品質化を図ることができる。また、キャビティ内の気密に関しても確実に維持することができるので、この点においても高品質化を図ることができる。加えて、ペースト材またはガラスフリットを利用した簡単な方法で貫通電極を形成できるので、工程の簡素化を図ることができる。
　また、本発明に係る圧電振動子は、上記本発明の圧電振動子において、前記ガラスビーズは、熱膨張係数が前記ベース基板と略等しいことを特徴とするものである。
　また、本発明に係る圧電振動子の製造方法は、上記本発明の圧電振動子の製造方法において、前記ガラスビーズとして、熱膨張係数が前記ベース基板用ウエハと略等しいガラスビーズを用いることを特徴とするものである。
　この発明に係る圧電振動子および圧電振動子の製造方法においては、ペースト材またはガラスフリットに含まれるガラスビーズの熱膨張係数が、ベース基板用ウエハの該係数と略等しい。即ち、焼成工程の際に、ペースト材またはガラスフリット内のガラスビーズとベース基板用ウエハとの膨張量が略等しくなる。これにより、ベース基板用ウエハにクラックなどが発生することを防止でき、圧電振動子の高品質化を図ることが可能になる。
　また、本発明に係る圧電振動子は、上記本発明の圧電振動子において、前記ガラスビーズは、球状であることを特徴とするものである。
　また、本発明に係る圧電振動子の製造方法は、上記本発明の圧電振動子の製造方法において、前記ガラスビーズとして、球状のガラスビーズを用いることを特徴とするものである。
　この発明に係る圧電振動子および圧電振動子の製造方法においては、ペースト材またはガラスフリットに含まれるガラスビーズが球状である。したがって、ガラスビーズ同士は、点接触で接触することになる。よって、ガラスビーズ同士を接触させた上で、ガラスビーズの間に隙間を確保することができる。そのため、貫通孔内にガラスビーズが可能な限り充填されていたとしても、ガラスビーズ間に確保された隙間を利用することでベース基板の一面側から他面側へ金属微粒子が含まれたペースト材またはガラスフリットを行き亘らせることが可能になる。このため、導電性を有する金属微粒子同士がペースト材またはガラスフリット内で接触し合うことで確保される貫通電極の電気導通性が、絶縁体のガラスビーズ同士の接触によって阻害されることがない。これにより、貫通電極の電気導通性をより安定に確保することができる。
　また、本発明に係る圧電振動子は、上記本発明の圧電振動子において、前記ベース基板および前記リッド基板が、前記凹部の周囲を囲むように両基板の間に形成された接合膜を介して陽極接合されていることを特徴とするものである。
　また、本発明に係る圧電振動子の製造方法は、上記本発明の圧電振動子の製造方法において、前記マウント工程前に、前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを重ね合わせたときに、前記凹部の周囲を囲む接合膜をベース基板用ウエハの上面に形成する接合膜形成工程を備え、前記接合工程の際、前記接合膜を介して前記両ウエハを陽極接合することを特徴とするものである。
　この発明に係る圧電振動子および圧電振動子の製造方法においては、接合膜を介してベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとを陽極接合できるため、両ウエハをより強固に接合してキャビティ内の気密性を高めることができる。したがって、圧電振動片をさらに高精度に振動させることができ、さらなる高品質化を図ることができる。
　また、本発明に係る圧電振動子は、上記本発明の圧電振動子において、前記圧電振動片が、導電性のバンプによりバンプ接合されていることを特徴とするものである。
　また、本発明に係る圧電振動子の製造方法は、上記本発明の圧電振動子の製造方法において、前記マウント工程の際、導電性のバンプを利用して前記圧電振動片をバンプ接合することを特徴とするものである。
　この発明に係る圧電振動子および圧電振動子の製造方法においては、圧電振動片をバンプ接合するので、バンプの厚み分だけ圧電振動片をベース基板の上面から浮かすことができる。そのため、圧電振動片の振動に必要な最低限の振動ギャップを自然と確保することができる。よって、圧電振動子の作動性能の信頼性をさらに向上することができる。
　また、本発明に係る圧電振動子は、上記本発明の圧電振動子において、前記金属微粒子が、非球形形状であることを特徴とするものである。
　また、本発明に係る圧電振動子の製造方法は、上記本発明の圧電振動子の製造方法において、前記充填工程の際、非球形形状の金属微粒子を含んだペースト材またはガラスフリットを埋め込むことを特徴とするものである。
　この発明に係る圧電振動子および圧電振動子の製造方法においては、ペースト材またはガラスフリットに含まれる金属微粒子が球形ではなく、非球形、例えば、細長い繊維状或いは断面星型状に形成されているので、互いに接触し合ったときに、点接触ではなく、線接触になり易い。よって、貫通電極の電気的な導通性をさらに高めることができる。
　また、本発明に係る圧電振動子の製造方法は、上記本発明の圧電振動子の製造方法において、前記充填工程の際、前記ペースト材またはガラスフリットを脱泡処理した後に、前記ペースト材またはガラスフリットを前記貫通孔内に埋め込むことを特徴とするものである。
　この発明に係る圧電振動子の製造方法においては、事前にペースト材またはガラスフリットを脱泡処理するため、気泡等が極力含まれていないペースト材またはガラスフリットを充填することができる。よって、焼成工程を行ったとしても、ペースト材またはガラスフリットの体積減少をできるだけ抑えることができる。したがって、焼成工程後のベース基板用ウエハの表面と硬化したペースト材またはガラスフリットの表面とが、より面一な状態になる。
　これにより、圧電振動片と外部電極とのより安定した導通性を確保することができ、一層の高品質化を図ることができる。
　また、本発明に係る圧電振動子は、ベース基板と、キャビティ用の凹部が形成され、該凹部を前記ベース基板に対向させた状態で該ベース基板に接合されるリッド基板と、前記ベース基板と前記リッド基板との間に形成された前記キャビティ内に収納され、前記ベース基板の上面に接合された圧電振動片と、前記ベース基板の下面に形成された外部電極と、前記ベース基板に形成された貫通孔に、前記キャビティ内の気密を維持するとともに、前記外部電極に対して電気的に接続するように形成された貫通電極と、前記圧電振動片と前記貫通電極とを電気的に接続させるために前記ベース基板の上面に形成された引き回し電極と、を備えた圧電振動子において、前記貫通電極が、前記貫通孔内に挿入された導電性の芯材部と、ガラスフリットと該ガラスフリットよりも硬度の高い粒状体とが混合され、前記貫通孔と前記芯材部との隙間に充填された筒体と、で構成されていることを特徴としている。
　または、本発明に係る圧電振動子は、ベース基板と、キャビティ用の凹部が形成され、前記凹部を前記ベース基板に対向させた状態で前記ベース基板に接合されるリッド基板と、前記ベース基板と前記リッド基板との間に形成された前記キャビティ内に収納され、前記ベース基板の上面に接合された圧電振動片と、前記ベース基板の下面に形成された外部電極と、前記ベース基板に形成された貫通孔に、前記キャビティ内の気密を維持するとともに、前記外部電極に対して電気的に接続するように形成された貫通電極と、前記圧電振動片と前記貫通電極とを電気的に接続させるために前記ベース基板の上面に形成された引き回し電極と、を備えた圧電振動子において、前記貫通電極が、前記貫通孔内に挿入された導電性の芯材部と、ペースト材と前記ペースト材よりも硬度の高い粒状体とが混合され、前記貫通孔と前記芯材部との隙間に充填された筒体と、で構成されていることを特徴としている。
　このように構成することで、芯材部は導電ペーストではなく棒状部材であるため、焼成時に体積減少することはない。また、芯材部と、筒体を構成するガラスフリットまたはペースト材と、このガラスフリットまたはペースト材よりも硬度の高い粒状体とが混合された充填材と、を貫通孔に配置してもガラスフリットまたはペースト材に気泡が発生するのを抑制でき、体積減少を抑制することができる。また、筒体をガラスフリットまたはペースト材単体ではなく、ガラスフリットまたはペースト材とこのガラスフリットまたはペースト材よりも硬度の高い粒状体とを混合したものを採用したため、筒体の硬度が高くなり、筒体が過剰に研磨されるのを抑制することができる。したがって、貫通孔内に気密性を確保した貫通電極を形成することができる。つまり、キャビティ内の気密を確実に維持するとともに、圧電振動片と外部電極との安定した導通性を確保した高品質な２層構造式表面実装型の圧電振動子を提供することができる。
　また、本発明に係る圧電振動子は、前記粒状体が、ガラスビーズであることを特徴としている。
　このように、筒体を構成するガラスフリットまたはペースト材に容易に入手可能なガラスビーズを混合させるだけで、充填材を安価に構成することができるとともに、筒体としての機能を確実に発揮することができ、貫通孔内に気密性を確保した貫通電極を形成することができる。
　また、本発明に係る圧電振動子は、前記筒体の硬度が、前記ベース基板の硬度と略同一であることを特徴としている。
　このように構成することで、芯材部と、筒体を構成するガラスフリットまたはペースト材と、このガラスフリットまたはペースト材よりも硬度の高い粒状体とが混合された充填材と、を貫通孔に配置し、焼成した後に、ベース基板および貫通電極の表面に研磨を施しても、筒体の硬度がベース基板の硬度と略同一になっているため、筒体が余分に研磨されることを抑制することができる。つまり、その後圧電振動片と貫通電極とを電気的に接続するために引き回し電極をベース基板の上面に形成する際に、精度良く引き回し電極を形成することができ、断線などの発生を抑制することができる。したがって、圧電振動片と外部電極との安定した導通性を確保した高品質な２層構造式表面実装型の圧電振動子を提供することができる。
　また、本発明に係る圧電振動子の製造方法は、互いに接合されたベース基板とリッド基板との間に形成されたキャビティ内に圧電振動片が封止された圧電振動子の製造方法において、平板状の土台部と、該土台部の表面に直交する方向に沿って前記ベース基板と略同じ厚みだけ延在し、その先端が平坦に形成された芯材部と、を有する導電性の鋲体の芯材部を前記ベース基板の貫通孔内に挿入し、前記ベース基板の第１面に鋲体の土台部を当接させる工程と、前記ベース基板の第２面に、充填材を塗布し、該充填材を前記貫通孔内に充填する工程と、前記充填材を焼成して硬化させる工程と、前記ベース基板の第１面および第２面を研磨して芯材部を露出させる工程と、を有し、前記充填材は、ペースト状のガラスフリットに、硬化後のガラスフリットよりも硬度の高い粒状体を混合したものであることを特徴としている。
　または、本発明に係る圧電振動子の製造方法は、互いに接合されたベース基板とリッド基板との間に形成されたキャビティ内に圧電振動片が封止された圧電振動子の製造方法において、平板状の土台部と、前記土台部の表面に直交する方向に沿って前記ベース基板と略同じ厚みだけ延在し、その先端が平坦に形成された芯材部と、を有する導電性の鋲体の芯材部を前記ベース基板の貫通孔内に挿入し、前記ベース基板の第１面に鋲体の土台部を当接させる工程と、前記ベース基板の第２面に、充填材を塗布し、前記充填材を前記貫通孔内に充填する工程と、前記充填材を焼成して硬化させる工程と、前記ベース基板の第１面および第２面を研磨して芯材部を露出させる工程と、を有し、前記充填材は、ペースト材に、硬化後のペースト材よりも硬度の高い粒状体を混合したものであることを特徴としている。
　本発明に係る圧電振動子の製造方法によれば、充填材を所定の温度で焼成して筒体を形成するとともに、貫通孔と筒体と鋲体の芯材部とを一体的に固定させることができる。この焼成を行う際に、土台部ごと焼成するため、筒体および芯材部の両端を、ともにベース基板の表面に対して略面一な状態にしたまま、両者を一体的に固定することができる。また、充填材は、ペースト状のガラスフリットまたはペースト材と、このガラスフリットまたはペースト材よりも硬度の高い粒状体とが混合されたものであるため、充填材を焼成して硬化させると、ベース基板の硬度に近づけることができる。例えば、粒状体にベース基板と同じ材質のガラスビーズを採用することで、筒体の硬度をベース基板の硬度に近づけることができる。
　また、焼成後に鋲体の土台部およびこの土台部が配置されたベース基板の第１面を研削・研磨して、鋲体の芯材部が露出するようにする研削・研磨することにより、充填材（筒体）および芯材部を位置決めする役割を果たしていた土台部を除去することができ、芯材部のみを筒体の内部に残すことができる。また、筒体の硬度が、ベース基板の硬度に近づくように構成されているため、研磨時に筒体が余分に研磨されるのを抑制することができる。この結果、筒体と芯材部とが一体的に固定された貫通電極を得ることができる。つまり、キャビティ内の気密を確実に維持するとともに、圧電振動片と外部電極との安定した導通性を確保した高品質な２層構造式表面実装型の圧電振動子を製造することができる。
