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Everspin Technologies Inc
13,26ย $
After Hours:
13,70ย $
(3,34%)+0,44
Data e ora chiusura: 16 gen, 20:00:00 GMT-5 · USD · NASDAQ · Disclaimer
Titolo azionarioTitolo quotato in USACon sede in USA
Chiusura precedente
12,13ย $
Intervallo giornaliero
12,30ย $ - 13,47ย $
Intervallo annuale
4,34ย $ - 13,47ย $
Cap di mercato
303,01ย Mln USD
Volume medio
305,11K
Rapporto P/E
-
Dividendo/Prezzo
-
Borsa valori principale
NASDAQ
Notizie del mercato finanziario
Dati finanziari
Conto economico
Entrate
Utile netto
(USD)set 2025Variazione Y/Y
Entrate
14,06ย Mln16,27%
Spese di gestione
8,75ย Mln8,48%
Utile netto
54,00K-97,62%
Margine di profitto netto
0,38-97,98%
Utili per azione
0,06-65,25%
EBITDA
-679,00K60,36%
Aliquota fiscale effettiva
-5,88%โ€”
Totale attivo
Totale passivo
(USD)set 2025Variazione Y/Y
Investimenti cash/breve termine
45,26ย Mln14,32%
Totale attivo
80,27ย Mln10,57%
Totale passivo
14,45ย Mln8,43%
Patrimonio netto totale
65,82ย Mlnโ€”
Azioni in circolazione
22,86ย Mlnโ€”
Prezzo/valore contabile
4,20โ€”
Redditivitร  dell'attivo
-4,85%โ€”
Rendimento sul capitale
-5,62%โ€”
Flusso di cassa netto
(USD)set 2025Variazione Y/Y
Utile netto
54,00K-97,62%
Liquiditร  di esercizio
881,00K-68,96%
Contanti da investimenti
-855,00K-1.257,14%
Contanti da finanziamenti
269,00K448,98%
Flusso di cassa netto
295,00K-89,55%
Flusso di cassa libero
-778,62K-1,27%
Informazioni
Everspin Technologies, Inc. is a publicly traded semiconductor company headquartered in Chandler, Arizona, United States. It develops and manufactures discrete magnetoresistive RAM or magnetoresistive random-access memory products, including Toggle MRAM and Spin-Transfer Torque MRAM product families. It also licenses its technology for use in embedded MRAM applications, magnetic sensor applications as well as performs backend foundry services for eMRAM. MRAM has the performance characteristics close to static random-access memory while also having the persistence of non-volatile memory, meaning that it will not lose its charge or data if power is removed from the system. This characteristic makes MRAM suitable for a large number of applications where persistence, performance, endurance and reliability are critical. Wikipedia
Fondazione
2008
Sito web
Dipendenti
87
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