　また、本発明に係る圧電振動子の製造方法は、前記圧電振動子を、ベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとを利用して製造する圧電振動子の製造方法において、前記リッド基板用ウエハに、両ウエハが重ね合わされたときに前記キャビティを形成するキャビティ用の凹部を形成する凹部形成工程と、前記ベース基板用ウエハに、平板状の土台部と、該土台部の表面に直交する方向に沿って前記ベース基板用ウエハと略同じ厚みだけ延在し、その先端が平坦に形成された芯材部と、を有する導電性の鋲体を利用して、該ウエハを貫通する貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、前記ベース基板用ウエハの上面に、前記貫通電極に対して電気的に接続された引き回し電極を形成する引き回し電極形成工程と、前記圧電振動片を、前記引き回し電極を介して前記ベース基板用ウエハの上面に接合するマウント工程と、前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを重ね合わせて、前記凹部と両ウエハとで囲まれる前記キャビティ内に圧電振動片を収納する重ね合わせ工程と、前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを接合し、前記圧電振動片を前記キャビティ内に封止する接合工程と、前記ベース基板用ウエハの下面に、前記貫通電極に電気的に接続された外部電極を形成する外部電極形成工程と、接合された前記両ウエハを切断して、複数の圧電振動子に小片化する切断工程と、を備え、前記貫通電極形成工程が、前記ベース基板用ウエハに貫通電極を配置させるための貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記ベース基板用ウエハの貫通孔に、前記鋲体を配置するとともに、前記貫通孔と前記鋲体の芯材部との間隙に、ペースト状のガラスフリットと該ガラスフリットよりも硬度の高い粒状体とが混合された充填材を充填する貫通電極配置工程と、前記充填材を所定の温度で焼成して筒体を形成するとともに、前記貫通孔と前記筒体と前記鋲体の芯材部とを一体的に固定させる焼成工程と、前記鋲体の土台部および該土台部が配置された前記ベース基板用ウエハの上面を研削・研磨して、前記芯材部が露出するようにする研削・研磨工程と、を有していることを特徴としている。
　または、本発明に係る圧電振動子の製造方法は、前記圧電振動子を、ベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとを利用して製造する圧電振動子の製造方法において、前記リッド基板用ウエハに、両ウエハが重ね合わされたときに前記キャビティを形成するキャビティ用の凹部を形成する凹部形成工程と、前記ベース基板用ウエハに、平板状の土台部と、前記土台部の表面に直交する方向に沿って前記ベース基板用ウエハと略同じ厚みだけ延在し、その先端が平坦に形成された芯材部と、を有する導電性の鋲体を利用して、前記ウエハを貫通する貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、前記ベース基板用ウエハの上面に、前記貫通電極に対して電気的に接続された引き回し電極を形成する引き回し電極形成工程と、前記圧電振動片を、前記引き回し電極を介して前記ベース基板用ウエハの上面に接合するマウント工程と、前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを重ね合わせて、前記凹部と両ウエハとで囲まれる前記キャビティ内に圧電振動片を収納する重ね合わせ工程と、前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを接合し、前記圧電振動片を前記キャビティ内に封止する接合工程と、前記ベース基板用ウエハの下面に、前記貫通電極に電気的に接続された外部電極を形成する外部電極形成工程と、接合された前記両ウエハを切断して、複数の圧電振動子に小片化する切断工程と、を備え、前記貫通電極形成工程が、前記ベース基板用ウエハに貫通電極を配置させるための貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記ベース基板用ウエハの貫通孔に、前記鋲体を配置するとともに、前記貫通孔と前記鋲体の芯材部との間隙に、ペースト材と前記ペースト材よりも硬度の高い粒状体とが混合された充填材を充填する貫通電極配置工程と、前記充填材を所定の温度で焼成して筒体を形成するとともに、前記貫通孔と前記筒体と前記鋲体の芯材部とを一体的に固定させる焼成工程と、前記鋲体の土台部および該土台部が配置された前記ベース基板用ウエハの上面を研削・研磨して、前記芯材部が露出するようにする研削・研磨工程と、を有していることを特徴としている。
　この貫通電極形成工程について、詳細に説明すると、まずベース基板用ウエハに貫通電極を配置させるための貫通孔を形成する貫通孔形成工程を行う。続いて、貫通孔に、鋲体を配置するとともに、貫通孔と鋲体の芯材部との間隙に、ペースト状のガラスフリットまたはペースト材と、このガラスフリットまたはペースト材よりも硬度の高い粒状体とが混合された充填材を充填する貫通電極配置工程を行う。この際、鋲体の土台部がベース基板用ウエハに接触するまで、芯材部を貫通孔に挿入する。そのため、芯材部の両端をベース基板用ウエハの表面に対して略面一な状態にすることができる。
　仮に、土台部が無い単なる芯材部を貫通孔に挿入する場合には、芯材部の両端がベース基板用ウエハの表面に対して面一になるように位置調整することが困難である。しかしながら、土台部に芯材部が形成された鋲体を用いることで、土台部をベース基板用ウエハに接触させるように配置するだけの簡単な作業で、芯材部の両端をベース基板用ウエハの表面に対して容易、かつ、確実に面一にすることができる。したがって、貫通電極配置工程時における作業性を向上することができる。
　さらに、土台部は、平板状に形成されているため、貫通電極配置工程後、次に行う焼成工程までの間に、ベース基板用ウエハを机上などの平面上に載置したとしても、がたつきなどがなく、安定する。この点においても、作業性の向上を図ることができる。
　続いて、充填材を所定の温度で焼成して筒体を形成するとともに、貫通孔と筒体と鋲体の芯材部とを一体的に固定させる焼成工程を行う。この焼成を行う際に、土台部ごと焼成するため、筒体および芯材部の両端を、ともにベース基板用ウエハの表面に対して略面一な状態にしたまま、両者を一体的に固定することができる。また、充填材は、ペースト状のガラスフリットまたはペースト材と、このガラスフリットまたはペースト材よりも硬度の高い粒状体とが混合されたものであるため、充填材を焼成して硬化させると、ベース基板用ウエハの硬度に近づけることができ、例えば、粒状体にベース基板用ウエハと同じ材質のガラスビーズを採用することで、筒体の硬度をベース基板用ウエハの硬度に近づけることができる。
　続いて、焼成後に鋲体の土台部およびこの土台部が配置されたベース基板用ウエハの上面を研削・研磨して、鋲体の芯材部が露出するようにする研削・研磨工程を行う。これにより、充填材（筒体）および芯材部を位置決めさせる役割を果たしていた土台部を除去することができ、芯材部のみを筒体の内部に残すことができる。また、筒体の硬度が、ベース基板用ウエハの硬度に近づくように構成されているため、研削・研磨時に筒体が余分に研削・研磨されるのを抑制することができる。
　この結果、筒体と芯材部とが一体的に固定された貫通電極を得ることができる。
　なお、貫通電極を、ガラスフリットまたはペースト材と、導電性の芯材部とで形成した場合、つまり、ガラスビーズを充填しない場合には、焼成時にガラスフリットまたはペースト材に気泡や凹部が発生する。また、ガラスフリットを焼成しても、一般的にガラスフリット内にはビスマスなどが混合されているため柔らかく、ベース基板用ウエハの硬度よりも低くなる。したがって、その後の研削・研磨工程において、ガラスフリットの部分が余分に研削・研磨されてしまい、表面に凹みが生じてしまう。
　しかしながら、上述したようにガラスフリットまたはペースト材に、このガラスフリットまたはペースト材よりも硬度の高い粒状体が混合された充填材を用いて筒体を形成するようにしたため、焼成後にベース基板用ウエハの表面に大きな凹みが現れる虞がない。なお、焼成によって筒体は若干体積が減少する可能性があるが、目立つ凹みとなって現れるほど顕著なものではなく無視できる範囲である。
　したがって、上述したように、ベース基板用ウエハの表面と、筒体および芯材部の両端とは、略面一な状態となる。つまり、ベース基板用ウエハの表面と貫通電極の表面とを、略面一な状態とすることができる。
　結果として、貫通電極を貫通孔に一体化固定することで、キャビティ内の気密を確実に維持するとともに、圧電振動片と外部電極との安定した導通性を確保した高品質な２層構造式表面実装型の圧電振動子を提供することができる。
　また、本発明に係る発振器は、上述した圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴としている。
　さらに、本発明に係る電子機器は、上述した圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴としている。
　そして、本発明に係る電波時計は、上述した圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴としている。
　本発明に係る発振器、電子機器および電波時計においては、キャビティ内の気密が確実に確保され、作動の信頼性が向上した高品質な圧電振動子を備えているため、同様に作動の信頼性を高めて高品質化を図ることができる。
　本発明に係る圧電振動子によれば、キャビティ内の気密を確実に維持することができると共に、圧電振動片と外部電極との安定した導通性を確保した高品質な２層構造式表面実装型の圧電振動子とすることができる。
　また、本発明に係る圧電振動子の製造方法によれば、上述した圧電振動子を一度に効率良く製造することができ、低コスト化を図ることができる。
　また、本発明に係る発振器、電子機器および電波時計によれば、上述した圧電振動子を備えているので、同様に作動の信頼性を高めて高品質化を図ることができる。
　さらに、本発明に係る圧電振動子によれば、芯材部と、筒体を構成するガラスフリットまたはペースト材と、このガラスフリットまたはペースト材よりも硬度の高い粒状体とが混合された充填材と、を貫通孔に配置した後に焼成しても充填材に気泡などが発生せず、体積減少を抑制することができる。また、芯材部は導電ペーストではなく棒状部材であるため、焼成時に体積減少することはない。したがって、貫通孔内に気密性を確保した貫通電極を形成することができる。つまり、キャビティ内の気密を確実に維持するとともに、圧電振動片と外部電極との安定した導通性を確保した高品質な２層構造式表面実装型の圧電振動子を提供することができる。
本発明に係る圧電振動子の一実施形態を示す外観斜視図である。 図１に示す圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図である。 本発明の第一実施形態における圧電振動子の断面図（図２のＡ－Ａ線に沿う断面図）である。 図１に示す圧電振動子の分解斜視図である。 図１に示す圧電振動子を構成する圧電振動片の上面図である。 図５に示す圧電振動片の下面図である。 図５に示す断面矢視Ｂ－Ｂ図である。 図３に示す貫通電極の拡大図であって、複数の金属微粒子を含むペースト材を示す図である。 図１に示す圧電振動子を製造する際の流れを示すフローチャートである。 図９に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、リッド基板の元となるリッド基板用ウエハに複数の凹部を形成した状態を示す図である。 図９に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、ベース基板の元となるベース基板用ウエハに複数のスルーホールを形成した状態を示す図である。 図１１に示す状態をベース基板用ウエハの断面から見た図である。 図９に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、図１２に示す状態の後、スルーホール内にペーストを充填させた状態を示す図である。 図９に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、図１３に示す状態の後、ペーストを焼成して硬化させた状態を示す図である。 図９に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、図１４に示す状態の後、ベース基板用ウエハの上面に接合膜および引き回し電極をパターニングした状態を示す図である。 図１５に示す状態のベース基板用ウエハの全体図である。 図９に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、圧電振動片をキャビティ内に収容した状態でベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとが陽極接合されたウエハ体の分解斜視図である。 図８に示す金属微粒子の変形例を示す図であって、（ａ）は短冊状に形成された金属微粒子、（ｂ）は波型状に形成された金属微粒子、（ｃ）は断面星型に形成された金属微粒子、（ｄ）は断面十字型に形成された微粒子を示す図である。 本発明の第二実施形態における圧電振動子の断面図（図２のＡ－Ａ線に沿う断面図に相当）である。 図１９に示す貫通電極を構成する筒体の斜視図である。 本発明の第二実施形態における圧電振動子を製造する際の流れを示すフローチャートである。 本発明の第二実施形態におけるスルーホール形成時のベース基板用ウエハの断面から見た図である。 図２１に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際に利用する鋲体の斜視図である。 図２１に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、スルーホール内に充填材を充填すると共に、鋲体を配置した状態を示す図である。 図２１に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、図２４に示す状態の後、ガラスフリットを焼成した状態を示す図である。 図２１に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、図２５に示す状態の後、鋲体の土台部を研磨した状態を示す図である。 本発明に係る発振器の一実施形態を示す構成図である。 本発明に係る電子機器の一実施形態を示す構成図である。 本発明に係る電波時計の一実施形態を示す構成図である。 従来の圧電振動子の内部構造図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図である。 図３０に示す圧電振動子の断面図である。
符号の説明
　１　圧電振動子
　２　ベース基板
　３　リッド基板
　３ａ　キャビティ用の凹部
　４　圧電振動片
　３０　スルーホール（貫通孔）
　３１　スルーホール（貫通孔）
　３５　接合膜
　３６　引き回し電極
　３７　引き回し電極
　３８　外部電極
　３９　外部電極
　４０　ベース基板用ウエハ
　５０　リッド基板用ウエハ
　１００　発振器
　１０１　発振器の集積回路
　１１０　携帯情報機器（電子機器）
　１１３　電子機器の計時部
　１３０　電波時計
　１３１　電波時計のフィルタ部
　２０６　筒体
　２０６ａ　ガラスフリット
　２０６ｂ　ガラスビーズ
　２０６ｃ　筒体の中心孔
　２０７　芯材
　２３０　スルーホール（貫通孔）
　２３１　スルーホール（貫通孔）
　２３２　貫通電極
　２３３　貫通電極
　Ｂ　バンプ
　Ｃ　キャビティ
　Ｐ　ペースト
　Ｐ１　ガラスビーズ
　Ｐ２　金属微粒子
（第一実施形態）
　以下、本発明に係る圧電振動子の第一実施形態を、図１～図１８を参照して説明する。
　図１～図４に示すように、本実施形態の圧電振動子１は、ベース基板２とリッド基板３とで２層に積層された箱状に形成されており、内部のキャビティＣ内に圧電振動片４が収納された表面実装型の圧電振動子１である。なお、図４においては、図面を見易くするために後述する励振電極１５、引き出し電極１９，２０、マウント電極１６，１７および重り金属膜２１の図示を省略している。
　図５～図７に示すように、圧電振動片４は、水晶、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムなどの圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。
　この圧電振動片４は、平行に配置された一対の振動腕部１０，１１と、この一対の振動腕部１０，１１の基端側を一体的に固定する基部１２と、一対の振動腕部１０，１１の外表面上に形成されて一対の振動腕部１０，１１を振動させる第１の励振電極１３と第２の励振電極１４とからなる励振電極１５と、第１の励振電極１３および第２の励振電極１４に電気的に接続されたマウント電極１６，１７とを有している。
　また、本実施形態の圧電振動片４は、一対の振動腕部１０，１１の両主面上に、この振動腕部１０，１１の長手方向に沿ってそれぞれ形成された溝部１８を備えている。この溝部１８は、振動腕部１０，１１の基端側から略中間付近まで形成されている。
　第１の励振電極１３と第２の励振電極１４とからなる励振電極１５は、一対の振動腕部１０，１１を互いに接近又は離間する方向に所定の共振周波数で振動させる電極であり、一対の振動腕部１０，１１の外表面に、それぞれ電気的に切り離された状態でパターニングされて形成されている。具体的には、第１の励振電極１３が、一方の振動腕部１０の溝部１８上と他方の振動腕部１１の両側面上とに主に形成され、第２の励振電極１４が、一方の振動腕部１０の両側面上と他方の振動腕部１１の溝部１８上とに主に形成されている。
　また、第１の励振電極１３および第２の励振電極１４は、基部１２の両主面上において、それぞれ引き出し電極１９，２０を介してマウント電極１６，１７に電気的に接続されている。そして圧電振動片４は、このマウント電極１６，１７を介して電圧が印加されるようになっている。
　なお、上述した励振電極１５、マウント電極１６，１７および引き出し電極１９，２０は、例えば、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）やチタン（Ｔｉ）などの導電性膜の被膜により形成されたものである。
　また、一対の振動腕部１０，１１の先端には、自身の振動状態を所定の周波数の範囲内で振動するように調整（周波数調整）を行うための重り金属膜２１が被膜されている。なお、この重り金属膜２１は、周波数を粗く調整する際に使用される粗調膜２１ａと、微小に調整する際に使用される微調膜２１ｂとに分かれている。これら粗調膜２１ａおよび微調膜２１ｂを利用して周波数調整を行うことで、一対の振動腕部１０，１１の周波数をデバイスの公称周波数の範囲内に収めることができる。
　このように構成された圧電振動片４は、図３、図４に示すように、金などのバンプＢを利用して、ベース基板２の上面にバンプ接合されている。より具体的には、ベース基板２の上面にパターニングされた引き回し電極３６，３７上に形成された２つのバンプＢ上に、一対のマウント電極１６，１７がそれぞれ接触した状態でバンプ接合されている。これにより、圧電振動片４は、ベース基板２の上面から浮いた状態で支持されるとともに、マウント電極１６，１７と引き回し電極３６，３７とがそれぞれ電気的に接続された状態となっている。
　上記リッド基板３は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板であり、図１、図３および図４に示すように、板状に形成されている。そして、ベース基板２が接合される接合面側には、圧電振動片４が収まる矩形状の凹部３ａが形成されている。この凹部３ａは、両基板２，３が重ね合わされたときに、圧電振動片４を収容するキャビティＣとなるキャビティ用の凹部３ａである。そして、リッド基板３は、この凹部３ａをベース基板２側に対向させた状態でこのベース基板２に対して陽極接合されている。
　上記ベース基板２は、リッド基板３と同様にガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明な絶縁基板であり、図１～図４に示すように、リッド基板３に対して重ね合わせ可能な大きさで板状に形成されている。
　ベース基板２には、このベース基板２を貫通する一対のスルーホール（貫通孔）３０，３１が形成されている。この際、一対のスルーホール３０，３１は、キャビティＣ内に収まるように形成されている。より詳しく説明すると、本実施形態のスルーホール３０，３１は、マウントされた圧電振動片４の基部１２側に対応した位置に一方のスルーホール３０が形成され、振動腕部１０，１１の先端側に対応した位置に他方のスルーホール３１が形成されている。また、本実施形態では、ベース基板２の下面に向かって漸次径が２段階に分かれて縮径する断面テーパ状のスルーホールを例に挙げて説明するが、この場合に限られず、漸次径が連続的に縮径するスルーホールでもかまわないし、ベース基板２を真っ直ぐに貫通するスルーホールでも構わない。いずれにしても、ベース基板２を貫通していれば良い。
　そして、これら一対のスルーホール３０，３１には、このスルーホール３０，３１を埋めるように形成された一対の貫通電極３２，３３が形成されている。これら貫通電極３２，３３は、図３に示すように、複数のガラスビーズＰ１を含んだペーストＰの硬化によって形成されたものであり、スルーホール３０，３１を完全に塞いでキャビティＣ内の気密を維持しているとともに、後述する外部電極３８，３９と引き回し電極３６，３７とを導通させる役割を担っている。なお、本実施形態においては、ガラスビーズＰ１として、原料となるガラス粉末などをボール状（球状）に焼成した場合を例に挙げて説明する。また、ガラスビーズＰ１は、熱膨張係数がベース基板２と略等しい。さらに、ガラスビーズＰ１は、直径が２０μｍ～５０μｍ程度であることが好ましい。
　また、図８に示すように、ペーストＰは、複数のガラスビーズＰ１とともに、複数の金属微粒子Ｐ２を含んでいる。そして、貫通電極３２，３３は、ペーストＰに含まれる複数の金属微粒子Ｐ２が互いに接触し合っていることで、電気導通性が確保されている。また、本実施形態の金属微粒子Ｐ２は、銅などにより細長い繊維状（非球形形状）に形成されている場合を例に挙げて説明する。
　ベース基板２の上面側（リッド基板３が接合される接合面側）には、図１～図４に示すように、導電性材料（例えば、アルミニウム）により、陽極接合用の接合膜３５と、一対の引き回し電極３６，３７とがパターニングされている。このうち接合膜３５は、リッド基板３に形成された凹部３ａの周囲を囲むようにベース基板２の周縁に沿って形成されている。
　また、一対の引き回し電極３６，３７は、一対の貫通電極３２，３３のうち、一方の貫通電極３２と圧電振動片４の一方のマウント電極１６とを電気的に接続するとともに、他方の貫通電極３３と圧電振動片４の他方のマウント電極１７とを電気的に接続するようにパターニングされている。
　より詳しく説明すると、一方の引き回し電極３６は、圧電振動片４の基部１２の真下に位置するように一方の貫通電極３２の真上に形成されている。また、他方の引き回し電極３７は、一方の引き回し電極３６に隣接した位置から、振動腕部１０，１１に沿ってこの振動腕部１０，１１の先端側に引き回しされた後、他方の貫通電極３３の真上に位置するように形成されている。
　そして、これら一対の引き回し電極３６，３７上にそれぞれバンプＢが形成されており、このバンプＢを利用して圧電振動片４がマウントされている。これにより、圧電振動片４の一方のマウント電極１６が、一方の引き回し電極３６を介して一方の貫通電極３２に導通し、他方のマウント電極１７が、他方の引き回し電極３７を介して他方の貫通電極３３に導通するようになっている。
　また、ベース基板２の下面には、図１、図３および図４に示すように、一対の貫通電極３２，３３に対してそれぞれ電気的に接続される外部電極３８，３９が形成されている。つまり、一方の外部電極３８は、一方の貫通電極３２および一方の引き回し電極３６を介して圧電振動片４の第１の励振電極１３に電気的に接続されている。また、他方の外部電極３９は、他方の貫通電極３３および他方の引き回し電極３７を介して、圧電振動片４の第２の励振電極１４に電気的に接続されている。
　このように構成された圧電振動子１を作動させる場合には、ベース基板２に形成された外部電極３８，３９に対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片４の第１の励振電極１３および第２の励振電極１４からなる励振電極１５に電流を流すことができ、一対の振動腕部１０，１１を接近・離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部１０，１１の振動を利用して、時刻源、制御信号のタイミング源やリファレンス信号源などとして利用することができる。
　次に、上述した圧電振動子１を、図９に示すフローチャートを参照しながら、ベース基板用ウエハ４０とリッド基板用ウエハ５０とを利用して一度に複数製造する製造方法について以下に説明する。
　初めに、圧電振動片作製工程を行って図５～図７に示す圧電振動片４を作製する（Ｓ１０）。具体的には、まず水晶のランバート原石を所定の角度でスライスして一定の厚みのウエハとする。続いて、このウエハをラッピングして粗加工した後、加工変質層をエッチングで取り除き、その後ポリッシュなどの鏡面研磨加工を行って、所定の厚みのウエハとする。続いて、ウエハに洗浄などの適切な処理を施した後、このウエハをフォトリソグラフィ技術によって圧電振動片４の外形形状でパターニングするとともに、金属膜の成膜およびパターニングを行って、励振電極１５、引き出し電極１９，２０、マウント電極１６，１７、重り金属膜２１を形成する。これにより、複数の圧電振動片４を作製することができる。
　また、圧電振動片４を作製した後、共振周波数の粗調を行っておく。これは、重り金属膜２１の粗調膜２１ａにレーザ光を照射して一部を蒸発させ、重量を変化させることで行う。なお、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては、マウント後に行う。これについては、後に説明する。
　次に、後にリッド基板３となるリッド基板用ウエハ５０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する第１のウエハ作製工程を行う（Ｓ２０）。まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチングなどにより最表面の加工変質層を除去した円板状のリッド基板用ウエハ５０を形成する（Ｓ２１）。次いで、リッド基板用ウエハ５０の接合面に、エッチングなどにより行列方向にキャビティ用の凹部３ａを複数形成する凹部形成工程を行う（Ｓ２２）。この時点で、第１のウエハ作製工程が終了する。
　次に、上記工程と同時あるいは前後のタイミングで、後にベース基板２となるベース基板用ウエハ４０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する第２のウエハ作製工程を行う（Ｓ３０）。まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチングなどにより最表面の加工変質層を除去した円板状のベース基板用ウエハ４０を形成する（Ｓ３１）。次いで、ベース基板用ウエハ４０に、複数の金属微粒子Ｐ２および複数のガラスビーズＰ１を含んだペーストＰを利用して、一対の貫通電極３２，３３を複数形成する貫通電極形成工程を行う（Ｓ３０Ａ）。ここで、この貫通電極形成工程について、詳細に説明する。
　まず、図１１に示すように、ベース基板用ウエハ４０に、このウエハ４０を貫通する一対のスルーホール３０，３１を複数形成する貫通孔形成工程（Ｓ３２）を行う。なお、図１１に示す点線Ｍは、後に行う切断工程で切断する切断線を図示している。この工程を行う際、ベース基板用ウエハ４０の上面側から、例えばプレス加工などにより行う。これにより、図１２に示すように、ベース基板用ウエハ４０の下面に向かって漸次径が２段階に分かれて縮径する断面テーパ状のスルーホール３０，３１を形成することができる。また、後に両ウエハ４０，５０を重ね合わせたときに、リッド基板用ウエハ５０に形成された凹部３ａ内に収まるように一対のスルーホール３０，３１を複数形成する。しかも、一方のスルーホール３０が圧電振動片４の基部１２側に位置し、他方のスルーホール３１が振動腕部１０，１１の先端側に位置するように形成する。
　なお、貫通孔形成工程では、加工方法としてサンドブラスト法などを用いて、漸次径が連続的に縮径するスルーホールを形成しても構わないし、ベース基板用ウエハ４０を真っ直ぐに貫通するスルーホールを形成しても構わない。
　続いて、図１３に示すように、これら複数のスルーホール３０，３１内にペーストＰを隙間なく埋め込んで、このスルーホール３０，３１を塞ぐ充填工程を行う（Ｓ３３）。なお、図１３、図１４では、金属微粒子Ｐ２の図示を省略している。続いて、充填したペーストＰを所定の温度で焼成して硬化させる焼成工程を行う（Ｓ３４）。これにより、スルーホール３０，３１の内面にペーストＰが強固に固着した状態となる。
　ところで、ペーストＰ内には有機物が含まれており、この有機物は焼成することで蒸発してしまう。したがって、ペーストＰを焼成すると、焼成前に比べて体積が減少してしまう。そのため、仮にガラスビーズＰ１が含まれていない単なるペーストＰをスルーホール３０，３１内に埋め込んだ後に焼成した場合には、ペーストＰの表面に、大きな凹みが生じてしまう。
　しかしながら、本実施形態では複数のガラスビーズＰ１が含まれたペーストＰを利用している。したがって、充填工程の後、スルーホール３０，３１内にはペーストＰとともにガラスビーズＰ１も複数埋め込まれた状態となっている。よって、ペーストＰだけでスルーホール３０，３１内を埋める場合と比べて、ガラスビーズＰ１の分だけペーストＰの量を少なくすることができる。つまり、使用するペーストＰの量をできるだけ少なくすることができる。そのため、焼成工程によってペーストＰ内の有機物が蒸発したとしても、ペーストＰの量そのものが従来より遥かに少ないので、ペーストＰの体積減少の影響はわずかである。よって、図１４に示すように、ペーストＰの硬化後に現れる表面の凹みは無視できるほど小さい。したがって、ベース基板用ウエハ４０の表面と硬化したペーストＰの表面とが、ほぼ面一な状態となる。
　なお、一般にガラスの融点は、金属微粒子の焼成温度より高いため、焼成工程の際にガラスビーズＰ１が融解することはない。したがって、焼成工程の前後でガラスビーズＰ１の体積が変化することはない。
　この焼成工程を行うことで、貫通電極形成工程が終了する。
　次に、ベース基板用ウエハ４０の上面に導電性材料をパターニングして、図１５、図１６に示すように、接合膜３５を形成する接合膜形成工程を行う（Ｓ３５）とともに、各一対の貫通電極３２，３３にそれぞれ電気的に接続された引き回し電極３６，３７を複数形成する引き回し電極形成工程を行う（Ｓ３６）。なお、図１５、図１６に示す点線Ｍは、後に行う切断工程で切断する切断線を図示している。
　特に、貫通電極３２，３３は上述したように、ベース基板用ウエハ４０の上面に対して略面一な状態となっている。そのため、ベース基板用ウエハ４０の上面にパターニングされた引き回し電極３６，３７は、間に隙間などを発生させることなく貫通電極３２，３３に対して密着した状態で接する。これにより、一方の引き回し電極３６と一方の貫通電極３２との導通性、並びに、他方の引き回し電極３７と他方の貫通電極３３との導通性を確実なものにすることができる。この時点で第２のウエハ作製工程が終了する。
　ところで、図９では、接合膜形成工程（Ｓ３５）の後に、引き回し電極形成工程（Ｓ３６）を行う工程順序としているが、これとは逆に、引き回し電極形成工程（Ｓ３６）の後に、接合膜形成工程（Ｓ３５）を行っても構わないし、両工程を同時に行っても構わない。いずれの工程順序であっても、同一の作用効果を奏することができる。よって、必要に応じて適宜、工程順序を変更して構わない。
　次に、作製した複数の圧電振動片４を、それぞれ引き回し電極３６，３７を介してベース基板用ウエハ４０の上面に接合するマウント工程を行う（Ｓ４０）。まず、一対の引き回し電極３６，３７上にそれぞれ金などのバンプＢを形成する。そして、圧電振動片４の基部１２をバンプＢ上に載置した後、バンプＢを所定温度に加熱しながら圧電振動片４をバンプＢに押し付ける。これにより、圧電振動片４は、バンプＢに機械的に支持されるとともに、マウント電極１６，１７と引き回し電極３６，３７とが電気的に接続された状態となる。よって、この時点で圧電振動片４の一対の励振電極１５は、一対の貫通電極３２，３３に対してそれぞれ導通した状態となる。
　特に、圧電振動片４は、バンプ接合されるため、ベース基板用ウエハ４０の上面から浮いた状態で支持される。
　圧電振動片４のマウントが終了した後、ベース基板用ウエハ４０に対してリッド基板用ウエハ５０を重ね合わせる重ね合わせ工程を行う（Ｓ５０）。具体的には、図示しない基準マークなどを指標としながら、両ウエハ４０，５０を正しい位置にアライメントする。これにより、マウントされた圧電振動片４が、ベース基板用ウエハ４０に形成された凹部３ａと両ウエハ４０，５０とで囲まれるキャビティＣ内に収容された状態となる。
　重ね合わせ工程後、重ね合わせた２枚のウエハ４０，５０を図示しない陽極接合装置に入れ、所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して陽極接合する接合工程を行う（Ｓ６０）。具体的には、接合膜３５とリッド基板用ウエハ５０との間に所定の電圧を印加する。すると、接合膜３５とリッド基板用ウエハ５０との界面に電気化学的な反応が生じ、両者がそれぞれ強固に密着して陽極接合される。これにより、圧電振動片４をキャビティＣ内に封止することができ、ベース基板用ウエハ４０とリッド基板用ウエハ５０とが接合した図１７に示すウエハ体６０を得ることができる。なお、図１７においては、図面を見易くするために、ウエハ体６０を分解した状態を図示しており、ベース基板用ウエハ４０から接合膜３５の図示を省略している。なお、図１７に示す点線Ｍは、後に行う切断工程で切断する切断線を図示している。
　ところで、陽極接合を行う際、ベース基板用ウエハ４０に形成されたスルーホール３０，３１は、貫通電極３２，３３によって完全に塞がれているため、キャビティＣ内の気密がスルーホール３０，３１を通じて損なわれることがない。特に、貫通電極３２，３３を構成するペーストＰは、スルーホール３０，３１の内面に強固に密着しているため、キャビティＣ内の気密を確実に維持することができる。
　そして、上述した陽極接合が終了した後、ベース基板用ウエハ４０の下面に導電性材料をパターニングして、一対の貫通電極３２，３３にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極３８，３９を複数形成する外部電極形成工程を行う（Ｓ７０）。この工程により、外部電極３８，３９を利用してキャビティＣ内に封止された圧電振動片４を作動させることができる。
　特に、この工程を行う場合も引き回し電極３６，３７の形成時と同様に、ベース基板用ウエハ４０の下面に対して貫通電極３２，３３が略面一な状態となっているため、パターニングされた外部電極３８，３９は、間に隙間などを発生させることなく貫通電極３２，３３に対して密着した状態で接する。これにより、外部電極３８，３９と貫通電極３２，３３との導通性を確実なものにすることができる。
　次に、ウエハ体６０の状態で、キャビティＣ内に封止された個々の圧電振動子１の周波数を微調整して所定の範囲内に収める微調工程を行う（Ｓ８０）。具体的に説明すると、ベース基板用ウエハ４０の下面に形成された一対の外部電極３８，３９に電圧を印加して圧電振動片４を振動させる。そして、周波数を計測しながらリッド基板用ウエハ５０を通して外部からレーザ光を照射し、重り金属膜２１の微調膜２１ｂを蒸発させる。これにより、一対の振動腕部１０，１１の先端側の重量が変化するため、圧電振動片４の周波数を、公称周波数の所定範囲内に収まるように微調整することができる。
　周波数の微調が終了後、接合されたウエハ体６０を図１７に示す切断線Ｍに沿って切断して小片化する切断工程を行う（Ｓ９０）。その結果、互いに陽極接合されたベース基板２とリッド基板３との間に形成されたキャビティＣ内に圧電振動片４が封止された、図１に示す２層構造式表面実装型の圧電振動子１を一度に複数製造することができる。
　なお、切断工程（Ｓ９０）を行って個々の圧電振動子１に小片化した後に、微調工程（Ｓ８０）を行う工程順序でも構わない。但し、上述したように、微調工程（Ｓ８０）を先に行うことで、ウエハ体６０の状態で微調を行うことができるため、複数の圧電振動子１をより効率よく微調することができる。よって、スループットの向上を図ることができるため好ましい。
　その後、内部の電気特性検査を行う（Ｓ１００）。即ち、圧電振動片４の共振周波数、共振抵抗値、ドライブレベル特性（共振周波数および共振抵抗値の励振電力依存性）などを測定してチェックする。また、絶縁抵抗特性などを併せてチェックする。そして、最後に圧電振動子１の外観検査を行って、寸法や品質などを最終的にチェックする。これをもって圧電振動子１の製造が終了する。
　特に、本実施形態の圧電振動子１は、ベース基板２に対して略面一な状態で貫通電極３２，３３を形成できるため、この貫通電極３２，３３を、引き回し電極３６，３７および外部電極３８，３９に対して確実に密着させることができる。その結果、圧電振動片４と外部電極３８，３９との安定した導通性を確保することができ、作動性能の信頼性を向上して高性能化を図ることができる。また、キャビティＣ内の気密に関しても確実に維持することができるため、この点においても高品質化を図ることができる。加えて、ペーストＰを利用した簡単な方法で貫通電極３２，３３を形成できるため、工程の簡素化を図ることができる。加えて、本実施形態の製造方法によれば、上記圧電振動子１を一度に複数製造することができるため、低コスト化を図ることができる。
　また、本実施形態のペーストＰに含まれるガラスビーズＰ１の熱膨張係数は、ベース基板用ウエハ４０の熱膨張係数と略等しい。
　ところで、焼成工程の際に、ガラスビーズＰ１およびベース基板用ウエハ４０は、ペーストＰとともに加熱されることで、それぞれの熱膨張係数にしたがって膨張する。即ち、ペーストＰ内のガラスビーズＰ１は、ベース基板用ウエハ４０のスルーホール３０，３１の周縁部分を内側から押し出すように膨張する。そして、ベース基板用ウエハ４０は、スルーホール３０，３１の径を拡張させるように膨張する。したがって、例えばガラスビーズＰ１の熱膨張係数がベース基板用ウエハ４０の熱膨張係数より大きい場合は、ペーストＰ内のガラスビーズＰ１によりスルーホール３０，３１の周縁部分を内側から押し出す膨張量が、スルーホール３０，３１の径を拡張させる膨張量よりも大きくなる。このため、スルーホール３０，３１の周縁部分に負荷がかかり、クラックなどが発生してしまう。
　しかしながら、ペーストＰに含まれるガラスビーズＰ１の熱膨張係数は、ベース基板用ウエハ４０の熱膨張係数と略等しく、焼成工程の際に、ペーストＰ内のガラスビーズＰ１とベース基板用ウエハ４０との膨張量が略等しくなるため、上述した現象が発生する虞はない。これにより、ベース基板用ウエハ４０にクラックなどが発生することを防止でき、圧電振動子１の高品質化を図ることが可能になる。
　さらに、ガラスビーズＰ１は、球状である。したがって、ガラスビーズＰ１同士は、点接触で接触することになる。よって、ガラスビーズＰ１同士を接触させた上で、ガラスビーズＰ１の間に隙間を確保することができる。そのため、スルーホール３０，３１内にガラスビーズＰ１が可能な限り充填されていたとしても、ガラスビーズＰ１間に確保された隙間を利用することでベース基板２の一面側から他面側へ金属微粒子Ｐ２が含まれたペーストＰを行き亘らせることが可能になる。このため、導電性を有する金属微粒子Ｐ２同士がペーストＰ内で接触し合うことで確保される貫通電極３２，３３の電気導通性が、絶縁体のガラスビーズＰ１同士の接触によって阻害されることがない。これにより、貫通電極３２，３３の電気導通性をより安定に確保することができる。
　なお、上述した実施形態では、複数のガラスビーズＰ１および複数の金属微粒子Ｐ２を含んだペーストＰを用いて貫通電極３２，３３を形成したが、ペーストＰの代わりにガラスフリットを用いて貫通電極３２，３３を形成してもよい。ガラスフリットを用いる場合にも焼成をして硬化させる焼成工程を行うが、このガラスフリットもペーストＰと同様に、焼成すると焼成前に比べて体積が減少してしまう。しかしながら、ガラスビーズＰ１が含まれたガラスフリットを用いることで、ガラスフリットの硬化後に現れる表面の凹みは無視できるほど小さくなる。また、金属微粒子Ｐ２が含まれたガラスフリットを用いることで、貫通電極３２，３３の電気導通性を確保することができる。
　また、上記実施形態では、細長い繊維状の金属微粒子Ｐ２を含むペーストＰを用いた場合を例に挙げたが、金属微粒子Ｐ２の形状は他の形状でも構わない。例えば、球形でも構わない。この場合であっても、金属微粒子Ｐ２が互いに接触し合ったときに、点接触するので同様に電気的な導通性を確保することができる。但し、細長い繊維状のように非球形形状の金属微粒子Ｐ２を用いることで、互いに接触し合ったときに点接触ではなく、線接触になり易い。したがって、貫通電極３２，３３の電気的な導通性をより高めることができるので、球形よりも非球形の金属微粒子Ｐ２を含むペーストＰを用いることが好ましい。
　なお、金属微粒子Ｐ２を非球形とする場合には、例えば、図１８（ａ）に示す短冊状や、図１８（ｂ）に示す波型状にしても構わないし、図１８（ｃ）に示す断面星型や、図１８（ｄ）に示す断面十字型でも構わない。
　また、上記実施形態において充填工程を行う際に、ペーストＰを脱泡処理（例えば、遠心脱泡や真空引き等）した後に、このペーストＰをスルーホール３０，３１内に埋め込んでも構わない。このように、事前にペーストＰを脱泡処理することで、気泡などが極力含まれていないペーストＰを充填することができる。よって、焼成工程を行ったとしても、ペーストＰの体積減少をできるだけ抑えることができる。したがって、焼成工程後のベース基板用ウエハ４０の表面と硬化したペーストＰの表面とが、より面一な状態になる。これにより、圧電振動片４と外部電極３８，３９とのより安定した導通性を確保することができ、一層の高品質化を図ることができる。
　さらに、上記実施形態では、ガラスビーズＰ１をボール状としたが、これに制限されるものではなく、例えば、柱状や錘状でも構わない。但し、ガラスビーズＰ１が球状であることで、ガラスビーズＰ１同士を点接触で接触させ、貫通電極３２，３３の電気導通性をより安定して確保することが可能になるため、ガラスビーズＰ１は球状であることが好ましい。
（第二実施形態）
　次に、本発明に係る圧電振動子の第二実施形態を、図１９～図２６を参照して説明する。なお、本実施形態は、第一実施形態と貫通電極の構成が異なるのみであり、その他の構成は第一実施形態と略同一であるため、同一箇所には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
　図１９に示すように、本実施形態の圧電振動子１は、ベース基板２とリッド基板３とで２層に積層された箱状に形成されており、内部のキャビティＣ内に圧電振動片４が収納された表面実装型の圧電振動子である。
　圧電振動片４は、金等のバンプＢを利用して、ベース基板２の上面にバンプ接合されている。より具体的には、ベース基板２の上面にパターニングされた引き回し電極３６，３７上に形成された２つのバンプＢ上に、一対のマウント電極１６，１７がそれぞれ接触した状態でバンプ接合されている。これにより、圧電振動片４は、ベース基板２の上面から浮いた状態で支持されるとともに、マウント電極１６，１７と引き回し電極３６，３７とがそれぞれ電気的に接続された状態となっている。
　ベース基板２は、リッド基板３と同様にガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明な絶縁基板であり、リッド基板３に対して重ね合わせ可能な大きさで板状に形成されている。
　このベース基板２には、このベース基板２を貫通する一対のスルーホール（貫通孔）２３０，２３１が形成されている。この際、一対のスルーホール２３０，２３１は、キャビティＣ内に収まるように形成されている。より詳しく説明すると、本実施形態のスルーホール２３０，２３１は、マウントされた圧電振動片４の基部１２側に対応した位置に一方のスルーホール２３０が形成され、振動腕部１０、１１の先端側に対応した位置に他方のスルーホール２３１が形成されている。また、本実施形態では、ベース基板２の下面から上面に向かって漸次径が縮径した断面テーパ状のスルーホールを例に挙げて説明するが、この場合に限られず、ベース基板２を真っ直ぐに貫通するスルーホールでも構わない。いずれにしても、ベース基板２を貫通していれば良い。
　そして、これら一対のスルーホール２３０，２３１には、このスルーホール２３０，２３１を埋めるように形成された一対の貫通電極２３２，２３３が形成されている。これら貫通電極２３２，２３３は、焼成によってスルーホール２３０，２３１に対して一体的に固定された筒体２０６及び芯材部２０７によって形成されたものであり、スルーホール２３０，２３１を完全に塞いでキャビティＣ内の気密を維持しているとともに、後述する外部電極３８，３９と引き回し電極３６，３７とを導通させる役割を担っている。
　図２０に示すように、上記筒体２０６は、ペースト状のガラスフリット２０６ａと、ベース基板２と同じガラス材料によって形成されたガラスビーズ２０６ｂとを混合して、焼成されたものである。筒体２０６は、両端が平坦で且つベース基板２と略同じ厚みの円筒状に形成されている。そして、筒体２０６の中心には、芯材部２０７が筒体２０６を貫通するように配されている。また、本実施形態ではスルーホール２３０，２３１の形状に合わせて、筒体２０６の外形が円錐状（断面テーパ状）となるように形成されている。そして、この筒体２０６は、図１９に示すように、スルーホール２３０，２３１内に埋め込まれた状態で焼成されており、このスルーホール２３０，２３１に対して強固に固着されている。
　ここで、一般的にペースト状のガラスフリット２０６ａにはビスマスなどが混合されているため、硬度が小さい。例えば、ベース基板２に青板ガラスを採用した場合、青板ガラスの硬さは５７０ＨＶ（ビッカーズ硬度）であるのに対して、ガラスフリット２０６ａの硬さは４１０ＨＶである。本実施形態ではガラスフリット２０６ａにベース基板２と同じ材質のガラスビーズ２０６ｂを混合したものを用いており、その硬さは約５００ＨＶとなり、ベース基板２の硬さに近づけることができる。なお、芯材部２０７の外径を２００μｍ、スルーホール２３０，２３１の土台部２０８が配置された側の外径を２２０μｍ、土台部２０８が配置された側の反対側の外径を４００μｍと設定したとき、ガラスビーズ２０６ｂの粒径は、５～２０μｍで構成すると、気泡の発生を抑制することができる。また、ガラスフリット２０６ａとガラスビーズ２０６ｂとの体積比を適正に設定して、ガラスフリット２０６ａがペースト状になるようにする必要がある。さらに、ガラスビーズ２０６ｂは、ガラスフリット２０６ａの焼成温度よりも５０℃以上高い温度で軟化するものを採用している。
　芯材部７は、金属材料により円柱状に形成された導電性の芯材であり、筒体２０６と同様に両端が平坦で且つベース基板２の厚みと略同じ厚みとなるように形成されている。そして、この芯材部２０７は、筒体２０６の中心孔２０６ｃに位置しており、筒体２０６の焼成によってこの筒体２０６に対して強固に固着されている。
　なお、貫通電極２３２，２３３は、導電性の芯材部２０７を通して電気導通性が確保されている。
　ベース基板２の上面側には、導電性材料により、陽極接合用の接合膜３５と、一対の引き回し電極３６，３７とがパターニングされている。このうち接合膜３５は、リッド基板３に形成された凹部３ａの周囲を囲むようにベース基板２の周縁に沿って形成されている。
　これら一対の引き回し電極３６，３７上にそれぞれバンプＢが形成されており、このバンプＢを利用して圧電振動片４がマウントされている。これにより、圧電振動片４の一方のマウント電極１６が、一方の引き回し電極３６を介して一方の貫通電極２３２に導通し、他方のマウント電極１７が、他方の引き回し電極３７を介して他方の貫通電極２３３に導通するようになっている。
　また、ベース基板２の下面には、一対の貫通電極２３２，２３３に対してそれぞれ電気的に接続される外部電極３８，３９が形成されている。つまり、一方の外部電極３８は、一方の貫通電極２３２及び一方の引き回し電極３６を介して圧電振動片４の第１の励振電極１３に電気的に接続されている。また、他方の外部電極３９は、他方の貫通電極２３３及び他方の引き回し電極３７を介して、圧電振動片４の第２の励振電極１４に電気的に接続されている。
　次に、上述した圧電振動子１を、図２１に示すフローチャートを参照しながら、ベース基板用ウエハ４０とリッド基板用ウエハ５０とを利用して一度に複数製造する製造方法について以下に説明する。
　初めに、圧電振動片作製工程を行って圧電振動片４（図５～図７参照）を作製する（Ｓ１０）。具体的には、まず水晶のランバート原石を所定の角度でスライスして一定の厚みのウエハとする。続いて、このウエハをラッピングして粗加工した後、加工変質層をエッチングで取り除き、その後ポリッシュ等の鏡面研磨加工を行って、所定の厚みのウエハとする。続いて、ウエハに洗浄等の適切な処理を施した後、このウエハをフォトリソグラフィ技術によって圧電振動片４の外形形状でパターニングすると共に、金属膜の成膜及びパターニングを行って、励振電極１５、引き出し電極１９，２０、マウント電極１６，１７、重り金属膜２１を形成する。これにより、複数の圧電振動片４を作製することができる。
　また、圧電振動片４を作製した後、共振周波数の粗調を行っておく。これは、重り金属膜２１の粗調膜２１ａにレーザ光を照射して一部を蒸発させ、重量を変化させることで行う。なお、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては、マウント後に行う。これについては、後に説明する。
　次に、後にリッド基板３となるリッド基板用ウエハ５０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する第１のウエハ作製工程を行う（Ｓ２０）。まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のリッド基板用ウエハ５０（図１０参照）を形成する（Ｓ２１）。次いで、リッド基板用ウエハ５０の接合面に、エッチングなどにより行列方向にキャビティ用の凹部３ａを複数形成する凹部形成工程を行う（Ｓ２２）。この時点で、第１のウエハ作製工程が終了する。
　次に、上記工程と同時あるいは前後のタイミングで、後にベース基板２となるベース基板用ウエハ４０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する第２のウエハ作製工程を行う（Ｓ３０）。まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチングなどにより最表面の加工変質層を除去した円板状のベース基板用ウエハ４０を形成する（Ｓ３１）。次いで、ベース基板用ウエハ４０に一対の貫通電極２３２，２３３を複数形成する貫通電極形成工程を行う（Ｓ３０Ａ）。ここで、この貫通電極形成工程について、詳細に説明する。
　まず、ベース基板用ウエハ４０を貫通する一対のスルーホール２３０，２３１を複数形成する貫通孔形成工程（Ｓ３２）を行う（図１１参照）。この工程を行う際、ベース基板用ウエハ４０の下面側から、例えばサンドブラスト法で行う。これにより、図２２に示すように、ベース基板用ウエハ４０の下面から上面に向かって漸次径が縮径する断面テーパ状のスルーホール２３０，２３１を形成することができる。また、後に両ウエハ４０、５０を重ね合わせたときに、リッド基板用ウエハ５０に形成された凹部３ａ内に収まるように一対のスルーホール２３０，２３１を複数形成する。しかも、一方のスルーホール２３０が圧電振動片４の基部１２側に位置し、他方のスルーホール２３１が振動腕部１０、１１の先端側に位置するように形成する。
　続いて、これら複数のスルーホール２３０，２３１内に、鋲体２０９の芯材部２０７を配置するとともに、ガラス材料からなるガラスフリット２０６ａにベース基板２と同じ材料で形成されたガラスビーズ２０６ｂを混合させた充填材２０６ｄをスルーホール２３０，２３１内に充填するセット工程を行う（Ｓ３３）。この際、鋲体２０９として、図２３に示すように、平板状の土台部２０８と、この土台部２０８上から土台部２０８の表面に略直交する方向に沿ってベース基板用ウエハ４０と略同じ厚みだけ延在するとともに、先端が平坦に形成された芯材部２０７と、を有する導電性の鋲体２０９を用いる。さらに、図２４に示すように、この鋲体２０９の土台部２０８がベース基板用ウエハ４０に接触するまで、芯材部２０７を挿入する。ここで、芯材部２０７の両端をベース基板用ウエハ４０の表面に対して略面一になるように位置調整する必要がある。しかしながら、土台部２０８上に芯材部２０７が形成された鋲体２０９を利用するため、土台部２０８をベース基板用ウエハ４０に接触させるまで押し込むだけの簡単な作業で、芯材部２０７の両端をベース基板用ウエハ４０の表面に対して容易かつ確実に面一にすることができる。したがって、セット工程時における作業性を向上することができる。
　しかも、土台部２０８をベース基板用ウエハ４０の表面に接触させることで、ペースト状のガラスフリット２０６ａを確実にスルーホール２３０，２３１内に充填させることができる。
　さらに、土台部２０８は、平板状に形成されているため、セット工程後、次に行う焼成工程までの間に、ベース基板用ウエハ４０を机上等の平面上に載置したとしても、がたつきなどがなく、安定する。この点においても、作業性の向上を図ることができる。
　続いて、埋め込んだ充填材を所定の温度で焼成する焼成工程を行う（Ｓ３４）。これにより、スルーホール２３０，２３１と、このスルーホール２３０，２３１内に埋め込まれた充填材２０６ｄと、充填材２０６ｄ内に配置された鋲体２０９と、が互いに固着し合う。この焼成を行う際に、土台部２０８ごと焼成するため、充填材２０６ｄ及び芯材部２０７の両端を、共にベース基板用ウエハ４０の表面に対して略面一な状態にしたまま、両者を一体的に固定することができる。充填材２０６ｄが焼成されると筒体２０６として固化する。続いて、図２５に示すように、焼成後に鋲体２０９の土台部２０８を研磨して除去する研磨工程を行う（Ｓ３５）。これにより、筒体２０６および芯材部２０７を位置決めさせる役割を果たしていた土台部２０８を除去することができ、芯材部２０７のみを筒体２０６の内部に取り残すことができる。また、筒体２０６の硬度がベース基板用ウエハ４０の硬度と同程度になるように構成されているため、研削・研磨時に筒体２０６が余分に研削・研磨されるのを抑制することができる。その結果、図２６に示すように、筒体２０６と芯材部２０７とが一体的に固定された一対の貫通電極２３２，２３３を複数得ることができる。
　特に、貫通電極２３２，２３３を形成するにあたって、従来のものとは異なり、導電部にペーストを使用せずに、ガラス材料からなる筒体２０６と、導電性の芯材部２０７とで貫通電極２３２，２３３を形成している。仮に導電部にペーストを利用した場合には、焼成時にペースト内に含まれる有機物が蒸発してしまうため、ペーストの体積が焼成前に比べて顕著に減少してしまう。そのため、仮にペーストだけをスルーホール２３０，２３１内に埋め込んだ場合には、焼成後にペーストの表面に大きな凹みが生じてしまう。
　また、貫通電極２３２，２３３を、ガラスフリットと、導電性の芯材部とで形成した場合には、焼成時にガラスフリット内に気泡や凹部が発生する。また、ガラスフリットを焼成しても、一般的にガラスフリット内にはビスマスなどが混合されているため柔らかく、ベース基板用ウエハ４０の硬度よりも低くなる。したがって、その後の研削・研磨工程において、ガラスフリットの部分が余分に研削・研磨されてしまい、表面に凹みが生じてしまう。
　しかしながら、上述したようにガラスフリット２０６ａにこのガラスフリットよりも硬度の高いガラスビーズ２０６ｂが混合された充填材２０６ｄを用いて筒体２０６を形成するようにしたため、焼成後に表面に大きな凹みが現れる虞がない。なお、焼成によって筒体２０６は若干体積が減少する可能性があるが、目立つ凹みとなって現れるほど顕著なものではなく無視できる範囲である。なお、この研削・研磨工程の際にベース基板用ウエハ４０の裏面（鋲体２０９の土台部２０８が配されていない側の面）を研磨して平坦面になるようにしてもよい。
　したがって、上述したように、ベース基板用ウエハ４０の表面と、筒体２０６および芯材部２０７の両端とは、略面一な状態となる。つまり、ベース基板用ウエハ４０の表面と貫通電極２３２，２３３の表面とを、略面一な状態とすることができる。なお、研磨工程を行った時点で、貫通電極形成工程が終了する。
　次に、ベース基板用ウエハ４０の上面に導電性材料をパターニングして、接合膜３５を形成する接合膜形成工程を行う（Ｓ３６）とともに、各一対の貫通電極２３２，２３３にそれぞれ電気的に接続された引き回し電極３６，３７を複数形成する引き回し電極形成工程（Ｓ３７）を行う（図１５、図１６参照）。
　特に、貫通電極２３２，２３３は、上述したようにベース基板用ウエハ４０の上面に対して略面一な状態となっている。そのため、ベース基板用ウエハ４０の上面にパターニングされた引き回し電極３６，３７は、間に隙間などを発生させることなく貫通電極２３２，２３３に対して密着した状態で接する。これにより、一方の引き回し電極３６と一方の貫通電極２３２との導通性、並びに、他方の引き回し電極３７と他方の貫通電極２３３との導通性を確実なものにすることができる。この時点で第２のウエハ作製工程が終了する。
　ところで、図２１では、接合膜形成工程（Ｓ３６）の後に、引き回し電極形成工程（Ｓ３７）を行う工程順序としているが、これとは逆に、引き回し電極形成工程（Ｓ３７）の後に、接合膜形成工程（Ｓ３６）を行っても構わないし、両工程を同時に行っても構わない。いずれの工程順序であっても、同一の作用効果を奏することができる。よって、必要に応じて適宜、工程順序を変更して構わない。
　次に、作製した複数の圧電振動片４を、それぞれ引き回し電極３６，３７を介してベース基板用ウエハ４０の上面に接合するマウント工程を行う（Ｓ４０）。まず、一対の引き回し電極３６，３７上にそれぞれ金などのバンプＢを形成する。そして、圧電振動片４の基部１２をバンプＢ上に載置した後、バンプＢを所定温度に加熱しながら圧電振動片４をバンプＢに押し付ける。これにより、圧電振動片４は、バンプＢに機械的に支持されるとともに、マウント電極１６，１７と引き回し電極３６，３７とが電気的に接続された状態となる。よって、この時点で圧電振動片４の一対の励振電極１５は、一対の貫通電極２３２，２３３に対してそれぞれ導通した状態となる。
　特に、圧電振動片４は、バンプ接合されるため、ベース基板用ウエハ４０の上面から浮いた状態で支持される。
　圧電振動片４のマウントが終了した後、ベース基板用ウエハ４０に対してリッド基板用ウエハ５０を重ね合わせる重ね合わせ工程を行う（Ｓ５０）。具体的には、図示しない基準マーク等を指標としながら、両ウエハ４０、５０を正しい位置にアライメントする。これにより、マウントされた圧電振動片４が、ベース基板用ウエハ４０に形成された凹部３ａと両ウエハ４０、５０とで囲まれるキャビティＣ内に収容された状態となる。
　重ね合わせ工程後、重ね合わせた２枚のウエハ４０、５０を図示しない陽極接合装置に入れ、所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して陽極接合する接合工程を行う（Ｓ６０）。具体的には、接合膜３５とリッド基板用ウエハ５０との間に所定の電圧を印加する。すると、接合膜３５とリッド基板用ウエハ５０との界面に電気化学的な反応が生じ、両者がそれぞれ強固に密着して陽極接合される。これにより、圧電振動片４をキャビティＣ内に封止することができ、ベース基板用ウエハ４０とリッド基板用ウエハ５０とが接合したウエハ体６０を得ることができる（図１７参照）。
　ところで、陽極接合を行う際、ベース基板用ウエハ４０に形成されたスルーホール２３０，２３１は、貫通電極２３２，２３３によって完全に塞がれているため、キャビティＣ内の気密がスルーホール２３０，２３１を通じて損なわれることがない。特に、焼成によって筒体２０６と芯材部２０７とが一定的に固定されていると共に、これらがスルーホール２３０，２３１に対して強固に固着されているため、キャビティＣ内の気密を確実に維持することができる。
　そして、上述した陽極接合が終了した後、ベース基板用ウエハ４０の下面に導電性材料をパターニングして、一対の貫通電極２３２，２３３にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極３８，３９を複数形成する外部電極形成工程を行う（Ｓ７０）。この工程により、外部電極３８，３９を利用してキャビティＣ内に封止された圧電振動片４を作動させることができる。
　特に、この工程を行う場合も引き回し電極３６，３７の形成時と同様に、ベース基板用ウエハ４０の下面に対して貫通電極２３２，２３３が略面一な状態となっているため、パターニングされた外部電極３８，３９は、間に隙間などを発生させることなく貫通電極２３２，２３３に対して密着した状態で接する。これにより、外部電極３８，３９と貫通電極２３２，２３３との導通性を確実なものにすることができる。
　次に、ウエハ体６０の状態で、キャビティＣ内に封止された個々の圧電振動子１の周波数を微調整して所定の範囲内に収める微調工程を行う（Ｓ８０）。具体的に説明すると、ベース基板用ウエハ４０の下面に形成された一対の外部電極３８，３９に電圧を印加して圧電振動片４を振動させる。そして、周波数を計測しながらリッド基板用ウエハ５０を通して外部からレーザ光を照射し、重り金属膜２１の微調膜２１ｂを蒸発させる。これにより、一対の振動腕部１０、１１の先端側の重量が変化するため、圧電振動片４の周波数を、公称周波数の所定範囲内に収まるように微調整することができる。
　周波数の微調が終了後、接合されたウエハ体６０を切断線Ｍ（図１７参照）に沿って切断して小片化する切断工程を行う（Ｓ９０）。その結果、互いに陽極接合されたベース基板２とリッド基板３との間に形成されたキャビティＣ内に圧電振動片４が封止された、２層構造式表面実装型の圧電振動子１を一度に複数製造することができる。
　なお、切断工程（Ｓ９０）を行って個々の圧電振動子１に小片化した後に、微調工程（Ｓ８０）を行う工程順序でも構わない。但し、上述したように、微調工程（Ｓ８０）を先に行うことで、ウエハ体６０の状態で微調を行うことができるため、複数の圧電振動子１をより効率良く微調することができる。よって、スループットの向上化を図ることができるため好ましい。
　その後、内部の電気特性検査を行う（Ｓ１００）。即ち、圧電振動片４の共振周波数、共振抵抗値、ドライブレベル特性（共振周波数及び共振抵抗値の励振電力依存性）などを測定してチェックする。また、絶縁抵抗特性などを併せてチェックする。そして、最後に圧電振動子１の外観検査を行って、寸法や品質等を最終的にチェックする。これをもって圧電振動子１の製造が終了する。
　特に、本実施形態の圧電振動子１は、表面に凹みがなく、ベース基板２に対して略面一な状態で貫通電極２３２，２３３を形成できるため、この貫通電極２３２，２３３を、引き回し電極３６，３７および外部電極３８，３９に対して確実に密着させることができる。その結果、圧電振動片４と外部電極３８，３９との安定した導通性を確保することができ、作動性能の信頼性を向上して高性能化を図ることができる。しかも、導通性の芯材部２０７を利用して貫通電極２３２，２３３を構成しているため、非常に安定した導通性を得ることができる。
　また、キャビティＣ内の気密に関しても確実に維持することができるため、この点においても高品質化を図ることができる。特に、本実施形態の筒体２０６は、ガラスフリット２０６ａにガラスビーズ２０６ｂを混合したもので形成したため、その後の焼成時の段階で変形や体積減少などが生じ難い。そのため、高品質な貫通電極２３２，２３３を形成することができ、キャビティＣ内の気密をより確実にすることができる。よって、圧電振動子１の高品質化を図ることができる。
　また、本実施形態の製造方法によれば、上記圧電振動子１を一度に複数製造することができるため、低コスト化を図ることができる。
　また、筒体２０６を構成するガラスフリット２０６ａに容易に入手可能なガラスビーズ２０６ｂを混合させるだけで、筒体２０６としての機能を確実に発揮することができ、スルーホール２３０，２３１内に気密性を確保した貫通電極２３２，２３３を形成することができる。
　さらに、芯材部２０７と、筒体２０６を構成するガラスフリット２０６ａと、このガラスフリット２０６ａよりも硬度の高いガラスビーズ２０６ｂとが混合された充填材２０６ｄと、をスルーホール２３０，２３１に配置し、焼成した後に、ベース基板２および貫通電極２３２，２３３の表面に研磨を施しても、筒体２０６の硬度が、ガラスフリット２０６ａ単体の場合よりもベース基板２の硬度とに近づいている（略同一になっている）ため、その後の研磨工程で筒体２０６が余分に研磨されることを抑制することができる。つまり、その後圧電振動片４と貫通電極２３２，２３３とを電気的に接続するために引き回し電極３６，３７をベース基板２の上面に形成する際に、精度良く引き回し電極３６，３７を形成することができ、断線などの発生を抑制することができる。したがって、圧電振動片４と外部電極３８，３９との安定した導通性を確保した高品質な２層構造式表面実装型の圧電振動子１を提供することができる。
　なお、上述した実施形態では、複数のガラスビーズ２０６ｂを含んだガラスフリット２０６ａを用いて筒体２０６を形成したが、ガラスフリット２０６ａの代わりに銀ペーストなどのペースト材を用いて筒体２０６を形成してもよい。ペースト材を用いる場合にも焼成をして硬化させる焼成工程を行うが、このペースト材もガラスフリット２０６ａと同様に、焼成すると焼成前に比べて体積が減少してしまう。しかしながら、ガラスビーズ２０６ｂが含まれたペースト材を用いることで、ペースト材の硬化後に現れる表面の凹みは無視できるほど小さくなる。
　また、本実施形態では、芯材部２０７の形状を円柱状で形成した場合の説明をしたが、角柱にしてもよい。この場合であっても、やはり同様の作用効果を奏することができる。
　また、上記実施形態において、芯材部２０７として、熱膨張係数がベース基板２（ベース基板用ウエハ４０）および筒体２０６と略等しいものを用いることが好ましい。この場合には、焼成を行う際に、ベース基板用ウエハ４０、筒体２０６および芯材部２０７の３つが、それぞれ同じように熱膨張する。したがって、熱膨張係数の違いによって、ベース基板用ウエハ４０や筒体２０６に過度に圧力を作用させてクラックなどを発生させたり、筒体２０６とスルーホール２３０，２３１との間、あるいは、筒体２０６と芯材部２０７との間に隙間が開いてしまったりすることがない。そのため、より高品質な貫通電極を形成することができ、その結果、圧電振動子１のさらなる高品質化を図ることができる。
（発振器）
　次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図２７を参照しながら説明する。
　本実施形態の発振器１００は、図２７に示すように、圧電振動子１を、集積回路１０１に電気的に接続された発振子として構成したものである。この発振器１００は、コンデンサなどの電子部品１０２が実装された基板１０３を備えている。基板１０３には、発振器用の上記集積回路１０１が実装されており、この集積回路１０１の近傍に、圧電振動子１が実装されている。これら電子部品１０２、集積回路１０１および圧電振動子１は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。
　このように構成された発振器１００において、圧電振動子１に電圧を印加すると、この圧電振動子１内の圧電振動片４が振動する。この振動は、圧電振動片４が有する圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路１０１に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路１０１によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。これにより、圧電振動子１が発振子として機能する。
　また、集積回路１０１の構成を、例えば、ＲＴＣ（リアルタイムクロック）モジュールなどを要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器などの他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダーなどを提供したりする機能を付加することができる。
　上述したように、本実施形態の発振器１００によれば、キャビティＣ内の気密が確実で、作動の信頼性が向上した高品質な圧電振動子１を備えているため、発振器１００自体も同様に作動の信頼性を高めて高品質化を図ることができる。さらにこれに加え、長期にわたって安定した高精度な周波数信号を得ることができる。
（電子機器）
　次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について、図２８を参照して説明する。なお電子機器として、上述した圧電振動子１を有する携帯情報機器１１０を例にして説明する。
　始めに本実施形態の携帯情報機器１１０は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻などを表示させることができるものである。また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカおよびマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。しかしながら、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化及び軽量化されている。
　次に、本実施形態の携帯情報機器１１０の構成について説明する。この携帯情報機器１１０は、図２８に示すように、圧電振動子１と、電力を供給するための電源部１１１とを備えている。電源部１１１は、例えば、リチウム二次電池からなっている。この電源部１１１には、各種制御を行う制御部１１２と、時刻などのカウントを行う計時部１１３と、外部との通信を行う通信部１１４と、各種情報を表示する表示部１１５と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部１１６とが並列に接続されている。そして、電源部１１１によって、各機能部に電力が供給されるようになっている。
　制御部１１２は、各機能部を制御して音声データの送信及び受信、現在時刻の計測や表示など、システム全体の動作制御を行う。また、制御部１１２は、予めプログラムが書き込まれたＲＯＭと、このＲＯＭに書き込まれたプログラムを読み出して実行するＣＰＵと、このＣＰＵのワークエリアとして使用されるＲＡＭなどとを備えている。
　計時部１１３は、発振回路、レジスタ回路、カウンタ回路およびインターフェース回路などを内蔵する集積回路と、圧電振動子１とを備えている。圧電振動子１に電圧を印加すると圧電振動片４が振動し、この振動が水晶の有する圧電特性により電気信号に変換されて、発振回路に電気信号として入力される。発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。そして、インターフェース回路を介して、制御部１１２と信号の送受信が行われ、表示部１１５に、現在時刻や現在日付あるいはカレンダー情報などが表示される。
　通信部１１４は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９、増幅部１２０、音声入出力部１２１、電話番号入力部１２２、着信音発生部１２３および呼制御メモリ部１２４を備えている。
　無線部１１７は、音声データなどの各種データを、アンテナ１２５を介して基地局と送受信のやりとりを行う。音声処理部１１８は、無線部１１７または増幅部１２０から入力された音声信号を符号化および複号化する。増幅部１２０は、音声処理部１１８又は音声入出力部１２１から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部１２１は、スピーカやマイクロフォンなどからなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。
　また、着信音発生部１２３は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部１１９は、着信時に限って、音声処理部１１８に接続されている増幅部１２０を着信音発生部１２３に切り替えることによって、着信音発生部１２３において生成された着信音が増幅部１２０を介して音声入出力部１２１に出力される。
　なお、呼制御メモリ部１２４は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部１２２は、例えば、０から９の番号キーおよびその他のキーを備えており、これら番号キーなどを押下することにより、通話先の電話番号などが入力される。
　電圧検出部１１６は、電源部１１１によって制御部１１２などの各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部１１２に通知する。このときの所定の電圧値は、通信部１１４を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、３Ｖ程度となる。電圧検出部１１６から電圧降下の通知を受けた制御部１１２は、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９および着信音発生部１２３の動作を禁止する。特に、消費電力の大きな無線部１１７の動作停止は、必須となる。さらに、表示部１１５に、通信部１１４が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。
　即ち、電圧検出部１１６と制御部１１２とによって、通信部１１４の動作を禁止し、その旨を表示部１１５に表示することができる。この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部１１５の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×（バツ）印を付けるようにしてもよい。
　なお、通信部１１４の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断することができる電源遮断部１２６を備えることで、通信部１１４の機能をより確実に停止することができる。
　上述したように、本実施形態の携帯情報機器１１０によれば、キャビティＣ内の気密が確実で、作動の信頼性が向上した高品質な圧電振動子１を備えているため、携帯情報機器自体も同様に作動の信頼性を高めて高品質化を図ることができる。さらにこれに加え、長期にわたって安定した高精度な時計情報を表示することができる。
（電波時計）
　次に、本発明に係る電波時計の一実施形態について、図２９を参照して説明する。
　本実施形態の電波時計１３０は、図２９に示すように、フィルタ部１３１に電気的に接続された圧電振動子１を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。
　日本国内には、福島県（４０ｋＨｚ）と佐賀県（６０ｋＨｚ）とに、標準の電波を送信する送信所（送信局）があり、それぞれ標準電波を送信している。４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、上述した２つの送信所で日本国内を全て網羅している。
　以下、電波時計１３０の機能的構成について詳細に説明する。
　アンテナ１３２は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの搬送波にＡＭ変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ１３３によって増幅され、複数の圧電振動子１を有するフィルタ部１３１によって濾波、同調される。
　本実施形態における圧電振動子１は、上記搬送周波数と同一の４０ｋＨｚおよび６０ｋＨｚの共振周波数を有する水晶振動子部１３８、１３９をそれぞれ備えている。
　さらに、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路１３４により検波復調される。
　続いて、波形整形回路１３５を介してタイムコードが取り出され、ＣＰＵ１３６でカウントされる。ＣＰＵ１３６では、現在の年、積算日、曜日、時刻などの情報を読み取る。読み取られた情報は、ＲＴＣ１３７に反映され、正確な時刻情報が表示される。
　搬送波は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚであるから、水晶振動子部１３８、１３９は、上述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。
　なお、上述の説明は、日本国内の例で示したが、長波の標準電波の周波数は、海外では異なっている。例えば、ドイツでは７７．５ＫＨｚの標準電波が用いられている。したがって、海外でも対応可能な電波時計１３０を携帯機器に組み込む場合には、さらに日本の場合とは異なる周波数の圧電振動子１を必要とする。
　上述したように、本実施形態の電波時計１３０によれば、キャビティＣ内の気密が確実で、作動の信頼性が向上した高品質な圧電振動子１を備えているため、電波時計自体も同様に作動の信頼性を高めて高品質化を図ることができる。さらにこれに加え、長期にわたって安定して高精度に時刻をカウントすることができる。
　なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
　例えば、上記実施形態では、スルーホールの形状を断面テーパ状の円錐形状に形成したが、断面テーパ状ではなくストレート形状の円柱形状にしてもよい。
　また、上記実施形態では、圧電振動片４の一例として振動腕部１０、１１の両面に溝部１８が形成された溝付きの圧電振動片４を例に挙げて説明したが、溝部１８がないタイプの圧電振動片でも構わない。但し、溝部１８を形成することで、一対の励振電極１５に所定の電圧を印加させたときに、一対の励振電極１５間における電界効率を上げることができるため、振動損失をより抑えて振動特性をさらに向上することができる。つまり、ＣＩ値（Crystal Impedance）をさらに低くすることができ、圧電振動片４のさらなる高性能化を図ることができる。この点において、溝部１８を形成する方が好ましい。
　また、上記実施形態では、音叉型の圧電振動片４を例に挙げて説明したが、音叉型に限られるものではない。例えば、厚み滑り振動片としても構わない。
　また、上記実施形態では、ベース基板２とリッド基板３とを接合膜３５を介して陽極接合したが、陽極接合に限定されるものではない。但し、陽極接合することで、両基板２、３を強固に接合できるため好ましい。
　また、上記実施形態では、圧電振動片４をバンプ接合したが、バンプ接合に限定されるものではない。例えば、導電性接着剤により圧電振動片４を接合しても構わない。但し、バンプ接合することで、圧電振動片４をベース基板２の上面から浮かすことができ、振動に必要な最低限の振動ギャップを自然と確保することができる。よって、バンプ接合することが好ましい。
　また、上記実施形態では、ガラスビーズの熱膨張係数がベース基板用ウエハ４０と略等しいとしたが、これに制限されるものではない。但し、ガラスビーズおよびウエハ４０の熱膨張係数が略等しいことで、クラックの発生を防止でき、高品質化を図ることができるので、熱膨張係数は略等しいことが好ましい。
　本発明に係る圧電振動子は、接合された２枚の基板の間に形成されたキャビティ内に圧電振動片が封止された表面実装型（ＳＭＤ）の圧電振動子に適用できる。

Claims (28)

  1. 　ベース基板と、
    　キャビティ用の凹部が形成され、前記凹部を前記ベース基板に対向させた状態で前記ベース基板に接合されたリッド基板と、
    　前記凹部を利用して前記ベース基板と前記リッド基板との間に形成されたキャビティ内に収納された状態で、ベース基板の上面に接合された圧電振動片と、
    　前記ベース基板の下面に形成された外部電極と、
    　前記ベース基板を貫通するように形成され、前記キャビティ内の気密を維持するとともに、前記外部電極に対してそれぞれ電気的に接続された貫通電極と、
    　前記ベース基板の上面に形成され、接合された前記圧電振動片に対して前記貫通電極をそれぞれ電気的に接続させる引き回し電極と、を備え、
    　前記貫通電極は、複数の金属微粒子および複数のガラスビーズを含んだペースト材の硬化により形成されていることを特徴とする圧電振動子。
  2. 　ベース基板と、
    　キャビティ用の凹部が形成され、前記凹部を前記ベース基板に対向させた状態で前記ベース基板に接合されたリッド基板と、
    　前記凹部を利用して前記ベース基板と前記リッド基板との間に形成されたキャビティ内に収納された状態で、ベース基板の上面に接合された圧電振動片と、
    　前記ベース基板の下面に形成された外部電極と、
    　前記ベース基板を貫通するように形成され、前記キャビティ内の気密を維持するとともに、前記外部電極に対してそれぞれ電気的に接続された貫通電極と、
    　前記ベース基板の上面に形成され、接合された前記圧電振動片に対して前記貫通電極をそれぞれ電気的に接続させる引き回し電極と、を備え、
    　前記貫通電極は、複数の金属微粒子および複数のガラスビーズを含んだガラスフリットの硬化により形成されていることを特徴とする圧電振動子。
  3. 　前記ガラスビーズは、熱膨張係数が前記ベース基板と略等しいことを特徴とする請求項１または２に記載の圧電振動子。
  4. 　前記ガラスビーズは、球状であることを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載の圧電振動子。
  5. 　前記ベース基板および前記リッド基板は、前記凹部の周囲を囲むように両基板の間に形成された接合膜を介して陽極接合されていることを特徴とする請求項１～４のいずれかに記載の圧電振動子。
  6. 　前記圧電振動片は、導電性のバンプによりバンプ接合されていることを特徴とする請求項１～５のいずれかに記載の圧電振動子。
  7. 　前記金属微粒子は、非球形形状であることを特徴とする請求項１～６のいずれかに記載の圧電振動子。
  8. 　互いに接合されたベース基板とリッド基板との間に形成されたキャビティ内に圧電振動片が封止された圧電振動子を、ベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとを利用して一度に複数製造する方法であって、
    　前記リッド基板用ウエハに、両ウエハが重ね合わされたときに前記キャビティを形成するキャビティ用の凹部を複数形成する凹部形成工程と、
    　前記ベース基板用ウエハに、複数の金属微粒子および複数のガラスビーズを含んだペースト材を利用して、前記ウエハを貫通する貫通電極を複数形成する貫通電極形成工程と、
    　前記ベース基板用ウエハの上面に、前記貫通電極に対してそれぞれ電気的に接続された引き回し電極を複数形成する引き回し電極形成工程と、
    　複数の前記圧電振動片を、前記引き回し電極を介して前記ベース基板用ウエハの上面に接合するマウント工程と、
    　前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを重ね合わせて、前記凹部と両ウエハとで囲まれる前記キャビティ内に圧電振動片を収納する重ね合わせ工程と、
    　前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを接合し、前記圧電振動片を前記キャビティ内に封止する接合工程と、
    　前記ベース基板用ウエハの下面に、前記貫通電極にそれぞれ電気的に接続された外部電極を複数形成する外部電極形成工程と、
    　接合された前記両ウエハを切断して、複数の前記圧電振動子に小片化する切断工程と、を備え、
    　前記貫通電極形成工程は、前記ベース基板用ウエハに前記ウエハを貫通する貫通孔を複数形成する貫通孔形成工程と、これら複数の貫通孔内に前記ペースト材を埋め込んで前記貫通孔を塞ぐ充填工程と、埋め込んだペースト材を所定の温度で焼成して硬化させる焼成工程と、を備えていることを特徴とする圧電振動子の製造方法。
  9. 　互いに接合されたベース基板とリッド基板との間に形成されたキャビティ内に圧電振動片が封止された圧電振動子を、ベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとを利用して一度に複数製造する方法であって、
    　前記リッド基板用ウエハに、両ウエハが重ね合わされたときに前記キャビティを形成するキャビティ用の凹部を複数形成する凹部形成工程と、
    　前記ベース基板用ウエハに、複数の金属微粒子および複数のガラスビーズを含んだガラスフリットを利用して、前記ウエハを貫通する貫通電極を複数形成する貫通電極形成工程と、
    　前記ベース基板用ウエハの上面に、前記貫通電極に対してそれぞれ電気的に接続された引き回し電極を複数形成する引き回し電極形成工程と、
    　複数の前記圧電振動片を、前記引き回し電極を介して前記ベース基板用ウエハの上面に接合するマウント工程と、
    　前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを重ね合わせて、前記凹部と両ウエハとで囲まれる前記キャビティ内に圧電振動片を収納する重ね合わせ工程と、
    　前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを接合し、前記圧電振動片を前記キャビティ内に封止する接合工程と、
    　前記ベース基板用ウエハの下面に、前記貫通電極にそれぞれ電気的に接続された外部電極を複数形成する外部電極形成工程と、
    　接合された前記両ウエハを切断して、複数の前記圧電振動子に小片化する切断工程と、を備え、
    　前記貫通電極形成工程は、前記ベース基板用ウエハに前記ウエハを貫通する貫通孔を複数形成する貫通孔形成工程と、これら複数の貫通孔内に前記ガラスフリットを埋め込んで前記貫通孔を塞ぐ充填工程と、埋め込んだガラスフリットを所定の温度で焼成して硬化させる焼成工程と、を備えていることを特徴とする圧電振動子の製造方法。
  10. 　前記ガラスビーズとして、熱膨張係数が前記ベース基板用ウエハと略等しいガラスビーズを用いることを特徴とする請求項８または９に記載の圧電振動子の製造方法。
  11. 　前記ガラスビーズとして、球状のガラスビーズを用いることを特徴とする請求項８～１０のいずれかに記載の圧電振動子の製造方法。
  12. 　前記マウント工程前に、前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを重ね合わせたときに、前記凹部の周囲を囲む接合膜をベース基板用ウエハの上面に形成する接合膜形成工程を備え、
    　前記接合工程の際、前記接合膜を介して前記両ウエハを陽極接合することを特徴とする請求項８～１１のいずれかに記載の圧電振動子の製造方法。
  13. 　前記マウント工程の際、導電性のバンプを利用して前記圧電振動片をバンプ接合することを特徴とする請求項８～１２のいずれかに記載の圧電振動子の製造方法。
  14. 　前記充填工程の際、非球形形状の金属微粒子を含んだ前記ペースト材を埋め込むことを特徴とする請求項８，１０～１３のいずれかに記載の圧電振動子の製造方法。
  15. 　前記充填工程の際、前記ペースト材を脱泡処理した後に、前記ペースト材を前記貫通孔内に埋め込むことを特徴とする請求項８，１０～１４のいずれかに記載の圧電振動子の製造方法。
  16. 　前記充填工程の際、非球形形状の金属微粒子を含んだ前記ガラスフリットを埋め込むことを特徴とする請求項９～１３のいずれかに記載の圧電振動子の製造方法。
  17. 　前記充填工程の際、前記ガラスフリットを脱泡処理した後に、前記ガラスフリットを前記貫通孔内に埋め込むことを特徴とする請求項９～１３，１６のいずれかに記載の圧電振動子の製造方法。
  18. 　ベース基板と、
    　キャビティ用の凹部が形成され、前記凹部を前記ベース基板に対向させた状態で前記ベース基板に接合されるリッド基板と、
    　前記ベース基板と前記リッド基板との間に形成された前記キャビティ内に収納され、前記ベース基板の上面に接合された圧電振動片と、
    　前記ベース基板の下面に形成された外部電極と、
    　前記ベース基板に形成された貫通孔に、前記キャビティ内の気密を維持するとともに、前記外部電極に対して電気的に接続するように形成された貫通電極と、
    　前記圧電振動片と前記貫通電極とを電気的に接続させるために前記ベース基板の上面に形成された引き回し電極と、を備えた圧電振動子において、
    　前記貫通電極が、
    　　前記貫通孔内に挿入された導電性の芯材部と、
    　　ガラスフリットと前記ガラスフリットよりも硬度の高い粒状体とが混合され、前記貫通孔と前記芯材部との隙間に充填された筒体と、で構成されていることを特徴とする圧電振動子。
  19. 　ベース基板と、
    　キャビティ用の凹部が形成され、前記凹部を前記ベース基板に対向させた状態で前記ベース基板に接合されるリッド基板と、
    　前記ベース基板と前記リッド基板との間に形成された前記キャビティ内に収納され、前記ベース基板の上面に接合された圧電振動片と、
    　前記ベース基板の下面に形成された外部電極と、
    　前記ベース基板に形成された貫通孔に、前記キャビティ内の気密を維持するとともに、前記外部電極に対して電気的に接続するように形成された貫通電極と、
    　前記圧電振動片と前記貫通電極とを電気的に接続させるために前記ベース基板の上面に形成された引き回し電極と、を備えた圧電振動子において、
    　前記貫通電極が、
    　　前記貫通孔内に挿入された導電性の芯材部と、
    　　ペースト材と前記ペースト材よりも硬度の高い粒状体とが混合され、前記貫通孔と前記芯材部との隙間に充填された筒体と、で構成されていることを特徴とする圧電振動子。
  20. 　前記粒状体が、ガラスビーズであることを特徴とする請求項１８または１９に記載の圧電振動子。
  21. 　前記筒体の硬度が、前記ベース基板の硬度と略同一であることを特徴とする請求項１８～２０のいずれかに記載の圧電振動子。
  22. 　互いに接合されたベース基板とリッド基板との間に形成されたキャビティ内に圧電振動片が封止された圧電振動子の製造方法において、
    　平板状の土台部と、前記土台部の表面に直交する方向に沿って前記ベース基板と略同じ厚みだけ延在し、その先端が平坦に形成された芯材部と、を有する導電性の鋲体の芯材部を前記ベース基板の貫通孔内に挿入し、前記ベース基板の第１面に鋲体の土台部を当接させる工程と、
    　前記ベース基板の第２面に、充填材を塗布し、前記充填材を前記貫通孔内に充填する工程と、
    　前記充填材を焼成して硬化させる工程と、
    　前記ベース基板の第１面および第２面を研磨して芯材部を露出させる工程と、を有し、
    　前記充填材は、ペースト状のガラスフリットに、硬化後のガラスフリットよりも硬度の高い粒状体を混合したものであることを特徴とする圧電振動子の製造方法。
  23. 　前記圧電振動子を、ベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとを利用して製造する圧電振動子の製造方法において、
    　前記リッド基板用ウエハに、両ウエハが重ね合わされたときに前記キャビティを形成するキャビティ用の凹部を形成する凹部形成工程と、
    　前記ベース基板用ウエハに、平板状の土台部と、前記土台部の表面に直交する方向に沿って前記ベース基板用ウエハと略同じ厚みだけ延在し、その先端が平坦に形成された芯材部と、を有する導電性の鋲体を利用して、前記ウエハを貫通する貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、
    　前記ベース基板用ウエハの上面に、前記貫通電極に対して電気的に接続された引き回し電極を形成する引き回し電極形成工程と、
    　前記圧電振動片を、前記引き回し電極を介して前記ベース基板用ウエハの上面に接合するマウント工程と、
    　前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを重ね合わせて、前記凹部と両ウエハとで囲まれる前記キャビティ内に圧電振動片を収納する重ね合わせ工程と、
    　前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを接合し、前記圧電振動片を前記キャビティ内に封止する接合工程と、
    　前記ベース基板用ウエハの下面に、前記貫通電極に電気的に接続された外部電極を形成する外部電極形成工程と、
    　接合された前記両ウエハを切断して、複数の圧電振動子に小片化する切断工程と、を備え、
    　前記貫通電極形成工程が、
    　　前記ベース基板用ウエハに貫通電極を配置させるための貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
    　　前記ベース基板用ウエハの貫通孔に、前記鋲体を配置するとともに、前記貫通孔と前記鋲体の芯材部との間隙に、ペースト状のガラスフリットと前記ガラスフリットよりも硬度の高い粒状体とが混合された充填材を充填する貫通電極配置工程と、
    　　前記充填材を所定の温度で焼成して筒体を形成するとともに、前記貫通孔と前記筒体と前記鋲体の芯材部とを一体的に固定させる焼成工程と、
    　　前記鋲体の土台部および該土台部が配置された前記ベース基板用ウエハの上面を研削・研磨して、前記芯材部が露出するようにする研削・研磨工程と、を有していることを特徴とする請求項２２に記載の圧電振動子の製造方法。
  24. 　互いに接合されたベース基板とリッド基板との間に形成されたキャビティ内に圧電振動片が封止された圧電振動子の製造方法において、
    　平板状の土台部と、前記土台部の表面に直交する方向に沿って前記ベース基板と略同じ厚みだけ延在し、その先端が平坦に形成された芯材部と、を有する導電性の鋲体の芯材部を前記ベース基板の貫通孔内に挿入し、前記ベース基板の第１面に鋲体の土台部を当接させる工程と、
    　前記ベース基板の第２面に、充填材を塗布し、前記充填材を前記貫通孔内に充填する工程と、
    　前記充填材を焼成して硬化させる工程と、
    　前記ベース基板の第１面および第２面を研磨して芯材部を露出させる工程と、を有し、
    　前記充填材は、ペースト材に、硬化後のペースト材よりも硬度の高い粒状体を混合したものであることを特徴とする圧電振動子の製造方法。
  25. 　前記圧電振動子を、ベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとを利用して製造する圧電振動子の製造方法において、
    　前記リッド基板用ウエハに、両ウエハが重ね合わされたときに前記キャビティを形成するキャビティ用の凹部を形成する凹部形成工程と、
    　前記ベース基板用ウエハに、平板状の土台部と、前記土台部の表面に直交する方向に沿って前記ベース基板用ウエハと略同じ厚みだけ延在し、その先端が平坦に形成された芯材部と、を有する導電性の鋲体を利用して、前記ウエハを貫通する貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、
    　前記ベース基板用ウエハの上面に、前記貫通電極に対して電気的に接続された引き回し電極を形成する引き回し電極形成工程と、
    　前記圧電振動片を、前記引き回し電極を介して前記ベース基板用ウエハの上面に接合するマウント工程と、
    　前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを重ね合わせて、前記凹部と両ウエハとで囲まれる前記キャビティ内に圧電振動片を収納する重ね合わせ工程と、
    　前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを接合し、前記圧電振動片を前記キャビティ内に封止する接合工程と、
    　前記ベース基板用ウエハの下面に、前記貫通電極に電気的に接続された外部電極を形成する外部電極形成工程と、
    　接合された前記両ウエハを切断して、複数の圧電振動子に小片化する切断工程と、を備え、
    　前記貫通電極形成工程が、
    　　前記ベース基板用ウエハに貫通電極を配置させるための貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
    　　前記ベース基板用ウエハの貫通孔に、前記鋲体を配置するとともに、前記貫通孔と前記鋲体の芯材部との間隙に、ペースト材と前記ペースト材よりも硬度の高い粒状体とが混合された充填材を充填する貫通電極配置工程と、
    　　前記充填材を所定の温度で焼成して筒体を形成するとともに、前記貫通孔と前記筒体と前記鋲体の芯材部とを一体的に固定させる焼成工程と、
    　　前記鋲体の土台部および該土台部が配置された前記ベース基板用ウエハの上面を研削・研磨して、前記芯材部が露出するようにする研削・研磨工程と、を有していることを特徴とする請求項２４に記載の圧電振動子の製造方法。
  26. 　請求項１～７および請求項１８～２１のいずれかに記載の圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする発振器。
  27. 　請求項１～７および請求項１８～２１のいずれかに記載の圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。
  28. 　請求項１～７および請求項１８～２１のいずれかに記載の圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする電波時計。
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